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WO2009156419A1 - Photodetektor und verfahren zur herstellung dazu - Google Patents

Photodetektor und verfahren zur herstellung dazu Download PDF

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WO2009156419A1
WO2009156419A1 PCT/EP2009/057864 EP2009057864W WO2009156419A1 WO 2009156419 A1 WO2009156419 A1 WO 2009156419A1 EP 2009057864 W EP2009057864 W EP 2009057864W WO 2009156419 A1 WO2009156419 A1 WO 2009156419A1
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WO
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layer
nanoparticles
organic
photodetector
photodetector according
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PCT/EP2009/057864
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Inventor
Oliver Hayden
Sandro Francesco Tedde
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Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Publication date
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Priority to US12/737,264 priority patent/US20110095266A1/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/35—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising inorganic nanostructures, e.g. CdSe nanoparticles
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K39/36—Devices specially adapted for detecting X-ray radiation
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene

Definitions

  • the invention relates to a photodetector for X-radiation in which X-radiation is converted into electrical charge.
  • organic photodiodes as known, for example, from WO 2007/017470, is only known in connection with indirect conversion. Otherwise, the technology of conversion of X-rays by photodetectors has so far only used inorganic photodetectors.
  • organic compounds Compared to inorganic photodetectors, however, organic compounds have the decisive advantage that they can be produced over a large area.
  • the object of the present invention is therefore to overcome the disadvantages of the prior art and to enable the direct conversion by means of organic photodetectors.
  • the organic photodetector according to the invention is characterized in that the conversion of the X-radiation takes place in the same layer as the generation of the charges. This ensures that a high resolution can be achieved for X-ray images. So far, this has only been possible with elaborate inorganic photodetectors. In general, various semiconducting nanoparticles or mixtures of different nanoparticles, for example in the form of crystals, can be used.
  • semiconducting nanocrystals are incorporated into the semiconducting layer, which in turn are preferably prepared by chemical synthesis.
  • Typical nanoparticles are Group II-VI or Group III-V compound semiconductors. It is also possible to use group IV semiconductors. Ideal nanoparticles show high X-ray absorption properties, such as lead sulfide (PbS), lead selenium (PbSe), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), mercury telluride (HgTe). Leading nanoparticles or nanocrystals in which quantization of the energy levels impinges (quantum dots) comprise diameters of 1 to typically 20 nm, preferably 1 to 15 nm and particularly preferably 1 to 10 nm.
  • the starting material of the organic active layer of the photodetector is dissolved or as a suspension in a solvent and is produced by wet-chemical process steps (spin coating, knife coating, printing, doctor blading, spray coating,
  • rollers, etc. are applied to a lower layer such as a charge-coupled device (CCD) or a thin film transistor (TFT) panel.
  • a lower layer such as a charge-coupled device (CCD) or a thin film transistor (TFT) panel.
  • the layer thicknesses are in the nanometer or micrometer range. Only a top electrode without structuring is necessary.
  • the embedding of the quantum dots in the semiconducting organic, in particular polymeric, matrix can also be carried out with a multiple spray coating method. Such a method is described for example in the still unpublished 10 2008 015 290 DE as Multiples Spray Coating System for the production of polymer-based electronic components.
  • Multilayer coatings can also be achieved, for example, by means of stacked photodiodes or photoconductors, as shown in FIG.
  • the volume fraction of nanoparticles, such. As PbS, in the absorber layer is according to an embodiment of the invention very high (typically> 50%, preferably> 55% or more preferably> 60%) in order to ensure a correspondingly high absorption of the X-ray radiation.
  • a metal layer is applied to the diodes, preferably over the encapsulation.
  • FIG. 1 shows the typical structure of an organic photodiode
  • FIG. 2 shows a pixelated photodetector with nanoparticles embedded in the active organic layer
  • FIG. 3 shows a multilayer structure for achieving thicker layers and
  • FIG. 4 schematically shows the structure of a stacked diode.
  • the blend of the two components P3HT (poly (hexylthiophene) -2-5-diyl) as absorber and / or hole transport component and PCBM phenyl-C61 as electron acceptor and / or electron donor acts as a so-called "bulk heterojunction", ie Separation of the charge carriers takes place at the interfaces of the two materials, which form within the entire layer volume.
  • the solution can be modified by replacing or adding further materials.
  • the organic photodiode 1 is operated in the reverse direction and has low dark current.
  • nanoparticles are added to the active organic semiconductive layer.
  • nanocrystals are used as nanoparticles.
  • the size of the nanocrystal When the size of the nanocrystal is reduced in all three dimensions, the number of energy levels is reduced, and the size of the energy gap between the quantized valence and conduction bands becomes dependent on the diameter of the crystal and thus their absorption or emission behavior changes.
  • the energy gap of PbS of approx. 0.42 eV (corresponding to a light wavelength of approx. 3 ⁇ m) in nanocrystals with a size of approx. 10 nm can be increased to IeV (corresponding to a light wavelength of 1240 nm).
  • X-rays which are absorbed by nanoparticles or nanocrystals, generate excitons.
  • the resulting electron-hole pairs in the organic semiconductor are separated in the electric field or at the interfaces of organic semiconductors and nanocrystals and can flow through percolation paths to the corresponding electrodes as a "photocurrent".
  • Figure 2 shows a schematic structure of a pixelated flat-panel photodetector with nanoparticles 7 embedded in the organic active layer 5.
  • the conversion of the X-ray takes place directly in the organic photodiode.
  • the BuIk heterojunction described above acts as electron acceptor or electron donor with embedded semiconducting nanoparticles or nanocrystals.
  • the optional hole transport layer 4 on which, in turn, the organic active layer 5 is located, which for example has a thickness in the range from 100 to 1500 ⁇ m, preferably approximately 500 ⁇ m.
  • the upper structure is analogous to that known from FIG.
  • An X-ray beam 14 striking a nanoparticle 7 is absorbed there and an exciton (not shown) is released therefrom.
  • the result is a charge carrier pair, as shown, an electron 15 and a hole 16 comprising.
  • FIG. 2 also shows that the substrate 2 and the lower passivation layer 12 together with the lower structured electrode 3 form the commercially available backplane 10, whereas the upper part of the device with the active organic layer 5 represent the front tarpaulins 11
  • FIG. 3 shows a multilayer structure, which makes it possible to build up thicker layers by means of conventional wet-chemical methods.
  • FIG. 4 shows a schematic structure of a stacked diode 1. Any thicknesses can be generated with n stacked diodes.
  • the lower electrode 3, the optional hole transport layer 4, the organic active layer 5 with the nanoparticles 7, the cathode 6 and the upper intermediate layer 17 are only schematically visible.
  • Nanoparticles or nanocrystals with defined diameters lead to reproducible absorbers with lower charge carrier trapping compared to mechanically comminuted and therefore poorly defined nanoparticles.
  • diode fabrication on TFT panels for direct conversion of X-rays can be performed without the use of vacuum technology and classical semiconductor process technology.
  • This invention involves the cost-effective production of a direct X-ray converter based on a composite of organic semiconductors and semiconducting nanoparticles which can be applied over a large area as organic photodiodes or photoconductors on flatbed scanners by wet-chemical processes.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Photodetektor für Röntgenstrahlung, bei dem Röntgenstrahlung in elektrische Ladung gewandelt wird. In der aktiven organischen Schicht des Photodetektors sind Nanopartikel eingearbeitet.

Description

Beschreibung
Photodetektor und Verfahren zur Herstellung dazu
Die Erfindung betrifft einen Photodetektor für Röntgenstrahlung, bei dem Röntgenstrahlung in elektrische Ladung gewandelt wird.
Bei der Detektion von Röntgenstrahlung gibt es die direkte und indirekte Konversion der Röntgenstrahlung in elektrische Ladung, wobei die indirekte Methode zumindest den Nachteil hat, dass dabei zunächst das Photon aus der Röntgenstrahlung in einem Szintillator mit einem Material wechselwirkt, das schließlich Emission zeigt, die auch Streulicht produziert. Durch das Streulicht ist die Auflösung der indirekten Methode schlechter als bei der direkten Methode.
Bei der direkten Konversion wird eine wesentlich höhere Auflösung erreicht, weil keine Unscharfen durch Streulicht ent- stehen. Hohe Bildauflösung mit einem Flachbettscanner (FPD) wird durch Direktkonversion von Röntgenstrahlung in elektrische Ladungsträger in der Photodiode bzw. Photoleiter erreicht. Die Herstellung dieser Photodioden und Photoleiter ist zu Zeit aufwändig und kostenintensiv, weil das Material, durch das direkte Konversion möglich wird, in der Regel amorphes Selen ist, wobei typische Schichtdicken bei 200 μm liegen. Andere Materialien für direkte Konversion können sein: CdTe (CadmiumTellurid) oder CdZnTe (CadmiumZinkTellurid) .
Y. Wang et al . (Science 1996, 273, 632-634) berichten über einen Photoleiter bei dem Nanopartikel aus anorganischen Materialien, wie beispielsweise Wismuttrij odid (BiI3) mit hohem Gewichtsanteil in einer organischen Matrix (Nylon-11) eingebettet sind. Bei dieser Technik werden mechanisch zerriebene Röntgenabsorber eingesetzt mit wenig definierter Größe und
Oberflächenstruktur, die als Nanopartikel bezeichnet werden. Diese Einbettung der mechanisch zerriebenen Partikel in eine polymere Matrix erweist sich als schwierig. Weiters werden als polymere Matrix geringe leitfähige Polymere (Polysilan, Polycarbazol) genutzt. Der Stromtransport in diesen hybriden Photoleitern wird im Wesentlichen durch den Ladungstransport über die wenig definierten Korngrenzen von Iodsalzen erreicht und ist deshalb relativ langsam und schlecht.
Der Einsatz organischer Photodioden, wie sie beispielsweise aus der WO 2007/017470 bekannt sind, ist nur im Zusammenhang mit indirekter Konversion bekannt. Ansonsten nutzt die Tech- nik der Konversion von Röntgenstrahlung durch Photodetektoren bisher nur anorganische Photodetektoren.
Gegenüber anorganischen Photodetektoren haben organische jedoch den entscheidenden Vorteil, dass sie großflächig her- stellbar sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, die Nachteile des Standes der Technik zu überwinden und die direkte Konversion mittels organischer Photodetektoren zu ermöglichen.
Gegenstand der Erfindung und Lösung der Aufgabe ist ein organischer Photodetektor zur direkten Konversion von Röntgenstrahlung, auf einem Substrat eine Elektrode, zumindest eine aktive organische Schicht und darauf eine obere Elektrode um- fassend, wobei in der aktiven Schicht in einer halbleitenden organischen Matrix halbleitende Nanopartikel eingearbeitet sind, die die direkte Konversion von Röntgenstrahlung in elektrische Ladungen ermöglichen. Außerdem ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors, bei dem zumindest die organische aktive Schicht aus Lösung („nasschemisch") hergestellt wird.
Der organische Photodetektor nach der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass die Konversion der Röntgenstrahlung in der gleichen Schicht wie die Erzeugung der Ladungen geschieht. Dadurch wird gewährleistet, dass für Röntgenaufnahmen eine hohe Auflösung erreichbar ist. Dies konnte bislang nur mit aufwändigen anorganischen Photodetektoren realisiert werden. Ganz generell können verschiedene halbleitende Nanopartikel oder Mischungen verschiedener Nanopartikel, beispielsweise auch in Form von Kristallen, eingesetzt werden.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform werden in die halbleitende Schicht halbleitende Nanokristalle eingearbeitet, die wiederum bevorzugt durch chemische Synthese hergestellt werden .
Beim Zerreiben zur Herstellung der Nanopartikel treten Fehler auf, die die Oberflächeneigenschaften der Nanopartikel beeinflussen .
Typische Nanopartikel sind Verbindungshalbleiter der Gruppe II-VI oder der Gruppe III-V. Auch Halbleiter der Gruppe IV können eingesetzt werden. Ideale Nanopartikel zeigen hohe Röntgenabsorptionseigenschaften, wie Bleisulfid (PbS), Blei- selendid (PbSe) , Quecksilbersulfid (HgS) , Quecksilberselenid (HgSe) , Quecksilbertellurid (HgTe) . Hableitende Nanopartikel oder Nanokristalle bei denen Quantisierung der Energieniveaus auftrifft (Quantum Dots) umfassen Durchmesser von 1 bis typischerweise 20 nm, bevorzugt 1 bis 15 nm und insbesondere bevorzugt von 1 bis lOnm. Bei größerem Durchmesser der halblei- tenden Nanokristalle weisen diese Bulkeigenschaften auf, die ebenfalls für Direktkonversion ausgenützt werden können. Die Ausgangssubstanz der organischen aktiven Schicht des Photodetektors liegt gelöst oder als Suspension in einem Lösungsmittel vor und wird durch nasschemische Prozessschritte (Schleu- dern, Rakeln, Drucken, Doctor Blading, Sprühbeschichtung,
Walzen usw.) auf eine untere Schicht wie beispielsweise ein Charge-Couples Device (CCD) oder ein Dünnfilmtransistor (Thin Film Transistor; TFT) Panel aufgebracht. Die Schichtdicken liegen je nach Herstellungsverfahren im Nanometer bzw. Mikro- meterbereich. Nur eine Top Elektrode ohne Strukturierung ist notwendig. Die Einbettung der Quantum Dots in die halbleitende organische, insbesondere polymere, Matrix kann unter anderem auch mit einem multiplen Sprühbeschichtungsverfahren erfolgen. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise in der noch unveröf- fentlichten 10 2008 015 290 DE als Multiples Spray Coating System für die Herstellung von polymerbasierten elektronischen Bauelementen beschrieben.
Nach einer besonders vorteilhaften Ausführungsform werden, um eine effiziente Röntgenabsorption zu gewährleisten, dicke
Schichten mit Dicken > 100 μm zur direkten Konversion hergestellt. Diese Schichten sind mit den oben genannten nasschemischen Verfahren auf einmal oder durch mehrlagige Schichten mit regelmäßiger Abfolge einer Halbleiterschicht und einer Zwischenschicht zum Aufbau der Gesamtschicht herstellbar. Die Halbleiterschicht wird dabei jeweils nasschemisch aufgetragen, beispielsweise durch Schleudern, Rakeln, Drucken, Doctor Blading, Walzen usw. Die Zwischenschicht hat bevorzugt gute Elektronen-, und Löchertransportfähigkeit und verhindert ein Anlösen darunter liegender organischer Halbleiterschichten beim Aufbringen der oberen Schichten. In der Figur 3 wird der schematische Aufbau eines solchen Multischichtaufbaus dargestellt.
Große Schichtdicken von mehreren 100 Mikrometern können aber auch über Sprühbeschichtung oder einen Eintauchprozess hergestellt werden.
Mehrlagige Schichten können beispielsweise auch über gesta- pelte Photodioden oder Photoleiter, wie in Figur 4 gezeigt, erreicht werden.
Die Arbeitsschritte erfolgen bei Temperaturen bis maximal 2000C, so dass auch auf flexiblen Substraten gearbeitet wer- den kann.
Der Volumenanteil von Nanopartikel, wie z. B. PbS, in der Absorberschicht ist nach einer Ausführungsform der Erfindung sehr hoch (typisch > 50 %, bevorzugt >55% oder besonders bevorzugt > 60 %), um eine entsprechende hohe Absorption der Röntgenstrahlung zu gewährleisten. Zur Ausblendung von Umgebungslicht wird z. B. eine Metallschicht auf die Dioden, be- vorzugt über der Verkapselung, aufgetragen.
Im Folgenden werden beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung noch anhand ausgewählter Figuren gezeigt.
Figur 1 zeigt den typischen Aufbau einer organischen Photodiode, Figur 2 zeigt einen pixelierten Photodetektor mit Nanoparti- kel eingebettet in der aktiven organischen Schicht. Figur 3 zeigt einen Multischichtaufbau zur Erzielung dickerer Schichten und
Figur 4 schließlich zeigt schematisch den Aufbau einer gestapelten Diode.
Figur 1 zeigt eine organische Photodiode 1. Sie umfasst auf einem Substrat 2 eine untere, bevorzugt transparente Elektrode 3, darauf optional eine Lochleitschicht 4, bevorzugt eine PEDOT/PSS Schicht und darüber eine organische photoleitfähige Schicht 5 in Form einer Bulk-Heterojunction mit darüber einer oberen Elektrode 6. Beispielsweise haben die organisch ba- sierten Photodioden ein vertikales Schichtsystem, wobei zwischen einer unteren Indium-Zinn-Oxid-Elektrode (ITO-Elek- trode) und einer oberen, beispielsweise Calcium und Silber umfassenden Elektrode sich eine PEDOT-Schicht mit einem P3HT- PCBM-Blend befindet. Der Blend aus den beiden Komponenten P3HT (PoIy (hexylthiophene) -2-5-diyl) als Absorber und/oder Lochtransportkomponente und PCBM Phenyl-C61- als Elektronenakzeptor und/oder Elektronendonor wirkt als so genannte „bulk-heterojunction", das heißt die Trennung der Ladungsträger erfolgt an den Grenzflächen der beiden Materialien, die sich innerhalb des gesamten Schichtvolumens ausbilden. Die Lösung kann durch Ersetzen oder Zumischen weiterer Materialien modifiziert werden. Die organische Photodiode 1 wird in Sperrrichtung betrieben und weist geringen Dunkelstrom auf.
Gemäß der Erfindung sind der aktiven organischen halbleiten- den Schicht Nanopartikel (hier nicht zu erkennen) zugesetzt. Nach einer bevorzugten Ausführungsform werden als Nanopartikel Nanokristalle eingesetzt.
Die Eignung der mit Nanopartikel modifizierten Schicht zur Konversion der Röntgenstrahlung wird durch die Energielücke in Halbleiterkristallen erreicht, die auch quantisiert wie im Falle von sehr kleinen Nanokristallen vorliegen kann. Werden Photonen oder hochenergetische Röntgenquante mit einer Energie größer als die Energielücke des Halbleiterkristalls ab- sorbiert, werden Exzitonen (Elektron-Loch-Paare) generiert.
Wird die Größe des Nanokristalls in allen 3 Dimensionen reduziert, wird die Anzahl der Energieniveaus reduziert und die Größe der Energielücke zwischen dem quantisierten Valenz- und Leitfähigkeitsband wird abhängig vom Durchmesser des Kristal- les und damit ändern sich auch deren Absorptions- oder Emissionsverhalten. So kann beispielsweise die Energielücke von PbS von ca. 0,42 eV (entsprechend einer Lichtwellenlänge von ca. 3 μm) in Nanokristallen mit einer Größe von ca. 10 nm auf IeV (entsprechend einer Lichtwellenlänge von 1240 nm) angeho- ben werden.
Röntgenstrahlung, die von Nanopartikel oder Nanokristallen absorbiert werden, generieren Exzitonen. Die daraus entstehenden Elektron-Loch-Paare im organischen Halbleiter werden im elektrischen Feld bzw. an den Grenzflächen organischen Halbleiter und Nanokristalle aufgetrennt und können durch Perkolationspfade zu den entsprechenden Elektroden als „Photostrom" abfließen.
Figur 2 zeigt einen schematischen Aufbau eines pixelierten Flachbild-Photodetektors mit Nanopartikel 7 eingebettet in der organischen aktiven Schicht 5. Die Konversion des Röntgenstrahls findet direkt in der organischen Photodiode statt. Als Absorber wirkt die oben beschriebene BuIk Heterojunction aus Elektronenakzeptor oder Elektronendonor mit eingebetteten halbleitenden Nanopartikel oder Nanokristallen .
Neben dem aus Figur 1 bekannten Aufbau der Photodiode mit Glassubstrat 2, das eine strukturierte Passivierungsschicht 12 mit Durchkontakten 9 zur Drain Elektrode 13 der unteren Elektrodenschicht 3 hat, sind hier auch die Nanopartikel 7 in der organischen aktiven Schicht 5 deutlich erkennbar (in Sum- me Frontplane) . Das Glassubstrat umfasst beispielsweise einen anorganischen Transistorarray mit a-Si-TFT also amorphem Silizium-Dünnfilmtransistoren (Backplane) , die kommerziell erhältlich sind. Die Passivierungsschichten 12 und 8 dienen dazu entweder die Photodioden zu verkapseln (z. B. Glasverkap- seiung) oder die Leitfähigkeit zwischen einzelnen a-Si TFT Pixel zu unterbinden.
Auf der unteren Elektrodenschicht 3 befindet sich die optionale Lochtransporterschicht 4 auf der sich wiederum die orga- nische aktive Schicht 5 befindet, die beispielsweise eine Dicke im Bereich von 100 bis zu 1500 μm, bevorzugt ca. 500 μm hat. Auf dieser Schicht ist der obere Aufbau analog zu dem aus Figur 1 bekannten.
Ein Röntgenstrahl 14, der auf einen Nanopartikel 7 trifft, wird dort absorbiert und ein Exziton (nicht gezeigt) daraus freigesetzt. Es entsteht ein Ladungsträger-Paar, wie gezeigt ein Elektron 15 und ein Loch 16 umfassend.
Die Figur 2 zeigt außerdem, dass das Substrat 2 und die untere Passivierungsschicht 12 zusammen mit der unteren strukturierten Elektrode 3 die kommerziell erhältliche Backplane 10 bilden, wohingegen der obere Teil des Device mit der aktiven organischen Schicht 5 die Frontplane 11 darstellen
Figur 3 zeigt einen Multischichtaufbau, womit mit herkömmlichen nasschemischen Methoden der Aufbau dickerer Schichten möglich wird. Dabei sind die einzelnen, in „normaler" Dünn- Schichttechnologie aufgebrachten organische aktiven Schichten 5, also 5a bis 5d, jeweils mit Nanopartikel 7 gefüllt, zu erkennen und zusätzlich die so genannte „magische Schicht", die Zwischenschichten 17, also 17a bis 17d, die die einzelnen dünnen Schichten voneinander trennt. Die Zwischenschicht 17, wie oben bereits beschrieben, hat bevorzugt eine gute Elektronen- und/oder Lochleitfähigkeit und schützt die untere Schicht jeweils vor dem Anlösen beim Aufbringen der nächsten Schicht .
Figur 4 schließlich zeigt einen schematischen Aufbau einer gestapelten Diode 1. Beliebig dicke Schichten können mit n gestapelten Dioden erzeugt werden. Zu erkennen sind jeweils nur schematisch die untere Elektrode 3, die optionale Loch- transportschicht 4, die organisch aktive Schicht 5 mit den Nanopartikel 7, die Kathode 6 und die obere Zwischenschicht 17.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ergeben sich folgende Vor- teile gegenüber dem Stand der Technik:
Organische Photodiode bzw. organischer Photoleiter mit geringem Dunkelstrom und eingebettetem Röntgenabsorber (Nanopartikel oder Nanokristalle) b) Nanopartikel oder Nanokristalle mit definierten Durchmessern (aus der Lösung hergestellt) führen zu reproduzierbaren Absorbern mit geringerem Ladungsträgerfallen im Vergleich zu mechanisch zerkleinerten und daher wenig definierten Nanopartikeln . c) Durch die nasschemische Prozessierung können Diodenfabrikationen auf TFT Panelen für direkte Konversion von Röntgenstrahlung durchgeführt werden ohne den Einsatz von Vakuumtechnik und klassischer Halbleiterprozesstechnik d) Die Einbettung des nanokristallinen Röntgenabsorber in ein halbleitendes Polymer erlaubt eine großflächige Prozessierung e) Die Fabrikation der organischen Dioden kann aufgrund der niedrigen (< 2000C) Prozessierungstemperaturen auf flexiblen TFT Substraten erfolgen. f) Schichten von mehren 100 μm mit ausreichender Röntgenab- sorption können durch Sprühbeschichtung oder durch MuI- tischichten erreicht werden.
Diese Erfindung beinhaltet die kostengünstige Herstellung eines direkten Röntgenstrahlkonverters basierend auf einem Kom- posit von organischem Halbleiter und halbleitenden Nanoparti- keln, die großflächig als organische Photodiode bzw. Photoleiter auf Flachbettscanner durch nasschemische Prozesse aufgebracht werden können.

Claims

Patentansprüche
1. Organischer Photodetektor zur direkten Konversion von Röntgenstrahlung, auf einem Substrat (2) eine Elektrode (3), zumindest eine aktive organische Schicht (5) und darauf eine obere Elektrode (6) umfassend, wobei in der aktiven Schicht in einer halbleitenden organischen Matrix halbleitende Nano- partikel (7) eingearbeitet sind, die die direkte Konversion von Röntgenstrahlung in elektrische Ladungen ermöglichen.
2. Photodetektor nach Anspruch 1, wobei die Nanopartikel (7) in Form von Nanokristallen (7) vorliegen.
3. Photodetektor nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Nanopartikel (7) oder Nanokristalle durch chemische Synthese hergestellt werden.
4. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Nanopartikel (7) Verbindungshalbleiter der Gruppe II-VI, der Gruppe IV oder der Gruppe III-V sind.
5. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Nanopartikel (7) aus Bleisulfid (PbS), Bleiselendid
(PbSe), Quecksilbersulfid (HgS), Quecksilberselenid (HgSe) und/oder Quecksilbertellurid (HgTe) sind.
6. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Nanopartikel (7) typische Durchmesser von 1 bis 20nm haben .
7. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die organische aktive Schicht (5) des Photodetektors eine Schichtdicke von > 100 μm hat.
8. Photodetektor nach Anspruch 7, wobei die Schichtdicke durch Mehrlagigkeit der organischen aktiven Schicht (5) mit einer Zwischenschicht (17) erreicht wird (Figur 3).
9. Photodetektor nach Anspruch 7, wobei die Schichtdicke durch eine Stapelung der Photodioden entsteht (Figur 4).
10. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wo- bei eine Metallschicht auf der Photodiode (1) angeordnet ist.
11. Photodetektor nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Nanopartikel (7) in der aktiven organischen Schicht
(5) in einem Volumenanteil von mindestens 50 % eingearbeitet sind.
12. Verfahren zur Herstellung eines Photodetektors, bei dem zumindest die organische aktive Schicht (5) aus Lösung („nasschemisch") hergestellt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem zumindest die organisch aktive Schicht (5) durch Schleudern, Rakeln, Drucken, Doctor Blading, Sprühbeschichtung und/oder Walzen hergestellt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei die Arbeitsschritte bei Temperaturen bis maximal 2000C erfolgen.
PCT/EP2009/057864 2008-06-25 2009-06-24 Photodetektor und verfahren zur herstellung dazu Ceased WO2009156419A1 (de)

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