WO2008035552A1

WO2008035552A1 - Appareil de traitement par la chaleur

Info

Publication number: WO2008035552A1
Application number: PCT/JP2007/066847
Authority: WO
Inventors: Hidenori Miyamoto
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2006-09-21
Filing date: 2007-08-30
Publication date: 2008-03-27
Anticipated expiration: 2009-03-21
Also published as: JP2008078402A; TW200827947A

Description

明細書

加熱処理装置

技術分野

[0001] 本発明は半導体や液晶パネルの製造工程等において使用される加熱処理装置に関する。

背景技術

[0002] 半導体デバイスや液晶パネルの製造工程にお!/、ては、ガラス基板ゃゥエーハなどの被処理基板に対し洗浄、コーティング、露光、乾燥等の各種工程が行われている。これらの製造プロセスの中間工程において、プリベータやポストベータが必要となり、この場合、被処理基板を加熱処理装置内で加熱処理してから次段の工程に移行している。

[0003] 加熱処理装置の構造は、ハウジング内にホットプレートを配置し、被処理基板をホットプレート上に載置し、ホットプレートにより基板を加熱処理するようにしている（特許文献 1)。この既知の加熱処理装置では、ホットプレートの上方にパージ室を形成する蓋体が設けられ、この蓋体の裏面にはホットプレートと対向する反射板が形成されている。

[0004] 特許文献 1 :特開平 5— 326532号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 加熱処理中には、基板表面に形成された塗布膜から溶剤が気化するだけでなぐ前記塗布膜に含まれる樹脂等に起因する昇華成分が昇華し、ハウジングの天井面を含む内側表面に析出する。

[0006] ハウジングの天井面に昇華物が析出すると、析出した昇華物が成長し、加熱処理中に基板上に落下してしまうことがある。このように基板上に昇華物が落下するとピンホールなどの不良発生の原因となる。このため、数週間に 1回程度、析出した昇華物を除去する清掃を行ない、昇華物が基板上に落下するリスクを低減する必要があり、人手が必要になるとともに清掃の間は装置を停止しなければならず生産効率も低下する。

課題を解決するための手段

[0007] 上記課題を解決するため本発明に係る加熱処理装置は、ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板の下面に、フッ素樹脂またはシリコン樹脂からなる撥水 ·撥油被膜を形成するようにした。

撥水 ·撥油被膜を形成することで、第 1に付着する析出物の粒径が極めて小さくなり

、第 2に仮に天井面や天板から落下した場合でも、気流によって排気口に運ばれ、基板表面に落下する確率が大幅に低減する。

[0008] また、ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板をハウジングの一方 (排気口がある側）に向けて傾斜させてもよい。このようにすることで、天井面または天板の下面に付着した析出物となる液体は傾斜に沿って移動し、基板から外れた箇所に落下する。

[0009] フッ素樹脂被膜としては、四フッ化工チレン樹脂（PTFE)、四フッ化工チレンペルフノレォロアルコキシビュルエーテル共重合体（PFA)、四フッ化工チレン'六フッ化プロピレン共重合体（FEP)、ポリクロ口トリフルォロエチレン（PCTFE)、クロ口トリフルォロエチレン.エチレン共重合体（ECTFE)、ポリビュルフロライド（PVF)四フッ化工チレン.エチレン共重合体（ETFE)、ポリビリニデンフロライド（PVDF)を用いることができ発明の効果

[0010] 本発明によれば、加熱処理中の被処理体上に析出物が落下する不具合が解消される。また、清掃する回数も低減することができる。

図面の簡単な説明

[0011] [図 1]本発明による加熱処理装置の一例を示す断面図

[図 2]昇華物の動きについて説明した図

[図 3]加熱処理装置の変形例を示す断面図

発明を実施するための最良の形態

[0012] 図 1は本発明による加熱処理装置の一例を示す断面図である。加熱処理装置は、ハウジング 1を有し、当該ハウジング 1内にホットプレート 2を備えている。ホットプレート 2は内部に加熱装置を有し、載置した基板 (被処理体） 3を加熱する。なお、基板 3 表面にはフォトレジスト組成物等の感光性組成物、 SOG材料等が塗布されている。

[0013] また、加熱処理装置はホットプレート 2を貫通する昇降ピン 4a〜4cを備え、加熱処理前の基板 3が、シャツタ 5を介してアームにより搬入され、上昇したピン 4a〜4cに受け渡され、該ピン 4a〜4cが下降することによりホットプレートに載置される。そして、ホットプレートにて該基板の加熱処理が行われる。

[0014] ハウジング 1はホットプレート 2をはさんで互いに対向する第 1及び第 2の側壁 la及び lbおよび天井面 lcを有し、側壁 laにはシャツタ 5を設け、側壁 lbには真空源に接続する排気口 6を設けて!/、る。

[0015] ノ、ウジング 1の天井面 lcからはその下面が基板 3の表面に接近して対抗する天板 1 0が吊り下げられている。この天板 10は前記シャツタ 5の側が高く排気口 6の側が低くなるように全体が傾斜し、更に天板 10の下面には撥水 ·撥油被膜であるフッ素樹脂被膜 11が形成されてレ、る。フッ素樹脂被膜 11の代わりにシリコン樹脂被膜でもよレ、。

[0016] 以上において、基板 3を加熱すると、基板 3の表面に塗布されたレジスト液などから溶剤が気化しあるいは樹脂から昇華したものが天板 10の下面のフッ素樹脂被膜 11 で凝集する。凝集物はフッ素樹脂被膜 11の表面に形成されるため微細な径となるが、更にフッ素樹脂被膜は滑りやすいので、図 2に示すように傾斜に沿って移動し、天板 10の端部から下方に落下する。凝集液滴が落下する位置は基板 3よりも外側にしているため、歩留り低下の原因にはならない。

[0017] 図 3は別実施例を示す断面図であり、この実施例にあっては天板を設けておらず、その代わり、ハウジング 1の天井面 lcにフッ素樹脂被膜 11を形成している。

[0018] 図 3に示した実施例にあっては天井面 lcは傾斜させていないが、前記実施例と同様に排気口 6に向けて傾斜させてもよい。

[0019] 本発明は上述した実施例だけに限定されず種々の変形や変更が可能である。例えば、排気口を側壁に設けている力上側壁部または下側壁部に設けてもよい。特に天板を設けた場合には、天板と対向する上側壁部に排気口を設けることができる。

[0020] また撥水 ·撥油被膜を黒色としてもよい。このようにすることで撥水 ·撥油被膜の温度が上がるため、昇華物が冷却されて析出することを抑制する効果がある。

Claims

請求の範囲

[1] ハウジング内に被処理体を加熱処理するホットプレートを配置した加熱処理装置において、前記ハウジングの天井面または当該天井面から吊り下げられた天板の下面にはフッ素樹脂またはシリコン樹脂からなる撥水 ·撥油膜が形成されていることを特徴とする加熱処理装置。

[2] 請求項 1に記載の加熱処理装置にお!/、て、前記フッ素樹脂被膜が形成された面はノ、ウジング内の一端に向かって傾斜していることを特徴とする加熱処理装置。