WO2002034023A1

WO2002034023A1 - Circuit forming board producing method, circuit forming board, and material for circuit forming board

Info

Publication number: WO2002034023A1
Application number: PCT/JP2001/009033
Authority: WO
Inventors: Shigeru Yamane; Eiji Kawamoto; Hideaki Komoda; Takeshi Suzuki; Toshihiro Nishii; Shinji Nakamura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-10-16
Filing date: 2001-10-15
Publication date: 2002-04-25
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Description

回路形成基板の製造方法、回路形成基板および回路形成基板用材料技術分野

本発明は回路形成基板の製造方法、回路形成基板および回路形成基板用材料に関するものである。

背景技術

近年、電子機器の小型化 ·高密度化に伴って、電子部品を搭載する回路形成基板も従来の片面配線基板から両面配線基板や多層配線基板の採用が進み、より多くの回路を基板上に集積することが可能な高密度回路形成基板の開発が行われている。

回路基板では高密度化を妨げる要因となっていたメツキスル一ホールに代わつて、導電ペーストによるインナ一ビアホール接続による回路基板の製造方法が提案されている（例えば特開平 6— 2 6 8 3 4 5号公報)。

この回路基板の製造方法は、両面に離型性を有する高分子フィルム（以下離型性フィルムと称する）を備えた被圧縮性で多孔質のプリプレダシートに貫通孔をあけ、その孔に導電べ一ストを充填し、離型性フィルムを剥離した後、プリプレグシ一トの両面に金属箔を貼り付けて加熱圧接することにより基板の両面を電気接続し、さらに金属箔をエッチングによってパターニングして回路形成するものである。

以下従来の回路基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。

図 5 A〜図 5 Fは従来の回路形成基板の製造工程を示す断面図である。

まず、図 5 Aに示すように、厚さ約 2 0 mの P E T (ポリエチレンテレフ夕レート）等の高分子フィルム片面にシリコーン系の離型層を形成した離型性フィルム 2を両面に備えた、寸法が口 5 0 0 mm、厚さ 1 1mmの多孔質のプリプレグシート 1が準備される。多孔質のプリプレダシート 1としては、例えば芳香族ポリアミド繊維の不織布に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材が用いられる。

次に図 5 Bに示すように、プリプレダシート 1の所定の位置にレーザなどのェネルギ一ビームを利用して貫通孔 3が形成される。さらにプリプレダシ一卜 1を印刷機（図示せず）のテ一ブル上に設置し、図 5 Cに示すように、導電ペースト 4が離型性フィルム 2の上から印刷され、貫通孔 3に充填される。この時、上面の離型性フィルム 2は印刷マスクとプリプレダシ一ト 1の汚染防止の役割を果たしている。

次に図 5 Dに示すように、プリプレダシート 1の両面の離型性フィルム 2を剥離した後、図 5 Eに示すようにプリプレダシ一ト 1の両面に銅箔などの金属箔 5 を貼り付け、この状態で加熱加圧することにより、図 5 Fに示すようにプリプレグシ一ト 1と金属箔 5とが接着されると同時に、プリプレダシ一卜 1が厚さ t 2 mmまで圧縮（t l> t 2) されて両面の金属箔 5が導電ペースト 4によって電気的に接続される。この時、プリプレダシート 1の一構成成分であるエポキシ樹脂および導電ペースト 4は硬ィヒする。その後、両面の金属箔 5を選択的にエツチングして回路パターン（図示せず）を形成することにより両面回路基板が得られる。しかしながら、上記従来の構成では以下の課題があった。

離型性フィルム 2は、例えば特許登録番号 2 7 6 8 2 3 6号に開示されているように、ラミネート工法によりプリプレダシート 1の両面に貼り付け形成される。このとき、図 6 A、図 6 Bに示すようにプリプレダシート 1の表面に不織布 6が露出している部分が点在していたり、不織布 6が露出していなくても表面の樹脂層の面に大きな凹凸があると、図 7 A、図 7 Bに示すようにプリプレダシート 1 と離型性フィルム 2が密着せずにその界面に微細な隙間 1 0が形成されてしまう。このようなプリプレダシート 1に貫通孔 3を形成し導電ペースト 4を充填すると、特に隙間 1 0のあるところに貫通孔 3が設けられた場合には、図 7 Cに示すように導電ペースト 4がその隙間 1 0にも充填される。その結果、回路形成工程において隣接するパターンと接触してショ一ト不良が発生したり、または配線間の絶縁信頼性が劣化するという課題が生じることになる。これらの課題は配線パターンが高密度になるほど顕著になってくる。発明の開示

本発明は、上記従来のプリプレダシートと離型性フィルムの界面に発生した隙間に起因する配線回路のショートおよび絶縁信頼性の低下を防止するものであり、歩留まりの向上を図り、高品質で高信頼性の回路基板を実現す'るための回路形成基板とその製造方法および回路形成基板用材料を提供することを目的とする。本発明の回路形成基板の製造方法は、離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせる工程と、離型性フィルムを備えたプリプレダシートに未貫通または貫通の孔をあける工程と、その孔に導電ペーストを充填する工程と、離型性フィルムを剥離する工程と、プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程とを備え、その回路形成基板はプリプレダシートに平滑面が形成されている。図面の簡単な説明

図 1 Aは本発明の第 1の実施の形態におけるプリプレダシートの構成を示す平面図、図 1 Bは図 1 Aのプリプレダシートの 1 B— 1 B線における断面図である。図 2は本発明の第 3の実施の形態における不織布の構成を示す断面図である。図 3は本発明の第 4の実施の形態における回路形成基板の製造工程の一部を示す断面図である。

図 4 A〜図 4 Fは本発明の第 1の実施の形態における回路形成基板の製造方法を示す断面図である。

図 5 A〜図 5 Fは従来の回路形成基板の製造方法を示す断面図である。

図 6 Aは従来のプリプレグシ一トの構成を示す平面図、図 6 Bは図 6 Aのプリプレダシートの 6 B— 6 B線における断面図である。

図 7 A〜図 7 Cは従来の回路形成基板の製造方法の一部を示す断面図である。 .

発明を実施するための最良の形態

(実施の形態 1 )

以下、本発明の実施の形態 1について、図 1 Aから図 4 Fを用いて説明する。図 4 A〜図 4 Fは本発明の第 1の実施の形態における回路形成基板の製造方法を示す断面図であり、その製造工程は、離型性フィルム貼り付け工程、孔あけェ程、導電ペースト充填工程、離型性フィルム剥離工程、加熱加圧工程および回路形成工程より構成される。

プリプレダシート 1は図 1 A、図 I Bに示すように、含浸樹脂 7 (例えばェポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂）と繊維シートである芳香族ポリアミド繊維（以下ァラミド繊維と言う）の不織布 6から構成される複合材料である。

含浸樹脂 7は完全に硬化したものではなく、未硬化分を含むいわゆる Bステージ状態である。

また図 4 Aに示す離型性フィルム 2は、厚さ約 2 0 /z mの P E T (ポリエチレンテレフ夕レート）等の高分子フィルムに、膜厚が 1 0 0オングストローム程度のシリコーン系の離型層を片面に形成したものであり、プリプレダシート 1の両面にはこの離型層面が接するように配置し、 2本の加熱口一ル (図示せず) の間を通して加熱 ·加圧により図 4 Aに示すようにプリプレダシート 1の両面に離型性フィルム 2を貼り付ける。

つぎに全体の厚さが約 1 5 0 z mのプリプレダシ一ト 1は、図 4 Bに示すようにレ一ザ加工機により炭酸ガスレ一ザビームなどのエネルギービームをプリプレグシート 1上に照射することにより、約 2 0 0 mの孔径を有する貫通孔 3を形成する。

更に図 4 Cに示すように導電性粒子とエポキシ系樹脂を主成分とする導電べ一スト 4を印刷法等により貫通孔 3の内部に充填した後、図 4 Dに示すように上下面の離型性フィルム 2を剥離する。

つぎに図 4 Eに示すように金属箔 5をプリプレダシ一ト 1の両面に重ね合わせて加熱加圧することにより、図 4 Fに示すところのプリプレダシート 1の厚みが t 1 から t 2 に圧縮成形され、導電ペースト 4によってプリプレダシート 1の両面に重ね合わせた金属箔 5が電気的に接合された回路形成用基板を得ることができる。

つぎにその金属箔 5を選択的にエッチングして回路パターンを形成することにより両面回路形成基板（図示せず）を形成できる。

つぎに本実施の形態において特徴とする部分について説明する。

離型性フィルム貼り付け工程に用いるプリプレダシート 1は、図 1 Bに示すようにその両面全面が含浸樹脂により覆われ、厚さ 1 Π！〜 3 0 mの範囲、好ましくは 5 m〜 2 0 i mの範囲で含浸樹脂 7主体の平滑な樹脂層 8が形成されていることが望ましい。

樹脂層 8の厚さが 3 0 mを超えると、炭酸ガスレ一ザビームなどのエネルギ一ビームで孔あけ加工した時、樹脂層 8が大きく後退して不織布 6の孔径ょり大きくなる。

樹脂層 8は、例えばプリプレダシート 1の含浸樹脂量を増やすことゃ不織布密度を増やすことや、または樹脂含浸条件を調整することにより不織布 6への含浸時に同時に形成することができる。

このプリプレダシート 1を両面から挟むように離型性フィルム 2を配置し、 2 つの加熱ローラ間を同時に通して加熱加圧することにより、離型性フィルム 2はプリプレダシ一ト 1の両面に形成される。

このとき、プリプレダシート 1表面に形成された含浸樹脂 7主体の樹脂層 8の平滑な面が加熱によりわずかに溶融し、加圧により隙間を形成することなく離型性フィルム 2に密着して貼り付けされる。

この工程で重要なことはプリプレダシート 1表面すなわち樹脂層 8の表面の平滑性であり、より平滑であるほど離型性フィルム 2の貼り付け性はよくなるので、その凹凸の最大高さは 1 0 m以下、好ましくは 5 i m以下に抑える方が望ましい。

その結果、後工程で導電ペースト 4を貫通孔 3の内部に印刷充填する際にも導電ぺ一スト 4は貫通孔 3内にのみ留まり、プリプレダシート 1と離型性フィルム 2との間ににじみ出すことはなく、金属箔 5の選択的エッチングにより形成された隣接する回路パターン間でのショートを防止することができる。

このような製造方法で形成された回路形成基板は、基板表層付近の樹脂層 8と金属箔 5との密着力が高まり、回路パターンの接着強度も向上する。

(実施の形態 2 )

本発明の実施の形態 2における製造工程は、基本的に実施の形態 1と同様であり詳細な説明は省略し、本実施の形態の特徴とする部分について説明する。

プリプレダシート 1は例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂（以下含浸樹脂 7と言う）と芳香族ポリアミド繊維（以下ァラミド繊維と言う）の不織布 6から構成される複合材料である。

含浸樹脂 7は完全に硬化したものではなく、未硬化分を含むいわゆる Bステ一ジ状態である。

従来用いられていたプリプレダシート 1のァラミド繊維不織布 6の密度は 5 0 0〜7 0 0 k g /m³の範囲であり、このような密度のァラミド繊維不織布 6は、樹脂含浸すると特にァラミド繊維不織布 6の中心部分に含浸されやすいため、表層付近では樹脂成分が少なくなり、ァラミド繊維不織布 6の繊維が図 6 A、図 6 Bに示すように表面で部分的に露出する傾向にあつた。

しかし本実施の形態におけるァラミド繊維不織布 6は、その密度を 7 0 0〜1 0 0 0 k g /m³の範囲とするものであり、このような密度を有するァラミド繊維不織布 6に樹脂を含浸させるとァラミド繊維不織布 6の中心部には樹脂が含浸しにくくなり、代わってァラミド繊維不織布 6の両面の表層付近に樹脂成分が多く付き、その結果、含浸樹脂 7を主成分とする平滑な樹脂層 8が表面に形成される。

更にここで重要なことは、含浸樹脂量の比率を上げることなく従来のプリプレグシート 1と同等の含浸樹脂量（プリプレダシートに対して重量比 5 1〜5 4 % 程度）で樹脂層 8を形成することができる点である。

導電ペーストを圧縮して層間接続する場合、不織布密度を大きくすることや含浸樹脂量を大きくすることは、いずれもプリプレダシ一ト 1の圧縮率が小さくなる方向にあるため、いずれも導電べ一ストを圧縮する上で不利な方向にある。しかし含浸樹脂量の比率を大きくする場合（例えばプリプレダシ一トに対して重量比 5 5 %以上）の方が、プリプレダシ一ト 1の圧縮率の低下に与える影響度が大きいため接続抵抗上不利であり、含浸樹脂量の比率を上げることなく樹脂層 8を形成できることは、接続抵抗上極めて有効な手段である。

また、ァラミド繊維不織布 6はカレンダー処理などで密度を制御することが可能であるから、従来のァラミド繊維不織布と同じ不織布重量で 7 0 0〜： 1 0 0 0 k g /m³の密度を得ることができる。また含浸樹脂量の比率を大きくしないことは回路形成基板の軽量化の点からも有効である。

離型性フィルム貼り付け工程でこのようなプリプレダシート 1を挟むように離型性フィルム 2を両面に配置し、加熱口一ラ間を同時に通して加熱加圧することにより、離型性フィルム 2はプリプレダシ一ト 1の両面に密着形成される。

このときプリプレダシート 1の両面の平滑な樹脂層 8が加熱によりわずかに溶融し、加圧により隙間を形成することなく離型性フィルム 2に密着して貼り付けられる。

プリプレダシート 1の表面すなわち樹脂層 8の表面は、より平滑であるほど離型性フィルム 2の貼り付け性はよくなり、その表面の凹凸の最大高さは 1 O m 以下、好ましくは 5 m以下に抑えることが望ましい。

その結果、後工程で導電べ一スト 4を貫通孔 3の内部に印刷充填する際にも導電ぺ一スト 4は貫通孔 3内にのみ留まり、プリプレダシ一ト 1と離型性フィルム 2との間ににじみ出すことはなく、金属箔 5の選択的エッチングにより形成された隣接する回路パターン間でのショ一トを防止することができる。

このような製造方法で形成された回路形成基板は、基板表層付近の樹脂層 8と金属箔 5との密着力が高まり、回路パターンの接着強度も向上する。 (実施の形態 3 )

本実施の形態における回路形成基板の製造工程は、基本的に実施の形態 1と同様であり詳細な説明は省略し、本実施の形態の特徴とする部分について説明する。本実施の形態におけるァラミド繊維不織布 6の密度は、図 2 Aに示すように不織布両面の表層付近が 7 0 0〜1 0 0 0 k g Zm³の範囲であり、ァラミド繊維不織布 6の内部の密度は表層付近の密度より低く、好ましくは 5 0 0〜 7 0 0 k gZm³の範囲であることが望ましい。

密度が 5 0 0〜7 0 0 k gZm³より小さくなるとプリプレダシ一ト 1内の空隙が多くなり、導電ペースト 4が貫通孔 3の内壁からプリプレダシ一ト中へ浸み出しゃすくなり絶縁信頼性が低下する。

このような組成のプリプレダシート 1では、実施の形態 2と同様に樹脂含浸するとァラミド繊維不織布 6の中心部には樹脂が含浸しにくくなり、代わってァラミド繊維不織布 6の両面の表層付近に樹脂成分が多く付き、その結果、含浸樹脂 7を主成分とする平滑な樹脂層 8が表面に形成される。

離型性フィルム貼り付け工程でこのようなプリプレダシート 1を挟むように離型性フィルム 2を両面に配置し、加熱ローラ間を同時に通して加熱加圧することにより、離型性フィルム 2はプリプレダシート 1の両面に密着形成される。このときプリプレダシー卜 1の両面の平滑な樹脂層 8が加熱によりわずかに溶融し、加圧により隙間を形成することなく離型性フィルム 2に密着して貼り付けられる。

プリプレダシート 1の表面すなわち樹脂層 8の表面は、より平滑であるほど離型性フィルム 2の貼り付け性はよくなり、その表面の凹凸の最大高さは 1 O ^m 以下、好ましくは 5 m以下に抑えることが望ましい。

その結果、後工程で導電ペースト 4を貫通孔 3の内部に印刷充填する際にも導電ペースト 4は貫通孔 3内にのみ留まり、プリプレダシ一ト 1と離型性フィルム 2との間ににじみ出すことはなく、金属箔 5の選択的エッチングにより形成された隣接する回路パタ一ン間でのショートを防止することができる。

この効果は実施の形態 2の場合と同様であるが、ァラミド繊維不織布 6の内部の密度を表面部分より低くくすることにより、加熱 ·加圧工程においてプリプレグシート 1のより高い圧縮が可能となり、より安定した接続抵抗を得ることができる。

このようなァラミド繊維不織布 6の密度構成は、図 2 Bに示すように密度 7 0 0〜1 0 0 0 k gZm³の範囲の不織布 2枚の間に密度がそれより低い、好ましくは 5 0 0〜 7 0 0 k g Zm³の範囲の不織布を少なくとも一枚挟んだ多層構造とすることにより、同様の効果を得ることは可能である。

なお、本実施の形態ではァラミド繊維不織布 6の両面の密度が 7 0 0〜1 0 0 0 k g Zm³の範囲であつたが、どちらか一方の片面の密度が 7 0 0〜1 0 0 0 k g/m³の範囲であっても同様の効果を得ることができる。

(実施の形 ^ 4)

本実施の形態における回路形成基板の製造方法は、プリプレダシート 1の表面に不織布が部分的に露出して存在している場合、またはプリプレダシート 1の表面に含浸樹脂を主成分とする樹脂層が形成されているがその表面に凹凸が形成されている場合にプリプレダシ一ト 1の両面に含浸樹脂 7による平滑な樹脂層 8を形成する方法である。

図 3に示すように、例えば板状の金属などの先端部に鋭利な刃を形成したブレ —ド 9を用いてその刃をプリプレダシート 1の表面に当てて相対的に移動させることにより、プリプレダシート 1表面の突出部を削り落とすことや表面の樹脂層 8を最適な厚みに削り落とすことができる。

更に、プリプレダシート 1を含浸樹脂 7の溶融開始温度以上に予備加熱を行うか、またはこのブレード 9を含浸樹脂 7の溶融開始温度以上に加熱することにより、表面樹脂を溶融させて表面の凹凸を平滑化させることができる。

またァラミド繊維不織布 6の露出する部分や樹脂層 8の厚さが不足している部分にもブレード 9を用いて含浸樹脂 7をスキージすることにより供給することが可能となり、より均一な厚さを有する樹脂層 8をプリプレダシ一ト 1の表面に形成することができ、離型性フィルム 2の貼り付け性を向上させることが可能となる。

また本実施の形態では平滑化手段として刃を備えたブレード 9を用いたが、口 —ル状または平板状の形状よりなる平滑化手段を用いることでも同様の効果が得られる。

なお、プリプレダシ一卜 1に離型性フィルム 2をより確実に隙間を生じないように貼り付けるには、樹脂層 8の厚さを 1 m〜3 0 mの範囲、好ましくは 5 m〜2 O ^ mの範囲で形成し、樹脂層 8の表面凹凸の最大高さを 1 O ^ m以下、好ましくは 5 x m以下に抑えることが望ましい。

(実施の形態 5 )

本実施の形態における回路形成基板の製造工程は、基本的に実施の形態 1と同様であり詳細な説明は省略し、本実施の形態の特徴とする部分について説明する。プリプレダシート 1の表面が平滑でなく凹凸が形成されている場合、図 7 Bに示すようにプリプレダシ一ト 1と離型性フィルム 2との界面に隙間 1 0が生じることとなる。また孔あけ工程で例えば炭酸ガスレーザビームなどのエネルギービ —ムを用いると、孔の周辺は加工熱の影響を受けるため、プリプレダシート 1を構成する材料の一部が熱変形や熱収縮または昇華などによって孔の周辺のプリプレダシート 1と離型性フィルム 2との界面に隙間 1 0が形成される。本実施の形態における導電ペーストの特徴とするところは、導電ペースト 4中の導電性粒子、例えば銅粉を主体としたものは少なくともその長径が隙間 1 0の厚み方向の大きさより大きい径を有する粒子を用いている点であり、また貫通孔 3への充填性を阻害しないように少なくともその長径は貫通孔 3の孔径ょり小さい粒径となっている点である。 ·

本実施の形態の特徴とする導電べ一スト 4を用いて貫通孔 3に充填することにより、離型性フィルム貼り付け工程ゃ孔あけ工程で生じた隙間 1 0に導電ペースト 4が侵入することを防止することができ、回路基板の両面に形成された隣接する回路パターン間のショートを防止することが可能となる。

発明者の実験では、導電性粒子の粒径を 1 O ^ m以上とすることにより、導電ペースト 4の隙間 1 0への侵入を抑制することができた。

なお、非球状の導電性粒子を用いた導電べ一スト 4を貫通孔 3に充填した場合、導電ペースト 4の流動性が落ちることにより隙間 1 0への侵入を抑制できる。また、導電性粒子が非球状の場合、各粒子間の接触点が増加するため小さい圧縮率でも安定した接続抵抗が得られるので、特に実施の形態 2、 3で述べたような不織布密度が高いプリプレダシ一ト 1と併用することにより貫通孔 3より外周方向へのにじみ出しを防止でき、かつ安定した接続抵抗を得ることができる。導電ペースト 4の貫通孔 3内への充填性を向上するためには導電ペースト 4の低粘度化が必要になるが、球状粒子を非球状粒子に加工したもの（例えば球状粒子に機械的外力を加えて変形させて扁平化処理した扁平導電性粒子）を用いることにより低粘度の導電ペースト 4を得ることができ、特に溶剤添加による低粘度化が制限される導電ペース卜には有効な手段である。

なお上記第 1から第 4の実施の形態では離型性フィルム 2の貼り付け方法として加熱ロールによる加熱加圧方法について記載したが、 2枚の平板による他の加熱加圧方法や、離型性フィルムに貼着した接着層によりプリプレダシート 1に貼り付けるなど他の貼り付け方法でも同様の効果を得ることができる。

また上記各実施の形態では貫通孔 3について説明したが、一方のみが開口した未貫通孔でも同様の効果を得ることは可能である。

また、孔あけ方法として炭酸ガスレーザを用いて説明したが、その他の気体レ一ザおよび Y A Gレーザ等の固体レーザ、エキシマレーザ、あるいはレーザ以外のエネルギービームの使用、およびエネルギービーム以外にドリル加工、プラズマエッチング、パンチング等による孔あけ工程を用いることも可能である。さらに本発明では両面回路形成基板について説明したが、本発明に関わる技術を多層回路形成基板の製造に用いても同様の効果を得ることができる。

更に、離型性フィルム 2に用いた高分子フィルムには P E T以外に P I (ポリイミド）、 P E N (ポリエチレンナフタレート）、 P P S (ポリフエ二レンサルフアイト）、 P P (ポリプロピレン）、 P P O (ポリフエ二レンオキサイド）等を用いても良い。

また、繊維シートとしてァラミド繊維不織布 6の代わりにァラミド繊維織布を使用すること、または織布あるいは不織布を構成する繊維としてァラミド繊維以外の有機繊維材料あるいはガラスなどの無機繊維材料を使用すること、および熱硬化性樹脂に代えて熱可塑性樹脂を用いることも可能である。産業上の利用可能性

このように本発明によれば、片面または両面の全面が平滑であるプリプレグシートを用いることにより、プリプレダシートと離型性フィルムの界面に発生した隙間に起因する配線回路のショートおよび絶縁信頼性の低下を防止でき、したがつて生産歩留まりの向上および高品質で高信頼性の回路基板、特に高密度配線回路基板を製造することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 離型性フィルムをプリプレダシ一卜に貼り合わせる工程と、

前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシ一トに未貫通または貫通の孔をあける工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、前記プリプレダシートの表面に平滑面を形成した、回路形成基板の製造方法。

2 . 前記プリプレダシートが、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂との少なくとも一方を含む樹脂材料を含浸された繊維シ一トと、前記繊維シートの表面に形成された前記樹脂材料と同一材料の平滑な樹脂層とを有する、請求の範囲第 1項に記載の回路形成基板の製造方法。

3 . 前記繊維シ一トに前記樹脂材料を含浸する時に前記樹脂層を形成する工程をさらに備えた、請求の範囲第 2項に記載の回路形成基板の製造方法。

4. 前記樹脂層の厚さが、 1 i mから 3 0 x mの範囲である、請求の範囲第 2または 3項に記載の回路形成基板の製造方法。

5 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせる工程と、

前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔をあける工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、

前記プリプレダシー卜が、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含浸された繊維シートを有し、前記繊維シートの密度が 7 0 0〜 1 0 0 0 k gZm³の範囲である、回路形成基板の製造方法。

6 . 離型性フィルムをプリプレダシ一卜に貼り合わせる工程と、

前記孔に導電ペース卜を充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、

前記プリプレダシートが、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含浸してなる繊維シ一トを有し、前記繊維シートの表層付近の第 1の層の密度より前記第 1の層以外の前記繊維シートの第 2の層の密度が低い、回路形成基板の製造方法。

7 . 前記第 1の層の密度が 7 0 0〜 1 0 0 0 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 6項に記載の回路形成基板の製造方法。

8 . 前記第 2の層の密度が 5 0 0〜7 0 0 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 6または 7項に記載の回路形成基板の製造方法。

9 . 離型性フィルムをプリプレグシー卜に貼り合わせる工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有レ、

前記プリプレダシ一トが、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬ィ匕性樹脂とのうち少なくとも一方を含む繊維シートを有し、前記繊維シートは密度の異なる第 1と第 2の層を含む、回路形成基板の製造方法。

1 0 . 前記第 1の層の層の密度が 7 0 0〜1 0 0 0 k gZm³の範囲であり、前記第 2の層の密度が前記第 1の一方の層の密度より低い、請求の範囲第 9項に記載の回路形成基板の製造方法。

1 1 . 前記第 2の層の密度が 5 0 0〜7 0 0 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 9または 1 0項に記載の回路形成基板の製造方法。

1 2 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせる工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、

前記プリプレダシートが、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含浸してなる繊維シートを有し、前記繊維シートの最外側の第 1と第 2の層の密度より前記第 1と第 2の層に挟まれた前記繊維シートの第 3の層の密度が低い、回路形成基板の製造方法。

1 3 . 前記第 1と第 2の層の密度が 7 0 0〜1 0 0 0 k g Zm³の範囲である、請求の範囲第 1 2項に記載の回路形成基板の製造方法。

1 4 . 前記第 3の層の密度が 5 0 0〜7 0 0 k g/m³の範囲である、請求の範囲第 1 2または 1 3項に記載の回路形成基板の製造方法。

1 5 . 前記プリプレダシートの表面粗さが最大高さ 1 O ^ m以下である、請求の範囲第 1〜 2 9項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

1 6 . 前記導電ペーストは球状導電性粒子を非球状に加工した導電性粒子を有する、請求の範囲第 1〜1 5項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

1 7 . プリプレダシートの表面を平滑化手段で平滑にする工程と、

離型性フィルムを前記プリプレダシートに貼り合わせる工程と、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔をあける工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、

前記プリプレダシー卜が、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含浸された繊維シートを有する、回路形成基板の製造方法。

1 8 . 前記平滑化手段は刃状の先端を有する、請求の範囲第 1 7項に記載の回路形成基板の製造方法。

1 9 . 前記平滑化手段はロール状または平板状の形状を有する、請求の範囲第 1 7項に記載の回路形成基板の製造方法。

2 0 . 前記平滑化手段の温度を前記樹脂材料の軟化開始温度以上に設定する工程をさらに備えた、請求の範囲第 1 8または 1 9項に記載の回路形成基板の製造方法。

2 1 . 前記プリプレダシートの温度を前記樹脂材料の軟化開始温度以上に設定する工程をさらに備えた、請求の範囲第 1 8〜2 0項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

2 2 . 前記プリプレダシ一トは前記繊維シートを被覆する厚さが 1 mから 3 0 mの範囲の平滑な樹脂層を有する、請求の範囲第 5〜 2 1項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

2 3 . 前記平滑化手段により平滑にした前記プリプレダシ一卜表面の表面粗さが、最大高さ 1 0 m以下である、請求の範囲第 1 8〜 2 2項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

2 4. 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせる工程と、

前記孔に導電ペーストを充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、

前記導電ペーストは、粒子径の少なくとも長径が前記離型性フィルムを貼り合わせる工程または前記孔をあける工程において前記離型性フィルムとプリプレグシ一トとの界面に生じた隙間の厚み方向の大きさより大きい径を有する導電性粒子を有する、回路形成基板の製造方法。

2 5 . 前記導電ペーストは球状導電性粒子を非球状に加工した導電性粒子を有する、請求の範囲第 2 4項に記載の回路形成基板の製造方法。

2 6 . 前記導電性粒子は前記球状導電性粒子に機械的に外力を加えて変形させる扁平化処理してなる扁平導電性粒子である、請求の範囲第 2 5項に記載の回路形成基板の製造方法。

2 7 . 前記導電性粒子の長径は前記孔の孔径より小さい、請求の範囲第 2 4〜2 6項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

2 8 . 前記導電性粒子は銅を主成分とするものである、請求の範囲第 2 4〜2 7 項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

2 9 . 前記プリプレダシートが、熱可塑性樹脂と未硬ィ匕成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含有された繊維シートを有する、請求の範囲第 2 4〜 2 8項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

3 0 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせる工程と、

前記孔に導電ペース卜を充填する工程と、

前記離型性フィルムを剥離する工程と、

前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接する工程と

を有し、前記導電ペーストは非球状の導電性粒子を有する、回路形成基板の製造方法。

3 1 . 前記導電ペーストは球状導電性粒子を非球状に加工した導電性粒子を有する、請求の範囲第 3 0項に記載の回路形成基板の製造方法。

3 2 . 前記導電性粒子は前記球状導電性粒子に機械的に外力を加えて変形させる扁平化処理してなる扁平導電性粒子である、請求の範囲第 3 1項に記載の回路形成基板の製造方法。

3 3 . 前記導電性粒子の長径は前記孔の孔径より小さい、請求の範囲第 3 0〜3 2項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

3 4. 前記導電性粒子は銅を主成分とするものである、請求の範囲第 3 0〜3 3 項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

3 5 . 前記プリプレダシートが、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料を含有された繊維シ一トを有する、請求の範囲第 3 0〜 3 4項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

3 6 . 前記金属箔をエッチングして回路を形成する工程をさらに備えた、請求の範囲第 1〜 3 5項のいずれかに記載の回路形成基板の製造方法。

3 7 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合せ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシ一卜に金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記プリプレダシ一トに含まれる繊維シ一トと、

前記繊維シートに含浸された熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と、

前記樹脂材料と同一の材料からなり、前記繊維シ一ト上に平滑に形成された樹脂層と

を備えた回路形成基板。

3 8 . 前記樹脂層は前記繊維シートに前記樹脂材料を含浸した時に形成される、請求の範囲第 3 7項に記載の回路形成基板。

3 9 . 前記樹脂層の厚さが 1 mから 3 0 z mの範囲である、請求の範囲第 3 7 または 3 8項に記載の回路形成基板。

4 0 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であつて、

前記プリプレダシートに含まれる、密度が 7 0 0〜 1 0 0 0 k g /m³の範囲である繊維シートと、

前記繊維シートに含浸される、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と

を備えた回路形成基板。

4 1 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ —ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記プリプレダシ一トに含まれる繊維シ一トと、

前記繊維シートに含まれる、前記繊維シートの表層付近の第 1の層と、前記繊維シートに含まれる、前記第 1の層より密度の低い第 2の層と、前記繊維シートに含浸される熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくと一方を含む樹脂材料と

を備えた回路形成基板。

4 2 . 前記第 1の層の密度が 7 0 0〜1 0 0 0 k g /m³の範囲である、請求の範囲第 4 1項に記載の回路形成基板。

4 3 . 前記第 2の層の密度が 5 0 0〜7 0 0 k g Zm³の範囲である、請求の範囲第 4 1または 4 2項に記載の回路形成基板。

4 4. 離型性フィルムをプリプレダシ一卜に貼り合せ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記プリプレダシートに含まれる繊維シートと、

前記繊維シートに含まれる第 1の層と

前記繊維シートに含まれる、前記第 1の層と密度の異なる第 2の層と、前記繊維シートに含浸される、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と

を備えた回路形成基板。

45. 前記第 1の層の密度が 700〜 1000 k gZm³の範囲であり、前記第 2の層の密度が前記第 1の層の密度より低い、請求の範囲第 44項に記載の回路形成基板。

46. 前記第 2の層の密度が 500〜700 kg/m³の範囲である、請求の範囲第 44または 45項に記載の回路形成基板。

47. 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合せ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシ一卜に金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記プリプレダシートに含まれる繊維シ一トと、

前記繊維シートに含まれる、前記繊維シートの最外側の第 1と第 2の層と、前記繊維シートに含まれる、前記第 1と第 2の層に挟まれた、前記第 1と第 2の層より密度の低い第 3の層と、

前記繊維シートに含浸された、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と

を備えた回路形成基板。

48. 前記第 1と第 2の層の密度が 700〜1000 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 47項に記載の回路形成基板。

49. 前記第 3の層の密度が 500〜700 kgZm³の範囲である、請求の範囲第 47または 48項に記載の回路形成基板。

50. 前記繊維シートの表面に形成された、厚さが 1 imから 30 imの範囲の平滑な樹脂層をさらに備えた、請求の範囲第 37〜49項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 1 . 前記プリプレダシートの表面粗さが最大高さ 1 0 以下である、請求の範囲第 3 7〜5 0項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 2 . 前記導電ペーストは、球状導電性粒子を非球状に加工した導電性粒子を備えた、請求の範囲第 3 7〜 5 1項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 3 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシートに未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記離型性フィルムを前記プリプレダシートに貼り合わせるとき、または前記孔を形成するときに前記離型性フィルムと前記プリプレダシー卜との界面に生じた隙間の厚み方向の大きさより大きい長径を有する、前記導電ペーストに含まれる導電性粒子を備えた回路形成基板。

5 4 . 前記導電性粒子は、球状導電性粒子を非球状に加工して形成された、請求の範囲第 5 3項に記載の回路形成基板。

5 5 . 前記導電性粒子は、機械的に外力を加えて変形させる扁平化処理してなる扁平導電性粒子である、請求の範囲第 5 3項に記載の回路形成基板。

5 6 . 前記導電性粒子の長径は前記孔の径より小さい、請求の範囲第 5 3〜 5 5 項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 7 . 前記導電性粒子は銅を主成分とする、請求の範囲第 5 3〜 5 6項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 8 . 前記プリプレダシートは、

繊維シートと、

を備えた、請求の範囲第 3 7〜5 7項のいずれかに記載の回路形成基板。

5 9 . 離型性フィルムをプリプレダシートに貼り合わせ、前記離型性フィルムを備えた前記プリプレダシ一卜に未貫通または貫通の孔を形成し、前記孔に導電べ一ストを充填し、前記離型性フィルムを剥離し、前記プリプレダシートに金属箔を加熱圧接して形成された回路形成基板であって、

前記導電ペーストに含まれる非球状の導電性粒子を備えた回路形成基板。

6 0 . 前記導電性粒子は、球状導電性粒子を非球状に加工して形成された請求の範囲第 5 9項に記載の回路形成基板。

6 1 . 前記導電性粒子は、機械的に外力を加えて変形させる扁平化処理してなる扁平導電性粒子である、請求の範囲第 5 9項に記載の回路形成基板。

6 2 . 前記導電性粒子の長径は前記孔の径より小さい、請求の範囲第 5 9〜6 1 項のいずれかに記載の回路形成基板。

6 3 . 前記導電性粒子は銅を主成分とする、請求の範囲第 5 9〜6 2項のいずれかに記載の回路形成基板。

6 4 . 前記プリプレダシートは、

繊維シ一卜と、

を備えた、請求の範囲第 5 9〜6 3項のいずれかに記載の回路形成基板。

6 5 . 前記金属箔をエッチングして形成された回路をさらに備えた、請求の範囲第 3 7〜 6 4項のいずれかに記載の回路形成基板。

66. 繊維シートと、

前記繊維シートに含浸された、熱可塑性樹脂と未硬ィヒ成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と、

前記繊維シ一ト上に形成され、前記樹脂材料と同一の材料よりなる樹脂層と

を備えた回路形成基板用材料。

67. 前記樹脂層は、前記繊維シートに前記樹脂材料を含浸した時に形成された、請求の範囲第 66項に記載の回路形成基板用材料。

68. 前記樹脂層の厚さが 1 imから 30 の範囲である、請求の範囲第 66 または 67項に記載の回路形成基板用材料。

69. 密度が 700〜 1000k gZm³の範囲である繊維シートと、

を備えた回路形成基板用材料。

70. 繊維シートと、

前記繊維シートに含まれた、前記繊維シートの表層付近の第 1の層と、前記繊維シートに含まれた、前記第 1の層より密度の低い第 2の層と、前記繊維シートに含浸された、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と

を備えた回路形成基板用材料。

71. 前記第 1の層の密度が 700〜 1000 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 70項に記載の回路形成基板用材料。

72. 前記第 2の層の密度が 500〜700 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 70または 71項に記載の回路形成基板用材料。

73. 繊維シートと、

前記繊維シートに含まれた、第 1の層と、

前記繊維シートに含まれた、前記第 1の層と密度の異なる第 2の層と、前記繊維シートに含浸された、熱可塑性樹脂と未硬化成分を含む熱硬化性樹脂とのうち少なくとも一方を含む樹脂材料と

を備えた、回路形成基板用材料。

74. 前記第 1の層の密度が 700〜1000 k gZm³の範囲であり、前記第 2の層は前記第 1の層より密度が低い、請求の範囲第 73項に記載の回路形成基板用材料。

75. 前記第 2の層の密度が 500〜700 kgZm³の範囲である、請求の範囲第 73または 74項に記載の回路形成基板用材料。

76. 繊維シートと、

前記繊維シートに含まれた、前記繊維シ一トの最外側の第 1と第 2の層と、前記繊維シートに含まれた、前記第 1と第 2の層に挟まれた、前記第 1と第 2の層より密度が低い第 3の層と、

前記繊維シ一トに含浸された、熱可塑性樹脂あるいは未硬化成分を含む熱硬化性樹脂のうち少なくとも一方を主体とする樹脂材料と

を備えた回路形成基板用材料。

77. 前記第 1と第 2の層の密度が 700〜 1000 k gZm³の範囲である、請求の範囲第 76項に記載の回路形成基板用材料。

78. 前記第 3の層の密度が 500〜700 kgZm³の範囲である、請求の範囲第 76または 77項に記載の回路形成基板用材料。

79. 前記繊維シート上に形成された、厚さが 1 から 30 mの平滑な樹脂層をさらに備えた、請求の範囲第 6 6〜7 8項のいずれかに記載の回路形成基板用材料。

8 0 . 前記プリプレダシートの表面粗さが、最大高さ 1 0 m以下である請求の範囲第 6 6〜7 9項のいずれかに記載の回路形成基板用材料。