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WO2002047125A1 - Device and method for treating substrates - Google Patents

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Publication number
WO2002047125A1
WO2002047125A1 PCT/EP2001/013904 EP0113904W WO0247125A1 WO 2002047125 A1 WO2002047125 A1 WO 2002047125A1 EP 0113904 W EP0113904 W EP 0113904W WO 0247125 A1 WO0247125 A1 WO 0247125A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
treatment
substrates
basin
heated
radiation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2001/013904
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Thomas Riedel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mattson Wet Products GmbH
Original Assignee
Mattson Wet Products GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mattson Wet Products GmbH filed Critical Mattson Wet Products GmbH
Publication of WO2002047125A1 publication Critical patent/WO2002047125A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Definitions

  • the following invention relates to an apparatus and a method for treating substrates, in particular semiconductor wafers in a treatment tank.
  • Heating the wafers with water vapor is very time consuming and the temperature is difficult to control.
  • Water is applied to the semiconductor wafer.
  • the water can be applied to the wafers before and during a treatment of the wafers with the ozone and is present as a layer on the wafer during the ozone treatment.
  • heating of the process atmosphere and thus of the wafers via heating of the container walls according to the principle of a hot-wall reactor is also provided. Proceeding from the above-mentioned prior art, the present invention is therefore based on the object of providing a device and a method for treating substrates which enables the substrates to be heated rapidly to the required process temperature. Furthermore, the substrates should be kept at the temperature during the treatment process without impairing the treatment process.
  • this object is achieved in a method for treating substrates, in particular semiconductor wafers, in a treatment tank, in which a first, heated fluid for heating the substrates is introduced into the treatment tank, in that the heated fluid is discharged, the substrates with a Radiation source are heated and at least one treatment fluid is introduced into the process container.
  • a good heat transfer from the fluid to the substrate is initially possible in order to bring the substrates quickly to or at least close to their process temperature.
  • the discharge of the first fluid then ensures that it does not interfere with the subsequent treatment of the substrate.
  • the substrates can be further heated by the radiation source or kept constant at their process temperature in a gas / water vapor atmosphere during the subsequent treatment process.
  • the radiation source does not affect the treatment of the substrate and also enables a direct energy coupling to the wafers. This leads to low energy consumption and a quick response of the heating system thus formed.
  • the radiation sources can thus prevent the substrates from cooling during the treatment in a gas / water vapor atmosphere, so that temperature stabilization results.
  • the heated fluid is preferably a liquid, in particular deionized water, since liquids have a higher thermal capacity than gases and thus enable the substrates to be heated up more quickly.
  • the substrates for the subsequent treatment are preferably heated to a temperature in the range from 80 to 100 ° C., and in particular in a range from 85 to 90 ° C.
  • the first fluid is essentially heated to the process temperature of the substrates before it is introduced into the treatment basin, thereby ensuring that the substrates are essentially heated to the process temperature.
  • the first fluid is heated to a higher temperature than the process temperature of the substrates, whereby the heating of the substrates is accelerated.
  • the treatment fluids contain at least ozone and water vapor, which enable organic impurities to be dissolved well. It is known that in the case of an ozone-water vapor treatment, the substrates must be kept at an elevated temperature in order to prevent condensation of the water vapor on the substrates.
  • the radiation source preferably has infrared lamps, since these are inexpensive and enable good heating of the substrates without influencing the treatment process.
  • the object on which the invention is based is also achieved in a device for treating substrates, in particular semiconductor wafers, in a treatment tank by means of a device for introducing and discharging a first, heated liquid, at least one radiation source for heating the
  • the liquid is preferably deionized water, which ensures good heat transfer without impairing the surface of the substrates.
  • the device preferably has a heating device for heating the first liquid before it is introduced into the treatment container in order to provide a substantially closed system.
  • the radiation source is arranged outside the treatment basin in order not to impair the processes in the treatment basin.
  • radiation sources are preferably provided on opposite sides of the treatment basin.
  • the walls of the treatment container have at least partial areas which are transparent to the radiation emanating from the radiation sources.
  • the complete side walls of the treatment container which are adjacent to the radiation sources are preferably transparent to the radiation emanating from the radiation sources, as a result of which energy losses are minimized.
  • the radiation source is arranged within the treatment container in order to enable the substrates to be irradiated as directly as possible.
  • the radiation source in the treatment container is preferably isolated from the treatment fluid in order to prevent damage to the radiation source by the treatment fluids.
  • the substrates are disk-shaped and the radiation sources extend essentially perpendicular to one Wafer plane of the substrates to allow heating of a variety of substrates.
  • Fig. 1 is a schematic perspective view of a treatment device according to the invention
  • Fig. 2 is a schematic side view of a treatment device according to the invention.
  • FIGS. 1 and 2 show a treatment device 1 for semiconductor wafers 2 according to the present invention. Although only one wafer 2 is shown in each of FIGS. 1 and 2, it should be noted that a multiplicity of wafers arranged parallel to one another can be treated in the treatment device 1.
  • the device 1 has a treatment basin 4 which has suitable holding devices for holding the semiconductor wafers 2 during their treatment.
  • Infrared (IR) rod lamps 6 are provided outside the treatment basin.
  • the rod lamps 6, of which 4 are each shown in FIGS. 1 and 2 extend parallel to opposite side walls 7, 8 of the treatment basin 4 and perpendicular to the wafer planes of the wafers 2 accommodated in the basin 4.
  • the treatment basin 4 is made of one with respect to infrared radiation the flashlights 6 transparent material, such as quartz glass, built. It should be noted here that the entire treatment basin does not have to be constructed from quartz glass, rather it would be sufficient to provide strips of a transparent material within the side walls 7, 8 or to form only the side walls 7, 8 from a material transparent to the infrared radiation.
  • the process basin 4 can be closed from above with a corresponding cover 10.
  • the treatment basin 4 is also surrounded by a housing 12 which is open at the top.
  • the inner walls of the housing 12 are reflective of the radiation emanating from the IR lamps in order to reflect the infrared radiation in the direction of the wafers and to achieve the highest possible energy yield of the infrared lamps.
  • a heating device 14 and a liquid reservoir 16 for deionized water are provided outside the housing 12.
  • Deionized water can be introduced via a line 17 to the heating device 14 and from the heating device 14 via a line 18 into the treatment basin 4, as will be described in more detail below.
  • a valve 19 is arranged in the line 18, which can connect the treatment basin 4 to the heating device 14 in order to fill the treatment basin with DI water.
  • the valve 19 can also connect the treatment basin to an outlet line 20 in order to discharge the DI water from the basin.
  • a steam generator 21 is provided, which is connected to the liquid reservoir 16 via a line 22 and to the treatment basin 4 via a line 23.
  • An ozone generator 25 is also connected to the treatment basin 4 via a line 26. Furthermore, an outlet line 28 is provided in order to discharge treatment fluid, in particular ozone, located in the treatment basin 4. The outlet line 28 is connected to suitable catalyst means to prevent ozone from escaping into the environment.
  • the semiconductor wafers 2 are inserted into the empty treatment basin 4 in a suitable manner.
  • the infrared lamps 6 are switched on in order to direct radiation energy into the treatment basin 4 and in particular onto the wafer 2.
  • Deionized water heated in the heating device 14 is introduced into the treatment basin 4 via the line 18.
  • the deionized water has a temperature which is selected to be as high as possible in order to enable the wafers 2 to be heated rapidly.
  • the direct contact of the water with the wafers 2 results in good heat transfer between the water and the wafer.
  • the deionized water is drained from the treatment basin 4.
  • the wafers 2 are only heated via the infrared lamps 6, which are set so that they heat the wafers 2 to a predetermined process temperature, for example in the range from 80 to 100 ° C., and in particular from 85 to 90 ° C. stabilize in this area.
  • a predetermined process temperature for example in the range from 80 to 100 ° C., and in particular from 85 to 90 ° C. stabilize in this area.
  • the ozone-water vapor mixture is discharged from the treatment basin 4 via the outlet line 28.
  • the invention was previously explained with the aid of a preferred exemplary embodiment, without being restricted to the specifically illustrated exemplary embodiment.
  • another heated fluid can be introduced into the treatment basin in order to remove the water contained therein To heat substrates.
  • Other sources of radiation can be used instead of infrared lamps. It is not necessary for the radiation sources to be arranged outside the treatment basin, rather they can also be arranged in the treatment basin itself or extend through the treatment basin, care being taken to ensure that the radiation sources are sealed off from the treatment fluid. to prevent damage to them.
  • the radiation sources could be arranged in quartz tubes extending through the treatment basin. In this case, it is also not necessary for the walls of the treatment basin to be transparent to the radiation emanating from the radiation source.

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Abstract

The aim of the invention is to be able to heat substrates quickly, especially semiconductor wafers, in a treatment basin. To this end, the invention relates to a device and a method for treating substrates, especially semiconductor wafers, in a treatment basin. A first heated liquid is introduced into the treatment basin in order to heat the substrates and is later evacuated, the substrates are heated by a radiation source, and at least one treatment liquid is introduced into the treatment basin.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten Device and method for treating substrates

Die folgende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern in einem Be- handlungsbecken.The following invention relates to an apparatus and a method for treating substrates, in particular semiconductor wafers in a treatment tank.

In der Halbleiterindustrie ist es bekannt, Halbleiterwafern unterschiedlichen Behandlungsschritten in einem Behandlungsbecken auszusetzen. Bei einer dieser Behandlungen werden die Wafer in dem Behandlungsbecken einer O- zon-Wasserdampfmischung ausgesetzt. Eine derartige Ozon- Wasserdampfbehandlung ist beispielsweise aus der nicht vorveröffentlichten, auf die selbe Anmelderin zurückgehenden DE 100 07 439 beschrieben, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Erfindung gemacht wird, um Wiederholungen zu vermeiden. Bei dieser Behandlung müssen die Wafer auf eine erhöhte Temperatur gebracht werden, um zu vermeiden, dass der Wasserdampf auf den Wafern kondensiert, was den Behandlungsvorgang beeinträchtigen kann. Bei der zuvor genannten Anmeldung werden die Wafer über den eingeleiteten Wasserdampf erwärmt, und ferner sind außerhalb des Beckens Heizmittel vorgesehen, um das Behandlungsbecken selbst zu erwärmen.It is known in the semiconductor industry to expose semiconductor wafers to different treatment steps in a treatment tank. In one of these treatments, the wafers in the treatment tank are exposed to an ozone-water vapor mixture. Such an ozone water vapor treatment is described, for example, from DE 100 07 439, which has not been published previously and which goes back to the same applicant, and which is thus made the subject of the present invention in order to avoid repetitions. In this treatment, the wafers must be brought to an elevated temperature to prevent the water vapor from condensing on the wafers, which can interfere with the treatment process. In the aforementioned application, the wafers are heated by the introduced water vapor, and heating means are also provided outside the basin in order to heat the treatment basin itself.

Das Erwärmen der Wafer über den Wasserdampf ist sehr zeitaufwendig und darüber hinaus ist die Temperatur schwer zu steuern.Heating the wafers with water vapor is very time consuming and the temperature is difficult to control.

Ferner ist aus der WO 99/52654 ein Verfahren zum Behandeln von Halblei- terwafern mit Ozon bekannt, bei dem zum Erwärmen der Substrate erhitztesFurthermore, from WO 99/52654 a method for treating semiconductor wafers with ozone is known, in which heated to heat the substrates

Wasser auf die Halbleiterwafer aufgebracht wird. Das Wasser kann vor und während einer Behandlung der Wafer mit dem Ozon auf die Wafer aufgebracht werden und befindet sich während der Ozonbehandlung als Schicht auf dem Wafer. Neben der Erwärmung der Wafer mit dem Wasser ist auch eine Erwärmung der Prozeßatmosphäre und somit der Wafer über eine Erwärmung der Behälterwände nach dem Prinzip eines Hot-Wall Reaktors vorgesehen. Ausgehend von dem oben genannten Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten vorzusehen, die bzw. das eine rasche Erwärmung der Substrate auf die benötigte Prozesstemperatur ermöglicht. Fer- ner sollen die Substrate während des Behandlungsvorgangs auf der Temperatur gehalten werden, ohne den Behandlungsprozeß zu beeinträchtigen.Water is applied to the semiconductor wafer. The water can be applied to the wafers before and during a treatment of the wafers with the ozone and is present as a layer on the wafer during the ozone treatment. In addition to the heating of the wafers with the water, heating of the process atmosphere and thus of the wafers via heating of the container walls according to the principle of a hot-wall reactor is also provided. Proceeding from the above-mentioned prior art, the present invention is therefore based on the object of providing a device and a method for treating substrates which enables the substrates to be heated rapidly to the required process temperature. Furthermore, the substrates should be kept at the temperature during the treatment process without impairing the treatment process.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken, bei dem ein erstes, erhitztes Fluid zum Erwärmen der Substrate in das Behandlungsbecken eingeleitet wird, dadurch gelöst, dass das erhitzte Fluid ausgeleitet wird, die Substrate mit einer Strahlungsquelle erwärmt werden und wenigstens ein Behandlungsfluid in den Prozessbehälter eingeleitet wird. Durch Einleiten der erhitzten Fluids ist zunächst ein guter Wärmetransfer vom Fluid zum Substrat möglich, um die Substrate rasch auf oder zumindest in die Nähe ihrer Prozesstemperatur zu bringen. Das Ausleiten des ersten Fluids stellt dann sicher, dass es die nachfolgende Behandlung des Substrats nicht beeinträchtigt. Durch die Strahlungsquelle können die Substrate weiter erwärmt werden bzw. während des nachfolgenden Behandlungsvorgangs in ei- ner Gas-/Wasserdampfatmosphäre konstant auf ihrer Prozesstemperatur gehalten werden. Die Strahlungsquelle beeinträchtigt die Behandlung des Substrats nicht und ermöglicht ferner eine direkte Energiekopplung zu den Wafern. Dies führt zu einem geringen Energieverbrauch und einem raschen Ansprechverhalten des hierdurch gebildeten Heizsystems.According to the invention, this object is achieved in a method for treating substrates, in particular semiconductor wafers, in a treatment tank, in which a first, heated fluid for heating the substrates is introduced into the treatment tank, in that the heated fluid is discharged, the substrates with a Radiation source are heated and at least one treatment fluid is introduced into the process container. By introducing the heated fluids, a good heat transfer from the fluid to the substrate is initially possible in order to bring the substrates quickly to or at least close to their process temperature. The discharge of the first fluid then ensures that it does not interfere with the subsequent treatment of the substrate. The substrates can be further heated by the radiation source or kept constant at their process temperature in a gas / water vapor atmosphere during the subsequent treatment process. The radiation source does not affect the treatment of the substrate and also enables a direct energy coupling to the wafers. This leads to low energy consumption and a quick response of the heating system thus formed.

Über die Strahlungsquellen kann somit vermieden werden, dass die Substrate bei der Behandlung in einer Gas-/Wasserdampfatmosphäre auskühlen, so- dass sich eine Temperaturstabilisierung ergibt. Im nachfolgenden ist daher, wenn eine Erwärmung der Substrate durch die Strahlungsquellen erwähnt wird, nicht nur eine Temperaturerhöhung der Substrate sondern auch eine Temperaturstabilisierung der Substrate umfasst. Vorzugsweise ist das erhitzte Fluid eine Flüssigkeit, insbesondere deionisiertes Wasser, da Flüssigkeiten gegenüber Gasen eine höhere Wärmekapazität besitzt und somit ein rascheres Aufheizen der Substrate ermöglichen. Vorzugsweise werden die Substrate für die nachfolgende Behandlung auf eine Temperatur im Bereich von 80 bis 100°C, und insbesondere in einen Bereich von 85 bis 90°C erhitzt.The radiation sources can thus prevent the substrates from cooling during the treatment in a gas / water vapor atmosphere, so that temperature stabilization results. In the following, therefore, if heating of the substrates by the radiation sources is mentioned, not only a temperature increase of the substrates but also a temperature stabilization of the substrates is included. The heated fluid is preferably a liquid, in particular deionized water, since liquids have a higher thermal capacity than gases and thus enable the substrates to be heated up more quickly. The substrates for the subsequent treatment are preferably heated to a temperature in the range from 80 to 100 ° C., and in particular in a range from 85 to 90 ° C.

Gemäß einer Ausführungsformel der Erfindung wird das erste Fluid vor dem Einleiten in das Behandlungsbecken im wesentlichen auf die Prozesstempera- tur der Substrate erhitzt, wodurch sichergestellt wird, dass die Substrate im wesentlichen auf die Prozesstemperatur erhitzt werden. Bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung wird das erste Fluid auf eine höhere Temperatur als die Prozeßtemperatur der Substrate erhitzt, wodurch das Erwärmen der Substrate noch beschleunigt wird.According to one embodiment of the invention, the first fluid is essentially heated to the process temperature of the substrates before it is introduced into the treatment basin, thereby ensuring that the substrates are essentially heated to the process temperature. In an alternative embodiment of the invention, the first fluid is heated to a higher temperature than the process temperature of the substrates, whereby the heating of the substrates is accelerated.

Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthalten die Behand- lungsfluids wenigstens Ozon und Wasserdampf, die ein gutes Lösen organischer Verunreinigungen ermöglichen. Es ist bekannt, dass bei einer Ozon- Wasserdampfbehandlung die Substrate auf einer erhöhten Temperatur gehal- ten werden müssen, um eine Kondensation des Wasserdampfs auf den Substraten zu verhindern.In the preferred embodiment of the invention, the treatment fluids contain at least ozone and water vapor, which enable organic impurities to be dissolved well. It is known that in the case of an ozone-water vapor treatment, the substrates must be kept at an elevated temperature in order to prevent condensation of the water vapor on the substrates.

Vorzugsweise weist die Strahlenquelle Infrarotlampen auf, da diese kostengünstig sind und eine gute Erwärmung der Substrate ermöglichen, ohne den Behandlungsvorgang zu beeinflussen.The radiation source preferably has infrared lamps, since these are inexpensive and enable good heating of the substrates without influencing the treatment process.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird auch bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken durch eine Vorrichtung zum Ein- und Ausleiten einer ersten, erhitzten Flüssigkeit, wenigstens eine Strahlungsquelle zum Erwärmen derThe object on which the invention is based is also achieved in a device for treating substrates, in particular semiconductor wafers, in a treatment tank by means of a device for introducing and discharging a first, heated liquid, at least one radiation source for heating the

Substrate im Behandlungsbecken und eine Vorrichtung zum Einleiten wenigstens eines Behandlungsfluids in den Prozessbehälter gelöst. Bei der oben ge- nannten Vorrichtung ergeben sich die schon bezüglich des Verfahrens genannten Vorteile.Solved substrates in the treatment tank and a device for introducing at least one treatment fluid into the process container. At the above The device mentioned has the advantages already mentioned with regard to the method.

Vorzugsweise ist die Flüssigkeit deionisiertes Wasser, das einen guten Wär- metransfer gewährleistet, ohne die Oberfläche der Substrate zu beeinträchtigen.The liquid is preferably deionized water, which ensures good heat transfer without impairing the surface of the substrates.

Vorzugsweise weist die Vorrichtung eine Heizvorrichtung zum Erhitzen der ersten Flüssigkeit vor dem Einleiten in den Behandlungsbehälter auf, um ein im wesentlichen geschlossenes System vorzusehen.The device preferably has a heating device for heating the first liquid before it is introduced into the treatment container in order to provide a substantially closed system.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle außerhalb des Behandlungsbeckens angeordnet, um die Vorgänge im Behandlungsbecken nicht zu beeinträchtigen. Für eine gleichmäßige Erwär- mung der Substrate sind vorzugsweise Strahlungsquellen auf gegenüberliegenden Seiten des Behandlungsbeckens vorgesehen. Um eine direkte Erwärmung der Substrate durch die Strahlungsquellen zu ermöglichen, weisen die Wände des Behandlungsbehälters wenigstens Teilbereiche auf, die für die von den Strahlungsquellen ausgehende Strahlung transparent sind. Dabei sind vorzugsweise die kompletten, benachbart zu den Strahlungsquellen liegenden Seitenwände des Behandlungsbehälters für die von den Strahlungsquellen ausgehende Strahlung transparent, wodurch Energieverluste minimiert werden.According to a preferred embodiment of the invention, the radiation source is arranged outside the treatment basin in order not to impair the processes in the treatment basin. For a uniform heating of the substrates, radiation sources are preferably provided on opposite sides of the treatment basin. In order to enable the substrates to be heated directly by the radiation sources, the walls of the treatment container have at least partial areas which are transparent to the radiation emanating from the radiation sources. In this case, the complete side walls of the treatment container which are adjacent to the radiation sources are preferably transparent to the radiation emanating from the radiation sources, as a result of which energy losses are minimized.

Bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlungsquelle innerhalb des Behandlungsbehälters angeordnet, um eine möglichst direkte Bestrahlung der Substrate zu ermöglichen. Dabei ist die Strahlungsquelle im Behandlungsbehälter vorzugsweise gegenüber dem Behandlungsfluid isoliert um eine Beschädigung der Strahlungsquelle durch die Behandlungsfluide zu verhindern.In an alternative embodiment of the invention, the radiation source is arranged within the treatment container in order to enable the substrates to be irradiated as directly as possible. The radiation source in the treatment container is preferably isolated from the treatment fluid in order to prevent damage to the radiation source by the treatment fluids.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die Substrate scheibenförmig und die Strahlungsquellen erstrecken sich im wesentlichen senkrecht zu einer Scheibenebene der Substrate, um das Erwärmen einer Vielzahl von Substraten zu ermöglichen.In one embodiment of the invention, the substrates are disk-shaped and the radiation sources extend essentially perpendicular to one Wafer plane of the substrates to allow heating of a variety of substrates.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbei- spiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:The invention is explained in more detail below on the basis of a preferred exemplary embodiment with reference to the drawings; show it:

Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht einer erfindungsgemäßen Behandlungsvorrichtung;Fig. 1 is a schematic perspective view of a treatment device according to the invention;

Fig. 2 eine schematische Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Behandlungsvorrichtung.Fig. 2 is a schematic side view of a treatment device according to the invention.

Die Figuren 1 und 2 zeigen eine Behandlungsvorrichtung 1 für Halbleiterwafer 2 gemäß der vorliegenden Erfindung. Obwohl in den Figuren 1 und 2 jeweils nur ein Wafer 2 dargestellt ist, sei bemerkt, dass eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten Wafern in der Behandlungsvorrichtung 1 behandelt werden kann.FIGS. 1 and 2 show a treatment device 1 for semiconductor wafers 2 according to the present invention. Although only one wafer 2 is shown in each of FIGS. 1 and 2, it should be noted that a multiplicity of wafers arranged parallel to one another can be treated in the treatment device 1.

Die Vorrichtung 1 weist ein Behandlungsbecken 4 auf, welches geeignete Hal- tevorrichtungen zum Halten der Halbleiterwafer 2 während ihrer Behandlung aufweist. Außerhalb des Behandlungsbeckens sind lnfrarot-(IR)-Stablampen 6 vorgesehen. Die Stablampen 6 von denen in Figuren 1 und 2 jeweils 4 dargestellt sind, erstrecken sich parallel zu gegenüberliegenden Seitenwänden 7, 8 des Behandlungsbeckens 4 und senkrecht zu den Scheibenebenen der in dem Becken 4 aufgenommenen Wafer 2. Das Behandlungsbecken 4 ist aus einem gegenüber der Infrarotstrahlung der Stablampen 6 transparenten Material, wie beispielsweise Quarzglas, aufgebaut. Dabei sei bemerkt, dass nicht das gesamte Behandlungsbecken aus Quarzglas aufgebaut sein muss, vielmehr würde es ausreichen innerhalb der Seitenwände 7, 8 Streifen aus einem transparenten Material vorzusehen oder auch nur die Seitenwände 7, 8 aus einem für die Infrarotstrahlung transparenten Material auszubilden. Bei der Verwendung anderer Strahlungsquellen zum Erwärmen der Wafer ist es auch möglich, andere, für die Strahlung transparente Materialien vorzusehen. Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, ist das Prozessbecken 4 von oben mit einem entsprechenden Deckel 10 verschließbar. Das Behandlungsbecken 4 ist ferner von einem nach oben geöffneten Gehäuse 12 umgeben. Die Innenwände des Gehäuses 12 sind für die von den IR-Lampen ausgehende Strahlung reflektierend, um die Infrarotstrahlung in Richtung der Wafer zu reflektieren und eine möglichst hohe Energieausbeute der Infrarotlampen zu erreichen.The device 1 has a treatment basin 4 which has suitable holding devices for holding the semiconductor wafers 2 during their treatment. Infrared (IR) rod lamps 6 are provided outside the treatment basin. The rod lamps 6, of which 4 are each shown in FIGS. 1 and 2, extend parallel to opposite side walls 7, 8 of the treatment basin 4 and perpendicular to the wafer planes of the wafers 2 accommodated in the basin 4. The treatment basin 4 is made of one with respect to infrared radiation the flashlights 6 transparent material, such as quartz glass, built. It should be noted here that the entire treatment basin does not have to be constructed from quartz glass, rather it would be sufficient to provide strips of a transparent material within the side walls 7, 8 or to form only the side walls 7, 8 from a material transparent to the infrared radiation. When using other radiation sources for heating the wafers, it is also possible to provide other materials which are transparent to the radiation. As can be seen in FIG. 2, the process basin 4 can be closed from above with a corresponding cover 10. The treatment basin 4 is also surrounded by a housing 12 which is open at the top. The inner walls of the housing 12 are reflective of the radiation emanating from the IR lamps in order to reflect the infrared radiation in the direction of the wafers and to achieve the highest possible energy yield of the infrared lamps.

Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, ist außerhalb des Gehäuses 12 eine Heizvor- richtung 14 sowie ein Flüssigkeitsreservoir 16 für deionisiertes Wasser (Dl- Wasser) vorgesehen. Deionisiertes Wasser kann über eine Leitung 17 zur Heizvorrichtung 14 und von der Heizvorrichtung 14 über eine Leitung 18 in das Behandlungsbecken 4 eingeleitet werden, wie nachfolgend noch näher beschrieben wird. In der Leitung 18 ist ein Ventil 19 angeordnet, daß das Be- handlungsbecken 4 mit der Heizvorrichtung 14 verbinden kann, um das Behandlungsbecken mit Dl-Wasser zu füllen. Alternativ kann das Ventil 19 auch das Behandlungsbecken mit einer Auslaßleitung 20 verbinden, um das Dl- Wasser aus dem Becken auszuleiten.As can be seen in FIG. 2, a heating device 14 and a liquid reservoir 16 for deionized water (DI water) are provided outside the housing 12. Deionized water can be introduced via a line 17 to the heating device 14 and from the heating device 14 via a line 18 into the treatment basin 4, as will be described in more detail below. A valve 19 is arranged in the line 18, which can connect the treatment basin 4 to the heating device 14 in order to fill the treatment basin with DI water. Alternatively, the valve 19 can also connect the treatment basin to an outlet line 20 in order to discharge the DI water from the basin.

Ferner ist ein Dampfgenerator 21 vorgesehen, der über eine Leitung 22 mit dem Flüssigkeitsreservoir 16 und über eine Leitung 23 mit dem Behandlungsbecken 4 in Verbindung steht.Furthermore, a steam generator 21 is provided, which is connected to the liquid reservoir 16 via a line 22 and to the treatment basin 4 via a line 23.

Ein Ozongenerator 25 ist über eine Leitung 26 ebenfalls mit dem Behand- lungsbecken 4 verbunden. Ferner ist eine Auslassleitung 28 vorgesehen, um in dem Behandlungsbecken 4 befindliches Behandlungsfluid, insbesondere Ozon auszuleiten. Die Auslassleitung 28 ist mit geeigneten Katalysatormitteln verbunden, um zu verhindern, dass Ozon in die Umgebung austritt.An ozone generator 25 is also connected to the treatment basin 4 via a line 26. Furthermore, an outlet line 28 is provided in order to discharge treatment fluid, in particular ozone, located in the treatment basin 4. The outlet line 28 is connected to suitable catalyst means to prevent ozone from escaping into the environment.

Nachfolgend wird der Betrieb der Behandlungsvorrichtung 1 anhand der Zeichnungen näher erläutert. Anfangs werden die Halbleiterwafer 2 in geeigneter Weise in das leere Behandlungsbecken 4 eingesetzt. Die Infrarotlampen 6 werden angeschaltet, um Strahlungsenergie in das Behandlungsbecken 4 und insbesondere auf die Wafer 2 zu leiten. Über die Leitung 18 wird in der Heizvorrichtung 14 erhitztes deionisiertes Wasser in das Behandlungsbecken 4 eingeleitet. Dabei besitzt das deionisierte Wasser eine Temperatur, die so hoch wie möglich gewählt ist, um eine rasche Erwärmung der Wafer 2 zu ermöglichen. Durch den direkten Kontakt des Wassers mit den Wafern 2 ergibt sich ein guter Wärmetransfer zwischen Wasser und Wafer. Nach einer bestimmten Zeit, die ausreicht, um die Wafer ausreichend zu erhitzen, wird das deionisierte Wasser aus dem Behandlungsbecken 4 abgelassen. Nun werden die Wafer 2 nur noch über die Infrarotlampen 6 erwärmt, die so eingestellt werden, dass sie die Wafer 2 auf eine vorgegebenen Prozesstemperatur, beispielsweise im Bereich von 80 bis 100°C, und insbesondere von 85 bis 90°C, erwärmen, bzw. in diesem Bereich stabilisieren.The operation of the treatment device 1 is explained in more detail below with reference to the drawings. Initially, the semiconductor wafers 2 are inserted into the empty treatment basin 4 in a suitable manner. The infrared lamps 6 are switched on in order to direct radiation energy into the treatment basin 4 and in particular onto the wafer 2. Deionized water heated in the heating device 14 is introduced into the treatment basin 4 via the line 18. The deionized water has a temperature which is selected to be as high as possible in order to enable the wafers 2 to be heated rapidly. The direct contact of the water with the wafers 2 results in good heat transfer between the water and the wafer. After a certain time which is sufficient to heat the wafers sufficiently, the deionized water is drained from the treatment basin 4. Now the wafers 2 are only heated via the infrared lamps 6, which are set so that they heat the wafers 2 to a predetermined process temperature, for example in the range from 80 to 100 ° C., and in particular from 85 to 90 ° C. stabilize in this area.

Nachdem die Wafer in der obigen Art und Weise auf ihre Behandlungstemperatur erwärmt wurden, wird über die Leitung 23 im Dampfgenerator 21 erzeugter Wasserdampf in das Behandlungsbecken 4 eingeleitet, und über die Lei- tung 26 wird im Ozongenerator 25 erzeugtes Ozon in das Behandlungsbecken 4 eingeleitet. Einzelheiten der Ozon-Wasserdampfbehandlung von Halbleiterwafern sind in der zuvor genannten, auf die selbe Anmelderin zurückgehenden nicht vorveröffentlichten DE 100 07 439 beschrieben, die insofern zum Gegenstand der Erfindung gemacht wird, um Wiederholungen zu vermeiden.After the wafers have been heated to their treatment temperature in the above manner, water vapor generated in the steam generator 21 is introduced into the treatment basin 4 via the line 23, and ozone generated in the ozone generator 25 is introduced into the treatment basin 4 via the line 26. Details of the ozone water vapor treatment of semiconductor wafers are described in the previously mentioned unpublished DE 100 07 439, which goes back to the same applicant, and which is thus made the subject of the invention in order to avoid repetitions.

Nach der Ozon-Wasserdampfbehandlung der Wafer 2 wird die Ozon- Wasserdampfmischung über die Auslassleitung 28 aus dem Behandlungsbecken 4 abgeleitet.After the ozone-water vapor treatment of the wafers 2, the ozone-water vapor mixture is discharged from the treatment basin 4 via the outlet line 28.

Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels erläutert, ohne auf das konkret dargestellte Ausführungsbeispiel beschränkt zu sein. Beispielsweise kann statt deionisiertem Wasser ein anderes erhitztes Fluid in das Behandlungsbecken eingeleitet werden, um die darin befindlichen Substrate zu erwärmen. Ferner ist es auch möglich, die Wafer 2 in ein schon mit erhitzem Fluid gefülltes Behandlungsbecken einzusetzen. Statt Infrarotlampen können andere Strahlungsquellen verwendet werden. Es ist nicht notwendig, daß die Strahlungsquellen außerhalb des Behandlungsbeckens an- geordnet sind, vielmehr können sie auch im Behandlungsbecken selbst angeordnet sein, bzw. sich durch das Behandlungsbecken hindurch erstrecken, wobei darauf geachtet werden sollte, daß die Strahlungsquellen gegenüber dem Behandlungsfluid abgedichtet sind, um eine Beschädigung derselben zu verhindern. Beispielsweise könnten die Strahlungsquellen sich in sich durch das Behandlungsbecken erstreckenden Quarzröhren angeordnet sein. In diesem Fall ist es auch nicht notwendig, dass die Wände des Behandlungsbeckens für die von der Strahlungsquelle ausgehende Strahlung transparent sind. The invention was previously explained with the aid of a preferred exemplary embodiment, without being restricted to the specifically illustrated exemplary embodiment. For example, instead of deionized water, another heated fluid can be introduced into the treatment basin in order to remove the water contained therein To heat substrates. Furthermore, it is also possible to insert the wafers 2 into a treatment tank that is already filled with heated fluid. Other sources of radiation can be used instead of infrared lamps. It is not necessary for the radiation sources to be arranged outside the treatment basin, rather they can also be arranged in the treatment basin itself or extend through the treatment basin, care being taken to ensure that the radiation sources are sealed off from the treatment fluid. to prevent damage to them. For example, the radiation sources could be arranged in quartz tubes extending through the treatment basin. In this case, it is also not necessary for the walls of the treatment basin to be transparent to the radiation emanating from the radiation source.

Claims

Patentansprüche claims 1. Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken, bei dem zum Erwärmen der Substra- te ein erstes, erhitztes Fluid in das Behandlungsbecken eingeleitet wird gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:1. Method for treating substrates, in particular semiconductor wafers, in a treatment basin, in which a first, heated fluid is introduced into the treatment basin to heat the substrate, characterized by the following method steps: - Ausleiten des erhitzten Fluids aus dem Behandlungsbecken;- discharging the heated fluid from the treatment tank; - Erwärmen der Substrate mit einer Strahlungsquelle; und- heating the substrates with a radiation source; and - Einleiten wenigstens eines Behandlungsfluids in das Behandlungs- becken.- Introducing at least one treatment fluid into the treatment basin. 2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das erhitzte Fluid eine Flüssigkeit, insbesondere deionisiertes Wasser, ist.2. The method according to claim 1, characterized in that the heated fluid is a liquid, in particular deionized water. 3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate auf eine Temperatur im Bereich von 80 bis 100°, vorzugsweise in einem Bereich von 85 bis 90° erhitzt werden.3. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the substrates are heated to a temperature in the range from 80 to 100 °, preferably in a range from 85 to 90 °. 4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Fluid vor dem Einleiten in das Behandlungsbecken im wesentlichen auf eine Prozeßtemperatur der Substrate erhitzt wird.4. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the first fluid is heated to a process temperature of the substrates substantially before being introduced into the treatment tank. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Fluid auf eine höhere Temperatur als eine Prozeßtemperatur der Substrate erhitzt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the first fluid is heated to a higher temperature than a process temperature of the substrates. 6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge- kennzeichnet, dass die Behandlungsfluids wenigstens Ozon und Wasserdampf sind. 6. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that the treatment fluids are at least ozone and water vapor. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlenquelle Infrarotlampen (IR-Lampen) aufweist.7. The method according to claim 6, characterized in that the radiation source comprises infrared lamps (IR lamps). 8. Vorrichtung (1 ) zum Behandeln von Substraten (2), insbesondere Halbleiterwafern, in einem Behandlungsbecken (4), gekennzeichnet durch8. The device (1) for treating substrates (2), in particular semiconductor wafers, in a treatment tank (4), characterized by - eine Vorrichtung (14, 18) zum Ein- und Ausleiten einer ersten, erhitzten Flüssigkeit;- A device (14, 18) for introducing and discharging a first, heated liquid; - wenigstens eine Strahlungsquelle (6) zum Erwärmen der Substrate (2) im Behandlungsbecken; und- At least one radiation source (6) for heating the substrates (2) in the treatment basin; and - eine Vorrichtung (21 , 23; 25, 26) zum Einleiten wenigstens eines Behandlungsfluids in das Behandlungsbecken.- A device (21, 23; 25, 26) for introducing at least one treatment fluid into the treatment basin. 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Flüssigkeit deionisiertes Wasser ist.9. The device according to claim 8, characterized in that the first liquid is deionized water. 10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Flüssigkeit eine Temperatur im Bereich von 80 bis 100°, vorzugsweise in einem Bereich von 85 bis 90° aufweist.10. The device according to claim 8 or 9, characterized in that the first liquid has a temperature in the range of 80 to 100 °, preferably in a range of 85 to 90 °. 11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, gekennzeichnet durch eine Heizvorrichtung (14) zum Erhitzen der ersten Flüssigkeit vor dem Einleiten in den Behandlungsbehälter.11. The device according to one of claims 8 to 10, characterized by a heating device (14) for heating the first liquid before being introduced into the treatment container. 12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 11 , dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungsfluids wenigstens Ozon und Wasserdampf sind.12. Device according to one of claims 8 to 11, characterized in that the treatment fluids are at least ozone and water vapor. 13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeich- net, dass die Strahlungsquelle (6) außerhalb des Behandlungsbeckens angeordnet ist. 13. Device according to one of claims 8 to 12, characterized in that the radiation source (6) is arranged outside the treatment basin. 14. Vorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch Strahlungsquellen (6) auf gegenüberliegenden Seiten des Behandlungsbeckens (4).14. The apparatus according to claim 13, characterized by radiation sources (6) on opposite sides of the treatment basin (4). 15. Vorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Wände (7, 8) des Behandlungsbeckens wenigstens Teilbereiche aufweisen, die für die von den Strahlungsquellen (6) ausgehende Strahlung transparent sind.15. The apparatus according to claim 13 or 14, characterized in that the walls (7, 8) of the treatment basin have at least partial areas which are transparent to the radiation emanating from the radiation sources (6). 16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die be- nachbart zu den Strahlungsquellen (6) liegenden Seitenwände (7, 8) des16. The apparatus according to claim 15, characterized in that the adjacent to the radiation sources (6) lying side walls (7, 8) of the Behandlungsbeckens für die von den Strahlungsquellen (6) ausgehende Strahlung transparent sind.Treatment basin for the radiation emanating from the radiation sources (6) are transparent. 17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeich- net, dass die Strahlungsquelle (6) zumindest teilweise innerhalb des Behandlungsbehälters angeordnet ist.17. Device according to one of claims 8 to 12, characterized in that the radiation source (6) is at least partially arranged within the treatment container. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Strahlungsquelle (6) im Behandlungsbehälter gegenüber den Behandlungsflu- ids isoliert ist.18. The apparatus according to claim 17, characterized in that the radiation source (6) in the treatment container is isolated from the treatment fluids. 19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (2) scheibenförmig sind und sich die Strahlungsquelle (6) im wesentlichen senkrecht zu einer Scheibenebene der Sub- strate (2) erstreckt.19. Device according to one of claims 8 to 18, characterized in that the substrates (2) are disc-shaped and the radiation source (6) extends substantially perpendicular to a disc plane of the substrates (2). 20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 19, gekennzeichnet durch eine für die Strahlung der Strahlungsquelle (6) transparente Abschirmung (7,8) zwischen der Strahlungsquelle und einer Prozeßatmosphäre im Behandlungsbecken. 20. Device according to one of claims 8 to 19, characterized by a for the radiation of the radiation source (6) transparent shield (7,8) between the radiation source and a process atmosphere in the treatment tank.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999052654A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-21 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US5992429A (en) * 1997-03-13 1999-11-30 Itt Manufacturing Enterprises Method for cleaning semiconductor wafers with an external heat source
US6054373A (en) * 1997-01-20 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of and apparatus for removing metallic impurities diffused in a semiconductor substrate
WO2000048235A1 (en) * 1999-02-14 2000-08-17 Sizary Ltd. Semiconductor cleaning apparatus and method
WO2000070667A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007439C2 (en) * 1999-10-19 2002-01-10 Steag Micro Tech Gmbh Device and method for cleaning substrates

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054373A (en) * 1997-01-20 2000-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of and apparatus for removing metallic impurities diffused in a semiconductor substrate
US5992429A (en) * 1997-03-13 1999-11-30 Itt Manufacturing Enterprises Method for cleaning semiconductor wafers with an external heat source
WO1999052654A1 (en) * 1998-04-16 1999-10-21 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
WO2000048235A1 (en) * 1999-02-14 2000-08-17 Sizary Ltd. Semiconductor cleaning apparatus and method
WO2000070667A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents

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