WO2006120843A1

WO2006120843A1 - プラズマクリーニング方法、成膜方法およびプラズマ処理装置

Info

Publication number: WO2006120843A1
Application number: PCT/JP2006/308112
Authority: WO
Inventors: Shigeo Ashigaki; Yoshihiro Kato; Satoru Kawakami; Masayuki Moroi
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-05-11
Filing date: 2006-04-18
Publication date: 2006-11-16
Anticipated expiration: 2007-11-11
Also published as: JP2006319041A

Abstract

　プラズマクリーニング方法は、上部電極と下部電極との間隔を第１のギャップに設定し、ガス導入手段からクリーニングガスを導入するとともに、上部電極および／または下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、処理容器内をクリーニングする第１のステップを含んでいる。第１のステップの後で第１のギャップより広い第２のギャップでクリーニングガスのプラズマを生成してプラズマクリーニングを行なう第２のステップが施される。第２のステップの後に、第２のギャップで、少なくとも、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入してクリーニングを行なう第３のステップが施される。

Description

明細書

プラズマクリーニング方法、成膜方法およびプラズマ処理装置

技術分野

[0001] 本発明は、プラズマクリーニング方法、成膜方法およびプラズマ処理装置に関し、詳細には、例えば化学気相堆積（CVD ; Chemical Vapor Deposition)などの成膜処理に用いる処理容器内をプラズマを利用してクリーニングするプラズマクリーニング方法および成膜方法に関する。

背景技術

[0002] 半導体ウェハ表面に成膜を行なうプラズマ CVDプロセスにおいては、半導体ゥェハ表面だけでなぐ処理容器の内壁面等にも膜成分が付着し、堆積物の膜を形成する。この堆積物膜は、プロセス中に剥離すると処理容器内を浮遊し、半導体装置のパ一ティクル汚染を引き起こす原因となる。このため、プラズマ CVDプロセスに用いる処理容器は、定期的にクリーニングを行なう必要がある。処理容器内のクリーニング方法としては、 NFなどのフッ素系ガスを含むクリーニングガスを用い、 2つの電極を

3

備える平行平板型のプラズマ装置において、前記電極に高周波電力を印加してタリ一ユングを行なうプラズマクリーニング方法が提案されている（例えば、特許文献 1)。特許文献 1：特開 2002— 57106号公報 (特許請求の範囲など）

[0003] 上記特許文献 1のように、平行平板型のプラズマ装置において、上下の電極に高周波電力を印加してプラズマクリーニングを行なう場合には、電極にダメージが入り、発塵を引き起こしたり、成膜性能に影響を与えることがある。すなわち、プラズマ CVD 装置のガス導入部材であり、上部電極を兼ねるシャワーヘッドには、通例 A1などの材質が使用されているが、大量の堆積物を短時間に除去する目的でこの A1製のシャヮ一ヘッドに高出力の電力投入を行なうと、プラズマダメージが加わり、電極自身の腐蝕や、発塵などを引き起こし、成膜再現性を悪化させるという問題がある。

[0004] このような腐蝕やパーツダメージを抑制するために、リモートプラズマ方式により処理容器の外部で生成したラジカルを処理容器内に供給し、クリーニングする方法も知られている力リモートプラズマで処理容器内部のクリーニングを行なう場合には、タリ一-ング速度が遅ぐ比較的長時間のクリーニングが必要であるため、成膜装置の稼働率が低下し、量産性が悪ィ匕するという問題があった。

発明の開示

[0005] 従って、本発明の目的は、処理容器内の部品の腐蝕やダメージを抑制しつつ、タリ一-ング効率が高ぐ短時間で確実にクリーニングを行なうことが可能なプラズマタリ一二ング方法を提供することにある。

[0006] 本発明は、処理容器と、処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にクリーニングガスを導入するガス導入手段と、該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とを備えたブラズマ処理装置のクリーニングを行うプラズマクリーニング方法にぉ、て、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギャップに設定し、前記ガス導入手段からタリーユングガスを導入するとともに、前記上部電極および zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をタリ一-ングする第 1のステップと、第 1のステップに引き続いて行われ、前記第 1のギヤップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップと、を備えたことを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0007] 本発明は、前記第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップは、少なくとも、前記ガス導入手段力もクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのブラズマを生成せしめ、前記処理容器内のクリーニングを行なうステップと、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを前記プラズマ導入手段カゝら前記処理容器内に導入してクリーニングを行なうステップと、を含むことを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0008] 本発明は、前記外部で生成したクリーニングガスのプラズマを前記プラズマ導入手段カゝら前記処理容器内に導入してクリーニングを行なうステップでは、該プラズマの導入と同時に前記ガス導入手段カゝらクリーニングガスを導入するとともに、同時に前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加して前記処理容器内でクリーニングガスのプラズマを生成させることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0009] 本発明は、前記第 2のギャップに前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップは、前記ガス導入手段力クリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングするステップ力なり、第 2のステップに引き続いて行われ、前記第 2のギャップで、少なくとも、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入して前記処理容器内をクリーニングする第 3のステップを更に備えたことを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0010] 本発明は、前記第 3のステップでは、前記外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入しながら、前記ガス導入手段カゝらクリーニングガスを導入し、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加して前記処理容器内でタリー二ングガスのプラズマを生成させることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0011] 本発明は、前記第 3のステップで、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に印加される高周波電力は、前記第 2のステップで前記上部電極および Zまたは前記下部電極に印加される高周波電力に比べて小さいものであることを特徴とする、ブラズマタリ一二ング方法である。

[0012] 本発明は、前記第 1のステップのクリーニングは、前記下部電極の側部に形成された堆積物が除去されるまで行なうことを特徴とする、プラズマクリーニング方法である

[0013] 本発明は、前記第 2のステップのクリーニングは、前記上部電極に形成された堆積物が除去され、該上部電極が露出する直前で止めることを特徴とする、プラズマタリ一二ング方法である。

[0014] 本発明は、前記処理容器は、 CVD法により被処理体に成膜を行なうための処理容器であることを特徴とする、プラズマタリ一二ング方法である。

[0015] 本発明は、前記第 1のギャップは、被処理体に対し成膜を行なうときのギャップと同じであることを特徴とする、プラズマタリ一ユング方法である。

[0016] 本発明は、前記第 2のギャップは、被処理体を前記処理容器に搬送するときのギヤップと同じであることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0017] 本発明は、前記 CVD法は、有機化合物を原料としたプラズマ CVDであることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0018] 本発明は、前記有機化合物は、 Siを含有するものであり、前記プラズマ CVDは構成元素に Siを含有する膜の成膜であることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0019] 本発明は、クリーニングガスとして、ハロゲンィ匕合物および酸素を含むガスを用いることを特徴とする、プラズマクリーニング方法である。

[0020] 本発明は、前記ハロゲンィ匕合物は、 NFであることを特徴とする、プラズマタリー-

3

ング方法である。

[0021] 本発明は、被処理体に対して成膜処理を行う処理容器と、前記処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にタリー- ングガスを導入するガス導入手段と、該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とを備えたプラズマ処理装置を用いた成膜方法にぉヽて、プラズマ処理装置を用いて所定数の被処理体に対して成膜処理を行うステップと、その後にプラズマ処理装置をクリーニングするステップとを備え、プラズマ処理装置をクリーニングするステップは、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギヤップに設定し、前記ガス導入手段力もクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのブラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングする第 1のステップと、第 1のステップに引き続いて行われ、前記第 1のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップと、を含むことを特徴とする成膜方法である。

[0022] 本発明は、被処理体に対し成膜処理を行なう処理容器と、前記処理容器内にぉヽて互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、前記処理容器内にタリーユングガスを導入するガス導入手段と、外部で生成したプラズマを前記処理容器内に導入するプラズマ導入手段と、前記上部電極と前記下部電極との間隔を調節するギャップ調節手段と、前記処理容器内をプラズマクリーニングする制御する制御部とを備え、該制御部は、前記上部電極、前記下部電極、前記ガス導入手段、前記ブラズマ導入手段、および前記ギャップ調節手段を制御して、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギャップに設定し、前記ガス導入手段力もクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングし、前記第 1のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギヤップで前記処理容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理装置である。

[0023] 本発明は、コンピュータ上で動作し、実行時にプラズマ処理装置のプラズマタリーユング方法を行う制御プログラムにおいて、プラズマクリーニング方法は、処理容器と、処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にクリーニングガスを導入するガス導入手段と、該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とが備えたプラズマ処理装置のタリー- ングを行うプラズマクリーニング方法にぉ、て、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギャップに設定し、前記ガス導入手段力もクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してタリー二ングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をタリ一ユングする第 1のステップと、第 1のステップに引き続いて行われ、前記第 1のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップと、を備えたことを特徴とする、制御プログラムである。

[0024] 本発明は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、制御プログラムは実行時にプラズマ処理装置のプラズマタリーニング方法を行うものであり、このプラズマクリーニング方法は、処理容器と、処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にクリー-ングガスを導入するガス導入手段と、該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とが備えたプラズマ処理装置のクリーニングを行うブラズマクリーユング方法において、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギヤップに設定し、前記ガス導入手段カゝらクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのブラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングする第 1のステップと、第 1のステップに引き続いて行われ、前記第 1のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップと、を備えたことを特徴とする、コンピュータ記憶媒体である。

[0025] 本発明によれば、クリーニングを複数のステップに分け、各ステップに応じて上部電極と下部電極との間隔を設定するので、効率の良いクリーニングが可能になり、処理容器内の部品の腐蝕やダメージを抑制しつつ、短時間で確実にクリーニングを行なうことができる。

図面の簡単な説明

[0026] [図 1]図 1は、本発明方法の実施に適したプラズマ CVD装置の概略を示す断面図。

[図 2]図 2は、クリーニングの手順の概要を示すフロー図。

[図 3]図 3は、クリーニングの手順を説明するためのプラズマ CVD装置の模式図。

[図 4]図 4は、クリーニングを含む成膜プロセスの手順を示すフロー図。

[図 5]図 5は、ウェハ処理枚数とパーティクル数との関係を示すグラフ図面。

[図 6]図 6は、ウェハ処理枚数と膜厚との関係を示すグラフ図面。

[図 7]図 7は、ウェハ処理枚数と屈折率との関係を示すグラフ図面。

発明を実施するための最良の形態

[0027] 本発明のプラズマクリーニング方法でクリーニング対象となる処理容器は、例えば、熱 CVD法、プラズマ CVD法などによる成膜プロセスに用いられるものであり、特にプラズマを利用してウェハ (被処理体）に対して成膜を行なうプラズマ CVD用の成膜装置に好適に適用できる。

[0028] CVDプロセスによる成膜対象となる膜としては、特に限定されるものではないが、有機化合物を原料としてプラズマ CVDにより形成される膜を挙げることができる。ここで、有機化合物としては、 Siを含有する有機化合物が好ましぐ例えばトリメチルシラン、ジメチルエトキシシラン、トリェチルシラザン、テトラメチルジシラザンなどを挙げることができる。

[0029] また、成膜対象となる膜としては、膜の構成元素に Siを含有する S係膜が挙げられ、例えば、 SiCH膜、 SiOCH膜等の SiC系膜のほ力、、 SiCN膜、 SiON膜、 SiN膜、 S ίθ膜等を挙げることができる。

2

[0030] クリーニングガスとしては、構成元素にフッ素などのハロゲン元素や酸素を含むガスを用いることが好ましぐ例えば、ハロゲンィ匕合物および Zまたは酸素と、キヤリヤーとしての不活性ガスとの混合ガスが挙げられ、好適なものとして、 NF /O ZHe

3 2 、 NF

3

/O /Ar, NF /He, NF /Ar, COF /He, COF /Ar, CF /He, CF /Ar

2 3 3 2 2 4 4

、 CF /O /He, CF /O ZAr等の混合ガスを例示することができる。

4 2 4 2

[0031] 以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。

図 1は、本発明の実施に適したプラズマ CVD装置 1の概略構成を示す断面図である。

このプラズマ CVD装置 1は、電極板が上下平行に対向した容量結合型平行平板プラズマ CVD装置として構成されて!、る。

[0032] このプラズマ CVD装置 (プラズマ処理装置） 1は、例えば表面がセラミック溶射処理されたアルミニウムカゝらなる円筒形状に成形された処理容器としてのチャンバ一 2を有しており、このチャンバ一 2は保安接地されている。前記チャンバ一 2内には、例えばシリコン力もなり、その上に所定の膜を形成するウェハ Wを載置するとともに、下部電極として機能するサセプタ 3が設けられている。このサセプタ 3には、導電体（図示せず)が埋設されており、この導電体を通じて高周波の電力の供給を受けるように構成されている。

[0033] サセプタ 3は、その上部の中央が凸状の円板状に成形され、その上に絶縁材の間に電極 6が介在されてなる静電チャック 5が設けられており、この電極 6に直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によってウェハ Wを静電吸着できるように構成されている。また、サセプタ 3の外周部には、セラミックス材料、例えばアルミナなどで形成されたフォーカスリング 7が設けられて、る。

[0034] 前記サセプタ 3の上方には、このサセプタ 3と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド 10が設けられている。このシャワーヘッド 10は、 A1などの材質で構成されており、図示しない絶縁材を介してチャンバ一 2の上部壁 2aに支持されている。

シャワーヘッド 10のサセプタ 3との対向面 10aには、多数の吐出孔 11が設けられている。なお、ウェハ W表面とシャワーヘッド 10とは、所定間隔で離間され、この距離は昇降機構 (後述）により調節可能となっている。

[0035] 前記シャワーヘッド 10には、ガス導入口 12が設けられており、シャワーヘッド 10内部のガス供給室 10bを介して前記吐出孔 11まで連通している。ガス導入口 12は、ガス供給管 23を介して成膜用ガスおよびクリーニングガスを供給するガス供給源 20に接続されている。

[0036] ガス供給源 20は、成膜用ガス供給源 21と、クリーニングガス供給源 22を有しており、これらのガス源は、ガス供給管 23から分岐した配管に、それぞれバルブ 24、マスフローコントローラー 25およびバルブ 26を介して接続されている。本実施形態では、 C VDによる成膜用ガスとして例えば (CH ) SiHと Heとの混合ガス、クリーニングガスと

3 3

して例えば NFと Oと Heとの混合ガスや、 NFと Oと Arとの混合ガスなどが用いら

3 2 3 2

れる。成膜用ガスおよびクリーニングガスは、ガス導入口 12を介してシャワーヘッド 1 0内の空間に至り、吐出孔 11から吐出される。

[0037] 前記チャンバ一 2の側壁には、排気管 15が設けられており、この排気管 15は、例えばドライポンプなどの排気装置 40に接続されており、チャンバ一 2内を所定の減圧雰囲気、例えば lOPa以下の所定の圧力まで真空引きできるように構成されている。なお、チャンバ一 2の側壁には、ウェハ Wの搬入出口と、この搬入出口を開閉するゲートバルブとが設けられており（いずれも図示を省略）、これらを介してウェハ Wが搬送されるようになつている。

[0038] サセプタ 3は、支持台 4により支持されており、例えばボールねじ機構などの昇降機構 16によってシャフト 16aを介して昇降可能となっている。これにより、上下の電極間の距離、すなわち、シャワーヘッド 10とサセプタ 3の電極間ギャップを任意に設定できる。また、支持台 4の駆動部分は、ステンレス鋼（SUS)などの材質のベローズ 14で覆われている。ベローズ 14の外側には、ベローズカバー 13が設けられている。

[0039] 上部電極として機能するシャワーヘッド 10には、高周波電源 30が接続されており、その給電線には整合器 31が介在されている。この高周波電源 30は、例えば 13. 56 MHzの周波数の高周波電力をシャワーヘッド 10に供給し、上部電極であるシャワーヘッド 10と下部電極であるサセプタ 3との間にプラズマ形成用の高周波電界を形成する。

また、シャワーヘッド 10には、図示しないローパスフィルター（LPF)が接続されている。

[0040] 下部電極として機能するサセプタ 3には、高周波電源 32が接続されており、その給電線には、整合器 33が介在されている。この高周波電源 32は、例えば 2. OMHzの周波数の高周波電力を下部電極であるサセプタ 3に供給できるものである。また、このサセプタ 3には、図示しないハイパスフィルター（HPF)が接続されている。

[0041] また、チャンバ一 2の側壁には、プラズマ導入部 17が設けられており、このプラズマ導入部 17には、クリーニングガスのプラズマを生成させるためのリモートプラズマュ- ット 50が接続されている。リモートプラズマユニット 50は、バルブ 52を介して第 2のタリ一ユングガス供給源 51に接続されており、この第 2のクリーニングガス供給源 51からは、前記例示のハロゲン含有の混合ガスなどのクリーニングガスが供給され、リモートプラズマユニット 50内でプラズマ化され、チャンバ一 2へ送出される。

[0042] リモートプラズマユニット 50におけるプラズマ生成手段としては、特に制限はなぐ例えば誘導結合方式（Inductive Coupling Plasma ;ICP方式）などの方式で前記タリ一ユングガスをプラズマ化することができる。リモートプラズマユニット 50としては、例えば「ァストロン」（商品名； mks社製)等の市販品を好適に利用可能である。なお、チヤンバー 2内へ導入されるプラズマ中でラジカルが支配的になるように、リモートプラズマユニット 50の出口付近に、プラズマ中のイオンをトラップするためのイオンフィルタを設けておくことが好ましい。

[0043] このように、プラズマ CVD装置 1のクリーニングに際しては、上部電極であるシャヮ一ヘッド 10などの腐蝕やパーツダメージを抑制するために、外部のリモートプラズマユニット 50で別途プラズマを生成させ、励起された Fラジカルなどをチャンバ一 2内に導入してクリーニングを行なうリモートプラズマ方式のクリーニングも実施可能に構成されている。

[0044] プラズマ CVD装置 1の各構成部は、 CPUを備えたプロセスコントローラ 60に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ 60には、工程管理者がプラズマ CVD装置 1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ CVD装置 1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等力なるユーザーインターフェース 61が接続されて!、る。

[0045] また、プラズマ CVD装置 1には、プラズマ CVD装置 1で実行される各種処理をプロセスコントローラ 60の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部 62が接続されている。

[0046] そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース 61からの指示等にて任意のレシピを記憶部 62から呼び出してプロセスコントローラ 60に実行させることで、プロセスコントローラ 60の制御下で、プラズマ CVD装置 1での所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えば CD— ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

[0047] 以上の構成のプラズマ CVD装置 1において、ウェハ Wの表面に成膜を行なう場合には、まず、ウェハ Wをサセプタ 3上に載置し、静電チャック 5により吸着、静置する。次に、排気装置 40により、チャンバ一 2内を所定の真空度まで排気する。支持台 4は、昇降機構 16によって上昇し、ウエノ、 Wを処理位置に置く。この状態で、サセプタ 3 を所定の温度に制御するとともに、排気装置 40によりチャンバ一 2内の排気を行ない、所定の高真空状態とする。

[0048] その後、成膜用ガス供給源 21から成膜用ガスが所定の流量に制御されてチャンバ一 2内に供給される。シャワーヘッド 10に供給された成膜用ガスは、吐出孔 11からゥェハ Wに向けて均一に吐出される。そして、高周波電源 30からシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHz程度の高周波電力を印加し、これにより、上部電極としてのシャヮーヘッド 10と下部電極としてのサセプタ 3との間に高周波電界を生じさせ、成膜用ガスをプラズマ化する。このプラズマは、シャワーヘッド 10に印加される高周波電力よりも低周波の電力をサセプタ 3に印加することでサセプタ 3付近に引き込まれる。そして引き込まれたプラズマによってウェハ W表面での化学反応が生じ、ウェハ Wの表面に SiCH等の膜が形成される。このようにして所定数のウェハ Wに対して成膜処理が施される。その後プラズマ CVD装置 1に対してクリーニングが施される。 [0049] 次に、プラズマ CVD装置 1におけるチャンバ一 2内のクリーニングについて詳述する。クリーニングは、例えば第 1〜第 3のステップに分割し、各ステップに適したタリーユング条件を選択して実施される。以下、図 2および図 3を参照しながらクリーニングを各ステップに分けて詳細に説明する。図 2は、プラズマクリーニング方法の手順の一例を示すフロー図である。また、図 3は第 1のステップ〜第 3のステップにおけるプラズマクリーユング処理のチャンバ一 2内の状態を模式的に示している。なお、図 3では堆積物膜 Dを誇張して描、て、る。

[0050] 第 1のステップ：

まず、上下電極間のギャップ（具体的には、シャワーヘッド 10の下面からサセプタ 3 の上面までの距離)を第 1のギャップに調節する (ステップ Sl l)。この第 1のギャップは、例えば成膜時と同じギャップとすることができる。図 3 (a)に示すように、この段階では、チャンバ一 2の内壁およびサセプタ 3の側部に堆積物膜 Dが多量に付着している。なお、クリーニングに際しては、成膜処理後のチャンバ一 2から成膜済みのゥエノ、 Wを搬出した後、替わりにダミーウェハを搬入してサセプタ 3上に載置してもょヽ。ダミーウェハを載置しておくことにより、サセプタ 3へのプラズマによるダメージを防止できる。

[0051] 次に、クリーニングガス供給源 22からクリーニングガスを所定の流量に制御してチヤンバー 2内に供給するとともに、高周波電源 30からシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHz程度の高周波電力を印加する。シャワーヘッド 10に供給されたクリーニング用ガスは、吐出孔 11から均一に吐出されるので、上部電極としてのシャワーヘッド 10 と下部電極としてのサセプタ 3との間に生じた高周波電界によって、クリーニングガスがプラズマ化する。このように平行平板方式のプラズマ生成手段で生成したプラズマ (以下、便宜上、「平行平板プラズマ」と記すことがある）によって、第 1のステップのプラズマクリーユングを実施する (ステップ S 12)。

[0052] この第 1のステップでは、クリーニングガスのプラズマにより、主としてサセプタ 3の側壁面等に付着した堆積物膜 Dを除去する。このため、ギャップを小さく設定し、サセプタ 3の側壁面にもクリーニングガスのプラズマが充分に作用するようにする。このとき、シャワーヘッド 10やチャンバ一 2の内壁の堆積物も一部クリーニングされて除去される。チャンバ一 2内は、 A1製のシャワーヘッド 10の対向面 10aも含めて堆積物膜 Dで覆われているため、この堆積物膜 Dが保護膜として機能し、クリーニング速度が速い平行平板プラズマによるクリーニングを適用してもシャワーヘッド 10などへのダメージを回避することができる。

[0053] 第 1のステップのクリーニング条件は、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2aの内面に対して均一にクリーニングできる条件を選定することが好ましい。例えば、 SiC 系膜のクリーニングを行なう場合、ガス導入口 12からクリーニングガスとしての NFガ

3 ス ZOガス ZHeガスを、流量比 NF /O ZHe= 100

3 2 〜150Z50〜： L00Z350

2 〜

450mLZmin(sccm)で導入し、チャンバ一 2内を 50〜100Paに調圧するとともに、例えば上部電極であるシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHzの高周波電力をゥェハ単位面積当りの出力 0. 42WZcm²以上 0. 98WZcm²以下（下部電極であるサセプタ 3には OWZcm²;つまり、下部電極には高周波電力を印加しない状態を意味する。以下同様である）の出力で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、タリーユングガスをプラズマ化することが好まし、。

[0054] 本実施形態では、サセプタ 3上に TEOS膜 (SiO膜)が形成されたウェハ Wを載置

2

してクリーニングガスのプラズマによるエッチング試験 (疑似クリーニング試験）を実施し、そのエッチングレートの面内均一性が約 5% (lSigma%)程度となるような条件を選定した。ここでクリーニング条件を選定するために TEOS膜へのエッチング試験を実施したのは、 SiC系膜では、エッチングレートが速すぎて全てエッチングされてしまう可能性があり、均一性の評価が困難なため、替わりに SiC系膜に比べてエッチング速度が遅ぐエッチング特性を評価可能な TEOS膜を用いた試験を採用したものである。なお、 SiC系膜と TEOS膜とは、エッチング特性に一定の相関関係があるので、間接的に SiC系膜へのエッチング特性 (つまり、クリーニング特性)を評価することが可能である。

[0055] この第 1のステップにおけるクリーニング時間は、サセプタ 3の側面に形成された堆積物膜 Dのクリーニング速度力も求めることができる。例えば、ある膜厚でサセプタ 3 の側面に形成された堆積物膜 Dに対し、その全てを除去できる時間（ジャストエッチング時間）に、その 10%相当のオーバーエッチング時間をカ卩えた時間に設定できる。この条件では、サセプタ 3の側面の堆積物膜 Dのクリーニングが終了した時点で A1 製のシャワーヘッド 10は依然として堆積物膜 Dに覆われ、 A1が露出しないことが確認されている。

[0056] 第 2のステップ：

まず、第 2のステップのクリーニングを行なう際、第 1のギャップよりも広い第 2のギヤップに調整する（ステップ S13)。この第 2のギャップは、例えばウェハ Wをチャンバ一 2内に搬入出する際のギャップにすることができ、ウェハ Wの搬送位置までサセプタ 3 を降下させることによって設定できる。なお、第 2のギャップは、上記搬入出時のギヤップに限定されるものではなぐ広い程好ましいので、設計上の最大ギャップとしてもよい。ギャップが広いとプラズマをチャンバ一 2内の処理空間の隅々まで広げることができるので、均一にクリーニングできるからである。

[0057] ギャップを調整した後、平行平板プラズマにより第 2のステップのプラズマタリーニングを実施する (ステップ S 14)。この第 2のステップの段階では、図 3 (b)に示すように、サセプタ 3の側部の堆積物膜 Dはほぼ除去されているので、主としてシャワーヘッド 1 0を含む上部壁 2aの内表面に付着した堆積物膜 Dの除去を目的として、クリーニングを行なう。第 2のステップでは、ギャップを広げること〖こより、平行平板プラズマをチヤンバー 2内の処理空間全体に広げることができるので、チャンバ一 2内の側壁や上部壁 2aの内面を均等にクリーニングすることができる。

[0058] 第 2のステップのクリーニング条件も、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2aの内面に対して均一にクリーニングできる条件を選定することが好ましい。例えば、 SiC 系膜のクリーニングを行なう場合、ガス導入口 12からクリーニングガスとしての NFガ

3 ス ZOガス ZHeガスを、流量比 NF /O ZHe= 150

2 3 2 〜250Z50〜150Z200〜

400mLZmin(sccm)で導入し、チャンバ一 2内を 50〜100Paに調圧するとともに、例えば上部電極であるシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHzの高周波電力をゥェハ単位面積当りの出力 0. 70WZcm²以上 1. 26WZcm²以下（下部電極であるサセプタ 3には OWZcm²)の出力で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、タリーユングガスをプラズマ化することが好まし、。

[0059] 本実施形態では、第 2のステップのクリーニング条件として、サセプタ 3上に TEOS 膜 (SiO膜)を載置してクリーニングガスのプラズマを生成させ、そのエッチングレート

2

の面内均一性が約 5% (lSigma%)程度となるクリーニング条件を選定した。

ここでタリ一ユング条件を選定するために TEOS膜を使用したのは、上記と同じ理由による。

[0060] この第 2のステップにおけるクリーニング時間は、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2aに形成された堆積物膜 Dが除去され、シャワーヘッド 10の対向面 10aが露出する寸前までの時間に設定することが好ましい。この時間は、上部壁 2aに形成された堆積物膜 Dのクリーニング速度を実測して、堆積物膜 Dの膜厚力も計算により求めることができる。また、ウェハ Wへ成膜されたトータルの成膜量から、この時間を求めることもできる。例えば、後述するランニング試験において、ウェハ Wへの SiC系膜の成膜厚さを 75nmとし、 6枚のウェハ Wを成膜する毎に 1回のクリーニングを行なう場合には、トータルの成膜量が約 0. 5 mとなるため、クリーニング時間は、 20〜30秒とし、トータル成膜量が異なったときには、この比例関係において、クリーニング時間を決定することが好ましい。 A1製のシャワーヘッド 10が露出した状態で強い出力の平行平板プラズマによるクリーニングを行なうと、堆積物 Dによる保護作用が得られないため、シャワーヘッド 10にプラズマダメージが加えられ、発塵や成膜再現性悪化の原因となるが、シャワーヘッド 10が露出する直前で第 2のステップのクリーニングを止めることにより、プラズマダメージを低減できる。従って、クリーニング速度が速い平行平板プラズマによる効率の良いクリーニングを最大限実施してクリーニング時間を短縮できるとともに、シャワーヘッド 10などへのプラズマダメージを防止することができるので部品の交換や修理の頻度を低減し、成膜装置の稼働効率を改善できる。

なお、第 2のステップにおいて、平行平板プラズマによるクリーニングと組合せて、後述するリモートプラズマによるクリーニングを施してもよい。

[0061] 第 3のステップ：

次に、第 3のステップでは、第 2のギャップを維持した状態で、チャンバ一 2内に残つた堆積物膜 Dをリモートプラズマと、低出力の平行平板プラズマとの組み合わせによつて除去する (ステップ S 15)。この段階では、図 3 (c)に示すように、 A1製のシャワーヘッド 10が露出しているので、クリーニングガスのプラズマによるダメージを低減するため、マイルドなリモートプラズマと低出力の平行平板プラズマを利用する。

[0062] この第 3のステップでは、リモートプラズマのみを利用してもよいが、リモートプラズマに加え、クリーニング効率を上げる観点から、低出力の平行平板プラズマを併用することが好ましい。

[0063] リモートプラズマによるクリーニングは、リモートプラズマユニット 50内において生成した F含有プラズマをチャンバ一 2内に導入することにより行なわれる。リモートプラズマの原料ガスとしては、平行平板プラズマと同様に、例えば NFなどを含むタリー-

3

ングガスを用いることが好まし、。

[0064] また、リモートプラズマの導入と同時並行して、上部電極であるシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHzの高周波電力をウェハ単位面積当りの出力 0. 14WZcm²以上〜 0. 42WZcm²以下（下部電極であるサセプタ 3には OW)で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスの平行平板プラズマを生成させる。ここで印加する高周波電力は、シャワーヘッド 10へのダメージを防止するため第 2のステップでシャワーヘッド 10に印加する高周波電力に比べ小さな出力にすることが好ましい。またこのとき、チャンバ一 2内を 133〜400Paに調整し、ガス導入口 12からタリーニングガスとしての NFガス、 Oガスおよび Arガスを流量比 NF /Oガス/ Ar= 200

3 2 3 2 〜

400Z50〜200Zl000〜2000mLZmin (sccm)で導入することが好まし！/ヽ。

[0065] 第 3ステップのクリーニング時間は、長期ランニング試験を実施して実験的に選定することができ、例えばウェハ Wへ成膜されたトータルの SiC系膜の成膜量が 0. 5 μ mである場合では、 900〜 1000秒とすること力子ましい。

[0066] 次に、本発明のプラズマクリーニング方法を組み込んだ成膜方法について説明する。図 4は、成膜方法の手順の一例を示す工程図である。図 4に示すように、所定枚数 (例えば 3〜： L0枚、好ましくは 5〜7枚)のウェハ Wに対し、 SiC系膜などを形成する成膜処理を行なった後、前記第 1〜第 3のステップに従い第 1回目のクリーニングを実施し、次に、同様に所定枚数のウェハ Wに成膜処理を実施した後、同様に第 2回目のクリーニングを実施する、という順番で、成膜処理の間に間欠的にプラズマタリーニングを挿入する。

[0067] 後記実施例に示すように、所定枚数のウェハ Wを処理する毎にプラズマタリーニングを実施することによって、累積処理枚数が 10000枚に達しても、パーティクル汚染やウエノ、 w間およびウエノ、 W面内での膜厚並びに膜質の均一性を確保できるので、長期間継続的な成膜処理が可能になる。従って、プラズマダメージによるシャワーへッド 10等の部品の修理、交換や、チャンバ一 2を分解してウエットクリーニングする場合などに必要となる装置のダウンタイムを極力削減できる。よって、成膜処理の効率が向上し、チャンバ一 2のクリーニングに伴うランニングコストも大幅に削減できる。

[0068] 次に、本発明の効果を確認した試験結果について述べる。図 1のプラズマ CVD装置 1を用いて、ウェハ Wへの SiC系膜の成膜と、チャンバ一 2のプラズマクリーニングとを繰り返し行なうランニング試験を実施した。成膜時の膜厚は 75nmとし、クリーニングは、以下に示す第 1〜第 3のステップに従い、 6枚のウェハ Wを成膜する毎に 1回のクリーニングを行なうサイクルにて実施し、累積 10000枚のウェハ W処理におけるパーティクルの発生状況、膜厚および膜質並びにこれらのウェハ面内およびウェハ面間での均一性を調査した。

[0069] <第 1のステップ >

第 1のステップでは、最初に上下電極間のギャップを第 1のギャップに調節した。この第 1のギャップは、成膜時と同じ 18mmとした。そして、ガス導入口 12からタリー- ングガスとしての NFガスを 133mLZmin(sccm)、 Oガスを 67mLZmin(sccm)

3 2

および Heガスを 400mLZmin(sccm)で導入し、チャンバ一 2内を 65Pa(0. 488T orr)まで調圧するとともに、上部電極であるシャワーヘッド 10に、 13. 56MHzの高周波電力を出力 500W (ウェハ単位面積当り 0. 7WZcm²;下部電極であるサセプタ 3には 0W)で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスのプラズマを生成させた。なお、静電チャック 5の温度は 300°Cとした。

[0070] この第 1のステップにおけるクリーニング時間は、サセプタ 3の側面に形成された堆積物膜 Dに対し、その全てを除去できる時間（ジャストエッチング時間）に、その 10% 相当のオーバーエッチング時間をカ卩えた時間として 121秒とした。この第 1ステップの終了時点、つまりサセプタ 3の側面の堆積物膜 Dの除去が終了した時点で A1製のシャヮーヘッド 10は依然として堆積物膜 Dに覆われており、露出していな力つた。

[0071] 上記第 1のステップのクリーニング条件は、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2 aの内面に対して均一にクリーニングを行なうため、サセプタ 3上に TEOS膜 (SiO膜

2

)を載置してクリーニングガスのプラズマによるエッチング試験を実施し、そのエツチングの面内均一性が約 5% (lSigma%)となるように最適化した条件である。

[0072] <第 2のステップ >

第 1のステップに引き続く第 2のステップでは、ギャップを広げ、第 2のギャップに調整した。この第 2のギャップは、ウェハ Wの搬入出を行なう搬送位置までサセプタ 3を下げ、 116mmに設定した。第 2のステップでは、主としてシャワーヘッド 10とチャンバ一 2内壁に付着した堆積物膜 Dの除去を目的として、チャンバ一 2内を 65Pa (0. 48 8Torr)に調整し、ガス導入口 12からクリーニングガスとしての NFガスを 200mLZ

3

mirusccm)、 Oカスを lOOmL/ mirusccm)および Heカスを 300mL/ min (scc

2

m)で導入するとともに、上部電極であるシャワーヘッド 10に、 13. 56MHzの高周波電力を出力 700W (ウェハ単位面積当り 0. 98WZcm² (下部電極であるサセプタ 3 には 0W)で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスのプラズマを生成させた。なお、静電チャック 5の温度は 300°Cとした。

[0073] この第 2のステップにおけるクリーニング時間は、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2aに形成された堆積物膜 Dのクリーニング速度を元に 26秒に設定した。

[0074] 第 2のステップのクリーニング条件も、 A1製のシャワーヘッド 10を含む上部壁 2aの内面に対して均一にクリーニングを行なうため、サセプタ 3上に TEOS膜 (SiO膜)を

2 載置してクリーニングガスのプラズマによるエッチング試験を実施し、そのエッチングの面内均一性が約 5% (lSigma%)となるように最適化した条件である。

[0075] <第 3のステップ >

第 3のステップでは、ギャップを 116mmに設定したまま、チャンバ一 2内に残った堆積物膜 Dを、リモートプラズマと、低パワーの平行平板プラズマとの組み合わせによつて除去した。この段階では、 A1製のシャワーヘッド 10が既に露出しているので、シャヮーヘッド 10へのダメージを低減するため、リモートプラズマを利用し、低パワーの平行平板プラズマを補助的に併用した。

[0076] リモートプラズマは、リモートプラズマユニット 50内において ICP方式で生成した F 含有プラズマをチャンバ一 2内に導入した。原料ガスとしては、 NFと Oと Arを流量 i:k 300/ 100/ 1500 (mL/min)で用いた。

[0077] また、上部電極であるシャワーヘッド 10に、例えば 13. 56MHz程度の高周波電力を出力 200W (ウェハ単位面積当り 0. 28WZcm² ;下部電極であるサセプタ 3には 0 W)で印加して電極間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスのプラズマを生成させた。このとき、チャンバ一 2内を 266Pa (2Torr)に調整し、ガス導入口 12からタリーユングガスとしての NFガスを 300mLZmin (sccm)、 Oガスを 100mLZmin (scc

3 2

m)および Arガスを 1500mL/min(sccm)で導入した。なお、静電チャック 5の温度は 300°Cとした。第 3ステップのクリーニング時間は、 953秒とした。

[0078] ランニング試験の結果を図 5〜図 7に示した。

図 5の横軸はウェハ Wの処理枚数であり、縦軸はウェハ W1枚あたりのパーティクル数である。この試験では、パーティクルサイズが 0. 16 /z m超のものをカウントした。図 5より、ウェハ Wの累積処理枚数が 10000枚に達してもパーティクル数は増加しておらず、平均 13個 Zウェハあたりで推移した。従来の平行平板プラズマのみによるタリ一ユングの場合、電極にダメージが生じ、累積処理枚数が 1000〜 1500枚程度で許容範囲を超えるパーティクルが発生していたのに比べ、大幅な改善がみられた。

[0079] 図 6は、ランニング試験における膜厚およびその面内均一性の推移を示している。

この図 6から、処理枚数が増えても、膜厚および各ウェハ W面内の膜厚の均一性は、それぞれ略同じ水準で推移していることが示された。なお、全ウェハ Wの平均膜厚は、 74. 5nm、全ウェハ間の膜厚の変動は 1. 10% (lSigma%)であった。また、ゥェハ W面内の膜厚の均一性は平均 1. 98% (lSigma%)であった。

[0080] 図 7は、ランニング試験における屈折率およびその面内均一性の推移を示している。この図 7から、処理枚数が増えても、屈折率および各ウェハ W面内の屈折率の均一性は、それぞれ略同じ水準で推移しており、膜質の変動も少ないことが示された。なお、全ウェハ Wの平均屈折率は 1. 8965、全ウェハ間の屈折率の変動は 0. 48% (1 Sigma%)であった。また、ウェハ W面内の屈折率の均一性は平均 0. 64% (lSigm a%)であった。

[0081] 以上、図 5から図 7に示されるように、 3ステップのクリーニングを実施することにより、ウエノ、 Wの処理枚数が増えても、パーティクル数の増加はみられず、膜厚および膜質の変動も少なぐ安定的な成膜処理が可能であることが示された。

[0082] 以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなぐ種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、プラズマ CVD装置のクリーニングを例に挙げて述べた力クリーニングにプラズマを利用できる装置であれば、 CVD成膜にはプラズマを使用しなくてもよい。つまり、クリーニング対象は、プラズマを用いない熱 CVD装置の処理容器等であってもよヽ。

[0083] また、上記実施形態では、第 1のステップ〜第 3のステップの平行平板プラズマを生成させるために、上部電極であるシャワーヘッド 10に高周波を印加した力下部電極に印加してもよぐ上部電極と下部電極の両方に印加してもよい。

Claims

請求の範囲

[1] 処理容器と、

処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にクリーニングガスを導入するガス導入手段と、

該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とを備えたプラズマ処理装置のクリーニングを行うプラズマクリーニング方法において、

前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギャップに設定し、前記ガス導入手段力クリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングする第 1のステップと、

第 1のステップに弓 Iき続、て行われ、前記第 1のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップと、

を備えたことを特徴とする、プラズマクリーニング方法。

[2] 前記第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップは、少なくとも、前記ガス導入手段カゝらクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内のクリーニングを行なうステップと、

外部で生成したクリーニングガスのプラズマを前記プラズマ導入手段力も前記処理容器内に導入してクリーニングを行なうステップと、を含むことを特徴とする、請求項 1 に記載のプラズマクリーニング方法。

[3] 前記外部で生成したクリーニングガスのプラズマを前記プラズマ導入手段力も前記処理容器内に導入してクリーニングを行なうステップでは、該プラズマの導入と同時に前記ガス導入手段カゝらタリ一ユングガスを導入するとともに、同時に前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加して前記処理容器内でタリー二ングガスのプラズマを生成させることを特徴とする、請求項 2に記載のプラズマタリーユング方法。

[4] 前記第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングする第 2のステップは、前記ガス導入手段力もクリーニングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してクリーニングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングするステップ力もなり、

第 2のステップに引き続いて行われ、前記第 2のギャップで、少なくとも、外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入して前記処理容器内をクリーニングする第 3 のステップを更に備えたことを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマクリーニング方法。

[5] 前記第 3のステップでは、前記外部で生成したクリーニングガスのプラズマを導入しながら、前記ガス導入手段からクリーニングガスを導入し、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加して前記処理容器内でクリーニングガスのプラズマを生成させることを特徴とする、請求項 4に記載のプラズマクリーニング方法。

[6] 前記第 3のステップで、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に印加される高周波電力は、前記第 2のステップで前記上部電極および Zまたは前記下部電極に印加される高周波電力に比べて小さいものであることを特徴とする、請求項 5に記載のプラズマクリーニング方法。

[7] 前記第 1のステップのクリーニングは、前記下部電極の側部に形成された堆積物が除去されるまで行なうことを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマクリーニング方法

[8] 前記第 2のステップのクリーニングは、前記上部電極に形成された堆積物が除去され、該上部電極が露出する直前で止めることを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマクリーニング方法。

[9] 前記処理容器は、 CVD法により被処理体に成膜を行なうための処理容器であることを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマクリーニング方法。

[10] 前記第 1のギャップは、被処理体に対し成膜を行なうときのギャップと同じであることを特徴とする、請求項 9に記載のプラズマクリーニング方法。

[11] 前記第 2のギャップは、被処理体を前記処理容器に搬送するときのギャップと同じであることを特徴とする、請求項 9に記載のプラズマクリーニング方法。

[12] 前記 CVD法は、有機化合物を原料としたプラズマ CVDであることを特徴とする、請求項 9に記載のプラズマクリーニング方法。

[13] 前記有機化合物は、 Siを含有するものであり、前記プラズマ CVDは構成元素に Si を含有する膜の成膜であることを特徴とする、請求項 12に記載のプラズマタリ一ニング方法。

[14] クリーニングガスとして、ハロゲンィ匕合物および酸素を含むガスを用いることを特徴とする、請求項 1に記載のプラズマクリーニング方法。

[15] 前記ハロゲン化合物は、 NFであることを特徴とする、請求項 14に記載のプラズマ

3

クリーニング方法。

[16] 被処理体に対して成膜処理を行う処理容器と、

前記処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、該処理容器内にクリーニングガスを導入するガス導入手段と、

該処理容器内に外部で生成したプラズマを導入するプラズマ導入手段とを備えたプラズマ処理装置を用いた成膜方法にぉヽて、

プラズマ処理装置を用いて所定数の被処理体に対して成膜処理を行うステップと、その後にプラズマ処理装置をクリーニングするステップとを備え、

プラズマ処理装置をクリーニングするステップは、

を含むことを特徴とする成膜方法。

[17] 被処理体に対し成膜処理を行なう処理容器と、

前記処理容器内において互いに対向して配置された上部電極および下部電極と、前記処理容器内にクリーニングガスを導入するガス導入手段と、

外部で生成したプラズマを前記処理容器内に導入するプラズマ導入手段と、前記上部電極と前記下部電極との間隔を調節するギャップ調節手段と、前記処理容器内をプラズマクリーニングする制御する制御部とを備え、該制御部は、前記上部電極、前記下部電極、前記ガス導入手段、前記プラズマ導入手段、および前記ギャップ調節手段を制御して、前記上部電極と前記下部電極との間隔を第 1のギャップに設定し、前記ガス導入手段からタリ一ユングガスを導入するとともに、前記上部電極および Zまたは前記下部電極に高周波電力を印加してタリ一ユングガスのプラズマを生成せしめ、前記処理容器内をクリーニングし、前記第 1 のギャップに比較して前記上部電極と前記下部電極との間隔が広い第 2のギャップで前記処理容器内をクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理装置。

[18] コンピュータ上で動作し、実行時にプラズマ処理装置のプラズマクリーニング方法を行う制御プログラムにおヽて、

プラズマクリーニング方法は、

処理容器と、

を備えたことを特徴とする、制御プログラム。

[19] コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であつて、

制御プログラムは実行時にプラズマ処理装置のプラズマクリーニング方法を行うものであり、

このプラズマクリーニング方法は、

処理容器と、

を備えたことを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。