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WO2009136647A1 - ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜及び絶縁膜、並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜及び絶縁膜、並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置 Download PDF

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WO2009136647A1
WO2009136647A1 PCT/JP2009/058728 JP2009058728W WO2009136647A1 WO 2009136647 A1 WO2009136647 A1 WO 2009136647A1 JP 2009058728 W JP2009058728 W JP 2009058728W WO 2009136647 A1 WO2009136647 A1 WO 2009136647A1
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WO
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group
formula
general formula
represented
resin composition
Prior art date
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Ceased
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PCT/JP2009/058728
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English (en)
French (fr)
Inventor
杉山広道
高橋泰典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to JP2010511091A priority patent/JP5246607B2/ja
Priority to US12/991,125 priority patent/US8492469B2/en
Publication of WO2009136647A1 publication Critical patent/WO2009136647A1/ja
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    • C08L83/16Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms

Definitions

  • the present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a cured film, a protective film, an insulating film, and a semiconductor device and a display device using the same.
  • polyimide resins having excellent heat resistance and excellent electrical and mechanical properties have been used for surface protective films and interlayer insulating films of semiconductor devices.
  • polybenzoxazole resin which is considered to have good moisture resistance reliability, has begun to be used.
  • a photosensitive resin composition has been developed that allows a part of the relief pattern forming process to be simplified by imparting photosensitivity to the resin itself.
  • a positive type photosensitive resin composition composed of a polybenzoxazole precursor that can be developed with an alkaline aqueous solution and a diazoquinone compound as a photosensitizer has been developed with further improvements from the viewpoint of safety. (See Patent Document 1).
  • the production of the relief pattern of the positive photosensitive resin composition will be described from the development mechanism.
  • the exposed part (hereinafter exposed part) and the unexposed part (hereinafter unexposed part) I can do it.
  • the diazoquinone compound present in this unexposed area is Insoluble and interacts with the resin to become more resistant to aqueous solutions.
  • the diazoquinone compound present in the exposed area undergoes a chemical change by the action of actinic radiation, becomes soluble in an alkaline aqueous solution, and promotes dissolution of the resin. Then, by utilizing the difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion and dissolving and removing the exposed portion, a relief pattern of only the unexposed portion can be produced.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 1 4 6 8 6 2 Summary of Invention
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to provide adhesion between the coating film and the substrate after the development process and adhesion between the cured film and the substrate after the humidity treatment. Another object of the present invention is to provide a positive-type photosensitive resin composition that is excellent in storage stability. It is another object of the present invention to provide a cured film, a protective film, an insulating film, and a semiconductor device and a display device using the cured film that have excellent adhesion to a substrate after humidity treatment.
  • Alkali-soluble resin (A), photosensitizer (B), and general formula (1) A positive-type photosensitive resin composition comprising the key compound (c) shown.
  • R 3 is a hydroxyl group, mono-O—R 5 , an alkyl group, an acyloxy group, or a cycloalkyl group, which may be the same or different.
  • R 4 is a hydroxyl group, a carboxyl group, or a chromatography 0- 1 5 or over .00- R 5, identical or different.
  • h is 0-8 integer
  • i is an integer of 0 to 8.
  • R 5 is an organic group having 1 to 15 carbon atoms, where when there are a plurality of R 3 s , they may be different or the same, and when R 3 has no hydroxyl group, R 4 is at least one.
  • D in formula (3-5) is one CH 2 —, one CH (CH 3 ) one, one C (CH 3 ) 2 —, — O—, — S—, 1 S 0 2 —, 1 C0_, 1 NHCO—, 1 C (CF 3 ) 2 — or a single bond
  • E in formula (3-6) is 1 CH 2 _, -CH (CH 3 )
  • R 6 is an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or a cycloalkyl group, and may be the same or different. It is an integer from 1 to 3.
  • the key of the key compound (C) represented by the general formula (1) is an alkylene group having 6 to 8 carbon atoms, according to any one of [1] to [3] Positive photosensitive resin composition.
  • the — of the key compound (C) represented by the general formula (1) is a structure represented by the general formula (4) [1] to [4]
  • the positive photosensitive resin composition t according to any one of
  • R 7 is an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group or a cycloalkyl group, and may be the same or different.
  • J is an integer of 0 to 4.
  • Z is Single bond, 1 CH 2 —,-CH (CH 3 ) or 1 C (CH 3 ) 2 —.
  • R ⁇ — of the key compound (C) represented by the general formula (1) is one or more of the structures represented by the formula (5) [ [1] The positive photosensitive resin composition according to any one of [5].
  • a protective film comprising the cured film according to [8].
  • [1 1] A semiconductor device comprising the cured film according to [8].
  • a positive photosensitive resin composition having excellent adhesion between a coating film after a development process and a substrate and excellent adhesion between a cured film after humidity treatment and the substrate and excellent storage stability. be able to.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention comprises an alkali-soluble resin (A), a photosensitive agent (B), and a key compound (C) represented by the general formula (1). It is a resin composition.
  • the silicon compound (C) represented by the general formula (1) is an alkylene group having 6 to 8 carbon atoms.
  • one of the key compounds (C) represented by the general formula (1) is one or two of the structures represented by the formula (5). More than a seed.
  • the cured film of the present invention is composed of a cured product of the positive photosensitive resin composition described above.
  • the protective film and the insulating film of the present invention are composed of the cured film described above.
  • the semiconductor device and the display device of the present invention have the cured film described above.
  • the alkali-soluble resin (A) according to the present invention is not particularly limited, and examples thereof include acrylic resins such as a talesol-type novolak resin, a hydroxystyrene resin, a methacrylic acid resin, and a methacrylic ester resin.
  • examples thereof include cyclic resins, cyclic olefin-based resins containing hydroxyl groups, strong hydroxyl groups, polyamide-based resins, and the like.
  • polyamide resin is preferable from the viewpoints of excellent heat resistance and good mechanical properties. Specifically, it has at least one of a polybenzoxazole structure and a polyimide structure, and has a main chain or a side chain.
  • Examples thereof include a resin having a hydroxyl group, a carboxyl group, an ether group or an ester group, a resin having a polybenzoxazole precursor structure, a resin having a polyimide precursor structure, and a resin having a polyamic acid ester structure.
  • Examples of such a polyamide resin include a polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (2).
  • R 3 is a hydroxyl group, _0_R 5 , alkyl group, acyloxy group or cycloalkyl group, which may be the same or different.
  • R 4 is a hydroxyl group, carboxyl A group, _0—R 5 or one COO—R 5 , which may be the same or different, h is an integer from 0 to 8, i is an integer from 0 to 8.
  • R 5 is a carbon number from 1 to 1 5 is a organic group. here, if there are a plurality of R 3, if no hydroxyl groups as may. R 3 be the same or different, respectively, R 4 is one at least is to be a carboxyl group In addition, when R 4 has no carboxyl group, at least one R 3 must be a hydroxyl group.
  • R 5 is an organic group of from 1 1 to 5 carbon atoms It is a group. If necessary, a hydroxyl group or a carboxyl group may be protected with R 5 .
  • R 5 examples include formyl group, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tertiary butyl group, tertiary butoxycarbonyloprenole group, phenyl group, benzyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydrobiranyl group. Etc.
  • Examples of X in the general formula (2) include aromatic rings such as benzene ring and naphthalene ring, heterocyclic skeletons such as bisphenol skeleton, pyrrole skeleton and furan skeleton, and siloxane skeletons.
  • aromatic rings such as benzene ring and naphthalene ring
  • heterocyclic skeletons such as bisphenol skeleton, pyrrole skeleton and furan skeleton
  • siloxane skeletons A preferred structure is represented by the formula (6).
  • X may be one type or two or more types.
  • A is one CH 2 —,-CH (CH 3 ) one,-C (CH 3 ) 2 —, one O—, — S—, _ S ⁇ 2 —, 1 CO—, 1 NHCO—, — C (CF 3 ) 2 — or a single bond
  • R 8 is selected from an alkyl group, an alkyl ester group, an alkyl ether group, a benzyl ether group and a halogen atom. one are shown, if R 8 have multiple, respectively Re R 8 Waso may be the same or different.
  • R 9 represents one selected hydrogen atom, alkyl group, from alkyl glycol ester Moto ⁇ Pi halogen atom.
  • k is an integer of 0 to 4.
  • R 10 , R! R 2 and R 3 are organic groups. —As shown in general formula (2), 0 to 8 R 3 are bonded to X (in formula (6), R 3 is omitted).
  • the structure represented by the formula (7) is preferable because the heat resistance and mechanical properties are particularly excellent.
  • Equation (7)
  • E in formula (7-6) is _ CH 2 _,-CH ( CH 3 ) — or 1 C (CH 3 ) 2 —.
  • R 6 is any one of an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, and a cycloalkyl group, and may be the same or different.
  • R 14 represents one selected from an alkyl group, an alkyl ester group, and a halogen atom, and may be the same or different from each other.
  • g is an integer of 1 to 3, and 1 is an integer of 0 to 4.
  • the structure represented by the formula (3) is particularly preferable.
  • Polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (2) X if R 3 is attached to X, X to which R 3 is attached
  • the structure represented by the formula (3) by combining with the key compound (C) represented by the general formula (1), the adhesion between the cured film after humidity treatment and the substrate is increased. be able to.
  • D in the formula (3-5) is one CH 2 _, one CH (CH 3 ) one,-C (CH 3 ) 2 —, — O— , 1 S—, — S 0 2 —, 1 CO—, 1 NHCO—, — C (CF 3 ) 2 — or a single bond
  • E in formula (3-6) is 1 CH 2 —, 1 CH (CH 3 ) — or 1 C (CH 3 ) 2 —
  • R 6 is an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or an alkyl group, which may be the same or different
  • G is an integer from 1 to 3.
  • Y is an organic group, and examples thereof include those similar to X.
  • an aromatic ring such as a benzene ring and a naphthalene ring, a bisphenol skeleton, and the like.
  • Y is It can be one type or two or more types.
  • Equation (8)
  • R 15 represents an alkyl group, aralkyl kill ester group, alkyl ether group, one selected from the benzyl ether group and a halogen atom
  • R 15 is When there are a plurality of R 15 s , they may be the same or different 6 represents one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, an alkyl ester group and a halogen atom
  • A represents one CH 2 —, one CH (CH 3 ) One, one C (CH 3 ) 2 —, one O—, one S—, — S ⁇ 2 —, one CO—, one NHCO—, one C (CF 3 ) 2 —, or a single bond. is 0 It is an integer of ⁇ 4.
  • R 17 , 1 18 and 1 19 are organic groups. )
  • preferred structures include those represented by the formula (9) or the formula (10) in terms of particularly excellent heat resistance and mechanical characteristics.
  • R 2 is selected from an alkyl group, an alkyl ester group, an alkyl ether group, a benzyl ether group, and a halogen atom.
  • R 21 represents one selected from a hydrogen atom or an organic group having 1 to 15 carbon atoms, and n is an integer of 0 to 4.
  • the structure represented by the formula (11) is particularly preferable. (If R 4 is bonded to Y, Y R 4 is engaged binding) made of Polyamide resins Y having a repeating unit represented by the general formula (2) force, represented by the formula (1 1) In the case of such a structure, the adhesion between the cured film after humidity treatment and the substrate can be enhanced by combining with the silicon compound (C) represented by the general formula (1).
  • R 2 is selected from an alkyl group, an alkyl ester group, an alkyl ether group, a benzyl ether group, and a halogen atom.
  • R 21 represents one selected from a hydrogen atom or an organic group having 1 to 15 carbon atoms, and n is an integer from 0 to 4.
  • the polyamide resin having a repeating unit represented by the above general formula (2) is a polymer having a molecular chain in which the repeating unit represented by the general formula (2) is repeated as a main chain.
  • the repeating units represented by the general formula (2) present in each of the polyamide-based resins having the repeating unit represented by the general formula (2) may all have the same structure, or the general formula ( The repeating unit represented by the general formula (2) present in each of the polyamide-based resins having the repeating unit represented by 2) is different within the structure represented by the general formula (2). It may be a structure.
  • the main chain of the polyamide resin having the repeating unit represented by the general formula (2) is composed of X, R 3 , h, Y, R 4 and i all having the same repeating unit
  • the main chain of the polyamide-based resin having the repeating unit represented by the general formula (2) may be composed of a combination of repeating units having different X, R 3 , h, Y, R and i. Good.
  • the polyamide resin having the repeating unit represented by the general formula (2) may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (2) is an amino group at the end of the main chain consisting of repeating repeating units represented by the general formula (2), and the amino group is an alkenyl group. It is preferably capped as an amide using an acid anhydride containing an aliphatic group or cyclic compound group having at least one group or alkynyl group. This improves the storage stability.
  • Examples of such a group derived from an acid anhydride containing an aliphatic group or a cyclic compound group having at least one alkenyl group or alkynyl group after reacting with an amino group include, for example, formula (1 2) or a group represented by the formula (1 3). These may be one type or two or more types.
  • particularly preferred groups include a group represented by the formula (14).
  • a group derived from an acid anhydride containing an aliphatic group or a cyclic compound group having at least one alkenyl group or alkynyl group after reacting with an amino group is a group represented by the formula (14): Especially, the storage stability is improved.
  • the terminal acid in the polyamide resin having a repeating unit represented by the general formula (2) is an aliphatic group having at least one alkenyl group or alkynyl group. It may be capped as an amide using an amine derivative containing a group or a cyclic compound group.
  • the polyamide-based resin having a repeating unit represented by the general formula (2) according to the present invention has at least one of the side chain and the terminal of the polyamide-based resin having a repeating unit represented by the general formula (2). It may have a group containing a nitrogen-containing cyclic structure. This improves adhesion to metal wiring (especially copper wiring).
  • Examples of the group having the nitrogen-containing cyclic structure include, for example, 1- (5- 1 H-triazol) methylamino group, 3- (1 H-pyrazol) amino group, 4- (1 H-pyrazol) amino group, 5- ( 1 H-pyrazol) amino group, 1 1 (3 — 1 H-pyrazol) methylamino group, 1 1 (4-1 H-virazol) methylamino group, 1-(5-1 H-pyrazol) methylamino group, (1 H-tetrazol-5-yl) amino group, 1- (1H-tetrazol-5-yl) methyl-amino group, 3- (1H-tetrazol-5-yl) benzenamino group and the like. Of these, it is shown by the formula (15) Groups are preferred. When the group of the nitrogen-containing cyclic structure is a group represented by the formula (15), the adhesion to copper and copper alloy metal wiring is improved.
  • Examples of the photosensitizer (B) according to the present invention include estenoles of a phenol compound and 1,2-naphthoquinone-1,2-diadi-5-sulfonic acid or 1,2-naphthoquinone-1,2-diazido-4-sulfonic acid. Can be mentioned. Specifically, ester compounds represented by the formulas (16) to (19) are listed.
  • the photosensitizer (B) may be one type or a combination of two or more types.
  • Q is selected from a hydrogen atom and any one of structures represented by formula (20) and formula (21).
  • at least one of Q of each compound is a structure represented by formula (20) or formula (21).
  • the content of the photosensitizer (B) according to the present invention is preferably from 1 to 50 parts by weight, particularly preferably from 10 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (A).
  • the content of the photosensitive agent (B) is in the above range, the sensitivity is particularly excellent.
  • the key compound (C) according to the present invention is a key compound represented by the general formula (1).
  • the positive photosensitive resin composition contains the silicon compound (C) represented by the general formula (1)
  • the adhesion between the coating film after the development process and the substrate and the cured film after the humidity treatment and Adhesion test in accordance with JISD 0 2 0 2 after humidity treatment performed after the heat treatment process (described later) because the fine adhesion of the relief pattern is not seen in the development process due to improved adhesion to the substrate
  • the silicon compound (C) represented by the general formula (1) has a high affinity with the alkali-soluble resin (A).
  • the alkoxysilane group interacts with the substrate, it is considered that the adhesion between the coating film and the substrate after the development process and the adhesion between the cured film and the substrate are improved.
  • the positive photosensitive resin composition containing the silicon compound (c) represented by the general formula (1) is excellent in storage stability when left at room temperature. This is thought to be because the key compound (C) represented by the general formula (1) has a hydrophobic structure.
  • Examples of the alkylene group having 5 to 30 carbon atoms related to R in the general formula (1) include a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, a decylene group, an undecylene group, and a dodecylene group. Of these, a hexylene group, a heptylene group and an octylene group having 6 to 8 carbon atoms are preferred. If the number of carbon atoms in the general formula (1) is less than the above range, the hydrophilicity is too strong and the affinity with the alkaline aqueous solution is high. , Adhesion in the developing process is lowered.
  • the organic group having at least one aromatic ring in the general formula (1) is not particularly limited, but one example is the structure represented by the general formula (4). It is done.
  • R 7 is an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group or a cycloalkyl group, and may be the same or different.
  • J is an integer of 0 to 4.
  • Z is Single bond, _CH 2 —,-CH (CH 3 ) or C (CH 3 ) 2 —
  • the adhesion between the coating film and the substrate after the development process and the adhesion between the cured film after the humidity treatment and the substrate are high, and the storage stability is excellent.
  • One or more of the structures represented by formula (5) are particularly preferred.
  • R 2 in the general formula (1) is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and is not particularly limited, but is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, or a secondary ptyl group.
  • a methyl group or an ethyl group is preferred.
  • the content of the key compound (C) represented by the general formula (1) is not particularly limited, but it is 0.05 to 50 to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (A). Part by weight is preferred, and 0.1 to 20 parts by weight is particularly preferred.
  • the content of the key compound (C) represented by the general formula (1) is within the above range, the adhesion between the coating film and the substrate after the development process and the cured film and substrate after the humidity treatment are reduced.
  • the storage stability of the positive photosensitive resin composition can be increased.
  • the key compound (C) represented by the general formula (1) is not particularly limited.
  • the key compound in the case where is an alkylene group having 5 to 30 carbon atoms in the general formula (1) examples include bis (trimethoxysilyl) hexane, bis (triethoxysilyl) hexane, bis (trimethoxysilyl) octane, bis (trimethoxysilyl) octane, and bis (trimethoxy).
  • Silyl) decane bis (trie 1, xylylyl) decane, etc.
  • the chemical compound (C) in the case where is an organic group having at least one aromatic ring Bis (trimethoxysilyl) benzene, bis (trioxysilyl) benzene, bis (trioxysilyl) biphenyl, bis (trimethoxysilyl) biphenyl, methylenebis (toluene) And isopropylidenebis (trimethoxysilyl) benzene, isopropylidenebis (trimethoxysilyl) benzene, and isopropylidenebis (trimethoxysilyl) benzene.
  • bis (trimmer) is excellent in the adhesion between the coating film and the substrate after the imaging process, the adhesion between the cured film and the substrate after the humidity treatment, and the storage stability of the positive photosensitive resin composition.
  • Toxisilyl) hexane, bis (triethoxysilyleno) hexane, bis (trimethoxysilyl) biphenyl, and bis (triethoxysilyl) biphenyl are preferred.
  • the key compound (C) represented by the general formula (1) may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention is a compound having a phenolic hydroxyl group for the purpose of improving the scum at the time of patterning with high sensitivity.
  • a specific structure of the compound (D) having a phenolic hydroxyl group includes a compound represented by the formula (2 2). These may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the content of the compound (D) having a phenolic hydroxyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 parts by weight, and 1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (A). Is particularly preferred.
  • the content of the compound having a phenolic hydroxyl group (D) is within the above range, the occurrence of scum during development is suppressed, and the sensitivity is improved by promoting the solubility of the exposed area.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention may be an acrylic, silicone, fluorine, bule, etc. leveling agent, or a key compound (C) represented by the general formula (1) if necessary.
  • Other additives such as a silane coupling agent may be contained.
  • silane coupling agent examples include 3-glycidoxypropyltrimethyoxysilane, 3-glycidoxypropylmethylgertoxysilane, 3-dalididoxypropyltriethyoxysilane, and p-stilyltrimethyl.
  • 3-isocyanate propyltriethoxysilane and a silane coupling agent obtained by reacting a silicon compound having an amino group with an acid dianhydride or an acid anhydride, and the like. Absent.
  • the amino compound having an amino group related to the silane-powered coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 13-aminopropyltrimethoxysilane, Examples include 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -1-3-aminopropyltriethoxysilane, and 3-aminopropyltriethoxysilane.
  • the acid anhydride related to the silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include maleic anhydride, maleic anhydride, cyano maleic anhydride, cytoconic acid, and phthalic anhydride. Can be mentioned.
  • the acid anhydrides may be used alone or in combination of two or more.
  • the acid dianhydride according to the silane coupling agent is not particularly limited. For example, pyromellitic acid dianhydride, benzene monoanhydride
  • the storage stability of the positive photosensitive resin composition is Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, which increases the adhesion between the coating film and the substrate after the development process and the adhesion between the cured film after humidity treatment and the substrate such as a silicon wafer.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention is used in the form of a varnish by dissolving these components in a solvent.
  • Solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, ⁇ -butarate rataton, ⁇ , ⁇ -dimethylacetamide, dimethino ksunoreoxide, diethylene glycol dimethino ether, diethylene glycol / legetic ether, diethylene glycol Koi / Resipit / Rye Tenole, Propylene Glycole Monomethinoleate Tenole, Dipropylene Glycol Monomethyl Ether, Propylene Daricol Monomethyl Ether Acetate, Methyl Lactate, Lactyl Ethyl Lactate, Butyl Lactate, Methyl 1, 1, 3-Butylene Glycol Nole Examples include acetate, 1,3-butyleneglycolone 3-monomethy / leetenore, methyl pyruvate, ethyl pyruvate,
  • the usage method of the positive photosensitive resin composition of this invention is demonstrated.
  • the composition is applied to a suitable support (substrate), for example, a silicon wafer, a ceramic substrate, an aluminum substrate or the like.
  • a suitable support for example, a silicon wafer, a ceramic substrate, an aluminum substrate or the like.
  • the final film thickness after curing is 0.1 to 30 m. If the film thickness is below the lower limit value, it will be difficult to fully function as a protective surface film of the semiconductor element. If the upper limit value is exceeded, it will be difficult to obtain a fine processing pattern. Takes a long time and the throughput decreases.
  • Application methods include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, roll coating, and the like.
  • the desired pattern shape is irradiated with actinic radiation.
  • actinic radiation X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays, and the like are used, but those having a wavelength of 20 to 500 nm are preferable.
  • a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion with a developer.
  • Examples of the developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous alkalis such as ammonia water, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, jetylamine, Secondary amines such as di-propylamine, tertiary amines such as triethylamine, methyljetylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammoni Aqueous solutions of quaternary ammonium salts such as umhydroxide, etc., and aqueous solutions to which water-soluble organic solvents such as methanol and alcohols such as ethanol and surfactants are added in an appropriate amount are suitable. Used for. As a developing method, a method such as spray, nozzle, dipping, or ultrasonic can be applied.
  • the relief pattern formed by development is rinsed. Use distilled water as the rinse solution.
  • the coating film is heat-treated to form an oxazole ring, an imide ring, or an oxazole ring and an imidazole ring in the alkali-soluble resin (A) in the resin composition, and the resin composition is cured. Perform the process to obtain the final pattern (cured film) with high heat resistance.
  • the heat treatment temperature is preferably from 180 ° C. to 3800 ° C., more preferably from 200 ° C. to 35 ° C.
  • the cured film of the present invention that is, the cured film composed of the cured product of the positive photosensitive resin composition of the present invention
  • the cured film which is a cured product of the positive photosensitive resin composition of the present invention, is used not only for semiconductor devices such as semiconductor elements but also for display device devices such as TFT type liquid crystal and organic EL, and interlayer insulation for multilayer circuits. It is also useful as a force percoat for films, flexible copper-clad plates, solder resist films, and liquid crystal alignment films.
  • Examples of semiconductor device applications include the positive type of the present invention described above on a semiconductor element.
  • An insulating film such as an interlayer insulating film formed by forming a cured film of the positive photosensitive resin composition of the present invention on a circuit formed on an element, an ⁇ -ray blocking film, a planarizing film, a protrusion (resin post ) And partition walls.
  • Examples of the display device application include a protective film formed by forming a cured film of the positive photosensitive resin composition of the present invention on a display element, an insulating film for a TF ⁇ element or a color filter, or flattening. Examples thereof include a film, a protrusion for an MV vertical liquid crystal display device, a partition wall for an organic EL element cathode, and the like.
  • the positive photosensitive resin composition layer of the present invention patterned on the substrate on which the display element and the color filter are formed is formed by the above method. It is a method. High transparency is required for display device applications, especially for insulating films and flattening films. However, by introducing a post-exposure process before the positive photosensitive resin composition layer of the present invention is cured, it is transparent. A resin layer having excellent properties can also be obtained, which is more preferable in practical use.
  • Phenol represented by the formula (Q-1) 1 5.82 g (0.025 mol) and triethylamine 8.40 g (0.08 3 mol) were thermometer, stirrer, feedstock inlet, dry nitrogen gas The solution was placed in a four-necked separable flask equipped with an introduction tube, and tetrahydrofuran 1 35 g was added and dissolved. After cooling the reaction solution to 10 ° C or lower, add 22.30 g (0.08 3 mol) of 1,2-naphthoquinone-2-diazide 4-senophoninolectride to tetrahydro Dorofuran beat gradually drops as not to exceed 1 0 D C with 1 00 g.
  • the mixture was filtered through a Teflon (registered trademark) filter having a pore diameter of 0.2 m to obtain a positive photosensitive resin composition.
  • the positive photosensitive resin composition was applied onto a silicon wafer using a spin coater, and pre-betaged at 120 ° C. for 4 minutes on a hot plate to obtain a coating film having a film thickness of about 1 1.
  • a mask made by Toppan Printing Co., Ltd. (test chart No. 1: left and removed patterns with a width of 0.88 to 50 ⁇ m are drawn) and an i-line stepper ( Using Nikon Corporation 4 4 2 5 ⁇ ), change the exposure in steps of 20 m J / cm 2 from 2 0 m JZ cm 2 to 1 5 60 m J / cm 2 Irradiated.
  • the exposed area was dissolved by developing the unexposed film for 1.5 to 2.5 ⁇ m. After removing, it was rinsed with pure water for 10 seconds. After the development process, the area where the mask opening diameter is 3 ⁇ m (3 W m line) in the area where the exposure is greater than 100 m J / cm 2 to 30 OmjZ cm 2 than the exposure where the pattern was formed The presence or absence was confirmed. After the development process, E is the exposure dose where the aperture width is 10 nm at the part where the mask aperture diameter is 10 / im (10 ⁇ line).
  • the film was cured by heat treatment at 150 ° C / 30 minutes + 3 20 ° C / 30 minutes at an oxygen concentration of 1, O 2 Oppm or less, and a cured film was obtained.
  • This sample was subjected to a humidity treatment (pressure cooker) test; 1 25 ° C., 100%, 0.2 MPa, and continuously treated for 24 hours, and then evaluated in accordance with JIS D 0 202. As a result, the number of peeled grids was zero. Considering that even if one of the 100 grids is peeled off, it is a practical problem, it was confirmed that the film exhibits good adhesion even after humidity treatment.
  • the viscosity (T 1) of the composition was measured with an E-type viscometer (TV-22 type 2, manufactured by Toki Sangyo). As a result, the viscosity was 9 88 mPa ⁇ s.
  • the positive photosensitive resin composition was allowed to stand at room temperature, and after 20 days, the viscosity (T 2) was measured again in the same manner as described above, and the viscosity was 10 78 mPa ⁇ s.
  • the viscosity increase rate was calculated by ( ⁇ (T 2)-(T 1) ⁇ / (T 1)) X 1 0 0 (%), it was 9%. Since the rate of increase in viscosity in 10 days is 10% or less, which is a practically acceptable level, it was confirmed that the positive photosensitive resin composition has good storage stability at room temperature. It was done.
  • a positive photosensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the alkali-soluble resin (A-2) was used instead of the alkali-soluble resin (A-1).
  • a positive photosensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the alkali-soluble resin (A-2) was used instead of the alkali-soluble resin (A-1).
  • alkali-soluble resin In the synthesis of the alkali-soluble resin in Example 1, the dicarboxylic acid derivative (active ester) was reduced to ⁇ .54 mol, and instead, 4, 4 and 1,6-dioxydiphthalic anhydride was added 0.36 mol and reacted in the same manner. Then, alkali-soluble resin (A-3) was synthesized.
  • a positive photosensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the alkali-soluble resin (A-3) was used instead of the alkali-soluble resin (A-1).
  • the alkali-soluble resin (A-3) was used instead of the alkali-soluble resin (A-1).
  • a positive-type photosensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 2 except that the Al force soluble resin (A-1) was used instead of the Al force soluble resin (A-1). .
  • a positive photosensitive resin composition was prepared and evaluated in the same manner as in Example 3 except that the silicon compound represented by the formula (C-1) was not used.
  • Example 3 In the same manner as in Example 3, except that the key compound represented by the formula (C-1) was replaced with 10 g of the key compound represented by the formula (C-13), the positive photosensitive resin. A composition was prepared and evaluated.
  • a composition was prepared and evaluated.
  • Example 3 In the same manner as in Example 3, except that the key compound represented by the formula (C-1) was replaced by 10 g of the key compound represented by the formula (C-8) instead of the key compound 10 g. A composition was prepared and evaluated.
  • Examples 1 to 10 showed no peeling of the coating film in the development process and the adhesion evaluation after the humidity treatment, and the adhesion to the substrate. It turns out that the nature is good. In the storage stability evaluation, 10 The daily room temperature viscosity increase rate is 10% or less, which is considered to be excellent in stability.
  • Example 1 1 is E in the development process. No peeling was observed with p , but peeling was observed at locations where 150 m jZ cm 2 exposure was large. Moreover, in the adhesion evaluation after the humidity treatment, no peeling of the cured film was observed, indicating that the adhesion between the cured film and the substrate was good. Also in the storage stability evaluation, the room temperature viscosity increase rate for 10 days is 10% or less, and it is considered that the stability is also excellent. Table 1
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention has high adhesion between the coating film and the substrate after the development process, high adhesion between the cured film after humidity treatment and the substrate, and excellent storage stability. It is suitably used for semiconductor elements, surface protective films for display elements, interlayer insulating films, and the like.

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Abstract

アルカリ可溶性樹脂(A)、感光剤(B)、一般式(1)で示されるケイ素化合物(C)を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 一般式(1): (式(1)中、Rは、炭素数5~30のアルキレン基又は芳香環を少なくとも1つ以上有する有機基であり、Rは、炭素数1~10のアルキル基である。) 本発明によれば、現像工程後の塗膜の密着性及び湿度処理後の硬化膜と基板との密着性に優れ、且つ保存安定性に優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供することができる。   

Description

明細書 ポジ型感光性樹脂組成物、 硬化膜、 保護膜及び絶縁膜、
並びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置 技術分野
本発明は、 ポジ型感光性樹脂組成物、 硬化膜、 保護膜及び絶縁膜、 並 びにそれを用いた半導体装置及び表示体装置に関する。 背景技術
従来、 半導体装置の表面保護膜、 層間絶縁膜等には、 耐熱性に優れ、 かつ卓越した電気特性及び機械特性等を有したポリイミ ド榭脂が用いら れてきた。 しかし、 最近では高極性のイミ ド環由来のカルボニル基が無 いことから、 耐湿信頼性が良いとされるポリべンゾォキサゾール樹脂が 使われ始めている。 そして、 樹脂自身に感光性を付与することにより、 レリーフパターン形成工程の一部の簡略化を可能とする感光性樹脂組成 物が開発されている。
現在では、 安全性の面からの更なる改良により、 アルカリ水溶液で現 像が可能であるポリべンゾォキサゾール前駆体と感光剤であるジァゾキ ノン化合物により構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている (特許文献 1参照) 。
ここで、 ポジ型感光性樹脂組成物のレリ一フパターンの作製を現像メ 力ニズムより説明する。 ウェハ上の塗膜に、 ステッパーと呼ばれる露光 装置でマスクの上から化学線を照射 (露光) することにより、 露光され た部分 (以下露光部) と露光されていない部分 (以下未露光部) が出来 る。 この未露光部中に存在するジァゾキノン化合物はアルカリ水溶液に 不溶であり、 また樹脂と相互作用することで更にアル力リ水溶液に対し 耐性を持つようになる。 一方、 露光部に存在していたジァゾキノン化合 物は化学線の作用によって化学変化を起こし、 アルカリ水溶液に可溶と なり、 榭脂の溶解を促進させる。 そして、 この露光部と未露光部との溶 解性の差を利用し、 露光部を溶解除去することにより未露光部のみのレ リーフパターンの作製が可能となる。
近年、 半導体装置の高機能化は急速に進み、 市場のニーズとして 「速 く、 小さく、 安く、 低消費電力」 という条件を同時に満たす半導体装置 が求められている。 そこで、 半導体装置を構成する半導体素子の微細化 が必須であり、 素子内部のレリーフパターンの微細化も進んでいる。 故 に、 従来よりも塗膜と基板との接触面積が狭くなつてきており、 特許文 献 1で開示されている感光性樹脂組成物では、 現像工程おいて微細なレ リーフパターンが基板から剥れたり、 また硬化膜が湿度処理後に剥離し たりするという問題がある場合があった。
(特許文献 1 ) 特公平 1一 4 6 8 6 2号公報 発明の概要
本発明は、 上記事情に鑑みてなされたものであり、 本発明の目的とす るところは、 現像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処理後の硬化 膜と基板との密着性に優れ且つ保存安定性に優れたポジ型感光性樹脂組 成物を提供することにある。 また、 本発明の目的とするところは、 湿度 処理後に基板との密着性に優れる硬化膜、 保護膜及び絶縁膜、 並びにそ れを用いた半導体装置及び表示体装置を提供することにある。
このような目的は、 下記 [ 1 ] 〜 [ 1 2 ] に記載の本発明により達成 される。
[ 1 ] アルカリ可溶性樹脂 (A ) と、 感光剤 (B ) と、 一般式 (1 ) で 示されるケィ素化合物 (c) を含有することを特徴とするポジ型感光性 樹脂組成物。
一般式 (1) :
(R20)3— Si— R1 Si— (OR2)3 ( 1 ) (式 (1 ) 中、 は、 炭素数 5〜 3 0のアルキレン基又は芳香環を少 なく とも 1つ以上有する有機基であり、 R2は、 炭素数 1〜 1 0のアル キル基である。 )
[2] 前記アルカリ可溶性樹脂 (A) として、 一般式 (2) で示される 繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂を含むことを特徴とする [1] に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
一般式 (2) :
Figure imgf000004_0001
(式 (2) 中、 X及ぴ Yは有機基である。 R3は水酸基、 一 O— R5、 ァ ルキル基、 ァシルォキシ基又はシクロアルキル基であり、 同一でも異な つても良い。 R4は水酸基、 カルボキシル基、 ー0— 1 5又はー。00— R5のいずれかであり、 同一でも異なっても良い。 hは 0〜8の整数、 iは 0〜 8の整数である。 R5は炭素数 1〜 1 5の有機基である。 ここ で、 R3が複数ある場合は、 それぞれ異なっていても同じでもよい。 R3 として水酸基がない場合は、 R4は少なく とも 1つはカルボキシル基で なければならない。 また、 R4としてカルボキシル基がない場合、 R3は 少なくとも 1つは水酸基でなければならない。 )
[3] 前記一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系 樹脂の Xが、 式 (3) で示される構造のうちの 1種又は 2種以上である ことを特徴とする [ 1] 又は [2] のいずれかに記載のポジ型感光性樹 脂組成物。
式 (3) :
Figure imgf000005_0001
(ここで、 * NH基に結合することを示す。 式 (3— 5) の Dは、 一 C H2—、 一 CH (CH3) 一、 一 C (CH3) 2—、 — O—、 — S—、 一 S 〇2—、 一 C〇_、 一 NHCO—、 一 C (C F 3) 2—又は単結合であり、 式 (3— 6) の Eは、 一 CH2_、 -CH (CH3) 一又は一 C (CH3) 2—である。 R6は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基又はシ クロアルキル基のいずれかであり、 同一でも異なっていても良い。 gは 1〜 3の整数である。 )
[4] 前記一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の が、 炭素 数 6〜8のアルキレン基であることを特徴とする [ 1] 乃至 [3] のい ずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[ 5] 前記一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の— —が、 一般式 (4) で示される構造であることを特徴とする [ 1] 乃至 [4] のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物 t
一般式 (4) :
Figure imgf000006_0001
(式 (4) 中、 R7は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基又 はシクロアルキル基のいずれかであり、 同一でも異なっても良い。 j は 0〜4の整数である。 Zは、 単結合、 一 CH2—、 - CH (CH3) 一又 は一C (CH3) 2—である。 )
[6] 前記一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の一R^—が、 式 (5) で示される構造のうちの 1種又は 2種以上であることを特徴と する [1] 乃至 [5] のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。 式 (5) :
Figure imgf000006_0002
[7] 前記アルカリ可溶性樹脂 (A) 1 0 0重量部に対して、 前記一般 式 ( 1) で示されるケィ素化合物 (C) を 0. 1〜3 0重量部含有する ことを特徴とする [ 1] 乃至 [6] のいずれかに記載のポジ型感光性榭 脂組成物。
[8] [ 1] 乃至 [7] に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構 成されていることを特徴とする硬化膜。
[9] [8]に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。
[ 1 0] [8] に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁 膜。
[1 1 ] [8] に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装 置。
[ 1 2] [8] に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装 置。
本発明によれば、 現像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処理後 の硬化膜と基板との密着性に優れ且つ保存安定性に優れたポジ型感光性 樹脂組成物を提供することができる。 また、 本発明によれば、 湿度処理 後に基板との密着性に優れる硬化膜、 保護膜及び絶縁膜、 並びにそれを 用レ、た半導体装置及び表示体装置を提供することができる。 発明を実施するための形態
以下、 本発明のポジ型感光性樹脂組成物、 硬化膜、 保護膜、 絶縁膜、 半導体装置及び表示体装置の好適な実施形態について詳細に説明する。 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、 アルカリ可溶樹脂 (A) と、 感 光剤 (B) と、 一般式 (1) で示されるケィ素化合物 (C) を含有する ポジ型感光性樹脂組成物である。
一般式'(1) :
(R20)3— Si— R1 ~~ Si——(OR2)3 ( 1 )
(式 ( 1 ) 中、 は、 炭素数 5〜 3 0のアルキレン基又は芳香環を少 なく とも 1つ以上有する有機基であり、 R2は、 炭素数 1〜 1 0のアル キル基である。 ) 本発明のポジ型感光性樹脂組成物では、 好ましくは一般式 (1 ) で示 されるケィ素化合物 (C ) の が、 炭素数 6〜 8のアルキレン基であ る。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物では、 好ましくは一般式 (1 ) で表 わされるケィ素化合物 (C ) の一 —が、 式 (5 ) で示される構造の うちの 1種又は 2種以上である。
式 (5 ) :
Figure imgf000008_0001
また、 本発明の硬化膜は、 上記記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化 物で構成されている。 また、 本発明の保護膜及び絶縁膜は、 上記記載の 硬化膜で構成されている。更に、本発明の半導体装置及び表示体装置は、 上記記載の硬化膜を有している。
以下に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の各成分について詳細に説明 する。 なお下記は例示であり、 本発明は何ら下記に限定されるものでは ない。
( 1 ) ポジ型感光性榭脂組成物
本発明に係るアルカリ可溶性樹脂 (A ) としては、 特に制限されるも のではないが、 例えば、 タレゾール型ノボラック樹脂、 ヒ ドロキシスチ レン樹脂、 メタクリル酸樹脂、 メタクリル酸エステル樹脂等のァクリノレ 系樹脂、 水酸基、 力ルポキシル基等を含む環状ォレフィン系樹脂、 ポリ アミ ド系樹脂等が挙げられる。 これらの中でも耐熱性に優れ、 機械特性 が良いという点からポリアミ ド系榭脂が好ましく、 具体的にはポリベン ゾォキサゾール構造及びポリィミ ド構造のうちの少なくとも一方を有し、 かつ主鎖又は側鎖に水酸基、 カルボキシル基、 エーテル基又はエステル 基を有する樹脂、 ポリべンゾォキサゾール前駆体構造を有する樹脂、 ポ リイミ ド前駆体構造を有する樹脂、 ポリアミ ド酸エステル構造を有する 樹脂等が挙げられる。 このようなポリアミ ド系樹脂としては、 例えば一 般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系榭脂が挙げら れる。
一般式 (2) :
Figure imgf000009_0001
(式 (2) 中、 X及び Yは有機基である。 R3は水酸基、 _0_R5、 了 ルキル基、 ァシルォキシ基又はシクロアルキル基であり、 同一でも異な つても良い。 R4は水酸基、 カルボキシル基、 _0— R5又は一 COO— R5のいずれかであり、 同一でも異なっても良い。 hは 0〜8の整数、 iは 0〜8の整数である。 R 5は炭素数 1〜 1 5の有機基である。 ここ で、 R3が複数ある場合は、 それぞれ異なっていても同じでもよい。 R3 として水酸基がない場合は、 R4は少なく とも 1つはカルボキシル基で なければならない。 また、 R4としてカルボキシル基がない場合、 R3は 少なくとも 1つは水酸基でなければならない。 )
一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂にお いて、 Xの置換基としての一O— R 5、 Yの置換基としての一 O— R 及 び一 C O O— R 5は、 水酸基又はカルボキシル基のアル力リ水溶液に対 する溶解性を調節する目的で、 水酸基又はカルボキシル基が炭素数 1〜 1 5の有機基である R 5で保護された基である。 そして、 必要により水 酸基又はカルボキシル基を R 5で保護しても良い。 R 5の例としては、 ホ ルミル基、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ターシ ャリーブチル基、 ターシャリーブトキシカノレポ二ノレ基、 フエニル基、 ベ ンジル基、 テトラヒ ドロフラニル基、 テトラヒ ドロビラニル基等が挙げ られる。
一般式 (2 ) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系榭脂は、 例えば、 X ( Xに R 3が結合している場合は、 R 3が結合している X ) を 有するジァミン、 ビス (ァミ ノフエノール) 、 2, 4—ジアミノフエノ ール等から選ばれる化合物と、 γ ( Yに R 4が結合している場合は、 R 4 が結合している Y ) を有するテトラカルボン酸二無水物、 トリメ リ ッ ト 酸無水物、 ジカルボン酸、 ジカルボン酸ジクロライ ド、 ジカルボン酸誘 導体、 ヒ ドロキシジカルポン酸、 ヒ ドロキシジカルボン酸誘導体等から 選ばれる化合物と、 を反応して得られるものである。 なお、 ジカルボン 酸の場合には、 反応収率等を高めるために 1ーヒ ドロキシー 1 , 2, 3 一べンゾトリァゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン 酸誘導体を用いてもよい。
一般式 (2 ) の Xとしては、 例えばベンゼン環、 ナフタレン環等の芳 香族環、 ビスフエノール骨格、 ピロール骨格、 フラン骨格等の複素環式 骨格、 シロキサン骨格等が挙げられ、 より具体的には式 (6 ) で示され る構造が、 好ましく挙げられる。 Xは、 1種であっても 2種以上であつ てもよい。 式 (
Figure imgf000011_0001
(6-1) (6-2) (6— 3)
「ι ~ ¾
Figure imgf000011_0002
(6-4) (6-5)
Figure imgf000011_0003
l2 l2
* Rio-Si― O― Si― Rii一 *
Rl3 13
(6-7)
(ここで *は NH基に結合することを示す。 Aは一 CH2—、 - CH (C H3) 一、 - C (CH3) 2—、 一 O—、 — S―、 _ S〇2—、 一 CO—、 一 NHCO—、 — C (C F 3) 2—または単結合である。 R8はアルキル 基、 アルキルエステル基、 アルキルエーテル基、 ベンジルエーテル基及 びハロゲン原子から選ばれた 1つを示し、 R8が複数ある場合、 R8はそ れぞれ同じでも異なっても良い。 R9は水素原子、 アルキル基、 アルキ ルエステル基及ぴハロゲン原子から選ばれた 1つを表す。 kは 0〜4の 整数である。 R10、 R! R 2及び R 3は有機基である。 ) —般式(2) で示すように、 Xには R3が 0〜 8個結合される (式(6) において、 R3は省略) 。
式(6) で示される構造のうち、耐熱性、機械特性が特に優れる点で、 式 (7) で示される構造が好ましい。
式 (7) :
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000013_0001
(式 (7) 中、 *は NH基に結合することを示す。 式 (7— 5) 中の D は、 _CH2—、 - CH (CH3) C (CH3) 2—、 一O—、 一 S
―、 _ S 02—、 一 C O—、 一 NHC〇一、 一 C (C F 3) 2—又は単結 合であり、 式 (7— 6 ) の Eは、 _ CH2_、 - CH (CH3) —又は一 C (CH3) 2—である。 R6は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォ キシ基又はシク口アルキル基のいずれかであり、 同一でも異なっても良 い。 R 14は、 アルキル基、 アルキルエステル基及ぴハロゲン原子のうち から選ばれた 1つを示し、 それぞれ同じでも異なっていてもよい。 gは 1〜 3の整数であり、 1は 0〜4の整数である。 )
さらに、 式 (7) で示される構造のうち、 式 (3 ) で示される構造が 特に好ましい。 一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂の X (Xに R 3が結合している場合は、 R3が結合している X) が、 式 (3) で示される構造の場合、 一般式 (1 ) で示されるケィ素化 合物 (C) と組み合わせることにより、 湿度処理後の硬化膜と基板との 密着性を髙くすることができる。
式 (3) :
Figure imgf000014_0001
(ここで、 *は NH基に結合することを示す。 式 (3— 5) の Dは、 一 CH2_、 一 CH (CH3) 一、 - C (CH3) 2—、 — O—、 一 S—、 ― S 02—、 一 CO—、 一 NHCO—、 - C (C F 3) 2—又は単結合であ り、 式 (3— 6) の Eは、 一 CH2—、 一 CH (CH3) —又は一 C (C H3) 2—である。 R6は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基 又はシク口アルキル基のいずれかであり、同一でも異なっていても良レ、。 gは 1〜 3の整数である。 )
一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂の Y は有機基であり、前記 Xと同様のものが挙げられ、例えば、ベンゼン環、 ナフタレン環等の芳香族環、 ビスフエノール骨格、 ピロール骨格、 ピリ ジン骨格、フラン骨格等の複素環式骨格、シロキサン骨格等が挙げられ、 より具体的には式(8) で示される構造が、好ましく挙げられる。 Yは、 1種であっても 2種以上であってもよレヽ。
式 (8) :
Figure imgf000015_0001
(8-1) (8-2) (8-3)
Figure imgf000015_0002
(8-7)
Figure imgf000015_0003
(8-8)
(ここで *は C =〇基に結合することを示す。 R15はアルキル基、 アル キルエステル基、 アルキルエーテル基、 ベンジルエーテル基及びハロゲ ン原子から選ばれた 1つを示し、 R15が複数ある場合、 R15はそれぞれ 同じでも異なっても良い。 6は水素原子、 アルキル基、 アルキルエス テル基及びハロゲン原子から選ばれた 1つを表す。 Aは一 CH2—、 一 CH (CH3) 一、 一 C (CH3) 2—、 一 O—、 一 S—、 — S〇2—、 一 CO—、 一 NHCO—、 一 C (C F 3) 2—または単結合である。 mは 0 〜 4の整数である。 R17、 1 18及ぴ1 19は有機基でぁる。 )
一般式 (2) で示すように、 Yには、 R4が 0〜 8個結合される (式 (8) において、 R4は省略) 。
式 (8) で示される構造のうち、 好ましい構造としては、 耐熱性、 機 械特性が特に優れる点で、 式 (9) 又は式 (1 0) で示される構造が挙 げられる。
式 (9) 中のテトラカルボン酸二無水物由来の構造については、 C = O基に結合する位置が両方メタ位であるもの、 両方パラ位であるものを 挙げているが、 メタ位とパラ位をそれぞれ含む構造でもよい。
Figure imgf000017_0001
〇 I Γ0 ^
Figure imgf000018_0001
Figure imgf000018_0002
(9-21)
(式 (9) 中、 *は C = 0基に結合することを示す。 R2。は、 アルキル 基、 アルキルエステル基、 アルキルエーテル基、 ベンジルエーテル基及 びハロゲン原子のうちから選ばれた 1つを表し、 それぞれ同じでも異な つていてもよい。 R21は、 水素原子又は炭素数 1〜1 5の有機基から選 ばれた 1つを示す。 nは 0〜4の整数である。 ) 式 ( 1 0 )
CH3 CH3
*— (CH2)3-Si— O— Si— (CH2)3- (10-1)
CH3 CH3
Figure imgf000019_0001
(式 (1 0) 中、 *は c =〇基に結合することを示す。 )
さらに、 式 (9) 及び ( 1 0) で示される構造のうち、 式 ( 1 1) で 示される構造が特に好ましい。 一般式 (2) で示される繰り返し単位を 有するポリアミ ド系樹脂の Y (Yに R4が結合している場合は、 R4が結 合している Y) 力 、 式 ( 1 1) で示される構造である場合、 一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) と組合せることにより、 湿度処理後の硬 化膜と基板との密着性を高くすることができる。 式 (1 1)
Figure imgf000020_0001
1—3) (11-4)
(式 (1 1) 中、 *は C = 0基に結合することを示す。 R2。は、 アルキ ル基、 アルキルエステル基、 アルキルエ テル基、 ベンジルエーテル基 及ぴハロゲン原子のうちから選ばれた 1つを表し、 それぞれ同じでも異 なっていてもよい。 R21は、 水素原子又は炭素数 1〜 1 5の有機基から 選ばれた 1つを示す。 nは 0〜4の整数である。 )
上述の一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹 脂は、 一般式 (2) で示される繰り返し単位が繰り返された分子鎖を主 鎖とするポリマーである。
一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂の 1 つ 1つに存在する一般式 (2) で示される繰り返し単位は、 全てが同じ 構造であっても、 あるいは、 一般式 (2) で示される繰り返し単位を有 するポリアミ ド系樹脂の 1つ 1つに存在する一般式 (2) で示される繰 り返し単位が、 一般式 (2) で示される構造の範囲内で異なる構造であ つてもよい。 つまり、 一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポ リアミ ド系樹脂の主鎖が、 X、 R3、 h、 Y、 R4及び iが全て同じ繰り 返し単位により構成されていても、 あるいは、 一般式 (2) で示される 繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂の主鎖が、 X、 R3、 h、 Y、 R 及ぴ iが異なる繰り返し単位の組み合わせにより構成されていても よい。 また、 一般式 (2 ) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド 系樹脂は、 1種であっても 2種以上の組み合わせであってもよい。
また、 上述の一般式 (2 ) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂は、 一般式 (2 ) で示される繰り返し単位の繰り返しからなる 主鎖の末端をアミノ基とし、 該ァミノ基をアルケニル基又はアルキニル 基を少なくとも 1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物を 用いてアミ ドとしてキヤップされていることが好ましい。 これにより、 保存性が向上する。
このような、 アミノ基と反応した後のァルケ-ル基又はアルキニル基 を少なく とも 1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物に起 因する基としては、 例えば、 式 (1 2 ) 又は式 (1 3 ) で示される基等 が挙げられる。 これらは 1種であっても 2種類以上であってもよい。
1 2)
O co ocy=
Figure imgf000022_0001
式 ( 1 3 )
Figure imgf000023_0001
式 (1 2) 又は式 (1 3) で示される基のうち、 特に好ましい基とし ては、 式 (1 4) で示される基が挙げられる。 ァミノ基と反応した後の アルケニル基又はアルキニル基を少なく とも 1個有する脂肪族基又は環 式化合物基を含む酸無水物に起因する基が、 式 (1 4) で示される基で あることにより、 特に保存性が向上する。 式 (1
Figure imgf000024_0001
またこの方法に限定される事はなく、 一般式 (2 ) で示される繰り返 し単位を有するポリアミ ド系樹脂中の末端の酸が、 アルケニル基又はァ ルキニル基を少なく とも 1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むァ ミン誘導体を用いてアミ ドとしてキヤップされていてもよい。
本発明に係る一般式 (2 ) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂は、 一般式 (2 ) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド 系樹脂の側鎖および末端のうちの少なく とも一方に窒素含有環状構造の 基を'有しても良い。 これにより金属配線 (特に銅配線) 等との密着性が 向上する。 なぜなら、 ポリアミ ド系樹脂の一方の末端が不飽和基を有す る有機基の場合、 樹脂同士が反応する為に硬化膜の引っ張り伸び率等の 機械特性が優れ、 側鎖および他方の末端のうちの少なくとも一方に窒素 含有環状構造の基を有する場合、 その窒素含有環状化合物が銅および銅 合金の金属配線と反応する為に密着性が優れるからである。
前記窒素含有環状構造の基としては、 例えば 1一 (5— 1 H—トリア ゾィル) メチルァミノ基、 3― ( 1 H—ピラゾィル) アミノ基、 4 - ( 1 H—ピラゾィル) アミノ基、 5— ( 1 H—ピラゾィル) アミノ基、 1 一 ( 3 — 1 H—ピラゾィル) メチルァミノ基、 1一 ( 4 - 1 H—ビラゾィ ル) メチルァミノ基、 1 - ( 5 - 1 H—ピラゾィル) メチルァミノ基、 ( 1 H—テトラゾル一 5—ィル) アミノ基、 1 - ( 1 H—テトラゾルー 5—ィル) メチルーアミノ基、 3― ( 1 H—テトラゾル一 5—ィル) ベ ンズ一アミノ基等が挙げられる。 これらのうち、 式 ( 1 5 ) で示される 基が好ましい。 窒素含有環状構造の基が式 (1 5) で示される基である ことにより、 特に銅及び銅合金の金属配線との密着性が向上する。
式 ( 1 5 ) : (15)
Figure imgf000025_0001
本発明に係る感光剤 (B) としては、例えば、 フエノール化合物と 1, 2—ナフ トキノン一 2—ジアジ 5—スルホン酸又は 1, 2—ナフ ト キノン一 2—ジアジドー 4ースルホン酸とのエステノレが挙げられる。 具 体的には、 式 (1 6) 〜式 ( 1 9) で示されるエステル化合物が挙げら れる。 感光剤 (B) は 1種であっても 2種以上の組み合わせであっても よい。
式 (1 6)
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000027_0001
式 ( 1 8)
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
式 (1 6) 〜 (1 9) 中、 Qは、 水素原子、 式 (20) 及び式 (2 1) で示される構造のうちのいずれかから選ばれるものである。 ここで各化 合物の Qのうち、 少なく とも 1つは式 (20) 又は式 (2 1) で示され る構造である。
式 (20) 及び式 (2 1 )
Figure imgf000030_0001
本発明に係る感光剤 (B) の含有量は、 アルカリ可溶性樹脂 (A) 1 00重量部に対して 1〜 5 0重量部が好ましく、 1 0〜40重量部が特 に好ましい。 感光剤 (B) の含有量が上記範囲內であることにより、 特 に感度が優れる。
本発明に係るケィ素化合物 (C) は、 一般式 ( 1 ) で示されるケィ素 化合物である。
—般式 ( 1) : (R20)3-Si— R— Si— (OR2)3 ( 1 )
(式 (1 ) 中、 は、 炭素数 5〜 3 0のアルキレン基又は芳香環を少 なく とも 1つ以上有する有機基であり、 R2は、 炭素数 1〜 1 0のアル キル基である。 )
ポジ型感光性樹脂組成物が、一般式( 1 )で示されるケィ素化合物( C ) を含有することにより、 現像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処 理後の硬化膜と基板との密着性が向上するため、 現像工程における微細 なレリーフパターンの剥れは見られず、 且つ熱処理工程 (後述する) 後 に行う湿度処理後の J I S D 0 2 0 2に準拠した密着性試験において もパターンの剥離等は見られない。 これは、 一般式 ( 1 ) で示されるケ ィ素化合物 (C) の が、 アルカリ可溶性樹脂 (A) と親和性が高く、 且つアルコキシシラン基が基板と相互作用する為に、 現像工程後の塗膜 と基板との密着性及び硬化膜と基板との密着性が向上すると考えられる。 また、 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (c ) を含有するポジ型 感光性樹脂組成物は、 室温で放置した時の保存安定性に優れている。 こ れは、 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C ) が疎水構造を有する 為と考える。
一般式 ( 1 ) 中の は、 炭素数 5〜 3 0のアルキレン基又は芳香環 を少なく とも 1つ以上有する有機基である。
一般式(1 )中の R に係る炭素数 5〜 3 0のアルキレン基としては、 ペンチレン基、 へキシレン基、 ヘプチレン基、 オタチレン基、 ノニレン 基、 デシレン基、 ゥンデシレン基、 ドデシレン基等が挙げられ、 これら のうち、 炭素数 6〜 8のへキシレン基、 ヘプチレン基、 ォクチレン基が 好ましい。 一般式 ( 1 ) 中の の炭素数が上記範囲未満であると、 親 水性が強すぎて、 アル力リ水溶液との親和性が高く、 アル力リ水溶液中 に溶出してしまうと考えられる為、現像工程における密着性が低下する。 また、 一般式 ( 1 ) 中の の炭素数が上記範囲を超えると、 疎水性が 強くなりすぎて、 アルカリ可溶性樹脂 (A ) との親和性が低下する為、 現像工程及び硬化後における密着性も低下する。
一般式 (1 ) 中の尺ェに係る芳香環を少なく とも 1つ以上有する有機 基としては、 特に限定されるものではないが、 一 —としては、 一般 式 (4 ) で示される構造が挙げられる。 一般式 (4)
Figure imgf000032_0001
(式 (4) 中、 R7は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基又 はシクロアルキル基のいずれかであり、 同一でも異なってもよい。 j は 0〜4の整数である。 Zは、 単結合、 _CH2—、 - CH (CH3) 一又 は一 C (CH3) 2—である。 )
式 (4) で示される構造のうち、 現像工程後の塗膜と基板との密着性 及ぴ湿度処理後の硬化膜と基板との密着性が高く、 且つ保存安定性に優 れる点で、 式 (5) で示される構造のうちの 1種又は 2種以上が、 特に 好ましい。
式 (5) :
Figure imgf000032_0002
一般式 ( 1 ) 中の R2は炭素数 1〜 1 0のアルキル基であり、 特に限 定されるものではないが、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロ ピル基、 ブチル基、 セカンダリープチル基、 ターシャリーブチル基、 ぺ ンチル基、 へキシル基、 ヘプチル基、 ォクチル基、 2—ェチルへキシル 基、 ノニル基、 デシル基等が挙げられ、 これらのうち、 加水分解性に優 れる点で、 メチル基、 ェチル基が好ましい。 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 ( C ) の含有量は、 特に限定さ れるものではないが、アルカリ可溶性樹脂(A) 1 0 0重量部に対して、 0 . 0 5〜 5 0重量部が好ましく、 0 . 1〜 2 0重量部が特に好ましい。 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C ) の含有量が上記範囲内であ ることにより、 現像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処理後の硬 化膜と基板との密着性を高く し且つポジ型感光性樹脂組成物の保存安定 性を高くすることができる。
一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C ) は、 特に限定されるもの ではないが、 例えば、 一般式 ( 1 ) 中の が炭素数 5〜 3 0のアルキ レン基の場合のケィ素化合物 ( C ) と しては、 ビス(トリメ トキシシリル) へキサン、 ビス(ト リエトキシシリル)へキサン、 ビス(ト リメ トキシシリ ル)オクタン、 ビス(ト リエ トキシシリル)オクタン、 ビス(ト リ メ トキシ シリル)デカン、 ビス(トリエ 1、キシシリル)デカン等が挙げられ、一般式 ( 1 ) 中の が芳香環を少なく とも 1つ以上有する有機基の場合のケ ィ素化合物 ( C ) と しては、 ビス (ト リ メ トキシシリル) ベンゼン、 ビ ス (ト リエ トキシシリル) ベンゼン、 ビス (ト リエ トキシシリル) ビフ ェ -ル、 ビス(ト リメ トキシシリル)ビフェニル、 メチレンビス(ト リ メ ト キシシリル)ベンゼン、 メチレンビス(ト リエ トキシシリル)ベンゼン、 ィ ソプロピリデンビス(トリメ トキシシリル)ベンゼン、 ィソプロピリデン ビス (ト リエ トキシシリル) ベンゼン等が挙げられる。 その中でも、 現 像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処理後の硬化膜と基板との密 着性やポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性に優れる点で、ビス(トリメ トキシシリル)へキサン、 ビス(トリエトキシシリノレ)へキサン、 ビス (ト リメ トキシシリル) ビフエニル、 ビス (トリエ トキシシリル) ビフエェ ルが好ましい。 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C ) は、 1種で あっても 2種類以上の組み合わせであってもよい。 さらに本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、 高感度で更にパターニン グ時のスカムを改善する目的で、 フ ノール性水酸基を有する化合物
( D ) を含有することができる。
フエノール性水酸基を有する化合物 (D ) の具体的な構造としては、 式 (2 2 ) で示される化合物が挙げられる。 これらは 1種であっても 2 種以上の組み合わせであってもよい。
式 (2 2 ) :
Figure imgf000034_0001
前記フエノール性水酸基を有する化合物 (D ) の含有量は、 特に限定 されないが、 アルカリ可溶性樹脂 (A ) 1 0 0重量部に対して、 1〜3 0重量部が好ましく、 1〜2 0重量部が特に好ましい。 前記フヱノール 性水酸基を有する化合物 (D ) の含有量が、 上記範囲内であると現像時 においてスカムの発生が抑制され、 また露光部の溶解性が促進されるこ とにより感度が向上する。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、 必要によりアク リル系、 シリコ ーン系、 フッ素系、 ビュル系等のレべリング剤、 あるいは一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 ( C ) 以外のシランカップリ ング剤等の添加剤 等を含有してもよい。
前記シラン力ップリング剤としては、 3—グリシドキシプロピルトリ メ トキシシラン、 3 —グリシドキシプロ ピルメチルジェ トキシシラン、 3—ダリシドキシプロピルトリエ トキシシラン、 pースチリルト リメ ト キシシラン、 3—メタクリロキシプロピルメチルジメ トキシシラン、 3 一メタクリロキシプロピルトリメ トキシシラン、 3—メタタリ口キシプ 口ピルメチルジェトキシシラン、 3 _メタクリロキシプロピルトリエト キシシラン、 3—ァクリロキシプロピ^/トリメ トキシシラン、 N— 2— (アミノエチル) 一 3—ァミノプロピルメチルジメ トキシシラン、 N— 2— (アミノエチル) 一 3—ァミノプロビルトリメ トキシシラン、 N—
2— (アミノエチル) 一 3—ァミノプロピルトリエトキシシラン、 3— ァミノプロピルトリメ トキシシラン、 3—アミノプロピルトリエトキシ シラン、 N—フエ二ルー 3—ァミノプロビルトリメ トキシシラン、 3— メルカプトプロピルメチルジメ トキシシラン、 3—メルカプトプロピル トリメ トキシシラン、 ビス (トリエトキシプロピル)テトラスルフィ ド、
3—イソシァネートプロピルトリエトキシシラン、 さらに、 アミノ基を 有するケィ素化合物と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより 得られるシランカップリング剤等が挙げられるが、 これらに限定されな い。
前記シラン力ップリング剤に係る前記アミノ基を有するケィ素化合物 としては、 特に制限されるわけではないが、 例えば、 3—ァミノプロピ ルトリメ トキシシラン、 N— (2—アミノエチル) 一 3—ァミノプロピ ルトリメ トキシシラン、 3—ァミノプロピルメチルジメ トキシシラン、 N— (2—アミノエチル) 一 3—ァミノプロピルトリエトキシシラン、 3—アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
前記シランカツプリング剤に係る前記酸無水物としては、 特に制限さ れるわけではないが、例えば、無水マレイン酸、ク口口無水マレイン酸、 シァノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル酸等などが挙げられる。 また、 前記酸無水物は、 1種で使用されても 2種類以上を組み合わせて 使用されてもよい。 前記シランカツプリング剤に係る前記酸二無水物としては、 特に制限 されるわけではないが、 例えば、 ピロメ リ ッ ト酸二無水物、 ベンゼン一
1 , 2, 3, 4ーテトラカルボン酸二無水物、 3, 3 ' , 4, 4, 一べ ンゾフエノンテトラ力ノレボン酸二無水物、 2, 3, 3 ' , 4, 一べンゾ フエノンテトラカルボン酸二無水物、 ナフタレン一 2, 3, 6, 7—テ トラカルボン酸二無水物、 ナフタレン一 1, 2, 5, 6—テトラカルボ ン酸ニ無水物、 ナフタレン一 1, 2, 4 , 5—テトラカルボン酸二無水 物、 ナフタレン _ 1, 4, 5, 8—テトラカルボン酸二無水物、 ナフタ レン一 1 , 2, 6 , 7—テトラカルボン酸二無水物、 4, 8—ジメチル - 1 , 2 , 3, 5, 6 , 7—へキサヒ ドロナフタレン一 1, 2 , 5 , 6 —テトラカルボン酸二無水物、 4, 8—ジメチルー 1 , 2, 3, 5, 6, 7一へキサヒ ドロナフタレン一 2 , 3 , 6, 7—テトラカルボン酸二無 水物、 2, 6—ジクロロナフタレン一 1, 4 , 5, 8—テトラ力ノレボン 酸二無水物、 2, 7—ジクロロナフタレン _ 1 , 4, 5, 8—テトラ力 ルボン酸二無水物、 2, 3, 6, 7—テトラクロロナフタレン一 1 , 4, 5, 8—テトラカルボン酸二無水物、 1, 4, 5, 8—テトラクロロナ フタレン一 2, 3, 6, 7—テトラカルボン酸二無水物、 3, 3 ' , 4, 4, 一ジフヱニルテトラカルボン酸二無水物、 2, 2, , 3, 3, ージ フエニルテトラカルボン酸二無水物、 2, 3, 3, , 4, ージフエニル テトラカノレポン酸ニ無水物、 3, 3 ' , 4, 4 ' 一 p—テノレフエニノレテ トラカルボン酸二無水物, 2, 2 ' , 3 , 3 ' 一 p—テルフエ二ルテト ラカノレボン酸二無水物, 2, 3, 3 ' , 4 ' 一 p—テノレフエ-ルテトラ カルボン酸二無水物、 2, 2 _ビス (2, 3—ジカルポキシフエニル) 一プロパン二無水物、 2, 2—ビス (3, 4—ジカルボキシフエニル) 一プロパン二無水物、 ビス (2, 3—ジカルボキシフエニル) エーテノレ 二無水物、 ビス (3, 4ージカルボキシフヱニル) エーテル二無水物、 ビス (2, 3ージカルボキシフエ-ノレ) メタンニ無水物、 ビス (3, 4 ージカルボキシフェエル) メタンニ無水物、 ビス (2, 3—ジカルボキ シフエ二ノレ) スルホン二無水物、 ビス (3, 4ージカノレボキシフヱニノレ) スノレホン二無水物、 1 , 1一ビス ( 2 , 3ージカルボキシフエニル) ェ タンニ無水物、 1, 1一ビス (3, 4ージカルボキシフエニル) ェタン 二無水物、 ペリレン一 2, 3 , 8, 9—テトラカルボン酸二無水物、 ぺ リレン一 3, 4, 9, 1 0—テトラカノレポン酸ニ無水物、ペリレン一 4 , 5, 1 0, 1 1—テトラカルボン酸二無水物、ペリレン _ 5 , 6, 1 1, 1 2—テ トラカルボン酸二無水物、 フエナンスレン _ 1, 2, 7, 8— テ トラカルボン酸二無水物、 フエナンスレン一 1 , 2, 6 , 7 , 8—テ トラカノレポン酸ニ無水物、 フエナンスレン一 1 , 2, 9, 1 0—テ トラ カルボン酸二無水物、 ピラジン一 2, 3, 5, 6—テ トラカルボン酸二 無水物、 ピロリジン一 2, 3, 4, 5—テトラカルボン酸二無水物、 チ ォフェン一 2, 3, 4, 5—テ トラカルボン酸二無水物、 4, 4 ' 一へ キサフルォロイソプロピリデンジフタル酸ニ無水物等などが挙げられる。 また、 前記酸二無水物は、 1種で使用されても 2種類以上を組み合わせ て使用されてもよい。
前記シランカツプリング剤に係る前記アミノ基を有するケィ素化合物 と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより得られるシランカツ プリング剤としては、 ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性が高くなり 且つ現像工程後の塗膜と基板との密着性及び湿度処理後の硬化膜とシリ コンウェハー等の基板との密着性が高くなる、 ビス (3, 4ージカルボ キシフエニル) エーテル二無水物と 3一アミノプロピルト リエ トキシシ ランの組合せ、 3, 3 ' , 4 , 4, 一べンゾフエノンテトラカルボン酸 二無水物と 3—ァミノプロピルト リエ トキシシランの組合せ、ビス( 3, 4一ジカルボキシフエニル) スルホン二無水物と 3—ァミノプロピノレト リエ トキシシランの組合せ、 無水マレイン酸と 3—アミノプロビルト リ ェトキシシランの組合せが好ましい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、 これらの成分を溶剤に溶解する ことにより、 ワニス状にして使用される。 溶剤としては、 N—メチルー 2 _ピロ リ ドン、 γ—ブチ口ラタ トン、 Ν, Ν—ジメチルァセ トアミ ド、 ジメチノ kスノレホキシド、 ジエチレングリ コールジメチノレエーテル、 ジェ チレングリ コ一/レジェチルエーテル、 ジエチレングリ コ一/レジプチ/レエ ーテノレ、 プロピレングリ コーノレモノメチノレエーテノレ、 ジプロピレングリ コールモノメチルエーテル、 プロピレンダリ コールモノメチルエーテル アセテート、 乳酸メチル、 乳酸ェチル、 乳酸ブチル、 メチル一 1 , 3— ブチレングリコーノレアセテート、 1 , 3—ブチレングリコーノレ一 3—モ ノメチ /レエーテノレ、 ピルビン酸メチル、 ピルビン酸ェチル、 メチノレ一 3 ーメ トキシプロピオネート等が挙げられ、 これらは 1種であっても 2種 以上の組み合わせであってもよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方法について説明する。 まず 該組成物を適当な支持体 (基板) 、 例えば、 シリ コンウェハー、 セラミ ック基板、 アルミ基板等に塗布する。 半導体素子上に塗布する場合、 硬 化後の最終膜厚が 0 . 1〜3 0 mになるように塗布する。 膜厚が下限 値を下回ると、 半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮する ことが困難となり、 上限値を越えると、 微細な加工パターンを得ること が困難となるばかりでなく、 加工に時間がかかりスループッ トが低下す る。 塗布方法としては、 スピンナーを用いた回転塗布、 スプレーコータ 一を用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、 ロールコーティング等がある。次に、 6 0〜1 3 0 °Cでプリベータして塗膜を乾燥後、 所望のパターン形状に 化学線を照射する。 化学線としては、 X線、 電子線、 紫外線、 可視光線 等が使用されるが、 2 0 0〜 5 0 0 n mの波長のものが好ましい。 8728 次に照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得 る。 現像液としては、 水酸化ナトリウム、 水酸化カリウム、 炭酸ナトリ ゥム、 ケィ酸ナトリウム、 メタケイ酸ナトリウム、 アンモニア水等の無 機アルカリ類、 ェチルァミン、 n—プロピルアミン等の第 1アミン類、 ジェチルァミン、 ジー n—プロピルァミン等の第 2アミン類、 トリェチ ルァミン、 メチルジェチルァミン等の第 3アミン類、 ジメチルエタノー ルァミン、 トリエタノールァミン等のアルコールアミン類、 テトラメチ ルアンモ-ゥムヒ ドロキシド、 テトラェチルアンモニゥムヒ ドロキシド 等の第 4級アンモニゥム塩等のアル力リ類の水溶液、 及ぴこれにメタノ ール、 エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性 剤を適当量添加した水溶液が好適に使用される。 現像方法としては、 ス プレー、 ノ ドル、 浸漬、 超音波等の方式を適用することができる。
次に、 現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。 リ ンス 液としては、 蒸留水を使用する。 次に塗膜を加熱処理し、 樹脂組成物中 のアルカリ可溶性樹脂 (A) に、 ォキサゾール環、 イミ ド環、 又はォキ サゾール環及びイミ ド環を形成させて、 樹脂組成物を硬化させる熱処理 工程を行い、 耐熱性に富む最終パターン (硬化膜) を得る。
加熱処理温度は、 1 8 0 °C〜 3 8 0 °Cが好ましく、 より好ましくは 2 0 0 °C〜 3 5 0 °Cである。
次に、 本発明の硬化膜、 すなわち、 本発明のポジ型感光性樹脂組成物 の硬化物で構成されている硬化膜について説明する。 本発明のポジ型感 光性樹脂組成物の硬化物である硬化膜は、 半導体素子等の半導体装置用 途のみならず、 T F T型液晶や有機 E L等の表示体装置用途、 多層回路 の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板の力パーコート、 ソルダーレジスト 膜や液晶配向膜としても有用である。
半導体装置用途の例としては、 半導体素子上に上述の本発明のポジ型 感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるパッシベーション膜、 パッシ ベーション膜上に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成して なるバッファーコート膜等の保護膜、 また、 半導体素子上に形成された 回路上に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる層間 絶縁膜等の絶縁膜、 また、 α線遮断膜、 平坦化膜、 突起 (樹脂ボスト) 、 隔壁等を挙げることができる。
表示体装置用途の例としては、 表示体素子上に本発明のポジ型感光性 樹脂組成物の硬化膜を形成してなる保護膜、 T F Τ素子やカラーフィル ター用等の絶縁膜または平坦化膜、 M V Α型液晶表示装置用等の突起、 有機 E L素子陰極用等の隔壁等が挙げられる。 その使用方法は、 半導体 装置用途に準じ、 表示体素子やカラーフィルターを形成した基板上にパ タ一ン化された本発明のポジ型感光性樹脂組成物層を、 上記の方法で形 成するという方法である。 表示体装置用途、 特に絶縁膜や平坦化膜用途 では、 高い透明性が要求されるが、 本発明のポジ型感光性樹脂組成物層 の硬化前に、 後露光工程を導入することにより、 透明性に優れた樹脂層 を得ることもでき、 実用上更に好ましい。 実施例
以下、 実施例により本発明を具体的に説明する。
«実施例 1 »
[アルカリ可溶性樹脂 (A— 1 ) の合成]
ジフエニノレエーテノレ一 4, 4, ージカノレボン酸 0 . 9 0 0モノレと 1 _ ヒ ドロキシー 1, 2, 3—ベンゾトリアゾール 1 . 8 0 0モルとを反応 させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル) 4 4 3 . 2 1 g ( 0 . 9 0 0モル) と、 へキサフルオロー 2 , 2 —ビス (3—アミノー 4ーヒ ドロキシフエニル) プロパン 3 2 9 . 6 3 g ( 0 . 9 0 0モル) と 3 , 3ージァミノー 4 , 4ージヒ ドロキシジフエニルエーテル 23. 22 g (0. 1 00モル) とを温度計、 攪拌機、 原料投入口、 乾燥窒素ガス導 入管を備えた 4つ口のセパラブルフラスコに入れ、 N—メチルー 2—ピ ロリ ドン 3200 gを加えて溶解させた。 その後オイルバスを用いて 7 5°Cにて 1 2時間反応させた。
次に N—メチル一 2—ピロリ ドン 1 00 gに溶解させた 4ーェチニル フタル酸無水物 34. 43 g (0. 200モル) を加え、 更に 1 2時間 攪拌して反応を終了した。 反応混合物を濾過した後、 反応混合物を水 Z イソプロパノール =3Zl (体積比) の溶液に投入、 沈殿物を濾集し水 で充分洗浄した後、 真空下で乾燥し、 目的のアルカリ可溶性樹脂 (A— 1) を得た。 '
[感光剤の合成]
式 (Q— 1 ) で示されるフェノール 1 5. 82 g (0. 025モル) と、 トリェチルァミン 8. 40 g (0. 08 3モル) とを温度計、 攪拌 機、 原料投入口、 乾燥窒素ガス導入管を備えた 4つ口のセパラブルフラ スコに入れ、 テトラヒ ドロフラン 1 3 5 gを加えて溶解させた。 この反 応溶液を 1 0°C以下に冷却した後に、 1, 2—ナフトキノン一 2—ジァ ジド一 4ースノレホニノレク口ライ ド 22. 30 g (0. 08 3モル) をテ トラヒ ドロフラン 1 00 gと共に 1 0 DC以上にならないように徐々に滴 下した。 その後 1 0°C以下で 5分攪拌した後、 室温で 5時間攪拌して反 応を終了させた。 反応混合物を濾過した後、 反応混合物を水/メタノー ル =3Zl (体積比) の溶液に投入、 沈殿物を濾集し水で充分洗浄した 後、 真空下で乾燥し、 式 (B— 1) で示される感光剤を得た。
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したアルカリ可溶性樹脂 (A— 1) 1 00 g、 式 (B— 1) で示さ れる感光剤 1 5 g、 式 (C一 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gを、 y 一ブチロラタ トン 1 5 0 gに溶解した後、孔径 0. 2 mのテフロン(登 録商標) 製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
[現像工程の密着性評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーター を用いて塗布した後、ホットプレートにて 1 2 0°Cで 4分プリベータし、 膜厚約 1 1. の塗膜を得た。 この塗膜に凸版印刷 (株) 製 'マス ク (テストチャート N o . 1 :幅 0. 8 8〜 5 0 ^ mの残しパターン及 び抜きパターンが描かれている) を通して、 i線ステッパー ( (株) 二 コン製 · 4 4 2 5 ί ) を用いて、 2 0 0 m J Z c m2から 1 5 6 0 m J / c m2まで 2 0 m J / c m 2刻みで露光量を変化させて照射した。
次に 2. 3 8 %のテトラメチルアンモニゥムヒ ドロキシド水溶液を用 いて、 未露光部の塗膜を 1. 5〜2. 5 μ m膜減りさせるような時間で 現像することによって露光部を溶解除去した後、 純水で 1 0秒間リ ンス した。 現像工程後に、 パターンが形成された露光量より 1 0 0m J /c m2から 3 0 OmjZ c m2露光量が大きい部分におけるマスク開口径が 3 μ mの部位( 3 W mライン)の剥れの有無を確認した。現像工程後に、 マスク開口径が 1 0 /imの部位 ( 1 0 μ πιライン) で、 開口幅が 1 0 n mとなっている露光量を E。pとし、 さらに、 マスク開口径が 3 μ mの部 位 (3 μ πιライン) でパターン剥れが発生する露光量を Εχとした。 Εχ と Ε。ρの差が大きい方が、パターン部分の現像時の密着性が高いことと なる。
その結果、 マスク開口径が 3 mの部位 (3 μΐηライン) は露光量を 大きく しても剥れず残っており、 現像工程において未露光部が基板から 剥れないことが確認された。 なお、 現像工程の密着性評価に際して、 通 常よりも膜厚を厚く、 また塗膜の膜減り量を大きく した厳しい条件で行 つている。 [湿度処理後の密着性評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーター を用いて塗布した後、ホットプレートにて 1 2 0°Cで 4分プリベータし、 膜厚約 8. 0 mの塗膜を得た。
次にクリーンオーブンを用いて酸素濃度 1, O O O p p m以下で、 1 5 0°C/3 0分 + 3 20°C/30分で加熱処理して硬化を行い、 硬化膜 を得た。 この硬化膜に、 J I S K 54 0 0に準拠してカッターナイフに て 1 X 1 (mm) サイズの正方形が縦横 1 0列づっ計 1 0 0個の碁盤目 を作成した。 このサンプルを湿度処理 (プレッシャークッカー) 試験; 1 2 5 °C, 1 0 0 %, 0. 2 MP aの条件下 24時間連続処理した後、 J I S D 0 2 0 2に準拠して評価した。 その結果、剥れた碁盤目の数は 0個であった。 碁盤目 1 0 0個のうち 1個でも剥れると実用上問題であ ることを考えると、湿度処理後も良好な密着性を示すことが確認された。
[保存安定性の評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物の作製時に、 E型粘度計(TV— 2 2形, 東機産業製) により、 組成物の粘度 (T 1) を測定した。 その結果、 粘 度は 9 8 8 mP a · sだった。 そのポジ型感光性樹脂組成物を室温放置 して 20日後に再度、 前記同様に粘度 (T 2) を測定したところ、 粘度 は 1 0 7 8 m P a · sだった。 ( { ( T 2 ) - ( T 1 ) } / ( T 1 ) ) X 1 0 0 (%) により粘度上昇率を算出すると、 9 %であった。 1 0日間 での粘度上昇率は 1 0 %以下であることが実用上問題ないレベルである ので、 上記ポジ型感光性樹脂組成物は、 室温での保存安定性が良好であ ることが確認された。
«実施例 2 »
式 (C一 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C一 2) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 1と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《実施例 3 >
実施例 1におけるアル力リ可溶性樹脂の合成において、 ジフヱ-ルェ 一テルー 4, 4, ージカルボン酸のモル比を 0. 4 5モルに減らし、 替 わりにイソフタル酸を 0. 4 5モル新たに加え、 更にへキサフルオロー 2, 2 -ビス (3—アミノー 4—ヒ ドロキシフエ-ノレ)プロパン 3 2 9. 6 3 g (0. 9 0 0モル) と 3, 3—ジアミノー 4, 4—ジヒ ドロキシ ジフエ-ノレエーテル 2 3. 2 2 g (0. 1 0 0モル) とをすベて 4, 4' - メチレンビス (2—アミノー 3 , 6 - ジメチルフエノール) 2 8 6. 4 g (1. 0 0 0モル) へ変更して同様に反応し、 アルカリ可溶性樹脂 (A— 2) を合成した。
アルカリ可溶性樹脂 (A— 1) に代えて、 アルカリ可溶性樹脂 (A— 2 )とした以外は、実施例 1と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《実施例 4 »
アルカリ可溶性樹脂 (A— 1 ) に代えて、 アルカリ可溶性樹脂 (A— 2)とした以外は、実施例 2と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
«実施例 5 »
実施例 1におけるアルカリ可溶性樹脂の合成において、 ジカルボン酸 誘導体 (活性エステル) を◦. 54モルに減らし、 替わりに 4, 4, 一 ォキシジフタル酸無水物を 0. 3 6モル新たに加えて同様に反応し、 ァ ルカリ可溶性樹脂 (A— 3) を合成した。
アルカリ可溶性樹脂 (A— 1 ) に代えて、 アルカリ可溶性樹脂 (A— 3 )とした以外は、実施例 1 と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。 «実施例 6 »
アル力リ可溶性樹脂 (A— 1 ) に代えて、 アル力リ可溶性樹脂 (A— 3 )とした以外は、実施例 2と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《比較例 1》
式 (C一 1 ) で示されるケィ素化合物を用いない以外は、 実施例 3と 同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行つた。
《比較例 2》
式 (C— 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C一 3) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《実施例 7 >
式 (C一 2) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C— 2) で示されるケィ素化合物 5 gとした以外は実施例 4と同様にポジ型感光 性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
«実施例 8 »
式 (C- 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C- 4) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
«実施例 9 »
式(C一 4)で示されるケィ素化合物の添加量 1 0 gに代えて、式(C — 4) で示されるケィ素化合物 5 gとした以外は、 実施例 8と同様にポ ジ型感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
«実施例 1 0 »
式 (C一 1) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C一 5) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《実施例 1 1》
式 (C一 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C一 6) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《比較例 3 >
式 (C- 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0に代えて、 式 (C- 7) で 示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型感 光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
《比較例 4》
式 (C一 1 ) で示されるケィ素化合物 1 0 gに代えて、 式 (C- 8) で示されるケィ素化合物 1 0 gとした以外は、 実施例 3と同様にポジ型 感光性樹脂組成物を作製し、 評価を行った。
以下に、 実施例及び比較例の (Q— l ) 、 (B— 1 ) 、 (C一 1) 、 (C一 2) 、 (C一 3) 、 (C一 4) 、 (C - 5 ) 、 (C - 6 ) 、 (C - 7) 、 (C一 8) の構造、 及び第 1表、 第 2表を示す。 ここで、 第 1 表及び第 2表中のアルカリ可溶性樹脂、 及びケィ素化合物の数字は重量 部である。
Figure imgf000047_0001
(C2H50)3-Si- CH2-— Si— (OC2H5)3
(C一 2):
(C一 3)
Figure imgf000048_0001
Figure imgf000048_0002
Figure imgf000048_0003
(C一 7)
Figure imgf000048_0004
(C一 8
Figure imgf000048_0005
第 1表及ぴ第 2表に示すように、 実施例 1〜 1 0は、 現像工程及び湿 度処理後の密着性評価において、 塗膜の剥れは見られておらず、 基板と の密着性が良いことが分かる。 また、 保存安定性評価においても、 1 0 日間の室温粘度上昇率は 1 0%以下となっており、 安定性も優れている と考えられる。
第 2表に示すように、 実施例 1 1は、 現像工程において E。pでは剥離 は見られないが、 1 50m jZ c m2露光量が大きい箇所で剥離が見ら れた。 また湿度処理後の密着性評価において硬化膜の剥離は見られてお らず、 硬化膜と基板との密着性が良いことが分かる。 また、 保存安定性 評価においても、 1 0日間の室温粘度上昇率は 1 0%以下となっており、 安定性も優れていると考えられる。 第 1表
Figure imgf000049_0001
第 2表
Figure imgf000050_0001
評価において、 ライン剥れは高露光量の方が発生しやすい。 これは高 露光量になると開口部が大きく開いてしまい、 残るラインの幅が狭くな り剥離が起こりやすくなるためである。 産業上の利用可能性
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、 現像工程後の塗膜と基板との密 着性が高く、 湿度処理後の硬化膜と基板との密着性が高く、 且つ保存安 定性に優れており、 半導体素子、 表示素子の表面保護膜、 層間絶縁膜等 に好適に用いられる。

Claims

請求の範囲
1. アルカリ可溶性樹脂 (A) と、 感光剤 (B) と、 一般式 (1 ) で示 されるケィ素化合物 (C) を含有することを特徴とするポジ型感光性樹 脂組成物。
一般式 (1) :
(R20)3— Si— R1 -~ Si— (OR2)3 ( 1 )
(式 (1 ) 中、 1 ェは、 炭素数 5〜 3 0のアルキレン基又は芳香環を少 なく とも 1つ以上有する有機基であり、 R2は、 炭素数 1〜 1 0のアル キル基である。 )
2. 前記アルカリ可溶性樹脂 (A) として、 一般式 (2) で示される繰 り返し単位を有するポリアミ ド系樹脂を含有することを特徴とする請求 項 1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
一般式 (2) :
Figure imgf000051_0001
(式 (2) 中、 X及び Yは有機基である。 R3は水酸基、 —〇— R5、 了 ルキル基、 ァシルォキシ基又はシクロアルキル基であり、 同一でも異な つても良い。 R4は水酸基、 カルボキシル基、 一 0_R5又は— COO— R5のいずれかであり、 同一でも異なっても良い。 hは 0〜 8の整数、 i は 0〜 8の整数である。 R5は炭素数 1〜 1 5の有機基である。 ここで、 R 3が複数ある場合は、 それぞれ異なっていても同じでもよい。 R3とし て水酸基がない場合は、 R4は少なく とも 1つはカルボキシル基でなけ ればならない。 また、 R4としてカルボキシル基がない場合、 R3は少な く とも 1つは水酸基でなければならない。 )
3. 前記一般式 (2) で示される繰り返し単位を有するポリアミ ド系樹 脂の Xが、 式 (3) で示される構造のうちの 1種又は 2種以上であるこ とを特徴とする請求項 1又は 2のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組 成物。
式 (3) :
Figure imgf000052_0001
(ここで、 *は NH基に結合することを示す。 式 (3— 5) の Dは、 一 CH2—、 - CH (CH3) ―、 - C (CH3) 2—、 — O—、 — S—、 - S 02—、 —CO—、 一 NHCO—、 — C (C F 3) 2—又は単結合であ り、 式 (3— 6) の Eは、 — CH2—、 一 CH (CH3) —又は一 C (C H3) 2_である。 R6は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基 又はシク口アルキル基のいずれかであり、同一でも異なっていても良い。 gは:!〜 3の整数である。 )
4. 前記一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の が、 炭素数 6〜 8のアルキレン基であることを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれ かに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
5. 前記一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の一 —が、 一 般式 (4) で示される構造であることを特徴とする請求項 1乃至 4のい ずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
一般式 (4) :
Figure imgf000053_0001
(式 (4) 中、 R7は、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァシルォキシ基又 はシクロアルキル基のいずれかであり、 同一でも異なっても良い。 j は 0〜4の整数である。 Zは、 単結合、 一 CH2_、 - CH (CH3) —又 は _C (CH3) 2—である。 )
6. 前記一般式 ( 1 ) で示されるケィ素化合物 (C) の一尺ェ一が、 式 (5) で示される構造のうちの 1種又は 2種以上であることを特徴とす る請求項 1乃至 5のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
式 (5) :
Figure imgf000053_0002
7. 前記アルカリ可溶性樹脂 (A) 1 0 0重量部に対して、 一般式 (1 ) で示されるケィ素化合物 (C) を 0. 0 5〜 5 0重量部含有することを 特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
8 . 請求項 1乃至 7に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成さ れていることを特徴とする硬化膜。
9 .請求項 8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする保護膜。'
1 0 . 請求項 8に記載の硬化膜で構成されていることを特徴とする絶縁 膜。
1 1 . 請求項 8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする半導体装 置。
1 2 . 請求項 8に記載の硬化膜を有していることを特徴とする表示体装 置。
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