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WO2008122410A3 - Elément de correction optique, procédé de correction des aberrations d'images dues à la température dans les systèmes optiques, objectif de projection et appareil d'exposition par projection pour la lithographie de semi-conducteurs - Google Patents

Elément de correction optique, procédé de correction des aberrations d'images dues à la température dans les systèmes optiques, objectif de projection et appareil d'exposition par projection pour la lithographie de semi-conducteurs Download PDF

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WO2008122410A3
WO2008122410A3 PCT/EP2008/002693 EP2008002693W WO2008122410A3 WO 2008122410 A3 WO2008122410 A3 WO 2008122410A3 EP 2008002693 W EP2008002693 W EP 2008002693W WO 2008122410 A3 WO2008122410 A3 WO 2008122410A3
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WO
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correction
optical
exposure apparatus
temperature
imaging aberrations
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PCT/EP2008/002693
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WO2008122410A2 (fr
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Daniel Kraehmer
Olaf Conradi
Aurelian Dodoc
Ulrich Loering
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
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Publication date
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Abstract

L'invention concerne un procédé destiné à corriger les aberrations d'images dues à la température dans un système optique. La correction est effectuée à l'aide d'une couche de liquide (24) introduite dans le système optique. La répartition de la température de cette couche de liquide (24) est rendue hétérogène par absorption d'un rayonnement optique utile, ce qui permet de compenser les aberrations d'images. L'invention concerne en outre un élément de correction optique (21) destiné à être utilisé dans ledit procédé, un objectif de projection (7) et un appareil d'exposition par projection (1) comportant ledit élément de correction optique (21).
PCT/EP2008/002693 2007-04-05 2008-04-04 Elément de correction optique, procédé de correction des aberrations d'images dues à la température dans les systèmes optiques, objectif de projection et appareil d'exposition par projection pour la lithographie de semi-conducteurs Ceased WO2008122410A2 (fr)

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