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WO2010150749A1 - 太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール Download PDF

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WO2010150749A1
WO2010150749A1 PCT/JP2010/060480 JP2010060480W WO2010150749A1 WO 2010150749 A1 WO2010150749 A1 WO 2010150749A1 JP 2010060480 W JP2010060480 W JP 2010060480W WO 2010150749 A1 WO2010150749 A1 WO 2010150749A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductivity type
wiring
electrode
solar cell
type electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/060480
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
安紀子 常深
泰史 道祖尾
友宏 仁科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Priority to EP10792067A priority patent/EP2448008A1/en
Priority to JP2011519888A priority patent/JPWO2010150749A1/ja
Priority to US13/379,154 priority patent/US9048360B2/en
Publication of WO2010150749A1 publication Critical patent/WO2010150749A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H10F19/908—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells for back-contact photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/219—Arrangements for electrodes of back-contact photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a solar battery cell, a solar battery cell with a wiring sheet, and a solar battery module.
  • solar cells that convert solar energy into electrical energy have been rapidly expected as next-generation energy sources.
  • solar cells such as those using compound semiconductors and those using organic materials, but currently, solar cells using silicon crystals are the mainstream.
  • the most manufactured and sold solar cells have an n-electrode formed on the surface on which sunlight is incident (light-receiving surface), and a p-electrode on the surface opposite to the light-receiving surface (back surface). It is of the formed structure.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-310830
  • a back electrode type in which an electrode is not formed on the light receiving surface of a solar battery cell and an n electrode and a p electrode are formed only on the back surface of the solar battery cell.
  • a solar cell is disclosed.
  • the electric energy that can be used is limited in the back electrode type solar cell unit having the configuration disclosed in Patent Document 1 described above. Therefore, a method of electrically connecting a plurality of back electrode type solar cells having the above-described configuration to form a solar cell module has been studied.
  • a solar cell with a wiring sheet in which a back electrode type solar cell is installed on a wiring sheet is sealed.
  • a method of forming a solar cell module by sealing with a stopper is considered.
  • a back electrode type solar cell 80 and a wiring sheet 100 are adhered by an insulating adhesive 116 to produce a solar cell with a wiring sheet.
  • the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80 is the insulating property of the wiring sheet 100.
  • the electrode 7 is installed on the second conductivity type wiring 13 formed on the insulating substrate 11 of the wiring sheet 100.
  • a texture structure is formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80, and the antireflection film 5 is formed on the texture structure.
  • a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 80.
  • the solar cell with a wiring sheet produced as described above is sealed with a transparent substrate 17 such as a glass substrate provided with a sealing material 18 such as ethylene vinyl acetate, and the like.
  • a solar battery module is sandwiched between a back film 19 such as a polyester film provided with a stopper 18 and a back electrode type solar battery cell 80 constituting a solar battery cell with a wiring sheet is sealed in the sealing material 18. Is produced.
  • the solar cell module can be efficiently used. Can be manufactured automatically.
  • an object of the present invention is to provide a solar battery cell, a solar battery cell with a wiring sheet, and a solar battery module that can suppress deterioration in characteristics of the solar battery module.
  • the present invention provides a semiconductor substrate, a first conductivity type impurity diffusion region and a second conductivity type impurity diffusion region formed on one surface side of the semiconductor substrate, and a first conductivity type disposed on the first conductivity type impurity diffusion region.
  • Precipitation of a metal having a conductivity type electrode and a second conductivity type electrode disposed on the second conductivity type impurity diffusion region, and a surface of the first conductivity type electrode constituting the first conductivity type electrode A solar cell that is covered with a migration suppressing layer for suppressing the above, and at least one of the surface of the migration suppressing layer that covers the first conductivity type electrode and the surface of the second conductivity type electrode is covered with an insulating member It is a cell.
  • the migration suppression layer and the insulating member are respectively arranged so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode.
  • the migration suppression layer and the insulating member are respectively arranged so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode.
  • it is.
  • this invention contains a photovoltaic cell and a wiring sheet, and a photovoltaic cell is the 1st conductivity type impurity diffusion area
  • a wiring sheet having a diffusion region, a first conductivity type electrode disposed on the first conductivity type impurity diffusion region, and a second conductivity type electrode disposed on the second conductivity type impurity diffusion region; , An insulating base material, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating base material, wherein the first conductive type electrode of the solar battery cell is the first of the wiring sheet.
  • the second conductive type electrode of the solar battery cell is installed so as to be electrically connected to the second conductive type wiring of the wiring sheet.
  • the surface of the electrode for 1 conductivity type suppresses precipitation of the metal which comprises the electrode for 1st conductivity type.
  • the migration suppression layer and the insulating member cross the straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode, respectively. It is preferable that they are arranged.
  • this invention contains a photovoltaic cell and a wiring sheet, and a photovoltaic cell is the 1st conductivity type impurity diffusion area
  • a wiring sheet having a diffusion region, a first conductivity type electrode disposed on the first conductivity type impurity diffusion region, and a second conductivity type electrode disposed on the second conductivity type impurity diffusion region; , An insulating base material, a first conductive type wiring and a second conductive type wiring installed on the insulating base material, wherein the first conductive type electrode of the solar battery cell is the first of the wiring sheet.
  • the second conductive type electrode of the solar battery cell is installed so as to be electrically connected to the second conductive type wiring of the wiring sheet.
  • the surface of the first conductivity type wiring suppresses the deposition of the metal constituting the first conductivity type wiring.
  • the migration suppression layer and the insulating member cross the straight line connecting the adjacent first conductive type wiring and second conductive type wiring, respectively. It is preferable that they are arranged.
  • the present invention is a solar cell module in which the solar cell of the solar cell with a wiring sheet according to any one of the above is sealed with a sealing material.
  • the present invention it is possible to provide a solar battery cell, a solar battery cell with a wiring sheet, and a solar battery module that can suppress deterioration in characteristics of the solar battery module.
  • FIG. 1 It is typical sectional drawing of an example of the solar cell module of this invention.
  • (A)-(h) is typical sectional drawing illustrating about an example of the manufacturing method of the back surface electrode type photovoltaic cell used for the solar cell module of this invention.
  • (A) And (b) is a typical top view of an example of the back surface of the back electrode type photovoltaic cell used for the solar cell module of the present invention.
  • (A)-(d) is typical sectional drawing illustrated about an example of the manufacturing method of the wiring sheet used for the solar cell module of this invention. It is a typical top view of an example of the wiring sheet used for the solar cell module of the present invention.
  • (A) And (b) is typical sectional drawing illustrated about an example of the manufacturing method of the photovoltaic cell with a wiring sheet of this invention. It is typical sectional drawing of another example of the solar cell module of this invention.
  • (A)-(d) is typical sectional drawing illustrating about another example of the manufacturing method of the wiring sheet used for the solar cell module of this invention. It is a typical top view of another example of the wiring sheet used for the solar cell module of the present invention.
  • (A) And (b) is typical sectional drawing illustrated about another example of the manufacturing method of the photovoltaic cell with a wiring sheet of this invention. It is typical sectional drawing of another example of the solar cell module of this invention.
  • (A) And (b) is typical sectional drawing illustrating about an example of the method of producing a solar cell module by sealing the photovoltaic cell with a wiring sheet to a sealing material.
  • FIG. 1 typical sectional drawing of an example of the solar cell module of this invention is shown.
  • the solar cell module having the configuration shown in FIG. 1 includes a solar cell with a wiring sheet in which a back electrode type solar cell 8 is installed on a wiring sheet 10, a transparent substrate 17 such as a glass substrate, and a back film 19 such as a polyester film. It is configured to be sealed in a sealing material 18 such as ethylene vinyl acetate.
  • the back electrode type solar cell 8 includes the semiconductor substrate 1, the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, and the first conductivity type impurity.
  • a first conductivity type electrode 6 formed so as to be in contact with the diffusion region 2 and a second conductivity type electrode 7 formed so as to be in contact with the second conductivity type impurity diffusion region 3 are included.
  • an uneven structure such as a texture structure is formed on the light receiving surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8, and an antireflection film 5 is formed so as to cover the uneven structure.
  • a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1 of the back electrode type solar cell 8.
  • a migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 6a and lower surface 6b) of the first conductivity type electrode 6 on the back surface of the back electrode type solar cell 8, and the second conductivity type electrode 7 is formed.
  • a migration suppressing layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 7a and lower surface 7b).
  • the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are each formed in a strip shape extending to the front surface side and / or the back surface side of FIG.
  • the type impurity diffusion regions 2 and the second conductivity type impurity diffusion regions 3 are alternately arranged at predetermined intervals on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are also formed in strips extending to the front side and / or the back side of the paper surface of FIG.
  • the electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 pass through the opening provided in the passivation film 4 along the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively.
  • the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are formed in contact with each other.
  • the wiring sheet 10 includes an insulating base material 11 and first conductive type wirings 12 and second conductive type wirings 13 formed in a predetermined shape on the surface of the insulating base material 11. .
  • the first conductive type wiring 12 on the insulating base 11 of the wiring sheet 10 is formed in a shape facing the first conductive type electrode 6 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 one by one. Yes.
  • the second conductive type wiring 13 on the insulating substrate 11 of the wiring sheet 10 is formed in a shape facing the second conductive type electrode 7 on the back surface of the back electrode type solar cell 8 one by one. Yes.
  • the first conductive type wiring 12 and the second conductive type wiring 13 are also formed in a strip shape extending to the front side and / or the back side of the sheet of FIG.
  • the above-mentioned back electrode type solar cell 8 and the above-mentioned wiring sheet 10 are pasted up with insulating member 16, and the photovoltaic cell with a wiring sheet is formed.
  • the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is electrically connected to the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10 through the migration suppression layer 20.
  • the second conductive type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is electrically connected to the second conductive type wiring 13 of the wiring sheet 10 through the migration suppression layer 20 while being installed so as to be connected. It is installed so that.
  • the back electrode type solar cell 8 is first described, the method for forming the wiring sheet 10 will be described next, followed by the back electrode type solar cell 8 and the wiring sheet 10. Will be described, and finally a method for forming a solar cell module will be described.
  • the back electrode type solar cell 8 and the wiring sheet 10 are formed. The order is not particularly limited.
  • a semiconductor substrate 1 in which slice damage 1a is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 is prepared by, for example, slicing from an ingot.
  • the semiconductor substrate for example, a silicon substrate made of polycrystalline silicon, single crystal silicon, or the like having either n-type or p-type conductivity can be used.
  • the slice damage 1a on the surface of the semiconductor substrate 1 is removed.
  • the removal of the slice damage 1a is performed, for example, when the semiconductor substrate 1 is made of the above silicon substrate, the surface of the silicon substrate after the above slice is mixed with an aqueous solution of hydrogen fluoride and nitric acid, sodium hydroxide, or the like. It can be performed by etching with an alkaline aqueous solution or the like.
  • the size and shape of the semiconductor substrate 1 after removal of the slice damage 1a are not particularly limited, but the thickness of the semiconductor substrate 1 can be set to, for example, 50 ⁇ m or more and 400 ⁇ m or less, and particularly preferably about 160 ⁇ m. .
  • the first conductivity type impurity diffusion region 2 and the second conductivity type impurity diffusion region 3 are formed on the back surface of the semiconductor substrate 1, respectively.
  • the first conductivity type impurity diffusion region 2 can be formed, for example, by a method such as vapor phase diffusion using a gas containing the first conductivity type impurity
  • the second conductivity type impurity diffusion region 3 is, for example, Further, it can be formed by a method such as vapor phase diffusion using a gas containing a second conductivity type impurity.
  • the first conductivity type impurity diffusion region 2 is not particularly limited as long as it includes the first conductivity type impurity and exhibits n-type or p-type conductivity.
  • the first conductivity type impurity for example, an n-type impurity such as phosphorus can be used when the first conductivity type is n-type, and when the first conductivity type is p-type, for example, boron or A p-type impurity such as aluminum can be used.
  • the second conductivity type impurity diffusion region 3 is not particularly limited as long as it contains the second conductivity type impurity and exhibits a conductivity type opposite to that of the first conductivity type impurity diffusion region 2.
  • an n-type impurity such as phosphorus can be used when the second conductivity type is n-type, and when the second conductivity type is p-type, for example, boron or A p-type impurity such as aluminum can be used.
  • the first conductivity type may be either n-type or p-type
  • the second conductivity type may be a conductivity type opposite to the first conductivity type. That is, when the first conductivity type is n-type, the second conductivity type is p-type, and when the first conductivity type is p-type, the second conductivity type is n-type.
  • the gas containing the first conductivity type impurity when the first conductivity type is n-type, for example, a gas containing an n-type impurity such as phosphorus such as POCl 3 can be used.
  • a gas containing p-type impurities such as boron such as BBr 3 can be used.
  • the gas containing the second conductivity type impurity when the second conductivity type is n-type, for example, a gas containing an n-type impurity such as phosphorus such as POCl 3 can be used.
  • a gas containing p-type impurities such as boron such as BBr 3 can be used.
  • a passivation film 4 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • the passivation film 4 can be formed by a method such as a thermal oxidation method or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method.
  • the passivation film 4 for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a stacked body of a silicon oxide film and a silicon nitride film can be used. Any film that is stable as a substance may be used.
  • the thickness of the passivation film 4 can be, for example, 0.05 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, and particularly preferably about 0.2 ⁇ m.
  • an antireflection film 5 is formed on the uneven structure.
  • the texture structure can be formed, for example, by etching the light receiving surface of the semiconductor substrate 1.
  • the semiconductor substrate 1 is a silicon substrate
  • the semiconductor is used by using an etching solution in which a solution obtained by adding isopropyl alcohol to an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is heated to 70 ° C. or higher and 80 ° C. or lower, for example. It can be formed by etching the light receiving surface of the substrate 1.
  • the antireflection film 5 can be formed by, for example, a plasma CVD method.
  • a silicon nitride film or the like can be used, but is not limited thereto.
  • the contact hole 4 a and the contact hole 4 b are formed by removing a part of the passivation film 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • the contact hole 4 a is formed so as to expose at least part of the surface of the first conductivity type impurity diffusion region 2
  • the contact hole 4 b is at least part of the surface of the second conductivity type impurity diffusion region 3. It is formed so as to be exposed.
  • the contact hole 4a and the contact hole 4b are formed after a resist pattern having openings at portions corresponding to the formation positions of the contact hole 4a and the contact hole 4b is formed on the passivation film 4 by using, for example, photolithography technology.
  • the second conductivity type impurity diffusion through the contact hole 4b and the first conductivity type electrode 6 in contact with the first conductivity type impurity diffusion region 2 through the contact hole 4a is suppressed so as to cover the surface (side wall 6 a and lower surface 6 b) of the first conductivity type electrode 6 on the back surface of the back electrode type solar cell 8. While forming the layer 20, the migration suppression layer 20 is formed so that the surface (side wall 7a and lower surface 7b) of the electrode 7 for 2nd conductivity types may be covered.
  • insulation is performed so as to further cover the migration suppression layer 20 that covers the surfaces of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7.
  • the back electrode type solar cell 8 is produced.
  • the insulating member 16 shown in FIG.2 (h) does not need to be formed, or it is for adjacent 1st conductivity types.
  • the insulating member 16 may be formed only on the surface of the passivation film 4 between the electrode 6 and the second conductivity type electrode 7. In these cases, the electrical connection between the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 and the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10, and the back electrode type solar cell 8 In the electrical connection between the two-conductivity-type electrode 7 and the second-conductivity-type wiring 13 of the wiring sheet 10, the insulating member 16 enters between the electrode and the wiring and obstructs the electrical connection. Can be prevented.
  • the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 for example, an electrode made of a metal such as silver can be used, but it is not particularly limited to silver.
  • the migration suppression layer 20 a layer that can suppress the deposition of the metal constituting the first conductivity type electrode 6 and / or the metal constituting the second conductivity type electrode 7 can be used.
  • a layer made of an oxide, a compound or an alloy containing at least one metal selected from the group consisting of tin, palladium, gold, platinum, chromium, iron, nickel and lead can be used.
  • the migration suppression layer 20 may be a single layer or may be composed of a plurality of layers.
  • the migration suppression layer 20 can be formed, for example, by applying a conventionally known cream solder or the like by a method such as screen printing, dispenser application, or ink jet application, followed by baking.
  • each of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 can be, for example, 5 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, and particularly preferably about 15 ⁇ m.
  • FIG. 3A shows a schematic plan view of an example of the back surface of the back electrode type solar cell 8 produced as described above.
  • the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are each formed in a strip shape, and the strip-shaped first conductivity type electrode 6 and the strip shape are formed.
  • the second conductivity type electrodes 7 are arranged alternately at intervals. Then, the side wall and the lower surface of the first conductivity type electrode 6 and the side wall and the lower surface of the second conductivity type electrode 7 are respectively covered with the migration suppression layer 20.
  • the insulating member 16 is arrange
  • the first conductive layer is not taken out from the entire lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 or the entire lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7 without taking the electric power from the back electrode type solar battery cell 8.
  • the insulating member 16 is temporarily disposed on the entire back surface of the back electrode type solar cell 8 and then the power is taken out.
  • the insulating member 16 located at the location may be removed to allow electrical connection with the electrode.
  • FIG. 3B shows a schematic plan view of another example of the back surface of the back electrode type solar battery cell 8.
  • an insulating member 16 may be formed on the surface of the passivation film 4 between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7.
  • the insulating member 16 is not disposed on the lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 and the lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7, respectively, the lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 is used.
  • the electrical connection through the lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7 is not hindered, and almost the entire lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 or the lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7 is prevented.
  • the electric power from the back electrode type solar battery cell 8 can be taken out from almost the whole.
  • the insulating member 16 is in close contact with a part thereof, and the insulating member 16 is disposed on a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7. Is more preferable.
  • Migration is a phenomenon in which metal deposits and moves along an electric field generated on a straight line connecting adjacent first conductivity type electrode 6 and second conductivity type electrode 7. Therefore, by disposing the insulating member 16 on a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, the movement of the metal deposited from these electrodes can be prevented. .
  • the insulating member 16 When the insulating member 16 can be in a state of high fluidity such as liquid, for example, as shown in FIG. 3A, substantially the entire lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 and the first You may make it take out the electric power generated with the back surface electrode type photovoltaic cell 8 from the substantially whole lower surface 7b of the electrode 7 for 2 conductivity types. That is, the insulating member 16 is in close contact with at least a part of the back surface of the back electrode type solar cell 8 between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7; As long as it is possible to achieve both power extraction from the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, there is no limitation on the location of the insulating member 16.
  • the wiring sheet 10 can be manufactured as follows, for example. First, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 4A, the conductive layer 41 is formed on the surface of the insulating base material 11.
  • the insulating base material 11 for example, a substrate made of a resin such as polyester, polyethylene naphthalate, or polyimide can be used, but is not limited thereto.
  • the thickness of the insulating substrate 11 can be set to, for example, 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, and particularly preferably about 25 ⁇ m.
  • a layer made of metal such as copper can be used, but is not limited thereto.
  • a resist pattern 42 is formed on the conductive layer 41 on the surface of the insulating substrate 11.
  • the resist pattern 42 is formed in a shape having an opening at a place other than the place where the first conductive type wiring 12 and the second conductive type wiring 13 are formed.
  • a conventionally known resist can be used, and it is applied by a method such as screen printing, dispenser application or ink jet application.
  • the conductive layer 41 is patterned by removing the conductive layer 41 exposed from the resist pattern 42 in the direction of the arrow 43,
  • the first conductive type wiring 12 and the second conductive type wiring 13 are formed from the remaining part of the conductive layer 41.
  • the removal of the conductive layer 41 can be performed by, for example, wet etching using an acid or alkali solution, but is not limited thereto.
  • the width of the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 can be set to, for example, 300 ⁇ m or more and 1 mm or less, and particularly preferably about 500 ⁇ m, but is not limited thereto. .
  • FIG. 5 shows a schematic plan view of an example of the surface of the wiring sheet 10 produced as described above.
  • the first conductive type wiring 12 and the second conductive type wiring 13 are each formed in a strip shape.
  • a strip-like connection wiring 14 is formed on the surface of the insulating base material 11 of the wiring sheet 10, and the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 are formed by the connection wiring 14. Electrically connected.
  • the connection wiring 14 can be formed from the remaining portion of the conductive layer 41, for example, similarly to the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13.
  • the wiring for the first conductivity type of the wiring sheet 10 is performed.
  • the electrode 6 for the first conductivity type of the back electrode type solar cell 8 is installed on the electrode 12, and the electrode for the second conductivity type of the back electrode type solar cell 8 on the wiring 13 for the second conductivity type of the wiring sheet 10. 7 is installed.
  • the insulating member 16 can be applied by a method such as screen printing, dispenser application, or inkjet application.
  • the insulating member 16 includes at least a part of the back surface of the back electrode type solar cell 8 between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, and the adjacent first conductivity type. It is preferable that the insulating adhesive is capable of closely adhering at least a part of the surface of the insulating substrate 11 between the wiring for wiring 12 and the wiring for second conductivity type 13.
  • the first conductivity type electrode 6 is electrically connected to the first conductivity type wire 12 of the wiring sheet 10 via the migration suppression layer 20, and the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8.
  • the back electrode type solar cell 8 and the wiring sheet 10 are bonded to each other by the insulating member 16 in a state where the wiring sheet 10 is electrically connected to the second conductive type wiring 13 of the wiring sheet 10 via the migration suppressing layer 20.
  • a solar battery cell with a wiring sheet is formed.
  • the insulating member 16 has at least electrical insulation that does not allow current to flow between adjacent electrodes or between adjacent wirings, and is bonded to the back electrode type solar cell 8 and the wiring sheet 10. What can be used can be used.
  • the insulating material such as the passivation film 4 exposed from between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, the adjacent first conductivity type wiring 12, and the like.
  • An insulating adhesive material that can be in close contact with the insulating base material 11 exposed from between the second conductive type wirings 13 can be used as the insulating member 16.
  • the insulating member 16 preferably has such characteristics that the electric resistance is sufficiently high, the content of the component capable of binding to metal ions is small, and moisture hardly permeates.
  • an underfiller resin ThineBond 2203 manufactured by ThreeBond
  • the solar cell with the wiring sheet produced as described above is sealed with ethylene vinyl acetate or the like between the transparent substrate 17 such as a glass substrate and the back film 19 such as a polyester film.
  • An example of the solar cell module of the present invention is produced by sealing in the material 18.
  • migration is suppressed so as to cover the surface (side wall 6 a and lower surface 6 b) of the first conductivity type electrode 6 on the back surface of the back electrode type solar cell 8.
  • the layer 20 is formed, and the migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 7 a and lower surface 7 b) of the second conductivity type electrode 7.
  • the migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 7 a and lower surface 7 b) of the second conductivity type electrode 7.
  • At least a part of the surface of the insulating base material 11 between the conductive type wirings 13 is joined by an insulating member 16.
  • the respective surfaces of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are covered with the migration suppression layer 20. Therefore, when the solar cell module is used in the metal such as silver constituting the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, the adjacent first conductivity type electrode 6 and second conductivity type electrode 7 It is possible to suppress the precipitation due to the migration phenomenon due to the electric field caused by the potential difference generated between the two.
  • the material constituting the migration suppression layer 20 includes a metal
  • the metal constituting the migration suppression layer 20 may be precipitated by the electric field between them.
  • a metal material electrode is silver
  • the progress of migration can be suppressed by using tin, palladium, gold, platinum, chromium, iron, nickel, lead, etc.) for the migration suppression layer 20.
  • An insulating member 16 is disposed between at least a part of the surface of the insulating base material 11 and the conductive type wiring 13. Therefore, even if metal is deposited by migration, the movement can be stopped by the insulating member 16, and further, the insulating member 16 can cause the first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 to be adjacent to each other. It is possible to prevent the insulation performance between them from deteriorating. Thereby, compared with the past, the fall of the characteristic of the solar cell module resulting from migration can be suppressed effectively.
  • the insulating member 16 is preferably arranged so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7. Since migration is a phenomenon in which metal is deposited and moved along the electric field, the insulating member 16 is disposed so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode 6 and second conductivity type electrode 7. By doing so, the movement of the metal deposited by migration can be stopped by the insulating member 16.
  • the configuration in which the migration suppression layer 20 is formed on the side wall 6a and the lower surface 6b of the first conductivity type electrode 6 and the side wall 7a and the lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7 has been described.
  • the first conductivity type may be formed only on the side wall 6 a of the mold electrode 6 and only on the side wall 7 a of the second conductivity type electrode 7.
  • the migration suppression layer 20 is configured such that the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 and the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10 are electrically connected, and the back electrode type solar cell.
  • the second conductivity type electrode 7 of the cell 8 and the second conductivity type wiring 13 of the wiring sheet 10 are electrically connected
  • the lower surface of the first conductivity type electrode 6 is preferable. 6b and the first conductivity type wiring 12 are in direct contact and the lower surface 7b of the second conductivity type electrode 7 and the second conductivity type wiring 13 are in direct contact with each other. There is no need.
  • the migration suppressing layer 20 it is sufficient that at least one of the surface of the first conductivity type electrode 6 and the surface of the second conductivity type electrode 7 is covered with the migration suppressing layer 20, but it is possible to more effectively suppress metal deposition due to migration. It is preferable that both the surface of the first conductivity type electrode 6 and the surface of the second conductivity type electrode 7 are respectively covered with the migration suppression layer 20. When only the surface of the first conductivity type electrode 6 is covered with the migration suppressing layer 20, it crosses a straight line connecting the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7. Thus, the insulating member 16 is disposed.
  • both the first conductivity type electrode and the second conductivity type electrode are formed only on one surface side (back side) of the semiconductor substrate described above.
  • so-called back-contact solar cells solar cells
  • solar cells such as MWT (Metal Wrap Through) cells (solar cells with a part of electrodes arranged in through holes provided in a semiconductor substrate) All of the solar cells having a structure in which current is taken out from the back surface side opposite to the light receiving surface side.
  • the concept of the solar cell with a wiring sheet in the present invention includes not only a configuration in which a plurality of solar cells are installed on the wiring sheet but also a configuration in which one solar cell is installed on the wiring sheet. Is also included.
  • FIG. 7 typical sectional drawing of another example of the solar cell module of this invention is shown.
  • the migration suppression layer 20 is installed so as to cover the surface (side wall 12 a and upper surface 12 b) of the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10, and the wiring sheet
  • the migration suppression layer 20 is provided so as to cover the surface (side wall 13a and upper surface 13b) of the 10 second conductive type wirings 13.
  • the solar cell module having the configuration shown in FIG. 7 will be described.
  • the back electrode type solar cell 8 used in the solar cell module having the configuration shown in FIG. 7 the surface of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 on the back side of the back electrode type solar cell 8. It can be produced in the same manner as in Embodiment 1 except that the migration suppression layer 20 is not formed on the surface.
  • wiring sheet 10 used in the solar cell module having the configuration shown in FIG. 7 can be manufactured as shown in the schematic plan views of FIGS. 8 (a) to 8 (d), for example.
  • the conductive layer 41 on the surface of the insulating substrate 11 is formed on the surface of the insulating substrate 11 as shown in FIG. 8B.
  • a resist pattern 42 is formed.
  • the conductive layer 41 is patterned by removing the conductive layer 41 exposed from the resist pattern 42 in the direction of the arrow 43, and the remaining portion of the conductive layer 41.
  • a first conductivity type wiring 12 and a second conductivity type wiring 13 are formed.
  • the first conductive type for the wiring sheet 10 is used.
  • the migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface of the wiring 12 (side wall 12a and upper surface 12b), and the surface of the second conductive type wiring 13 (side wall 13a and upper surface 13b) of the wiring sheet 10 is covered. By forming the migration suppression layer 20, the wiring sheet 10 is produced.
  • FIG. 9 shows a schematic plan view of an example of the surface of the wiring sheet 10 produced as described above.
  • the surfaces of the first conductive type wiring 12 and the second conductive type wiring 13 respectively formed in a strip shape on the surface of the insulating substrate 11 of the wiring sheet 10 are respectively covered with the migration suppressing layer 20. .
  • the solar cell with a wiring sheet in the present embodiment can be manufactured, for example, as follows.
  • the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 produced as described above is placed on the first conductivity type wiring 12 and the back surface is placed on the second conductivity type wiring 13 of the wiring sheet 10.
  • the electrode 7 for 2nd conductivity type of the electrode type photovoltaic cell 8 is installed.
  • the first conductivity type electrode 6 of the back electrode type solar cell 8 is connected to the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10 and the migration suppression layer 20.
  • the second conductivity type electrode 7 of the back electrode type solar cell 8 is electrically connected to the second conductivity type wiring 13 of the wiring sheet 10 via the migration suppression layer 20.
  • a solar cell with a wiring sheet having a configuration in which the back electrode type solar cell 8 and the wiring sheet 10 are bonded by the insulating member 16 is formed.
  • the solar cell with the wiring sheet produced as described above is sealed with a transparent substrate 17 such as a glass substrate and a back film 19 such as a polyester film with ethylene vinyl acetate or the like.
  • a transparent substrate 17 such as a glass substrate
  • a back film 19 such as a polyester film with ethylene vinyl acetate or the like.
  • An example of the solar cell module of the present invention is produced by sealing in the material 18.
  • the migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 12 a and upper surface 12 b) of the first conductivity type wiring 12 of the wiring sheet 10.
  • the migration suppression layer 20 is formed so as to cover the surface (side wall 13 a and upper surface 13 b) of the second conductivity type wiring 13 of the wiring sheet 10.
  • at least a part of the back surface of the back electrode type solar cell 8 between the adjacent first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7, the adjacent first conductivity type wiring 12 and the second At least a part of the surface of the insulating base material 11 between the conductive type wirings 13 is joined by an insulating member 16.
  • the respective surfaces of the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 are covered with the migration suppression layer 20. Therefore, a metal such as copper constituting the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 is adjacent to the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 which are adjacent when the solar cell module is used. Precipitation due to a migration phenomenon due to an electric field caused by a potential difference generated therebetween can be suppressed.
  • the material constituting the migration suppression layer 20 includes a metal
  • the metal constituting the migration suppression layer 20 may be precipitated by the electric field between them.
  • a metal material (wiring is copper) is less likely to migrate than a metal such as copper constituting the first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13.
  • the progress of migration can be suppressed by using tin, palladium, gold, platinum, chromium, iron, nickel, lead, etc.) for the migration suppression layer 20.
  • An insulating member 16 is disposed between at least a part of the surface of the insulating base material 11 and the conductive type wiring 13. Therefore, even if metal is deposited by migration, the movement can be stopped by the insulating member 16, and further, the insulating member 16 can connect the adjacent first conductive type wiring 12 and second conductive type wiring 13. It is possible to prevent the insulation performance from decreasing. Thereby, compared with the past, the fall of the characteristic of the solar cell module resulting from migration can be suppressed effectively.
  • the insulating member 16 is disposed so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductive type wiring 12 and second conductive type wiring 13. Since migration is a phenomenon in which metal is deposited and moved along the electric field, the insulating member 16 is disposed so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductive type wiring 12 and second conductive type wiring 13. By doing so, the movement of the metal deposited by migration can be stopped by the insulating member 16.
  • the migration suppression layer 20 may be formed only on the side wall 12 a of the first conductivity type wiring 12 and only on the side wall 13 a of the second conductivity type wiring 13.
  • At least one of the surface of the first conductivity type wiring 12 and the surface of the second conductivity type wiring 13 may be covered with the migration suppression layer 20, but the viewpoint of more effectively suppressing metal deposition due to migration. It is preferable that both the surface of the first conductivity type wiring 12 and the surface of the second conductivity type wiring 13 are respectively covered with the migration suppression layer 20. When only the surface of the first conductivity type wiring 12 is covered with the migration suppression layer 20, it crosses the straight line connecting the adjacent first conductivity type wiring 12 and the second conductivity type wiring 13. Thus, the insulating member 16 is disposed.
  • FIG. 11 typical sectional drawing of another example of the solar cell module of this invention is shown.
  • the migration suppressing layer 20 is formed so as to cover the lower surface 7b), and the surface (side wall 12a and upper surface 12b) of the first conductive type wiring 12 and the surface of the second conductive type wiring 13 (side wall) of the wiring sheet 10 13a and the upper surface 13b) are characterized in that the migration suppression layer 20 is installed.
  • the surfaces of the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 are covered with the migration suppression layer 20, and the first conductivity type electrode is used.
  • the surfaces of the wiring 12 and the second conductivity type wiring 13 are covered with a migration suppression layer 20. Therefore, a metal such as silver constituting the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 and a metal such as copper constituting the first conductivity type wire 12 and the second conductivity type wire 13 are not exposed to the sun.
  • the metal constituting the first conductivity type electrode 6 and the second conductivity type electrode 7 and the metal constituting the first conductivity type wire 12 and the second conductivity type wire 13 are compared with the conventional case. It is possible to more effectively suppress the deterioration of the characteristics of the solar cell module due to the precipitation and movement.
  • An insulating member 16 is disposed between at least a part of the surface of the insulating base material 11 and the conductive type wiring 13. Therefore, even if metal is deposited by migration, the movement can be stopped by the insulating member 16, and further, the insulating member 16 can cause the first conductive type electrode 6 and the second conductive type electrode 7 to be adjacent to each other. It is possible to prevent the insulation performance between the first conductive type wiring 12 and the adjacent second conductive type wiring 13 from being deteriorated. Thereby, compared with the past, the fall of the characteristic of the solar cell module resulting from migration can be suppressed effectively.
  • the insulating member 16 is disposed so as to cross a straight line connecting the adjacent first conductive type electrode 6 and the second conductive type metal 7, and the adjacent first conductive type wiring 12 and the second conductive member 16. It is preferable that they are arranged so as to cross a straight line connecting the conductive type wiring 13. Migration is a phenomenon in which metal is deposited and moved along the electric field, and therefore, the first conductive material adjacent to the first conductive type electrode 6 and the second conductive type metal 7 crossing a straight line. By disposing the insulating member 16 so as to cross the straight line connecting the wiring for mold 12 and the wiring for second conductivity type 13, the insulating member 16 can effectively prevent the movement of the metal deposited by migration. it can.
  • the present invention can be used for solar cells, solar cells with wiring sheets, and solar cell modules.

Landscapes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Abstract

　第１導電型用電極（６）の表面が第１導電型用電極（６）を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層（２０）で覆われており、第１導電型用電極（６）を覆うマイグレーション抑制層（２０）の表面および第２導電型用電極（７）の表面の少なくとも一方が絶縁性部材（１６）で覆われている太陽電池セル（８）、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。また、第１導電型用配線（１２）の表面が第１導電型用配線（１２）を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層（２０）で覆われており、第１導電型用配線（１２）を覆うマイグレーション抑制層（２０）の表面および第２導電型用配線（１３）の表面の少なくとも一方が絶縁性部材（１６）で覆われている配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。

Description

太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
　本発明は、太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに関する。
　近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池セルは次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池セルの種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池セルが主流となっている。
　現在、最も多く製造および販売されている太陽電池セルは、太陽光が入射する側の面（受光面）にｎ電極が形成されており、受光面と反対側の面（裏面）にｐ電極が形成された構成のものである。
　また、たとえば特許文献１（特開２００５－３１０８３０号公報）には、太陽電池セルの受光面には電極を形成せず、太陽電池セルの裏面のみにｎ電極およびｐ電極を形成した裏面電極型太陽電池セルが開示されている。
特開２００５－３１０８３０号公報
　上記の特許文献１に開示された構成の裏面電極型太陽電池セル単体では利用できる電気エネルギが限られる。そのため、上記構成の裏面電極型太陽電池セルの複数を電気的に接続して太陽電池モジュールとする方法が検討されている。
　ここで、裏面電極型太陽電池セルの複数を電気的に接続することによって太陽電池モジュールとする方法としては、裏面電極型太陽電池セルが配線シート上に設置された配線シート付き太陽電池セルを封止材に封止することによって太陽電池モジュールとする方法が考えられている。
　以下、図１２（ａ）および図１２（ｂ）の模式的断面図を参照して、上記の配線シート付き太陽電池セルを封止材に封止することによって太陽電池モジュールを作製する方法の一例について説明する。
　まず、図１２（ａ）に示すように、裏面電極型太陽電池セル８０と配線シート１００とを絶縁性接着剤１１６によって接着することによって配線シート付き太陽電池セルを作製する。
　ここで、配線シート付き太陽電池セルにおいては、裏面電極型太陽電池セル８０の半導体基板１の裏面の第１導電型不純物拡散領域２に接する第１導電型用電極６が配線シート１００の絶縁性基材１１上に形成された第１導電型用配線１２上に設置されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８０の半導体基板１の裏面の第２導電型不純物拡散領域３に接する第２導電型用電極７が配線シート１００の絶縁性基材１１上に形成された第２導電型用配線１３上に設置される。
　なお、裏面電極型太陽電池セル８０の半導体基板１の受光面にはテクスチャ構造が形成されており、そのテクスチャ構造上に反射防止膜５が形成されている。また、裏面電極型太陽電池セル８０の半導体基板１の裏面にはパッシベーション膜４が形成されている。
　次に、図１２（ｂ）に示すように、上記のようにして作製された配線シート付き太陽電池セルをエチレンビニルアセテートなどの封止材１８を備えたガラス基板などの透明基板１７と、封止材１８を備えたポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間に挟み込み、配線シート付き太陽電池セルを構成する裏面電極型太陽電池セル８０を封止材１８中に封止することによって太陽電池モジュールが作製される。
　上記の方法によれば、裏面電極型太陽電池セル８０を配線シート１００上に設置するだけで、複数の裏面電極型太陽電池セル８０を電気的に接続することができるため、太陽電池モジュールを効率的に製造することができる。
　上記の方法で製造された太陽電池モジュールにおいては、太陽電池モジュールの使用時に異なる導電型用の電極間および配線間に電位差が生じ、その電位差に起因する電界によってマイグレーション（イオンマイグレーション）現象が生じることがあった。
　上記の太陽電池モジュールにおいては、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間の距離および隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間の距離が近いため、電極または配線を構成する金属が、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間、および隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間に析出した後に移動して絶縁抵抗を低下させてしまい、太陽電池モジュールの特性が低下することがあったため、その改善が要望されていた。
　上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、太陽電池モジュールの特性の低下を抑制することができる太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供することにある。
　本発明は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域および第２導電型不純物拡散領域と、第１導電型不純物拡散領域上に設置された第１導電型用電極と、第２導電型不純物拡散領域上に設置された第２導電型用電極とを有し、第１導電型用電極の表面が第１導電型用電極を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層で覆われており、第１導電型用電極を覆うマイグレーション抑制層の表面および第２導電型用電極の表面の少なくとも一方が絶縁性部材で覆われている太陽電池セルである。
　ここで、本発明の太陽電池セルにおいては、マイグレーション抑制層と絶縁性部材とがそれぞれ、隣り合う第１導電型用電極と第２導電型用電極とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。
　また、本発明は、太陽電池セルと、配線シートとを含み、太陽電池セルは、半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域および第２導電型不純物拡散領域と、第１導電型不純物拡散領域上に設置された第１導電型用電極と、第２導電型不純物拡散領域上に設置された第２導電型用電極とを有し、配線シートは、絶縁性基材と、絶縁性基材に設置された第１導電型用配線と第２導電型用配線とを有しており、太陽電池セルの第１導電型用電極が配線シートの第１導電型用配線に電気的に接続するように設置され、太陽電池セルの第２導電型用電極が配線シートの第２導電型用配線に電気的に接続するように設置されており、第１導電型用電極の表面が、第１導電型用電極を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層で覆われており、隣り合う第１導電型用電極と第２導電型用電極との間における太陽電池セルの表面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線と第２導電型用配線との間における絶縁性基材の表面の少なくとも一部とが、絶縁性部材によって接合されている、配線シート付き太陽電池セルである。
　ここで、本発明の配線シート付き太陽電池セルにおいては、マイグレーション抑制層と絶縁性部材とがそれぞれ、隣り合う第１導電型用電極と第２導電型用電極とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。
　また、本発明は、太陽電池セルと、配線シートとを含み、太陽電池セルは、半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域および第２導電型不純物拡散領域と、第１導電型不純物拡散領域上に設置された第１導電型用電極と、第２導電型不純物拡散領域上に設置された第２導電型用電極とを有し、配線シートは、絶縁性基材と、絶縁性基材に設置された第１導電型用配線と第２導電型用配線とを有しており、太陽電池セルの第１導電型用電極が配線シートの第１導電型用配線に電気的に接続するように設置され、太陽電池セルの第２導電型用電極が配線シートの第２導電型用配線に電気的に接続するように設置されており、第１導電型用配線の表面が、第１導電型用配線を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層で覆われており、隣り合う第１導電型用電極と第２導電型用電極との間における太陽電池セルの表面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線と第２導電型用配線との間における絶縁性基材の表面の少なくとも一部とが、絶縁性部材によって接合されている、配線シート付き太陽電池セルである。
　ここで、本発明の配線シート付き太陽電池セルにおいては、マイグレーション抑制層と絶縁性部材とがそれぞれ、隣り合う第１導電型用配線と第２導電型用配線とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。
　さらに、本発明は、上記のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルの太陽電池セルが封止材に封止されてなる、太陽電池モジュールである。
　本発明によれば、太陽電池モジュールの特性の低下を抑制することができる太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供することができる。
本発明の太陽電池モジュールの一例の模式的な断面図である。 （ａ）～（ｈ）は、本発明の太陽電池モジュールに用いられる裏面電極型太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の太陽電池モジュールに用いられる裏面電極型太陽電池セルの裏面の一例の模式的な平面図である。 （ａ）～（ｄ）は、本発明の太陽電池モジュールに用いられる配線シートの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 本発明の太陽電池モジュールに用いられる配線シートの一例の模式的な平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の配線シート付き太陽電池セルの製造方法の一例について図解する模式的な断面図である。 本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、本発明の太陽電池モジュールに用いられる配線シートの製造方法の他の一例について図解する模式的な断面図である。 本発明の太陽電池モジュールに用いられる配線シートの他の一例の模式的な平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、本発明の配線シート付き太陽電池セルの製造方法の他の一例について図解する模式的な断面図である。 本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、配線シート付き太陽電池セルを封止材に封止することによって太陽電池モジュールを作製する方法の一例について図解する模式的な断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
　＜実施の形態１＞
　図１に、本発明の太陽電池モジュールの一例の模式的な断面図を示す。図１に示す構成の太陽電池モジュールは、裏面電極型太陽電池セル８が配線シート１０上に設置された配線シート付き太陽電池セルがガラス基板などの透明基板１７とポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間のエチレンビニルアセテートなどの封止材１８中に封止された構成となっている。
　ここで、裏面電極型太陽電池セル８は、半導体基板１と、半導体基板１の裏面に形成された第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３と、第１導電型不純物拡散領域２に接するようにして形成された第１導電型用電極６と、第２導電型不純物拡散領域３に接するようにして形成された第２導電型用電極７とを含んでいる。
　また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の受光面にはテクスチャ構造などの凹凸構造が形成されており、その凹凸構造を覆うようにして反射防止膜５が形成されている。また、裏面電極型太陽電池セル８の半導体基板１の裏面にはパッシベーション膜４が形成されている。
　また、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第１導電型用電極６の表面（側壁６ａおよび下面６ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されており、第２導電型用電極７の表面（側壁７ａおよび下面７ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されている。
　なお、この例においては、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３はそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されており、第１導電型不純物拡散領域２と第２導電型不純物拡散領域３とは半導体基板１の裏面において交互に所定の間隔をあけて配置されている。
　また、この例においては、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７もそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されており、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７はそれぞれパッシベーション膜４に設けられた開口部を通して、半導体基板１の裏面の第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３に沿って、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３にそれぞれ接するようにして形成されている。
　一方、配線シート１０は、絶縁性基材１１と、絶縁性基材１１の表面上において所定の形状に形成された第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３とを含んでいる。
　また、配線シート１０の絶縁性基材１１上の第１導電型用配線１２は、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第１導電型用電極６と互いに１本ずつ向かい合う形状に形成されている。
　また、配線シート１０の絶縁性基材１１上の第２導電型用配線１３は、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第２導電型用電極７と互いに１本ずつ向かい合う形状に形成されている。
　なお、この例においては、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３もそれぞれ図１の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されている。
　そして、上記の裏面電極型太陽電池セル８と上記の配線シート１０とが絶縁性部材１６で接着されることによって配線シート付き太陽電池セルが形成されている。
　ここで、配線シート付き太陽電池セルにおいては、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６がマイグレーション抑制層２０を介して配線シート１０の第１導電型用配線１２に電気的に接続されるように設置されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７がマイグレーション抑制層２０を介して配線シート１０の第２導電型用配線１３に電気的に接続されるように設置されている。
　そして、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、が絶縁性部材１６によって接合されている。
　以下、図１に示す構成の太陽電池モジュールの製造方法の一例について説明する。なお、以下においては、裏面電極型太陽電池セル８の形成方法を最初に説明した後に、配線シート１０の形成方法を次に説明し、続いて、裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０とを接着して配線シート付き太陽電池セルを形成する方法を説明し、最後に太陽電池モジュールを形成する方法について説明するが、本発明においては、裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０の形成順序については特に限定されない。
　まず、図２（ａ）の模式的断面図に示すように、たとえばインゴットからスライスすることなどによって、半導体基板１の表面にスライスダメージ１ａが形成された半導体基板１を用意する。ここで、半導体基板１としては、たとえば、ｎ型またはｐ型のいずれかの導電型を有する多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板を用いることができる。
　次に、図２（ｂ）の模式的断面図に示すように、半導体基板１の表面のスライスダメージ１ａを除去する。ここで、スライスダメージ１ａの除去は、たとえば半導体基板１が上記のシリコン基板からなる場合には、上記のスライス後のシリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることなどによって行なうことができる。
　ここで、スライスダメージ１ａの除去後の半導体基板１の大きさおよび形状も特に限定されないが、半導体基板１の厚さをたとえば５０μｍ以上４００μｍ以下とすることができ、特に１６０μｍ程度とすることが好ましい。
　次に、図２（ｃ）の模式的断面図に示すように、半導体基板１の裏面に、第１導電型不純物拡散領域２および第２導電型不純物拡散領域３をそれぞれ形成する。ここで、第１導電型不純物拡散領域２は、たとえば、第１導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができ、第２導電型不純物拡散領域３は、たとえば、第２導電型不純物を含むガスを用いた気相拡散などの方法により形成することができる。
　ここで、第１導電型不純物拡散領域２は、第１導電型不純物を含み、ｎ型またはｐ型の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第１導電型不純物としては、第１導電型がｎ型である場合にはたとえばリンなどのｎ型不純物を用いることができ、第１導電型がｐ型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのｐ型不純物を用いることができる。
　また、第２導電型不純物拡散領域３は、第２導電型不純物を含み、第１導電型不純物拡散領域２とは逆の導電型を示す領域であれば特に限定されない。なお、第２導電型不純物としては、第２導電型がｎ型である場合にはたとえばリンなどのｎ型不純物を用いることができ、第２導電型がｐ型である場合にはたとえばボロンまたはアルミニウムなどのｐ型不純物を用いることができる。
　なお、第１導電型はｎ型またはｐ型のいずれの導電型であってもよく、第２導電型は第１導電型と反対の導電型であればよい。すなわち、第１導電型がｎ型のときは第２導電型がｐ型となり、第１導電型がｐ型のときは第２導電型がｎ型となる。
　また、第１導電型不純物を含むガスとしては、第１導電型がｎ型である場合には、たとえばＰＯＣｌ3のようなリンなどのｎ型不純物を含むガスを用いることができ、第１導電型がｐ型である場合には、たとえばＢＢｒ3のようなボロンなどのｐ型不純物を含むガスを用いることができる。
　また、第２導電型不純物を含むガスとしては、第２導電型がｎ型である場合には、たとえばＰＯＣｌ3のようなリンなどのｎ型不純物を含むガスを用いることができ、第２導電型がｐ型である場合には、たとえばＢＢｒ3のようなボロンなどのｐ型不純物を含むガスを用いることができる。
　次に、図２（ｄ）の模式的断面図に示すように、半導体基板１の裏面にパッシベーション膜４を形成する。ここで、パッシベーション膜４は、たとえば、熱酸化法またはプラズマＣＶＤ（Chemical　Vapor　Deposition）法などの方法により形成することができる。
　ここで、パッシベーション膜４としては、たとえば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることができるが、これらに限定されるものではなく、絶縁性物質として安定している膜であればよい。
　また、パッシベーション膜４の厚みは、たとえば０．０５μｍ以上１μｍ以下とすることができ、特に０．２μｍ程度とすることが好ましい。
　次に、図２（ｅ）の模式的断面図に示すように、半導体基板１の受光面の全面にテクスチャ構造などの凹凸構造を形成した後に、その凹凸構造上に反射防止膜５を形成する。
　ここで、テクスチャ構造は、たとえば、半導体基板１の受光面をエッチングすることにより形成することができる。たとえば、半導体基板１がシリコン基板である場合には、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いて半導体基板１の受光面をエッチングすることによって形成することができる。
　また、反射防止膜５は、たとえばプラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。なお、反射防止膜５としては、たとえば、窒化シリコン膜などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
　次に、図２（ｆ）の模式的断面図に示すように、半導体基板１の裏面のパッシベーション膜４の一部を除去することによってコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂを形成する。ここで、コンタクトホール４ａは、第１導電型不純物拡散領域２の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成され、コンタクトホール４ｂは、第２導電型不純物拡散領域３の表面の少なくとも一部を露出させるようにして形成される。
　なお、コンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂはそれぞれ、たとえば、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンをパッシベーション膜４上に形成した後にレジストパターンの開口からパッシベーション膜４をエッチングなどにより除去する方法、またはコンタクトホール４ａおよびコンタクトホール４ｂの形成箇所に対応するパッシベーション膜４の部分にエッチングペーストを塗布した後に加熱することによってパッシベーション膜４をエッチングして除去する方法などにより形成することができる。
　次に、図２（ｇ）の模式的断面図に示すように、コンタクトホール４ａを通して第１導電型不純物拡散領域２に接する第１導電型用電極６とコンタクトホール４ｂを通して第２導電型不純物拡散領域３に接する第２導電型用電極７とを形成した後に、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第１導電型用電極６の表面（側壁６ａおよび下面６ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０を形成するとともに、第２導電型用電極７の表面（側壁７ａおよび下面７ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０を形成する。
　その後、図２（ｈ）の模式的断面図に示すように、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７のそれぞれの表面を覆うマイグレーション抑制層２０をさらに覆うようにして絶縁性部材１６を配置することによって、裏面電極型太陽電池セル８を作製する。
　なお、裏面電極型太陽電池セル８を後述する配線シート１０と接続する場合には、図２（ｈ）に示す絶縁性部材１６を形成しなくてもよく、若しくは、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間のパッシベーション膜４の表面のみに絶縁性部材１６を形成してもよい。これらの場合には、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６と配線シート１０の第１導電型用配線１２との電気的な接続、および裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７と配線シート１０の第２導電型用配線１３との電気的な接続の際に、絶縁性部材１６が電極と配線との間に入り込んで電気的な接続を阻害するのを防止することができる。
　ここで、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７としては、たとえば、銀などの金属からなる電極を用いることができるが、特に銀に限定されるものではない。
　また、マイグレーション抑制層２０としては、第１導電型用電極６を構成する金属および／または第２導電型用電極７を構成する金属の析出を抑制することができる層を用いることができ、たとえば、スズ、パラジウム、金、白金、クロム、鉄、ニッケルおよび鉛からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む酸化物、化合物または合金からなる層を用いることができる。なお、マイグレーション抑制層２０は、単層であってもよく、複数の層から構成されていてもよい。
　マイグレーション抑制層２０は、たとえば、従来から公知のクリーム半田などをスクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布した後に焼成することによって形成することができる。
　また、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７のそれぞれの高さは、たとえば５μｍ以上５０μｍ以下とすることができ、特に１５μｍ程度とすることが好ましい。
　図３（ａ）に、上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池セル８の裏面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、裏面電極型太陽電池セル８の裏面においては、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７はそれぞれ帯状に形成されており、帯状の第１導電型用電極６と帯状の第２導電型用電極７とはそれぞれ１本ずつ交互に間隔をあけて配列されている。そして、第１導電型用電極６の側壁および下面、ならびに第２導電型用電極７の側壁および下面はそれぞれマイグレーション抑制層２０により覆われている。そして、裏面電極型太陽電池セル８の裏面全体を覆うように絶縁性部材１６が配置されている。
　たとえば図３（ａ）において、裏面電極型太陽電池セル８からの電力を第１導電型用電極６の下面６ｂ全体または第２導電型用電極７の下面７ｂ全体から取り出さずに、第１導電型用電極６の左端と第２導電型用電極７の右端とから電力を取り出す場合には、裏面電極型太陽電池セル８の裏面全体に絶縁性部材１６を一旦配置してから、電力を取り出す箇所に位置する絶縁性部材１６を除去して、電極との電気的な接続を可能としてもよい。
　図３（ｂ）に、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の他の一例の模式的な平面図を示す。図３（ｂ）に示すように、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間のパッシベーション膜４の表面に絶縁性部材１６を形成してもよい。この場合には、第１導電型用電極６の下面６ｂおよび第２導電型用電極７の下面７ｂにはそれぞれ絶縁性部材１６が配置されていないため、第１導電型用電極６の下面６ｂおよび第２導電型用電極７の下面７ｂを介しての電気的な接続が阻害されることなく、第１導電型用電極６の下面６ｂのほぼ全体または第２導電型用電極７の下面７ｂのほぼ全体から裏面電極型太陽電池セル８からの電力を取り出すことができる。
　図３（ａ）および図３（ｂ）のいずれの場合においても、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部に絶縁性部材１６が密着していることが好ましく、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線上には絶縁性部材１６が配置されていることがより好ましい。マイグレーションは、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線上に発生する電界に沿って金属が析出して移動する現象である。そのため、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線上に絶縁性部材１６を配置することによって、これらの電極から析出された金属の移動を食い止めることができる。
　なお、絶縁性部材１６をたとえば液状などの流動性が高い状態とすることができる場合には、図３（ａ）に示すように、第１導電型用電極６の下面６ｂのほぼ全体および第２導電型用電極７の下面７ｂのほぼ全体から裏面電極型太陽電池セル８で発電した電力を取り出すようにしてもよい。すなわち、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間の裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部に絶縁性部材１６が密着していることと、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７から電力を取り出せることと、を両立することができれば、絶縁性部材１６の配置箇所に制限はない。
　また、配線シート１０は、たとえば以下のようにして作製することができる。まず、図４（ａ）の模式的断面図に示すように、絶縁性基材１１の表面上に導電層４１を形成する。ここで、絶縁性基材１１としては、たとえば、ポリエステル、ポリエチレンナフタレートまたはポリイミドなどの樹脂からなる基板を用いることができるが、これに限定されるものではない。
　また、絶縁性基材１１の厚みは、たとえば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができ、特に２５μｍ程度とすることが好ましい。
　また、導電層４１としては、たとえば、銅などの金属からなる層を用いることができるが、これに限定されるものではない。
　次に、図４（ｂ）の模式的断面図に示すように、絶縁性基材１１の表面の導電層４１上にレジストパターン４２を形成する。ここで、レジストパターン４２は、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３の形成箇所以外の箇所に開口を有する形状に形成する。レジストパターン４２を構成するレジストとしてはたとえば従来から公知のものを用いることができ、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布される。
　次に、図４（ｃ）の模式的断面図に示すように、レジストパターン４２から露出している箇所の導電層４１を矢印４３の方向に除去することによって導電層４１のパターンニングを行ない、導電層４１の残部から第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を形成する。
　ここで、導電層４１の除去は、たとえば、酸やアルカリの溶液を用いたウエットエッチングなどによって行なうことができるが、これに限定されるものではない。また、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３の幅は、たとえば３００μｍ以上１ｍｍ以下とすることができ、特に５００μｍ程度とすることが好ましいが、これに限定されるものではない。
　次に、図４（ｄ）の模式的断面図に示すように、第１導電型用配線１２の表面および第２導電型用配線１３の表面からレジストパターン４２をすべて除去することによって、配線シート１０が作製される。
　図５に、上記のようにして作製した配線シート１０の表面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、配線シート１０の絶縁性基板１１の表面上において、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３はそれぞれ帯状に形成されている。また、配線シート１０の絶縁性基材１１の表面上には帯状の接続用配線１４が形成されており、接続用配線１４によって第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とが電気的に接続されている。なお、接続用配線１４は、たとえば、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３と同様に、導電層４１の残部から形成することができる。
　その後、図６（ａ）の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した配線シート１０の表面上に絶縁性部材１６を塗布した後に、配線シート１０の第１導電型用配線１２上に裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６を設置するとともに、配線シート１０の第２導電型用配線１３上に裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７を設置する。ここで、絶縁性部材１６は、たとえば、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布またはインクジェット塗布などの方法によって塗布することができる。
　また、絶縁性部材１６は、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間の裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間の絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、を密着して接着することができる絶縁性接着材であることが好ましい。
　その後、たとえば加熱または紫外線照射などの方法により絶縁性部材１６である絶縁性接着材を硬化させることによって、図６（ｂ）の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６が配線シート１０の第１導電型用配線１２とマイグレーション抑制層２０を介して電気的に接続されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７が配線シート１０の第２導電型用配線１３とマイグレーション抑制層２０を介して電気的に接続された状態で絶縁性部材１６によって裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０とが接着された構成の配線シート付き太陽電池セルが形成される。
　このとき、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部とが、絶縁性部材１６によって接合されている。
　ここで、絶縁性部材１６としては、たとえば、隣り合う電極間または隣り合う配線間に電流が流れない程度の電気絶縁性を少なくとも有するとともに裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０との貼り合わせが可能なものなどを用いることができる。
　より詳細には、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間から露出しているパッシベーション膜４などの絶縁性物質と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間から露出している絶縁性基材１１と、にそれぞれ密着して接着できる絶縁性接着材を絶縁性部材１６として用いることができる。絶縁性部材１６は、電気抵抗が十分に高く、金属イオンと結合できる成分の含有量が少なく、水分がほとんど浸入しないといった特性を有していることが好ましい。具体的には、電子部品やチップを配線基板に封止するためのアンダーフィラー樹脂（ThreeBond社製のThreeBond2202）などが好適である。
　その後は、図１に示すように、上記のようにして作製した配線シート付き太陽電池セルをガラス基板などの透明基板１７とポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間のエチレンビニルアセテートなどの封止材１８中に封止することによって本発明の太陽電池モジュールの一例が作製される。
　なお、加熱によって絶縁性部材１６である絶縁性接着材を硬化させる場合には、裏面電極型太陽電池セル８を封止材１８中に封止するのと同時に硬化させてもよい。
　上述したように、図１に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第１導電型用電極６の表面（側壁６ａおよび下面６ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されているとともに、第２導電型用電極７の表面（側壁７ａおよび下面７ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されている。そして、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、が絶縁性部材１６によって接合されている。
　したがって、図１に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７のそれぞれの表面がマイグレーション抑制層２０で覆われている。そのため、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７を構成する銀などの金属が太陽電池モジュールの使用時に、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間に発生する電位差に起因する電界によるマイグレーション現象によって析出するのを抑制することができる。
　なお、マイグレーション抑制層２０を構成する材料に金属が含まれる場合には、第１導電型用電極６を覆うマイグレーション抑制層２０の表面と第２導電型用電極７を覆うマイグレーション抑制層２０の表面との間の電界によって、マイグレーション抑制層２０を構成する金属が析出することがある。しかしながら、マイグレーションの起こりやすさは金属材料ごとに大きく異なるため、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７を構成する銀などの金属よりもマイグレーションが起こり難い金属材料（電極が銀の場合は、錫、パラジウム、金、白金、クロム、鉄、ニッケル、鉛など）をマイグレーション抑制層２０に用いることによって、マイグレーションの進行を抑制することができる。
　また、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用金属７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、の間に絶縁性部材１６が配置されている。そのため、マイグレーションによって金属が析出したとしても、絶縁性部材１６によってその移動を食い止めることができ、さらには絶縁性部材１６によって、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間の絶縁性能が低下するのを防止することができる。これにより、従来と比較して、マイグレーションに起因する太陽電池モジュールの特性の低下を有効に抑止することができる。
　絶縁性部材１６は、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。マイグレーションは電界に沿って金属が析出して移動する現象であるため、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線を横切るようにして絶縁性部材１６を配置することにより、マイグレーションにより析出した金属の移動を絶縁性部材１６で食い止めることができる。
　なお、上記においては、第１導電型用電極６の側壁６ａおよび下面６ｂ、ならびに第２導電型用電極７の側壁７ａおよび下面７ｂにそれぞれマイグレーション抑制層２０を形成する構成について説明したが、図１または図６に示されるように、第１導電型用電極６の下面６ｂならびに第２導電型用電極７の下面７ｂが配線などの導電性部材によって覆われている場合には、第１導電型用電極６の側壁６ａのみおよび第２導電型用電極７の側壁７ａのみにマイグレーション抑制層２０を形成してもよい。
　また、マイグレーション抑制層２０は、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６と配線シート１０の第１導電型用配線１２とが電気的に接続されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７と配線シート１０の第２導電型用配線１３とが電気的に接続されるために導電性であることが好ましいが、第１導電型用電極６の下面６ｂと第１導電型用配線１２とが直接接触し、第２導電型用電極７の下面７ｂと第２導電型用配線１３とが直接接触するなどの構造であれば、必ずしも導電性である必要はない。
　また、第１導電型用電極６の表面および第２導電型用電極７の表面の少なくとも一方がマイグレーション抑制層２０で覆われていればよいが、マイグレーションによる金属の析出をより効果的に抑える観点からは第１導電型用電極６の表面および第２導電型用電極７の表面の双方がそれぞれマイグレーション抑制層２０で覆われていることが好ましい。なお、第１導電型用電極６の表面のみがマイグレーション抑制層２０で覆われている場合には、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７とを結ぶ直線を横切るようにして絶縁性部材１６を配置することになる。
　また、本発明における裏面電極型太陽電池セルの概念には、上述した半導体基板の一方の表面側（裏面側）のみに第１導電型用電極および第２導電型用電極の双方が形成された構成のものだけでなく、ＭＷＴ（Metal　Wrap　Through）セル（半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置した構成の太陽電池セル）などのいわゆるバックコンタクト型太陽電池セル（太陽電池セルの受光面側と反対側の裏面側から電流を取り出す構造の太陽電池セル）のすべてが含まれる。
　また、本発明における配線シート付き太陽電池セルの概念には、複数の太陽電池セルが配線シート上に設置されている構成のみならず、１つの太陽電池セルが配線シート上に設置されている構成も含まれる。
　＜実施の形態２＞
　図７に、本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図を示す。図７に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、配線シート１０の第１導電型用配線１２の表面（側壁１２ａおよび上面１２ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が設置されているとともに、配線シート１０の第２導電型用配線１３の表面（側壁１３ａおよび上面１３ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が設置されている点に特徴がある。
　以下、図７に示す構成の太陽電池モジュールの製造方法の一例について説明する。図７に示す構成の太陽電池モジュールに用いられる裏面電極型太陽電池セル８については、裏面電極型太陽電池セル８の裏面の第１導電型用電極６の表面および第２導電型用電極７の表面にそれぞれマイグレーション抑制層２０を形成しないこと以外は実施の形態１と同様にして作製することができる。
　また、図７に示す構成の太陽電池モジュールに用いられる配線シート１０は、たとえば図８（ａ）～図８（ｄ）の模式的平面図に示すようにして作製することができる。
　まず、図８（ａ）に示すように絶縁性基材１１の表面上に導電層４１を形成した後に、図８（ｂ）に示すように絶縁性基材１１の表面の導電層４１上にレジストパターン４２を形成する。
　次に、図８（ｃ）に示すように、レジストパターン４２から露出している箇所の導電層４１を矢印４３の方向に除去することによって導電層４１のパターンニングを行ない、導電層４１の残部から第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を形成する。
　その後、図８（ｄ）に示すように、第１導電型用配線１２の表面および第２導電型用配線１３の表面からレジストパターン４２をすべて除去した後に、配線シート１０の第１導電型用配線１２の表面（側壁１２ａおよび上面１２ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０を形成するとともに、配線シート１０の第２導電型用配線１３の表面（側壁１３ａおよび上面１３ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０を形成することによって、配線シート１０が作製される。
　図９に、上記のようにして作製した配線シート１０の表面の一例の模式的な平面図を示す。ここで、配線シート１０の絶縁性基板１１の表面上においてそれぞれ帯状に形成されている第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３の表面はそれぞれマイグレーション抑制層２０で被覆されている。
　また、本実施の形態における配線シート付き太陽電池セルは、たとえば以下のようにして作製することができる。
　まず、図１０（ａ）の模式的断面図に示すように、上記のようにして作製した配線シート１０の表面上に絶縁性部材１６である絶縁性接着材を塗布した後に、配線シート１０の第１導電型用配線１２上に上記のようにして作製した裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６を設置するとともに、配線シート１０の第２導電型用配線１３上に裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７を設置する。
　これにより、図１０（ｂ）の模式的断面図に示すように、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６が配線シート１０の第１導電型用配線１２とマイグレーション抑制層２０を介して電気的に接続されるとともに、裏面電極型太陽電池セル８の第２導電型用電極７が配線シート１０の第２導電型用配線１３とマイグレーション抑制層２０を介して電気的に接続された状態で絶縁性部材１６によって裏面電極型太陽電池セル８と配線シート１０とが接着された構成の配線シート付き太陽電池セルが形成される。
　その後は、図７に示すように、上記のようにして作製した配線シート付き太陽電池セルをガラス基板などの透明基板１７とポリエステルフィルムなどのバックフィルム１９との間のエチレンビニルアセテートなどの封止材１８中に封止することによって本発明の太陽電池モジュールの一例が作製される。
　このとき、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、が絶縁性部材１６によって接合されている。
　上述したように、図７に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、配線シート１０の第１導電型用配線１２の表面（側壁１２ａおよび上面１２ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されているとともに、配線シート１０の第２導電型用配線１３の表面（側壁１３ａおよび上面１３ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が形成されている。そして、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、が絶縁性部材１６によって接合されている。
　したがって、図７に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３のそれぞれの表面がマイグレーション抑制層２０で覆われている。そのため、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を構成する銅などの金属が太陽電池モジュールの使用時に隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間に発生する電位差に起因する電界によるマイグレーション現象によって析出するのを抑制することができる。
　なお、マイグレーション抑制層２０を構成する材料に金属が含まれる場合には、第１導電型用配線１２を覆うマイグレーション抑制層２０の表面と第２導電型用配線１３を覆うマイグレーション抑制層２０の表面との間の電界によって、マイグレーション抑制層２０を構成する金属が析出することがある。しかしながら、マイグレーションの起こりやすさは金属材料ごとに大きく異なるため、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を構成する銅などの金属よりもマイグレーションが起こり難い金属材料（配線が銅の場合は、錫、パラジウム、金、白金、クロム、鉄、ニッケル、鉛など）をマイグレーション抑制層２０に用いることによって、マイグレーションの進行を抑制することができる。
　また、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用金属７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、の間に絶縁性部材１６が配置されている。そのため、マイグレーションによって金属が析出したとしても、絶縁性部材１６によってその移動を食い止めることができ、さらには絶縁性部材１６によって隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間の絶縁性能が低下するのを防止することができる。これにより、従来と比較して、マイグレーションに起因する太陽電池モジュールの特性の低下を有効に抑止することができる。
　絶縁性部材１６は、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。マイグレーションは電界に沿って金属が析出して移動する現象であるため、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とを結ぶ直線を横切るようにして絶縁性部材１６を配置することにより、マイグレーションにより析出した金属の移動を絶縁性部材１６で食い止めることができる。
　なお、上記においては、第１導電型用配線１２の側壁１２ａおよび上面１２ｂ、ならびに第２導電型用配線１３の側壁１３ａおよび上面１３ｂにそれぞれマイグレーション抑制層２０を形成する構成について説明したが、第１導電型用配線１２の側壁１２ａのみおよび第２導電型用配線１３の側壁１３ａのみにマイグレーション抑制層２０を形成してもよい。
　また、第１導電型用配線１２の表面および第２導電型用配線１３の表面の少なくとも一方がマイグレーション抑制層２０で覆われていればよいが、マイグレーションによる金属の析出をより効果的に抑える観点からは第１導電型用配線１２の表面および第２導電型用配線１３の表面の双方がそれぞれマイグレーション抑制層２０で覆われていることが好ましい。なお、第１導電型用配線１２の表面のみがマイグレーション抑制層２０で覆われている場合には、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とを結ぶ直線を横切るようにして絶縁性部材１６を配置することになる。
　また、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態１と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　＜実施の形態３＞
　図１１に、本発明の太陽電池モジュールの他の一例の模式的な断面図を示す。図１１に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、裏面電極型太陽電池セル８の第１導電型用電極６の表面（側壁６ａおよび下面６ｂ）ならびに第２導電型用電極７の表面（側壁７ａおよび下面７ｂ）をそれぞれ覆うようにしてマイグレーション抑制層２０を形成するとともに、配線シート１０の第１導電型用配線１２の表面（側壁１２ａおよび上面１２ｂ）ならびに第２導電型用配線１３の表面（側壁１３ａおよび上面１３ｂ）を覆うようにしてマイグレーション抑制層２０が設置されている点に特徴がある。
　したがって、図１１に示す構成の太陽電池モジュールにおいては、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７のそれぞれの表面がマイグレーション抑制層２０で覆われているとともに、第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３のそれぞれの表面がマイグレーション抑制層２０で覆われている。そのため、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７を構成する銀などの金属ならびに第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を構成する銅などの金属が、太陽電池モジュールの使用時に、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間に発生する電位差および／または隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間に発生する電位差に起因する電界によるマイグレーション現象によって析出するのを抑制することができる。これにより、従来と比較して、第１導電型用電極６および第２導電型用電極７を構成する金属、ならびに第１導電型用配線１２および第２導電型用配線１３を構成する金属の析出および移動に起因する太陽電池モジュールの特性の低下をさらに有効に抑止することができる。
　また、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用金属７との間における裏面電極型太陽電池セル８の裏面の少なくとも一部と、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間における絶縁性基材１１の表面の少なくとも一部と、の間に絶縁性部材１６が配置されている。そのため、マイグレーションによって金属が析出したとしても、絶縁性部材１６によってその移動を食い止めることができ、さらには絶縁性部材１６によって、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用電極７との間および／または隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３との間の絶縁性能が低下するのを防止することができる。これにより、従来と比較して、マイグレーションに起因する太陽電池モジュールの特性の低下を有効に抑止することができる。
　絶縁性部材１６は、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用金属７とを結ぶ直線を横切るようにして配置されているとともに、隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とを結ぶ直線を横切るようにして配置されていることが好ましい。マイグレーションは電界に沿って金属が析出して移動する現象であるため、隣り合う第１導電型用電極６と第２導電型用金属７とを結ぶ直線を横切るように、かつ隣り合う第１導電型用配線１２と第２導電型用配線１３とを結ぶ直線を横切るようにして絶縁性部材１６を配置することにより、マイグレーションにより析出した金属の移動を絶縁性部材１６で効果的に食い止めることができる。
　なお、本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態１および実施の形態２と同様であるため、ここでは説明を省略する。
　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明は、太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールに利用することができる。
　１　半導体基板、１ａ　スライスダメージ、２　第１導電型不純物拡散領域、３　第２導電型不純物拡散領域、４　パッシベーション膜、４ａ，４ｂ　コンタクトホール、５　反射防止膜、６　第１導電型用電極、６ａ　側壁、６ｂ　下面、７　第２導電型用電極、７ａ　側壁、７ｂ　下面、８，８０　裏面電極型太陽電池セル、１０，１００　配線シート、１１　絶縁性基材、１２　第１導電型用配線、１２ａ　側壁、１２ｂ　上面、１３　第２導電型用配線、１３ａ　側壁、１３ｂ　上面、１４　接続用配線、１６　絶縁性部材、１７　透明基板、１８　封止材、１９　バックフィルム、２０　マイグレーション抑制層、４１　導電層、４２　レジストパターン、４３　矢印、１１６　絶縁性接着剤。

Claims (7)

  1. 　半導体基板（１）と、
    　前記半導体基板（１）の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域（２）および第２導電型不純物拡散領域（３）と、
    　前記第１導電型不純物拡散領域（２）上に設置された第１導電型用電極（６）と、
    　前記第２導電型不純物拡散領域（３）上に設置された第２導電型用電極（７）とを有し、
    　前記第１導電型用電極（６）の表面が前記第１導電型用電極（６）を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層（２０）で覆われており、
    　前記第１導電型用電極（６）を覆う前記マイグレーション抑制層（２０）の表面および前記第２導電型用電極（７）の表面の少なくとも一方が絶縁性部材（１６）で覆われている、太陽電池セル（８）。
  2. 　前記マイグレーション抑制層（２０）と前記絶縁性部材（１６）とがそれぞれ、隣り合う前記第１導電型用電極（６）と前記第２導電型用電極（７）とを結ぶ直線を横切るようにして配置されている、請求の範囲第１項に記載の太陽電池セル（８）。
  3. 　太陽電池セル（８）と、
    　配線シート（１０）とを含み、
    　前記太陽電池セル（８）は、半導体基板（１）と、前記半導体基板（１）の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域（２）および第２導電型不純物拡散領域（３）と、前記第１導電型不純物拡散領域（２）上に設置された第１導電型用電極（６）と、前記第２導電型不純物拡散領域（３）上に設置された第２導電型用電極（７）とを有し、
    　前記配線シート（１０）は、絶縁性基材（１１）と、前記絶縁性基材（１１）に設置された第１導電型用配線（１２）と第２導電型用配線（１３）とを有しており、
    　前記太陽電池セル（８）の前記第１導電型用電極（６）が前記配線シート（１０）の前記第１導電型用配線（１２）に電気的に接続するように設置され、
    　前記太陽電池セル（８）の前記第２導電型用電極（７）が前記配線シート（１０）の前記第２導電型用配線（１３）に電気的に接続するように設置されており、
    　前記第１導電型用電極（６）の表面が、前記第１導電型用電極（６）を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層（２０）で覆われており、
    　隣り合う前記第１導電型用電極（６）と前記第２導電型用電極（７）との間における前記太陽電池セル（８）の表面の少なくとも一部と、隣り合う前記第１導電型用配線（１２）と前記第２導電型用配線（１３）との間における前記絶縁性基材（１１）の表面の少なくとも一部とが、絶縁性部材（１６）によって接合されている、配線シート付き太陽電池セル。
  4. 　前記マイグレーション抑制層（２０）と前記絶縁性部材（１６）とがそれぞれ、隣り合う前記第１導電型用電極（６）と前記第２導電型用電極（７）とを結ぶ直線を横切るようにして配置されている、請求の範囲第３項に記載の配線シート付き太陽電池セル。
  5. 　太陽電池セル（８）と、
    　配線シート（１０）とを含み、
    　前記太陽電池セル（８）は、半導体基板（１）と、前記半導体基板（１）の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域（２）および第２導電型不純物拡散領域（３）と、前記第１導電型不純物拡散領域（２）上に設置された第１導電型用電極（６）と、前記第２導電型不純物拡散領域（３）上に設置された第２導電型用電極（７）とを有し、
    　前記配線シート（１０）は、絶縁性基材（１１）と、前記絶縁性基材（１１）に設置された第１導電型用配線（１２）と第２導電型用配線（１３）とを有しており、
    　前記太陽電池セル（８）の前記第１導電型用電極（６）が前記配線シート（１０）の前記第１導電型用配線（１２）に電気的に接続するように設置され、
    　前記太陽電池セル（８）の前記第２導電型用電極（７）が前記配線シート（１０）の前記第２導電型用配線（１３）に電気的に接続するように設置されており、
    　前記第１導電型用配線（１２）の表面が、前記第１導電型用配線（１２）を構成する金属の析出を抑制するためのマイグレーション抑制層（２０）で覆われており、
    　隣り合う前記第１導電型用電極（６）と前記第２導電型用電極（７）との間における前記太陽電池セル（８）の表面の少なくとも一部と、隣り合う前記第１導電型用配線（１２）と前記第２導電型用配線（１３）との間における前記絶縁性基材（１１）の表面の少なくとも一部とが、絶縁性部材（１６）によって接合されている、配線シート付き太陽電池セル。
  6. 　前記マイグレーション抑制層（２０）と前記絶縁性部材（１６）とがそれぞれ、隣り合う前記第１導電型用配線（１２）と前記第２導電型用配線（１３）とを結ぶ直線を横切るようにして配置されている、請求の範囲第５項に記載の配線シート付き太陽電池セル。
  7. 　請求の範囲第３項から第６項のいずれかに記載の配線シート付き太陽電池セルの前記太陽電池セル（８）が封止材に封止されてなる、太陽電池モジュール。
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