WO2006011299A1

WO2006011299A1 - プリント配線基板、その製造方法および半導体装置

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Publication number: WO2006011299A1
Application number: PCT/JP2005/010273
Authority: WO
Inventors: Tatsuo Kataoka; Yoshikazu Akashi; Yutaka Iguchi; Hiroaki Kurihara; Naoya Yasui
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Kinzoku Co Ltd
Priority date: 2004-07-29
Filing date: 2005-06-03
Publication date: 2006-02-02
Anticipated expiration: 2007-01-29
Also published as: CN1994033A; US20080236872A1; TWI395531B; KR100874743B1; KR20070029812A; TW200607424A

Abstract

　本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムに形成された基材金属層および導電性金属層を有する基材フィルムを、導電性金属エッチング工程、および、基材金属エッチング工程を有する複数のエッチング工程で、選択的にエッチングすることにより配線パターンが形成された基材フィルムを、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることにより製造されてなり、このプリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残存量が、０．０５μｇ／cm2以下であることを特徴としている。本発明によれば、エッチング液由来の金属を、還元性物質含有溶液で除去するので、製造工程中の水洗工程を短縮することができると共に、残留金属によるマイグレーションの発生を防止でき、信頼性の高いプリント配線基板を効率よく製造できる。

Description

プリント配線基板、その製造方法および半導体装置

技術分野

[0001] 本発明は、絶縁フィルムの表面に配線パターンが直接形成されているプリント配線基板およびこのプリント配線基板を製造する方法ならびに電子部品が実装された半導体装置に関する。さらに詳しくは本発明は、絶縁フィルムと、この絶縁フィルムの表面に、接着剤層を介さずに形成された金属層とからなる 2層構成の基板フィルムから形成されるプリント配線基板およびその製造方法ならびにこのプリント配線基板に電子部品が実装された半導体装置に関する。

背景技術

[0002] 従来カゝらポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムの表面に接着剤を用いて銅箔を積層した銅貼積層板を用いて配線基板が製造されて、る。

上記のような銅貼積層板は、表面に接着剤層が形成された絶縁フィルムに、銅箔を加熱圧着することにより製造される。したがって、このような銅貼積層板を製造する際には、銅箔を単独で取り扱わなければならない。しかしながら、銅箔は薄くなるほど腰が弱くなり、単独で取り扱える銅箔の下限は 12〜35 m程度であり、これよりも薄い銅箔を用いる場合には、例えば支持体付の銅箔を用いることが必要になるなど、その取り扱いが非常に煩雑になる。また、絶縁フィルムの表面に接着剤を用いて、上記のような薄い銅箔を貼着した銅貼積層板を使用して配線パターンを形成すると、銅箔を貼着するために使用した接着剤の熱収縮によりプリント配線基板に反り変形が生ずる。特に電子機器の小型軽量ィヒに伴い、プリント配線基板も薄化、軽量化が進んでおり、このようなプリント配線基板には、絶縁フィルム、接着剤および銅箔カゝらなる 3層構造の銅貼積層板では対応できなくなりつつある。

[0003] そこで、こうした 3層構造の銅貼積層板に代わって、絶縁フィルム表面に接着剤を介さずに直接金属層を積層した 2層構造の積層体が使用されている。このような 2層構造の積層体は、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムの表面に、蒸着法、スパッタリング法などにより金属を析出させることにより製造される。そして、上記のようにして析出した金属の表面にフォトレジストを塗布し、露光 '現像してフォトレジストからなるマスキング材を用いてエッチングすることにより所望の配線パターンを形成することができる

。特に 2層構成の積層体は、金属層が薄いために形成される配線パターンピッチ幅が 30 mに満たないような非常に微細な配線パターンを製造するのに適している。

[0004] ところで、特許文献 1 (特開 2003-188495号公報）には、ポリイミドフィルムに乾式製膜法で形成された第 1金属層 (基材金属層）と第 1金属層の上にメツキ法で形成された導電性を有する第 2金属層（導電性金属層）とを有する金属被覆ポリイミドフィルム ( 基材フィルム）に、エッチング法によってパターンを形成するプリント配線基板の製造方法において、前記エッチング後にエッチング表面を酸化剤による洗浄処理を行うことを特徴とするプリント配線基板の製造方法の発明が開示されている。また、この特許文献 1の実施例 5には、ニッケル 'クロム合金を厚さ 10應にプラズマ蒸着し、次いでメツキ法で銅を 8 μ mの厚さで析出させた例が示されている。

[0005] このような金属被覆ポリイミドフィルムを用いて配線パターンを形成する場合には、まず、表面にある第 2金属層 (銅などの導電性金属力なる層）を所望のパターンにエッチング処理し、次いで、第 1金属層（ニッケル、クロム合金など力もなる）をエッチングする必要があり、この第 1金属層をエッチングする際には、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウムのような酸ィ匕性を含有するエッチング液が使用される。このようにして酸ィ匕性を有するエッチング液を使用して第 1金属層をエッチングした後、プリント配線基板を水洗することにより、エッチング液中に含有されていた成分は除去されると信じられており、また、仮にエッチング液に含有される成分が残存したとしても、従来の配線基板にぉヽては、これらの残留成分が基板の特性に影響を及ぼすとは考えられてなかった。ところが、配線パターンのピッチ幅が次第に狭くなるに従って、このような狭ピッチの配線パターン間の電圧を印加すると、配線パターン間の絶縁抵抗値が変動しやすいことが明らかになった。このような絶縁抵抗値の変動は、ポリイミド基板表面の金属残渣などによるものである力こうしたマイグレーションなどの絶縁抵抗値の変動は、絶縁フィルム表面における金属などの含有量に依存して、ることがわかつた。

[0006] さらに、このようなプリント配線基板には、銅あるいは銅合金とからなる配線パターンを形成する導電性金属層と絶縁フィルムであるポリイミドフィルムとの間に、クロム、二ッケルなどの金属カゝらなる基材金属層が形成されており、このような多種類の金属からなる複合金属層から配線パターンを形成するためには、エッチング液の異なる複数のエッチング工程を経て、この複合金属層を形成する金属を溶出させることが必要になる。特にクロム、ニッケルなどの金属を含有する基材金属層をエッチングするためには、過マンガン酸カリウムなどの酸ィ匕性の無機化合物を含むエッチング液を使用することが必要になり、このようなエッチング液に含有される酸ィ匕性の無機化合物 (金属、塩、金属酸ィ匕物など）は、形成された配線パターンあるいは絶縁フィルム上に残存しゃすいことがわ力つた。そして、このように形成された配線パターンあるいは絶縁フィルム上に残存する微量の無機化合物は、このプリント配線基板を製造する後の工程で使用する液剤を汚染すると共に、最後までプリント配線基板に残存することがある。このように残存するエッチング液由来の金属あるいは無機化合物は、配線バターン間に生ずるマイグレーションの原因となることがあり、さらに、この工程に続く後の工程の処理液の特性を低下させな、ためにも、これらの金属はできるだけ除去することが必要になる。

[0007] し力しながら、これらの金属あるいは無機化合物は、水洗だけでは除去しにくぐさらに、配線パターンが非常にファインピッチ化している昨今のプリント配線基板においては、長時間流水による水洗を続けることにより、水圧などによる基板 (配線)の変形が生じやすぐまた、こうした金属あるいは無機化合物を完全に除去するためには、長時間にわたって水洗を続ける必要があり、このために生産ラインが長くなり、生産性も低下すると、う問題を有して、る。

特許文献 1：特開 2003-188495号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明は、絶縁フィルムが極薄金属層で被覆された基材フィルム (極薄金属被覆ポリイミドフィルム)を使用して形成されたプリント配線基板に電圧を長時間印加し続けると、プリント配線基板の絶縁抵抗が低下すると、う極薄金属被覆絶縁フィルムを用 V、たプリント配線基板特有の問題点を解消することを目的とするものである。すなわち、本発明は、ポリイミドフィルムのような絶縁フィルムの少なくとも一方の表面にスパッタリング法などにより極薄の金属層を形成した基材フィルム (金属被覆ポリイミドフィルム)を用いて、絶縁抵抗値が変動しにくいプリント配線基板を製造する方法を提供することを目的として!、る。

[0009] また、本発明は、上記のようにして形成された絶縁抵抗値が変動しにくいプリント配線基板を提供することを目的として!、る。

さらに、本発明は、上記のようなプリント配線基板に電子部品が実装された半導体装置を提供することを目的として!ヽる。

課題を解決するための手段

[0010] 本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材金属層および該基材金属層上に形成された導電性金属層とを有する基材フィルムを、主として導電性金属を溶解する導電性金属エツチング工程、および、主として基材金属を溶解する基材金属エッチング工程を有する複数のエッチング工程で、選択的にエッチングして配線パターンを形成した後、該配線パターンが形成された絶縁フィルムを、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴として、る。

[0011] さらに、本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記基材フィルムを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解する第 1処理液と接触させ、次いで導電性金属を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第 1処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属に対して高い選択性で作用する第 2処理液と接触させ、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることが好ましい。

[0012] また、本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記基材フィルムの金属層をェツチング法により選択的に除去して配線パターンを形成した後、該基材金属層を形成する金属を溶解および Zまたは不働態化可能な処理液で処理し、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることが好ましい。

さらにまた、本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記基材フィルムを、基材金属層に含有される Niを溶解可能な第 1処理液で処理し、次ヽで基材金属層に含有される Crを溶解しかつ絶縁フィルムの基材金属層を除去し得る第 2処理液で処理して、該配線パターンが形成されて、な、絶縁フィルムの表層面に残存するスパッタリング金属を絶縁フィルム表層面と共に除去し、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることが好まヽ。

[0013] 本発明のプリント配線基板は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材金属層および導電性金属層を、複数のエッチング工程で選択的にエッチングすることにより形成された配線パターンを有するプリント配線基板であって、該プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. gZcm²以下であることを特徴としている。

[0014] さらに、本発明のプリント配線基板は、上記配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅が、該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さく形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05 μ gZcm²以下であることが好ましい。

また、本発明のプリント配線基板は、上記配線パターンを構成する基材金属層が、該配線パターンを構成する導電性金属層よりも幅方向に突出して形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05 /z gZcm² 以下であることが好ましい。

[0015] またさらに、本発明のプリント配線基板は、上記絶縁フィルムの配線パターンが形成されて、な、部分の絶縁フィルムの厚さ力該配線パターンが形成されて、る絶縁フィルムの厚さよりも 1〜： LOOnm薄く形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05 gZcm²以下であることが好ましい。特に本発明では、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 000002〜0. 03 μ g/cm²の範囲内にあること力好まし!/、。

[0016] そして、本発明の半導体装置は、上記のようなエッチング液由来の金属量が非常に少ないプリント配線基板に、電子部品が実装されていることを特徴としている。絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層および導電性金属層とを有する基材フィルムを、選択的にエッチングする際には、複数のエッチング工程で導電性金属層および基材金属層をエッチングすることが必要になる。こうしたエッチングェ程の中で、主として基材金属層をエッチングするために使用される過マンガン酸カリゥムのような酸ィ匕性の化合物が配合されたエッチング液は、エッチング工程後の洗浄工程だけでは除去されにくい。従って、通常の水洗工程を経て製造されるプリント配線基板においては、上記のようなエッチング液に由来するマンガンなどの金属が微量残存し、通常の水洗工程ではエッチング液由来の金属の残存量を 0. 05 /z gZcm² よりも少、なくすることはできな、。

[0017] 本発明では、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層および導電性金属層がこの順序で積層された基材フィルムを選択的にエッチングすることにより基材金属層と導電性金属層とからなる配線パターンを形成した後、基材金属層をエッチングする際に使用したエッチング液に含有されるマンガンのようなエッチング液に由来する酸化性の金属あるいは金属化合物を、還元性物質を含有する水溶液を用いて処理している。このような還元性物質を含有する水溶液で処理することにより、エツチング液由来の金属あるいは金属化合物は、非常に水洗除去されやすくなり、水洗後のプリント配線基板の表面におけるエッチング液由来の金属の残存量を 0. 05 g /cm²以下、好ましくは 0. 000002〜0. 03 g/cm²の範囲内にすることができる。このように配線パターンを形成した後に、還元性物質を含有する水溶液により、表面を洗浄することにより、エッチング液由来の金属の残留量を著しく低減することができ、この後の工程で使用される薬液を汚染することがなくなり、本発明のプリント配線基板の外観の悪ィ匕および品質の劣化を有効に防止することができる。さらに、配線パターン間の絶縁抵抗値の経時的変化を低減することができ、信頼性の高、プリント配線基板および回路基板を得ることができる。

発明の効果

[0018] 本発明のプリント配線基板の製造方法では、複数のエッチング工程を経て配線パターンが形成された基板を還元性物質を含有する水溶液で洗浄して!/ヽる。このような還元性物質含有水溶液を用ヽて洗浄することにより、基板表面に付着してヽるエツチング液由来の金属を非常に効率よく除去することができる。すなわち、本発明のプリント配線基板を製造するに際しては、基材金属層と、この基材金属層の表面に形成された導電性金属層とが、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材フイルムを使用して、この基材金属層および導電性金属層を、異なるエッチング液を用 V、た複数のエッチング工程により、選択的にエッチングして配線パターンを形成しており、絶縁フィルム表面にある基材金属を選択的にエッチングする際には、過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムのような酸ィ匕性金属化合物を含有するエツチング液を使用する。このために得られたプリント配線基板の表面には、微量ながらエツチング液に由来する金属が残留しており、このような微量のエッチング液由来の残留金属によって、配線パターン間にマイグレーションなどが生じやすくなり、さらに、このような残留金属は、後の工程で使用する処理液などの汚染原因ともなる。このようなエッチング液由来の残留金属は、水洗によっては除去されにくい。上記のようなプリント配線基板は長尺のテープ状にして連続して製造するために、水洗工程に割り付けられる工程には限りがあり、通常のプリント配線基板の製造工程における水洗によつては、プリント配線基板表面のエッチング液由来の金属の残存量を本発明で規定するように低減することはできな、。

[0019] 本発明は、還元性物質を含有する還元性水溶液を用いることにより、このようなエツチング液由来の残留金属を効率よく除去することを見出したことに基いてなされたものであり、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、ニッケル、クロムなどの基材金属層を介して、銅あるいは銅合金などの導電性金属層を有する基材フィルムを用いて、複数のエッチング工程により、種類の異なる複数のエッチング液を使用して、基材金属層および導電性金属層を選択的にエッチングして配線パターンを形成した後、このフィルム表面を、還元性有機酸などの還元性物質を含有する還元性水溶液で処理して残留するエッチング液由来の金属を除去しているのである。

[0020] 従って、本発明の方法により製造されたプリント配線基板の表面にはエッチング液由来の金属の残存量が著しく少なぐ残存金属に起因してマイグレーションなどが発生することがなぐまた、後の工程で使用する処理液が残留金属によって汚染されることもない。

このように本発明のプリント配線基板の表面からはエッチング液由来の残留金属が効率的に除去されているので、本発明のプリント配線基板を長期間使用しても、配線パターン間の絶縁抵抗値が変動しにくい。さらに、残留金属による配線パターンの変質なども生じにくい。

[0021] またさらに、上記のようにプリント配線基板に形成された配線パターン間の電気抵抗値が経時的に安定しているので、本発明の半導体装置は長時間安定に使用することができる。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]図 1は、本発明のプリント配線基板を製造する工程の例を示す工程図である。

[図 2]図 2は、本発明のプリント配線基板を製造するそれぞれの工程における配線パターン等の断面の例を示す図である。

[図 3]図 3は、本発明の方法で形成される配線パターンの断面の例を模式的に示す図である。

符号の説明

[0023] 11 · · •絶縁フィルム

12 · · •基材金属層

16 · · 'メツキ層

17 · · '断面台形状の基材基部

20 · · •導電性金属層

22 " 'マスキング材

発明を実施するための最良の形態

[0024] 次に本発明のプリント配線基板およびその製造方法について、製造方法に沿って具体的に説明する。

図 1は、本発明のプリント配線基板を製造する際の工程の例を示す図である。また、図 2は、それぞれの工程における配線パターン等の断面形状の例を示す断面図であり、図 3は、本発明の方法により製造されるプリント配線基板における配線パターンの断面形状の例を模式的に示す断面図である。これら図 2、図 3において、共通の部材には共通の番号が付されており、付番 11は絶縁フィルムであり、付番 12は基材金属層であり、付番 16はメツキ層であり、付番 20は導電性金属層であり、付番 22はマスキング材である。 [0025] 本発明のプリント配線基板を製造するに際しては、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に、基材金属層とこの基材金属層の表面に形成された導電性金属層とを有する基材フィルムが使用される。

この基材フィルムを形成する絶縁フィルムとしては、例えば、ポリイミドフィルム、ポリイミドアミドフィルム、ポリエステル、ポリフエ-レンサルファイド、ポリエーテルイミド、フッ素榭脂および液晶ポリマー等を挙げることできる。すなわち、これらの絶縁フィルムは、例えば基材金属層を形成する際などの加熱によって変形することがない程度の耐熱性を有している。また、エッチングの際に使用されるエッチング液、あるいは、洗浄の際などに使用されるアルカリ溶液などに侵食されることがない程度の耐酸 ·耐ァルカリ性を有しており、こうした特性を有する絶縁フィルムとしては、ポリイミドフィルムが好ましい。

[0026] このような絶縁フィルムは、通常は 7〜 150 μ m、好ましくは 7〜50 μ m、特に好ましくは 15〜40 /ζ πιの平均厚さを有している。本発明のプリント配線基板は、薄い基板を形成するのに適して、るので、より薄、ポリイミドフィルムを使用することが好まヽ。なお、このような絶縁フィルムの表面は、下記の基材金属層の密着性を向上させるために、ヒドラジン ·ΚΟΗ液などを用いた粗ィ匕処理、プラズマ処理などが施されていてちょい。

[0027] このような絶縁フィルムの表面には基材金属層が形成されている。この基材金属層は、絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成されており、従って、本発明では基材フィルムとして、絶縁フィルムの一方の面に、基材金属層と導電性金属層とが積層された構成のフィルム（片面被覆基材フィルム）、あるいは、絶縁フィルムの両面に、上記基材金属層と導電性金属層とが積層された構成のフィルム (両面被覆基材フィルム）の、ずれの基材フィルムを使用することができる。

[0028] この基材フィルムにおいて、基材金属層を設けることにより、この基材金属層の表面に形成される導電性金属層の絶縁フィルムに対する密着性が向上する。

本発明において、基材金属層は、例えば、銅、ニッケル、クロム、モリブデン、タンダステン、シリコン、パラジウム、チタン、バナジウム、鉄、コノレト、マンガン、アルミ-ゥム、亜鉛、スズおよびタンタルなど金属から形成することができる。これらの金属は単独であるいは組み合わされていてもよい。特に本発明では、基材金属層がニッケル、クロムあるいはこれらの金属を含む合金で形成されてヽることが好ましヽ。このような基材金属層は、絶縁フィルムの表面に蒸着法、スパッタリング法などの乾式の製膜法を使用して形成することが好ましい。このような基材金属層の厚さは、通常は、 1〜10 Onm、好ましくは 2〜50nmの範囲内にある。この基材金属層は、この層の上に導電性金属層を安定に形成するためのものであり、基材金属の一部が絶縁フィルム表面に物理的に食い込む程度の運動エネルギーを持って絶縁フィルムと衝突することにより形成されたものであることが好ましい。従って、本発明では、この基材金属層は、上記のような基材金属のスパッタリング層であることが特に好ましい。

[0029] このような基材金属層の表面には、導電性金属層が形成されている。この導電性金属層は、通常は、銅あるいは銅合金で形成されている。このような導電性金属層は、メツキ法により、基材金属層の表面に、銅あるいは銅合金を析出させることにより形成することができる。ここで導電性金属層を形成するためのメツキ法には、電気メツキ法、無電解メツキ法などの湿式法、スパッタリング法、蒸着法などの乾式法があり、導電性金属層は、いずれの方法で形成されていてもよい。また、乾式法と湿式法とを組み合わせて導電性金属層を形成することもできる。

[0030] 特に本発明では、電気メツキあるいは無電解メツキなどの湿式メツキ法により導電性金属層を形成することが好ましい。このようにして形成される導電性金属層の平均厚さは、通常は 0. 5〜40 μ m、好ましくは 1〜18 μ m、さらに好ましくは 2〜12 μ mの範囲内にある。なお、導電性金属層を形成する際に、上記の湿式法と乾式法とを組み合わせる場合には、一般に、基材金属層の表面に、例えばスパッタリング法などにより、スッパッタリング導電性金属層を形成した後、このスッパッタリング導電性金属層の表面に湿式法導電性金属層を形成する。この場合のスパッタリング導電性金属層の平均厚さは、通常は 0. 5〜17. 5 m、好ましくは 1. 5〜： L I. 5 mの範囲内にあり、このスパッタリング導電性金属層とこの湿式法導電性金属層との合計の平均厚さが上記範囲内になるようにする。なお、こうして形成された導電性金属層は、導電性金属の析出方法が異なっていたとしても一体不可分になり、配線パターンを形成する際には同等に作用する。 [0031] このようにして形成された基材金属層と導電性金属層との合計の平均厚さは、通常は 0. 5〜40 μ m、好ましくは 1〜 18 μ m、さらに好ましくは 2〜 12 μ mの範囲内にある。また、このような基材金属層と導電性金属層との平均厚さの比は、通常は 1 : 400 00〜1： 10、好ましくは 1： 5000〜1： 100の範囲内にある。

本発明のプリント配線基板を製造するに際しては、このような基材金属層と導電性金属層とが絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材フィルムを用いて、基材金属層と導電性金属層とを複数のエッチング工程で選択的にエッチングすることにより配線パターンを形成する。

[0032] 配線パターンは、基材フィルムの導電性金属層の上に感光性榭脂層を形成し、この感光性榭脂に所望のパターンを露光 ·現像して感光性榭脂からなるパターンを形成し、こうして形成されたパターンをマスキング材としてエッチングすることにより形成することができる。

このエッチング工程は、主として導電性金属層をエッチングする導電性金属エッチング工程と、主として基材金属層をエッチングする基材金属エッチング工程を有している。

[0033] 導電性金属エッチング工程は、導電性金属層を形成する銅あるいは銅合金をエツチングする工程であり、ここで使用するエッチング剤は、導電性金属である銅あるいは銅合金に対するエッチング剤（すなわち、 Cuエッチング液)である。

このような導電性金属エッチング剤の例としては、塩化第 2鉄を主成分とするエッチング液、塩ィ匕第 2銅を主成分とするエッチング液、硫酸 +過酸ィ匕水素などのエッチング剤を挙げることができる。このような導電性金属に対するエッチング剤は、導電性金属層を優れた選択性でエッチングして配線パターンを形成することができるものであると共に、このエッチング液は導電性金属層と絶縁フィルムとの間にある基材金属に対してもかなりのエッチング機能を有して、る。

[0034] この導電性金属エッチング工程にお!、て、処理温度は、通常は 30〜55°Cで、処理時間は、通常は 5〜 120秒間である。上記のようにして導電性金属エッチング剤を用いてエッチングすることにより、例えば図 2 (a)に示すように、主として導電性金属層 20 がエッチングされた断面構造の配線パターンが形成される。上記のようにして導電性金属エッチングを行うことにより、基材フィルムの表面にある導電性金属層 20が主としてエッチングされて、用いたマスキング材と相似形の配線パターンが形成される。また、この導電性金属層 20の下側にある基材金属層 12も、相当エッチングされる力基材金属層 12は、この導電性金属エッチング工程では、完全には除去されない。

[0035] 上記のようにして、感光性榭脂の硬化体力なるマスキング材 22を用いて、主として導電性金属を選択的にエッチングした後、感光性榭脂の硬化体力もなるマスキング材 22は、水酸化ナトリウム、水酸ィ匕カリウムなどのアルカリを含有する水溶液、具体的には、 NaOH+Na CO等を含有する水溶液のような洗浄液で処理することにより、除

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去することができる。上記のようにしてマスキング材が除去された配線パターンの断面形状は、例えば、図 2 (b)に示すようになる。

[0036] 本発明にお、ては、上記のようにして主として導電性金属層をマスキング材であるノターンに沿って除去した後、主として基材金属層を選択的にエッチングする基材金属エッチング工程により溶解除去して配線パターンを形成するのである力この基材金属エッチング工程前に、酸洗工程 (マイクロエッチング工程)を設けることもできる。すなわち、上記のような導電性金属エッチング工程により、主として導電性金属層を選択的にエッチングした後、この導電性金属エッチング工程でマスキング材として使用された感光性榭脂からなるパターンは、導電性金属エッチング工程を経た後、例えばアルカリ洗浄などにより除去される力こうしたアルカリ洗浄液との接触により、導電性金属層表面あるいは基材金属層表面に酸化被膜が形成されることがある。また、感光性榭脂の硬化体力ゝらなるマスキング材と接触してヽた導電性金属層 (Cu)表面（配線パターンのトップ）は、エッチング材と接触した履歴を有していないので、配線パターンの法面などと比較すると活性が異なることがある。従って、導電性金属ェツチング工程後に酸洗 (マイクロエッチング)を行って、配線パターン表面 (全面）を均一にすることにより、後の工程で精度の高いエッチングを行うことができる。

[0037] し力しながら、この酸洗工程において、エッチング液との接触時間が長いと配線パターンを形成する銅あるいは銅合金の溶出量が多くなり、配線パターン自体がやせ細ってしまうので、この段階で酸洗を行う場合には、この酸洗工程におけるエツチング液と配線パターンとの接触時間は、通常は 2〜60秒間程度である。上記のようにして最初の酸洗工程を経た配線パターンの断面形状は、例えば図 2 (c)のようになる。

[0038] 上記のようにして導電性金属エッチング工程を経て、あるいは、さらに必要により上記のようにして酸洗工程を経た後（最初のマイクロエッチングを行った後）、基材金属エッチング工程により、主として基材金属層を溶解除去すると共に、残存する基材金属を不働態化する。

基材金属層は、上述のように銅、ニッケル、クロム、モリブデン、チタン、バナジウム、鉄、コノレト、アルミニウム、亜鉛、スズおよびタンタルなどの金属あるいはこれらの金属を含む合金などカゝら形成されており、このような基材金属層は、その形成金属に対応したエッチング液を使用して、これらの基材金属層を形成する金属を選択的に溶出し、さらに絶縁フィルム上にわずかに残存する基材金属層形成金属を不働態化処理する。

[0039] 例えば、この基材金属エッチング工程の対象となる基材金属層力ニッケルおよびクロムを用いて形成されている場合には、ニッケルに対しては、例えば、硫酸'塩酸混合液などの第 1処理液 (Niを溶解可能な第 1処理液)を使用して溶解除去することができ、また、クロムに対しては、例えば、過マンガン酸カリウム +KOH水溶液などの第 2 処理液 (Crを溶解可能な第 2処理液)を使用して溶解除去することができる。

[0040] 本発明にお、て、 Niを溶解可能な第 1処理液の例としては、それぞれの濃度が 5〜 15重量％程度の硫酸'塩酸混合液、および、過硫酸カリウムと硫酸との混合液を挙げることができる。

この第 1処理液を用いて処理することにより、基材金属層を形成する金属のうち、主としてニッケルなどの金属を溶解、除去する。この第 1処理液を用いた処理においては、処理温度は、通常は 30〜55°Cで、処理時間は、通常は 5〜40秒間である。

[0041] この処理により、例えば図 2 (d)に示すように、配線パターンの側面に突起状に残存する基材金属および Zまたは配線間に残存する基材金属は、溶解、除去される。その結果、隣接する配線パターンを構成する基材金属層間の間隔は予定している値（設計値）に近い値になる。すなわち、形成しょうとする配線ピッチの設計幅によって配線パターンを形成する基材金属層間の間隔は異なるが、例えば、配線ピッチ 30 m (設計上のライン幅 15 μ m、スペース幅 15 μ m)の場合、この基材金属間の最短の間隔を電子顕微鏡写真 (SEM写真）により実測すると、 5〜18 /z mの範囲内になることが多い。この実測最短間隔は、設計値に対して 33%〜120%であり、さらに好適に条件を設定することによりこの基材金属間の最短の間隔を 10〜16 μ mの範囲内、すなわち、設計値に対して、 66. 7-106. 7%の範囲内にすることができる。また、例えば、配線ピッチ 100 m (設計上のライン幅 50 m、スペース幅 50 m)の場合、実測される配線パターン幅は、設計値の 10〜120%の幅にすることができる。

[0042] 上記の第 1処理液を用いた処理において、突起状に残存する基材金属を溶解、除去するとは、図 2 (e)に示すように、配線パターンの基材金属層によって形成される配線パターン形成連続線力も幅方向に突出した突出部分の、配線パターン形成連続線力ら先端までの距離 (SA)力 0〜6 m (設計スペース幅の 0〜40%)、好ましくは 0 〜5 /ζ πι、さらに好ましくは 0〜3 /ζ πι、最も好ましくは 0〜 2 mになるように溶解することをいう。従って、本発明において、配線パターン形成連続線から先端までの距離が上記範囲内にあるものは、配線パターン形成連続線を形成するものであるとみなして突起とは言わない。

[0043] なお、本発明で形成される配線パターンには、後の工程で酸化防止、 ICチップなどのボンディング時の合金層形成などのためにその表面にメツキ層が形成される力このようにメツキ層が形成された場合において、隣接する配線パターンにおけるメツキ層表面からの最も狭い部分の間隔 (配線パターンの最短間隔）を、少なくとも 5 mは確保することが望ましい。

[0044] このようにして第 1処理液を用いた処理を行った後、第 2処理液を用いて処理するが、この第 2処理液を用いた処理前に、マイクロエッチング工程に賦すことができる。本発明において、マイクロエッチングを行う場合に、使用することができるマイクロエツチング液としては、例えば、 HC1あるいは H SOのような導電性金属である Cuのエツ

2 4

チングに使用するエッチング液を使用することができ、さらに、過硫酸カリウム (K S 0

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)、過硫酸ナトリウム (Na S 0 )、硫酸 +H 0などを用いることができる。特に本発明で

2 2 8 2 2

はこのマイクロエッチング液として、過硫酸カリウム（K S 0 )、過硫酸ナトリウム (Na S

2 2 8 2 2

0 )、硫酸 +H 0を用いることが好ましい。 [0045] このようにしてマイクロエッチングすることにより、図 2 (f)に示すように、配線パターンを形成する導電性金属である Cuなどは選択的にエッチングされるが、基材金属である Ni、 Crはそれほどエッチングされない。このマイクロエッチング工程においては、主として配線パターンを形成する導電性金属層 (Cu層) 20が、配線パターン周縁部から中心方向に向力つてわずかに後退するようにエッチングされるのに対して、配線パターンを形成する基材金属層 12は比較的エッチングされにくい。従って、このマイクロエッチング工程を経て形成された配線パターンは、導電性金属層 20から形成されている配線パターンの導電性金属層下端部と、基材金属層 12から形成されている配線ノターンの基材金属層上端部との間に、明確な段差が形成される。すなわち、このマイク口エッチング工程により、配線パターンの導電性金属（Cu)カゝら形成されている部分は、マイクロエッチングにより配線パターンの断面中心部分に向力つて後退するが、配線パターンの基材金属層は、このマイクロエッチングによっては溶解されにくいので、基材金属層によって形成された配線パターンの形状が維持される。従って、このマイクロエッチング工程を経て形成された配線パターンは、導電性金属層からなる配線パターンの周囲に基材金属層による張り出し部が形成された形状になる。

[0046] このようにして第 1処理液と第 2処理液とを用いる基材金属層エッチング工程の途中で、上記のようにしてマイクロエッチング工程を設けることにより、図 2 (g)に示すように、形成された基材金属層の上端部の幅 W1と、導電性金属層 20の下端部の幅 W2とは明らかに異なり、 W1—W2の差 W3 (2 X (W3Z2)は、通常は 0. 05〜2. 0 m、好ましくは 0. 2〜1. 0 mの範囲内になる。

[0047] 従って、第 1処理液を用いた処理工程と、これとは異なる組成の第 2処理液を用いて基材金属層を処理する途中で、上記のようにしてマイクロエッチング工程を行うことにより、形成された配線パターンには Cuなどカゝらなる導電性金属層 20カゝらなる配線パターンの周囲に W3 X 1Z2幅の基材金属層 12からなる帯状の突出部が形成された形態の配線パターンが得られる。

[0048] なお、このマイクロエッチング工程は任意の工程であり、このマイクロエッチング工程を行わなければ、通常は、配線パターンに上記図 2 (h)に示すような基材金属層 12からなる帯状の突出部は形成されない。この突出部は第 2処理液で処理されることによりマイグレーションの発生を抑制することができる。

上記のようにして必要によりマイクロエッチングを行った後、第 2処理液用いて処理する。

[0049] ここで使用される第 2処理液は、基材金属層に含有される Crを溶解し Crが残留する場合には、この残留 Crを不働態化し得る処理液である。

すなわち、上記にように第 1処理液を用いて処理することにより（さらに必要によりマイク口エッチングを行うことにより）、基材金属層 12を形成する Niはほぼ溶解除去される力基材金属層を 12形成する金属である Crは、依然として絶縁フィルム 11上に残留している。このような Crが配線パターン間に残留すれば、配線パターン間の絶縁抵抗値は安定しないので、この絶縁フィルム 11上の基材金属層 12に含有される Crを溶解除去するか、あるいは、 Crが残存する場合であっても、残存 Crを不働態化することができる成分を含む第 2処理剤を使用する。

[0050] ここで使用する第 2処理剤としては、基材金属層に含有される Crを溶解除去することができ、かつ絶縁フィルム表面に残留する Crがある場合にも、この残留 Crを不働態化することができる処理液である。このような第 2処理液の例としては、過マンガン酸カリウム ·ΚΟΗ水溶液、および、過マンガン酸ナトリウム +NaOH水溶液を挙げることができる。本発明において、第 2処理液として過マンガン酸カリウム +KOH水溶液を使用する場合、過マンガン酸カリウムの濃度は、通常は 10〜60gZリットル、好ましくは 25 〜55gZリットルであり、 KOHの濃度は、好ましくは 10〜30gZリットルである。本発明において、上記のような第 2処理液を用いた処理においては、処理温度は、通常は 40〜70°Cで、処理時間は、通常は 10〜60秒間である。

[0051] このように第 2処理液を用いて処理することにより、図（i)に示すように、基材金属層 12を形成する Crの大部分が溶解、除去される。また、絶縁フィルム 11上にわずかに C rが残留する場合であっても、この Crを不働態化することができる。すなわち、この第 2 処理液を用いて処理することにより、絶縁フィルム 11表面に基材金属層 12として残存して、る Crの大部分を溶解し、絶縁フィルムの表面におそらく数十 Aの厚さで残存した Crを酸ィ匕し、不働態化することができる。

[0052] さらに、この第 2処理液を好適に使用することにより、この第 2処理液により、図 2 (j) に示すように、絶縁フィルム 11の表面をィ匕学研磨することができる。従って、この第 2 処理液を好適に使用することにより、基材金属層 12を除去することができると共に、この第 2処理液は、絶縁フィルム 11の表面から、通常は l〜100nm、好ましくは 5〜50n mの深さで絶縁フィルム 11を切削（溶解除去)することができる。上記のように第 2処理液を用いることにより、絶縁フィルム 11の表層に残存する Crを絶縁フィルムの表層と共に除去することができる。従って、この第 2処理液を好適に使用した場合には、配線パターンが形成されていない部分の絶縁フィルム 11の厚さ力配線パターンが形成されている絶縁フィルムの厚さよりも 1〜： LOOnm、好ましくは 2〜50nm薄く形成されている。なお、配線パターンの部分の基材金属層 12および絶縁フィルム 11は、導電性金属層 20によって第 2処理液から保護される。

[0053] このようにして得られたプリント配線基板の配線パターンは、図 2 (j)に示すように、マイクロエッチングを行わな、場合には、導電性金属層 20力なる配線パターン (導電性金属層）の下端部の幅と、基材金属層 12の上端部とが、その断面において、同じ幅かほぼ同じ幅で形成されている力配線パターンが形成されていない部分の絶縁フィルム 11 (ポリイミドフィルム）の表面は、通常は l〜100nm、好ましくは 2〜50nm の範囲内の深さで切削されており、配線パターンが形成されている部分は、高さ 1〜 100應、好ましくは 2〜50應の高さを有する断面台形状の基材基部 17が形成されている。

[0054] なお、上記のようにして第 2処理液を用いて処理した後には、配線パターン間にある絶縁フィルム上には、一般に、独立した Niは確認されないが、 Crはわずかに残存している場合がある力このような Crは不働態化されており、このような不働態化された Crによって配線パターン間の絶縁性が損なわれることはない。

上記のようにして複数のエッチング工程で種々のエッチング剤を使用して配線パターンを形成した後、このプリント配線基板は水洗される力プリント配線基板の表面には配線パターンを形成する際に使用したエッチング液に由来する金属が残存する。

[0055] 特に基材金属層をエッチング処理する際に使用されるエッチング液としては、過マンガン酸カリウムのような酸ィ匕性の無機化合物を含有するエッチングの有用性が高い力このような酸ィ匕性の無機化合物を含有するエッチング液を使用すると、プリント配線基板表面にこのようなエッチング液に由来する金属が残留する。すなわち、エッチング工程終了後は、プリント配線基板は水洗工程に賦される力こうしたエッチングェ程後の通常の水洗工程だけでは、エッチング液由来の金属は、除去しきれずに、プリント配線基板表面に残留してしまい、後の工程で使用する処理液などの汚染の原因となると共に、こうした残留金属によってマイグレーションが発生しやすくなるなど、プリント配線基板の信頼性が低下する要因にもなりかねない。ここでエッチング液由来の金属としては、最後のエッチング処理に用いられる酸化性の無機化合物を形成する金属であり、具体的には、マンガンなどであり、これらの金属が酸化物などの金属化合物を形成してヽることもある。

[0056] 本発明では上記のようにして配線パターンを形成した後、この配線パターンが形成された絶縁フィルムを、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させる。

ここで使用する還元性物質としては、還元性を有する有機酸を挙げることができ、このような還元性を有する有機酸の例としては、シユウ酸、クェン酸、ァスコルビン酸および有機カルボン酸などを挙げることができる。これらの還元性を有する有機酸は、単独であるいは組み合わせて使用することができる。また、これらの有機酸は塩を形成していてもよい。

[0057] このような還元性を有する有機酸は、形成された配線パターンには影響を及ぼさず、かつ残存するエッチング液由来の金属を除去可能な濃度で水に溶解して使用され、通常は 2〜10重量％、好ましくは 3〜5重量％の濃度で水に溶解して使用される。このような還元性を有する有機酸などを含有する還元性水溶液と配線パターンとの接触方法に特に制限はないが、配線パターンに均一に還元性処理液が接触するような方法を採用することが好ましぐ例えば配線パターンが形成された絶縁フィルムを上記処理液に浸漬する方法、配線パターンが形成された絶縁フィルムに、上記処理液を噴霧する方法など、種々の方法を採用することができ、さらに、これらの方法を組み合わせてもよい。

[0058] このような還元性処理液は、通常は 25〜60°C、好ましくは 30〜50°Cの範囲内の温度に調整されており、このような温度に調整された還元性処理液との接触時間は通常は 2〜150秒間、好ましくは 10〜60秒間である。このようにして還元性処理液との接触により、配線パターンおよび絶縁フィルム表面に残留していたエッチング液由来の金属は効率よく除去される。

[0059] このようにして還元性処理液と接触処理した配線基板 (絶縁フィルムとこの表面に形成された配線パターン）は、そのまま次の工程で処理することができる力水洗した後に次の工程で処理することが好ま U、。

この水洗工程は、上記のように還元性処理液との接触により表面に残留していたェツチング液由来の金属の大部分は除去されているので、この水洗に要する時間を、通常の水洗工程に要する時間よりも短縮することができる。本発明において、還元性処理液で処理した後の水洗は、通常は 2〜60秒間、好ましくは 15〜40秒間であり、還元性物質を含有する水溶液による処理を行わなかった場合と比較して、水洗時間を 1Z2〜1Z30程度にまで短縮することができる。

[0060] このようにして本発明では、異なる組成のエッチング液を用いて複数の工程でエツチング処理を行った後、還元性物質を含有する水溶液で処理し、さらに、好適には水洗することにより、このプリント配線基板の表面におけるエッチング液由来の金属の残存量 ίま、 0. 05 μ g/cm²以下、好ましく ίま 0. 000002〜0. 03 μ g/cm²の範囲内になる。すなわち、主として基材金属層をエッチングするために使用した酸ィ匕性の無機化合物は、その一部が基板表面に残存する傾向があり、このような酸ィ匕性の無機化合物は、単に水洗だけで完全に除去することはできない。

[0061] なお、本発明において、プリント配線基板の表面におけるエッチング液由来の金属の残存量は、 1)長尺の電子部品実装用フィルムキャリアテープから 1つの配線バターンが形成されている 1ピース分を切り出して（例えば 35mm幅のテープを 1つの配線パターンが形成されている 10パーフォレーシヨン分である 47. 5mmの長さに切断して）サンプルとし、 2)このサンプルを、溶解液である純水（lOOcc)の中に入れて 10 0°Cで 5時間煮沸してサンプルに含まれる Mnを熱水に抽出し、 3)熱水中に溶出した Mn量を ICP-MS (誘導結合プラズマ質量分析装置；アイシーピーマス)で分析測定し抽出された Mn量を求めて、得られた全 Mn量を、切り出したサンプルの全面積（両面の合計面積)で割って求めた。

[0062] 本発明におけるように還元性物質を含有する水溶液と接触させた後、水洗することにより、プリント配線基板表面のエッチング液由来の金属の残留量が 0. 05 /z gZcm² 以下の量、さらに還元性物質を含有する溶液との接触及び水洗の条件を好適に調整することにより、 0. 000002〜0. 03 g/cm²の範囲内の量にすることができる。このようにエッチング液由来の金属の残存量は、通常の水洗によっては短時間で達成することができない範囲内の量である。

[0063] こうしてプリント配線基板に形成された配線パターンは、端子部分が露出するように榭脂保護層で被覆されるが、榭脂保護層を形成する前に、形成された配線パターンの少なくとも基材金属層を被覆するように隠蔽メツキすることもできる。すなわち、配線ノターンを形成した後、形成された配線パターンおよび露出した絶縁フィルム上に残存するエッチング液由来の金属を除去するように還元性物質を含有する水溶液で処理し、さらに水洗した後、榭脂被覆層を形成する前に、配線パターンの下端部にある基材金属層の露出部分を隠蔽するようにメツキ層を形成することができる。

[0064] ここで形成される隠蔽メツキ層は、少なくとも、配線パターンの下端部にある基材金属層であり、配線パターン全体に隠蔽メツキ層を形成することもできる。このようにして形成される隠蔽メツキ層の例としては、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケル-金メッキ層、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、 Pdメツキ層、 Niメツキ層、 Znメツキ層、および、 Crメツキ層などがあり、これらのメツキ層は単層であっても複数のメツキ層を積層した複合メツキ層であってもよぐ特に本発明では、スズメツキ層、金メッキ層、ニッケルメツキ層、ニッケル-金メッキ層が好ましい。なお、この隠蔽メツキは、形成された配線パターンを、端子部分を覆うようにして榭脂保護層を形成した後、露出する端子部分に形成してもよい。

[0065] このような隠蔽メツキ層の厚さは、メツキの種類によって適宜選択することができるが、通常は 0. 005〜5. 0 m、好ましくは 0. 005〜3. 0 mの範囲内の厚さに設定される。また、全面に隠蔽メツキをし、端子部分を露出させて榭脂保護層を形成した後、さらに榭脂保護層から露出する部分に端子部分に再度同一の金属を用いてメツキ処理してもよい。このような厚さの隠蔽メツキ層を形成することによつても、配線パターンを形成する基材金属層からのマイグレーションの発生を防止することができる。

[0066] このような隠蔽メツキ層は、電解メツキ法あるいは無電解メツキ法などにより形成することができる。

このようにして配線パターンを隠蔽メツキ処理することにより、配線パターンの絶縁基板側にある不働態化した基材金属層の表面および側壁部が隠蔽メツキ層により隠蔽され、異種金属間で電位差が生じても、配線パターン間の絶縁抵抗が充分高いため、基材金属層からのマイグレーションの発生を有効に防止できる。特に上記のようにして隠蔽メツキをすることにより、基材金属層の側壁部まで隠蔽メツキ層により被覆され、基材金属が露出していないので、配線パターン間における絶縁信頼性が高ぐまた、マイグレーションなどによる経時的な絶縁不良も生じにくい。なお、この隠蔽メッキは、基材金属層からのマイグレーションの発生などを主な目的としているものである力このような基材金属層の隠蔽に限らず、例えば、後の端子部分のメツキ工程などにおける孔蝕の発生防止などを目的とするものであってもよい。

[0067] このようにして必要により隠蔽メツキをした後、配線パターンの端子部分を残して配線パターンおよびこの配線パターンが形成されている部分の絶縁フィルムを覆うように榭脂保護層を形成する。この榭脂保護層は、例えば、スクリーン印刷技術を利用して、ソルダーレジストインクを所望の部分に塗布することにより形成することもできるし、さらに接着剤層を有する榭脂フィルムを予め所望の形状に賦形して、この賦形された榭脂フィルムを貼着することにより形成することもできる。

[0068] このようにしてソルダーレジスト層などの榭脂保護層を形成した後、この榭脂保護層力も露出した部分の配線パターン表面にメツキ層を形成する。すなわち、上記ソルダ一レジスト層あるいは榭脂保護層から露出している端子部分を、メツキ処理する。このメツキ処理は、このプリント配線基板に電子部品を実装する際に電子部品に形成されたバンプ電極などとこのプリント配線基板の端子とを電気的に接続させるものであり、さらに、この電子部品が実装されたプリント配線基板 (半導体装置)を、電子機器に組み入れる際にプリント配線基板と他の部材との電気的接続を確立するためのものである。

[0069] このようにして形成されるメツキ層としては、例えば、スズメツキ層、金メッキ層、銀メッキ層、ニッケル-金メッキ層、ハンダメツキ層、鉛フリーハンダメツキ層、ノ《ラジウムメッキ層、 -ッケノレメツキ層、亜 10メツキ層、および、クロムメツキ層などを挙げることができる。このメツキ層は単層であっても複数のメツキ層が積層された複合メツキ層であってもよい。また、上記のような金属メツキ層は、上記の金属力なる純金属層であっても、他の金属が拡散した拡散層を有していてもよい。拡散層を形成する場合には、拡散させようとする金属（あるいは金属メツキ層）の表面に拡散層を形成する金属力なるメツキ層を形成し、例えば加熱処理などにより、下層の金属と上層の金属とは相互に拡散し、拡散層が形成される。

[0070] また、このようなメツキ層は、通常は単一のプリント配線基板においては同一の金属力なるメツキ層である力必ずしも単一のプリント配線基板においてこの金属メツキ層が同一の金属から形成されていることは必要ではなぐ端子によってメツキ層を形成する金属の種類が異なって、てもよ、。

上記のようなメツキ層は、電気メツキ法あるいは無電解メツキ法などの通常のメツキ法により形成することができる。

[0071] このようなメツキ層の平均厚さは、形成するメツキ層の種類によって異なる力通常は 5〜12 /ζ πιの範囲内にある。なお、配線パターンが複数のメツキ層を有する場合には、上記のメツキ層の平均厚さは、配線パターンに形成されたメツキ層の全体の厚さである。

上記のようにして形成された配線パターンの断面形状の例を図 3の (1)〜(4)に示す。図 3において、付番 11は絶縁フィルムであり、付番 12は基材金属層であり、付番 2 0は導電性金属層であり、付番 16はメツキ層である。

[0072] 上記のようにして形成されたプリント配線基板の端子と、電子部品に形成されたバンプ電極などの電極とを電気的に接続して ICチップ等の電子部品を実装し、この接続部分を含めて電子部品およびその周囲を榭脂封止することにより、半導体装置を製造することができる。

本発明のプリント配線基板および半導体装置は、複数のエッチング工程で使用されるエッチング液に由来する金属を、還元性物質を含有する水溶液を用いて処理することにより除去しているので、形成された配線パターンおよび配線パターン間におけるエッチング液由来の金属の残留量が 0. 05 /z g/cm²以下、さらに好適には 0. 00 0002-0. 003 g/cm²と非常に微量にすることができ、従って、残存金属に起因するマイグレーションなどが発生しにくぐまた、残存金属によって後の工程で使用されるメツキ液などが汚染されることがなぐ非常に信頼性の高いプリント配線基板を得ることができる。

[0073] このように、本発明のプリント配線基板あるいは半導体装置は、配線パターンおよび絶縁フィルム上おけるエッチング液由来の金属の残留量が著しく少なぐ従って、本発明のプリント配線基板あるいは半導体装置は、マイグレーションなどによって配線パターン間の電気抵抗値が変動することが著しく少ない。すなわち、本発明のプリント配線基板および半導体装置は、エッチング液由来の金属の残留量が著しく少なぐこうした残留金属に起因するマイグレーションなどが生じにくぐ長時間電圧を印加し続けた後の絶縁抵抗と、電圧を印加する前の絶縁抵抗との間に実質的な変動が認められず、プリント配線基板として非常に高い信頼性を有する。

[0074] 本発明のプリント配線基板は、配線パターン (あるいはリード）の幅が 30 m以下、好適には 25〜5 μ mの幅の配線パターンを有し、またピッチ幅が 50 μ m以下、好適には 40〜20 μ mのピッチ幅を有するプリント配線基板に適している。

このような本発明のプリント配線基板には、プリント回路基板（PWB)、 FPC(Flexible Printed Circuit), TAB (Tape Automated Bonding)テープ、 COF(Chip On Film), CSP (Chip Size Package)、 BGA (Ball Grid Array), μ— BGA( - Ball Grid Array)などがある。

[0075] また、上述の本発明のプリント配線基板においては、絶縁フィルムとしてポリイミドフイルムを使用し、この絶縁フィルムの表面に配線パターンが形成されたプリント配線基板を中心に説明したが、本発明の半導体装置は、この配線パターンに電子部品を実装し、この実装された電子部品の周囲が榭脂で封止することによって形成されてなり、この半導体装置もたヽへん高ヽ信頼性を有してヽる。

[0076] 〔実施例〕

次に本発明のプリント配線基板等およびその製造方法について実施例を示してさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、以下に記載する絶縁抵抗値は全て恒温恒湿槽外における室温での測定値である実施例 1 [0077] 35mm幅で、平均厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)の一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、以下の条件でニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 40nmのクロム ·ニッケル合金層を形成して基材金属層とした。すなわち、 38 μ m厚のポリイミドフィルムを 100°Cで 3 X 10— ⁵Paの条件で 10 分間処理した後、装置内を 100°C X 0. 5Paの圧力に脱ガスしてクロム 'ニッケル合金のスパッタリングを行って基材金属層を形成した。

[0078] 上記のようにして形成された基材金属層上に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（導電性金属層）を形成した。

こうして形成された電解銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光'現像して、配線ピッチ 30 m (ライン幅； 15 μ m、スペース幅； 15 μ m)となるように櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、電解銅層を、 HCl; 100g/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして配線バターンを製造した。

[0079] 得られた配線パターン上の感光性榭脂で形成されたマスキング材を、 NaOH+NaC 0溶液で 40°C X 30秒間処理することにより除去した。

3

次いで酸洗液として K S O +H SO溶液を用いて、 30°C X 10秒処理し、電解銅層

2 2 8 2 4

と基材金属層 (Ni-Cr合金)を酸洗した。

次に、第 1処理液である 17g/リットルの HC1と 17g/リットルの H SOとを含む溶液

2 4

を用いて、フィルムキャリアテープを 50°C X 30秒かけて処理し、 N卜 Cr合金力もなる基材金属層の Niを溶解した。

[0080] さらに、マイクロエッチング液として、 H S 0 +H SO溶液を用いて、配線パターンの

2 2 8 2 4

縁部から内側に向力つて処理深さが 0. 3 mになるようになるように Cu導体を選択的に溶解させた (Cu導体の後退)。

さらに第 2処理液として 40g/リットルの過マンガン酸カリウム +20g/リットル KOH溶液を用いて、 65°Cで 30秒間処理して基材金属層中に含有される Crを溶解した。この第 2処理液は、基材金属層中のクロムを溶解除去すると共に、わずかに残存するクロムを酸ィ匕し不働態化することができた。

[0081] 次に、絶縁フィルム上およびパターン上に付着して残存している Mnを除去するため、 40gZリットルのシユウ酸 2水和（（COOH) -2H O)を溶解したシユウ酸水溶液を用

2 2

いて基板を 40°Cで 1分間洗浄し、残存 Mnを溶解除去した。その後、 23°Cの純水で 15秒間洗浄を行った。

こうしてシユウ酸水溶液で 40°C X 1分間洗浄した場合の基板に付着残存してヽる Mnは、 0. 0003 gZcm²であった。これに対して、シユウ酸水溶液による洗浄を行わな力つた場合 (参考例 1)には、 0. 14 gZcm²であり、シユウ酸水溶液洗浄を行わない場合には、相当量の Mnが基板上に残存し、この Mnが、後工程で除去されないで残存したままでプリント配線基板が形成される虞があり、プリント配線基板の品質の劣化を招来する原因となることがある。また、このように残存する Mnは、後の工程で使用される薬液を汚染し、プリント配線基板の外観あるいは品質の低下を招来する原因となることがある。

[0082] 上記のようにして配線パターンを形成した後、形成された配線パターンに厚さ 0. 0 1 μ m厚さで無電解スズメツキを施した。

さらに、上記のようにしてスズメツキ層により配線パターンを隠蔽した後、接続端子および外部接続端子を露出するようにソルダーレジスト層を形成した。

他方、ソルダーレジスト層から露出している内部接続端子および外部接続端子に、 0. 5 m厚の Snメツキを行い加熱して所定の純 Sn層（Snメツキトータル厚； 0. 51 m 、純 Sn層厚； 0. 25 m)を形成した。

[0083] こうして形成された配線パターンの断面形状は、図 3(2)に近似した形状を有していた。

こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。この導通試験は促進試験であり、短絡が生ずるまでの時間（例えば絶縁抵抗値が 1 X 10⁸ Ω未満になるまでの時間 )を、一応 1000時間程度に設定した試験であり、 1000時間を経過時点で、絶縁抵抗値が 1 Χ 10⁸ Ω未満のものは、一般的な基板として使用することはできない。また、 1000時間経過後の絶縁抵抗値が 1 X 10¹⁴ Ω未満のものは、実用的には問題を生ずる虞がある。

[0084] この実施例 1で製造したプリント配線基板は、絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は、 6 X 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 6 X 10" Ωであり、両者の間に電圧を印カロしたことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められな力つた。

これに対してシユウ酸処理を行わな力つたサンプル (参考例 1)の絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 1. Ο Χ 10¹⁴ Ωであり、シユウ酸を用いた処理を行うことにより、得られたプリント配線基板の絶縁信頼性が向上した。

[0085] 結果を表 1に示す。

実施例 2

[0086] 平均厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)の一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、以下の条件でニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 40應のクロム 'ニッケル合金層を形成して基材金属層とした。すなわち、 38 μ m厚のポリイミドフィルムを 100°Cで 3 Χ 10— ⁵Paで 10分間処理した後、装置内の圧力を 100°C X O. 5Paにしてクロム 'ニッケル合金のスパッタリングを行って基材金属層を形成した。

[0087] 上記のようにして形成された基材金属層上に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（電気メツキ銅層）を形成した。

こうして形成された電解銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光'現像して、配線ピッチ 30 m (ライン幅; 15 μ m、スペース幅; 15 μ m)の櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、電解銅層を、 HCl;100g/リットルを含む濃度 12 %の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして感光性榭脂で形成したノ《ターンと相似形の配線パターンを製造した。

[0088] 得られた配線パターン上の感光性榭脂で形成されたマスキング材を、 NaOH+NaC 0溶液で 40°C X 30秒間処理することにより除去した。

3

次いで第 1処理液として、 K S O +H SO溶液で 30°C X 10秒処理し、銅と基材金

2 2 8 2 4

属層 (Ni-Cr合金)を酸洗した。

次に、第 2処理液として、濃度 40gZリットルの過マンガン酸カリウム +20g/リットルの KOHエッチング液を用いて、 40°C X 1分かけて Ni-Cr合金張出部を不働態化し、さらに線間に僅かに残存するクロムをできるだけ溶出すると共に、除去し切れなかつたクロムを酸ィ匕クロムとして不働態化した。 [0089] 次に、回路基板のフィルム上およびパターン上に付着して残存している Mnを除去するため、 40gZリットルのシユウ酸 2水和（（COOH) -2H O)を溶解したシユウ酸水

2 2

溶液を用いて基板を 40°Cで 1分間洗浄し、残存 Mnを溶解除去した。その後、 23°C の純水 15秒間洗浄を行った。

こうしてシユウ酸水溶液で 40°C X 1分間洗浄した場合の基板に付着残存してヽる Mnは、 0. 00056 gZcm²であった。これに対して、シユウ酸水溶液による洗浄を行わな力つた場合 (参考例 2)は、残留 Mn量は、 0. 11 μ gZcm²であった。

[0090] さらに、 0. 5 m厚の Snメツキを行!、加熱して所定の純 Sn層を形成した。

こうして形成された配線パターンの断面形状は、図 3(1)に近似した形状を有していた。

こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印加して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。このプリント配線基板の絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は、 5 Χ 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 5 Χ 10"Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった

これに対してシユウ酸処理を行わな力つたサンプル (参考例 2)の絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は、 3. 5 Χ 10"Ωであり、シユウ酸を用いた処理を行うことにより、得られたプリント配線基板の絶縁信頼性が向上した。

[0091] 結果を表 1に示す。

実施例 3

[0092] 平均厚さ 38 μ mのポリイミドフィルム (宇部興産 (株)製、ユーピレックス S)の一方の表面を逆スパッタにより粗ィ匕処理した後、以下の条件でニッケル 'クロム合金をスパッタリングして平均厚さ 40應のクロム 'ニッケル合金層を形成して基材金属層とした。すなわち、 38 μ m厚のポリイミドフィルムを 100°Cで 3 Χ 10— ⁵Paで 10分間処理した後、装置内を、 100°C X O. 5Paに調整したクロム 'ニッケル合金のスパッタリングを行って基材金属層を形成した。

[0093] 上記のようにして形成された基金属層上に、電気メツキ法により、銅を析出させて厚さ 8 μ mの電解銅層（電気メツキ銅層）を形成した。こうして形成された電解銅層の表面に感光性榭脂を塗布し、露光'現像して、配線ピッチ 30 m (ライン幅； 15 m、スペース幅； 15 m)の櫛形電極のパターンを形成し、このパターンをマスキング材として、電解銅層を、 HCl; 100g/リットルを含む濃度 12%の塩ィ匕第 2銅エッチング液を用いて 30秒間エッチングして感光性榭脂で形成したパターンと相似形の配線パターンを製造した。

[0094] 得られた配線パターン上の感光性榭脂で形成されたマスキング材を、 NaOH+Na C

2

0溶液で 40°C X 30秒間処理することにより除去した。

3

次いで酸洗液として K S O +H SO溶液で 30°C X 10秒処理し、銅と基材金属層（

2 2 8 2 4

M-Cr合金)を酸洗した。

次に、 Niを溶解可能な第l処理液でぁる15%HCl+15%H SO溶液を用いて、 50

2 4

°C X 30秒かけて Nト Cr合金張出部 26の Niを溶解すると共に、配線パターン間に絶縁フィルムであるポリイミドを露出させた。

[0095] さらに Crを溶解しかつポリイミドを溶解し得る第 2処理液として、 40g/リットルの過マンガン酸カリウム +20g/リットル KOH溶液を用いて処理することにより配線パターン間にある金属をその下のポリイミドフィルム 50nm厚と共に、溶解除去した。

次に、回路基板のフィルム上およびパターン上に付着して残存して、る Mnを除去するため、 40gZリットルのシユウ酸 2水和（（COOH) -2H O)を溶解したシユウ酸水

2 2

溶液を用いて基板を 40°Cで 1分間洗浄し、残存 Mnを溶解除去した。その後、 23°C の純水で 15秒間洗浄を行った。

[0096] こうしてシユウ酸水溶液で 40°C X 1分間洗浄した場合の基板に付着残存して、る

Mnは、 0. 00028 gZcm²であった。これに対して、シユウ酸水溶液による洗浄を行わなかった場合（参考例 3)は、 Mnの残存量は 0. 056 μ gZcm²であった。

さら〖こ、内部接続端子および外部接続端子を露出するようにソルダーレジスト層を形成し、他方露出している内部接続端子および外部接続端子に、 0. 5 111厚の311メツキを行ヽ加熱して所定の純 Sn層を形成した。

[0097] こうして形成された配線パターンの断面形状は、図 3(3)に近似した形状を有していた。

こうして櫛形電極が形成されたプリント配線基板を 85°C85%RHの条件で 40Vの電圧を印力!]して 1000時間導通試験 (HHBT)を行った。得られたプリント配膳基板の絶縁信頼試験前の絶縁抵抗は、 7 Χ 10¹⁴ Ωであり、絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 8 X 10" Ωであり、両者の間に電圧を印加したことに伴う絶縁抵抗の実質的な差は認められなかった。

[0098] これに対してシユウ酸処理を行わな力つたサンプル (参考例 3)の絶縁信頼性試験後に測定した絶縁抵抗は 4. 6 Χ 10¹⁴ Ωであり、シユウ酸を用いた処理を行うことにより、得られたプリント配線基板の絶縁信頼性が向上した。

結果を表 1に示す。

[0099] [表 1]

銅メツキ層エッチ '液 iS¾7 ¾液鍵 Snメキ層 ΗΗΒΤ ホニッケル. 第 1 第 2 シユウ謎残留 Mn量賴 1000Hr髓ほさ Cuェ'? マイク piツチンク'

クロム夜 50¾1牛 g/cm² 厚さ

15%HCH- KMn0₄+ 40g L

38pm 40nm w 8pm 塩化第 2鍋 K₂ O_a+H₂S0₄ 0.0003 0.5μηη 6Χ10^, Ω 画 2S(¾ KOH 0°CX1分

15%HC KMnO₊+

38pm 40nm 8μπη 塩化第 2銅なし 0.14 Ο.5μιη 1. ΟΧ10^Ι4Ω

15%H_¾S0₊ KOH

K₂SA+ K nO₊+ 40g/L

鄉例 2 38μηπ 40nm wm 8μπι 塩化第 2銅なし 0.00056 0.5μηη 5Χ10'*Ω

H2S0₊ KOH 0°CX1分

KMn0₄+

38μιτ> 40nm wm 8μτη 塩化第 2銅なしなし 0.11 0.5μηη 3.5 10^, Ω

H₂S0₄ KOH

15%HCH- K n0₄+ 40g L

難例 3 38μιτι 40nm wm 8μηη 塩化第 2鍋なし 0.00028 0.5μπη 8 X 10"Ω

15%H₂SO, KOH 40°C X 1分

15%HCH- KMn0₄+

# "J3 38μηη 0nm wm δμπι 塩化第 2銅なしなし 0.056 0.5μηι 4.6 10^ΗΩ 應 ^ KOH

産業上の利用可能性

上記のように本発明のプリント配線基板は、エッチング液由来の金属を、還元性物質を含有する水溶液で処理して除去してヽるので、プリント配線基板の表面におけるエッチング液由来金属の残留量が著しく少なぐこうした残留金属に起因するマイグレーシヨンの発生などを防止することができ、た、へん信頼性の高、プリント配線基板および半導体装置を得ることができる。また、プリント配線基板を製造する際において、エッチング液由来の金属が除去されているので、後の工程における処理液、さらには装置が、エッチング液由来の金属によって汚染されることがなぐ効率よくプリント配線基板および半導体装置を製造することができる。また、還元性物質を含有する処理液で、エッチング液由来の金属を効率よく除去することができるので、水洗ェ程を短縮することができ、本発明の製造方法を採用することにより、効率よくプリント配線基板を製造することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 絶縁フィルムと、該絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材金属層および該基材金属層上に形成された導電性金属層とを有する基材フィルムを、主として導電性金属を溶解する導電性金属エッチング工程、および、主として基材金属を溶解する基材金属エッチング工程を有する複数のエッチング工程で、選択的にェツチングして配線パターンを形成した後、該配線パターンが形成された絶縁フィルムを、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。

[2] 上記基材フィルムを、導電性金属を溶解するエッチング液と接触させて、配線バターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解する第 1処理液と接触させ、次いで導電性金属を選択的に溶解するマイクロエッチング液と接触させた後、第 1処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属に対して高い選択性で作用する第 2処理液と接触させ、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板の製造方法。

[3] 上記基材フィルムの導電性金属層をエッチング法により選択的に除去して配線パターンを形成した後、基材金属層を形成する金属を溶解および Zまたは不働態化可能な処理液で処理し、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板の製造方法。

[4] 上記基材フィルムを、基材金属層に含有される Niを溶解可能な第 1処理液で処理した後、基材金属層に含有される Crを溶解しかつ絶縁フィルムの基材金属層を除去し得る第 2処理液で処理して、該配線パターンが形成されて!、な、絶縁フィルムの表層面に残存するスパッタリング金属を絶縁フィルム表層面と共に除去し、さらに、還元性物質を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とする請求項第 1項記載のプリント配線基板の製造方法。

[5] 上記還元性水溶液に含有される還元性物質が、還元性を有する有機酸あるいはその塩であることを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[6] 上記還元性を有する有機酸が、ァスコルビン酸、シユウ酸、クェン酸および有機力ルボン酸よりなる群力選ばれる少なくとも一種類の有機酸であることを特徴とする請求項第 5項の項記載のプリント配線基板の製造方法。

[7] 上記還元性水溶液と接触させる配線パターンが形成された配線基板の表面に、過マンガン酸カリウムおよび Zまたは過マンガン酸ナトリウムである酸ィ匕性無機化合物に由来する金属あるいは金属化合物が付着していることを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[8] 上記還元性水溶液と接触した後、 2秒間以上流水で水洗することを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[9] 上記形成されたプリント配線基板におけるエッチング液由来の金属の残留量力 0

. 05 gZcm²以下であることを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[10] 上記形成されたプリント配線基板におけるエッチング液由来の金属の残留量力 0

. 000002-0. 03 gZcm²の範囲内にあることを特徴とする請求項第 8項記載のプリント配線基板の製造方法。

[11] 上記基材金属層が、ニッケルおよび Zまたはクロムを含有することを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[12] 上記導電性金属層が、銅または銅合金で形成されていることを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[13] 上記絶縁フィルム力ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項第 1乃至 4項のいずれかの項記載のプリント配線基板の製造方法。

[14] 絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に形成された基材金属層および導電性金属層を、複数のエッチング工程で選択的にエッチングすることにより形成された配線パターンを有するプリント配線基板であって、

該プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. gZcm²以下であることを特徴とするプリント配線基板。

[15] 上記配線パターンの断面における導電性金属層の下端部の幅が、該断面における基材金属層の上端部の幅よりも小さく形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05 gZcm²以下であることを特徴とする請求項第 14項記載のプリント配線基板。

[16] 上記配線パターンを構成する基材金属層が、該配線パターンを構成する導電性金属層よりも幅方向に突出して形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05 gZcm²以下であることを特徴とする請求項第 14 項記載のプリント配線基板。

[17] 上記絶縁フィルムの配線パターンが形成されて、な、部分の絶縁フィルムの厚さが

、該配線パターンが形成されている絶縁フィルムの厚さよりも l〜100nm薄く形成されていると共に、プリント配線基板におけるエッチング液由来の金属残留量が 0. 05

Zcm²以下であることを特徴とする請求項第 14項記載のプリント配線基板。

[18] 上記エッチング液由来の金属が、エッチング液に含有される酸化性金属化合物を形成していた金属であることを特徴とする請求項第 14乃至 17項のいずれかの項記載のプリント配線基板。

[19] 上記酸ィ匕性金属化合物を形成していた金属力マンガンであることを特徴とする請求項第 14乃至 17項のいずれかの項記載のプリント配線基板。

[20] 上記エッチング液由来の金属の残留量力 0. 000002〜0. 03 μ gZcm²の範囲内にあることを特徴とする請求項第 14乃至 17項のいずれかの項記載のプリント配線基板。

[21] 上記基材金属層が、ニッケルおよび Zまたはクロムを含有することを特徴とする請求項第 14乃至 17項のいずれかの項記載のプリント配線基板。

[22] 上記導電性金属層が、銅または銅合金で形成されていることを特徴とする請求項第 14乃至 17項のいずれかの項記載のプリント配線基板。

[23] 上記絶縁フィルム力ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項第 14乃至 17 項の、ずれかの項記載のプリント配線基板。

[24] 上記請求項第 14乃至 23項のいずれかの項記載のプリント配線基板に、電子部品が実装されていることを特徴とする半導体装置