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WO2010010791A1 - 有機トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

有機トランジスタ及びその製造方法 Download PDF

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WO2010010791A1
WO2010010791A1 PCT/JP2009/061837 JP2009061837W WO2010010791A1 WO 2010010791 A1 WO2010010791 A1 WO 2010010791A1 JP 2009061837 W JP2009061837 W JP 2009061837W WO 2010010791 A1 WO2010010791 A1 WO 2010010791A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
organic semiconductor
transistor
insulating layer
fluorine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2009/061837
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正義 高武
正紀 笠井
米原　祥友
高野　聖史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
DIC Corp
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DIC Corp, Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical DIC Corp
Priority to US13/055,303 priority Critical patent/US9166182B2/en
Priority to EP09800306.4A priority patent/EP2312637A4/en
Priority to KR1020107024250A priority patent/KR101238356B1/ko
Priority to JP2010510014A priority patent/JP4582430B2/ja
Priority to CN2009801289919A priority patent/CN102105987B/zh
Publication of WO2010010791A1 publication Critical patent/WO2010010791A1/ja
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    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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    • H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
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    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used

Definitions

  • the present invention relates to an organic transistor using an organic semiconductor used for a liquid crystal display, electronic paper, an EL display device, an RF-ID tag, and the like, and a method for manufacturing the same.
  • Transistors are widely used as important electronic elements (electronic parts) that make up televisions and computer equipment, and are currently manufactured using inorganic materials such as silicon as the main material.
  • organic transistors using an organic substance as a member of such a transistor has attracted attention (see Non-Patent Document 1).
  • Organic transistors can be formed by a wet process such as a printing method, so there is no need for expensive vacuum equipment, which was essential in conventional silicon processes, and production costs including capital investment can be drastically reduced.
  • An organic transistor is an organic semiconductor element having three electrodes, an insulating layer, and a semiconductor layer as essential members.
  • a wet process such as a printing method and a dry process such as vacuum deposition and sputtering as a method for forming an electrode layer, an insulating layer, and a semiconductor layer constituting the element, but a wet process is preferable in view of cost reduction (non-patent) Reference 2).
  • the surface of the gate insulating layer is treated with a surface treatment agent typified by a silane coupling agent for the purpose of improving the crystallinity of the organic semiconductor layer constituting the channel formation region.
  • a surface treatment agent typified by a silane coupling agent for the purpose of improving the crystallinity of the organic semiconductor layer constituting the channel formation region.
  • an example in which a channel formation region is formed using an organic semiconductor material thereon has been introduced (see Non-Patent Document 3 and Patent Document 1).
  • an ideal surface treatment that completely covers the substrate surface with silane coupling without any gap inevitably increases the liquid repellency of the insulating film surface.
  • the surface treatment is performed by applying a limited silane coupling agent, limiting processing conditions, or using a limited solvent.
  • a limited silane coupling agent limiting processing conditions, or using a limited solvent.
  • the solvent that can be used is limited, so that the wet process method is inevitably limited, which is the most characteristic of the organic transistor, flexible. Therefore, it has been difficult to realize a large-area transistor element at a practical level.
  • Examples of adding a resin to an organic semiconductor solution include P3HT (Poly (3-hexylthiophene)) and PQT-12 (poly [5,5′-bis (3-dodecyl-2-thienyl) -2,2′-bithiophene). And a polymethyl methacrylate resin dissolved in dichlorophenol is used.
  • a PMMA having a protective film function was spontaneously separated into layers by spin-coating the blend solution on a silicon oxide insulating film surface-treated with a silane coupling agent, and formed on the silicon oxide. It has been shown that a layer separation structure covering an organic semiconductor layer is formed (see Non-Patent Document 4).
  • a fluorosurfactant there is no description regarding the addition of a fluorosurfactant, and there is no finding that the performance of a transistor element can be improved by using an organic semiconductor to which a fluorosurfactant is added.
  • An object of the present invention is to provide an organic transistor having an improved transistor characteristic in an organic transistor using an organic semiconductor and a method for manufacturing the same.
  • the present invention provides: (a) a substrate, (b) a gate electrode, (c) an insulating layer, (d) a channel forming region formed in an organic semiconductor layer in contact with the insulating layer, and (e) a source.
  • a substrate is provided with (b) a gate electrode, (c) an insulating layer, (d) a channel formation region formed in an organic semiconductor layer in contact with the insulating layer, and (e) a source / drain electrode.
  • D a step of forming an organic semiconductor layer by printing or coating an organic semiconductor solution containing a fluorine-based surfactant on the insulating layer, or (d) a fluorine-based method
  • the present invention provides a method for producing an organic transistor comprising a step of forming an insulating layer by printing or coating on an organic semiconductor layer containing a surfactant.
  • transistor characteristics can be improved by forming an organic semiconductor layer containing a fluorine-based compound (surfactant) in an organic transistor.
  • the effect of improving characteristics is high in an organic semiconductor having crystallinity. This is presumed that the addition of the fluorosurfactant increases the alignment and crystallinity of the organic semiconductor molecules and improves the transistor performance, but of course this does not limit the present invention.
  • an organic semiconductor containing a fluorosurfactant by using an organic semiconductor containing a fluorosurfactant, it is difficult to form an organic semiconductor film in the past. Can be easily formed.
  • high-performance organic materials that exhibit uniform and excellent transistor characteristics even on wet processes such as printing methods, even on highly liquid-repellent insulating films that are highly SAM-treated with various silane coupling agents.
  • a semiconductor thin film can be formed easily.
  • the present invention relates to an organic transistor element, and its structure is formed on (a) a substrate, (b) a gate electrode, (c) an insulating layer, and (d) an organic semiconductor layer in contact with the insulating layer.
  • the present invention relates to an organic transistor having a channel formation region and (e) source / drain electrodes.
  • the organic semiconductor layer is characterized by containing a fluorine compound (surfactant).
  • the organic transistor of the present invention is manufactured by the following process. That is, it includes (a) a step of forming a gate electrode on a substrate, (c) a step of forming an insulating layer, and (d) a step of forming an organic semiconductor layer in contact with the insulating layer.
  • the relative positional relationship between (c) the insulating layer and (d) the organic semiconductor layer in contact with the insulating layer is, for example, that the organic semiconductor layer may be formed after the insulating layer is formed.
  • An insulating layer may be formed after the semiconductor layer is formed.
  • Each layer is preferably formed by printing or coating.
  • the organic transistor of the present invention can have a horizontal and vertical transistor structure.
  • a bottom-gate (BG) or top-gate (TG) transistor defined by the positional relationship of the gate electrode with the transistor component can be used.
  • a transistor structure such as a bottom contact type, a top contact type, and a bottom top contact type can be adopted.
  • an organic semiconductor layer containing a fluorosurfactant when forming a bottom gate type organic transistor, an organic semiconductor layer containing a fluorosurfactant may be stacked after forming an insulating layer, or a top gate type organic transistor is formed.
  • the insulating layer may be formed after the organic semiconductor layer containing the fluorosurfactant is formed.
  • the substrate applicable to the organic transistor of the present invention.
  • silicon thermally oxidized film silicon whose surface is oxidized to be an insulating layer, glass, stainless steel and other thin metal plates
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PI polyimide
  • PES polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • composite films obtained by adding a gas barrier property and a hard coat layer to these films can be used.
  • a plastic film can be suitably used from the viewpoint of making the transistor flexible.
  • the method for forming each functional layer excluding the organic semiconductor layer is not particularly limited, and may be a dry process or a wet process.
  • the gate electrode (b) can be formed by a dry process represented by sputtering, vapor deposition, ion plating, photolithography, etching, or a wet process such as a printing method.
  • the wet process is a preferred embodiment of the present invention because a dramatic reduction in manufacturing cost can be expected.
  • inkjet method for example, inkjet method, screen printing method, spin coating method, bar coating method, slit coating method, dip coating method, spray coating method, gravure printing method, flexographic printing method, gravure offset method, letterpress offset method, micro A contact printing method, a letterpress reverse printing method, or the like is used.
  • the conductive ink for forming the gate electrode for example, gold, silver, copper, nickel, zinc, aluminum, calcium, magnesium, iron, platinum, palladium, tin, chromium, lead in a suitable solvent
  • Metal particles such as silver, alloys of these metals such as silver / palladium, etc., thermally decomposable metal compounds that give a conductive metal by thermal differentiation at relatively low temperatures, such as silver oxide, organic silver, and organic gold, zinc oxide (ZnO)
  • conductive metal oxide particles such as indium tin oxide (ITO) may be included as a conductive component, and conductive polymers such as polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS) and polyaniline are included.
  • distribution of this electroconductive material can be selected suitably.
  • various organic solvents such as water, hydrocarbon, alcohol, ketone, ether, ester, and fluorine can be used.
  • the ink contains a binder component such as a resin, an antioxidant, various catalysts for promoting film formation, various interfacial energy regulators, leveling agents, mold release accelerators, and the like as necessary. Can be added.
  • the ink in which nano silver particles are dispersed in a solvent and mixed with a release agent such as low molecular silicone and an interfacial energy modifier such as a fluorosurfactant is particularly suitable for the relief offset method. It can be suitably used because it exhibits excellent patterning properties and high conductivity at low temperature firing. Conversion from the ink film layer to the functional material layer that constitutes the electronic component is a method that is optimal for the ink characteristics and the electronic component, such as room temperature drying, heat treatment, and treatment such as ultraviolet ray and electron beam irradiation. Can be implemented.
  • the method for forming each functional layer excluding the organic semiconductor layer is not particularly limited, and may be a dry process or a wet process.
  • a dry process represented by sputtering, vapor deposition, ion plating, photolithography, etching, or a wet process such as a printing method can be applied.
  • the wet process is a preferred embodiment of the present invention because a dramatic reduction in manufacturing cost can be expected.
  • inkjet method for example, inkjet method, screen printing method, spin coating method, bar coating method, slit coating method, dip coating method, spray coating method, gravure printing method, flexographic printing method, gravure offset method, letterpress offset method, letterpress A reverse printing method or the like is used.
  • the insulating ink for forming the insulating layer (c) may contain an insulating material, such as an epoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl pyrrolidone resin, a polyvinyl alcohol resin, an acrylic resin.
  • an insulating material such as an epoxy resin, a polyimide resin, a polyvinyl pyrrolidone resin, a polyvinyl alcohol resin, an acrylic resin.
  • Nitrile resins, methacryl resins, polyamide resins, polyvinyl phenol resins, phenol resins, polyamide imide resins, fluorine resins, melamine resins, urethane resins, polyester resins, alkyd resins, and the like can be applied.
  • these may be used alone or in combination of two or more, and if necessary, constitutions such as high relative dielectric constant particles such as alumina fine particles, silica fine particles and tantalum oxide fine particles, and low relative dielectric constant particles such as hollow silica fine particles Ingredients may be added.
  • various organic solvents such as water, hydrocarbon type, alcohol type, ketone type, ether type, ester type, glycol ether type, a fluorine type, can be used.
  • binder components such as resin, antioxidant, a leveling agent, a mold release accelerator, and various catalysts for film formation promotion can be used as needed.
  • silicone-based and fluorine-based surfactants can be added. Conversion from the ink film layer to the functional material layer that constitutes the transistor is performed in a method that is optimal for the ink characteristics and electronic components, such as room temperature drying, heat treatment, and ultraviolet light, electron beam irradiation, etc. it can.
  • the gate electrode (b) and the insulating layer (c) may be formed by a dry process or a wet process.
  • the formation of the organic semiconductor layer (d) is characterized by requiring a wet process such as a printing method.
  • a solvent-soluble organic semiconductor that can be wet-processed can be applied.
  • Solvent-soluble organic semiconductors such as P3HT (poly (3-hexylthiophene)), PQT-12 (poly [5,5′-bis (3-dodecyl-2-thienyl1) -2,2′-bithiophene]), etc.
  • Thiophene-thienothiophene such as PB10TTT, PB12TTT, PB14TTT, PB16PBTTT (PBTT: poly (2,5-bis (3-alkylthiophen-2-yl) thieno [3,2-b] thiophene)) Copolymers, soluble thiophene oligomers, fluorene polymers such as F8T2, phenylene vinylene polymers, triarylamine polymers, TIPS pentacene, and precursors and mixtures of these organic semiconductors can be suitably used.
  • PBTT poly (2,5-bis (3-alkylthiophen-2-yl) thieno [3,2-b] thiophene)
  • P3HT poly (3-hexylthiophene)
  • PQT-12 poly [5,5′-bis (3-dodecyl-2-thienyl1) -2,2′-bithiophene]
  • Polythiophene polymers such as PB10TTT, PB12TTT, PB14TTT, PB16PBTTT, etc.
  • PBTT poly (2,5-bis (3-alkylthiophen-2-yl) thieno [3,2-b] thiophene)
  • a copolymer or a mixture of two or more of TIPS pentacene is preferred.
  • Solvents applicable to these organic semiconductor inks only need to be able to dissolve the organic semiconductor at room temperature or with some heating, have appropriate volatility, and form an organic semiconductor thin film after volatilization of the solvent.
  • toluene, xylene, mesitylene Chlorobenzene solvents such as chloroform, anisole, methylene chloride, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dichlorobenzene and trichlorobenzene, and fluorinated solvents may be used alone or as a mixed solvent containing these solvents.
  • the organic semiconductor ink for forming the organic semiconductor layer in the organic transistor of the present invention is characterized by containing a fluorine-based surfactant.
  • a fluorosurfactant for a crystalline organic semiconductor ink contributes not only to improving ink characteristics but also to improving characteristics of a semiconductor film formed by drying the ink, such as field effect mobility.
  • a small amount of a silicone-based or hydrocarbon-based surfactant can be supplementarily added.
  • an organic transistor has a surface of a gate insulating film, for example, hexamethyldisilazane (HMDS), octyltrichlorosilane (OTS-8), octadecyltrichlorosilane, (OTS-18), dodecyltrichlorosilane (DTS), fluorine.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • OTS-8 octyltrichlorosilane
  • OTS-18 dodecyltrichlorosilane
  • Transistor characteristics are improved by applying a SAM (self-assembled film) treatment with a silane coupling agent such as substituted octatrichlorosilane (PFOTS) or ⁇ -phenethyltrichlorosilane.
  • POTS substituted octatrichlorosilane
  • ⁇ -phenethyltrichlorosilane ⁇ -phenethy
  • a densely SAM-treated surface inevitably increases liquid repellency, and it has been difficult to form a uniform organic semiconductor thin film on the surface. For this reason, there are significant limitations on the applicable transistor structure, solvent type, and printing method.
  • a fluorosurfactant to the organic semiconductor ink and adjusting the surface energy of the organic semiconductor ink or organic semiconductor film, a uniform organic semiconductor can be easily formed on the gate insulating film having high liquid repellency. A layer can be formed.
  • the optimum SAM treatment agent and conditions for the type of organic semiconductor to be applied can be selected without limitation, and transistor characteristics that have not been achieved so far are realized.
  • the fluorosurfactant a surfactant in which a fluorine-containing group, a hydrophilic group and / or a lipophilic group are present in the same molecule can be used.
  • the fluorine-containing group is not particularly limited, but a perfluoroalkyl group in which all or part of the alkyl group's hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms, or a perfluoroalkyl group having a structure in which the perfluoroalkyl group has an oxygen atom interposed therebetween.
  • Polyether groups are preferred.
  • the fluorine-containing group is a perfluoroalkyl group, the number of carbon atoms is preferably 6 or more.
  • the fluorosurfactant is preferably a fluorinated (meth) acrylic polymer.
  • the fluorine-containing group may be present in any of the main chain, the side chain, and the molecular end.
  • the fluorine-containing group is preferably present in the side chain, and it is industrially simple and preferable to obtain a polymer using fluorinated (meth) acrylate as a raw material.
  • (meth) acrylate methacrylate, acrylate, haloacrylate, and cyanoacrylate are collectively referred to as (meth) acrylate.
  • the fluorinated (meth) acrylate is represented by the following general formula (A-1).
  • CH 2 C (R 1 ) COO (X) a C m F 2m + 1 (A-1)
  • X is a divalent linking group, specifically, — (CH 2 ) n —, —CH 2 CH (OH) (CH 2 ) n -,-(CH 2 ) n N (R 2 ) SO 2 -,-(CH 2 ) n N (R 2 ) CO- (where n is an integer from 1 to 10 and R 2 is H Or an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.), —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —CH (CF 3 ) —, — C (CF 3 ) 2 —, CH 2 CFH— and the like, a is 0 or 1, and m is an integer of 1 to 20.)
  • fluorinated (meth) acrylate examples include the following.
  • the fluorinated (meth) acrylic polymer is preferably a copolymer with non-fluorine (meth) acrylate in consideration of compatibility with other components.
  • a non-fluorine (meth) acrylate is not particularly limited, but a macromonomer type non-fluorine (meth) acrylate containing a polyoxyalkylene group is preferable from the viewpoint of compatibility with other components.
  • non-fluorine (meth) acrylates other than those described above.
  • examples of such compounds include styrene, butadiene, nucleus-substituted styrene, acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, vinyl pyridine, N-vinyl pyrrolidone, vinyl sulfonic acid, vinyl acetate, butyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, hydroxyl butyl vinyl ether, and other vinyl ethers.
  • ⁇ , ⁇ -ethylenically unsaturated carboxylic acids that is, mono- or divalent carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, ⁇ , ⁇ -ethylenically unsaturated carboxylic acids
  • Metal acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group as a derivative (hereinafter, this expression generically refers to both acrylic acid alkyl ester and methacrylic acid alkyl ester), that is, (meth) acrylic acid Methyl, Tyl, propyl, butyl, octyl, 2-ethylhexyl, decyl, dodecyl, stearyl ester, etc., and hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid having 1 to 18 carbon atoms, ie, 2-hydroxyethyl ester, hydroxypropyl ester, hydroxybutyl Examples of the ester
  • aminoalkyl esters of (meth) acrylic acid having 1 to 18 carbon atoms that is, dimethylaminoethyl ester, diethylaminoethyl ester, diethylaminopropyl ester, etc.
  • acrylic acid containing ether oxygen having 3 to 18 carbon atoms Alkyl esters such as methoxyethyl ester, ethoxyethyl ester, methoxypropyl ester, methyl carbyl ester, ethyl carbyl ester, butyl carbyl ester and the like, and further cyclic structure-containing monomers such as dicyclopentanyloxyl ethyl (meth) acrylate, isobol Nyloxylethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, dimethyladamantyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (
  • non-fluorinated (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
  • the production method of the fluorinated (meth) acrylic polymer according to the present invention is not limited at all, and a known method, that is, a solution polymerization method based on a polymerization mechanism such as a radical polymerization method, a cationic polymerization method, an anionic polymerization method, although it can be produced by a bulk polymerization method or an emulsion polymerization method, the radical polymerization method is particularly convenient and industrially preferable.
  • the polymerization initiator those known in the art can be used, for example, peroxides such as benzoyl peroxide and diacyl peroxide, and azo compounds such as azobisisobutyronitrile and phenylazotriphenylmethane. And metal chelate compounds such as Mn (acac) 3 .
  • the molecular weight of the polymer can also be controlled by the polymerization method, polymerization initiator, etc., but chain transfer agents known in the industry can be used as necessary. Examples of the chain transfer agent include lauryl mercaptan, 2-mercaptoethanol, ethylthioglycolic acid, octylthioglycolic acid and the like.
  • the fluorine-based random or block copolymer according to the present invention can also be obtained by photopolymerization in the presence of a photosensitizer or photoinitiator, or by polymerization using radiation or heat as an energy source.
  • the polymerization can be carried out in the presence or absence of a solvent, but is preferably in the presence of a solvent from the viewpoint of workability.
  • Solvents include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, polar solvents such as dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, 1,1,1-trichloroethane, chloroform, etc. Any of the above halogenated solvents, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane, aromatics such as benzene, toluene and xylene, and fluorinated inner-trikids such as perfluorooctane and perfluorotri-n-butylamine can be used. .
  • the molecular weight of the fluorinated (meth) acrylic polymer according to the present invention is preferably 3,000 to 1,000,000, preferably 5,000 to 500,000, and more preferably 10,000 to 1,000, in terms of weight average molecular weight. 300,000 is good.
  • the fluorine-containing surfactant to be added may be one kind or a mixture of two or more kinds.
  • a small amount of silicone-based or hydrocarbon-based surfactant can be mixed with the fluorine-based surfactant.
  • Specific examples include, for example, Megafuck F-482, Megafuck F-470 (R-08), Megafuck F-472SF, Megafuck R-30, Megafuck F-484, Megafuck F-486, There are MegaFuck F-172D, MegaFuck MCF-350SF, MegaFuck F-178RM (trade name, manufactured by DIC), etc., but there is no particular limitation. These may be used alone or in combination of two or more.
  • These fluorinated surfactants are contained in the total ink composition in an amount of 0.01 to 5.0% by mass, preferably 0.05 to 1.0% by mass of the active component.
  • fluorine surfactants with high surface segregation properties is particularly effective in improving transistor characteristics such as field effect mobility and ON / OFF ratio.
  • An organic semiconductor layer containing a fluorosurfactant can be easily formed by a wet process.
  • inkjet method screen printing method, spin coating method, bar coating method, slit coating method, dip coating method, spray coating method, gravure printing method, flexographic printing method, gravure offset method, relief printing offset method, micro contact printing method, relief printing A reverse printing method or the like can be used.
  • the formation of the source and drain electrodes (e) is not particularly limited, and may be a dry process or a wet process. Similar to the formation of the gate electrode (b), a dry process represented by sputtering, vapor deposition, ion plating, photolithography, and etching, and a wet process such as a printing method can be applied. In particular, the wet process is a preferred embodiment of the present invention because a significant reduction in manufacturing cost can be expected.
  • inkjet method for example, inkjet method, screen printing method, spin coating method, bar coating method, slit coating method, dip coating method, spray coating method, gravure printing method, flexographic printing method, gravure offset method, letterpress offset method, micro A contact printing method, a letterpress reverse printing method, or the like is used.
  • the conductive ink for forming the source and drain electrodes (e) is, for example, gold, silver, copper, nickel, zinc, aluminum in an appropriate solvent, as in the formation of the gate electrode (b). , Calcium, magnesium, iron, platinum, palladium, tin, chromium, lead, etc. metal particles such as silver / palladium alloys, silver oxide, organic silver, organic gold, etc.
  • conductive metal oxide particles such as zinc oxide (ZnO) and indium tin oxide (ITO) may be included as a conductive component, or polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid Conductive polymers such as (PEDOT / PSS) and polyaniline may be included.
  • conductive metal oxide particles such as zinc oxide (ZnO) and indium tin oxide (ITO)
  • ZnO zinc oxide
  • ITO indium tin oxide
  • PES polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonic acid
  • Conductive polymers such as (PEDOT / PSS) and polyaniline may be included.
  • distribution of this electroconductive material can be selected suitably.
  • various organic solvents such as water, hydrocarbon, alcohol, ketone, ether and ester can be used.
  • the ink contains a binder component such as a resin, an antioxidant, various catalysts for promoting film formation, various interfacial energy regulators, leveling agents, mold release accelerators, and the like as necessary.
  • a binder component such as a resin, an antioxidant, various catalysts for promoting film formation, various interfacial energy regulators, leveling agents, mold release accelerators, and the like as necessary.
  • inks in particular, inks in which nano silver particles are dispersed in a solvent and mixed with a release agent such as low molecular weight silicone and an interfacial energy adjusting agent such as a fluorosurfactant are suitable for the letterpress offset method. It can be preferably used because of its high patterning properties and high conductivity at low temperature firing. Conversion from the ink film layer to the source and drain electrodes that constitute the organic transistor is a method that is optimal for ink characteristics and electronic components, such as drying at room temperature, heat treatment, and ultraviolet light, electron beam irradiation, etc. Can be implemented.
  • a test element having a bottom gate bottom contact (BGBC) structure shown in FIG. 1 was prepared, and the characteristics of the organic transistor of the present invention were evaluated.
  • the field effect mobility and ON / OFF value were calculated from the measured values of Id-Vg and Id-Vd.
  • Example 1 The transistor characteristic measuring element having the bottom gate bottom contact (BGBC) structure shown in FIG. 1 was prepared by the following procedure.
  • Source and drain electrode patterns made of gold with a channel length of 50 ⁇ m and a channel width of 2 mm were formed on the previously formed gate insulating layer by vacuum deposition using a metal mask.
  • the fabricated device was subjected to heat treatment in a glow box at 150 ° C.
  • Example 2 An organic transistor element was prepared in the same manner as in Example 1 except that the polymer obtained in Synthesis Example 2 was used as the fluorosurfactant added to the organic semiconductor (P3HT) solution. The obtained transistor characteristics are shown in Table 1.
  • Example 3 A transistor characteristic measuring element having a bottom gate bottom contact (BGBC) structure shown in FIG. 1 was prepared.
  • gate electrode A polycarbonate film with a hard cord having a thickness of about 125 ⁇ m is cut into a predetermined size, and a conductive ink in which nano-particle silver is uniformly dispersed is applied uniformly on the film by spin coating, Firing was performed at 180 ° C. for 30 minutes in a clean oven.
  • Formation of an insulating layer using an insulating ink containing polyvinylphenol and polymethacrylate copolymer as an insulating resin component, it is applied on a Cr electrode by a spin coating method, and heat-treated in a clean oven at 140 ° C.
  • the organic semiconductor ink prepared is formed on a smooth polydimethylsiloxane (PDMS) rubber using a bar coater
  • the insulating layer with the source and drain electrodes prepared above is pressed against the coated film
  • the semiconductor coating film was transferred onto the insulating layer, and a P3HT semiconductor layer having a thickness of about 70 nm was formed on the insulating layer.
  • the fabricated element was heat-treated in a glow box at 150 ° C. for about 5 minutes, and Id-Vg and Id-Vd characteristics were measured using a semiconductor parameter measuring device (Keithley 4200) to transfer the field effect.
  • the degree and ON / OFF were determined by a known method.
  • the obtained transistor characteristics are shown in Table 1.
  • Example 4 Substrate, gate electrode, insulating layer: A silicon wafer with 300 nm thick thermally oxidized silicon was cut into a predetermined size, and the surface of the thermally oxidized silicon was modified with octyltrichlorosilane (OTS-8). As the gate electrode, a silicon surface obtained by scraping silicon oxide with a diamond pen was used.
  • OTS-8 octyltrichlorosilane
  • OTS-8 octyltrichlorosilane
  • the fabricated device was heat-treated in a glow box at 150 ° C. for about 5 minutes, and measured for Id-Vg and Id-Vd characteristics using a semiconductor parameter measuring device (Keithley 4200). The ON / OFF ratio was determined by a known method. The obtained transistor characteristics are shown in Table 1.
  • Example 1 A transistor element was prepared in the same manner as in Example 1 except that no fluorine-based surfactant was added to the organic semiconductor ink, and its characteristics were measured. The obtained characteristics are shown in Table 1.
  • Example 4 (Comparative Example 2) In Example 4, the P3HT xylene solution to which no fluorosurfactant was added was repelled on the silicon oxide treated with OTS-8 during spin coating, and a coating film could not be formed.
  • the organic semiconductor element of the present invention can be suitably applied to the production of electronic elements used for liquid crystal displays, electronic paper, EL display devices, RF-ID tags, and the like.

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Abstract

　有機半導体を用いる有機トランジスタにおいて、そのトランジスタ特性をより向上させた有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。第一に、（ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタであって、該有機半導体層にフッ素系化合物（界面活性剤）を含有することを特徴とする有機トランジスタを提供するものである。第二に、有機トランジスタの製造方法であって、絶縁層上に、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体溶液の印刷又は塗布により（ｄ）有機半導体層を形成する工程、又は、（ｄ）フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層上に、印刷又は塗布により絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法を提供する。

Description

有機トランジスタ及びその製造方法
　本発明は、液晶ディスプレイ、電子ペーパー、ＥＬ表示装置、ＲＦ－ＩＤタグ等に用いられる、有機半導体を用いた有機トランジスタ及びその製造方法に関する。
　トランジスタはテレビやコンピューター機器を構成する重要な電子素子(電子部品)として広く活用されており、現在、シリコン等の無機物を主材料にして製造されている。近年、こうしたトランジスタの部材に有機物を使った有機トランジスタが注目を集めている（非特許文献１参照）。有機トランジスタは、印刷法等のウェットプロセスで形成が可能なことから、従来のシリコンプロセスで必須であった、高価な真空装置が必要なく、設備投資も含めた生産コストの劇的な低減が可能であり、また、プロセスの低温化が可能であり、プラスチック基板上にも形成できることから、ユビキタス時代の必須アイテム、すなわち、フレキシブル＆低コスト端末の実現には欠かせない構成要素と考えられている。
　有機トランジスタは三つの電極、絶縁層及び半導体層を必須部材とする有機半導体素子である。素子を構成する電極層、絶縁層、半導体層の形成法には、印刷法等のウェットプロセスと真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスがあるが、低コスト化を考えるとウェットプロセスが好ましい（非特許文献２参照）。
　更に、有機トランジスタの性能を向上させるための方法として、チャネル形成領域を構成する有機半導体層の結晶性向上を目的とし、ゲート絶縁層の表面をシランカップリング剤に代表される表面処理剤で処理し、その上に有機半導体材料を用いてチャネル形成領域を形成している例が紹介されている（非特許文献３参照、特許文献１参照）。しかしながら、基材表面をシランカップリングで隙間無く完全に覆う理想的な表面処理は必然的に絶縁膜表面の撥液性を高めてしまう。これにより、これまで、該処理表面に有機半導体溶液を均一に塗布し均一な有機半導体膜を形成することが困難であった。従来は、限定されたシランカップリング剤の適用や、処理条件を限定したり、さらに、限定された溶剤を使用することにより該表面処理を行っていた。従来の方法では、得られるトランジスタ特性の向上が制限されるばかりでなく、使用できる溶剤が限定されることから、必然的にウェットプロセスの方法が限定され、有機トランジスタの最大の特徴である、フレキシブルで大面積のトランジスタ素子を実用水準で実現することが困難であった。
　有機半導体溶液に樹脂を添加する例として、Ｐ３ＨＴ（Ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））やＰＱＴ－１２（ｐｏｌｙ［５，５‘－ｂｉｓ（３－ｄｏｄｅｃｙｌ－２－ｔｈｉｅｎｙｌ）－２，２’－ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）］とポリメチルメタクリレート樹脂をジクロロフェノールに溶解させたブレンド溶液を用いる例がある。シランカップリング剤で表面処理した酸化シリコン絶縁膜上に、前記ブレンド溶液をスピンコート製膜することにより、保護膜の作用を有するＰＭＭＡが、自発的に層分離し、酸化シリコン上に形成された有機半導体層をカバーする層分離構造を形成することが示されている（非特許文献４参照）。しかしながら、フッ素系界面活性剤の添加に関する記載は無く、またフッ素系界面活性剤の添加した有機半導体を用いることにより、トランジスタ素子の性能が向上できるとの知見も見当たらない。
特開２００７－００５６９８号公報
アドバンスドマテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）　２００２年、第１４号，　Ｐ．９９ ケミストリーオブマテリアルズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）２００４年、第１６号、Ｐ．４５４３ （ＩＥＥＥ　エレクトロンデバイスレターズ，ＶＯＬ．１２，Ｐ．６０６（１９９７） （アドバンストマテリアルズ，ＶＯＬ１８，Ｐ．２９００－２９０４（２００６）
　本発明の課題は、有機半導体を用いる有機トランジスタにおいて、そのトランジスタ特性をより向上させた有機トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
　本発明は、第一に、（ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタであって、該有機半導体層にフッ素系化合物（界面活性剤）を含有することを特徴とする有機トランジスタを提供するものである。
　第二に、（ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタの製造方法であって、該絶縁層上に、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体溶液の印刷又は塗布により（ｄ）有機半導体層を形成する工程、又は、（ｄ）フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層上に、印刷又は塗布により絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法を提供するものである。
　本発明によれば、有機トランジスタに、フッ素系化合物（界面活性剤）を含有する有機半導体層を形成することにより、トランジスタ特性（電界効果移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比）を向上できる。特に結晶性を有する有機半導体において特性向上効果が高い。これはフッ素系界面活性剤の添加により有機半導体分子の配列性および結晶性が高まりトランジスタの性能が向上しているものと推定されるが、むろんこれは本発明をなんら制限するものではない。
　また、本発明によれば、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体を用いることにより、従来有機半導体膜の形成が困難であった、極めて撥液性の高い絶縁膜上にも有機半導体層を容易に形成できる。すなわち、各種シランカップリング剤で高度にＳＡＭ（自己組織膜）処理された極めて撥液性の高い絶縁膜上にも印刷法等のウェットプロセスで均一で優れたトランジスタ特性を発揮する高性能な有機半導体薄膜を容易に形成することができる。
本発明の有機半導体素子の一例を模式的に示す概略構成図である。
　本発明は、有機トランジスタ素子に関するものであり、その構造は、（ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタに関するものである。特に、該有機半導体層に、フッ素系化合物（界面活性剤）を含有することを特徴としている。
　本発明の有機トランジスタは、次の工程で製造される。すなわち、（ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極を形成する工程、（ｃ）絶縁層を形成する工程、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層を形成する工程を有する。（ｃ）絶縁層と、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層との相対的位置関係は、例えば、絶縁層を形成した後に、有機半導体層を形成しても良いし、逆に、有機半導体層を形成した後に絶縁層を形成しても良い。それぞれの層は印刷又は塗布方式で形成されることが好ましい。
　本発明の有機トランジスタは、横型および縦型のトランジスタ構造をとることができる。横型トランジスタとして例えば、ゲート電極のトランジスタ構成要素との位置関係により定義されるボトムゲート型（ＢＧ）又はトップゲート型（ＴＧ）のトランジスタが適用できる。またＢＧ型やＴＧ型それぞれにソース・ドレイン電極と有機半導体層の位置関係より、ボトムコンタクト型、トップコンタクト型、ボトムトップコンタクト型等のトランジスタ構造をとることができる。
　本発明によれば、ボトムゲート型の有機トランジスタを形成する場合は絶縁層を形成した後にフッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層を重ねればよいし、トップゲート型の有機トランジスタを形成する場合にはフッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層を形成した後に絶縁層を形成すればよい。
　本発明の有機トランジスタに適用できる基板に制限は無く、例えば、シリコン、絶縁層となるよう表面を酸化シリコン化した熱酸化膜シリコン、ガラス、ステンレス等の金属薄板および、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチックフィルムおよびこれらフィルムにガスバリヤー性、ハードコート層を付けた複合フィルムが使用できる。トランジスタのフレキシブル化の観点からプラスチックフィルムが好適に使用できる。
　本発明の有機トランジスタにおいて、有機半導体層を除くそれぞれの機能層の形成方法には特に制限は無く、ドライプロセスでも、ウェットプロセスでも良い。例えば、ゲート電極（ｂ）の形成には、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング、フォトリソグラフィー、エッチングに代表されるドライプロセスや、印刷法等のウェットプロセスが適用できる。特に、ウェットプロセスは、製造コストの劇的な低減が期待できることから本発明の好ましい実施形態である。ウェットプロセスとして、例えば、インクジェット法、スクーリーン印刷法、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、グラビアオフセット法、凸版オフセット法、マイクロコンタクトプリント法、凸版反転印刷法等が用いられる。
　印刷法の場合、ゲート電極を形成する導電インキとしては、例えば、適当な溶剤中に、金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミ、カルシウム、マグネシウム、鉄、白金、パラジウム、スズ、クロム、鉛、等の金属粒子及銀／パラジウム等のこれら金属の合金、酸化銀、有機銀、有機金等の比較的低温で熱分化して導電性金属を与える熱分解性金属化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物粒子を導電性成分として含んでいても良いし、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン等の導電性高分子を含んでいても良い。溶剤の種類に制限はなく該導電性材料の溶解または分散に適した溶剤を適宜選択できる。例えば、水、炭化水素系、アルコール系、ケトン系、エーテル系、エステル系、フッ素系などの各種有機溶剤が使用できる。又、インキには前記導電性材料の他、必要に応じて樹脂等のバインダー成分、酸化防止剤、皮膜形成促進のための各種触媒、各種界面エネルギー調整剤、レベリング剤、離型促進剤等を添加できる。これ等のインキの中でも、特にナノ銀粒子を溶剤に分散し、低分子シリコーン等の離型剤、フッ素界面活性剤等の界面エネルギー調性剤を混合したインキは凸版オフセット法に適しており、優れたパターンニング性および低温焼成で高い導電性を示すことから好適に使用できる。インキ膜層から、電子部品の構成する機能性材料層への変換は、例えば、常温乾燥、加熱処理、および紫外線、電子線の照射等の処理等、インキ特性や電子部品にとってそれぞれに最適な方法で実施できる。
　前述のように、本発明の有機トランジスタにおいて、有機半導体層を除くそれぞれの機能層の形成方法には特に制限は無く、ドライプロセスでも、ウェットプロセスでも良い。例えば、絶縁層（ｃ）の形成にも、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング、フォトリソグラフィー、エッチングに代表されるドライプロセスや、印刷法等のウェットプロセスが適用できる。特に、ウェットプロセスは、製造コストの劇的な低減が期待できることから本発明の好ましい実施形態である。ウェットプロセスとして、例えば、インクジェット法、スクーリーン印刷法、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、グラビアオフセット法、凸版オフセット法、凸版反転印刷法等が用いられる。
　印刷法を適用する場合、絶縁層（ｃ）を形成する絶縁インキは、絶縁性を示す材料を含んでいれば良く、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、アクリルニトリル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルフェノール系樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂などが適用できる。また、これら単独または２種類以上を併用してもよく、必要に応じて、アルミナ微粒子、シリカ微粒子、タンタルオキサイド微粒子等の高比誘電率粒子や中空シリカ微粒子等の低比誘電率粒子などの体質成分を添加しても良い。絶縁インキに適用できる溶剤に制限は無く、例えば、水、炭化水素系、アルコール系、ケトン系、エーテル系、エステル系、グリコールエーテル系、フッ素系などの各種有機溶剤が使用できる。また必要に応じて、樹脂等のバインダー成分、酸化防止剤、レベリング剤、離型促進剤、皮膜形成促進のための各種触媒を使用できる。更に、シリコーン系およびフッ素系の界面活性剤を添加することができる。インキ膜層から、トランジスタ構成する機能性材料層への変換は、例えば、常温乾燥、加熱処理、および紫外線、電子線の照射等の処理等、インキ特性や電子部品にとってそれぞれに最適な方法で実施できる。
　以上のように、本発明の有機トランジスタは、ゲート電極（ｂ）、絶縁層（ｃ）の形成はドライプロセスでも、ウェットプロセスでも良い。しかしながら、本発明の有機トランジスタにおいて、有機半導体層（ｄ）の形成は、印刷法等のウェットプロセスを必須とすることを特徴としている。
　本発明の有機トランジスタにおける有機半導体層の形成には、溶剤可溶性でウェットプロセスが可能な有機半導体が適用できる。溶剤可溶性有機半導体として、Ｐ３ＨＴ（ポリ（３－へキシルチオフェン））、ＰＱＴ－１２（ポリ[５，５‘－ビス（３－ｄｏｄｅｃｙｌ－２－チエニル１）－２，２’－ビチオフェン]）等のポリチオフェン系高分子、ＰＢ１０ＴＴＴ，ＰＢ１２ＴＴＴ，ＰＢ１４ＴＴＴ，ＰＢ１６ＰＢＴＴＴ等のチオフェン－チエノチオフェン（ＰＢＴＴＴ：ポリ（２，５－ビス（３－アルキルチオフェン－２-イル）チエノ[３，２－ｂ]チオフェン））共重合体、可溶性のチオフェン系オリゴマー、Ｆ８Ｔ２等のフルオレン系高分子、フェニレンビニレン系高分子、トリアリールアミン系高分子、ＴＩＰＳペンタセン及びこれら有機半導体の前駆体や混合体が好適に使用できる。上記の有機半導体の中でも、Ｐ３ＨＴ（ポリ（３－へキシルチオフェン））、ＰＱＴ－１２（ポリ[５，５‘－ビス（３－ｄｏｄｅｃｙｌ－２－チエニル１）－２，２’－ビチオフェン]）等のポリチオフェン系高分子、ＰＢ１０ＴＴＴ，ＰＢ１２ＴＴＴ，ＰＢ１４ＴＴＴ，ＰＢ１６ＰＢＴＴＴ等のチオフェン－チエノチオフェン（ＰＢＴＴＴ：ポリ（２，５－ビス（３－アルキルチオフェン－２-イル）チエノ[３，２－ｂ]チオフェン））共重合体、ＴＩＰＳペンタセン等の単独又は２種類以上の混合体が好ましい。これらの有機半導体は、自己凝集性が高く、結晶構造を取ることによって優れたトランジスタ特性を発揮することが出来る。
　これら有機半導体インキに適用可能な溶剤は、常温もしくは多少の加熱で該有機半導体を溶解でき、適度の揮発性を有し、溶剤揮発後に有機半導体薄膜を形成できればよく、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロホルム、アニソール、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジクロルベンゼンやトリクロロベンゼン等のクロルベンゼン系溶剤、フッ素系溶剤を、単独またはこれら溶媒を含有する混合溶媒が好適に使用できる。
　本発明の有機トランジスタにおける有機半導体層を形成する有機半導体インキは、フッ素系の界面活性剤を含有することを特徴としている。特に結晶性有機半導体インキへのフッ素系界面活性剤は、インキ特性の向上効果のみならず、インキの乾燥により形成した半導体膜の特性、例えば電界効果移動度等の向上に寄与するものである。また、インキ特性の向上を目的として、更に少量のシリコーン系や、炭化水素系の界面活性剤を補助的に添加することもできる。
　このように本発明は、この有機半導体層にフッ素系界面活性剤を含有することを主たる特徴としている。一般的に有機トランジスタは、ゲート絶縁膜表面を、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、オクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ－８）、オクタデシルトリクロロシラン、（ＯＴＳ－１８）、ドデシルトリクロロシラン（ＤＴＳ）、フッ素置換オクタトリクロロシラン（ＰＦＯＴＳ）、β－フェネチルトリクロロシラン等のシランカップリング剤でＳＡＭ（自己組織膜）処理を施すことによりトランジスタ特性の向上が図られている。しかしながら、緻密にＳＡＭ処理された表面は必然的に撥液性が大きくなり、その表面に均一な有機半導体薄膜を形成することがこれまで困難であった。このため適用できるトランジスタ構造や、溶剤種および印刷方法に大きな制限があった。本発明では、フッ素系界面活性剤を有機半導体インキに添加し、有機半導体インキまたは有機半導体膜の表面エネルギーを調節することにより、撥液性の高いゲート絶縁膜上にも容易に均一な有機半導体層を形成することができる。これにより適用する有機半導体の種類に最適なＳＡＭ処理剤と条件を制限無く選択でき、これまで達成不可能であったトランジスタ特性を実現するものである。
　フッ素系界面活性剤としては、含フッ素基と親水性基及び／または親油性基が同一分子中に存在する界面活性剤が使用できる。ここで、含フッ素基に特に制限はないが、アルキル基の水素原子が全て若しくは部分的にフッ素原子に置換されたパーフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基に酸素原子を介した構造を有するパーフルオロポリエーテル基が好ましい。含フッ素基がパーフルオロアルキルキル基の場合、その炭素数は６以上が好ましい。電界効果移動度の制御、ＯＮ／ＯＦＦ比等のトランジスタ特性向上の点から、フッ素系界面活性剤は、フッ素化（メタ）アクリル重合体であることが好ましい。フッ素化（メタ）アクリル重合体において、含フッ素基は主鎖、側鎖、分子末端の何れに存在していても良いが、重合体中のフッ素含有量の制御、原料の入手性等の点から含フッ素基は側鎖に存在していることが好ましく、フッ素化（メタ）アクリレートを原料として重合体を得ることが工業的に簡便で好ましい。以下、特に断わりのない限り、メタアクリレート、アクリレート、ハロアクリレートおよびシアノアクリレートを総称して（メタ）アクリレートという。フッ素化（メタ）アクリレ－トは下記一般式（Ａ－１）で表される。
　ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯＯ（Ｘ）ａＣｍＦ２ｍ＋１　　　　　　　　（Ａ－１）
（ここで、Ｒ１はＨ、ＣＨ３、Ｃｌ、ＦまたはＣＮであり、Ｘは２価の連結基で具体的には、－（ＣＨ２）ｎ－、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ２）ｎ－、－（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ２）ＳＯ２－、－（ＣＨ２）ｎＮ（Ｒ２）ＣＯ－（但し、ｎは１～１０の整数であり、Ｒ２はＨまたは炭素数１～１８のアルキル基である。）、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－ＣＨ（ＣＦ３）－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、ＣＨ２ＣＦＨ－等であり、ａは０または１、ｍは１～２０の整数である。）
　フッ素化（メタ）アクリレートの具体例として以下の如きものが挙げられる。
Ａ－１　　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ８Ｆ１７
Ａ－２　　：ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ８Ｆ１７
Ａ－３　　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ１２Ｆ２５
Ａ－４　　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｆ１３
Ａ－５　　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９
Ａ－６　　：ＣＨ２＝ＣＦＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｆ１３
Ａ－７　　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ３
Ａ－８　　：ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦ（ＣＦ３）２
Ａ－９　　：ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣＨ２ＣＦＨＣＦ３
Ａ－１０　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）６Ｈ
Ａ－１１　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｃ８Ｆ１７
Ａ－１２　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ３Ｈ７）ＳＯ２Ｃ８Ｆ１７
Ａ－１３　：ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＨ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）ＣＯＣ７Ｆ１５
　尚、本発明がこれら具体例によって何等限定されるものでないことは勿論である。フッ素化（メタ）アクリレートは１種類だけを用いても２種類以上を同時に用いても構わない。フッ素化（メタ）アクリル重合体は、他の成分との相溶性等考慮して、非フッ素（メタ）アクリレートとの共重合体であることが好ましい。このような非フッ素（メタ）アクリレートには特に制限はないが、他の成分との相溶性等の観点から、ポリオキシアルキレン基を含むマクロモノマー型非フッ素（メタ）アクリレートが好ましい。
　このような化合物としては、例えば、新中村化学工業（株）社製ＮＫエステルＭ－２０Ｇ、Ｍ－４０Ｇ、Ｍ－９０Ｇ、Ｍ－２３０Ｇ、Ｍ－４５０Ｇ、ＡＭ－９０Ｇ、１Ｇ、２Ｇ、３Ｇ、４Ｇ、９Ｇ、１４Ｇ、２３Ｇ、９ＰＧ、Ａ－２００、Ａ－４００、Ａ－６００、ＡＰＧ－４００、ＡＰＧ－７００、日油（株）社製ブレンマーＰＥ－９０、ＰＥ－２００、ＰＥ－３５０、ＰＭＥ－１００、ＰＭＥ－２００、ＰＭＥ－４００、ＰＭＥ－４０００、ＰＰ－１０００、ＰＰ－５００、ＰＰ－８００、７０ＦＥＰ－３５０Ｂ、５５ＰＥＴ－８００、５０ＰＯＥＰ－８００Ｂ、１０ＰＢ－５００Ｂ、１０ＡＰＢ－５００Ｂ、ＮＫＨ－５０５０、ＰＤＥ－５０、ＰＤＥ－１００、ＰＤＥ－１５０、ＰＤＥ－２００、ＰＤＥ－４００、ＰＤＥ－６００、ＡＰ－４００、ＡＥ－３５０、ＡＤＥ－２００、ＡＤＥ－４００等が挙げられる。尚、本発明が上記具体例によって何等限定されるものでないことは勿論である。
　また、上記以外の非フッ素（メタ）アクリレートを使用することも可能である。それらの例示化合物としては、スチレン、ブタジエン、核置換スチレン、アクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピロリドン、ビニルスルホン酸、酢酸ビニル、ブチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、ヒドロキシルブチルビニルエーテル等のビニルエーテル類、またα，β－エチレン性不飽和カルボン酸、即ちアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸等の一価ないし二価のカルボン酸、α，β－エチレン性不飽和カルボン酸誘導体としてアルキル基の炭素数が１～１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステル（以後この表現はアクリル酸アルキルエステルとメタクリル酸アルキルエステルの両方を総称するものとする。）、即ち（メタ）アクリル酸のメチル、エチル、プロピル、ブチル、オクチル、２－エチルヘキシル、デシル、ドデシル、ステアリルエステル等、また（メタ）アクリル酸の炭素数１～１８のヒドロキシアルキルエステル、即ち２－ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシプロピルエステル、ヒドロキシブチルエステル等、更にはモノ（アクリロイルオキシエチル）アシッドホスフェ－ト、モノ（メタクリロキシエチル）アシッドホスフェ－ト、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。さらに、（メタ）アクリル酸の炭素数１～１８のアミノアルキルエステル即ちジメチルアミノエチルエステル、ジエチルアミノエチルエステル、ジエチルアミノプロピルエステル等、また（メタ）アクリル酸の、炭素数が３～１８のエーテル酸素含有アルキルエステル、例えばメトキシエチルエステル、エトキシエチルエステル、メトキシプロピルエステル、メチルカルビルエステル、エチルカルビルエステル、ブチルカルビルエステル等、更に環状構造含有モノマーとして、例えばジシクロペンタニルオキシルエチル（メタ）アクリレート、イソボルニルオキシルエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、ジメチルアダマンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート等、またアルキル炭素数が１～１８のアルキルビニルエーテル、例えばメチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル等、（メタ）アクリル酸のグリシジルエステル、即ちグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート等、また、東亜合成株式会社製ＡＡ－６、ＡＮ－６、チッソ株式会社製サイラプレーンＦＭ－０７１１、ＦＭ－０７２１，ＴＭ－０７０１Ｔ、共栄社化学株式会社製ＨＯＡ－ＭＳ、ＨＯＡ－ＭＰＬ、ＨＯＡ－ＭＰＥ、ＨＯＡ－ＨＨ、東亜合成株式会社製アロニックス　Ｍ－５３００、Ｍ－５４００、Ｍ－５５００、Ｍ－５６００、Ｍ－５７００等の市販品が挙げられる。尚、本発明が、これら具体例によって何等限定されるものでないことは勿論である。
　このような非フッ素化（メタ）アクリレートは、１種類であっても良いし、２種類以上を同時に用いても構わない。
　本発明に係るフッ素化（メタ）アクリル重合体の製造方法には、何ら制限はなく、公知の方法、即ちラジカル重合法、カチオン重合法、アニオン重合法等の重合機構に基づき、溶液重合法、塊状重合法、更にエマルジョン重合法等によって製造できるが、特にラジカル重合法が簡便であり、工業的に好ましい。
　この場合重合開始剤としては、当業界公知のものを使用することができ、例えば過酸化ベンゾイル、過酸化ジアシル等の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル、フェニルアゾトリフェニルメタン等のアゾ化合物、Mn(acac)３等の金属キレート化合物等が挙げられる。また、重合体の分子量は、重合方法、重合開始剤等によってもコントロールすることが可能であるが、必要に応じて業界公知の連鎖移動剤を使用できる。連鎖移動剤としては例えば、ラウリルメルカプタン、２－メルカプトエタノ－ル、エチルチオグリコ－ル酸、オクチルチオグリコ－ル酸等が挙げられる。
　また、光増感剤や光開始剤の存在下での光重合、あるいは放射線や熱をエネルギー源とする重合によっても本発明に係るフッ素系のランダムもしくはブロック共重合体を得ることができる。重合は、溶剤の存在下又は非存在下のいずれでも実施できるが、作業性の点から溶剤存在下の場合の方が好ましい。溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性溶剤、 1,1,1－トリクロルエタン、クロロホルム等のハロゲン系溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族類、更にパ－フロロオクタン、パ－フロロトリ－ｎ－ブチルアミン等のフッ素化イナ－トリキッド類のいずれも使用できる。
　本発明に係わるフッ素化（メタ）アクリル重合体の分子量は、重量平均分子量で、３，０００～１，０００，０００が良く、好ましくは５，０００～５００，０００、より好ましくは１０，０００～３００，０００が良い。
　また添加するフッ素系界面活性剤は１種類でもよくまた２種類以上の混合物でもよい。さらフッ素系界面活性剤に少量のシリコーン系や炭化水素系の界面活性剤を混合して使用することもできる。具体的なものとしては、例えば、メガファックＦ－４８２、メガファックＦ－４７０（Ｒ－０８）、メガファックＦ－４７２ＳＦ、メガファックＲ－３０、メガファックＦ－４８４、メガファックＦ－４８６、メガファックＦ－１７２Ｄ、メガファックＭＣＦ－３５０ＳＦ、メガファックＦ－１７８ＲＭ（以上、商品名　ＤＩＣ製）等があるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種以上を併用しても良い。これらのフッ素系界面活性剤は全インキ組成物中、有効成分で０．０１～５．０質量％、好ましくは有効成分で０．０５～１．０質量％含有される。
　中でもＰ３ＨＴ、ＰＱＴ－１２等の結晶性の高い高分子有機半導体への表面偏析性の高いフッ素系界面活性剤の添加は電界効果移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比等のトランジスタ特性向上に特に有効である。
　フッ素系界面活性剤含有の有機半導体層はウェットプロセスにより容易に形成できる。例えばインクジェット法、スクーリーン印刷法、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、グラビアオフセット法、凸版オフセット法、マイクロコンタクトプリント法、凸版反転印刷法等を用いることができる。
　本発明の有機トランジスタにおいて、ソース、ドレイン電極（ｅ）の形成も、特に制限は無く、ドライプロセスでも、ウェットプロセスでも良い。ゲート電極（ｂ）の形成と同様に、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング、フォトリソグラフィー、エッチングに代表されるドライプロセスや、印刷法等のウェットプロセスが適用できる。特に、ウェットプロセスは、製造コストの大幅な低減が期待できることから本発明の好ましい実施形態である。ウェットプロセスとして、例えば、インクジェット法、スクーリーン印刷法、スピンコート法、バーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、グラビアオフセット法、凸版オフセット法、マイクロコンタクトプリント法、凸版反転印刷法等が用いられる。
　印刷法の場合、ソース、ドレイン電極（ｅ）を形成する導電インキとしては、ゲート電極（ｂ）の形成と同様に、例えば、適当な溶剤中に、金、銀、銅、ニッケル、亜鉛、アルミ、カルシウム、マグネシウム、鉄、白金、パラジウム、スズ、クロム、鉛、等の金属粒子及銀／パラジウム等のこれら金属の合金、酸化銀、有機銀、有機金等の比較的低温で熱分解して導電性金属を与える熱分解性金属化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物粒子を導電性成分として含んでいても良いし、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン等の導電性高分子を含んでいても良い。溶剤の種類に制限はなく該導電性材料の溶解または分散に適した溶剤を適宜選択できる。例えば、水、炭化水素系、アルコール系、ケトン系、エーテル系、エステル系、などの各種有機溶剤が使用できる。又、インキには前記導電性材料の他、必要に応じて樹脂等のバインダー成分、酸化防止剤、皮膜形成促進のための各種触媒、各種界面エネルギー調整剤、レベリング剤、離型促進剤等を添加できる。これ等のインキの中でも、特にナノ銀粒子を溶剤に分散し、低分子シリコーン等の離型剤、フッ素界面活性剤等の界面エネルギー調整剤を混合したインキは凸版オフセット法に適しており、優れたパターンニング性および低温焼成で高い導電性を示すことから好適に使用できる。インキ膜層から、有機トランジスタを構成するソース、ドレイン電極への変換は、例えば、常温乾燥、加熱処理、および紫外線、電子線の照射等の処理等、インキ特性や電子部品にとってそれぞれに最適な方法で実施できる。
　以下に、図１に示すボトムゲートボトムコンタクト（ＢＧＢＣ）構造を有するテスト素子を作成し、本発明の有機トランジスタの特性評価を行った。Ｉｄ－Ｖｇ、Ｉｄ－Ｖｄ測定値より電界効果移動度、ＯＮ／ＯＦＦ値を算出した。
　（合成例１）フッ素（メタ）アクリル重合体（１）の合成
撹拌装置、コンデンサー、温度計、滴下ロートを備えたガラスフラスコに、フッ素化（メタ）アクリレートとして（Ａ－１）を２７重量部、非フッ素（メタ）アクリレートとして、ポリオキシプロピレンモノメタクリレート（平均重合度；５）を２１．６重量部、３－メタクリロキシプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シランを５．４重量部、重合溶媒としてメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を６６．１重量部、および重合開始剤としてジメチル２，２‘－アゾビス（２－メチルプロピオネート）を０．５４重量部、秤量し仕込む。また、（Ａ－１）を６３重量部、ポリオキシプロピレンモノメタクリレート（平均重合度；５）を５０．４重量部、３－メタクリロキシプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シランを１２．６重量部、ＭＥＫを１２４．２重量部、ジメチル２，２‘－アゾビス（２－メチルプロピオネート）を１．２６重量部、別途予め混合した溶液（滴下溶液）を調製する。ガラスフラスコ内に窒素気流を通じ、８０℃まで昇温した後、滴下液を２時間かけて滴下し、８０℃にて３時間ホールドする。その後、ジメチル２，２‘－アゾビス（２－メチルプロピオネート）０．９重量部をＭＥＫ９重量部に溶解させた溶液を加えて，さらに７時間ホールドし、フッ素化（メタ）アクリル重合体（１）を得た。得られた重合体（１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量はＭｗ＝１８５，０００であった。
　（合成例２）フッ素化（メタ）アクリル重合体（２）の合成
ガラス製重合管に、フッ素化（メタ）アクリレートとして（Ａ－１）を９．３ｇ、非フッ素（メタ）アクリレートとして４－（６－アクリロイルオキシヘキシルオキシ）フェニルベンゼンを１８ｇ、重合溶媒としてトルエン２２０ｍＬ、重合開始剤として２，２’アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリルと（Ａ－１）０．５５ｇを秤量し仕込む。この溶液に窒素気流を通じ酸素を取り除いた後、６０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を濃縮し、濃縮液を１Ｌのメタノール中に滴下した。沈殿した固体をメタノールで良く洗浄し、フッ素化（メタ）アクリル重合体（２）を得た。得られた重合体（２）のＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量はＭｗ＝４７，０００であった。
　（実施例１）
以下の手順で、図１に示すボトムゲートボトムコンタクト（ＢＧＢＣ）構造を有するトランジスタ特性測定用素子を作成した。
（１）ゲート電極の形成：無アルカリガラス上にスパッタ方式によりＣｒ膜を形成しこれを所望のパターンにエッチングすることによりゲート電極を形成した。
（２）ゲート絶縁層の形成：ポリビニルフェノールとポリメタクリレート共重合体を絶縁樹脂成分とする絶縁インキを用い、スピンコート法によりＣｒ電極上に塗布し、クリーンオーブン中で１４０℃約１時間熱処理し膜厚約１μｍの有機ゲート絶縁層を形成した。
（３）ソース、ドレイン電極の形成：先に形成したゲート絶縁層上にメタルマスクを用いて真空蒸着法により金からなるチャネル長５０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース、ドレイン電極パターンを形成した。
（４）有機半導体層の形成：有機半導体Ｐ３ＨＴのキシレン０．５重量％溶液にフッ素系界面活性剤（商品名メガファック　ＭＣＦ３５０ＳＦ（フッ素化（メタ）アクリル重合体，重量平均分子量Ｍｗ＝５３，０００）：ＤＩＣ社製品）を１ｗｔ％添加し、スピンコート法により、上記ゲート絶縁層上にＰ３ＨＴ薄膜を形成した。
（５）作成した素子はグローボックス中で１５０℃、約５分の熱処理を行った後にＩｄ－Ｖｇ、Ｉｄ－Ｖｄ特性を半導体パラメター測定装置（ケースレー社４２００）を用いて測定し、これより電界効果移動度及びＯＮ／ＯＦＦ比を周知の方法より求めた。電界効果移動度の単位は、ｃｍ２／Ｖｓである。結果を表１に示す。
　（実施例２）
有機半導体（Ｐ３ＨＴ）溶液に添加するフッ素系界面活性剤として合成例２で得た重合体を使用した以外実施例１と同様に有機トランジスタ素子を作成した。得られたトランジスタ特性を表１に示す。
　（実施例３）
図１に示すボトムゲートボトムコンタクト（ＢＧＢＣ）構造を有するトランジスタ特性測定用素子を作成した。
（１）ゲート電極の形成：厚さ約１２５μｍのハードコード付ポリカーボネートフィルムを所定の大きさにカットし、ナノ粒子銀を均一に分散させた導電インキをスピンコートによりフィルム上に均一に塗布し、クリーンオーブン中で１８０℃、３０分焼成した。
（２）絶縁層の形成：ポリビニルフェノールとポリメタクリレート共重合体を絶縁樹脂成分とする絶縁インキを用い、スピンコート法によりＣｒ電極上に塗布し、クリーンオーブン中で１４０℃約１時間熱処理し膜厚約０．８μｍの有機ゲート絶縁層を形成した。
（３）ソース、ドレイン電極の形成：反転印刷用の導電性インキを用い凸版反転印刷により、先に形成したゲート絶縁層上にチャネル長５０μｍ、チャネル幅４ｍｍのソース、ドレイン電極パターンを形成し、クリーンオーブン中で１８０℃、３０分焼成し、銀電極を形成した。
（４）有機半導体層の形成：
Ｐ３ＨＴのキシレン０．５重量％溶液に、フッ素系界面活性剤として合成例１で得た重合体（１）と合成例２で得た重合体（２）の４０／６０ｗｔ％混合体を１％添加し有機半導体インキを調製した。調製した有機半導体インキを、バーコーターを用いて平滑なポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）ゴム上に塗膜を形成した後、該塗膜に先に調製したソース、ドレイン電極付の絶縁層を押し当て、該半導体塗膜を該絶縁層上に転写し、膜厚約７０ｎｍのＰ３ＨＴ半導体層を絶縁層上に形成した。
（５）作成した素子はグローボックス中で１５０℃、約５分の熱処理を行い、Ｉｄ－Ｖｇ、Ｉｄ－Ｖｄ特性を、半導体パラメター測定装置（ケースレー社４２００）を用いて測定し、電界効果移動度及びＯＮ／ＯＦＦを周知の方法より求めた。得られたトランジスタ特性を表１に示す。
　（実施例４）
（１）基板、ゲート電極、絶縁層：厚さ３００ｎｍ熱酸化シリコン付きシリコンウエハーより所定の大きさに切り出し、熱酸化シリコン表面をオクチルトリクロロシラン（ＯＴＳ－８）で表面修飾した。ゲート電極は酸化シリコンをダイヤモンドペンで削りだしたシリコン面を使用した。
（２）有機半導体層の形成：Ｐ３ＨＴのキシレン０．５重量％溶液に、フッ素系界面活性剤として合成例１で得た重合体（１）を３％添加し有機半導体インキを調製した。ＯＴＳ－８で表面処理した熱酸化シリコン基板上にスピンコート法により厚さ約７０ｎｍの有機半導体層を形成した。
（３）作成した素子はグローボックス中で１５０℃、約５分の熱処理を行い、Ｉｄ－Ｖｇ、Ｉｄ－Ｖｄ特性を半導体パラメター測定装置（ケースレー社４２００）を用いて測定し、電界効果移動度及びＯＮ／ＯＦＦ比を周知の方法より求めた。得られたトランジスタ特性を表１に示す。
　（比較例１）
有機半導体インキにフッ素系界面活性剤を添加しない以外実施例１と同様の方法でトランジスタ素子を作成し、その特性を測定した。得られた特性を表１に示す。
　（比較例２）
実施例４においてフッ素系界面活性剤を添加しないＰ３ＨＴのキシレン溶液はスピンコート塗布時にＯＴＳ－８処理した酸化シリコン上で液がハジキ、塗膜が形成できなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明の有機半導体素子は、液晶ディスプレイ、電子ペーパー、ＥＬ表示装置、ＲＦ－ＩＤタグ等に用いる電子素子の製造に相応しく応用できる。
１．基板
２．ゲート電極
３．絶縁膜
４．有機半導体層
５．ソース、ドレイン電極

Claims (4)

  1. （ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタであって、該有機半導体層にフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とする有機トランジスタ。
  2. 有機半導体が結晶性を有する有機半導体材料である請求項１に記載の有機トランジスタ。
  3. フッ素系界面活性剤がフッ素化（メタ）アクリル重合体である請求項１又は２に記載の有機トランジスタ。
  4. （ａ）基板上に、（ｂ）ゲート電極、（ｃ）絶縁層、（ｄ）該絶縁層に接する有機半導体層に形成されたチャネル形成領域及び（ｅ）ソース／ドレイン電極を有する有機トランジスタの製造方法であって、該絶縁層上に、フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体溶液の印刷又は塗布により（ｄ）有機半導体層を形成する工程、又は、（ｄ）フッ素系界面活性剤を含有する有機半導体層上に、印刷又は塗布により絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
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