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WO2004036315B1 - フォトレジスト基材及びその精製方法、並びにフォトレジスト組成物 - Google Patents

フォトレジスト基材及びその精製方法、並びにフォトレジスト組成物

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WO2004036315B1
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organic
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Claims

47 補正書の請求の範囲 [2004年 2月 3日 （03. 02. 2004) 国際事務局受理 ： 出願当初の請求の 範囲 1及び 3— 20はネ甫正された；出願当初の請求の範囲 21は取り下げられた； 他の請求の範囲は変更なし。 （8頁)]
1. (補正後） 下記一般式 （1) で表される極端紫外光反応性有機化合物からな るフォ ト レジスト基材。
Figure imgf000003_0001
(1)
[式中、 Aは、
Figure imgf000003_0002
で表される有機基であり、
B、 C及び Dは、 相互に独立な、 極端紫外光反応性基、 極端紫外光に活性なク 補正された用紙 （条約第 19条） ロモフォアの作用に対し反応性を有する基、 又は
Figure imgf000004_0001
Figure imgf000004_0002
[Arは、 RO—及び/又は ROCO— (R、 RO—及び ROCO—は、 極端紫 外光反応性基又は極端紫外光に活性なクロモフォアの作用に対し反応性を有する 基である） で置換されたフヱニル基又はナフチル基である。 ]
で表される有機基であり、
X、 Y及び Zは、 相互に独立な、 単結合又はエーテル結合であり、 1 +m+n =2、 3、 4又は 8である。 ]
2. 前記極端紫外光反応性有機化合物が、 室温下においてアモルファス状態であ り、 分子の平均直径が 2 nm以下である請求の範囲第 1項記載のフォトレジスト 基材0
3. (補正後） 前記 Aが、
Figure imgf000004_0003
Figure imgf000004_0004
で表される有機基であり、
前記 B、 C及び Dが、 水素原子、 t e r t—ブチル基、
補正された用紙 （条約第 19条) カルボニルメチル基、 t e r t—ブチロキシカルボニル基、 1ーテトラヒ ドロピ ラニル基、 1ーテトラヒドロフラニル基、 1—エトキシェチル基、 1—フエノキ シェチル基、
Figure imgf000005_0001
[Pは、 炭素数 6〜20の （r + 1) 価の芳香族基であり、 Qは、 炭素数 4~3 0の有機基であり、 rは、 1〜10の整数であり、 sは、 0〜 10の整数であ る。 ]
で表される有機基、 又は
Figure imgf000005_0002
[Arは、 RO—及び 又は ROCO— (Rは、 水素、 t e r t—ブチル基、 t e r t—ブチロキシカルボニルメチル基、 t e r t—ブチロキシカルポニル基、 1—テトラヒドロビラニル基、 1—テトラヒドロフラニル基、 1ーェトキシェチ ル基、 1—フエノキシェチル基、 又は
Figure imgf000005_0003
[Pは、 炭素数 6〜20の （r + 1) 価の芳香族基であり、 Qは、 炭素数 4〜3 0の有機基であり、 rは、 1〜10の整数であり、 sは、 0〜 10の整数であ る。 ]
で表される有機基である） で置換されたフエニル基又はナフチル基である。 ] で表される有機基であり、
前記 X、 Y及び Zが、 相互に独立な、 単結合又はエーテル結合である請求の範 囲第 1項記載のフォ ト レジスト基材。
4. (補正後） 前記 Aが、
補正された用紙 （条約第 19条)
Figure imgf000006_0001
で表される有機基であり、
前記 B、 C及び Dが、 水素原子、 t e r t—プチル基、 t e r t —プチロキシ カルボニルメチル基、 t e r t—ブチロキシカルボニル基、 1ーテトラヒドロピ ラエル基、 1ーテトラヒドロフラニル基、 1—エトキシェチル基、 1—フエノキ シェチル基、 又は
Figure imgf000006_0002
[Pは、 炭素数 6〜2 0の （r + 1 ) 価の芳香族基であり、 Qは、 炭素数 4〜3 0の有機基であり、 rは、 1〜1 0の整数であり、 sは、 0〜 1 0の整数であ る。 ]
で表される有機基であり、
前記 X、 Y及び Zが、 エーテル結合である請求の範囲第 3項記載のフォ トレジ スト基材。
5. (補正後） 下記一般式 （1 ) で表される感放射線性有機化合物からなるフォ ト レジスト基材。
Figure imgf000006_0003
補正された用紙 （条約第 19条) 51
[式中、 Aは、
Figure imgf000007_0001
で表される有機基であり、
B、 C及ぴ Dは、 相互に独立な、 t e r t—プチロキシカルボニルメチル基、 e r t—ブチロキシカルポニル基、 又は
Figure imgf000007_0002
[Pは、 炭素数 6〜2 0の （r + 1 ) 価の芳香族基であり、 Qは、 炭素数 4〜3 0の有機基であり、 rは、 1〜1 0の整数であり、 sは、 0〜 1 0の整数であ る。 ]
で表される有機基であり、 X、 Y及び Zは、 相互に独立な、 単結合又はェ一テ ル結合であり、 1 +m+ n = 3又は 8である。 ]
6. (補正後） 前記
Figure imgf000007_0003
で表される有機基が、 4— ( t e r t—ブトキシカルボニルォキシ） ベンジル 基、 又は 3 , 5—ジ （t e r t—ブトキシカルポニルォキシ） ベンジル基である 請求の範囲第 5項記載のフォ ト レジスト基材。
7. (補正後） 前記放射線が、 極端紫外光又は電子ビームである請求の範囲第 5 項記載のフオ トレジスト基材。
8. (補正後） 前記 B、 C及び Dのうち、 少なくとも一つが水素原子であり、 前 記 X、 Y及び Zが、 エーテル結合である請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれか一
補正された用紙 （条約第 19条) 52
項記載のフォトレジスト基材。
9. (補正後） 塩基性不純物の含有量が 1 0 p p m以下である請求の範囲第 1項 〜第 7項のいずれか一項記載のフォトレジスト基材。
1 0. (補正後） 請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれか一項記載のフォトレジス ト基材を含む固形分と、 溶媒とを含むフォ ト レジスト組成物。
1 1 . (補正後） 請求の範囲第 9項記載のフォトレジスト基材を含む固形分と、 溶媒とを含むフォ ト レジスト組成物。
1 2. (補正後） さらに、 光酸発生剤を含む請求の範囲第 1 0項又は第 1 1項記 載のフォトレジスト組成物。
1 3. (補正後） 請求の範囲第 1項〜第 7項のいずれか一項記載のフォ ト レジス ト基材を酸性水溶液で洗浄し、 イオン交換樹脂で処理するフォトレジスト基材の 精製方法。
1 4. (補正後） 前記酸性水溶液が、 酢酸水溶液である請求の範囲第 1 3項記載 のフォ ト レジスト基材の精製方法。
1 5. (補正後） 塩基性不純物の含有量を 1 0 p p m以下にすることによる請求 の範囲第 1項〜第 7項のいずれか一項記載のフォトレジスト基材の放射線感度向 上方法。
1 6. (補正後） 請求の範囲第 1 0項又は第 1 1項記載のフォ ト レジスト組成物 を用いるリソグラフィ一による微細加工方法。
1 7. (補正後） 請求の範囲第 1 0項又は第 1 1項記載のフォトレジスト組成物 を用いて作製した半導体装置。
補正された用紙 （条約第 19条) 53
18. (補正後） 下記一般式 （1) で表される有機化合物。
Figure imgf000009_0001
で表される有機基であり、
B、 C及び Dは、 相互に独立な、 t e r t—プチロキシカルボニルメチル基、 e r t—ブチロキシカルボ二ル基、 又は
Figure imgf000009_0002
[Pは、 炭素数 6〜20の （r + 1) 価の芳香族基であり、 Qは、 炭素数 4〜3 0の有機基であり、 rは、 1~10の整数であり、 sは、 0〜 10の整数であ る。 ]
で表される有機基であり、 X、 Y及び Zは、 相互に独立な、 単結合又はェ一テ ル結合であり、 1 +m+n = 3又は 8である。 ]
19. (補正後） 塩基性不純物の含有量が 10 p pm以下である請求の範囲第 1 8項記載の有機化合物。
補正された用紙 （条約第 19条) 54
2 0. (補正後） 請求の範囲第 1 8項記載の有機ィヒ合物を酸性水溶液で洗浄し、 イオン交換樹脂で処理する有機化合物の精製方法。
補正された用紙 （条約第 19条)
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