[go: up one dir, main page]

WO2007029369A1 - 発光ダイオード用蛍光体 - Google Patents

発光ダイオード用蛍光体 Download PDF

Info

Publication number
WO2007029369A1
WO2007029369A1 PCT/JP2006/307139 JP2006307139W WO2007029369A1 WO 2007029369 A1 WO2007029369 A1 WO 2007029369A1 JP 2006307139 W JP2006307139 W JP 2006307139W WO 2007029369 A1 WO2007029369 A1 WO 2007029369A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
emitting diode
light emitting
light
phosphor
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2006/307139
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kenji Toda
Mineo Sato
Kazuyoshi Uematsu
Shinichiro Kousaka
Yoshitaka Kawakami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niigata University NUC
Original Assignee
Niigata University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Niigata University NUC filed Critical Niigata University NUC
Priority to JP2006547230A priority Critical patent/JP4528983B2/ja
Priority to US11/575,386 priority patent/US7662311B2/en
Publication of WO2007029369A1 publication Critical patent/WO2007029369A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742Silicates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512Wavelength conversion materials

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor for a light emitting diode.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-105336
  • the emission color of YAG: Ce 3+ is yellow with a strong green color, and when excited with a blue light emitting diode, the color temperature is high, and only white light can be obtained.
  • the present invention provides a novel phosphor for a light emitting diode that emits light of one of the three primary colors when excited by an ultraviolet light emitting diode, or emits light in the red region by exciting a blue light emitting diode. It is an object of the present invention to provide a novel phosphor for a light emitting diode.
  • the phosphor for a light emitting diode of the present invention comprises Na 3 SrSi 2 O doped with Eu 3+.
  • the phosphor for a light-emitting diode of the present invention comprises Ca 3 O doped with Ce 3+ and Tb 3+.
  • the phosphor for a light-emitting diode according to the present invention is obtained by doping Eu2 + into CaSiO.
  • a novel phosphor for a light emitting diode that emits light in a green region by excitation of an ultraviolet light emitting diode can be provided.
  • a novel phosphor for a light emitting diode that emits light in the red region by excitation of a blue light emitting diode can be provided.
  • FIG. 1 is a chart of powder X-ray diffraction of Na SrSi O: Eu 3+ of the present invention.
  • middle is doped with Eu 3+ , 900 ° C
  • the bottom is the one fired at 950 ° C after doping with Eu 3+ .
  • FIG. 2 is an excitation emission spectrum of Na SrSi 2 O: Eu 3+ —Al 3+ of the present invention.
  • FIG. 3 is an excitation emission spectrum of Ca Si O: Ce 3+ —Tb 3+ of the present invention.
  • FIG. 4 is an excitation emission spectrum of Ca 2 Si 2 O: Eu 2+ of the present invention.
  • the first phosphor for a light emitting diode of the present invention is obtained by doping Na 3 SrSi 2 O with Eu 3+.
  • Eu 3+ is added so that the concentration in the parent crystal Na SrSi 2 O is 1 to 80 mol%.
  • Na 3 SrSi 2 O is doped with Eu 3+ as a luminescent ion as a phosphor of the silicate matrix.
  • the phosphor for a light emitting diode of the present invention has a Eu 3+ 7 F ⁇
  • the phosphor for light emitting diode of the present invention it is possible to provide a novel phosphor for light emitting diode that emits light in the red region by exciting the ultraviolet light emitting diode.
  • Fig. 1 shows the results of powder X-ray diffraction when 1 mol% of Eu is doped. As a result of firing in the temperature range of 800 ° C to 1050 ° C, it is possible to synthesize single-phase Na SrSi O at 900 ° C
  • the second phosphor for a light-emitting diode of the present invention is obtained by doping Ce 3+ and Tb 3+ into a base crystal having a lanquinite structure.
  • Lanquinite structure refers to the same crystal structure as that of Lanquinite Ca Si O.
  • the O Ca site may be substituted with Sr, Ba or the like, or a part of the Si site may be substituted with Al, Ge, P or the like.
  • lanquinite Ca 2 Si 2 O is preferably used as a base crystal having a lanquinite structure.
  • Ce 3+ and Tb 3+ are preferably added so that the concentration of the host crystal respectively become 0.1 to 5 mol% and 0.1 to 2 0 mole 0/0.
  • the concentration of Ce 3+ and Tb 3+ is less than 0.1 mole 0/0 impractical an emission intensity weak. Further, even when Ce 3+ exceeding 5 mol% and Tb 3+ exceeding 20 mol% are added, no significant increase in emission intensity is observed.
  • the phosphor for the light-emitting diode according to the present invention in which Ce 3+ and Tb 3+ are doped as luminescent ions in lankite as a phosphor of an alkaline earth silicate matrix is a near-ultraviolet light of 300 to 400 nm.
  • Ce 3+ excitation spectrum exists in the region, and it has excellent characteristics as a phosphor for ultraviolet light emitting diode excitation.
  • Ce 3+ When Ce 3+ is excited by an ultraviolet light emitting diode, energy transfer from Ce 3+ to Tb 3+ causes Tb 3+ to emit light.
  • This Tb 3+ emission shows a relatively sharp green emission with the strongest peak around 550 nm. In this way, strong light emission from Tb 3+ can be obtained by coactivation using energy transfer of Ce 3+ and Tb 3+ . This co-activation is called fluorescence sensitization.
  • the phosphor for light emitting diode of the present invention it is possible to provide a novel phosphor for light emitting diode that emits light in the green region by exciting the ultraviolet light emitting diode.
  • the phosphor for light-emitting diode obtained by doping Ca 3 O of the present invention with Ce 3+ and Tb 3+
  • Ca Si O was synthesized by a usual solid phase method. CaCO, Si as starting material for each sample
  • CeO, and TbO are used to adjust the concentration of rare earth ions Ce 3+ and Tb 3+ to 0.1-5
  • FIG. 3 shows the excitation emission spectrum of the synthesized Ca 2 Si 3 O: Ce 3+ —Tb 3+ . 300-400
  • the excitation spectrum broadly exists in the near-ultraviolet light source of nm, and it was confirmed that it has very excellent characteristics as a phosphor for exciting an ultraviolet light-emitting diode.
  • the emission of Tb 3+ was a relatively sharp green emission with the strongest peak around 550 nm.
  • Tb 3+ light emission was also observed near 500 nm and 580 nm, and relatively broad emission of Ce 3+ was observed near 400 nm.
  • the third phosphor for a light-emitting diode of the present invention is a base crystal having a lanquinite structure. It is doped with Eu2 + .
  • Lanquinite structure refers to the same crystal structure as that of Lanquinite Ca Si O.
  • a part of the Ca site of O may be substituted with Sr, Ba, or the like, or a part of the Si site may be substituted with Al, Ge, P, or the like.
  • lanquinite Ca 2 Si 3 O is preferably used as a base crystal having a lanquinite structure.
  • Eu 2+ is preferably added so that the concentration in the parent crystal is 0.5 to: L0 mol%. If the Eu 2+ concentration is less than 0.5 mol%, the emission intensity is very weak and impractical. Moreover, even when Eu 2+ exceeding 10 mol% is added, no significant increase in emission intensity is observed.
  • the phosphor for light-emitting diodes of the present invention in which Eu 2+ is doped as a luminescent ion in lanquinite, has an excitation spectrum in the visible light region of 400 to 500 nm. It has excellent characteristics as a phosphor emitting blue light-emitting diodes. And it shows a relatively broad red emission with a peak near 600nm when excited by a blue light emitting diode.
  • the phosphor for light emitting diode of the present invention it is possible to provide a novel phosphor for light emitting diode that emits light in the red region by exciting the blue light emitting diode.
  • Ca Si O was synthesized by a usual solid phase method. CaCO, Si as starting material for each sample
  • Acetone was wet mixed in an agate agate mortar.
  • the sample was dried and then fired in air at 1300 ° C for 6 hours.
  • the calcined sample was pulverized and reduced and calcined at 1300 ° C for 6 hours in a reducing atmosphere.
  • Eu 2+ was dissolved in the Ca site under the above synthesis conditions, and a single-phase target product was obtained.
  • Fig. 4 shows the excitation emission spectrum of the synthesized CaSiO: Eu2 + .
  • Blue light emitting diode The force required to absorb blue light in phosphors due to excitation The excitation spectrum broadly exists in the blue visible light range of 400 to 500 nm, and it has excellent characteristics as a phosphor for exciting blue light-emitting diodes. Confirmed to have. The emission was a relatively broad red emission with a peak at 600 nm.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

紫外発光ダイオードの励起により三原色のいずれかの発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体、或いは、青色発光ダイオードの励起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供する。Na2SrSi2O6にEu3+をドープする。好ましくは、Eu3+は、母体結晶中の濃度が1~80モル%となるように添加し、Na2SrSi2O6のSi4+サイトにAl3+又は/及びGa3+を置換する。Ca3Si2O7にCe3+とTb3+をドープする。好ましくは、Ce3+とTb3+は、母体結晶中の濃度がそれぞれ0.1~5モル%及び0.1~20モル%となるように添加する。Ca3Si2O7にEu2+をドープする。好ましくは、Eu2+は、母体結晶中の濃度が0.5~10モル%となるように添加する。

Description

明 細 書
発光ダイオード用蛍光体
技術分野
[0001] 本発明は、発光ダイオード用蛍光体に関する。
背景技術
[0002] 発光ダイオードは低消費電力、長寿命という優れた特性を持つことから信号機や照 明器具など光源として利用され始めている。そして、青色発光ダイオードと黄色発光 体 YAG: Ce3+を組み合わせた白色発光ダイオードが開発されたことで、高出力の可 視発光ダイオードの研究が多方面で進められている(例えば、特許文献 1を参照)。 特許文献 1 :特開 2003— 105336号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] しかし、 YAG: Ce3+の発光色は緑が力つた黄色であり、青色発光ダイオードで励起 した場合に、色温度が高 、冷た 、白色光しか得られな 、。
[0004] このため、紫外発光ダイオードの励起により三原色である青、緑、赤の発光色を有 する蛍光体を組み合わせて、演色性の高い白色光を得る方法が検討されており、新 たな発光ダイオード用蛍光体が求められていた。あるいは、青色発光ダイオードを用 V、た白色発光ダイオードの演色性を向上させるためには、赤色域に発光する蛍光体 を混合することが必要であった。
[0005] そこで、本発明は上記問題点に鑑み、紫外発光ダイオードの励起により三原色の いずれかの発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体、或いは、青色発光ダイォー ドの励起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供すること をその目的とする。
課題を解決するための手段
[0006] 上記課題を達成するため種々検討した結果、 Na SrSi Oに Eu3+をドープすること
2 2 6
によって、近紫外光城の励起光によって赤色発光を示すことを見出した。また、 Ca S
3 i Oに Ce3+と Tb3+をドープすることによって、近紫外光域の励起光によって緑色発 光を示すことを見出した。さらに、 Ca Si Oに Eu2+をドープすることによって、可視
3 2 7
光城の励起光によって赤色発光を示すことを見出した。そして、本発明を完成させた [0007] すなわち、本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 Na SrSi Oに Eu3+をドープして
2 2 6
なることを特徴とする。
[0008] また、本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 Ca Si Oに Ce3+と Tb3+をドープして
3 2 7
なることを特徴とする。
[0009] さらに、本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 Ca Si Oに Eu2+をドープしてなるこ
3 2 7
とを特徴とする。
発明の効果
[0010] 本発明によれば、紫外発光ダイオードの励起により赤色域の発光を示す新規の発 光ダイオード用蛍光体を提供することができる。
[0011] また、紫外発光ダイオードの励起により緑色域の発光を示す新規の発光ダイオード 用蛍光体を提供することができる。
[0012] さらに、青色発光ダイオードの励起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイォー ド用蛍光体を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]本発明の Na SrSi O: Eu3+の粉末 X線回折のチャートであり、上段は Na SrS
2 2 6 2
1 Oの結晶構造に基づきシミュレーションしたもの、中段は Eu3+をドープして 900°C
2 6
で焼成したもの、下段は Eu3+をドープして 950°Cで焼成したものである。
[図 2]本発明の Na SrSi O: Eu3+—Al3+の励起発光スペクトルである。
2 2 6
[図 3]本発明の Ca Si O: Ce3+— Tb3+の励起発光スペクトルである。
3 2 7
[図 4]本発明の Ca Si O: Eu2+の励起発光スペクトルである。
3 2 7
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明の発光ダイオード用蛍光体について説明する。
実施例 1
[0015] 本発明の第一の発光ダイオード用蛍光体は、 Na SrSi Oに Eu3+をドープしてな る。
[0016] Eu3+は、母体結晶である Na SrSi O中の濃度が 1〜80モル%となるように添カロ
2 2 6
するのが好ましい。なお、 Eu3+の濃度が 1モル%未満では発光強度が微弱であって 実用的でない。また、 80モル%を超える Eu3+を添加しても顕著な発光強度の増加が 見られない。
[0017] ケィ酸塩系母体の蛍光体として、 Na SrSi Oに発光イオンとして Eu3+をドープし
2 2 6
た本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 400nm付近の近紫外光域に Eu3+7 F→
0
5Lの遷移による部分的に高い励起スペクトルが存在し、紫外発光ダイオード励起の
6
蛍光体として優れた特性を持つ。そして、紫外発光ダイオード励起によって、 Eu3+の f—f遷移に伴う 600nm付近にピークを持つ、比較的シャープな赤色発光を示す。
[0018] また、 Na SrSi Oの Si4+サイトに Al3+又は/及び Ga3+を置換することによって、
2 2 6
二価の Sr2+サイトに三価の Eu3+をドープすることによって生じる電荷均衡上の欠陥 が補償されて減少し、飛躍的に発光強度が増加する。この場合、電荷補償の観点か ら、 Eu3+のドープ量と同モル量の Al3+又は/及び Ga3+を Si4+サイトに置換するのが 望ましい。
[0019] したがって、本発明の発光ダイオード用蛍光体によれば、紫外発光ダイオードの励 起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供することができ る。
[0020] なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなぐ本発明の思想を逸脱し な!、範囲で種々の変形実施が可能である。
[0021] 以下、本発明の Na SrSi Oに Eu3+をドープしてなる発光ダイオード用蛍光体の
2 2 6
実施例について説明する。
[0022] 出発原料として Na CO、 SrCO、 SiO、 Eu O、フラックスとして NH CIを用い、
2 3 3 2 2 3 4
Eu3+の濃度力^〜 80モル%になるようにそれぞれ秤量した。反応は通常の固相反 応によって空気中 900°C、 48時間の条件で行った。また、 Eu3+は Sr2+サイトに置換 されているので、電荷補償を行うため、 Al O、 Ga Oを Si4+サイトに Eu3+量にあわ
2 3 2 3
せて置換し、同様の条件下で焼成した。試料の同定には粉末 X線回折を、蛍光特性 の評価には蛍光分光光度計を用いた。 [0023] Eu を 1モル%ドープしたときの粉末 X線回折の結果を図 1に示す。 800°C〜105 0°Cの温度範囲で焼成した結果、 900°Cで単一相の Na SrSi Oを合成することが
2 2 6
できた。
[0024] また、その発光特性としては 400nm付近の近紫外域に Eu3+7 F→5Lの遷移に
0 6 よる部分的に高い励起スペクトルがあり、紫外発光ダイオード励起用赤色蛍光体とし て用いることができることが確認された。発光は、 Eu3+の f— f遷移に伴うシャープなス ベクトルが 600nm付近に見られ、その発光色はオレンジ成分の多!、赤色であった。
[0025] 上記のように、二価サイトに三価のイオンを置換するような場合、すなわち Sr2+サイ トに Eu3+をドープした場合、電荷均衡の観点から欠陥が生じその欠陥が非輻射中心 として作用していることが考えられる。そこで、その電荷補償として Eu3+のドープ量と 同モル量の Al3+、Ga3+を Si4+サイトに置換することで発光強度の改善を試みた。
[0026] 図 2に Eu3+20モル0 /0をドープし、さらにその電荷補償として Si4+サイトを Al3+20モ ル%で置換した試料の励起発光スぺ外ルを示す。電荷補償した試料では電荷補償 なしの試料と比べて約 2. 5倍の強度の発光が見られ、電荷補償により欠陥が減少し たことが確認された。
実施例 2
[0027] 本発明の第二の発光ダイオード用蛍光体は、ランキナイト構造を有する母体結晶 に Ce3+と Tb3+をドープしてなる。
[0028] ランキナイト構造とは、ランキナイト Ca Si Oと同じ結晶構造のことをいい、 Ca Si
3 2 7 3 2
Oの Caサイトを Sr、 Baなどで置換したものであってもよぐあるいは、 Siサイトの一部 を Al、 Ge、 Pなどで置換したものであってもよい。ランキナイト構造を有する母体結晶 としては、ランキナイト Ca Si Oが好適に用いられる。
3 2 7
[0029] また、 Ce3+と Tb3+は、母体結晶中の濃度がそれぞれ 0. 1〜5モル%及び 0. 1〜2 0モル0 /0となるように添加するのが好ましい。なお、 Ce3+と Tb3+の濃度が 0. 1モル0 /0 未満では発光強度が微弱であって実用的でない。また、 5モル%を超える Ce3+及び 20モル%を超える Tb3+を添加しても顕著な発光強度の増加が見られない。
[0030] アルカリ土類ケィ酸塩母体の蛍光体として、ランキナイトに発光イオンとして Ce3+と Tb3+をドープした本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 300〜400nmの近紫外光 域に Ce3+の励起スペクトルが存在し、紫外発光ダイオード励起の蛍光体として優れ た特性を持つ。紫外発光ダイオードにより Ce3+が励起されると、 Ce3+から Tb3+への エネルギー移動により、 Tb3+が発光する。この Tb3+の発光は、 550nm付近に最も 強いピークを持つ比較的シャープな緑色発光を示す。このように、 Ce3+と Tb3+のェ ネルギー伝達を利用した共付活により、 Tb3+からの強い発光が得られる。なお、この 共付活を蛍光増感という。
[0031] したがって、本発明の発光ダイオード用蛍光体によれば、紫外発光ダイオードの励 起により緑色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供することができ る。
[0032] なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなぐ本発明の思想を逸脱し な!、範囲で種々の変形実施が可能である。
[0033] 以下、本発明の Ca Si Oに Ce3+と Tb3+をドープしてなる発光ダイオード用蛍光体
3 2 7
の実施例について説明する。
[0034] Ca Si Oは通常の固相法によって合成した。各試料の出発原料として CaCO、 Si
3 2 7 3
O、 CeO、 Tb Oを希土類イオンである Ce3+と Tb3+の濃度をそれぞれ 0. 1〜5モ
2 2 4 7
ル%及び 0. 1〜20モル0 /0になるように秤量し、アセトンを加えメノウ乳鉢で湿式混合 した。試料を乾燥後、空気中で 1200°C、 6時間焼成した。焼成後の試料を粉砕し還 元雰囲気下で 1300°C、 6時間還元焼成した。粉末 X線回折測定の結果から上記の 合成条件で Ce3+と Tb3+が Caサイトに固溶し単一相の目的物が得られたことを確認 した。
[0035] 図 3に合成した Ca Si O: Ce3+—Tb3+の励起発光スペクトルを示す。 300〜400
3 2 7
nmの近紫外光城に励起スペクトルがブロードに存在し、紫外発光ダイオード励起用 蛍光体として非常に優れた特性を持つことが確認された。 Tb3+の発光は、 550nm付 近に最も強いピークを持つ比較的シャープな緑色の発光であった。また、 500nm付 近と 580nm付近にも Tb3+のやや弱い発光がみられ、 400nm付近には比較的ブロ ードな Ce3+の発光がみられた。
実施例 3
[0036] 本発明の第三の発光ダイオード用蛍光体は、ランキナイト構造を有する母体結晶 に Eu2+をドープしてなる。
[0037] ランキナイト構造とは、ランキナイト Ca Si Oと同じ結晶構造のことをいい、 Ca Si
3 2 7 3 2
Oの Caサイトの一部を Sr、 Baなどで置換したものであってもよぐあるいは、 Siサイト の一部を Al、 Ge、 Pなどで置換したものであってもよい。ランキナイト構造を有する母 体結晶としては、ランキナイト Ca Si Oが好適に用いられる。
3 2 7
[0038] また、 Eu2+は、母体結晶中の濃度が 0. 5〜: L0モル%となるように添加するのが好 ましい。なお、 Eu2+の濃度が 0. 5モル%未満では発光強度が微弱であって実用的 でない。また、 10モル%を超える Eu2+を添加しても顕著な発光強度の増加が見られ ない。
[0039] アルカリ土類ケィ酸塩母体の蛍光体として、ランキナイトに発光イオンとして Eu2+を ドープした本発明の発光ダイオード用蛍光体は、 400〜500nmの可視光域に励起 スペクトルが存在し、青色発光ダイオード励起の蛍光体として優れた特性を持つ。そ して、青色発光ダイオード励起で 600nm付近にピークを持つ比較的ブロードな赤色 発光を示す。
[0040] したがって、本発明の発光ダイオード用蛍光体によれば、青色発光ダイオードの励 起により赤色域の発光を示す新規の発光ダイオード用蛍光体を提供することができ る。
[0041] なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなぐ本発明の思想を逸脱し な!、範囲で種々の変形実施が可能である。
[0042] 以下、本発明の Ca Si Oに Eu2+をドープしてなる発光ダイオード用蛍光体の実施
3 2 7
例について説明する。
[0043] Ca Si Oは通常の固相法によって合成した。各試料の出発原料として CaCO、 Si
3 2 7 3
O、Eu Oを希土類イオンである Eu2+の濃度を 0. 5〜10モル0 /0になるように秤量し
2 2 3
、アセトンを力卩ぇメノウ乳鉢で湿式混合した。試料を乾燥後、空気中で 1300°C、 6時 間焼成した。焼成後の試料を粉砕し還元雰囲気下で 1300°C、 6時間還元焼成した 。粉末 X線回折測定の結果力も上記の合成条件で Eu2+が Caサイトに固溶し単一相 の目的物が得られたことを確認した。
[0044] 図 4に合成した Ca Si O: Eu2+の励起発光スペクトルを示す。青色発光ダイオード 励起による蛍光体には青色の光を吸収することが求められる力 400〜500nmの青 色の可視光域に励起スペクトルがブロードに存在し、青色発光ダイオード励起用蛍 光体として非常に優れた特性を持つことが確認された。発光は 600nmにピークを持 つ比較的ブロードな赤色の発光であった。

Claims

請求の範囲
[1] Na SrSi Oに Eu3+をドープしてなることを特徴とする発光ダイオード用蛍光体。
2 2 6
[2] Eu3+の濃度力^〜 80モル%であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の発光 ダイオード用蛍光体。
[3] Na SrSi Oの Si4+サイトに Al3+又は/及び Ga3+を置換したことを特徴とする請求
2 2 6
の範囲第 1項又は第 2項に記載の発光ダイオード用蛍光体。
[4] Ca Si Oに Ce3+と Tb3+をドープしてなることを特徴とする発光ダイオード用蛍光体
3 2 7
[5] Ce3+と Tb3+の濃度がそれぞれ 0. 1〜5モル%及び 0. 1〜20モル%であることを特 徴とする請求の範囲第 4項に記載の発光ダイオード用蛍光体。
[6] Ca Si Oに Eu2+をドープしてなることを特徴とする発光ダイオード用蛍光体。
3 2 7
[7] Eu2+の濃度が 0. 5〜 10モル%であることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の 発光ダイオード用蛍光体。
PCT/JP2006/307139 2005-09-06 2006-04-04 発光ダイオード用蛍光体 Ceased WO2007029369A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006547230A JP4528983B2 (ja) 2005-09-06 2006-04-04 発光ダイオード用蛍光体
US11/575,386 US7662311B2 (en) 2005-09-06 2006-04-04 Fluorescent substance for light-emitting diode

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-257956 2005-06-09
JP2005-257957 2005-09-06
JP2005257957 2005-09-06
JP2005257958 2005-09-06
JP2005-257958 2005-09-06
JP2005257956 2005-09-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007029369A1 true WO2007029369A1 (ja) 2007-03-15

Family

ID=37835503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/307139 Ceased WO2007029369A1 (ja) 2005-09-06 2006-04-04 発光ダイオード用蛍光体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7662311B2 (ja)
JP (1) JP4528983B2 (ja)
WO (1) WO2007029369A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102373057A (zh) * 2011-12-12 2012-03-14 苏州大学 一种白光led用硅酸盐基绿色荧光材料及其制备方法
WO2012073887A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 パナソニック株式会社 蛍光体及び発光装置
CN105219378A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 杭州电子科技大学 一种白光led用硅酸盐蓝色荧光粉及其制备方法
CN105255489A (zh) * 2015-10-26 2016-01-20 中国计量学院 一种蓝绿光激发的红色荧光粉及其制备方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102643256B (zh) * 2011-02-18 2014-12-24 上海璎黎科技有限公司 一种芳基糖苷类化合物及其制备方法和应用
EP2748277B1 (en) 2011-12-16 2018-08-22 Lumileds Holding B.V. PHOSPHOR IN WATER GLASS FOR LEDs
CN103980889B (zh) * 2014-04-30 2016-06-22 广东工业大学 一种硅酸盐基多色长余辉发光材料及其制备方法
CN104650908A (zh) * 2015-02-11 2015-05-27 浙江科技学院 Led用红色荧光粉及其制备方法
CN109233832B (zh) * 2018-09-27 2021-07-16 东莞理工学院 一种白光led用蓝\绿色荧光粉及其制备方法和应用
CN111378441A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 长春理工大学 一种提高稀土掺杂SrSi2B2O8:Tb3+荧光材料绿光发光强度的技术
CN114540013B (zh) * 2022-02-19 2023-10-20 华南理工大学 一种提升CaO:Eu2+近红外荧光粉发光强度和热稳定性的方法及其应用
CN119799324B (zh) * 2025-01-02 2025-11-25 江南大学 一种刺激响应性单掺杂uvc-红光双波段发射材料及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168683A (ja) * 1982-03-30 1983-10-05 Mitsubishi Electric Corp 2価のユ−ロピユ−ムで付活した珪酸マグネシウム・カルシウム「けい」光体
JPS60141781A (ja) * 1983-12-29 1985-07-26 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換方法
US6555958B1 (en) * 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
DE10319091A1 (de) * 2003-04-28 2004-09-09 Siemens Ag Leuchtstoff zum Umwandeln einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung
JP2005064272A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP2005126577A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及びこれを利用した発光装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4932107B2 (ja) 2001-09-28 2012-05-16 株式会社ファインラバー研究所 発光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58168683A (ja) * 1982-03-30 1983-10-05 Mitsubishi Electric Corp 2価のユ−ロピユ−ムで付活した珪酸マグネシウム・カルシウム「けい」光体
JPS60141781A (ja) * 1983-12-29 1985-07-26 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換方法
US6555958B1 (en) * 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
DE10319091A1 (de) * 2003-04-28 2004-09-09 Siemens Ag Leuchtstoff zum Umwandeln einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung
JP2005064272A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP2005126577A (ja) * 2003-10-24 2005-05-19 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体及びこれを利用した発光装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DATABASE CA [online] 1994, LIU Z. AND TIE S.: "Effect of compensators on synthesis and luminescence of Eu(III)-activated phosphors", XP003001175, Database accession no. (120:283460) *
XIANGTAN DAXUE ZIRAN KEXUE XUEBAO, vol. 14, no. 4, 1992, pages 6 - 11 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012073887A1 (ja) * 2010-11-30 2012-06-07 パナソニック株式会社 蛍光体及び発光装置
CN103097488A (zh) * 2010-11-30 2013-05-08 松下电器产业株式会社 荧光体及发光装置
CN103097488B (zh) * 2010-11-30 2014-09-03 松下电器产业株式会社 荧光体及发光装置
CN102373057A (zh) * 2011-12-12 2012-03-14 苏州大学 一种白光led用硅酸盐基绿色荧光材料及其制备方法
CN105219378A (zh) * 2015-09-28 2016-01-06 杭州电子科技大学 一种白光led用硅酸盐蓝色荧光粉及其制备方法
CN105255489A (zh) * 2015-10-26 2016-01-20 中国计量学院 一种蓝绿光激发的红色荧光粉及其制备方法
CN105255489B (zh) * 2015-10-26 2017-06-27 中国计量学院 一种蓝绿光激发的红色荧光粉及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4528983B2 (ja) 2010-08-25
US7662311B2 (en) 2010-02-16
JPWO2007029369A1 (ja) 2009-03-12
US20090085009A1 (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yanmin et al. Photoluminescent properties of Sr2SiO4: Eu3+ and Sr2SiO4: Eu2+ phosphors prepared by solid-state reaction method
Wang et al. BaZrSi 3 O 9: Eu 2+: a cyan-emitting phosphor with high quantum efficiency for white light-emitting diodes
Liu et al. Single-phased white-light-emitting KCaGd (PO 4) 2: Eu 2+, Tb 3+, Mn 2+ phosphors for LED applications
KR101475497B1 (ko) 혼합된 2가 및 3가 양이온을 갖는 알루미늄-규산염계 오렌지색-적색 인광물질
Hou et al. Red, green and blue emissions coexistence in white-light-emitting Ca 11 (SiO 4) 4 (BO 3) 2: Ce 3+, Eu 2+, Eu 3+ phosphor
Jia et al. Synthesis and photoluminescence properties of Ce 3+ and Eu 2+-activated Ca 7 Mg (SiO 4) 4 phosphors for solid state lighting
Zhu et al. Warm white light generation from a single phased phosphor Sr 10 [(PO 4) 5.5 (BO 4) 0.5](BO 2): Eu 2+, Mn 2+, Tb 3+ for light emitting diodes
CN101962542B (zh) 一种白光led用铌酸盐基红色荧光粉及制备方法和应用
WO2008058462A1 (en) An aluminate phosphor containing bivalence metal elements, its preparation and the light emitting devices incorporating the same
US8444880B2 (en) Yellow phosphor having oxyapatite structure, preparation method and white light-emitting diode thereof
Guo et al. Luminescent properties of SrMg2 (PO4) 2: Eu2+, and Mn2+ as a potential phosphor for ultraviolet light-emitting diodes
Wang et al. A white emitting phosphor BaMg2 (PO4) 2: Ce3+, Mn2+, Tb3+: Luminescence and energy transfer
Guo et al. A tunable warm-white-light Sr 3 Gd (PO 4) 3: Eu 2+, Mn 2+ phosphor system for LED-based solid-state lighting
US20080191234A1 (en) Yellow phosphor and white light emitting device using the same
JP4528983B2 (ja) 発光ダイオード用蛍光体
Xie et al. Energy transfer properties of a single-phase Na 3 Gd (PO 4) 2: Eu 2+, Mn 2+ phosphor with excellent thermal stability for w-LEDs
Bian et al. The crystal structure and luminescence of phosphor Ba9Sc2Si6O24: Eu2+, Mn2+ for white light emitting diode
Wang et al. Synthesis, crystal structure, and photoluminescence of a novel blue-green emitting phosphor: BaHfSi 3 O 9: Eu 2+
CN101253814A (zh) 碳氮化硅酸盐发光物质
JPWO2015045260A1 (ja) 蛍光体及びこれを用いた発光装置、照明光源、照明装置
Liu et al. Thermally stable luminescence of blue LiSrPO4: Eu2+ phosphor for near-UV light-emitting diodes
Li et al. Incorporating Ce 3+ into a high efficiency phosphor Ca 2 PO 4 Cl: Eu 2+ and its luminescent properties
CN107629794A (zh) 一种铕离子Eu3+激活的铋基发光材料、制备方法及应用
CN107325813A (zh) 一种蓝绿色荧光材料及其制备方法
KR102086821B1 (ko) Led용 지르콘네이트 형광체, 이의 제조방법, 및 이의 발광 특성

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006547230

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11575386

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06731087

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1