WO2002033597A1

WO2002033597A1 - Electronic device designing supporting apparatus, electronic device designing supporting method, electronic device manufacturing method, and program

Info

Publication number: WO2002033597A1
Application number: PCT/JP2001/008964
Authority: WO
Inventors: Yasuo Furukawa
Original assignee: Advantest Corp
Current assignee: Advantest Corp
Priority date: 2000-10-18
Filing date: 2001-10-11
Publication date: 2002-04-25
Anticipated expiration: 2003-04-18
Also published as: JP3848255B2; US20030182097A1; JPWO2002033597A1

Description

電子デバイス設計支援装置、電子デス設計支援方法、電子デバイス製造方法、及びプログラム

技術分野

本発明は、電子デバイスの設計明支援装置、設計支援方法、電子デバイス製造方法、及びプログラムに関する。特に、電子デバイスの試験開発を支援するシステ田

ム等に関する。また本出願は、下記の日本特許出願に関連する。文献の参照による組み込みが認められる指定国については、下記の出願に記載された内容を参照により本出願に組み込み、本出願の記載の一部とする。

特願 2 0 0 0— 3 1 8 4 6 0 出願日平成 1 2年 1 0月 1 8日

背景技術

近年電子デバイスの機能は、非常に複雑且つ高度になってきており、その試験設計工数は増加の一途を迪つている。このため、電子デバイスの価格に対して、電子デバイスの量産時試験コストの影響が大きくなり、試験関連コス卜の削減が求められていた。

し力、し、従来の試験開発では、電子デバイスの使用に応じた種類の試験手法を用意しなければならず、新規デバイスが開発されるたびに異なる周辺回路や新規の測定ユニットの開発が必要であった。そのため、図 1に示すような工程でなされていた。図 1で示す試験開発では、電子デバイスのサンプルを作成後に試験開発を行レ、、試験結果により、電子デバイス及び試験の両方を修正していた。電子デバイスのサンプノレ作成後に電子デバイスの修正を行うため、非効率な試験開発であった。以下、図 1を用いて従来の試験開発を説明する。

図 1は、従来の電子デバイス設計と試験開発を説明するフローチヤ一トである。まず、電子デバイスコンセプトを設計する（S 3 0 0 )。ここでは、電子デバイスの用途等に基づく電子デバイスの概要が設計される。例えば、入出力電圧の上限、入出力周波数の概略が設計される。次に、電子デバイスシステムを設計する（S 3 0 2 )。ここでは、例えば電子デバイスの機能ブロックの設計を行う。次に、電子デバイスの詳細回路設計を行う（S 3 0 4 )。ここでは、 S 3 0 2で設計された機能ブロックに基づいて詳細な回路を設計する。次に設計した回路の検証を行う（S 3 0 6 )。ここでは、設計した回路の動作シミュレートを行い、シミュレト結果に基づいて詳細回路の最適化を行う。

次に、最適化した詳細回路を有する電子デバイスをゥヱハ上に作成する（S 3 1 0 )。次に、作成した電子デバイスの入出力特性等に基づいて、電子デバイスの試験の規格を决定する（S 3 1 2 )。ここでは、例えば電子デバイスの入出力特定等に基づいて必要となる試験における試験パタンの入力特性を決定する。次に、試験規格に基づいて試験プランを作成する（S 3 1 4 )。ここでは、試験プログラム等を作成する。次に、ウェハプロセス（S 3 0 8 ) において作成した、量産前の試作であるエンジニアリングサンプル（E S ) を、 S 3 1 4で作成した試験で検証する（S 3 1 6 )。ここでの検証結果を、 S 3 0 4、 S 3 0 8、 S 3 1 2 , S 3 1 4にフィードバックして電子デバイス及び試験の最適化を行う。また、検証結果を S 3 0 2にフィードバックしてもよい。電子デバイス及び試験の最適化を行った後、電子デバイスの量産となる（S 3 1 8 )。

図 1に関連して説明した従来の電子デバイス設計及び試験開発では、実際に電子デバイスをウェハ上に作成した後、試験開発を行い、電子デバイスと開発した試験に基づいて検証を行っていた。また、検証結果に基づいて電子デバイスの設計や試験の内容を変更していたため、コスト及び時間がかかるものであった。

そこで、本発明が解決しょうとする課題は、電子デバイスの試験設計を電子デバイスの設計時に行い、試験開発を効率的に行うための、電子デバイス設計支援装量、電子デバイス設計支援方法、電子デバイス製造方法、及びプログラムを提供することを目的とする。この目的は、特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。発明の開示

上記問題を解決するため、本発明の第 1の形態は、電子デバイスの設計を支援する設計支援装置であって、電子デバイスの動作をシミュレー卜するデバイス論理データを入力し、格納する手段と、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバィスシミュレート手段と、電子デバィスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パタ^ "ンのデータを生成する試験パターン生成手段と、電子デバィスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、試験装置と電子デバイスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレートする周辺回路シミュレート手段と、試験パタ一ン生成手段が生成した試験パターンを、周辺回路シミュレート手段に与え、更に周辺回路シミュレート手段がシミュレートした結果、周辺回路シミュレート手段が出力するデータを、電子デバイスシミュレート手段に与えることにより、電子デバイスシミュレート手段を動作させ、動作結果を出力させる出力手段とを備えたことを特徴とする設計支援装置を提供する。第 1の形態において、出力手段が出力した動作結果と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づレ、て電子デバィスが出力すべき期待値とを比較する比較手段と、比較手段における比較結果に基づいて、デバイス論理データ、試験パターン生成手段が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する手段とを更に備えてもよい。また、周辺回路の回路パターンの動作をシミュレートする周辺回路論理データを複数種類格納する周辺回路デタベースを更に備え、周辺回路シミュレート手段は、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、周辺回路データベースから必要な周辺回路の周辺回路論理データを選択することが好ましい。

周辺回路シミュレ一ト手段が選択した周辺回路の少なくとも一部を電子デバイスと同一の半導体基板上に設けた場合の周辺回路の周辺回路論理データと電子デバィスのデバイス論理データとを出力する手段をさらに備えてもよい。また、周辺回路シミュレ一ト手段が選択した周辺回路の回路パターンの少なくとも一部を実現するために必要な基板の設計データを出力する手段を更に備えてもよい。比較結果に基づレ、てデバイス論理データが変更され、変更されたデバイス論理データに基づく比較結果が所定の結果であった場合に、変更されたデバイス論理データに基づく電子デバイスの回路設計データを出力する手段を更に備えてもよい。比較結果が所定の結果であつた場合における、試験パターンを生成する為に必要なパターンデータを出力する手段を更に備えてもよい。

本発明の第 2の形態は、電子デバイスの設計を支援する設計支援方法であって、電子デバイスの動作をシミュレ一トするデバイス論理データを入力し、格納する段階と、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバイスシミュレ一ト段階と、電子デバイスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデータを生成する試験パタン生成段階と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、試験装置と電子デバィスの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレー卜するする周辺回路シミュレ^"ト段階と、試験パターン生成段階が生成した試験パターンを、周辺回路シミュレート段階に与え、更に周辺回路シミュレート段階がシミュレートした結果、周辺回路シミユレ一ト段階が出力するデータを、電子デバイスシミュレ一ト段階に与えることにより、電子デバイスシミュレート段階を動作させ、動作結果を出力させる出力段階とを備えたことを特徴とする設計支援方法を提供する。

第 2の形態において、出力段階が出力した動作結果と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する比較段階と、比較手段における比較結果に基づいて、デバイス論理データ、試験パターン生成段階が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する段階とを更に備えることが好ましい。また、周辺回路シミュレート段階は、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パタ一ンとの相違に基づいて、周辺回路の回路パターンを複数格納した周辺回路データベースから必要な周辺回路の周辺回路論理デタを選択することが好ましい。本発明の第 3の形態は、電子デバイスを製造する製造方法であって、電子デバイスの動作をシミュレー卜するデバイス論理データを入力し、格納する段階と、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバイスシミュレート段階と、電子デバイスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデータを生成する試験パターン生成段階と、電子デバィスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パターンとの相逢に基づいて、試験装置と電子デバイスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレートする周辺回路シミュレート段階と、試験パターンシミュレート段階が生成した試験パターンを、周辺回路シミュレート段階に与え、更に周辺回路シミュレート段階がシミュレートした結果、周辺回路シミュレート段階が出力するデータを、電子デバイスシミュレート段階に与えることにより、電子デバイスシミュレート段階を動作させ、動作結果を出力させる出力段階と、出力段階が出力した動作結果と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する比較段階と、比較段階における比較結果に基づいて、デバイス論理データ、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する手段と、変更されたデバイス論理データ及び周辺回路の回路パタ^"ンに基づいて電子デバイスを製造する手段とを備えることを特徴とする電子デバイス製造方法を提供する。

尚、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又、発明となりうる。図面の簡単な説明

図 1は、従来の電子デバイス設計と試験開発を説明するフローチャートである。

図 2は、本発明に係る電子デバィス設計と試験開発を説明するフローチャートを示す。図 3は、試験開発フローに用いられる電子デバイス設計支援装置 1 0 0の構成の一例を示す。

図 4は、本発明に係る電子デバイス設計支援装置の構成の他の一例を示す。図 5は、設計支援装置として機能するコンピュータの構成の一例を示す。図 6は、本発明に係る電子デバイス設計支援方法のフローチャートの一例を示す。

図 7は、本発明に係る電子デバイス製造方法のフローチヤ"トの一例を示す

発明を実施するための最良の形態

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解决手段に必須であるとは限らない。

図 2は、本発明に係る電子デバイス設計と試験開発を説明するフローチヤ一トを示す。本発明では、電子デバイス設計時に試験開発を行い、電子デバイス設計と試験開発の工数を削減する。まず電子デバイスの概要が決定される（S 1 0 0 )。ここでは、例えば電子デバイスの用途等に基づいた電子デバイスの入出力特性等の概略を決定する。次に、決定された電子デバイスの概要に基づいて電子デバイスの試験規格を决定する（S 1 1 4 )。ここでは例えば電子デバイスの入出力特性、用途等に基づいて必要となる試験の概要、試験における入力特性等を決定する。次に試験プランを作成する（S 1 1 6 )。ここでは例えば試験のプログラムを設計する。次に、作成された試験プランを実現するためのパフォーマンスボード（P B ) 及び周辺回路を作成する（S 1 1 8 )。

また、 S 1 0 0で决定された電子デバイスの概要に基づいて電子デバイスのシステムを設計する（ S 1 0 2 )。ここでは、例えば電子デバィスの機能ブロックの設計を行う。次に、設計したシステムを実現するための詳細回路を設計する（S 1 0 4 )。 S 1 0 4で設計した詳細回路と、 S 1 1 8で作成した P B及び周辺回路を用いて電子デバイスの設計検証を行う（S 1 0 6 )。当該詳細回路と、 P B及び周辺回路を用いて詳細回路の動作シミュレーションを行い、結果を S 1 0 4にフィードバックし、詳細回路の最適化を行う。

次に、最適化した詳細回路を有する電子デバイスをウェハ上に作成する（S 1 0 8 )。電子ビーム露光等によって詳細回路を有する電子デバイスをウェハ上に作成し、エンジニアリングサンプル（E S ) を作成する。作成した E Sと、 P B及び周辺回路を用いて、 E Sの検証を行う（S 1 1 2 )。 S 1 1 2では、 E Sとして作成した電子デバイスの実動作試験を行う。実動作試験の結果を、ウェハプロセス（S 1 0 8 ) にフィードバックし、ウェハプロセスの最適化を行う。最適化されたウェハプロセスによつて作成された電子デバィスを量産し（ S 1 1 2 )、電子デバィスの設計及び試験開発が終了する。本例において説明した電子デバイス設計方法及び試験開発フローによれば、ウェハプロセスにおいて実際に電子デバイスを作成する前に、電子デバイス及び電子デバイスの試験の最適化することが可能である。そのため、電子デバイス設計及び試験開発にかかるコスト、時間等を削減することが可能となる。以下試験開発フロー（S 1 1 4〜S 1 1 8 ) について詳細に説明する。

図 3は、試験開発フローに用いられる電子デバイス設計支援装置 1 0 0の構成の一例を示す。電子デバィス設訐支援装置 1 0 0は、電子デバイスの動作をシミュレ一トするデバイス論理データを入力 ·格納する手段 1 0と、電子デバイスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデータを生成する試験パターン生成手段 1 2と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、試験装置と電子デバイスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレ一トする周辺回路シミュレート手段 1 6と、周辺回路の回路パターンの動作をシミュレ一卜する周辺回路論理データを複数種類格納する周辺回路データベース 2 6と、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作をシミュレ一トする電子デバィスシミュレート手段 1 8と、周辺回路シミュレート手段 1 6が出力した結果を電子デバイスシミュレート手段 1 8に入力し、電子デバイスシミュ L ト手段のシミュレート結果を出力させる出力手段 2 0と、出力手段 2 0が出力した結果と、所定の期待値とを比較する比較手段 2 2と、比較結果に基づいてデバイス論理データ、試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する変更手段 2 4を倫える。

電子デバイスを試験するために用いられるべき試験装置は、一般に性能限界を有し、生成できる試験パターンには一定の制限がある。試験パターン生成手段 1 2は、試験装置の性能限界を考慮した試験パターンを生成する。また、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと、試験パターン生成手段 1 2が生成する試験パタンとの相違を補完するために、周辺回路が設けられる。周辺回路の全部又は一部は、電子デバイスが生成される半導体基板と同一の半導体基板上に設けられてもよい。電子デバイスと同一の半導体基板上に設けられた周辺回路は一般に Built Off Self Test (BOST)と呼ばれる。周辺回路シミュレーション手段 1 6は、試験パタ^ "ン生成手段 1 2が生成した試験パターンが入力され、試験パターンに基づいて周辺回路及び BOSTの動作をシミュレートする。周辺回路シミュレーション手段 1 6は、電子デバイスの試験に必要な試験パターンと試験パターン生成手段 1 2が生成する試験パターンとの相違に基づいて、周辺回路データベースから最適な周辺回路論理データを選択し、選択した周辺回路論理データに基づいて周辺回路及び BOSTの動作をシミュレートする。つまり、周辺回路シミュレーション手段 1 6は、最適な周辺回路を選択し、選択された周辺回路に試験パターン生成手段 1 2が生成した試験パタ一ンが入力された場合の、当該周辺回路の動作をシミュレートする。

電子デバイスシミュレ一ト手段 1 8は、周辺回路シミュレ一ション手段 1 6のシミュレ^"ト結果が入力され、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作シミュレ卜を行う。つまり、電子デバイスシミュレート手段 1 8は、周辺回路シミユレ一ション手段 1 6がシミュレトした周辺回路の出力結果を、デバイス論理デ —タに示される電子デバイスに入力した場合の、電子デバイスの動作をシミュレ一トする。

出力手段 2 0は、電子デバイスシミュレート手段 1 8のシミュレート結果を出力する。すなわち、出力手段 2 0は、試験パターン生成手段 1 2が生成した試験バターンを、周辺回路シミュレト手段 1 6に与え、更に周辺回路シミュレート手段 1 6がシミュレートした結果、周辺回路シミュレ一ト手段 1 6が出力するデータを、電子デバイスシミュレート手段 1 8に与えることにより、電子デバイスシミュレ一ト手段 1 8を動作させ、デバイス論理データに基づく電子デバイスの動作結果を出力させる。

比較手段 2 2は、出力手段 2◦が出力した動作結果と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する。つまり、比較手段 2 2は、試験パターン生成手段 1 2が生成した試験パターンを周辺回路に入力し、周辺回路の出力を電子デバイスに入力した場合の電子デバイスの出力結果が、期待される値であるかを判定する。当該期待値は、試験パターン生成手段 1 2が、生成した試験パターンに基づいて生成するのが好ましい。

変更手段 2 4は、比較手段 2 2における比較結果に基づいて、デバイス論理データ、試験パターン生成手段 1 2が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する。変更手段 2 4は、デバイス論理データ、試験パターン生成手段 1 2が生成する試験パターン、及び周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する場合、デバイス論理データ入力 ·格納手段 1 0、試験バタン生成手段 1 2、及び周辺回路シミュレート手段 1 6の少なくとも一つに、変更するためのデータを与え、デバイス論理データ入力 '格納手段 1 0、試験パターン生成手段 1 2、及び周辺回路シミュレート手段 1 6は、それぞれ変更するべきデバイス論理デタ、試験パターン、及び周辺回路の回路パターンを変更する。この場合、周辺回路シミュレート手段 1 6は、変更するべき周辺回路の回路パターンに対応する周辺回路論理デ一タを周辺回路データベース 2 6から選択する。また、変更するべき周辺回路の回路パターンに対応する周辺回路論理データが周辺回路データベース 2 6に無い場合、当該周辺回路論理データを生成し、周辺回路データベースに格納する周辺回路論理データ生成手段を更に備えてもよい。

また、電子デバイス設計支援装置 1 0 0は、周辺回路シミュレート手段 1 6が選択した周辺回路の少なくとも一部を電子デバィスと同一の半導体基板上に設けた場合の周辺回路の周辺回路論理データと電子デバイスのデバイス論理データとを出力する手段を更に備えてもよい。すなわち、電子デバイス設計支援装置 1 0 0は、 BOSTを含む電子デバイスのデバイス論理データと、周辺回路の周辺回路論理データを出力する手段を更に備えてよい。また、周辺回路シミュレート手段 1 6が選択した周辺回路の回路パターンの少なくとも一部を実現するために必要な基板の設計データを出力する手段を更に備えてもよい。また、比較手段 2 2における比較結果に基づいてデバイス論理データが変更され、変更されたデバイス論理データに基づく比較結果が所定の結果であった場合に、変更されたデバイス論理データに基づく電子デバイスの回路設計データを出力する手段を更に備えてもよい。すなわち、回路設計データを出力する手段は、最適化された電子デバィスの回路設計データを出力する。また、比較手段 2 2における比較結果が所定の結果であった場合における、試験パターンを生成するために必要なパターンデータを出力する手段を更に備えてもよい。すなわち、パターンデータを出力する手段は、最適化された試験パターンを出力する。

上記説明した電子デバイス設計支援装置 1 0 0によれば、電子デバイスの概要に基づくデバイス論理データを用いてシミュレーションすることにより、実際にゥェハに電子デバイスを製造する前に、試験開発を行うことができる。故に、電子デバイスの製作前に、電子デバイスを示すデバイス論理データ、周辺回路を示す周辺回路論理データ、試験パターンを最適化することが可能となり、電子デバイス設計及び試験開発の工数を削減することが可能となる。

図 4は、本発明に係る電子デバイス設計支援装置の構成の他の一例を示す。電子デバイス設訐支援装置 2 0 0は、データベース部 5 4と、シミュレート部 5 6を備える。データベース部 5 4は、テスト手法データベース 2 8、 BOSTデータベース 3 0、周辺回路データベース 3 2、テスタ制限データベース 3 4、新規 BOST設計手段 3 6、新規周辺回路設計手段 3 8、及び回路パターン生成手段 4 0を有する。テスト手法データべ一ス 2 8は、試験パターンやデータの演算方法等を格納する。 BOSTデータベース 3 0は、 BOSTの論理データを複数種類格納する。周辺回路データベース 3 2は、周辺回路の論理データを複数種類格納する。テスタ制限データベース 3 4は、電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置の性能限界を試験装置の種類毎に格納する。新規 BOST設計手段 3 6は、 BOSTデータベース 3 0に格納されていない BOSTの論理データを生成する。新規周辺回路設計手段 3 8は、周辺回路データベース 3 2に格納されていない周辺回路の論理データを生成する。回路パターン生成手段は、電子デバイスの論理データを生成する。新規 BOST設計手段 3 6及び新規周辺回路設計手段 3 8が生成した BOST論理データ及び周辺回路論理データは、 BOSTデータベース 3 0及び周辺回路データべス 3 2に格納されてよい。また、 BOSTデータベース 3 0及び周辺回路データベース 3 2は、図 3に関連して説明した周辺回路デ^"タベス 2 6と同一又は同様の機能及び構成を有してよい。

シミュレート部 5 6は、試験プログラム作成手段 4 2と、理想テスタを用いたシミュレート手段 4 4と、テストモジュールブローカ 4 6と、実テスタを用いたシミュレート手段 4 8と、比較 ·変更手段 5 0を有する。試験プログラム作成手段 4 2 は、電子デバイスの概要に基づいて、テスト手法データベースから、試験パタ^"ンや測定デタの演算方法等を選択し、試験パターン、演算方法を組み込んだ試験プログラムを作成する。

理想テスタを用いたシミュレ一ト手段 4 4は、電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置の性能限界を考慮せずにシミュレートを行う。例えば、無限大の周波数を极え、無限大の電圧、電流を极える信号発生器及び測定器が無限台数使用可能であり、任意の被測定点に測定器を接続できる試験装置を想定してシミュレートを行う。理想テスタを用いたシミュレート手段 4 4は、シミュレ一ト結果に基づいて、試験パターン、演算方法等の検証を行い、試験パターン、演算方法等の最適化を行う。理 ¾Sテスタを用いたシミュレート手段 4 4は、図 3に関連して説明した試験パターン生成手段 1 2と同一又は同様の機能及び構成を有してよい。

テストモジュールブローカ 4 6は、電子デバイスの試験に用いられる試験装置の性能限界をテスタ制限データベースから読みとり、性能限界を補完するための周辺回路及び BOSTの、周辺回路論理データ及び BOST論理データを、周辺回路データベース 3 2及び BOSTデータベース 3 0から選択する。性能限界を補完できる周辺回路及び BOSTの論理データが、周辺回路データベース 3 2及び BOSTデータベース 3 0に格納されていない場合、新規周辺回路設計手段 3 8及び新規 BOST設訐手段 3 6力性能限界を補完できる周辺回路及び BOSTの論理データを生成し、テストモジュールブローカに与えてもよい。また、新規周辺回路設計手段 3 8及び新規 BOST設計手段 3 6が生成した周辺回路及び BOSTの論理データを周辺回路データベース ₃ 2及び BOSTデータベース 3 0に格納してもよレ、。テストモジユールブローカ 4 6は、図 3に関連して説明した周辺回路シミュレート手段と同一又は同様の機能及び構成を有してよい。

実テスタを用いたシミュレ一ト手段 4 8は、電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置の性能限界を考慮したシミュレ ^"トを行う。つまり、テストモジュールブローカ 4 6が試験装置の性能限界を考慮して選択した BOST、周辺回路の論理データ及び、電子デバイスの論理デタ、試験プログラム作成手段が作成した試験プログラムに基づいて、電子デバイスの試験シミュレ ^"トを行う。実テスタを用いたシミュレート手段 4 8は、図 3に関連して説明した周辺回路シミュレート手段 1 6 及び電子デバイスシミュレート手段 1 8と同一又は同様の機能及び構成を有してよい。

比較 '変更手段 5 0は、実テスタを用いたシミュレ一ト手段 4 8においてシミュレートした結果に基づいて、試験パターン、演算方法、周辺回路の論理データ、 BOST の論理データ、電子デバイスの論理データを変更する。変更された試験パタ"ン、演算方法、周辺回路の論理データ、 BOSTの論理データ、電子デバイスの論理デ一タに基づいて、試験プログラム作成手段 4 2は、試験プログラムを新たに生成し、テストモジュールブローカは、 BOST、周辺回路の論理データを選択する。また、回路パターン生成手段 4 0は、変更された電子デバイスの論理データに基づいて、電子デバイスの回路パターンを生成する。上記説明した電子デバイス設計支援装置 200によれば、電子デバイスの作成前に、試験装置の性能限界を考慮した場合に生じる試験上の問題を、試験パターン、演算方法などの試験手法、周辺回路、 BOST、電子デバイスの回路パターンを示す論理データを変更することにより解消し、試験パターン、演算方法などの試験手法、周辺回路、 BOST、電子デバイスの回路パタ "ンを示す論理データを最適化することが可能となる。

また、データベース部 54及びシミュレート部 56は、ネットワークを介して情報の授受を行ってよい。例えば、試験装置メーカがインターネット上にデータべ一ス部 54を配置し、ユーザにシミュレート部 56を供給する形態であってよい。シミュレート部 56は、プログラムであってよく、また当該プログラムによって動作するコンピュータであってよい。また、当該プログラムを格納した記録媒体であつてもよい。

当該プログラムは、コンピュータをシミュレト部 56として機能させる。つまり、当該プログラムは、当該コンピュータを、試験プログラム作成手段 42、理想テスタを用いたシミュレ^"ト手段 44、テストモジュ一ルブローカ 46、実テスタを用いたシミュレート手段 48、及び比較 '変更手段 50として機能させる。

図 5は、シミュレ一ト部 56として機能するコンピュータ 300の構成の一例を示す。コンピュータ 300は、 CPU 700と、 ROM702と、 RAM70 4と、通信ィンターフェース 706と、ハ一ドディスクドライブ 71 0と、 FD ディスクドライブ 71 2と、 CD— ROMドライブ 7 1 6とを備える。 CPU 7 00は、 ROM 702、 RAM 704、ハ"ドディスク 7 10、 FDディスク 7 1 4、及び CD— ROM7 1 8に格納されたプログラムに基づいて動作する。通信ィンターフェース 706は、インターネット等を介してデータベース部 54と通信する。格納装置の一例としてのハードディスクドライブ 71 0は、コンビュータ 300の設定情報及び CPU 700が動作するプログラムを格納する。 RO M702、 RAM 704、及びノ又はノヽ一ドディスクドライブ 7 10は、コンビユータ 200を図 1から図 4に関連して説明したシミュレート部 56として機能させるためのシミュレートプログラムを格納する。フロッピーディスクドライブ 712はフロッピーディスク 714からデータまたはプログラムを読み取り CPU 700に提供する。 CD— ROMドライブ 716は CD— ROM 718からデータまたはプログラムを読み取り CPU 700に提供する。通信インターフエ一ス 706は、インタ一ネット 10に接続してデータを送受信する。

C PU 700が実行するソフトウェアは、フロッピーディスク 7 14または C D-ROM7 1 8等の記録媒体に格納されて利用者に提供される。記録媒体に格納されたソフトウェアは圧縮されていても非圧縮であっても良い。ソフトウェアは記録媒体からハードディスクドライブ 7 1 0にインストールされ、 RAM 70 4に読み出されて C PU 700により実行される。

シミュレートプログラムは、コンピュータ 300を、図 1から図 4に関連して説明した試験プログラム作成手段 42、理想テスタを用いたシミュレ^"ト手段 44、テストモジュールブローカ 46、実テスタを用いたシミュレート手段 48、及び比較 -変更手段 50として機能させる。

例えば、シミュレートプログラムは、 ROM702、 RAM704、ハードディスクドライブ 710、 FDディスク 714、及び/又は CD— ROMに格納され、 CPU 700は、コンピュータ 300をシミュレート部 56として機能させるための演算を行ってよい。また、通信インタフェース 706は、外部に設けられたデータベース部 54と必要なデータの送受信を行う。

また、シミュレ一トプログラムは記録媒体から直接 RAM 704に読み出されて実行されても、ー且ハードディスクドライブ 7 10にィンストールされた後に RAM 704に読み出されて実行されても良い。更に、シミュレートプログラムは単一の記録媒体に格納されても複数の記録媒体に格納されても良い。また記録媒体に格納されるシミュレートプログラムは、ォペレ"ティングシステムとの共同によってそれぞれの機能を提供してもよい。例えば、シミュレートプログラムは、機能の一部または全部を行うことをオペレーティングシステムに依賴し、ォペレ一ティングシステムからの応答に基づいて機能を提供するものであってもよい。

シミュレ一トプログラムを格納する記録媒体としては、フロッピーディスク、 C D— R OMの他にも、 D V D、 P D等の光学記録媒体、 M D等の光磁気記録媒体、テープ媒体、磁気記録媒体、 I Cカードゃミニチュア一力一ドなどの半導体メモリー等を用いることができる。又、専用通信ネットワークやインターネットに接続されたサーバシステムに設けたハードディスクまたは R A M等の格納装置を記録媒体として使用してもよい。

また、シミュレートプログラムは、コンピュータ 3 0 0を図 3に関連して説明した電子デバイス設計支援装置 1 0 0として機能させてよい。つまり、シミュレートプログラムは、コンピュータ 3 0 0をデバイス論理データ入力 '格納手段 1 0、試験パターン生成手段 1 2、周辺回路シミュレ一ト手段 1 6、電子デバイスシミュレート手段 1 8、出力手段 2 0、比較手段 2 2、及び変更手段 2 4として機能させてよい。

図 6は、本発明に係る電子デバィス設計支援方法のフローチャートの一例を示す。まず、デバイス論理データ入力 ·格納段階で電子デバイスの動作をシミュレ^"トするデバイス論理データを入力 ·格納する（S 1 5 0 )。試験パターン生成段階は、試験装置の性能限界を考慮した試験パターンを生成する（S 1 5 2 )。試験パターン生成段階は、図 3に関連して説明した試験パターン生成手段 1 2又は、図 4に関連して説明した試験プログラム作成手段 4 2を用いて、試験パターンを生成してよい。周辺回路シミュレーション段階は、試験パタ^"ン生成段階が生成した試験パタ"ンが入力され、試験パターンに基づいて周辺回路及び BOSTの動作をシミュレ一トする（S 1 5 4 )。周辺回路シミュレーシヨン段階は、電子デバイスの試験に必要な試験パタ一ンと試験パタ一ン生成段階が生成する試験パターンとの相違に基づいて、周辺回路データベースから最適な周辺回路論理データを選択し、選択した周辺回路論理データに基づいて周辺回路及び BOSTの動作をシミュレートする。つまり、周辺回路シミュレーション段階は、最適な周辺回路を選択し、選択された周辺回路に試験パターン生成段階が生成した試験パターンが入力された場合の、当該周辺回路の動作をシミュレートする。周辺回路シミュレート段階は、図 3に関連して説明した周辺回路シミュレート手段又は図 4に関連して説明した実テスタを用いたシミュレート手段 4 8を用いて、周辺回路及び BOSTの動作をシミュレ一トしてよレ、。

電子デバィスシミュレ一ト段階は、周辺回路シミュレーション段階のシミュレ一ト結果が入力され、デバイス論理データに基づいて電子デバイスの動作シミュレ一トを行う（S 1 5 6 )。つまり、電子デバイスシミュレト段階は、周辺回路シミュレーシヨン段階がシミュレ^"トした周辺回路の出力結果を、デバイス論理データに示される電子デバイスに入力した場合の、電子デバイスの動作をシミュレ"トする。電子デバィスシミュレ一ト段階は、図 3に関連して説明した電子デバィスシミュレート手段 1 8又は、図 4に関連して説明した実テスタを用いたシミュレ ^"ト手段 4 8を用いて電子デバイスの動作をシミユレトしてよい。

出力段階は、電子デバイスシミュレート段階のシミュレート結果を出力する（S 1 5 8 )。すなわち、出力段階は、試験パターン生成段階が生成した試験パターンを、周辺回路シミュレ一ト段階に与え、更に周辺回路シミュレ一ト段階がシミュレ一トした結果、周辺回路シミュレート段階が出力するデータを、電子デバイスシミュレート段階に与えることにより、電子デバイスシミュレート段階を動作させ、動作結果を出力させる。出力段階は、図 3に関連して説明した出力手段 2 0を用いてシミユレト結果を出力してよい。

比較段階は、出力段階が出力した動作結果と、電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づいて電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する（S 1 6 0 )。つまり、比較段階は、試験パターン生成段階が生成した試験パターンを周辺回路に入力し、周辺回路の出力を電子デバイスに入力した場合の電子デバイスの出力結果が、期待される値であるかを判定する。当該期待値は、試験パターン生成段階が、生成した試験パターンに基づいて生成してよい。比較段階は、図 3に関連して説明した比較手段 2 2又は図 4に関連して説明した比較 ·変更段階を用いて出力段階が出力した動作結果と、期待値とを比較してよい。

変更段階は、比較段階における比較結果に基づいて、デバイス論理データ、試験パターン生成段階が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも —つを変更する（S 1 6 2 )。変更段階 2 4は、デバイス論理データ、試験パターン生成段階が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する場合、デバイス論理データ入力 ·格納段階、試験パターン生成段階、周辺回路シミュレート段階の少なくとも一つに、変更するためのデータを与え、デバイス論理データ入力 ·格納段階、試験パターン生成段階、周辺回路シミュレート段階は、それぞれ変更するべきデバイス論理データ、試験パターン、周辺回路の回路パターンを変更する。この場合、周辺回路シミュレート段階は、変更するべき周辺回路の回路パターンに対応する周辺回路論理データを、周辺回路論理データを複数種類格納した周辺回路データベースから選択する。また、変更するべき周辺回路の回路パターンに対応する周辺回路論理データが周辺回路データベースに無い場合、当該周辺回路論理デタを生成し、周辺回路データベースに格納する周辺回路論理データ生成段階を更に備えてもよい。変更段階は、図 3に関連して説明した変更手段 2 4 又は図 4に関連して説明した比較 ·変更手段 5 0を用いてデバイス論理データ、試験パターン生成段階が生成する試験パターン、周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更してよレ、。

また、電子デバイス設計支援方法は、周辺回路シミュレート段階が選択した周辺回路の少なくとも一部を電子デバィスと同一の半導体基板上に設けた場合の周辺回路の周辺回路論理データと電子デバイスのデバイス論理データとを出力する段階を更に備えてもよい。すなわち、電子デバイス設計支援方法は、 BOSTを含む電子デバイスのデバイス論理データと、周辺回路の周辺回路論理データを出力する段階を更に備えてよい。また、周辺回路シミュレート段階が選択した周辺回路の回路パタ —ンの少なくとも一都を実現するために必要な基板の設計データを出力する段階を更に備えてもよい。また、比較段階における比較結果に基づいてデバイス論理データが変更され、変更されたデバイス論理データに基づく比較結果が所定の結果であつた場合に、変更されたデバイス論理データに基づく電子デバイスの回路設訐デ一タを出力する段階を更に備えてもよい _n すなわち、最適化された電子デバイスの回路設計データを出力する段階を更に備えてよい。また、比較段階における比較結果が所定の結果であつた場合における、試験パターンを生成するために必要なパターンデータを出力する段階を更に備えてもよい。すなわち、最適化された試験パターンを出力する段階を更に備えてよい。

上記説明した電子デバィス設訐支援方法によれば、電子デバィスの概要に基づくデバイス論理データを用いてシミュレシヨンすることにより、電子デバィス製作前に、試験開発を行うことができる。故に、電子デバイスの製作前に、電子デバィスを示すデバイス論理データ、周辺回路を示す周辺回路論理データ、試験パターンを最適化することが可能となり、電子デバィス設計及び試験開発の工数を削減することが可能となる。

また、図 6に関連して説明した電子デバイス設計支援方法は、図 3又は図 4に関連して説明した電子デバイス設計支援装置を用いてよい。以下、図 4に関連して説明した電子デバイス設計支援装置を用いた場合について説明する。

図 4に関連して説明した電子デバイス設計支援装置 2 0 0のデータべ^"ス部 5 4 はインターネット上に配置され、試験装置メーカが管理する。また、試験装置メー力は、シミュレート部 5 6を試験装置ユーザに供給し、データベース部 5 4とシミユレ一ト部 5 6は、インタ一ネットを介して情報の授受を行う。試験装置ユーザは、理想テスタを仮定して試験設計を行う。このとき、試験装置ユーザは、インターネットを介してテスト手法データベース 2 8にアクセスし、試験プログラム作成手段 4 2を用いて試験プログラムを作成する。次に、理想テスタを用いたシミュレート手段 4 4により、作成した試験プログラムの検証を行う。次に、テストモジュールブロ一力 4 6を用い、電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置の性能限界を考慮した周辺回路、 BOST等を、周辺回路データベース及び BOSTデータベースから選択する。適当な周辺回路、 BOSTの論理データが、データベースに格納されていない場合、試験装置ユーザは、新規 BOST設計手段 3 6及び新規周辺回路設計手段 3 8に、試験プログラム、試験装置の性能限界、電子デバイスの論理データを送信し、新規 BOST設計手段 3 6及び新規周辺回路設計手段 3 8は受信したデータ等に基づいて BOST、周辺回路の論理データを設計し、試験装置ユーザに送信する。得られた BOST、周辺回路の論理データに基づいて、実テスタを用いたシミュレート手段 4 8により、シミュレートを行う。試験装置ユーザは、得られたシミュレート結果を比較 ·変更手段 5 0により評価し、評価結果に基づいて、試験パターン等の必要な変更を行う。得られる評価結果が所定の結果となるまで、変更を繰り返し、試験パターン等の最適化を行う。

図 7は、本発明に係る電子デバイス製造方法のフローチャートの一例を示す。本例におけるデバイス論理データ入力 ·格納段階（S 2 0 0 ) から変更段階（S 2 1 2 ) までは図 5に関連して説明したデバイス論理デタ入力 ·格納段階（S 1 0 0 ) から変更段階（S 1 1 2 ) と同一又は同様なので説明を省略する。電子デバイス製造段階は、変更段階において変更されたデバイス論理データに基づいて電子デバィスを製造する（S 2 1 4 )。電子デバイス製造段階は、図 4に関連して説明した回路パターン生成手段 4 0を用いて電子デバイスの回路パターンを生成し、生成した回路パターンに基づいて電子デバィスを製造してよレ、。

上記説明した電子デバイス製造方法によれば、電子デバイスの設計時に、試験開発を行い、試験開発における試験シミュレートに基づいて、電子デバイスの回路パターンを示すデバィス論理データを最適化することができ、電子デバイスの設計の工数を減少させることが可能となる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。産業上の利用可能性

上記説明から明らかなように、本発明によれば、電子デバイスの設計時に試験開発を行うことが可能となる。そのため、電子デバイスの設計工数と、電子デバイスの試験開発工数を削減することが可能となる。

Claims

請求の範囲

1 . 電子デバイスの設計を支援する設計支援装置であって、

前記電子デバイスの動作をシミュレートするデバイス論理データを入力し、格納する手段と、

前記デバイス論理データに基づいて前記電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバィスシミュレート手段と、

前記電子デバィスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデータを生成する試験パターン生成手段と、

前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記試験装置と前記電子デバィスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パタ"ンの動作をシミュレ一トする周辺回路シミユレ一ト手段と、

前記試験パターン生成手段が生成した試験パターンを、前記周辺回路シミュレ一ト手段に与え、更に前記周辺回路シミュレート手段がシミュレートした結果、前記周辺回路シミュレート手段が出力するデータを、前記電子デバイスシミュレト手段に与えることにより、前記電子デバイスシミュレート手段を動作させ、動作結果を出力させる出力手段と

を備えたことを特徴とする設計支援装置。

2 . 前記出力手段が出力した動作結果と、前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する比較手段と、前記比較手段における比較結果に基づいて、前記デバイス論理データ、前記試験パターン生成手段が生成する試験パターン、前記周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する手段と

を更に備えることを特徴とする請求項 1に記載の設計支援装置。

3 . 前記周辺回路の回路パターンの動作をシミュレ一トする周辺回路論理データを複数種類格納する周辺回路データベースを更に備え、前記周辺回路シミュレート手段は、前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記周辺回路データベースから必要な周辺回路の前記周辺回路論理データを選択することを特徴とする請求項 1又は 2に記載の設計支援装置。

4 . 前記周辺回路シミュレート手段が選択した前記周辺回路の少なくとも一部を前記電子デバィスと同一の半導体基板上に設けた場合の前記周辺回路の前記周辺回路論理データと前記電子デバイスの前記デバイス論理データとを出力する手段をさらに備えることを特徴とする請求項 3に記載の設計支援装置。

5 . 前記周辺回路シミュレート手段が選択した前記周辺回路の回路パターンの少なくとも一部を実現するために必要な基板の設計データを出力する手段を更に備えることを特徴とする請求項 3に記載の設計支援装置。

6 . 前記比較結果に基づいて前記デバイス論理デタが変更され、変更された前記デバイス論理データに基づく前記比較結果が所定の結果であった場合に、前記変更されたデバイス論理デ^ "タに基づく前記電子デバィスの回路設計データを出力する手段を更に備えることを特徴とする請求項 2から 5のいずれかに記載の設訐支援装置。

7 . 前記比較結果が所定の結果であった場合における、前記試験パターンを生成する為に必要なパターンデータを出力する手段を更に備えることを特徴とする請求項 2から 6のいずれかに記載の設計支援装置。

8 . 電子デバイスの設計を支援する設計支援方法であって、

前記電子デバイスの動作をシミュレー卜するデバイス論理データを入力し、格納する段階と、

前記デバイス論理データに基づいて前記電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバィスシミュレート段階と、

前記電子デバィスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデータを生成する試験ノ、°タ一ン生成段階と、

前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記試験装置と前記電子デバィスの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレー卜するする周辺回路シミュレ一ト段階と、

前記試験パターン生成段階が生成した試験パターンを、前記周辺回路シミュレ一ト段階に与え、更に前記周辺回路シミュレート段階がシミュレートした結果、前記周辺回路シミュレート段階が出力するデータを、前記電子デバイスシミュレート段階に与えることにより、前記電子デバイスシミュレート段階を動作させ、動作結果を出力させる出力段階と

を備えたことを特徴とする設計支援方法。

9 . 前記出力段階が出力した動作結果と、前記電子デバィスの試験に必要な試験パターンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する比較段階と、前記比較手段における比較結果に基づいて、前記デバイス論理データ、前記試験パターン生成段階が生成する試験パターン、前記周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する段階と

を更に備えることを特徴とする請求項 8に記載の設計支援方法。

1 0 . 前記周辺回路シミュレート段階は、前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記周辺回路の回路パターンを複数格納した周辺回路データベースから必要な周辺回路の周辺回路論理データを選択することを特徴とする請求項 8又は 9に記載の設計支援方法。

1 1 . 電子デバイスを製造する製造方法であって、

前記電子デバイスの動作をシミュレ一トするデバイス論理データを入力し、格納する段階と、

前記デバイス論理データに基づいて前記電子デバイスの動作をシミュレ卜する電子デバィスシミュレ一ト段階と、

前記電子デバィスを試験するために用いられるべき試験装置が生成することのできる試験パターンのデ一タを生成する試験パターン生成段階と、前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記試験装置と前記電子デバィスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレー卜する周辺回路シミユレ一ト段階と、

前記試験パターンシミュレート段階が生成した試験パターンを、前記周辺回路シミュレ一ト段階に与え、更に前記周辺回路シミュレート段階がシミュレートした結果、前記周辺回路シミュレト段階が出力するデータを、前記電子デバイスシミュレト段階に与えることにより、前記電子デバイスシミュレート段階を動作させ、動作結果を出力させる出力段階と、

前記出力段階が出力した動作結果と、前記電子デバイスの試験に必要な試験バタ —ンに基づいて前記電子デバイスが出力すべき期待値とを比較する比較段階と、前記比較段階における比較結果に基づいて、前記デバイス論理データ、前記周辺回路の回路パターンの少なくとも一つを変更する手段と、

変更された前記デバイス論理データ及び前記周辺回路の回路パターンに基づいて前記電子デバィスを製造する手段と

を備えることを特徴とする電子デバィス製造方法。

1 2 . コンピュータを、電子デバイスの設計を支援する設計支援装置として機能させるプログラムであって、

前記コンピュータを、

前記デバィス論理データに基づいて前記電子デバイスの動作をシミュレートする電子デバィスシミュレート手段と、

前記電子デバイスの試験に必要な試験パターンと前記試験装置が生成することのできる試験パターンとの相違に基づいて、前記試験装置と前記電子デバィスとの間に設けられるべき周辺回路の回路パターンの動作をシミュレ一トする周辺回路シミユレト手段と、

前記試験パターン生成手段が生成した試験パターンを、前記周辺回路シミュレート手段に与え、更に前記周辺回路シミュレート手段がシミュレートした結果、前記周辺回路シミュレ一ト手段が出力するデータを、前記電子デバイスシミュレート手段に与えることにより、前記電子デバイスシミュレート手段を動作させ、動作結果を出力させる出力手段と

して機能させることを特徴とするプログラム。

1 3 . 外部に設けられたデータベースを用いて、電子デバイスの設計を支援する設計支援装置であって、

前記データベースから、前記電子デバィスを試験するべき試験パターンを受け取り、前記試験パタンに基づレ、て前記電子デバィスの試験プログラムを作成する試験プログラム作成手段と、

前記電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置として、実質的に無限大の周波数の信号を极える試験装置を想定し、前記電子デバイスの試験のシミュレートを行い、前記試験プログラムの最適化を行う、理想テスタを用いたシミュレート手段と、

前記電子デバイスの試験に用いられる試験装置の性能の限界と、前記最適化された試験プログラムとに基づいて、前記データベースから、前記試験装置を補完するための周辺回路のデータを読み込むテストモジユーブ口¹"力と、

前記電子デバィスの試験に用レ、られる試験装置の性能の限界と、前記読み込んだ周辺回路のデータとに基づいて、前記電子デバイスの試験のシミュレ一トを行う、実テスタを用いたシミュレート手段と、

前記実テスタを用いたシミュレート手段のシミュレート結果に基づいて、前記試験プログラム及び前記周辺回路のデ^^タを変更する比較変更手段と

を備えることを特徴とする設計支援装置。

1 4 . コンピュータを、外部に設けられたデータベースを用いて、電子デバイスの設計を支援する設計支援装置として機能させるプログラムであって、

前記コンピュータを、

前記データベースから、前記電子デバィスを試験するべき試験パターンを受け取り、前記試験パターンに基づいて前記電子デバイスの試験プログラムを作成する試験プログラム作成手段と、

前記電子デバイスの試験に用いられるべき試験装置として、実質的に無限大の周波数の信号を扱える試験装置を想定し、前記電子デバイスの試験のシミュレートを行い、前記試験プログラムの最適化を行う、理想テスタを用いたシミュレート手段と、

前記電子デバイスの試験に用いられる試験装置の性能の限界と、前記最適化された試験プログラムとに基づいて、前記データべスから、前記試験装置を補完するための周辺回路のデータを読み込むテストモジュールブロ^"力と、

前記電子デバイスの試験に用いられる試験装置の性能の限界と、前記読み込んだ周辺回路のデ一タとに基づいて、前記電子デバイスの試験のシミュレートを行う、実テスタを用いたシミュレート手段と、

前記実テスタを用いたシミュレ一ト手段のシミュレート結果に基づいて、前記試験プログラム及び前記周辺回路のデタを変更する比較変更手段と

して機能させることを特徴とするプログラム。