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WO2012011149A1 - 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置 - Google Patents

電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置 Download PDF

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WO2012011149A1
WO2012011149A1 PCT/JP2010/004676 JP2010004676W WO2012011149A1 WO 2012011149 A1 WO2012011149 A1 WO 2012011149A1 JP 2010004676 W JP2010004676 W JP 2010004676W WO 2012011149 A1 WO2012011149 A1 WO 2012011149A1
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support
fixed
substrate holder
power
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杉恭輔
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Canon Anelva Corp
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    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Definitions

  • the present invention relates to a power introducing apparatus and a vacuum processing apparatus using the power introducing apparatus.
  • the present invention relates to a power introducing apparatus suitable for introducing power to an electrostatic chuck of a substrate holder rotatably provided in a vacuum processing chamber, and a vacuum processing apparatus using the power introducing apparatus.
  • FIG. 6B is a detailed view of the power delivery mechanism in FIG. 6A.
  • the substrate holder 601 included in the power introduction device is rotatably held inside the vacuum vessel 630.
  • the substrate holder 601 has a sliding surface by surface contact centering on the rotation axis C of the rotary support 602 between the rotary support 602 of the substrate holder 601 and a pedestal 603 for supporting a load such as the rotary support.
  • the insulating members 605a and 605b are provided on the side of the rotating support 602 of the substrate holder 601 and on the side of the pedestal 603 supporting the load such as the rotating support and the like.
  • a minimum gap 607 had to be opened.
  • the rotary joint is not completely sealed and the fluid leaks from the rotary joint although it is minute, it is general to provide a drain port for discharging the leaked fluid to the outside. Then, the fluid leaking from the rotary joint is out of the circulation flow path for circulating the cooling water for cooling the electrostatic chuck.
  • the labyrinth structure 708 As a countermeasure, in the prior art, as shown in FIG. 7, it is attempted to form the so-called labyrinth structure 708 as the insulating members 605a and 605b on the side of the rotating support 602 and on the side of the pedestal 603.
  • the fluid 709 leaking from the rotary joint falls to the receiving portion 710 provided on the insulating member on the pedestal 603 side by the action of gravity.
  • a drain port 706 is provided in a part of the receiving portion 710 to discharge the fluid dropped in the receiving portion 710 to the outside, thereby preventing the fluid 709 from being connected to the other electrode side.
  • the present invention can be applied to an apparatus for processing a substrate by pivoting the substrate holder with the normal to the substrate holding surface of the substrate holder perpendicular to the direction of gravity, and the power can be stabilized in the substrate holder having a plurality of electrodes. Power supply technology that can be supplied.
  • a power introduction device is: A substrate holder disposed inside the vacuum vessel and capable of holding a substrate; A post connected to the substrate holder; A housing rotatably supporting the support; A rotational drive unit configured to rotate the substrate holder via the support; A power introducing unit for introducing power supplied from the outside to the substrate holder through the support; A refrigerant supply mechanism for circulating a refrigerant supplied from the outside to the substrate holder; The power introduction unit A first fixed conductive member provided in the housing; A second fixed conductive member provided at a position of the housing separated from the first fixed conductive member and insulated from the first fixed conductive member; A first rotary conductive member provided on the column so as to be in sliding contact with the first fixed conductive member; A second rotating conductive member provided on the column so as to be in sliding contact with the second fixed conductive member and insulated from the first rotating conductive member; A first power introducing member for supplying a first voltage to the substrate holder via the first rotary conductive
  • the surface of the column, the casing facing the surface of the column, the first rotating conductive member, the first fixed conductive member, the second rotating conductive member, and the second fixed conductive The refrigerant is circulated in the space formed by the elastic member, The space is connected to the refrigerant supply mechanism through a refrigerant flow path formed in the support column.
  • the present invention can be applied to an apparatus for processing a substrate by turning the substrate holder with the normal to the substrate holding surface of the substrate holder being perpendicular to the direction of gravity and applying power to the substrate holder having a plurality of electrodes. Can be supplied stably.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX in FIG. It is a figure explaining the fluid distribution channel for circulating a refrigerant. It is a figure which shows the detail of the electric power introduction
  • an ion beam etching apparatus is described as an example of the vacuum processing apparatus, but the scope of the present invention is not limited to this example.
  • the power supply apparatus according to the present invention can be suitably applied to vacuum processing apparatuses such as other etching apparatuses, sputter deposition apparatuses, PVD apparatuses, and CVD apparatuses.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an ion beam etching apparatus having a power introducing device according to a first embodiment of the present invention as viewed from the side
  • FIG. B is a figure which shows the detail of the electric power introduction
  • the ion beam etching apparatus 1 is an apparatus for irradiating the substrate W placed on the substrate stage 7 with ions from the ion beam source 5 and etching a predetermined laminated film on the substrate W.
  • the ion beam etching apparatus 1 shown in FIG. 1 includes an ion beam source 5 which is an etching source, a substrate stage 7 and a shutter device 9 in a vacuum chamber 3.
  • the ion beam source 5 is provided on the side surface of the vacuum vessel 3, and the substrate stage 7 is disposed opposite to the ion beam source 5.
  • the substrate stage 7 supports a substrate holder (hereinafter referred to as “substrate holding unit 7a”) for holding the substrate W and a case (hereinafter referred to as “rotation support unit 7b" for supporting the substrate holding unit 7a with respect to the vacuum vessel 3 And) as a component.
  • the substrate holding unit 7a can hold the substrate W by suction by the electrostatic chuck mechanism, and can rotate the substrate W together with the substrate holding unit 7a.
  • the rotation support portion 7b can be rotated around the rotation axis B (first rotation axis) as a rotation center, and the orientation of the substrate holding portion 7a facing the ion irradiation surface of the ion beam source 5 can be changed. it can.
  • the angle of the substrate etching surface with respect to the incident direction of the ions irradiated from the ion beam source 5 can be changed.
  • ions can be incident on the etching surface of the substrate W in an oblique direction, and highly accurate etching can be performed.
  • the ion beam source 5 is an apparatus for ionizing a gas by plasma and irradiating the substrate W with ions.
  • Ar gas is ionized, but the ion to be irradiated is not limited to Ar ion.
  • Kr gas, Xe gas, O 2 gas or the like for example, Kr gas, Xe gas, O 2 gas or the like.
  • a neutralizer (not shown) for neutralizing the charge of the ions irradiated from the ion beam source 5 is provided on the side wall of the ion beam source 5.
  • the shutter device 9 is provided between the ion beam source 5 and the substrate W on the substrate stage 7, and ions irradiated to the substrate W from the ion beam source 5 by the opening / closing operation of the shutter device 9 are substrate W It can be shielded before reaching the
  • the rotation support portion 7 b is a stage that can rotate around a rotation axis B (first rotation axis).
  • the substrate holding unit 7a has a substrate supporting and mounting table provided with an electrostatic adsorption mechanism rotatable about a rotation axis A (second rotation axis) in a direction orthogonal to the rotation axis B (first rotation axis). It is.
  • the substrate can be placed on the substrate holder 7a by the suction operation of the electrostatic suction mechanism.
  • the rotary support 7 b is disposed in the vacuum vessel 3, and the substrate holder 7 a is disposed above the rotary support 7 b.
  • a rotating support 25 (support) is connected to the bottom surface of the substrate holder 7a.
  • a rotating support 25 made of a conductive material is rotatably mounted, for example, via a vacuum seal mechanism 26 such as a magnetic fluid seal, in a hole formed in the upper portion of the rotation support 7 b. Thereby, the airtightness inside the vacuum vessel 3 is maintained.
  • the substrate holding unit 7a fixed to the rotating support 25 rotates with the substrate W placed on the substrate holding unit 7a by the rotation mechanism (rotation drive mechanism 27 described later).
  • the power introducing mechanism 30 holds the substrate around a first rotation drive mechanism for rotating the rotation support 7b around the first rotation axis, and a second rotation axis in a direction orthogonal to the first rotation axis. And a second rotation drive mechanism for rotating the portion 7a.
  • a rotary drive mechanism 27 is provided below the vacuum seal mechanism 26.
  • the rotation drive mechanism 27 functions as a motor for rotating the rotation support 25 by the interaction of a magnet (not shown) attached to the rotation support 25 and an electromagnet (not shown) disposed around the outer periphery thereof.
  • an encoder (not shown) for detecting the number of rotations and the rotation direction of the rotation support 25 is attached to the rotation drive mechanism 27.
  • the substrate holder 7a is a dielectric plate 23 as a mounting surface on which the substrate W is to be mounted, and an electrostatic chuck for pressing and fixing the mounted substrate W against the dielectric plate 23 with an appropriate electrostatic attraction force. (Electrostatic adsorption device) 24 is provided.
  • the substrate holding portion 7a further has a fluid passage (not shown) for introducing a back surface gas for heat conduction to the back surface side of the substrate W fixed on the dielectric plate 23 by the electrostatic chuck 24. It is formed.
  • the vacuum seal mechanism 26 is provided with an inlet communicating with the fluid path.
  • the back surface gas is a gas for efficiently transferring the heat of the substrate holding portion 7a cooled by the refrigerant to the substrate W, and conventionally, argon gas (Ar), nitrogen gas or the like is used. ing.
  • the cooling water for cooling the back surface side of the substrate W is introduced into the substrate holding unit 7a through a cooling water supply pipe 63 shown in FIGS. 4 and 5 described later, and is discharged through a cooling water discharge pipe 59. Ru.
  • the electrostatic chuck 24 is a positive / negative bipolar chuck device, and has two electrodes 28a and 28b in its interior.
  • the electrode 28a of one polarity and the electrode 28b of the other polarity are each embedded in a plate-like insulating member.
  • a required first voltage is introduced to the electrode 28a via the substrate holder 7a and the power introducing rod 29a (first power introducing member) provided inside the rotating support column 25.
  • a required second voltage is introduced to the electrode 28 b via the substrate holder 7 a and the second power introducing member 29 b provided inside the rotating support 25.
  • the two power introducing rods 29a and 29b are extended to the lower side of the rotating support column 25, and both of them are covered with the insulating members 31a and 31b.
  • the power introducing mechanism 30 includes a first voltage supply 71a for supplying a first voltage (for example, DC bias voltage, RF voltage), and a cable 33a (first voltage supply line) provided with an insulating coating.
  • the power introducing mechanism 30 includes a second voltage supply 71b for supplying a second voltage (for example, a DC bias voltage, an RF voltage), and a cable 33b (a second voltage supply provided with an insulating coating). Connected by line).
  • the cables 33a and 33b are connected in a state of being sufficiently bent so as not to be twisted and cut even when the unit rotates about a rotation axis B by a certain angle.
  • a rotary joint 36 is provided inside the power introducing mechanism 30. The details of the rotary joint 36 will be described later.
  • the rotation cylinder 32 can rotate around the rotation axis B, and the rotation support 7 b is fixed to the rotation cylinder 32.
  • the rotary cylinder 32 is rotatably attached to a hole formed in the vacuum vessel 3 via a vacuum seal mechanism 34 such as a magnetic fluid seal, for example. Thereby, the airtightness inside the vacuum vessel 3 is maintained.
  • the rotating cylinder 32 is rotated by, for example, a servomotor (not shown).
  • the rotary joint 36a has a conductive annular member 37a (first rotational conductive member) and a conductive annular member 39a (first fixed conductive member).
  • the conductive annular member 37 a is fixed around a rotating support 101 a made of a conductive material fixed to the rotating support 25, and is arranged concentrically around the rotation axis B.
  • the conductive annular member 39a is fixed to a housing 38a made of a conductive material concentrically arranged around the rotation axis B with respect to the rotation support 101a, and arranged concentrically around the rotation axis B ing.
  • the conductive annular members 37a and 39a are disposed in surface contact so as to be in sliding contact with the annular portion 130, respectively.
  • the conductive annular member 39a is biased by the elastic member 135 (for example, a plate spring, a coil spring, a rubber member, etc.) with respect to the conductive annular member 37a, and is an aid for maintaining the airtightness of the slidingly contacting annular portion 130. It functions as a mechanism.
  • the rotary support 25 rotates, the conductive annular member 37a and the conductive annular member 39a are in a sliding relationship at the rotary joint 36a.
  • the housing 38a is fixed to the rotation support 7b, and is connected to the first voltage supply 71a via a conductive cable 33a whose surface is covered with an insulating covering material.
  • the rotary joint 36b-1 has a conductive annular member 37b-1 (second rotational conductive member) and a conductive annular member 39b-1 (second fixed conductive member).
  • the rotary joint 36 b-2 has a conductive annular member 37 b-2 (second rotational conductive member) and a conductive annular member 39 b-2 (second fixed conductive member).
  • the two conductive annular members 37b-1 and 37b-2 are fixed around the rotating support 101b made of a conductive material fixed to the rotating support 25 and arranged concentrically around the rotation axis B There is.
  • the conductive annular members 39b-1 and 39b-2 (second fixed conductive members) are located at the position of the housing separated from the position where the conductive annular member 39a (first fixed conductive member) is fixed. It is fixed.
  • the two conductive annular members 39b-1 and 39b-2 are fixed to a housing 38b made of a conductive material concentrically arranged around the rotation axis B with respect to the rotation support 101b, and the rotation axis B is It is arranged on a concentric circle centered.
  • the conductive annular members 37b-1 and 39b-1 are disposed in surface contact so as to be in sliding contact with each other at the annular portion 138.
  • the conductive annular members 37b-2 and 39b-2 are disposed in surface contact so as to be in sliding contact with each other at the annular portion 139.
  • the conductive annular member 39b-1 is biased by the elastic member 136 (for example, a plate spring, a coil spring, a rubber member, etc.) with respect to the conductive annular member 37b-1, and maintains the airtightness of the slidingly contacting annular portion 138 It functions as an auxiliary mechanism for
  • the conductive annular member 39b-2 is biased by the elastic member 137 with respect to the conductive annular member 37b-2, and functions as an auxiliary mechanism for maintaining the airtightness of the slidingly contacting annular portion 139. There is.
  • the conductive annular member 37b-1 and the conductive annular member 39b-1 are in a sliding relationship at the rotary joint 36b-1.
  • the conductive annular member 37b-2 and the conductive annular member 39b-2 are in a sliding relationship at the rotary joint 36b-2.
  • the housing 38b is fixed to the rotation support 7b, and is connected to the second voltage supply 71b via a conductive cable 33b whose surface is covered with an insulating covering material.
  • the power introduction mechanism 30 can apply DC bias power to the electrostatic chuck 24.
  • a first insulating member 45a rotational insulating member
  • the power introducing mechanism 30 is electrically divided into two zones by the member 45 b (fixed insulating member).
  • the member 45 b fixed insulating member
  • two divided zones are vertically arranged in series via the first insulating member 45a and the second insulating member 45b.
  • One of two electrodes of the electrostatic chuck 24 is electrically connected to one of the regions divided by the first insulating member 45 a and the second insulating member 45 b in the power introducing mechanism 30. Connected to Further, the other of the two electrodes of the electrostatic chuck 24 is electrically connected to the other of the divided regions.
  • the power introducing mechanism 30 includes a divided area 30 a closer to the electrostatic chuck 24 and a divided area 30 b farther to the electrostatic chuck 24 by the first insulating member 45 a and the second insulating member 45 b. And divided into The divided area 30a and the divided area 30b are in an insulating state.
  • the electrode 28a of the electrostatic chuck 24 and the divided area 30a are electrically connected through the power introducing rod 29a which is formed in the rotating support 25 made of a conductive material and is covered by the insulating member 31a. .
  • the electrode 28 b of the electrostatic chuck 24 and the divided area 30 b are electrically connected to each other through the power introducing rod 29 b which is formed in the rotating support 25 and covered by the insulating member 31 b.
  • the power introducing rod 29b is covered by the insulating member 31b.
  • the power introducing mechanism 30 includes rotating columns 101a and 101b, and housings 38a and 38b arranged around the rotating columns 101a and 101b. Further, the power introducing mechanism 30 includes a first insulating member 45a and a second insulating member 45b that divide the power introducing mechanism 30 into the divided area 30a and the divided area 30b. Further, the power introducing mechanism 30 includes rotary joints 36a, b-1, b-2 made of a conductive material for sliding the rotating columns 101a, b and the housings 38a, 38b.
  • the rotation support column 25 (FIG. 2) is configured such that the rotation support column 101a shown in FIG. 3B, the first insulating member 45a, and the rotation support column 101b are integrated. Further, it is assumed that the housing 38 (FIG. 2) is configured by the housings 38a and 38b shown in FIG. 3B and the second insulating member 45b.
  • the power introducing rod 29a electrically connects the electrode 28a and the divided area 30a corresponding to the electrode 28a. Connecting. Further, in a state where the electrode 28b of the electrostatic chuck 24 is insulated from the corresponding divided area 30b of the power introducing mechanism 30, the power introducing rod 29b electrically connects the electrode 28b and the divided area 30b corresponding to the electrode 28b. Connect.
  • the divided area 30a is electrically connected to the conductive case 38a via the conductive rotary joint 36a.
  • the housing 38a is electrically connected to the first voltage supply 71a.
  • the divided area 30b is electrically connected to the conductive case 38b via the conductive rotary joints 36b-1 and b-2.
  • the housing 38b is electrically connected to the second voltage supply 71b.
  • an electrical path for introducing the predetermined power to the electrostatic chuck 24 can be included in the rotating support 25. Therefore, it is possible to secure a path for supplying power to the electrostatic chuck without drawing around electrical wiring and the like.
  • the electrical path can be included in the rotating support 25, even if the substrate holding portion 7a is rotated, the electrical circuit can be prevented from being entangled.
  • the power introducing mechanism 30 is divided into two divided areas 30a and 30b which are isolated from each other. Further, the electrode 28a and the divided region 30a are electrically connected in a state in which the electrode 28a and the divided region 30a are insulated. Further, the electrode 28b and the divided region 30b are electrically connected in a state where the electrode 28b and the divided region 30b are insulated. With this configuration, power can be favorably supplied from the respective power supplies to the electrostatic chuck 24 without the positive and negative voltages supplied to the electrostatic chuck 24 from shorting along the way.
  • FIG. 3A is a view showing another cross section of the power introducing mechanism 30 described in FIG. 3B.
  • FIG. 4 is a view showing a ZZ cross section in FIG. 3A
  • FIG. 5A is a view showing a YY cross section in FIG. 3A.
  • a refrigerant supply mechanism (not shown) distributes pure water (cooling water) whose resistance value is controlled to 10 M ⁇ ⁇ cm or more as a refrigerant. Cooling water flows in from the cooling water inlet shown in FIG. Then, the pure water (cooling water) is introduced from the cooling water supply piping 63 into the substrate holding portion 7a through a through hole (not shown) which penetrates the inside of the rotary support 25 in FIG.
  • the cooling water supply pipe 63 is a pipe-shaped insulating member, and communicates with the substrate holding portion 7a from the divided area 30b.
  • An elastomeric O-ring 101 is configured to seal the shaft of the pipe-like cooling water supply pipe 63 as appropriate.
  • the pure water (cooling water) supplied to the substrate holding unit 7a through the cooling water inlet, the cooling water supply piping 63, and the through holes in the rotating support column 25 is a cooling water circulation channel formed inside the substrate holding unit 7a ( Flow through). Then, the pure water (cooling water) flows into the cooling water discharge pipe 59 shown in FIG. 4 through the through hole (not shown) in the rotating support column 25, and is discharged from the cooling water outlet.
  • the cooling water discharge pipe 59 is a pipe-shaped insulating member, and is communicated from the substrate holding part 7a to the divided area 30a, and pure water (cooling water) from the substrate holding part 7a flows as shown by the arrow 54 in FIG. It flows in the road.
  • pure water (cooling water) is returned from the cooling water outlet to a refrigerant supply mechanism (not shown) by a piping member (not shown) and discharged to the outside of the power introducing device.
  • An elastomeric O-ring 101 is configured to seal the shaft of the pipe-like cooling water discharge pipe 59 as appropriate. With this configuration, when the refrigerant (cooling water) flows in the flow path, it is possible to prevent the cooling water from leaking out to the inside of the divided regions 30a and 30b. Further, as shown in the rotary joint 36b-2 of FIG.
  • the O-ring 102 is disposed to seal between the respective members in order to prevent leakage of the cooling water from the flow passage, and the cooling water leaks from the flow passage Is configured to prevent.
  • the O-ring 104 is also arranged for the same purpose.
  • a rubber seal member 103a such as an oil seal is disposed at the end of the leak. Let me go and stop it. Also, in order to dry the leaking cooling water (refrigerant), the gas supply mechanism (not shown) supplies the drying gas from the drying air inlet 300 (FIG. 3A), and the drying air outlet 320 (FIG. 3B). The gas is discharged to a gas recovery mechanism (not shown) and recovered.
  • the gas flow path (third flow path) communicating with the drying air inlet 300 is a gas supply mechanism (on the outer surface side of the conductive annular member 37 a and the conductive annular member 39 a with respect to the inside of the space 201). Introduce the gas supplied from (not shown). The gas introduced from the gas flow path (third flow path) is discharged toward the gas recovery mechanism (not shown) through the gas flow path (fourth flow path) communicating with the drying air outlet 320. Ru.
  • the drying air inlet 310 (FIG. 3A) and the drying air outlet 330 (FIG. 3B) are also formed in the space formed by the conductive annular member 37b-2, the conductive annular member 39b-2, and the rubber seal member 103b. It is provided.
  • the gas flow path (fifth flow path) communicating with the drying air inlet 310 is on the outer surface side of the conductive annular member 37b-2 and the conductive annular member 39b-2 with respect to the inside of the space (202). Introduce the gas supplied from the gas supply mechanism (not shown). The gas introduced from the gas flow path (fifth flow path) is discharged toward the gas recovery mechanism (not shown) through the gas flow path (sixth flow path) communicating with the drying air outlet 330. Ru.
  • the space 201 (refrigerant discharge space) is the outer peripheral surface of the rotary support 101a, the inner peripheral surface of the housing 38a facing the outer peripheral surface of the rotary support 101a, the conductive annular member 37a, and the conductive annular member 37b-1, conductive annular member 39a, conductive annular member 39b-1, first insulating member 45a, and second insulating member 45b.
  • the inside of the space 201 (refrigerant discharge space) is kept airtight.
  • the space 201 (refrigerant discharge space) constitutes a flow path for flowing the refrigerant (cooling water) flowing from the cooling water discharge pipe 59 shown in FIG. 4 to the cooling water outlet.
  • the space 202 (refrigerant supply space) includes the outer peripheral surface of the rotating support 101b, the inner peripheral surface of the housing 38b facing the outer peripheral surface of the rotating support 101b, the conductive annular member 37b-1, and the conductive annular member It is formed by 37b-2, conductive annular member 39b-1, and conductive annular member 39b-2.
  • the inside of the space 202 (refrigerant supply space) is kept airtight.
  • the inside of the space 202 (refrigerant supply space) is kept airtight.
  • the refrigerant (cooling water) flowing from the cooling water inlet shown in FIG. 5A flows, and a flow path for flowing the refrigerant (cooling water) to the cooling water supply piping 63 is configured. .
  • both the conductive ring member 37b-1 and the rotary support 101a are conductive members, the division area 30a and the division area 30a can be divided by appropriately taking the insulation creepage distance with respect to the supply voltage through the first insulating member 45a. The conduction with the region 30 b is prevented.
  • the housings 38a and 38b are both conductive members, but the division area 30a and the division area 30b are electrically connected by appropriately taking the insulation creepage distance to the supply voltage through the second insulating member 45b.
  • the refrigerant (cooling water) is pure water managed to have a resistance value of 10 M ⁇ ⁇ cm or more, the conduction through the refrigerant (cooling water) does not occur either.
  • the conductive annular member 39b-1 and the conductive annular member 37b-1 are the supply line of the refrigerant (cooling water) to the substrate holder 7a and the discharge line of the refrigerant (cooling water) returning from the substrate holder 7a. It is partitioned by the surface sliding portion in surface contact. Even if refrigerant leaks from the supply line side of the refrigerant to the discharge line side after passing through the surface sliding portion, the resistance value becomes a certain value or more by the ion exchange resin or the like built in the refrigerant supply mechanism (not shown). The refrigerant (cooling water) remains in the controlled circulation path. Therefore, the cable 33a (first voltage supply line) connected to the first voltage supply 71a via the refrigerant (cooling water) and the cable 33b (second voltage supply line connected to the second voltage supply 71b) Can be prevented from becoming electrically conductive.
  • the power introducing device in which the plurality of conductive annular members 37a, 39a, 37b, 39b are arranged in the rotation axis direction of the substrate has been described, but as shown in FIGS.
  • a plurality of conductive annular members 37a, 39a, 37b, 39b may be arranged in parallel in a radial direction with respect to the axis, that is, concentrically around the rotation axis of the substrate. .
  • the overall length can be shortened as compared with the conventional power introduction device with a plurality of poles.
  • the unit can be made compact.
  • the conductive annular member in the present embodiment is different in size and shape from the conductive annular members 37a, 39a, 37b and 39b in the first embodiment, the same reference numerals are given because they have similar functions. .
  • FIG. 5B is a view for explaining a fluid circulation path for circulating the refrigerant of the power introducing device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5C is a diagram showing a power introduction mechanism of the power introduction device according to the second embodiment of the present invention.
  • the power supply device according to the present embodiment has a configuration in which a plurality of conductive annular members are arranged in parallel concentrically with respect to the rotation axis of the substrate. For this reason, the housing is configured to face the end of the rotating support (support) (the end on the side opposite to the substrate holder side).
  • the water channel or the power introducing rod penetrates the wall surface of the case facing the end of the rotating support so that the refrigerant and the power introducing pipe enter and exit in the rotational axis direction of the support. It is provided.
  • symbol is attached
  • the present invention can be applied to an apparatus for processing a substrate by turning the substrate holder with the normal to the substrate holding surface of the substrate holder perpendicular to the direction of gravity, and having a plurality of electrodes. It becomes possible to supply power stably.
  • the conductive annular members (second fixed conductive members) 39b-1 and 39b-2, and the conductive annular members (second rotary conductive members) 37b-1 and 37b-2 Although one pair of each is used to form the space 202 between these members, the conductive annular members 39b-2 and 37b-2 can be omitted. In this case, it is necessary to use another rotating seal material instead of the conductive annular members 39b-2 and 37b-2.

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Abstract

　電力導入機構は、第１固定導電性部材と、第２固定導電性部材と、第１固定導電性部材と第２固定導電性部材との間を絶縁し筐体に固定された固定絶縁性部材と、第１回転導電性部材と、第２回転導電性部材と、第１回転導電性部材と第２回転導電性部材との間を絶縁し、支柱に固定された回転絶縁性部材と、第１回転導電性部材および第１固定導電性部材を介して基板ホルダに第１の電圧を供給する第１電力導入部材と、第２回転導電性部材および第２固定導電性部材を介して基板ホルダに第２の電圧を供給する第２電力導入部材と、を備える。

Description

電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
　本発明は電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置に関する。特に、真空処理室内で回転可能に設けられた基板ホルダの静電チャックに対して電力を導入するのに好適な電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置に関する。
　図６Ａ、図６Ｂ、図７を参照して従来の電力導入装置について説明する。図６Ｂは図６Ａの中の電力導入機構の詳細図である。特許文献１に開示される構成では、例えば、図６Ａに示すように、電力導入装置が有する基板ホルダ６０１は真空容器６３０の内部に回転可能な状態で保持されている。基板ホルダ６０１は、基板ホルダ６０１の回転支柱６０２とその回転支柱等の荷重を支える台座６０３との間で、回転支柱６０２の回転軸Ｃを中心にした面接触による摺動面を持つ。同心円状に配置された複数の導電性環状部材６０４からなるロータリージョイントを設けることにより、基板ホルダ６０１の回転に不安定さを生じることなく、静電チャックの電極に安定して電力を供給することができる。そして、複数の電極に電力を導入する双極タイプの静電チャックについては、図６Ａ、図６Ｂに示す機構を複数個、回転軸方向に並べ、絶縁部材６０５ａ、ｂを挟みこむ構成にすることで複数の電極間の絶縁状態を保っている。
　この構造では安定した回転動作を得るため、絶縁部材６０５ａ、ｂは基板ホルダ６０１の回転支柱６０２側とその回転支柱等の荷重を支える台座６０３側とそれぞれに設けられ、それぞれの絶縁部材間には最小限度の隙間６０７をあける必要があった。一方、ロータリージョイントはシール性が完全なものではなく、微小ではあるがロータリージョイントから流体が漏れてくるため、漏れてきた流体を外部へ排出する為のドレイン口を設けるのが一般的である。そして、このロータリージョイントから漏れてきた流体は、静電チャックを冷却するための冷却水を循環させる循環流路から外れることになる。そのため、例えば、抵抗値１０ＭΩ・cm以上の値に管理された純水を、内部流路に流通させていたとしてもロータリージョイントから漏れてきた純水はその抵抗値がまもなく低下してしまう。結果として抵抗値が低い流体が複数の電極間に存在することとなり、場合によってはその流体を介して複数極間で電気的に導通状態となり得る。双極タイプの静電チャックに適用された場合は双極間の絶縁が保てない状態となるため、基板を吸着するための動作が不能となり、結果として基板の吸着不良に起因した製品不良をおこすという懸念があった。
　その対策として、従来技術では、図７に示すように、回転支柱６０２側及び台座６０３側の絶縁部材６０５ａ、６０５ｂの形状を、いわゆるラビリンス構造７０８とすることが試みられている。ラビリンス構造７０８とした場合、ロータリージョイントから漏れてきた流体７０９は重力の作用に従って台座６０３側の絶縁部材に設けられた受け部７１０に落ちてくる。その受け部７１０の一部にドレイン口７０６を設けて、受け部７１０に落ちてきた流体を外部へ排出することで、流体７０９が他の電極側と繋がることを防ぐようにしている。
特開２００８－１５６７４６号公報
　図６Ａ、図６Ｂおよび図７に示したように地面に対して基板が水平に保持されるような基板ホルダ以外にも、近年では、基板の大型化、基板処理装置の省スペース化の観点から、基板ホルダの基板保持面の法線を重力方向に対して垂直にした状態で基板ホルダを旋回させて、成膜やエッチングを行う基板処理装置も増えてきている。そのような基板処理装置に対しては図６Ｂで説明したような重力を利用して流体７０９を排出するラビリンス構造７０８では対応できない。
　本発明は、基板ホルダの基板保持面の法線を重力方向に対して垂直にした状態で基板ホルダを旋回させて、基板を処理する装置に適用でき、複数電極を有する基板ホルダに電力を安定して供給可能な電力導入技術の提供を目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る電力導入装置は、
　真空容器の内部に配置され、基板を保持することが可能な基板ホルダと、
　前記基板ホルダに連結された支柱と、
　前記支柱を回転可能に支持する筐体と、
　前記支柱を介して前記基板ホルダを回転させる回転駆動部と、
　前記支柱を介して前記基板ホルダに外部から供給された電力を導入する電力導入部と、
　前記基板ホルダに外部から供給された冷媒を流通させる冷媒供給機構と、を有し、
　前記電力導入部は、
　前記筐体に設けられた第１固定導電性部材と、
　前記第１固定導電性部材と離間した前記筐体の位置に設けられ、前記第１固定導電性部材と絶縁されている第２固定導電性部材と、
　前記第１固定導電性部材と摺接するように前記支柱に設けられた第１回転導電性部材と、
　前記第２固定導電性部材と摺接するように前記支柱に設けられ、前記第１回転導電性部材と絶縁されている第２回転導電性部材と、
　前記第１回転導電性部材および前記第１固定導電性部材を介して前記基板ホルダに第１の電圧を供給する第１電力導入部材と、
　前記第２回転導電性部材および前記第２固定導電性部材を介して前記基板ホルダに第２の電圧を供給する第２電力導入部材と、を備え、
　前記支柱の表面と、前記支柱の表面と対向する前記筐体と、前記第１回転導電性部材と、前記第１固定導電性部材と、前記第２回転導電性部材と、前記第２固定導電性部材と、により形成される空間の内部には冷媒が流通され、
　前記空間は、前記支柱内に形成された冷媒流路を介して前記冷媒供給機構と連結されていることを特徴とする。
　本発明によれば、基板ホルダの基板保持面の法線を重力方向に対して垂直にした状態で基板ホルダを旋回させて、基板を処理する装置に適用でき、複数電極を有する基板ホルダに電力を安定して供給することが可能になる。
　本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
　添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の第１の実施形態にかかる電力導入装置を有するイオンビームエッチング装置を側面から見た断面概略図である。 図１のＸ－Ｘ断面図である。 冷媒を循環させるための流体流通経路を説明する図である。 図２に示す電力導入機構の詳細を示す図である。 図３ＡのＺ－Ｚ断面を示す図である。 図３ＡのＹ－Ｙ断面を示す図である。 本発明の第２の実施形態にかかる電力導入装置の冷媒を循環させるための流体流通経路を説明する図である。 本発明の第２の実施形態にかかる電力導入装置の電力導入機構を示す図である。 従来の電力導入装置を説明する図である。 従来の電力導入装置を説明する図である。 従来の電力導入装置を説明する図である。
　本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変できることは勿論である。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
　なお、本実施形態では真空処理装置として、イオンビームエッチング装置を例に挙げて説明するが本発明の趣旨はこの例に限定されるものではい。例えば、他のエッチング装置やスパッタ成膜装置、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置などの真空処置装置にも本発明に係る電力導入装置は好適に適用可能である。
　（第１の実施形態）
　図１は本発明の第１の実施形態にかかる電力導入装置を有するイオンビームエッチング装置を側面から見た断面概略図であり、図２は図１のＸ－Ｘ断面図であり、図３Ａ、Ｂは図２に示す電力導入機構３０の詳細を示す図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。イオンビームエッチング装置１は、基板ステージ７に載置された基板Ｗに対してイオンビームソース５からイオンを照射し、基板Ｗに所定の積層膜をエッチングする装置である。
　図１に示したイオンビームエッチング装置１は、真空容器３内にエッチング源であるイオンビームソース５と基板ステージ７とシャッター装置９とを備えている。イオンビームソース５は真空容器３の側面に備えられ、基板ステージ７はイオンビームソース５に対向して配設されている。
　基板ステージ７は、基板Ｗを保持する基板ホルダ（以下、「基板保持部７ａ」という。）と基板保持部７ａを真空容器３に対して支持する筐体（以下、「回転支持部７ｂ」という。）とを構成要素として有する。基板保持部７ａは静電チャック機構により基板Ｗを吸着して保持することができ、基板Ｗを基板保持部７ａともに回転させることができる。また、回転支持部７ｂは、回転軸Ｂ（第１の回転軸）を回転中心にして回動可能であり、イオンビームソース５のイオン照射面に対向する基板保持部７ａの向きを変えることができる。すなわち、イオンビームソース５から照射されるイオンの入射方向に対する基板エッチング面の角度を変化させることができる。基板エッチング面へのイオンの入射角度を変化させることで、基板Ｗのエッチング面に斜め方向からイオンを入射することができ、高精度なエッチングを行うことができる。
　イオンビームソース５は、プラズマによりガスをイオン化して基板Ｗに対して照射する装置であり、本実施形態においてはＡｒガスをイオン化しているが、照射するイオンはＡｒイオンに限られない。例えば、ＫｒガスやＸｅガス、O２ガス等である。また、イオンビームソース５から照射されるイオンの電荷を中和するためのニュートラライザ（不図示）がイオンビームソース５の側方の壁面に設けられている。
　シャッター装置９は、イオンビームソース５と基板ステージ７上の基板Ｗとの間に設けられており、シャッター装置９の開閉動作によりイオンビームソース５より基板Ｗに対して照射されるイオンを基板Ｗに届く前に遮蔽することができる。
　次に図２を参照して基板ステージ７の内部を説明する。回転支持部７ｂは、回転軸Ｂ（第１の回転軸）を中心として回転可能なステージである。基板保持部７ａは、回転軸Ｂ（第１の回転軸）に対して直交する方向の回転軸Ａ（第２の回転軸）を中心として回転可能な静電吸着機構を備えた基板支持載置台である。静電吸着機構の吸着動作により基板保持部７ａ上に基板を載置することができる。真空容器３内に回転支持部７ｂが配置されており、回転支持部７ｂの上部に基板保持部７ａが配置されている。基板保持部７ａの底面には回転支柱２５（支柱）が連結されている。導電性材料からなる回転支柱２５は回転支持部７ｂの上部に形成された孔部分に、例えば、磁性流体シールのような真空シール機構２６を介して、回転自在に取り付けられている。これにより真空容器３の内部の気密性が維持される。また回転支柱２５に固定された基板保持部７ａは、回転機構（後述の回転駆動機構２７）によって、基板保持部７ａ上に載置された基板Ｗとともに回転する。電力導入機構３０は、回転支持部７ｂを第１の回転軸回りに回転させる第１の回転駆動機構と、第１の回転軸に対して直交する方向の第２の回転軸を中心として基板保持部７ａを回転させる第２の回転駆動機構と、を備える。
　例えば、真空シール機構２６の下方には回転駆動機構２７が設けられている。回転駆動機構２７は回転支柱２５に取り付けた磁石（図示せず）と、その外周周辺に配置された電磁石（図示せず）との相互作用によって回転支柱２５を回転させるモータとして機能する。また回転駆動機構２７には、回転支柱２５の回転数及び回転方向を検出するエンコーダ（図示せず）が付設されている。
　基板保持部７ａは、基板Ｗを載置する載置面としての誘電体板２３と、搭載された基板Ｗを適当な静電吸着力で誘電体板２３に押し付けて固定するための静電チャック（静電吸着装置）２４とを備えている。基板保持部７ａには、さらに、静電チャック２４によって誘電体板２３上に固定された基板Ｗの裏面側に対して、熱伝導用の裏面ガスを導入するための流体路（非図示）が形成されている。真空シール機構２６には流体路に通じる導入口が設けられている。この裏面ガスは、冷媒により冷却されている基板保持部７ａの熱が基板Ｗに効率よく伝達されるようにするためのガスであり、従来では、アルゴンガス（Ａｒ）や窒素ガス等が用いられている。なお、基板Ｗの裏面側を冷却する冷却水は、後述する図４、５に示した冷却水供給配管６３を介して基板保持部７ａ内に導入され、冷却水排出配管５９を介して排出される。
　静電チャック２４は正負双極型のチャック装置であり、その内部には２つの電極２８a、２８bを有している。一方の極性の電極２８a、および他方の極性の電極２８bはそれぞれ、板状の絶縁部材の中に埋設されている。電極２８aには、基板保持部７ａ及び回転支柱２５の内部に設けられた電力導入棒２９a（第１電力導入部材）を介して所要の第１の電圧が導入される。電極２８bには、基板保持部７ａ及び回転支柱２５の内部に設けられた電力導入棒２９b第２電力導入部材を介して所要の第２の電圧が導入される。２つの電力導入棒２９a、２９bは、図２に示すごとく回転支柱２５の下方まで延設されて配置され、かついずれも絶縁性部材３１a、３１bで被覆されている。
　回転支柱２５の途中には、静電チャック２４の２つの電極２８a、２８bの各々に、静電吸着のための異なる電圧（例えば、２種類のバイアス電圧）を外部電源から供給するための電力導入機構３０が設けられている。なお、電力導入機構３０と、回転支柱２５を介して真空シール機構２６及び回転駆動機構２７と、が電気的に接続される状態を回避する為、電力導入機構３０を貫通する回転支柱２５の上下部分には絶縁性部材６４がそれぞれ挿入されている。電力導入機構３０は、第１の電圧（例えば、ＤＣバイアス電圧、ＲＦ電圧）を供給する第１の電圧供給電源７１ａと、絶縁性の被覆が施されたケーブル３３ａ（第１の電圧供給ライン）によって接続されている。また、電力導入機構３０は、第２の電圧（例えば、ＤＣバイアス電圧、ＲＦ電圧）を供給する第２の電圧供給電源７１ｂと、絶縁性の被覆が施されたケーブル３３ｂ（第２の電圧供給ライン）によって接続されている。尚、これらのケーブル３３ａ、３３ｂは、回転軸Ｂを中心にユニットが一定角度回転してもねじれて切断されないように十分撓ませた状態で接続されている。電力導入機構３０の内部にはロータリージョイント３６が設けられている。ロータリージョイント３６の詳細については後述する。
　回転円筒３２は、回転軸Ｂを回転中心として回転することが可能であり、回転支持部７ｂは、回転円筒３２に固定されている。回転円筒３２は、真空容器３に形成された孔部分に、例えば、磁性流体シールのような真空シール機構３４を介して、回転自在に取り付けられている。これにより真空容器３の内部の気密性が維持される。回転円筒３２を、例えば、サーボモータ（非図示）により回転させている。
　図３Ｂの参照によりロータリージョイント３６の電力導入機構３０の詳細を説明する。ロータリージョイント３６aは、導電性環状部材３７a（第１回転導電性部材）と、導電性環状部材３９a（第１固定導電性部材）と、を有する。導電性環状部材３７aは、回転支柱２５に固定された導電性材料からなる回転支柱１０１aの回りに固定され、回転軸Ｂを中心として同心円上の位置に配置されている。導電性環状部材３９aは、回転支柱１０１aに対して回転軸Ｂの回りに同心円上に配置される導電性材料からなる筐体３８aに固定され、かつ回転軸Ｂを中心とした同心円上に配置されている。
　導電性環状部材３７ａ、３９ａはそれぞれ、環状部１３０で摺接するように面接触した状態にて配置されている。導電性環状部材３９ａは、導電性環状部材３７ａに対して、弾性部材１３５（例えば、板ばね、コイルバネ、ゴム部材など）により付勢され、摺接する環状部１３０の気密性を保持する為の補助機構として機能している。回転支柱２５が回転すると導電性環状部材３７ａと導電性環状部材３９ａとはロータリージョイント３６ａにおいて摺動関係となる。筐体３８aは、回転支持部７ｂに固定されており、絶縁性被覆材にて表面が被覆された導電性のケーブル３３aにて第１の電圧供給電源７１ａと接続されている。
　同様に、ロータリージョイント３６ｂ－１は、導電性環状部材３７ｂ－１（第２回転導電性部材）と、導電性環状部材３９ｂ－１（第２固定導電性部材）と、を有する。ロータリージョイント３６ｂ－２は、導電性環状部材３７ｂ－２（第２回転導電性部材）と、導電性環状部材３９ｂ－２（第２固定導電性部材）と、を有する。２つの導電性環状部材３７ｂ－１、３７ｂ－２は、回転支柱２５に固定された導電性材料からなる回転支柱１０１ｂの回りに固定され、回転軸Ｂを中心として同心円上の位置に配置されている。導電性環状部材３９ｂ－１、３９ｂ－２（第２固定導電性部材）は、導電性環状部材３９a（第１固定導電性部材）が固定されている位置に対して離間した筐体の位置に固定されている。２つの導電性環状部材３９ｂ－１、３９ｂ－２は、回転支柱１０１ｂに対して回転軸Ｂの回りに同心円上に配置される導電性材料からなる筐体３８ｂに固定され、かつ回転軸Ｂを中心とした同心円上に配置されている。導電性環状部材３７ｂ－１、３９ｂ－１はそれぞれ、環状部１３８で摺接するように面接触した状態で配置されている。また、導電性環状部材３７ｂ－２、３９ｂ－２はそれぞれ、環状部１３９で摺接するように面接触した状態で配置されている。導電性環状部材３９ｂ－１は、導電性環状部材３７ｂ－１に対して、弾性部材１３６（例えば、板ばね、コイルバネ、ゴム部材など）により付勢され、摺接する環状部１３８の気密性を保持する為の補助機構として機能している。同様に、導電性環状部材３９ｂ－２は、導電性環状部材３７ｂ－２に対して、弾性部材１３７により付勢され、摺接する環状部１３９の気密性を保持する為の補助機構として機能している。
　回転支柱２５が回転すると導電性環状部材３７ｂ－１と導電性環状部材３９ｂ－１とはロータリージョイント３６ｂ－１において摺動関係となる。また、回転支柱２５が回転すると導電性環状部材３７ｂ－２と導電性環状部材３９ｂ－２とはロータリージョイント３６ｂ－２において摺動関係となる。筐体３８ｂは、回転支持部７ｂに固定されており、絶縁性被覆材にて表面が被覆された導電性のケーブル３３ｂにて第２の電圧供給電源７１ｂと接続されている。
　電力導入機構３０は、静電チャック２４にＤＣバイアス電力を印加することが可能である。回転支柱１０１a及び１０１ｂの間に挟まれる形で配置される第１の絶縁性部材４５ａ（回転絶縁性部材）と、筐体３８a及び３８ｂの間に挟まれる形で配置される第２の絶縁性部材４５ｂ（固定絶縁性部材）と、によって電力導入機構３０は電気的に２つのゾーンに分割された構造となっている。回転軸Ｂを中心として、分割された２つのゾーンが、第１の絶縁性部材４５ａ、第２の絶縁性部材４５ｂを介して、上下に直列に配置されている。
　電力導入機構３０のうち、第１の絶縁性部材４５ａ、第２の絶縁性部材４５ｂによって分割された領域の一方に対して静電チャック２４が有する２つの電極のうちの一方の電極が電気的に接続される。また、分割された領域の他方に対して静電チャック２４が有する２つの電極のうちの他方の電極が電気的に接続される。電力導入機構３０は、第１の絶縁性部材４５ａ、第２の絶縁性部材４５ｂによって、静電チャック２４に対して近い方の分割領域３０ａと静電チャック２４に対して遠い方の分割領域３０ｂとに分割される。分割領域３０ａと分割領域３０ｂとは互いに絶縁状態にある。静電チャック２４の電極２８ａと分割領域３０ａとは、導電性材料からなる回転支柱２５中に形成され、かつ絶縁性部材３１ａによって被覆された電力導入棒２９ａを介して、電気的に接続される。
　また、静電チャック２４の電極２８ｂと分割領域３０ｂとは、回転支柱２５中に形成し、かつ絶縁性部材３１ｂによって被覆された電力導入棒２９ｂを介して電気的に接続される。なお、分割領域３０ａにおいて、電力導入棒２９ｂは絶縁性部材３１ｂによって被覆されている。
　電力導入機構３０は、回転支柱１０１ａ、ｂと、回転支柱１０１ａ、ｂの周囲に配置された筐体３８ａ、ｂとを備える。また、電力導入機構３０は、電力導入機構３０を、分割領域３０ａと分割領域３０ｂとに分割する第１の絶縁性部材４５ａ、第２の絶縁性部材４５ｂを備える。また、電力導入機構３０は、回転支柱１０１ａ、ｂと筐体３８ａ、ｂとを摺動させるための導電性材料からなるロータリージョイント３６ａ、ｂ－１、ｂ－２を備える。図３Ｂに示す回転支柱１０１ａと、第１の絶縁性部材４５ａと、回転支柱１０１ｂと、が一体として回転支柱２５（図２）が構成されるものとする。また、図３Ｂに示す筐体３８ａ、ｂと、第２の絶縁性部材４５ｂとにより、筐体３８（図２）が構成されるものとする。
　静電チャック２４が有する電極２８ａから、電力導入機構３０の対応する分割領域３０ａまでを絶縁させた状態で、電力導入棒２９ａは、電極２８ａと電極２８ａに対応する分割領域３０ａとを電気的に接続する。また、静電チャック２４が有する電極２８ｂから、電力導入機構３０の対応する分割領域３０ｂまでを絶縁させた状態で、電力導入棒２９ｂは、電極２８ｂと電極２８ｂに対応する分割領域３０ｂとを電気的に接続する。
　分割領域３０ａは導電性を有するロータリージョイント３６ａを介して導電性を有する筐体３８ａに電気的に接続されている。この筐体３８ａは、第１の電圧供給電源７１ａに電気的に接続されることになる。また、分割領域３０ｂは、導電性を有するロータリージョイント３６ｂ－１、ｂ－２を介して、導電性を有する筐体３８ｂに電気的に接続されている。この筐体３８ｂは第２の電圧供給電源７１ｂに電気的に接続されることになる。
　本実施形態に拠れば、静電チャック２４に所定の電力を導入させるための電気的な経路を回転支柱２５内に含めることができる。よって、電気配線等を引き回さなくても、静電チャックへの電力供給の経路を確保することができる。また、電気経路を回転支柱２５内に含めることができるので、基板保持部７ａを回転させても、電気回路が絡まることを防ぐことができる。
　本実施形態では、電力導入機構３０は、互いに絶縁された２つの分割領域３０ａおよび３０ｂに分割される。また、電極２８ａから分割領域３０ａまでを絶縁させた状態で、電極２８ａと分割領域３０ａとは電気的に接続される。また、電極２８ｂから分割領域３０ｂまでを絶縁させた状態で、電極２８ｂと分割領域３０ｂとは電気的に接続される。この構成により、静電チャック２４へと供給される正負の電圧が途中でショートすることなく、各電源から静電チャック２４へと電力を良好に供給することができる。
　図３Ａ、図４および図５Ａの参照により、基板保持部７ａを冷却する冷媒を循環させるための流体流通経路を説明する。図３Ａは図３Ｂで説明した電力導入機構３０の別の断面を示す図である。図４は図３ＡにおけるＺ－Ｚ断面を示す図であり、図５Ａは図３ＡにおけるＹ－Ｙ断面を示す図である。
　冷媒供給機構（非図示）は冷媒として抵抗値が１０ＭΩ・cm以上に管理された純水（冷却水）を流通させる。図５Ａに示す冷却水入口から冷却水は流入し、矢印５３のごとく流路内を流れる。そして、純水（冷却水）は冷却水供給配管６３から図２の回転支柱２５内を貫通している貫通孔（非図示）を介して基板保持部７ａに導入される。尚、冷却水供給配管６３は、パイプ状の絶縁部材であり、分割領域３０ｂから基板保持部７ａまで連通している。エラストマー材のＯリング１０１が適宜パイプ状の冷却水供給配管６３の軸をシールするよう構成されている。
　冷却水入口、冷却水供給配管６３および回転支柱２５内の貫通孔を介して基板保持部７ａに供給された純水（冷却水）は、基板保持部７ａの内部に構成された冷却水循環水路（不図示）を流れる。そして、純水（冷却水）は回転支柱２５内の貫通穴（非図示）を介して図４に示す冷却水排出配管５９に流入し、冷却水出口から排出される。冷却水排出配管５９はパイプ状の絶縁部材であり、基板保持部７ａから分割領域３０ａまで連通し、基板保持部７ａからの純水（冷却水）は、図４に示す矢印５４のように流路内を流れる。そして、純水（冷却水）は、冷却水出口から配管部材（非図示）によって冷媒供給機構（非図示）へと戻され、電力導入装置の外部に排出される。エラストマー材のＯリング１０１が適宜パイプ状の冷却水排出配管５９の軸をシールするよう構成されている。この構成により冷媒（冷却水）が流路内を流通する際に、冷却水が分割領域３０ａ、３０ｂの内部に漏れ出すことを防ぐことができる。また、図３Ａのロータリージョイント３６ｂ－２に示すようにＯリング１０２が流路からの冷却水の漏れ出しを防ぐ為に各部材間をシールするよう配置されていて、流路からの冷却水漏れを防ぐよう構成されている。Ｏリング１０４も同様の目的で配置されている。
　摺動関係にある導電性環状部材３７ａと導電性環状部材３９ａとの摺接部で生じる僅かな冷却水（冷媒）の漏れに対しては、その先に、オイルシール等のゴムシール部材１０３ａを配置させて、せき止める。また、漏れた冷却水（冷媒）を乾燥させるために気体供給機構（不図示）は、乾燥用エアー入り口３００（図３Ａ）から乾燥用の気体を供給し、乾燥用エアー出口３２０（図３Ｂ）から気体を気体回収機構（不図示）に向けて排出させて、回収する。乾燥用エアー入り口３００と連通する気体流路（第３の流路）は、空間（２０１）の内部に対して、導電性環状部材３７aおよび導電性環状部材３９aの外面側に、気体供給機構（不図示）から供給された気体を導入する。気体流路（第３の流路）から導入された気体は、乾燥用エアー出口３２０と連通する気体流路（第４の流路）を介して気体回収機構（不図示）に向けて排出される。
　さらに、乾燥用エアー入り口３１０（図３Ａ）及び乾燥用エアー出口３３０（図３Ｂ）が、導電性環状部材３７ｂ－２、導電性環状部材３９ｂ－２、ゴムシール部材１０３ｂで形成される空間内にも設けられている。乾燥用エアー入り口３１０と連通する気体流路（第５の流路）は、空間（２０２）の内部に対して、導電性環状部材３７ｂ－２および導電性環状部材３９ｂ－２の外面側に、気体供給機構（不図示）から供給された気体を導入する。気体流路（第５の流路）から導入された気体は、乾燥用エアー出口３３０と連通する気体流路（第６の流路）を介して気体回収機構（不図示）に向けて排出される。
　乾燥用エアー入り口３１０、３１０から乾燥用の気体を導入することにより、摺接部によりせき止められた冷却水（冷媒）のうち、漏れ出た冷媒（冷却水）を乾燥させることができる。
　図３Ａにおいて、空間２０１（冷媒排出空間）は、回転支柱１０１ａの外周面と、回転支柱１０１ａの外周面と対向する筐体３８ａの内周面と、導電性環状部材３７ａと、導電性環状部材３７ｂ－１と、導電性環状部材３９ａと、導電性環状部材３９ｂ－１と、第１の絶縁性部材４５ａと、第２の絶縁性部材４５ｂと、により形成される。空間２０１（冷媒排出空間）の内部は気密性が保持されている。空間２０１（冷媒排出空間）は、図４に示した冷却水排出配管５９から流れてくる冷媒（冷却水）を冷却水出口に流すための流路を構成する。
　また、空間２０２（冷媒供給空間）は、回転支柱１０１ｂの外周面と、回転支柱１０１ｂの外周面と対向する筐体３８ｂの内周面と、導電性環状部材３７ｂ－１と、導電性環状部材３７ｂ－２と、導電性環状部材３９ｂ－１と、導電性環状部材３９ｂ－２と、により形成される。空間２０２（冷媒供給空間）の内部は気密性が保持されている。空間２０２（冷媒供給空間）の内部は気密性が保持されている。空間２０２（冷媒供給空間）は、図５Ａに示した冷却水入口から流れてくる冷媒（冷却水）が流通し、冷却水供給配管６３に冷媒（冷却水）を流すための流路を構成する。
　ロータリージョイント３６、３６ｂ－１、３６ｂ－２により形成された空間２０１及び空間２０２に冷媒（冷却水）を循環させることで各々のロータリージョイント３６、３６ｂ－１、３６ｂ－２で発生した発生熱を奪う効果もあり、摺接する導電性環状部材間の潤滑性を向上させることも可能である。これにより、導電性環状部材の寿命は著しく向上する。
　導電性環状部材３７ｂ－１と回転支柱１０１ａとは共に導電性部材であるが、第１の絶縁性部材４５ａを介して絶縁沿面距離を供給電圧に対して適切にとることで分割領域３０ａと分割領域３０ｂとが導通することを防いでいる。同時に筐体３８ａと３８ｂとは共に導電性部材であるが、第２の絶縁性部材４５ｂを介して絶縁沿面距離を供給電圧に対して適切にとることで分割領域３０ａと分割領域３０ｂとが導通することを防いでいる。また冷媒（冷却水）が抵抗値１０ＭΩ・ｃｍ以上に管理されている純水の為、冷媒（冷却水）を介しての導通もおこらない。
　更に、基板保持部７ａへの冷媒（冷却水）の供給ラインと基板保持部７ａから戻る冷媒（冷却水）の排出ラインとは、導電性環状部材３９ｂ－１及び導電性環状部材３７ｂ－１が面接触する面摺動部によって仕切られる。面摺動部を通過して仮に冷媒の供給ライン側から排出ライン側へ冷媒の漏れが生じたとしても、非図示の冷媒供給機構に内蔵されるイオン交換樹脂等により抵抗値が一定値以上に管理されている循環経路内に冷媒（冷却水）は留まる。そのため、冷媒（冷却水）を介して第１の電圧供給電源７１ａに接続するケーブル３３ａ（第１の電圧供給ライン）と第２の電圧供給電源７１ｂに接続するケーブル３３ｂ（第２の電圧供給ライン）とが電気的に導通状態となることを防止することができる。
　（第２の実施形態）
　上述した第１の実施形態では、基板の回転軸方向に複数の導電性環状部材３７ａ，３９ａ，３７ｂ，３９ｂを配置した電力導入装置について説明したが、図５Ｂ、Ｃに示すように基板の回転軸に対して径方向、言い換えると基板の回転軸を中心とする同心円状に、複数の導電性環状部材３７ａ，３９ａ，３７ｂ，３９ｂを並列に配置した電力導入装置として構成することも可能である。基板の回転軸に対して同心円状に複数の導電性環状部材３７ａ，３９ａ，３７ｂ，３９ｂを並列配置することで、従来の複数の極数への電力導入装置と比較して全長を短くすることが可能となりユニットのコンパクト化を図ることができる。なお、本実施形態での導電性環状部材は第１の実施形態における導電性環状部材３７ａ，３９ａ，３７ｂ，３９ｂとは寸法や形状が異なるが、同様の機能を有するため同一の符号を付する。
　図５Ｂは、本発明の第２の実施形態にかかる電力導入装置の冷媒を循環させるための流体流通経路を説明する図である。図５Ｃは、本発明の第２の実施形態にかかる電力導入装置の電力導入機構を示す図である。本実施形態に係る電力供給装置は、基板の回転軸に対して同心円状に複数の導電性環状部材を並列配置した構成を有している。このため、回転支柱（支柱）の端部（基板ホルダ側とは逆側の端部）と対峙するように筐体が構成されている。また、本実施形態に係る筐体は、冷媒や電力導入管を支柱の回転軸方向に出入りさせるように、回転支柱の端部に対向する筐体の壁面に水路や電力導入棒が貫通して設けられている。第２の実施形態にかかる電力導入装置を構成する各部材について、第１の実施形態と同様の機能を有する部材に同一の符号を付し、その詳細な説明を省略した。
　本実施形態によれば、基板ホルダの基板保持面の法線を重力方向に対して垂直にした状態で基板ホルダを旋回させて、基板を処理する装置に適用でき、複数電極を有する基板ホルダに電力を安定して供給することが可能になる。
　なお、上述した各実施形態においては、導電性環状部材（第２固定導電性部材）３９ｂ－１、３９ｂ－２、及び導電性環状部材（第２回転導電性部材）３７ｂ－１、３７ｂ－２をそれぞれ一組用いて、これらの部材の間に空間２０２を形成しているが、導電性環状部材３９ｂ－２，３７ｂ－２を用いない構成にすることができる。この場合は、導電性環状部材３９ｂ－２，３７ｂ－２の代わりに他の回転シール材を用いる必要がある。
　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。

Claims (10)

  1. 　電力導入装置であって、
    　真空容器の内部に配置され、基板を保持することが可能な基板ホルダと、
    　前記基板ホルダに連結された支柱と、
    　前記支柱を回転可能に支持する筐体と、
    　前記支柱を介して前記基板ホルダを回転させる回転駆動部と、
    　前記支柱を介して前記基板ホルダに外部から供給された電力を導入する電力導入部と、
    　前記基板ホルダに外部から供給された冷媒を流通させる冷媒供給機構と、を有し、
    　前記電力導入部は、
    　前記筐体に設けられた第１固定導電性部材と、
    　前記第１固定導電性部材と離間した前記筐体の位置に設けられ、前記第１固定導電性部材と絶縁されている第２固定導電性部材と、
    　前記第１固定導電性部材と摺接するように前記支柱に設けられた第１回転導電性部材と、
    　前記第２固定導電性部材と摺接するように前記支柱に設けられ、前記第１回転導電性部材と絶縁されている第２回転導電性部材と、
    　前記第１回転導電性部材および前記第１固定導電性部材を介して前記基板ホルダに第１の電圧を供給する第１電力導入部材と、
    　前記第２回転導電性部材および前記第２固定導電性部材を介して前記基板ホルダに第２の電圧を供給する第２電力導入部材と、を備え、
    　前記支柱の表面と、前記支柱の表面と対向する前記筐体と、前記第１回転導電性部材と、前記第１固定導電性部材と、前記第２回転導電性部材と、前記第２固定導電性部材と、により形成される空間の内部には冷媒が流通され、
    　前記空間は、前記支柱内に形成された冷媒流路を介して前記冷媒供給機構と連結されていることを特徴とする電力導入装置。
  2. 　前記第１回転導電性部材及び前記第２回転導電性部材はいずれも、前記支柱の外周面に設けられ、
    　前記第２固定導電性部材は、前記第１固定導電性部材と回転軸方向に離間した前記筐体の位置に設けられ、
    　前記空間は、前記支柱の外周面と、前記支柱の外周面と対向する前記筐体の内周面と、前記第１回転導電性部材と、前記第１固定導電性部材と、前記第２回転導電性部材と、前記第２固定導電性部材と、により形成されることを特徴とする請求項１に記載の電力導入装置。
  3. 　前記第１回転導電性部材及び前記第２回転導電性部材はいずれも、前記支柱の端部に設けられ、
    　前記第２固定導電性部材は、前記支柱の径方向で前記第１固定導電性部材と離間した前記筐体の位置に固定され、
    　前記空間は、前記支柱の端部の表面と、前記支柱の端部の表面と対向する前記筐体の表面と、前記第１回転導電性部材と、前記第１固定導電性部材と、前記第２回転導電性部材と、前記第２固定導電性部材と、により形成されることを特徴とする請求項１に記載の電力導入装置。
  4. 　前記冷媒流路は、
    　前記筐体および前記支柱を介して、前記冷媒供給機構から前記基板ホルダに前記冷媒を供給するための第１流路と、
    　前記支柱および前記筐体を介して前記基板ホルダから前記冷媒を排出するための第２流路と、を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電力導入装置。
  5. 　前記第２回転導電性部材は、前記支柱の回転軸方向に離間し、前記支柱に設けられた２つのリング状の部材から構成され、
    　前記第２固定導電性部材は、２つの前記第２回転導電性部材のそれぞれと摺接するように、前記筐体に設けられた２つのリング状の部材から構成され、
    　前記支柱の表面と、前記支柱の外周面と対向する前記筐体の表面と、２つの前記第２回転導電性部材と、２つの前記第２固定導電性部材と、により囲まれた第２空間が形成され、
    　前記第２空間は、内部の気密性が保持されるとともに、前記第１流路と連通していることを特徴とする請求項４に記載の電力導入装置。
  6. 　前記第２流路は、前記空間と連通し、
    　前記空間の内部は気密性が保持され、
    　前記空間を形成する前記支柱には、前記第１回転導電性部材と前記第２回転導電性部材との間を絶縁する回転絶縁性部材が設けられ、
    　前記空間を形成する前記筐体の表面には、前記第２固定導電性部材と前記第１固定導電性部材との間を絶縁する固定絶縁性部材が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電力導入装置。
  7. 　前記空間の内部に対して、前記第１回転導電性部材および前記第１固定導電性部材の外面側に、気体供給機構から供給された気体を導入するための第３の流路と、
    　前記第３の流路から導入された前記気体を、気体回収機構に向けて排出するための第４の流路と、
    　を更に有することを特徴とする請求項６に記載の電力導入装置。
  8. 　冷媒供給空間の内部に対して、前記第２回転導電性部材および前記第２固定導電性部材の外面側に、気体供給機構から供給された気体を導入する第５の流路と、
    　前記第５の流路から導入された前記気体を、気体回収機構に向けて排出するための第６の流路と、
    　を更に有することを特徴とする請求項５に記載の電力導入装置。
  9. 　前記筐体を第１の回転軸回りに回転させる第１の回転駆動機構と、
    　前記第１の回転軸に対して直交する方向の第２の回転軸を中心として前記基板ホルダを回転させる第２の回転駆動機構と、を更に有することを特徴とする請求項１に記載の電力導入装置。
  10. 　前記基板ホルダは、真空処理室内に設けられるとともに、所定の真空処理を行う基板を保持するための静電吸着装置を備えた真空処理装置であって、
    　請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電力導入装置を介して前記静電吸着装置に対して電力が導入されることを特徴とする真空処理装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013088603A1 (ja) * 2011-12-13 2013-06-20 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
US20150325466A1 (en) * 2012-11-27 2015-11-12 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
US20150357214A1 (en) * 2013-02-28 2015-12-10 Canon Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
WO2016060063A1 (ja) * 2014-10-15 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2020511776A (ja) * 2017-03-09 2020-04-16 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 静電式基板保持ユニット
JP2023059271A (ja) * 2017-06-16 2023-04-26 チュソン エンジニアリング カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び真空回転電気コネクタ
JP2023528331A (ja) * 2020-05-29 2023-07-04 北京魯▲もん▼半導体科技有限公司 イオンビームエッチング用回転プラットフォーム
TWI845641B (zh) * 2019-03-29 2024-06-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6362390B2 (ja) * 2014-04-10 2018-07-25 株式会社荏原製作所 ロータリージョイント、及び、研磨装置
WO2016137964A1 (en) 2015-02-25 2016-09-01 Corning Incorporated Apparatus and method to electrostatically chuck substrates to a moving carrier
TWI725067B (zh) 2015-10-28 2021-04-21 美商應用材料股份有限公司 可旋轉靜電夾盤
CN108885973B (zh) * 2016-03-25 2023-09-08 应用材料公司 具有强化的rf功率传输的陶瓷加热器
KR102163938B1 (ko) * 2016-06-23 2020-10-12 가부시키가이샤 알박 유지 장치
JP6792368B2 (ja) * 2016-07-25 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法
DE102017100507B4 (de) * 2017-01-12 2021-11-25 Ald Vacuum Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Werkstücken
US11217433B2 (en) * 2018-10-05 2022-01-04 Applied Materials, Inc. Rotary union with mechanical seal assembly

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156746A (ja) * 2006-11-30 2008-07-10 Canon Anelva Corp 電力導入装置及び成膜方法
WO2010073330A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975586A (en) * 1989-02-28 1990-12-04 Eaton Corporation Ion implanter end station
US6174377B1 (en) * 1997-03-03 2001-01-16 Genus, Inc. Processing chamber for atomic layer deposition processes
JP2010080922A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008156746A (ja) * 2006-11-30 2008-07-10 Canon Anelva Corp 電力導入装置及び成膜方法
WO2010073330A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9788464B2 (en) 2011-12-13 2017-10-10 Canon Anelva Corporation Power supply device and vacuum processing apparatus using the same
JPWO2013088603A1 (ja) * 2011-12-13 2015-04-27 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
WO2013088603A1 (ja) * 2011-12-13 2013-06-20 キヤノンアネルバ株式会社 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置
US20150325466A1 (en) * 2012-11-27 2015-11-12 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
US10410906B2 (en) * 2012-11-27 2019-09-10 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
US20150357214A1 (en) * 2013-02-28 2015-12-10 Canon Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
US10141208B2 (en) * 2013-02-28 2018-11-27 Canon Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
WO2016060063A1 (ja) * 2014-10-15 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20170070006A (ko) * 2014-10-15 2017-06-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
TWI668726B (zh) * 2014-10-15 2019-08-11 日商東京威力科創股份有限公司 Plasma processing device
JP2016082020A (ja) * 2014-10-15 2016-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR102444488B1 (ko) * 2014-10-15 2022-09-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2020511776A (ja) * 2017-03-09 2020-04-16 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 静電式基板保持ユニット
US11270902B2 (en) 2017-03-09 2022-03-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Electrostatic substrate holder
JP2023059271A (ja) * 2017-06-16 2023-04-26 チュソン エンジニアリング カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び真空回転電気コネクタ
JP7525670B2 (ja) 2017-06-16 2024-07-30 チュソン エンジニアリング カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び真空回転電気コネクタ
TWI845641B (zh) * 2019-03-29 2024-06-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
JP2023528331A (ja) * 2020-05-29 2023-07-04 北京魯▲もん▼半導体科技有限公司 イオンビームエッチング用回転プラットフォーム
JP7513306B2 (ja) 2020-05-29 2024-07-09 北京魯▲もん▼半導体科技有限公司 イオンビームエッチング用回転プラットフォーム

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