[go: up one dir, main page]

WO2000067285A1 - Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif - Google Patents

Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif Download PDF

Info

Publication number
WO2000067285A1
WO2000067285A1 PCT/FR2000/001101 FR0001101W WO0067285A1 WO 2000067285 A1 WO2000067285 A1 WO 2000067285A1 FR 0001101 W FR0001101 W FR 0001101W WO 0067285 A1 WO0067285 A1 WO 0067285A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vacuum
internal space
reducing gas
sealed enclosure
under
Prior art date
Application number
PCT/FR2000/001101
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Meyer
Jean-François Boronat
Michel Levis
Original Assignee
Commissariat A L'energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat A L'energie Atomique filed Critical Commissariat A L'energie Atomique
Priority to EP00922750A priority Critical patent/EP1173877B1/fr
Priority to JP2000616037A priority patent/JP2003500792A/ja
Priority to US09/959,391 priority patent/US6888294B1/en
Priority to DE60020959T priority patent/DE60020959T2/de
Publication of WO2000067285A1 publication Critical patent/WO2000067285A1/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/94—Selection of substances for gas fillings; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the tube, e.g. by gettering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38—Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels
    • H01J9/395—Filling vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels

Definitions

  • the present invention relates generally to a device using a source of field effect electrons (for example microtips) and more particularly to a field emission device for example a flat screen display by cathodoluminescence excited by field emission , or cold emission, using microtips. It also relates to the manufacture of such a device.
  • a source of field effect electrons for example microtips
  • a field emission device for example a flat screen display by cathodoluminescence excited by field emission , or cold emission, using microtips. It also relates to the manufacture of such a device.
  • the invention relates to the constitution of a reducing atmosphere inside the device in order to combat the oxidation of the microtips (or other electron emitting elements) during the operation of this device. .
  • Microtip screens are flat cathode ray tubes that operate under vacuum. These screens include a cathode (formed in particular of cathode conductors, grids and microtips) and an anode (formed of conductors and phosphors).
  • a cathode formed in particular of cathode conductors, grids and microtips
  • an anode formed of conductors and phosphors.
  • a getter is used, as is done for conventional cathode ray tubes.
  • a getter is an element which, when activated under vacuum by heating, is capable of fixing the gases desorbed by the device and maintain the vacuum level necessary for the proper functioning of it.
  • Figure 1 is a partial view, in cross section, of a microtip screen 1 according to the prior art. It includes two glass slides 2 and 3 placed facing each other. The blades 2 and 3 are sealed on their periphery by means of a glass paste 4 with low melting point.
  • the blade 3 supports, on its internal part on the screen, the cathode which is made up of microtips 5 preferably formed on a resistive layer, such as a silicon layer 6 deposited on cathode conductors 14, and of electrodes. grid 7 separated from the resistive layer 6 by a layer 8 of dielectric material.
  • the blade 2 supports, on its internal part on the screen, the anode which consists of one or more conductive layers 9 supporting one or more phosphors 10.
  • a space 11 isolated from outside This space 11 is maintained under vacuum.
  • the vacuum was obtained by means of a queusot 12 provided in the blade 3.
  • the queusot 12 is initially opened and connected to a vacuum pump. It also allows the introduction of one or more getters such as the getter 13. Once the vacuum is achieved, the queusot 12 is closed as shown in FIG. 1.
  • the lifespan of these devices depends, among other things, on that of the cathodes which is linked to the fall in the electron current as a function of time. This lifetime of the cathodes depends very much on the quantity and the nature of the residual gases present in the closed structure constituting the screen.
  • the electron bombardment of the anode produces gases by a very dependent degassing effect. of the nature of the phosphors that the anode includes. It is now well demonstrated that the drop in the electron current emitted by the cathode is essentially caused by oxidation of the emissive material constituting the microtips. This oxidation caused by the desorbed gases is particularly evident when the microtips are made of molybdenum.
  • a material sensitive to oxidation such as molybdenum
  • This third approach is particularly interesting because it makes it possible to use molybdenum as an emissive material while retaining numerous possibilities of choice among phosphors.
  • Document FR-A-2 755 295 describes an improvement to this process to remedy the loss of hydrogen during the assembly phase of the screen.
  • Getters capable of maintaining a sufficient hydrogen pressure are specific and have a relatively low pumping capacity with respect to the other oxidizing gases.
  • the amount of getter introduce is high (approximately 0.5 g for a 5 inch screen), which can pose cost problems and congestion, especially in the field of] _0 large screens.
  • the quantity of hydrogen that must first adsorb the getter is quite considerable (1333 cmN Pa to 13330 cmN Pa, or 10 to 100 cm 3. Torr per gram of getter) which, taking into account the volume of - j _5 the screen, may cause the manufacturer to assemble the screen under hydrogen pressure close to the atmosphere.
  • the reducing gas is under a pressure between 10 ⁇ 8 mbar and 10 "3 mbar and, preferably, under a pressure between 10 ⁇ 8 mbar and 10 "" 5 mbar.
  • the gas of formula N x H y is NH 3-
  • the device may further comprise one or more getters in communication with the internal space of the device.
  • the closed structure may consist of a first blade supporting a microtip cathode on its face internal to the structure, a second blade placed opposite the first blade and supporting an anode on its face internal to the structure, and means for sealing the first blade to the second blade around their periphery.
  • Luminophores can also be distributed over the anode. It is for example a flat display screen.
  • a second object of the invention consists of a method of manufacturing such a device, comprising the following steps:
  • a third object of the invention consists of another method of manufacturing such a device, comprising the following steps:
  • connection of the pumping pipe to an apparatus comprising means for creating a vacuum and means for injecting said reducing gas;
  • the assembly step takes place under vacuum or under a controlled atmosphere, by heating to the action temperature of the sealing means.
  • the device is brought back to ambient temperature and is put into operation for a determined period before the completion of the other stages.
  • the methods may further comprise the following steps:
  • a fourth object of the invention consists of an apparatus for implementing these two methods, comprising:
  • the intermediate means may include a gas tank communicating with said
  • the intermediate means can simply comprise a valve.
  • a fifth object of the invention consists of another method of manufacturing such a device, comprising the following steps:
  • a sixth object of the invention consists of yet another method of manufacturing such a device, comprising the following steps:
  • the device comprising sealing means acting hot, a hole provided in the device being intended to put in communication the internal space of the closed structure and the interior of the sealed enclosure;
  • a seventh object of the invention consists of an apparatus for implementing these latter two methods, comprising:
  • a sealed enclosure capable of receiving said device
  • this apparatus may further comprise means for producing a controlled atmosphere communicating with the interior of the enclosure by means of a third valve connected to means for producing the controlled atmosphere, for example a bottle of appropriate gas.
  • FIG. 1, already described, is a partial view in schematic cross-section of a microtip display screen according to the prior art
  • FIG. 2 is a schematic view of a first device for implementing a method of manufacturing a device according to the present invention
  • FIG. 3 is a schematic view of a second device for the implementation of another method of manufacturing a device according to the present invention.
  • the particular choice of the gas N x H y , or of a gaseous mixture based on N x H y makes it possible both to combat the oxidation of the emissive material from the electron emitting source while avoiding deposits on the emissive material. Indeed, the possible decomposition of this gas takes place in gaseous form unlike other types of reducing gases (CH, H 2 S for example).
  • getters that will eventually _ Q used include those sold by SAES GETTERS SpA, for example:
  • the zirconium-iron getter which can be activated at low temperature (around 400 ° C), referenced under the registered trademark ST 122. 0
  • the sealing wall 22 of the two blades of the device consists of a glass with a low melting point called "fried glass".
  • the device 20 is then placed in a zone 30 of the apparatus shown in FIG. 2 allowing it to be steamed.
  • the pipe 21 is connected to a pipe 41 which makes it possible to connect it to a vacuum pump 42 of the turbomolecular type via a pipe 43 fitted with a valve 44 on the one hand and to the outlet orifice of a gas tank 45, of known volume (for example 0.7 pounds), via a pipe 46 fitted with a valve 47 on the other hand.
  • a bottle of NH 3 48 is connected to the inlet port of the reservoir 45 via a pipe 49 fitted with a valve 50.
  • This valve 50 is a needle valve which makes it possible to easily regulate the flow rate.
  • the apparatus thus constituted also comprises a gauge 51, making it possible to measure the pressure of the gas contained in the tank 45, and a gauge 52 making it possible to measure the pressure at the outlet of the screen 20.
  • the screen 20 and the tank 45 are evacuated, the valves 44 and 47 being open and the valve 50 being closed, thanks to the vacuum pump 42.
  • the screen 20 is then steamed at 360 ° C for 16 hours. After cooling to room temperature, the screen 20 is operated for 20 hours. After stopping this operating phase which allowed the degassing of the phosphors, the getter 23 (or the getters) is activated by radiofrequency heating at a temperature of 800 ° C. for 4 minutes.
  • the reservoir 45 is then isolated by closing the valve 47. Ammonia is introduced into the reservoir 45.
  • the screen 20 is then isolated from the vacuum pump 42 by closing the valve 44.
  • the valve 47 is then opened and the ammonia is introduced into the screen 20 at an equilibrium pressure which depends on the quantity introduced. in tank 45 and that is preferably between 10 "8 and 10 -5 mbar.
  • the screen 20 can then be separated from the device by closing the shank 21.
  • NH 3 can be introduced into the screen in dynamic regime.
  • a partial pressure of NH 3 is regulated by the valve 50, the valves 44 and 47 being open.
  • the partial pressure of NH 3 is preferably between 10 ⁇ 8 and 10 ⁇ 5 mbar.
  • the screen After a dynamic scanning period of a few minutes to a few tens of minutes, the screen is separated from the device by closing the window.
  • the assembly of the screen can be of the integral type, which means that the screen is degassed and then sealed under vacuum or under a controlled atmosphere.
  • the process is such that after sealing it remains under vacuum, or under a controlled atmosphere, by difference from the previous case (examples 1 and 2) for which, after sealing, the screen is returned to atmospheric pressure and then pumped again and steamed.
  • the various elements of the screen are positioned under vacuum and then baked at a temperature of the order of 300 to 450 ° C. for one or many hours.
  • the getters can be positioned either inside the screen, or in a protuberance of the closed queusot type or getter box.
  • the anode can be pressed against the cathode or kept at a certain distance from the cathode. In the latter case, the degassing is more effective.
  • the apparatus of FIG. 3 also includes a turbomolecular vacuum pump 62 which communicates with the interior of the enclosure 60 by means of a pipe 63 equipped with a valve 64.
  • a bottle of NH 3 65 communicates with the interior of the enclosure 60 thanks to a pipe 66 equipped with a valve 67.
  • a gauge 68 makes it possible to measure the pressure prevailing in the sealed enclosure 60.
  • a pipe 71 equipped with a valve 72 also makes it possible to communicate the interior of the enclosure 60 with a bottle 73 in the case where one wishes to place the interior of the enclosure under a controlled atmosphere.
  • a NH 3 pressure of between 10 ⁇ 8 and 10 "3 mbar is introduced into the enclosure 60 containing the screen.
  • the anode and cathode plates are brought into contact via the sealing glass, if they were not already, and the screen is sealed under the pressure of NH 3 previously established at a temperature between 450 ° C and 500 ° C.
  • getter Depending on the type of getter used, it must or may not be “flashed” or activated after closing and returning to room temperature. He can be advantageous to use a getter of the type ST 122 which can be activated during the assembly phase.
  • Example 4 According to a variant of the embodiment described in Example 3, one of the elements of the screen (cathode plate, anode plate, getter box) has a hole, with a diameter of the order of a millimeter or a few millimeters, which allows communication between the interior of the screen and the interior of the watertight enclosure 60.
  • Example 3 the various elements of the screen are positioned under vacuum and then steamed.
  • the sealing phase can be done here under a controlled atmosphere, which is advantageous when using a glass of the borosilicate type for the screen blades, the enclosure being pumped back after the assembly of the screen.
  • This embodiment can be advantageous even when the sealing is carried out under vacuum because all the products degassed inside the screen during the sealing are evacuated, which makes it possible to have a better vacuum inside the screen.
  • an NH 3 pressure of some 10 8 to 10 ⁇ 3 mbar is introduced into the enclosure and consequently into the screen.
  • the communication hole between the screen and the enclosure is then filled in by any appropriate means.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

L'invention concerne un dispositif comportant au moins une source d'électrons à effet de champ dans une structure fermée délimitant un espace interne qui renferme un gaz réducteur destiné à combattre l'oxydation du matériau émissif de la source d'électrons, caractérisé en ce que le gaz réducteur comprend un gaz de formule NxHy avec x = 1 ou 2 et y = 3 ou 4, avantageusement sous une pression comprise entre 10-8 mbar et 10-1 mbar. Elle concerne également des procédés de fabrication d'un tel dispositif et des appareils pour leur mise en oeuvre.

Description

DISPOSITIF A EMISSION DE CHAMP UTILISANT UN GAZ REDUCTEUR ET FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF
Domaine Technique
La présente invention concerne d'une manière générale un dispositif utilisant une source d'électrons à effet de champ (par exemple à micropointes) et plus particulièrement un dispositif à émission de champ par exemple un écran plat de visualisation par cathodoluminescence excitée par émission de champ, ou émission froide, à l'aide de micropointes . Elle concerne également la fabrication d'un tel dispositif.
D'une manière plus précise, l'invention se rapporte à la constitution d'une atmosphère réductrice à 1 ' intérieur du dispositif afin de combattre l'oxydation des micropointes (ou autres éléments émetteurs d'électrons) au cours du fonctionnement de ce dispositif .
Etat de la technique antérieure
Les écrans à micropointes sont des tubes cathodiques plats qui fonctionnent sous vide. Ces écrans comportent une cathode (formée notamment de conducteurs cathodiques, de grilles et de micropointes) et une anode (formée de conducteurs et de luminophores) . Pour maintenir le vide, on utilise un élément connu sous le nom de getter, comme cela se fait pour les tubes cathodiques classiques. Un getter est un élément qui, une fois activé sous vide par chauffage, est susceptible de fixer les gaz désorbés par le dispositif et de maintenir le niveau de vide nécessaire au bon fonctionnement de celui-ci.
La figure 1 est une vue partielle, en coupe transversale, d'un écran à micropointes 1 selon l'art antérieur. Il comprend deux lames de verre 2 et 3 placées en regard l'une de l'autre. Les lames 2 et 3 sont scellées sur leur pourtour au moyen d'une pâte de verre 4 à bas point de fusion. La lame 3 supporte, sur sa partie interne à l'écran, la cathode qui est constituée de micropointes 5 formées de préférence sur une couche résistive, telle qu'une couche de silicium 6 déposée sur des conducteurs cathodiques 14, et d'électrodes de grille 7 séparées de la couche résistive 6 par une couche 8 en matériau diélectrique. La lame 2 supporte, sur sa partie interne à l'écran, l'anode qui est constituée d'une ou de plusieurs couches conductrices 9 supportant un ou des luminophores 10. Entre les lames 2 et 3 est ainsi défini un espace 11 isolé de l'extérieur. Cet espace 11 est maintenu sous vide. Le vide a été obtenu au moyen d'un queusot 12 prévu dans la lame 3. Le queusot 12 est initialement ouvert et raccordé à une pompe à vide. Il permet aussi l'introduction d'un ou de plusieurs getters tels que le getter 13. Une fois que le vide est réalisé, le queusot 12 est fermé comme le montre la figure 1.
La durée de vie de ces dispositifs dépend, entre autres, de celle des cathodes qui est liée à la chute du courant d'électrons en fonction du temps. Cette durée de vie des cathodes dépend beaucoup de la quantité et de la nature des gaz résiduels présents dans la structure fermée constituant l'écran.
Lors du fonctionnement d'un tel écran à micropointes, le bombardement électronique de l'anode produit des gaz par un effet de dégazage très dépendant de la nature des luminophores que comprend l'anode. Il est aujourd'hui bien démontré que la chute du courant d'électrons émis par la cathode est essentiellement provoquée par une oxydation du matériau émissif constituant les micropointes. Cette oxydation causée par les gaz désorbés est particulièrement évidente lorsque les micropointes sont en molybdène.
Selon la nature des luminophores utilisés, cette oxydation est plus ou moins intense. Dans le cas des écrans couleurs qui utilisent trois luminophores différents pour obtenir des émissions dans le rouge, le vert et le bleu, l'oxydation est généralement importante et conduit à des durées de vie courtes, de moins de 100 heures. On cherche donc à éviter 1 ' oxydation du matériau émissif. Trois approches pour tenter de résoudre ce problème sont possibles.
Selon une première approche, on peut penser à utiliser un matériau émissif insensible à l'oxydation. C'est une approche à long terme car aujourd'hui seul le molybdène permet la réalisation de cathodes fonctionnelles.
Selon une deuxième approche, on peut utiliser un matériau sensible à l'oxydation, comme le molybdène, en présence de luminophores non oxydants. C ' est possible dans le cas des écrans monochromes en utilisant ZnO comme luminophore. Cependant, dans le cas des écrans en couleurs cela impose des contraintes très sévères sur le choix des luminophores et s'avère aujourd'hui très pénalisant.
Selon une troisième approche, on peut utiliser un matériau sensible à l'oxydation (tel que le molybdène) en présence de luminophores oxydants mais en créant dans le volume intérieur de 1 ' écran une atmosphère réductrice susceptible de combattre cette oxydation et de maintenir le matériau émissif dans son état le plus favorable. Cette troisième approche est particulièrement intéressante car elle permet d'utiliser le molybdène comme matériau émissif tout en conservant de nombreuses possibilités de choix parmi les luminophores .
Dans ses applications classiques, le rôle d'un getter est de maintenir le vide c'est-à-dire de remplacer une pompe à vide. Dans le cas d'un écran plat à émission de champ, il a été proposé d'utiliser un getter pour réaliser une double fonction : pomper les gaz oxydants (ce qui est son rôle habituel) et maintenir une pression partielle d'hydrogène.
La Société SAES GETTERS S. P.A., qui est spécialisée dans la fabrication de getters, a développé et qualifié des matériaux capables de jouer ce double rôle. Ainsi, sa demande de brevet internationale WO-A-96/01492 divulgue un procédé de mise en œuvre consistant :
- à faire absorber à un getter une quantité suffisante et contrôlée d'hydrogène dans une enceinte spéciale,
- à introduire le getter ainsi hydrogéné dans l'écran plat avant la phase d'assemblage de cet écran, et
- à assembler 1 ' écran en le chauffant pendant environ 20 minutes à environ 450°C pour relâcher l'hydrogène à l'intérieur de l'écran.
Le document FR-A-2 755 295 décrit un perfectionnement à ce procédé pour remédier à la perte d'hydrogène pendant la phase d'assemblage de l'écran.
Une atmosphère d'hydrogène permet effectivement de stabiliser le courant dans les écrans trichromes pendant quelques milliers d'heures. Ce procédé à base d'hydrogène présente cependant les inconvénients suivants.
Les getters susceptibles de maintenir une pression d'hydrogène suffisante sont spécifiques et 5 présentent une capacité de pompage relativement faible vis-à-vis des autres gaz oxydants. La quantité de getter à introduire est importante (environ 0,5 g pour un écran de 5 pouces) , ce qui peut poser des problèmes de coût et d'encombrement, surtout dans le domaine des ]_0 grands écrans.
En outre, la quantité d'hydrogène que doit au préalable adsorber le getter est assez considérable (1333 cmN Pa à 13330 cmN Pa , soit 10 à 100 cm3. Torr par gramme de getter) ce qui, compte tenu du volume de -j_5 l'écran, peut amener le fabricant à assembler l'écran sous une pression d'hydrogène voisine de l'atmosphère.
Ces conditions sont difficiles à mettre en œuvre sur un plan industriel et posent en particulier des problèmes de sécurité difficiles et qui ne peuvent
20 être maîtrisés que par un surcoût important.
Exposé de 1 ' invention
Il est proposé selon la présente invention 25 de remédier aux inconvénients de l'art antérieur par l'utilisation d'un gaz du type NxHy, de préférence l'ammoniac NH3, comme gaz réducteur au lieu de l'hydrogène. Une pression partielle de NH3 permet d'éviter l'oxydation des pointes et donc d'assurer une 30 grande durée de vie aux cathodes.
Ce gaz NxHy n'est pas pompé ou très peu pompé par les getters et est donc compatible avec les getters connus de l'homme de l'art qui présentent de très bonnes caractéristiques de pompage. Il présente en
35 outre les avantages d'être très peu toxique, non explosif et de ne poser aucun problème de sécurité. Il peut donc être aisément utilisé industriellement.
Un premier objet de l'invention consiste en un dispositif comportant au moins une source d'électrons à effet de champ dans une structure fermée délimitant un espace interne qui renferme un gaz réducteur destiné à combattre 1 ' oxydation du matériau émissif de la source d'électrons, caractérisé en ce que le gaz réducteur comprend un gaz de formule NxHy avec x = 1 ou 2 et y = 3 ou 4. Avantageusement, le gaz réducteur est sous une pression comprise entre 10~8 mbar et 10"3 mbar et, de façon préférentielle, sous une pression comprise entre 10~8 mbar et 10""5 mbar.
De préférence, le gaz de formule NxHy est NH3-
Le dispositif peut comprendre en outre un ou plusieurs getters en communication avec l'espace interne du dispositif.
La structure fermée peut être constituée d'une première lame supportant une cathode à micropointes sur sa face interne à la structure, d'une seconde lame placée en vis-à-vis de la première lame et supportant une anode sur sa face interne à la structure, et de moyens permettant de sceller la première lame à la seconde lame sur leur pourtour. Des luminophores peuvent être en outre répartis sur l'anode. Il s'agit par exemple d'un écran plat de visualisation.
Un second objet de l'invention consiste en un procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant les étapes suivantes :
- assemblage des différents éléments constituant le dispositif pour obtenir ladite structure fermée, au moins un queusot de pompage communiquant avec ledit espace interne étant prévu ; - raccordement du queusot de pompage à un appareil comprenant des moyens pour faire le vide et des moyens pour injecter ledit gaz réducteur ;
- mise sous vide dudit espace interne par les moyens pour faire le vide ;
- étuvage du dispositif à une température et pour une durée permettant son dégazage, la mise sous vide dudit espace interne étant poursuivie ;
- arrêt des moyens pour faire le vide ;
- introduction dudit gaz réducteur dans ledit espace interne par les moyens pour injecter le gaz réducteur sous la pression désirée ;
- fermeture du queusot.
Un troisième objet de l'invention consiste en un autre procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant les étapes suivantes :
- assemblage des différents éléments constituant le dispositif pour obtenir ladite structure fermée, au moins un queusot de pompage communiquant avec ledit espace interne étant prévu ;
- raccordement du queusot de pompage à un appareil comprenant des moyens pour faire le vide et des moyens pour injecter ledit gaz réducteur ;
- mise sous vide dudit espace interne par les moyens pour faire le vide ;
- étuvage du dispositif à une température et pour une durée permettant son dégazage, la mise sous vide dudit espace interne étant poursuivie ;
- introduction dudit gaz réducteur dans ledit espace interne sous la pression désirée par les moyens pour injecter le gaz réducteur, les moyens pour faire le vide fonctionnant toujours ;
- fermeture du queusot.
Pour ces deux procédés, si le dispositif comporte des moyens de scellement agissant à chaud, l'étape d'assemblage se déroule sous vide ou sous atmosphère contrôlée, par chauffage à la température d'action des moyens de scellement. Avantageusement, une fois l'étape d' étuvage terminée, le dispositif est 5 ramené à température ambiante et est mis en fonctionnement pendant une durée déterminée avant la réalisation des autres étapes . Les procédés peuvent comprendre en outre les étapes suivantes :
- introduction d'au moins un getter dans le "LQ queusot avant son raccordement sur ledit appareil,
- activation du getter avant ou après l'introduction du gaz réducteur.
Le getter peut aussi être activé après la fermeture du queusot. -j_5 Un quatrième objet de l'invention consiste en un appareil pour la mise en œuvre de ces deux procédés , comprenant :
- une canalisation susceptible d'être raccordée audit queusot par l'une de ses extrémités,
20 " des moyens pour faire le vide communiquant avec l'autre extrémité de la canalisation grâce à une première vanne,
- une source de NxHy communiquant avec ladite canalisation grâce à des moyens intermédiaires,
25 - des moyens de mesure de la pression régnant dans l'espace interne du dispositif.
Pour la mise en œuvre du premier procédé cité ci-dessus, les moyens intermédiaires peuvent comprendre un réservoir à gaz communiquant avec ladite
30 canalisation grâce à une deuxième vanne et avec la source de NxHy grâce à une troisième vanne, des moyens de mesure étant prévus pour mesurer la pression régnant dans le réservoir. Pour la mise en œuvre du deuxième procédé cité ci-dessus, les moyens intermédiaires peuvent comprendre simplement une vanne.
Un cinquième objet de l'invention consiste en un autre procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant les étapes suivantes :
- positionnement relatif, dans une enceinte étanche, des différents éléments constituant le dispositif en vue d'obtenir ladite structure fermée, le dispositif comportant des moyens de scellement agissant à chaud ;
- mise sous vide de 1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche par des moyens pour faire le vide ;
- étuvage des différents éléments constituant le dispositif positionnés dans l'enceinte étanche, la mise sous vide de l'enceinte étanche étant poursuivie, 1 ' étuvage étant mené à une température et pour une durée permettant le dégazage desdits différents éléments ; - éventuellement, arrêt des moyens pour faire le vide ;
- introduction dudit gaz réducteur à l'intérieur de l'enceinte étanche sous la pression désirée pour l'espace interne du dispositif ;
- assemblage du dispositif par scellement en élevant la température des moyens de scellement.
Un sixième objet de l'invention consiste en encore un autre procédé de fabrication d'un tel dispositif, comprenant les étapes suivantes :
- positionnement relatif, dans une enceinte étanche, des différents éléments constituant le dispositif en vue d'obtenir ladite structure fermée, le dispositif comportant des moyens de scellement agissant à chaud, un trou prévu dans le dispositif étant destiné à mettre en communication 1 ' espace interne de la structure fermé et 1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche ;
- mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de 1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche par des
5 moyens appropriés ;
- étuvage des différents éléments constituant le dispositif positionnés dans l'enceinte étanche, la mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de l'intérieur de l'enceinte étanche étant poursuivie,
-j_0 1 ' étuvage étant mené à une température et pour une durée permettant le dégazage desdits différents éléments ;
- assemblage du dispositif par scellement en élevant la température des moyens de scellement, la
15 mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de 1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche étant poursuivie ;
- éventuellement, mise sous vide de l'intérieur de l'enceinte étanche si celle-ci n'était pas sous vide ;
20 _ introduction dudit gaz réducteur à
1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche pour obtenir la pression désirée dans l'espace interne du dispositif ;
- bouchage dudit trou de communication. Dans ce cas, les étapes d' étuvage et d'assemblage
25 peuvent être menées simultanément.
Un septième objet de l'invention consiste en un appareil pour la mise en œuvre de ces deux derniers procédés, comprenant :
- une enceinte étanche apte à recevoir 30 ledit dispositif,
- des moyens pour faire le vide communiquant avec 1 ' intérieur de 1 ' enceinte grâce à une première vanne,
- une source de NxHy communiquant avec
35 l'intérieur de l'enceinte grâce à une deuxième vanne, - des moyens de mesure de la pression régnant à l'intérieur de l'enceinte.
Le cas échéant, cet appareil peut comprendre en outre des moyens de production d'une atmosphère contrôlée communiquant avec 1 ' intérieur de l'enceinte grâce à une troisième vanne reliée à des moyens de production de l'atmosphère contrôlée, par exemple une bouteille de gaz appropriée.
Brève description des dessins.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels :
- la figure 1, déjà décrite, est une vue partielle et en coupe transversale schématique d'un écran de visualisation à micropointes selon l'art antérieur,
- la figure 2 est une vue schématique d'un premier appareil pour la mise en œuvre d'un procédé de fabrication d'un dispositif selon la présente invention,
- la figure 3 est une vue schématique d'un deuxième appareil pour la mise en œuvre d'un autre procédé de fabrication d'un dispositif selon la présente invention.
Description détaillée de modes de réalisation de 1 ' invention
Selon l'invention, le choix particulier du gaz NxHy, ou d'un mélange gazeux à base de NxHy, permet à la fois de combattre l'oxydation du matériau émissif de la source emettrice d'électrons tout en évitant des dépôts sur le matériau émissif. En effet, la décomposition éventuelle de ce gaz se fait sous forme gazeuse contrairement à d'autres types de gaz réducteurs (CH , H2S par exemple) .
Plusieurs exemples de fabrication d'un dispositif selon l'invention vont maintenant être décrits .
Parmi les getters qui seront éventuellement _ Q utilisés, on peut citer ceux commercialisés par la société S.A.E.S. GETTERS S.p.A., par exemple :
- le getter "flashable" au baryum référencé sous la marque déposée ST 14,
- le getter au zirconium activable à haute _5 température (environ 800°C) , référencé sous la marque déposée ST 171,
- le getter au zirconium-fer activable à basse température (environ 400°C) , référencé sous la marque déposée ST 122. 0
Exemple 1
Un écran à micropointes 20, du type représenté à la figure 1, par exemple de 6 pouces
(15,25 cm) de diagonale est assemblé sous vide ou sous 5 atmosphère contrôlée par chauffage à une température comprise entre 450 et 500°C pendant une durée d'environ
1 heure. Il est équipé d'au moins un queusot de pompage
21 ouvert. Le mur de scellement 22 des deux lames du dispositif est constitué d'un verre à bas point de 0 fusion appelé "frit glass".
Après scellement et retour à l'atmosphère, au moins un getter 23, par exemple de type ST 171, est introduit à l'intérieur du queusot 21.
Le dispositif 20 est ensuite placé dans une 5 zone 30 de l'appareil représenté à la figure 2 permettant de l'etuver. Le queusot 21 est connecté à une canalisation 41 qui permet de le raccorder à une pompe à vide 42 de type turbomoléculaire via une canalisation 43 équipée d'une vanne 44 d'une part et à l'orifice de sortie d'un réservoir à gaz 45, de volume connu (par exemple 0,7 £ ) , via une canalisation 46 équipée d'une vanne 47 d'autre part.
Une bouteille de NH3 48 est connectée à l'orifice d'entrée du réservoir 45 via une canalisation 49 équipée d'une vanne 50. Cette vanne 50 est une vanne à aiguille qui permet de régler facilement le débit.
L'appareil ainsi constitué comprend encore une jauge 51, permettant de mesurer la pression du gaz contenu dans le réservoir 45, et une jauge 52 permettant de mesurer la pression à la sortie de l'écran 20.
On procède alors de la manière suivante.
L'écran 20 et le réservoir 45 sont mis sous vide, les vannes 44 et 47 étant ouvertes et la vanne 50 étant fermée, grâce à la pompe à vide 42. L'écran 20 est alors étuvé à 360°C pendant 16 heures. Après refroidissement à la température ambiante, l'écran 20 est mis en fonctionnement pendant 20 heures. Après arrêt de cette phase de fonctionnement qui a permis le dégazage des luminophores, le getter 23 (ou les getters) est activé par chauffage radiofréquence à une température de 800°C pendant 4 minutes.
Le réservoir 45 est ensuite isolé par fermeture de la vanne 47. De l'ammoniac est introduit dans le réservoir 45.
L'écran 20 est ensuite isolé de la pompe à vide 42 par fermeture de la vanne 44. La vanne 47 est alors ouverte et l'ammoniac s'introduit dans l'écran 20 à une pression d'équilibre qui dépend de la quantité introduite dans le réservoir 45 et qui est préférentiellement comprise entre 10"8 et 10-5 mbar. L'écran 20 peut alors être séparé de l'appareil par fermeture du queusot 21.
Exemple 2
Selon une variante de l'exemple 1, NH3 peut être introduit dans l'écran en régime dynamique.
Pour cela, après la phase d'activation du getter, une pression partielle de NH3 est régulée par la vanne 50, les vannes 44 et 47 étant ouvertes.
La pression partielle de NH3 est préférentiellement comprise entre 10~8 et 10~5 mbar.
Après une période de balayage dynamique de quelques minutes à quelques dizaines de minutes, l'écran est séparé de l'appareil par fermeture du queusot.
Exemple 3
Selon une autre méthode de mise en œuvre, l'assemblage de l'écran peut être de type intégral, ce qui veut dire que l'écran est dégazé puis scellé sous vide ou sous atmosphère contrôlée. Le procédé est tel qu'après scellement il reste sous vide, ou sous atmosphère contrôlée, par différence avec le cas précédent (exemples 1 et 2) pour lequel, après scellement, l'écran est remis à la pression atmosphérique puis repompé et étuvé.
On peut alors procéder de la manière suivante.
Les différents éléments de l'écran (lame supportant la cathode, lame supportant l'anode, verre de scellement, getters, etc.) sont positionnés sous vide puis étuvés à une température de l'ordre de 300 à 450°C pendant une ou plusieurs heures. Les getters peuvent être positionnés soit à l'intérieur de l'écran, soit dans une excroissance du type queusot fermé ou boîte à getter. Pendant la phase d' étuvage, l'anode peut être plaquée contre la cathode ou maintenue à une certaine distance de la cathode. Dans ce dernier cas, le dégazage est plus efficace. Ces opérations se déroulent dans un appareil schématiquement représenté sur la figure 3 et qui comprend une enceinte étanche 60 permettant 1 ' étuvage et l'assemblage du dispositif à émission de champ. Cette enceinte 60 est équipé de moyens électriques et mécaniques appropriés 61 permettant l'assemblage du dispositif et son étuvage.
L'appareil de la figure 3 comprend aussi une pompe à vide turbomoléculaire 62 qui communique avec l'intérieur de l'enceinte 60 grâce à une canalisation 63 équipée d'une vanne 64. Une bouteille de NH3 65 communique avec l'intérieur de l'enceinte 60 grâce à une canalisation 66 équipée d'une vanne 67. Une jauge 68 permet de mesurer la pression régnant dans l'enceinte étanche 60. Une canalisation 71 équipée d'une vanne 72 permet aussi de faire communiquer l'intérieur de l'enceinte 60 avec une bouteille 73 dans le cas où 1 ' on veut mettre 1 ' intérieur de 1 ' enceinte sous atmosphère contrôlée.
Après la phase d' étuvage, une pression de NH3 comprise entre quelques 10~8 et 10"3 mbar est introduite dans l'enceinte 60 contenant l'écran.
Les plaques d'anode et de cathode sont mises en contact par l'intermédiaire du verre de scellement, si elles ne l'étaient pas déjà, et l'écran est scellé sous la pression de NH3 préalablement établie à une température comprise entre 450°C et 500°C.
Selon le type de getter utilisé, celui-ci doit être ou non "flashé" ou activé après fermeture et retour à la température ambiante. Il peut être avantageux d'utiliser un getter du type ST 122 qui peut s'activer pendant la phase d'assemblage.
Exemple 4 Selon une variante du mode de réalisation décrit à l'exemple 3, l'un des éléments de l'écran (lame de cathode, lame d'anode, boîte à getter) comporte un trou, d'un diamètre de l'ordre du millimètre ou de quelques millimètres, qui permet de mettre en communication l'intérieur de l'écran et l'intérieur de l'enceinte étanche 60.
Comme pour l'exemple 3, les différents éléments de l'écran sont positionnés sous vide puis étuvés . La phase de scellement peut être ici faite sous atmosphère contrôlée, ce qui est avantageux lorsque l'on utilise un verre du type borosilicate pour les lames de l'écran, l'enceinte étant repompée après l'assemblage de l'écran.
Ce mode de réalisation peut être avantageux même quand le scellement est réalisé sous vide car tous les produits dégazés à 1 ' intérieur de 1 ' écran pendant le scellement sont évacués, ce qui permet d'avoir un vide meilleur à l'intérieur de l'écran.
Après la phase de scellement, de refroidissement et de repompage éventuel, une pression de NH3 de quelques 108 à 10~3 mbar est introduite dans l'enceinte et par conséquent dans l'écran. Le trou de communication entre l'écran et l'enceinte est alors rebouchée par tous moyens appropriés.
Dans ce mode de réalisation, il peut être avantageux d'utiliser des getters du même type que ceux de 1 ' exemple 3.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif comportant au moins une source d'électrons à effet de champ dans une structure fermée délimitant un espace interne qui renferme un gaz réducteur destiné à combattre 1 ' oxydation du matériau émissif de la source d'électrons, caractérisé en ce que le gaz réducteur comprend un gaz de formule NxHy avec x = 1 ou 2 et y = 3 ou 4.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz réducteur est sous une pression comprise entre 10~8 mbar et 10~3 mbar.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le gaz réducteur est sous une pression comprise entre 10~8 mbar et 10"5 mbar.
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le gaz de formule NxHy est NH3.
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un ou plusieurs getters en communication avec l'espace interne du dispositif.
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite structure fermée est constituée d'une première lame (3) supportant une cathode à micropointes (5) sur sa face interne à la structure, d'une seconde lame (2) placée en vis-à-vis de la première lame (3) et supportant une anode (9) sur sa face interne à la structure, et de moyens (4) permettant de sceller la première lame à la seconde lame sur leur pourtour.
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des luminophores (10) répartis sur l'anode (9). - 15
8. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant les étapes suivantes :
- assemblage des différents éléments constituant le dispositif (20) pour obtenir ladite structure fermée, au moins un queusot de pompage (21) communiquant avec ledit espace interne étant prévu ;
- raccordement du queusot de pompage (21) à un appareil comprenant des moyens pour faire le vide (42) et des moyens pour injecter ledit gaz réducteur (48) ;
- mise sous vide dudit espace interne par les moyens pour faire le vide (42) ;
- étuvage du dispositif (20) à une température et pour une durée permettant son dégazage, la mise sous vide dudit espace interne étant poursuivie ;
- arrêt des moyens pour faire le vide (42) ;
- introduction dudit gaz réducteur dans ledit espace interne par les moyens pour injecter le gaz réducteur sous la pression désirée ;
- fermeture du queusot (21) .
9. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant les étapes suivantes :
- assemblage des différents éléments constituant le dispositif (20) pour obtenir ladite structure fermée, au moins un queusot de pompage (21) communiquant avec ledit espace interne étant prévu ;
- raccordement du queusot de pompage (21) à un appareil comprenant des moyens pour faire le vide
(42) et des moyens pour injecter ledit gaz réducteur (48) ; - mise sous vide dudit espace interne par les moyens pour faire le vide (42) ;
- étuvage du dispositif (20) à une température et pour une durée permettant son dégazage, la mise sous vide (42) dudit espace interne étant poursuivie ;
- introduction dudit gaz réducteur dans ledit espace interne sous la pression désirée par les moyens pour injecter le gaz réducteur (48), les moyens pour faire (42) le vide fonctionnant toujours ;
- fermeture du queusot (21) .
10. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9 , caractérisé en ce que, le dispositif comportant des moyens de scellement agissant à chaud, l'étape d'assemblage se déroule sous vide ou sous atmosphère contrôlée, par chauffage à la température d'action des moyens de scellement.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que, une fois l'étape d' étuvage terminée, le dispositif (20) est ramené à température ambiante et est mis en fonctionnement pendant une durée déterminée avant la réalisation des autres étapes.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes :
- introduction d'au moins un getter (23) dans le queusot (21) avant son raccordement sur ledit appareil,
- activation du getter (23) avant ou après l'introduction du gaz réducteur.
13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le getter est activé après la fermeture du queusot. 2
14. Appareil pour la mise en œuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 13 , comprenant :
- une canalisation (41) susceptible d'être raccordée audit queusot (21) par l'une de ses extrémités ,
- des moyens pour faire le vide (42) communiquant avec l'autre extrémité de la canalisation (41) grâce à une première vanne (44) , - une source de NxHy (48) communiquant avec ladite canalisation (41) grâce à des moyens intermédiaires ,
- des moyens de mesure (52) de la pression régnant dans l'espace interne du dispositif.
15. Appareil selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens intermédiaires comprennent un réservoir à gaz (45) communiquant avec ladite canalisation (41) grâce à une deuxième vanne (47) et avec la source de NxHy (48) grâce à une troisième vanne (50), des moyens de mesure (51) étant prévus pour mesurer la pression régnant dans le réservoir .
16. Appareil selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens intermédiaires comprennent une vanne.
17. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant les étapes suivantes :
- positionnement relatif, dans une enceinte étanche (60), des différents éléments constituant le dispositif en vue d'obtenir ladite structure fermée, le dispositif comportant des moyens de scellement agissant à chaud ; - mise sous vide de 1 ' intérieur de l'enceinte étanche (60) par des moyens pour faire le vide (62) ;
- étuvage des différents éléments constituant le dispositif positionnés dans l'enceinte étanche (60), la mise sous vide de l'enceinte étanche étant poursuivie, 1 ' étuvage étant mené à une température et pour une durée permettant le dégazage desdits différents éléments ; - éventuellement, arrêt des moyens pour faire le vide (62) ;
- introduction dudit gaz réducteur à l'intérieur de l'enceinte étanche (60) sous la pression désirée pour l'espace interne du dispositif ; - assemblage du dispositif par scellement en élevant la température des moyens de scellement.
18. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant les étapes suivantes :
- positionnement relatif, dans une enceinte étanche (60) , des différents éléments constituant le dispositif en vue d'obtenir ladite structure fermée, le dispositif comportant des moyens de scellement agissant à chaud, un trou prévu dans le dispositif étant destiné à mettre en communication 1 ' espace interne de la structure fermé et 1 ' intérieur de 1 ' enceinte étanche (60) ;
- mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de l'intérieur de l'enceinte étanche (60) par des moyens appropriés ;
- étuvage des différents éléments constituant le dispositif positionnés dans l'enceinte étanche (60), la mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de l'intérieur de l'enceinte étanche (60) étant poursuivie, 1 ' étuvage étant mené à une température et pour une durée permettant le dégazage desdits différents éléments ;
- assemblage du dispositif par scellement en élevant la température des moyens de scellement, la mise sous vide ou sous atmosphère contrôlée de l'intérieur de l'enceinte étanche (60) étant poursuivie ;
- éventuellement, mise sous vide de l'intérieur de l'enceinte étanche (60) ;
- introduction dudit gaz réducteur à l'intérieur de l'enceinte étanche (60) pour obtenir la pression désirée dans l'espace interne du dispositif ;
- bouchage dudit trou de communication.
19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que les étapes d' étuvage et d'assemblage sont menées simultanément.
20. Appareil pour la mise en œuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 17 à 19, comprenant :
- une enceinte étanche (60) apte à recevoir ledit dispositif,
- des moyens pour faire le vide (62) communiquant avec 1 ' intérieur de 1 ' enceinte grâce à une première vanne (64), - une source de NxHy (65) communiquant avec l'intérieur de l'enceinte (60) grâce à une deuxième vanne ( 67 ) ,
- des moyens de mesure (68) de la pression régnant à l'intérieur de l'enceinte (60).
21. Appareil selon la revendication 20 caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de production d'une atmosphère contrôlée communiquant avec l'intérieur de l'enceinte (60) grâce à une troisième vanne .
PCT/FR2000/001101 1999-04-28 2000-04-26 Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif WO2000067285A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00922750A EP1173877B1 (fr) 1999-04-28 2000-04-26 Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif
JP2000616037A JP2003500792A (ja) 1999-04-28 2000-04-26 還元ガスを使用した電界放出デバイスおよびその製造方法
US09/959,391 US6888294B1 (en) 1999-04-28 2000-04-26 Field emission device using a reducing gas and method for making same
DE60020959T DE60020959T2 (de) 1999-04-28 2000-04-26 Feldemissionsvorrichtung mit einem reduktionsgas und verfahren zur herstellung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9905361A FR2793068B1 (fr) 1999-04-28 1999-04-28 Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif
FR99/05361 1999-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000067285A1 true WO2000067285A1 (fr) 2000-11-09

Family

ID=9544950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2000/001101 WO2000067285A1 (fr) 1999-04-28 2000-04-26 Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6888294B1 (fr)
EP (1) EP1173877B1 (fr)
JP (1) JP2003500792A (fr)
DE (1) DE60020959T2 (fr)
FR (1) FR2793068B1 (fr)
WO (1) WO2000067285A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004073825A3 (fr) * 2003-02-20 2005-06-16 Du Pont Procede de reduction de la pression partielle de gaz non desires dans une petite enceinte a vide

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858811B1 (ko) * 2006-11-10 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시 소자의 제조 방법
WO2009026314A1 (fr) * 2007-08-23 2009-02-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dispositif à émission de champ avec vapeur protectrice

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3552818A (en) * 1966-11-17 1971-01-05 Sylvania Electric Prod Method for processing a cathode ray tube having improved life
EP0036681A1 (fr) * 1980-03-26 1981-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Procédé de fabrication d'un tube de télévision couleur comportant une couche absorbant les gaz; tube de télévision en couleur ainsi fabriqué et dispositif getter mis en oeuvre
EP0609815A1 (fr) * 1993-02-01 1994-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Procédé de fabrication d'un appareil de formation d'image et appareil de formation d'image ainsi produit
WO1996001492A1 (fr) * 1994-07-01 1996-01-18 Saes Getters S.P.A. Procede permettant de creer et d'entretenir une atmosphere controlee dans un dispositif a emission de champ a l'aide d'un produit degazeur
JPH093559A (ja) * 1995-06-21 1997-01-07 Japan Energy Corp 溶製金属材料の製造方法、製造装置及びタングステン系金属材料
WO1998028769A1 (fr) * 1996-12-23 1998-07-02 Candescent Technologies Corporation Procede de renforcement d'un ecran a panneau plat et dispositif a degazeur associe

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI106689B (fi) * 1991-04-01 2001-03-15 Sharp Kk Menetelmä elektroluminenssiohutkalvon valmistamiseksi
US5697825A (en) * 1995-09-29 1997-12-16 Micron Display Technology, Inc. Method for evacuating and sealing field emission displays
US5688708A (en) * 1996-06-24 1997-11-18 Motorola Method of making an ultra-high vacuum field emission display
JP3896686B2 (ja) * 1998-03-27 2007-03-22 双葉電子工業株式会社 真空外周器の真空方法
US6136670A (en) * 1998-09-03 2000-10-24 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming contacts between electrically conductive materials
US6268288B1 (en) * 1999-04-27 2001-07-31 Tokyo Electron Limited Plasma treated thermal CVD of TaN films from tantalum halide precursors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3552818A (en) * 1966-11-17 1971-01-05 Sylvania Electric Prod Method for processing a cathode ray tube having improved life
EP0036681A1 (fr) * 1980-03-26 1981-09-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Procédé de fabrication d'un tube de télévision couleur comportant une couche absorbant les gaz; tube de télévision en couleur ainsi fabriqué et dispositif getter mis en oeuvre
EP0609815A1 (fr) * 1993-02-01 1994-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Procédé de fabrication d'un appareil de formation d'image et appareil de formation d'image ainsi produit
WO1996001492A1 (fr) * 1994-07-01 1996-01-18 Saes Getters S.P.A. Procede permettant de creer et d'entretenir une atmosphere controlee dans un dispositif a emission de champ a l'aide d'un produit degazeur
JPH093559A (ja) * 1995-06-21 1997-01-07 Japan Energy Corp 溶製金属材料の製造方法、製造装置及びタングステン系金属材料
WO1998028769A1 (fr) * 1996-12-23 1998-07-02 Candescent Technologies Corporation Procede de renforcement d'un ecran a panneau plat et dispositif a degazeur associe

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1997, no. 05 30 May 1997 (1997-05-30) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004073825A3 (fr) * 2003-02-20 2005-06-16 Du Pont Procede de reduction de la pression partielle de gaz non desires dans une petite enceinte a vide

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003500792A (ja) 2003-01-07
FR2793068B1 (fr) 2001-05-25
DE60020959T2 (de) 2006-05-18
EP1173877B1 (fr) 2005-06-22
US6888294B1 (en) 2005-05-03
FR2793068A1 (fr) 2000-11-03
EP1173877A1 (fr) 2002-01-23
DE60020959D1 (de) 2005-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5688708A (en) Method of making an ultra-high vacuum field emission display
FR2739490A1 (fr) Procede de mise sous vide et d'etancheification de modules notamment d'affichage par emission de champ, et modules obtenus
FR2719943A1 (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage.
FR2756096A1 (fr) Procede de production d'un dispositif d'affichage a plasma et structure de substrat correspondante
EP0895268A1 (fr) Procédé d'assemblage sous vide d'un écran plat de visualisation
EP0738420B1 (fr) PROCEDE et installation d'ASSEMBLAGE D'UN ECRAN PLAT DE VISUALISATION
FR2736464A1 (fr) Dispositif de visualisation a emission de champ
US6422824B1 (en) Getting assembly for vacuum display panels
FR2760755A1 (fr) Luminophore et dispositif d'affichage
KR100428970B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 소자의 제조방법 및 장치
EP1173877B1 (fr) Dispositif a emission de champ utilisant un gaz reducteur et fabrication d'un tel dispositif
EP0838832B1 (fr) Procédé de fabrication d'un dispositif à émission de champ sous vide et appareils pour la mise en oeuvre de ce procédé
FR2761524A1 (fr) Dispositif comportant une cathode froide du type a emission de champ et procede d'aspiration de reservoir a vide et systeme pour celui-ci
WO2000060634A1 (fr) Procédé de fabrication d'afficheur plat et afficheur plat
FR2781081A1 (fr) Boitier sous vide pour un dispositif a cathodes a emission de champ
FR2776824A1 (fr) Enveloppe a vide et procede pour mettre sous vide celle-ci
EP0802559B1 (fr) Ecran plat de visualisation à source d'hydrogène
JP2009206093A (ja) 真空気密容器の製造方法
FR2735901A1 (fr) Enveloppe etanche aux gaz et au vide et procede pour sa fabrication
FR2727568A1 (fr) Assemblage d'un ecran plat de visualisation
JP3666647B2 (ja) 冷陰極蛍光放電管の製造方法
US20020013115A1 (en) Process for producing flat panel display containing getter material
JP2001155632A (ja) 冷陰極蛍光放電管の製造方法
KR100255452B1 (ko) 평판표시소자의 밀봉구조
JP2003151436A (ja) プラズマディスプレイパネルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000922750

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09959391

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 2000 616037

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000922750

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2000922750

Country of ref document: EP