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WO2011052711A1 - 光電変換素子 - Google Patents

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WO2011052711A1
WO2011052711A1 PCT/JP2010/069258 JP2010069258W WO2011052711A1 WO 2011052711 A1 WO2011052711 A1 WO 2011052711A1 JP 2010069258 W JP2010069258 W JP 2010069258W WO 2011052711 A1 WO2011052711 A1 WO 2011052711A1
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WO
WIPO (PCT)
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group
compound
polymer
mmol
added
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Ceased
Application number
PCT/JP2010/069258
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English (en)
French (fr)
Inventor
吉村　研
健一郎 大家
岳仁 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority to US13/504,348 priority Critical patent/US9006714B2/en
Priority to CN201080048738.5A priority patent/CN102598341B/zh
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    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion element using a compound having a specific structure.
  • organic thin-film solar cells which are one aspect of the photoelectric conversion element, can omit the high-temperature and high-vacuum processes used for the production of silicon-based solar cells, and can be manufactured at low cost by only the coating process. It is coming.
  • an organic thin film solar cell using a polymer compound an organic thin film solar cell having an organic layer containing a polymer compound composed of a repeating unit (A) and a repeating unit (B) is described (Patent Document 1).
  • a photoelectric conversion element having an organic layer containing the polymer compound does not necessarily have sufficient short-circuit current density and photoelectric conversion efficiency.
  • An object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element having high short-circuit current density and high photoelectric conversion efficiency.
  • the present invention first has a first electrode and a second electrode, and has an active layer between the first electrode and the second electrode.
  • a photoelectric conversion element comprising a compound having the structural unit represented by 1) is provided.
  • the structural unit represented by the formula (1) is a divalent group.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same or different and each represents a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group. However, at least one of Ar 1 and Ar 2 is a trivalent heterocyclic group.
  • R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group.
  • X 1 and Ar 2 are bonded to atoms adjacent to each other in the ring constituting Ar 1
  • X 2 and Ar 1 are bonded to atoms adjacent to each other in the ring forming Ar 2 .
  • the present invention provides a solar cell module including the photoelectric conversion element.
  • the present invention provides an image sensor including the photoelectric conversion element.
  • the present invention is characterized in that it has a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and an active layer, and the active layer contains a compound having a structural unit represented by the formula (1).
  • An organic thin film transistor is provided.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same or different and each represents a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group. However, at least one of Ar 1 and Ar 2 is a trivalent heterocyclic group.
  • R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group.
  • X 1 and Ar 2 are bonded to the atom adjacent to each other in a ring constituting Ar 1
  • X 2 and Ar 1 is attached to atoms that are adjacent to each other in the ring constituting Ar 2.
  • the photoelectric conversion element of the present invention Since the photoelectric conversion element of the present invention has a large short-circuit current density and photoelectric conversion efficiency, the present invention is extremely useful.
  • the photoelectric conversion element of the present invention has a first electrode and a second electrode, an active layer between the first electrode and the second electrode, and a formula (1 The compound which has a structural unit represented by this is contained.
  • R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 are the same or different and represent a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group.
  • the monovalent organic group include an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, an acyl group, an acyloxy group, and an amide group.
  • Acid imide group amino group, substituted amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, monovalent heterocyclic group, heterocyclic oxy group, heterocyclic thio group, arylalkenyl group, aryl An alkynyl group, a carboxyl group, and a cyano group are mentioned.
  • the alkyl group may be linear or branched, and may be a cycloalkyl group.
  • the alkyl group usually has 1 to 30 carbon atoms.
  • Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl tomb, n-pentyl group, isopentyl group, 2- Methylbutyl group, 1-methylbutyl group, n-hexyl group, isohexyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, heptyl group, octyl group, isooctyl group, 2-ethylhexyl group, 3, 7-dimethyloctyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecy
  • the alkyloxy group may be linear or branched, and may be a cycloalkyloxy group.
  • the alkyloxy group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the alkyloxy group is usually about 1 to 20, and specific examples of the alkyloxy group include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, iso-propyloxy group, butoxy group, iso-butoxy group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, Examples include trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl group, perfluorooct
  • a group may have a substituent means that part or all of the hydrogen atoms of a group may be substituted with a substituent. means.
  • the term “optionally substituted” may be rephrased as “optionally substituted”.
  • a divalent organic group which may have a substituent means a divalent organic group in which part or all of the hydrogen atoms in the divalent organic group may be substituted with a substituent. It refers to a group and may be rephrased as “an optionally substituted divalent organic group” (or “an optionally substituted divalent organic group”).
  • hydrocarbon group optionally having a substituent means a hydrocarbon group in which part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group may be substituted with a substituent. It may be rephrased as “an optionally substituted hydrocarbon group” (or “an optionally substituted hydrocarbon group”).
  • the alkylthio group may be linear or branched, and may be a cycloalkylthio group.
  • the alkylthio group may have a substituent.
  • the alkylthio group usually has about 1 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkylthio group include a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, an iso-propylthio group, a butylthio group, an iso-butylthio group, and a tert-butylthio group.
  • Pentylthio group Pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group.
  • the aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms and may have a substituent.
  • Specific examples of the aryl group include a phenyl group, a C1 to C12 alkyloxyphenyl group (C1 to C12 alkyl indicates that the number of carbon atoms is 1 to 12.
  • the C1 to C12 alkyl is preferably C1 to C8.
  • Alkyl, more preferably C1 to C6 alkyl, C1 to C8 alkyl means alkyl having 1 to 8 carbon atoms, and C1 to C6 alkyl is alkyl having 1 to 6 carbon atoms.
  • C1 to C12 alkyl, C1 to C8 alkyl and C1 to C6 alkyl include those described and exemplified above for the alkyl group, and the same applies to the following.), C1 to C12 alkylphenyl Group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group and pentafluorophenyl group.
  • the aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms and may have a substituent on the aromatic ring.
  • Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, a C1-C12 alkyloxyphenoxy group, a C1-C12 alkylphenoxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group, and a pentafluorophenyloxy group.
  • the arylthio group usually has about 6 to 60 carbon atoms and may have a substituent on the aromatic ring.
  • Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, a C1-C12 alkyloxyphenylthio group, a C1-C12 alkylphenylthio group, a 1-naphthylthio group, a 2-naphthylthio group, and a pentafluorophenylthio group.
  • the arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms and may have a substituent.
  • Specific examples of the arylalkyl group include phenyl-C1-C12 alkyl group, C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkyl group, C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyl group, 1-naphthyl-C1-C12 alkyl And a 2-naphthyl-C1-C12 alkyl group.
  • the arylalkyloxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms and may have a substituent.
  • Specific examples of the arylalkyloxy group include phenyl-C1-C12 alkyloxy group, C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkyloxy group, C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkyloxy group, 1-naphthyl- Examples thereof include C1-C12 alkyloxy group and 2-naphthyl-C1-C12 alkyloxy group.
  • the arylalkylthio group usually has about 7 to 60 carbon atoms and may have a substituent.
  • Specific examples of the arylalkylthio group include a phenyl-C1-C12 alkylthio group, a C1-C12 alkyloxyphenyl-C1-C12 alkylthio group, a C1-C12 alkylphenyl-C1-C12 alkylthio group, and a 1-naphthyl-C1-C12 alkylthio group. And a 2-naphthyl-C1-C12 alkylthio group.
  • Acyl groups usually have about 2 to 20 carbon atoms.
  • Specific examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.
  • Acyloxy groups usually have about 2 to 20 carbon atoms.
  • Specific examples of the acyloxy group include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, a benzoyloxy group, a trifluoroacetyloxy group, and a pentafluorobenzoyloxy group.
  • the amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms.
  • An amide group refers to a group obtained by removing a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an amide.
  • Specific examples of the amide group include a formamide group, an acetamide group, a propioamide group, a butyroamide group, a benzamide group, a trifluoroacetamide group, a pentafluorobenzamide group, a diformamide group, a diacetamide group, a dipropioamide group, a dibutyroamide group, and a dibenzamide group. , Ditrifluoroacetamide group and dipentafluorobenzamide group.
  • the acid imide group refers to a group obtained by removing a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom from an acid imide.
  • Specific examples of the acid imide group include a succinimide group and a phthalimide group.
  • the substituted amino group usually has about 1 to 40 carbon atoms.
  • substituent amino group include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, isopropylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, isobutylamino group, tert-Butylamino, pentylamino, hexylamino, cyclohexylamino, heptylamino, octylamino, 2-ethylhexylamino, nonylamino, decylamino, 3,7-dimethyloctylamino, laurylamino , Cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group
  • substituted silyl group examples include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tri-n-propylsilyl group, tri-iso-propylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, and tri-p-xylylsilyl group.
  • substituted silyloxy group examples include trimethylsilyloxy group, triethylsilyloxy group, tri-n-propylsilyloxy group, tri-iso-propylsilyloxy group, tert-butyldimethylsilyloxy group, triphenylsilyloxy group, Examples thereof include a tri-p-xylylsilyloxy group, a tribenzylsilyloxy group, a diphenylmethylsilyloxy group, a tert-butyldiphenylsilyloxy group, and a dimethylphenylsilyloxy group.
  • substituted silylthio group examples include trimethylsilylthio group, triethylsilylthio group, tri-n-propylsilylthio group, tri-iso-propylsilylthio group, tert-butyldimethylsilylthio group, triphenylsilylthio group, Examples thereof include a tri-p-xylylsilylthio group, a tribenzylsilylthio group, a diphenylmethylsilylthio group, a tert-butyldiphenylsilylthio group, and a dimethylphenylsilylthio group.
  • substituted silylamino group examples include trimethylsilylamino group, triethylsilylamino group, tri-n-propylsilylamino group, tri-iso-propylsilylamino group, tert-butyldimethylsilylamino group, triphenylsilylamino group, Tri-p-xylylsilylamino group, tribenzylsilylamino group, diphenylmethylsilylamino group, tert-butyldiphenylsilylamino group, dimethylphenylsilylamino group, di (trimethylsilyl) amino group, di (triethylsilyl) amino group Di (tri-n-propylsilyl) amino group, di (tri-iso-propylsilyl) amino group, di (tert-butyldimethylsilyl) amino group, di (triphenylsilyl) amino group, di (tri-p -X
  • Examples of the monovalent heterocyclic group include furan, thiophene, pyrrole, pyrroline, pyrrolidine, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, imidazole, imidazoline, imidazolidine, pyrazole, pyrazoline, prazolidine, furazane, triazole, thiadiazole, oxadi Azole, tetrazole, pyran, pyridine, piperidine, thiopyran, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, piperazine, morpholine, triazine, benzofuran, isobenzofuran, benzothiophene, indole, isoindole, indolizine, indoline, isoindoline, chromene, chroman, isochroman , Benzopyran, quinoline, isoquinoline, quinolidine,
  • heterocyclic oxy group and heterocyclic thio group examples include groups in which an oxygen atom or a nitrogen atom is bonded to the monovalent heterocyclic group.
  • the heterocyclic oxy group usually has about 4 to 60 carbon atoms.
  • Specific examples of the heterocyclic oxy group include thienyloxy group, C1-C12 alkylthienyloxy group, pyrrolyloxy group, furyloxy group, pyridyloxy group, C1-C12 alkylpyridyloxy group, imidazolyloxy group, pyrazolyloxy group, triazolyl group.
  • the heterocyclic thio group usually has about 4 to 60 carbon atoms.
  • Specific examples of the heterocyclic thio group include thienyl mercapto group, C1-C12 alkyl thienyl mercapto group, pyrrolyl mercapto group, furyl mercapto group, pyridyl mercapto group, C1-C12 alkyl pyridyl mercapto group, imidazolyl mercapto group, pyrazolyl mercapto group. , Triazolyl mercapto group, oxazolyl mercapto group, thiazole mercapto group and thiadiazole mercapto group.
  • the arylalkenyl group usually has 4 to 20 carbon atoms, and specific examples of the arylalkenyl group include a styryl group.
  • the arylalkynyl group usually has 4 to 20 carbon atoms, and specific examples of the arylalkynyl group include a phenylacetylenyl group.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • X 1 is preferably —O—, —S—, —C ( ⁇ O) —, more preferably —O—, —C ( ⁇ O) —. More preferably —O—.
  • X 2 is preferably —C (R 50 ) (R 51 ) — or —Si (R 3 ) (R 4 ) —, and more preferably —C (R 50 ) (R 51 ) —.
  • Ar 1 and Ar 2 are the same or different and each represents a trivalent aromatic hydrocarbon group or a trivalent heterocyclic group. However, at least one of Ar 1 and Ar 2 is a trivalent heterocyclic group.
  • Ar 1 has three bonds, one of which is a bond with Ar 2 , the other is a bond with X 1 , and one more Represents a bond with a hydrogen atom or another atom. Other atoms may be part of atoms constituting other structural units.
  • Ar 2 has three bonds, one of which is a bond with Ar 1 , the other is a bond with X 2 , and one more Represents a bond with a hydrogen atom or another atom. Other atoms may be part of atoms constituting other structural units.
  • the trivalent aromatic hydrocarbon group means a remaining atomic group obtained by removing three hydrogen atoms from a benzene ring or condensed ring, and usually has 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms.
  • the trivalent group of is illustrated.
  • the aromatic hydrocarbon group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, and an arylalkyl group.
  • Examples include a ring group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, a carboxyl group, and a cyano group.
  • the number of carbon atoms of the trivalent aromatic hydrocarbon group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
  • the number of carbon atoms of the substituent is preferably 1 to 40, more preferably 1 to 20 More preferably, it is 1-6.
  • the trivalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing three hydrogen atoms from the heterocyclic compound, and the number of carbon atoms is usually 4 to 60, preferably 4 to 20.
  • the heterocyclic group may have a substituent, and the number of carbon atoms of the heterocyclic group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
  • a trivalent aromatic heterocyclic group is preferable.
  • the number of carbon atoms of the substituent is preferably 1 to 40, more preferably 1 to 20 More preferably, it is 1-6.
  • a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, and boron atoms are not included in the ring.
  • An organic compound contained within is an organic compound having a cyclic structure in which not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, and boron atoms.
  • Examples of the trivalent heterocyclic group include the following groups.
  • R ′ is the same or different and is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, An arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, a substituted amino group, an acyloxy group, an amide group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, a monovalent heterocyclic group or a cyano group is represented.
  • R ′′ is the same or different and represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, a substituted silyl group, an acyl group, or a monovalent heterocyclic group.
  • R ′ halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, acyloxy group, amide Group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, definition of monovalent heterocyclic group
  • specific examples are the halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group represented by the aforementioned R 3 , Arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, substituted amino group, acyloxy group, amide group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, definition of monovalent heterocyclic group, the same as specific examples .
  • alkyl groups, aryl groups, arylalkyl groups, substituted silyl groups, and monovalent heterocyclic groups represented by R ′′ include the alkyl groups, aryl groups, and aryls represented by R 3 described above.
  • the definition of alkyl group, substituted silyl group, monovalent heterocyclic group, and specific examples are the same.
  • X 1 and Ar 2 in formula (1) are bonded to atoms (positions) adjacent to each other in the ring constituting Ar 1 , and X 2 and Ar 1 are atoms adjacent to each other in the ring constituting Ar 2 ( Position).
  • the structural unit represented by the formula (1) is preferably a structural unit (divalent group) represented by the formula (301) to the formula (493) and an aromatic hydrocarbon ring contained in these structural units. Or it is a structural unit which further has a substituent on a heterocyclic ring, and the structural unit whose Ar ⁇ 1 > and Ar ⁇ 2 > are trivalent heterocyclic groups is more preferable.
  • R 50 , R 51 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , and R 8 each have the same meaning as described above.
  • R represents a hydrogen atom or a substituent.
  • a plurality of R may be the same or different, and may be bonded to each other to form a ring.
  • substituents include an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, an aryl Alkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, amide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, nitro group, And a group selected from a cyano group.
  • the hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom.
  • An alkyl group represented by R an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, a substituted amino group
  • substitud silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, amide group, monovalent heterocyclic group specific examples are the alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group represented by R 3 described above, Aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, substituted amino group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyl
  • substituted carboxyl group those having 2 to 20 carbon atoms are usually used, and examples thereof include a group having a methyl ester structure, a group having an ethyl ester structure, and a group having a butyl ester structure.
  • the structural unit represented by the formula (1) is a structural unit (divalent group) represented by the formula (2).
  • R 50 and R 51 each represent the same meaning as described above.
  • R 10 and R 11 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group.
  • the definitions and specific examples of the halogen atoms and monovalent organic groups of R 10 and R 11 are the same as those described above for R 50 and R 51 .
  • Examples of the structural unit represented by the formula (2) include a divalent group represented by the above formula (301).
  • R 50 and R 51 include a monovalent organic group. Includes an alkyl group.
  • the number of carbon atoms of R 50 and R 51 is preferably 1-30, more preferably 3-25, and even more preferably 6-18.
  • the compound used for the photoelectric conversion element of this invention has a structural unit different from the structural unit represented by Formula (1) other than the structural unit represented by Formula (1).
  • the structural unit represented by the formula (1) and the structural unit different from the structural unit represented by the formula (1) form a conjugate. Conjugation in the present invention is chained in the order of unsaturated bond-single bond-unsaturated bond, two ⁇ bonds of ⁇ orbitals are adjacent to each other, and each ⁇ electron is arranged in parallel. It refers to a state in which ⁇ electrons are not localized on the bond but are spread and delocalized on the adjacent single bond.
  • the unsaturated bond refers to a double bond or a triple bond.
  • the structural unit different from the structural unit represented by the formula (1) includes a divalent group, and examples of the divalent group include an arylene group and a divalent heterocyclic group.
  • the arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and the number of carbon atoms constituting the ring is usually about 6 to 60, preferably 6 to 20.
  • aromatic hydrocarbons include those having a benzene ring, those having a condensed ring, those having two or more independent benzene rings or condensed rings directly bonded, or bonded via a group such as vinylene. It is.
  • the arylene group include a phenylene group (for example, the following formulas 1 to 3), a naphthalenediyl group (the following formulas 4 to 13), an anthracenediyl group (the following formulas 14 to 19), a biphenyl-diyl group ( Examples thereof include the following formulas 20 to 25), terphenyl-diyl groups (the following formulas 26 to 28), and condensed ring compound groups (the following formulas 29 to 38).
  • the condensed ring compound group includes a fluorene-diyl group (the following formulas 36 to 38).
  • the divalent heterocyclic group means an atomic group remaining after removing two hydrogen atoms from a heterocyclic compound, and the number of carbon atoms constituting the ring is usually about 3 to 60.
  • a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring are not only carbon atoms, but also hetero atoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, phosphorus atoms, boron atoms, arsenic atoms, etc. An atom containing an atom in the ring.
  • divalent heterocyclic group examples include the following. Divalent heterocyclic groups containing nitrogen atoms as heteroatoms: pyridine-diyl groups (formulas 39 to 44 below), diazaphenylene groups (formulas 45 to 48 below), quinoline diyl groups (formulas 49 to 63 below) ), A quinoxaline diyl group (following formulas 64-68), an acridine diyl group (following formulas 69-72), a bipyridyldiyl group (following formulas 73-75), a phenanthroline diyl group (following formulas 76-78); Groups having a fluorene structure containing silicon atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, selenium atoms and the like as heteroatoms (the following formulas 79 to 93); 5-membered heterocyclic groups containing silicon atom, nitrogen atom, sulfur atom, selenium atom and the like as a hetero atom (the following formulas
  • a 5-membered heterocyclic group containing a silicon atom, nitrogen atom, sulfur atom, selenium atom or the like as a hetero atom and bonded to the phenyl group at the ⁇ -position of the hetero atom (the following formulas 113 to 119); Groups in which a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group is substituted on a 5-membered condensed heterocyclic group containing an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, etc.
  • hetero atom the following formulas 120 to 127
  • a group in which a 5-membered heterocyclic ring containing a nitrogen atom, sulfur atom, selenium atom or the like as a hetero atom is condensed the following formulas 128 to 139
  • a group in which a benzene ring and a thiophene ring are condensed the following formulas 140 to 143, etc. Can be illustrated.
  • R represents the same meaning as described above.
  • a and b are the same or different and represent the number of repetitions, and are usually 1 to 5, preferably 1 to 3, and particularly preferably 1.
  • the groups represented by Formula 1 to Formula 143 the groups represented by Formula 106 to Formula 110 and Formula 120 to Formula 127 are preferable, and Formula 107, Formula 109, Formula 122, Formula 127 are more preferable. It is group represented by these.
  • the compound used for the photoelectric conversion device of the present invention is preferably a polymer compound from the viewpoint of ease of device production.
  • the polymer compound in the present invention refers to a polymer having a weight average molecular weight (Mw) of 1000 or more, and a polymer compound having a weight average molecular weight of 3,000 to 10,000,000 is preferably used. If the weight average molecular weight is lower than 3000, defects may occur in film formation during device fabrication, and if it exceeds 10000000, solubility in a solvent and applicability during device fabrication may be degraded.
  • the weight average molecular weight is more preferably 8000 to 5000000, and particularly preferably 10,000 to 1000000.
  • the weight average molecular weight in this invention points out the weight average molecular weight of polystyrene conversion calculated using the standard sample of polystyrene using gel permeation chromatography (GPC).
  • the content of the structural unit represented by the formula (1) in the polymer compound may be at least one in the compound.
  • the polymer compound contains an average of 2 or more per polymer chain, more preferably an average of 3 or more per polymer chain.
  • the polymer compound that can be used in the photoelectric conversion element of the present invention preferably has a high solubility in a solvent from the viewpoint of ease of device production when used in the element. Specifically, it preferably has a solubility capable of producing a solution containing 0.01 wt% or more of the polymer compound, and preferably has a solubility capable of producing a solution containing 0.1 wt% or more. More preferably, it has a solubility capable of producing a solution containing 0.4 wt% or more.
  • a method for producing a polymer compound that can be used in the present invention is not particularly limited, but a method using a Suzuki coupling reaction or a Stille coupling reaction is preferable from the viewpoint of ease of synthesis of the polymer compound. .
  • E 2 represents a structural unit containing a group represented by the formula (1).
  • T 1 and T 2 are the same or different and each represents a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, or an arylalkyl sulfonate group.
  • E 1 is preferably a divalent aromatic group, more preferably a group represented by the above formulas 1 to 143.
  • the total number of moles of one or more compounds represented by formula (200) used in the reaction is excessive with respect to the total number of moles of one or more compounds represented by formula (100). Is preferred.
  • the total number of moles of one or more compounds represented by formula (200) used in the reaction is 1 mole
  • the total number of moles of one or more compounds represented by formula (100) is 0.6 to 0.00.
  • the amount is preferably 99 mol, more preferably 0.7 to 0.95 mol.
  • Examples of the halogen atom represented by T 1 and T 2 in Formula (200) include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • a bromine atom and an iodine atom are preferable, and a bromine atom is more preferable.
  • Examples of the alkyl sulfonate group represented by T 1 and T 2 in Formula (200) include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group.
  • Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group.
  • a benzyl sulfonate group is illustrated as an arylalkyl sulfonate group.
  • the method for carrying out the Suzuki coupling reaction includes a method in which a palladium catalyst is used as a catalyst in an arbitrary solvent and the reaction is carried out in the presence of a base.
  • Examples of the palladium catalyst used in the Suzuki coupling reaction include a Pd (0) catalyst, a Pd (II) catalyst, and the like.
  • palladium [tetrakis (triphenylphosphine)] palladium acetates, dichlorobis (Triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, bis (dibenzylideneacetone) palladium, etc. are mentioned, but from the viewpoint of ease of reaction (polymerization) operation and reaction (polymerization) rate.
  • Dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium are preferred.
  • the addition amount of the palladium catalyst is not particularly limited as long as it is an effective amount as a catalyst, but is usually 0.0001 mol to 0.5 mol with respect to 1 mol of the compound represented by the formula (100). The amount is preferably 0.0003 mol to 0.1 mol.
  • a phosphorus compound such as triphenylphosphine, tri (o-tolyl) phosphine, tri (o-methoxyphenyl) phosphine is added as a ligand.
  • the addition amount of the ligand is usually 0.5 mol to 100 mol, preferably 0.9 mol to 20 mol, more preferably 1 mol to 10 mol, relative to 1 mol of the palladium catalyst. is there.
  • Examples of the base used for the Suzuki coupling reaction include inorganic bases, organic bases, inorganic salts and the like.
  • examples of the inorganic base include potassium carbonate, sodium carbonate, barium hydroxide and the like.
  • examples of the organic base include triethylamine and tributylamine.
  • examples of the inorganic salt include cesium fluoride.
  • the addition amount of the base is usually 0.5 mol to 100 mol, preferably 0.9 mol to 20 mol, more preferably 1 mol to 10 mol, relative to 1 mol of the compound represented by the formula (100). is there.
  • the Suzuki coupling reaction is usually performed in a solvent.
  • the solvent include N, N-dimethylformamide, toluene, dimethoxyethane, tetrahydrofuran and the like. From the viewpoint of solubility of the polymer compound used in the present invention, toluene and tetrahydrofuran are preferred.
  • the base may be added as an aqueous solution and reacted in a two-phase system of an aqueous phase and an organic phase.
  • an inorganic salt is used as the base, it is usually added as an aqueous solution and reacted from the viewpoint of solubility of the inorganic salt.
  • phase transfer catalysts such as a quaternary ammonium salt
  • the temperature at which the Suzuki coupling reaction is carried out depends on the solvent, but is usually about 50 to 160 ° C., and preferably 60 to 120 ° C. from the viewpoint of increasing the molecular weight of the polymer compound. Alternatively, the temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed.
  • the reaction time may end when the target degree of polymerization is reached, but is usually about 0.1 to 200 hours. About 1 to 30 hours is efficient and preferable.
  • the Suzuki coupling reaction is performed in a reaction system in which the Pd (0) catalyst is not deactivated under an inert atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
  • an inert atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
  • it is performed in a system sufficiently deaerated with argon gas or nitrogen gas.
  • the compound represented by the formula (100), the compound represented by the formula (200), Dichlorobis (triphenylphosphine) palladium (II) was charged, the polymerization vessel was sufficiently replaced with nitrogen gas, degassed, and then degassed by adding a degassed solvent such as toluene by bubbling with nitrogen gas in advance.
  • a base degassed by bubbling with nitrogen gas in advance for example, an aqueous sodium carbonate solution
  • nitrogen gas in advance for example, an aqueous sodium carbonate solution
  • the manufacturing method which has a process with which the 1 or more types of compound represented by this, and the 1 or more types of compound represented by the said Formula (200) are made to react in presence of a palladium catalyst is mentioned.
  • E 3 is preferably a divalent aromatic group, more preferably a group represented by the above formulas 1 to 143.
  • organotin residue examples include a group represented by —SnR 100 3 .
  • R 100 represents a monovalent organic group.
  • the monovalent organic group examples include an alkyl group and an aryl group.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl tomb, n-pentyl group, isopentyl group, 2-methylbutyl.
  • aryl group examples include a phenyl group and a naphthyl group.
  • -SnMe 3 as organotin residue, -SnEt 3, -SnBu 3, an -SnPh 3, more preferably -SnMe 3, -SnEt 3, is -SnBu 3.
  • Me represents a methyl group
  • Et represents an ethyl group
  • Bu represents a butyl group
  • Ph represents a phenyl group.
  • Examples of the halogen atom represented by T 1 and T 2 in Formula (200) include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. In view of ease of synthesis of the polymer compound, a bromine atom and an iodine atom are preferable.
  • Examples of the alkyl sulfonate group represented by T 1 and T 2 in Formula (200) include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group.
  • Examples of the aryl sulfonate group include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group.
  • a benzyl sulfonate group is illustrated as an aryl sulfonate group.
  • examples of the catalyst include a method of reacting in an arbitrary solvent under a palladium catalyst.
  • examples of the palladium catalyst used in the Stille coupling reaction include Pd (0) catalyst, Pd (II) catalyst, and the like.
  • palladium [tetrakis (triphenylphosphine)] palladium acetates, dichlorobis (Triphenylphosphine) palladium, palladium acetate, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium, bis (dibenzylideneacetone) palladium
  • palladium [Tetrakis (triphenylphosphine)] and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium are preferred.
  • the addition amount of the palladium catalyst used for the Stille coupling reaction is not particularly limited as long as it is an effective amount as a catalyst, but is usually 0.0001 per 1 mol of the compound represented by the formula (100). Mol to 0.5 mol, preferably 0.0003 to 0.2 mol.
  • a ligand and a co-catalyst can also be used as needed.
  • the ligand include phosphorus compounds such as triphenylphosphine, tri (o-tolyl) phosphine, tri (o-methoxyphenyl) phosphine, tris (2-furyl) phosphine, triphenylarsine, and triphenoxyarsine.
  • Examples include arsenic compounds.
  • the cocatalyst include copper iodide, copper bromide, copper chloride, and copper (I) 2-thenoylate.
  • the amount of the ligand or cocatalyst added is usually 0.5 mol to 100 mol, preferably 0.9 mol to 20 mol, relative to 1 mol of the palladium catalyst. More preferably, it is 1 mol to 10 mol.
  • the Stille coupling reaction is usually performed in a solvent.
  • the solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, toluene, dimethoxyethane, tetrahydrofuran and the like. From the viewpoint of solubility of the polymer compound used in the present invention, toluene and tetrahydrofuran are preferred.
  • the temperature at which the Stille coupling reaction is carried out depends on the solvent, but is usually about 50 to 160 ° C., and preferably 60 to 120 ° C. from the viewpoint of increasing the molecular weight of the polymer compound. Alternatively, the temperature may be raised to near the boiling point of the solvent and refluxed.
  • the time for carrying out the reaction may be the end point when the desired degree of polymerization is reached, but is usually about 0.1 to 200 hours. About 1 to 30 hours is efficient and preferable.
  • the Stille coupling reaction is performed in a reaction system in which the Pd catalyst is not deactivated under an inert atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
  • an inert atmosphere such as argon gas or nitrogen gas.
  • the polymerization vessel is charged with a compound represented by the formula (300), a compound represented by the formula (200), A palladium catalyst is charged, and the polymerization vessel is sufficiently replaced with nitrogen gas, degassed, and then bubbled with nitrogen gas in advance to add a degassed solvent, for example, toluene, and then coordinate as necessary.
  • the mixture is heated and heated, for example, and polymerized while maintaining an inert atmosphere at the reflux temperature for 8 hours.
  • the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene of the polymer compound is preferably 1 ⁇ 10 3 to 1 ⁇ 10 8 .
  • Mn number average molecular weight in terms of polystyrene
  • a tough thin film is easily obtained.
  • it is 10 8 or less the solubility is high and the production of the thin film is easy.
  • the terminal group of the polymer compound that can be used in the photoelectric conversion device of the present invention if the polymerization active group remains as it is, there is a possibility that the characteristics and life of the device obtained when used for the production of the device are reduced. As such, it may be protected with a stable group.
  • Those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain are preferable, and for example, a structure bonded to an aryl group or a heterocyclic group via a vinylene group may be used.
  • the polymer compound that can be used in the photoelectric conversion element of the present invention is characterized by having a structural unit represented by the formula (1).
  • the polymer compound represented by the formula (1-3) It can synthesize
  • Ar 1 , Ar 2 , X 1 and X 2 each have the same meaning as described above.
  • W 1 and W 2 are the same or different and are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group, an aryl alkyl sulfonate group, a boric acid ester residue, a sulfonium methyl group, a phosphonium methyl group, a phosphonate methyl group, a mono Represents a halogenated methyl group, boronic acid residue, formyl group, vinyl group or organotin residue.
  • a polymer compound having a structural unit represented by the formula (1) can be produced by oxidative polymerization.
  • a catalyst is usually used.
  • a known catalyst can be used.
  • a metal halide or a mixture of a metal halide and an amine complex is used.
  • the metal halide for example, a monovalent, divalent, or trivalent halide of a metal such as copper, iron, vanadium, or chromium can be used.
  • amines such as pyridine, lutidine, 2-methylimidazole, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine can be used.
  • iron chloride can also be used (Polym. Prep. Japan, Vol. 48, 309 (1999)). Furthermore, by using a copper / amine catalyst system (J. Org. Chem., 64, 2264 (1999), J. Polym. Sci. Part A, Polym. Chem., 37, 3702 (1999)) The molecular weight can be increased.
  • any solvent can be used as long as the catalyst is not poisoned.
  • solvents include hydrocarbon solvents, ether solvents, and alcohols.
  • hydrocarbon solvent include toluene, benzene, xylene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, naphthalene, and tetralin.
  • ether solvents include diethyl ether, diisopropyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diphenyl ether, and tert-butyl methyl ether.
  • alcohols include methanol, ethanol, isopropanol, and 2-methoxyethanol.
  • the reaction temperature in oxidative polymerization is usually about ⁇ 100 ° C. to 100 ° C., preferably about ⁇ 50 to 50 ° C.
  • a method of polymerizing by mixing two or more types of monomers a method of adding a second type of monomer after polymerizing one type of monomer, and the like can be mentioned.
  • a method of adding a second type of monomer after polymerizing one type of monomer can be mentioned.
  • block copolymers random copolymers, alternating copolymers, multiblock copolymers, graft copolymers, and the like.
  • W 1 and W 2 in formula (1-3) are the same or different, and are halogen atoms, alkyl sulfonate groups, aryl sulfonate groups, aryl alkyl sulfonate groups, boric acid. It is preferably an ester residue, a boronic acid residue or an organotin residue.
  • W 1 and W 2 are hydrogen atoms
  • a known method can be used as a method for converting W 1 and W 2 into bromine atoms.
  • W 1 and W 2 are hydrogen atoms.
  • Examples thereof include a method of bringing a compound represented by the formula (1-3) into contact with bromine or N-bromosuccinimide (NBS) for bromination.
  • the conditions for bromination can be arbitrarily set.
  • a method of reacting with NBS in a solvent is desirable because the bromination rate is high and the selectivity of the introduction position of bromine atoms is high.
  • the solvent used at this time include N, N-dimethylformamide, chloroform, methylene chloride, carbon tetrachloride and the like.
  • the reaction time is usually about 1 minute to 10 hours, and the reaction temperature is usually about ⁇ 50 ° C. to 50 ° C.
  • the amount of bromine used is preferably about 1 to 5 moles relative to 1 mole of the compound represented by the formula (1-3) in which W 1 and W 2 are hydrogen atoms.
  • the reaction for example, after the reaction is stopped by adding water, the product is extracted with an organic solvent and subjected to usual post-treatment such as evaporation of the solvent.
  • W 1 and W 2 are bromine atoms.
  • the compound represented by 1-3) can be obtained.
  • the product can be isolated and purified by a method such as chromatographic fractionation or recrystallization.
  • the polymer compound that can be used in the present invention preferably has a long wavelength at the light absorption terminal wavelength.
  • the light absorption terminal wavelength in the present invention means a value obtained by the following method.
  • a spectrophotometer for example, JASCO-V670, UV-Vis near-infrared spectrophotometer manufactured by JASCO Corporation
  • the measurable wavelength range is 200 to 1500 nm. Therefore, measurement is performed in this wavelength range.
  • the absorption spectrum of the substrate used for measurement is measured.
  • a quartz substrate, a glass substrate, or the like is used as the substrate.
  • a thin film containing the first compound is formed on the substrate from a solution containing the first compound or a melt containing the first compound.
  • drying is performed after film formation.
  • an absorption spectrum of the laminate of the thin film and the substrate is obtained.
  • the difference between the absorption spectrum of the laminate of the thin film and the substrate and the absorption spectrum of the substrate is obtained as the absorption spectrum of the thin film.
  • the vertical axis represents the absorbance of the first compound
  • the horizontal axis represents the wavelength. It is desirable to adjust the thickness of the thin film so that the absorbance at the largest absorption peak is about 0.5 to 2.
  • the absorbance of the absorption peak with the longest wavelength among the absorption peaks is defined as 100%, and the intersection of the absorption peak and a straight line parallel to the horizontal axis (wavelength axis) including the absorbance of 50% of the absorption peak.
  • the intersection point that is longer than the peak wavelength is taken as the first point.
  • the intersection point between the absorption peak and a straight line parallel to the wavelength axis containing 25% of the absorbance, which is longer than the peak wavelength of the absorption peak, is defined as a second point.
  • the intersection of the straight line connecting the first point and the second point and the reference line is defined as the light absorption terminal wavelength.
  • the reference line is the intersection of the absorption peak and the straight line parallel to the wavelength axis including the absorbance of 10% at the absorption peak of the longest wavelength, where the absorbance of the absorption peak is 100%.
  • the third point on the absorption spectrum that is 100 nm longer than the reference wavelength and the absorption spectrum that is 150 nm longer than the reference wavelength with reference to the wavelength of the intersection that is longer than the peak wavelength of the absorption peak A straight line connecting the top and the fourth point.
  • the photoelectric conversion element of the present invention has one or more active layers containing a compound having a structural unit of the formula (1) between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
  • a preferable form of the photoelectric conversion element of the present invention it has an active layer formed of a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent, and an organic composition of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor. .
  • the layer form of the active layer is not particularly limited, and may be, for example, a bulk heterojunction type active layer (pn mixed layer) formed of a mixture of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, A pn junction type active layer formed by joining two layers of a layer formed of a p-type organic semiconductor (p-type layer) and a layer formed of an n-type organic semiconductor (n-type layer). Alternatively, it may be a pin junction type active layer in which a pn type layer is provided between a p type layer and an n type layer.
  • the compound having the structural unit of the formula (1) is preferably used as a p-type organic semiconductor.
  • Light energy incident from a transparent or translucent electrode is an electron-accepting compound (n-type organic semiconductor) such as a fullerene derivative and / or an electron-donating compound (p-type organic semiconductor) such as a compound used in the present invention. Absorbed, producing excitons in which electrons and holes are combined. When the generated excitons move and reach the heterojunction interface where the electron-accepting compound and the electron-donating compound are adjacent to each other, electrons and holes are separated due to the difference in HOMO energy and LUMO energy at the interface, Electric charges (electrons and holes) that can move independently are generated. The generated charges can be taken out as electric energy (current) by moving to the electrodes.
  • n-type organic semiconductor such as a fullerene derivative and / or an electron-donating compound (p-type organic semiconductor) such as a compound used in the present invention. Absorbed, producing excitons in which electrons and holes are combined. When the generated excitons move and reach the heterojunction interface where the electron-accepting compound and the
  • the photoelectric conversion element of the present invention is usually formed on a substrate.
  • the substrate may be any substrate that does not chemically change when the electrodes are formed and the organic layer is formed.
  • Examples of the material for the substrate include glass, plastic, polymer film, and silicon.
  • the opposite electrode that is, the electrode far from the substrate
  • a first active layer containing the compound used in the present invention is adjacent to the first active layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or translucent.
  • the photoelectric conversion element includes a second active layer containing an electron-accepting compound such as a fullerene derivative.
  • the transparent or translucent electrode material examples include a conductive metal oxide film and a translucent metal thin film. Specifically, it is composed of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), antimony tin oxide (NESA), and the like, which are composites thereof.
  • ITO indium oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • NESA antimony tin oxide
  • a film manufactured using a conductive material, a film manufactured using gold, platinum, silver, copper, or the like is used, and a film manufactured using ITO, IZO, or tin oxide is preferable.
  • the method for producing the electrode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like.
  • One electrode may not be transparent, and as an electrode material of the electrode, for example, a metal, a conductive polymer, or the like can be used.
  • the electrode material include metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like.
  • one or more alloys selected from the group consisting of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, and tin.
  • Examples include alloys with metals, graphite, graphite intercalation compounds, polyaniline and derivatives thereof, and polythiophene and derivatives thereof.
  • Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.
  • An additional intermediate layer other than the active layer may be used as a means for improving the photoelectric conversion efficiency.
  • the material used for the intermediate layer include alkali metals such as lithium fluoride, halides of alkaline earth metals, oxides such as titanium oxide, and PEDOT (poly-3,4-ethylenedioxythiophene).
  • the active layer may contain one kind of compound having the structural unit represented by the formula (1) alone, or may contain two or more kinds in combination.
  • a compound other than the compound having the structural unit represented by the formula (1) is mixed as an electron donating compound and / or an electron accepting compound in the active layer. Can also be used.
  • the electron-donating compound and the electron-accepting compound are relatively determined from the energy levels of these compounds.
  • Examples of the electron donating compound include compounds having a structural unit represented by the formula (1), for example, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole, and Derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine residues in the side chain or main chain, polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene And derivatives thereof.
  • pyrazoline derivatives for example, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, oligothiophene and derivatives thereof, polyvinylcarbazole, and Derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having aromatic amine residues
  • the electron-accepting compound in addition to the compound having the structural unit represented by the formula (1), for example, carbon materials, metal oxides such as titanium oxide, oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and derivatives thereof, Benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline And derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, phenanthrene derivatives such as 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (basocuproin), fullerene, fullerene Derivatives and the like, preferably, titanium oxide, carbon nanotubes, fuller
  • Examples of the fullerene derivative include a compound represented by the formula (13), a compound represented by the formula (14), a compound represented by the formula (15), and a compound represented by the formula (16).
  • R a is an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group or a group having an ester structure.
  • a plurality of R a may be the same or different.
  • R b represents an alkyl group or an aryl group, and a plurality of R b may be the same or different.
  • alkyl group and aryl group represented by R a and R b are the same as the definitions and specific examples of the alkyl group and aryl group represented by R 3 .
  • the heteroaryl group represented by Ra usually has 3 to 60 carbon atoms, and examples thereof include a thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, a quinolyl group, and an isoquinolyl group.
  • Examples of the group having an ester structure represented by Ra include a group represented by the formula (17).
  • u1 represents an integer of 1 to 6
  • u2 represents an integer of 0 to 6
  • R c represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group.
  • alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R c are the same as the definitions and specific examples of the alkyl group, aryl group and heteroaryl group represented by R a .
  • C 60 fullerene derivative examples include the following.
  • C 70 derivative examples include the following.
  • fullerene derivatives include [6,6] phenyl-C61 butyric acid methyl ester (C60PCBM, [6,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester), [6,6] phenyl-C71 butyric acid methyl ester (C70PCBM). , [6,6] -Phenyl C71 butyric acid methyl ester, [6,6] Phenyl-C85 butyric acid methyl ester (C84PCBM, [6,6] -Phenyl C85 butyric acid methyl ester), [6,6] And C61 butyric acid methyl ester ([6,6] -Thienyl C61 butyric acid methyl ester).
  • the ratio of the fullerene derivative is preferably 10 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the compound, More preferably, it is 500 parts by weight.
  • the thickness of the active layer is usually preferably 1 nm to 100 ⁇ m, more preferably 2 nm to 1000 nm, still more preferably 5 nm to 500 nm, more preferably 20 nm to 200 nm.
  • the method for producing the active layer may be produced by any method, and examples thereof include film formation from a solution containing a compound having the structural unit of formula (1), and film formation by vacuum deposition.
  • Examples of the layer structure that the photoelectric conversion element can take include the following a) to d).
  • a) Anode / active layer / cathode b) Anode / hole transport layer / active layer / cathode c) Anode / active layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / active layer / electron transport layer / cathode (Here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are adjacently stacked.)
  • the layer configuration may be any of a form in which the anode is provided on the side closer to the substrate and a form in which the cathode is provided on the side closer to the substrate.
  • Each of the above layers may be formed as a single layer or a laminate of two or more layers. In addition to the above, other layers may be further provided.
  • a preferred method for producing a photoelectric conversion element is a method for producing an element having a first electrode and a second electrode, and having an active layer between the first electrode and the second electrode, Applying a solution (ink) containing a compound having a structural unit of formula (1) and a solvent on the first electrode by a coating method to form an active layer; and forming a second electrode on the active layer It is the manufacturing method of the element which has the process to form.
  • the solvent used for film formation from a solution dissolves the polymer compound used in the present invention. If it is.
  • the solvent include unsaturated hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, tetralin, decalin, bicyclohexyl, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, carbon tetrachloride, chloroform, dichloromethane.
  • Halogenated saturated hydrocarbon solvents such as dichloroethane, chlorobutane, bromobutane, chloropentane, bromopentane, chlorohexane, bromohexane, chlorocyclohexane, bromocyclohexane, and halogenated unsaturated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene
  • the solvent include ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran.
  • the polymer compound used in the present invention can usually be dissolved in the solvent in an amount of 0.1% by weight or more.
  • slit coating method When forming a film using a solution, slit coating method, knife coating method, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, Application methods such as spray coating, screen printing, gravure printing, flexographic printing, offset printing, inkjet coating, dispenser printing, nozzle coating, capillary coating, slit coating, capillary A coating method, a gravure coating method, a micro gravure coating method, a bar coating method, a knife coating method, a nozzle coating method, an ink jet coating method, and a spin coating method are preferable.
  • the surface tension of the solvent at 25 ° C. is preferably larger than 15 mN / m, more preferably larger than 15 mN / m and smaller than 100 mN / m, larger than 25 mN / m and larger than 60 mN / m. It is more preferable that the value is small.
  • the photoelectric conversion element of the present invention can be operated as an organic thin film solar cell by generating a photovoltaic force between the electrodes by irradiating light such as sunlight from a transparent or translucent electrode. It can also be used as an organic thin film solar cell module by integrating a plurality of organic thin film solar cells.
  • a photocurrent flows and it can be operated as an organic photosensor. It can also be used as an organic image sensor by integrating a plurality of organic photosensors.
  • the organic thin film solar cell can basically have the same module structure as a conventional solar cell module.
  • the solar cell module generally has a structure in which cells are formed on a support substrate such as metal or ceramic, and the cell is covered with a filling resin or protective glass, and light is taken in from the opposite side of the support substrate. It is also possible to use a transparent material such as tempered glass for the support substrate, configure a cell thereon, and take in light from the transparent support substrate side.
  • a module structure called a super straight type, a substrate type, and a potting type, a substrate integrated module structure used in an amorphous silicon solar cell, and the like are known.
  • the module structure of the organic thin film solar cell of the present invention can be selected as appropriate depending on the purpose of use, the place of use, and the environment.
  • a typical super straight type or substrate type module cells are arranged at regular intervals between support substrates that are transparent on one or both sides and subjected to antireflection treatment, and adjacent cells are connected by metal leads or flexible wiring.
  • the current collector electrode is connected to the outer edge portion, and the generated power is taken out to the outside.
  • plastic materials such as ethylene vinyl acetate (EVA) may be used between the substrate and the cell in the form of a film or a filling resin depending on the purpose in order to protect the cell and improve the current collection efficiency.
  • EVA ethylene vinyl acetate
  • the surface protective layer is made of a transparent plastic film, or the protective function is achieved by curing the filling resin. It is possible to eliminate the supporting substrate on one side.
  • the periphery of the support substrate is fixed in a sandwich shape with a metal frame in order to ensure internal sealing and module rigidity, and the support substrate and the frame are hermetically sealed with a sealing material.
  • a flexible material is used for the cell itself, the support substrate, the filling material, and the sealing material, a solar cell can be formed on the curved surface.
  • a solar cell using a flexible support such as a polymer film
  • cells are sequentially formed while feeding out a roll-shaped support, cut to a desired size, and then the periphery is sealed with a flexible and moisture-proof material.
  • the battery body can be produced.
  • a module structure called “SCAF” described in Solar Energy Materials and Solar Cells, 48, p383-391 may be used.
  • a solar cell using a flexible support can be used by being bonded and fixed to a curved glass or the like.
  • Organic thin film transistor The polymer compound used in the present invention can also be used for an organic thin film transistor.
  • the organic thin film transistor has a configuration including a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) serving as a current path between these electrodes, and a gate electrode for controlling the amount of current passing through the current path.
  • the organic semiconductor layer is constituted by the organic thin film described above. Examples of such an organic thin film transistor include a field effect type and an electrostatic induction type.
  • a field effect organic thin film transistor includes a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) serving as a current path between them, a gate electrode for controlling the amount of current passing through the current path, and an organic semiconductor layer and a gate electrode It is preferable to provide an insulating layer disposed between the two.
  • the source electrode and the drain electrode are preferably provided in contact with the organic semiconductor layer (active layer), and the gate electrode is preferably provided with an insulating layer in contact with the organic semiconductor layer interposed therebetween.
  • the organic semiconductor layer is constituted by an organic thin film containing the polymer compound used in the present invention.
  • the electrostatic induction organic thin film transistor which is one embodiment of the organic thin film transistor of the present invention controls a source electrode and a drain electrode, an organic semiconductor layer (active layer) serving as a current path between them, and an amount of current passing through the current path. It is preferable to have a gate electrode, and this gate electrode is provided in the organic semiconductor layer. In particular, it is preferably provided in contact with the source electrode and the drain electrode.
  • the structure of the gate electrode may be a structure in which a current path flowing from the source electrode to the drain electrode is formed and the amount of current flowing through the current path can be controlled by a voltage applied to the gate electrode. An electrode is mentioned.
  • the organic semiconductor layer is composed of an organic thin film containing the compound used in the present invention.
  • the thickness of the active layer is usually preferably 1 nm to 100 ⁇ m, more preferably 2 nm to 1000 nm, still more preferably 5 nm to 500 nm, more preferably 20 nm to 200 nm.
  • the organic thin film transistor of the present invention can be produced by mixing a compound having a structural unit represented by the above formula (1) or the like with an organic semiconductor layer (active layer).
  • an organic semiconductor layer active layer
  • the same method as the film forming method in the above-mentioned “photoelectric conversion element manufacturing method” can be employed.
  • NMR measurement The NMR measurement was performed by dissolving the compound in deuterated chloroform and using an NMR apparatus (Varian, INOVA300).
  • the number average molecular weight and the weight average molecular weight in terms of polystyrene were determined by gel permeation chromatography (GPC) (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10Avp).
  • GPC gel permeation chromatography
  • the polymer compound to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 30 ⁇ L was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min.
  • TSKgel SuperHM-H manufactured by Tosoh
  • TSKgel SuperH2000 manufactured by Tosoh
  • a differential refractive index detector manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: RID-10A was used as the detector.
  • reaction solution was cooled to ⁇ 25 ° C., and a solution obtained by dissolving 60 g (236 mmol) of iodine in 1000 mL of diethyl ether was added dropwise to the reaction solution over 30 minutes. After dropping, the mixture was stirred at room temperature (25 ° C.) for 2 hours, and 50 mL of 1N aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction. After extracting the reaction product with diethyl ether, the reaction product was dried with magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain 35 g of a crude product. The crude product was purified by recrystallization using chloroform to obtain 28 g of Compound 1.
  • the oil layer which is a chloroform solution was dried with magnesium sulfate, the oil layer was filtered, and the filtrate was concentrated to obtain a crude product.
  • the composition was purified with a silica gel column (developing solution: chloroform) to obtain 3.26 g of compound 3. The operation so far was performed several times.
  • a uniform solution was prepared by adding 3.85 g (20.0 mmol) of Compound 3, 50 mL of chloroform, and 50 mL of trifluoroacetic acid to a 300 mL four-necked flask equipped with a mechanical stirrer and replacing the gas in the flask with argon. To the solution was added 5.99 g (60 mmol) of sodium perborate monohydrate, and the mixture was stirred at room temperature (25 ° C.) for 45 minutes. Thereafter, 200 mL of water was added, the reaction product was extracted with chloroform, the organic layer, which was a chloroform solution, was passed through a silica gel column, and the solvent of the filtrate was distilled off with an evaporator.
  • a 200 mL flask in which the gas in the flask was replaced with argon was charged with 389 mg (0.929 mmol) of Compound 6 and 12 mL of dehydrated DMF to make a uniform solution.
  • the solution was kept at ⁇ 20 ° C., 339 mg (1.90 mmol) of N-bromosuccinimide (hereinafter also referred to as NBS) was added, reacted at ⁇ 20 ° C. for 3 hours, and then at 0 ° C. for 1 hour. Reacted.
  • 50 mL of a 1N aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction, and the reaction product was extracted with ether.
  • the toluene layer was washed twice with 10 mL of water, twice with 10 mL of 3% aqueous acetic acid and twice with 10 mL of water, and the obtained toluene layer was poured into methanol, and the deposited precipitate was collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in chloroform. Next, the obtained chloroform solution was filtered to remove insoluble matters, and then passed through an alumina column for purification. The obtained chloroform solution was concentrated under reduced pressure, poured into methanol and precipitated, and the generated precipitate was collected. This precipitate was washed with methanol and then dried under reduced pressure to obtain 40 mg of a polymer.
  • polymer A this polymer is referred to as polymer A.
  • the polymer A had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 17,000 and a polystyrene equivalent number average molecular weight of 5,000.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer A was 925 nm.
  • the organic layer was washed twice with 20 ml of water, twice with 20 mL of a 3 wt% aqueous acetic acid solution and twice with 20 mL of water, and the obtained solution was poured into methanol to precipitate a polymer.
  • the polymer is filtered and dried, the resulting polymer is dissolved again in 30 mL of o-dichlorobenzene, passed through an alumina / silica gel column, and the resulting solution is poured into methanol to precipitate the polymer.
  • the polymer is filtered and dried.
  • this polymer is referred to as polymer B.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer B was 930 nm.
  • the reaction solution was cooled to around room temperature (25 ° C.), and then the obtained reaction solution was allowed to stand and a separated toluene layer was recovered.
  • the toluene layer was washed twice with 10 mL of water, twice with 10 mL of 3% aqueous acetic acid and twice with 10 mL of water, and the obtained toluene layer was poured into methanol, and the deposited precipitate was collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in chloroform. Next, the obtained chloroform solution was filtered to remove insoluble matters, and then passed through an alumina column for purification.
  • polymer C This polymer was referred to as polymer C.
  • the polymer C had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 446,000 and a polystyrene equivalent number average molecular weight of 169000.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer C was 550 nm.
  • C60PCBM phenyl C61-butyric acid methyl ester
  • the thus prepared organic film had a light absorption terminal wavelength of 920 nm. Then, lithium fluoride was vapor-deposited with a thickness of 2 nm on the organic film by a vacuum vapor deposition machine, and then Al was vapor-deposited with a thickness of 100 nm.
  • the shape of the obtained organic thin film solar cell was a square of 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the obtained organic thin film solar cell is irradiated with a certain amount of light using a solar simulator (trade name OTENTO-SUNII: AM1.5G filter, irradiance 100 mW / cm 2 , manufactured by Spectrometer Co., Ltd.), and the generated current and voltage are measured.
  • Jsc short circuit current density
  • Voc open circuit voltage
  • ff fill factor
  • photoelectric conversion efficiency ( ⁇ ) was 1.18%.
  • Example 2 In Example 1, a device was prepared and evaluated in the same manner except that xylene was used instead of orthodichlorobenzene. The results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer C was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • a 100 mL four-necked flask in which the gas in the flask was replaced with argon was charged with 1.00 g (4.80 mmol) of Compound 4 and 30 ml of dehydrated THF to obtain a uniform solution. While maintaining the flask at ⁇ 20 ° C., 12.7 mL of 1M 3,7-dimethyloctylmagnesium bromide ether solution was added. Thereafter, the temperature was raised to ⁇ 5 ° C. over 30 minutes, and the mixture was stirred for 30 minutes. Thereafter, the temperature was raised to 0 ° C. over 10 minutes, and the mixture was stirred for 1.5 hours.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer D was 755 nm.
  • the organic layer was washed twice with 20 ml of water, twice with 20 mL of a 3 wt% aqueous acetic acid solution and twice with 20 mL of water, and the obtained solution was poured into methanol to precipitate a polymer.
  • the polymer is filtered and dried, the resulting polymer is dissolved again in 30 mL of o-dichlorobenzene, passed through an alumina / silica gel column, and the resulting solution is poured into methanol to precipitate the polymer.
  • the polymer is filtered and dried.
  • 280 mg of a purified polymer was obtained.
  • this polymer is referred to as polymer E.
  • Comparative Example 2 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer E was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer A was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • a uniform solution was obtained by adding 1.33 g (2.80 mmol) of Compound 6c and 20 mL of dehydrated DMF to a 200 mL flask in which the gas in the flask was replaced with argon. The solution was kept at ⁇ 30 ° C., 1040 mg (5.84 mmol) of NBS was added thereto, and the temperature was raised from ⁇ 30 ° C. to ⁇ 10 ° C. over 30 minutes. After confirming the disappearance of compound 6c by liquid chromatography (LC), 50 ml of 1M aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction, and the reaction product was extracted with ether.
  • LC liquid chromatography
  • Synthesis was performed in the same manner as in Reference Example 12 except that Compound 7c was used instead of Compound 7b, and Polymer F was obtained.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer F was 930 nm.
  • Example 4 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer F was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • an aqueous potassium carbonate solution (27.6 wt%, 1.50 g, 3.00 mmol) was added dropwise over 30 minutes while stirring at a temperature at which THF was refluxed.
  • phenylboric acid (3.66 mg, 0.03 mmol) was added to the reaction solution, and the mixture was further stirred for 1 hour, and then the reaction was stopped.
  • 2 g of sodium diethyldithiocarbamate and 20 mL of water were added to the reaction solution, followed by stirring under reflux for 2 hours.
  • the organic layer was washed twice with 20 ml of water, twice with 20 mL of a 3 wt% aqueous acetic acid solution and twice with 20 mL of water, and the obtained solution was poured into methanol to precipitate a polymer.
  • the polymer is filtered and dried, the resulting polymer is dissolved again in 30 mL of o-dichlorobenzene, passed through an alumina / silica gel column, and the resulting solution is poured into methanol to precipitate the polymer.
  • the polymer is filtered and dried.
  • 242 mg of a purified polymer was obtained.
  • this polymer is referred to as polymer G.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer G was 930 nm.
  • Example 5 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer G was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer H measured by GPC was 64,000 in weight average molecular weight (Mw) and 18,000 in number average molecular weight (Mn).
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer H was 910 nm.
  • Example 6 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer H was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer I measured by GPC was 103,000 in weight average molecular weight (Mw) and 50,000 in number average molecular weight (Mn).
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer I was 805 nm.
  • Example 7 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer I was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • the compound 5d was obtained in the same manner as in Reference Example 14 except that an ether solution (1M) of n-dodecylmagnesium bromide was used instead of the ether solution (1M) of 3,7-dimethyloctylmagnesium bromide.
  • 1 H NMR in CDCl 3 ppm: 7.24 (d, 1H), 7.20 (d, 1H), 6.98 (d, 1H), 6.77 (d, 1H), 1.80 ( b, 4H), 1.33 (b, 40H), 0.87 (s, 6H)
  • the compound 6d was obtained in the same manner as in Reference Example 15 except that the compound 5d was used instead of the compound 5c.
  • the compound 11d was obtained in the same manner as in Reference Example 16 except that the compound 6d was used instead of the compound 6c.
  • the compound 12d was obtained in the same manner as in Reference Example 17 except that the compound 11d was used instead of the compound 11.
  • the compound 13d was obtained in the same manner as in Reference Example 18 except that the compound 12d was used instead of the compound 12.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer J measured by GPC was 80,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 25,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer J was 815 nm.
  • Example 8 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer J was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • the light absorption terminal wavelength of the polymer K was 930 nm.
  • Example 9 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer K was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • Example 10 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer L was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • Example 11 A device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the polymer D was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 (Comparative Example 3) In Example 1, a device was prepared and evaluated in the same manner except that the polymer M was used instead of the polymer B. The results are shown in Table 1.
  • Example 12 (Production of organic transistors) A silicon substrate having a silicon thermal oxide film having a thickness of 300 nm and n-type silicon doped with antimony at a high concentration was ultrasonically cleaned in acetone for 10 minutes, and then irradiated with ozone UV for 20 minutes. Then, the surface of the thermally oxidized film was silane-treated by spin-coating a toluene solution in which 5 drops of octadecyltrichlorosilane was added to 10 mL of toluene with a syringe on a silicon substrate. A silicon thermal oxide film acts as a gate insulating layer, and silicon doped with antimony at a high concentration acts as a gate electrode.
  • the polymer J was dissolved in orthodichlorobenzene to prepare a solution having a concentration of the polymer J of 0.5% by weight, and the solution was filtered through a membrane filter to prepare a coating solution.
  • the coating solution was applied onto the silane-treated n-type silicon substrate by a spin coating method to form a coating film of polymer J having a thickness of about 60 nm.
  • the organic-semiconductor thin film of the polymer J was formed by heating this coating film for 30 minutes at 170 degreeC in nitrogen atmosphere.
  • a metal mask is disposed on the organic semiconductor thin film, and molybdenum trioxide and gold are sequentially stacked on the organic semiconductor thin film by a vacuum deposition method, and a source electrode and a drain electrode having a stacked structure of molybdenum trioxide and gold are formed.
  • An organic transistor was manufactured by manufacturing.
  • the electrical characteristics of the organic transistor were measured using a semiconductor characteristic evaluation system (semiconductor parameter analyzer 4200-SCS, manufactured by KEITHLEY). When the negative gate voltage applied to the gate electrode is increased, the negative drain current is also increased. Therefore, it was confirmed that the organic transistor was a p-type organic transistor.
  • the saturation field effect mobility ⁇ of the carrier in the organic transistor was calculated using the following formula (a) representing the drain current Id in the saturation region of the electrical characteristics of the organic transistor.
  • Id (W / 2L) ⁇ Ci (Vg ⁇ Vt) 2 (a) (In the formula, L represents the channel length of the organic transistor, W represents the channel width of the organic transistor, Ci represents the capacitance per unit area of the gate insulating film, Vg represents the gate voltage, and Vt represents the threshold voltage of the gate voltage.)
  • the field effect mobility (carrier mobility) of the carrier was 0.074 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • Example 13 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 12 except that the polymer G was used in place of the polymer J, and the transistor characteristics were evaluated.
  • the carrier mobility was 0.153 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • Example 14 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 12 except that the polymer I was used instead of the polymer J, and the transistor characteristics were evaluated.
  • the carrier mobility was 6.80 ⁇ 10 ⁇ 4 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 4 .
  • Example 15 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 12 except that the polymer H was used instead of the polymer J, and the transistor characteristics were evaluated. Carrier mobility was 0.029cm 2 / Vs, the on / off current ratio was 10 5.
  • Example 16 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 12 except that the polymer L was used instead of the polymer J, and the transistor characteristics were evaluated.
  • the carrier mobility was 5.49 ⁇ 10 ⁇ 3 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 4 .
  • Example 17 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 12 except that the polymer D was used instead of the polymer J, and the transistor characteristics were evaluated.
  • the carrier mobility was 3.80 ⁇ 10 ⁇ 3 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 5 .
  • Example 18 In Example 12, instead of polymer J, polymer F, octadecyltrichlorosilane instead of ⁇ -PTS (betaphenyltrichlorosilane), orthodichlorobenzene instead of chloroform, and heat treatment temperature changed to 170 ° C to 120 ° C.
  • An organic transistor element was prepared in the same manner as described above, and the transistor characteristics were evaluated. The carrier mobility was 7.3 ⁇ 10 ⁇ 3 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 4 .
  • silica gel of the silica gel column silica gel previously immersed in hexane containing 5 wt% triethylamine for 5 minutes and then rinsed with hexane was used. After purification, 3.52 g (3.34 mmol) of compound 30 was obtained.
  • 1 H NMR in CDCl 3 ppm: 6.72 (d, 1H), 6.68 (d, 1H), 1.95-1.80 (b, 4H), 1.65-1.00 (b 56H), 0.90-0.83 (m, 36H)
  • the organic layer is washed twice with 50 ml of water, then twice with 50 mL of a 3 wt% aqueous acetic acid solution, then twice with 50 mL of water, and then 50 mL of 5% aqueous potassium fluoride solution. And then washed twice with 50 mL of water, and the resulting solution was poured into methanol to precipitate a polymer. The polymer was filtered and dried, and the obtained polymer was redissolved in 50 mL of o-dichlorobenzene and passed through an alumina / silica gel column.
  • Example 19 (Production and evaluation of ink and organic thin film solar cell) A glass substrate on which an ITO film was applied with a thickness of 150 nm by a sputtering method was subjected to surface treatment by ozone UV treatment. Next, the polymer P and fullerene C60PCBM (phenyl C61-butyric acid methyl ester, manufactured by Frontier Carbon Co.) were treated with orthodichlorobenzene so that the weight ratio of C60PCBM to the polymer P was 3. Ink 2 was produced. In ink 2, the total of the weight of polymer P and the weight of C60PCBM was 2.0% by weight with respect to the weight of ink 2. The ink 2 was applied onto a substrate by spin coating to produce an organic film containing the polymer P.
  • C60PCBM phenyl C61-butyric acid methyl ester, manufactured by Frontier Carbon Co.
  • the thickness of the organic film was about 100 nm. It was 890 nm when the light absorption terminal wavelength of the organic film was measured. Then, lithium fluoride was vapor-deposited with a thickness of 2 nm on the organic film by a vacuum vapor deposition machine, and then Al was vapor-deposited with a thickness of 100 nm.
  • the shape of the obtained organic thin film solar cell was a square of 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the obtained organic thin film solar cell is irradiated with a certain amount of light using a solar simulator (trade name OTENTO-SUNII: AM1.5G filter, irradiance 100 mW / cm 2 , manufactured by Spectrometer Co., Ltd.), and the generated current and voltage are measured.
  • Example 20 (Production and evaluation of ink and organic thin film solar cell)
  • fullerene C70PCBM [6,6] phenyl-C71 butyric acid methyl ester ([6,6] -Phenyl C71 butyric acid methyl ester)
  • fullerene C60PCBM was used instead of fullerene C60PCBM.
  • a battery was prepared, and photoelectric conversion efficiency, short-circuit current density, open-circuit voltage, and fill factor (curve factor) were determined.
  • the light absorption terminal wavelength of the organic film is 890 nm
  • Jsc short-circuit current density
  • Voc open-circuit voltage
  • ff fill factor (curve factor))
  • the photoelectric conversion efficiency ( ⁇ ) was 6.72%.
  • compound 42 (1.214 g, 0.868 mmol) and tetrahydrofuran (THF) (40 mL) were added, and argon bubbling was performed at room temperature (25 ° C.) for 30 minutes. After cooling to 0 ° C., NBS (340 mg, 1.91 mmol) was added, and the temperature was raised to 40 ° C. The disappearance of the raw material was confirmed after 1 hour. Then, the sodium thiosulfate aqueous solution was added to the reaction liquid, and the organic layer was extracted using hexane.
  • THF tetrahydrofuran
  • compound 52 (1.500 g, 2.145 mmol) and tetrahydrofuran (150 mL) were added, and argon bubbling was performed at room temperature (25 ° C.) for 30 minutes. After cooling to ⁇ 30 ° C., N-bromosuccinimide (343.3 mg, 1.931 mmol) was added and the mixture was stirred at ⁇ 10 ° C. for 2 hours. Water was put into the system, diethyl ether extraction was performed, and column purification using hexane was performed. By drying, 1.657 g of compound 53 was obtained.
  • compound 54 (1.166 g, 0.744 mmol) and tetrahydrofuran (THF) (120 mL) were added, and argon bubbling was performed at room temperature (25 ° C.) for 30 minutes. After cooling to 0 ° C., NBS (291 mg, 1.64 mmol) was added, and the temperature was raised to 40 ° C. The disappearance of the raw material was confirmed after 1 hour. Then, the sodium thiosulfate aqueous solution was added to the reaction liquid, and the organic layer was extracted using hexane.
  • THF tetrahydrofuran
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer V measured by GPC was a weight average molecular weight (Mw) of 25,000 and a number average molecular weight (Mn) of 10,000.
  • the absorption edge wavelength of the polymer V was 940 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer W measured by GPC was a weight average molecular weight (Mw) of 8,500 and a number average molecular weight (Mn) of 4,000.
  • the absorption edge wavelength of the polymer W was 940 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer X measured by GPC was a weight average molecular weight (Mw) of 25,000 and a number average molecular weight (Mn) of 10,000.
  • the absorption edge wavelength of the polymer X was 940 nm.
  • the organic layer was washed twice with 30 ml of water, twice with 30 mL of an acetic acid aqueous solution (3 wt.%), And further twice with 30 mL of water, and poured into methanol to precipitate a polymer. I let you.
  • the polymer was filtered and dried, and the resulting polymer was dissolved in toluene, passed through an alumina / silica gel column, and the resulting solution was poured into methanol to precipitate the polymer.
  • the polymer was filtered and dried to obtain 156 mg of polymer Y.
  • the weight average molecular weight (Mw) was 76,000, and the number average molecular weight (Mn) was 31,000.
  • the absorption edge wavelength of the polymer Y was 940 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z measured by GPC was a weight average molecular weight (Mw) of 35,000 and a number average molecular weight (Mn) of 15,000.
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z was 950 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z2 measured by GPC was 240,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 90,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z2 was 950 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z3 measured by GPC was 300,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 100,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z3 was 950 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z4 measured by GPC was 101,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 32,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z4 was 940 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z5 measured by GPC was 70,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 27,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z5 was 940 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z6 measured by GPC was 116,000 for the weight average molecular weight (Mw) and 40,000 for the number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z6 was 950 nm.
  • the molecular weight (polystyrene conversion) of the polymer Z7 measured by GPC was 55,000 in weight average molecular weight (Mw) and 20,000 in number average molecular weight (Mn).
  • the absorption edge wavelength of the polymer Z7 was 940 nm.
  • Example 21 (Production of organic transistors) A highly doped n-type silicon substrate having a 300 nm thick thermal oxide film was ultrasonically cleaned in acetone for 10 minutes, and then irradiated with ozone UV for 20 minutes. Thereafter, the surface of the thermal oxide film was subjected to silane treatment by spin-coating ⁇ -phenethyltrichlorosilane diluted at a rate of 5 drops (dropped and collected with a syringe) into 10 ml of toluene.
  • the polymer X was dissolved in orthodichlorobenzene to prepare a solution having a concentration of the polymer X of 0.5% by weight, and the solution was filtered through a membrane filter to prepare a coating solution.
  • the coating solution was applied onto the surface-treated substrate by spin coating to form a polymer X coating film (thickness: about 30 nm). Further, the coating film was heat-treated at 170 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere to form an organic semiconductor thin film of polymer X.
  • an organic transistor was manufactured by forming a source electrode and a drain electrode having a laminated structure of molybdenum trioxide and gold from the organic semiconductor thin film side on the organic semiconductor thin film by a vacuum vapor deposition method using a metal mask.
  • Example 22 Evaluation of organic transistors
  • the electrical characteristics of the organic transistor were measured using a semiconductor parameter 4200 (manufactured by KEITHLEY).
  • the change curve of the drain current (Id) with respect to the drain voltage (Vd) of the organic transistor using the polymer X is good, and when the negative gate voltage applied to the gate electrode is increased, the negative drain current is increased.
  • the organic transistor was a p-type organic transistor.
  • the field effect mobility ⁇ of carriers in the organic transistor was calculated using the following formula (a) that represents the drain current Id in the saturation region of the electrical characteristics of the organic transistor.
  • Example 23 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Y was used in place of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.07 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 24 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.06 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 25 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z2 was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.13 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 26 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z3 was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.25 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 27 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z4 was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.12 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 28 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z5 was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22. Carrier mobility was 0.04 cm 2 / Vs, the on / off current ratio was 10 5. The results are shown in Table 4.
  • Example 29 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer Z6 was used instead of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.32 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 30 An organic transistor element was produced in the same manner as in Example 21 except that the polymer K was used in place of the polymer X, and the transistor characteristics were evaluated in the same manner as in Example 22.
  • the carrier mobility was 0.30 cm 2 / Vs, and the on / off current ratio was 10 6 .
  • the results are shown in Table 4.
  • Example 31 (Production and evaluation of ink and organic thin film solar cell) A glass substrate provided with an ITO film with a thickness of 150 nm by a sputtering method was subjected to surface treatment by ozone UV treatment. Next, polymer X and fullerene C60PCBM (phenyl C61-butyric acid methyl ester, manufactured by Frontier Carbon Co., Ltd.) were adjusted so that the weight ratio of C60PCBM to the weight of polymer X was 3. An ink was prepared by dissolving in orthodichlorobenzene. The total weight of the polymer X and the C60PCBM was 2.0% by weight based on the weight of the ink.
  • C60PCBM phenyl C61-butyric acid methyl ester
  • the ink was applied onto a glass substrate by spin coating to produce an organic film containing the polymer X.
  • the film thickness was about 100 nm.
  • the light absorption edge wavelength of the organic film thus produced was 940 nm.
  • lithium fluoride was vapor-deposited with a thickness of 2 nm on the organic film by a vacuum vapor deposition machine, and then Al was vapor-deposited with a thickness of 100 nm to produce an organic thin film solar cell.
  • the shape of the obtained organic thin film solar cell was a square of 2 mm ⁇ 2 mm.
  • the obtained organic thin film solar cell is irradiated with a certain amount of light using a solar simulator (trade name OTENTO-SUNII: AM1.5G filter, irradiance 100 mW / cm 2 , manufactured by Spectrometer Co., Ltd.), and the generated current and voltage are measured.
  • the photoelectric conversion efficiency, short-circuit current density, open-circuit voltage, and fill factor were determined. Jsc (short circuit current density) is 11.20 mA / cm 2 , Voc (open circuit voltage) is 0.62 V, ff (fill factor) is 0.67, and photoelectric conversion efficiency ( ⁇ ) Was 4.63%.
  • the results are shown in Table 5.
  • Example 32 An ink and an organic thin film solar cell were prepared and evaluated in the same manner as in Example 31 except that the polymer Y was used instead of the polymer W.
  • Jsc short circuit current density
  • Voc open circuit voltage
  • ff fill factor
  • photoelectric conversion efficiency ⁇
  • Example 33 An ink and an organic thin film solar cell were prepared and evaluated in the same manner as in Example 31 except that the polymer Z2 was used instead of the polymer W.
  • Jsc short circuit current density
  • Voc open-circuit voltage
  • ff fill factor (curve factor)
  • photoelectric conversion efficiency ( ⁇ ) was 3.11%. The results are shown in Table 5.
  • Example 34 An ink and an organic thin film solar cell were prepared and evaluated in the same manner as in Example 31 except that the polymer Z3 was used instead of the polymer W. Jsc (short circuit current density) is 10.73 mA / cm 2 , Voc (open end voltage) is 0.58 V, ff (fill factor) is 0.65, and photoelectric conversion efficiency ( ⁇ ) was 4.02%. The results are shown in Table 5.

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Abstract

　本発明は、短絡電流密度及び光電変換効率が大きい光電変換素子を提供する。　第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有する光電変換素子。〔式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｘ１及びＸ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。また、Ｘ１とＡｒ２は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子に結合している。〕

Description

光電変換素子
　本発明は、特定の構造を有する化合物を用いた光電変換素子に関する。
　近年、地球温暖化防止のため、大気中に放出されるＣＯ２の削減が求められている。例えば、家屋の屋根にｐｎ接合型のシリコン系太陽電池などを用いるソーラーシステムへの切り替えが提唱されているが、上記シリコン系太陽電池に用いられる単結晶、多結晶及びアモルファスシリコンは、その製造過程において高温、高真空条件が必要であるという問題がある。
　一方、光電変換素子の一態様である有機薄膜太陽電池は、シリコン系太陽電池の製造に用いられる高温、高真空プロセスを省略でき、塗布プロセスのみで安価に製造できる可能性があり、近年注目されてきている。高分子化合物を用いた有機薄膜太陽電池としては、繰り返し単位（Ａ）及び繰り返し単位（Ｂ）からなる高分子化合物を含む有機層を有する有機薄膜太陽電池が記載されている（特許文献１）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
特表２００９－５０６５１９号公報
　しかしながら、前記高分子化合物を含む有機層を有する光電変換素子は、短絡電流密度及び光電変換効率が必ずしも十分ではない。
　本発明は、短絡電流密度及び光電変換効率が大きい光電変換素子を提供することを目的とする。
　即ち、本発明は第一に、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有することを特徴とする光電変換素子を提供する。式（１）で表される構造単位は、２価の基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 〔式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｘ１及びＸ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。また、Ｘ１とＡｒ２は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子に結合している。〕
　本発明は第二に、前記光電変換素子を含む太陽電池モジュールを提供する。
　本発明は第三に、前記光電変換素子を含むイメージセンサーを提供する。
　本発明は第四に、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 〔式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｘ１及びＸ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。また、Ｘ１とＡｒ２は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子に結合している。〕
　本発明の光電変換素子は、短絡電流密度及び光電変換効率が大きいため、本発明は極めて有用である。
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明の光電変換素子は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（１）中、Ｘ１、Ｘ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。
　ここでＲ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。該１価の有機基としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
　ここで、アルキル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基であってもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常１～３０である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル墓、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、２－メチルブチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、１－メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、３，７－ジメチルオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
　アルキルオキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルオキシ基であってもよい。アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルオキシ基の炭素原子数は、通常１～２０程度であり、アルキルオキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉｓｏ－プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉｓｏ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２－メトキシエチルオキシ基が挙げられる。
　なお、本明細書において、ある基が「置換基を有していてもよい」との用語は、ある基が有する水素原子の一部又は全部が、置換基によって置換されていてもよいことを意味する。「置換基を有していてもよい」の用語は、「置換されていてもよい」と言い換えてもよい。例えば、「置換基を有していてもよい２価の有機基」とは、２価の有機基中の水素原子の一部または全部が、置換基で置換されていてもよい２価の有機基のことをいい、「置換されていてもよい２価の有機基」（又は「任意に置換された２価の有機基」）と言い換えてもよい。また、例えば、「置換基を有していてもよい炭化水素基」とは、炭化水素基中の水素原子の一部または全部が、置換基で置換されていてもよい炭化水素基のことをいい、「置換されていてもよい炭化水素基」（又は「任意に置換された炭化水素基」）と言い換えてもよい。
　アルキルチオ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常１～２０程度であり、アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉｓｏ－プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉｓｏ－ブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２－エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７－ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
　アリール基は、その炭素原子数が通常６～６０程度であり、置換基を有していてもよい。アリール基の具体例としては、フェニル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル基（Ｃ１～Ｃ１２アルキルは、その炭素原子数が１～１２であることを示す。Ｃ１～Ｃ１２アルキルは、好ましくはＣ１～Ｃ８アルキルであり、より好ましくはＣ１～Ｃ６アルキルである。Ｃ１～Ｃ８アルキルは、炭素原子数１～８のアルキルであることを示し、Ｃ１～Ｃ６アルキルは、炭素原子数１～６のアルキルであることを示す。Ｃ１～Ｃ１２アルキル、Ｃ１～Ｃ８アルキル及びＣ１～Ｃ６アルキルの具体例としては、上記アルキル基で説明し例示したものが挙げられる。以下も同様である。）、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられる。
　アリールオキシ基は、その炭素原子数が通常６～６０程度であり、芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェノキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。
　アリールチオ基は、その炭素原子数が通常６～６０程度であり、芳香環上に置換基を有していてもよい。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１－ナフチルチオ基、２－ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
　アリールアルキル基は、その炭素原子数が通常７～６０程度であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル基、１－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル基、２－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル基が挙げられる。
　アリールアルキルオキシ基は、その炭素原子数が通常７～６０程度であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキルオキシ基の具体例としては、フェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシ基、１－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシ基、２－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシ基が挙げられる。
　アリールアルキルチオ基は、その炭素原子数が通常７～６０程度であり、置換基を有していてもよい。アリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルチオ基、１－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルチオ基、２－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルチオ基が挙げられる。
　アシル基は、その炭素原子数が通常２～２０程度である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
　アシルオキシ基は、その炭素原子数が通常２～２０程度である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
　アミド基は、その炭素原子数が通常２～２０程度である。アミド基とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基をいう。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
　酸イミド基とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる基をいう。酸イミド基の具体例としては、スクシンイミド基、フタル酸イミド基などが挙げられる。
　置換アミノ基は、その炭素原子数が通常１～４０程度である。置換基アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７－ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１－ナフチルアミノ基、２－ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニル－Ｃ１～Ｃ１２アルキル）アミノ基、１－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルアミノ基、２－ナフチル－Ｃ１～Ｃ１２アルキルアミノ基が挙げられる。
　置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｎ－プロピルシリル基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ－ｐ－キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが挙げられる。
　置換シリルオキシ基の具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ－ｎ－プロピルシリルオキシ基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ－ｐ－キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。
　置換シリルチオ基の具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ－ｎ－プロピルシリルチオ基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ－ｐ－キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基などが挙げられる。
　置換シリルアミノ基の具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ－ｎ－プロピルシリルアミノ基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ－ｐ－キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ（トリメチルシリル）アミノ基、ジ（トリエチルシリル）アミノ基、ジ（トリ－ｎ－プロピルシリル）アミノ基、ジ（トリ－ｉｓｏ－プロピルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル）アミノ基、ジ（トリフェニルシリル）アミノ基、ジ（トリ－ｐ－キシリルシリル）アミノ基、ジ（トリベンジルシリル）アミノ基、ジ（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ジ（ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル）アミノ基、ジ（ジメチルフェニルシリル）アミノ基が挙げられる。
　１価の複素環基としては、フラン、チオフェン、ピロール、ピロリン、ピロリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、イミダゾリン、イミダゾリジン、ピラゾール、ピラゾリン、プラゾリジン、フラザン、トリアゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、テトラゾール、ピラン、ピリジン、ピペリジン、チオピラン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペラジン、モルホリン、トリアジン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、インドリン、イソインドリン、クロメン、クロマン、イソクロマン、ベンゾピラン、キノリン、イソキノリン、キノリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インダゾール、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、キナゾリジン、シンノリン、フタラジン、プリン、プテリジン、カルバゾール、キサンテン、フェナントリジン、アクリジン、β-カルボリン、ペリミジン、フェナントロリン、チアントレン、フェノキサチイン、フェノキサジン、フェノチアジン、フェナジン等の複素環化合物から水素原子を１個除いた基が挙げられる。１価の複素環基としては、１価の芳香族複素環基が好ましい。
　複素環オキシ基、複素環チオ基としては、前記１価の複素環基に酸素原子又は窒素原子が結合した基が挙げられる。
　複素環オキシ基は、その炭素原子数が通常４～６０程度である。複素環オキシ基の具体例としては、チエニルオキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルチエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルピリジルオキシ基、イミダゾリルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、トリアゾリルオキシ基、オキサゾリルオキシ基、チアゾールオキシ基、チアジアゾールオキシ基が挙げられる。
　複素環チオ基は、その炭素原子数が通常４～６０程度である。複素環チオ基の具体例としては、チエニルメルカプト基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルチエニルメルカプト基、ピロリルメルカプト基、フリルメルカプト基、ピリジルメルカプト基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルピリジルメルカプト基、イミダゾリルメルカプト基、ピラゾリルメルカプト基、トリアゾリルメルカプト基、オキサゾリルメルカプト基、チアゾールメルカプト基、チアジアゾールメルカプト基が挙げられる。
　アリールアルケニル基は、通常、その炭素原子数４～２０であり、アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル基が挙げられる。
　アリールアルキニル基は、通常、その炭素原子数４～２０であり、アリールアルキニル基の具体例としては、フェニルアセチレニル基が挙げられる。
　ハロゲン原子の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
　モノマーの製造の容易さの観点からは、Ｘ１として好ましくは、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－であり、より好ましくは－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－であり、さらに好ましくは、－Ｏ－である。Ｘ２として好ましくは、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－であり、さらに好ましくは－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－である。
　Ａｒ1及びＡｒ2は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ1及びＡｒ2のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。式（１）に示されるとおり、Ａｒ１は３つの結合部を有し、それらのうちの１つはＡｒ２との結合部、もう１つはＸ１との結合部であり、さらに１つは、水素原子又はその他の原子との結合部を示す。その他の原子は、他の構成単位を構成する原子の一部であってもよい。式（１）に示されるとおり、Ａｒ２は３つの結合部を有し、それらのうちの１つはＡｒ１との結合部、もう１つはＸ２との結合部であり、さらに１つは、水素原子又はその他の原子との結合部を示す。その他の原子は、他の構成単位を構成する原子の一部であってもよい。
　ここに３価の芳香族炭化水素基とは、ベンゼン環又は縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、通常炭素原子数６～６０、好ましくは６～２０であり、下記の３価の基が例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　なお、芳香族炭化水素基上に置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基が例示される。３価の芳香族炭化水素基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。３価の芳香族炭化水素基が置換基を有し、かつ該置換基が炭素原子を含む場合、該置換基の炭素原子数は好ましくは１～４０であり、より好ましくは１～２０であり、さらに好ましくは１～６である。
　３価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、炭素原子数は、通常４～６０、好ましくは４～２０である。なお複素環基上に置換基を有していてもよく、複素環基の炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。３価の複素環基としては、３価の芳香族複素環基が好ましい。３価の芳香族複素環基が置換基を有し、かつ該置換基が炭素原子を含む場合、該置換基の炭素原子数は好ましくは１～４０であり、より好ましくは１～２０であり、さらに好ましくは１～６である。
　ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子などのヘテロ原子を環内に含む有機化合物をいう。
　３価の複素環基としては、例えば、以下の基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
　式（２０１）～式（２８４）中、Ｒ’は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。
　Ｒ’’は、同一又は相異なり、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基又は１価の複素環基を表す。
　Ｒ’で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基の定義、具体例は、前述のＲ３で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基の定義、具体例と同じである。
　Ｒ’’で表される、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、１価の複素環基の定義、具体例は、前述のＲ３で表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、１価の複素環基の定義、具体例と同じである。
　式（１）中のＸ1とＡｒ2は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子（位置）に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子（位置）に結合している。
　式（１）で表される構造単位としては、好ましくは式（３０１）～式（４９３）で表される構造単位（２価の基）及びこれらの構造単位中に含まれる芳香族炭化水素環又は複素環上にさらに置換基を有する構造単位であり、Ａｒ１及びＡｒ２が３価の複素環基である構造単位がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 〔式（３０１）～式（４９３）中、Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ前記と同じ意味を表す。〕
　式中、Ｒは水素原子又は置換基を表す。複数個あるＲは、同一でも相異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒが置換基である場合、該置換基の例としては、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基から選ばれる基があげられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
　Ｒで表されるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基の定義、具体例は、前述のＲ３で表されるアルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、１価の複素環基の定義、具体例と同じである。
　置換カルボキシル基としては、通常炭素原子数２～２０のものが用いられ、例えば、メチルエステル構造を有する基、エチルエステル構造を有する基、ブチルエステル構造を有する基などが挙げられる。
　式（１）の他の実施形態としては、式（１）で表される構造単位が、式（２）で表される構造単位（２価の基）である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 　式中、Ｒ５０及びＲ５１は、それぞれ上記と同じ意味を表す。Ｒ１０及びＲ１１は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。Ｒ１０、Ｒ１１のハロゲン原子及び１価の有機基の定義および具体例は、上記Ｒ５０及びＲ５１についての説明と同じである。式（２）で表される構造単位としては、例えば、上記の式（３０１）で表される２価の基などが挙げられる。
　式（１）で表される構造単位が式（２）で表される構造単位である場合、Ｒ５０及びＲ５１の好ましい例としては１価の有機基が挙げられ、より具体的な例としては、アルキル基が挙げられる。Ｒ５０及びＲ５１の炭素原子数は、好ましくは１～３０であり、より好ましくは３～２５であり、さらに好ましくは６～１８である。
　本発明の光電変換素子に用いられる化合物は、式（１）で表される構造単位のほかに、式（１）で表される構造単位とは異なる構造単位を有していることが好ましい。この場合、式（１）で表される構造単位と式（１）で表される構造単位とは異なる構造単位とが、共役を形成していることが好ましい。本発明における共役とは、不飽和結合－単結合－不飽和結合の順に連鎖し、π軌道の２個のπ結合が隣り合い、それぞれのπ電子が平行に配置し、ある二重結合又は三重結合上にπ電子が局在するのではなく、隣の単結合上にπ電子が広がって非局在化している状態のことを指す。ここで不飽和結合とは二重結合や三重結合を指す。
　式（１）で表される構造単位とは異なる構造単位としては、２価の基が挙げられ、２価の基としては、例えば、アリーレン基、２価の複素環基が挙げられる。
　ここで、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、環を構成する炭素原子数は通常６～６０程度であり、好ましくは６～２０である。ここに芳香族炭化水素としては、ベンゼン環をもつもの、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接結合してもの又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
　アリーレン基の具体例としては、フェニレン基（例えば、下記の式１～３）、ナフタレンジイル基（下記の式４～１３）、アントラセンジイル基（下記の式１４～１９）、ビフェニル－ジイル基（下記の式２０～２５）、ターフェニル－ジイル基（下記の式２６～２８）、縮合環化合物基（下記の式２９～３８）などが例示される。縮合環化合物基には、フルオレン－ジイル基（下記の式３６～３８）が含まれる。
　２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、環を構成する炭素原子数は通常３～６０程度である。
　ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ヒ素原子などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
　２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
　ヘテロ原子として、窒素原子を含む２価の複素環基：ピリジン－ジイル基（下記の式３９～４４）、ジアザフェニレン基（下記の式４５～４８）、キノリンジイル基（下記の式４９～６３）、キノキサリンジイル基（下記の式６４～６８）、アクリジンジイル基（下記の式６９～７２）、ビピリジルジイル基（下記の式７３～７５）、フェナントロリンジイル基（下記の式７６～７８）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含みフルオレン構造を有する基（下記の式７９～９３）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含む５員環複素環基（下記の式９４～９８）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含む５員環縮合複素基（下記の式９９～１１０）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基（下記の式１１１～１１２）；
　ヘテロ原子としてけい素原子、窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基（下記の式１１３～１１９）；
　ヘテロ原子として酸素原子、窒素原子、硫黄原子、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基（下記の式１２０～１２７）；
　ヘテロ原子として窒素原子、硫黄原子、セレン原子などを含む５員環複素環が縮合した基（下記の式１２８～１３９）；ベンゼン環とチオフェン環が縮合した基（下記の式１４０～１４３）などを例示することが出来る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
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　式１～式１４３中、Ｒは前述と同じ意味を表す。ａ、ｂは、同一又は相異なり、繰り返しの数を表し、通常１～５であり、好ましくは１～３であり、特に好ましくは１である。式１～式１４３で表される基の中でも、好ましくは、式１０６～式１１０、式１２０～式１２７で表される基であり、より好ましくは、式１０７、式１０９、式１２２、式１２７で表される基である。
　本発明の光電変換素子に用いられる化合物は、素子作製の容易さの観点からは、高分子化合物であることが好ましい。
　本発明における高分子化合物とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上のものを指すが、重量平均分子量が３０００～１０００００００の高分子化合物が好ましく用いられる。重量平均分子量が３０００より低いとデバイス作製時の膜形成に欠陥が生じることがあり、１０００００００より大きいと溶媒への溶解性や素子作製時の塗布性が低下することがある。重量平均分子量としてさらに好ましくは８０００～５００００００であり、特に好ましくは１００００～１００００００である。
　なお、本発明における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出したポリスチレン換算の重量平均分子量のことを指す。
　本発明の光電変換素子が高分子化合物を含む場合、該高分子化合物中の式（１）で表される構造単位の含有量は、化合物中に少なくとも１つ含まれていればよい。好ましくは高分子化合物中、高分子鎖一本あたり平均２個以上、さらに好ましくは高分子鎖一本あたり平均３個以上含まれる。
　また、本発明の光電変換素子に用いることができる高分子化合物は、素子に用いられる場合、デバイス作製の容易性から、溶媒への溶解度が高いことが望ましい。具体的には、該高分子化合物を０．０１重量（ｗｔ）％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することが好ましく、０．１ｗｔ％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがより好ましく、０．４ｗｔ％以上含む溶液を作製し得る溶解性を有することがさらに好ましい。
　本発明に用いることができる高分子化合物の製造方法としては、特に制限されるものではないが、高分子化合物の合成の容易さからは、Suzukiカップリング反応やStilleカップリング反応を用いる方法が好ましい。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（１００）：
　　　Ｑ１００－Ｅ1－Ｑ２００　　　（１００）
〔式中、Ｅ１は、芳香環を含む２価の基を表す。Ｑ１００及びＱ２００は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、式（２００）：
　　　Ｔ1－Ｅ2－Ｔ2　　　（２００）
〔式中、Ｅ2は、式（１）で表される基を含む構造単位を表す。Ｔ1及びＴ2は、同一又は相異なり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒及び塩基の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。Ｅ１として好ましくは２価の芳香族基であり、さらに好ましくは前述の式１～式１４３で表される基が挙げられる。
　この場合、反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計に対して、過剰であることが好ましい。反応に用いる式（２００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計を１モルとすると、式（１００）で表わされる１種類以上の化合物のモル数の合計が０．６～０．９９モルであることが好ましく、０．７～０．９５モルであることがさらに好ましい。
　ホウ酸エステル残基としては、下記式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
 （式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。）
で表される基等が例示される。
　式（２００）における、Ｔ１及びＴ２で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがさらに好ましい。
　式（２００）における、Ｔ１及びＴ２で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ－トルエンスルホネート基が例示される。アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
　具体的には、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う方法としては、任意の溶媒中において、触媒としてパラジウム触媒を用い、塩基の存在下で反応させる方法等が挙げられる。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等が挙げられ、具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム等が挙げられるが、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
　パラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル～０．５モル、好ましくは０．０００３モル～０．１モルである。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用するパラジウム触媒としてパラジウムアセテート類を用いる場合は、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ－トリル）ホスフィン、トリ（ｏ－メトキシフェニル）ホスフィン等のリン化合物を配位子として添加することができる。この場合、配位子の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル～１００モルであり、好ましくは０．９モル～２０モル、さらに好ましくは１モル～１０モルである。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応に使用する塩基としては、無機塩基、有機塩基、無機塩等が挙げられる。無機塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等が挙げられる。有機塩基としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。無機塩としては、例えば、フッ化セシウム等が挙げられる。
　塩基の添加量は、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．５モル～１００モル、好ましくは０．９モル～２０モル、さらに好ましくは１モル～１０モルである。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が例示される。本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。また、塩基は、水溶液として加え、水相と有機相の２相系で反応させてもよい。塩基として無機塩を用いる場合は、無機塩の溶解性の観点から、通常、水溶液として加えて反応させる。
　なお、塩基を水溶液として加え、水相と有機相の２相系で反応させる場合は、必要に応じて、第４級アンモニウム塩などの相間移動触媒を加えてもよい。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０～１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０～１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。反応時間は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間～２００時間程度である。１時間～３０時間程度が効率的で好ましい。
　Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ（０）触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（１００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を仕込み、さらに、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、この溶液に、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより脱気した塩基、例えば、炭酸ナトリウム水溶液を滴下した後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法としては、例えば、式（３００）：
　　　Ｑ３００－Ｅ３－Ｑ４００　　　（３００）
〔式中、Ｅ３は、芳香環を含む２価の基を表す。Ｑ３００及びＱ４００は、同一又は相異なり、有機スズ残基を表す。〕
で表される１種類以上の化合物と、前記式（２００）で表される１種類以上の化合物とを、パラジウム触媒の存在下で反応させる工程を有する製造方法が挙げられる。Ｅ３として好ましくは２価の芳香族基であり、さらに好ましくは前述の式１～式１４３で表される基である。
　有機スズ残基としては、例えば、－ＳｎＲ１００ ３で表される基等が挙げられる。ここでＲ１００は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基などが挙げられる。
　アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル墓、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、２－メチルブチル基、１－メチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２一メチルペンチル基、１－メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の鎖状アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。有機スズ残基として好ましくは－ＳｎＭｅ３、－ＳｎＥｔ３、－ＳｎＢｕ３、－ＳｎＰｈ３であり、さらに好ましくは－ＳｎＭｅ３、－ＳｎＥｔ３、－ＳｎＢｕ３である。上記好ましい例において、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基を表す。
　式（２００）における、Ｔ１及びＴ２で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。高分子化合物の合成の容易さからは、臭素原子、ヨウ素原子であることが好ましい。
　式（２００）における、Ｔ１及びＴ２で表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ－トルエンスルホネート基が例示される。アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が例示される。
　具体的には、触媒として、例えば、パラジウム触媒下で任意の溶媒中で反応する方法が挙げられる。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒としては、例えば、Ｐｄ（０）触媒、Ｐｄ（ＩＩ）触媒等が挙げられ、具体的には、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムアセテート、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムが挙げられ、反応（重合）操作の容易さ、反応（重合）速度の観点からは、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムが好ましい。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応に使用するパラジウム触媒の添加量は、特に限定されず、触媒としての有効量であればよいが、式（１００）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０００１モル～０．５モル、好ましくは０．０００３モル～０．２モルである。
　また、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応において、必要に応じて配位子や助触媒を用いることもできる。配位子としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ－トリル）ホスフィン、トリ（ｏ－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２－フリル）ホスフィン等のリン化合物やトリフェニルアルシン、トリフェノキシアルシン等の砒素化合物が挙げられる。助触媒としてはヨウ化銅、臭化銅、塩化銅、２－テノイル酸銅（Ｉ）などが挙げられる。
　配位子又は助触媒を用いる場合、配位子又は助触媒の添加量は、パラジウム触媒１モルに対して、通常、０．５モル～１００モルであり、好ましくは０．９モル～２０モル、さらに好ましくは１モル～１０モルである。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ－ジメチルアセトアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等が例示される。本発明に用いられる高分子化合物の溶解性の観点からは、トルエン、テトラヒドロフランが好ましい。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を行う温度は、前記溶媒にもよるが、通常、５０～１６０℃程度であり、高分子化合物の高分子量化の観点から、６０～１２０℃が好ましい。また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。
　前記反応を行う時間（反応時間）は、目的の重合度に達したときを終点としてもよいが、通常、０．１時間～２００時間程度である。１時間～３０時間程度が効率的で好ましい。
　Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応は、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性雰囲気下、Ｐｄ触媒が失活しない反応系で行う。例えば、アルゴンガスや窒素ガス等で、十分脱気された系で行う。具体的には、重合容器（反応系）内を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、この重合容器に、式（３００）で表される化合物、式（２００）で表される化合物、パラジウム触媒を仕込み、さらに、重合容器を窒素ガスで十分置換し、脱気した後、あらかじめ窒素ガスでバブリングすることにより、脱気した溶媒、例えば、トルエンを加えた後、必要に応じて配位子や助触媒を加え、その後、加熱、昇温し、例えば、還流温度で８時間、不活性雰囲気を保持しながら重合する。
　前記高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１×１０３～１×１０８である。ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３以上である場合には、強靭な薄膜が得られやすくなる。一方、１０８以下である場合には、溶解性が高く、薄膜の作製が容易である。
　本発明の光電変換素子に用いることができる高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子の作製に用いたときに得られる素子の特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、また、例えば、ビニレン基を介してアリール基又は複素環基と結合している構造であってもよい。
　本発明の光電変換素子に用いることができる高分子化合物は、式（１）で表される構造単位を有することを特徴とするが、該高分子化合物は、例えば、式（１－３）で表される化合物を原料の一つとして用いることにより合成することが出来る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
 　式（１－３）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｘ１、及びＸ２は、それぞれ前記と同じ意味を表す。Ｗ１、Ｗ２は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ボロン酸残基、ホルミル基、ビニル基又は有機スズ残基を表す。
　Ｗ１、Ｗ２が水素原子である場合には、酸化重合を行うことで、式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物を製造することが出来る。酸化重合においては、通常触媒が用いられる。かかる触媒としては、公知の触媒を用いることが可能である。例えば、金属ハロゲン化物、又は金属ハロゲン化物とアミン錯体との混合物（金属ハロゲン化物／アミン錯体）等が用いられる。ここで金属ハロゲン化物としては例えば、銅、鉄、バナジウム、又はクロムなどの金属の１価、２価、又は３価のハロゲン化物を用いることができる。アミン錯体の製造に用いるアミンとしては、例えば、ピリジン、ルチジン、２－メチルイミダゾール、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミンなどのアミンを用いることができる。金属ハロゲン化物／アミン錯体は溶媒中、酸素存在下で金属ハロゲン化物とアミンを混合することによって製造することが可能であり、金属ハロゲン化物とアミンの混合モル比は、例えば金属ハロゲン化物／アミン＝１／０．ｌ～１／２００、好ましくは１／０．３～１／１００程度である。
　触媒としては、塩化鉄を用いることもできる（Ｐｏｌｙｍ．　Ｐｒｅｐ．　Ｊａｐａｎ，　Ｖｏｌ．４８，　３０９　（１９９９））。さらに銅／アミン触媒系を用いる（Ｊ．　Ｏｒｇ．　Ｃｈｅｍ．，６４，　２２６４　（１９９９）、Ｊ．　Ｐｏｌｙｍ．　Ｓｃｉ．　ＰａｒｔＡ，　Ｐｏｌｙｍ．　Ｃｈｅｍ．，　３７，　３７０２　（１９９９））ことにより、高分子化合物の分子量を高めることができる。
　酸化重合における溶媒としては、触媒が被毒を受けない溶媒であれば特に制限なく使用することができる。かかる溶媒としては、例えば、炭化水素溶媒、エーテル系溶媒、アルコール類が挙げられる。ここで、炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ナフタリン、テトラリンが挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジフェニルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテルが挙げられる。アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、２－メトキシエタノールが挙げられる。
　酸化重合における反応温度は、通常－１００℃～１００℃、好ましくは－５０～５０℃程度である。
　また共重合体を製造する場合にはモノマーを２種類以上混合して重合する方法や、１種類のモノマーを重合した後に２種目のモノマーを添加する方法などが挙げられる。これらの方法を用いること、又は組み合わせることにより、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、マルチブロック共重合体、グラフト共重合体などを製造することが可能である。
　官能基変換のしやすさの観点からは、式（１－３）中のＷ１、Ｗ２は、同一又は相異なり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、ボロン酸残基又は有機スズ残基であることが好ましい。
　Ｗ１、Ｗ２が水素原子である場合、Ｗ１、Ｗ２を臭素原子に変換する方法としては、公知の方法を使用することが出来るが、例えば、Ｗ１、Ｗ２が水素原子である式（１－３）で表される化合物と臭素又はＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）とを接触させて臭素化する方法が挙げられる。臭素化の条件は任意に設定することができるが、例えば、溶媒中でＮＢＳと反応させる方法は、臭素化率が高く、かつ臭素原子の導入位置の選択性が高くなるために望ましい。この時に使用する溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、クロロホルム、塩化メチレン、四塩化炭素などが挙げられる。反応時間は通常１分から１０時間程度、反応温度は通常－５０℃～５０℃程度である。使用する臭素の量はＷ１、Ｗ２が水素原子である式（１－３）で表される化合物１モルに対して１モル～５モル程度が好ましい。反応後は、例えば、水を加えて反応を停止した後に生成物を有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなどの通常の後処理を行い、Ｗ１、Ｗ２が臭素原子である式（１－３）で表される化合物を得ることができる。生成物の単離後及び精製はクロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法により行うことができる。
　本発明に用いることができる高分子化合物は、光吸収末端波長が長波長であることが好ましい。本発明における光吸収末端波長とは以下の方法で求められた値のことを意味する。
　測定には、紫外、可視、近赤外の波長領域で動作する分光光度計（例えば、日本分光製、紫外可視近赤外分光光度計ＪＡＳＣＯ－Ｖ６７０）を用いる。ＪＡＳＣＯ－Ｖ６７０を用いる場合、測定可能な波長範囲が２００～１５００ｎｍであるため、該波長範囲で測定を行う。まず、測定に用いる基板の吸収スペクトルを測定する。基板としては、石英基板、ガラス基板等を用いる。次いで、その基板の上に第１の化合物を含む溶液若しくは第１の化合物を含む溶融体から第１の化合物を含む薄膜を形成する。溶液からの製膜では、製膜後乾燥を行う。その後、薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルを得る。薄膜と基板との積層体の吸収スペクトルと基板の吸収スペクトルとの差を、薄膜の吸収スペクトルとして得る。
　該薄膜の吸収スペクトルは、縦軸が第１の化合物の吸光度を、横軸が波長を示す。最も大きい吸収ピークの吸光度が０．５～２程度になるよう、薄膜の膜厚を調整することが望ましい。吸収ピークの中で一番長波長の吸収ピークの吸光度を１００％とし、その５０％の吸光度を含む横軸（波長軸）に平行な直線と該吸収ピークとの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点を第１の点とする。その２５％の吸光度を含む波長軸に平行な直線と該吸収ピークとの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点を第２の点とする。第１の点と第２の点とを結ぶ直線と基準線の交点を光吸収末端波長と定義する。ここで、基準線とは、最も長波長の吸収ピークにおいて、該吸収ピークの吸光度を１００％とし、その１０％の吸光度を含む波長軸に平行な直線と該吸収ピークの交点であって、該吸収ピークのピーク波長よりも長波長である交点の波長を基準として、基準となる波長より１００ｎｍ長波長である吸収スペクトル上の第３の点と、基準となる波長より１５０ｎｍ長波長である吸収スペクトル上と第４の点を結んだ直線をいう。
＜光電変換素子の構成＞
　本発明の光電変換素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、式（１）の構造単位を有する化合物を含む１層以上の活性層を有する。
　本発明の光電変換素子の好ましい形態としては、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、ｐ型の有機半導体とｎ型の有機半導体との有機組成物から形成される活性層を有する。活性層の層形態は特に限定されず、例えば、ｐ型の有機半導体とｎ型の有機半導体の混合物で形成されるバルクへテロ接合型の活性層（ｐｎ混合層）であってもよいし、ｐ型の有機半導体で形成された層（ｐ型層）とｎ型の有機半導体で形成された層（ｎ型層）の二層が接合して構成されるｐｎ接合型の活性層であってもよいし、あるいは、ｐ型層とｎ型層との間にｐｎ型層を設けたｐｉｎ接合型の活性層であってもよい。式（１）の構造単位を有する化合物は、ｐ型の有機半導体として用いることが好ましい。
　この形態の光電変換素子の動作機構を説明する。透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーがフラーレン誘導体等の電子受容性化合物（ｎ型の有機半導体）及び／又は本発明に用いられる化合物等の電子供与性化合物（ｐ型の有機半導体）で吸収され、電子とホールが結合した励起子を生成する。生成した励起子が移動して、電子受容性化合物と電子供与性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると、界面でのそれぞれのＨＯＭＯエネルギー及びＬＵＭＯエネルギーの違いにより電子とホールが分離し、独立に動くことができる電荷（電子とホール）が発生する。発生した電荷は、それぞれ電極へ移動することにより外部へ電気エネルギー（電流）として取り出すことができる。
　本発明の光電変換素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明又は半透明であることが好ましい。
　本発明の光電変換素子の他の態様は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極間に、本発明に用いられる化合物を含む第１の活性層と、該第１の活性層に隣接して、フラーレン誘導体等の電子受容性化合物を含む第２の活性層を含む光電変換素子である。
　前記の透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド（ＩＺＯ）、アンチモン・スズ酸化物（ＮＥＳＡ）等からなる導電性材料を用いて作製された膜、金、白金、銀、銅等を用いて作製された膜が用いられ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズを用いて作製された膜が好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
　一方の電極は透明でなくてもよく、該電極の電極材料としては、例えば、金属、導電性高分子等を用いることができる。電極材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち２つ以上の合金、又は、１種以上の前記金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金等が挙げられる。
　光電変換効率を向上させるための手段として活性層以外の付加的な中間層を使用してもよい。中間層として用いられる材料としては、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化チタン等の酸化物、ＰＥＤＯＴ（ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン）などが挙げられる。
　＜活性層＞
　前記活性層は、式（１）で表される構造単位を有する化合物を一種単独で含んでいても二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、前記活性層のホール輸送性を高めるため、前記活性層中に電子供与性化合物及び／又は電子受容性化合物として、式（１）で表される構造単位を有する化合物以外の化合物を混合して用いることもできる。なお、前記電子供与性化合物、前記電子受容性化合物は、これらの化合物のエネルギー準位のエネルギーレベルから相対的に決定される。
　前記電子供与性化合物としては、式（１）で表される構造単位を有する化合物のほか、例えば、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
　前記電子受容性化合物としては、式（１）で表される構造単位を有する化合物のほか、例えば、炭素材料、酸化チタン等の金属酸化物、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８－ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（バソクプロイン）等のフェナントレン誘導体、フラーレン、フラーレン誘導体が挙げられ、好ましくは、酸化チタン、カーボンナノチューブ、フラーレン、フラーレン誘導体であり、特に好ましくはフラーレン、フラーレン誘導体である。
　フラーレン、フラーレン誘導体としてはＣ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４及びその誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体は、置換基を有するフラーレンを表す。
　フラーレン誘導体としては、例えば、式（１３）で表される化合物、式（１４）で表される化合物、式（１５）で表される化合物、式（１６）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
（式（１３）～（１６）中、Ｒａは、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はエステル構造を有する基である。複数個あるＲａは、同一であっても相異なってもよい。Ｒｂはアルキル基又はアリール基を表す。複数個あるＲｂは、同一であっても相異なってもよい。）
　Ｒａ及びＲｂで表されるアルキル基、アリール基の定義、具体例は、Ｒ３で表されるアルキル基、アリール基の定義、具体例と同じである。
　Ｒａで表されるヘテロアリール基は、通常、炭素原子数が３～６０であり、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。
　Ｒａで表されるエステル構造を有する基は、例えば、式（１７）で表される基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
（式中、ｕ１は、１～６の整数を表す、ｕ２は、０～６の整数を表す、Ｒｃは、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。）
　Ｒｃで表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の定義、具体例は、Ｒａで表されるアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基の定義、具体例と同じである。
　Ｃ６０フラーレンの誘導体の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　Ｃ７０の誘導体の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
　また、フラーレン誘導体の例としては、［６，６］フェニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル－Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ７１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］フェニル－Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ８５　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）、［６，６］チェニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］－Ｔｈｉｅｎｙｌ　Ｃ６１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。
　活性層中に式（１）の構造単位を有する化合物とフラーレン誘導体とを含む場合、フラーレン誘導体の割合が、該化合物１００重量部に対して、１０～１０００重量部であることが好ましく、２０～５００重量部であることがより好ましい。
　活性層の厚さは、通常、１ｎｍ～１００μｍが好ましく、より好ましくは２ｎｍ～１０００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～５００ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ～２００ｎｍである。
　前記活性層の製造方法には、如何なる方法で製造してもよく、例えば、式（１）の構造単位を有する化合物を含む溶液からの成膜や、真空蒸着法による成膜方法が挙げられる。
　光電変換素子のとり得る層構成は、例えば、下記のａ）～ｄ）などが挙げられる。
ａ）陽極／活性層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／活性層／陰極
ｃ）陽極／活性層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／活性層／電子輸送層／陰極
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む層同士が隣接して積層されていることを示す。）
　上記層構成は、陽極が基板により近い側に設けられる形態、及び陰極が基板により近い側に設けられる形態のいずれであってもよい。
　上記各層は、単層で構成されるのみならず、２層以上の積層体として構成されていてもよい。また、上記の他に、他の層をさらに設けてもよい。
＜光電変換素子の製造方法＞
　光電変換素子の好ましい製造方法は、第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有する素子の製造方法であって、該第１の電極上に式（１）の構造単位を有する化合物と溶媒とを含む溶液（インク）を塗布法により塗布して活性層を形成する工程、該活性層上に第２の電極を形成する工程を有する素子の製造方法である。
　本発明の光電変換素子が、式（１）で表される構造単位を有する高分子化合物を含有する場合、溶液からの成膜に用いる溶媒は、本発明に用いられる高分子化合物を溶解させるものであればよい。該溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。本発明に用いられる高分子化合物は、通常、前記溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
　溶液を用いて成膜する場合、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スリットコート法、キャピラリーコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、バーコート法、ナイフコート法、ノズルコート法、インクジェットコート法、スピンコート法が好ましい。
　成膜性の観点からは、２５℃における溶媒の表面張力が１５ｍＮ／ｍより大きいことが好ましく、１５ｍＮ／ｍより大きく１００ｍＮ／ｍよりも小さいことがより好ましく、２５ｍＮ／ｍより大きく６０ｍＮ／ｍよりも小さいことがさらに好ましい。
　＜素子の用途＞
　本発明の光電変換素子は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、有機薄膜太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
　また、電極間に電圧を印加した状態、あるいは無印加の状態で、透明又は半透明の電極から光を照射することにより、光電流が流れ、有機光センサーとして動作させることができる。有機光センサーを複数集積することにより有機イメージセンサーとして用いることもできる。
　＜太陽電池モジュール＞
　有機薄膜太陽電池は、従来の太陽電池モジュールと基本的には同様のモジュール構造をとりうる。太陽電池モジュールは、一般的には金属、セラミック等の支持基板の上にセルが構成され、その上を充填樹脂や保護ガラス等で覆い、支持基板の反対側から光を取り込む構造をとるが、支持基板に強化ガラス等の透明材料を用い、その上にセルを構成してその透明の支持基板側から光を取り込む構造とすることも可能である。具体的には、スーパーストレートタイプ、サブストレートタイプ、ポッティングタイプと呼ばれるモジュール構造、アモルファスシリコン太陽電池などで用いられる基板一体型モジュール構造等が知られている。本発明の有機薄膜太陽電池も使用目的や使用場所及び環境により、適宜これらのモジュール構造を選択できる。
　代表的なスーパーストレートタイプあるいはサブストレートタイプのモジュールは、片側又は両側が透明で反射防止処理を施された支持基板の間に一定間隔にセルが配置され、隣り合うセル同士が金属リード又はフレキシブル配線等によって接続され、外縁部に集電電極が配置されており、発生した電力を外部に取り出される構造となっている。基板とセルの間には、セルの保護や集電効率向上のため、目的に応じエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等様々な種類のプラスチック材料をフィルム　又は充填樹脂の形で用いてもよい。また、外部からの衝撃が少ないところなど表面を硬い素材で覆う必要のない場所において使用する場合には、表面保護層を透明プラスチックフィルムで構成し、又は上記充填樹脂を硬化させることによって保護機能を付与し、片側の支持基板をなくすことが可能である。支持基板の周囲は、内部の密封及びモジュールの剛性を確保するため金属製のフレームでサンドイッチ状に固定し、支持基板とフレームの間は封止材料で密封シールする。また、セルそのものや支持基板、充填材料及び封止材料に可撓性の素材を用いれば、曲面の上に太陽電池を構成することもできる。
　ポリマーフィルム等のフレキシブル支持体を用いた太陽電池の場合、ロール状の支持体を送り出しながら順次セルを形成し、所望のサイズに切断した後、周縁部をフレキシブルで防湿性のある素材でシールすることにより電池本体を作製できる。また、Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｓｏｌａｒ　Ｃｅｌｌｓ，　４８，ｐ３８３－３９１記載の「ＳＣＡＦ」とよばれるモジュール構造とすることもできる。更に、フレキシブル支持体を用いた太陽電池は曲面ガラス等に接着固定して使用することもできる。
＜有機薄膜トランジスタ＞
　本発明に用いられる高分子化合物は、有機薄膜トランジスタにも用いることができる。有機薄膜トランジスタとしては、ソース電極及びドレイン電極と、これらの電極間の電流経路となる有機半導体層（活性層）と、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極とを備えた構成を有するものが挙げられ、有機半導体層が上述した有機薄膜によって構成されるものである。このような有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型、静電誘導型等が挙げられる。
　電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、この電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、有機半導体層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、有機半導体層（活性層）に接して設けられており、さらに有機半導体層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。電界効果型有機薄膜トランジスタにおいては、有機半導体層が、本発明に用いられる高分子化合物を含む有機薄膜によって構成される。
　本発明の有機薄膜トランジスタの一態様である静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となる有機半導体層（活性層）、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、このゲート電極が有機半導体層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極に接して設けられていることが好ましい。ここで、ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、且つゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、くし形電極が挙げられる。静電誘導型有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層は、本発明に用いられる化合物を含む有機薄膜によって構成される。活性層の厚さは、通常、１ｎｍ～１００μｍが好ましく、より好ましくは２ｎｍ～１０００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～５００ｎｍであり、より好ましくは２０ｎｍ～２００ｎｍである。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、有機半導体層（活性層）に、上述の式（１）などで表される構造単位を有する化合物を混合させることにより製造することができる。有機半導体層を成膜する方法は、上述の「光電変換素子の製造方法」における成膜方法と同様の方法を採用し得る。その他の点については、有機薄膜トランジスタについての従来公知の方法に従って製造してよい。
　以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（ＮＭＲ測定）
　ＮＭＲ測定は、化合物を重クロロホルムに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ｖａｒｉａｎ社製、ＩＮＯＶＡ３００）を用いて行った。
（数平均分子量及び重量平均分子量の測定）
　数平均分子量及び重量平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ－１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。測定する高分子化合物は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＭ－Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ－１０Ａ）を用いた。
参考例１
（化合物１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１０００ｍＬの４つ口フラスコに、３－ブロモチオフェンを１３．０ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）、ジエチルエーテルを８０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を－７８℃に保ったまま、該溶液に、２．６Ｍのｎ－ブチルリチウム（ｎ－ＢｕＬｉ）のヘキサン溶液３１ｍＬ（８０．６ｍｍｏｌ）を滴下した。－７８℃で２時間反応させた後、３－チオフェンアルデヒド８．９６ｇ（８０．０ｍｍｏｌ)をジエチルエーテル２０ｍＬに溶解させた溶液を滴下した。滴下後、－７８℃で３０分攪拌し、さらに室温（２５℃）で３０分攪拌した。反応液を再度－７８℃に冷却し、該反応液に、２．６Ｍのｎ－ＢｕＬｉのヘキサン溶液６２ｍＬ（１６１ｍｍｏｌ）を１５分かけて滴下した。滴下後、反応液を－２５℃で２時間攪拌し、さらに室温（２５℃）で１時間攪拌した。その後、反応液を－２５℃に冷却し、該反応液に、ヨウ素６０ｇ(２３６ｍｍｏｌ)をジエチルエーテル１０００ｍＬに溶解させた溶液を３０分かけて滴下した。滴下後、室温（２５℃）で２時間攪拌し、１規定のチオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍＬを加えて反応を停止させた。ジエチルエーテルで反応生成物を抽出した後、硫酸マグネシウムで反応生成物を乾燥し、ろ過後、ろ液を濃縮して３５gの粗生成物を得た。クロロホルムを用いて粗生成物を再結晶することにより精製し、化合物１を２８ｇ得た。
参考例２
（化合物２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
　３００ｍＬの４つ口フラスコに、ビスヨードチエニルメタノール（化合物１）を１０．５ｇ(２３．４ｍｍｏｌ)、塩化メチレンを１５０ｍＬ加えて均一な溶液とした。該溶液にクロロクロム酸ピリジニウム７．５０ｇ(３４．８ｍｍｏｌ)を加えて室温（２５℃）で１０時間攪拌した。反応液をろ過して不溶物を除去後、ろ液を濃縮し、化合物２を１０．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）得た。
参考例３
（化合物３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに、化合物２を１０．０ｇ(２２．４ｍｍｏｌ)、銅粉末を６．０ｇ（９４．５ｍｍｏｌ）、脱水Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと呼称することもある）を１２０ｍＬ加えて、１２０℃で４時間攪拌した。反応後、フラスコを室温（２５℃）まで冷却し、反応液をシリカゲルカラムに通して不溶成分を除去した。その後、水５００ｍＬを加え、クロロホルムで反応生成物を抽出した。クロロホルム溶液である油層を硫酸マグネシウムで乾燥し、油層をろ過し、ろ液を濃縮して粗製物を得た。組成物をシリカゲルカラム（展開液：クロロホルム）で精製し、化合物３を３．２６ｇ得た。ここまでの操作を複数回行った。
参考例４
（化合物４の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
　メカニカルスターラーを備え、フラスコ内の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬ４つ口フラスコに、化合物３を３．８５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、クロロホルムを５０ｍＬ、トリフルオロ酢酸を５０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液に過ホウ酸ナトリウム１水和物５．９９ｇ(６０ｍｍｏｌ)を加え、室温（２５℃）で４５分間攪拌した。その後、水２００ｍＬを加え、クロロホルムで反応生成物を抽出し、クロロホルム溶液である有機層をシリカゲルカラムに通し、エバポレーターでろ液の溶媒を留去した。メタノールを用いて残渣を再結晶し、化合物４を５３４ｍｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：７．６４（ｄ、１Ｈ）、７．４３（ｄ、１Ｈ）、７．２７（ｄ、１Ｈ）、７．１０（ｄ、１Ｈ）
参考例５
（化合物５の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬの４つ口フラスコに、化合物４を５３４ｍｇ(２．５６ｍｍｏｌ)、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を２５ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を－２０℃に冷却し、該溶液に、ｎ－オクチルマグネシウムブロミドのＴＨＦ溶液（１Ｍ）を１０．３ｍＬ（１０．３ｍｍｏｌ）加えた。その後、室温（２５℃）に昇温し、室温（２５℃）で１．５時間攪拌した。その後、水５０ｍＬを加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、酢酸エチル溶液をシリカゲルカラムに通し、その後、ろ液の溶媒を留去し、化合物５を４３３ｍｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：７．２４（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、６．９８（ｄ、１Ｈ）、６．７６（ｄ、１Ｈ）、１．７９（ｂ、４Ｈ）、１．３２（ｂ、２４Ｈ）、０．８６（ｓ、６Ｈ）
参考例６
（化合物６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物５を４３３ｍｇ(０．９９２ｍｍｏｌ)とトルエンを１５ｍＬ入れ、均一な溶液とした。該溶液にｐ－トルエンスルホン酸ナトリウム１水和物を５７ｍｇ入れて１００℃で４時間攪拌を行った。反応液を室温（２５℃）まで冷却後、該反応液に水５０ｍＬを加え、トルエンで反応生成物を抽出した。トルエン溶液である有機層を、硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で精製し、化合物６を３８９ｍｇ得た（収率９３．７％）。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．９９（ｄ、１Ｈ）、６．９４（ｄ、１Ｈ）、６．６９（ｄ、１Ｈ）、６．６０（ｄ、１Ｈ）、１．８０（ｂ、４Ｈ）、１．３２（ｂ、２４Ｈ）、０．８６（ｓ、６Ｈ）
参考例７
（化合物７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物６を３８９ｍｇ(０．９２９ｍｍｏｌ)と脱水ＤＭＦを１２ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を－２０℃に保ち、Ｎ－ブロモスクシンイミド（以下、ＮＢＳと呼称することもある。）３３９ｍｇ(１．９０ｍｍｏｌ)を加え、－２０℃で３時間反応させ、その後、０℃で１時間反応させた。反応後、１規定のチオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍＬを加えて反応を停止し、エーテルで反応生成物を抽出した。エーテル溶液である有機層を、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去して粗生成物を得た。粗生成物をシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で精製し、化合物７を３１５ｍｇ得た(収率５８．９％)。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．６５（ｓ、１Ｈ）、６．６３（ｓ、１Ｈ）、１．８１（ｂ、４Ｈ）、１．３３（ｂ、２４Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）
参考例８
（重合体Ａの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物７を１１５．３ｍｇ（０．２００ｍｍｏｌ）、化合物８（４，７－ｂｉｓ（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）－２，１，３－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を７７．６ｍｇ（０．２００ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を６０．６ｍｇ加え、トルエン１０ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム　０．６７ｍｇ、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（Ｔｒｉｓ（２－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）３．７ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７重量（ｗｔ）％）２ｍＬを加え、１００℃で１．５時間攪拌を行った。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム１ｇと水１０ｍＬを加えて２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応液を室温（２５℃）付近まで冷却した後、得られた反応液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水１０ｍＬで２回、３％酢酸水１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、クロロホルムに溶解した。次に、得られたクロロホルム溶液をろ過し、不溶物を除去した後、アルミナカラムに通し、精製した。得られたクロロホルム溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体４０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ａと呼称する。重合体Ａは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１７０００であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が５０００であった。重合体Ａの光吸収末端波長は９２５ｎｍであった。
参考例９
（化合物５ｂの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物４を１．０６ｇ（５．０９ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦを３０ｍｌ入れて均一な溶液とした。フラスコを－２０℃に保ちながら、２－エチルヘキシルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）を１２．７ｍＬ加えた。その後、３０分かけて温度を－５℃まで上げ、そのまま３０分攪拌した。その後、１０分かけて温度を０℃に上げ、そのまま１．５時間攪拌を行った。その後、水を加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、酢酸エチル溶液をシリカゲルカラムに通し、ろ液の溶媒を留去し、化合物５ｂを１．２８ｇ得た。ここまでの操作を複数回行った。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：７．２５（ｄ、１Ｈ）、７．２０（ｄ、１Ｈ）、６．９９（ｄ、１Ｈ）、６．７６（ｄ、１Ｈ）、１．７６（ｓ、４Ｈ）、１．４９（ｂ、２Ｈ）、１．２９－１．０４（ｍ、１６Ｈ）、０．８０（ｓ、６Ｈ）、０．７１（ｓ、６Ｈ）
参考例１０
（化合物６ｂの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物５ｂ　２．５８ｇとトルエン３０ｍＬを入れて均一な溶液とした。該溶液にｐ－トルエンスルホン酸ナトリウム１水和物を１００ｍｇ入れて１００℃で１．５時間攪拌を行った。反応液を室温（２５℃）まで冷却後、該反応液に水５０ｍＬを加え、トルエンで反応生成物を抽出した。トルエン溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で生成し、化合物６ｂを７４１ｍｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．９８（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄ、１Ｈ）、６．５９（ｄ、１Ｈ）、１．７８（ｓ、４Ｈ）、１．５０（ｂ、２Ｈ）、１．３０－１．０５（ｍ、１６Ｈ）、０．８１（ｓ、６Ｈ）、０．７２（ｓ、６Ｈ）
参考例１１
（化合物７ｂの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物６ｂ　７４１ｍｇ（１．７７ｍｍｏｌ）と脱水ＤＭＦ２０ｍＬを入れて均一な溶液とした。該溶液を－３０℃に保ち、ここにＮＢＳ　６４６ｍｇ（３．６３ｍｍｏｌ）を加え、３０分かけて温度を－３０℃から－１０℃に上昇させた。液体クロマトグラフィー（ＬＣ）で化合物６ｂの消失を確認後、水とチオ硫酸ナトリウムを加えて反応を停止し、エーテルで反応生成物を抽出した。エーテル溶液である有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で精製し、化合物７ｂを８９２ｍｇ得た（収率８７．４％）。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．６３（１Ｈ）、６．５９（１Ｈ）、１．７４（ｓ、４Ｈ）、１．５０（ｂ、２Ｈ）、１．３７－１．０１（ｍ、１６Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）、０．７７（ｓ、６Ｈ）
参考例１２
（重合体Ｂの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物７ｂ　８９０ｍｇ（１．５４ｍｍｏｌ）、化合物８（４，７－ｂｉｓ（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）－２，１，３－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）５７１．８ｍｇ（１．４７ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）２５０ｍｇを加え、トルエン６０ｍｌに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム３．７４ｍｇ、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（Ｔｒｉｓ（２－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）１９．０ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％）７．５ｍＬを加え、７０℃で４時間攪拌を行った。その後、反応液にフェニルホウ酸５０ｍｇを加え、さらに７０℃で２時間反応させた。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回、３ｗｔ％の酢酸水溶液２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ－ジクロロベンゼン３０ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した重合体３８０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｂと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｂの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝７７０００、Ｍｎ＝１５０００であった。重合体Ｂの光吸収末端波長は９３０ｎｍであった。
参考例１３
（重合体Ｃの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　１００ｍＬフラスコに、特開２００４－１６８９９９号公報の実施例１０の記載に従って合成した上記化合物９を３９８．７ｍｇ（０．６０５ｍｍｏｌ）と化合物１０（４，７－ｄｉｂｒｏｍｏ－２，１，３－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を１６０．３ｍｇ（０．５４５１ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を２００ｍｇ加え、トルエン４０ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム　２．４ｍｇ、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（Ｔｒｉｓ（２－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）１２．２ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％）を２ｍＬ加え、還流下で３時間攪拌を行った。その後、反応液にフェニルホウ酸５０ｍｇを加えて、さらに２時間還流下で攪拌した。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加えて２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、反応液を室温（２５℃）付近まで冷却した後、得られた反応液を静置し、分液したトルエン層を回収した。該トルエン層を水１０ｍＬで２回、３％酢酸水１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られたトルエン層をメタノール中に注ぎ込み、析出した沈殿物を回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、クロロホルムに溶解した。次に、得られたクロロホルム溶液をろ過し、不溶物を除去した後、アルミナカラムに通し、精製した。得られたクロロホルム溶液を減圧濃縮した後、メタノール中に注ぎ込み、沈殿させ、生成した沈殿を回収した。この沈殿をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、重合体３２０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｃという。重合体Ｃは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が４４６０００であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が１６９０００であった。重合体Ｃの光吸収末端波長は５５０ｎｍであった。
実施例１
（インク及び有機薄膜太陽電池の作製、評価）
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を、オゾンＵＶ処理して表面処理を行った。次に、重合体Ｂ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１－酪酸メチルエステル）（ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ、フロンティアカーボン社製）（重合体Ｂ／Ｃ６０ＰＣＢＭの重量比＝１／３）をオルトジクロロベンゼンに溶解し（重合体ＢとＣ６０ＰＣＢＭとの重量の合計は２．０重量％）、インク１を製造した。該インク１を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、重合体Ｂを含む有機膜を作製した（膜厚約１００ｎｍ）。このようにして作製した有機膜の光吸収末端波長は９２０ｎｍであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ２ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ－ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は５．６４ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．５８Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．３６であり、光電変換効率（η）は１．１８％であった。
実施例２
　実施例１において、オルトジクロロベンゼンの代わりにキシレンを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
比較例１
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｃを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例１４
（化合物５ｃの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物４を１．００ｇ（４．８０ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦを３０ｍｌ入れて均一な溶液とした。フラスコを－２０℃に保ちながら、１Ｍの３，７－ジメチルオクチルマグネシウムブロミドのエーテル溶液を１２．７ｍＬ加えた。その後、３０分かけて温度を－５℃まで上げ、そのまま３０分攪拌した。その後、１０分かけて温度を０℃に上げ、そのまま１．５時間攪拌を行った。その後、水を加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、酢酸エチル溶液をシリカゲルカラムに通し、ろ液の溶媒を留去し、化合物５ｃを１．５０ｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：８．４２（ｂ、１Ｈ）、７．２５（ｄ、１Ｈ）、７．２０（ｄ、１Ｈ）、６．９９（ｄ、１Ｈ）、６．７６（ｄ、１Ｈ）、２．７３（ｂ、１Ｈ）、１．９０（ｍ、４Ｈ）、１．５８‐１．０２（ｂ、２０Ｈ）、０．９２（ｓ、６Ｈ）、０．８８（ｓ、１２Ｈ）
参考例１５
（化合物６ｃの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物５ｃを１．５０ｇ、トルエンを３０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液にｐ－トルエンスルホン酸ナトリウム１水和物を１００ｍｇ入れて１００℃で１．５時間攪拌を行った。反応液を室温（２５℃）まで冷却後、該反応液に水５０ｍＬを加え、トルエンで反応生成物を抽出した。トルエン溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で生成し、化合物６ｃを１．３３ｇ得た。ここまでの操作を複数回行った。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．９８（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄ、１Ｈ）、６．５９（ｄ、１Ｈ）、１．８９（ｍ、４Ｈ）、１．５８‐１．００（ｂ、２０Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）、０．８６（ｓ、１２Ｈ）
参考例１６
（化合物１１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに化合物６ｃ（３．５２ｇ、７．４１ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１００ｍＬ）を入れて均一溶液とした。２５℃で３０分間アルゴンバブリングを行った後、－５０℃まで冷却し、ＮＢＳ（１．２０ｇ、６．７４ｍｍｏｌ）を加え、５．５時間かけて２５℃まで昇温した。反応液に水５０ｍＬを加え、ジエチルエーテルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥後、ろ過し、溶媒を留去した。得られた粗生成物を、ヘキサンを溶媒としたシリカゲルカラムで精製して、化合物１１を３．３０ｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ））：０．８２６（ｍ，　１８Ｈ），　１．０８－１．４７（ｍ，　２０Ｈ），　１．９５（ｍ，　４Ｈ），　６．６５（ｄ，　１Ｈ），　６．６６（ｓ，　１Ｈ），　６．９８（ｓ，　１Ｈ）
参考例１７
（化合物１２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに、化合物８（１．１１ｇ、２．８５ｍｍｏｌ）、化合物１１（３．１６ｇ、５．７０ｍｍｏｌ）、トルエン（９０ｍＬ）及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）（６０６ｍｇ、１．５０ｍｍｏｌ）を入れて均一溶液とし、２５℃で３０分間アルゴンバブリングを行った。９０℃に昇温後、酢酸パラジウム（６．７ｍｇ、１ｍｏｌ％）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（３７．０ｍｇ、３．５ｍｏｌ％）を加えた。その後、１００℃で攪拌しながら、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％、１９．０ｇ、３０．０　ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。滴下後、１００℃で２時間攪拌を行った。その後、反応液に純水を加え、トルエン層を分離後、硫酸ナトリウムで乾燥し、粗生成物を得た。ヘキサンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラムで粗生成物の精製を行い、化合物１２を２．２５ｇ得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ））　：　０．８２６（ｍ，　３６Ｈ），　１．０８－１．４７（ｍ，　４０Ｈ），　１．９５（ｍ，　８Ｈ），　６．７１（ｄ，　２Ｈ），　７．０４（ｄ，　２Ｈ），　７．７７（ｓ，　２Ｈ），　７．７９（ｓ，　２Ｈ）
参考例１８
（化合物１３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物１２（２．２５ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（４０ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（４０ｍＬ）を入れて均一溶液とした。－５０℃まで冷却後、ＮＢＳ（８１４ｍｇ、４．５８ｍｍｏｌ）を加え、２．５時間かけて０℃まで昇温した。
　その後、反応液に純水を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、反応液に純水を加え、トルエン層を分離後、硫酸ナトリウムで乾燥し、粗生成物を得た。ヘキサンを展開溶媒に用いたシリカゲルカラムで粗生成物の精製を行い、化合物１３を２．１１ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ））　：　０．８２６（ｍ，　３６Ｈ），　１．０８－１．４７（ｍ，　４０Ｈ），　１．９５（ｍ，　８Ｈ），　６．７２（ｓ，　２Ｈ），　７．７５（ｓ，　２Ｈ），　７．７７（ｓ，　２Ｈ）
参考例１９
（重合体Ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000076
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物１４（アメリカン・ダイ・ソース社製）（９６．９ｍｇ、０．１８３ｍｍｏｌ）、化合物１３（２３８．６ｍｇ、０．１９２ｍｍｏｌ）、トルエン（１０ｍＬ）及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）（６０．６ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を入れて均一溶液とし、２５℃で３０分間アルゴンバブリングを行った。９０℃に昇温後、酢酸パラジウム（０．６７ｍｇ、１ｍｏｌ％）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（３．７０ｍｇ、３．５ｍｏｌ％）を加えた。その後、１００℃で攪拌しながら、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％、１．９０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。４時間後、反応液にフェニルホウ酸（３．６６ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（０．６７ｍｇ、１ｍｏｌ％）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（３．７０ｍｇ、３．５ｍｏｌ％）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回、３ｗｔ％の酢酸水溶液２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ－ジクロロベンゼン３０ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した重合体２８０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｄと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｄの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝１１６０００、Ｍｎ＝４９０００であった。重合体Ｄの光吸収末端波長は７５５ｎｍであった。
参考例２０
（化合物１６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000077
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物１５（１．７８ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、２－エチルヘキシルブロミド（５．８３ｇ、２５．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（４１．５ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（１．６８ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）を入れ、ジメチルスルホキシド（３５ｍＬ）に溶解させて、室温（２５℃）で２４時間攪拌した。反応後、水１００ｍＬを加え、ヘキサンで生成物を抽出し、シリカゲルカラム（展開溶媒はヘキサン）で精製を行い、化合物１６を２．６１ｇ得た。
参考例２１
（化合物１７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000078
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物１６（１．３１ｇ、３．２５ｍｍｏｌ）及び、ＤＭＦ（２５ｍＬ）を加え、フラスコを０℃に冷却して、ＮＢＳ（１．２１ｇ）を加え、１２時間攪拌した。反応液中に水１００ｍＬを入れて反応を停止し、エーテルで生成物を抽出した。シリカゲルカラム（展開溶媒はヘキサン）で精製を行い、化合物１７を１．７０ｇ得た。
参考例２２
（重合体Ｅの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000079
　フラスコ内の気体でアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物１７を５６１ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、化合物８（４，７－ｂｉｓ（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）－２，１，３－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を３８８．１ｍｇ（１．００ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）を２０２ｍｇ加え、トルエン２０ｍｌに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム２．２５ｍｇ、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（Ｔｒｉｓ（２－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）１２．３ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％）６．５ｍＬを加え、１００℃で５時間攪拌を行った。その後、フェニルホウ酸５０ｍｇを加え、さらに７０℃で２時間反応させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回、３ｗｔ％の酢酸水溶液２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ－ジクロロベンゼン３０ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した重合体２８０ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｅと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｅの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝３００００、Ｍｎ＝１４０００であった。
比較例２
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｅを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
実施例３
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ａを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例２３
（化合物７ｃの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000080
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物６ｃを１．３３ｇ（２．８０ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＦを２０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を－３０℃に保ち、ここにＮＢＳ　１０４０ｍｇ（５．８４ｍｍｏｌ）を加え、３０分かけて温度を－３０℃から－１０℃に上昇させた。液体クロマトグラフィー（ＬＣ）で化合物６ｃの消失を確認後、１Ｍチオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｍｌを加えて反応を停止し、エーテルで反応生成物を抽出した。エーテル溶液である有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で精製し、化合物７ｃを１．６５ｇ（９３％）得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．６６（１Ｈ）、６．６３（１Ｈ）、１．９０（ｍ、４Ｈ）、１．５６‐１．０２（ｂ、２０Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）、０．８５（ｓ、１２Ｈ）
参考例２４
（重合体Ｆの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
　参考例１２において、化合物７ｂの代わりに化合物７ｃを用いた以外は同様に合成を行い、重合体Ｆを得た。ＧＰＣで測定した重合体Ｆの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝５４０００、Ｍｎ＝２１０００であった。重合体Ｆの光吸収末端波長は９３０ｎｍであった。
実施例４
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｆを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例２５
（重合体Ｇの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物８（１０１．７ｍｇ、０．２６２ｍｍｏｌ）、化合物１３（３４３．１ｍｇ、０．２７６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（１０ｍＬ）を入れて均一溶液とし、２５℃で３０分間アルゴンバブリングを行った。６０℃に昇温後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、ＴＨＦが還流する温度で攪拌しながら、炭酸カリウム水溶液（２７．６ｗｔ％、１．５０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。３０分後、反応液にフェニルホウ酸（３．６６ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水２０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回、３ｗｔ％の酢酸水溶液２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ－ジクロロベンゼン３０ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した重合体２４２ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｇと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｇの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝３９０００、Ｍｎ＝１５０００であった。重合体Ｇの光吸収末端波長は９３０ｎｍであった。
実施例５
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｇを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例２６
（重合体Ｈの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに化合物１３(２６５．０ｍｇ、０．２１４ｍｍｏｌ)、２，２’－ビピリジル（１００ｍｇ）及び、トルエン（１０ｍＬ）を加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、ビス（１，５－シクロオクタジエン）ニッケル（０）（１７７ｍｇ、０．６４３ｍｍｏｌ）を加え、室温（２５℃）で３０分間攪拌した後、反応を停止した。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１ｇ）及び純水（１０ｍＬ）を加え、１時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、３重量（ｗｔ）％の酢酸水溶液１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｈを１５８ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｈの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が６４，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が１８，０００であった。重合体Ｈの光吸収末端波長は９１０ｎｍであった。
実施例６
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｈを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例２７
（化合物１９の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
　１０００ｍｌ三つ口フラスコに１，６－ジブロモピレン（化合物１８）３．６０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ３００ｍｌを入れた。得られたＴＨＦ溶液を－７８℃に冷却し、該ＴＨＦ溶液にさらにｎ－ブチルリチウム（１．６Ｍのヘキサン溶液）１５．０ｍｌをシリンジで滴下した。－７８℃のまま２時間撹拌した後、１－ブロモ－３，７－ジメチルオクタン５．３１ｇ（２４．０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温（２５℃）にし、１５時間反応させた。得られた反応液を水にゆっくりと注いで反応を停止させ、トルエンで有機層を抽出し、有機層を２回水洗した。得られた有機層を濃縮し、ヘキサンで再結晶することにより、化合物１９を１．２０ｇ（２．４９ｍｍｏｌ）得た。
参考例２８
（化合物２０の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍｌ三つ口フラスコに、化合物１９を１．００ｇ（２．０７ｍｍｏｌ）、クロロホルムを５０ｍｌ入れ、室温（２５℃）で撹拌し溶解させた。そこへ、臭素０．７２９ｇ（４．５６ｍｍｏｌ）をクロロホルム２０ｍｌに溶解して得られた溶液を、室温で滴下した。１２時間撹拌後、さらに臭素０．３００ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）をクロロホルム１０ｍｌに溶解して得られた溶液を滴下し、５時間反応させた。得られた溶液に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液１００ｍｌを加えて反応を終了し、そのまま室温で撹拌したところ固体が析出した。析出した固体（不溶物）を濾過し、回収した。得られた固体をクロロホルムとＴＨＦとの混合溶媒に溶解させた後、熱濾過し、次いで、再結晶することにより、化合物２０を０．９５ｇ（１．４８ｍｍｏｌ）得た。
参考例２９
（化合物２１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍｌ四つ口フラスコに、窒素雰囲気下で、化合物２０を０．９０ｇ（１．４０ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロンを０．７８ｇ（３．０８ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）を０．０４９ｇ（０．０８３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）２Ｃｌ２を０．０６９ｇ（０．０８３ｍｍｏｌ）、酢酸カリウムを１．８２ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサンを１５ｍｌそれぞれ添加し、１００℃に加熱し、撹拌した。１２時間後、反応液をセライトろ過し、溶媒を除去した。残った固体をヘキサンとトルエンの混合溶媒に溶かして活性炭を加え、９０℃で２時間撹拌した。この懸濁液をセライトで熱ろ過し、溶媒を除去した後、ヘキサンで再結晶することにより、化合物２１を０．５２３ｇ（０．７１ｍｍｏｌ）得た。
参考例３０
（重合体Ｉの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物２１（２２２．０ｍｇ、０．３０２ｍｍｏｌ）、化合物１３（３９５．１ｍｇ、０．３１８ｍｍｏｌ）、トルエン（１０ｍＬ）及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）（６０．６ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。９０℃に昇温後、酢酸パラジウム（０．６７ｍｇ、０．００３ｍｍｏｌ）、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（３．７０ｍｇ、０．０１０５ｍｍｏｌ）を加えた。その後、１００℃で攪拌しながら、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％、１．９０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。５０分後、反応液にフェニルホウ酸（３．６６ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１ｇ）及び純水（１０ｍＬ）を加え、１時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、３重量（ｗｔ）％の酢酸水溶液１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｉを３９２ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｉの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０３，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が５０，０００であった。重合体Ｉの光吸収末端波長は８０５ｎｍであった。
実施例７
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｉを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例３１
（化合物５ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
　参考例１４において３，７－ジメチルオクチルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）の代わりにｎ－ドデシルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）を用いた以外は同様に合成を行い、化合物５ｄを得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：７．２４（ｄ、１Ｈ）、７．２０（ｄ、１Ｈ）、６．９８（ｄ、１Ｈ）、６．７７（ｄ、１Ｈ）、１．８０（ｂ、４Ｈ）、１．３３（ｂ、４０Ｈ）、０．８７（ｓ、６Ｈ）
参考例３２
（化合物６ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
　参考例１５において、化合物５ｃの代わりに化合物５ｄを用いた以外は同様に合成を行い、化合物６ｄを得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．９９（ｄ、１Ｈ）、６．９３（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄ、１Ｈ）、６．５９（ｄ、１Ｈ）、１．７９（ｂ、４Ｈ）、１．３１（ｂ、４０Ｈ）、０．８５（ｓ、６Ｈ）
参考例３３
（化合物１１ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000090
　参考例１６において、化合物６ｃの代わりに化合物６ｄを用いた以外は同様に合成を行い、化合物１１ｄを得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，　δ（ｐｐｍ））：０．８２６（ｔ，１２Ｈ），１．２１（ｍ，７２Ｈ），１．４３（ｍ，８Ｈ），１．９６（ｔ，８Ｈ），６．６５（ｄ，１Ｈ），６．６６（ｓ，１Ｈ），６．９８（ｓ，１Ｈ）
参考例３４
（化合物１２ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000091
　参考例１７において化合物１１の代わりに化合物１１ｄを用いた以外は同様に合成を行い、化合物１２ｄを得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８６２（ｔ，１２Ｈ），１．２１３（ｍ，　７２Ｈ），１．４３２（ｍ，８Ｈ），１．９６８（ｔ，８Ｈ），６．７１５（ｄ，２Ｈ），７．０４５（ｄ，２Ｈ），７．７８６（ｄ，４Ｈ）
参考例３５
（化合物１３ｄの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000092
　参考例１８において、化合物１２の代わりに化合物１２ｄを用いた以外は同様に合成を行い、化合物１３ｄを得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，　δ（ｐｐｍ））：０．８６０（ｔ，１２Ｈ），１．２１３（ｍ，７２Ｈ），１．４２７（ｍ，８Ｈ），１．９４９（ｔ，８Ｈ），６．７１０（ｓ，２Ｈ），　７．７５６（ｓ，４Ｈ）
参考例３６
（化合物２３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000093
　四つ口フラスコに、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，　２００６，　１８（１４），　ｐｐ３２３７－３２４１の記載に従って合成した化合物２２（６．８４７ｇ、１０．００ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン（１０．１６ｇ、４０．００ｍｍｏｌ）及びジオキサン　（１５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウムジクロリド（４０８．３ｍｇ、５ｍｏｌ％）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン　（２７７．２ｍｇ、５ｍｏｌ％）及び塩基である酢酸カリウム（３．９２６ｇ、４０．００ｍｍｏｌ）を加えた後、加熱環流を１０時間行った。反応後、反応液をＨＰＬＣで分析し、化合物２２の消失を確認した。
　その後、フィルターを用いて反応液に難溶である塩基を分離した。次いで、溶媒をエバポレータで留去した。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたシリカゲルカラムを用いて反応生成物の精製を行い、得られた成分のメタノール洗浄を３時間行うことで、淡褐色粉末を得た。該粉末をヘキサン（１００ｍＬ）に溶解させた後、エタノール（１００ｍＬ）を加えた状態で放置することで再結晶を行い、化合物２３を１．３８６ｇ得た。
参考例３７
（重合体Ｊの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000094
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換したフラスコに、化合物２３（２２３．５ｍｇ、０．２８７ｍｍｏｌ）、化合物１３ｄ（４０８．４ｍｇ、０．３０２ｍｍｏｌ）及び、ＴＨＦ（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）を加えた。８０℃で攪拌しながら、炭酸カリウム水溶液（２７．６ｗｔ％、１．５０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。１５分後、フェニルホウ酸（３．６６ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。
　その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１ｇ）及び純水（１０ｍＬ）を加え、１時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、３重量（ｗｔ）％の酢酸水溶液１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｊを３５９ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｊの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が２５，０００であった。重合体Ｊの光吸収末端波長は８１５ｎｍであった。
実施例８
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｊを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例３８
（重合体Ｋの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000095
　参考例２５において化合物１３の代わりに化合物１３ｄを用いた以外は同様にして合成を行い、重合体Ｋを得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｋの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝６４０００、Ｍｎ＝２２０００であった。重合体Ｋの光吸収末端波長は９３０ｎｍであった。
実施例９
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｋを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例３９
（化合物２４の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000096
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物４を１．０４ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦを３５ｍｌ入れて均一な溶液とした。フラスコを－２０℃に保ちながら、２－ヘキシルデシルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）を１５．０ｍＬ加えた。その後、３０分かけて温度を－５℃まで上げ、そのまま３０分攪拌した。その後、１０分かけて温度を０℃に上げ、そのまま１．５時間攪拌を行った。その後、水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで反応生成物を抽出した。ジエチルエーテル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、クロロホルムを展開溶媒として用いたシリカゲルカラムに通し、ろ液の溶媒を留去し、化合物２４を１．３０ｇ得た。
参考例４０
（化合物５ｅの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000097
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物２４を１．３０ｇ（２．９９ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦを３０ｍｌ入れて均一な溶液とした。フラスコを－２０℃に保ちながら、３，７－ジメチルオクチルマグネシウムブロミドのエーテル溶液（１Ｍ）を１５．０ｍＬ加えた。その後、３０分かけて温度を－５℃まで上げ、そのまま３０分攪拌した。その後、１０分かけて温度を０℃に上げ、そのまま１．５時間攪拌を行った。その後、水を加えて反応を停止し、ジエチルエーテルで反応生成物を抽出した。ジエチルエーテル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、クロロホルムを展開溶媒として用いたリカゲルカラムに通し、ろ液の溶媒を留去し、化合物５ｅを１．２０ｇ得た。
参考例４１
（化合物６ｅの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000098
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物５ｅを１．２０ｇ（２．０８ｍｍｏｌ）、トルエンを３０ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液にｐ－トルエンスルホン酸ナトリウム１水和物を１００ｍｇ入れて１００℃で１．５時間攪拌を行った。反応液を室温（２５℃）まで冷却後、該反応液に水５０ｍＬを加え、トルエンで反応生成物を抽出した。トルエン溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（溶媒：ヘキサン）で生成し、化合物６ｅを８０２ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８３３（ｍ，１５Ｈ），１．０－１．５（ｍ，３５Ｈ），　１．８５０（ｍ，４Ｈ），６．６８８（ｍ，　２Ｈ），６．９６６（ｄ，１Ｈ），　７．０２８（ｄ，１Ｈ）
参考例４２
（化合物７ｅの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000099
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに化合物６ｅ（４００ｍｇ、０．７１６ｍｍｏｌ）、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２０ｍＬ）を入れて均一溶液とした。２５℃で３０分間アルゴンバブリングを行った後、－４０℃まで冷却し、ＮＢＳ（２８０．４ｍｇ、１．５７５ｍｍｏｌ）を加え、２時間かけて０℃まで昇温した。反応液に水５０ｍＬを加え、ジエチルエーテルで抽出し、抽出したジエチルエーテル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥後、ろ過し、溶媒を留去した。得られた粗生成物を、ヘキサンを溶媒としたシリカゲルカラムで精製して、化合物７ｅを４３７ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，　δ（ｐｐｍ））：０．８３３（ｍ，１５Ｈ），１．０－１．５（ｍ，３５Ｈ），１．８５０（ｍ，４Ｈ），６．６６０（ｓ，１Ｈ），６．９８０（ｓ，１Ｈ）
参考例４３
（重合体Ｌの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000100
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬ四つ口フラスコに、化合物８（１１０．６ｍｇ、０．２８５ｍｍｏｌ）、化合物７ｅ（２１５．０ｍｇ、０．３００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）を加えた。８０℃で攪拌しながら、炭酸カリウム水溶液（２７．６ｗｔ％、１．５０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。３０分後、フェニルホウ酸（３．６６ｍｇ、０．０３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。
　その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１ｇ）及び純水（１０ｍＬ）を加え、１時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、３重量（ｗｔ）％の酢酸水溶液１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｌを２４２ｍｇ得た。重合体Ｌの光吸収末端波長は９３０ｎｍであった。
実施例１０
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｌを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
実施例１１
　実施例１において重合体Ｂの代わりに重合体Ｄを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
参考例４４
（重合体Ｍの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000101
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物２５（９，９－Ｄｉｏｃｔｙｌ－２，７－ｄｉｂｒｏｍｏｆｌｕｏｒｅｎｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を３０８ｍｇ（０．５６０ｍｍｏｌ）、化合物８（４，７－ｂｉｓ（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）－２，１，３－ｂｅｎｚｏｔｈｉａｄｉａｚｏｌｅ）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）１１０ｍｇ（０．５５２ｍｍｏｌ）、メチルトリアルキルアンモニウムクロリド（商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標）、アルドリッチ社製）２００ｍｇを加え、トルエン１５ｍＬに溶解させ、得られたトルエン溶液をアルゴンで３０分バブリングした。その後、酢酸パラジウム４．０ｍｇ、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（Ｔｒｉｓ（２－ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）１８．８ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液（１６．７ｗｔ％）８．０ｍＬを加え、１００℃で６時間攪拌を行った。その後、フェニルホウ酸５０ｍｇを加え、さらに１００℃で２時間反応させた。その後、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム１ｇと水１０ｍＬを加え、２時間還流下で攪拌を行った。反応終了後、水層を除去し、トルエン層を水２０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３ｗｔ％）２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエン５ｍＬに再度溶解した。トルエン溶液を、アルミナ／シリカゲルカラムを通して精製し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、重合体９２ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｍと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｍの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝４５０００、Ｍｎ＝２１０００であった。重合体Ｍの光吸収末端波長は５４５ｎｍであった。
（比較例３）
　実施例１において、重合体Ｂの代わりに重合体Ｍを用いた以外は同様に素子を作製し、評価を行った。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000102
実施例１２
（有機トランジスタの作製）
　厚さ３００ｎｍのシリコンの熱酸化膜と、アンチモンが高濃度にドーピングされたｎ－型シリコンとを有するシリコン基板をアセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、トルエン１０ｍＬ中にオクタデシルトリクロロシランをシリンジで５滴加えたトルエン溶液をシリコン基板上にスピンコートすることにより熱酸化膜の表面をシラン処理した。シリコンの熱酸化膜がゲート絶縁層として作用し、アンチモンを高濃度でドーピングしたシリコンはゲート電極として作用する。
　次に、重合体Ｊをオルトジクロロベンゼンに溶解し、重合体Ｊの濃度が０．５重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記シラン処理したｎ－型シリコン基板上にスピンコート法により塗布し、厚みが約６０ｎｍである重合体Ｊの塗布膜を形成した。その後、該塗布膜を窒素雰囲気中で１７０℃にて３０分加熱することにより、重合体Ｊの有機半導体薄膜を形成した。
　次に、有機半導体薄膜上にメタルマスクを配置し、真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に三酸化モリブデン及び金を順に積層し、三酸化モリブデンと金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極を作製することにより、有機トランジスタを製造した。
　有機トランジスタの電気特性を、半導体特性評価システム（半導体パラメータアナライザー４２００－ＳＣＳ、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて測定した。ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機トランジスタは、ｐ型の有機トランジスタであることを確認することができた。有機トランジスタにおけるキャリアの飽和電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Ｉｄを表す下記式（ａ）を用いて算出した。
　Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ－Ｖｔ）２　・・・（ａ）
（式中、Ｌは有機トランジスタのチャネル長、Ｗは有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉはゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔはゲート電圧のしきい値電圧を表す。）
　キャリアの電界効果移動度（キャリア移動度）は０．０７４ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。
実施例１３
　重合体Ｊに代えて重合体Ｇを用いた以外は、実施例１２と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．１５３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。
実施例１４
　重合体Ｊにかえて重合体Ｉを用いた以外は、実施例１２と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は６．８０×１０－４ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０４であった。
実施例１５
　重合体Ｊにかえて重合体Ｈを用いた以外は、実施例１２と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．０２９ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０５であった。
実施例１６
　重合体Ｊにかえて重合体Ｌを用いた以外は、実施例１２と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は５．４９×１０－３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０４であった。
実施例１７
　重合体Ｊにかえて重合体Ｄを用いた以外は、実施例１２と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は３．８０×１０－３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０５であった。
実施例１８
　実施例１２において、重合体Ｊにかえて重合体Ｆ、オクタデシルトリクロロシランにかえてβ‐ＰＴＳ（ベータフェニルトリクロロシラン）、オルトジクロロベンゼンにかえてクロロホルム、熱処理温度を１７０℃にかえて１２０℃にした以外は同様にして有機トランジスタ素子を作成し、トランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は７．３×１０－３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０４であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000103
参考例４５
（化合物３０の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000104
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物６ｃを２．１６ｇ（４．５５ｍｍｏｌ）、脱水ＴＨＦを１００ｍＬ入れて均一な溶液とした。該溶液を－７８℃に保ち、該溶液に２．６Ｍのｎ－ブチルリチウムのヘキサン溶液４．３７ｍＬ（１１．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。滴下後、－７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で２時間攪拌した。その後、フラスコを－７８℃に冷却し、トリブチルスズクロリドを４．０７ｇ（１２．５ｍｍｏｌ）加えた。添加後、－７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で３時間攪拌した。その後、水２００ｍｌを加えて反応を停止し、酢酸エチルで反応生成物を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、ろ液をエバポレーターで濃縮し、溶媒を留去した。得られたオイル状の物質をシリカゲルカラムで精製した（展開溶媒：ヘキサン）。シリカゲルカラムのシリカゲルには、あらかじめ５ｗｔ％のトリエチルアミンを含むヘキサンに５分間浸し、その後、ヘキサンで濯いだシリカゲルを用いた。精製後、化合物３０を３．５２ｇ（３．３４ｍｍｏｌ）得た。
１Ｈ　ＮＭＲ　ｉｎ　ＣＤＣｌ３（ｐｐｍ）：６．７２（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄ、１Ｈ）、１．９５－１．８０（ｂ、４Ｈ）、１．６５－１．００（ｂ、５６Ｈ）、０．９０－０．８３（ｍ、３６Ｈ）
　参考例４６
（化合物３１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000105
　５００ｍｌフラスコに、４，５－ジフルオロ－１，２－ジアミノベンゼン（東京化成工業製）を１０．２ｇ（７０．８ｍｍｏｌ）、ピリジンを１５０ｍＬ入れて均一溶液とした。フラスコを０℃に保ったまま、フラスコ内に塩化チオニル１６．０ｇ（１３４ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、フラスコを２５℃に温めて、６時間反応を行った。その後、水２５０ｍｌを加え、クロロホルムで反応生成物を抽出した。クロロホルム溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をエバポレーターで濃縮して析出した固体を再結晶で精製した。再結晶の溶媒には、メタノールを用いた。精製後、化合物３１を１０．５ｇ（６１．０ｍｍｏｌ）得た。
１Ｈ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ）：７．７５（ｔ、２Ｈ）
１９Ｆ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ）：－１２８．３（ｓ、２Ｆ）
参考例４７
（化合物３２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000106
　１００ｍＬフラスコに化合物３１を２．００ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）、鉄粉０．２０ｇ（３．５８ｍｍｏｌ）をいれ、フラスコを９０℃に加熱した。このフラスコに臭素３１ｇ（１９４ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下後、９０℃で３８時間攪拌した。その後、フラスコを室温（２５℃）まで冷却し、クロロホルム１００ｍＬを入れて希釈した。得られた溶液を、５ｗｔ％の亜硫酸ナトリウム水溶液３００ｍＬに注ぎ込み、１時間攪拌した。得られた混合液の有機層を分液ロートで分離し、水層をクロロホルムで３回抽出した。得られた抽出液を先ほど分離した有機層と合わせて硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、ろ液をエバポレーターで濃縮し、溶媒を留去した。得られた黄色の固体を、５５℃に熱したメタノール９０ｍＬに溶解させ、その後、２５℃まで冷却した。析出した結晶をろ過回収し、その後、室温（２５℃）で減圧乾燥して化合物３２を１．５０ｇ得た。
１９Ｆ　ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、ｐｐｍ）：－１１８．９（ｓ、２Ｆ）
参考例４８
（重合体Ｐの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000107
　フラスコ内の気体をアルゴンで置換した２００ｍＬフラスコに、化合物３０を５００ｍｇ（０．４７５ｍｍｏｌ）、化合物３２を１４１ｍｇ（０．４２７ｍｍｏｌ）、トルエン３２ｍｌを入れて均一溶液とした。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。その後、トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを６．５２ｍｇ（０．００７ｍｍｏｌ）、トリス（２－トルイル）ホスフィン１３．０ｍｇを加え、１００℃で６時間攪拌した。その後、反応液にフェニルブロミドを５００ｍｇ加え、さらに５時間攪拌した。その後、フラスコを２５℃に冷却し、反応液をメタノール３００ｍＬに注いだ。析出したポリマーをろ過して回収し、得られたポリマーを、円筒ろ紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ５時間抽出した。円筒ろ紙内に残ったポリマーを、トルエン１００ｍＬに溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム２ｇと水４０ｍＬを加え、８時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、次いで、３ｗｔ％の酢酸水溶液５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、水５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、５％フッ化カリウム水溶液５０ｍＬで２回洗浄し、次いで、水５０ｍＬで２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをｏ－ジクロロベンゼン５０ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムを通した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製された重合体１８５ｍｇを得た。以下、この重合体を重合体Ｐと呼称する。ＧＰＣで測定した重合体Ｐの分子量（ポリスチレン換算）はＭｗ＝２９０００、Ｍｎ＝１４０００であった。
実施例１９
（インク及び有機薄膜太陽電池の作製、評価）
　スパッタ法によりＩＴＯ膜を１５０ｎｍの厚みで付けたガラス基板を、オゾンＵＶ処理することで、表面処理を行った。次に、重合体Ｐ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１－酪酸メチルエステル）（ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ、フロンティアカーボン社製）を、重合体Ｐに対するＣ６０ＰＣＢＭの重量比が３となるよう、オルトジクロロベンゼンに溶解し、インク２を製造した。インク２中、重合体Ｐの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量との合計は、インク２の重量に対して２．０重量％であった。該インク２を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、重合体Ｐを含む有機膜を作製した。該有機膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。有機膜の光吸収末端波長を測定したところ、８９０ｎｍであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ２ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ－ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクター（曲線因子）を求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１２．２ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．７１Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））が０．６４であり、光電変換効率（η）は５．５４％であった。
実施例２０
（インク及び有機薄膜太陽電池の作製、評価）
　実施例１９において、フラーレンＣ６０ＰＣＢＭの代わりにフラーレンＣ７０ＰＣＢＭ（［６，６］フェニル－Ｃ７１酪酸メチルエステル（［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ７１　ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ））を用いた以外は同様にして有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクター（曲線因子）を求めた。有機膜の光吸収末端波長は８９０ｎｍ、Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１５．９ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．７１５Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．５９であり、光電変換効率（η）は、６．７２％であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000108
参考例４９
（化合物３６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000109
　四つ口フラスコに、化合物３２を１２．３０ｇ（３７．２８ｍｍｏｌ)、ビス（ピナコラート）ジボロンを２３．６７ｇ（９３．２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウムを９．１５ｇ（９３．２０ｍｍｏｌ）及び、ジオキサンを５００ｍＬ加え、室温(２５℃)で３０分間アルゴンバブリングを行った。反応液にジフェニルホスフィノフェロセンパラジウムジクロリドを１．５２ｇ（１．８６ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィノフェロセンを１．０３ｍｇ（１．８６ｍｍｏｌ）加えた後、加熱還流を６０時間行った。還流後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。反応液をセライトろ過して不溶分を分離した後、ろ液を乾燥させて溶媒を除去し、褐色固体を得た。得られた褐色固体に、熱ヘキサン２００ｍＬを加えてろ過し、ろ液を乾燥させて溶媒を除去して粗結晶を得た。続いて、粗結晶をヘキサンで再結晶した。再結晶を２回行い、化合物３６を３．１２ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：１．４５（ｓ，２４Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１１７（ｓ，２Ｆ）
参考例５０
（化合物３７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000110
　四つ口フラスコを用いて、化合物１１（１．３５２ｇ，２．４４２ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（２５ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２１．６ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（２７．４ｍｇ，０．０９４ｍｍｏｌ）及び、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，５．９０ｇ，１１．７９ｍｍｏｌ）を加えた。８０℃で攪拌しながら、化合物３６（０．５００ｇ，１．１７９ｍｍｏｌ）を、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶かした溶液を、２０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、ヘキサン抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで化合物３７を６６５ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８２（ｍ，３６Ｈ），１．０８－１．４７（ｍ，４０Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０７（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２５（ｓ，２Ｆ）
参考例５１
（化合物３８の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000111
　四つ口フラスコを用いて、化合物３７（６５７ｍｇ、０．５８８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。０℃まで冷却後、ＮＢＳ（２３０ｍｇ、１．３０ｍｍｏｌ）を加え、４０℃まで昇温した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物３８を６８５ｍｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８２（ｍ，３６Ｈ），１．０８－１．４７（ｍ，４０Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７３（ｓ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２９（ｓ，２Ｆ）
参考例５２
（化合物３９の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000112
　四つ口フラスコを用いて、マグネシウム（３．５０ｇ，１４４．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（７２ｍＬ）、３，７，１１－トリメチルドデシルブロマイド（２０．９８ｇ，７２．０３ｍｍｏｌ）を加え、グリニャー試薬（１ｍｏｌ／Ｌ）を調製した。別の四つ口フラスコを用いて、化合物４（５．００ｇ，２４．０１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－４０℃に冷却後、先ほど調製したグリニャー試薬を加え、０℃まで昇温しながら攪拌することで、３時間後に原料の消失を確認した。
　系中に水を入れ、クロロホルム抽出を行い、クロロホルムを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物３９を含む混合オイルを得た。
参考例５３
（化合物４０の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000113
　四つ口フラスコを用いて、参考例５２で合成した化合物３９を含む混合オイルの全量、トルエン（１００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。次に、パラ－トルエンスルホン酸１水和物（５００ｍｇ）を加えた後、１２０℃に昇温して攪拌を行い、１時間後に原料の消失を確認した。系中に水を入れ、酢酸エチルを用いた抽出を行った。ヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物４０を１５．６ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８０～０．８８（ｍ，２４Ｈ），０．９７～１．６２（ｍ，３４Ｈ），１．８７（ｑ，４Ｈ），６．６７（ｄ，１Ｈ），６．６９（ｄ，１Ｈ），６．９６（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｄ，１Ｈ）
参考例５４
（化合物４１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000114
　四つ口フラスコを用いて、化合物４０（７．９９５ｇ，１３．００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１６０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－３０℃に冷却後、Ｎ－ブロモスクシイミド（１．８５ｇ，１０．４ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃で２時間攪拌することで、９０％の原料が消失したので、反応を停止した。系中に水を入れ、ジエチルエーテル抽出を行い、ヘキサンを用いたカラム精製を行った。乾燥することで、化合物４１を７．４７ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８２～０．８８（ｍ，２４Ｈ），０．９５～１．６０（ｍ，３４Ｈ），１．８２（ｑ，４Ｈ），６．６４（ｓ，１Ｈ），６．６５（ｓ，１Ｈ），６．９８（ｄ，１Ｈ）
参考例５５
（化合物４２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000115
　四つ口フラスコを用いて、化合物４１（１．７２９ｇ，２．４９１ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（２５ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２１．６ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（２７．４ｍｇ，０．０９４ｍｍｏｌ）及び、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，５．９０ｇ，１１．７９ｍｍｏｌ）を加えた。４５℃で攪拌しながら、化合物３６（０．５００ｇ，１．１７９ｍｍｏｌ）を、塩化メチレン（２０ｍＬ）に溶かした溶液を、２０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、ヘキサン抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで化合物４２を１．２１ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．７０－０．９５（ｍ，４８Ｈ），０．９６－１．６０（ｍ，６８Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｄ，２Ｈ），７．０８（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２５（ｓ，２Ｆ）
参考例５６
（化合物４３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000116
　四つ口フラスコを用いて、化合物４２（１．２１４ｇ、０．８６８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（４０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。０℃まで冷却後、ＮＢＳ（３４０ｍｇ、１．９１ｍｍｏｌ）を加え、４０℃まで昇温した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物４３を１．２３ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．６５－０．９６（ｍ，４８Ｈ），０．９８－１．６２（ｍ，６８Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７３（ｓ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２９（ｓ，２Ｆ）
参考例５７
（化合物４４の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000117
　四つ口フラスコを用いて、化合物１１ｄ（３．３８８ｇ，５．５５６ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（８６．４ｍｇ，０．０９４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（１０９．５ｍｇ，０．３７７ｍｍｏｌ）及び、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１１．７９ｇ，２３．５８ｍｍｏｌ）を加えた。４５℃で攪拌しながら、化合物３６（１．０００ｇ，２．３５８ｍｍｏｌ）を、塩化メチレン（５０ｍＬ）に溶かした溶液を、２０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、ヘキサン抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで化合物４４を１．８８ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８６（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５０（ｍ，８０Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０７（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２５（ｓ，２Ｆ）
参考例５８
（化合物４５の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000118
　四つ口フラスコを用いて、化合物４４（１．８８４ｇ、１．５３２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（６０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。０℃まで冷却後、ＮＢＳ（６００ｍｇ、３．３７ｍｍｏｌ）を加え、４０℃まで昇温した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物４５を１．８８ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８６（ｔ，１２Ｈ），１．１８－１．５０（ｍ，８０Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２９（ｓ，２Ｆ）
参考例５９
（化合物４６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000119
　四つ口フラスコを用いて、化合物４（６．００ｇ，２８．８１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２４０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－４０℃に冷却後、ｎ－ペンタデシルマグネシウムブロミド（０．５ｍｏｌ／Ｌ　テトラヒドロフラン溶液，１７３ｍＬ）を加え、０℃まで昇温しながら攪拌することで、３時間後に原料の消失を確認した。
　系中に水を入れ、クロロホルム抽出を行い、クロロホルムを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物４６を含む混合オイルを得た。
参考例６０
（化合物４７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000120
　四つ口フラスコを用いて、実施例５９で合成した化合物４６を含む混合オイルの全量、トルエン（１２０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。次に、パラ－トルエンスルホン酸１水和物（６００ｍｇ）を加えた後、１２０℃に昇温して攪拌を行い、１時間後に原料の消失を確認した。系中に水を入れ、酢酸エチルを用いた抽出を行った。ヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物４７を１８．４ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８２（ｔ，６Ｈ），１．２１（ｍ，４８Ｈ），１．４３（ｍ，４Ｈ），１．９６（ｔ，４Ｈ），６．６７（ｄ，１Ｈ），６．６９（ｄ，１Ｈ），６．９６（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｄ，１Ｈ）
参考例６１
（化合物４８の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000121
　四つ口フラスコを用いて、化合物４７（２３．２ｇ，３７．８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（３４０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－３０℃に冷却後、Ｎ－ブロモスクシイミド（６．０５ｇ，３４．０ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃で２時間攪拌することで、９０％の原料が消失したので、反応を停止した。系中に水を入れ、ジエチルエーテル抽出を行い、ヘキサンを用いたカラム精製を行った。乾燥することで、化合物４８を２３．３ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８３（ｔ，６Ｈ），１．２３（ｍ，４８Ｈ），１．４４（ｍ，４Ｈ），１．９８（ｔ，４Ｈ），６．６５（ｄ，１Ｈ），６．６６（ｓ，１Ｈ），６．９８（ｓ，１Ｈ）
参考例６２
（化合物４９の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000122
　四つ口フラスコを用いて、化合物４８（１．６９５ｇ，２．４４２ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２１．６ｍｇ，０．０２４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（２７．４ｍｇ，０．０９４ｍｍｏｌ）及び、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，５．９０ｇ，１１．７９ｍｍｏｌ）を加えた。４５℃で攪拌しながら、化合物３６（０．５００ｇ，１．１７９ｍｍｏｌ）を、塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶かした溶液を、２０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、ヘキサン抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで化合物４９を１．００ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８７（ｔ，１２Ｈ），０．９０－１．４６（ｍ，１０４Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０７（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２５（ｓ，２Ｆ）
参考例６３
（化合物５０の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000123
　四つ口フラスコを用いて、化合物４９（１．００１ｇ、０．７１６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。０℃まで冷却後、ＮＢＳ（２８０ｍｇ、１．５７３ｍｍｏｌ）を加え、４０℃まで昇温した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物５０を１．０４ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８７（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５０（ｍ，１０４Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２９（ｓ，２Ｆ）
参考例６４
（化合物５１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000124
　四つ口フラスコを用いて、マグネシウム（３．５０ｇ，１４４．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（７２ｍＬ）、ｎ－オクタデシルブロマイド（２４．０１ｇ，７２．０３ｍｍｏｌ）を加え、グリニャー試薬（１　ｍｏｌ／Ｌ）を調製した。別の四つ口フラスコを用いて、化合物４（５．００ｇ，２４．０１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－４０℃に冷却後、先ほど調製したグリニャー試薬を加え、０℃まで昇温しながら攪拌することで、３時間後に原料の消失を確認した。
　系中に水を入れ、クロロホルム抽出を行い、クロロホルムを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物５１を含む混合オイルを得た。
参考例６５
（化合物５２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000125
　四つ口フラスコを用いて、参考例６４で合成した化合物５１を含む混合オイルの全量、トルエン（２００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。次に、パラ－トルエンスルホン酸１水和物（１０００ｍｇ）を加えた後、１２０℃に昇温して攪拌を行い、１時間後に原料の消失を確認した。系中に水を入れ、酢酸エチルを用いた抽出を行った。ヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで、化合物５２を２３．１ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８１（ｔ，６Ｈ），１．２１（ｍ，６０Ｈ），１．４３（ｍ，４Ｈ），１．９６（ｔ，４Ｈ），６．６７（ｄ，１Ｈ），６．６９（ｄ，１Ｈ），６．９６（ｄ，１Ｈ），７．０３（ｄ，１Ｈ）
参考例６６
（化合物５３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000126
　四つ口フラスコを用いて、化合物５２（１．５００ｇ，２．１４５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。－３０℃に冷却後、Ｎ－ブロモスクシイミド（３４３．３ｍｇ，１．９３１ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃で２時間攪拌することで、９０％の原料が消失したので、反応を停止した。系中に水を入れ、ジエチルエーテル抽出を行い、ヘキサンを用いたカラム精製を行った。乾燥することで、化合物５３を１．６５７ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８３（ｔ，６Ｈ），１．２１（ｍ，６０Ｈ），１．４３（ｍ，４Ｈ），１．９７（ｔ，４Ｈ），６．６５（ｄ，１Ｈ），６．６６（ｓ，１Ｈ），６．９７（ｓ，１Ｈ）
参考例６７
（化合物５４の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000127
　四つ口フラスコを用いて、化合物５３（１．６５７ｇ，２．１２９ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（２２ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（３８．８ｍｇ，０．０４２ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（４９．２ｍｇ，０．１７０ｍｍｏｌ）及び、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，５．３０ｇ，１０．６０ｍｍｏｌ）を加えた。４５℃で攪拌しながら、化合物３６（０．４５０ｇ，１．０６１ｍｍｏｌ）を、塩化メチレン（２０ｍＬ）に溶かした溶液を、２０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、ヘキサン抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラム精製を行った後、乾燥することで化合物５４を１．６５７ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８８（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５３（ｍ，１２８Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０８（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２５（ｓ，２Ｆ）
参考例６８
（化合物５５の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000128
　四つ口フラスコを用いて、化合物５４（１．１６６ｇ、０．７４４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１２０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。０℃まで冷却後、ＮＢＳ（２９１ｍｇ、１．６４ｍｍｏｌ）を加え、４０℃まで昇温した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物５５を１．１８ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８７（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５０（ｍ，１２８Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ）
１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：－１２９（ｓ，２Ｆ）
参考例６９
（化合物５６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000129
　四つ口フラスコを用いて、化合物８（１．５０１ｇ，３．８６８ｍｍｏｌ）、化合物４１（６．０４５ｇ，８．７１０ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後反応液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（７０．８ｍｇ，０．０７７３ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（８９．７ｍｇ，０．３０９ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を４５℃で攪拌しながら、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１９．３６ｇ，３８．６５ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、さらにヘキサンを加えて有機層の抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の精製を行った後、有機層を乾燥することで化合物５６を５．４３２ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．７０－０．８６（ｍ，４８Ｈ），０．９０－１．６０（ｍ，６８Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），７．７７（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｄ，２Ｈ）
参考例７０
（化合物５７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000130
　四つ口フラスコを用いて、化合物５６（５．２６５ｇ、３．８６５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。反応液を－３０℃まで冷却後、ＮＢＳ（１．５１３ｇ、８．５０１ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃まで３０分かけて昇温し、１時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物５７を４．２４ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．７７－０．９１（ｍ，４８Ｈ），０．９５－１．６０（ｍ，６８Ｈ），１．９６（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
参考例７１
（化合物５８の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000131
　四つ口フラスコを用いて、化合物８（６．３６ｇ，１６．３９ｍｍｏｌ）、化合物４８（２３．３２ｇ，３３．６０ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（６００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（３００．２ｍｇ，０．３２８ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（３８０．５ｍｇ，１．３１１ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を４５℃で攪拌しながら、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，８１．９７ｇ，１６３．９４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、さらにヘキサンを加えて有機層の抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の精製を行った後、有機層を乾燥することで化合物５８を１５．０２ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８７（ｔ，１２Ｈ），０．９０－１．４６（ｍ，１０４Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），７．７７（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｄ，２Ｈ）
参考例７２
（化合物５９の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000132
　四つ口フラスコを用いて、化合物５８（１５．８９ｇ、１１．６６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（３２０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。反応温度を－３０℃まで冷却後、ＮＢＳ（４．５７ｇ、２５．６８ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃まで３０分かけて昇温し、液体クロマトグラフィーにより１時間後に原料の消失を確認した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物５９を１５．２４ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８８（ｔ，１２Ｈ），０．９３－１．５２（ｍ，１０４Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
参考例７３
（化合物６０の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000133
　四つ口フラスコを用いて、化合物８（１．１６４ｇ，３．０００ｍｍｏｌ）、化合物５３（４．６６９ｇ，６．０００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（１００ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２７．４７ｍｇ，０．０３０ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（３４．８２ｍｇ，０．１２０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液を４５℃で攪拌しながら、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１５．００ｇ，３０．００ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。２時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。系中に水を入れ、さらにヘキサンを加えて有機層の抽出を行い、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の精製を行った後、有機層を乾燥することで化合物６０を２．９８５ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８８（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５３（ｍ，１２８Ｈ），１．９７（ｍ，８Ｈ），６．７１（ｄ，２Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．８０（ｄ，２Ｈ）
参考例７４
（化合物６１の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000134
　四つ口フラスコを用いて、化合物６０（２．９８５ｇ、１．９５０ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（６０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。反応液を－３０℃まで冷却後、ＮＢＳ（９７０ｍｇ、４．８７５ｍｍｏｌ）を加え、－１０℃まで３０分かけて昇温し、１時間後、液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。１時間後に原料の消失を確認した。その後、反応液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、ヘキサンを用いて有機層の抽出を行った。その後、展開溶媒にヘキサンを用いたカラムで有機層の分離を行い、分離して得られた成分を乾燥させることで、化合物６１を２．７２ｇ得た。
１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））：０．８７（ｔ，１２Ｈ），０．９５－１．５０（ｍ，１２８Ｈ），１．９５（ｍ，８Ｈ），６．７２（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｓ，２Ｈ），７．７８（ｓ，２Ｈ）
参考例７５
（重合体Ｖの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000135
　四つ口フラスコを用いて、化合物３８（１９１．３ｍｇ，０．１５０ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（２４ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２．７５ｍｇ、０．００３ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（３．４８ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，０．８ｇ，１．６ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、塩化メチレン（６ｍＬ）に溶解させた、化合物３６（６３．６ｍｇ，０．１５０ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（１５．０ｍｇ、０．１２３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１ｇ）及び純水（１０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水５０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）５０ｍＬで２回、さらに水５０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｖを５０ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｖの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２５，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が１０，０００であった。重合体Ｖの吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例７６
（重合体Ｗの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000136
　四つ口フラスコを用いて、化合物４３（４４０．０ｍｇ，０．２８０ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（５０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）、リンカリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、塩化メチレン（１２ｍＬ）に溶解させた、化合物３６（１２０．０ｍｇ，０．２８０ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（１５０ｍｇ、１．２３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１０ｇ）及び純水（１００ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水５００ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）２００ｍＬで２回、さらに水２００ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｗを１５０ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｗの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が８，５００、数平均分子量（Ｍｎ）が４，０００であった。重合体Ｗの吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例７７
（重合体Ｘの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000137
　四つ口フラスコを用いて、化合物４３（５０．５ｍｇ，０．０３２ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（５ｍＬ）に溶解させた、化合物８（１２．４ｍｇ，０．０３２ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（３０．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１．５ｇ）及び純水（１３．５ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１５ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）１５ｍＬで２回、さらに水１５ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｘを２４ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｘの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２５，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が１０，０００であった。重合体Ｘの吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例７８
（重合体Ｙの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000138
　四つ口フラスコを用いて、化合物４５（４１６．３ｍｇ，０．３００ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（１０．９９ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（１３．９３ｍｇ、０．０４８ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物３６（１２７．２ｍｇ，０．３００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（３０．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（２．５ｇ）及び純水（２２．５ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水３０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）３０ｍＬで２回、さらに水３０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｙを１５６ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｙの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が７６，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が３１，０００であった。重合体Ｙの吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例７９
（重合体Ｚの合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000139
　四つ口フラスコを用いて、化合物４５（２７７．５ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（４０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（３．６６ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（４．６４ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．０ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物８（７７．６ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（２０．０ｍｇ、０．１６４ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１．０ｇ）及び純水（９．０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚを４４ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚの分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３５，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が１５，０００であった。重合体Ｚの吸収端波長は９５０ｎｍであった。
参考例８０
（重合体Ｚ２の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000140
　四つ口フラスコを用いて、化合物５０（３１１．２ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）及び、塩化メチレン（１０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（７．３２ｍｇ、０．００８ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（９．２８ｍｇ、０．０３２ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．０ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、塩化メチレン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物３６（８４．８ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（２０．０ｍｇ、０．１６４ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１．７ｇ）及び純水（１５．０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水２０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）２０ｍＬで２回、さらに水２０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ２を１９７ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ２の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２４０，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が９０，０００であった。重合体Ｚ２の吸収端波長は９５０ｎｍであった。
参考例８１
（重合体Ｚ３の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000141
　四つ口フラスコを用いて、化合物５０（２５２．２ｍｇ，０．１６２ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（３．６６ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（４．６４ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．０ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物８（６２．９ｍｇ，０．１６２ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（２０．０ｍｇ、０．１６４ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１．０ｇ）及び純水（９．０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ３を１６５ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ３の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が３００，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が１００，０００であった。重合体Ｚ３の吸収端波長は９５０ｎｍであった。
参考例８２
（重合体Ｚ４の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000142
　四つ口フラスコを用いて、化合物５５（３４４．９ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（１２ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（３．６６ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（４．６４ｍｇ、０．０１６ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．０ｇ，２．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物８（７７．６ｍｇ，０．２００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（２０．０ｍｇ、０．１６４ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（１．０ｇ）及び純水（９．０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水１０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）１０ｍＬで２回、さらに水１０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ４を２３６ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ４の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０１，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００であった。重合体Ｚ４の吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例８３
（重合体Ｚ５の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000143
　四つ口フラスコを用いて、化合物５７（４５５．３ｍｇ，０．３００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．５０ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（７．０ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた、化合物８（１２２．３ｍｇ，０．３１５ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（３０．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（２．５ｇ）及び純水（２２．５ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水３０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）３０ｍＬで２回、さらに水３０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ５を３４３．９ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ５の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が７０，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が２７，０００であった。重合体Ｚ５の吸収端波長は９４０ｎｍであった。
参考例８４
（重合体Ｚ６の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000144
　四つ口フラスコを用いて、化合物５９（９１２．０ｍｇ，０．６００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（４２ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（５．４９ｍｇ、０．００６ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（６．９６ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，３．０ｇ，６．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（１８ｍＬ）に溶解させた、化合物８（２３２．９ｍｇ，０．６００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（６０．０ｍｇ、０．４９２ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（５．０ｇ）及び純水（４５．０ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水６０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）６０ｍＬで２回、さらに水６０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ６を７７９．０ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ６の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１１６，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が４０，０００であった。重合体Ｚ６の吸収端波長は９５０ｎｍであった。
参考例８５
（重合体Ｚ７の合成）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000145
　四つ口フラスコを用いて、化合物６１（５０６．５ｍｇ，０．３００ｍｍｏｌ）及び、テトラヒドロフラン（２１ｍＬ）を加え、室温（２５℃）で３０分間アルゴンバブリングを行った。その後、反応液にトリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（２．７５ｍｇ、０．００３ｍｍｏｌ）、［トリ（ターシャリーブチル）ホスホニウム］テトラフルオロボレート（３．４８ｍｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ，１．５ｇ，３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応液をオイルバス温度４０℃で撹拌しながら、テトラヒドロフラン（９ｍＬ）に溶解させた、化合物８（１１６．４ｍｇ，０．３００ｍｍｏｌ）の溶液を１０分かけて滴下し、３０分間攪拌した。その後、反応液にフェニルホウ酸（３０．０ｍｇ、０．２４６ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間攪拌した後、反応を停止した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。
　その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（２．５ｇ）及び純水（２２．５ｍＬ）を加え、３時間還流しながら攪拌を行った。反応液中の水層を除去後、有機層を水３０ｍｌで２回、酢酸水溶液（３重量（ｗｔ）％）３０ｍＬで２回、さらに水３０ｍＬで２回洗浄し、メタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、アルミナ／シリカゲルカラムを通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーろ過後、乾燥し、重合体Ｚ７を４４０．５ｍｇ得た。
　ＧＰＣで測定した重合体Ｚ７の分子量（ポリスチレン換算）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が５５，０００、数平均分子量（Ｍｎ）が２０，０００であった。重合体Ｚ７の吸収端波長は９４０ｎｍであった。
実施例２１
（有機トランジスタの作製）
　厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を有する高濃度にドーピングされたｎ－型シリコン基板をアセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、トルエン１０ｍｌに５滴（シリンジで採取して滴下）の割合で希釈したβ－フェニチルトリクロロシランをスピンコートすることにより熱酸化膜表面をシラン処理した。
　次に重合体Ｘを、オルトジクロロベンゼンに溶解し、重合体Ｘの濃度が０．５重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し、重合体Ｘの塗布膜（厚み：約３０ｎｍ）を形成した。さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で１７０℃にて３０分熱処理することにより、重合体Ｘの有機半導体薄膜を形成した。
　更に、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に、有機半導体薄膜側から三酸化モリブデン及び金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極を作製することにより、有機トランジスタを製造した。
実施例２２
（有機トランジスタの評価）
　有機トランジスタの電気特性を、半導体パラメータ４２００（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて測定した。その結果、重合体Ｘを用いた有機トランジスタのドレイン電圧（Ｖｄ）に対するドレイン電流（Ｉｄ）の変化曲線は、良好であり、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機トランジスタは、ｐ型の有機トランジスタであることを確認することができた。有機トランジスタにおけるキャリアの電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Ｉｄを表す下記式（ａ）を用いて算出した。
　Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ－Ｖｔ）２　・・・（ａ）
（式中、Ｌは有機トランジスタのチャネル長、Ｗは有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉはゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔはゲート電圧のしきい値電圧を表す。）
　その結果、キャリアの電界効果移動度（キャリア移動度）は０．０３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０５であった。結果を表４に示す。
実施例２３
　重合体Ｘにかえて重合体Ｙを用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．０７ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例２４
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚを用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．０６ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例２５
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚ２を用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．１３ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例２６
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚ３を用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．２５ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例２７
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚ４を用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．１２ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例２８
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚ５を用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．０４ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０５であった。結果を表４に示す。
実施例２９
　重合体Ｘにかえて重合体Ｚ６を用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．３２ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
実施例３０
　重合体Ｘにかえて重合体Ｋを用いた以外は、実施例２１と同様の方法で有機トランジスタ素子を作製し、実施例２２と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は０．３０ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は１０６であった。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000146
実施例３１
（インク及び有機薄膜太陽電池の作製、評価）
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板を、オゾンＵＶ処理して表面処理を行った。次に、重合体Ｘ及びフラーレンＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１－酪酸メチルエステル）（ｐｈｅｎｙｌ　Ｃ６１－ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ、フロンティアカーボン社製）を、重合体Ｘの重量に対するＣ６０ＰＣＢＭの重量の比が３となるようにオルトジクロロベンゼンに溶解し、インクを製造した。インクの重量に対して、重合体Ｘの重量とＣ６０ＰＣＢＭの重量の合計は２．０重量％であった。該インクをスピンコートによりガラス基板上に塗布し、重合体Ｘを含む有機膜を作製した。膜厚は約１００ｎｍであった。このようにして作製した有機膜の光吸収端波長は９４０ｎｍであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ２ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着し、有機薄膜太陽電池を製造した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ－ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１１．２０ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．６２Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．６７であり、光電変換効率（η）は４．６３％であった。結果を表５に表す。
実施例３２
　重合体Ｗにかえて重合体Ｙを用いた以外は、実施例３１と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は５．００ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．６９Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．５６であり、光電変換効率（η）は１．９６％であった。結果を表５に表す。
実施例３３
　重合体Ｗにかえて重合体Ｚ２を用いた以外は、実施例３１と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は６．６７ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．７１Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．６６であり、光電変換効率（η）は３．１１％であった。結果を表５に表す。
実施例３４
　重合体Ｗにかえて重合体Ｚ３を用いた以外は、実施例３１と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Ｊｓｃ（短絡電流密度）は１０．７３ｍＡ／ｃｍ２であり、Ｖｏｃ（開放端電圧）は０．５８Ｖであり、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））は０．６５であり、光電変換効率（η）は４．０２％であった。結果を表５に表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000147

Claims (9)

  1. 　第１の電極と第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有する光電変換素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     〔式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｘ１及びＸ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。また、Ｘ１とＡｒ２は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子に結合している。〕
  2. 　１価の有機基が、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基又はシアノ基である請求項１記載の光電変換素子。
  3. 　Ｘ２が－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－である請求項１に記載の光電変換素子。
  4. 　Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも一方が、チオフェン環から水素原子を３個取り除いた基である請求項１に記載の光電変換素子。
  5. 　Ｘ１が－Ｏ－である請求項１に記載の光電変換素子。
  6. 　式（１）で表される構造単位が、式（２）で表される構造単位である請求項１に記載の光電変換素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、Ｒ５０及びＲ５１は、それぞれ前記と同じ意味を表す。Ｒ１０及びＲ１１は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。）
  7. 　請求項１に記載の光電変換素子を含む太陽電池モジュール。
  8. 　請求項１に記載の光電変換素子を含むイメージセンサー。
  9. 　ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層とを有し、該活性層に式（１）で表される構造単位を有する化合物を含有する有機薄膜トランジスタ。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     〔式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、同一又は相異なり、３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を表す。ただし、Ａｒ１及びＡｒ２のうち、少なくとも一方は３価の複素環基である。Ｘ１及びＸ２は、同一又は相異なり、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－ＳＯ２－、－Ｃ（Ｒ５０）（Ｒ５１）－、－Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）－、－Ｎ（Ｒ５）－、－Ｂ（Ｒ６）－、－Ｐ（Ｒ７）－又は－Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ８）－を表す。Ｒ５０、Ｒ５１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表す。また、Ｘ１とＡｒ２は、Ａｒ１を構成する環において互いに隣接する原子に結合し、Ｘ２とＡｒ１は、Ａｒ２を構成する環において互いに隣接する原子に結合している。〕
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