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WO2007083503A1 - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

弾性表面波フィルタ装置 Download PDF

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WO2007083503A1
WO2007083503A1 PCT/JP2006/326060 JP2006326060W WO2007083503A1 WO 2007083503 A1 WO2007083503 A1 WO 2007083503A1 JP 2006326060 W JP2006326060 W JP 2006326060W WO 2007083503 A1 WO2007083503 A1 WO 2007083503A1
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idts
acoustic wave
filter device
surface acoustic
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PCT/JP2006/326060
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Minefumi Ouchi
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to US11/773,592 priority patent/US7439827B2/en
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    • H03H9/14588—Horizontally-split transducers

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave filter device used as, for example, a bandpass filter of a mobile communication device, and more particularly to a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device.
  • Patent Document 1 listed below discloses a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 501 shown in FIG. 16 as this type of longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter.
  • a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 501 five IDTs 511 to 515 are arranged in the surface wave propagation direction. Five IDTs are arranged, and reflectors 516 and 517 are arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the part. Among the five IDTs 511 to 515, the IDT arranged in the center is defined as a first IDT 511. The pair of IDTs located on both sides of the first IDT 511 is defined as second and third IDTs 512 and 513, and the IDTs on both sides located on the outermost side in the surface wave propagation direction are designated as fourth and fourth IDTs. IDT514 and 515 of 5.
  • the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the first IDT 511 are Nl and Pl
  • the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the second and third ID T 512 and 513 are N2 and P2
  • the fourth and fourth The number of electrode fingers and the electrode finger pitch of IDT514 and 515 of 5 are N3 and P3.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-92527
  • An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, increase the attenuation in the stopband near the passband, and increase the steepness of the filter characteristics. It is to provide a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device.
  • the present invention provides a piezoelectric substrate, a first IDT disposed on the piezoelectric substrate, second and third IDTs disposed on both sides of the surface wave propagation direction of the first IDT, ⁇ Surface wave propagation direction of the part where the third IDT is arranged.
  • the fourth and fifth IDTs arranged on both sides of the part where the third IDT is arranged, and the part where the first to fifth IDTs are provided
  • a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device having first and second reflectors arranged on both sides, wherein the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the first IDT are N1 and P1.
  • the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the first to fifth IDTs are determined so as to satisfy N1 ⁇ N2, N1 ⁇ N3, and PK P23 ⁇ 4tJ ⁇ Pl ⁇ P3.
  • the device has an unbalanced signal terminal and first and second balanced signal terminals, and the phase of the second IDT is relative to the phase of the third IDT. 180 ° different from each other, one end of each of the second and third IDTs is connected to an unbalanced signal terminal, and the first IDT is divided and arranged in the surface wave propagation direction.
  • a divided IDT unit and a second divided IDT unit wherein the first divided IDT unit and the fourth IDT are connected to a first balanced signal terminal, and the second divided IDT unit and the second divided IDT unit
  • the fifth IDT is connected to the second balanced signal terminal.
  • an unbalanced signal terminal and first and second balanced signal terminals are provided, and the phase of the second IDT is relative to the phase of the third IDT. 180 °, and one end of each of the first, fourth, and fifth IDTs is connected to an unbalanced signal terminal.
  • the second IDT is connected to the first balanced signal terminal, and the third IDT is connected to the second balanced signal terminal.
  • an elastic surface wave filter device that can increase the attenuation in the stop band on the low pass band side and that has a balanced-unbalanced change.
  • At least one one-terminal-pair surface acoustic wave resonator includes the first and second balanced signal terminal sides and Z or It is connected to the balanced signal terminal side. Since at least one inner terminal pair surface acoustic wave resonator is connected as described above, it is possible to increase the amount of attenuation on the high side of the passband.
  • the portion where the first and second IDTs are adjacent to each other and the portion where the second and fourth IDTs are adjacent to each other Both of the two IDTs adjacent to each other, or both of the part where the first and third IDTs are adjacent to each other and the part where the third and fifth IDTs are adjacent to each other.
  • serial weighting is applied to a plurality of electrode fingers including the outermost electrode finger that is also close to the IDT of the other party. In this case, excitation is weakened on both sides of a floating electrode (described later) provided in the portion to which series weighting is applied, and thereby the degree of balance can be increased.
  • the surface acoustic wave filter device is a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device having first to fifth IDTs, and the number of electrode fingers of the first IDT and The electrode finger pitch is N1 and P1, the number of electrode fingers of the second and third IDTs and the electrode finger pitch are N2 and P2, and the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the fourth and fifth IDTs are N3 and If P3, N1 ⁇ N2, N1 ⁇ N3,? The number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the first to fifth IDTs are determined to satisfy 1 ⁇ ? 2 and 1 3 1 ⁇ ? 3. The attenuation can be increased, the steepness of the filter characteristics can be increased, and the insertion loss in the passband can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing transmission characteristics when N1> N2, N3 and PI> P2, P3 and transmission characteristics at 1 ⁇ termination in a conventional longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device. It is.
  • FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics of the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention and the transmission characteristics at the time of 1 ⁇ termination.
  • FIG. 5 is a diagram showing changes in traps and resonance peaks that appear on the lower passband side when the electrode finger pitch P1 is changed stepwise by 0.005 m.
  • FIG. 6 is a diagram showing changes in trap and resonance peak positions when the number N1 of electrode fingers of the first IDT is decreased step by step every four.
  • Figs. 7 (a) and 7 (b) are diagrams showing the amount of change in P1 when the electrode finger pitch P1 of the first IDT is changed, and the change in the frequency position of trap D and peak E. It is.
  • FIGS. 8 (a) and 8 (b) are diagrams showing the amount of change in PI when the electrode finger pitch PI of the first IDT is changed, and the amount of attenuation in trap D and peak E, respectively. It is.
  • FIG. 9 shows the relationship between the amount of change when the electrode finger pitch P1 of the first IDT is changed, and the difference in attenuation between the trap D and the resonance peak E appearing on the low pass band side.
  • FIG. 10 is a diagram schematically showing the energy distribution of current in the first to fifth IDTs arranged in the surface wave propagation direction.
  • FIG. 11 is a diagram showing transmission characteristics and transmission characteristics at the time of 1 ⁇ termination of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device of the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing an electrode structure of a modification of the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device of the present invention.
  • FIG. 13 is a view showing another modification of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device of the present invention. It is a schematic plan view which shows an electrode structure.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing an electrode structure of still another modified example of the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing an electrode structure of still another modification of the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing an electrode structure of a conventional 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device.
  • the solid line shows the transmission characteristics at the end of 1 ⁇ with a broken line.
  • the transmission characteristics at the end of 1 ⁇ are one of the modal analysis techniques effective for searching for the peak frequency due to mode coupling of the surface acoustic wave filter device.
  • Other specifications are as follows.
  • a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter was formed by the A1 electrode.
  • Electrode film thickness 0.08 ⁇ (where ⁇ is the wavelength determined by the electrode finger pitch of the reflector, that is, twice the electrode finger pitch of the reflector)
  • FIG. 1 relates to a first embodiment of the present invention made to solve the above-described problem.
  • 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a surface acoustic wave filter device.
  • the surface acoustic wave filter device 1 is a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device, and is used as a band-pass filter for PCS reception in this embodiment. Therefore, the design passband is 1930 ⁇ 1990MHz.
  • the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device is configured using a piezoelectric substrate 2.
  • Piezoelectric substrate 2 also has a LiTaO substrate force of 40 ⁇ 5 ° Y-cut X propagation.
  • piezoelectric substrate 2 also has a LiTaO substrate force of 40 ⁇ 5 ° Y-cut X propagation.
  • piezoelectric substrate 2 also has a LiTaO substrate force of 40 ⁇ 5 ° Y-cut X propagation.
  • Substrate 2 can be a LiTaO substrate with other crystal orientation, or another piezoelectric single crystal substrate or piezoelectric
  • It may be formed of a ceramic substrate.
  • the illustrated electrode structure is formed on the piezoelectric substrate 2.
  • the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 has an unbalanced signal terminal 3 and first and second balanced signal terminals 4 and 5 so as to have a balanced-unbalanced variable function. It is configured.
  • an IDT arranged in the center of the surface wave propagation direction is defined as a first IDT 11.
  • Second and third IDTs 12 and 13 are arranged on both sides of one IDT 11.
  • the fourth and fifth IDTs 14 and 15 are disposed on the outermost side in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the first IDT 11 is divided into two in the surface acoustic wave propagation direction.
  • the first divided IDT section 1 is divided into two in the surface acoustic wave propagation direction.
  • first and second reflectors 16 and 17 are arranged on both sides of the surface wave propagation direction of the portion where the first to fifth IDTs 11 to 15 are arranged.
  • One end of each of the second and third IDTs 12 and 13 is commonly connected to the unbalanced signal terminal 3.
  • the other ends of the second and third IDTs 12 and 13 are connected to the ground potential.
  • One end of the fourth IDT 14 and one end of the first divided IDT unit 11A of the first IDT 11 are connected in common, and further connected to the first balanced signal terminal 4.
  • the other ends of the IDT 14 and the first divided IDT section 11A are connected to the ground potential.
  • One end of each of the second divided IDT unit 11B and the fifth IDT 15 of the first IDT 11 is connected in common and connected to the second balanced signal terminal 5.
  • the other ends of the second divided IDT section 11B and the fifth IDT 15 are connected to the ground potential.
  • the polarity of the third IDT 13 is made 180 degrees different from the polarity of the second IDT 12, so that signals having a phase difference of 180 degrees can be extracted from the balanced signal terminals 4 and 5. It is made.
  • the divided IDT portions 11A and 1 IB are connected in series by electrodes connected to the ground potential of the IDT 11.
  • the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the first IDT 11 are Nl, Pl, and the electrodes of the second and third IDTs 12 and 13 are used.
  • the number of fingers and the electrode finger pitch are N2 and P2, and the number of electrode fingers and the electrode finger pitch of the fourth and fifth IDTs 14 and 15 are N3 and P3. Since N1 ⁇ N2, N1 ⁇ N3, P1 ⁇ P2, and P1 ⁇ P3, the attenuation in the stopband on the low passband side can be increased, and the steepness of the filter characteristics can be improved. The insertion loss of the pass band can be reduced. This will be described based on more specific experimental data.
  • the wavelength determined by the electrode finger pitch of the reflectors 16 and 17 is the same as that of the surface acoustic wave filter device 501 described above, except that the following specifications are used. A wave filter device 1 was produced.
  • Electrode finger crossing width 55 / ⁇ ⁇
  • Electrode film thickness 0.08 ⁇
  • FIG. 4 shows the transmission characteristics of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device of the above embodiment as a solid line. The transmission characteristics at the end of 1 ⁇ are indicated by broken lines.
  • Peaks C1 and C2 are resonance peaks necessary for forming a passband.
  • the trap provided near 1915MHz and the 1900MHz
  • the peak C3 forms a side lobe on the low pass band side, and the attenuation on the low pass band side is increased.
  • FIG. 6 is a diagram showing a change in transmission characteristics at the time of termination of 1 ⁇ when the value of the electrode finger pitch P1 of the first IDT is decreased every 0.005 ⁇ m.
  • the electrode finger pitch P1 of the first IDT 511 is decreased, the trap D is generated on the low pass band side, and the trap is shifted to the high frequency side. .
  • the peak E is generated immediately above the trap D, and as P1 becomes smaller, the peak E shifts to the high frequency side, and the passing band becomes narrower.
  • the trap D and peak E generated in the transmission characteristics at the time of termination of 1 ⁇ are used for forming the pass band, thereby increasing the attenuation of the stop band on the low pass band side.
  • the steepness on the low side of the pass band can be improved.
  • the larger the attenuation amount of the trap D the greater the effect of expanding the attenuation amount.
  • insertion loss in the passband can be reduced.
  • FIG. 8 (a) shows the change in the attenuation amount of the trap D when the electrode finger pitch P1 of the first IDT and the number N1 of electrode fingers are changed
  • FIG. 8 (b) The change in the attenuation of peak E is shown.
  • FIG. 7 (a) shows changes in trap frequency when the electrode finger pitch P1 of the first IDT and the number N1 of electrode fingers are changed.
  • FIG. 7B shows how the peak frequency changes when the electrode finger pitch P1 of the first IDT and the number N1 of electrode fingers are changed.
  • FIG. 9 shows the difference between the amount of attenuation of the trap and the amount of attenuation of the peak point when the electrode finger pitch P 1 and the number N 1 of electrode fingers of the first IDT are changed.
  • N1 ⁇ N2 and N1 ⁇ N3 the amount of trap attenuation increases and the peak attenuation decreases, so this difference increases and the steepness of the low passband is increased. It can be seen that the insertion loss can be reduced.
  • the reason why the attenuation at the peak point decreases as the number N1 of electrode fingers of the first IDT decreases is considered to be that the current is extracted more efficiently in the first IDT when N1 is smaller. .
  • the number N1 of electrode fingers is desirably 21 or more in the above embodiment.
  • a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave is obtained in the same manner as the embodiment shown in FIG. 1 except that the design parameters are changed as follows in the second embodiment.
  • a filter device was fabricated.
  • Figure 11 shows the transmission characteristics of the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device of the second embodiment and the transmission characteristics at the 1 ⁇ termination.
  • Electrode finger crossing width 45 m
  • Electrode film thickness 0.08 ⁇
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device of the present invention is not limited to the one having the electrode structure of the first and second embodiments.
  • the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter A 1-terminal-pair surface acoustic wave resonator 102 is further connected to the filter device 1. That is, one terminal-pair surface acoustic wave resonance is connected in series between the unbalanced signal terminal 3 and the common connection of the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter 1 with the second and third ID T12, 13. Child 102 is connected.
  • the first longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 1 is connected between the first and second balanced signal terminals 4 and 5.
  • 1 terminal pair surface acoustic wave resonators 112 and 113 are connected in series, respectively.
  • At least one surface acoustic wave resonator may be connected in series between the unbalanced signal terminal or the balanced signal terminal.
  • the attenuation on the high frequency side can be expanded.
  • the first IDT 131 is configured with a normal IDT without a divided IDT section. Then, one end of each of the first IDT 131 and the fourth and fifth IDTs 134 and 135 arranged on the outermost side in the surface wave propagation direction is commonly connected and electrically connected to the unbalanced signal terminal 3. Each other end is connected to ground potential.
  • each one end of the second and third IDTs 132 and 133 is connected to the ground potential, the other end of the second IDT 132 is connected to the first balanced signal terminal 4 and the other end of the third IDT 133 is connected to the first terminal. Connected to 2 balanced signal terminal 5.
  • the first to fifth IDTs 131 to 135 may be used without providing the divided IDT unit, thereby realizing the balance-unbalance change and ability.
  • the longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device 141 shown in FIG. 15 has a structure in which the first longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter device 1 is weighted in series and is elastic to one terminal.
  • the surface wave resonator 102 is connected.
  • series weighting is performed by providing floating electrode fingers 143 and 144 that reach a region between the electrode fingers at both ends of the surface wave propagation direction and the electrode fingers located inside thereof. ing.
  • Other points are the same as those of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device 101 shown in FIG.
  • IDT of the 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter may be appropriately weighted in series.
  • serial weighting is applied, excitation on both sides of the floating electrode fingers 143 and 144 is weakened, and the degree of balance is increased.
  • the present invention is not limited to the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter having the balance-unbalance conversion function as described above, but, for example, a 5IDT type longitudinally coupled resonator type elastic material shown in FIG. table It may be one that does not have a balanced-unbalanced conversion function like a surface wave filter.
  • a 5IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter N1 ⁇ N2, N1 ⁇ N3, P1 ⁇ P2 and P1 ⁇ P3, so that It is possible to increase the attenuation in the stop band, increase the steepness of the filter characteristics, and reduce the insertion loss in the passband.

Landscapes

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Abstract

　十分な通過帯域幅を有し、通過帯域低域側阻止域における減衰量を拡大し、フィルタ特性の急峻性を高めることができ、かつ通過帯域内挿入損失の低減を図ることができる縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置を提供する。 　第１のＩＤＴ１１と、第１のＩＤＴ１１の表面波伝搬方向両側に配置された第２，第３のＩＤＴ１２，１３と、表面波伝搬方向最外側の両側に配置された第４，第５のＩＤＴ１４，１５とを有する５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置１であって、第１のＩＤＴ１１の電極指の本数をＮ１、電極指ピッチＰ１、第２，第３のＩＤＴ１２，１３の電極指の本数及び電極指ピッチＮ２，Ｐ２、第４，第５のＩＤＴの電極指の本数及び電極指ピッチＮ３，Ｐ３としたときに、Ｎ１＜Ｎ２、Ｎ１＜Ｎ３、Ｐ１＜Ｐ２及びＰ１＜Ｐ３とされている縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置１。

Description

明 細 書
弾性表面波フィルタ装置
技術分野
[0001] 本発明は、例えば移動体通信機器の帯域フィルタとして用いられる弾性表面波フィ ルタ装置に関し、より詳細には、 5IDT型の縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装 置に関する。
背景技術
[0002] 近年、携帯電話機などの移動体通信機器の RF段の帯域フィルタとして、縦結合共 振子型弾性表面波フィルタが広く用いられて 、る。下記の特許文献 1にはこの種の 縦結合共振子型弾性表面波フィルタとして、図 16に示す 5IDT型の縦結合共振子 型弾性表面波フィルタ 501が開示されて 、る。
[0003] 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 501では、 5個の IDT511〜515 が表面波伝搬方向に配置されて 、る。 5個の IDTが配置されて 、る部分の表面波伝 搬方向両側に、それぞれ反射器 516, 517が配置されている。上記 5個の IDT511 〜515の内、中央に配置されている IDTを第 1の IDT511とする。そして、第 1の IDT 511の両側に位置している一対の IDTを、第 2,第 3の IDT512, 513とし、表面波伝 搬方向最外側に位置している両側の IDTを第 4,第 5の IDT514, 515とする。この 場合、第 1の IDT511の電極指の本数及び電極指ピッチを Nl, Pl、第 2,第 3の ID T512, 513の電極指の本数及び電極指ピッチを N2, P2とし、第 4,第 5の IDT514 , 515の電極指の本数及び電極指ピッチを N3, P3とする。特許文献 1では、 N1 >N 2>N3かつ P1 >P2>P3とされている。そして、このような構成により、複数の IDT5 11〜515の放射特性のピーク周波数が実質上等しくなり、広帯域のフィルタ特性を 得ることができるとされている。
特許文献 1：特開 2003 - 92527号公報
発明の開示
[0004] しかしながら、特許文献 1に記載の 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 501では、通過帯域を拡げ得るものの、帯域外減衰量を十分大きくすることができな かった。特に、通過帯域低域側近傍の阻止域において、十分大きな減衰量を得るこ とができず、フィルタ特性の急峻性を高めることができな力 た。
[0005] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、通過帯域近傍の阻止域に おける減衰量を大きくすることができ、フィルタ特性の急峻性を高めることが可能とさ れて ヽる、 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置を提供することにある
[0006] 本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に配置された第 1の IDTと、第 1の IDTの 表面波伝搬方向両側に配置された第 2,第 3の IDTと、第 1〜第 3の IDTが配置され ている部分の表面波伝搬方向両側に配置された第 4,第 5の IDTと、前記第 1〜第 5 の IDTの設けられて 、る部分の表面波伝搬方向両側に配置された第 1 ,第 2の反射 器とを有する縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装置であって、前記第 1の IDT の電極指の本数及び電極指ピッチを N1及び P1とし、前記第 2,第 3の IDTの電極指 の本数及び電極指ピッチを N2及び P2とし、前記第 4,第 5の IDTの電極指の本数及 び電極指ピッチを N3及び P3とした場合、 N1 <N2、 N1 <N3、 PK P2¾tJ^Pl < P 3を満たすように前記第 1〜第 5の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチが定められ ていることを特徴とする。
[0007] 本発明のある特定の局面では、不平衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを 有し、前記第 2の IDTの位相が前記第 3の IDTの位相に対して 180° 異なっており、 前記第 2及び第 3の IDTの各一端が不平衡信号端子に接続されており、前記第 1の I DTが、表面波伝搬方向に分割されて配置された第 1の分割 IDT部及び第 2の分割 I DT部を有し、前記第 1の分割 IDT部及び前記第 4の IDTが第 1の平衡信号端子に 接続されており、前記第 2の分割 IDT部及び前記第 5の IDTが第 2の平衡信号端子 に接続されている。この場合には、本発明に従って、通過帯域低域側の阻止域にお ける減衰量を高めることができ、しかも平衡—不平衡変換機能を有する弾性表面波 フィルタ装置を提供することができる。
[0008] 本発明の他の特定の局面では、不平衡信号端子と第 1,第 2の平衡信号端子とを 有し、前記第 2の IDTの位相が前記第 3の IDTの位相に対して 180° 異なっており、 前記第 1,第 4及び第 5の IDTの各一端が不平衡信号端子と接続されており、前記第 2の IDTが第 1の平衡信号端子に接続されており、前記第 3の IDTが第 2の平衡信号 端子に接続されている。この場合には、本発明に従って、通過帯域低域側の阻止域 における減衰量を高めることができ、しかも平衡一不平衡変 能を有する弾性表 面波フィルタ装置を提供することができる。
[0009] 本発明の弾性表面波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、少なくとも 1個の 1端子対弾性表面波共振子が、前記第 1,第 2の平衡信号端子側及び Zまたは前記 不平衡信号端子側に接続されている。少なくとも 1個の内端子対弾性表面波共振子 が上記のように接続されているので、通過帯域高域側における減衰量を大きくするこ とがでさる。
[0010] 本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のさらに他の特定の局面では、前記第 1,第 2の IDTが隣り合つている部分及び前記第 2及び第 4の IDTが隣り合つている部分の 双方において、あるいは前記第 1,第 3の IDTが隣り合つている部分及び第 3,第 5の IDTが隣り合って 、る部分の双方にぉ 、て、隣り合う 2つの IDTの一方及び Zまたは 他方において、相手方の IDTにもつとも近接している最外電極指を含む複数本の電 極指に直列重み付けが施されている。この場合には、直列重み付が施されている部 分に設けられている後述の浮き電極の両側において励振が弱められ、それによつて 、平衡度を高めることが可能となる。
(発明の効果）
[0011] 本発明に係る弾性表面波フィルタ装置は、第 1〜第 5の IDTを有する 5IDT型の縦 結合共振子型弾性表面波フィルタ装置であり、上記第 1の IDTの電極指の本数及び 電極指ピッチを N1及び P1とし、第 2,第 3の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチ を N2及び P2とし、第 4,第 5の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチを N3及び P3 とした場合、 N1 <N2、 N1 <N3、？1 < ?2及び131 < ?3を満たすょぅに第1〜第5の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチが定められて ヽるので、通過帯域低域側に おける阻止域の減衰量を大きくすることができ、フィルタ特性の急峻性を高めることが でき、さらに通過帯域における挿入損失を小さくすることが可能となる。
[0012] よって、本発明によれば、帯域外減衰量が大きぐかつ低損失の 5IDT型の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタ装置を提供することが可能となる。 図面の簡単な説明
[図 1]図 1は、本発明の第 1の実施形態に係る縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装 置を示す模式的平面図である。
[図 2]図 2は、従来の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置において、 N1 =N2 =N3かつ PI = P2 = P3である場合の伝送特性及び 1 Ω終端時の伝送特性を示す 図である。
[図 3]図 3は、従来の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置において、 N1 >N2, N3かつ PI >P2, P3とした場合の伝送特性及び 1 Ω終端時の伝送特性を示す図で ある。
[図 4]図 4は、本発明の第 1の実施形態に係る縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装 置の伝送特性及び 1 Ω終端時の伝送特性を示す図である。
[図 5]図 5は、電極指ピッチ P1を 0. 005 m毎ステップ的に変化させていった場合の 通過帯域低域側に現れるトラップ及び共振ピークの変化を示す図である。
[図 6]図 6は、第 1の IDTの電極指の本数 N1を 4本毎にステップ的に少なくしていった 場合のトラップ及び共振ピークの位置の変化を示す図である。
[図 7]図 7 (a) , (b)は、第 1の IDTの電極指ピッチ P1を変化させた場合の P1の変化 量と、トラップ D及びピーク Eの周波数位置の変化を示す各図である。
[図 8]図 8 (a) , (b)は、第 1の IDTの電極指ピッチ PIを変化させた場合の PIの変化 量と、トラップ D及びピーク Eにおける減衰量の変化を示す各図である。
[図 9]図 9は、第 1の IDTの電極指ピッチ P1を変化させた場合の変化量と、通過帯域 低域側に現れるトラップ Dと共振ピーク Eとの減衰量の差の関係を示す図である。
[図 10]図 10は、表面波伝搬方向に配置された第 1〜第 5の IDTにおける電流のエネ ルギ一分布を模式的に示す図である。
[図 11]図 11は、第 2の実施形態の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置の伝送 特性及び 1 Ω終端時の伝送特性を示す図である。
[図 12]図 12は、本発明の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置の変形例の電極 構造を示す模式的平面図である。
[図 13]図 13は、本発明の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置の他の変形例の 電極構造を示す模式的平面図である。
[図 14]図 14は、本発明の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置のさらに他の変 形例の電極構造を示す模式的平面図である。
[図 15]図 15は、本発明の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置のさらに別の変 形例の電極構造を示す模式的平面図である。
[図 16]図 16は、従来の 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置の電極 構造を示す模式的平面図である。
符号の説明
[0014] 1 · ··縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置
2…圧電基板
3…不平衡端子
4, 5…第 1,第 2の平衡信号端子
11〜15· ··第 1〜第 5の IDT
11A, 11B…第 1,第 2の分割 IDT部
16, 17…反射器
101 · ··縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置
102…弾性表面波共振子
111· ··縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置
112, 113…弾性表面波共振子
121· ··縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置
131〜135· ··Π Γ
141 · ··縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置
142· --IDT
143, 144· ··浮き電極指
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、特許文献 1に記載の先行技術における問題点をより具体的なデータに基づ き説明した後に本願発明の実施形態を図面を参照しつつ説明することとする。
[0016] 図 16に示した 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 501において、 前述した電極指の本数 Nl, N2及び N3及び電極指ピッチ PI, P2及び P3について 、 N1 =N2=N3かつ P1 =P2 = P3とした場合の該弹性表面波フィルタ装置の伝送 特性を図 2に実線で、 1 Ω終端時の伝送特性を破線で示す。なお、 1 Ω終端時の伝 送特性は、弾性表面波フィルタ装置のモード結合によるピーク周波数を探索するの に有効なモード解析手法の 1つである。
[0017] 図 2は、 N1 =N2=N3 =41本、 P1 = P2 = P3 = 1. 024 mとした場合の特性で ある。なお、その他の仕様については以下の通りとした。
[0018] 弾性表面波フィルタ装置 501の仕様: 40 ± 5° Yカット X伝搬の LiTaO基板上に、
3
A1電極により 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタを形成した。
[0019] IDTの電極指の交叉幅 = 55 πι
反射器の電極指の本数 = 100本
メタライゼーシヨンレシオ =0. 7
電極膜厚 =0. 08 λ (但し、 λは反射器の電極指ピッチで定められる波長、つまり 反射器の電極指ピッチの 2倍）
図 2において破線で示されている 1 Ω終端時の伝送特性から明らかなように、通過 帯域内にピーク A1が存在し、阻止域にピーク Α2が存在することがわかる。すなわち
、阻止域内において、モード結合によるピークが存在していることがわかる。
[0020] 図 3は、上記縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 501において、 Nl = 55本、
Ν2 = 51本、 Ν3 = 27本、 Pl = l . 027 ^ m, P2= l . 026 m及び P3 = 1. 022 μ mとしたときの伝送特性を実線で、 1 Ω終端時の伝送特性を破線で示す。すなわち、 ここでは、 Nl >N2 >N3かつ PI >P2 >P3とされている。
[0021] 図 3から明らかなように、破線で示されている 1 Ω終端時の伝送特性において、図 2 の場合と同様に阻止域内にモード結合によるピーク Bが現れていることがわかる。
[0022] 上記のようなモード結合によるピーク A1などは、通過帯域を形成するために必要で あるが、阻止域、特に通過帯域近傍の阻止域に上記ピーク A2やピーク Bが存在する と、図 2及び図 3の伝送特性から明らかなように、通過帯域低域側の阻止域における 減衰量が十分大きくならな 、と 、う問題のあることがわかった。
[0023] 図 1は、上記のような問題を解決するためになされた本発明の第 1の実施形態に係 る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。
[0024] 弾性表面波フィルタ装置 1は、 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 であり、本実施形態では、 PCS受信用帯域フィルタして用いられるものである。従つ て、設計通過帯域は 1930〜1990MHzである。
[0025] また、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置は、圧電基板 2を用いて構成されて いる。圧電基板 2は、 40± 5° Yカット X伝搬の LiTaO基板力もなる。もっとも、圧電
3
基板 2は、他の結晶方位の LiTaO基板、あるいは他の圧電単結晶基板もしくは圧電
3
セラミック基板により形成されてもよい。
[0026] 圧電基板 2上に、図示の電極構造が形成されて!ヽる。縦結合共振子型弾性表面波 フィルタ装置 1は、不平衡信号端子 3と、第 1,第 2の平衡信号端子 4, 5とを有し、平 衡―不平衡変^ ¾能を有するように構成されている。
[0027] 5個の IDTの内、表面波伝搬方向中央に配置された IDTを第 1の IDT11とする。第
1の IDT11の両側に、第 2,第 3の IDT12, 13が配置されている。そして、弾性表面 波伝搬方向最外側に第 4,第 5の IDT14, 15が配置されている。
[0028] 第 1の IDT11は、弾性表面波伝搬方向に 2分割されて設けられた第 1分割 IDT部 1
1Aと、第 2分割 IDT部 11Bとを有する。
[0029] また、第 1〜第 5の IDT11〜15が配置されている部分の表面波伝搬方向両側に、 第 1,第 2の反射器 16, 17が配置されている。
[0030] 不平衡信号端子 3に、第 2,第 3の IDT12, 13の各一端が共通接続されている。第
2,第 3の IDT12, 13の各他端はグラウンド電位に接続されている。
[0031] 第 4の IDT14の一端と第 1の IDT11の第 1分割 IDT部 11Aの一端とが共通接続さ れており、さらに第 1の平衡信号端子 4に接続されている。 IDT14及び第 1分割 IDT 部 11 Aの他端はグラウンド電位に接続されて 、る。
[0032] 第 1の IDT11の第 2分割 IDT部 11B及び第 5の IDT15の各一端が共通接続され、 第 2の平衡信号端子 5に接続されている。第 2分割 IDT部 11B及び第 5の IDT15の 各他端はグラウンド電位に接続されて 、る。
[0033] 第 2の IDT12の極性に対して、第 3の IDT13の極性が 180度異ならされており、そ れによって、平衡信号端子 4, 5から 180度位相が異なる信号が取り出されるように構 成されている。
[0034] 分割 IDT部 11A, 1 IBは、 IDT11のグラウンド電位に接続される電極により直列接 続されている。
[0035] 本実施形態の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1では、第 1の IDT11の電 極指の本数及び電極指ピッチを Nl, Pl、第 2,第 3の IDT12, 13の電極指の本数 及び電極指ピッチを N2, P2、第 4,第 5の IDT14, 15の電極指の本数及び電極指 ピッチを N3, P3とれている。 N1 < N2、 N1 < N3かっP1 < P2、及び P1 < P3とされ ているため、通過帯域低域側の阻止域における減衰量を大きくし、フィルタ特性の急 峻性を高めることができるとともに、通過帯域の挿入損失の低減を図ることができる。 これを、より具体的な実験データに基づき説明する。
[0036] 反射器 16, 17の電極指ピッチで定まる波長えとし、前述した弾性表面波フィルタ 装置 501と同様の材料を用いて、ただし以下の仕様となるようにして、上記実施形態 の弾性表面波フィルタ装置 1を作製した。
[0037] 電極指交叉幅 = 55 /ζ πι
IDTの電極指の本数（第 4の IDT14、第 2の IDT12、第 1の IDT11、第 3の IDT13 及び第 5の IDT15の順）： 59本 Z63本 Z26本 Z63本 Z59本
反射器の電極指の本数 = 100本
メタライゼーシヨンレシオ： 0. 7
電極膜厚 =0. 08 λ
IDT11の電極指ピッチ Pl = l . 009 μ m,電極指ピッチ P2 = P3 = 1. 036 m 図 4に、上記実施形態の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置の伝送特性を実 線で、 1 Ω終端時の伝送特性を破線で示す。
[0038] 1 Ω終端時の伝送特性から明らかなように、モード結合により共振ピーク C1〜C3が 現れていることがわかる。すなわち、 1980MHz付近に共振ピーク C1が現れており、 1925MHz付近にピーク C2が現れており、 1915MHz付近にトラップが形成されて おり、 1900MHz付近にピーク C3が現れていることがわかる。
[0039] ピーク C1及び C2は、通過帯域を形成するために必要な共振ピークである。また、 上記 1915MHz付近に設けられているトラップ及び上記 1900MHz付近に設けられ て 、るピーク C3は通過帯域低域側のサイドローブを形成し、通過帯域低域側におけ る減衰量が拡大されて ヽることがゎカゝる。
[0040] 図 4を、図 2及び図 3と比較すれば明らかなように、通過帯域低域側に隣接した阻 止域における減衰量が拡大され、通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性が 高められていることがわかる。これは、上記電極指の本数の関係を、 N1 <N2かつ N 1 <N3としたことによる。また、電極指ピッチに関し、？1 < ?2かっ131 < ?3としたこと により、通過帯域内の挿入損失の低減が図られている。これを、より具体的な実験デ ータに基づき説明する。
[0041] 図 5は、前述した従来の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 501にお ヽて、 N1 =N2=N3かつ P1 = P2 = P3 = 1. 024 mとした構造を前提として中央の第 1 の IDTの電極指ピッチ P1の値を 0. 005 μ m毎に小さくしていった場合の 1 Ω終端時 の伝送特性の変化を示す図である。図 5から明らかなように、第 1の IDT511の電極 指ピッチ P1を小さくしていくにつれ、トラップ Dが通過帯域低域側に発生し、該トラッ プが高周波側にシフトしていくことがわかる。また、トラップ Dのすぐ高域側には、ピー ク Eが発生し、 P1が小さくなるにつれて、ピーク Eが高周波側にシフトしていき、通過 帯域が狭くなつて ヽくことがわ力る。
[0042] また、上記縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 501において、 N1 =NN2 = N3=41本力つ P2 = P3 = 1. 024 /z mとし、 P1 = P2— 0. 01 mすなわち Pl = l. 014 μ mとした場合から第 1の IDT511の電極指の本数 Nlを 4本毎ステップ的に小 さくしていった場合の 1 Ω終端時の伝送特性の変化を図 6に示す。
[0043] 図 6から明らかなように、電極指の本数 N1を大きくするにつれて、上記トラップ D及 びトラップ Dの高域側に隣接しているピーク Eが高周波側にシフトしていき、やはり、 通過帯域が小さくなつて 、くことがわかる。
[0044] 逆に、図 6から明らかなように、第 1の IDTの電極指の本数 N1を小さくしていくにつ れて、上記トラップ Dが低域側にシフトし、広帯域ィ匕が図られるとともに、ピークの減衰 量が小さくなつて 、き、挿入損失を低減し得ることがわかる。
[0045] 上記のようにして、 1 Ω終端時の伝送特性に発生するトラップ D及びピーク Eを通過 帯域形成用に用いることにより、通過帯域低域側における阻止域の減衰量を拡大し 、通過帯域低域側の急峻性を高めることができる。この場合、上記トラップ Dの減衰 量が大きい方が、減衰量を拡大する効果が大きくなる。また、上記ピーク Eにおける 減衰量を小さくすることにより、通過帯域内における挿入損失を低減することができる
[0046] 図 8 (a)に、第 1の IDTの電極指ピッチ P1と、電極指の本数 N1を変化させたときの 上記トラップ Dの減衰量の変化を示し、図 8 (b)に、上記ピーク Eの減衰量の変化を示 す。
[0047] 図 8 (a)から、 N1 >N2, N3のときは、—40dB付近において収束するのに対し、 N 1≤N2及び N1≤N3のときは、減衰量をそれ以上大きくしていくことがわかる。また、 図 8 (b)から、 N1 >N2及び N1 >N3のときは、電極指ピッチ P1を小さくするにつれ て、上記ピーク Eにおける減衰量が大きくなつていくのに対し、 NKN2¾tJ^Nl <N 3のときは、減衰量が低い状態を維持し得ることがわかる。
[0048] 図 7 (a)は、第 1の IDTの電極指ピッチ P1及び電極指の本数 N1を変化させた場合 のトラップ周波数の変化を示す。また、図 7 (b)は、第 1の IDTの電極指ピッチ P1及び 電極指の本数 N1を変化させた場合のピークの周波数の変化の様子を示す。
[0049] 図 7 (b)から明らかなように、 Nl = 19の場合に比べて、 N1が 21、 25または 31本の 場合に、上記ピーク点が小さぐ好ましいことがわかる。
[0050] 図 9は、上記第 1の IDTの電極指ピッチ P1及び電極指の本数 N1を変化させたとき の上記トラップの減衰量と、上記ピーク点の減衰量との差を示す。 N1 <N2かつ N1 <N3のときには、トラップの減衰量が大きくなり、ピークの減衰量が小さくなるため、こ の差が大きくなり、通過帯域低域側の急峻性が高められ、かつ通過帯域内挿入損失 を小さくすることが可能となることがわかる。また、 N1 =N2=N3=41本かつ P1 = P 2 = P3 = 1. 024 /z mの場合に比べて、ピーク点における減衰量を小さくし得ることが ゎカゝる。
[0051] 従って、上記図 7〜図 9の結果から、 N1 <N2及び N1 <N3とすることにより、通過 帯域低域側に隣接している阻止域における減衰量を増大し、フィルタ特性の急峻性 を高め得ることがわかる。また、 PK P2及び PK P3とすることにより、通過帯域にお ける挿入損失を低減し得ることがわかる。 [0052] 上記ピーク点が発生する周波数位置に関し、「第 6回 高機能 EM回路デバイス調 查専門委員会資料 5IDT型多重モード結合共振子フィルタの SAWモード解析」を 参考に、 SAWモード解析を行なった。その結果、図 10に示すように、第 1の IDTに 集中して電流が分布していることがわ力つた。第 1の IDTの電極指の本数 N1が小さく なるほど、ピーク点の減衰量が小さくなる理由は、 N1が小さい方がより効率的に第 1 の IDTにおいて電流が取り出されていることによると考えられる。もっとも、電極指の 本数 N1が少なすぎると、逆に電気抵抗が増大し、上記ピーク点の減衰量が大きくな る。従って、電極指の本数 N1は、上記実施形態では、 21本以上であることが望まし い。
[0053] 次に、第 2の実施形態として設計パラメータを下記のように変更したことを除いては 、図 1に示した実施形態と同様にして、 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィル タ装置を作製した。このようにして得られた第 2の実施形態の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ装置の伝送特性及び 1 Ω終端時の伝送特性を図 11に示す。
[0054] 電極指交叉幅： 45 m
IDTの電極指の本数（第 4の IDT14、第 2の IDT12、第 1の IDT11、第 3の IDT13 、第 5の IDT15の順） : 45/45/34/45/45 (^：)
反射器の電極指の本数 = 100本
メタライゼーシヨンレシオ =0. 68
電極膜厚 =0. 08 λ
第 1の IDT11の電極指ピッチ Pl = l . 014 ^ m, P2= l . 022 ^ m, P3 = l . 027 μ m
第 2の実施形態においても、 P1 < P2、 P1 < P3及び N1 < N2、 N1 < N3とされて いるため、図 11から明らかなように、通過帯域低域側におけるフィルタ特性の急峻性 が高められており、かつ通過帯域内における挿入損失が小さくされていることがわか る。
[0055] なお、本発明の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置は、第 1,第 2の実施形態 の電極構造を有するものに限定されるものではない。図 12に示す変形例の縦結合 共振子型弾性表面波フィルタ装置 101では、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィ ルタ装置 1に、さらに 1端子対弾性表面波共振子 102が接続されている。すなわち、 不平衡信号端子 3と、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 1の第 2,第 3の ID T12, 13との共通接続との間に直列に 1端子対弾性表面波共振子 102が接続され ている。また、図 13に示す縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 111では、第 1 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1と、第 1,第 2の平衡信号端子 4, 5の間 に、それぞれ、直列に、 1端子対弾性表面波共振子 112, 113が接続されている。
[0056] このように、不平衡信号端子との間、あるいは平衡信号端子との間に、直列に少な くとも 1つの弾性表面波共振子を接続してもよぐその場合には、通過帯域高域側の 減衰量を拡大することができる。また、図 14に示す変形例の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ装置 121では、第 1の IDT131は分割 IDT部を有しな!/ヽ通常の IDTで 構成されている。そして、第 1の IDT131と、表面波伝搬方向最外側に配置された第 4,第 5の IDT134, 135の各一端が共通接続され、不平衡信号端子 3に電気的に接 続されており、各他端がアース電位に接続されている。また、第 2,第 3の IDT132, 1 33の各一端力 アース電位に接続されており、第 2の IDT132の他端が第 1の平衡 信号端子 4に、第 3の IDT133の他端が第 2の平衡信号端子 5に接続されている。こ のように、分割 IDT部を設けずに、第 1〜第 5の IDT131〜135を用いることにより平 衡ー不平衡変,能を実現してもよい。さら〖こ、図 15に示す縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ装置 141は、第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置 1に直 列重み付を施した構造に、 1端子対弾性表面波共振子 102を接続した構造を有する 。ここでは、第 3の IDT142において、表面波伝搬方向両端の電極指と、その内側に 位置する電極指との間の領域に至る浮き電極指 143, 144を設けることにより、直列 重み付が施されている。その他の点については、図 12に示した縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ装置 101と同様に構成されている。
[0057] このように、本発明にお 、ては、 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの I DTに、適宜直列重み付が施されていてもよい。直列重み付が施されている場合に は、上記浮き電極指 143, 144の両側での励振が弱められ、平衡度が高められる。
[0058] また、本発明は、上記のように平衡ー不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弹 性表面波フィルタに限らず、例えば図 16に示した 5IDT型の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタのように、平衡ー不平衡変換機能を有しないものであってもよい。いず れにしても、 5IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて、上記 N1<N 2、 N1<N3、 P1<P2及び P1<P3とすることにより、通過帯域低域側近傍の阻止 域の減衰量を拡大し、フィルタ特性の急峻性を高め、かつ通過帯域内における挿入 損失を低減することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電基板と、
前記圧電基板上に配置された第 1の IDTと、
第 1の IDTの表面波伝搬方向両側に配置された第 2,第 3の IDTと、
第 1〜第 3の IDTが配置されている部分の表面波伝搬方向両側に配置された第 4, 第 5の IDTと、
前記第 1〜第 5の IDTの設けられている部分の表面波伝搬方向両側に配置された 第 1,第 2の反射器とを有する縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装置であって、 前記第 1の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチを N1及び P1とし、前記第 2,第 3の IDTの電極指の本数及び電極指ピッチを N2及び P2とし、前記第 4,第 5の IDT の電極指の本数及び電極指ピッチを N3及び P3とした場合、 N1 <N2、 N1 <N3、 P 1 < P2及び PI < P3を満たすように前記第 1〜第 5の IDTの電極指の本数及び電極 指ピッチが定められていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装置。
[2] 不平衡信号端子と、第 1,第 2の平衡信号端子とを有し、
前記第 2の IDTの位相が前記第 3の IDTの位相に対して 180° 異なっており、 前記第 2及び第 3の IDTの各一端が不平衡信号端子に接続されており、 前記第 1の IDTが、表面波伝搬方向に分割されて配置された第 1の分割 IDT部及 び第 2の分割 IDT部を有し、
前記第 1の分割 IDT部及び前記第 4の IDTが第 1の平衡信号端子に接続されてお り、前記第 2の分割 IDT部及び前記第 5の IDTが第 2の平衡信号端子に接続されて いる、請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ装置。
[3] 不平衡信号端子と第 1,第 2の平衡信号端子とを有し、
前記第 2の IDTの位相が前記第 3の IDTの位相に対して 180° 異なっており、 前記第 1,第 4及び第 5の IDTの各一端が不平衡信号端子と接続されており、 前記第 2の IDTが第 1の平衡信号端子に接続されており、前記第 3の IDTが第 2の 平衡信号端子に接続されて ヽる、請求項 1に記載の弾性表面波フィルタ装置。
[4] 少なくとも 1個の 1端子対弾性表面波共振子が、前記第 1,第 2の平衡信号端子側 及び Zまたは前記不平衡信号端子側に接続されて ヽる、請求項 2または 3に記載の 弾性表面波フィルタ装置。
前記第 1,第 2の IDTが隣り合つている部分及び前記第 2及び第 4の IDTが隣り合 つている部分の双方において、あるいは前記第 1,第 3の IDTが隣り合つている部分 及び第 3,第 5の IDTが隣り合つている部分の双方において、隣り合う 2つの IDTの一 方及び Zまたは他方において、相手方の IDTにもつとも近接している最外電極指を 含む複数本の電極指に直列重み付けが施されている、請求項 1〜4のいずれ力 1項 に記載の弾性表面波フィルタ装置。
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