WO1999046765A1

WO1999046765A1 - Support d'enregistrement magnetique et memoire magnetique

Info

Publication number: WO1999046765A1
Application number: PCT/JP1998/001064
Authority: WO
Inventors: Yuuichi Kokaku; Yoshinori Honda; Toshinori Ono
Original assignee: Hitachi, Ltd.
Priority date: 1998-03-13
Filing date: 1998-03-13
Publication date: 1999-09-16
Also published as: US6329037B1; JP3965277B2; US20020025451A1; US6491798B2

Description

明細

磁気記録媒体及び磁気記憶装置技術分野

本発明は磁気記録媒体及び磁気記憶装置に関するものであり、特に摺動耐久性が良好で高記録密度に適し、かつ記録再生出力が安定に得られる磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体を搭載した信頼性の高い磁気記憶装置に関する。背景技術

磁気ディスク装置はコンピュー夕などの情報機器の主記憶装置としてなくてはならないものとなっており、画像や音声などの大量データ高速処理の必要性増大に伴って、益々大容量かつ記録再生の高速化が必要となっている。このためには記録密度を高めると共に高速な読み取り Z書き込み動作が不可欠である。記録密度に関しては、記録再生へッドの素子から記録媒体である磁気ディスクの記録膜までの実質距離をできる限り縮め、トラック幅を狭くすること、高速動作に関しては、データ処理の高速化とともに高速回転、高速シークが必須である。これらの改良に伴って、従来は十分に余裕ある間隔をもって動作していた磁気へッドと磁気ディスクとがほとんど接しながら高速で運動する、いわゆる間欠接触の状態での動作を余儀なくされる。しかも、前記のように磁気ヘッド素子と磁気ディスク記録膜の実質距離を縮めるためには、その間にある保護層および潤滑層をできるだけ薄くする必要があり、具体的には、保護層が l Oninあるいはそれ以下、潤滑層が 2nmあるいはそれ以下であり、ディスク表面とへッドとの平均間隔が 30nmあるいはそれ以下で、場合によっては接触も有り得る。この様に極めて厳しい条件下で実用に耐える磁気ディスクを得るためには、保護層、潤滑層およびへッドの接触部の材質、形状を如何に設計するかがキーボイントであることは言うまでもない。

磁気ディスクの保護層および潤滑層については、従来から耐摩耗性、耐摺動性、耐食性などの向上の観点から改良が加えられてきている。保護層については、グラフアイ卜を Ar雰囲気でスパッ夕リングすることにより形成するアモルファスカーボン膜や、同じくグラフアイトを Ar + H2 あるいは Ar+CH4 雰囲気でスパッタリングすることにより形成する水素化ァモルファス力一ボン膜等が実用になっているが、このほか炭化水素ガスのプラズマ CVD でダイヤモンド状力一ボンを形成したり、 Si や Ti， W, Fe，等種々の元素を添加したカーボン膜、 BN， Si02 等さまざまな保護膜が検討されている。また、特に機械強度の改良を目的として、特開昭 6 2— 2 8 7 4 1 5号には硬さの異なる 2種のカーボン層を積層し、柔らかい下層を緩衝層として用いる例が開示されており、特開平 9一 9 1 6 8 7には、やはり保護層の膜厚方向に硬度を変えた例が開示されている。しかし、これらのいずれも l Onm以下の極薄膜では強度的にもたないか耐食性が不十分で使用に耐えないものであつた。

一方潤滑層に関しては、末端に吸着性の官能基をもつパーフロ口ポリエーテル系潤滑油がもっぱら用いられており、保護層との結合性を改良した末端基を持つ潤滑剤が多数開示されている。

しかし、従来の使用環境では、保護層、潤滑層についてはまずデイスク装置の起動 ·停止時のへッドとの摺動、いわゆるコンタクト · スター卜 - ストップのみを考慮すればよく、実際の読み取り、書き込み動作時には、へッドとディスクが離れているため異物の混入以外は摺動上の問題点は発生しなかった。

これに対し本発明で目的とする高記録密度高速処理用磁気ディスク装置においては、高速回転しているディスクに対しへッドが接触するか、あるいは接触しないまでも空気の流れなどを介して相互作用し、それによって保護膜の損傷が生じ、ひいてはディスク自体の損傷を生じるものであり、従来と違った性能をも併せ持つ保護層が求められるのである。従って前記した公知技術のいずれも本願発明者らの目的とするような低浮上かつ極薄膜での使用に耐えるものではなかった。

本発明の目的は、高速低浮上摺動における損傷が少なく耐久性の高い磁気記録媒体を提供することにあり、実質膜厚 l Onm以下の極薄膜でもこのような過酷な条件で使用できる保護層を有する磁気記録媒体を実現することによって信頼性の高い磁気記憶装置を得ることにある。発明の開示

上記の課題を解決するために、本発明では特定の材質の保護層を設けた。その詳細を以下に説明する.

本発明の磁気記録媒体の断面構造の 1例を第 1図に示す。基板 1は、中央に穴の開いた円板状基板であり、通常 NiPメツキされたアルミニゥムーマグネシゥム合金、あるいは強度を増すために強化処理を施したガラス基板が用いられる。本発明においては、その材質に特別の指定はないが、表面はできる限り平滑なものがよく、中心線平均粗さで数 nm以下、好ましくは lnm以下とするのがよい。下地層 2は、磁性層 3の結晶性を良くするためのもので、例えば Crあるいはその合金を用いることができる。もちろん多層構造にすることも可能である。磁性層 3は、信号を記録するためのもので、例えば Co 系合金材料等が用いられる。 CoCrTa, CoCrPt, CoCrV, CoNiCr, CoNiV,などの 3元系合金がよく用いられるが、これらに第 4の元素を加えたり酸化物を加えたりすることもできる o

保護層 4は、本発明の特徴であって、特定の機械強度特性を有する層である。特定の機械強度特性とは、具体的には、へッドの押し付け方向と走行方向のそれぞれについて保護層 4の厚みの半分以下の押し込み深さにおいて測定されたヤング率の比で表わされ、押し付け方向のヤング率を E d、走行方向のヤング率を E c とした時、 E c Z E dが 0 . 5以下のものをさす。この測定には、例えば、先端の曲率 Rが 0 . 1 ミクロン以下の円錐形あるいは角錐形圧子を微小荷重で前記深さまで押し込み- その位置でへッド押し付け方向あるいはへッド走行方向に微小振動を加えて塑性変形が起こらない範囲での変形量と面圧との関係からヤング率を求めればよい。

また、保護層が基板面に垂直な方向と平行した方向とで機械特性を大きく変えるには、異なる性質の層が積層されたラミネ一ト構造とするのがよい。特に本発明で必要な、垂直方向にヤング率/硬度比が大きく水平方向にヤング率 Z硬度比の小さい膜を得るには、ヤング率の小さくなる層と大きくなる層を交互に重ねるのがよい。すなわち、第 1図における A層 5および B層 6の様にするのがよい。 A層 5 として硬度 · ヤング率が大きな層、 B層 6 として硬度 · ヤング率が小さな層とし、これらが 1体として作用をなすために各層の膜厚をできるだけ薄く、かつ多層に積層することが好ましい。但し、本発明で目的とするのは、合計膜厚 1 0 nm以下の層であるので、各層の膜厚は 3 nm以下、好ましくは 1 nm以下とするのがよい。ここで、このための 1つの優れた方法として、力一ボンを主として硬度 · ヤング率が共に大きくなる添加元素と、硬度 · ャング率が共に小さくなる添加元素を交互に添加して積層する方法がある, 前者の硬度 ·ヤング率が共に大きくなる添加元素としては、窒素、 2 0 % 未満の水素、シリコン、ボロン等や窒素と 2 0 %未満の水素の混合物等があり、後者の硬度 · ヤング率が共に小さくなる添加元素としては、 2 0 %以上の水素、酸素、フッ素等がある。

本発明の特徴を示す構成例として、シリコン基板上に窒素比率 1 0 % の窒素化カーボン膜と水素比率 4 0 %の水素化カーボンを膜厚 2 nm づつ交互に 5層積層した総膜厚 1 0 n mの層について、前記のナノインデンテーシヨン評価（微小押し込みによる評価）を行った結果を第 2図に示す。比較として、それぞれの膜の単層 1 0 n mの層を設けた場合の評価結果も示した。第 2図から分かる様に膜に垂直方向（丄）のヤング率は、それぞれの単層膜のヤング率の平均よりやや大きな値となっているのに対し、膜の水平方向（ II ) のヤング率は、それぞれの単層膜のヤング率の平均より小さな値となり、本発明の効果を発揮することができる。第 1図において、本発明の保護層 4の上に潤滑層 7を設けることができる。潤滑層 7 として、現在末端基を変性させたパ一フロロポリエーテルがよく用いられており、例えば、パーフロロポリエーテルの主鎖をもち、末端に水酸基、アミド基、アミノ基、アミン塩、エステル基、ピぺロニル基等の極性基を持つ分子量 1 , 0 0 0〜 1 0 , 0 0 0のフッ素油を用いることができる。本発明においても、これらを用いることはへッドとの接触時の摩擦係数を低減させ、 C S S時あるいは安定連続摺動時の長寿命化に効果がある。但し、本発明で目的とする様な、間欠的かつ衝撃的接触には効果がない。

次に、本発明の磁気ディスク円板の作製方法について述べる。

基板としては、 2 . 5インチ、 3 . 5インチ等所定の外径を持つ円板であって、スピンドルモータに取り付けるための穴を中心にあけたものを用いる。厚さ、端面形状等は、その用途に応じて決めればよく、本発明はこれにはよらない。通常用いられる非磁性 MPメツキを施したアルミニゥムマグネシウム合金や表面を強化したガラス基板等はもちろん、その他の非磁性基板材料も同様に用いることができる。但し、その表面の平坦性は重要であり、出来得る限り平坦なものを用いるのがよい。基板は、そのままあるいはテクスチャ加工と呼ばれる表面加工を行つた後、欠陥低減のため洗浄を行う。洗剤を供給しながらブラシあるいはパッド等で表面についたごみや汚染物質を擦リ取る工程、純水スプレーに超音波を重畳させて微小異物を落とす工程、スピン乾燥や温風乾燥等の工程を組み合わせて行うのがよい。また、酸やアルカリ等で極表面層を溶かし出す工程やプラズマ処理等で表面を改質する工程を組み込むこともできる。本発明はこれらの工程の如何によらず行うことができる。必要があれば、へッドの起動 ·停止領域いわゆる C S Sゾ一ンに粘着防止のための凹凸を形成することができ、例えば、レーザ一スポットを照射してその部分の基板材を溶かし、固化する時にできる凹凸を適当な間隔で並べてもよい。

次に磁性層の結晶性を制御するため真空中で基板を加熱し、スパッタリングにより適当な下地金属層を設けたのち強磁性材料層を形成する。加熱温度は、所望する磁気特性によって異なるが、大凡 1 5 0 °Cから 3 0 0 °Cの間であり、下地層は磁性層との格子マッチングのよい C rあるいは C rの合金がよく用いられる。下地層、磁性層は、それぞれ 1層でなく複数の層からなっていてもよい。

次に本発明のポイン卜である保護層を形成する。保護層は、磁性層と別工程で設けることもできるが、磁性層表面の酸化による劣化や密着力低下を防ぐためには、同一真空装置内で連続して形成するのがよい。このためには、後で解説する多層膜連続形成装置を用いる。

本発明の保護層は、スパッタリング法、プラズマ C V D法、イオンビ —ムデポジション法等の真空中での皮膜堆積法で形成することができる < 保護層 4の上に潤滑層 7を形成するには、潤滑油を溶媒に一定濃度で溶解した浴を設け、ディスク基板をこれに浸して静かに引き上げる方法やディスク表面に一定量の溶液を垂らしてディスク基板を回転し塗布するスピン塗布法等を用いることができる。潤滑油層の厚さは、厚過ぎるとヘッドとの接触面にたまり粘着するので薄い方がよいが、薄過ぎるとその効果が小さいので、 5〜 2 0人程度が好ましい。

上記の様な保護層が、本発明の目的に好適であるのは下記の理由からである。

本発明により磁気ディスクの耐久性が向上するのは次の理由による。すなわち、今般の磁気ディスクにおいては、回転による空気圧でへッドがディスク表面から極僅かの距離を保って浮上しているが、この間隔が平均的には 1 0〜 4 0 n mであり、微小な振動や揺らぎによってへッドの一部が接触したり、微小な塵埃等を嚙み込んでディスク面を擦ったりすることが頻繁に起こり得る。このため、従来、起動停止時のいわゆるコンタクト - スタート . ストップにおける摺動に耐えるだけでなく、高速回転時の瞬間的な接触にも耐える系を作らなければならなくなつている。一方で記録幅が 1 ミクロンを切りトラック幅も非常に狭くなつているため磁気記録媒体とへッド素子の間隔をできるだけ詰めなければ記録再生出力が確保できなくなつている。すなわち、保護層は可能な限り薄くしなければならないのである。このような互いに背反する要求を満たすためには、薄くても高速高荷重接触に耐えうる新しい保護層が必要となっているのである。

本発明では、上記の様な高速高荷重接触時に最も適した物性の保護層となっている。すなわち、保護層の面に水平方向のヤング率が低いために接触時の反力が小さく、弾性変形して逃げてくれると共に垂直方向にはヤング率が大きいために接触による異物の嚙み込みやエツジ部による傷が生じ難く、結果として損傷の少ない接触モ一ドとなるのである。単に膜全体のヤング率を下げただけでは、水平方向には柔らかな接触となるが、深さ方向に沈み込みが大きく、結果として変形部が大きくなるために接触力が増大し、ついには弾性限界を超え塑性変形から破壊に至る反対に膜全体のヤング率を上げると沈み込みは小さくなるが、水平方向に当たった時の反力が大きく、結果として保護層全体や磁性膜に亀裂が入り破壊に至る。

保護膜の面方向の機械強度を調べるために、次の様な試験装置を用いた。すなわち、先端を球面研磨したダイヤモンド針を精密な平行板ばねの付いた保持具にセッ卜して、水平方向および垂直方向に振動可能な様に固定した。この保持具に水平および垂直の 2方向の誘導コイルを取り付け、このコイルにそれぞれ交流電流を流すことでダイヤモンド針に微小な振動を与えることができる様にした。更にこの保持具に取り付けた水平および垂直の金属箔と固定された金属箔の間の静電容量の変化を測定し、これにより、ダイヤモンド針を水平、垂直それぞれの方向に振動させた時の針先端に掛かる水平、垂直方向の荷重およびそれに対応した位置を測定できる様にした。

この装置の試料固定台に、前記の様にして作製した磁気ディスク円板を固定し、まず試料台を上方にゆつくりと動かして弾性変形範囲内でダィャモンド針を押し込む。次に垂直方向に 1 H zの周期で振動させながら徐々に振幅を大きくし、その時の荷重と振幅の関係を採る。針が上に上がりきる前に荷重 0になったら塑性変形したことになるので、振動を止め、針を引き上げる。次に場所を僅かにずらして同じ様に針を押し込み、今度は水平方向に徐々に振幅を大きくしながら振動させる。針が原点に戻る前に水平方向の荷重が 0になったら塑性変形したということになるので、振動を止め針を引き上げる。

このようにして垂直方向、水平方向の塑性変形する直前の荷重および弾性変形領域でのある一定量の振幅の時の荷重を求め、これらから水平、垂直方向の弾性率、弾性限界応力を求めた。

さらに、本発明の磁気記憶装置は、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動する駆動部と、該磁気記録媒体に情報を記録 ·再生する磁気へッドと該磁気へッドを上記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、上記磁気へッドへの信号入力と上記へッドからの出力信号再生を行なうための記録再生信号処理手段とを有しており、磁気記録媒体として前述の磁気記録媒体を搭載するものである。図面の簡単な説明

第 1図は本発明による磁気ディスクの構造を示す断面図である。

第 2図は本発明による磁気ディスクのヤング率と従来技術のヤング率との比較を示すグラフである。

第 3図は本発明の実施例の評価結果 1を纏めた表である。

第 4図は本発明の実施例の評価結果 2を纏めた表である。

第 5図は本発明による磁気記憶装置の平面模式図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。

《実施例 1》

外径 3. 5ィンチの非磁性 NiPめっきを施した A1 - Mg合金製ディスク基板の表面を平滑研磨したものの両面に円周方向に微細な加工溝を設けた _c 加工後の表面粗さは、 Raで約 0 . 5 nmであった。この基板を洗浄して異物や有機汚染を除去し乾燥させた後、多層膜連続形成装置を用いて成膜を行った。成膜工程においては、基板を口一ドロック室から真空中に導入し、赤外線ヒーターで 2 5 0°C迄加熱した後、順次 Cr下地層、 CoCrPt 磁性層、保護層を形成した。それぞれの厚さはが 20nm，CoCrPtが 20nm、保護層が 7 . 5 nmとなる様条件を調節した。ここでは 5つの成膜室を使い、グラフアイ卜ターゲットをガス雰囲気を交互に変えて D Cマグネトロンスパッ夕リングすることにより保護層を形成した。すなわち、成膜室 1、 3、 5では、雰囲気にガス圧 7 m T 0 r rのアルゴン：水素：窒素 = 6 ： 1 ： 3の混合ガスとして第 1図 A層を形成し、成膜室 2、 4では、ガス圧 1 0 m T 0 r rのアルゴン：水素- 6 ： 4の混合ガスとして第 1図 B層を形成した。各室での成膜膜厚は、 1 . 5 n mとした。この基板を真空槽から出した後、ディップ法によりパーフロロポリエーテル骨格の潤滑剤を約 1 . 5 n mの平均厚さとなるように塗布した。

このようにして製造した磁気ディスクのへッド押し付け方向およびへッド走行方向のヤング率を測定したところ、へッド押し付け方向が 1 8 0 G P a、へッド走行方向が 7 0 G P aであった。

上記のようにして作製した磁気ディスクを A1203- TiCセラミックスでできた長さ 2mm、幅 1. 5mm、厚さ 0. 4mmのブロックの底面にィォンミリングにより幅 2 0 0 ミクロンの 2 レールスライダ加工を行って作製したテスト用へッドを用いて荷重 5gf回転速度 5m/sで連続摺動試験を行った。このディスクの摺動部およびテスト用へッドのスライダ面を光学顕微鏡および AFM (原子間顕微鏡）で観察したが、摩耗は検出されなかった。また、ディスク摺動部の潤滑剤量を測定したところ未摺動部の約 95%であり、ほとんど減少していないことがわかった。

次に実際の磁気ディスク装置に用いているいわゆるピコへッドを用いて、へッド浮上量を 1 8 n mに調節し、 7 2 0 0 r p mで回転しているディスクにへッドを口一ドオンした後、ディスク表面に直径 1 0 0 n m の S i O 2粒子を噴霧してそのまま 1 0分間回転させ続けた。試験後ディスク表面の損傷を光学顕微鏡で観察したが、キズは見られなかった。《比較例 1》

実施例 1において、保護層の成膜時に 5つの成膜室の成膜条件を全て条件 1 (硬度 · ヤング率を大きくする条件）として、他は実施例 1 と同じ様にして磁気ディスクを作製した。へッド押し付け方向とへッド走行方向のヤング率は、それぞれ 1 9 0 G P a GPa， 1 6 0 GPaであった。これを実施例 1 と同じ様に連続摺動試験を行ったところ、結果は摺動回数と共に摩擦係数が増加し、 1 0 k回直前で摩擦係数が 1 . 0を超えてクラッシュした。また、 S i 0 2噴霧試験では、周方向に長く引きずったキズが 1 0 0本/面以上発生し、 S i 0 2粒子の埋め込みも見られた。《比較例 2》実施例 1において、保護層の成膜時に 5つの成膜室の条件を全て条件 2 (硬度 · ヤング率を小さくする条件）とし、他は実施例 1 と同じ様にして磁気ディスクを作製した。へッド押し付け方向とへッド走行方向のヤング率は、それぞれ 8 5 G P a , 8 1 G P aであった。これを実施例 1 と同じように摺動試験を行ったところ、結果は初期摩擦係数が 0 . 1程度であり、 3 0 k回までは増加しなかったが、それ以降は回転数と共に増加し、 100k回では 7. 5gf に達した。また、停止後そのままスライダを接触させて 1 日置き、その後の回転立ち上がり摩擦力を測定したところ、約 1 5 g f であり、著しく粘着していることが分かった。このディスクの摺動部およびテスト用へッドのスライダ面を光学顕微鏡および AFMで観察したところ、ディスク面では保護膜が約 5 nm摩耗し、スライダ面にも傷が観られた。更にスライダ端部に潤滑剤の集まった部分が観られたまた、ディスク摺動部の潤滑剤量を測定したところ、未摺動部の約 3 0 % であり、殆ど無くなつていることが分かつた。

次に S i 0 2噴霧試験を行ったところ、 1分以内で保護層が削れて磁性層に達するキズが発生し、クラッシュした。

第 3図は実施例 1において、成膜室 2、4の成膜条件を変えて同様の評価を行い、結果を表に纏めて示したものである。この表からへッド押し付け方向のヤング率が、 1 5 0 G P a以上でかっこれに対しへッド走行方向のヤング率の割合が 0 · 5以下のものが優れた特性を示すことがわかる。

第 4図は実施例 1 において、成膜室の数を 1つずつ減らし、合計膜厚は 6〜 8 n mとなる様に調節して、後は実施例 1 と同様に磁気ディスクを作製し評価を行った結果を、表に纏めて示したものである。表に示す様に 2層以下では最表面層の影響が強く、本発明で必要なヤング率の比は得られないことが分かった。

また、第 5図は本発明の磁気記憶装置の平面模式図である。前述の実施例 1で示された磁気ディスク 21を一枚又は複数枚と、磁気ディスク 2 1の情報記録面に対応した磁気へッド 23と、磁気ディスク 2 1を回転駆動する駆動部 22と、磁気へッド駆動手段 24と、信号処理部 25とを有する。磁気へッド 2 3 として、電磁誘導型記録へッドと磁気抵抗効果型再生へッドの複合へッド（MRへッド（Magnetoresistive Head) )、或いは GMR へッド（Giant Magnetoresistive Head) を組み合わせて用いることが好ましい。産業上の利用可能性

本発明により実質厚さ 10nmあるいはそれ以下の膜厚の保護膜でも十分な強度および耐摺動性を有する磁気ディスクを得ることができ、潤滑剤の粘着耐性も向上させることができる。また、この磁気ディスクを搭載した磁気ディスク記憶装置は、記録再生特性が安定した信頼性の高い磁気ディスク記憶装置とすることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 少なくとも基板とその上に設けられた非磁性下地層と強磁性薄膜からなる記録層とその上の保護層および潤滑層とからなる磁気記録媒体において、最表面から 5nm押し込んだときの記録媒体面に垂直方向のヤング率がへッド走行方向のヤング率に比べ 2倍以上大きいことを特徴とする磁気記録媒体。

2 . ヘッド押し付け方向のヤング率が 1 5 0 G P a以上であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の磁気記録媒体。

3 . 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであることを特徴とする請求の範囲第 2項記載の磁気記録媒体。

4 . 前記基板はアルミ二ユウム合金あるいはガラスからなり、非磁性下地層は C rあるいはその合金からなり、強磁性薄膜は C o合金からなることを特徴とする請求の範囲第 3項記載の磁気記録媒体。

5 . 少なくとも基板とその上に設けられた非磁性下地層と強磁性薄膜からなる記録層とその上の保護層および潤滑層とからなる磁気記録媒体において、前記保護層が窒素、 2 0 %未満の水素、シリコン、ボロンのいずれかあるいは 2 0 %未満の水素と窒素を含む炭素からなる層と、酸素、 2 0 %以上の水素、フッ素のいずれかを含む炭素からなる層が交互に積層され、各層の厚さが 3 nm以下でありかつ合計厚さ 10nm以下の層からなることを特徴とする磁気記録媒体。

6 . 前記磁気記録媒体は磁気ディスクであることを特徴とする請求の範囲第 5項記載の磁気記録媒体。

7 . 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動する駆動部と、該磁気記録媒体に情報を記録 ·再生する磁気へッドと、該磁気へッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気へッドへの信号入力と当該磁気へッドからの出力信号再生を行なうための記録再生信号処理手段とを有する磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体は、少なくとも基板とその上に設けられた非磁性下地層と強磁性薄膜からなる記録層とその上の保護層および潤滑層とからなり、最表面から 5nm押し込んだときの記録媒体面に垂直方向のヤング率がへッド走行方向のヤング率に比べ 2倍以上大きいことを特徴とする磁 §じ憶置。 '

8 . 前記磁気へッドの再生部が磁気抵抗効果型磁気へッドで構成されていることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の磁気記憶装置。

9 . 前記磁気へッドの再生部が G M Rへッドで構成されていることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の磁気記憶装置。

10. 磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を駆動する駆動部と、該磁気記録媒体に情報を記録 · 再生する磁気へッドと、該磁気へッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気へッドへの信号入力と当該磁気へッドからの出力信号再生を行なうための記録再生信号処理手段とを有する磁気記憶装置において、

前記磁気記録媒体は、少なくとも基板とその上に設けられた非磁性下地層と強磁性薄膜からなる記録層とその上の保護層および潤滑層とからなり、前記保護層が窒素、 2 0 %未満の水素、シリコン、ポロンのいずれかあるいは 2 0 %未満の水素と窒素を含む炭素からなる層と、酸素、 2 0 %以上の水素、フッ素のいずれかを含む炭素からなる層が交互に積層され、各層の厚さが 3 mn以下でありかつ合計厚さ 10nm以下の層からなることを特徴とする磁気記憶装置。

1 1.前記磁気へッドの再生部が磁気抵抗効果型磁気へッドで構成されていることを特徴とする請求の範囲第 10項記載の磁気記憶装置。

12.前記磁気へッドの再生部が G M Rへッドで構成されていることを特徴とする請求の範囲第 10項記載の磁気記憶装置。