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WO2009119275A1 - 容量性発光素子駆動装置 - Google Patents

容量性発光素子駆動装置 Download PDF

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WO2009119275A1
WO2009119275A1 PCT/JP2009/054202 JP2009054202W WO2009119275A1 WO 2009119275 A1 WO2009119275 A1 WO 2009119275A1 JP 2009054202 W JP2009054202 W JP 2009054202W WO 2009119275 A1 WO2009119275 A1 WO 2009119275A1
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WO
WIPO (PCT)
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light emitting
emitting element
capacitive light
capacitive
driving
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2009/054202
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English (en)
French (fr)
Inventor
哲 鷲谷
俊浩 江原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
OSAKA SHOHEI
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
OSAKA SHOHEI
Sanken Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Definitions

  • the present invention relates to a capacitive light emitting element driving apparatus for driving a capacitive light emitting element having a large capacitance component, such as an organic EL (electroluminescence) element made of an organic material and other light emitting elements.
  • a capacitive light emitting element driving apparatus for driving a capacitive light emitting element having a large capacitance component, such as an organic EL (electroluminescence) element made of an organic material and other light emitting elements.
  • PWM Pulse Width Modulation
  • the pulse driving / dimming method of the capacitive light emitting element is the same as the LED pulse driving / dimming method shown in FIG.
  • Organic materials that are materials for capacitive light-emitting elements have a large dielectric constant compared to semiconductors and metals. Since the capacitive light-emitting element can be easily increased in area, the parasitic capacitance becomes extremely large as compared with a light-emitting device such as an LED.
  • the material of the capacitive light emitting element has a very short life at high temperature operation, and the life is shortened only by the heat generated by light emission. For this reason, when the capacitive light emitting element driving apparatus drives the capacitive light emitting element in a pulsed manner, as shown in FIG. 2, the capacitive light emitting element drive device generates a capacitive pulse signal having a reverse voltage VL less than the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting element. By applying to the light emitting element, the ( ⁇ ) charge accumulated in the parasitic capacitance of the capacitive light emitting element is reset every period. As a result, the temperature rise of the panel due to the accumulated ( ⁇ ) charge was prevented, and the life of the capacitive light emitting device was extended (Japanese Patent No. 3169974 (FIGS. 1 and 2)).
  • the capacitive light emitting element Since the capacitive light emitting element has characteristics such as a high dielectric constant organic material and a large area, most of the input electric power is charged to the parasitic capacitance. After the charging is completed, the light emission of the capacitive light emitting element is started. When a reverse bias is applied to the capacitive light emitting device in order to extend the life of the capacitive light emitting device, all charges charged in the parasitic capacitance are discarded. If only a reverse bias is applied, the power efficiency is very poor.
  • An object of the present invention is to provide a capacitive light emitting element driving device capable of extending the life of a capacitive light emitting element and reducing power consumption.
  • a first invention is a capacitive light emitting element disposed between a cathode electrode and an anode electrode facing each other on a light transmission substrate, and is connected to the capacitive light emitting element.
  • a power source, driving means for driving the capacitive light emitting element by applying a DC voltage of the power source between the cathode electrode and the anode electrode, and a parasitic capacitance of the capacitive light emitting element when driving the capacitive light emitting element Regenerative means for regenerating the accumulated electric charge to the power source.
  • a capacitive light emitting device disposed between a cathode electrode and an anode electrode facing each other on a light transmission substrate, a power source connected to the capacitive light emitting device, the cathode electrode, Driving means for driving the capacitive light emitting element by applying a DC voltage of the power source between the anode electrodes, and regenerative means connected to the capacitive light emitting element and having a reactor, a rectifier, and a driving element, The regenerative means turns on the driving element and stores the electric charge accumulated in the parasitic capacitance of the capacitive light emitting element when driving the capacitive light emitting element in the reactor, and then the capacitive light emission by the rectifier.
  • a reverse voltage equal to or lower than the reverse breakdown voltage is applied to the element, the drive element is turned off, and the electric charge accumulated in the reactor is regenerated in the power source.
  • a plurality of the capacitive light emitting elements are provided, and the plurality of capacitive light emitting elements are connected in series or in parallel.
  • the capacitive light emitting element is laminated using an organic material disposed between the cathode electrode and the anode electrode, and the organic material is conductive and light transmissive.
  • the organic material is conductive and light transmissive.
  • the driving means drives the capacitive light emitting element with a first pulse signal, and the control circuit outputs a second pulse each time a plurality of pulses of the first pulse signal are output.
  • the drive element is turned on / off by a pulse signal.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a pulse voltage waveform applied to a capacitive light emitting element of a conventional capacitive light emitting element driving apparatus.
  • FIG. 2 is a diagram showing another example of a pulse voltage waveform applied to the capacitive light emitting element of the conventional capacitive light emitting element driving apparatus.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the capacitive light emitting element driving apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a pulse voltage waveform applied to the capacitive light emitting device of Example 1.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the operation in each mode of the capacitive light emitting element driving apparatus of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a timing chart showing the operation of each part when there is a dead time and regeneration is performed once every two pulses in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • FIG. 7 is a timing chart showing the operation of each part when there is a dead time in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • FIG. 8 is a timing chart showing the operation of each part when there is no dead time in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of the capacitive light-emitting element driving apparatus of Example 2.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 3.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the operation in each mode of the capacitive light emitting element driving apparatus of the third embodiment.
  • FIG. 12 is a basic structural diagram of a capacitive light emitting device.
  • FIG. 13 is a diagram showing a first configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in series.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a second configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in series.
  • FIG. 15 is a structural diagram of a capacitive light emitting device having a plurality of light emitting layers.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a first configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in parallel.
  • FIG. 17 is a diagram showing a second configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in parallel.
  • FIG. 3 is a circuit diagram of the capacitive light emitting element driving apparatus of the first embodiment.
  • the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1 applies a reverse bias voltage Vmin that is equal to or lower than the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting element to the capacitive light emitting element, and accumulates it in the capacitive light emitting element.
  • the extracted charges are extracted, and the extracted charges are regenerated to the power source and reused for light emission of the capacitive light emitting element.
  • the life of the capacitive light emitting device can be extended and the power efficiency can be increased.
  • the capacitive light emitting element is an element having a large capacitance component, such as an organic EL element made of an organic material and other light emitting elements.
  • a series circuit of a reactor L1 and a drive element Q1 made of a MOSFET is connected to both ends of the DC power source Vin.
  • a series circuit of a diode D1 and a capacitor C1 is connected between the drain and source of the drive element Q1.
  • a series circuit of a driving element Q2 made of a MOSFET and the capacitive light emitting element 1 is connected to both ends of the capacitor C1.
  • the capacitive light emitting device 1 has an organic EL layer made of an organic material disposed between a cathode electrode and an anode electrode facing each other on a light transmission type substrate, and is represented by an equivalent circuit of a capacitor C2 and a diode D2. Has been. The details of the structure of the capacitive light emitting device 1 will be described later.
  • a series circuit of a diode D3 and a driving element Q3 made of a MOSFET (corresponding to the driving element of the present invention).
  • a reactor L2 (corresponding to the reactor of the present invention) is connected between a connection point between the driving element Q2 and the capacitive light emitting element 1 and a connection point between the diode D3 and the driving element Q3.
  • a diode D4 (corresponding to the rectifying element of the present invention) is connected to both ends of the capacitive light emitting element 1.
  • the forward voltage drop of the diode D4 is a voltage equal to or lower than the reverse withstand voltage of the capacitive light emitting device 1.
  • the DC power source Vin, the reactor L1, the driving element Q1, the diode D1, and the capacitor C1 constitute a boost chopper circuit.
  • a DC-DC converter may be used instead of the step-up chopper circuit.
  • the control circuit 10 (corresponding to the driving means and control circuit of the present invention) is connected to the connection point of the gate of the drive element Q1, the diode D1 and the capacitor C1, the gate of the drive element Q2, and the gate of the drive element Q3. .
  • the control circuit 10 controls the voltage across the capacitor C1 to a predetermined voltage by performing on / off control of the drive element Q1 with the first PWM control signal based on the voltage across the capacitor C1.
  • control circuit 10 controls the light emission of the capacitive light emitting element 1 by performing on / off control of the drive element Q2 by the second PWM control signal, and alternately turns on / off the drive element Q2 and the drive element Q3. .
  • the control circuit 10 turns on the driving element Q3 during a period in which no voltage is applied between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1, and accumulates in the parasitic capacitance between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1.
  • the stored charge is accumulated in the reactor L2, and a reverse voltage equal to or lower than the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting element 1 is applied between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1 by the diode D4, and the driving element Q3 is turned off.
  • the electric charge accumulated in the reactor L2 is regenerated in the capacitor C1, which is a power source.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the operation in each mode of the capacitive light emitting element driving apparatus of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a timing chart showing the operation of each part when there is a dead time and regeneration is performed once every two pulses in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • FIG. 7 is a timing chart showing the operation of each part when there is a dead time in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • FIG. 8 is a timing chart showing the operation of each part when there is no dead time in the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 1.
  • ELi is a current flowing through the capacitive light emitting element 1
  • ELv is a voltage across the capacitive light emitting element 1
  • Q2g is a gate signal of the driving element Q2
  • L2i is a current flowing through the reactor L2
  • Q3g is A gate signal Q3v of the driving element Q3 indicates a drain-source voltage of the driving element Q3.
  • the voltage across the capacitor C1 is a predetermined voltage due to the operation of the boost chopper circuit.
  • the driving element Q2 is turned on by the gate signal Q2g when the driving element Q3 is in the OFF state
  • the charge accumulated in the capacitor C1 causes C1 ⁇ Q2 ⁇ capacitance.
  • a current ELi flows through the path of the light emitting element 1 ⁇ C1. That is, a forward bias is applied to the capacitive light emitting element 1 and the capacitive light emitting element 1 emits light.
  • the current L2i of the reactor L2 starts to decrease.
  • a reverse bias voltage ELv is applied to the capacitive light emitting device 1 as shown in FIG.
  • the current L2i gradually decreases and flows through the path of L2, Q3, D4, and L2.
  • the voltage ELv across the capacitive light emitting element 1 is clamped to the threshold value of the diode D4, and a voltage equal to or lower than the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting element 1 is applied.
  • the control circuit 10 turns on the driving element Q3 during a period in which no voltage is applied between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1 to provide capacitive.
  • the charge accumulated in the parasitic capacitance between the cathode electrode and the anode electrode of the light emitting element 1 is accumulated in the reactor L2, and the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting element 1 is less than that between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1 by the diode D4.
  • the reverse voltage is applied, the drive element Q3 is turned off, and the electric charge accumulated in the reactor L2 is regenerated in the capacitor C1, which is a power source. For this reason, the charge charged in the parasitic capacitance can be efficiently used, and the life of the capacitive light emitting device 1 can be extended and the power efficiency can be increased.
  • the control circuit 10 drives the capacitive light emitting element 1 by the gate signal Q2g of the driving element Q2, and outputs one pulse every time two pulses of the gate signal Q2g are output.
  • the driving element Q3 is turned on / off by the gate signal Q3g. For this reason, it can be set to one regeneration mode for every two light emission pulses. In addition, the control circuit 10 can set the regeneration mode once for every three or more light emission pulses.
  • Example 1 of FIG. 3 one circuit is configured corresponding to the capacitive light emitting element 1.
  • a plurality of circuits shown in FIG. 3 may be provided.
  • the light emission timing control of the capacitive light emitting element 1 can be performed by controlling the on / off timing of the plurality of drive elements Q2.
  • FIG. 9 is a circuit diagram of the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 2.
  • Embodiment 2 is characterized in that a plurality of capacitive light emitting elements 1 are independently controlled by a single power source.
  • a series circuit of a reactor L1 and a driving element Q1 made of a MOSFET is connected to both ends of the DC power source Vin. Between the drain and source of the drive element Q1, a series circuit of the drive element Q11 made of MOSFET and the capacitive light emitting element drive unit 3-1 is connected, and the drive element Q12 made of MOSFET and the capacitive light emitting element drive unit 3- N series circuits are connected so that a series circuit with 2 is connected.
  • Capacitive light emitting element driving units 3-1 to 3-n are configured to include driving elements Q2 and Q3, capacitive light emitting element 1, diodes D3 and D4, and a reactor L2.
  • Capacitors C11, C12 to C1n are connected between the drains of the drive elements Q11, Q12 to Q1n and the negative electrode of the DC power supply Vin.
  • the control circuit 10a controls the on / off timing of the drive elements Q1 to Q3 and the drive elements Q11 to Q1n.
  • a plurality of capacitive light emitting devices are controlled by controlling on / off of the driving devices Q11 to Q1n and the driving device Q2 by the control circuit 10a. 1 emission can be controlled.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of the capacitive light emitting element driving apparatus of Example 3.
  • a capacitor C3 is connected to both ends of the DC power source Vin, and a series circuit of a drive element Q4 made of MOSFET and a drive element Q5 made of MOSFET is connected to both ends of the capacitor C3.
  • a diode D5 is connected between the drain and source of the drive element Q4, and a diode D6 is connected between the drain and source of the drive element Q5.
  • a series circuit of a reactor L3 and a diode D7 is connected to both ends of the diode D6, and the capacitive light emitting element 1 is connected to both ends of the diode D7.
  • the forward voltage drop of the diode D ⁇ b> 7 is a voltage equal to or lower than the reverse breakdown voltage of the capacitive light emitting device 1.
  • the control circuit 11 is connected to the gate of the drive element Q4 and the gate of the drive element Q5, and controls the light emission of the capacitive light emitting element 1 by performing on / off control of the drive element Q4 with a PWM control signal.
  • the drive elements Q4 and Q5 are turned on / off alternately.
  • the control circuit 11 turns on the driving element Q5 during a period in which no voltage is applied between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1, and accumulates in the parasitic capacitance between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1.
  • the charged charge is accumulated in the reactor L3, and a reverse voltage equal to or lower than the reverse withstand voltage of the capacitive light emitting element 1 is applied between the cathode electrode and the anode electrode of the capacitive light emitting element 1 by the diode D7, and the driving element Q5 is turned off.
  • the electric charge accumulated in the reactor L3 is regenerated in the capacitor C3 which is a power source.
  • the direct current power source Vin causes a path of Vin ⁇ L3 ⁇ capacitive light emitting element 1 ⁇ Q4 ⁇ Vin. Current flows. That is, a forward bias is applied to the capacitive light emitting element 1 and the capacitive light emitting element 1 emits light.
  • the energy release of the reactor L3 is completed.
  • the polarity of the reactor L3 is reversed, and the capacitive light emitting element 1 ⁇ L3 ⁇ Q5 ⁇ capacitance is generated by the electric charge accumulated in the capacitor C2 which is the parasitic capacitance of the capacitive light emitting element 1. Since current flows through the path of the luminescent light emitting element 1, energy is stored in the reactor L3.
  • the capacitive light emitting element has an electrode that covers the entire surface or part of the element surface.
  • the transparent electrode covers the entire surface or part of the element surface.
  • the metal electrode covers a part of the element surface so that light can be extracted to the front side.
  • the capacitive light emitting device shown in FIG. 12A is an organic substance or an inorganic substance or an inorganic substance having an equivalent performance to the transparent electrode 22 for positive electrode (+) such as indium tin oxide (corresponding to the anode electrode of the present invention).
  • a hole injection layer 23 made of is laminated. The hole injection layer 23 and the electron injection layer 25 may be reversed.
  • a negative electrode 26 (corresponding to the cathode electrode of the present invention) is laminated.
  • a plurality of transparent electrodes 22 may be provided, and a plurality of electrodes 26 may be provided.
  • the electrode 26 is a material having a high reflectance in the visible light region, and also has a function of extracting light to the transparent electrode side.
  • a transparent electrode may be used as the electrode 26 to extract light from both the anode and cathode.
  • a hole transport layer 33 is further provided between the hole injection layer 23 and the light emitting layer 24 in addition to the structure of the capacitive light emitting device shown in FIG. Has been placed.
  • the capacitive light emitting device shown in FIG. 12C is obtained by removing the electron injection layer 25 from the structure of the capacitive light emitting device shown in FIG. 12A, and the capacitance shown in FIG.
  • the light-emitting element is obtained by removing the hole injection layer 23 from the structure of the capacitive light-emitting element shown in FIG.
  • a capacitive light emitting element having such a structure may be used.
  • a first configuration example in which three capacitive light emitting devices 1a to 1c having the configuration shown in FIG. 12 are connected in series may be used as the capacitive light emitting device.
  • the electrode 26 of the capacitive light emitting element 1a and the transparent electrode 22 of the capacitive light emitting element 1b are connected by a wire 31 or an electrode wiring, and the electrode 26 of the capacitive light emitting element 1b is capacitive. Since the transparent electrode 22 of the light emitting element 1c is connected by the wire 31 or electrode wiring, high brightness is obtained.
  • a second configuration example in which three capacitive light emitting elements 1a to 1c are connected in series may be used as the capacitive light emitting element.
  • three transparent electrodes 22 are stacked on a transparent substrate 21 a, and a hole injection layer 23, a light emitting layer 24, an electron injection layer 25, and an electrode 26 are sequentially formed for each transparent electrode 22. Are stacked.
  • the transparent electrodes 22 are separated by a separator 27.
  • the transparent substrate 21a is provided, but the transparent substrate 21a may not be provided.
  • the electrode (+) 28a is connected to the transparent electrode 22 of the capacitive light emitting element 1c, and the electrode 26 of the capacitive light emitting element 1c is connected to the transparent electrode 22 of the capacitive light emitting element 1b.
  • the electrode 26 of the capacitive light emitting element 1b is connected to the transparent electrode 22 of the capacitive light emitting element 1a, and the electrode 26 of the capacitive light emitting element 1a is connected to the electrode ( ⁇ ) 28b.
  • FIG. 15 is a structural diagram of a capacitive light emitting device having a plurality of light emitting layers.
  • a hole injection layer 23a is stacked on the transparent electrode 22
  • a light emitting layer 24a is stacked on the hole injection layer 23a
  • an electron injection layer 25a is stacked on the light emitting layer 24a.
  • a separation layer 30 made of a thin metal film or a dielectric film that transmits light is laminated on the electron injection layer 25a, a hole injection layer 23b is laminated on the separation layer 30, and a light emitting layer 24b is laminated on the hole injection layer 23b.
  • An electron injection layer 25b is stacked on the layer 24b, and an electrode 26 is stacked on the electron injection layer 25b.
  • the light emitting layers 24a and 24b are provided in the capacitive light emitting element and these are connected in series, high luminance can be obtained.
  • FIG. 16 is a diagram showing a first configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in parallel.
  • the transparent electrodes 22 of the capacitive light emitting element 1a, the capacitive light emitting element 1b, and the capacitive light emitting element 1c having the same configuration as that shown in FIG. 31 is connected in common.
  • the electrodes 26 of the capacitive light emitting element 1 a, the capacitive light emitting element 1 b, and the capacitive light emitting element 1 c are connected in common by a wire 31. That is, since the capacitive light emitting element 1a, the capacitive light emitting element 1b, and the capacitive light emitting element 1c are connected in parallel, the light emitting area of the capacitive light emitting element can be increased.
  • FIG. 17 is a diagram showing a second configuration example in which a plurality of capacitive light emitting elements are connected in parallel.
  • a transparent electrode 22a is laminated on a transparent substrate 21a, and three hole injection layers 23 are laminated on the transparent electrode 22a.
  • a light emitting layer 24 and an electron injection layer 25 are sequentially stacked.
  • An electrode 26 is stacked on each of the three electron injection layers 25 to form three capacitive light emitting elements 1a to 1c.
  • the three capacitive light emitting elements 1a to 1c are separated from each other by a separator 27.
  • the light emitting area of the capacitive light emitting element can be increased.
  • the charge charged in the parasitic capacitance can be used efficiently, and the life of the capacitive light emitting element can be extended and the power consumption can be reduced.
  • the capacitive light emitting device since the capacitive light emitting device has a plurality of light emitting layers, high luminance can be obtained.
  • the control circuit turns on / off the driving element by the second pulse signal that outputs one pulse every time the first pulse signal of the driving means is output by a plurality of pulses.
  • the regenerative mode can be set once, and the balance for reducing the life and power consumption can be adjusted.
  • the present invention can be applied to organic EL elements and other light emitting elements.

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Abstract

　容量性発光素子駆動装置は、光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子1と、容量性発光素子に接続された電源Vinと、カソード電極及びアノード電極間に電源の直流電圧を印加して容量性発光素子を駆動する駆動手段10と、容量性発光素子を駆動時に容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、電源に回生する回生手段L2,Q3,とを有する。

Description

容量性発光素子駆動装置
　本発明は、有機物質からなる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス)素子やその他の発光素子のように大きな容量成分を持つ容量性発光素子を駆動する容量性発光素子駆動装置に関する。
　容量性発光素子に類似した電流－電圧特性を示すＬＥＤ（発光ダイオード）では、図１に示すように、パルス信号を用いパルス信号をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）制御することにより、調光（輝度＝明るさ制御）が効率良く行なわれている。また、容量性発光素子のパルス駆動・調光方式も、図１に示すＬＥＤのパルス駆動・調光方式と同じ方式を用いている。
　容量性発光素子の材料である有機物は、半導体や金属と比較して、大きな誘電率を持つ。容量性発光素子は、大面積化が容易であるので、ＬＥＤ等の発光デバイスと比較して、寄生容量が極端に大きくなってしまう。
　このため、容量性発光素子がパルス駆動されると、容量性発光素子の寄生容量に蓄積された大量の（－）電荷がパルス駆動オフ時に放出しきれない。このため、容量性発光素子の発光層付近の有機分子が、誘電分極を維持したままの状態になる。この状態では、容量性発光素子を実装したパネルの温度が上昇する。
　容量性発光素子の材料は、高温動作時の寿命が非常に短く、発光に伴う発熱だけで寿命が短くなってしまう。このため、従来の容量性発光素子駆動装置は、容量性発光素子をパルス駆動するときに、図２に示すように、容量性発光素子の逆耐圧未満の逆電圧ＶLを持つパルス信号を容量性発光素子に印加することにより、容量性発光素子の寄生容量に蓄積された（－）電荷を周期毎にリセットする。これにより、蓄積された（－）電荷によるパネルの温度の上昇を防ぎ、容量性発光素子の長寿命化を実現していた（日本国特許第３１６９９７４号公報（図１、図２））。
　しかしながら、図２に示す従来のパルス駆動では、容量性発光素子の長寿命化を実現するため、容量性発光素子に逆電圧(逆バイアス)を印加するための専用のマイナス電源と発光用の電源との２電源とが必要であった。また、図２に示す従来のパルス駆動では、容量性発光素子の長寿命化を実現するため、容量性発光素子に逆電圧(逆バイアス)が印加されるのみであった。このため、容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷は、引き抜かれるが、前記電荷は容量性発光素子の発光のための電源には回生されていない。
　容量性発光素子は、高誘電率有機材料、大面積といった特徴を有するので、投入された電力の大半が、寄生容量に充電されてしまう。充電が完了した後、容量性発光素子の発光が開始される。容量性発光素子を長寿命化するために、容量性発光素子に逆バイアスが印加されると、寄生容量に充電された電荷が全て捨てられてしまう。逆バイアスが印加されただけでは、電力効率が非常に悪い。
　本発明の目的は、容量性発光素子の長寿命化と消費電力の低減を図ることができる容量性発光素子駆動装置を提供する。
　上記課題を解決するために、第１の発明は、光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子と、前記容量性発光素子に接続された電源と、前記カソード電極及び前記アノード電極間に前記電源の直流電圧を印加して前記容量性発光素子を駆動する駆動手段と、前記容量性発光素子を駆動時に前記容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、前記電源に回生する回生手段とを有する。
　第２の発明は、光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子と、前記容量性発光素子に接続された電源と、前記カソード電極及び前記アノード電極間に前記電源の直流電圧を印加して前記容量性発光素子を駆動する駆動手段と、前記容量性発光素子に接続され、リアクトルと整流器と駆動素子とを有する回生手段とを有し、前記回生手段は、前記容量性発光素子を駆動時に前記容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、前記駆動素子をオンさせて前記リアクトルに蓄積させた後、前記整流器により前記容量性発光素子に逆耐圧以下の逆方向電圧を印加し、前記駆動素子をオフさせて前記リアクトルに蓄積された電荷を前記電源に回生させる。
　第３の発明は、複数の前記容量性発光素子を設け、複数の前記容量性発光素子が直列又は並列に接続されてなる。
　第４の発明では、前記容量性発光素子は、前記カソード電極と前記アノード電極との間に配置された有機物質で且つ前記有機物質が導電性及び光透過性を有する分離層を用いて積層された複数の発光層を有し、分離された前記複数の発光層の各々又は全体が発光する。
　第５の発明では、前記駆動手段は、第１パルス信号により前記容量性発光素子を駆動し、前記制御回路は、前記第１パルス信号が複数パルス出力される毎に１パルスを出力する第２パルス信号により前記駆動素子をオン／オフさせる。
図１は従来の容量性発光素子駆動装置の容量性発光素子に印加されるパルス電圧波形の一例を示す図である。 図２は従来の容量性発光素子駆動装置の容量性発光素子に印加されるパルス電圧波形の他の一例を示す図である。 図３は実施例１の容量性発光素子駆動装置の回路図である。 図４は実施例１の容量性発光素子に印加されるパルス電圧波形を示す図である。 図５は実施例１の容量性発光素子駆動装置の各モードにおける動作を説明するための図である。 図６は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがあり且つ２パルスに一回回生する場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。 図７は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがある場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。 図８は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがない場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。 図９は実施例２の容量性発光素子駆動装置の回路図である。 図１０は実施例３の容量性発光素子駆動装置の回路図である。 図１１は実施例３の容量性発光素子駆動装置の各モードにおける動作を説明するための図である。 図１２は容量性発光素子の基本構造図である。 図１３は複数の容量性発光素子を直列に接続した第１構成例を示す図である。 図１４は複数の容量性発光素子を直列に接続した第２構成例を示す図である。 図１５は複数の発光層を有する容量性発光素子の構造図である。 図１６は複数の容量性発光素子を並列に接続した第１構成例を示す図である。 図１７は複数の容量性発光素子を並列に接続した第２構成例を示す図である。
　以下、本発明の容量性発光素子駆動装置の実施の形態が、図面を参照しながら詳細に説明される。
　図３は実施例１の容量性発光素子駆動装置の回路図である。実施例１の容量性発光素子駆動装置は、図４に示すように、容量性発光素子に対して容量性発光素子の逆耐圧以下の逆バイアス電圧Ｖｍｉｎを印加して、容量性発光素子に蓄積された電荷を引き抜き、引き抜いた電荷を電源に回生して容量性発光素子の発光に再利用する。これにより、容量性発光素子の長寿命化と電力の高効率が図られる。
　容量性発光素子は、有機物質からなる有機ＥＬ素子やその他の発光素子のように大きな容量成分を持つ素子である。
　図３において、直流電源Ｖｉｎの両端にはリアクトルＬ１とＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ１との直列回路が接続されている。駆動素子Ｑ１のドレイン－ソース間にはダイオードＤ１とコンデンサＣ１との直列回路が接続されている。
　コンデンサＣ１の両端には、ＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ２と容量性発光素子１との直列回路が接続されている。容量性発光素子１は、光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された有機物質からなる有機ＥＬ層を有し、コンデンサＣ２とダイオードＤ２との等価回路で表されている。なお、容量性発光素子１の構造の詳細は、後述される。
　駆動素子Ｑ２と容量性発光素子１との直列回路の両端には、ダイオードＤ３とＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ３（本発明の駆動素子に対応）との直列回路が接続されている。駆動素子Ｑ２と容量性発光素子１との接続点とダイオードＤ３と駆動素子Ｑ３との接続点との間には、リアクトルＬ２（本発明のリアクトルに対応）が接続されている。容量性発光素子１の両端にはダイオードＤ４（本発明の整流素子に対応）が接続されている。ダイオードＤ４の順方向電圧降下は、容量性発光素子１の逆耐圧以下の電圧である。
　直流電源Ｖｉｎ、リアクトルＬ１、駆動素子Ｑ１、ダイオードＤ１及びコンデンサＣ１は、昇圧チョッパ回路を構成している。なお、昇圧チョッパ回路の代わりに、ＤＣ－ＤＣコンバータを用いても良い。
　制御回路１０（本発明の駆動手段及び制御回路に対応）は、駆動素子Ｑ１のゲートとダイオードＤ１とコンデンサＣ１との接続点と駆動素子Ｑ２のゲートと駆動素子Ｑ３のゲートとに接続されている。制御回路１０は、コンデンサＣ１の両端電圧に基づき、第１ＰＷＭ制御信号により駆動素子Ｑ１をオン／オフ制御することによりコンデンサＣ１の両端電圧を所定電圧に制御する。
　また、制御回路１０は、第２ＰＷＭ制御信号により駆動素子Ｑ２をオン／オフ制御することにより容量性発光素子１の発光を制御するとともに、駆動素子Ｑ２と駆動素子Ｑ３とを交互にオン／オフさせる。
　即ち、制御回路１０は、容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に電圧を印加しない期間に駆動素子Ｑ３をオンさせて容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間の寄生容量に蓄積された電荷をリアクトルＬ２に蓄積させ且つダイオードＤ４により容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に容量性発光素子１の逆耐圧以下の逆方向電圧を印加させ、駆動素子Ｑ３をオフさせてリアクトルＬ２に蓄積された電荷を電源であるコンデンサＣ１に回生させる。
　次にこのように構成された実施例１の容量性発光素子駆動装置の動作が説明される。図５は実施例１の容量性発光素子駆動装置の各モードにおける動作を説明するための図である。図６は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがあり且つ２パルスに一回回生する場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。図７は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがある場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。図８は実施例１の容量性発光素子駆動装置でデットタイムがない場合の各部の動作を示すタイミングチャートである。
　図６では、２パルス（時刻ｔ２～ｔ３のパルスと時刻ｔ４～ｔ６のパルス）の内の時刻ｔ４～ｔ６のパルスの時に電力が電源に回生されている。図６及び図７では、ゲート信号Ｑ２ｇとゲート信号Ｑ３ｇとのデットタイムが時刻ｔ３～ｔ４の時間である。図６及び図７のタイミングチャートと、図８のそれとの違いは、デットタイムの有無のみであるので、ここでは、図５及び図８を用いて実施例１の容量性発光素子駆動装置のデットタイムがない場合の動作が説明される。
　なお、図６乃至図８において、ＥＬｉは容量性発光素子１に流れる電流、ＥＬｖは容量性発光素子１の両端電圧、Ｑ２ｇは駆動素子Ｑ２のゲート信号、Ｌ２ｉはリアクトルＬ２に流れる電流、Ｑ３ｇは駆動素子Ｑ３のゲート信号、Ｑ３ｖは駆動素子Ｑ３のドレイン－ソース間電圧を示す。
　まず、昇圧チョッパ回路の動作によりコンデンサＣ１の両端電圧が所定電圧になっているものとする。時刻ｔ０において、図５（ａ）に示すように、駆動素子Ｑ３がオフ状態のときに、ゲート信号Ｑ２ｇにより駆動素子Ｑ２がオンすると、コンデンサＣ１に蓄積された電荷により、Ｃ１→Ｑ２→容量性発光素子１→Ｃ１の経路で電流ＥＬｉが流れる。即ち、容量性発光素子１に順方向バイアスが印加されて容量性発光素子１が発光する。
　次に、時刻ｔ４において、図５（ｂ）に示すように、ゲート信号Ｑ２ｇにより駆動素子Ｑ２がオフし、これと同時にゲート信号Ｑ３ｇにより駆動素子Ｑ３がオンすると、容量性発光素子１とリアクトルＬ２とが並列に接続される。このため、容量性発光素子１の寄生容量であるコンデンサＣ２に蓄積された電荷によりリアクトルＬ２と駆動素子Ｑ３とに電流Ｌ２ｉが流れる。このため、リアクトルＬ２にエネルギーが蓄積される。
　次に、時刻ｔ５において、容量性発光素子１の寄生容量に蓄えられた電荷エネルギーがゼロとなるとリアクトルＬ２の電流Ｌ２ｉが減少に転じる。その後、図５（ｃ）に示すように、容量性発光素子１に逆バイアス電圧ＥＬｖが印加される。そして、Ｌ２→Ｑ３→Ｄ４→Ｌ２の経路で電流Ｌ２ｉが徐々に減少して流れる。このとき、容量性発光素子１の両端電圧ＥＬｖがダイオードＤ４の閾値にクランプされ、容量性発光素子１の逆耐圧以下の電圧が印加される。
　次に、時刻ｔ６において、図５（ｄ）に示すように、駆動素子Ｑ２がオフした状態で、ゲート信号Ｑ３ｇにより駆動素子Ｑ３がオフすると、Ｌ２→Ｄ３→Ｃ１→Ｄ４→Ｌ２の経路で電流が流れる。即ち、リアクトルＬ２に蓄積されたエネルギーが電源側のコンデンサＣ１に回生される。
　そして、図５（ｅ）に示すように、駆動素子Ｑ２及び駆動素子Ｑ３がオフした状態で、コンデンサＣ１への回生が終了し、再び駆動素子Ｑ２がオンすると、動作が図５（ａ）に示す状態に戻る。
　このように実施例１の容量性発光素子駆動装置によれば、制御回路１０は、容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に電圧を印加しない期間に駆動素子Ｑ３をオンさせて容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間の寄生容量に蓄積された電荷をリアクトルＬ２に蓄積させ且つダイオードＤ４により容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に容量性発光素子１の逆耐圧以下の逆方向電圧を印加させ、駆動素子Ｑ３をオフさせてリアクトルＬ２に蓄積された電荷を電源であるコンデンサＣ１に回生させる。このため、寄生容量に充電された電荷を効率良く利用でき、容量性発光素子１の長寿命化と電力の高効率を図ることができる。
　また、図６に示す例では、制御回路１０が、駆動素子Ｑ２のゲート信号Ｑ２ｇにより容量性発光素子１を駆動し、ゲート信号Ｑ２ｇが２パルス出力される毎に１パルスを出力する駆動素子Ｑ３のゲート信号Ｑ３ｇにより駆動素子Ｑ３をオン／オフさせる。このため、２回の発光パルス毎に１回の回生モードにすることができる。また、制御回路１０は、３回以上の発光パルス毎に１回の回生モードにすることもできる。
　なお、図３の実施例１では、容量性発光素子１に対応して１回路が構成されている。複数の容量性発光素子１を発光させるために、図３に示す回路を複数個設けても良い。この場合、複数の駆動素子Ｑ２のオン／オフのタイミングを制御することにより、容量性発光素子１の発光のタイミング制御を行うことができる。
　図９は実施例２の容量性発光素子駆動装置の回路図である。実施例２は、１つの電源で複数の容量性発光素子１を独立に制御することを特徴とする。
　直流電源Ｖｉｎの両端にはリアクトルＬ１とＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ１との直列回路が接続されている。駆動素子Ｑ１のドレイン－ソース間には、ＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ１１と容量性発光素子駆動部３－１との直列回路が接続され、ＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ１２と容量性発光素子駆動部３－２との直列回路が接続されるように、ｎ個の直列回路が接続されている。
　容量性発光素子駆動部３－１～３－ｎは、駆動素子Ｑ２，Ｑ３、容量性発光素子１、ダイオードＤ３，Ｄ４、リアクトルＬ２を有して構成されている。
　駆動素子Ｑ１１，Ｑ１２～Ｑ１ｎのドレインと直流電源Ｖｉｎの負極との間には、コンデンサＣ１１，Ｃ１２～Ｃ１ｎが接続されている。制御回路１０ａは、駆動素子Ｑ１～Ｑ３、駆動素子Ｑ１１～Ｑ１ｎのオン／オフのタイミングを制御する。
　このように構成された実施例２の容量性発光素子駆動装置によれば、制御回路１０ａにより駆動素子Ｑ１１～Ｑ１ｎと駆動素子Ｑ２とのオン／オフを制御することにより、複数の容量性発光素子１の発光を制御することができる。
　図１０は実施例３の容量性発光素子駆動装置の回路図である。図１０において、直流電源Ｖｉｎの両端にはコンデンサＣ３が接続され、このコンデンサＣ３の両端には、ＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ４とＭＯＳＦＥＴからなる駆動素子Ｑ５との直列回路が接続されている。駆動素子Ｑ４のドレイン－ソース間にはダイオードＤ５が接続され、駆動素子Ｑ５のドレイン－ソース間にはダイオードＤ６が接続されている。
　ダイオードＤ６の両端には、リアクトルＬ３とダイオードＤ７との直列回路が接続され、ダイオードＤ７の両端には、容量性発光素子１が接続されている。ダイオードＤ７の順方向電圧降下は、容量性発光素子１の逆耐圧以下の電圧である。
　制御回路１１は、駆動素子Ｑ４のゲートと駆動素子Ｑ５のゲートとに接続され、ＰＷＭ制御信号により駆動素子Ｑ４をオン／オフ制御することにより容量性発光素子１の発光を制御する。図１１（ａ）～（ｃ）。なお、回生と容量性発光素子１に逆電圧を印加する場合には、駆動素子Ｑ４とＱ５とを交互にオン／オフさせる。図１１（ａ）～（ｅ）。
　即ち、制御回路１１は、容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に電圧を印加しない期間に駆動素子Ｑ５をオンさせて容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間の寄生容量に蓄積された電荷をリアクトルＬ３に蓄積させ且つダイオードＤ７により容量性発光素子１のカソード電極及びアノード電極間に容量性発光素子１の逆耐圧以下の逆方向電圧を印加させ、駆動素子Ｑ５をオフさせてリアクトルＬ３に蓄積された電荷を電源であるコンデンサＣ３に回生させる。
　次にこのように構成された実施例３の容量性発光素子駆動装置の動作を図１１を参照しながら説明する。
　まず、図１１（ａ）に示すように、駆動素子Ｑ５がオフ状態のときに、駆動素子Ｑ４がオンすると、直流電源Ｖｉｎにより、Ｖｉｎ→Ｌ３→容量性発光素子１→Ｑ４→Ｖｉｎの経路で電流が流れる。即ち、容量性発光素子１に順方向バイアスが印加されて容量性発光素子１が発光する。
　次に、図１１（ｂ）に示すように、駆動素子Ｑ４がオフすると、リアクトルＬ３の極性が逆転し、リアクトルＬ３に蓄積されたエネルギーが放電し、Ｌ３→容量性発光素子１→Ｑ５→Ｌ３の経路で電流が流れる。即ち、リアクトルＬ３のエネルギーにより容量性発光素子１が発光する。
　次に、図１１（ｃ）に示すように、リアクトルＬ３のエネルギー放出が完了する。その後、図１１（ｄ）に示すように、リアクトルＬ３の極性が逆転し、容量性発光素子１の寄生容量であるコンデンサＣ２に蓄積された電荷により、容量性発光素子１→Ｌ３→Ｑ５→容量性発光素子１の経路で電流が流れるため、リアクトルＬ３にエネルギーが蓄積される。
　次に、図１１（ｅ）に示すように、駆動素子Ｑ５がオフすると、リアクトルＬ３に蓄積されたエネルギーがコンデンサＣ３に回生される。即ち、Ｌ３→Ｃ３→Ｄ５→容量性発光素子１→Ｌ３の経路で電流が流れる。このとき、容量性発光素子１の両端電圧がダイオードＤ７の順方向電圧にクランプされ、容量性発光素子１に容量性発光素子１の逆耐圧以下の電圧が印加される。
　このように実施例３の容量性発光素子駆動装置によれば、実施例１の容量性発光素子駆動装置の動作と同様に動作するとともに同様な効果が得られる。
（容量性発光素子の構造）
　次に、図１２を用いて実施例１乃至３の容量性発光素子１の基本構造が説明される。容量性発光素子は、素子表面の全面又は一部を覆うような電極を有する。透明電極が用いられる場合には、透明電極が素子表面の全面又は一部を覆う。金属電極が用いられる場合には、光を表側に取り出させるように金属電極が素子表面の一部を覆う。
　図１２（ａ）に示す容量性発光素子は、インジウム錫酸化物等の正極（＋）用の透明電極２２（本発明のアノード電極に対応）に有機物質又は同等の性能を有する無機物又は無機物質からなるホール注入層２３が積層されている。ホール注入層２３と電子注入層２５とは逆になっても良い。
　ホール注入層２３に有機物質からなる有機ＥＬ層である発光層２４が積層され、発光層２４に有機物質又は同等の性能を有する無機質からなる電子注入層２５が積層され、電子注入層２５に負極（－）用の電極２６（本発明のカソード電極に対応）が積層されている。
　なお、図示していないが、透明電極２２は、複数個併設しても良く、電極２６も、複数個併設しても良い。電極２６は、可視光領域で高い反射率を有する材料で、透明電極側に光を取り出す機能も兼ねている。
　また、透明電極を電極２６に用いて、アノード、カソード両側から光を取り出しても良い。また、図１２（ｂ）に示す容量性発光素子では、図１２（ａ）に示す容量性発光素子の構造に対してさらに、ホール注入層２３と発光層２４との間にホール輸送層３３が配置されている。
　また、図１２（ｃ）に示す容量性発光素子は、図１２（ａ）に示す容量性発光素子の構造に対して電子注入層２５を削除したものであり、図１２（ｄ）に示す容量性発光素子は、図１２（ｃ）に示す容量性発光素子の構造に対してホール注入層２３を削除したものである。このような構造の容量性発光素子を用いても良い。
　また、図１３に示すように、容量性発光素子として、図１２に示すような構成の３つのの容量性発光素子１ａ～１ｃを直列に接続した第１構成例を用いても良い。図１３に示す第１構成例では、容量性発光素子１ａの電極２６と容量性発光素子１ｂの透明電極２２とがワイヤ３１又は電極配線で接続され、容量性発光素子１ｂの電極２６と容量性発光素子１ｃの透明電極２２とがワイヤ３１又は電極配線で接続されているので、高輝度が得られる。
　また、図１４に示すように、容量性発光素子として、３つの容量性発光素子１ａ～１ｃを直列に接続した第２構成例を用いても良い。図１４に示す第２構成例では、透明基板２１ａに３つの透明電極２２を積層し、各々の透明電極２２毎に、ホール注入層２３、発光層２４、電子注入層２５、電極２６が順番に積層されている。また、透明電極２２間はセパレータ２７で分離されている。
　なお、図１４に示す第２構成例では、透明基板２１ａを設けたが、この透明基板２１ａを設けなくても良い。
　容量性発光素子１ｃの透明電極２２には電極（＋）２８ａが接続され、容量性発光素子１ｃの電極２６は容量性発光素子１ｂの透明電極２２に接続されている。容量性発光素子１ｂの電極２６は容量性発光素子１ａの透明電極２２に接続され、容量性発光素子１ａの電極２６は電極（－）２８ｂに接続されている。以上の構成で、３つの容量性発光素子１ａ～１ｃが直列に接続されている。
　このような図１４に示す第２構成例であっても、図１３に示す第１構成例と同様に高輝度が得られる。
　図１５は複数の発光層を有する容量性発光素子の構造図である。図１５に示す容量性発光素子は、透明電極２２にホール注入層２３ａが積層され、ホール注入層２３ａに発光層２４ａが積層され、発光層２４ａに電子注入層２５ａが積層されている。
　電子注入層２５ａに光を透過する薄い金属膜又は誘電体膜からなる分離層３０が積層され、分離層３０にホール注入層２３ｂが積層され、ホール注入層２３ｂに発光層２４ｂが積層され、発光層２４ｂに電子注入層２５ｂが積層され、電子注入層２５ｂに電極２６が積層されている。
　このように容量性発光素子内に発光層２４ａ，２４ｂが設けられ、且つこれらが直列に接続されているので、高輝度が得られる。
　図１６は複数の容量性発光素子を並列に接続した第１構成例を示す図である。図１６に示す第１構成例では、図１２に示すような構成と同一構成の容量性発光素子１ａと容量性発光素子１ｂと容量性発光素子１ｃとの各々の透明電極２２が電極配線又はワイヤ３１で共通に接続されている。容量性発光素子１ａと容量性発光素子１ｂと容量性発光素子１ｃとの各々の電極２６がワイヤ３１で共通に接続されている。即ち、容量性発光素子１ａと容量性発光素子１ｂと容量性発光素子１ｃとが並列に接続されているので、容量性発光素子の発光面積を増やすことができる。
　図１７は複数の容量性発光素子を並列に接続した第２構成例を示す図である。図１７に示す第２構成例では、透明基板２１ａに透明電極２２ａが積層され、透明電極２２ａに３つのホール注入層２３が積層されている。各ホール注入層２３毎に、発光層２４、電子注入層２５が順番に積層されている。３つの電子注入層２５の各々に電極２６が積層されて、３つの容量性発光素子１ａ～１ｃが構成されている。３つの容量性発光素子１ａ～１ｃは互いにセパレータ２７で分離されている。
　このような図１７に示す第２構成例によれば、３つの容量性発光素子１ａ～１ｃが並列に接続さているので、容量性発光素子の発光面積を増やすことができる。
　なお、図１７に示す第２構成例では、透明基板２１ａを設けたが、この透明基板２１ａを設けなくても良い。
　本発明によれば、寄生容量に充電された電荷を効率良く利用でき、容量性発光素子の長寿命化と消費電力の低減を図ることができる。
　本発明によれば、複数の容量性発光素子が直列又は並列に接続されているので、高輝度を得ることができる。
　本発明によれば、容量性発光素子が複数の発光層を有するので、高輝度を得ることができる。
　本発明によれば、制御回路は、駆動手段の第１パルス信号が複数パルス出力される毎に１パルスを出力する第２パルス信号により駆動素子をオン／オフさせるので、複数回の発光パルス毎に１回の回生モードとすることができ、寿命と消費電力低減のためのバランスを調整することができる。
産業上の利用の可能性
　本発明は、有機ＥＬ素子やその他の発光素子に適用することができる。

Claims (7)

  1. 　光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子と、
    　前記容量性発光素子に接続された電源と、
    　前記カソード電極及び前記アノード電極間に前記電源の直流電圧を印加して前記容量性発光素子を駆動する駆動手段と、
    　前記容量性発光素子を駆動時に前記容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、前記電源に回生する回生手段と、
    を有する容量性発光素子駆動装置。
  2. 　複数の前記容量性発光素子を設け、複数の前記容量性発光素子が直列又は並列に接続されてなる請求項１記載の容量性発光素子駆動装置。
  3. 　前記容量性発光素子は、前記カソード電極と前記アノード電極との間に配置された有機物質で且つ前記有機物質が導電性及び光透過性を有する分離層を用いて積層された複数の発光層を有し、分離された前記複数の発光層の各々又は全体が発光することを特徴とする請求項１記載の容量性発光素子駆動装置。
  4. 　光透過型基板上において互いに対向するカソード電極とアノード電極との間に配置された容量性発光素子と、
    　前記容量性発光素子に接続された電源と、
    　前記カソード電極及び前記アノード電極間に前記電源の直流電圧を印加して前記容量性発光素子を駆動する駆動手段と、
    　前記容量性発光素子に接続され、リアクトルと整流器と駆動素子とを有する回生手段とを有し、
    　前記回生手段は、前記容量性発光素子を駆動時に前記容量性発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を、前記駆動素子をオンさせて前記リアクトルに蓄積させた後、前記整流器により前記容量性発光素子に逆耐圧以下の逆方向電圧を印加し、前記駆動素子をオフさせて前記リアクトルに蓄積された電荷を前記電源に回生させる容量性発光素子駆動装置。
  5. 　複数の前記容量性発光素子を設け、複数の前記容量性発光素子が直列又は並列に接続されてなる請求項４記載の容量性発光素子駆動装置。
  6. 　前記容量性発光素子は、前記カソード電極と前記アノード電極との間に配置された有機物質で且つ前記有機物質が導電性及び光透過性を有する分離層を用いて積層された複数の発光層を有し、分離された前記複数の発光層の各々又は全体が発光することを特徴とする請求項４記載の容量性発光素子駆動装置。
  7. 　前記駆動手段は、第１パルス信号により前記容量性発光素子を駆動し、前記制御回路は、前記第１パルス信号が複数パルス出力される毎に１パルスを出力する第２パルス信号により前記駆動素子をオン／オフさせる請求項４記載の容量性発光素子駆動装置。
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