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WO2004027845A1 - 熱処理装置 - Google Patents

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WO2004027845A1
WO2004027845A1 PCT/JP2002/009730 JP0209730W WO2004027845A1 WO 2004027845 A1 WO2004027845 A1 WO 2004027845A1 JP 0209730 W JP0209730 W JP 0209730W WO 2004027845 A1 WO2004027845 A1 WO 2004027845A1
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WO
WIPO (PCT)
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heat treatment
treatment apparatus
heat
heating element
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2002/009730
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takanori Saito
Hisaei Osanai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2001095065A priority Critical patent/JP4438246B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CNB028296079A priority patent/CN100508127C/zh
Priority to TW091121794A priority patent/TW571336B/zh
Priority to PCT/JP2002/009730 priority patent/WO2004027845A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories or equipment specially adapted for furnaces of these types
    • F27B5/14—Arrangements of heating devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories or equipment specially adapted for furnaces of these types
    • F27B5/16—Arrangements of air or gas supply devices

Definitions

  • the present invention relates to a method for fixing a heat treatment apparatus heat treatment apparatus and a heat treatment apparatus used in a heat treatment apparatus for heat treating an object to be processed, for example, a semiconductor wafer. Background technology
  • a heat treatment apparatus is used to perform various processes such as a film forming process and an oxidation process of an object to be processed, for example, a semiconductor wafer.
  • the heat treatment apparatus has a reaction chamber for accommodating a semiconductor wafer.
  • a heating member having a heater and a heat insulator is provided so as to surround the reaction chamber.
  • the reaction chamber is heated to a predetermined temperature by the heater, and various processes are performed on the semiconductor wafer.
  • a long heat element formed by enclosing a linear resistance heating element in a sealing member is used as the heat treatment apparatus.
  • the heat insulator is made of, for example, stainless steel (SUS). A plurality of holes are formed in the heat insulator.
  • the light absorbing element is inserted into the hole of the heat insulator.
  • the plurality of holes are provided such that the light-emitting element has a predetermined distance from the reaction chamber.
  • the heating element is directly fitted into the hole of the heat insulator. Therefore, there is a risk that the heat absorbing element and the inner wall of the hole of the heat insulator rub against each other, generating contaminants such as metal powder (metal contamination). If heat treatment is performed in a state where such contaminants are generated, the contaminants can adhere to the semiconductor wafer. In that case, the characteristics of the formed semiconductor device deteriorate, and as a result, the yield decreases. In fact, when the contaminant is metal contamination, the characteristics of the formed semiconductor device are significantly deteriorated. Furthermore, the heat absorbing element and the inner wall of the hole of the heat insulator may rub against each other, and the heat absorbing element itself may be damaged.
  • the cable connected to the power supply is connected to the end of the light-emitting element.
  • the heating element may be damaged by being pulled by the cable.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus fixing method and a heat treatment apparatus for a heat treatment apparatus, which can prevent generation of pollutants. Still another object of the present invention is to provide a method for fixing a heat treatment device for a heat treatment device and a heat treatment device capable of preventing damage to the heat treatment device.
  • the present invention provides a reaction chamber for accommodating an object to be processed, a heat insulator provided to surround the reaction chamber, a plurality of holes provided in the heat insulator, and a plurality of holes provided inside the plurality of holes.
  • a plurality of annular spacer members provided therein, and a plurality of heater elements respectively inserted into the plurality of annular spacer members. is there.
  • the plurality of heater elements are fixed by the plurality of annular spacer members. Therefore, the heating element and the inner wall of the hole of the heat insulator do not rub against each other, and no pollutant is generated. Also, there is no danger of the heat element being damaged.
  • the spacer member has elasticity.
  • the spacer member is a ring.
  • the heating element has a straight tubular portion.
  • the straight tubular portion of the heating element is arranged at a predetermined interval with respect to the reaction chamber.
  • the present invention provides a reaction chamber for accommodating the object to be processed, a metal heat insulator provided so as to surround the reaction chamber, a plurality of holes provided in the heat insulator, And a plurality of heating elements inserted into the holes, respectively, wherein the inner walls of the holes are coated with ceramic.
  • the plurality of heater elements are coated with ceramic. Contact with inner wall of perforated hole, not with metal part of insulation. As a result, no metal contamination (contaminant) is generated, and the risk of damage to the light-absorbing element is reduced.
  • the ceramic is alumina, silica or yttria.
  • the ceramic is porous. In this case, the thermal shock resistance is improved.
  • the surface of the heat insulator on the reaction chamber side is coated with ceramic.
  • the heating element is completely prevented from coming into contact with the metal surface of the heat insulator, the occurrence of metal contamination is prevented, and the risk of damage to the heating element is further reduced.
  • the heating element is connected to a cable, and the cable is fixed to an outer wall of the apparatus by a fixing member near an end of the heating element.
  • a fixing member near an end of the heating element.
  • the cable is arranged and hardly entangled.
  • the fixing member is, for example, evening wrap.
  • the present invention provides a reaction chamber for accommodating the object to be processed, a heat insulator provided so as to surround the reaction chamber, a plurality of holes provided in the heat insulator, and A plurality of annular spacer members respectively provided in the portion, and a plurality of heater elements inserted into the plurality of annular spacer members, respectively, a method for assembling a heat treatment apparatus, Arranging a plurality of annular spacer members inside the plurality of holes, and inserting a plurality of heater elements into the plurality of annular spacer members, respectively.
  • the method is characterized in that:
  • the plurality of heating elements are fixed by the plurality of annular spacer members.
  • the rubbing element does not rub against the inner wall of the hole of the heat insulator, and contaminants are not generated. Also, there is no danger of the heat element being damaged.
  • the method further includes a step of fixing the cable connected to the heating element to an outer wall of the apparatus by a fixing member near an end of the heating element.
  • the method further includes a step of fixing the cable connected to the heating element to an outer wall of the apparatus by an evening wrap near an end of the heating element. Prepare.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a heat treatment apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view of the heat insulator according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a light emitting element is fitted into a hole of the heat insulator according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the hole of the heat insulator according to the embodiment of the present invention, in a state where the light emitting element is inserted into the hole.
  • FIG. 5 is a side view of the heater element according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a side view showing a connection state between the heating element and the cable according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A is a perspective view of a first sub-heater according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 7B is a side view of the first sub-heater of one embodiment of the present invention.
  • the heat treatment apparatus 1 includes a substantially cylindrical reaction tube 2 whose longitudinal direction is directed vertically.
  • the reaction tube 2 has a double tube structure composed of an inner tube 3 and an inner tube 3 that covers the inner tube 3 and has a ceiling and an outer tube 4 having a predetermined space.
  • Inner tube 3 and outer tube 4 Is formed of a heat insulating material, for example, quartz.
  • a manifold 5 made of stainless steel (SUS) formed in a cylindrical shape is arranged below the outer tube 4.
  • the manifold 5 is air-tightly connected to the lower end of the outer tube 4.
  • the inner pipe 3 projects from the inner wall of the manifold 5 and is supported by a support ring 6 formed integrally with the manifold 5.
  • a lid 7 is disposed below the manifold 5, below the manifold 5, a lid 7 is disposed.
  • the lid 7 is configured to be able to move up and down by the boat elevator 8. Then, when the lid 7 is raised by the boat elevator 8, the lower side of the manifold 5 is closed.
  • the cover 7 is formed with a rotating shaft 9 that penetrates the cover 7 and is rotated by the motor M. On the rotating shaft 9, a rotatable turntable 10 is formed.
  • a wafer boat 12 made of, for example, quartz is placed on the evening sample 10 via a heat insulation unit 11.
  • the wafer boat 12 accommodates a plurality of objects to be processed, for example, semiconductor wafers W at predetermined intervals in the vertical direction. Then, when the rotation shaft 9 is rotated by the motor M, the wafer boat 12 is rotated via the sunset table 10 and the heat retaining unit 11, that is, the semiconductor wafer W is rotated. .
  • a plurality of processing gas introduction pipes 13 penetrate the side wall of the manifold 5 (in FIG. 1, only one processing gas introduction pipe 13 is drawn for convenience of illustration).
  • the processing gas introduction pipe 13 extends to the inside of the inner pipe 3.
  • the processing gas introduction pipe 13 penetrates the side wall of the manifold 5 below the support ring 6 (below the inner pipe 3), and the tip of the processing gas introduction pipe 13 is It is bent upward along the inner pipe 3.
  • the processing gas supplied from a gas supply source (not shown) is introduced into the inner pipe 3 through the processing gas introduction pipe 13.
  • An exhaust pipe 14 is connected to a side wall of the manifold 5.
  • the exhaust pipe 14 is connected to the side wall of the manifold 5 above the support ring 6 and communicates with a space formed between the inner pipe 3 and the outer pipe 4 of the reaction pipe 2. Thereby, the exhaust gas in the reaction tube 2 is discharged to the outside of the heat treatment apparatus 1 through the space between the inner tube 3 and the outer tube 4 and the exhaust tube 14.
  • the exhaust pipe 14 is connected to an exhaust unit including a vacuum pump (not shown). The exhaust unit can set the pressure in the reaction tube 2 to a predetermined pressure. '
  • a heat insulator 15 made of stainless steel (SUS) is provided around the reaction tube 2 so as to surround the reaction tube 2.
  • FIG. 2 shows a perspective view of the heat insulator 15.
  • the heat insulator 15 includes a cylindrical main body 15a, a top plate 15b, and a bottom plate 15c.
  • the diameter of the main body 15 a is larger than that of the reaction tube 2.
  • the top plate 15b is a disk-shaped plate that covers the upper part of the main body 15a.
  • the bottom plate 15 c has a ring shape, and its inner peripheral wall is formed in a size corresponding to the outer peripheral wall of the reaction tube 2.
  • a not-shown refrigerant flow path (for example, a cooling water path) is provided inside the main body 15 a of the heat insulator 15. This allows By supplying cooling water to the cooling water channel, the temperature of the reaction tube 2 can be cooled. ⁇
  • a plurality of holes 16a are formed in the top plate 15b of the heat insulator 15.
  • the holes 16a are formed at regular intervals along the periphery, for example, at intervals of several millimeters.
  • a plurality of holes 17a are formed at positions corresponding to the plurality of holes 16a (at positions vertically below the plurality of holes 16).
  • the heating element 18 is vertically inserted into the hole 16a and the hole 17a. That is, the heat element 18 is disposed so as to penetrate the top plate 15 b and the bottom plate 15 c of the heat insulator 15. In FIG. 3, only a part of the heating element 18 is shown in order to make it easy to see the state in which the heating element 18 is fitted.
  • Such a plurality of heater elements 18 constitute a heater for a heat treatment apparatus.
  • the top plate 15b further has a hole 16b into which a first sub-heater described later is inserted, and the bottom plate 15c has a hole into which a second sub-heater described later is fitted. 17 b is formed.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the vicinity of the hole 16a in which the light-emitting element 18 is fitted.
  • an O-ring 19 is arranged on the inner wall of the hole 16a, and a light emitting element 18 is fitted into the O-ring 19. Therefore, the light absorbing element 18 is firmly fixed to the inner wall of the hole 16a via the 0 ring 19, and the rattle does not rattle in the hole 16a. Therefore, the heater element 18 does not rub against the inner wall of the hole 16a, and there is no risk of generating powder (contaminants). Furthermore, since the heat element 18 and the inner wall of the hole 16a do not rub against each other, there is no possibility that the heat element 18 is damaged.
  • the description has been given above of the hole 16a the same applies to the hole 17a.
  • the inner wall of the heat insulator 15 is coated with ceramic. Since the inner wall of the heat insulator 15 is coated with ceramic, the heating element 18 never contacts the metal surface (stainless steel) of the heat insulator 15. Therefore, no metal contamination occurs. Also, the light element 18 is in contact with the metal surface of the heat insulator 15. Since there is no contact, the heat element 18 is less likely to be damaged.
  • the ceramic for example, alumina, silica, or yttria is used. This ceramic is formed porous. When the ceramic is porous, the thermal shock resistance is improved.
  • FIG. 5 shows a schematic diagram of the light absorbing element 18.
  • the ⁇ element 18 includes a resistance heating element 18 a and a sealing member 18 b.
  • the resistance heating element 18a is made of, for example, a linear, flexible, high-purity carbon wire. This carbon wire is formed, for example, by weaving a plurality of bundles of carbon fibers, which are carbon members having a wire diameter of about 10 zm.
  • the sealing member 18b is made of ceramic and seals the resistance heating element 18a. In the present embodiment, the carbon wire is sealed in a transparent quartz tube having an outer diameter of more than ten mm. Both ends of the resistance heating element 18 a are connected to the electrode member 20.
  • the sealing member 18b seals from the end of one electrode member 20 to the end of the other electrode member 20 so that the resistance heating element 18a becomes a sealing member 18b. It is enclosed.
  • the electrode member 20 is connected to an external cable 21.
  • Cable 21 is connected to a power source (not shown).
  • Fig. 6 shows the connection state between the cable element 18 and the cable 21.
  • the electrode member 20 connected to the heating element 18 is connected to the core 21 a of the cable 21.
  • the electrode member 20 and the core wire 21a are connected by, for example, brazing or crimping. Then, power is supplied from the power supply to the resistance heating element 18a via the cable 21 and the electrode member 20, and the heating element 18 is heated.
  • the cable 21 connected to the light-emitting element 18 is fixed to an outer wall or an outer wall cover (not shown) by a fixing member 22 near an end of the light-emitting element 18.
  • a fixing member 22 near an end of the light-emitting element 18.
  • evening wrap is used as the fixing member 22.
  • the cable 21 is fixed to the outer wall or the outer wall cover by being clamped by the evening wrap.
  • the fixing member 22 since the cable 21 is fixed to the outer wall or the outer wall cover by the fixing member 22 near the end of the light element 18, if the cable 21 is hooked to another member, for example, Even if a load is applied to the cable 21, the heating element 18 is not damaged.
  • cable 2 1 Since it is fixed near the end of the element 18, it is arranged in a straight line, so that it does not easily become entangled.
  • all the heating elements 18 may be connected in parallel or in series to supply power from a common power supply.
  • the heating element 18 may be divided into a plurality of groups, the heating elements 18 may be connected in series for each group, and the heating elements 18 in series may be connected in parallel with each other. .
  • FIG. 7 (a) is a perspective view of the first sub-heater 23, and FIG. 7 (b) is a side view of the first sub-heater 23.
  • the first sub-heater 23 is composed of, for example, a quartz disk 23a having a thickness of about 8 mm and a resistance heating element 23b. It is formed by inserting
  • the resistance heating element 23 b is made of, for example, a power wire, similarly to the resistance heating element 18 a described above.
  • a quartz tube 24 is welded to two places at the periphery of the disc-shaped body 23a.
  • the quartz tube 24 is connected to a power source (not shown) via a cable 25.
  • the quartz tube 24 of the first sub-heater 23 is fitted into the hole 16 b provided in the heat insulator 15, and the first sub-heater 23 is supported on the ceiling of the heat insulator 15 via the support 26. Supported.
  • a second sub-heater 27 is provided at the lower end (bottom plate 15 c) of the heat insulator 15.
  • the second sub-light 27 is a heat element that is shorter than the heat element 18 and is fitted into a hole 17b formed inside the hole 17a.
  • An O-ring 19 is disposed in the hole 17b, and the second sub-heater 27 is fixed by the O-ring 19.
  • the second subheater 27 is connected to a power source (not shown) via a cable 28.
  • the cable 28 is fixed to the outer wall or the outer wall cover by a fixing member 22 near the end of the second sub-heater 27.
  • the control unit includes a microphone processor, a process controller, etc., and controls the temperature of each part of the heat treatment apparatus 1. It measures the pressure, pressure, etc., and controls it by outputting control signals, etc., to each of the above units based on the measured data.
  • a predetermined number of semiconductor wafers W are stored in the wafer boat 12 with the lid 7 lowered by the boat elevator 8.
  • the semiconductor wafer W is loaded into the reaction tube 2 (the inner tube 3) by raising the boat elevator 8, and then the heater element 18, the first sub-heater 23 and the second sub-heater 23 are loaded.
  • the temperature inside the reaction tube 2 is raised to a predetermined temperature, and the pressure inside the reaction tube 2 is set to a predetermined pressure by an exhaust unit (not shown) connected to the exhaust pipe c.
  • the processing gas is supplied from the processing gas supply pipe 13 and a predetermined heat treatment is performed.
  • the wafer boat 12 is rotated by the motor M.
  • the temperature in the reaction tube 2 is lowered to a predetermined temperature
  • the pressure in the reaction tube 2 is returned to normal pressure, and the wafer boat 12 (semiconductor wafer W) is unloaded from the reaction tube 2 Is done.
  • L16a, hole 17a (and hole 16bs hole 17b) have an O-ring 19 on the inner wall, and a heater element 18 (second sub-heater 27) is fitted inside the O-ring 19.
  • the overnight element 18 (second sub-heater 27) is firmly fixed, and does not rattle in the holes 16a and 17a (and the holes 16b and 17b). Therefore, the heat element 18 (second sub-night 27) does not rub against the inner walls of the holes 16a and 17a (and the holes 16b and 17b), and the powder (contaminants) is removed. There is no risk of occurrence. In addition, there is no danger of the break element 18 (second sub heat element 27) being damaged.
  • cable 21 (cable 28) is fixed to the outer wall or the outer wall cover by the fixing member 22 near the end of the heater element 18 (second sub-heater 27), Element 18 (second sub-heater 27) is no longer damaged. Also, cable 21 (cable 28) is well-wired and hardly entangled.
  • the inner wall of the heat insulator 15 is coated with ceramic. Therefore, the light absorbing element 18 never contacts the metal surface of the heat insulator 15. As a result, metal contamination does not occur. Further, since the heater element 18 does not contact the metal surface of the heat insulator 15, the heater element 18 is further less likely to be damaged. Furthermore, since the ceramic is porous, the thermal shock resistance of the heat insulator 15 is improved.
  • the first sub-heater 23 and the second sub-heater 27 are arranged at the upper and lower parts of the reaction tube 2, it is possible to make the temperature inside the reaction tube 2 uniform. it can.
  • the ring 19 is arranged on the inner wall of the hole 16a and the hole 1a, but the 0 ring 19 is arranged on at least one of the inner walls of the hole 16a and the hole 1a. It should just be done. If at least one of the O-rings 19 is arranged, the heating element 18 is firmly fixed, and the heating element 18 does not rattle in the hole.
  • the 0 ring 19 is arranged on the inner wall of the hole 16a and the mosquito 17a, but the 0 ring 19 is arranged on the inner wall of the hole 16a and the hole 17a.
  • the inner wall of each hole 16a and hole 17a may be coated with ceramic.c In this case, the heating element 18 and the inner wall of hole 16a and hole 17a rub against each other. Also, since the heater element 18 does not come into contact with the metal surface of the heat insulator 15, the occurrence of metal contamination can be prevented.
  • the heater element may be U-shaped.
  • the U-shaped tubular heater element is attached to the heat treatment apparatus 1 by being fitted into two adjacent holes 16a.
  • the heating area is divided into upper and lower parts, and the heating element 18 inserted in the hole 16a heats the upper area, and the heating element 18 inserted in the hole 17a. May be configured to heat the lower region.
  • the resistance heating element 18 a of the heating element 18 is made of carbon.
  • the resistance heating element 18a may be a linear, flexible, high-purity resistance heating element other than a power wire.
  • the above embodiment is a batch type vertical heat treatment apparatus having a double tube structure in which the reaction tube 2 is composed of an inner tube 3 and an outer tube 4, but the present invention is also applied to a single tube structure heat treatment device. It is possible to apply.
  • the object to be processed is not limited to the semiconductor wafer W, but can be applied to, for example, a glass substrate for LCD.

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Description

明 細 書
技 術 分 野
本発明は、 被処理体、 例えば、 半導体ウェハを熱処理する熱処理装置に用いら れる熱処理装置用ヒー夕の固定方法及び熱処理装置に関する。 背 景 技 術
半導体装置の製造プロセスにおいては、 被処理体、 例えば、 半導体ウェハの成 膜処理や酸化処理等の各種の処理を行うために、 熱処理装置が用いられている。 熱処理装置は、 半導体ウェハを収容する反応室を備えている。 当該反応室を囲む ように、 ヒ一夕と断熱体とを有する加熱部材が設けられている。 当該ヒータによ つて反応室が所定の温度に加熱され、 半導体ウェハに各種の処理が行われる。 熱処理装置のヒ一夕とし は、 例えば、 線状の抵抗発熱体を封止部材に封入し て形成された長尺状のヒー夕エレメントが用いられている。 また、 断熱体は、 例 えば、 ステンレス鋼 （S U S ) から形成されている。 断熱体には、 複数の孔が形 成されている。 そして、 断熱体の孔にヒ一夕エレメントが挿嵌される。 複数の孔 は、 ヒ一夕エレメントが反応室から所定の間隔を有するように、 配設される。 以上のように、 従来の熱処理装置では、 ヒ一夕エレメントが断熱体の孔に直接 的に揷嵌される。 従って、 ヒ一夕エレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ合い、 金属粉 （メタルコンタミ） のような汚染物質を発生してしまうおそれがある。 こ のような汚染物質が発生した状態で熱処理を行うと、 当該汚染物質が半導体ゥェ ハに付着し得る。 その場合、 形成された半導体装置の特性が悪化し、 結果として 歩留まりが悪くなつてしまう。 実際に、 汚染物質がメタルコンタミの場合、 形成 された半導体装置の特性が有意に悪化してしまう。 さらに、 ヒー夕エレメントと 断熱体の孔の内壁とが擦れ合うことにより、 ヒ一夕エレメント自体が破損してし まうおそれがある。
また、 ヒ一夕エレメントの端部には、 電源に接続されたケーブルが接続されて いるが、 例えば、 ケ一プルが他の部材に絡まった場合のように、 ケーブルに負荷 がかかると、 ヒー夕エレメントがケーブルに引っ張られて破損してしまうおそれ がある。 発 明 の 要 旨 '
本発明は、 上記問題に鑑みてなされたものであり、 汚染物質の発生が防止され 得る熱処理装置用ヒー夕の固定方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。 さらに、 本発明は、 ヒー夕の破損を防止することができる熱処理装置用ヒ一夕 の固定方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、 被処理体を収容するための反応室と、 前記反応室を囲むように設け られた断熱体と、 前記断熱体に設けられた複数の孔と、 前記複数の孔の内部にそ れそれ設けられた複数の環状のスぺ一サ部材と、 前記複数の環状スぺーサ部材内 にそれそれ挿入された複数のヒー夕エレメントと、 を備えたことを特徴とする熱 処理装置である。
本発明によれば、 複数のヒータエレメントが、 複数の環状スぺ一サ部材により 固定される。 このため、 ヒー夕エレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ合うこと がなくなり、 汚染物質が発生しなくなる。 また、 ヒー夕エレメントが破損するお それがなくなる。
好ましくは、 前記スぺーサ部材は、 弾性を有している。 例えば、 前記スぺ一サ 部材は、 〇リングである。
例えば、 前記ヒー夕エレメントは、 直管状部分を有している。 この場合、 前記 ヒー夕エレメントの直管状部分は、 前記反応室に対して所定の間隔に配置されて いることが好ましい。
また、 本発明は、 被処理体を収容するための反応室と、 前記反応室を囲むよう に設けられた金属製の断熱体と、 前記断熱体に設けられた複数の孔と、 前記複数 の孔の内部にそれそれ挿入された複数のヒー夕エレメントと、 を備え、 前記複数 の孔の内壁は、 セラミックでコーティングされていることを特徴とする熱処理装 置である。
本発明によれば、 複数のヒータエレメントは、 セラミックでコーティングされ た孔の内壁と接触し、 断熱体の金属部分とは接触しない。 このため、 メタルコン タミ （汚染物質） が発生せず、 ヒ一夕エレメントが破損するおそれも低減される。 好ましくは、 前記セラミックは、 アルミナ、 シリカまたはイットリアである。 好ましくは、 前記セラミックは、 多孔質である。 この場合、 熱衝撃性が向上す る。
また、 好ましくは、 前記断熱体の前記反応室側の面は、 セラミックでコーティ ングされている。 この場合、 ヒー夕エレメントが断熱体の金属面と接触すること が完全に防止されるため、 メタルコンタミの発生が防止され、 ヒー夕エレメント が破損するおそれがより一層低減される。
また、 好ましくは、 前記ヒー夕エレメントは、 ケーブルに接続されており、 前 記ケ一ブルは、 前記ヒ一夕エレメントの端部近傍で固定部材によって装置外壁に 固定されている。 この場合、 ケーブルに負荷がかかっても、 ヒ一夕エレメントが 破損するおそれが小さい。 更にこの場合、 ケーブルが整線されて、 絡まりにくい。 前記固定部材は、 例えば、 夕イラップである。
また、 本発明は、 被処理体を収容するための反応室と、 前記反応室を囲むよう に設けられた断熱体と、 前記断熱体に設けられた複数の孔と、 前記複数の孔の内 部にそれそれ設けられた複数の環状のスぺーサ部材と、 前記複数の環状スぺーサ 部材内にそれそれ挿入された複数のヒータエレメントと、 を備えた熱処理装置を 組み立てる方法であって、 前記複数の孔の内部にそれそれ複数の環状のスぺ一サ 部材を配置する工程と、 前記複数の環状スぺーサ部材内にそれそれ複数のヒー夕 エレメントを揷入する工程と、 を備えたことを特徴とする方法である。
本発明によれば、 複数のヒー夕エレメントが、 複数の環状スぺ一サ部材により 固定される。 このため、 ヒ一夕エレメントと断熱体の孔の内壁とが擦れ合うこと がなくなり、 汚染物質が発生しなくなる。 また、 ヒー夕エレメントが破損するお それがなくなる。
好ましくは、 前記ヒー夕エレメントに接続されたケーブルを、 当該ヒー夕エレ メントの端部近傍で固定部材により装置外壁に固定する工程を更に備える。
あるいは、 好ましくは、 前記ヒー夕エレメントに接続されたケーブルを、 当該 ヒ一夕エレメントの端部近傍で夕イラップにより装置外壁に固定する工程を更に 備える。
. 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施の形態の熱処理装置の概略図である。
図 2は、 本発明の一実施の形態の断熱体の斜視図である。
図 3は、 本発明の一実施の形態の断熱体の孔にヒ一夕エレメントが揷嵌された 状態を示した斜視図である。
図 4は、 本発明の一実施の形態の断熱体の孔にヒ一夕エレメントが挿嵌された 状態の当該孔付近の拡大図である。
図 5は、 本発明の一実施の形態のヒータエレメントの側面図である。
図 6は、 本発明の一実施の形態のヒー夕エレメントとケーブルとの接続状態を 示す側面図である。
図 7 ( a ) は、 本発明の一実施の形態の第 1サブヒー夕の斜視図であり、 図 7 ( b ) は、 本発明の一実施の形態の第 1サブヒー夕の側面図である。 発明を実施するための最良の形態
'以下、 本発明の実施の形態にかかる熱処理装置用ヒ一夕の固定方法及び熱処理 装置について、 図 1に示すバッチ式縦型処理装置を用いた場合を例に説明する。 図 1に示すように、 熱処理装置 1は、 長手方向が鉛直方向に向けられた略円筒 状の反応管 2を備えている。 反応管 2は、 内管 3と当該内管 3を覆うとともに内 管 3と所定の間隔を有する有天井の外管 4とから構成された二重管構造を有する c 内管 3及び外管 4は、 断熱材料、 例えば、 石英により形成されている。
外管 4の下方には、 筒状に形成されたステンレス鋼 （S U S ) からなるマニホ 一ルド 5が配置されている。 マ二ホールド 5は、 外管 4の下端と気密に接続され ている。 また、 内管 3は、 マ二ホールド 5の内壁から突出するとともにマ二ホー ルド 5と一体に形成された支持リング 6に支持されている。
マ二ホールド 5の下方には、 蓋体 7が配置されている。 ボートエレべ一夕 8に より、 蓋体 7は上下動可能に構成されている。 そして、 ボートエレべ一夕 8によ り蓋体 7が上昇すると、 マ二ホールド 5の下方側が閉鎖される。 蓋体 7には、 蓋体 7を貫通するとともに、 モ一夕 Mにより回転する回転軸 9が 形成されている。 回転軸 9上には、 回転可能なターンテーブル 1 0が形成されて いる。 夕一ンテ一プル 1 0上には、 保温ュニヅト 1 1を介して、 例えば、 石英か らなるウェハボート 1 2が載置されている。 ウェハボート 1 2には、 被処理体、 例えば、 半導体ウェハ Wが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容されている。 そして、 モ一夕 Mにより回転軸 9が回転することにより、 夕一ンテーブル 1 0、 保温ュニット 1 1を介して、 ウェハボート 1 2が回転され、 すなわち、 半導体ゥ ェハ Wが回転される。
マ二ホールド 5の側壁を、 複数の処理ガス導入管 1 3が貫通している （図 1で は、 図示の便宜上、 ただ 1つの処理ガス導入管 1 3だけが描かれている） 。 処理 ガス導入管 1 3は、 内管 3の内部にまで延設されている。 例えば、 図 1に示すよ うに、 支持リング 6より下方 （内管 3の下方） のマニホ一ルド 5の側壁を処理ガ ス導入管 1 3が貫通して、 処理ガス導入管 1 3の先端が内管 3に沿って上方に曲 げられている。 これにより、 図示しないガス供給源から供給される処理ガスが、 処理ガス導入管 1 3を通って内管 3内に導入される。
また、 マ二ホールド 5の側壁には排気管 1 4が接続されている。 排気管 1 4は、 支持リング 6より上方のマ二ホールド 5の側壁に接続きれ、 反応管 2の内管 3と 外管 4との間に形成された空間に連通する。 これにより、 反応管 2内の排ガスは、 内管 3と外管 4との間の空間及び排気管 1 4を通って、 熱処理装置 1外に排出さ れるようになっている。 排気管 1 4は、 図示しない真空ポンプ等からなる排気ュ ニットに接続されている。 排気ュニットは、 反応管 2内の圧力を所定の圧力に設 定可能である。 '
反応管 2の周囲には、 反応管 2を囲むように、 ステンレス鋼 （S U S ) からな る断熱体 1 5が設けられている。 図 2に断熱体 1 5の斜視図を示す。 図 2に示す ように、 断熱体 1 5は、 筒状の本体 1 5 aと天板 1 5 bと底板 1 5 cとからなる。 本体 1 5 aの径は、 反応管 2より大径である。 天板 1 5 bは、 本体 1 5 aの上部 を覆う円板状の板である。底板 1 5 cは、 リング状であり、 その内周壁が反応管 2の外周壁に対応する大きさに形成されている。 断熱体 1 5の本体 1 5 aの内部 には、 図示しない冷媒流路 （例えば冷却水路） が設けられている。 これにより、 冷却水路に冷却水を供給することにより、 反応管 2の温度を冷却することができ る ο
断熱体 1 5の天板 1 5 bには、 複数の孔 1 6 aが形成されている。 孔 1 6 aは、 その周縁に沿って、 例えば、 数ミリ間隔に等間隔に形成されている。 また、 断熱 体 1 5の底板 1 5 cには、 複数の孔 1 6 aに対応する位置 （複数の孔 1 6の鉛直 下方位置） に、 複数の孔 1 7 aが形成されている。
そして、 図 3に示すように、 孔 1 6 a及び孔 1 7 aにヒー夕エレメント 1 8が 鉛直に挿嵌される。 すなわち、 ヒー夕エレメント 1 8は、 断熱体 1 5の天板 1 5 bと底板 1 5 cとを貫通して配置される。 なお、 図 3では、 ヒー夕エレメント 1 8が揷嵌された状態を分かりやすくするため、 一部のヒー夕エレメント 1 8のみ が図示されている。 このような複数のヒー夕エレメント 1 8により、 熱処理装置 用ヒー夕が構成される。
本実施の形態では、 更に、 天板 1 5 bに後述する第 1サブヒー夕が挿嵌される 孔 1 6 bが形成され、 底板 1 5 cに後述する第 2サブヒー夕が揷嵌される孔 1 7 bが形成されている。
さて、 各孔 1 6 a、 1 7 aには、 0リング 1 9が配置されている。 図 4に、 ヒ —夕エレメント 1 8が揷嵌された状態の孔 1 6 a付近の概略図を示す。 図 4に示 すように、 孔 1 6 aの内壁に 0リング 1 9が配置され、 当該 0リング 1 9内にヒ —夕エレメント 1 8が揷嵌されている。 このため、 ヒ一夕エレメント 1 8は 0リ ング 1 9を介して孔 1 6 aの内壁に強固に固定され、 孔 1 6 a内でがたつくこと がなくなる。 したがって、 ヒータエレメント 1 8と孔 1 6 aの内壁とが擦れ合う ことがなくなり、 粉体 （汚染物質） を発生するおそれがなくなる。 更に、 ヒー夕 エレメント 1 8と孔 1 6 aの内壁とが擦れ合うことがなくなるために、 ヒ一タエ レメント 1 8が破損するおそれもなくなる。 尚、 以上は孔 1 6 aについて説明さ れたが、 孔 1 7 aについても同様である。
また、 断熱体 1 5の内壁は、 セラミックでコーティングされている。 断熱体 1 5の内壁がセラミヅクでコーティングされているので、 ヒー夕エレメント 1 8は 断熱体 1 5の金属面 （ステンレス鋼） と絶対に接触しない。 このため、 メタルコ ンタミが発生しなくなる。 また、 ヒ一夕エレメント 1 8が断熱体 1 5の金属面と 接触しないので、 ヒー夕エレメント 1 8はさらに破損しにくくなる。 セラミック としては、 例えば、 アルミナ、 シリカ、 またはイットリアが用いられる。 このセ ラミックは多孔質 （ポーラス） に形成されている。 セラミックがポーラスである と、 熱衝撃性が向上する。
図 5に、 ヒ一夕エレメント 1 8の概略図を示す。 図 5に示すように、 ヒ一夕; π レメント 1 8は、 抵抗発熱体 1 8 aと、 封止部材 1 8 bとを備えている。 抵抗発 熱体 1 8 aは、 例えば、 線状で可撓性のある高純度のカーボンワイヤから構成さ れている。 このカーボンワイヤは、 例えば、 線径 1 0 zm前後のカーボン部材で ある力一ボンファイバ一の複数の束を編み込むことにより形成される。 封止部材 1 8 bは、 セラミックからなり、 抵抗発熱体 1 8 aを封止する。 本実施の形態で は、 カーボンワイヤが、 外径が十数 mmの透明な石英管の中に封入されている。 抵抗発熱体 1 8 aの両端は、 電極部材 2 0に接続されている。 封止部材 1 8 bは、 一方の電極部材 2 0の端部から他方の電極部材 2 0の端部までを封止して、 それ によって抵抗発熱体 1 8 aが封止部材 1 8 bに封入されている。
電極部材 2 0は、 外部のケーブル 2 1に接続される。 ケーブル 2 1は、 図示し ない電源に接続される。 図 6に、 ヒ一夕エレメント 1 8とケーブル 2 1との接続 状態を示す。 図 6に示すように、 ヒー夕エレメント 1 8に接続された電極部材 2 0は、 ケーブル 2 1の芯線 2 1 aに接続されている。 電極部材 2 0と芯線 2 1 a とは、 例えば、 ロウ付けまたは圧着により接続されている。 そして、 電源からケ 一ブル 2 1， 電極部材 2 0を介して抵抗発熱体 1 8 aに電力が供給され、 ヒー夕 エレメント 1 8が加熱される。
また、 ヒ一夕エレメント 1 8に接続されたケーブル 2 1は、 ヒ一夕エレメント 1 8の端部近傍で、 固定部材 2 2により、 外壁ま'たは外壁カバ一 （図示せず） に 固定されている。 固定部材 2 2としては、 例えば、 夕イラップが用いられる。 こ の場合、 ケーブル 2 1は、 夕イラップにより挟持されることにより、 外壁または 外壁カバーに固定される。 このようにケーブル 2 1はヒ一夕エレメント 1 8の端 部近傍で固定部材 2 2により外壁または外壁カバ一に固定されているので、 仮に ケーブル 2 1が他の部材に引つかかったりしてケーブル 2 1に負荷がかかっても、 ヒー夕エレメント 1 8が破損するおそれがない。 また、 ケーブル 2 1は、 ヒー夕 エレメント 1 8の端部近傍で固定されているので、 整線されて絡まりにくくなつ ている。
なお、 電源からヒー夕エレメント 1 8への電力供給方法としては、 全てのヒ一 夕エレメント 1 8を並列または直列に接続して共通の電源から電力を供給しても よい。 あるいは、 ヒ一夕エレメント 1 8を複数のグループに分けて、 各グループ 毎にヒ一夕エレメント 1 8を直列に接続し、 それら直列のヒー夕エレメント 1 8 群を互いに並列に接続してもよい。
断熱体 1 5の天井部 （天板 1 5 b ) の下方側には、 反応管 2と対向するように、 面状の第 1サブヒー夕 2 3が設けられている。 図 7 ( a ) に第 1サブヒー夕 2 3 の斜視図、 図 7 ( b ) に第 1サブヒー夕 2 3の側面図を示す。 図 7 ( a) 及び図 7 ( b ) に示すように、 第 1サブヒータ 2 3は、 例えば、 厚さ 8 mm程度の石英 製の円板状体 2 3 a中に、 抵抗発熱体 2 3 bを挿入することによって形成されて いる。 抵抗発熱体 2 3 bは、 前述の抵抗発熱体 1 8 aと同様に、 例えば、 力一ボ ンワイヤから構成されている。 円板状体 2 3 aの周縁部の 2力所には、 石英管 2 4が溶接されている。 石英管 2 4は、 ケーブル 2 5を介して、 図示しない電源に 接続されている。 第 1サブヒー夕 2 3の石英管 2 4が断熱体 1 5に設けられた孔 1 6 bに揷嵌され、 第 1サブヒー夕 2 3は断熱体 1 5の天井部にサポート 2 6を 介して支持されている。
断熱体 1 5の下端部 （底板 1 5 c ) には、 第 2サブヒータ 2 7が設けられてい る。 第 2サブヒ一夕 2 7は、 ヒー夕エレメント 1 8より短いヒー夕エレメントで あり、 孔 1 7 aより内方に形成された孔 1 7 bに揷嵌されている。 孔 1 7 bには 0リング 1 9が配置され、 0リング 1 9により第 2サブヒー夕 2 7が固定されて いる。 第 2サブヒー夕 2 7は、 ケーブル 2 8を介して、 図示しない電源に接続さ れている。 また、 ケ一ブル 2 8は、 第 2サブヒー夕 2 7の端部近傍で、 固定部材 2 2により外壁または外壁カバーに固定されている。
ボートエレペータ 8、 モー夕 M、 処理ガス導入管 1 3、 ヒー夕エレメント 1 8 (ケーブル 2 1 )、 第 1サブヒー夕 2 3 (ケーブル 2 5 ) 、 第 2サブヒー夕 2 7 (ケーブル 2 8 ) には、 図示しない制御部が接続されている。 制御部は、 マイク 口プロセッサ、 プロセスコントローラ等から構成され、 熱処理装置 1の各部の温 度、 圧力等を測定し、 測定データに基づいて、 上記各部に制御信号等を出力して 制御する。
次に、 以上のように構成された熱処理装置 1を用いた熱処理について簡単に説 明する。 まず、 ボートエレべ一夕 8により蓋体 7が下げられた状態で、 半導体ゥ ェハ Wがウェハボ一ト 12に所定枚数収容される。 次に、 ボートエレべ一夕 8を 上昇させることにより、 半導体ウェハ Wが反応管 2 (内管 3) 内にロードされる c 続いて、 ヒ一夕エレメント 18、 第 1サブヒータ 23及び第 2サブヒー夕 27に より反応管 2内の温度が所定の温度に昇温されるとともに、 排気管 14に接続さ れた図示しない排気ュニットにより反応管 2内の圧力が所定の圧力に設定される c 反応管 2内が所定の圧力及び温度で安定すると、 処理ガス供給管 13から処理. ガスが供給されて所定の熱処理が行われる。 また、 熱処理中は、 モー夕 Mにより ウェハボート 12が回転される。 熱処理後、 反応管 2内の温度が所定の温度に降 温されるとともに、 反応管 2内の圧力が常圧に戻され、 ウェハボート 12 (半導 体ウェハ W) が反応管 2からアンロードされる。
以上説明したように、 本実施の形態によれば、 ？ L16 a、 孔 17 a (及び孔 1 6 bs 孔 17 b) の内壁に 0リング 19が配置され、 0リング 19内にヒータエ レメント 18 (第 2サブヒー夕 27) が揷嵌されているので、 ヒ一夕エレメント 18 (第 2サブヒータ 27) は強固に固定され、 孔 16 a、 孔 17 a (及び孔 1 6b、 子し 17 b) 内でがたつくことがなくなる。 したがって、 ヒー夕エレメント 18 (第 2サブヒ一夕 27) と、 孔 16 a、 孔 17 a (及び孔 16 b、 孑し 17 b) の内壁とが擦れ合うことがなくなり、 粉体 （汚染物質） を発生するおそれが なくなる。 また、 ヒ一夕エレメント 18 (第 2サブヒー夕 27) が破損するおそ れがなくなる。
本実施の形態によれば、 ケーブル 21 (ケーブル 28) がヒータエレメント 1 8 (第 2サブヒ一夕 27) の端部近傍で固定部材 22により外壁または外壁カバ —に固定されているので、 ヒー夕エレメント 18 (第 2サブヒー夕 27) が破損 するおそれがなくなる。 また、 ケ一ブル 21 (ケ一ブル 28) が整線されて絡ま りにくい。
本実施の形態によれば、 断熱体 15の内壁がセラミックでコーティングされて いるのて、 ヒ一夕エレメント 1 8が断熱体 1 5の金属面と絶対に接触しない。 こ のため、 メタルコンタミが発生しなくなる。 また、 ヒー夕エレメント 1 8が断熱 体 1 5の金属面と接触しないので、 ヒータエレメント 1 8はさらに破損しにくく なる。 さらに、 セラミックに多孔質を用いているので、 断熱体 1 5の熱衝撃性が 向上する。
また、 本実施の形態によれば、 反応管 2の上部及び下部に第 1サブヒー夕 2 3 及び第 2サブヒー夕 2 7が配置されているので、 反応管 2内の温度を均一にする ことができる。
なお、 本発明は、 上記の実施の形態に限られず、 種々の変形、 応用が可能であ る。 以下、 本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、 孔 1 6 a及び孔 1 Ί aの内壁に◦リング 1 9が配置され ているが、 孔 1 6 a及び孔 1 Ί aの内壁の少なくとも一方に 0リング 1 9が配置 されていればよい。 少なくとも一方に 0リング 1 9が配置されていれば、 ヒー夕 エレメント 1 8は強固に固定され、 ヒー夕エレメント 1 8が孔内でがたつくこと がなくなる。
あるいは、 上記実施の形態では、 孔 1 6 a及び孑し 1 7 aの内壁に 0リング 1 9 が配置されているが、 孔 1 6 a及び孔 1 7 aの内壁に 0リング 1 9を配置する代 わりに、 各孔 1 6 a、 孔 1 7 aの内壁がセラミックでコーティングされてもよい c この場合、 ヒー夕エレメント 1 8と孔 1 6 a、 孔 1 7 aの内壁とが擦れ合っても、 ヒー夕エレメン卜 1 8が断熱体 1 5の金属面と接触することがないので、 メタル コンタミの発生を防止することができる。
上記実施の形態では、 ？し 1 6 aと孔 1 7 aとを貫通する直管状のヒー夕エレメ ント 1 8が用いられているが、 ヒータエレメントは U字管状であってもよい。 こ の場合、 例えば、 U字管状のヒー夕エレメントは、 隣り合った 2つの孔 1 6 aに 揷嵌されることにより、 熱処理装置 1に取り付けられる。 また、 加熱する領域が 上下に 2分割されて、 孔 1 6 aに挿嵌されたヒー夕エレメント 1 8が上の領域を 加熱し、 孔 1 7 aの挿嵌されたヒ一夕エレメント 1 8が下の領域を加熱するよう に構成してもよい。
上記実施の形態では、 ヒー夕エレメント 1 8の抵抗発熱体 1 8 aがカーボンヮ ィャから構成されているが、'抵抗発熱体 1 8 aは力一ボンワイヤ以外の線状で可 橈性のある高純度の抵抗発熱体であってもよい。
上記実施の形態は、 反応管 2が内管 3と外管 4とから構成された二重管構造で あるバッチ式縦型の熱処理装置であるが、 単管構造の熱処理装置にも本発明を適 用することが可能である。 また、 被処理体は半導体ウェハ Wに限定されるもので はなく、 例えば L C D用のガラス基板等にも適用することができる。

Claims

請求 の 範 囲
1 . 被処理体を収容するための反応室と、
前記反応室を囲むように設けられた断熱体と、
前記断熱体に設けられた複数の孔と、
前記複数の孔の内部にそれそれ設けられた複数の環状のスぺーサ部材と、 前記複数の環状スぺーサ部材内にそれそれ挿入された複数のヒー夕エレメント と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
2 . 前記スぺ一サ部材は、 弾性を有している
ことを特徴とする請求項 1に記載の熱処理装置。
3 . 前記スぺーサ部材は、 0リングである
ことを特徴とする請求項 2に記載の熱処理装置。
4 . 前記ヒ一夕エレメントは、 直管状部分を有している
ことを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれかに記載の熱処理装置。 '
5 . 前記ヒー夕エレメントの直管状部分は、 前記反応室に対して所定の間隔 に配置されている
ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理装置。
6 . 被処理体を収容するための反応室と、
前記反応室を囲むように設けられた金属製の断熱体と、
前記断熱体に設けられた複数の孔と、
前記複数の孔の内部にそれそれ挿入された複数のヒー夕エレメントと、 を備え、
前記複数の孔の内壁は、 セラミックでコーティングされている ことを特徴とする熱処理装置。
7 . 前記セラミックは、 アルミナ、 シリカまたはィヅトリアである ことを特徴とする請求項 6に記載の熱処理装置。
8 . 前記セラミックは、 多孔質である
ことを特徴とする請求項 6または 7に記載の熱処理装置。
9 . 前記断熱体の前記反応室側の面は、 セラミックでコーティングされてい る
ことを特徴とする請求項 1乃至 8のいずれかに記載の熱処理装置。
1 0 . 前記ヒー夕エレメントは、 ケ一ブルに接続されており、
前記ケーブルは、 前記ヒー夕エレメントの端部近傍で固定部材によって装置外 壁に固定されている
ことを特徴とする請求項 1乃至 9のいずれかに記載の熱処理装置。
1 1 . 前記固定部材は、 夕イラップである
ことを特徴とする請求項 1 0に記載の熱処理装置。
1 2 . 被処理体を収容するための反応室と、
前記反応室を囲むように設けられた断熱体と、
前記断熱体に設けられた複数の孔と、
前記複数の孔の内部にそれそれ設けられた複数の環状のスぺ一サ部材と、 前記複数の環状スぺーサ部材内にそれそれ挿入された複数のヒー夕エレメント と、
を備えた熱処理装置を組み立てる方法であって、
前記複数の孔の内部にそれそれ複数の環状のスぺーサ部材を配置する工程と、 前記複数の環状スぺ一サ部材内にそれそれ複数のヒー夕エレメントを挿入する 工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
1 3 . 前記ヒ一夕エレメントに接続されたケーブルを、 当該ヒー夕エレメン トの端部近傍で固定部材により装置外壁に固定する工程
を更に備えたことを特徴とする請求項 1 2に記載の方法。
1 4 . 前記ヒー夕エレメントに接続されたケーブルを、 当該ヒー夕エレメン トの端部近傍で夕イラップにより装置外壁に固定する工程
を更に備えたことを特徴とする請求項 1 3に記載の方法。
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