WO2010061462A1

WO2010061462A1 - 転写装置及び転写方法

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Publication number: WO2010061462A1
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Inventors: 哲也今井
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Publication date: 2010-06-03
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Abstract

　被転写体をモールドから離間させた状態で支持する支持手段に支持されている被転写体を移動させることにより、モールドに被転写体を押圧させる転写装置に、上記の如き被転写体の移動に伴って支持手段を付勢する付勢手段を設ける。

Description

転写装置及び転写方法

　本発明は、被転写体に凹凸パターンを転写する転写装置及び転写方法に関する。

　現在、磁気記録媒体基板上に微細な凹凸パターンを転写する転写装置として、例えば、特許文献１の図１に示すような装置が提案されている。かかる転写装置では、先ず、互いに離間した状態でモールド及び転写層が形成された基板各々の基準位置同士を一致させてから、このモールドを基板に形成された転写層に押し付けるようにしている。

　ところが、従来の転写装置では被転写体とモールドを同時に円錐形マンドレルで支持しているだけなので、モールドを被転写体に押圧又は離型する際に、モールド及び／又は被転写体が円錐形マンドレルの所定位置以外の部分で支持される可能性がある。さらに、例えば、モールド及び被転写体各々に度合いの異なる「たわみ」が生じていると、このたわみによって、モールド及び／又は被転写体の位置が動いてしまうといった課題が生じる。これにより、モールドと被転写体の基準位置がずれた状態で転写が行われることとなる。又、転写工程中に、モールド及び／又は被転写体が破損するといった問題が生じる。
特表２００５－５２９４３６号公報

　本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであって、モールド及び被転写体を接触させることなく両者の基準位置合わせが為されると共に、基準位置のズレを防止して高精度にパターン転写を行なうことが可能な転写装置及び転写方法を提供することを目的とする。

　本発明による転写装置は、第１モールド及び第２モールドに形成されたパターンを被転写体に押圧することによりパターンを前記被転写体に転写する転写装置であって、前記被転写体を前記第２モールドから離間させた状態で支持する移動可能な支持手段と、前記支持手段に支持されている前記被転写体を移動させて前記第１モールド及び第２モールドと前記被転写体とを押圧させる転写駆動手段と、前記転写駆動手段による前記被転写体の移動に伴い、前記支持手段を付勢する付勢手段と、を有する。

　又、本発明による転写方法は、第一モールド及び第二モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、前記被転写体を前記第二モールドから離間させた状態で支持させる第１ステップと、支持されている前記被転写体を移動させることにより前記第一モールド及び第二モールドと被転写体とを押圧させる第２ステップと、を有し、前記第一モールドで被転写体の表面を押圧させる際に、前記被転写体の移動方向と逆方向に付勢力を付勢させる。

本発明に係るインプリント装置の概略構成を示す図である。図１に示すセンターピン３０ｂの構成を示す図である。センターピン３０ｂの設置形態を示す図である。インプリント方法を示すフローチャート図である。インプリント方法を示すフローチャート図である。パターン転写動作における各段階毎に、上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ、及びセンターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。パターン転写動作における各段階毎に、上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及びセンターピン３０ｂの状態（位置関係）を模式的に表す図である。パターン転写動作における各段階毎に、上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及びセンターピン３０ｂの状態（位置関係）を模式的に表す図である。両面磁気ディスクの製造工程の一例を示す図である。センターピン３０ｂの他の構成を示す図である。センターピン３０ｂの他の構成を示す図である。図１１に示す第１ピン先端部ＰＢ_S1の動作を示す図である。図１１に示すセンターピン３０ｂの変形例を示す図である。図２に示すセンターピン３０ｂの変形例を示す図である。係止機構３０１を設けた場合におけるセンターピン３０ｂの設置形態の一例を示す図である。図３に示すセンターピン３０ｂの変形例を示す図である。

　被転写体及びモールドの基準位置を互いに一致させつつ且つ両者の表面を互いに離間した状態で支持する支持手段に支持されている基板を、この支持手段と共に、支持手段の中心軸上における一方の方向に向けて移動させることによりモールドを被転写体に押圧させるにあたり、支持手段の上記一方の方向への移動に伴い支持手段の中心軸上における他方の方向に向けて支持手段を付勢する付勢手段を設ける。

　以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明における例示が本発明が限定されることはない。

　図１は、本発明に基づくＵＶ（Ultraviolet）式のインプリント装置の概略構成を示す断面図である。

　このインプリント装置は、転写すべき凹凸パターンが形成されている上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを用いて、パターンの転写対象となる被転写体としての基板６に対して両面にパターン転写を行なうものである。なお、本明細書において被転写体を基板と称する。ここで基板とは、被転写層を含む構成を指すものとする。基板６の両面には、紫外線が照射されると硬化する転写材料からなる上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成されている。尚、図１には、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂが設置された状態で、インプリント装置の構成を示している。

　図１に示すインプリント装置は、上側機構部、下側機構部、これら上側機構部及び下側機構部を制御するコントローラ２００及び操作部２０１から構成される。

　上側機構部は、上側モールド保持部５０１ａ、上側ステージ５０５ａ、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ、上側モールド把持部５０９ａ、上側モールド把持駆動ユニット５１０ａを備える。

　ボード状の上側ステージ５０５ａには、図１に示す如き開口部１００ａと共に、後述するボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。

　上側ステージ５０５ａの上面には、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが、上側ステージ５０５ａの下面には、透明材料からなる上側モールド保持部５０１ａが設置されていると共に、この上側モールド保持部５０１ａの周辺に上側モールド把持駆動ユニット５１０ａが設置されている。上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａを保持させる為のモールド保持面（図１において上側モールド５０３ａが接触している面）を備えている。

　上側ＵＶ照射ユニット５０８ａは、コントローラ２００から供給された紫外線照射信号ＵＶに応じて、転写材料を硬化させるべき紫外線を、上記開口部１００ａ及び上側モールド保持部５０１ａを介して、基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射する。

　上側モールド保持部５０１ａは、コントローラ２００から供給された上側モールド保持信号ＭＨ_Ｕに応じて、例えば、真空吸着することにより、上側モールド５０３ａをモールド保持面に保持する。尚、上側モールド５０３ａをモールド保持面に保持する方法は、真空吸着に限られず機械式方法で保持するようにしても良い。　上側モールド保持駆動ユニット５１０ａは、Ｌ字状の把持部５０９ａにて上側モールド５０３ａの周縁部を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じてこの把持部５０９ａを駆動する。

　インプリント装置の下側機構部は、センターピン３０ｂ、下側モールド保持部５０１ｂ、下側ステージ５０５ｂ、センターピン支持部５０６ｂ、センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ、下側モールド把持部５０９ｂ、下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂ、ステージ上下駆動ユニット５１１及びボールネジ５１２を備える。

　ボード状の下側ステージ５０５ｂには、図１に示す如き開口部１００ｂと共に、ボールネジ５１２が貫通する貫通孔が存在する。ボールネジ５１２は、下側ステージ５０５ｂと上側ステージ５０５ａの平行状態を維持させたまま両者を連結するように、その一端が下側ステージ５０５ｂの貫通孔を貫通し、他端が上側ステージ５０５ａのネジ穴部にネジ込まれている。

　ステージ上下駆動ユニット５１１は、コントローラ２００から供給されたステージ駆動信号ＳＧに応じて、ボールネジ５１２を時計方向又は反時計方向に回転させることにより、上側ステージ５０５ａを、下側ステージ５０５ｂに対する平行状態を維持したまま上方向又は下方向に移動させる。すなわち、上側ステージ５０５ａの上方向への移動により、上側モールド保持部５０１ａが、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向において下側モールド保持部５０１ｂから離間するように移動する。一方、上側ステージ５０５ａの下方向への移動により、上側モールド保持部５０１ａが、下側モールド保持部５０１ｂに向けて移動する。

　下側ステージ５０５ｂの上面には、センターピン支持部５０６ｂが開口部１００ｂに設けられている。更に、透明材料からなる下側モールド保持部５０１ｂが設置されていると共に、この下側モールド保持部５０１ｂの周辺に下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂが設置されている。下側モールド保持部５０１ｂは、下側モールド５０３ｂを保持させる為のモールド保持面（図１において下側モールド５０３ｂが接触している面）を備えている。又、下側モールド保持部５０１ｂ及びセンターピン支持部５０６ｂ各々の中心部には、センターピン３０ｂを下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向において上下移動可能な状態で支持する為の貫通孔が設けられている。

　下側モールド保持部５０１ｂは、コントローラ２００から供給された下側モールド保持信号ＭＨ_Ｌに応じて、例えば、真空吸着によって下側モールド５０３ｂをそのモールド保持面に保持する。尚、下側モールド５０３ｂをモールド保持面に保持する方法は、真空吸着に限られず機械式方法でモールドを支持するようにしても良い。

　下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂは、Ｌ字状の把持部５０９ｂにて下側モールド５０３ｂの周縁部を把持させるべく、コントローラ２００から供給されたモールド把持信号ＭＱに応じてこの把持部５０９ｂを駆動する。

　下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂは、コントローラ２００から供給された紫外線照射信号ＵＶに応じて、転写材料を硬化させるべき紫外線を、上記開口部１００ｂ、センターピン支持部５０６ｂ及び下側モールド保持部５０１ｂを介して、基板６の下側転写層６０４ｂに向けて照射する。

　センターピン駆動ユニット５０７ｂは、コントローラ２００から供給されたセンターピン移動信号ＣＧ_Ｌに応じて、センターピン３０ｂを、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向、つまりセンターピン３０ｂの中心軸方向において上側又は下側に移動させる。

　図２は、センターピン３０ｂの詳細な形状を示す図であり、図３は、センターピン３０ｂ及びセンターピン支持部５０６ｂ周辺の拡大図である。

　図２に示すように、センターピン３０ｂは、夫々が円柱形状のピンエンド部Ｐ_Ｅ及びピン中間部Ｐ_Ｍと、夫々が切頭円錐形状の第１ピン先端部Ｐ_S1及び第２ピン先端部Ｐ_S2とからなる。図２に示す如く、第２ピン先端部Ｐ_S2の高さＬは基板６自体の厚さよりも大であり且つその底面の直径Ｒ１はピン中間部Ｐ_Ｍの直径Ｒ０よりも小である。第１ピン先端部Ｐ_S1の底面の直径Ｒ２は、第２ピン先端部Ｐ_S2の頂面の直径よりも小である。又、第２ピン先端部Ｐ_S2の底面の直径Ｒ１は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の基準位置に設けられた中心孔の直径と等しい。第１ピン先端部Ｐ_S1の底面の直径Ｒ２は、基板６の中心位置（基準位置）に設けられた中心孔の直径と等しい。ピン中間部Ｐ_Ｍの頂面上における、第２ピン先端部Ｐ_S2の底面周辺の領域が、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを支持する為の第１支持部ＴＢ１となり、第２ピン先端部Ｐ_S2の頂面上における、第１ピン先端部Ｐ_S1の底面周辺の領域が、基板６を支持する為の第２支持部ＴＢ２となる。ここで、ピンエンド部Ｐ_Ｅの直径はピン中間部Ｐ_Ｍの直径Ｒ０よりも小であり、センターピン支持部５０６ｂに設けられている貫通孔の直径はピンエンド部Ｐ_Ｅの直径と等しい。

　又、図３に示すように、センターピン３０ｂは、そのピンエンド部Ｐ_Ｅがセンターピン支持部５０６ｂの貫通孔を貫通させた状態において、その中心軸ＣＪが下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂに対して垂直となるような形態で支持されている。

　尚、センターピン３０ｂのピンエンド部Ｐ_Ｅの周囲には、図３に示すように、付勢手段としてバネ３０１が設けられている。バネ３０１の一端はセンターピン支持部５０６ｂの貫通孔の周辺部に当接又は固定されており、その他端は非固定状態にある。バネ３０１のバネ自由長ＢＬは、センターピン３０ｂが基板６を支持するための位置（以下、支持位置と記す）に位置する場合に、図３に示す如きバネ３０１の他端がピン中間部Ｐ_Ｍの底面に当接するような長さに設定されている。又、バネ３０１は、センターピン３０ｂが支持位置よりも下方向に押し下げられた際に圧縮され、バネ自由長ＢＬに戻るように力が作用する、いわゆる「押しバネ」である。尚、センターピン３０ｂが支持位置に位置する場合には、下側モールド保持部５０１ｂに保持された下側モールド５０３ｂとの干渉を防止するために、センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１は下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂと同一平面以下に位置させることが望ましく、最適には、図３に示す如く、センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂとが互いに同一平面上に位置することが望ましい。センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂとが互いに同一平面上に位置させることで、バネ３０１に何らかの不具合が生じた場合に発見しやすくなり、転写装置のメンテナンスを短時間で行なうことが可能となる。

　操作部２０１は、このインプリント装置を動作させるべく、使用者によって指示された各種動作指令を受け付け、その動作指令を示す動作指令信号をコントローラ２００に供給する。コントローラ２００は、操作部２０１から供給された動作指令信号に対応した動作処理プログラムを実行することにより、インプリント装置を制御する為の各種制御信号を生成する。

　ここで、操作部２０１が、使用者からのインプリント実行指令を受け付けると、コントローラ２００は、図４及び図５に示す如きインプリント処理プログラムの実行を開始する。

　以下に、インプリント処理プログラムの実行によって為されるパターン転写動作について、図６～図８を参照しつつ説明する。尚、図６～図８は、パターン転写動作における各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ、及びセンターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表すものである。

　図４において、先ず、コントローラ２００は、センターピン３０ｂを所定の初期位置に移動させるべきセンターピン移動信号ＣＧ_Ｌをセンターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ１）。ステップＳ１の実行により、センターピン駆動ユニット５０７ｂは、センターピン３０ｂを、図６の［状態１］に示す如き初期状態、つまり、センターピン３０ｂにおける第１支持部ＴＢ１及び第２支持部ＴＢ２が共に、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂよりも上方の位置に現れる位置に移動する。

　次に、コントローラ２００は、センターピン３０ｂが上側モールド５０３ａを支持しているか否かの判定を、上側モールド５０３ａが支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ２）。ここで、モールド搬送装置（図示せぬ）は、前述した如き上側モールド５０３ａの孔にセンターピン３０ｂを貫通させるように、上側モールド５０３ａをセンターピン３０ｂに装着する。これにより、上側モールド５０３ａは、図６の［状態２］に示すように、パターン面を下にした状態でセンターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１に支持されることになる。

　ステップＳ２において、上側モールド５０３ａが図６の［状態２］に示す如くセンターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ３）。ステップＳ３の実行により、上側モールド保持部５０１ａを含む上側機構部全体が徐々に下方向に移動する。

　次に、コントローラ２００は、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面が、上側モールド５０３ａに接触したか否かを判定する（ステップＳ４）。ステップＳ４において上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面が上側モールド５０３ａに接触していないと判定された場合、コントローラ２００は、上記ステップＳ３の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図６の［状態３］に示すように、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面ＭＳａが上側モールド５０３ａに接触するまで、上側モールド保持部５０１ａを下方向に移動させるのである。

　ステップＳ４において上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面が、図６の［状態３］に示す如く上側モールド５０３ａに接触したと判定された場合、コントローラ２００は、上側モールド保持信号ＭＨ_Ｕを上側モールド保持部５０１ａに供給する（ステップＳ５）。ステップＳ５の実行により、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に、上側モールド５０３ａを保持させる。尚、ステップＳ５において、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの周縁部を把持部５０９ａにて把持させるべきモールド把持信号ＭＱを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給するようにしても良い。

　すなわち、上記ステップＳ１からＳ５を実施することによって、上側モールド５０３ａは、その基準位置がセンターピン３０ｂの中心軸と一致した状態で、上側モールド保持部５０１ａのモールド保持面に保持されるのである。

　次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ６）。ステップＳ６の実行により、図６の［状態４］に示すように、上側モールド保持部５０１ａが、センターピン３０ｂの中心軸方向において上側に移動する。これにより、上側モールド５０３ａがセンターピン３０ｂから離脱する。

　次に、コントローラ２００は、センターピン３０ｂが下側モールド５０３ｂを支持しているか否かの判定を、下側モールド５０３ｂが支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ７）。ここで、モールド搬送装置は、前述した如き下側モールド５０３ｂの孔にセンターピン３０ｂを貫通させるように、下側モールド５０３ｂをセンターピン３０ｂに装着する。これにより、下側モールド５０３ｂは、図７の［状態５］に示すように、パターン面を上にした状態でセンターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１上に支持されることになる。

　ステップＳ７において、下側モールド５０３ｂが図７の［状態５］に示す如くセンターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、センターピン３０ｂを図３に示す如き所定位置にまで下降させるべきセンターピン移動信号ＣＧ_Ｌをセンターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ８）。ステップＳ８の実行により、センターピン駆動ユニット５０７ｂは、センターピン３０ｂを、所定位置まで下降させる。つまり、センターピン駆動ユニット５０７ｂは、図７の［状態６］の如き、センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、センターピン３０ｂを下方向に移動させる。これにより、下側モールド５０３ｂは、図７の［状態６］に示すように、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面ＭＳｂに保持されることになる。尚、この際、その一端がセンターピン支持部５０６ｂに固定されているバネ３０１の他端が、センターピン３０ｂのピン中間部Ｐ_Ｍの底面に接触する。

　次に、コントローラ２００は、下側モールド保持信号ＭＨ_Ｌを下側モールド保持部５０１ｂに供給する（ステップＳ９）。ステップＳ９の実行により、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に、下側モールド５０３ｂを保持させる。尚、ステップＳ９において、コントローラ２００は、下側モールド５０３ｂの周縁部を把持部５０９ｂにて把持させるべきモールド把持信号ＭＱを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給するようにしても良い。すなわち、上記ステップＳ７からＳ９を実施することによって、下側モールド５０３ｂは、その中心位置（基準位置）がセンターピン３０ｂの中心軸と一致した状態で、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に保持されるのである。

　次に、コントローラ２００は、センターピン３０ｂに基板６が支持されているか否かの判定を、この基板６が支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ１０）。ここで、基板搬送装置（図示せぬ）は、前述した如き基板６の中心孔にセンターピン３０ｂを貫通させるように、かかる基板６をセンターピン３０ｂに装着する。これにより、基板６は、図７の［状態７］に示す如く、センターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２上に支持されることになる。

　この際、センターピン３０ｂには、図３に示すように、付勢手段としてバネ３０１が設けられている。バネ３０１が設けられていることによって、基板搬送装置が基板６をセンターピン３０ｂに装着する際に、センターピン３０ｂに対して比較的強い下方向への力が掛かっても、バネ３０１によってセンターピン３０ｂの下方向への移動が抑制されるので、基板６と下側モールド５０３ｂとの接触を防止することが可能となる。つまり、基板６と下側モールド５０３ｂとを接触させることなく、基板６がセンターピン３０ｂに支持されることで、基板及びモールド（５０３ａ、５０３ｂ）同士の基準位置合わせが為されるのである。又、センターピン駆動ユニット５０７ｂが何らかの不具合によってセンターピン３０ｂの支持力を低下させてしまった場合であっても、バネ３０１が設けられていることによって、上述した如き接触防止動作が有効に作用することとなる。

　ステップＳ１０において、基板６が図７の［状態７］に示すようにセンターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の実行により、上側モールド保持部５０１ａが、センターピン３０ｂの中心軸方向において下側に移動する。

　次に、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において上側モールド５０３ａが基板６に接触していないと判定された場合、コントローラ２００は、上記ステップＳ１１の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図７の［状態８］に示すように、上側モールド５０３ａが基板６に接触するまで、上側モールド保持部５０１ａを下方向に移動させるのである。

　ステップＳ１２において上側モールド５０３ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを基板６に押圧させるべきモールド押圧動作を実行する（ステップＳ１３）。モールド押圧動作を実行するために、コントローラ２００は、先ず、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを所定の押圧値ＰＶ_ADで基板６に押圧させるべく、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に所定時間供給する。モールド押圧動作の実行により、先ず、下側モールド５０３ｂが基板６の上側レジスト層６０４ａに接触し、下側モールド５０３ｂと共に基板６が下降する。すると、センターピン３０ｂがバネ３０１を押し下げながら下降するので、その結果、図８の［状態９］に示すように、基板６の両面が、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって押圧され、その状態が所定時間保持される。これにより、上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターンが上側転写層６０４ａに押圧されると共に、下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターンが下側転写層６０４ｂに夫々押圧される。上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂは液状（流動可能状態）にあるため、上側転写層６０４ａが上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターン形状に沿って変形すると共に、下側転写層６０４ｂが下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターン形状に沿って夫々変形する。尚、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを基板６に押し付ける圧力及び保持時間等の条件は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの凹凸パターン形状や上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂの転写材料等に応じて適宜設定される。

　ステップＳ１３の実行後、コントローラ２００は、紫外線照射信号ＵＶを上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂに供給する（ステップＳ１４）。ステップＳ１４の実行により、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが転写層を硬化させるべき紫外線を基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂが転写層を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射する。これによって、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々の転写層が硬化し、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ表面の凹凸パターンが確定する。

　その後、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂから基板６を離型させるべき離型動作を実行する（ステップＳ１５）。離型動作を実行するために、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する。これにより、図８の［状態１０］の如く、上側モールド５０３ａが基板６の上側転写層６０４ａから離型する。更に、センターピン３０ｂを上方向に移動させることにより、下側モールド５０３ｂから基板６が離型する。この時、センターピン３０ｂに設けられているバネ３０１の戻り力が基板６を突き上げるように作用し、下側モールド５０３ｂと基板６との離型がアシストされるので、離型が容易となる。尚、上側ステージ５０５ａの上方向への移動に伴って、上側モールド５０３ａに基板６が密着して一緒に移動してしまわないように、基板６を図示しない固定部材にて固定するようにしても良い。更に、上側ステージ５０５ａとセンターピン３０ｂとを同時に移動させても良い。この場合、上側ステージ５０５ａの上昇速度をセンターピン３０ｂの上昇速度よりも早くすることで、基板６に対して、上側モールド５０３ａと下側モールド５０３ｂの離型を同時に行なうことが出来る。これにより、上側転写層６０４ａには、上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凹凸状パターンが形成される。一方、下側転写層６０４ｂには、下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターンとは凹凸の状態が反転した凹凸状のパターンが形成される。すなわち、かかるステップＳ１３～Ｓ１５の実行により、基板６の上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々に対して、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによる両面パターン転写が為されるのである。そして、コントローラ２００は、基板６をセンターピン３０ｂから離脱させるべき指令を基板搬送装置に送出する。

　次に、コントローラ２００は、操作部２０１から、動作終了を示す動作指令信号が供給されているか否かを判定する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６において動作終了を示す動作指令信号が供給されたと判定された場合、コントローラ２００は、インプリント処理プログラムを終了する。一方、ステップＳ１６にて動作終了を表す動作指令信号が供給されていないと判定された場合、コントローラ２００は、センターピン３０ｂに支持されている基板６を基板搬送装置が取り外すまでの間待機した後、センターピン３０ｂを図７の［状態６］に示す如き基板６を支持するための所定位置に移動させるべきセンターピン移動信号ＣＧ_Ｌをセンターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ１７）。ステップＳ１７の終了後、コントローラ２００は、上記ステップＳ１０の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これにより、新たに支持された基板６に対して連続してパターン転写を行なうのである。

　以上の如く、図１に示すインプリント装置では、先ず、上側モールド５０３ａをセンターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１で支持することにより、上側モールド５０３ａの基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に一致させ、その状態を維持したまま上側モールド５０３ａを上側モールド保持部５０１ａに保持させる（状態１～３）。次に、上側モールド５０３ａが保持された上側モールド保持部５０１ａをセンターピン３０ｂの中心軸方向において上側へ移動させることにより、上側モールド５０３ａをセンターピン３０ｂから離脱させる（状態４）。次に、下側モールド５０３ｂをセンターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１で支持することにより、下側モールド５０３ｂの基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に一致させ、その状態を維持したまま下側モールド５０３ｂを下側モールド保持部５０１ｂに保持させる（状態５～６）。次に、センターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２で基板６を支持することにより、基板６の中心位置（基準位置）をセンターピン３０ｂの中心軸に一致させる（状態７）。これにより、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の基準位置が全て、センターピン３０ｂの中心軸に合致することになる。そして、上側モールド５０３ａが保持されている上側モールド保持部５０４ａをセンターピン３０ｂの中心軸方向において下側モールド５０３ｂに向けて下降させることにより、上側モールド５０３ａを基板６の上側転写層６０４ａに押圧すると共に下側モールド５０３ｂを基板６の下側転写層６０４ｂに押圧し、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａから転写層を硬化させるべき紫外線を基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂから転写層を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射する（状態８～９）。これにより、上側モールド５０３ａの凹凸パターンの凹凸の状態が反転したパターンが基板６の上側転写層６０４ａに転写されると共に、下側モールド５０３ｂの凹凸パターンの凹凸の状態が反転したパターンが基板６の下側転写層６０４ｂに転写されるのである。

　すなわち、図１に示すインプリント装置では、先ず、上側モールド５０３ａの基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に合致させた状態で上側モールド保持部５０１ａに保持させてから、上側モールド保持部５０１ａをセンターピン３０ｂの中心軸方向において移動させることにより、一旦、上側モールド５０３ａをセンターピン３０ｂから離脱させる。次に、下側モールド５０３ｂの基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に合致させた状態で下側モールド保持部５０１ｂに保持させる。そして、基板６をセンターピン３０ｂに支持し、夫々の基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に合致させた状態を維持したまま、上側モールド保持部５０１ａをセンターピン３０ｂの中心軸方向において下側モールド５０３ｂに向けて移動させることにより、両モールドを基板６の両面に押圧させるのである。これにより、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の基準位置が固定された状態で上述した如き押圧動作が為されるので、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々に「たわみ」が生じていても、夫々の基準位置がずれることがない。更に押圧されたバネ３０１の反発力によって、基板６がセンターピン３０ｂで支持されるため、押圧動作時に基板６の位置ずれを防ぐことができ、高精度なパターン転写が為されるようになる。又、押圧、離型の際にモールドと基板とがずれることが無いので、モールド、及び／又は、基板の破損を防止することができる。

　更に、センターピン３０ｂには、付勢手段としてバネ３０１が設けられているので、基板搬送装置が基板６をセンターピン３０ｂに装着する際に、センターピン３０ｂに対して比較的強い下方向への力が掛かっても、センターピン３０ｂの下方向への移動が抑制され、基板６と下側モールド５０３ｂとの接触が防止される。又、センターピン駆動ユニット５０７ｂが何らかの不具合によってセンターピン３０ｂの支持力を低下させてしまった場合であっても、バネ３０１による接触防止動作が有効に作用することとなる。

　ここで、上記インプリント工程は、ディスクリートトラックメディアやビットパターンドメディア等の磁気記録媒体の製造工程に適用することができる。以下に、上記したインプリント工程を含む磁気ディスクの製造手方法について図９を参照しつつ説明する。

　まず、ガラス等の紫外線を透過する材料からなる基材の表面に所望とする凹凸パターンを有する上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを作製する。凹凸パターンは、例えば電子ビーム描画装置などにより基材上にレジストパターンを形成し、その後、レジストパターンをマスクとしてドライエッチング処理等を行なうことによって形成する。

　完成した上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂには、離型性向上のためシランカップリング剤等により表面処理を施しておく。なお、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを原盤として、インプリント法等で複製したガラス等の紫外線を透過する材料からなる基板を転写用のモールドとして用いても良い。更に、上記方法で作製した複製盤からインプリント法等で複製したガラス等の紫外線を透過する材料からなる基板を転写用のモールドとして用いても良い。尚、複製した転写用のモールドを使用するのであれば、原盤、及び／又は、複製盤の基材は、例えば、シリコンや電鋳等の方法によって複製したニッケル（合金を含む）等の紫外線を透過しない材料を用いることができる。

　次に磁気ディスクメディア基板（以下メディア基板と称する）６００を作製する。メディア基板６００は、例えば、特殊加工化学強化ガラス、シリコンウエハ、アルミ基板等からなるディスク状の支持基板６０１の一方の面側（上側面）及び他方の面側（下側面）に、夫々、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂを含む、以下の如き複数の層が積層されて為るものである。つまり、図９（Ａ）に示すように、支持基板６０１の上側面には、非磁性材料からなる上側非磁性層６０２ａ、金属材料、例えばＴａ又はＴｉ等からなる上側メタル層６０３ａ、及び上側転写層６０４ａが積層されている。支持基板６０１の下側面には非磁性材料からなる下側非磁性層６０２ｂ、金属材料、例えばＴａ又はＴｉ等からなる下側メタル層６０３ｂ、及び下側転写層６０４ｂを積層することにより形成する。上側非磁性層６０２ａ、上側メタル層６０３ａ、下側非磁性層６０２ｂ、及び下側メタル層６０３ｂは、スパッタリング法等により形成する。

　次に、上記したインプリント方法により、メディア基板６００に形成した上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂに上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂに形成された凹凸パターンを転写する。すなわち、上記工程で用意したメディア基板６００にスピンコート法等で上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂを形成し、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に合致させた状態で固定した後、メディア基板６００をセンターピン３０ｂに支持させ、基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸に合致させた状態で、上側モールド５０３ａをセンターピン３０ｂの中心軸方向において下側モールド５０３ｂに向けて移動させることにより、上側モールド５０３ａをメディア基板６００の一方の面に押圧すると共に下側モールド５０３ｂをメディア基板６００の他方の面に押圧する。その後、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａから転写層を硬化させるべき紫外線をメディア基板６００の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂから転写層を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射し、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが硬化したら上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂをメディア基板６００から離型し、メディア基板６００を取り出す。以上の工程により、メディア基板６００の両面に図９（Ａ）に示す如き断面構造を有するものが形成される。

　次に、図９（Ａ）に示す如き構造を有するメディア基板６００の両面にエッチング処理を施す。エッチング処理として、先ず、上側モールド５０３ａの凸部に相当する部分に上側転写層６０４ａの残膜が、下側モールド５０３ｂの凸部に相当する部分に下側転写層６０４ｂの残膜が残るため、酸素リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）等でこの残膜を除去する。次に、上記インプリント工程によりパターニングが施された上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂをマスクとしてドライエッチング処理により、上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂをエッチングし、パターニングを施す。かかるエッチング処理により、図９（Ｂ）に示す如く、上側レジスト層６０４ａ及び下側レジスト層６０４ｂ各々の凹凸パターンの内で凹部、並びに、上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂ各々における上記凹部に対応した部分が除去され、上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂ各々にパターンが形成される（メタルマスクパターニング工程）。

　次に、図９（Ｂ）に示す如き状態にあるメディア基板６００の両面に対して、ウェットエッチング若しくはドライアッシング処理等の方法で転写層除去処理を施すことにより、図９（Ｃ）に示すように、上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂ各々に残存する転写層を除去する（転写層除去行程）。

　次に、図９（Ｃ）に示す如き状態にあるメディア基板６００に対して上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂをマスクとしてドライエッチング処理により、非磁性体をエッチングし、パターニングを施す。これにより、上側非磁性層６０２ａ及び下側非磁性層６０２ｂ各々の露出領域に対して、図９（Ｄ）に示す如く、所定の深さ分だけ非磁性材料にパターンが形成される（非磁性層パターニング行程）。

　次に、図９（Ｄ）に示す如き状態にあるメディア基板６００の両面に対して、残存する上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂをウェットエッチング処理、若しくはドライエッチング処理等の方法で除去することにより、図９（Ｅ）に示すように、上側非磁性層６０２ａ及び下側非磁性層６０２ｂ各々に残存するメタル層を除去する（メタルマスク除去行程）。

　次に、図９（Ｅ）に示す如き上側非磁性層６０２ａ及び下側非磁性層６０２ｂ各々の凹部に磁性体（黒塗りにて示す）を充填し、更に、上側保護層６０５ａ、上側潤滑層６０６ａ、下側保護層６０５ｂ、及び下側潤滑層６０６ｂを図９（Ｆ）に示すように積層する。

　このように、図１に示すインプリント装置によって両面に凹凸パターンが形成された基板６に対して、図９（Ａ）～図９（Ｆ）の如き処理を施すことにより、図９（Ｆ）に示す如き断面構造を有する両面磁気ディスクが製造されるのである。

　尚、図９（Ａ）～図９（Ｆ）では、図９（Ａ）に示す如き上側非磁性層６０２ａ及び下側非磁性層６０２ｂを備えたメディア基板６００から、磁気ディスクを製造する方法について説明したが、上側非磁性層６０２ａ及び下側非磁性層６０２ｂに代わり、磁性材料からなる上側磁性層及び下側磁性層を採用したメディア基板６００から磁気ディスクを製造するようにしても良い。この際、図９（Ｃ）に示す如き状態にあるメディア基板６００に対して上側メタル層６０３ａ及び下側メタル層６０３ｂをマスクとしてドライエッチング処理により、磁性体をエッチングし、上側非磁性層及び下側非磁性層各々の露出領域に対して、所定の深さ分だけ磁性材料にパターン形成を行なう（磁性層パターニング行程）。そして、上側磁性層及び下側磁性層各々の凹部に非磁性材料を充填することにより、磁気ディスクを得るのである。

　又、上記実施例では、インプリント装置に、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの各々をその基準位置を一致させた状態でセットすべく、図２に示す如き切頭円錐形状の第１ピン先端部Ｐ_S1及び第２ピン先端部Ｐ_S2を有するセンターピン３０ｂを採用している。しかしながら、センターピン３０ｂの先端部の形状はこれに限定されるものではない。

　図１０は、センターピン３０ｂの先端部の他の形状を示す図である。

　図１０に示されるセンターピン３０ｂは、夫々が円柱形状のピンエンド部Ｐ_Ｅ及びピン中間部Ｐ_Ｍと、円錐形状のピン先端部Ｐ_Sとからなる。図１０に示すように、ピンエンド部Ｐ_Ｅの直径と同一となるピン先端部Ｐ_Sの底面の直径Ｒ０は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々の基準位置に設けられた孔の直径Ｒ１よりも大である。この際、円錐形状のピン先端部Ｐ_Sの円錐面上において、ピン先端部Ｐ_Sの頂点から第１距離Ｈ１だけ離れた位置に上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを支持する為のリング状の第１支持部Ｃ１と、ピン先端部Ｐ_Sの頂点から第１距離Ｈ１よりも短い第２距離Ｈ２だけ離れた位置に基板６を支持する為のリング状の第２支持部Ｃ２とが存在する。リング状の第１支持部Ｃ１の直径は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの孔の直径Ｒ１と等しく、リング状の第２支持部Ｃ２の直径は、この直径Ｒ１よりも小なる直径Ｒ２、つまり基板６の中心孔の直径と等しい。尚、第１支持部Ｃ１及び第２支持部Ｃ２間の距離Ｌは、基板６の厚さよりも大である。

　又、上記実施例においては、センターピン３０ｂの先端部を円錐形状にすることにより基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの中心位置を合致させた状態で夫々を支持するようにしているが、これに限定されない。

　図１１は、かかる点に鑑みて為されたセンターピン３０ｂの他の構成を示す図である。

　尚、図１１に示されるセンターピン３０ｂでは、その先端部として、図２に示す第１ピン先端部Ｐ_S1に代わり第１ピン先端部ＰＢ_S1を採用した点を除く他の形状は、図２に示すものと同一である。

　図１１に示す第１ピン先端部ＰＢ_S1は、その底面及び頂面の直径が上記Ｒ２よりも小なる円柱形状を有する。第１ピン先端部ＰＢ_S1の側面には、図１２の第１ピン先端部ＰＢ_S1上面からの透視図に示すように、複数（３個以上）の突出孔が設けられており、各突出孔内には基板６を支持する為の支持ボールＱＢが備えられている。各突出孔内に備えられる支持ボールＱＢ各々の直径は同一である。ここで、センターピン３０ｂに基板６が装着されていない状態では、図１２に示すように、支持ボールＱＢの各々は、第１ピン先端部ＰＢ_S1の側面から突出していない。ところが、センターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２に基板６が装着されると、センターピン駆動部５０７ｂは、第１ピン先端部ＰＢ_S1内に圧縮空気を送り込むことにより、図１２に示す如く支持ボールＱＢの各々を第１ピン先端部ＰＢ_S1の側面から突出させる。この際、センターピン駆動部５０７ｂは、各支持ボールＱＢが均等な距離だけ、且つ均等な力で第１ピン先端部ＰＢ_S1の側面から突出するように、第１ピン先端部ＰＢ_S1内に圧縮空気の送り込みを行なう。第１ピン先端部ＰＢ_S1の側面から突出した支持ボールＱＢの各々により、基板６は、その中心位置（基準位置）がセンターピン３０ｂの中心軸と一致した状態でセンターピン３０に支持される。

　尚、センターピン３０ｂの先端部としては、図１１に示す如き第１ピン先端部ＰＢ_S1を採用すると共に、図１１に示す第２ピン先端部Ｐ_S2に代わり第１ピン先端部ＰＢ_S1と同等な機能を備えた第２ピン先端部ＰＢ_S2を採用した、図１３に示す如き構成を採用しても良い。すなわち、図１３に示すセンターピン３０ｂにより、基板６のみならず、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの各々に対しても、支持ボールＱＢによってその基準位置をセンターピン３０ｂの中心軸と一致させるという、基準位置合わせを行なうのである。更に、上記実施例では、支持ボールを使用することで、基板６、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの基準位置合わせを行なったが、基準位置合わせが行なえるのであればボール形状以外の形状であっても構わない。

　又、上記実施例においては、図３に示す如く、センターピン３０ｂに付勢手段としてバネ３０１を設けることにより、下側モールド５０３ｂと基板６との接触を防止するようにしているが、かかるバネ３０１によれば、更に以下の如き効果が得られる。

　つまり、バネ３０１によれば、上述した如く基板６の両面を夫々上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂで押圧させるにあたり、基板６の下側レジスト層６０４ｂが下側モールド５０３ｂに接触する直前まで、基板６をセンターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２で支持させておくことが可能となる。よって、基板６に「たわみ」が生じていても、基板６の基準位置がずれることなく、下側モールド５０３ｂの凹凸パターン面を基板６の下側レジスト層６０４ｂに押圧させることができるようになる。又、押圧動作時には、バネ３０１の収縮動作によりセンターピン３０ｂが降下するので、センターピン３０ｂを下方向に移動させるためのセンターピン駆動ユニット５０７ｂの構成及び制御方法を簡略化することが可能となる。

　更に、上述した如き押圧動作後の基板６を、図８の[状態１０]に示す如く下側モールド５０３ｂから離型させる動作では、押圧がなくなると、センターピン３０ｂはバネ３０１の戻り力によって上方に向けて移動して所定の突出位置で静止する。すなわち、バネ３０１の拡張動作によって、センターピン３０ｂを押圧時における後退位置から初期状態である突出位置、すなわち、基板６の装着位置に変位させることができるので、センターピン３０ｂを上方向に移動させるためのセンターピン駆動ユニット５０７ｂの構成及び制御方法を簡略化することが可能となる。又、この状態においてセンターピン３０ｂを上昇せしめるバネ３０１の戻り力は、基板６を突き上げるように作用し、下側モールド５０３ｂと基板６との離型がアシストされるので、離型が容易となる。

　尚、図３に示す一例では、バネ３０１をセンターピン３０ｂのピンエンド部Ｐ_Ｅに設置することにより、ピン中間部Ｐ_Ｍの底面及びセンターピン支持部５０６ｂ間でセンターピン３０ｂを支えるようにしているが、図１４に示すように、ピン中間部_Ｍ及びピンエンド部Ｐ_Ｅ間をバネ３０１で連結する構成を採用しても良い。

　又、図１５に示すように、押圧によって押し下げられているバネ３０１を押し下げられた状態で固定する係止機構３０１を設けるようにしても良い。係止機構３０１は、コントローラ２００から付勢停止信号が供給されている間において、バネ３０１が押し下げられた場合には、その押し下げられた状態でバネ３０１を固定することにより、バネ３０１の戻り力に伴う付勢作用を抑制する。これによって、上側モールド５０３ａの離型時に、基板６と下側モールド５０３ｂとが密着した状態を保つことが出来る。

　尚、本実施例ではＵＶ式のインプリント方法及びインプリント装置に関して記載しているが、これに限定されるものではなく、熱式インプリント、エネルギー線（例えば、ＵＶ以外の光、Ｘ線など）硬化式インプリント等の他の方式のインプリントにも用いることができる。熱式インプリントであれば、透明モールドである必要はなくニッケルなどの金属モールドが使用できるとともに、ＵＶ光をレジストまで透過させるため透明材料で掲載された部材は金属などの透明でない部材を用いることが出来る。

　又、本実施例では、付勢手段としてバネ３０１を用いた例を記載したが、バネに限られるものではなく、ゴム等の弾性力を有するものであれば、同様に利用することができる。

　例えば、図３に示されるバネ３０１に代わり、ゴム等からなる図１６に示す如き形態の弾性特性を有する部材３０１Ａをセンターピン３０ｂのピンエンド部Ｐ_Ｅに設置することにより、ピン中間部Ｐ_Ｍの底面及びセンターピン支持部５０６間でセンターピン３０ｂを支えるようにしても良い。尚、弾性特性を有する部材３０１Ａとしては、図１６に示す如き形態を有する軟性の容器に、圧縮空気又は流動体を充填した構造のものを採用しても良い。

　又、基板６の材質がモールドに形成された微細な凹凸パターンを転写可能な材質、例えば樹脂フィルム、バルク樹脂、低融点ガラス等であれば、基板６の上層部分を転写層として扱うことができ、この場合基板上に転写材料を形成しないで、基板表面に直接パターン形状を転写することができる。又、磁気ディスクの転写だけでなく、光ディスクなどの様々な記録媒体の製造に用いることができる。

Claims

第１モールド及び第２モールドに形成されたパターンを被転写体に押圧することによりパターンを前記被転写体に転写する転写装置であって、
　前記被転写体を前記第２モールドから離間させた状態で支持する移動可能な支持手段と、
　前記支持手段に支持されている前記被転写体を移動させて前記第１モールド及び第２モールドと前記被転写体とを押圧させる転写駆動手段と、
　前記転写駆動手段による前記被転写体の移動に伴い、前記支持手段を付勢する付勢手段と、を有することを特徴とする転写装置。
前記転写駆動手段は、前記被転写体を前記支持手段と共に前記支持手段の中心軸における一方の方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
前記付勢手段は、前記被転写体及び前記支持手段の前記一方の方向への移動に伴い，前記支持手段の中心軸における他方の方向に向けて前記支持手段を付勢することを特徴とする請求項２に記載の転写装置。
前記支持手段は円錐状の先端部を有し、
　前記先端部の円錐面上における前記先端部の頂点から所定の第１距離だけ離れた第１位置に前記下側モールドが支持されると共に、前記先端部の頂点から前記第１距離よりも短い第２距離だけ離れた第２位置に前記被転写体が支持されることを特徴とする請求項１記載の転写装置。
前記第１位置及び前記第２位置は互いに前記被転写体の厚さよりも大なる距離だけ離間していることを特徴とする請求項４記載の転写装置。
前記第２モールドの基準位置には前記先端部の底面の直径よりも小なる第１直径を有する孔が形成されており、前記被転写体の基準位置には前記第１直径よりも小なる第２直径を有する孔が形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項５記載の転写装置。
前記付勢手段は、押しバネであることを特徴とする請求項１記載の転写装置。
前記第１モールドには、前記被転写体の第１の面に転写すべきパターンが形成され、前記第２モールドには前記被転写体の第２の面に転写すべきパターンが形成され、
　前記支持手段は、前記第２モールドから前記被転写体を離間させた状態で支持し、
　前記転写駆動手段は、前記第１モールドで前記被転写体の第１の面を押圧することにより当該被転写体の第２の面に前記第２モールドを押圧させることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
前記転写駆動手段は、前記第１モールドを上昇させつつ前記支持手段を上昇させることにより、前記被転写体から前記第１モールド及び前記第２モールドを離型する手段を含むことを特徴とする請求項８記載の転写装置。
前記付勢手段の戻り力に伴う付勢作用を抑制する係止機構を更に有することを特徴とする請求項１記載の転写装置。
第一モールド及び第二モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、
　前記被転写体を前記第二モールドから離間させた状態で支持させる第１ステップと、
　支持されている前記被転写体を移動させることにより前記第一モールド及び第二モールドと被転写体とを押圧させる第２ステップと、を有し、
　前記第一モールドで被転写体の表面を押圧させる際に、前記被転写体の移動方向と逆方向に付勢力を付勢させることを特徴とする転写方法。