WO2005017984A1

WO2005017984A1 - 基板保持構造物および基板処理装置

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Publication number: WO2005017984A1
Application number: PCT/JP2004/011836
Authority: WO
Inventors: Sumi Tanaka; Tetsuya Saito; Masuhiro Natsuhara; Hirohiko Nakata
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-08-18
Filing date: 2004-08-18
Publication date: 2005-02-24
Anticipated expiration: 2006-02-18
Also published as: KR100796051B1; CN100413024C; US20060191639A1; CN1868031A; US7618494B2; KR20060028820A

Abstract

　本発明は、被処理基板を保持する基板保持構造物において、基板保持台の熱応力による破損を抑制することを目的としている。支柱先端部に基板保持台を設けた基板保持構造物において、前記支柱と前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面とで画成されたフランジ部を形成し、その際、前記内周面を、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大する傾斜面により形成し、さらに前記フランジ部が結合する前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に対応してＵ字型溝を形成する。

Description

明細書

基板保持構造物および基板処理装置

技術分野

[0001] 本発明は、基板処理装置において被処理基板を保持するのに使われる基板保持構造物、並びにこのような基板保持構造物を用いた基板処理装置に関する。

背景技術

[0002] CVD装置、プラズマ CVD装置、熱処理装置、エッチング装置などの基板処理装置では、被処理基板を保持するため、処理容器内部に基板保持構造物が設けられる。このような基板保持構造物は、被処理基板を保持する基板保持台と、前記基板保持台を支持する支柱とを含む。基板保持台の内部には、基板を所定温度に加熱するための加熱機構が設けられる。

[0003] プラズマ CVD装置を含む CVD装置および熱処理装置では、基板処理の際に被処理基板を 400°C以上、場合によっては 600°C以上の温度に加熱する必要がある。このような加熱に伴って、基板保持台には大きな温度勾配が発生する。

[0004] 基板保持台は、一般に、 A1Nなどの耐食性に優れたセラミックにより形成される。基板保持台に、温度勾配に起因する熱応力が発生すると、基板保持台が破損する可能十生がある。

[0005] この問題を解決するための構成が特開平 2002—373837号公報に開示されている。図 1は特開平 2002—373837号公報に記載の基板保持構造物の全体を、また図 2は前記基板保持構造物における基板保持台と支柱との接合部近傍を、それぞれ概略的に示している。

[0006] 図 1を参照すると、基板保持台 10は支柱 11上に保持されており、支柱 11の基板保持台 10との接合部にはフランジ部 11Aが形成されている。図 2を参照すると、支柱 1 1の本体部からフランジ部 11 Aへの遷移部には曲面部 11 Bが形成されており、遷移部での熱応力の集中を緩和している。また、基板保持台 10のフランジ部 11A側には、曲面 10Bにより画成されるとともにフランジ部 11Aに向かって連続的に遷移する外形を有する肉厚の接合部 1 OAが形成されてレ、る。 [0007] 図 1および図 2の構成によれば、基板保持台 10の他の部分を肉厚の接合部 10Aより肉薄に形成することで基板保持台 10内を伝搬する熱伝導量が減少し、また、肉厚の接合部 1 OAの側壁面をフランジ部 11 Aの側壁面に向かって連続的に移行するような曲面とすることで、接合部における熱応力の集中が回避される。

[0008] なお、当該技術分野における先行技術文献としては、その他に、特開 2000—169 268号公報、特開 2000—290773号公報、特開 2002—184844号公報、特開平 5_ 101871号公報および特開平 7—230876号公報がある。

[0009] 上述した特開平 2002—373837号公報に開示された基板保持構造物では、基板保持台 10の裏面のうちの肉厚の接合部 10Aを除くほぼ全面を研削加工する必要がある。しかし、基板保持台 10は A1Nなどの研削困難なセラミック材料からなるため、このような大面積にわたる研削加工は基板保持構造物の製造費用を大きく増大させてしまう。

[0010] 一方、このように基板保持台 10を研削加工しない場合には、基板保持台 10中に生じる温度勾配に起因してフランジ部 11Aと基板保持台 10との境界部に熱応力が集中することにより基板保持台 10が破損する問題が生じる。

発明の開示

[0011] 本発明の目的は、安価に製造でき、かつ熱応力の集中を抑制できる基板保持構造物、およびこのような基板保持構造物を用いた基板処理装置を提供することにある。本発明の更なる目的は、基板保持台に生じる温度勾配を抑制することにある。

[0012] 上記目的を達成するため、本発明は、上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物であって、前記基板保持台は加熱機構を含み、前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に沿って延びる U字型の溝が形成されており、前記 U字型の溝の内周面と前記フランジ部の外周面とが、連続した単一の面を形成するように、接続されていることを特徴とする基板保持構造物を提供する。

[0013] 好適な一実施形態において、断面で見た場合に、前記 U字型の溝の内周面の輪郭線の前記フランジ部側の端部と、前記フランジ部の外周面の輪郭線が鉛直方向に延びる単一の線分上に位置する。 [0014] 好適な一実施形態において、前記基板保持構造物は、前記フランジ部および前記基板保持台を個別に形成した後にこれらを接合することにより製造されたものであり、前記フランジ部と前記基板保持台との接合面は、前記鉛直方向に延びる単一の線分に対応する範囲内に位置している。

[0015] 好適な一実施形態において、前記フランジ部の内周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成す

[0016] 好適な一実施形態において、前記基板保持台の下面の前記フランジ部と向き合う部分の一部に溝が形成され、前記フランジ部は、その最も外周側のリング状の領域のみにおいて前記前記基板保持台の下面に接合されている。

[0017] 好適な一実施形態において、前記加熱機構は、内側加熱機構部分と、前記内側加熱機構部分の外側に形成された外側加熱機構部分とを含み、前記内側加熱機構部分と外側加熱機構部分とは、前記支柱内部を延在する第 1および第 2の駆動電源系によりそれぞれ駆動される。

[0018] この場合、好ましくは、前記基板保持台は前記加熱機構の下に、前記第 2の駆動電源系を構成する第 1および第 2の電源ラインにそれぞれ接続された半円形状の第 1および第 2の導体パターンを有し、前記第 1および第 2の導体パターンは、前記基板保持台の全面を、前記第 1および第 2の導体パターンの間に形成されるギャップ領域を除いて実質的に覆う。

[0019] 本発明は、更に、上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物であって、前記基板保持台は加熱機構を含み、前記支柱は前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面を有するフランジ部を含み、前記内周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成し、前記外周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の外径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成し、前記外周面を成す前記傾斜面は、前記基板保持台の下面に連続的に移行することを特徴とする基板保持構造物を提供する。

[0020] 好適な一実施形態において、前記基板保持台の下面は、前記フランジ部と接合する部分およびその周囲の領域にぉレ、て平坦面からなる。

[0021] 本発明は、更に、排気系に結合された処理容器と、前記処理容器中に処理ガスを供給するガス供給系と、前記処理容器中に設けられた上記の基板保持構造物とを備えたことを特徴とする基板処理装置を提供する。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]従来の基板保持構造物の構成を示す縦断面図である。

[図 2]図 1の基板保持構造物の一部を拡大して示す縦断面図である。

[図 3]本発明の第 1実施例による基板処理装置の構成を概略的に示す縦断面図である。

[図 4]図 3の基板処理装置で使われる基板保持構造物の構成を概略的に示す縦断面図である。

[図 5]図 4の基板保持構造物で使われる加熱機構のヒータパターンを示す平面図でめる。

[図 6]図 4の基板保持構造物で使われる加熱機構の給電パターンを示す平面図である。

[図 7]図 4の基板保持構造物で使われる応力緩和のための構造を示す縦断面図である。

[図 8] (A)，（B)は、図 7の基板保持構造物中に生じる熱応力分布を、それぞれセンタークールの状態およびセンターホットの状態について示す図である。

[図 9]本発明の第 2実施例による基板処理装置の構成を示す縦断面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0023] [第 1実施例]

図 3は本発明の第 1実施例による基板処理装置 20の構成を、また図 4一 7は図 3の基板処理装置 20で使われる基板保持構造物 50の構成を示す。

[0024] 図 3を参照すると、基板処理装置 20は排気ポート 21Aにおいて排気系（図示せず）に接続された処理容器 21を含む。処理容器 21の上部には、外部のガス源（図示せず）からライン Lを介して供給された処理ガスを、多数の開口部 22Aから処理容器 21 中の処理空間に放出するシャワーヘッド 22が設けられている。処理容器 21中には、シャワーヘッド 22に対向するように被処理基板（図示せず）を保持する基板保持台 2 3が設けられている。

[0025] 基板保持台 23は A1Nなどの耐食性に優れ、高い熱伝導率と抵抗率、さらに優れた熱衝撃耐性を有するセラミック材料からなる。基板保持台 23は、この基板保持台 23 と同様に A1Nなどのセラミックからなる支柱 23A上に支持されている。これらセラミック部品 23, 23A同士の接合は、好ましくは固相接合により行われるが、固液接合またはろう付けにより行うことも可能である。支柱 23Aは、処理容器 21の下部に延在する延在部 21B中を延在し、延在部 21Bの端部 21C上に固定されている。支柱 23A中には基板保持台 23中に埋設された加熱機構 (ヒータ）を駆動する電源ライン 23a， 23 bが延在している。電源ライン 23a， 23bは、端部 21Cに電源ラインの酸化あるいは腐食防止のために設けられた端子室 21Dを介して外部に取り出される。また端子室 21 Dには、支柱 23A内部を排気する排気ポート 21dが設けられている。

[0026] 処理容器 21Dには、基板保持台 23に対応する高さで被処理基板を出し入れする開口部 21Eが形成されている。基板保持台 23には図示は省略する力処理を終了した基板を持ち上げるためのリフタピンが設けられている。

[0027] 図 3の基板保持台 23は、後で説明する熱応力を緩和させるための構造を備えている力図面の簡略化のため図 3および図 4一図 6には、この構造は図示していない。

[0028] 図 4一図 6は基板保持台 23中に坦設されている加熱機構を示す。図 4を参照すると、前記加熱機構は、基板保持台 23の中央部近傍に形成された内側ヒータパターン 2 4Aと、内側ヒータパターン 24Aの外側に形成された外側ヒータパターン 24Bとを有する。内側ヒータパターン 24Aには、電源ライン 23aを介して電力が供給される。外側ヒータパターン 24Bには、電源ライン 23bとヒータパターン 24A， 24Bの下方に形成された給電パターン 24Cとを介して電力が供給される。

[0029] 図 5は、ヒータパターン 24Aおよび 24Bの平面的配置を示す図であり、この図 5ではヒータパターン 24Aおよび 24Bにハッチングが付けられている。ヒータパターン 24A および 24Bは、基板保持台 23を形成する A1Nと概ね同じ熱膨張係数を有する耐熱金属例えば Wまたは Moにより形成されている。ヒータパターン 24Aおよび 24Bは、基板保持台 23上に前記耐熱金属からなる膜を一様に形成した後、当該膜にカット 2 4cをパターエングすることにより形成することができる。これに代えて、ヒータパターン 24Aおよび 24Bは、基板保持台 23上に所定のパターンで溝を形成し、当該溝に前記耐熱金属を埋め込むことにより形成することができる。ヒータパターン 24Aは、電源ライン 23aの一方の給電線に基板保持台 23の中央部の接続部 23aで接続され、他方の給電線に基板保持台 23の中央部の接続部 23a'で接続されている。ヒータバターン 24Bは、電源ライン 23bの一方の給電線に接続された給電パターン 24C に接

1 続部 23cで接続され、他方の給電線に接続された給電パターン 24C に接続部 23c

2

'で接続されている。

[0030] なお、ヒータパターン 24Aおよび 24Bの形状は図示されたものに限定されず、各ヒ一タパターン内における発熱量分布が小さくできるのであれば、他の形状、例えば螺旋状であってもよい。また、加熱機構の発熱体は、図示された板状或いは膜状体には限定されず。コイル状の抵抗発熱線により形成してもよい。

[0031] 図 6は給電パターン 24C および 24C の平面的配置を示す図であり、この図 6で

1 2

は給電パターン 24C および 24C にハッチングが付けられている。ここに示すように

1 2

、給電パターン 24C および 24C は半円形に形成された複数の導体膜力なる。

1 2

給電パターン 24C および 24C は、ヒータパターン 24Aおよび 24Bと同じ材料およ

1 2

び同じ製法で形成することができる。給電パターン 24C および 24C は、板状、膜

1 2

状またはメッシュ状に形成することができる。給電パターン 24C は電源ライン 23bの

1

一方の給電線に接続部 23dにおいて接続され、給電パターン 24C は電源ライン 23

2

bの他方の給電線に接続部 23d'において接続されている。

[0032] このように本実施例による基板保持台 23においては内側のヒータパターン 24Aと外側のヒータパターン 24Bが独立して給電されるため、基板保持台 23中に形成される温度勾配を最小化でき、温度勾配に起因するクラック発生等の破損を軽減することができる。また、このように基板保持台 23の温度を内側領域と外側領域とで独立に制御できるため、基板処理の際の均一性を向上させることができる。なお、ヒータパターン 24Aおよび 24Bに給電する際に給電パターン 24C および 24C も発熱するが、

1 2

給電パターン 24C および 24C が基板保持台 23の概ね全面にわたって設けられ

1 2

ているため、給電パターン 24C および 24C 発熱に起因して生じる基板保持台 23

1 2 の温度分布は最小限に抑制される。

[0033] 図 7は、図 3の基板保持台 23において使われる熱応力を緩和するための構造を示す。図 7を参照すると、基板保持台 23を支持する支柱 23Aは、支柱 23Aの上端部に設けられたフランジ部 23Bと、フランジ部 23Bの下方に設けられた外径 dを有する円筒状の本体部と、を有している。なお、基板保持台 23および支柱 23Aは、実質的に、幾何学用語としての回転体（平面を所定の軸線回りに回転することにより得られる立体）をなしている。

[0034] 基板保持台 23の下面 231には、 U字型断面を有するリング状の溝 23U (以下、「U 字型溝 23U」という）が形成されている。 U字型溝 23Uは、内周面 23U と、内周面に対向する外周面 23Uと、内周面 23Uと外周面 23Uとを接続する底面 23U と

2 1 2 3 により画成されている。内周面 23U と底面 U 並びに外周面 23Uと底面 23U は、

1 3 2 3 曲率半径が R の曲面を介して滑らかに接続されている。曲率半径 R は U字型溝 2

1 1

3Uの深さ Dより小さい。フランジ部 23Bの外周面 23B の輪郭線は鉛直方向に延び

1

、かつ U字型溝 23Uの内周面 23U の輪郭線は外周面 23B の輪郭線の延長線上

1 1

を鉛直方向に延びている。すなわち、外周面 23B の輪郭線および内周面 23U の

1 1 輪郭線は、鉛直方向に延びる連続した単一の直線 (線分）をなし、両輪郭線の接続点 Pには段差は実質的に存在しない。すなわち、外周面 23B と内周面 23U とは

1 1 基板保持台 23と支柱 23Aとの接合面 235 (接続点 P)の近傍で、円筒形状の連続した単一の曲面をなす。曲率半径が R の曲面の輪郭線は、接続点 Pから所定距離上

1

方に離間した点 P'からスタートし点 P'と同じ高さに位置する点 oを中心とする中心角が 90度の円弧を成す。この構成によれば、熱応力が最大となる部位を、曲率半径が R の曲面に対応する部位に位置させることができ、言い換えれば、材料強度が弱い

1

基板保持台 23と支柱 23Aとの接合面 235 (接続点 P)以外の場所に位置させることができる。

[0035] この基板保持構造物 50が直径 300mmのウェハ用のものである場合の各部寸法は、例えば、基板保持台 23の直径が約 340mm、基板保持台 23の厚さが 19mm、支柱 223Aの本体部の直径 dが約 56mm、支柱 223Aのフランジ部 23Bの外周面 23B の

1 直径が約 86mm、 U字型溝 23Uの幅 Wが約 5mm、 U字型溝 23Uの深さ Dが約 2. 5 mm、曲率半径 Rlが約 2mmである。このこと力、 U字型溝 23Uの形成にあたっての研削量は非常に小さいことが理解できる。基板保持台 23は研削が困難なセラミック材料からなるため、研削量を小さくすることができるということは、基板保持台 23、ひレ、ては基板保持構造物 50の製造コストを大幅に削減できるということを意味しているなお、基板保持台 23の各部の寸法は、以下のように設定することが好ましい。 - 点 Pから P'までの距離： 0. 1—0. 5mm、より好ましくは 0. 5— lmm

- 曲率半径 R : 0. 5— 5mm、より好ましくは 1一 3mm

1

- U字型溝 23Uの幅 W: l 20mm、より好ましくは 5— 10mm

- U字型溝 23Uの深さ D : l— 10mm、より好ましくは 1一 5mm

[0036] なお、図 7に示す実施形態においては、 U字型溝 23Uは、水平方向に延びる底面

23U を有している力これには限定されなレ、。図 7右側に破線で示すように、内周

3

面 23U と外周面 23Uとを、単一の所定の曲率半径を有する面 236により接続して

1 2

あよい。

[0037] 基板保持台 23の下面 231には、更に、リング状の溝 232が形成されている。溝 232 の深さは、大きくする必要はなぐ例えば約 lmmである。溝 232を設けることにより、支柱 23Aのフランジ部 23Bの上面 234と基板保持台 23との間に隙間を形成し、これにより、基板保持台 23と支柱 23Aとの接合面 235の面積を小さくしている。加熱機構を内蔵する基板保持台 23と加熱機構を持たない支柱 23Aとの温度差は大きいため、接合面 235の面積を大きくしすぎると接合面 235近傍における熱応力が大きくなる。また、接合面 235の面積を大きくしすぎると、基板保持台 23から支柱 23Aに流れ込む熱量が大きくなり、基板保持台 23の温度均一性を悪化させる。このような問題を回避するため、接合面 235の幅 W'は、基板保持台 23と支柱 23Aと間の十分な接合強度を確保できる限りにおいてなるべく小さい値、例えば約 4mmに設定される。なお、 U字型溝 23Uおよびリング状の溝 232は、単一の水平面内に位置する基板保持台 2 3の平坦な下面 231を研削加工することにより形成される。また、接合面 235は、支柱 23Aの直径 dと同じ直径を有する支柱 23Aと同軸の円筒より外側に位置している。

[0038] 更に、フランジ部 23Bの内周面は傾斜面 23fとなっており、これにより当該部分への熱応力の集中が緩和される。また、支柱 23Aの本体部からフランジ部 23Bへの遷移部にも曲率 R の曲面 23Rが形成されており、これにより当該部分における熱応力の

2

集中が緩和される。

[0039] 図 8 (A)は、図 7の基板保持構造物において、基板保持台 23に中心部の温度が低く周辺部の温度が高い、いわゆるセンタークールの温度勾配が生じた場合の応力分布を示す。各領域に付されたアルファベットは応力のレベルを示しており、 Aが + 6.

~2

79kgf-mm 超の応力が生じている領域、 Bが + 5. 43— + 6. 79kgf-mm の応力が生じている領域、 Cが + 4. 07- + 5. 43kgf'mm— ²の応力が生じている領域、 Dが + 2. 71— + 4. 07kgf'mm— ²の応力が生じている領域、 Eが + 1. 35— + 2. 71kgf- mm— ²の応力が生じている領域、 Fが 0— + 1. 35kgf'mm— ²の応力が生じている領域 Gが—1. 37— Okgf'mm— ²の応力が生じている領域をそれぞれ示している。なお、プラスは引張応力、マイナスは圧縮応力を意味している。

[0040] 図 8 (A)を参照すると、センタークールの状態では基板保持台 23には、中央部が周辺部に対して収縮するため、特にフランジ部 23Bの外周面 23Bに対応する位置に大きな引張応力が生じる傾向にある。しかし、外周面 23Bに対応する位置に U字溝 23Uを形成することにより、応力の集中が著しく緩和されることがわかる。図 8 (A) の状態では、最大引張応力（その値は 8· 15kgf'mm— ²超である）が U字型溝 23Uの曲率半径が R の曲面部において生じているのがわかる（矢印 MAXを参照）。特に

1

注意すべき点は、応力集中が基板保持台 23と支柱 23Aとの接合部に生じていない点である。

[0041] これに対し図 8 (B)は、前記基板保持台 23Bの中心部が高温で周辺部が低温の、いわゆるセンターホットの状態における応力分布を示す。この場合には、基板保持台 23の支柱 23Aとの接合部近傍における熱応力の集中はほとんど生じていないのがわ力る。

[0042] 上述したように、本実施例に係る基板保持構造物においては、基板保持台下面の研削加工量を最小限にしつつ（図 1および図 2に示す従来技術を比較参照）、熱応力の集中を緩和することができる。また、ヒータ 24Aおよび 24Bを独立に駆動することにより、基板保持台 23に生じる温度勾配を最小化することができる。これにより、破損の恐れのない、信頼性の高い基板保持構造物を、安価に形成することが可能になる

[0043] [第 2実施例]

図 9は、本発明による基板保持構造物の第 2実施例の構成を示す。図 9において、第 1実施例と同一の部分には同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。

[0044] 図 9を参照すると、第 2実施例に係る基板保持構造物 40は、第 1実施例に係る基板保持構造物 20に類似した構成を有するが、支柱 23Aのフランジ部 23Bの外周面が、フランジ部 23の外径が基板保持台 23の裏面に近接するにつれて径が増大するように傾斜している傾斜面 33B となっていることが主として異なる。

1

[0045] 傾斜面 33B の輪郭線は、基板保持台 23の下面の輪郭線に連続的に遷移するよ

1

うに湾曲している。言い換えれば、傾斜面 33B の輪郭線の接線の水平面に対する

1

傾きは、基板保持台 23の下面に近づくに従って徐々に 0度に近づくようになつている。その結果、外周面 33B と基板保持台 23の下面との間に、応力集中を招くような段

1

差が形成されることがない。

[0046] 本実施例では基板保持台 23の下面を研削加工する必要がなぐこのため基板保持構造物の製造費用をさらに低減することができる。

[0047] 本実施例においても、基板保持台 23中の内側ヒータ 23Aおよび外側ヒータ 23Bを別々に駆動することにより、基板保持台 23における温度勾配の発生を最小化することができ、熱応力の発生自体を抑制することができる。

[0048] なお、以上の説明においては、基板保持構造物 20あるいは 40は、図 3に示す CV

D装置で使用されるものとした力これに限定されるものではなぐプラズマ CVD装置

、熱処理 (RTP)装置、エッチング装置等の基板処理装置一般に適用可能である。

[0049] 以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の実施例に限定されるものではなぐ特許請求の範囲に記載された要旨内において様々な変形- 変更が可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物であって、

前記基板保持台は加熱機構を含み、

前記基板保持台の下面に、前記フランジ部の外周面に沿って延びる U字型の溝が形成されており、

前記 U字型の溝の内周面と前記フランジ部の外周面とが、連続した単一の面を形成するように、接続されてレヽることを特徴とする基板保持構造物。

[2] 断面で見た場合に、前記 U字型の溝の内周面の輪郭線の前記フランジ部側の端部と、前記フランジ部の外周面の輪郭線が鉛直方向に延びる単一の線分上に位置していることを特徴とする、請求項 1に記載の基板保持構造物。

[3] 前記基板保持構造物は、前記フランジ部および前記基板保持台を個別に形成した後にこれらを接合することにより製造されたものであり、

前記フランジ部と前記基板保持台との接合面は、前記鉛直方向に延びる単一の線分に対応する範囲内に位置している、

ことを特徴とする請求項 2に記載の基板保持構造物。

[4] 前記フランジ部の内周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成すことを特徴とする、請求項 1に記載の基板保持構造物。

[5] 前記基板保持台の下面の前記フランジ部と向き合う部分の一部に溝が形成され、前記フランジ部は、その最も外周側のリング状の領域のみにおいて前記前記基板保持台の下面に接合されていることを特徴とする、請求項 1に記載の基板保持構造物。

[6] 前記加熱機構は、内側加熱機構部分と、前記内側加熱機構部分の外側に形成された外側加熱機構部分とを含み、前記内側加熱機構部分と外側加熱機構部分とは

、前記支柱内部を延在する第 1および第 2の駆動電源系によりそれぞれ駆動されることを特徴とする、請求項 1に記載の基板保持構造物。

[7] 前記基板保持台は前記加熱機構の下に、前記第 2の駆動電源系を構成する第 1 および第 2の電源ラインにそれぞれ接続された半円形状の第 1および第 2の導体パターンを有し、前記第 1および第 2の導体パターンは、前記基板保持台の全面を、前記第 1および第 2の導体パターンの間に形成されるギャップ領域を除いて実質的に覆うことを特徴とする、請求項 6に記載の基板保持構造物。

[8] 前記基板保持台および支柱はセラミックからなることを特徴とする、請求項 1に記載の基板保持構造物。

[9] 排気系に結合された処理容器と、

前記処理容器中に処理ガスを供給するガス供給系と、

前記処理容器中に設けられた、請求項 1に記載した基板保持構造物とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

[10] 上端部にフランジ部が形成された支柱と、前記フランジ部に接合された基板保持台とを備えた基板保持構造物であって、

前記基板保持台は加熱機構を含み、

前記支柱は前記基板保持台との接合部に、内周面と外周面を有するフランジ部を含み、

前記内周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の内径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成し、

前記外周面は、前記基板保持台の下面に向かって前記フランジ部の外径が連続的に増大するように傾斜した傾斜面を成し、

前記外周面を成す前記傾斜面は、前記基板保持台の下面に連続的に移行することを特徴とする基板保持構造物。

[11] 前記基板保持台の下面は、前記フランジ部と接合する部分およびその周囲の領域におレ、て平坦面からなることを特徴とする請求項 11に記載の基板保持構造物。