[go: up one dir, main page]

WO2007141235A1 - Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs Download PDF

Info

Publication number
WO2007141235A1
WO2007141235A1 PCT/EP2007/055461 EP2007055461W WO2007141235A1 WO 2007141235 A1 WO2007141235 A1 WO 2007141235A1 EP 2007055461 W EP2007055461 W EP 2007055461W WO 2007141235 A1 WO2007141235 A1 WO 2007141235A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
powder
carrier gas
evaporation
particular according
starting material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2007/055461
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2007141235B1 (de
Inventor
Gerhard Karl Strauch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Publication of WO2007141235A1 publication Critical patent/WO2007141235A1/de
Publication of WO2007141235B1 publication Critical patent/WO2007141235B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material

Definitions

  • the invention relates to a method for coating a surface of a substrate with an organic material, wherein the organic material is present as a powdery starting material, which is stored in a reservoir at a temperature which is below the decomposition temperature of the organic material-forming molecules, from where from metered it is brought into an evaporation device, where he evaporated according to heat supply.
  • the invention further relates to a device for coating a surface of a substrate with an organic material, comprising a reservoir in which the organic material consisting of a powder is stored at a temperature below the decomposition temperature of the molecules forming the organic material, with a device for Introducing the powder in an evaporator, where the powder evaporates by supplying heat.
  • a generic method or a generic device is previously known from US 2005/0208220 Al.
  • This document describes a vacuum coating device with a storage container for a pulverulent organic starting material.
  • the starting material is a so-called "small molecule", which are used for the production of organic light-emitting diodes (OLED).
  • OLED organic light-emitting diodes
  • the starting material is present there in powder form.
  • the molecules have a low temperature stability. They are stored in the reservoir at a temperature which is well below the decomposition temperature of these molecules.
  • a device is provided with which the powder particles are brought into a flowable state. The state of the art calls for vibration or supercritical carbon. lensäure. With this device, the powder is brought through a line in an evaporator, in which there is a frit, which is heated.
  • the powder particles come into contact with the walls of this porous material to evaporate there.
  • the vaporized feedstock is then passed into a process chamber of a reactor where the small molecules condense on a substrate surface.
  • the rate of vapor generation through the contact surface is limited.
  • the steam is generated only where the required heat is transferred to the powder particle.
  • this is the surface of a heated body. This is an area limiting the evaporation rate.
  • DE 100 57 491 A1 discloses a device and a method in which a liquid starting material is introduced into a gas volume by means of a pulsating injection nozzle. The droplets of the resulting aerosol should evaporate, the heat of vaporization being removed from the heat of the carrier gas.
  • DE 3729 391 A1 describes a process for producing fine-grained powder for producing high-performance ceramics. There, the starting material is dissolved in a liquid. By means of an ultrasonic vibrating head, the liquid is atomized to an aerosol.
  • DE 4426 264 A1 describes an evaporation device for a powder. The powder is fluidized in direct contact with the wall of a vessel coupled to an ultrasound source. A carrier gas ensures the further transport of the swirled powder.
  • US Pat. No. 6,180,190 B1 describes a device for the evaporation of liquids using a plate oscillating in the ultrasonic range. Sprayed liquid droplets spray into thin droplets.
  • EP 0 905 276 A2 describes a device for evaporating a liquid for a CVD process using an ultrasonic source.
  • the invention has for its object to improve the method mentioned above or the aforementioned device for evaporating a powderförmi- gene material. In particular, it is provided to increase the steam generation rate.
  • each claim represents an independent solution to the problem and can be combined with any other claim.
  • the reservoir has a gas supply line for the metered introduction of a carrier gas.
  • a mixing device for introducing the powder into the carrier gas flow.
  • the powder gas mixture is passed through a connecting line in the evaporation chamber. This has heating surfaces for heating the gas carried into the evaporation device and carrying the powder.
  • a second carrier gas is introduced into the evaporation chamber. This carrier gas may be preheated so as to provide the required heat at which the solids forming the powder are vaporized.
  • the energy required for evaporation can also be supplied via the walls of the evaporation device to the gas located in the evaporation device.
  • the evaporation of the particles takes place substantially contact-free to the walls.
  • the heat transport from the walls of the evaporation device to the powder particles takes place essentially via molecular movement.
  • the powder particles may have a diameter of less than 10 ⁇ m. Preferably, the diameter of the powder particles is about 5 microns.
  • a gaseous state must exist in the vaporization chamber. This means that the free path of the molecules located therein is significantly smaller than the wall distance, so that a sufficiently high molecular collision number of the required heat transfer can take place.
  • the pressure should therefore be greater than 0.1 mbar. It is sufficient if the pressure is 10 mbar.
  • the process is preferably carried out at a pressure of 1 or 0.9 mbar.
  • the dosage of the carrier gas is preferably carried out by means of a mass flow controller. There may be a metering valve inside the connection line. It can be an on / off valve.
  • the evaporation device is a volume with heated walls. It can be a steel chamber with a volume of around 500 ml.
  • the shape is preferably that of a cylinder. At its one end, the cylinder is connected to the connecting line to the reservoir. There also opens a supply line for another carrier gas.
  • the front side opposite this end face is connected to a discharge line through which the carrier gas and the dissolved therein vapor of the starting material are transported in a gas inlet member.
  • the gas inlet member is located in a coating reactor.
  • the gas inlet organ designed as a "showerhead”. This has a plurality of gas outlet openings, which are opposite to a substrate to be coated.
  • the molecules of the organic starting material condense to form a layer in order to produce organic semiconductor components and, in particular, light-emitting diodes. Different doped layers can be deposited on each other.
  • the inventive method or the device according to the invention is able to realize an increased mass flow rate.
  • This can increase the deposition rate.
  • the deposition rate depends essentially on the ratio of evaporating surface to the surface to be coated.
  • This geometric limitation is also present in the method according to the invention.
  • the surface of the starting material to be evaporated is drastically increased by the fact that it is formed by the surfaces of the powder particles floating freely in the gas, which is significantly larger than previously known devices.
  • the "quasi-cold" substance, which is located in the storage container is preferably “swirled up” by means of an ultrasonic device. This "Hommewirbelung" of the powder can also be done by a turbulent, entraining flow of the carrier gas.
  • This thus sputtered powder is introduced together with the carrier gas in the evaporation device. This is dosed so that the residence time of the starting material in the heated evaporation device is as low as possible in order to avoid decomposition of the starting material.
  • the gas-powder mixture is injected through a metering valve into the hot gas volume of the evaporator. It can be a pulsed injection.
  • a further carrier gas is preferably introduced, which is heated or at least provides for the energy transport.
  • the energy for the evaporation of the starting material is preferably brought from the heated walls of the reservoir via heat conduction to the powder. For this purpose, the wall of the reservoir can be heated.
  • the device has a storage container 1, in which a powder 10 forming the organic starting material is stored. There is a Aufwirbelungs adopted in the form of an ultrasonic exciter. 9
  • a carrier gas which may be nitrogen, a noble gas or hydrogen, is fed via a feed line 7 into the reservoir 1.
  • the dosage of the carrier gas by means of a mass flow controller 8, which is located in the supply line 7.
  • the carrier gas flows through the reservoir 1 and flows from a connecting line 6 from the reservoir 1 into an evaporation chamber 2 and from there through a discharge line 12 into a gas inlet element 10 of a reactor 13.
  • part of the powder 10 is whirled up.
  • the fluidized part of the powder 10 is conducted by the carrier gas through the connecting line 6 into the evaporation chamber 2.
  • the metering of this gas-powder mixture takes place via an open / close valve 5, which is located in the connecting line 6.
  • the evaporation chamber 2 consists of a cylindrical body. Its axis length can be about 10 cm and its diameter can be about 8 cm.
  • the walls 3 of the evaporation chamber 2 are heated by a heater 4.
  • the said connection line 6 opens and additionally a feed line 18 for a further carrier gas, which likewise relates to nitrogen, hydrogen or a noble gas. yours can.
  • the heater 4 the gas present in the vaporization chamber 2 is brought to a temperature which is higher than the vaporization temperature of the starting material. This temperature is also significantly higher than the temperature within the storage container 1, which is significantly lower than the evaporation temperature or the decomposition temperature of the organic starting material.
  • the already mentioned discharge line 12 through which the carrier gas and the vaporized starting material are passed into a gas inlet member 15.
  • the gas inlet member 15 has a sieve-like gas outlet surface. This gas outlet surface is located opposite a substrate holder 16.
  • the substrate holder 16 may be cooled.
  • the use of an ultrasound exciter 9 is therefore advantageous because metering can take place via the frequency or the strength of the ultrasound. It is essential that the entire surface of each powder particle is available as a surface for the heat supply within the evaporation chamber 2, which is then available for direct thermal contact via the direct contact with the heated gas surrounding the powder particles. As a result, a significantly increased evaporation rate and thus an increased mass flow rate is achieved.
  • the growth rate of the layers to be deposited on the substrate 17 can thus be markedly increased, without the risk that the molecules of the starting material thermally decompose, since the exposure time of the increased evaporation temperature can be kept very short.
  • the heat supply for evaporating the powder takes place without contact with the heating surfaces 3 of the evaporation chamber 2.
  • the heat transfer takes place essentially exclusively by molecular movement.
  • the heat of vaporization is removed from the heat of the gas environment in which the free-floating powder particles are located.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff (10) vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter (1) bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft. Um das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zum Aufdampfen eines pulverförmigen Materials zu verbessern. Insbesondere die Dampferzeugungsrate zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass der pulverförmige Ausgangsstoff (10) von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines pulverf örmigen organischen Ausgangsstoffs
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr ver- dampft.
Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates mit einem organischen Material, mit einem Vorratsbehälter, in welchem das aus einem Pulver bestehende organische Material bei einer Temperatur unter der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle bevorratet ist, mit einer Einrichtung zum Einbringen des Pulvers in eine Verdampfungseinrichtung, wo das Pulver durch Wärmezufuhr verdampft.
Ein gattungsgemäßes Verfahren bzw. eine gattungsgemäße Vorrichtung ist aus der US 2005/0208220 Al vorbekannt. Diese Schrift beschreibt eine Vakuumbe- schichtungseinrichtung mit einem Vorratsbehälter für einen pulverförmigen organischen Ausgangsstoff. Bei dem Ausgangsstoff handelt es sich um sog. "Small Molecules", die zur Herstellung von organischen lichtemittierenden Dioden (OLED) verwendet werden. Das Ausgangsmaterial liegt dort in Pulverform vor. Die Moleküle besitzen eine geringe Temperaturstabilität. Sie werden im Vorratsbehälter bei einer Temperatur gelagert, die deutlich unterhalb der Zerlegungstemperatur dieser Moleküle liegt. Es ist eine Einrichtung vorgesehen, mit der die Pulverteilchen in einen fließfähigen Zustand gebracht werden. Der Stand der Technik nennt hierzu Vibrationsmittel oder überkritische Koh- lensäure. Mit dieser Einrichtung wird das Pulver durch eine Leitung in einen Verdampfer gebracht, in dem sich eine Fritte befindet, die beheizt ist. Die Pulverteilchen treten in Kontakt mit den Wänden dieses porösen Materials, um dort zu verdampfen. Der verdampfte Ausgangsstoff wird dann in eine Prozess- kammer eines Reaktors geleitet, wo die kleinen Moleküle auf einer Substratoberfläche kondensieren. Bei allen anderen bekannten Vorrichtungen ist die Rate zur Dampferzeugung durch die Kontaktoberfläche begrenzt. Der Dampf wird nur dort erzeugt, wo die erforderliche Wärme auf das Pulverteilchen übertragen wird. Bei einer Vakuumvorrichtung ist dies die Oberfläche eines geheiz- ten Körpers. Es handelt sich hier um eine die Verdampfungsrate begrenzende Fläche.
Aus der DE 100 57491 Al ist eine Vorrichtung und ein Verfahren bekannt, bei dem mittels einer pulsierend arbeitenden Einspritzdüse ein flüssiger Ausgangs- stoff in ein Gasvolumen eingebracht wird. Die Tröpfchen des dabei entstandenen Aerosols sollen verdampfen, wobei die Verdampfungswärme der Wärme des Trägergases entzogen wird.
Aus „ Aerosol-assisted chemical vapor deposition of copper: A liquid delivery approach to metal thin films", Appl. Phys. Lett. 65 (8), 22 August 1994, ist es bekannt, Kupfer als Bestandteil einer flüssigen Lösung in eine Aerosolform zu bringen, um diesen Ausgangsstoff zu einem Substrat zu transportieren, wo Kupfer auf einem Substrat abgeschieden wird.
Die DE 3729 391 Al beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von feinkörnigem Pulver zur Erzeugung von Hochleistungskeramiken. Dort wird das Ausgangsmaterial in einer Flüssigkeit gelöst. Mittels eines Ultraschallschwingkopfes wird die Flüssigkeit zu einem Aerosol zerstäubt. Die DE 4426 264 Al beschreibt eine Verdampfungseinrichtung für ein Pulver. Das Pulver wird in unmittelbarem Kontakt zu der Wandung eines mit einer Ultraschallquelle gekoppelten Gefäßes aufgewirbelt. Ein Trägergas sorgt für den Weitertransport des aufgewirbelten Pulvers.
Die US 6,180,190 Bl beschreibt eine Vorrichtung zur Verdampfung von Flüssigkeiten unter Verwendung einer im Ultraschallbereich schwingenden Platte. Darauf gesprühte Flüssigkeitstropfen zerstäuben in dünne Tröpfchen.
Die EP 0 905 276 A2 beschreibt eine Vorrichtung zur Verdampfung einer Flüssigkeit für einen CVD-Prozess unter Verwendung einer Ultraschallquelle.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genannten Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zum Aufdampfen eines pulverförmi- gen Materials zu verbessern. Insbesondere ist vorgesehen, die Dampferzeugungsrate zu erhöhen.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei jeder Anspruch eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt und mit jedem anderen Anspruch kombinierbar ist.
Es ist zunächst und im Wesentlichen vorgesehen, dass der pulverförmige Ausgangsstoff von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt. Hierzu besitzt der Vorratsbehälter eine Gaszuleitung zum dosierten Einbringen eines Trägergases. Innerhalb des Vorratsbehälters befindet sich eine Einmischeinrichtung zum Einbringen des Pulvers in den Träger gas ström. Das Pulvergasgemisch wird über eine Verbindungsleitung in die Verdampfungskammer geleitet. Diese besitzt Heizflächen zum Aufheizen des in die Verdampfungseinrich- tung gebrachten, das Pulver tragenden Gases. Es ist ferner vorgesehen, dass mittelst einer weiteren Zuleitung ein zweites Trägergas in die Verdampfungskammer eingeleitet wird. Dieses Trägergas kann vorgeheizt sein, um so die erforderliche Wärme zur Verfügung zu stellen, mit der die das Pulver bildenden Festkörper verdampft werden. Die zur Verdampfung erforderliche Energie kann aber auch über die Wände der Verdampfungseinrichtung dem sich in der Verdampfungseinrichtung befindenden Gas zugeführt werden. Die Verdampfung der Partikel erfolgt im Wesentlichen kontaktfrei zu den Wänden. Der Wärmetransport von den Wänden der Verdampfungseinrichtung zu den Pulverteilchen erfolgt im Wesentlichen über Molekularbewegung. Die Pulverteil- chen können einen Durchmesser von weniger als 10 μm besitzen. Bevorzugt beträgt der Durchmesser der Pulverteilchen etwa 5 μm. Um ein frei im Raum schwebendes Pulver von Molekülen zu erzeugen, muss in der Verdampfungskammer ein gasartiger Zustand bestehen. Dies bedeutet, dass die freie Weglänge der darin sich befindenden Moleküle deutlich geringer ist als der Wandab- stand, damit durch eine ausreichend hohe Molekülkollisionszahl der erforderliche Wärmetransport stattfinden kann. Der Druck sollte deshalb größer als 0,1 mbar betragen. Es reicht aus, wenn der Druck 10 mbar beträgt. Der Prozess wird bevorzugt bei einem Druck von 1 bzw. 0,9 mbar durchgeführt. Die Dosierung des Trägergases erfolgt bevorzugt mittels eines Massenflussreglers. Inner- halb der Verbindungsleitung kann sich ein Dosierventil befinden. Es kann sich um ein Auf- / Zu- Ventil handeln. Die Verdampfungseinrichtung ist ein Volumen mit geheizten Wänden. Es kann sich um eine Stahlkammer handeln, die ein Volumen von um die 500 ml besitzt. Die Form ist bevorzugt die eines Zylinders. An seiner einen Stirnseite ist der Zylinder mit der Verbindungsleitung zum Vorratsbehälter verbunden. Dort mündet auch eine Zuleitung für ein weiteres Trägergas. Die dieser Stirnseite gegenüberliegende Stirnseite ist mit einer Ableitung verbunden, durch die das Trägergas und der darin gelöste Dampf des Ausgangsstoffes in ein Gaseinlassorgan transportiert werden. Das Gaseinlassorgan befindet sich in einem Beschichtungsreaktor. Bevorzugt ist das Gas- einlassorgan als "Showerhead" ausgebildet. Dieser besitzt einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen, die einem Substrat gegenüberliegen, das beschichtet werden soll. Auf der Oberfläche des Substrates kondensieren die Moleküle des organischen Ausgangsstoffes zu einer Schicht, um so organische Halbleiterbau- demente und insbesondere Leuchtdioden herzustellen. Es können unterschiedlich dotierte Schichten aufeinander abgeschieden werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung ist in der Lage, einen vergrößerten Mengendurchsatz zu verwirklichen. Hierdurch kann die Depositionsrate gesteigert werden. Die Depositionsrate hängt im Wesentlichen von dem Verhältnis aus verdampfender Oberfläche zur zu beschichtenden Oberfläche ab. Diese geometrische Limitierung liegt auch beim erfindungsgemäßen Verfahren vor. Die Oberfläche des zu verdampfenden Ausgangsstoffes wird allerdings dadurch drastisch erhöht, dass diese von den Oberflächen der frei im Gas schwebenden Pulverpartikel gebildet ist, welche deutlich größer ist als vorbekannte Vorrichtungen ergeben. Der "quasi kalte" Stoff, der sich im Vorratsbehälter befindet, wird bevorzugt mittelst einer Ultraschalleinrichtung "aufgewirbelt". Diese "Aufwirbelung" des Pulvers kann aber auch durch eine turbulente, mitreißende Strömung des Trägergases erfolgen. Dieses derart aufgestäubte Pulver wird zusammen mit dem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung eingeleitet. Dies erfolgt dosiert, damit die Verweildauer des Ausgangsstoffes in der beheizten Verdampfungseinrichtung so gering wie möglich ist, um eine Zerlegung des Ausgangsstoffes zu vermeiden. Das Gas-Pulver-Gemisch wird durch ein Dosierventil in das heiße Gasvolumen der Verdampfungseinrichtung injiziert. Es kann sich dabei um eine gepulste Injektion handeln. In die Verdampfungseinrichtung wird bevorzugt ein weiteres Trägergas eingeleitet, welches geheizt ist oder zumindest für den Energietransport sorgt. Die Energie zur Verdampfung des Ausgangsstoffes wird bevorzugt von den geheizten Wänden des Vorratsbehälters über Wärmeleitung zum Pulver gebracht. Hierzu kann die Wand des Vorratsbehälters beheizt sein. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnung erläutert. Diese zeigt schematisch die einzelnen Komponenten der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
Die Vorrichtung besitzt einen Vorratsbehälter 1, in den ein das organische Ausgangsmaterial bildendes Pulver 10 bevorratet wird. Dort befindet sich eine Aufwirbelungseinrichtung in Form eines Ultraschallerregers 9.
Ein Trägergas, bei dem es sich um Stickstoff, ein Edelgas oder um Wasserstoff handeln kann, wird über eine Zuleitung 7 in den Vorratsbehälter 1 geleitet. Die Dosierung des Trägergases erfolgt mittelst eines Massenflussreglers 8, der sich in der Zuleitung 7 befindet. Das Trägergas durchströmt den Vorratsbehälter 1 und fließt aus einer Verbindungsleitung 6 aus dem Vorratsbehälter 1 in eine Verdampfungskammer 2 und von dort durch eine Ableitung 12 in ein Gaseinlassorgan 10 eines Reaktors 13.
Mittelst des Ultraschallerregers 9 wird ein Teil des Pulvers 10 aufgewirbelt. Der aufgewirbelte Teil des Pulvers 10 wird vom Trägergas durch die Verbindungs- leitung 6 in die Verdampfungskammer 2 geleitet. Die Dosierung dieses Gas- Pulver-Gemisches erfolgt über ein Auf- / Zu- Ventil 5, welches sich in der Verbindungsleitung 6 befindet. Hierdurch ist sogar eine pulsierende Injektion des Gas-Pulver-Gemisches in die Verdampfungskammer 2 möglich.
Die Verdampfungskammer 2 besteht aus einem zylindrischen Körper. Dessen Achslänge kann etwa 10 cm und dessen Durchmesser kann etwa 8 cm betragen. Die Wände 3 der Verdampfungskammer 2 werden von einer Heizung 4 beheizt. In die eine Stirnseite der Verdampfungskammer 2 mündet die besagte Verbindungsleitung 6 und zusätzlich eine Zuleitung 18 für ein weiteres Träger- gas, bei dem es sich ebenfalls um Stickstoff, Wasserstoff oder ein Edelgas han- dein kann. Zufolge der Heizung 4 wird das sich in der Verdampfungskammer 2 befindende Gas auf eine Temperatur gebracht, die höher ist als die Verdampfungstemperatur des Ausgangsstoffes. Diese Temperatur ist auch deutlich höher als die Temperatur innerhalb des Vorratsbehälters 1, welche deutlich nied- riger liegt als die Verdampfungstemperatur bzw. die Zerlegungstemperatur des organischen Ausgangsmaterials.
An der gegenüberliegenden Stirnseite der Verdampfungskammer 2 befindet sich die bereits erwähnte Ableitung 12, durch die das Trägergas und der ver- dampfte Ausgangsstoff in ein Gaseinlassorgan 15 geleitet werden. Das Gaseinlassorgan 15 besitzt eine siebartige Gasaustrittsfläche. Dieser Gasaustrittsfläche liegt ein Substrathalter 16 gegenüber. Der Substrathalter 16 kann gekühlt sein. Auf dem Substrathalter 16 befindet sich das Substrat 17, auf dem der verdampfte Ausgangsstoff schichtbildend kondensiert. Um das Substrat 17 in die Pro- zesskammer des Reaktors 13 einzubringen, besitzt dieser ein Beladetor 14.
In dem in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel erfolgt das Einmischen des Pulvers in den Trägergasstrom über eine Ultraschalleinrichtung 9. Es ist aber auch möglich, einen turbulenten Gasstrom zu erzeugen, der das Pulver aufwirbelt. Es sind auch andere Methoden denkbar, mit denen der Gasstrom mit Pulver angereichert werden kann. Die Verwendung eines Ultraschallerregers 9 ist deshalb vorteilhaft, da über die Frequenz bzw. die Stärke des Ultraschalls eine Dosierung erfolgen kann. Wesentlich ist, dass als Oberfläche für die Wärmezuleitung innerhalb der Verdampfungskammer 2 die gesamte Oberflä- che eines jeden Pulverteilchens zur Verfügung steht, die dann über den direkten Kontakt mit dem die Pulverteilchen umgebenden geheizten Gas der Wärmeenergieaufnahme zur Verfügung steht. Hierdurch wird eine deutlich vergrößerte Verdampfungsrate und damit ein vergrößerter Massendurchsatz erreicht. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung lässt sich somit die Wachs- tumsrate der auf dem Substrat 17 abzuscheidenden Schichten deutlich erhöhen, ohne dass die Gefahr besteht, dass sich die Moleküle des Ausgangsstoffes thermisch zerlegen, da die Expositionszeit der erhöhten Verdampfungstemperatur sehr kurz gehalten werden kann.
Anders als beim eingangs genannten Stand der Technik erfolgt die Wärmezufuhr zum Verdampfen des Pulvers ohne Kontakt mit den Heizflächen 3 der Verdampfungskammer 2. Die Wärmeübertragung erfolgt im Wesentlichen ausschließlich durch Molekülbewegung. Die Verdampfungswärme wird der Wärme der Gasumgebung entzogen, in welcher sich die freischwebenden Pulver- partikel befinden.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollin- haltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims

ANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverför- miger Ausgangsstoff (10) vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter (1) bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft, dadurch gekennzeichnet, dass der pulverförmi- ge Ausgangsstoff (10) von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein zweites in die Verdampfungseinrichtung (2) eingeleitetes Trägergas.
3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmes- ser der das Pulver bildenden Teilchen < 10 μm, bevorzugt etwa 5 μm beträgt.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozess bei einem Totaldruck von weniger als 10 mbar und / oder mehr als 0,1 mbar, insbesondere etwa 0,9 mbar durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) größer ist als das Zehnfache der freien Weglänge des Trägergases.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Totaldruck innerhalb des Vorratsbehälters (1) im Wesentlichen dem Totaldruck innerhalb der Verdampfungseinrichtung (2) entspricht.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfung des ins Trägergas eingemischten Pulvers (10) im Wesentlichen ohne Kontakt der Pulverteilchen mit einer der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) erfolgt.
8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der verdampfte Ausgangsstoff über eine Ableitung (12) einem Gaseinlassorgan (15) eines Beschichtungsreaktors (13) zugeleitet wird.
9. Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, mit einem Vorratsbehälter (1), in welchem das aus einem Pulver bestehende organische Material (10) bei einer Temperatur unter der Zerlegungstemperatur der das organische Material bil- denden Moleküle bevorratet ist, mit einer Einrichtung (8, 5) zum Einbringen des Pulvers (10) in eine Verdampfungseinrichtung (2), wo das Pulver (10) durch Wärmezufuhr verdampft, gekennzeichnet durch eine Gas Zuleitung (7) in den Vorratsbehälter (1) zum dosierten Einbringen eines Trägergases, mit einer Einmischeinrichtung (9) zum Einbringen des Pulvers (10) in den Trägergasstrom und mit der Verdampfungseinrichtung (2) zu- geordneten Heizflächen (3) zum Aufheizen des in die Verdampfungseinrichtung (2) gebrachten, das Pulver (10) tragenden Gases.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder insbesondere danach, dadurch geken- nezeichnet, dass der Volumenstrom des Trägergases mittelst eines Mas- senflussreglers (8) dosiert wird.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 9 oder 10 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein einer Verbindungsleitung (6) zwischen Vorratsbehälter (2) und Verdampfungskammer (2) zugeordnetes Dosierventil (5).
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 11 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Ver- dampfungseinrichtung (2) von einem Zylinder ausgebildet wird.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 12 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Zylinder ein Volumen zwischen 100 ml und 1000 ml besitzt.
14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 13 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der Wände (3) der Verdampfungseinrichtung (2) zwischen 50 und 150 mm beträgt.
15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 14 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Einmischeinrichtung zum Einbringen des Pulvers in den Trägergasstrom ein Ultraschallerreger (9) ist.
16. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 15 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine auf der gegenüberliegenden Seite der Verbindungsleitung (6) der Verdampfungskammer (2) zugeordnete Ableitung (12) zur Ableitung des Trägergases und des darin gelösten verdampften Ausgangsstoffes in ein Gaseinlassorgan (15) eines Beschichtungsreaktors (13).
PCT/EP2007/055461 2006-06-06 2007-06-04 Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs Ceased WO2007141235A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200610026576 DE102006026576A1 (de) 2006-06-06 2006-06-06 Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines pulverförmigen organischen Ausgangsstoffs
DE102006026576.9 2006-06-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2007141235A1 true WO2007141235A1 (de) 2007-12-13
WO2007141235B1 WO2007141235B1 (de) 2008-03-20

Family

ID=38596279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/055461 Ceased WO2007141235A1 (de) 2006-06-06 2007-06-04 Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102006026576A1 (de)
TW (1) TW200811302A (de)
WO (1) WO2007141235A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150138008A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 히다치 조센 가부시키가이샤 진공증착장치
EP2963147A3 (de) * 2014-07-01 2016-05-25 Aixtron SE Vorrichtung zum erzeugen eines dampfes aus einem festen oder flüssigen ausgangsstoff für eine cvd- oder pvd-einrichtung
CN107488831A (zh) * 2017-08-21 2017-12-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种连续蒸镀系统

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045982A1 (de) 2008-09-05 2010-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von nanoskaligen Netzwerken auf Oberflächen
DE102011051261A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
DE102011051260A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
DE102011051931A1 (de) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen des Dampfdrucks eines in einem Trägergasstrom verdampften Ausgangsstoffes
TWI458843B (zh) 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
CN114309595B (zh) * 2022-01-05 2023-05-30 西安交通大学 一种金属合金粉末表面气相包覆Mo的方法与系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231963A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Sanyo Shinku Kogyo Kk 真空蒸着方法とその装置
US20050208220A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
FR2878453A1 (fr) * 2004-11-30 2006-06-02 Centre Nat Rech Scient Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement
US20070054051A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3729391A1 (de) * 1987-09-03 1989-03-16 Erno Raumfahrttechnik Gmbh Verfahren zur herstellung von pulvermaterial
DE4426264A1 (de) * 1994-07-25 1996-02-01 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Dosierung eines Pulveraerosols
JPH11111644A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Japan Pionics Co Ltd 気化供給装置
US6180190B1 (en) * 1997-12-01 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Vapor source for chemical vapor deposition
DE10057491A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen eines in die Gasform gebrachten flüssigen Ausgangsstoffes in einen CVD-Reaktor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231963A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Sanyo Shinku Kogyo Kk 真空蒸着方法とその装置
US20050208220A1 (en) * 2004-03-22 2005-09-22 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
FR2878453A1 (fr) * 2004-11-30 2006-06-02 Centre Nat Rech Scient Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement
US20070054051A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150138008A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 히다치 조센 가부시키가이샤 진공증착장치
JP2016006220A (ja) * 2014-05-30 2016-01-14 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR102303175B1 (ko) * 2014-05-30 2021-09-15 히다치 조센 가부시키가이샤 진공증착장치
EP2963147A3 (de) * 2014-07-01 2016-05-25 Aixtron SE Vorrichtung zum erzeugen eines dampfes aus einem festen oder flüssigen ausgangsstoff für eine cvd- oder pvd-einrichtung
CN107488831A (zh) * 2017-08-21 2017-12-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种连续蒸镀系统
CN107488831B (zh) * 2017-08-21 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种连续蒸镀系统

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006026576A1 (de) 2008-01-10
TW200811302A (en) 2008-03-01
WO2007141235B1 (de) 2008-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007141235A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs
EP2066828B1 (de) Verfahren zum einspeisen von partikeln eines schichtmaterials in einen thermischen spritzvorgang
DE19956472B4 (de) Flüssigkeits-Abgabesystem und Verfahren zur Dampfabscheidung
WO2012175307A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von oled&#39;s
DE102007062977B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Prozessgasen für die Dampfphasenabscheidung
DE102011051263B4 (de) Vorrichtung zur Aerosolerzeugung und Abscheiden einer lichtemittierenden Schicht
EP1364076B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum zuführen eines in die gasform gebrachten flüssigen ausgangsstoffes in einen cvd-reaktor
DE112011105618T5 (de) Oxidfilm-Niederschlagsverfahren und Oxidfilm-Niederschlagsvorrichtung
DE102011051261A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
EP2836439A1 (de) Beschichtung von behältern mit plasmadüsen
EP1252365A1 (de) Verfahren zur erzeugung von funktionsschichten mit einer plasmastrahlquelle
DE102012220986B4 (de) Dosiereinheit und ihre Verwendung
EP0585848A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung dünner Schichten
WO2019068609A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur erzeugung eines in einem trägergas transportierten dampfes
JP2002217181A (ja) 半導体原料供給用気化器
DE102020103822A1 (de) Vorrichtung zum Verdampfen eines organischen Pulvers
EP1358364B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur dosierten abgabe kleiner flüssigkeitsvolumenströme
EP4162090A1 (de) Einrichtung zum dampfabscheiden eines stoffes auf einem substrat
DE102017112668A1 (de) Verfahren zum Abscheiden von OLEDs
DE102008056968B4 (de) Verfahren zum Abscheiden einer Nanoverbund-Schicht auf einem Substrat mittels chemischer Dampfabscheidung
DE102009000259A1 (de) Verfahren zur Modifizierung der Oberfläche von Partikeln und hierzu geeignete Vorrichtung
WO2001078791A1 (de) Vorrichtung zum sterilisieren von packungen
DE102009037371B3 (de) Beschichtungsvorrichtung mit Ultraschallzerstäuber
DE102010047740A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Zerstäubung von Sterilisierungsmittel
EP4417730A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur versorgung einer anlage zur beschichtung von werkstücken mit für den beschichtungsprozess benötigten prozessgasen

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07729849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07729849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1