WO2002001569A1 - Memory control device and memory control method - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a memory control device and a memory control method.
- the present invention relates to a device having a feature of reducing power consumption during a period in which there is no memory access request from a block using a DRAM to a DRAM.
- reference numeral 21 denotes a DRAM used as a means for recording data.
- Reference numeral 25 denotes a clock generator for supplying a clock signal to the DRAM 21.
- Reference numeral 26 denotes a CPU which outputs a control signal for causing the DRAM 21 to shift to self-refresh, issues a clock stop instruction to the clock generator 25, and issues a control instruction to the entire system.
- the CPU 26 performs memory access to the DRAM 21.
- Reference numeral 24 denotes a memory control device that arbitrates memory access to the DRAM 21 from each block that accesses the DRAM 21 and controls the DRAM 21.
- the memory controller 24 outputs a control signal to the DRAM according to a control command from the CPU.
- Reference numeral 27 denotes a block for performing data access to the DRAM 21 via the memory control device 24.
- the DRAM 21 needs to periodically refresh the recorded data in order to keep the recorded data.
- As a method of refreshing there are a method of refreshing from outside the DRAM 21 and a method of automatically refreshing inside the DRAM 21.
- the self refresh mode is a mode in which refresh is automatically performed inside the DRAM 21, and is characterized by lower power consumption than a method in which refresh is performed from outside the DRAM 21. Therefore, when the DRAM 21 is used, if the DRAM 21 is shifted to the self-refresh mode for as long as possible, the effect of reducing the power consumption is increased.
- the transition of the DRAM 21 to the self-refresh mode is performed by receiving a control command from the external CPU 26 or another device as a trigger and causing the memory controller 24 to issue a control signal for causing the DRAM 21 to shift to the self-refresh mode. This is done by outputting.
- the CPU 26 may issue a stop command to the clock generator 25 in order to stop the unnecessary signal for the DRAM 21. I have to.
- the memory controller 24 receives a control command from the CPU 26 or an external trigger.
- the state of memory access to the DRAM 21 from the block 27 using the DRAM 21 cannot be directly known.
- the CPU 26 issues a control instruction and shifts the DRAM 21 to the self-refresh mode
- the CPU 26 disables access to the block 27 that attempts to access the memory control device 24 and then issues a control instruction.
- this method allows memory access for blocks, it actually Even if no access is performed, the DRAM 21 cannot be shifted to the self-refresh mode.
- the DRAM cannot accurately shift to the self-refresh mode during the period in which there is no memory access to the DRAM 21.
- the clock stop is delayed after the DRAM shifts to the self-refresh mode. It causes a time lag.
- the present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and the power consumption can be sufficiently reduced by shifting to a self-refresh mode at an appropriate timing and stopping a clock at an appropriate timing. It is an object of the present invention to provide a memory control device and a memory control method that can be performed. .
- a first aspect of the present invention includes: a management unit for managing data access to a memory;
- a command control circuit for outputting a control signal for shifting the memory to the self-refresh mode or canceling the self-refresh mode.
- the memory control device wherein the command control circuit outputs the control signal based on management of data access by the management unit.
- the management means has a timer circuit for performing counting
- the present invention is characterized in that the command control means outputs the control signal when the data access to the memory is not performed for a predetermined period, and shifts the memory to a self-refresh mode.
- a third aspect of the present invention (corresponding to claim 3) is that the management means has a timer setting circuit for setting the period for performing the counting for the timer circuit. It is.
- the management means selectively accesses a specific one of data from a plurality of data accesses to the memory. This is the invention.
- a fifth aspect of the present invention is the above-mentioned aspect of the present invention in which the selection is performed based on a priority assigned in advance to access to the plurality of data.
- a sixth invention (corresponding to claim 6) is a clock control circuit that outputs a clock signal to the memory.
- a memory control device characterized by at least comprising a command control circuit for receiving a control from the outside and causing a memory to transition to a self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode. is there.
- the clock control circuit stops outputting a quick signal to the memory while the memory is in a self-refresh mode.
- An eighth aspect of the present invention is that the clock control circuit controls the output of a clock signal to the memory based on the external control. is there.
- a ninth aspect of the present invention (corresponding to claim 9) is that, when the memory receives a signal requesting data access to the memory during the self-refresh mode,
- the clock control circuit restarts output of the memory to the memory, and the command control circuit outputs the control signal for releasing the self-refresh mode of the memory. is there.
- a tenth aspect of the present invention includes a management step of managing data access to a memory
- control signal is output based on management of data access in the management step.
- the eleventh invention (corresponding to claim 11) includes a clock control step of outputting a clock signal to a memory;
- a command control step of receiving a control from the outside and causing the memory to transition to the self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode. is there.
- a memory control device comprising: a management unit for managing data access to the memory; To transition to or self This is a program for causing a computer to function as all or part of a command control circuit that outputs a control signal for releasing the refresh mode.
- the memory control device includes a clock control circuit that outputs a clock signal to a memory; It is a program for causing a computer to function as a whole or a part of a command control circuit that outputs a control signal for shifting the memory to a self-refresh mode or outputting a control signal for canceling the self-refresh mode.
- a fourteenth aspect of the present invention is a memory control method according to the first aspect, wherein: a managing step of managing data access to the memory; This is a program for causing a computer to execute all or a part of a command control process for outputting a control signal for shifting or for releasing a self-refresh mode.
- a fifteenth aspect of the present invention includes a clock control step of outputting a clock signal to a memory in the memory control method of the sixth aspect of the present invention
- a sixteenth aspect of the present invention is a memory control device according to the first aspect of the present invention, comprising: a management unit for managing data access to the memory; Command control to output a control signal to shift to the mode or cancel the self-refresh mode
- a management unit for managing data access to the memory
- Command control to output a control signal to shift to the mode or cancel the self-refresh mode
- the seventeenth invention is a memory control device according to the sixth invention, wherein the clock control circuit outputs a clock signal to the memory;
- An eighteenth aspect of the present invention is a memory control method according to the first aspect of the present invention, wherein: a managing step of managing data access to the memory; A command that outputs a control signal for shifting or releasing the self-refresh mode.
- a nineteenth aspect of the present invention is a clock control step of outputting a clock signal to a memory according to the memory control method of the sixth aspect of the present invention.
- a program for causing a computer to execute all or part of a command control step of receiving a control from the outside and shifting the memory to a self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode The medium is characterized by being capable of being processed by a computer.
- the memory control device of the present invention as described above, for example, An arbitration circuit for arbitrating a reaccess request; and a command control circuit for outputting a control signal to the DRAM, wherein when the memory access request signal from the block using the DRAM to the DRAM does not exist for a predetermined period, the DRAM is controlled.
- the mode is characterized in that power consumption is reduced by shifting to a self-refresh mode, and a clock control circuit for controlling a clock to the DRAM is provided in the memory control device, and the DRAM is self-refreshed. The power consumption is reduced by stopping the docking of the DRAM during the mode period.
- the memory is always self-refreshed when the memory access has not been performed for a predetermined period of time, regardless of whether the memory access is permitted to the external block or not. Mode.
- FIG. 1 is a configuration diagram of a memory control device according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a configuration diagram of a memory control device according to a conventional technique.
- FIG. 3 is a diagram for explaining another example of the control means of the present invention. Explanation of reference numerals
- reference numeral 11 denotes a DRAM used as a means for recording data.
- Reference numeral 12 denotes BlocA which outputs a memory access request signal A for accessing the DRAM 11.
- Reference numeral 13 denotes B 1 ock B which outputs a memory access request signal B for accessing the DRAM 11.
- Reference numeral 14 denotes a memory control device that controls a memory access request signal from the Bloc kA12, Bloc kB13, and CPU 16 to the DRAM 1 and controls a clock signal from the clock generation device to the DRAM 11 c
- Reference numeral 15 denotes a clock generator for generating a clock signal.
- Reference numeral 16 denotes a GPU which outputs a memory access request signal C for accessing the DRA Ml 1 and issues a control instruction to the entire system.
- reference numeral 141 denotes a clock control circuit that supplies or stops a clock signal output from the clock generation device 15 to the DRAI 1 in response to a clock stop request signal from the command control circuit 142.
- the instruction 142 controls the memory access from the block to which the memory access is granted by the instruction from the CPU to the DRAM 11 and the arbitration circuit, and the DRAM 11 responds to the self-refresh request signal from the timer circuit 144.
- a command control circuit that outputs a clock stop request signal to stop the quick signal to DRAMI1 after issuing a self-refresh command.
- Arbitration circuit that outputs a memory access permission signal to 144 sets the initial value T1 to the value set by the timer setting circuit 145, counts down at regular intervals TD, resets to the initial value when a timer reset signal is input, and requests a self-refresh when the value becomes 0.
- This is a timer circuit that outputs a signal.
- Reference numeral 145 denotes a timer setting circuit for setting an initial value of the timer circuit 144.
- the operation of the memory control device having the above-described configuration according to the embodiment of the present invention will be described below, and an embodiment of the memory control method of the present invention will be described.
- the BlockA 12, the Bock B 13, and the CPU 16 output a memory access request signal to the memory controller 14 when accessing the DRAM 11.
- the arbitration circuit 143 in the memory control device 14 selects the memory access request signals A, B, and C from among Predetermined A predetermined memory access request signal is selected based on the given priority.
- the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal A.
- the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal C.
- the arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal for notifying the block selected by the above arbitration operation of memory access permission. Power. For example, when the memory access request A is selected by arbitration of the arbitration circuit 143, the arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal A to B1OckA12.
- the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal B, the arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal B to BlockBl3, and further, the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal C. In this case, the arbitration circuit 143 outputs the memory access permission signal C to the CPU 16.
- the arbitration circuit 143 outputs the memory access permission signal A, B or C, and simultaneously outputs the timer reset signal generated by the logical sum of the memory access permission signals A, B and C to the timer circuit 144. . (Equation (2)). (Equation 2)
- Timer reset signal memory access permission signal A I memory access permission signal B I memory access permission signal C
- This timer reset signal indicates that the memory access has been permitted to one of BlocCkA12, B10ckB13, and CPU16.
- the CPU 16 gives the value of the initial value of the timer circuit 144 to the timer setting circuit 145, and the timer setting circuit 145 sets the value given from the CPU 16 as the initial value T1 in the timer circuit 144.
- the timer circuit 144 is initialized to an initial value T1 by a timer reset signal, and is counted down at regular intervals TD. Assuming that the time indicated by the timer circuit 144 is TT, TT is expressed by the following equation (3). In equation (3), N is a natural number.
- ⁇ in the timer circuit 144 When ⁇ in the timer circuit 144 becomes 0, it indicates that the time T1 has elapsed since the last memory access, and the timer circuit 144 outputs a self-refresh request signal to the command control circuit 42.
- the command control circuit 142 issues a self-refresh command, which is one of the control signals, to the DRAM 11 c. Since the clock signal is not required during the self-refresh mode, the command control circuit 142 sends a clock control signal to the clock control circuit 141 to stop the clock signal to the DRAM 11. Outputs a certain clock stop request signal.
- clock The control circuit 141 is a means for controlling whether or not the clock signal input from the clock generator 15 is output to the DRAM 11 or not, and when a clock stop request signal is input from the command control circuit 142, Stop outputting the clock signal to DA RM11.
- the command control circuit 142 outputs a self-refresh mode enable signal to the arbitration circuit 143.
- the arbitration circuit 143 when the memory access request signal is input to the DRAM 11 when the self-refresh mode enable signal is input, the arbitration circuit 143 performs the self-refresh mode of the DRAM 11 A self-refresh release signal is output to the command control circuit 142 in order to release the command.
- the command control circuit 142 When the self-refresh release signal from the arbitration circuit 143 is input to the command control circuit 142, the command control circuit 142 restarts the quick signal supply to the DRAM 11 so that the command control circuit 142 To output a clock stop release signal, and then output a control signal for self-refresh release to DRAM 11.
- the command control circuit 142 disables the self-refresh mode enable signal and stops transmitting the signal.
- the clock control circuit 141 restarts the supply of the clock signal from the clock generation circuit 15 to the DRAM 11.
- the CPU 16 and the command control circuit 142 When shifting the DRAM 11 from the CPU 16 to the self-refresh mode, the CPU 16 and the command control circuit 142 receive one of the control instructions. Is output. When receiving the self-refresh command, the command control circuit 142 issues a self-refresh command, which is one of control signals, to the DRAM 11.
- the CPU 16 when releasing the self-refresh mode of the DRAM 11 from the CPU 16, the CPU 16 outputs a self-refresh release instruction which is one of control instructions to the command control circuit 142.
- the command control circuit 142 When receiving the input of the self-refresh release command, the command control circuit 142 outputs a self-refresh release command, which is one of the control signals, to the DRAM 11.
- the CPU 16 when using the CPU 16 to stop outputting the clock signal to the DRAM 11, the CPU 16 outputs a clock stop instruction, which is one of the control instructions, to the clock control circuit 141. Upon receiving the clock stop command, the clock control circuit 141 stops outputting the clock signal to the DRAM 11.
- the CPU 16 when releasing the suspension of the clock signal to the DRAM 11 using the CPU 16, the CPU 16 outputs to the clock control circuit 141 a clock suspension release instruction which is one of the control instructions.
- the clock control circuit 141 releases the stop of the clock signal to the DRAM 11 and outputs the clock signal from the clock generator 15 to the DRAM 11.
- the memory control The device 14 shifts the DRAM 11 to the Senoref refresh mode at an appropriate timing when there is no memory access to the DRAM 11 for a certain period of time, and is also indispensable when the DRAM 11 is in the self-refresh mode.
- the necessary click signal can be stopped.
- the memory according to the present invention is described as a DRAM.
- the present invention is not limited to this.
- Other examples include an SDRAM (Synchronous DRAM) and an SGRAM (Synchronous GSM).
- SDRAM Serial DRAM
- SGRAM Synchronous GSM
- a memory such as a raphic RAM may be used. That is, any type of memory that performs self-refresh may be used in the present invention.
- each block is provided with a level signal that indicates the presence or absence of memory access, and the memory access is managed by using a level signal management unit that manages the level signal as the management unit of the present invention. You may do so. That is, as shown in FIG. 3, the level signal indicating whether or not each block has a memory access state is set to High when no memory access is performed and Low when performed.
- the level signal management means generates a trigger signal A by taking the logical product of the level signals from the respective blocks of B1lockA and B1lockB. The effect of the present invention can be obtained even if the level signal management means detects a rise of the trigger signal A, outputs a self-refresh request signal, detects a fall, and outputs a self-refresh release signal. .
- the memory control device has been described as including the clock control circuit 141, the command control circuit 142, the arbitration circuit 143, the timer circuit 144, and the timer setting circuit 145.
- the present invention provides a configuration including only the clock control circuit 141 and the command control circuit 142, or a clock control circuit 141, an arbitration circuit 143, and a timer. It may be realized as a configuration including only one circuit 144 and the timer setting circuit 144.
- the former is specialized in the function of controlling the output of the clock signal to the memory in the senor refresh mode in order to stop the clock at the correct timing.
- the refresh mode control operation is performed when the memory has multiple data accesses from outside. Specialized in function.
- the selection of the arbitration circuit 144 for the memory access request signal from the block A 12, the block B 13, and the CPU 16 is based on a predetermined priority.
- the priority may be variable or the number of blocks that issue a memory access request may be one. .
- the memory control device according to the embodiment of the present invention has been described.
- the present invention relates to all or a part of the memory control device of the present invention described above (or the device). , Elements, circuits, units, and the like) by a computer, and may be a program that operates in cooperation with the computer.
- the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the operations of all or some of the steps of the memory control method of the present invention described above.
- the read program may be a medium that executes the above-described operation in cooperation with the computer.
- the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the functions of all or a part of the memory control device of the present invention, and is readable by a computer.
- the read program is a medium that executes the function in cooperation with the computer.
- the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the operations of all or some of the steps of the memory control method of the present invention described above.
- the read program is a medium that executes the above operation in cooperation with the computer.
- One use form of the program of the present invention may be a form in which the program is recorded on a computer-readable recording medium and operates in cooperation with the computer.
- One use form of the program of the present invention is a form that is transmitted through a transmission medium, read by a computer, and operates in cooperation with a computer.
- the data structure of the present invention includes a database, a data format, a data table, a data list, a data type, and the like.
- the recording medium includes ROM and the like
- the transmission medium includes transmission media such as the Internet, light, radio waves, and sound waves.
- the above-described computer of the present invention is not limited to pure hardware such as a CPU, but also includes firmware, an OS, and peripheral devices. There may be.
- the configuration of the present invention may be realized by software or hardware. Industrial applicability
- the memory is shifted to the self-refresh mode at an appropriate timing while the memory is not accessed, and the clock signal to the memory during the self-refresh mode is By stopping the operation, it is possible to provide a memory control device that reduces power consumption.
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Abstract
Description
明 細 書 メモリ制御装置、 メモリ制御方法 技術分野 Description Memory control device, memory control method
本発明は、 メモリ制御装置およびメモリ制御方法に関するものであり The present invention relates to a memory control device and a memory control method.
、 特に DRAMを使用するプロックから DRAMに対するメモリァクセ ス要求がない期間に消費電力を削減する特徴を有するものに関する。 背景技術 In particular, the present invention relates to a device having a feature of reducing power consumption during a period in which there is no memory access request from a block using a DRAM to a DRAM. Background art
従来の技術によるメモリ制御装置について、 図 2を用いて説明する。 図 2において、 21はデータを記録するための手段として用いる DR AMである。 25は DRAM21へのク口ック信号を供給するクロック 発生装置である。 26は DRAM 21に対してセルフリフレッシュに移 行させるための制御信号の出力、 クロック発生装置 25に対してクロッ ク停止命令の発行、 そしてシステム全体に対して制御命令を発行する C PUである。 また、 C PU 26は DRAM21に対してメモリアクセス を行う。 24は DRAM 21にメモリアクセスを行う各ブロックから D RAM 21へのメモリアクセスを調停し、 DRAM 21を制御するメモ リ制御装置である。 また、 メモリ制御装置 24は CPUからの制御命令 にしたがって DRAMに対して制御信号を出力する。 また、 27はメモ リ制御装置 24を介して DRAM 21に対しデータアクセスを行うプロ ックである。 - 以上のような構成を有する従来の技術によるメモリ制御装置の動作を 、 以下に説明する。 DRAM 21は記録されているデータを保持しつづける目的で、 記録 されているデータを定期的にリフレッシュする必要がある。 このリフレ ッシュする方法としては DRAM 21外部からリフレッシュを行う方法 と、 D RAM 21内部で自動的にリフレッシュを行う方法がある。 セル フリフレッシュモードは DRAM 21内部で自動的にリフレッシュを行 うモードであり、 DRAM 21外部からリフレッシュを行う方法と比較 し消費電力が低いことが特徴である。 したがって、 DRAM21を使用 する際、 DRAM21をできるだけ長くセルフリフレッシュモードに移 行させておけば消費電力の低減効果が大きくなる。 A conventional memory control device will be described with reference to FIG. In FIG. 2, reference numeral 21 denotes a DRAM used as a means for recording data. Reference numeral 25 denotes a clock generator for supplying a clock signal to the DRAM 21. Reference numeral 26 denotes a CPU which outputs a control signal for causing the DRAM 21 to shift to self-refresh, issues a clock stop instruction to the clock generator 25, and issues a control instruction to the entire system. The CPU 26 performs memory access to the DRAM 21. Reference numeral 24 denotes a memory control device that arbitrates memory access to the DRAM 21 from each block that accesses the DRAM 21 and controls the DRAM 21. The memory controller 24 outputs a control signal to the DRAM according to a control command from the CPU. Reference numeral 27 denotes a block for performing data access to the DRAM 21 via the memory control device 24. -The operation of the conventional memory control device having the above configuration will be described below. The DRAM 21 needs to periodically refresh the recorded data in order to keep the recorded data. As a method of refreshing, there are a method of refreshing from outside the DRAM 21 and a method of automatically refreshing inside the DRAM 21. The self refresh mode is a mode in which refresh is automatically performed inside the DRAM 21, and is characterized by lower power consumption than a method in which refresh is performed from outside the DRAM 21. Therefore, when the DRAM 21 is used, if the DRAM 21 is shifted to the self-refresh mode for as long as possible, the effect of reducing the power consumption is increased.
従来、 DRAM 21に対するセルフリフレッシュモードへの移行は、 外部の CPU26もしくは他の機器からのトリガとなる制御命令を受け て、 メモリ制御装置 24が DRAM 21にセルフリフレッシュに移行さ せるための制御信号を出力することによって行われる。 また、 DRAM 21をセルフリフレッシュモードに移行させた後、 DRAM 21に必要 ないク口ック信号を停止するために、 CPU26はクロック発生装置 2 5に対してク口ック停止命令を発行するようにしている。 Conventionally, the transition of the DRAM 21 to the self-refresh mode is performed by receiving a control command from the external CPU 26 or another device as a trigger and causing the memory controller 24 to issue a control signal for causing the DRAM 21 to shift to the self-refresh mode. This is done by outputting. After shifting the DRAM 21 to the self-refresh mode, the CPU 26 may issue a stop command to the clock generator 25 in order to stop the unnecessary signal for the DRAM 21. I have to.
ところで、 セルフリフレッシュモードが実行されるためには、 DRA M21にアクセスがされていないことが必須の条件であるが、 メモリ制 御装置 24が CPU26もしくは外部からのトリガとなる制御命令を受 けて DRAMをセルフリフレッシュモードに移行させる時には、 DRA M21を使用するブロック 27からの、 該 DRAM 21へのメモリァク セス状況を直接知ることができない。 例えば、 CPU 26が制御命令を 出して、 DRAM 21をセルフリフレッシュモードに移行させる場合は 、 CPU26が、 メモリ制御装置 24にアクセスしょうとするブロック 27のアクセスを不可能にした後、 制御命令を発行するが、 この方法で は、 ブロックのメモリアクセスを許可しているが、 実際にはメモリァク セスが行われていないという状態においても、 DRAM21をセルフリ フレッシュモードに移行させることはできないことになる。 By the way, in order for the self-refresh mode to be executed, it is indispensable that the DRAM 21 is not accessed, but the memory controller 24 receives a control command from the CPU 26 or an external trigger. When the DRAM is shifted to the self-refresh mode, the state of memory access to the DRAM 21 from the block 27 using the DRAM 21 cannot be directly known. For example, when the CPU 26 issues a control instruction and shifts the DRAM 21 to the self-refresh mode, the CPU 26 disables access to the block 27 that attempts to access the memory control device 24 and then issues a control instruction. Although this method allows memory access for blocks, it actually Even if no access is performed, the DRAM 21 cannot be shifted to the self-refresh mode.
このように、 従来のメモリ制御装置においては、 DRAM 21へのメ モリアクセスがない期間に D RAMは的確にセルフリフレッシュモード に移行することができなかった。 As described above, in the conventional memory control device, the DRAM cannot accurately shift to the self-refresh mode during the period in which there is no memory access to the DRAM 21.
また、 DRAMのクロック制御は CPU 26によって行われているた め、 DRAM21がセルフリフレッシュモードに移行した場合には、 D RAMがセルフリフレッシュモードに移行してから、 遅れてク口ック停 止が行われるという、 タイムラグが生じてしまう。 Also, since the clock control of the DRAM is performed by the CPU 26, when the DRAM 21 shifts to the self-refresh mode, the clock stop is delayed after the DRAM shifts to the self-refresh mode. It causes a time lag.
このように、 従来のメモリ制御装置においては、 DRAMへのァクセ ス状況に応じた的確なタイミングでのセルフリフレッシュモードへの移 行と、 的確なタイミングでのクロック停止をおこなうことができないた め、 消費電力の削減が十分になされていないという問題があった。 発明の開示 As described above, in the conventional memory control device, it is not possible to shift to the self-refresh mode at an accurate timing according to the access status to the DRAM and to stop the clock at the exact timing. There has been a problem that power consumption has not been sufficiently reduced. Disclosure of the invention
本発明は、 上記の問題を解決するためになされたもの あり、 的確な タイミングでのセルフリフレッシュモードへの移行と、 的確なタイミン グでのクロック停止を行うことにより、 消費電力の削減を充分に行うこ とが可能なメモリ制御装置およぴメモリ制御方法等を提供することを目 的とする。 . The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and the power consumption can be sufficiently reduced by shifting to a self-refresh mode at an appropriate timing and stopping a clock at an appropriate timing. It is an object of the present invention to provide a memory control device and a memory control method that can be performed. .
上記の目的を達成するために、 第 1の本発明 (請求項 1に対応) は、 メモリへのデータのアクセスを管理する管理手段と、 To achieve the above object, a first aspect of the present invention (corresponding to claim 1) includes: a management unit for managing data access to a memory;
前記メモリをセルフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセ ルフリフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド 制御回路とを少なくとも備え、 前記コマンド制御回路は、 前記管理手段によるデータのアクセスの管 理に基づき、 前記制御信号を出力することを特徴とするメモリ制御装置 である。 A command control circuit for outputting a control signal for shifting the memory to the self-refresh mode or canceling the self-refresh mode. The memory control device, wherein the command control circuit outputs the control signal based on management of data access by the management unit.
また、 第 2の本発明 (請求項 2に対応) は、 前記管理手段は、 計数を 行うためのタイマー回路を有し、 According to a second aspect of the present invention (corresponding to claim 2), the management means has a timer circuit for performing counting,
前記コマンド制御手段は、 前記メモリへのデータのアクセスが所定の 期間行われない場合に、 前記制御信号を出力し、 前記メモリをセルフリ フレッシュモードに移行させることを特徴とする上記本発明である。 また、 第 3の本発明 (請求項 3に対応) は、 前記管理手段は、 前記タ イマ一回路に対し、 前記計数を行う期間を設定するタィマー設定回路を 有することを特徴とする上記本発明である。 The present invention is characterized in that the command control means outputs the control signal when the data access to the memory is not performed for a predetermined period, and shifts the memory to a self-refresh mode. A third aspect of the present invention (corresponding to claim 3) is that the management means has a timer setting circuit for setting the period for performing the counting for the timer circuit. It is.
また、 第 4の本発明 (請求項 4に対応) は、 前記管理手段は、 前記メ モリへの複数のデータのアクセスから、 特定の 1つのデータを選択的に アクセスさせることを特徴とする上記本発明である。 In a fourth aspect of the present invention (corresponding to claim 4), the management means selectively accesses a specific one of data from a plurality of data accesses to the memory. This is the invention.
また、 第 5の本発明 (請求項 5に対応) は、 前記選択は、 前記複数の データのアクセスに対し、 予め割り当てられた優先順位に基づき行われ る上記本発明である。 A fifth aspect of the present invention (corresponding to claim 5) is the above-mentioned aspect of the present invention in which the selection is performed based on a priority assigned in advance to access to the plurality of data.
また、 第 6の本発明 (請求項 6に対応) は、 前記メモリに対しクロッ ク信号を出力するクロック制御回路と、 . A sixth invention (corresponding to claim 6) is a clock control circuit that outputs a clock signal to the memory.
外部から制御を受け付けて、 メモリをセルフリフレッシュモードに移 行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するための制御 信号を出力するコマンド制御回路とを少なくとも備えたことを特徴とす るメモリ制御装置である。 A memory control device characterized by at least comprising a command control circuit for receiving a control from the outside and causing a memory to transition to a self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode. is there.
また、 第 7の本発明 (請求項 7に対応) は、 前記クロック制御回路は 、 前記メモリがセルフリフレッシュモードである期間、 前記メモリへの ク口ック信号の出力を停止することを特徴とする上記本発明である。 また、 第 8の本発明 (請求項 8に対応) は、 前記クロック制御回路は 、 前記外部からの制御に基づき、 前記メモリへのクロック信号の出力を 制御することを特徴とする上記本発明である。 In a seventh aspect of the present invention (corresponding to claim 7), the clock control circuit stops outputting a quick signal to the memory while the memory is in a self-refresh mode. The present invention described above. An eighth aspect of the present invention (corresponding to claim 8) is that the clock control circuit controls the output of a clock signal to the memory based on the external control. is there.
また、 第 9の本発明 (請求項 9に対応) は、 前記メモリがセルフリフ レッシュモード期間中に、 前記メモリへのデータアクセスを要求する信 号を受け付けた場合、 A ninth aspect of the present invention (corresponding to claim 9) is that, when the memory receives a signal requesting data access to the memory during the self-refresh mode,
前記クロック制御回路は、 前記メモリへのク口ックの出力を再開し、 前記コマンド制御回路は、 前記メモリのセルフリフレッシュモードを 解除する前記制御信号を出力することを特徴とする上記本発明である。 The clock control circuit restarts output of the memory to the memory, and the command control circuit outputs the control signal for releasing the self-refresh mode of the memory. is there.
また、 第 1 0の本発明 (請求項 1 0に対応) は、 メモリへのデータの アクセスを管理する管理工程と、 A tenth aspect of the present invention (corresponding to claim 10) includes a management step of managing data access to a memory;
前記メモリをセルフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセ ルフリフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド 制御工程とを少なくとも備え、 A command control step of outputting a control signal for shifting the memory to the self-refresh mode or canceling the self-refresh mode.
前記コマンド制御工程においては、 前記管理工程によるデータのァク セスの管理に基づき、 前記制御信号を出力することを特徴とするメモリ 制御方法である。 . ' In the command control step, the control signal is output based on management of data access in the management step. '
また、 第 1 1の本発明 (請求項 1 1に対応) は、 メモリに対しクロッ ク信号を出力するクロック制御工程と、 The eleventh invention (corresponding to claim 11) includes a clock control step of outputting a clock signal to a memory;
外部から制御を受け付けて、 メモリをセルフリフレッシュモードに移 行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するための制御 信号を出力するコマンド制御工程とを少なくとも備えたことを特徴とす るメモリ制御方法である。 A command control step of receiving a control from the outside and causing the memory to transition to the self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode. is there.
また、 第 1 2の本発明 (請求項 1 2に対応) は、 第 1の本発明のメモ リ制御装置の、 メモリへのデータのアクセスを管理する管理手段と、 前 記メモリをセルフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセルフ リフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド制御 回路との全部または一部としてコンピュータを機能させるためのプログ ラムである。 According to a twelfth invention (corresponding to claim 12), there is provided a memory control device according to the first invention, comprising: a management unit for managing data access to the memory; To transition to or self This is a program for causing a computer to function as all or part of a command control circuit that outputs a control signal for releasing the refresh mode.
また、 第 1 3の本発明 (請求項 1 3に対応) は、 第 6の本発明のメモ リ制御装置の、 メモリに対しクロック信号を出力するクロック制御回路 と、 外部から制御を受け付けて、 前記メモリをセルフリフレッシュモー ドに移行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するため の制御信号を出力するコマンド制御回路との全部または一部としてコン ピュータを機能させるためのプログラムである。 According to a thirteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 13), the memory control device according to the sixth aspect of the present invention includes a clock control circuit that outputs a clock signal to a memory; It is a program for causing a computer to function as a whole or a part of a command control circuit that outputs a control signal for shifting the memory to a self-refresh mode or outputting a control signal for canceling the self-refresh mode.
また、 第 1 4の本発明 (請求項 1 4に対応) は、 第 1の本発明のメモ リ制御方法の、 メモリへのデータのアクセスを管理する管理工程と、 前記メモリをセルフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセ ルフリフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド 制御工程との全部または一部をコンピュータに実行させるためのプログ ラムである。 A fourteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 14) is a memory control method according to the first aspect, wherein: a managing step of managing data access to the memory; This is a program for causing a computer to execute all or a part of a command control process for outputting a control signal for shifting or for releasing a self-refresh mode.
また、 第 1 5の本発明 (請求項 1 5に対応) は、 第 6の本発明のメモ リ制御方法の、 メモリに対しクロック信号を出力するクロック制御工程 と、 A fifteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 15) includes a clock control step of outputting a clock signal to a memory in the memory control method of the sixth aspect of the present invention
外部から制御を受け付けて、 前記メモリをセルフリフレッシュモード に移行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するための 制御信号を出力するコマンド制御工程との全部またほ一部をコンビユー タに実行させるためのプログラムである。 A command control step of receiving a control from the outside and shifting the memory to the self-refresh mode, or outputting a control signal for canceling the self-refresh mode, and causing the computer to execute all or a part of the command control step. It is a program.
また、 第 1 6の本発明 (請求項 1 6に対応) は、 第 1の本発明のメモ リ制御装置の、 メモリへのデータのアクセスを管理する管理手段と、 前 記メモリをセノレフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセルフ リフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド制御 回路との全部または一部としてコンピュータを機能させるためのプログ ラムを担持した媒体であって、 コンピュータにより処理可能なことを特 徴とする媒体である。 A sixteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 16) is a memory control device according to the first aspect of the present invention, comprising: a management unit for managing data access to the memory; Command control to output a control signal to shift to the mode or cancel the self-refresh mode A medium that carries a program for causing a computer to function as all or part of a circuit, and is a medium characterized by being processable by a computer.
また、 第 1 7の本発明 (請求項 1 7に対応) は、 第 6の本発明のメモ リ制御装置の、 メモリに対しクロック信号を出力するクロック制御回路 と、 外部から制御を受け付けて、 前記メモリをセルフリフレッシュモー ドに移行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するため の制御信号を出力するコマンド制御回路との全部または一部としてコン ピュータを機能させるためのプログラムを担持した媒体であって、 コン ピュータにより処理可能なことを特徴とする媒体である。 The seventeenth invention (corresponding to claim 17) is a memory control device according to the sixth invention, wherein the clock control circuit outputs a clock signal to the memory; A medium carrying a program for causing a computer to function as a whole or a part of a command control circuit for outputting a control signal for shifting the memory to a self-refresh mode or for releasing a self-refresh mode. A medium that can be processed by a computer.
また、 第 1 8の本発明 (請求項 1 8に対応) は、 第 1の本発明のメモ リ制御方法の、 メモリへのデータのアクセスを管理する管理工程と、 前記メモリをセルフリフレッシュモードに移行させるため、 またはセ ルフリフレッシュモードを解除するための制御信号を出力するコマンド 制御工程との全部または一部をコンピュータに実行させるためのプログ ラムを担持した媒体であつて、 コンピュータにより処理可能なことを特 徴とする媒体である。 An eighteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 18) is a memory control method according to the first aspect of the present invention, wherein: a managing step of managing data access to the memory; A command that outputs a control signal for shifting or releasing the self-refresh mode. A medium carrying a program for causing a computer to execute all or part of a command control process, and can be processed by the computer. It is a medium characterized by this.
また、 第 1 9の本発明 (請求項 1 9に対応) は、 第 6の本発明のメモ リ制御方法の、 メモリに対しクロック信号を出力するクロック制御工程 と、 A nineteenth aspect of the present invention (corresponding to claim 19) is a clock control step of outputting a clock signal to a memory according to the memory control method of the sixth aspect of the present invention.
外部から制御を受け付けて、 前記メモリをセルフリフレッシュモード に移行させるため、 またはセルフリフレッシュモードを解除するための 制御信号を出力するコマンド制御工程との全部または一部をコンビユー タに実行させるためのプログラムを担持した媒体であって、 コンビユー タにより処理可能なことを特徴とする媒体である。 A program for causing a computer to execute all or part of a command control step of receiving a control from the outside and shifting the memory to a self-refresh mode or outputting a control signal for releasing the self-refresh mode The medium is characterized by being capable of being processed by a computer.
以上のような本発明のメモリ制御装置は、 例えば、 D R AMへのメモ リアクセス要求を調停する調停回路と、 前記 DRAMに制御信号を出力 するコマンド制御回路を備え、 前記 DRAMを使用するプロックから前 記 DRAMへのメモリアクセス要求信号が一定期間ない時、 前記 DRA Mをセルフリフレッシュモードに移行させることにより、 消費電力を低 減することを特徴としたものであり、 前記メモリ制御装置内に前記 DR AMへのクロックを制御するクロック制御回路を備え、 前記 DRAMが セルフリフレッシュモード期間中に前記 DRAMのク口ックを停止する ことにより、 消費電力を低減することを特徴としたものである。 The memory control device of the present invention as described above, for example, An arbitration circuit for arbitrating a reaccess request; and a command control circuit for outputting a control signal to the DRAM, wherein when the memory access request signal from the block using the DRAM to the DRAM does not exist for a predetermined period, the DRAM is controlled. The mode is characterized in that power consumption is reduced by shifting to a self-refresh mode, and a clock control circuit for controlling a clock to the DRAM is provided in the memory control device, and the DRAM is self-refreshed. The power consumption is reduced by stopping the docking of the DRAM during the mode period.
これによれば、 外部のブロックに対し、 メモリアクセスが許可されて いる力 許可されていないかに関わらず、 メモリアクセスが所定の時間 行われていない場合には、 常にメモリ (DRAM) をセルフリフレツシ ュモードに移行させることができる。 According to this, the memory (DRAM) is always self-refreshed when the memory access has not been performed for a predetermined period of time, regardless of whether the memory access is permitted to the external block or not. Mode.
また、 メモリ (DRAM) へのメモリアクセスがない期間において消 費電力を削減するメモリ制御装置を提供できる。 図面の簡単な説明 Also, it is possible to provide a memory control device that reduces power consumption during a period when there is no memory access to a memory (DRAM). BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1は、 本発明の実施の形態におけるメモリ制御装置の構成図である 図 2は、 従来の技術におけるメモリ制御装置の構成図である。 FIG. 1 is a configuration diagram of a memory control device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a configuration diagram of a memory control device according to a conventional technique.
図 3は、 本発明の制御手段の他の例を説明するための図である。 符号の説明 FIG. 3 is a diagram for explaining another example of the control means of the present invention. Explanation of reference numerals
1 1 DRAM 1 1 DRAM
1 2 B 1 o c k A 1 2 B 1 o c k A
1 3 B 1 o c k B 1 3 B 1 o c k B
14 メモリ制御装置 1 5 クロック発生装置 14 Memory controller 1 5 Clock generator
1 6, 26 CPU 1 6, 26 CPU
21 DRAM 21 DRAM
24 メモリ制御装置 24 Memory controller
25 クロック発生装置 25 Clock generator
141 クロック制御回路 141 Clock control circuit
142 コマンド制御回路 142 Command control circuit
143 調停回路 143 Arbitration circuit
144 タイマー回路 144 timer circuit
145 タイマー設定回路 発明を実施するための最良の形態 145 Timer Setting Circuit BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(実施の形態) (Embodiment)
以下に、 本発明の実態の形態によるメモリ制御装置について、 図 1を 用いて説明する。 Hereinafter, a memory control device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
図 1において、 1 1はデータを記録するための手段として用いる DR AMである。 1 2は DRAM1 1へのアクセスのためにメモリアクセス 要求信号 Aを出力する B l o c kAである。 1 3は DRAM 1 1へのァ クセスのためにメモリアクセス要求信号 Bを出力する B 1 o c k Bであ る。 14は B l o c kA1 2と B l o c kB 13と CPU16力 ら DR AMI 1へのメモリアクセス要求信号を制御し、 また、 クロック発生装 置から DRAM1 1へのクロック信号を制御するメモリ制御装置である c 1 5はクロック信号を発生するクロック発生装置である。 16は DRA Ml 1へのアクセスのためにメモリアクセス要求信号 Cを出力し、 また システム全体に対して制御命令を発行する G PUである。 また、 メモリ制御装置 14において、 141はコマンド制御回路 14 2からのクロック停止要求信号に応じてクロック発生装置 15から D R A I 1に出力されるクロック信号を供給又は停止するクロック制御回 路である。 142は C PUから DRAM1 1への命令と調停回路によつ てメモリアクセスの許可が与えられたブロックからのメモリアクセスを 制御すると共にタイマー回路 144からのセルフリフレッシュ要求信号 に応じて DRAM 1 1にセルフリフレッシュコマンドを発行した後、 D RAMI 1へのク口ック信号を停止するためにクロック停止要求信号を 出力するコマンド制御回路である。 143は B l o c kA12と B l o c kB 13と CPU1 6から DRAM 1 1へのメモリアクセス要求信号 に対してあらかじめ決められた優先順位に基づいて調停を行い、 優先順 位の高いメモリアクセス要求を持つブロックに対してメモリアクセス許 可信号を出力する調停回路である。 144はタイマー設定回路 145に よって設定された値を初期値 T 1とし、 一定間隔 TDでダウンカウント を行い、 タイマーリセット信号が入力すると初期値にリセットされ、 値 が 0となった時セルフリフレッシュ要求信号を出力するタイマー回路で ある。 145はタイマー回路 144の初期値を設定するためのタイマー 設定回路である。 In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a DRAM used as a means for recording data. Reference numeral 12 denotes BlocA which outputs a memory access request signal A for accessing the DRAM 11. Reference numeral 13 denotes B 1 ock B which outputs a memory access request signal B for accessing the DRAM 11. Reference numeral 14 denotes a memory control device that controls a memory access request signal from the Bloc kA12, Bloc kB13, and CPU 16 to the DRAM 1 and controls a clock signal from the clock generation device to the DRAM 11 c Reference numeral 15 denotes a clock generator for generating a clock signal. Reference numeral 16 denotes a GPU which outputs a memory access request signal C for accessing the DRA Ml 1 and issues a control instruction to the entire system. In the memory control device 14, reference numeral 141 denotes a clock control circuit that supplies or stops a clock signal output from the clock generation device 15 to the DRAI 1 in response to a clock stop request signal from the command control circuit 142. The instruction 142 controls the memory access from the block to which the memory access is granted by the instruction from the CPU to the DRAM 11 and the arbitration circuit, and the DRAM 11 responds to the self-refresh request signal from the timer circuit 144. A command control circuit that outputs a clock stop request signal to stop the quick signal to DRAMI1 after issuing a self-refresh command. 143 arbitrates Bloc kA12, Bloc kB13, and a memory access request signal from CPU 16 to DRAM 11 based on a predetermined priority, and has a block with a higher priority memory access request. Arbitration circuit that outputs a memory access permission signal to 144 sets the initial value T1 to the value set by the timer setting circuit 145, counts down at regular intervals TD, resets to the initial value when a timer reset signal is input, and requests a self-refresh when the value becomes 0. This is a timer circuit that outputs a signal. Reference numeral 145 denotes a timer setting circuit for setting an initial value of the timer circuit 144.
以上のような構成を有する、 本発明の実施の形態によるメモリ制御装 置の動作を、 以下に説明するとともに、 これにより、 本発明のメモリ制 御方法の一実施の形態について説明を行う。 B l o c kA12、 B i o c k B 13および C PU 1 6は、 DRAM1 1に対してメモリアクセス をする時、 メモリアクセス要求信号をメモリ制御装置 14に出力する。 このとき、 DRAM1 1へのメモリアクセスは同時に複数の装置から行 うことができないため、 メモリ制御装置 14内の調停回路 143は、 入 力されたメモリアクセス要求信号 A、 B、 Cの中から、 あらかじめ決め られた優先順位に基づいて、 所定のメモリアクセス要求信号を選択する。 例えば、 受け付けるメモリアクセス要求信号の優先順位を下の式 (1 ) のようにあらかじめ決めておいた場合、 メモリアクセス要求信号 A, B, Cがメモリ制御装置 14に同時に入力されると、 調停回路 143は メモリアクセス要求信号 Aを選択する。 また、 メモリアクセス要求信号 B、 Cがメモリ制御装置 14に同時に入力されると、 調停回路 143は メモリアクセス要求信号 Cを選択する。 The operation of the memory control device having the above-described configuration according to the embodiment of the present invention will be described below, and an embodiment of the memory control method of the present invention will be described. The BlockA 12, the Bock B 13, and the CPU 16 output a memory access request signal to the memory controller 14 when accessing the DRAM 11. At this time, since the memory access to the DRAM 11 cannot be performed from a plurality of devices at the same time, the arbitration circuit 143 in the memory control device 14 selects the memory access request signals A, B, and C from among Predetermined A predetermined memory access request signal is selected based on the given priority. For example, if the priority of the memory access request signal to be accepted is determined in advance as in the following equation (1), and the memory access request signals A, B, and C are simultaneously input to the memory controller 14, the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal A. When the memory access request signals B and C are simultaneously input to the memory control device 14, the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal C.
(数 1) (Number 1)
メモリアクセス要求信号 A>メモリアクセス要求信号 C>メモリァク セス要求信号 B ' Memory access request signal A> Memory access request signal C> Memory access request signal B '
" >" は左辺が右辺よりも優先順位が高いことを示す (1) 調停回路 143は、 上記の調停動作によって選択したプロックに対し て、 メモリアクセスの許可を伝えるためのメモリアクセス許可信号を出 力する。 例えば、 調停回路 143の調停によってメモリアクセス要求 A が選択された場合、 調停回路 143は、 B 1 o c k A1 2に対してメモ リアクセス許可信号 Aを出力する。 ">" Indicates that the left side has a higher priority than the right side. (1) The arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal for notifying the block selected by the above arbitration operation of memory access permission. Power. For example, when the memory access request A is selected by arbitration of the arbitration circuit 143, the arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal A to B1OckA12.
同様に、 調停回路 143がメモリアクセス要求信号 Bを選択した場合 、 調停回路 143は B l o c kB l 3に対してメモリアクセス許可信号 Bを出力し、 さらに調停回路 143がメモリアクセス要求信号 Cを選択 した場合は、 調停回路 143は CPU 1 6に対してメモリアクセス許可 信号 Cを出力する。 Similarly, when the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal B, the arbitration circuit 143 outputs a memory access permission signal B to BlockBl3, and further, the arbitration circuit 143 selects the memory access request signal C. In this case, the arbitration circuit 143 outputs the memory access permission signal C to the CPU 16.
次に、 調停回路 143はメモリアクセス許可信号 A, Bまたは Cを出 力すると同時に、 メモリアクセス許可信号 A, B及ぴ Cの論理和で生成 されるタイマーリセッ ト信号をタイマー回路 144に出力する。 (式 ( 2) ) 。 (数 2) Next, the arbitration circuit 143 outputs the memory access permission signal A, B or C, and simultaneously outputs the timer reset signal generated by the logical sum of the memory access permission signals A, B and C to the timer circuit 144. . (Equation (2)). (Equation 2)
タイマーリセット信号 =メモリアクセス許可信号 A Iメモリアクセス 許可信号 B Iメモリアクセス許可信号 C Timer reset signal = memory access permission signal A I memory access permission signal B I memory access permission signal C
" I " は 論理和を示す (2) "I" indicates logical sum (2)
このタイマーリセット信号は、 B l o c kA12、 B 1 0 c k B 1 3 、 C P U 1 6のいずれかに対してメモリアクセスを許可したことを示す ものである。 This timer reset signal indicates that the memory access has been permitted to one of BlocCkA12, B10ckB13, and CPU16.
続いて、 CPU1 6は、 タイマー回路 144の初期値 なる値をタイ マー設定回路 145に与え、 タイマー設定回路 145は、 CPU1 6か ら与えられた値を初期値 T 1としてタイマー回路 144に設定する。 タイマー回路 144は、 タイマーリセット信号によって初期値 T 1に 初期化され、 一定間隔 TDでダウンカウントされる。 タイマー回路 14 4が示す時間を TTとすると、 TTは下の式 (3) で示される。 式 (3 ) で Nは自然数である。 Subsequently, the CPU 16 gives the value of the initial value of the timer circuit 144 to the timer setting circuit 145, and the timer setting circuit 145 sets the value given from the CPU 16 as the initial value T1 in the timer circuit 144. . The timer circuit 144 is initialized to an initial value T1 by a timer reset signal, and is counted down at regular intervals TD. Assuming that the time indicated by the timer circuit 144 is TT, TT is expressed by the following equation (3). In equation (3), N is a natural number.
(数 3) (Equation 3)
TT = T 1一 TDXN (3) TT = T 1-TDXN (3)
タイマー回路 144内の ΤΤが 0となった時、 最後のメモリアクセス から T 1の時間が経過したことを示し、 タイマー回路 144はセルフリ フレッシュ要求信号をコマンド制御回路 42に出力する。 When ΤΤ in the timer circuit 144 becomes 0, it indicates that the time T1 has elapsed since the last memory access, and the timer circuit 144 outputs a self-refresh request signal to the command control circuit 42.
コマンド制御回路 142にタイマー回路 144からのセルフリフレツ シュ要求信号が入力されると、 コマンド制御回路 142は DRAM1 1 に対して、 制御信号の一であるセルフリフレッシュコマンドを発行する c 一方、 DRAM 1 1は、 セルフリフレッシュモード期間中にはクロッ ク信号を必要としないため、 コマンド制御回路 142は DRAM1 1へ のクロック信号を停止するために、 クロック制御回路 141に対し、 ク 口ック制御信号の一であるクロック停止要求信号を出力する。 クロック 制御回路 141はクロック発生装置 1 5から入力されるクロック信号を DRAMl 1に対して出力する力、 しないかを制御する手段であり、 コ マンド制御回路 142からクロック停止要求信号が入力されると、 DA RM1 1へのクロック信号の出力を停止する。 When the self-refresh request signal from the timer circuit 144 is input to the command control circuit 142, the command control circuit 142 issues a self-refresh command, which is one of the control signals, to the DRAM 11 c. Since the clock signal is not required during the self-refresh mode, the command control circuit 142 sends a clock control signal to the clock control circuit 141 to stop the clock signal to the DRAM 11. Outputs a certain clock stop request signal. clock The control circuit 141 is a means for controlling whether or not the clock signal input from the clock generator 15 is output to the DRAM 11 or not, and when a clock stop request signal is input from the command control circuit 142, Stop outputting the clock signal to DA RM11.
次に、 DRAM 1 1がセルフリフレッシュモード期間中には、 コマン ド制御回路 142は、 調停回路 143に対してセルフリフレッシュモー ドィネーブル信号を出力する。 調停回路 143において、'セルフリフレ ッシュモードィネーブル信号が入力されている時、 DRAMl 1に対し てメモリアクセス要求信号が入力された場合は、 調停回路 143は、 D RAM 1 1のセルフリフレッシュモードを解除するために、 コマンド制 御回路 142に対してセルフリフレッシュ解除信号を出力する。 Next, while the DRAM 11 is in the self-refresh mode, the command control circuit 142 outputs a self-refresh mode enable signal to the arbitration circuit 143. In the arbitration circuit 143, when the memory access request signal is input to the DRAM 11 when the self-refresh mode enable signal is input, the arbitration circuit 143 performs the self-refresh mode of the DRAM 11 A self-refresh release signal is output to the command control circuit 142 in order to release the command.
コマンド制御回路 142に調停回路 143からのセルフリフレッシュ 解除信号が入力されると、 コマンド制御回路 142は、 DRAM1 1へ のク口ック信号供給を再開するため、 ク口ック制御回路 141に対して クロック停止解除信号を出力し、 その後、 D RAM 1 1に対してセルフ リフレッシュ解除のための制御信号を出力する。 When the self-refresh release signal from the arbitration circuit 143 is input to the command control circuit 142, the command control circuit 142 restarts the quick signal supply to the DRAM 11 so that the command control circuit 142 To output a clock stop release signal, and then output a control signal for self-refresh release to DRAM 11.
続いて、 コマンド制御回路 142は、 DR AM 1 1のセルフリフレツ シュモードが解除された後、 セルフリフレッシュモードィネーブル信号 をデイスエーブルにし、 信号の発信を停止する。 クロック制御回路 14 1はコマンド制御回路 142からクロック停止解除信号が入力されると 、 DRAMl 1に対する、 クロック発生回路 1 5からのクロック信号の 供給を再開する。 Subsequently, after the self-refresh mode of the DRAM 11 is released, the command control circuit 142 disables the self-refresh mode enable signal and stops transmitting the signal. When receiving the clock stop release signal from the command control circuit 142, the clock control circuit 141 restarts the supply of the clock signal from the clock generation circuit 15 to the DRAM 11.
次に、 C PU 16からの制御によって DRAM 11をセルフリフレツ シュモードに移行させる場合の動作を説明する。 Next, an operation when the DRAM 11 is shifted to the self-refresh mode under the control of the CPU 16 will be described.
C P U 16から DRAM 1 1をセルフリフレッシュモードに移行させ る時は、 C PU 16ほコマンド制御回路 142に対して、 制御命令の一 であるセルフリフレッシュ命令を出力する。 コマンド制御回路 142は セルフリフレッシュ命令の入力を受けると、 DRAM1 1に対して、 制 御信号の一であるセルフリフレッシュコマンドを発行する。 When shifting the DRAM 11 from the CPU 16 to the self-refresh mode, the CPU 16 and the command control circuit 142 receive one of the control instructions. Is output. When receiving the self-refresh command, the command control circuit 142 issues a self-refresh command, which is one of control signals, to the DRAM 11.
次に、 CPU 16から DRAM 1 1のセルフリフレッシュモードを解 除する時、 CPU16はコマンド制御回路 142に対して、 制御命令の 一であるセルフリフレッシュ解除命令を出力する。 コマンド制御回路 1 42は、 セルフリフレッシュ解除命令の入力を受けると、 DRAM1 1 に対して、 制御信号の一であるセルフリフレッシュ解除コマンドを出力 する。 Next, when releasing the self-refresh mode of the DRAM 11 from the CPU 16, the CPU 16 outputs a self-refresh release instruction which is one of control instructions to the command control circuit 142. When receiving the input of the self-refresh release command, the command control circuit 142 outputs a self-refresh release command, which is one of the control signals, to the DRAM 11.
一方、 CPU16を用いて DRAM1 1へのクロック信号の出力を停 止する時は、 CPU 16はクロック制御回路 141に対して、 制御命令 の一であるクロック停止命令を出力する。 ク口ック制御回路 141はク ロック停止命令の入力を受けると、 DRAM1 1へのクロック信号の出 力を停止する。 On the other hand, when using the CPU 16 to stop outputting the clock signal to the DRAM 11, the CPU 16 outputs a clock stop instruction, which is one of the control instructions, to the clock control circuit 141. Upon receiving the clock stop command, the clock control circuit 141 stops outputting the clock signal to the DRAM 11.
そして、 CPU16を用いて DRAM1 1へのクロック信号の停止を 解除する時は、 C PU 1 6はクロック制御回路 141に^して、 制御命 令の一であるクロック停止解除命令を出力する。 クロック制御回路 14 1はクロック停止解除命令の入力を受けると、 DRAM1 1へのクロッ ク信号の停止を解除し、 DRAM1 1へクロック発生装置 15からのク 口ック信号を出力する。 Then, when releasing the suspension of the clock signal to the DRAM 11 using the CPU 16, the CPU 16 outputs to the clock control circuit 141 a clock suspension release instruction which is one of the control instructions. When receiving the clock stop release instruction, the clock control circuit 141 releases the stop of the clock signal to the DRAM 11 and outputs the clock signal from the clock generator 15 to the DRAM 11.
このように、 本実施の形態によれば、 メモリ制御装置 14内に調停回 路 143とタイマー回路 144とコマンド制御回路 142とクロック制 御回路 141とタイマー設定回路 145を備えることにより、 メモリ制 御装置 14は DRAM1 1へのメモリアクセスが一定期間ない時、 DR AM 1 1を的確なタイミングでセノレフリフレッシュモードに移行させ、 また、 DRAM1 1がセルフリフレッシュモード期間中である時に不必 要なク口ック信号を停止することができる。 As described above, according to the present embodiment, by providing the arbitration circuit 143, the timer circuit 144, the command control circuit 142, the clock control circuit 141, and the timer setting circuit 145 in the memory control device 14, the memory control The device 14 shifts the DRAM 11 to the Senoref refresh mode at an appropriate timing when there is no memory access to the DRAM 11 for a certain period of time, and is also indispensable when the DRAM 11 is in the self-refresh mode. The necessary click signal can be stopped.
なお、 実施の形態においては、 本発明のメモリを DRAMとして説明 を行ったが、 これに限定する必要はなく、 他には SDRAM (S y n c h r o nu s D R AM) や S G R AM (S y n c h r o nu s G r a p h i c RAM) といったメモリを用いてもよい。 つまり、 セルフ リフレッシュを行うタイプのメモリであるならば、 種類を問わず本発明 に用いてもよい。 In the embodiment, the memory according to the present invention is described as a DRAM. However, the present invention is not limited to this. Other examples include an SDRAM (Synchronous DRAM) and an SGRAM (Synchronous GSM). A memory such as a raphic RAM) may be used. That is, any type of memory that performs self-refresh may be used in the present invention.
また、 実施の形態においては、 本発明の管理手段の一例として、 タイ マー回路 144、 タイマー設定回路 145、 および調停回路 143が用 いられているものとして説明を行ったが、 他の方式を用いてもよい。 例 えば、 各ブロック毎に、 メモリアクセスの有無を明示するレベル信号を 持たせて、 本発明の管理手段として、 該レベル信号を管理するレベル信 号管理手段を用いることにより、 メモリアクセスを管理するようにして もよい。 すなわち、 図 3に示すように、 各ブロックのメモリアクセス状 態の有無を明示するレベル信号は、 メモリアクセスを行わないときに H i g h、 行うときに Lowとなるようにする。 レベル信号管理手段は、 B l o c k A、 B l o c kBの各ブロックからのレベル信号の論理積を 取り、 トリガ信号 Aを生成する。 レベル信号管理手段は、 トリガ信号 A の立ち上がりを検知して、 セルフリフレッシュ要求信号を出力し、 立ち 下がりを検知して、 セルフリフレッシュ解除信号を出力するようにして も、 本発明の効果は得られる。 Further, in the embodiments, the timer circuit 144, the timer setting circuit 145, and the arbitration circuit 143 have been described as an example of the management unit of the present invention. You may. For example, each block is provided with a level signal that indicates the presence or absence of memory access, and the memory access is managed by using a level signal management unit that manages the level signal as the management unit of the present invention. You may do so. That is, as shown in FIG. 3, the level signal indicating whether or not each block has a memory access state is set to High when no memory access is performed and Low when performed. The level signal management means generates a trigger signal A by taking the logical product of the level signals from the respective blocks of B1lockA and B1lockB. The effect of the present invention can be obtained even if the level signal management means detects a rise of the trigger signal A, outputs a self-refresh request signal, detects a fall, and outputs a self-refresh release signal. .
また、 本実施の形態においては、 メモリ制御装置は、 クロック制御回 路 141, コマンド制御回路 142, 調停回路 143, タイマー回路 1 44, タイマー設定回路 145を備えたものとして説明を行ったが、 本 発明は、 クロック制御回路 141およびコマンド制御回路 142のみを 備えた構成、 またはクロック制御回路 141、 調停回路 143, タイマ 一回路 1 4 4およびタイマー設定回路 1 4 5のみを備えた構成として実 現してもよい。 これら構成のうち、 前者の場合は、 的確なタイミングで のクロック停止を行うため、 セノレフリフレツシュモード中のメモリへの ク口ック信号の出力を制御する機能に特化したものであり、 後者の場合 は、 メモリへのアクセス状況に応じた的確なタイミングでのセルフリフ レッシュモードへの移行を実現するため、 メモリに対し、 外部から複数 のデータのアクセスがある場合のリフレッシュモードの制御動作を行う 機能に特化したものである。 In the present embodiment, the memory control device has been described as including the clock control circuit 141, the command control circuit 142, the arbitration circuit 143, the timer circuit 144, and the timer setting circuit 145. The present invention provides a configuration including only the clock control circuit 141 and the command control circuit 142, or a clock control circuit 141, an arbitration circuit 143, and a timer. It may be realized as a configuration including only one circuit 144 and the timer setting circuit 144. Of these configurations, the former is specialized in the function of controlling the output of the clock signal to the memory in the senor refresh mode in order to stop the clock at the correct timing. In the case of, in order to realize the transition to the self-refresh mode at the appropriate timing according to the access status to the memory, the refresh mode control operation is performed when the memory has multiple data accesses from outside. Specialized in function.
また、 本実施の形態においては、 ブロック A 1 2 , ブロック B 1 3、 C P U 1 6からのメモリアクセス要求信号に対する、 調停回路 1 4 3の 選択は、 予め定められた優先順位に基づくものとしたが、 他には優先順 位が可変であるもの、 または、 メモリアクセス要求をだすブロックがー つであるものであってもよい。 . Further, in the present embodiment, the selection of the arbitration circuit 144 for the memory access request signal from the block A 12, the block B 13, and the CPU 16 is based on a predetermined priority. However, the priority may be variable or the number of blocks that issue a memory access request may be one. .
また、 上記の説明においては、 本発明の実施の形態におけるメモリ制 御装置について説明を行ったが、 本発明は、 上述した本発明のメモリ制 御装置の全部または一部の手段 (または、 装置、 素子、 回路、 部等) の 機能をコンピュータにより実行させるためのプログラムであって、 コン ピュータと協働して動作するプログラムであってもよい。 In the above description, the memory control device according to the embodiment of the present invention has been described. However, the present invention relates to all or a part of the memory control device of the present invention described above (or the device). , Elements, circuits, units, and the like) by a computer, and may be a program that operates in cooperation with the computer.
また、 本発明は、 上述した本発明のメモリ制御方法の全部または一部 のステップの全部または一部の動作をコンピュータにより実行させるた めのプログラムを担持した媒体であり、 コンピュータにより読み取り可 能且つ、 読み取られた前記プログラムが前記コンピュータと協動して前 記動作を実行する媒体であってもよい。 Further, the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the operations of all or some of the steps of the memory control method of the present invention described above. The read program may be a medium that executes the above-described operation in cooperation with the computer.
また、 本発明は、 上述した本発明のメモリ制御装置の全部または一部 の手段の全部または一部の機能をコンピュータにより実行させるための プログラムを担持した媒体であり、 コンピュータにより読み取り可能且 つ、 読み取られた前記プログラムが前記コンピュータと協動して前記機 能を実行する媒体である。 Further, the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the functions of all or a part of the memory control device of the present invention, and is readable by a computer. The read program is a medium that executes the function in cooperation with the computer.
また、 本発明は、 上述した本発明のメモリ制御方法の全部または一部 のステップの全部または一部の動作をコンピュータにより実行させるた めのプログラムを担持した媒体であり、 コンピュータにより読み取り可 能且つ、 読み取られた前記プログラムが前記コンピュータと協動して前 記動作を実行する媒体である。 Further, the present invention is a medium carrying a program for causing a computer to execute all or a part of the operations of all or some of the steps of the memory control method of the present invention described above. The read program is a medium that executes the above operation in cooperation with the computer.
なお、 本発明の一部の手段 (または、 装置、 素子、 回路、 部等) 、 本 発明の一部のステップ (または、 工程、 動作、 作用等) とは、 それらの 複数の手段またはステップの内の、 幾つかの手段またはステップを意味 し、 あるいは、 一^ 3の手段またはステップの内の、 一部の機能または一 部の動作を意味するものである。 - また、 本発明のプログラムを記録した、 コンピュータに読みとり可能 な記録媒体も本発明に含まれる。 Note that some means (or devices, elements, circuits, units, and the like) of the present invention, and some steps (or steps, operations, functions, and the like) of the present invention are defined as a plurality of these means or steps. Means some means or steps, or means some functions or some operations within one third means or steps. -A computer-readable recording medium on which the program of the present invention is recorded is also included in the present invention.
また、 本発明のプログラムの一利用形態は、 コンピュータにより読み 取り可能な記録媒体に記録され、 コンピュータと協働して動作する態様 であっても良い。 One use form of the program of the present invention may be a form in which the program is recorded on a computer-readable recording medium and operates in cooperation with the computer.
また、 本発明のプログラムの一利用形態は、 伝送媒体中を伝送し、 コ ンピュータにより読みとられ、 コンピュータと協働して動作する態様で あっても民い。 One use form of the program of the present invention is a form that is transmitted through a transmission medium, read by a computer, and operates in cooperation with a computer.
また、 本発明のデータ構造としては、 データベース、 データフォーマ ット、 データテーブル、 データリスト、 データの種類などを含む。 Further, the data structure of the present invention includes a database, a data format, a data table, a data list, a data type, and the like.
また、 記録媒体としては、 R OM等が含まれ、 伝送媒体としては、 ィ ンターネット等の伝送媒体、 光 ·電波 ·音波等が含まれる。 The recording medium includes ROM and the like, and the transmission medium includes transmission media such as the Internet, light, radio waves, and sound waves.
また、 上述した本発明のコンピュータは、 C P U等の純然たるハード ウェアに限らず、 ファームウェアや、 O S、 更に周辺機器を含むもので あっても良い。 Further, the above-described computer of the present invention is not limited to pure hardware such as a CPU, but also includes firmware, an OS, and peripheral devices. There may be.
なお、 以上説明した様に、 本発明の構成は、 .ソフトウエア的に実現し ても良いし、 ハードウェア的に実現しても良い。 産業上の利用可能性 As described above, the configuration of the present invention may be realized by software or hardware. Industrial applicability
以上のように、 本発明のメモリ制御装置によれば、 メモリへのメモリ アクセスがない期間、 的確なタイミングでメモリをセルフリフレッシュ モードに移行させ、 また、 セルフリフレッシュモード期間中のメモリへ のクロック信号を停止することにより、 消費電力を低減するメモリ制御 装置を提供することが可能となる。 As described above, according to the memory control device of the present invention, the memory is shifted to the self-refresh mode at an appropriate timing while the memory is not accessed, and the clock signal to the memory during the self-refresh mode is By stopping the operation, it is possible to provide a memory control device that reduces power consumption.
Claims
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| JPH09306164A (en) * | 1996-05-13 | 1997-11-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Memory refresh system |
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2001
- 2001-06-25 WO PCT/JP2001/005413 patent/WO2002001569A1/en not_active Ceased
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