[go: up one dir, main page]

WO2008150026A1 - 熱電変換素子及びその製造方法 - Google Patents

熱電変換素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2008150026A1
WO2008150026A1 PCT/JP2008/060732 JP2008060732W WO2008150026A1 WO 2008150026 A1 WO2008150026 A1 WO 2008150026A1 JP 2008060732 W JP2008060732 W JP 2008060732W WO 2008150026 A1 WO2008150026 A1 WO 2008150026A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermoelectric conversion
conversion material
particles
conversion element
material particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2008/060732
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Junya Murai
Takuji Kita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to EP08765503.1A priority Critical patent/EP2154736B1/en
Priority to US12/602,820 priority patent/US8617918B2/en
Priority to JP2009517929A priority patent/JP4900480B2/ja
Priority to CN200880015995.1A priority patent/CN101681979B/zh
Publication of WO2008150026A1 publication Critical patent/WO2008150026A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur

Definitions

  • thermoelectric conversion element comprising two or more thermoelectric conversion materials and a method for producing the same.
  • thermoelectric conversion material is a material that can mutually convert heat energy and electric energy, and is a material constituting a thermoelectric conversion element used as a thermoelectric cooling element or a thermoelectric power generation element.
  • This thermoelectric conversion material uses the Seebeck effect to perform thermoelectric conversion, and its thermoelectric conversion performance is expressed by the following equation (1) called the figure of merit Z T.
  • thermoelectric conversion performance of the thermoelectric conversion material it is necessary to increase the Seebeck coefficient ⁇ and the electric conductivity ⁇ of the material to be used and to decrease the thermal conductivity ⁇ . Recognize.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-2 4 2 5 3 5 discloses that the starting material particles of the thermoelectric conversion material do not react with the base material of the thermoelectric conversion material ( The addition of inert fine particles) is described. As a result, the inactive fine particles can scatter phonon, which is the main factor of heat conduction in the thermoelectric conversion material, and reduce the thermal conductivity ⁇ .
  • thermoelectric conversion material inert fine particles are unevenly distributed. Therefore, the effect of deterioration of other physical properties such as electrical resistivity due to uneven distribution of inert fine particles is larger than the scattering effect of phonon by inert fine particles, and the improvement in performance of thermoelectric conversion materials is hindered.
  • thermoelectric conversion materials exhibit strong temperature dependence.
  • B i 2 Te 2 system for low temperature region P b Te system for medium temperature region, and high temperature region S i G e-based thermoelectric conversion materials are used for this, and it was necessary to select the materials according to the operating temperature range.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-6056 3 proposes a composite thermoelectric conversion material in which vacancies in a structure are filled with atoms.
  • the technique disclosed in the above Japanese Patent Laid-Open No. 10-2 4 2 5 3 5 makes it easy to disperse the inert fine particles throughout the base material of the thermoelectric conversion material by making both the starting material and the inert fine particles into fine particles. Therefore, since the probability of being present between the starting material particles is high, crystallization of the base material particles can be prevented.
  • the inert fine particles are uniformly dispersed and other physical property values not directly related to the above formula (1), such as electrical resistivity, are adjusted.
  • the electrical conductivity ⁇ and thermal conductivity ⁇ which are directly related to the index ZT, have not been studied. Therefore, the inert fine particles in the above prior art have a micron-scale particle size. In addition, no precise examination has been made on the dispersion state of the inert fine particles.
  • an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a thermoelectric conversion element having an excellent performance index and a wide use temperature range, and a manufacturing method thereof. Disclosure of the invention
  • thermoelectric conversion material particle having an average particle diameter of 1 to 100 nm is dispersed in the first thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion material particles in the first aspect, is an average free carrier of the first thermoelectric conversion material. It is characterized by being distributed at intervals longer than the stroke.
  • the first thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm and the second thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm are used.
  • the first thermoelectric conversion material particles and the second thermoelectric conversion material particles were prepared by mixing the thermoelectric conversion material particles and the pH adjusting material in alcohol to prepare an alcohol dispersion liquid of the alcohol dispersion liquid.
  • a method for manufacturing a thermoelectric conversion element which includes a step of aggregating and then sintering the first thermoelectric conversion material particles and the second thermoelectric conversion material particles by changing H.
  • the second thermoelectric conversion material particles are dispersed as a dispersed phase in the continuous phase of the first thermoelectric conversion material, and the dispersion interval of the second thermoelectric conversion material particles is changed to the first thermoelectric conversion.
  • the first thermoelectric conversion material and the second thermoelectric conversion material are selected to have different operating temperature ranges, the operating temperature range can be expanded as compared with the case where a single thermoelectric conversion material is used.
  • Equation (1) in the right side of Equation (1), the decreasing rate of the thermal conductivity ⁇ of the numerator is larger than the decreasing rate of the electrical conductivity ⁇ in the denominator, and ⁇ Therefore, the figure of merit ⁇ ⁇ expressed by equation (1) becomes high.
  • the first thermoelectric conversion material particles having the nano-order particle size and the second thermoelectric conversion particles are mixed in alcohol and uniformly dispersed, and in this state, ⁇ is changed.
  • the first thermoelectric conversion material particles or the second thermoelectric conversion material particles can be agglomerated in a state where both particles are uniformly dispersed without agglomerating each other.
  • the dispersion interval of the conversion material particles can be made less than the mean free path of the phonon of the first thermoelectric conversion material.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the thermoelectric conversion element of the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the relationship between the structure size of the thermoelectric conversion material and the Seebeck coefficient ⁇ , electrical conductivity ⁇ , or thermal conductivity ⁇ .
  • FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the thermoelectric conversion element of the present invention.
  • FIG. 4 is a TEM image of the thermoelectric conversion element of the present invention.
  • Figure 5 is a graph showing the measurement results of the Seebeck coefficient.
  • Fig. 6 is a graph showing the measurement results of thermal conductivity.
  • Fig. 7 is a graph showing the measurement results of specific resistance.
  • Figure 8 is a graph showing the calculated figure of merit.
  • thermoelectric conversion element of the present invention is formed by dispersing second thermoelectric conversion material particles 2 having an average particle diameter of 1 to 100 nm in a first thermoelectric conversion material 1.
  • the thermoelectric conversion element is characterized in that at least a part of the second thermoelectric conversion material particles are dispersed at an interval equal to or less than the mean free path of phonon of the first thermoelectric conversion material.
  • the relationship between the figure of merit Z T and the structure of the thermoelectric conversion material will be described in detail with reference to FIG.
  • the thermal conductivity ⁇ of the thermoelectric conversion material gradually decreases as the microstructure size of the thermoelectric conversion material becomes smaller starting from the length of the mean free path of phonon. Therefore, the figure of merit, Z T, is improved when the structure size is designed to be smaller than the mean free path of Phonon.
  • thermoelectric conversion material even if the microstructure size of the thermoelectric conversion material is smaller than the mean free path of phonon, the electrical conductivity ⁇ of the thermoelectric conversion material does not decrease, and the particle size is generally smaller than the mean free path of the carrier. It decreases when In this way, by utilizing the difference between the structural dimensions of the thermoelectric conversion material where the thermal conductivity ⁇ begins to decrease and the structural dimensions of the thermoelectric conversion material where the electrical conductivity begins to decrease, the rate of decrease in electrical conductivity By setting the structure dimension of the thermoelectric conversion material to be equal to or greater than the carrier mean free path and less than the phonon mean free path so that the reduction ratio of the thermal conductivity ⁇ is larger than that of the thermoelectric conversion material. (1) The figure of merit ( ⁇ Can be increased.
  • the particle size of the particles dispersed in the thermoelectric conversion material or the dispersion interval between the particles that defines the tissue size of the thermoelectric conversion material. Therefore, in the present invention, the dispersion interval between the second thermoelectric conversion material particles dispersed in the first thermoelectric conversion material is controlled so as to obtain the above effect.
  • the interval between the second thermoelectric conversion material particles dispersed in the first thermoelectric conversion material is equal to or less than the phonon mean free path of the first thermoelectric conversion material, and preferably the first This is not less than the carrier mean free path of the thermoelectric conversion material and less than the mean free path of phonon of the first thermoelectric conversion material.
  • this interval is preferably 1 nm or more and 10 O nm or less, and more preferably 1 nm or more and 10 O nm or less.
  • M F P mean free path
  • the dispersion interval is not more than the mean free path of phonon of the first thermoelectric conversion material, preferably not more than 100 nm, phonon is sufficiently scattered and the thermal conductivity / c of the thermoelectric conversion element decreases.
  • this interval is preferably 1 nm or more.
  • the first thermoelectric conversion material is dispersed at intervals equal to or greater than the free mean path of the carrier, and the rate of decrease in thermal conductivity ⁇ is made larger than the rate of decrease in electrical conductivity ⁇ , resulting in a figure of merit ⁇ ⁇ In order to increase, this interval is more preferably 1 O nm or more.
  • the second thermoelectric conversion material particles having the dispersion interval are 50% or more in terms of volume with respect to all the second thermoelectric conversion material particles in the thermoelectric conversion element, preferably It is 70% or more, more preferably 90% or more. If it is less than 50%, phonon may not be sufficiently scattered and the thermal conductivity / may not decrease.
  • the particle size of the second thermoelectric conversion material particles dispersed in the first thermoelectric conversion material is equal to or less than the mean free path of phonon of the second thermoelectric conversion material. l to 100 nm.
  • the particle size of the second thermoelectric conversion material particles is equal to or less than the phonon mean free path, the presence of the second thermoelectric conversion material particles causes sufficient phonon scattering.
  • the thermal conductivity ⁇ decreases, and as a result, the figure of merit ⁇ ⁇ improves.
  • the second thermoelectric conversion material particles having the above particle diameter are 50% or more in terms of volume with respect to all the second thermoelectric conversion material particles in the thermoelectric conversion element, preferably 70% Or more, more preferably 95% or more. If it is less than 50%, phonon may not be sufficiently diffused and the thermal conductivity ⁇ ⁇ ⁇ may not decrease.
  • both the first thermoelectric conversion material and the second thermoelectric conversion material may be bowl-shaped or bowl-shaped.
  • the material of the vertical thermoelectric conversion material is not particularly limited.
  • Bi 2 Te 3 series, P b Te series, Zn 4 S b 3 series, Co S b 3 series, half-Heusler series, full-Heusler System, SiGe system, etc. can be used.
  • the material of the N-type thermoelectric conversion material known materials can be applied without any particular limitation.
  • the thermoelectric conversion material used in the present invention preferably has an output factor larger than 1 mW / K 2, more preferably S mWZK 2 or more, and further preferably 3 mW / K 2 or more. If the output factor is 1 mWZK 2 or less, no significant performance improvement can be expected. Further, the thermal conductivity ⁇ of the thermoelectric conversion material is preferably larger than 5 WZmK, more preferably 7 W / mK or more, and further preferably 10 W / mK or more. When the thermal conductivity ⁇ is larger than 5 W / mK, the effect of the present invention is particularly remarkable.
  • the effect of controlling the microstructure dimensions of the thermoelectric conversion material with the nanoorder specified in the present invention is that the lower the thermal conductivity ⁇ , the more the thermal conductivity / has a larger thermal conductivity.
  • a thermoelectric conversion material with a thermal conductivity ⁇ greater than 5 W / mK when using a thermoelectric conversion material with a thermal conductivity ⁇ greater than 5 W / mK.
  • the effect of decreasing the thermal conductivity K is significant.
  • thermoelectric conversion material exhibits a strong temperature dependence
  • examples of such combinations of the first thermoelectric conversion material and the second thermoelectric conversion material include BiTe / CoSb, BiTe / PbTe, PbTeZSiGe, Examples include BiTe / SiGe, BiTe / half-Heusler, CoSbZSiGe, and half-whisler / SiGe.
  • the method for producing a thermoelectric conversion element of the present invention comprises: first thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm; and second thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 1OO nm. And a pH adjusting material to prepare a dispersion of the first thermoelectric conversion material particles and the second thermoelectric conversion material particles, and the first thermoelectric conversion by changing the pH of the dispersion Including a step of aggregating the material particles and the second thermoelectric conversion material particles and then sintering. First, a solution or slurry containing the first thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm is prepared. .
  • Nano-order particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm can be prepared by various methods.
  • the particles are reduced in a solution or slurry containing a salt of an element constituting the thermoelectric conversion material, It is prepared by heat-treating the element particles constituting the obtained thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion material when the thermoelectric conversion material is Co S b 3 , the salt of the element constituting the thermoelectric conversion material is cobalt chloride hydrate and antimony chloride.
  • 6 S b 3 is a hydrate of cobalt chloride, refers to nickel chloride, and antimony chloride.
  • the element salt constituting the thermoelectric conversion material is not particularly limited in content in the solution or slurry, and is preferably adjusted as appropriate according to the type of solvent and raw material used.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse a salt of an element constituting the thermoelectric conversion material, and examples thereof include alcohol and water, and it is preferable to use ethanol.
  • Any reducing agent may be used as long as it can reduce ions of the elements constituting the thermoelectric conversion material. For example, Na BH 4 , hydrazine and the like can be used.
  • thermoelectric conversion material The particles of the elements constituting the thermoelectric conversion material thus obtained are subjected to a heat treatment, for example, with a crepe or the like.
  • a heat treatment for example, with a crepe or the like.
  • the thermoelectric conversion material is hydrothermally synthesized from the particles of the elements constituting the thermoelectric conversion material. Since the time and temperature of this heat treatment vary depending on the type and content of the solvent used and the thermoelectric conversion material, it is preferable to adjust appropriately.
  • thermoelectric conversion material particles having an average particle diameter of 1 to 100 nm is prepared.
  • the first thermoelectric conversion material particles 1 and the second thermoelectric conversion material particles 2 thus obtained are mixed together with a pH adjusting material to prepare a dispersion (FIG. 3 (a)).
  • the solvent is not particularly limited as long as it can disperse the thermoelectric conversion material particles and the pH adjusting material, and examples thereof include alcohol and water, and it is preferable to use ethanol.
  • the pH adjusting material is used to suppress aggregation of the thermoelectric conversion material particles, and a known one can be appropriately applied. For example, nitric acid, aqueous ammonia, sodium borohydride (N a BH 4 ), etc. Can be used.
  • the pH of this dispersion is preferably adjusted to 10.
  • thermoelectric conversion material particles and the second thermoelectric conversion material particles are changed by changing the pH of the dispersion liquid. Aggregate thermoelectric material particles at once. Specifically, when Bi 2 Te 3 is used as the first thermoelectric conversion material particle and Co S b 3 is used as the second thermoelectric conversion material particle, the isoelectric point of Bi 2 Te 3 7 to 8, and the isoelectric point of Co S b 3 is 6 to 7. Therefore, the dispersion of Bi 2 Te 3 ZC o S b 3 is dispersed by setting pH 8 to l 0. By maintaining the state and adding HC 1 to this dispersion to a pH of 7, B i 2 Te 3 and Co S b 3 can be coagulated at once (Fig. 3 (b )).
  • thermoelectric conversion material may be molded by pressurizing.
  • the sintering step and the molding step may be provided separately, and the pressure molding and sintering may be performed separately, but it is preferable to sinter while pressure molding.
  • any method such as a hot press sintering method, a hot isostatic pressing method, a discharge plasma sintering method, or the like can be used.
  • the discharge plasma sintering method is preferable from the viewpoint of enabling temperature rise and sintering in a short time and controlling grain growth easily.
  • the sintering temperature in the spark plasma sintering method is preferably 400 to 80 ° C in the case of Co S b, more preferably 45 to 60 ° C, and in the case of BiTe 2 5 0 to 500 ° C. is preferable, and 30 to 400 ° C. is more preferable.
  • the sintering time is preferably 90 minutes or less, and more preferably 60 minutes or less.
  • the pressure during pressurization is preferably 2 OMPa or more, more preferably 4 OMPa or more.
  • thermoelectric conversion element of the present invention may be obtained by a method in which particles of two or more thermoelectric conversion materials are produced and mixed and sintered in addition to the above production method. Even so, the first thermoelectric conversion material
  • the structural dimensions of the material are less than the mean free path of the phonon of the first thermoelectric conversion material, preferably the carrier If the average free path is less than or equal to the average free path of the phonon, the phonon in the first thermoelectric conversion material is sufficiently dispersed, and the thermal conductivity c can be reduced.
  • the thermoelectric conversion element having a large figure of merit ZT represented by Equation (1) is obtained.
  • the thermoelectric conversion element of the present invention is an excellent thermoelectric conversion element exhibiting a high figure of merit ZT. It is also possible to obtain a thermoelectric conversion element with a figure of merit ZT exceeding 2 that was difficult to manufacture.
  • thermoelectric conversion element of the present invention was obtained by drying and 3 to 3 sintering at 3500 to 400 ° C.
  • thermoelectric conversion element ((C o, F e) S b 3/3 0 vo 1% S b 2 T e 3) shown in FIG.
  • Co is the first thermoelectric conversion material.
  • F e is the first thermoelectric conversion material.
  • thermoelectric conversion element (I) the performance index ⁇ ⁇ was calculated by measuring the Seebeck coefficient, thermal conductivity ⁇ , and specific resistance (electrical conductivity ⁇ ) of the obtained thermoelectric conversion element (I).
  • S b 2 Te 3 (II), (C o, F e) S b 3 (111), and (C o, F e) S b 3 Z 3 0 vol% S b 2 Te 3 and 10 II m (IV) were measured in the same manner. The results are shown in Figs.
  • the Zeebeck coefficient is measured by measuring the thermoelectromotive force generated by pressing a thermocouple wire on the sample piece cut out of the thermoelectric conversion material and providing a temperature difference in the sample piece in the heating furnace.
  • the thermal conductivity ⁇ was calculated by multiplying the density measured by the volume method, the specific heat measured by the DSC method, and the thermal diffusivity measured by the laser flash method.
  • the specific resistance was measured by the four probe method.
  • the figure of merit (ZT) was calculated by the above formula (1).

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

第1の熱電変換材料中に平均粒径が1~100nmである少なくとも1種の第2の熱電変換材料粒子が分散されてなる熱電変換素子であって、前記第2の熱電変換材料粒子の少なくとも一部が、第1の熱電変換材料のフォノンの平均自由行程以下の間隔で分散されてなる、熱電変換素子が提供される。

Description

明 細 書 熱電変換素子及びその製造方法 技術分野
本発明は、 2種以上の熱電変換材料からなる熱電変換素子及びそ の製造方法に関する。 背景技術
熱電変換材料は、 熱エネルギーと電気エネルギーを相互に変換す ることができる材料であり、 熱電冷却素子ゃ熱電発電素子として利 用される熱電変換素子を構成する材料である。 この熱電変換材料は ゼーベック効果を利用して熱電変換を行うものであるが、 その熱電 変換性能は、 性能指数 Z Tと呼ばれる下式 ( 1 ) で表される。
Ζ Ύ = 2 ο Ύ κ ( 1 )
(上式中、 αはゼーベック係数を、 σは電気伝導率を、 κは熱伝導 率を、 そして Τは測定温度を示す)
上記式 ( 1 ) から明らかなように、 熱電変換材料の熱電変換性能 を高めるためには、 用いる材料のゼーベック係数 α及び電気伝導率 σ を大きく し、 熱伝導率 κを小さくすればよいことがわかる。 ここ で材料の熱伝導率 κを小さくするために、 特開平 1 0 - 2 4 2 5 3 5号公報には、 熱電変換材料の出発原料の粒子に熱電変換材料の母 材と反応しない微粒子 (不活性微粒子) を添加することが記載され ている。 これにより、 不活性微粒子が熱電変換材料における熱伝導 の主要因であるフオノンを散乱させて、 熱伝導率 κを低減すること ができる。
しかしながら、 従来の熱電変換材料では、 不活性微粒子が偏在す ることによって、 不活性微粒子によるフオノンの散乱効果よりも不 活性微粒子の偏在による電気抵抗率等の他の物性値の悪化の影響が 大きく、 熱電変換材料の性能向上が妨げられている。
また、 熱電変換材料は強い温度依存性を示すものであり、 使用に 際して、 例えば低温領域用には B i 2 T e 2系、 中温領域用には P b T e系、 高温領域用には S i G e系の熱電変換材料が用いられてお り、 使用温度領域によって材料を選択する必要があった。 そのため 、 特開平 1 0 — 6 0 5 6 3号公報では、 構造内の空孔に原子を充填 した複合熱電変換材料が提案されている。
上記特開平 1 0 — 2 4 2 5 3 5号公報に開示の技術は、 出発原料 と不活性微粒子の両者を微粒子とすることで、 不活性微粒子を熱電 変換材料の母材全体に分散し易くなり出発原料の粒子間に存在する 確率が高くなるので、 母材の粒子同士の結晶化を防止することがで きるというものである。 しかしながら、 上記従来技術では、 不活性 微粒子を均一に分散させて、 電気抵抗率など上記式 ( 1 ) に直接関 係しない他の物性値の調整を行っているが、 式 ( 1 ) 中、 性能指数 Z Tに直接関係する電気伝導率 σ及び熱伝導率 κについての検討は なされていない。 そのため、 上記従来技術での不活性微粒子は、 ミ クロンスケールの粒径を有するものである。 また、 不活性微粒子の 分散状態について、 精密な検討はなされていない。
上記特開平 1 0 — 6 0 5 6 3号公報に開示の技術では、 複合化に よって有用な使用温度領域を拡大するとされているが、 幅広い温度 領域において十分な特性が得られていない。
そこで本発明では、 上記従来の問題を解決し、 優れた性能指数を 有しかつ使用温度領域の広い熱電変換素子及びその製造方法を提供 することを目的とする。 発明の開示
上記課題を解決するために第 1の態様によれば、 第 1 の熱電変換 材料中に平均粒径が 1 〜 1 0 0 n mである少なく とも 1種の第 2の 熱電変換材料粒子が分散されてなる熱電変換素子であって、 前記第 2の熱電変換材料粒子の少なく とも一部が、 第 1 の熱電変換材料の フオノンの平均自由行程以下の間隔で分散されてなる、 熱電変換素 子が提供される。
上記課題を解決するために第 2の態様によれば、 第 1 の態様にお いて、 前記第 2の熱電変換材料粒子の少なく とも一部が、 第 1 の熱 電変換材料のキャリアの平均自由行程以上の間隔で分散されてなる ことを特徴とする。
上記課題を解決するために第 3の態様によれば、 平均粒径が 1 〜 1 0 0 n mである第 1 の熱電変換材料粒子と、 平均粒径が 1 〜 1 0 0 n mである第 2の熱電変換材料粒子と、 p H調整材とをアルコー ル中で混合して前記第 1の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材料 粒子のアルコール分散液を調製し、 このアルコール分散液の p Hを 変化させることにより第 1の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材 料粒子を凝集させ、 次いで焼結する工程を含む、 熱電変換素子の製 造方法が提供される。
第 1の態様によれば、 第 1の熱電変換材料の連続相中に第 2の熱 電変換材料粒子を分散相として分散させ、 第 2の熱電変換材料粒子 の分散間隔を第 1の熱電変換材料のフオノンの平均自由行程以下に することにより、 分散相と連続相との界面においてフオノン散乱が 活発になるため、 格子熱伝導率が大幅に低減し、 熱電変換素子の性 能が向上する。 また、 第 1の熱電変換材料及び第 2の熱電変換材料 として、 使用温度領域の異なるものを選択すれば、 単独の熱電変換 材料を用いた場合より も使用温度領域を拡大することができる。 熱電変換材料中に含まれるキャリア (電子または正孔 (ホール)
) は、 熱及び電気を共に伝えるので、 電気伝導率 σと熱伝導率 Kと は比例関係にある。 しかし、 第 1 の熱電変換材料に分散する第 2の 熱電変換材料粒子同士の分散間隔が、 熱電変換材料のキャリアの平 均自由行程以上である場合、 電気伝導性の減少率より も、 熱伝導率 κの減少率が大きいため、 結果として、 性能指数 Ζ Τが向上する。 また、 一般に電気伝導率 σとゼーベック係数 αとは反比例関係にあ るため、 電気伝導性が減少すると、 ゼーベック係数 αは増加する。 つまり、 第 2の態様によれば、 式 ( 1 ) の右辺において、 分母にあ る電気伝導率 σの減少割合よりも分子の熱伝導率 κの減少割合が大 きくなり、 且つ分子である αを増加させるため、 式 ( 1 ) で表され る性能指数 Ζ Τが高くなる。
第 3の態様によれば、 ナノオーダーの粒径を有する第 1 の熱電変 換材料粒子と第 2の熱電変換粒子をアルコール中で混合して均一に 分散させ、 この状態で ρ Ηを変化させることにより一気に凝集させ ることによって、 第 1の熱電変換材料粒子又は第 2の熱電変換材料 粒子同士が凝集することなく、 両者が均一に分散した状態で凝集さ せることができ、 第 2の熱電変換材料粒子の分散間隔を第 1 の熱電 変換材料のフオノ ンの平均自由行程以下にすることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の熱電変換素子の構成を示す略図である。
図 2は、 熱電変換材料の組織寸法と、 ゼーベック係数 α、 電気伝 導率 σ又は熱伝導率 κとの関係を示すグラフである。
図 3は、 本発明の熱電変換素子の製造工程を示す図であり、 図 3
( a )は分散液の調製を示し、 図 3 ( b )は凝集体を示し、 図 3 ( c )は 焼結体を示す。 図 4は、 本発明の熱電変換素子の T E M像である。
図 5は、 ゼーベック係数の測定結果を示すグラフである。
図 6は、 熱伝導率の測定結果を示すグラフである。
図 7は、 比抵抗の測定結果を示すグラフである。
図 8は、 算出した性能指数を示すグラフである。 発明を実施するための最良の形態
本発明の熱電変換素子は、 図 1 に示すように、 第 1の熱電変換材 料 1 中に平均粒径が 1〜 1 0 0 n mである第 2の熱電変換材料粒子 2が分散されてなる熱電変換素子であって、 前記第 2の熱電変換材 料粒子の少なく とも一部が、 第 1 の熱電変換材料のフオノ ンの平均 自由行程以下の間隔で分散されてなることを特徴とする。
ここで、 性能指数 Z Tと熱電変換材料の組織構成との関係につい て、 図 2を参照しながら詳細に説明する。 図 2に示すように、 熱電 変換材料の組織寸法が、 フオノ ンの平均自由行程の長さを起点にこ れよりも小さくなるにつれて、 熱電変換材料の熱伝導率 κは徐々に 減少する。 したがって、 組織寸法がフオノンの平均自由行程よりも 小さくなるように設計すると、 性能指数 Z Tが向上する。
一方、 熱電変換材料の組織寸法がフオノンの平均自由行程を起点 にこれより小さくなつても、 熱電変換材料の電気伝導率 σは減少せ ず、 概ねキャ リアの平均自由行程以下の粒径となった場合に減少す る。 このように、 熱伝導率 κが減少し始める熱電変換材料の組織寸 法と、 電気伝導率ひが減少し始める熱電変換材料の組織寸法とが異 なることを利用し、 電気伝導性の減少率よりも熱伝導率 κの減少率 が大きい熱電変換材料の組織寸法となるように、 熱電変換材料の組 織寸法をキヤリァの平均自由行程以上フオノ ンの平均自由行程以下 とすることで、 上記式 ( 1 ) で表される性能指数 Ζ Τをよりいっそ う高めることができる。
ここで、 熱電変換材料の組織寸法を規定するのは、 熱電変換材料 中に分散される粒子の粒径、 又は粒子同士の分散間隔である。 そこ で、 本発明では、 第 1の熱電変換材料に分散される第 2の熱電変換 材料粒子同士の分散間隔を、 上記効果が得られるように制御してい る。
すなわち、 本発明において、 第 1 の熱電変換材料中に分散される 第 2の熱電変換材料粒子同士の間隔は、 第 1の熱電変換材料のフォ ノンの平均自由行程以下であり、 好ましくは第 1の熱電変換材料の キヤリァの平均自由行程以上、 第 1の熱電変換材料のフオノンの平 均自由行程以下である。 具体的には、 この間隔は、 l n m以上 1 0 O nm以下であることが好ましく、 1 O n m以上 1 0 O nm以下で あることがより好ましい。
ここで、 平均自由行程 (M F P ) は、 以下の式を用いて計算され る。
キャリア M F P - (移動度 X有効質量 Xキャリア速度) Z電荷 フオノン M F P = 3 X格子熱伝導率 Z比熱/音速
上式において、 各々の値は文献値と温度特性の近似式から換算し
、 比熱のみ実測値を用いる。
ここで、 C o S b 3について計算したキャ リア M F Pとフオノン
M F Pの結果を以下に示す。 表 1
キャリア MFPとフオノン MFP (平均自由行程) の計算結果
Figure imgf000009_0001
このように、 キャリア M F P及びフオノン M F Pは材料及び温度 によってきまる力 S、 C o S b 3では 4 0 0 °C ( 6 7 3 K) において 最大性能を示すため、 4 0 0 °Cの平均自由行程で判断している。
分散の間隔が第 1の熱電変換材料のフオノ ンの平均自由行程以下 、 好ましくは 1 0 0 nm以下であると、 フオノンが十分に散乱され て熱電変換素子の熱伝導率 / cが減少する。 また、 キャリアの散乱頻 度低減の観点から、 この間隔は 1 n m以上とすることが好ましい。 さらに、 第 1の熱電変換材料のキャリアの自由平均行程以上の間隔 で分散し、 電気伝導率 σの減少率よりも熱伝導率 κの減少率を大き く させて、 結果として性能指数 Ζ Τを高めるためには、 この間隔は 1 O n m以上であることがより好ましい。
なお、 本発明において、 上記分散間隔を有する第 2の熱電変換材 料粒子は、 熱電変換素子中の全第 2の熱電変換材料粒子に対して、 体積換算で 5 0 %以上であり、 好ましくは 7 0 %以上であり、 さら に好ましくは 9 0 %以上である。 5 0 %未満の場合には、 フオノン が充分に散乱されず熱伝導率 / が低下しない場合がある。
また、 上述のように、 第 1の熱電変換材料中に分散される第 2の 熱電変換材料粒子の粒径は、 第 2の熱電変換材料のフオノンの平均 自由行程以下であり、 具体的には l〜 1 0 0 nmである。 第 2の熱 電変換材料粒子の粒径がフォノンの平均自由行程以下の場合に、 第 2の熱電変換材料粒子の存在によってフォノンの散乱が十分に起こ り、 熱伝導率 κが減少し、 結果として性能指数 Ζ Τが向上する。 本発明において、 上記粒径を有する第 2の熱電変換材料粒子は、 熱電変換素子中の全第 2の熱電変換材料粒子に対して、 体積換算で 5 0 %以上であり、 好ましくは 7 0 %以上であり、 さらに好ましく は 9 5 %以上である。 5 0 %未満の場合には、 フオノンが十分に散 乱されず熱伝導率 Κが低下しない場合がある。
本発明において、 第 1の熱電変換材料及び第 2の熱電変換材料は 共に Ρ型であっても Ν型であってもよい。 Ρ型熱電変換材料の材質 としては特に制限なく、 例えば、 B i 2 T e 3系、 P b T e系、 Z n 4 S b3系、 C o S b3系、 ハーフホイスラー系、 フルホイスラー系 、 S i G e系などを用いることができる。 N型熱電変換材料の材質 としても特に制限なく公知の材料を適用することができ、 例えば、 B i 2 T e 3系、 P b T e系、 Z n4 S b 3系、 C o S b3系、 ハーフ ホイスラ一系、 フルホイスラー系、 S i G e系、 M g 2 S i 系、 M g 2 S n系、 C o S i 系などを用いることができる。
本発明において用いる熱電変換材料は、 出力因子が 1 mW/K2 よりも大きいことが好ましく、 S mWZK2以上であることがより 好ましく、 3 mW/K2以上であることがさらに好ましい。 出力因 子が 1 mWZK2以下の場合には、 あまり大きな性能向上が期待で きない。 また、 熱電変換材料の熱伝導率 κは、 5 WZmKよりも大 きいことが好ましく、 7 W/mK以上であることがより好ましく、 1 0 W/mK以上であることがさらに好ましい。 熱伝導率 κが 5 W /mKよりも大きい場合に、 特に本発明の効果が著しく呈される。 つまり、 熱電変換材料の組織寸法について本発明に規定するナノォ ーダ一で制御を行った場合の効果は、 熱伝導率 / が大きい熱電変換 材料を用いるほど熱伝導率 κの低下が著しくなる傾向にあり、 特に 熱伝導率 κが 5 W/mKより も大きい熱電変換材料を用いた場合に 、 熱伝導率 Kの減少効果が大きく現れる。
上記のように、 熱電変換材料は強い温度依存性を示すため、 第 1 の熱電変換材料と第 2の熱電変換材料は、 使用温度領域の異なるも のを組み合わせることが好ましい。 このような第 1の熱電変換材料 第 2の熱電変換材料の組み合わせの例として、 B i T e /C o S b, B i T e /P b T e , P b T e Z S i G e , B i T e / S i G e, B i T e /ハーフホイスラー、 C o S bZ S i G e、 ハーフホ イスラ一/ S i G eを例示することができる。
次に、 本発明の熱電変換素子の製造方法について、 詳細に説明す る。 本発明の熱電変換素子の製造方法は、 平均粒径が 1〜 1 0 0 n mである第 1の熱電変換材料粒子と、 平均粒径が 1〜 1 O O n mで ある第 2の熱電変換材料粒子と、 p H調整材とを混合して前記第 1 の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材料粒子の分散液を調製し、 この分散液の p Hを変化させることにより第 1 の熱電変換材料粒子 と第 2の熱電変換材料粒子を凝集させ、 次いで焼結する工程を含む まず、 平均粒径が 1〜 1 0 0 n mである第 1の熱電変換材料粒子 を含む溶液もしくはスラリーを調製する。 平均粒径が 1〜 1 0 0 n mというナノオーダーの粒子は各種の方法によって調製することが できるが、 好ましくは、 熱電変換材料を構成する元素の塩を含む溶 液もしくはスラリー中で還元し、 得られた熱電変換材料を構成する 元素の粒子を加熱処理することによって調製する。
具体的には、 熱電変換材料を構成する元素の塩を含む溶液もしく はスラリーを、 還元剤を含む溶液に滴下し、 塩を構成するイオンを 還元して原子を析出させることによってナノオーダーの粒子を形成 する。 熱電変換材料を構成する元素の塩は例えば、 熱電変換材料が C o S b 3の場合には、 塩化コバルトの水和物及び塩化アンチモン を、 C o Q . M N i Q .。 6 S b 3の場合には、 塩化コバルトの水和物、 塩化ニッケル及び塩化アンチモンを意味する。 この熱電変換材料を 構成する元素の塩は、 溶液もしくはスラリー中の含有量は特に制限 されず、 用いる溶媒や原料の種類に応じて、 適宜調整することが好 ましい。 この溶媒としては、 熱電変換材料を構成する元素の塩を溶 解もしくは分散できるものであれば特に制限されないが、 アルコー ル、 水などを挙げることができ、 エタノールを用いることが好適で ある。 還元剤としては、 熱電変換材料を構成する元素のイオンを還 元できるものであればよく、 例えば N a B H 4、 ヒ ドラジン等を用 いることができる。
こう して得られた熱電変換材料を構成する元素の粒子を、 例えば ォー卜クレープ等で加熱処理する。 この加熱処理により熱電変換材 料を構成する元素の粒子から熱電変換材料が水熱合成される。 この 加熱処理の時間や温度は、 用いる溶媒ゃ熱電変換材料の種類及び含 有率によって異なるため、 適宜調整することが好ましい。
また、 上記と同様にして、 平均粒径が l〜 1 0 0 n mである第 2 の熱電変換材料粒子を含む溶液もしくはスラリーを調製する。
図 3に示すように、 こうして得られた第 1の熱電変換材料粒子 1 と第 2の熱電変換材料粒子 2を、 p H調整材と共に混合し、 分散液 を調製する (図 3 ( a ) ) 。 この溶媒としては、 熱電変換材料粒子及 び P H調整材を分散できるものであれば特に制限されないが、 アル コール、 水などを挙げることができ、 エタノールを用いることが好- 適である。 p H調整材は、 熱電変換材料粒子の凝集を抑制するため に用いられ、 公知のものを適宜適用することができ、 例えば、 硝酸 、 アンモニア水、 水素化ホウ素ナトリウム (N a B H 4 ) などを用 いることができる。 この分散液の p Hとしては、 1 0に調整するこ とが好ましい。 こう して第 1の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材料粒子を含 む分散液を調製した後、 分散液の p Hを変化させることにより、 第 1 の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材料粒子を一気に凝集させ る。 具体的には、 第 1の熱電変換材料粒子として B i 2 T e 3を用い 、 第 2の熱電変換材料粒子として C o S b 3を用いた場合、 B i 2 T e 3の等電点は 7〜 8であり、 C o S b 3の等電点は 6〜 7であり、 従って B i 2 T e 3ZC o S b3の分散液は p H 8〜 l 0 としておく ことにより分散状態を維持し、 この分散液に H C 1 を加えて p Hを 7 とすることにより B i 2 T e 3と C o S b 3を一気にかつ均一に凝 集させることができる (図 3 (b) ) 。
次の焼結工程において得られた凝集体を充填して焼結する (図 3 ( c ) ) 。 焼結工程に加えて、 加圧して熱電変換材料を成形する成形 工程を有していてもよい。 本発明では、 焼結工程と成形工程とを別 個に設けて、 加圧成形と焼結とを別々に行ってもよいが、 加圧成形 しながら焼結することが好ましい。 加圧成形しながら焼結する方法 としては、 ホッ トプレス焼結法、 熱間等方圧加圧焼結法、 放電ブラ ズマ焼結法等の何れの方法を用いることもできる。 これらの中でも 、 短時間での昇温、 焼結が可能で、 粒成長を制御しやすい観点から 放電プラズマ焼結法が好ましい。 放電プラズマ焼結法における焼結 温度は、 C o S bの場合 4 0 0〜 8 0 0 °Cが好ましく、 4 5 0〜 6 5 0 °Cがより好ましく、 B i T eの場合 2 5 0〜 5 0 0 °Cが好まし く、 3 0 0〜 4 0 0 °Cがより好ましい。 焼結時間は、 9 0分以下が 好ましく、 6 0分以下がより好ましい。 加圧時の圧力は 2 O M P a 以上が好ましく、 4 O MP a以上がより好ましい。
なお、 本発明の熱電変換素子は、 上記製造方法以外に、 2種以上 の熱電変換材料の粒子を作製し、 これらを混合して焼結する方法で 得られたものであってもよく、 いずれにしても、 第 1の熱電変換材 料の組織寸法 (第 2の熱電変換材料粒子の粒径や第 2の熱電変換材 料粒子同士の分散間隔) が、 第 1の熱電変換材料のフオノ ンの平均 自由行程以下、 好ましくはキャ リアの平均自由行程以上フォノ ンの 平均自由行程以下であれば、 第 1 の熱電変換材料中のフオノンの散 乱が十分に起こり、 熱伝導率 cを減少させることができる。 この結 果、 式 ( 1 ) で表される性能指数 Z Tが大きい熱電変換素子となる このように、 本発明の熱電変換素子は、 高い性能指数 Z Tを示す 優れた熱電変換素子であり、 従来では作製困難であった性能指数 Z Tが 2を上回るような熱電変換素子を得ることもできる。 実施例
実施例 1
還元剤としての水素化ホウ素ナトリウム 1 . 0 gをエタノール 1 0 O mL中に混合した。 一方、 塩化コバルト 0 . 5 g及び塩化アンチ モン 1 . 4 4 gをエタノール 1 0 0 mLに混合し、 この溶液を上記水 素化ホウ素ナトリゥム溶液に滴下した。 こうして形成したコバルト 及びアンチモンの粒子をエタノールと水の混合溶液 (混合比 1 : 1 ) で洗浄し、 不純物を除去した。 得られたコバルト及びアンチモン の粒子を含むスラリーを 2 4 0 °Cにおいて 4 8時間水熱処理をし、 C o S b 3粒子を調製した。
同様に、 塩化ビスマス 1 . 2 g及び塩化テルル 1 . 5 4 gをエタ ノール 1 0 0 mLに混合し、 この溶液を上記水素化ホウ素ナトリウム 溶液に滴下した。 こうして形成したビスマス及びテルルの粒子をェ 夕ノールと水の混合溶液 (混合比 1 : 1 ) で洗浄し、 不純物を除去 した。 得られたビスマス及びテルルの粒子を含むスラリーを 2 0 0 °Cにおいて 2 4時間水熱処理をし、 B i T e粒子を調製した。 次いで、 C o S b 3粒子を含むスラリーと B i T e粒子を含むス ラリーを混合し、 水を混入した。 このとき、 混合物の p Hは 8〜 1 0であり、 各粒子は分散状態となっていた。 次いで H C 1 を加え、 p Hを中性付近にすることにより、 分散していた粒子を凝集させた 。 その後、 乾燥させ、 3 5 0〜 4 0 0でにて 5 3焼結することに より、 C o S b 3中に B i T e粒子が 3 0 v o 1 %分散した本発明 の熱電変換素子が得られた。
実施例 2
還元剤としての水素化ホウ素ナトリウム 2. 0 gをエタノール 1 O O mL中に混合した。 一方、 塩化コバルト 1 . 0 g、 塩化アンチモ ン 3. 2 g及び塩化鉄 0. 1 2 gをエタノール 1 0 0 mLに混合し、 この溶液を上記水素化ホウ素ナトリウム溶液に滴下した。 こう して 形成したコバルト、 アンチモン及び鉄の粒子をエタノールと水の混 合溶液 (混合比 1 : 1 ) で洗浄し、 不純物を除去した。 得られたコ バルト、 アンチモン及び鉄の粒子を含むスラリーを 2 4 0 °Cにおい て 4 8時間水熱処理をし、 C o ^. g F e o. i S b 3粒子を調製した。
同様に、 塩化アンチモン 0. 1 1 g及び塩化テルル 0. 2 gをェ 夕ノール 1 0 0 niLに混合し、 この溶液を水素化ホウ素ナトリウム 0 . 3 gをエタノール 1 0 O mL中に溶解した溶液に滴下した。 こう し て形成したアンチモン及びテルルの粒子をエタノールと水の混合溶 液 (混合比 1 : 1 ) で洗浄し、 不純物を除去した。 得られたアンチ モン及びテルルの粒子を含むスラリーを 2 0 0 °Cにおいて 2 4時間 水熱処理をし、 S b 2 T e 3粒子を調製した。
次いで、 C o Qj F e oj S b g粒子を含むスラリーと S b 2 T e 3 粒子を含むスラリーを混合し、 水を混入した。 このとき、 混合物の p Hは 8〜 1 0であり、 各粒子は分散状態となっていた。 次いで H C 1 を加え、 p Hを中性付近にすることにより、 分散していた粒子 を凝集させた。 その後、 乾燥させ、 3 5 0〜 4 0 0 ° にて 3 ? 3焼 結することにより、 本発明の熱電変換素子が得られた。
こうして得られた熱電変換素子 ( (C o , F e ) S b 3/ 3 0 v o 1 % S b 2 T e 3) の T E M像を図 4に示す。 得られた熱電変換素子 においては、 第 1の熱電変換材料である C o。 .9 F e。 . , S b 3粒子 の連続相中に、 平均粒径が 1〜 1 0 0 n mである、 第 2の熱電変換 材料である S b2 T e 3の分散相が均一に分散していた。
また、 得られた熱電変換素子 ( I ) のゼーベック係数, 熱伝導率 κ及び比抵抗 (電気伝導率 σ ) 、 を測定し、 性能指数 Ζ Τを算出し た。 また、 比較として、 S b2 T e 3 (II) 、 (C o , F e ) S b 3 ( 111) 、 及び (C o, F e ) S b3Z 3 0 v o l % S b2 T e 3、 1 0 II m (IV) について同様に特性を測定した。 この結果を図 5〜 8に 示す。 なお、 ゼ一ベック係数は、 熱電変換材料の一部を切り出した 試料片に熱電対線を押し付け、 昇温炉中で試料片に温度差を設けて 、 この際に発生する熱起電力を測定することにより求めた。 熱伝導 率 κは、 体積法により測定された密度と、 D S C法により測定され た比熱と、 レーザーフラッシュ法により測定された熱拡散率とを掛 け合わすことにより算出した。 比抵抗は、 四端子法により測定した 。 性能指数 ( Z T) は前記式 ( 1 ) により算出した。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 第 1 の熱電変換材料中に平均粒径が 1〜 1 0 0 n mである少 なく とも 1種の第 2の熱電変換材料粒子が分散されてなる熱電変換 素子であって、 前記第 2の熱電変換材料粒子の少なく とも一部が、 第 1の熱電変換材料のフオノンの平均自由行程以下の間隔で分散さ れてなる、 熱電変換素子。
2. 前記第 2の熱電変換材料粒子の少なく とも一部が、 第 1の熱 電変換材料のキャリアの平均自由行程以上の間隔で分散されてなる 、 請求項 1記載の熱電変換素子。
3. 第 1の熱電変換材料中に分散される第 2の熱電変換材料粒子 の間隔が 1〜 1 O O n mである、 請求項 1又は 2記載の熱電変換素 子。
4. 熱電変換素子中の第 2の熱電変換材料粒子の、 体積換算で 5 0 %以上が第 1 の熱電変換材料のフオ ノ ンの平均自由行程以下の間 隔で分散されている、 請求項 1記載の熱電変換素子。
5. 熱電変換素子中の第 2の熱電変換材料粒子の、 体積換算で 5 0 %以上が第 1の熱電変換材料のキヤリァの平均自由行程以下の間 隔で分散されている、 請求項 2記載の熱電変換素子。
6. 平均粒径が 1 〜 1 O O n mである第 1の熱電変換材料粒子と 、 平均粒径が 1〜 1 O O n mである第 2の熱電変換材料粒子と、 p H調整材とを混合して前記第 1の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変 換材料粒子の分散液を調製し、 この分散液の p Hを変化させること により第 1の熱電変換材料粒子と第 2の熱電変換材料粒子を凝集さ せ、 次いで焼結する工程を含む、 請求項 1記載の熱電変換素子の製 造方法。
PCT/JP2008/060732 2007-06-05 2008-06-05 熱電変換素子及びその製造方法 Ceased WO2008150026A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08765503.1A EP2154736B1 (en) 2007-06-05 2008-06-05 Process for producing a thermoelectric conversion element
US12/602,820 US8617918B2 (en) 2007-06-05 2008-06-05 Thermoelectric converter and method thereof
JP2009517929A JP4900480B2 (ja) 2007-06-05 2008-06-05 熱電変換素子及びその製造方法
CN200880015995.1A CN101681979B (zh) 2007-06-05 2008-06-05 热电转换元件及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-149216 2007-06-05
JP2007149216 2007-06-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008150026A1 true WO2008150026A1 (ja) 2008-12-11

Family

ID=40093823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/060732 Ceased WO2008150026A1 (ja) 2007-06-05 2008-06-05 熱電変換素子及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8617918B2 (ja)
EP (1) EP2154736B1 (ja)
JP (1) JP4900480B2 (ja)
CN (1) CN101681979B (ja)
WO (1) WO2008150026A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011051771A1 (en) * 2009-10-26 2011-05-05 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
WO2010146459A3 (en) * 2009-06-18 2011-06-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
JP2012521648A (ja) * 2009-03-24 2012-09-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 自己組織化熱電材料
CN102714269A (zh) * 2010-01-18 2012-10-03 丰田自动车株式会社 纳米复合热电转换材料及其制造方法
KR20130005105A (ko) * 2011-07-05 2013-01-15 엘지이노텍 주식회사 나노 열전분말 및 이를 이용한 열전소자
US8394284B2 (en) 2007-06-06 2013-03-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Thermoelectric converter and method of manufacturing same
JP2013118355A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc ナノ粒子を含む三成分熱電材料及びその製造方法
US8617918B2 (en) 2007-06-05 2013-12-31 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Thermoelectric converter and method thereof

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102024899B (zh) * 2010-09-22 2012-10-17 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法
KR20130065942A (ko) * 2011-12-12 2013-06-20 한국전자통신연구원 열전소자
US9209374B2 (en) * 2012-03-28 2015-12-08 Evident Technologies, Inc. Method for preparing and use of Sb2Te3 nanocrystals in thermoelectric materials
GR20120100349A (el) * 2012-07-03 2014-02-24 Νιαρχος, Δημητριος Νανοπορωδη βαθμωτα υλικα υποψηφια ως θερμοηλεκτρικα υλικα με γιγαντιαιο συντελεστη θερμικης αποδοσης
CN108028307B (zh) * 2015-10-02 2021-05-07 中央硝子株式会社 热电转换材料及其制造方法
JP7314927B2 (ja) * 2018-02-27 2023-07-26 住友化学株式会社 熱電変換モジュール用部材、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュール用部材の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060563A (ja) 1996-08-20 1998-03-03 Chichibu Onoda Cement Corp 三アンチモン化コバルト系複合材料
JPH10242535A (ja) 1997-02-27 1998-09-11 Central Res Inst Of Electric Power Ind 熱電材料及びその製造方法
JP2000164940A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Aisin Seiki Co Ltd 熱電半導体組成物及びその製造方法
JP2007021670A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Dainippon Printing Co Ltd コアシェル型ナノ粒子および熱電変換材料

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0335213A3 (en) * 1988-03-30 1990-01-24 Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. Method for producing thermoelectric elements
JPH06163996A (ja) 1992-11-20 1994-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱電材料の製造方法
JPH06204571A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Isuzu Motors Ltd 複合熱電材料の製造方法
JP3458587B2 (ja) 1995-06-28 2003-10-20 松下電工株式会社 熱電変換材料及びその製法
JP3504121B2 (ja) 1997-09-16 2004-03-08 株式会社東芝 熱電発電システム
JP2958451B1 (ja) * 1998-03-05 1999-10-06 工業技術院長 熱電変換材料及びその製造方法
US6261469B1 (en) * 1998-10-13 2001-07-17 Honeywell International Inc. Three dimensionally periodic structural assemblies on nanometer and longer scales
JP2000261047A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Ngk Insulators Ltd 熱電変換用半導体材料およびその製造方法
JP2000261048A (ja) 1999-03-05 2000-09-22 Ngk Insulators Ltd 熱電変換用半導体材料およびその製造方法
JP2001185767A (ja) 1999-12-22 2001-07-06 Yamaguchi Industrial Promotion Foundation 熱電変換材料およびその熱電特性の制御方法
JP2003073705A (ja) 2001-09-05 2003-03-12 Fuji Photo Film Co Ltd ナノ粒子、磁気記録媒体
JP3972667B2 (ja) 2002-02-01 2007-09-05 石川島播磨重工業株式会社 箔の製造方法及びその装置
JP4608940B2 (ja) 2003-05-15 2011-01-12 株式会社豊田中央研究所 熱電材料
JP2005294478A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Dainippon Printing Co Ltd 熱電変換材料
JP4865210B2 (ja) 2004-05-06 2012-02-01 学校法人東京理科大学 テルルナノ粒子の製造方法及びテルル化ビスマスナノ粒子の製造方法
CN1240620C (zh) 2004-05-13 2006-02-08 浙江大学 方钴矿结构过渡金属三锑化物的制备方法
JP4747512B2 (ja) 2004-05-14 2011-08-17 大日本印刷株式会社 熱電変換材料およびその製造方法
EP1766698A2 (en) * 2004-06-14 2007-03-28 Delphi Technologies Inc. Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient
JP2006237461A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱電材料
US20090218551A1 (en) * 2005-11-29 2009-09-03 Suvankar Sengupta Bulk thermoelectric compositions from coated nanoparticles
US20090314324A1 (en) 2005-12-07 2009-12-24 Junya Murai Thermoelectric conversion material and method of producing the same
CN101523168B (zh) * 2006-10-02 2012-06-27 新加坡纳米材料科技公司 制备纳米级金属氧化物沉淀物颗粒的方法
CN101681979B (zh) 2007-06-05 2012-10-24 丰田自动车株式会社 热电转换元件及其制造方法
JP4900061B2 (ja) 2007-06-06 2012-03-21 トヨタ自動車株式会社 熱電変換素子及びその製造方法
JP2008305907A (ja) 2007-06-06 2008-12-18 Toyota Motor Corp 熱電変換素子の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1060563A (ja) 1996-08-20 1998-03-03 Chichibu Onoda Cement Corp 三アンチモン化コバルト系複合材料
JPH10242535A (ja) 1997-02-27 1998-09-11 Central Res Inst Of Electric Power Ind 熱電材料及びその製造方法
JP2000164940A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Aisin Seiki Co Ltd 熱電半導体組成物及びその製造方法
JP2007021670A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Dainippon Printing Co Ltd コアシェル型ナノ粒子および熱電変換材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2154736A4

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8617918B2 (en) 2007-06-05 2013-12-31 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Thermoelectric converter and method thereof
US8394284B2 (en) 2007-06-06 2013-03-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Thermoelectric converter and method of manufacturing same
JP2012521648A (ja) * 2009-03-24 2012-09-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 自己組織化熱電材料
CN102458726A (zh) * 2009-06-18 2012-05-16 丰田自动车株式会社 纳米复合热电转换材料及其制造方法
CN102458726B (zh) * 2009-06-18 2013-10-09 丰田自动车株式会社 纳米复合热电转换材料及其制造方法
WO2010146459A3 (en) * 2009-06-18 2011-06-03 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
US8828277B2 (en) 2009-06-18 2014-09-09 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
WO2011051771A1 (en) * 2009-10-26 2011-05-05 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
US8721912B2 (en) 2009-10-26 2014-05-13 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nanocomposite thermoelectric conversion material and method of producing the same
CN102714269A (zh) * 2010-01-18 2012-10-03 丰田自动车株式会社 纳米复合热电转换材料及其制造方法
CN102714269B (zh) * 2010-01-18 2015-01-21 丰田自动车株式会社 纳米复合热电转换材料的制造方法
KR20130005105A (ko) * 2011-07-05 2013-01-15 엘지이노텍 주식회사 나노 열전분말 및 이를 이용한 열전소자
KR101869427B1 (ko) * 2011-07-05 2018-06-20 엘지이노텍 주식회사 나노 열전분말 및 이를 이용한 열전소자
JP2013118355A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America Inc ナノ粒子を含む三成分熱電材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8617918B2 (en) 2013-12-31
EP2154736A1 (en) 2010-02-17
CN101681979A (zh) 2010-03-24
JP4900480B2 (ja) 2012-03-21
CN101681979B (zh) 2012-10-24
EP2154736B1 (en) 2017-01-18
US20100170552A1 (en) 2010-07-08
JPWO2008150026A1 (ja) 2010-08-26
EP2154736A4 (en) 2012-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008150026A1 (ja) 熱電変換素子及びその製造方法
JP5173433B2 (ja) 熱電変換材料及びその製造方法
JP4900061B2 (ja) 熱電変換素子及びその製造方法
US20100173438A1 (en) Method for manufacturing thermoelectric converter
CN102714269B (zh) 纳米复合热电转换材料的制造方法
JP5534069B2 (ja) 熱電変換素子の製造方法
JP5181707B2 (ja) 熱電変換素子及びその製造方法
JP2009147145A (ja) 熱電変換素子
JP2009141128A (ja) 熱電変換素子の製造方法
JP6727033B2 (ja) ナノ複合体型熱電素材及びその製造方法
JP5098608B2 (ja) 熱電変換素子の製造方法
JP5853483B2 (ja) ナノコンポジット熱電変換材料
JP4766004B2 (ja) 熱電変換素子の製造方法
WO2008149910A1 (ja) 熱電変換素子の製造方法
TWI589039B (zh) n型碲化鉍系熱電複材及其製造方法
JP4114645B2 (ja) 熱電材料、その製造方法及びペルチェモジュール
JPH01290549A (ja) サーミスタ用酸化物半導体組成物
JP2004119413A (ja) 配向熱電材料およびその製造方法
JP5397500B2 (ja) ナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法
JP2004228288A (ja) 熱電材料とその製造方法
JP2006261462A (ja) 配向熱電材料及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880015995.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08765503

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009517929

Country of ref document: JP

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2008765503

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008765503

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12602820

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE