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WO1997037960A1 - DERIVES D'ETHER DE α,α-DIFLUOROBENZYLE, COMPOSITIONS DE CRISTAUX LIQUIDES ET DISPOSITIFS D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES - Google Patents

DERIVES D'ETHER DE α,α-DIFLUOROBENZYLE, COMPOSITIONS DE CRISTAUX LIQUIDES ET DISPOSITIFS D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES Download PDF

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Publication number
WO1997037960A1
WO1997037960A1 PCT/JP1997/001214 JP9701214W WO9737960A1 WO 1997037960 A1 WO1997037960 A1 WO 1997037960A1 JP 9701214 W JP9701214 W JP 9701214W WO 9737960 A1 WO9737960 A1 WO 9737960A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
trans
compound
difluoro
group
methane
Prior art date
Application number
PCT/JP1997/001214
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shuichi Matsui
Yasuyuki Koizumi
Kazutoshi Miyazawa
Yasuko Sekiguchi
Etsuo Nakagawa
Original Assignee
Chisso Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corporation filed Critical Chisso Corporation
Priority to AU23071/97A priority Critical patent/AU2307197A/en
Priority to EP97915683A priority patent/EP0893424A1/en
Priority to JP53606197A priority patent/JP3857319B2/ja
Publication of WO1997037960A1 publication Critical patent/WO1997037960A1/ja

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
    • C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C255/54—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing cyano groups and etherified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
    • C07C255/49—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C255/50—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton to carbon atoms of non-condensed six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
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    • C07C255/57—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing cyano groups and carboxyl groups, other than cyano groups, bound to the carbon skeleton
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/225—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
    • C09K19/3001—Cyclohexane rings
    • C09K19/3066—Cyclohexane rings in which the rings are linked by a chain containing carbon and oxygen atoms, e.g. esters or ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated

Definitions

  • the present invention relates to a novel liquid crystalline compound which mainly exhibits suitable physical properties in liquid crystal compositions for TN, STN and TFT, and a difluorobenzoyl ether derivative and a suitable liquid crystal compound using the novel liquid crystalline compound.
  • the present invention relates to a liquid crystal composition having various physical properties, and a liquid crystal display device using the liquid crystal composition.
  • Liquid crystal display devices use the optical anisotropy and dielectric anisotropy of liquid crystal materials, and are widely used in watches, calculators, professionals, televisions, etc., and their demand is increasing year by year. is there.
  • the liquid crystal phase is located between the solid phase and the liquid phase, and is roughly classified into a nematic phase, a smectic phase and a cholesteric phase. Among them, a display element utilizing a nematic phase is currently most widely used.
  • TN twisted nematic
  • STN super twisted nematic
  • TFT thin film transistor
  • the liquid crystal material used for the liquid crystal display element usually has the optimum dielectric anisotropy value ( ⁇ £), refractive index anisotropy value (mm n), viscosity and elastic constant ratio K 3 required for each display element.
  • ⁇ £ dielectric anisotropy value
  • mm n refractive index anisotropy value
  • K 3 elastic constant ratio
  • liquid crystal compositions are prepared by mixing several types of non-liquid crystalline compounds and used for display devices. For this reason, compatibility with other liquid crystal compounds, in particular, good compatibility with low-temperature compatibility is also required in recent years due to requirements for use in various environments.
  • the active matrix method in particular, the thin film transistor (TFT) method, has been actively adopted as a display mode for televisions, viewfinders and the like.
  • TFT thin film transistor
  • the STN method which has a relatively large display capacity and has a relatively simple structure compared to active matrix display elements and can be manufactured at low cost, is also widely used as a display for personal computers. Have been.
  • V th the threshold voltage (V th) is represented by the following equation (II. J. Deuling et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 27 (1975) 81).
  • V th 7 ⁇ ( ⁇ / ⁇ 0 ⁇ ⁇ ) 1/2
  • ⁇ is the elastic constant
  • ⁇ u is the dielectric constant in vacuum.
  • liquid crystal compositions used for TFT display devices are composed of fluorine-based liquid crystal materials. This is because the TFT method requires a high voltage holding ratio (VHR) due to the structure of the element, and the temperature dependence of the material must be small, and materials other than fluorine cannot meet these requirements. is there.
  • VHR voltage holding ratio
  • the following compounds are known as conventional fluorine-based low-voltage materials.
  • R represents a hydroxyl group.
  • both compounds (a) and (b) have several fluorine atoms at the end of the molecule of the compound and exhibit relatively large dielectric anisotropy. It is known that its viscosity is relatively low. Generally, it is empirically known by those skilled in the art that the relationship between the number of substituted fluorine atoms, the clearing point, and the viscosity is not simple, but is inversely proportional and proportional, respectively. Therefore, when a liquid crystal composition is prepared using only a series of these compounds, the required clearing point and viscosity (response speed) cannot be achieved. There are many problems, such as the fact that it is easy to take in the voltage and the voltage holding ratio decreases.
  • the compound (c) has a relatively low viscosity compared to the compound having the same skeleton, but the stability of the unsaturated bond group of the side chain to changes in the external environment (heat, light, etc.) is a saturated type of the side chain.
  • it is unsuitable for solving the above-mentioned problems because of its low dielectric anisotropy and large dielectric anisotropy.
  • the compound (d) has a feature that it has a higher clearing point and a smaller elastic constant as compared with the compound having the same skeleton, Its viscosity is very high due to the two fluorine atoms substituted in the side chain, and it is considered unsuitable for use in compositions that require fast response. It is.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal material capable of low-voltage driving and high-speed response, 1) having a low threshold voltage, 2) having low viscosity, and 3) when added to a liquid crystal composition, has a dielectric anisotropy. 4) New liquid crystal compounds excellent in compatibility with other known liquid crystal compounds, especially low-temperature compatibility, liquid crystal compositions containing the same, and liquid crystal display devices using them Is to provide.
  • the dielectric anisotropy value of the compound of the present invention is smaller than that of the compounds (a), (b) and ( ⁇ ) shown in the conventional section, the threshold voltage is almost the same. Equivalent and exhibiting low thresholds and value voltages that may be attributed to small elastic constants, as well as known compounds It has been found that the compound is excellent in compatibility with substances, especially in low-temperature compatibility. Further, the compounds of the present invention in which the substituent R 'is other than an alkyl group and X is other than a CN group show a high voltage holding ratio, and thus a liquid crystal material for a TFT display device, particularly a low voltage drive and a high speed response.
  • R ′ represents a linear or branched alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or a alkenyl group having 2 to 15 carbon atoms, and one or one or more non-adjacent [H Two groups may be substituted with an oxygen atom, and the ring A and the ring B may be, independently of each other, one or more CH 2 groups on the ring may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom 1, A 4-hexyl hexylene group or one or more CII groups on the ring may be substituted with a nitrogen atom, and one or more hydrogen atoms on the ring may be substituted with a halogen atom.
  • ⁇ C and I1D each independently represent one or more hydrogen atoms on the ring in which a halogen atom may be substituted.
  • Z ', Z 2 and Z 3 are CH 2 CH 2, independently of one another -, - CH two ⁇ bets, - C ⁇ Ji - or a single bond
  • X is a halogen atom
  • CF 3 Represents OCF 3, OCHF 2 or CN groups
  • Y represents a hydrogen or halogen atom
  • 1 and m are ⁇ or 1, 1 + M ⁇ 1, also elements constituting the compound its isotope ⁇ , 1-difluorobenzyl ether derivative represented by the following formula:
  • ring A is a 1,4-cyclohexylene group
  • c is
  • a liquid crystal composition comprising two or more components, including at least one component of the compound represented by the general formula (1).
  • R 3 represents a C 1-10 alkyl group
  • X 1 represents F, Cl, 0CF 3 , 0CF 2 H, CF 3 , CF 2 H or CFH 2
  • L ′, L 2 , L and L 4 are Independently represent H or F
  • a liquid crystal composition comprising at least one compound selected from the group consisting of:
  • RiF represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and any methylene group (1 CH 2 — ) May be substituted by an oxygen atom (1 0—), but two or more methylene groups are not consecutively replaced by an oxygen atom, and HE is trans- 1,4-cyclo.
  • Xylene group, 4 -phenylene group, pyrimidine-1,5-diyl group or 3-dioxane-1,2,5-diyl group, HF is trans-1,4-cyclohexylene
  • a ring, a 4-phenylene group or a pyrimidine-1,5-diyl group, a ring G represents a trans-1,4-cyclohexylene group or a 1,4-phenylene group
  • Z 6 represents a 1- (CH .) 2 - one COO- or a single bond
  • L 5 and L 6 represent H or F independently of one another, b and c mutually Stand to 0 or is 1),
  • R 5 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • L 7 represents II or F
  • d represents 0 or 1
  • R 6 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and rings 1 and 1 independently represent a trans-1,4-cyclohexylene group or a 1,4-phenylene group.
  • Zeta 7 and Zeta are independently of each other show an COO- or a single bond
  • Z 3 represents an C ⁇ one or a C ⁇ C one
  • L 3 are independently of each other H or F
  • X 2 represents F, ⁇ CF 3 , OCF 2 H, CF 3 , CF 2 H or CFH 2
  • X 2 represents 0CF 3 , OCF 2 H, CF 3 , CF 2 H or CFH 2
  • L B and L 3 both represent H, and e, f and g independently represent 0 or 1)
  • R 7 and R 8 are each independently a C 1-10 alkyl group or a C 2-10 alkenyl group, and in each case, any methylene group (one CH 2 —) may be substituted by an oxygen atom (1 0—), but two or more methylene groups are not consecutively substituted by an oxygen atom, and ring J is trans — 1,4-cyclo Represents a xylene group, a 1,4-phenylene group or a pyrimidine-1,2-diyl group, ⁇ represents a trans-1,4-cyclohexylene group or a 1,]] phenylene group, and Z ′ .
  • one C ⁇ C one, one CO_ ⁇ one, - (CH 2) 2-one CH CH- C ⁇ C- or a single bond
  • Z '1 is shows the one COO- or a single bond
  • R 9 and R 1Q independently represent a C 1-10 alkyl group or a C 2-10 alkyl group, and in each case, any of the methyl groups
  • the radical (1 CH 2 —) may be substituted by an oxygen atom (110), but two or more methylene groups are not consecutively substituted by an oxygen atom, and ring L is trans- 1,4-cyclohexylene group, 1.4-phenylene group or bilimidine-1,2,5-diyl group, where: is a trans-4-cyclohexylene group, one or more hydrogen atoms on S The atom may be substituted by F.
  • Z 1.4 represents a 4-fuylene or bilimidine-2.5-diyl group
  • 3 N represents a trans-1.4-cyclohexylene group or 1,4-phenylene.
  • Z ′ 2 and Z ′′ independently of one another represent one C ⁇ 0—, one (CH 2 ) 2 — or a single bond
  • Z, i—CH CH—, one C ⁇ C one
  • h represents 0 or 1.
  • the first component contains at least one kind of the liquid crystalline compound according to any one of [1] to [1], and as a part of the second component, a compound represented by the general formula (2) or (2) It contains at least one compound selected from the group consisting of 3) and (4), and as other parts of the second component, the general formulas (5), (6), (7), (8) and (9) )
  • a liquid crystal composition comprising at least one compound selected from the group consisting of kin and kin.
  • a liquid crystal element comprising the liquid crystal composition according to any one of [11] to [14].
  • the compound of the formula (1) of the present invention is very stable against the external S boundary, has very low viscosity, and exhibits a low threshold voltage which is considered to be caused by an elastic constant. Further, it is a compound excellent in compatibility with other liquid crystal compounds, especially in low-temperature compatibility. Further, the compounds of the present invention in which a substituent other than alkyl group R 1 and a group other than C C are selected as substituents R 1 show a high voltage holding ratio, and are liquid crystal materials for TFT display devices, especially low voltage drive.
  • the dielectric anisotropy value is small and the polarity of the compound molecules is small, so that the ionic impurities which are particularly problematic in the TFT method are used. It shows a stable high voltage holding ratio with little temperature dependence and very little incorporation.
  • the excellent properties of the compounds of the present invention are due to the two 1,4-phenylene groups. it is inserted central linking group in Okishijifuru old Romechi Len (one ⁇ _CF 2 -) due to group.
  • the compound of the present invention can be used for various purposes by using a compound in which R ′, ring A, B, C, D, Z ′, Z 2 , Z 1 and m in the formula (1) are appropriately selected.
  • a liquid crystal composition can be prepared.
  • a particularly high voltage holding ratio such as for a liquid crystal composition for active matrix
  • select an alkyl group for the side chain R 1 and a non-CN group for the substituent X and use it as a thickening material for STN, etc.
  • a alkenyl group may be selected for the side chain R ′.
  • one or two fluorines are located at the ortho-position of the oxo-side phenyl ring (ring C) of the oxydifluoromethylene group which is the central bonding group.
  • the objective can be achieved by introducing the dipole so as to be oriented in the same direction.
  • it has excellent compatibility, especially low-temperature compatibility, as compared with the ring A, ring B, SC or ring D in which the fluorine atom is not substituted in the side direction.
  • the refractive index anisotropy value can also be arbitrarily adjusted by appropriately selecting R ′, ring, C.X and m in the formula (1).
  • the Z 'and Zeta 2 compounds have a compound which is a single bond substituent X is a chlorine atom A small refractive index anisotropy value may be selected. If necessary, a compound containing a large amount of trans-1,4-cyclohexylene may be selected.
  • alkyl group in the present invention means a straight-chain or branched alcohol group having 1 to 15 carbon atoms, particularly a group having 1 to 5 carbon atoms from the viewpoint of low viscosity. Is preferred. Specifically, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, isopropyl, isobutyl, isoamyl, isohexyl, 2-methylbutyl Group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and the like are preferable, but they also include racemic, S-form and R-form.
  • alkenyl group in the present invention means a straight-chain alkyl group having 2 to 15 carbon atoms, such as 1E-alkenyl, 2 ⁇ -alkenyl, 3 ⁇ -alkenyl.
  • 2- and 4-alkenyl groups and more specifically, 1-ethenyl, 1E-propenyl, 1E-butenyl, 1E-hexenyl, 2-propenyl, 2-butenyl, and 2-phenyl.
  • Pentenyl, 2 ⁇ - ⁇ xenyl, 3-butenyl, 3 ⁇ -pentenyl, 3 ⁇ xenyl group can be listed.
  • the ring examples include a benzene ring, a cyclohexane ring, a pyrimidine ring, a pyridine ⁇ , a pyrazine ring, a pyridazine ring, a dioxane ⁇ , a dithian ring, and a halogen-substituted ring thereof.
  • FIG. 1 is a view showing an actual measurement chart of a ' 3 F-NMR spectrum of the compound No. 1 of the present invention. Best mode for implementing
  • a preferred embodiment of the alkylcyclohexane derivative represented by the general formula (1) is a compound represented by the following general formulas (1-a) to (1-c). is there.
  • More preferred compounds are those represented by the general formulas (1-1a-1) to (1-1a-8), (1-1b-1) to (1-1b-14) and (1-cl). To (111 :: 108). However, R 1 has the same meaning as described above.
  • the compound of the present invention is added to a composition for a low voltage having a large dielectric anisotropy, for example, when the compound of the present invention is added as a component to a low voltage which is considered to be caused by a smaller elastic constant value and exhibits a low voltage, Without an increase, the dielectric anisotropy and viscosity can be significantly reduced.
  • the tetracyclic compound represented by (1-c-108) has a relatively wide nematic phase temperature range, low viscosity, and a relatively low threshold voltage. When added as a component of the substance, only the clearing point can be improved without increasing the threshold voltage and the viscosity.
  • the incorporation of ionizable impurities and the like is reduced, and It is possible to provide a liquid crystal composition and a liquid crystal display element which are extremely stable against environmental changes, can be driven at a low voltage, and can respond quickly.
  • the liquid crystal composition of the present invention preferably contains at least one kind of the liquid crystal compound represented by the general formula (1) in a ratio of 0.1 to 99% by weight in order to exhibit excellent characteristics.
  • the liquid crystal composition of the present invention is selected from the group consisting of the above-mentioned general formulas (2), (3) and (4) as a second component in addition to the liquid crystal compound represented by the general formula (1).
  • At least one compound hereinafter referred to as the second component
  • the threshold voltage, the liquid crystal phase temperature range 1, the refractive index anisotropy value, the dielectric anisotropy value, and the viscosity For the purpose of adjusting the properties and the like, a known compound can be mixed as the third component.
  • Preferred examples of the compounds contained in the general formulas (2), (3) and (4) out of the second component A are (2-1) to (1)> 5 and (3-1) to (3). — 48) and (4-1-1) to M-5 5).
  • the use amount of the compound is suitably in the range of i to 99% by weight based on the total weight of the liquid crystal composition, but is preferably in the range of 10 to 9%. % By weight, more preferably 4% to 95% by weight c
  • preferred examples of the compounds contained in the general formulas (5), (6) and (7) are (5-1) to (5-29) and (6- 1) to (6-3) and (7-1) to (? 1-17).
  • the compounds represented by these general formulas (5) to (7) have a positive dielectric anisotropy value and a large dielectric anisotropy value, and are used as a composition component particularly for the purpose of reducing the threshold voltage. It is also used for the purpose of adjusting the viscosity, adjusting the refractive index anisotropy value, expanding the liquid crystal phase temperature range, and further improving the steepness.
  • the amount of the compound of the second component B is suitably in the range of 1 to 99% by weight based on the total weight of the liquid crystal composition, preferably 1% to 97% by weight, more preferably 4% to 97% by weight. 9 5% by weight.
  • the liquid crystal composition used in accordance with the present invention is prepared by a method known per se or a conventional method. Generally, a method is used in which various components are dissolved and mixed with each other at a high temperature. Further, the liquid crystal material of the present invention is improved and optimized according to the intended use by using an appropriate additive. Such additives are well known to those skilled in the art and are described in detail in the literature and the like. For example, in general, a chiral dope material (chiraldopant) or the like can be added to induce a helical structure of the liquid crystal to adjust a necessary twist angle and prevent reverse twist (reVerse-twist).
  • the liquid crystal composition used according to the present invention may be added with a dichroic dye such as a merocyanine-based, styryl-based, azo-based, azomethine-based, azoxy-based, quinophthalone-based, anthranone-based, or tetrazine-based dye to form a guest. It can also be used as a liquid crystal composition for host (GH) mode.
  • a polymer dispersed liquid crystal display (PDLC) represented by an NC-P formed by microencapsulating a nematic liquid crystal or a polymer network liquid crystal display (PNLCD) formed by forming three-dimensional knitted molecules in the liquid crystal. It can also be used as a liquid crystal composition for D). It can also be used as a liquid crystal composition for birefringence control (ECB) mode or dynamic scattering (DS) mode.
  • a dichroic dye such as a merocyanine-based, styryl-based, azo-based, azo
  • composition examples 1 to 19 can be shown.
  • the compounds in the composition examples are abbreviated according to the rules shown in the following table.
  • the compound (1) of the present invention can be easily produced by utilizing ordinary organic synthetic chemistry techniques. For example, it can be easily synthesized by appropriately selecting and combining the methods described in Organic Synthesis, Organic Reactions, Laboratory Chemistry Course (Maruzen Co., Ltd.).
  • a Grignard reagent is prepared from the bromobenzene derivative (10) according to the method of Grignard Reactions of No nme ta 11 ic S ubstances ". Prentic eHal 1 (1954). Then ⁇ . S. Wh According to the method described in eeler et al., J. Am. Chem. S o, 50, 3106 (1928), carbon disulfide was prepared from the prepared Gr 1 g ⁇ ard reagent.
  • (i1) is heated to reflux with thionyl chloride in getyl ether to form a thionecarboxylic acid chloride, and then the funinol derivative (12) is converted to pyridine or the like. It is made to act in the presence of a base to give a thion carboxylic acid-0-ester derivative (13), and (13) is made to act on getylaminosulfate fluoride (hereinafter abbreviated as DAST).
  • DAST getylaminosulfate fluoride
  • the bromobenzene derivative (10) represented by the general formula can be produced by a known organic synthetic technique, but can be suitably produced by the following method. That is, when the bonding group Z 3 is a single bond, the benzene derivative (14) is lithiated with butyllithium or the like, and then zinc chloride is actuated to prepare an organic zinc compound. Cross-cutting produces the biphenyl derivative (16). Next, bromine is allowed to act on (16) in the presence of a catalyst such as ferric chloride to produce a ⁇ -pi-benzene derivative (10-1).
  • a catalyst such as ferric chloride
  • the ketone derivative is prepared by reacting the acid chloride (17) with the Gr 1 gnard reagent prepared from (15) using iron diacetyl dicetonate as a catalyst. (18) is manufactured. Next, the carbonyl group of (18) is reduced to an alcohol with sodium borohydride, and further, a mineral acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, an organic acid such as p-toluenesulfonic acid, or a non-aqueous acid ion exchange resin. Dehydration is performed using this as a catalyst to produce a styrene derivative (19).
  • a bromobenzene derivative (10-2) in which Z 3 is an ethenyl group can be produced by the action of bromine in the presence of a catalyst such as ferric chloride. Further, by hydrogenating (19) in the presence of a catalyst such as palladium carbon or the like and subjecting it to bumification in the same manner as described above, a bromobenzene derivative (103) in which Z 3 is an ethylene group can be produced.
  • the funool derivative (12) represented by the general formula can be produced by a known organic synthesis method, but can be suitably produced by the following method. That is, the production method thereof is described in Japanese Patent Publication No. 62-39136, Japanese Patent Publication No. 3-03643, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-159725, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-084230 and Japanese Patent Publication No. 1-1502274.
  • the phenol derivative (21) is reacted with boron tribromide in a hachigen-based solvent to produce a fuanol-derived derivative (12).
  • bonding group 2 was 1,2-ethenylene or 1,2-ethylene, prepared from a promoisole derivative using an acid chloride (22) and iron diacetyl acetate as a catalyst.
  • a ketone derivative by the action of Grignard reagent was 1,2-ethenylene or 1,2-ethylene, prepared from a promoisole derivative using an acid chloride (22) and iron diacetyl acetate as a catalyst.
  • (23) is manufactured.
  • the carbonyl group of (23) is reduced to an alcohol with sodium borohydride, and then a mineral acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, an organic acid such as p-toluenesulfonic acid, or a non-aqueous acid exchange resin.
  • a mineral acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid
  • an organic acid such as p-toluenesulfonic acid
  • a non-aqueous acid exchange resin dehydrate using the catalyst as a catalyst, 4
  • (E) -Vinylanisole derivative (24) is produced.
  • a phenol derivative U 2-1) in which Z 2 is 1,2-ethenylene can be produced by the action of bromine in the presence of a catalyst such as ferric chloride.
  • a catalyst such as ferric chloride.
  • a fuynol derivative (12-2) in which Z 2 is 1,2-ethylene can be produced.
  • R 1 is a alkenyl group
  • various known organic synthetic methods are used. It can be manufactured by the following method. That is, after a Grignard reagent prepared from a bromoazolic derivative is allowed to act on 1,4-six ⁇ hexanedione monoethylene ketal (26), the resulting alcohol derivative is converted into a mineral acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid. Dehydration is carried out using an organic acid such as P-toluenesulfonic acid or a non-aqueous acidic ion exchange resin as a catalyst, and the obtained cyclohexene derivative is subjected to hydrogen reduction in the presence of a catalyst such as palladium monocarbon, Raney nickel or the like.
  • a catalyst such as palladium monocarbon, Raney nickel or the like.
  • keto phenol derivative (12-3) is subjected to esterification with thiocarboxylic acid chloride and further to dithional fluorination of a thiocarbonyl group in the same manner as in the case of the above (1) production.
  • a cyclohexanone intermediate (30) can be produced.
  • (3 1) can be manufactured from (1 2-4).
  • the cyclohexanone intermediate (30) can be suitably produced by the following method using the above cyclohexanone intermediate (30) as a synthetic intermediate. That is, according to the method described in Organic Reactions, V0-14, Chapter 3, methoxymethyltriphenylphosphonium chloride was converted to THI.
  • a cyclohexanone intermediate (30) is allowed to act on an ylide prepared by the action of a base such as sodium alkoxide or alkyllithium, and then the product is allowed to coexist with formic acid.
  • An aldehyde intermediate (32) is produced by heating under reflux. Then, a base such as sodium alkoxide or alkyllithium is allowed to act on the methyl intermediate (32) to act on methyltriphenylphosphonium-but-mide or ethyl trifluorophenylphosphonium-mbe ⁇ -mide.
  • R 'between this exerting the i Li de can be produced derivatives (1 one 1) and R 1 is i one propenyl der Ru derivative (1 one 3) Eparu group.
  • R 1 is converted to 1 (E) -probenyl group by isomerization by the action of ruene sulfinic acid or by inverting the olefin according to the method described in Japanese Patent Publication No. 6-6242. Can be purified.
  • alkenyl derivative represented by the general formulas (1-2) and (114) can be produced from the cyclohexanone intermediate (31) according to the above production method.
  • rings B, C, D, X, Y and m represent the same meaning as described above, and Z 4 and Z 5 independently represent -C! I 2 CH 2- , a single bond
  • R ′ is a 3-butenyl group or a 3 (E) -pentenyl group
  • R ′ is a 3-butenyl group or a 3 (E) -pentenyl group
  • 2- (1,3-dioxan-1-yl) ethyl refenylphosphonium bromide is treated with a base such as sodium alkoxide or alkyllithium to produce an ylide prepared as described above.
  • the cyclohexanone intermediate (30) which shows the preparation method
  • the product is reduced with hydrogen in the presence of a palladium-carbon catalyst, and then heated and refluxed with formic acid to deprotect the ketal.
  • a aldehyde intermediate (33) is produced.
  • an aldehyde intermediate (33) is prepared by reacting methyltriphenylphosphonium bromide or ethyl trifluorophosphonium bromide with a base such as sodium alkoxide or alkyllithium.
  • the derivative (1-5) in which R 1 is a 3-butenyl group and the derivative (1-7) in which R ′ is a 3-pentyl group can be produced by the action of.
  • (1-7) if necessary, Benzenesulfinic acid or P-toluenesulfinic acid isomerized according to the method described in No. 6 or the inversion of the olefin is performed according to the method described in JP-B-6-62464 As a result, a derivative in which R ′ is a 3 (E) -unenyl group can be purified.
  • alkenyl derivatives represented by the general formulas (1-6) and (1-8) can be produced from the cyclohexanone intermediate (31) according to the above production method.
  • rings B, C. D, X, Y and m represent the same meaning as described above, and Z 4 and Z 5 independently represent -CH 2 CH 2- , a single bond
  • reaction product was purified by force column chromatography using silica gel as a filler and heptane as a developing solvent, and then recrystallized from heptane to obtain 20.3 g of pale yellow needle-like crystals.
  • This is a thioncarboxylic acid monoester derivative (36).
  • the extract layer was washed successively with 200 inl of water, 50 ml of 2N aqueous sodium hydroxide solution and 200 ml of water, and then dried over anhydrous magnesium sulfate.
  • the dichloromethane was distilled off and concentrated to obtain 9.lg of a pale yellow crystalline mixture.
  • the reaction product was purified by force column chromatography using silica gel as a filler and heptane as a developing solvent, and then recrystallized from heptane to obtain 3.7 g of colorless needle crystals. This is the desired difluoro (4- (trans-41-propylcyclohexyl) phenyloxy) (3,4,5-trifluorophenyl) methane (compound N 0.1).
  • 2-fluoro-41- (trans-41-alkylcyclohexyl) phenol or 2,6-difluoro-substituted 4- (trans-41-propylcyclohexyl) phenol is used in place of 4- (trans-4-propylcyclohexyl) phenol.
  • the following compounds can be produced by using phenol (trans-14-alkylcyclohexyl) phenol.
  • Example 1 In the second step, 4-1 (2- (trans-14-propylcyclohexyl) ethyl) phenol was used in place of 4- (trans-4 ⁇ -pyrsik ⁇ -hexyl) phenol. Thereafter, the same operation as in Example 1 was carried out to obtain the desired difluoro- (4- (2- (trans-41-propylcyclohexyl) ethyl) phenyloxy) (3,4,5-triethyl). Fluorophenyl) methane was synthesized.
  • 4- (2- (trans-/!-Propylcyclohexyl) ethyl) has a different chain length of the alkyl group instead of phenol.
  • the following compounds can be prepared using ethyl) phenol.
  • the following compounds can be produced by using various known bromobenzene derivatives instead of 3,4,5-trifluorobromobenzene according to the production method described above and in Example 1.
  • reaction solution was stirred for 2 hours while keeping 5 O: on a warm bath. After the reaction solution was cooled with ice water, 100 ml of a saturated aqueous solution of ammonium chloride was added to terminate the reaction. The reaction solution was extracted with 400 ml of toluene, washed with water and 100 mU of trowel, and dried over anhydrous magnesium sulfate. The toluene was distilled off under reduced pressure and concentrated to obtain 48.2 g of a brown solid.
  • reaction product was dissolved in 240 ml of toluene in a 1 L eggplant-shaped flask equipped with a Dean-Stark dehydrating tube, and 2.4 g of non-aqueous acid ion-exchange resin (Amberlist) was added as an acid catalyst.
  • Amberlist non-aqueous acid ion-exchange resin
  • the mixture was heated under reflux for 3 hours while stirring.
  • toluene was distilled off under reduced pressure and concentrated.
  • the reaction product was purified by force chromatography using silica gel as a filler and a mixed solvent of toluene and ethyl acetate as a developing solvent. To obtain 35.5 g of a crystalline product.
  • the reaction product 35. obtained in the above operation was dissolved in 200 ml of a toluene / ethanol 11 mixed solution in a 1-L eggplant-shaped flask, and 1.8 g of a 5% palladium-carbon catalyst was added. A hydrogenation reaction was carried out at 2 kg m 2 for 7 hours. The reaction solution was filtered to separate the catalyst, concentrated, and concentrated to obtain 32.6 g of a reaction product.
  • the reaction product was directly dissolved in 100 ml of toluene in a 300-ml three-necked flask equipped with a stirrer and a thermometer, and further added with 94.4% formic acid (24.4 g) and heated under reflux for 2 hours while stirring.
  • the reaction solution was gradually dropped into 1 L of water, and after the reaction was completed, the dichloromethane layer was separated, and the aqueous layer was extracted with dichloromethane (50 () ⁇ 1).
  • the extract layer was washed successively with water 500 (i) i, a 2N aqueous solution of sodium hydroxide 2 ⁇ 0 ⁇ 1 and 500 ml of water, and dried over anhydrous magnesium sulfate.
  • the reaction solution was concentrated by distilling off methane at the end of the reaction and concentrating to obtain 19.5 g of a reaction product.
  • the reactant is Toruye
  • the crystals were recrystallized from a mixed solvent of sodium butane to obtain 14.8 g of colorless crystals. This is 41- (A-hydroxyphenyl) cyclo ⁇ hexanone (12-3).
  • reaction solution was heated to a temperature of [0 ° C.] on a warm bath and aged for 3 hours with stirring. After cooling to room temperature, 0 ml of water (1) and 50 ml of 6N hydrochloric acid were added to the reaction solution, the toluene layer was separated, and the aqueous layer was further extracted with 200 ml of toluene. The extract layer was washed successively with 200 ml of water, 50 ml of a 2N aqueous sodium hydroxide solution and 300 ml of water, and dried over anhydrous magnesium sulfate.
  • the toluene was distilled off under reduced pressure and concentrated to obtain 28.4 g of a deep reddish purple paste-like substance.
  • the reaction product was purified by column chromatography using silica gel as a filler and a mixed solvent of heptane / toluene as a developing solvent, and then recrystallized from heptane to give pale yellow needle-like crystals. I got thing 20. This is a thiocarboxylic acid monoester derivative (37).
  • the extract layer was washed successively with 200 ml of water (nl, 50 ml of 2N aqueous sodium hydroxide solution and 200 ml of water), dried over anhydrous magnesium sulfate, and then dried over anhydrous magnesium sulfate.
  • the reaction product was purified by column chromatography using silica gel as a packing material and a mixed solvent of heptane and toluene as a developing solvent, and then recrystallized from heptane to obtain colorless needle-like crystals. 6.4 g of this product is the cyclohexanone intermediate (30-1).
  • reaction product was purified by column chromatography using silica gel as a filler and toluene as an eluent to give 6.2 g of a yellow-brown reaction product.
  • reaction product was dissolved in 50 ml of toluene in a 200 ml eggplant type thrasco, and 9.9 g (62.8 ⁇ o) of 99% formic acid was added, followed by heating under reflux for 2 hours.
  • methyl ethyl trifluorophosphonyl hydroxide was used in place of methyl trifluorophosphonium hydroxide, and the product was further subjected to the method described in JP-B-4-130382.
  • Either benzenesulfinic acid or p-toluenesulfinic acid may be used to effect isomerization, or olefin may be subjected to steric inversion according to the method described in Japanese Patent Publication No. 6-62462. Can be produced.
  • the manufacturing process can be broadly divided into two stages.
  • the first step which is described in detail below for each manufacturing stage
  • the solvent was distilled off and concentrated to obtain 23.lg of the reaction product.
  • the reaction product was purified by column chromatography using silica gel as a filler and toluene as a developing solvent to obtain a yellow-brown reaction product.
  • the reaction product obtained by the above operation was dissolved in 100 ml of a 1Z1 mixed solution of toluene Z ethanol in a 300 ml eggplant-shaped flask, and 0.6 g of a 5% palladium-carbon catalyst was added.
  • the hydrogenation reaction was carried out at room temperature under a hydrogen pressure of 1 to 2 Kg m 2 for 6 hours.
  • the reaction solution was filtered to separate the catalyst, and concentrated to obtain 11.lg of the reaction product.
  • Second step In a 100 ml three-necked flask equipped with a stirrer, thermometer, and nitrogen inlet tube, 10.9 g (26.9 tnmol) of methyl triphenylphosphonidine was suspended in 50 ml of THF under a nitrogen atmosphere, and the suspension was stirred with dry ice. After cooling to below 150 Ot: in a cetone bath, 3.2 g of potassium perbutoxide (28.2 liters) was added, and the mixture was stirred for 2 hours while keeping the same 50: below to prepare a ylide.
  • reaction product was purified by force column chromatography using silica gel as a filler and heptane as a developing solvent, and recrystallized from heptane to obtain 3.6 g of a colorless needle compound.
  • This is the desired difluoro-(-(trans-1- (3-butenyl) cyclohexyl) phenyl) (3,4,5-triphenyl) methane.
  • the following compounds can be produced using cyclohexanone derivatives (30) produced from various known bromobenzene derivatives instead of the cyclohexanesanone derivatives (30-1). .
  • methyl trifluorophosphonamide was used in place of methyl trifluorophosphonamide used in the second step, and the product was further purified.
  • benzenesulfinic acid or ⁇ -toluenesulfinic acid is reacted to perform isomerization, or according to the method described in Japanese Patent Publication No.
  • the following compound can be produced by carrying out the reaction.
  • Example 1 In the first step of Example 1, the same operation as described in Example 1 was carried out using 3,4,5-trifluoro-1-promobiphenyl instead of 3,4,5-trifluoromethyl benzene. As a result, difluoro u— (4- (trans-1-41-propylcyclohexyl) phenyloxy) (4,1- (3.4,5-trifluoro) biphenyl) methane was synthesized.
  • 4- (2- (trans-1-alkylcyclohexyl) ethyl) is used in place of 4- (trans-41-cyclopropylcyclohexyl) phenol.
  • the following compounds can be produced using phenol, and further using 3,4,5-trifluoro-5,1-bromobiphenyl or various known 3-fluoro-4′bromobifunil derivatives.
  • Mouth 1 (4-(Trans 1 4 1 (2-(Trans 1 4 Xyl) ethyl) cyclohexyl) phenyloxy) (3,4-difluorophenyl) methane

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Description

明 細 書
a , —ジフルォ口べンジルエーテル誘導体、 液晶組成物および液晶表示素子 技術分野
本発明は、 主として T N、 S T Nおよび T F T用液晶組成物において好適な諸 物性を発現させる新規液晶性化合物であるひ， "ージフルォ口べンジルエーテル 誘導体、 およびこの新規液晶性化合物を用いた、 好適な諸物性を有する液晶組成 物、 ならびにそれら液晶組成物を使用した液晶表示素子に関する。
背景技術
液晶表示素子は、 液晶物質が有する光学異方性および誘電率異方性を利用する もので、 時計をはじめとして電卓、 ヮ一プロ、 テレビ等に広く利用され、 その需 要も年々増加傾向にある。 液晶相は、 固体相と液体相の中間に位置し、 ネマチッ ク相、 スメクチック相およびコレステリ ック相に大別される。 中でもネマチック 相を利用した表示素子が現在最も広く使用されている。 一方表示方式はこれまで 多数の方式が考案されてきたが、 現在はッイス トネマチック （T N ) 型、 スーパ —ッイス トネマチック （S T N ) 型および薄膜トランジスタ （T F T ) 型の 3種 類が主流となっている。 これら種々の液晶表示素子に必要とされる液晶性物質の 性質はその使用用途に応じて種々異なるが、 いずれの液晶物質も水分、 空気、 熱、 光等外的環境因子に対して安定であること、 また、 室温を中心としてできるだけ 広い温度範 S1で液晶相を示し、 低粘性でありかつ駆動電圧が低 、ことが要求され る。 しかし、 これらの条件を同時に満たす単一の液晶物質は見いだされていない。 液晶表示素子に用いられる液晶物質は、 通常個々の表示素子に要求される最適 な誘電率異方性値 （△£ ) 、 屈折率異方性値 （厶 n ) 、 粘度および弾性定数比 K 3 3 / K 1 1 ( K 3 3 ：ベンド弾性定数、 K 1 1 ： スプレイ弾性定数） の値等の 諸物性値を調製するために、 通常、 数種類から数十種類の液晶性化合物および必 要によりさらに数種類の非液晶性化合物を混合することにより液晶組成物を調製 し、 表示素子に使用しているのが現状である。 このため他の液晶化合物との相溶 性、 特に最近では種々の環境下での使用への要求から低温相溶性に関しても良好 であることが要求される。
ところで近年、 コントラス ト、 表示容量、 応答時間等の表示性能の面からァク ティブマトリックス方式、 中でも薄膜トランジスタ （TFT) 方式がテレビジョ ンゃビューファイ ンダ一等の表示モードとして盛んに採用されている。 また、 大 きな表示容量を持ちながらアクティブマト リックス方式の表示素子と比較し、 表 示素子の構造が比較的簡単で安価で製造できる STN方式もパーソナルコ ンピュ —タ一等のディスプレーとして多く採用されている。
これら分野における近年の開発傾向は、 携帯できることを特徴とした小型テレ ビゃノ一ト型パーソナルコンピューターに代表されるように液晶表示素子の小型 ィ匕、 携帯化が中心に進められており、 液晶材料の面からは I Cの耐電圧との絡み から駆動電圧の低い、 すなわちしきい値電圧の低い液晶性化合物および液晶組成 物を中心に開発が行われている。
しきい値電圧 (V t h) は以下の式 (II. J. Deuling et aし Mol. Cryst. Liq. Cryst. , 27 (1975) 81) にて表されることが知られている。
V t h = 7Γ (Κ/ ε 0Δ ε ) 1/2
上式において Κは弾性定数、 ε uは真空の誘電率である。 この式から判るよう にしきい値電圧を低下させるには誘電率異方性 （Δε) を大きくするか、 あるい は弾性定数を小さくするかの 2通りの方法が考えられる。 しかし実際には弾性定 数のコントロールは非常に困難であるところから、 通常は誘電率異方性 （Δε) の大きな液晶材料を用いているのが現状であり、 以上の事実を背景として誘電率 異方性 （Δε) の大きな液晶性化合物の開発が盛んに行われてきた。
現在、 TFT方式の表示素子に使用されている液晶組成物のほとんどはフッ素 系の液晶材料から構成されている。 これは T FT方式においては素子の構成上高 い電圧保持率 （V. H. R. ) を必要とし、 またその温度依存性が小さな材料でなけれ ばならず、 フッ素系以外の材料ではこれら要求を満たせないからである。 従来の フッ素系低電圧用材料として以下の化合物が知られている。
(a) DE-4027840A1
Figure imgf000004_0001
Figure imgf000005_0001
(上記構造式において Rは了ルヰル基を示す）
化合物 （a ) および （b ) はいずれも化合物分子末端に数個のフッ素原子を有 し、 比較的大きな誘電率異方性を示すことが報告されているが、 その透明点 （N I点） は低く、 またその粘度は比較的大きいことが知られている。 通常当該業者 の間では、 フッ素原子の置換数と透明点の関係および粘度との関係については、 単純ではないがそれぞれ反比例的および比例的な関係があることが経験的に知ら れている。 この為これら一連の化合物のみで液晶組成物を調製した場合、 要求さ れる透明点ならびに粘度 （応答速度） を達成できないばかり力、、 その大きな極性 のため実際の使用において外部環境からィォン性不純物等を取り込み易く、 その 為に電圧保持率が低下してしまう等問題が多々あつた。
上述の問題解決の為に極最近では弾性定数比をコント口ールし、 低電圧化に対 処した化合物が特許公報等で報告されている。 その一例として下記の化合物が開 示されている。
(c)特開平 6-211711号
( 特開平 6-192142号
Figure imgf000005_0002
化合物 （c ) は同骨格を有する化合物と比較し比較的低粘性ではあるが、 側鎖 の不飽和結合基の外部環境の変化 （熱、 光等） に対する安定性が側鎖の飽和型の ものに対して低く、 さらに誘電率異方性値が大きなところから、 上述の問題解決 には不適当である。 一方、 化合物 （d ) については同骨格を有する化合物と比較 し高い透明点を有し、 かつ弾性定数が小さい特長を有することが明細書に開示さ れているが、 本発明者らの考察では側鎖に置換された 2つのフッ素原子によりそ の粘度は非常に大きく、 高速応答を必要とする組成物への使用は不適当と考えら れる。
このように小さな弾性定数を有し、 高い電圧保持率および低い粘度を兼ね備え、 低電圧駆動および高速応答が可能な液晶性化合物は見いだされていないのが現状 であり、 これら課題を解決する改善された特性を有する化合物が待望されている。 発明の開示
本発明の課題は、 低電圧駆動および高速応答可能な液晶材料として 1) 低いし きい値電圧を有し、 2) 低粘性であり、 3) 液晶組成物に添加した場合、 誘電率 異方性を維持または低下させ、 さらに 4) 他の既知の液晶性化合物との相溶性、 特に低温相溶性に優れた新規な液晶性化合物およびこれを含有する液晶組成物、 さらにそれらを使用した液晶表示素子を提供することにある。
従来 2つのフエニレン基を一 C F 20—結合基で架橋した部分構造を有する化 合物については既に化合物 （e) および （ f ) がそれぞれ特開平 2— 28 9 5 2 9号公報および特開平 5— 1 1 2 7 7 8号公報にその構造式が開示されている。 しかし上記公報中には構造式の記載はあるものの、 化合物の物理データならびに 液晶性化合物としての有用性を評価する具体的な物性値等は全く開示されておら ず、 その特徴は全く知られていなかった。
R-\ -OCF2-i /-OCF3 (e)特開平2 -289529号
R→ "CF°~ "F (f)特開平 5-112778号 そこで発明者らは、 2つの 1, 4ーフヱ二レン基を一〇CF2—結合基で架橋 した部分構造を有し、 ， "ージフルォ口ベンジル基の 3位にフッ素原子、 5位 に水素原子あるいはハロゲン原子、 4位にハ πゲン原子、 CF3、 OCF3、 〇C HF2または CN基を置換した一般式 （ 1 ) で表される化合物を考案し、 その物 性を種々検討したところ、 外部 II境に対して非常に安定であるばかりか、 当初発 明者らが予想したよりも極めて低粘性であることを見い出した。 また、 本発明の 化合物の誘電率異方性値は従来の項に示した化合物 （a) 、 （b) および （π) と比較し小さいにもかかわらず、 そのしきい値電圧はほぼ同等であり、 小さな弾 性定数に起因すると考察される低いしきし、値電圧を示すこと、 さらに既知の化合 物との相溶性、 特に低温相溶性に優れた化合物であることを見いだした。 さらに 本発明の化合物として置換基 R 'に了ルキル基、 Xに C N基以外を選択したもの は高い電圧保持率を示し、 T FT方式の表示素子用の液晶材料、 特に低電圧駆動、 高速応答用に好ましい特性を示し、 一方置換基 R こアルケニル基、 あるいは X に C N基を選択したものは極めて低粘性あるしヽは高い透明点を有し、 S T N表示 素子用の減粘剤として非常に有用であることを見いだし、 新規液晶性物質として 請求の範囲に掲げる化合物を発明するに至った。
すなわち、 上記課題を解決するため、 本願で特許請求される発明は以下の通り である。
[ 1 ] 一般式 （ 1 )
Figure imgf000007_0001
(式中 R' は炭素数 1〜15の直鎖もしくは分岐のアルキル基、 または炭素数 2〜 15の了ルケ二ル基を表し、 この基中の 1つまたは隣接しない 1個以上の [H2基を 酸素原子で置換されていてもよく、 環 Aおよび環 Bは、 相互に独立して環上の 1 個以上の CH2基が酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよい 1 , 4ーシク 口へキシレン基、 または環上の 1個^上の CII基が窒素原子で置換されていてもよ く、 また環上の 1個以上の水素原子がハ口ゲン原子が置換されていてもよい 1 , 4ーフ 二レン基を表し、 璲 Cおよび I1Dは、 相互に独立して環上の 1個以上の 水素原子がハロゲン原子が置換されていても良い 1. 4一フユ二レン基を表し、 Z '、 Z2および Z3は相互に独立して CH2CH2-、 - CH二 Πト、 - C≡じ-または単結合を 表し、 Xはハロゲン原子、 CF3、 OCF3、 OCHF2、 または CN基を表し、 Yは水素またはハロゲン原子を表し、 1および mは ϋまたは 1であり、 1 +m≤ 1であり、 また化合物を構成する元素はその同位体元素で置換されていてもよい） で表される α， 一ジフルォロベンジルェ一テル誘導体。
[2] 一般式 （ 1 ) において〗 =m= 0で表される [1 ] に記載の化合物。
[3] —般式 （ 1 ) において環 Aが 1, 4ーシクロへキシレン基であり、 cが
1, 4一フユ二レン基で表される [2] に記載の化合物。 [4 ] 一般式 （ 1 ) において Xがフッ素原子、 CF3、 または 0CF3基であり、 Yが水素原子で表される [3] に記載の化合物。
[5] —般式 （ 1 ) において Xがフッ素原子、 CF3、 または〇CF3基であり、 Yがハロゲン原子で表される [3] に記載の化合物。
[G] —般式 （ 1 ) において 1 = ϋ、 m- 1で表される [〗」 に記載の化合物。
[7] 一般式 （ 1 ) において環 Aが 1. 4ーシクロへキシレン基であり、 環 Cお よび I1Dが 1， 4一フ 二レン基で表される [6] に記載の化合物。
[8] —般式 （ 1 ) において 1 = 1、 m= 0で表される請求項 1に記載の化合物。
[9] 一般式 （ 1 ) において環 Aおよび ϋΒが 1, 4ーシク πへキシレン基であ り、 環 Cが 1 , 4一フユ二レン基で表される L8] に記載の化合物。
[ 1 0] —般式 （1 ) において R'がアルケニル基で表される [ 1 ] に記載の化 合物。
[ 1 1 ] 一般式 （ 1 ) で示される化合物を少なくとも 1成分含む、 2成分以上か らなる液晶組成物。
[ 1 2] 第一成分として [ 1 ] 〜 [ 1 0 ] のいずれか 1項に記載の液晶性化合物 を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （ 2 ) 、 (3) および （ 4 )
Figure imgf000008_0001
(式中、 R3は炭素数 1〜1 0の了ルキル基を示し、 X1は F、 C l、 0CF3、 0CF2H、 CF3、 CF2Hまたは CFH2を示し、 L'、 L2、 L および L4は 相互に独立して Hまたは Fを示し、 Z 4および Z 5は相互に独立して一 （CH2) 2 一、 一 CH=CH—または単結合を示し、 aは 1または 2を示す） からなる群か ら選択される化合物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
[ 1 ] 第一成分として、 [ 1 ] 〜 [ 1 0 ] のいずれか 1項に記載の液晶性化合 物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （ 5 ) 、 （ 6 ) 、 （ 7 ) 、
(8) および （9〉
Figure imgf000009_0001
(式中、 R iF、 炭素数 1〜 1 0の了ルキル基または炭素数 2〜1 0のァルケ 二ル基を示し、 該アルキル基または了ルケニル基中の任意のメチレン基 （一 CH 2—） が酸素原子 （一 0—） によって置換されていてもよいが、 2つ以上のメチ レン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 HEはト ランス一 1, 4一 シクロへキシレン基、 4一フエ二レン基、 ピリ ミ ジン一 2, 5—ジィル基ま たはし 3—ジォキサン一 2, 5—ジィル基を示し、 HFはト ラ ンス一 1 , 4— シクロへキシレン基、 し 4一フヱニレン基またはピリ ミジン一 2, 5—ジィル 基を示し、 環 Gはト ランス一 1， 4ーシクロへキシレン基または 1 , 4一フヱニ レン基を示し、 Z6は一 (CH.) 2—、 一 COO—または単結合を示し、 L5およ び L 6は相互に独立して Hまたは Fを示し、 bおよび cは相互に独立して 0また は 1を示す） 、
Figure imgf000009_0002
(式中、 R5は炭素数 1〜1 0のアルキル基を示し、 L7は IIまたは Fを示し、 d は 0または 1を示す） 、 <¾^ 9" ^ (
(式中、 R6は炭素数 1~1 0のアルキル基を示し、 環 Ηおよび璲 1は相互に独 立してトランス一 1, 4ーシクロへキシレン基または 1 , 4—フヱニレン基を示 し、 Ζ7および Ζ "は相互に独立して一 COO—または単結合を示し、 Z3は一 C ◦〇一または一 C≡C一を示し、 および L 3は相互に独立して Hまたは Fを示 し、 X2は F、 〇CF3、 OCF2H、 CF3、 C F 2Hまたは C F H 2を示すが、 X 2が 0CF3、 OCF2H、 CF3、 CF2HまたはCFH2を示す場合はLBぉょび L3は共に Hを示し、 e、 f および gは相互に独立して 0または 1を示す） 、
R7- 7)-Z10-( Z11-Re (8)
(式中、 R7および R8は相互に独立して炭素数 1〜 1 0の了ルキル基または炭素 数 2〜1 0のアルケニル基を示し、 いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン 基 （一 CH2—） は酸素原子 （一 0—） によって置換されていてもよいが、 2つ 以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 環 Jはトランス — 1, 4ーシクロへキシレン基、 1， 4一フエ二レン基またはピリ ミジン一 2, 5—ジィル基を示し、 ΣΙΚはトランス一- 1 , 4ーシクロへキシレン基または 1 , ]一フエ二レン基を示し、 Z'。は一 C≡C一、 一 CO〇一、 - (CH2) 2—、 一 C H = C H— C≡ C—または単結合を示し、 Z '1は一 COO—または単結合を示 す） 、
R9 Z12^ _Z'3_^ Z1 ^R 10
(9)
(式中、 R9および R1Qは相互に独立して炭素数 1〜 1 0の了ルキル基または炭 素数 2〜 1 0の了ルケ二ル基を示し、 いずれにおいてもそのうちの任意のメチレ ン基 （一 CH2—） は酸素原子 （一〇一） によって置換されていてもよいが、 2 つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 環 Lはトラン スー 1， 4ーシクロへキシレン基、 1. 4—フエ二レン基またはビリ ミ ジン一 2， 5—ジィル基を示し、 ： はト ランス一し 4ーシクロへキシレン基、 S上の 1 つ以上の水素原子が Fで置換されていてもよい 1. 4一フユ二レン基またはビリ ミジン一 2. 5—ジィル基を示し、 3 Nはトランス一 1. 4—シクロへキシレン 基または 1， 4一フヱニレン基を示し、 Z'2および Z"は相互に独立して一 C〇 0—、 一 (CH2) 2—または単結合を示し、 Z， i— CH=CH—、 一 C≡C一、 一 C〇0—または単結合を示し、 hは 0または 1を示す） からなる群から選択さ れる化合物を少なくとも 1種類含有する液晶組成物。
[1 4] 第一成分として、 [ 1 ] 〜 [ 1 ϋ ] のいずれか 1項に記載の液晶性化合 物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の一部分として、 一般式 （ 2 ) 、 (3) および （4) からなる群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第二 成分の他の部分として、 一般式 （5) 、 （6) 、 （7) 、 (8) および （9) 力、 らなる群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液 晶組成物。
[1 5] [1 1] - [ 1 4] のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液 晶 不素子。
本発明の （1 ) 式の化合物は、 外部 S境に対して非常に安定であり、 かつ非常 に低粘性であり、 また弾性定数に起因すると考察される低いしきい値電圧を示す。 さらに他の液晶化合物との相溶性、 特に低温相溶性に優れた化合物である。 さら に本発明の化合物として置換基 R 1に了ルキル基、 Xに C Ν基以外を選択したも のは高い電圧保持率を示し、 T FT方式の表示素子用の液晶材料、 特に低電圧駆 動、 高速応答用に好ましい特性を示し、 一方置換基 R1に了ルケニル基、 または Xに C N基を選択したものは極めて低粘性または高い透明点を有し、 S T N表示 素子用の減粘剤として非常に有用である。 さらに、 従来の技術の項にも示した公 知の化合物と比較してもその誘電率異方性値は小さく、 化合物分子の極性が小さ いことから、 T F T方式において特に問題となるィォン性不純物等の取り込みが 極めて少なく、 温度依存性が小さく安定した高い電圧保持率を示す。 本発明の化合物の使用により外部環境の変化に対して安定であり、 低電圧駆動、 かつ高速応答の可能な新規な液晶組成物および液晶表示素子を提供することがで さる。
実施例中の比較例から明らかなように、 本発明の化合物の優れた特性、 特に低 い粘性および小さな弾性定数に起因すると考察される低いしきい値電圧は、 2つ の 1 , 4ーフヱニレン基中に挿入された中央結合基であるォキシジフル才ロメチ レン （一〇CF2—） 基に起因する。
中央結合基を持たない化合物または中央結合基に飽和アルキレンゃォキシメチ レン基を有する化合物は、 従来の技術の項でも示したように既に DE— 4 0 2 7 8 4 ϋ Λ 1号および U S P— 5, 0 3 2. 3 1 3号に開示されている。 しかしな がら、 それら化合物は液晶材料として 1 ) 大きな分子極性に由来し、 外部]!境か らイオン性不純物等を取り込み易い、 2) 比較的大きな粘性を示す等の欠点があ つた。 さらに特開平 G— 2 1 1 7 1 1号および特開平 6— 1 9 2 1 4 2号で開示 されている弾性定数をコントロールした化合物についても上記 2 ) の要因および 3) 外部環境の変化に対する安定性 （高温における電圧保持率） が低い等の欠点 が未解決のままである。
本発明の化合物は、 （1) 式の R'、 環 A、 B、 C、 D、 Z'、 Z2、 Z 1お よび mを適切に選択した化合物を使用することで種々の目的に応じた液晶組成物 を調製できる。
すなわち特に液晶温度範囲がより高温側になければならない液晶組成物に使用 する場合は 1または m= 1である 4環系の化合物を、 そうでない場合は 3環系を 用いれば良い。
アクティブマト リックス用の液晶組成物等の特に高い電圧保持率を必要とする 場合には側鎖 R1にアルキル基、 置換基 Xに CN基 外を選択し、 また STN用 等の減粘材として使用する場合には側鎖 R 'に了ルケ二ル基を選択すれば良い。 さらに誘電率異方性値が比較的大きな化合物を得る為には、 置換基 Yにハロゲ ン原子、 置換基 Xに CN、 CF3、 〇CF3または〇CHF2を選択すれば良く、 さらに大きな誘電率異方性値の要求に対しては中央結合基であるォキシジフルォ ロメチレン基のォキソ側フヱニル環 （環 C) のオルト位に 1つまたは 2つのフッ ソ原子を置換すれば良く、 双極子が同一方向に向くように導入することで目的が 達成できる。 さらに環 A、 環 B、 SCあるいは環 Dの側方位にフッ素原子が置換 したものは無いものと比較し、 相溶性、 特に低温相溶性に優れた特徴を有する。 屈折率異方性値も ( 1 ) 式の R '、 環 Λ、 C . Ζ Ζ Xおよび mを適切に 選択することで任意に調製できる。 すなわち大きな屈折率異方性値が必要な場合 には 1 , 4ーフ 二レン ϋを多く含み、 Z 'および Ζ 2が単結合である化合物ある いは置換基 Xが塩素原子である化合物を選択すれば良く、 小さな屈折率異方性値 必要な場合にはト ランス一 1 , 4ーシクロへキシレンを多く含む化合物を選択す れぱ良い。
本発明の「アルキル基」 という用語は 1〜1 5個の炭素原子を有する直鎖また は枝別れしたアルヰル基を意味し、 特に低粘性という観点から 1〜5個の炭素原 子を有する基が好ましい。 具体的にはメチル基、 ェチル基、 プロピル基、 ブチル 基、 ペンチル基、 へキシル基、 ヘプチル基、 ォクチル基、 ノニル基、 イソプロピ ル基、 イソブチル基、 イソアミル基、 イソへキシル基、 2—メチルブチル基、 2 ーメチルペンチル基、 3—メチルペンチル基等が好ましいが、 ラセミ体、 S体、 R体をも網羅するものとする。
本発明の 「了ルケニル基」 という用語は 2〜1 5個の炭素原子を有する直鎖の 了ルケ二ル基を意味し、 1 E—了ルケニル、 2 Ζ—了ルケニル、 3 Ε—了ルケ二 ル、 4 一アルケニル基が好ましく、 さらに具体的には 1ーェテニル、 1 E—プロ ぺニル、 1 E—ブテニル、 1 E—へキセニル、 2—プロぺニル、 2 Ζ—ブテニル、 2 Ζ—ペンテニル、 2 Ζ— ^ ·キセニル、 3—ブテニル、 3 Ε—ペンテニル、 3 Ε 一^ ^キセ二ル基を掲げることができる。
環 Αとしてはベンゼン環、 シクロへキサン還、 ピリ ミ ジン環、 ピリ ジン谟、 ピ ラジン環、 ピリダジン環、 ジォキサン ϋ、 ジチアン環、 またはそれのハロゲン置 換された環が掲げられるが、 特に好ましくはベンゼン環、 シクロへキサン ϋまた はそれらのハロゲン置換された環である。
図面の簡単な 明
図 1は、 本発明の化合物 N o . 1の' 3 F— N M Rスぺク トルの実測チヤ一トを 示す図である。 明を実施するための最良の形態
本発明の第一において、 一般式 （1 ) で表されるアルキルシクロへキサン誘導 体の好ましい態様は、 次の （1 - a) から （ 1 - c) の一般式により表される化合 物である。
(式中 R'、 SA、 ¾B、 環 C、 環 D、 Z '、 Z2および Z3は前記と同一の意味を 示す。 ）
Figure imgf000014_0001
さらに好ましい化合物は一般式群 （1一 a— 1 ) 〜 （ 1一 a— 1 0 8) 、 （ 1一 b— 1 ) 〜 （ 1一 b— 1 4 4) および （1— c— l ) 〜 （ 1一：：一 1 0 8) によ り表される化合物である。 ただし R 1は前記と同一の意味を表す。
< - 13
Figure imgf000015_0001
096ϋ。Λ\
π
Figure imgf000016_0001
6 ε -
I
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
Figure imgf000019_0001
( Β〖） ）
(ις-Β-ι)
(OS B-T)
(6 I)
(8 -I)
( - B-1)
Figure imgf000020_0001
rlZT0/.6dT/X3d 096ム£/ム 6 OAV
Figure imgf000021_0001
(¾)二 0
()
Figure imgf000021_0002
(e¾
Figure imgf000022_0001
0966 O dΟλ Ϊ
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Figure imgf000023_0002
26fcvyl
CM 00
00 00 oo 00 00 00 00
Figure imgf000024_0001
00 ひ ひ
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0002
Figure imgf000026_0001
ォ mo/LS d β
op
J3 J3 ム 3
Figure imgf000027_0001
(6q,-
ヨミ.6fc7yl
Figure imgf000028_0001
2 ( 096卜 o
Figure imgf000029_0001
()$2二
(9)2二 OAV
Figure imgf000030_0001
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( 2 )92 (二
O一AV
Figure imgf000031_0001
(6?)ΐ / OAV0/ 61リ d 3Ζ卜fc7Ϊ
卜
Figure imgf000032_0001
i (s
( ι)
( 8-q-l)
(6ム -q'l)
(
( -1 H)
(9ム -ql
(Sム -<
( -q
Figure imgf000033_0001
06ί.ε/ί·6θΛ\
- q- )
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6 」V «
-
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8- ）
0
6 OAV 09β6άτ一 ττ
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0002
q90 (1 -.
34
(l b- 120)
Figure imgf000036_0001
L£/i6 ΟΜ 6一A13dS/ 6 Z
Figure imgf000037_0001
εqι-
Figure imgf000038_0001
()lb二 33
Figure imgf000039_0001
寸 Sidr/od 096卜 OAV
Figure imgf000040_0001
。 >
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
to o
(1c--
Figure imgf000043_0001
- S -。，
ZS/卜 6fc7I3d一 OAV
9 1
to 00 ひ <。。」、 ",
(99。
Figure imgf000044_0001
8ェ
096卜 £卜 6AV/ O
( ζ-寸ύ
00 □0
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s寸o /卜 6dT/3d
6ト OA _V
¾)二
30
<60。·
Figure imgf000046_0001
Figure imgf000047_0001
上記一般式 （ l— a— l) 〜 ( 1 -a - 1 0 8) 、 ( 1 - b - 1 ) 〜 （ 1 — b - 1 4) および （ 1— c— 1 ) 〜 （ 1一 c— 1 0 8) で表される化合物はいず れも比較的低粘性であり、 かつ中程度 （〜7. 0) の誘電率異方性を示す。 中で も一般式 （ 1一 a— 1 ) 〜 （ 1— a— 1 0 8) で表される 3環系化合物は既知の 中程度 （〜7. 0) の誘電率異方性を示す化合物と比較し、 非常に低粘性であり、 かつ低温相溶性に優れている。 さらに小さな弾性定数値に起因すると考察される 低いしき 、値電圧を示すことから本発明化合物を例えば誘電率異方性の大きな低 電圧用の組成物に成分として添加した場合、 しきい値電圧を上昇させないで、 誘 電率異方性および粘度を著しく低下させることができる。
また、 一般式 （ 1一 b— 1 ) 〜 （ 1一 t)— 1 4 4 ) および （ 1一 c一 1 ) 〜
( 1 - c - 1 0 8) で表される 4環系化合物は比較的広いネマチック相温度領域 を有すると共に低粘性であり、 比較的低いしきい値電圧を示すことから、 本化合 物を組成物の成分として添加した場合、 しきい値電圧および粘度を上昇させずに 透明点のみを向上させることができる。
上述のように本発明の 3環系および 4環系化合物から組成物を調製するか、 あ るいは既知の液晶性化合物と併用して使用することにより、 ィォン性不純物等の 取り込みが少なく、 外部環境の変化に対して非常に安定であり、 低電圧駆動、 髙 速応答可能な液晶組成物および液晶表示素子の提供が可能である。
本発明の液晶組成物は、 一般式 （ 1 ) で示される液晶性化合物の少なくとも 1 種類を 0. 1〜9 9重量％の割合で含有することが、 優良な特性を発現せしめる ために好ましい。
さらに本発明の液晶組成物は、 一般式 （ 1 ) で示される液晶性化合物に加え、 第二成分として既述参照の一般式 （2) 、 (3) および （4) からなる群から選 ばれる少なくとも 1種類の化合物 （ (下第二 Λ成分と称する） および/または一 般式 （5) 、 （6) 、 （7) 、 （8) および （9) からなる群から選ばれる少な くとも 1種類の化合物 （以下第二 B成分と称する） を混合したものが好ましく、 さらに、 しきい値電圧、 液晶相温度範函 1、 屈折率異方性値、 誘電率異方性値およ び粘度等を調整する目的で、 公知の化合物を第三成分として混合することもでき る。 上記第二 A成分のうち、 一般式 （2) 、 (3) および （4) に含まれる化合物 の好適例として、 それぞれ （2— 1) 〜 一 1 5〉 、 （3— 1 ) 〜 （3— 4 8) および （4一 1 ) 〜 M - 5 5) を挙げることができる。
Figure imgf000050_0001
(6-ε) ΗΖ=ί00" ^Ο'εϋ
(8-ζ)
(L-Z) 。" ·ο
Figure imgf000050_0002
PUlO/L6d£/13d 096Lt/L6 ΟΛ 2ζϋ 096 ε/卜.
υ
Figure imgf000051_0001
Figure imgf000051_0002
ε)
( 220/卜 6¾7〕1d6 OAV -
P
ri '
Figure imgf000052_0001
u : (ォ
Figure imgf000052_0002
Figure imgf000053_0001
(9E-E)
Figure imgf000053_0002
Figure imgf000053_0003
PUlO/L6d£/10d 096" 6 OAV 096卜 £、卜 6 ozw
~ — \
Figure imgf000054_0001
Figure imgf000055_0001
096 "仏 6 OAV
Figure imgf000056_0001
Figure imgf000056_0002
(οε "C"p y
(6T- )
Figure imgf000056_0003
PUlO/L6dr/±Dd 096"/ 6 OAV
PJ
Figure imgf000057_0001
PlZlO/L6d£/13d 096LZIL6 OAV
Figure imgf000058_0001
これらの一般式 （2〉 〜 （4 ) で示される化合物は、 誘電率異方性値が正を示 し、 熱安定性や化学的安定性が非常に優れている。
該化合物の使用量は、 液晶組成物の全重量に対して i〜9 9重量％の範囲が適 するが、 好ましくは 1 0〜9 ？重量％、 より好ましくは 4 ϋ〜9 5重量％である c 次に、 前記第二 B成分のうち、 一般式 （5) 、 (6) および （7〉 に含まれる 化合物の好適例として、 それぞれ （5— 1 ) 〜 （5— 2 9) 、 （6— 1 ) 〜 （6 -3) および （7— 1 ) 〜 （？一 1 7) を挙げることができる。
85
Figure imgf000060_0001
MZT0/I6df/IDd 096ム £/ム 6 OAV
6
Figure imgf000061_0001
Figure imgf000061_0002
U\0IL6d£/∑Dd 096ム C/ム 6 ΟΛ\
Figure imgf000062_0001
Figure imgf000063_0001
Figure imgf000063_0002
これらの一般式 （5) 〜 （7) で示される化合物は、 誘電率異方性値が正でそ の値が大きく、 組成物成分として特にしきい値電圧を小さくする目的で使用され る。 また、 粘度の調整、 屈折率異方性値の調整および液晶相温度範囲を広げる等 の目的や、 さらに急峻性を改良する目的にも使用される。
また第二 B成分のうち、 一般式 （8) および （9) に含まれる化合物の好適例 として、 それぞれ （8— 1) 〜 （8— 1 6) および （9一 1) 〜 （9一 1 6) を 挙げることができる。
Figure imgf000063_0003
Figure imgf000064_0001
(9-3)
R9 -O- "0R1 (94)
Figure imgf000064_0002
上記第二 B成分の化合物の使用量は、 液晶組成物の全重量に対して 1〜99重 量％の範 I が適するが、 好ましくは 1 ϋ〜 97重量％、 より好ましくは 4 ()〜 9 5重量％である。
本発明に従い使用される液晶組成物は、 それ自体公知または慣用的な方法で調 製される。 一般には、 種々の成分を高い温度で互いに溶解、 混合させる方法がと られている。 また、 本発明の液晶材料は、 適当な添加物によって意図する用途に 応じた改良がなされ、 最適化される。 このような添加物は当業者によく知られて おり、 文献等に詳細に記載されている。 例えば通常、 液晶のらせん構造を誘起し て必要なねじれ角を調整し、 逆ねじれ （r e V e r s e— t w i s t ) を防ぐた めキラルド一プ材 （c h i r a l d o pan t) などを添加することができる。 また、 本発明に従い使用される液晶組成物は、 メロシアニン系、 スチ リル系、 ァゾ¾、 ァゾメチン系、 ァゾキシ系、 キノフタロン系、 アントラヰノ ン系および テトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホスト （GH) モード用の液晶組 成物としても使用できる。 またネマチック液晶をマイクロカプセル化して作成し た N C Λ Pや液晶中に三次元編み目状髙分子を作成したポリマーネッ トワーク液 晶表示素子 （PNLCD) に代表されるボリマ—分散型液晶表示素子 （PDLC D) 用の液晶組成物としても使用できる。 その他複屈折制御 （ECB) モードや 動的散乱 （DS) モード用の液晶組成物としても使用できる。
さらに本発明の化合物を含有するネマチック液晶組成物としては、 以下に示す ような組成例 （組成例 1〜1 9) を示すことができる。 ただし組成物例中の化合 物は次表に示す取り決めに従い略号で示した。
表 1 記号を用いた化合物の表記方法
6 — F
4 -CI — CL
Figure imgf000066_0001
組成例 1
3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 G. 0% 7 - HB (F) 一 F 1 . 0%
2 -HHB (F) 一 F 1 . 0%
3— HHB (F) - F 1 . 0% 5一 HHB (F) 一 F 0%
2 - H 2 H B (F) 一 F 0%
3 -H 2 HB (F) 一 F 0% 5一 H 2 HB (F) 一 F 0% 2 -HBB (F) -F 0%
3— HBB (F) 一 F 0% 5 -HBB (F) 一 F 0% 紐成例 2
3 - 11 B 0 C F 2 B (F, F) 一 F 0% 7 -HB (F, F) 一 F 0%
3 - HHB (F, F) -F 0% 3 -H 2 HB (F, F) -F 0%
3 - HBB (F, F) 一 F 0% 5一 HBB (F, F) -F 1111 1 0%
55252665665755467763 3 3一 H 2 BB (F, F) 一 F 0%
4 ~H 2 BB (F, F) 一 F 0%
5 -H 2 BB (F, F) -F 0%
3 - HBEB (F, F) 一 F 0% 5 - HBEB (F, F) -F 0% 3 -HHEB (F, F) 一 F 0%
4—HHEB (F, F) -F 0%
5 -HHEB (F, F) 一 F 0% 組成例 3
3一 HBOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0. 0% 3 - H 2 BOC F 2 B (F, F) -F 1 0. 0%
3一 H 2 HB (F, F) - F 5. 0% 5 - H 2 H B ( F , F) — F 4. 0%
3 - HHB (F， F) -F 1 0. 0%
4一 HHB (F, F) - F 6. 0% 3 -HH 2 B (F, F) 一 F 1 2 0% 5一 HH 2 B (F. F) 一 F 8 0%
3 -HBB (F, F) 一 F 9 0% 5 - HBB (F, F) 一 F 9 0% 3— HHEB (F, F) — F 9 0%
4一 HHEB (F, F) 一 F 2 0%
5 -HHEB (F, F) 一 F 2 0% 3 - HHBB (F, F) -F 2 0%
3 -HH 2 BB (F, F) 一 F 2. 0% 組成例 4
Figure imgf000068_0001
5 - H 2 HB (F， F) -F 0% 3 -HHB (F, F) 一 F 8. 0%
3一 HH 2 B (F, F) 一 F 8. 0% 5一 HH 2 B (F, F) - F 7. 0% 組成例 5
3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 8. 0% 5 -HBOCF 2 B (F) -CL 6. 0% 3一 H B - Cし 4. ϋ% 5 -HB-CL 4. 0%
7 -HB-CL 5. 0%
2 - HBB (F) -F 5. 5%
3 - HBB (F) — F 5. 5% 5一 HBB (F) — F 1 1. 0%
2 -HHB-CL 5. Q %
4 -HHB-CL 5. 0%
5 -HHB-CL 5. 0%
3 - HBB (F, F) — F 1 6. 0% 5 -HBB (F, F) - F 1 6. 0%
3 -HB (F) TB - 2 4. 0% 組成例 6
3 -HBOCF 2 B (F, F) 一 OCF 3 4. 0%
3 - H 2 BOCF 2 B (F， F) 一 F 9. 0% 2 -HHB (F) 一 F 8. 6%
3 -HHB (F) 一 F 8. 7%
5 - HHB (F) -F 8. 1 %
3 - HHB (F, F) -F 7. 0% 5 -HHB (F, F) 一 F 7. 0% 3 -H 2 HB (F, F) -F 4. 0%
4 -H 2 HB (F, F) -F 4. 0%
5 -H 2 HB (F, F) 一 F 4. 0 % 3-HH B (F， F) -F 8. 0% 5 - HH 2 B (F， F) -F 8. 0% 2 - H B B - F 5. 0%
3 - HBB - F 5. 0%
5— H B B— F 3. 0%
3 - HHB - 1 6. 0% 組成例 Ί 2 -HBOCF 2 B (F) 一 F 3. 0%
3 -HBOCF 2 B (F) 一 F 3. 0% 5 - HBOCF 2 B (F) -F 3. 0% 7一 HB (F) 一 F 1 0. 0% 7 - HB (F, F) - F 8. 0%
5 -II 2 B (F) -F 3. 0%
2— HHB (F) 一 F 4
3 - H H B (F) 一 F 4 5 - il H B (F) 一 F A 2 - HBB (F) - F 7
o n
3 - HBB (F) -F 7 5 - M B B (F) --F 1 5
2 - H B B - F 4
3 HBB— F i 1 一 8440 72299945 3 -HB (F) TB-2 6 00005000000500000557 67
3— HB (F) TB- 3 6 3 -HB (F) TB - 4 6 組成例 8
3 - H B 0 C F 2 B (F) 一 0 C F 3
3 -HBOCF 2 B (F) 0 C H F 2
5一 IIEB - F
7 H E B - F
2 - HHB (F) 一 F
3 - H H B (F) -F
5 - H H B ( F ) - F
2 - H B B (F) -F
3 -HBB (F) 一 F
5 -HBB (F) 一 F
一 II 2 HB (F， F) -F
Figure imgf000071_0001
-BEB-C 3. 0%
V 2一 HHB— 1 8. 0%
3 -HHB -01 4. 0%
3 - H H B - 3 1 0. 0%
3一 H 2 BTB- 2 3. 0%
3 - 112 B T B - 3 3. 0%
3 - li 2 BTB-4 3. 0% 組成例 1 1
5 - H B 0 C F 2 B (F, F) 一 C 5. 0%
2 -HBOCF 2 B (F) 一 C 5. 0%
3-HBOCF 2 B (F) 一 C 5. 0%
1 V 2 -BEB (F, F) 一 C 5. 0%
2〇 1一 BEB (F) -C 5. 0%
301 - BEB (F) 一 C 9. 0%
3 -HB (F) 一 C 1 5. 0%
3 -HH- 4 3. 0%
101 -HH- 3 3. 0%
4一 BTB - 02 5. 0%
2 - H II B (F) 一 C 1 0. 0%
3 - HHB (F) 一 C 1 0. 0%
3 - H 2 B T B - 2 4. 0%
3 - H 2 B T B - 3 3. 0%
3 -II 2 BTB—/] 3. 0%
2 - B T B - 1 1. 0%
1 - B T B - 6 2. 0% -BTB- 4 1. 0%
3 -HH- 2 V 3. 0%
4 - H H - V 3. 0% 組成例 1 2 V-H 2 BOCF 2 B (F, F) — C 6. 0 %
5 -HBOCF 2 B (F) - C 1 0. 0%
2 -BB-C 5. 0%
2 O 2 O-BB-C 4. 0% 101 - IIB C 1 0. 0%
2 O 1 -HB-C 6. 0%
2 -BEB-C 1 0. 0% 5 -P y B-F 8. 0% - P y B- 2 2 0% 3 - P y B - 2 2 0% -P y B- 2 0%
V— H H B— 1 2 0%
3一 II 11 B - 1 3 0% - HUB- 3 6 0% 2 - P y B 11 - 3 5 0%
3 PyBH - 3 5, 0%
4 - Py BII-3 5, 0%
3 - P y B B - F 3. 0%
4 - P y B B - F 3. 0% 6 -P y BB- 6 3. 0% 組成例 1 3
3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 3. 0%
3 - H 2 HBOCF 2 B (F) 一 C 3. 0%
3 - Py B (F) 一 F /I. 5% 3020 - BEB - C 3. 0%
3 - BEB C 6. 0%
3 - DB-C 1 0. 0%
4 -DB-C 1 0. 0% 3 -HEB-04 1 2. 0% -HEB-02 0% -HEB-01 0%
3 - HEB-02 5% 5 -HEB-02 0% 3一 HHB - 1 0%
3 -IIHEBB-C 0% 3一 HBEBB - C 0% 1 O— BE B— 2 0% - HEB- 3 0%
5 - HEB- 1 0% P y B-02 0% 組成例 1 4
5 M H 2 B 0 C F 2 B (F) 一 C
2
3 HBOCF 2 BB (F) 一 C 8 2732203322622R 222166597 9 3 HB-C 000000000 00005ODO 3一 HHB— 1
3一 HHB - 3
5 - H E B - F
7 - H E B - F
3 - H H E B - F
5 -HHEB-F
3 - HEB - 04
IIEB - 02
5 -HEB-01
3 - Ι E B - 02
5 -HE B-02
3 - HB (Γ) TB-2
3 -HB (F) TB - 3
3 -HB (F) VB-4
Figure imgf000075_0001
組成例 1 5
2 -HBOC F 2 B (F) 一 C 8 0%
3 -HBOCF 2 B (F) 一 C 1 ϋ 0% 5 -HBOCF 2 B (F) - C 10 0%
5 -P y B (F) 一 F 8 0%
2 - HB (F) 一 C 9, 0%
3 -HB (F) 一 C 1 0. 0% 30 - B B - C 7. 0%
組成例 1
Figure imgf000075_0002
7 -HB-F 7. 0%
5 - HB- 3 5. 0%
3 - HB-01 5. 0%
2 - II H B - 0 C F 3 5. 0% 4 -HHB-OCF 3 5. 0%
5 -HHB-OCF 3 4. 0%
3 -IIII 2 B-OC F 3 2. 0% 5 - HH 2 B-OC F 3 3. 0% 3 - M H 2 B - F 3. 0% 5 -HH 2 B-F 3. 0%
3 -HBB (F) -F 6. 0%
Γ) -HBB (F) - - F 5. 0%
3 - HH 2 B (F) -F 7. 0%
5一 HH 2 B (F) 一 F 9. 0% - II B (F) BH - 3 3. 0%
5一 HB (F) BH - 3 2. 0%
5 - HB (F) BH - 5 2. 0% 組成例 1 7
3 - IIBOCF 2 B ( , F) —OCHF 2 8. 0% 5— H 2 BOCF 2 B (F) 一 F 2. 0%
5 - H B - F 6. 0%
7 -HB-F 6. 0%
2 -HHB-OCHF 2 4. 0%
3 -HHB-OCHF 2 5. 0% 3 -HHB (F, F) -OCHF 2 7. 0%
5 HHB (F, F) -OCHF 2 5. 0%
2 - H H B - O C F 3 8. 0%
3一 H H B-OC F [) 9. 0% 5 -HHB-OCF 3 1 0. 0% 3 - H H 2 B (F) 一 F 0% 5 -HH 2 B (F) — F 0%
組成例 1
Λ 11
o ϋ
Figure imgf000077_0001
紐成例 1 9
2一 HBOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0. 0% 3 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0. Q%
5 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0. Q% 2 - H 2 B 0 C F 2 B (F, F) 一 F 1 0. 0% 3-H 2 BOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0. 0% 5 -II 2 BOC F 2 B (F, F) 一 F 1 0. 0% 3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 1 0. 0% 3 - 11 B O C F 2 B (F, F) -C F 3 1 0. 0 %
3 -HBOCF 2 B (F) - O C H F 2 1 0. 0%
3 -HBOCF 2 BB (F) -OCF 3 1 0. 0%
[化合物の製法]
本発明の化合物 （1) は通常の有機合成化学的手法を駆使することで容易に製 造できる。 例えばオーガニック · シンセシス、 オーガニック · リアクションズ、 実験化学講座 （丸善株式会社出版） 等に記載の手法を適当に選択、 組み合わせる ことで容易に合成できる。
すなわち、 一般式 （1) で示される化合物は M. S. Kh a r a s c h等、
G r i g n a r d R e a c t i o n s o f No nme t a 1 1 i c S u b s t a n c e s ". P r e n t i c e-H a l 1 ( 1 9 54 ) の方法に準じ、 ブロモベンゼン誘導体 （1 0) から G r i g n a r d試薬を調製する。 次いで Λ. S. Wh e e l e r等、 J. Am. C h e m. S o ， 5 0, 3 1 0 6 ( 1 9 2 8 ) に記載の方法に準じて、 調製した G r 1 g π a r d試薬に二硫化炭素を作 用させジチォカルボン酸誘導体 （1 1 ) を製造する。 （i 1) はジェチルエーテ ル中、 塩化チォニルと加熱還流することでチオンカルボン酸クロ リ ドとし、 次い でフニノール誘導体 （ 1 2) をピリジン等塩基の存在下で作用させチオンカルボ ン酸ー 0—エステル誘導体 （ 1 3) とする。 さらに （1 3) にジェチルアミノサ ルフアート リフルォリ ド （ 下 DA S Tと省略する） を作用させるか、 あるしヽは 特開平 5— 2 5 5 1 6 5号記載の方法に準じ、 N—プロモコハク酸ィ ミ ドの存在 下、 二水素三フッ化四級了ンモニゥム塩を作用させることで （ 1 ) が製造できる c
Figure imgf000079_0001
(式中 R '、 環 Λ、 B、 C、 D、 Z '、 Z Z X、 Y、 1および mは前記と同 一の意味を表す〉
上述の製造方法において一般式で示したブロモベンゼン誘導体 （ 1 0) は既知 の有機合成的手法にて製造することが可能であるが、 以下の方法にて好適に製造 できる。 即ち結合基 Z3が単結合であるものは、 ョ一ドベンゼン誘導体 （ 1 4 ) をブチルリチゥム等でリチォ化後、 塩化亜鉛を作用させ有機亜鉛化合物を調製し、 さらにブ モベンゼン誘導体 （ 1 5) とクロスカツブリ ングを行うことでビフヱ ニル誘導体 （ 1 6) を製造する。 次に塩化第 2鉄等の触媒存在下、 （ 1 6) に臭 素を作用させることによりブ πモベンゼン誘導体 ( 1 0 - 1 ) が製造できる。 また、 結合基 z3 がェテニレンあるいはエチレンであるものについては、 酸ク ロ リ ド （ 1 7) に鉄二ァセチル了セトネートを触媒として （ 1 5) より調製した G r 1 g n a r d試薬を作用させケトン誘導体 （ 1 8) を製造する。 次いで （ 1 8) のカルボ二ル基を水素化ホウ素ナト リウムにてアルコールまで還元し、 さら に硫酸、 塩酸等の鉱酸、 p トルエンスルホン酸等の有機酸あるいは非水性の酸 性イオン交換樹脂等を触媒として脱水し、 スチレン誘導体 ( 1 9) を製造する。
( 1 9) は塩化第 2鉄等の触媒存在下、 臭素を作用させることにより Z 3がェテ ニル基であるブロモベンゼン誘導体 （ 1 0— 2) が製造できる。 さらに （ 1 9) をパラジゥム 炭素等の触媒存在下水素還元し、 上記同様にブ πム化を行うこと で Z3がエチレン基であるブロモベンゼン誘導体 （ 1 0 3) が製造できる。
(D)-I (14)
Y
1) BuLi Br
2) ZnCl2 - "X (15)
F
Figure imgf000081_0001
^D^CHaCOCI (17)
Figure imgf000081_0002
(式中 JSD、 Xおよび Yは前記と同一の意味を表す） 上述の製造方法において一般式で示したフユノール誘導体 （12) は既知の有 機合成的手法にて製造することが可能であるが、 以下の方法にて好適に製造でき る。 即ち特公昭 62— 39136号、 特公平 3— 03643号、 特開昭 57— 1 59725号、 特開昭 60— 084230号および特表平 1一 502274号等 にその製造方法が記載されているァニソ—ル誘導体 （2 1) をハ口ゲン系の溶媒 中、 三臭化ホウ素を作用させることでフユノ ール誘導休 （1 2) を製造すること ができる。
また、 結合基 Ζ2 が 1, 2—ェテニレンあるいは 1 , 2—エチレンであるもの については、 酸クロ リ ド （22) に鉄二ァセチルァセ トネ一トを触媒としてプロ モア二ソ―ル誘導体から調製した G r i g n a r d試薬を作用させケトン誘導体
(23) を製造する。 次いで （23) のカルボ二ル基を水素化ホウ素ナト リウム にてアルコールまで還元し、 さらに硫酸、 塩酸等の鉱酸、 p— トルエンスルホン 酸等の有機酸あるいは非水性の酸性ィ才ン交換樹脂等を触媒として脱水し、 4
(E) ービニルァニソール誘導体 （24) を製造する。 （24) は塩化第 2鉄等 の触媒存在下、 臭素を作用させることにより Z2が 1， 2—ェテニレンであるフ ヱノール誘導体 U 2— 1) が製造できる。 さらに （24) をパラジウム一炭素 等の触媒存在下水素還元し、 上記同様にブ αム化を行うことで Z2が 1, 2—ェ チレンであるフユノール誘導体 （1 2— 2) が製造できる。
P T P97/01214
Figure imgf000083_0001
(式中 ^Λ、 Β、 C. および 1は前記と同一の意味を表し、 ηは 0または 1を表 す）
また、 R 1が了ルケニル基であるものについては種々の既知の有機合成的手法 にて製造することが可能であるが、 以下の方法にて好適に製造できる。 即ち 1, 4ーシク πへキサンジオンモノエチレンケタール （2 6) にブロモア二ソ一ル誘 導体より調製した G r i g n a r d試薬を作用させた後、 生成したアルコール誘 導体を硫酸、 塩酸等の鉱酸、 P— トルェンスルホン酸等の有機酸あるいは非水性 の酸性イオン交換樹脂等を触媒として脱水し、 さらに得られたシクロへキセン誘 導体をパラジウム一炭素、 ラネーニッケル等の触媒存在下水素還元を行う。 次い でぎ酸にてケタールの脱保護を行うことにより、 シクロへキサノ ン誘導体 （28) が得られ、 さらに （28) に三臭化ホウ素を作用させることで、 ケト一フヱノー ル誘導体 （1 2 -3) が得られる。 また 4ーシクロへキサンジオンモノェチ レンケタール （2 6) の代わりにシクロへキサノン誘導体 （2 7— 1 ) あるいは 了ルデヒ ド誘導体 （27— 2) を使用することで、 （1 2— 4) の一般式で表さ れるケトーフヱノール誘導休を製造できる。
次いでケトーフエノール誘導体 （ 1 2— 3) を前記に示した （ 1 ) 製造の場合 と同様に、 チオンカルボン酸クロ リ ドとのエステル化、 さらにチォカルボニル基 のジヱ ミナルフッ素化を行うことでシクロへキサノン中間体 （3 0) が製造でき る。 また同様に （1 2— 4) から （3 1) が製造できる。
R1がェテニル基、 または 1 (E) —プロぺニル基であるものについては上記 シクロへキサノ ン中間体 （30) を合成中間体として以下の方法にて好適に製造 できる。 すなわちオーガ二ック · リアクションズ、 V 0 し 1 4、 第 3章に記載 の方法に準じ、 、 メ トキシメチルト リフエニルホスホニゥムクロ リ ドを T H I
(以下 THFと略す） 中、 ナト リウムアルコキシドあるいはアルキルリチウム等 の塩基を作用させ調製したィ リ ドに、 シクロへキサノン中間体 （3 0) を作用さ せ、 次いで生成物をぎ酸共存下で加熱還流することでアルデヒド中間体 （32) を製造する。 次に了ルデヒ ド中間体 （3 2 ) に対しメチルト リ フヱニルホスホニ ゥ厶ブ口 ミ ドまたはェチルト リフヱニルホスホニゥムブ πミ ドにナ ト リゥ厶アル コキシド、 アルキルリチウム等の塩基を作用させ調製したィ リ ドを作用させるこ とで R'がェテニル基である誘導体 （ 1一 1 ) および R1が i一プロぺニル基であ る誘導体 （ 1一 3 ) が製造できる。 また、 （ 1一 3 ) については必要に応じて、 特公平/ 1— 3 0 382号記載の方法に準じ、 ベンゼンスルフィ ン酸または p—ト ルエンスルフィン酸を作用させ異性化するか、 または特公平 6— 6 2 4 6 2号記 載の方法に準じて、 ォレフィ ンの反転を行うことにより R 1が 1 (E) —プロべ ニル基である誘導体を精製することができる。
また、 以上の製造方法に準じてシクロへキサノン中間体 （3 1 ) から一般式 ( 1 - 2 ) および （1 一 4 ) で表される了ルケニル誘導体が製造できる。
Figure imgf000086_0001
DAST
Figure imgf000086_0002
1) CH3OCH2Ph3P+Cl- I 2) 99% HCOOH 塩基 t
Figure imgf000086_0003
(32)((33))
Figure imgf000087_0001
(式中環 B、 C、 D、 X、 Yおよび mは前記と同一の意味を表し、 Z4および Z5 は相互に独立して- C!I2CH2-、 単結合を表す）
また、 R'が 3—ブ亍ニル基、 または 3 (E) —ペンテニル基であるものにつ いても以下に示す製造方法にて好適に製造できる。 即ち、 2— ( 1、 3 ジォキ サン一 2—ィル） ェチルト リフエニルホスホニゥムブロ ミ ドにナト リ ウ厶アルコ ヰシドあるいはアルキルリチウム等の塩基を作用させ調製したィ リ ドに前記で製 造方法を示したシクロへキサノ ン中間体 （30) を作用させた後、 生成物をパラ ジゥム一炭素触媒存在下、 水素還元、 続いてぎ酸にて加熱還流し、 ケタールの脱 保護を行うことにより了ルデヒド中間体 （33) を製造する。 次いでアルデヒ ド 中間体 （33) に対しメチルト リフエニルホスホニゥ厶ブロ ミ ドまたはェチルト リフヱニルホスホニゥムブロ ミ ドにナ ト リウムアルコキシド、 了ルキルリチウム 等の塩基を作用させ調製したイ リ ドを作用させることで R 1が 3—ブテニル基で ある誘導体 （ 1— 5) および R'が 3—ペンテュル基である誘導体 （ 1—7) 製造できる。 また、 （ 1—7) については必要に応じて、 特公平 4 30 38 2 号記載の方法に準じ、 ベンゼンスルフィ ン酸あるいは P—トルエンスルフィン酸 を作用させ異性化するか、 または特公平 6— 6 2 4 6 2号記載の方法に準じて、 ォレフィ ンの反転を行うことにより R'が 3 (E) 一^；ンテニル基である誘導体 を精製することができる。
また、 以上の製造方法に準じてシクロへキサノ ン中間体 （3 1 ) から一般式 ( 1 - 6 ) および （ 1 — 8) で表されるアルケニル誘導体が製造できる。
(30)((31))
-O
ぐ Ph3P*Br 埴基
Hj/«媒 9¾-HCOOH
Figure imgf000088_0001
埴基
CjHsPh3P+Bf
塩基
Figure imgf000088_0002
(式中環 B、 C. D、 X、 Yおよび mは前記と同一-の意味を表し、 Z4および Z5 は相互に独立して- CH2CH2-、 単結合を表す）
〔実施例〕
以下、 実施例により本発明の化合物の製造法および使用例についてさらに詳細 に 叨するが、 本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。 なお、 各実施例中において Crは結晶を、 Nはネマチック相を、 Sはスメクチック相を、 ま た 1 soは等方性液体を示し、 相転移温度の単位は全て :である。
実施例 1
ジフルオロー ( 4 - (トランス一プロビルシクロへヰシル） フヱニルォキシ） (3, 4, 5—ト リフルオロフュニル） メタン （化合物 No. 1 ) (—般式 （1 ) において ¾Aが 1, 4ーシクロへキシレン基、 還 (：が 1 , 4一フヱニレン基、 1 =m- 0. R'=n - C3H7、 Ζ ·は単結合、 Χ = Υ二 Fであるもの） の製造
製造工程は大きく 3工程に分けられる。 各製造工程に分けて ^下に詳述する。 第 1工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 500ml三つ口フラスコ中、 窒素雰囲 気下削り状マグネシゥム 4.8g(199.1麵 ol)を THF100m】に攪拌しながら懸濁させ、 3， 4, 5—ト リフルォロブロモベンゼン 40g(189.7 0】）の THF溶液 100mlを 内温が 5 Ot:を越えないように 1. 5時問を要して滴下した。 反応溶液は温浴に て 5 に加熱しながら、 2時間攪拌し、 熟成した。 次いで氷浴にて内温を 5 t まで冷却後、 二硫化炭素 57.8g(758.8( iol)を内温が 1 0 tを越えないように 4 ϋ 分を要して滴下した。 反応溶液は 1 以下を保ちながら 3 (J分間攪拌後、 室温 まで昇温し、 2時間攪拌した。 反応溶液を再度 5 t:以下まで冷却後、 6規¾塩酸 80mlを添加し反応を終了した。 反応溶液はジェチルェ—テル 800mlで抽出後、 氷 水 1000mlにて洗浄、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 ジェチルエーテルを留去、 濃縮して 36.3gの濃赤紫色の固体を得た。 これが 3 , 4 , 5—ト リフルォ口フエ ニルジチォカルボン酸である。
第 2工程
上述の操作で得た 3 , 4 , 5—ト リフルォ口フェニルジチォ力ルポン酸 36.3g を 500mlナス型フラスコ中ジェチルエーテル 300mlに溶解し、 室温下塩化チォニル 103.8gを添加後温浴上で加熱還流を 8時間行った。 ジェチルエーテルおよび未反 応の塩化チ才ニルをァスビレーター減圧下、 留去、 濃縮し濃赤紫色の油状物質 32. 3gを得た。 これが 3, 4. 5—ト リフルオロフヱ二ルチオンカルボン酸クロ リ ド である。 次に攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 500ml三つ口フラスコ中、 窒素雰团気下 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フヱノール 27.9g (127.9画 ol)およびピリジン 12. lg(153.4剛 ol)をトルエン Ιϋϋπιΐに溶解し、 室温で 攪拌しながら上記操作で得た 3 , 4, 5—ト リフルオロフヱ二ルチオンカルボン 酸クロリ ド 32. のトルェン溶液 90mlを 4 0分を要して滴下した。 滴下後反応溶 液は温浴上内温を β O t:まで加熱し、 3時間攪拌熟成を行った。 室温まで冷却後、 反応溶液に水 300ml、 6規定塩酸 60miを添加しトルエン層を分離後、 さらに水層 をトルエン 400mlで抽出した。 抽出層は水 500nil、 2規定水酸化ナト リゥム水溶液 100mlおよび水 5()0mlで順次洗浄後無水硫酸マグネシゥムで乾燥した。 減圧下トル ェンを留去、 濃縮して濃赤紫色ペースト状物 45.2gを得た。 反応物はシリカゲル を充填剤とし、 展開溶媒としてへプタンを使用した力ラムクロマトグラフィ一に て精製後、 さらにヘプタンから再結晶して淡黄色の針状結晶物 20.3gを得た。 こ れがチオンカルボン酸一 0 エステル誘導体 （36) である。
C r 88. 0 I s 0
Ή-NMR (び ppm) 0.8-2.1 (16H, m),2.5 (111, m),6.9 (2H, d, J=9.0Hz) , 7.3 (211, d, J=9.0Hz) and 7.9 (2H, m)
Figure imgf000090_0001
第 3工程
300mlナス型フラスコ中窒素気流下、 上記操作で得たチオンカルボン酸一 0 - エステル誘導体 （3 (5) 10g (25.5闘 ol)をジク πロメタン 60mlに溶解し、 室温下 DAST14.4g(89.2mmol)を添加し、 室温下 25時間攪袢した。 反応溶液を氷水 200 mlに添加し、 反応を終了後、 ジク口 πメタン層を分鲱、 さらに水層をジクロ πメ タン 100mlで抽出した。 抽出層は水 200inl、 2規定水酸化ナト リゥム水溶液 50mlお よび水 200mlで順次洗浄後無水硫酸マグネシゥムで乾燥した。 ジクロロメタンを 留去、 濃縮して淡黄色結晶状の混合物 9. lgを得た。 反応物はシリカゲルを充填剤 とし、 展開溶媒としてへプタンを使用した力ラムクロマトグラフィ一にて精製後、 さらにへプタンから再結晶して無色針状結晶物 3.7gを得た。 これが目的とするジ フルオ ー （ 4— (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フヱニルォキシ） ( 3, 4， 5—ト リフルオロフヱニル） メタン （化合物 N 0. 1 ) である。
C r 5 9. 2 I s o
Ή-NMR ( σ ppm) 0.8-2.0 (16H, m) , 2.5 (1 H, m) , 6.9-7.2 (4H, m) and 7.4(2H, m) 図 1に化合物 N o. 1の'3 F— NMRスぺク トルの実測チヤ一トを添付する。 上記製造方法に準じ、 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへヰシル） フヱノ ールに代えてアルキル基の銷長の異なる 4一 （トランス一 4一丁ルキルシク へ キシル） フエノールを用いて、 以下の化合物が製造できる。
(化合物 N◦. 2)
ジフルォ D — （4— (トランス一 4ーメチルシクリへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3, 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 3)
ジフルォ 一 ( - (トランス一 4ーェチルシク αへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3， 4， 5 - ト リ フル才□フユニル） メタン
(化合物 N o. 4 )
ジフルォ口一 ( 4 - (トランス一 4ーブチルシク□へキシル） フユ二ルォキ シ） （3, 4, 5 —ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 5)
Π ( 4— (トランス一 4一ペンチルシク πへキシル） フエニルォ キシ） （ 3， 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 6 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一^ ^キシルシクロへキシル） フエニルォ キシ） （ 3 , 4, Γ)— ト リフルオロフヱニル） メタン
(ィ匕合物 Ν◦. 7 ) ジフルオロー （4一 （トランス一 4一へプチルシクロへヰシル） フエニルォ キシ） （3, 4, 5— ト リフルォ αフヱニル） メタン
(化合物 N o. 8)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—ォクチルシクロへキシル） フエニルォ キシ） （3， 4 , 5 _ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 9)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーノニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3, 4， 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 0)
、 ジフルオロー （4— (トランス一 4—デシルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3， 4， 5—ト リ フルォ フエニル） メタン
上記製造方法に準じ、 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへヰシル） フヱノ ールに代えて 2—フルオロー 4一 （トランス一 4一アルキルシク口へキシル） フ エノ一ルまたは 2, 6—ジフルオロー 4一 （トランス一 4一アルキルシク αへキ シル） フエノールを用いて、 以下の化合物が製造できる。
(化合物 Ν 0. 1 1 )
ジフルォロ一 （2—フルオロー 4— (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） フエニルォキシ） （3, 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
し r 6. 1 I s o
(化合物 N o. 1 2)
ジフルォロ一 （2—フルオロー 4— (トランス一 ]—プロピルシク口へキ シル） フユニルォキシ） （3, 4. 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 3)
ジフルオロー （2—フルォリ ー 4一 （トランス一 4一ペンチルシク へキ シル） フヱニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルォ uフヱニル） メタン
(ィ匕合物 N o. 1 4)
ジフルォ π— ( , Γ)—ジフルオロー 4— (トランス一 1ーェチルシクロ へキシル） フヱニルォキシ） （3, 4 , 5— ト リフルオロフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 5) ジフルオロー （2， 6—ジフルオロー 4— (トランス一 4一プロビルシク 口へキシル） フヱニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 6)
ジフルオロー (2, 6—ジフルオロー 4一 （ト ランス一 4—ペンチルシク へキシル） フヱニルォキシ） （3， 4， 5—ト リフルォ σフヱニル） メタン また上記製造方法に準じ、 3, 4, 5—ト リフルォロブロモベンゼンに代えて 種々の既知のブロモベンゼン誘導体を用いて、 以下の化合物が製造できる。
(化合物 Ν 0. 1 7)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） フエ二ルォヰ シ） （3, 4—ジフルォ σフヱニル） メタン
(ィ匕合物 No. 1 8)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4 - プロビルシクロへキシル） フエ二ル才 キシ） （3, 4—ジフルォ αフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 9)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） フエニルォ キシ） （3， 4ージフルオロフェニル） メタン
(化合物 Ν ϋ. 2 0)
ジフルオロー ( 4一 (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3—フルォロー 4—クロ口フエニル） メタン
(化合物 Ν ο· 1 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへヰシル） フエニルォ キシ） （ 3—フルォロ一 4一クロ口フエニル） メタン
(化合物 No. 2 2)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一ペンチルシク□へキシル） フ ニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4ークロロフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 3)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3—フルオロー 4一ト リ フルォ αメチルフ ニル） メタン
(化合物 N o. 2 4) ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—フ。口ピルシク "へキシル） フエニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4—ト リフルォロメチルフエニル） メタン
(化合物 No.25)
ジフルオロー （4— (トランス一 /!—ペンチルシクロへキシル） フエニル才 キシ〉 （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 No.26)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3—フルォ 一 4—ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No.27)
ジフル才ロ一 （4— (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フヱニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4 _ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン
C r 1 5. 2 SB 66. 3 I s o
(化合物 N 0.28)
ジフルォ ( 4 - (ト ランス一 /!—ペンチルシクロへキシル） フヱニ レオ キシ） （ 3—フルオロー 4 _ト リフルォ口メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0.29)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 /!—ェチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3—フルォ口一 4—ジフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0.30)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フエニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4—ジフルォロメ トキシフエ二ル） メタン
(化合物 No.31)
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 4—ペンチルシク へキシル） フエニルォ キシ） （ 3—フルォリ一 4—ジフルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 No.32)
ジフルオロー （4— (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 3—フルオロー 4ーシァノフヱニル） メタン
(ィ匕合物 N o.33)
ジフルオロー （4- (トランス一 4一プロビルシク πへヰシル） フヱニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4—シ了ノフエニル） メタン
(化合物 N o. 34 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） フエニルォ キシ） （ 3—フルオロー 4ーシァノ フヱニル） メタン
(化合物 No. 35)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） フエニリレオヰ シ） （3， 5—ジフルオロー 4一ト リフル才ロメチルフエニル） メタン
(化合物 N 0. 3 6〉
ジフルオロー （4— (トランス一 4ーフ。口ビルシクロへ丰シル） フヱニルォ キシ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン (化合物 No. 37)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ペンチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3, 5—ジフルオロー 4—ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 No. 38)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—ェチルシク nへキシル） フヱニルォキ シ） （3, 5—ジフルオロー 4—ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン (化合物 No. 39)
ジフルォロ一 （4一 （ト ランス-- 4一プロビルシク へキシル） フエニルォ キシ） （3， 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメ トヰシフエニル） メタン (化合物 No. 4 0)
ジフルォ π— （4一 （トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） フエ二 Jレオ キシ〉 （ 3 , 5—ジフルォロー 4—ト リフルォロメ トキシフエニル） メタン (化合物 No. 1 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーェチルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ） （3， 5—ジフルオロー 4ージフルォ メ トキシフエニル） メタン
(化合物 N o. 4 2)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一プロピルシク πへキシル） フヱニルォ キシ） （3. 5—ジフルォ α— }—ジフルォ πメ トキシフヱニル） メタン
(ィ匕合物 Ν 0. 4 3) ジフリレオロー （4一 （トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） フエニリレオ キシ） （3, 5—ジフルオロー 4—ジフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o.44)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一/！ーェチルシク πへヰシル） フエ二ルォキ シ） （3, 5—ジフルオロー 4—シァノフエニル） メタン
(化合物 N o.45)
ジフ »レオ口一 （4— (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フヱニソレオ キシ） （3, 5—ジフルオロー 4—シ了ノフエニル） メタン
(化合物 N 0.46)
ジフルォ π— ( 4 - (トランス一 4一ペンチルシク uへキシル） フヱニルォ キシ） （3. 5—ジフルオロー 4—シァノフヱニル） メタン
実施例 2
ジフルオ ー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一プロピルシク口へヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （3， 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン （化合物 Ν 0. 47 ) (一般式 （1) において環 Αが 1, 4ーシクロへキシレン基、 環 Cが 1, 4—フエ二レン基、 l =m=0、 R'が n- C3H7、 Z'が 1, 2—エチレン、 X = Y = Fであるもの） の製造
実施例 1第 2工程において 4一 （トランス一 4ープ πピルシク πへキシル） フ ェノールのかわりに 4一 （2— （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチ ル） フエノールを使用し、 以下、 実施例 1と同様に操作することにより、 目的と するジフルオロー （4— (2 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチ ル） フヱニルォキシ） （3， 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタンを合成した。 上記製造方法に準じて 4— (2 - (トランス一 /! 一プロビルシクロへキシル） ェチル） フヱノールにかえてアルキル基の鎖長の異なる 4一 (2 - (トランス一 4一了ルキルシクロへヰシル） ェチル） フヱノールを用いて以下の化合物が製造 できる。
(化合物 N 0.48)
ジフルオロー U— (2— （トランス一 4ーメチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） U, 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン (化合物 No. 4 9)
ジフルオロー ( 4 - (2— （トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォヰシ） （3， 4, 5—ト リフルオロフェニル） メタン
(化合物 No. 5 0)
ジフルォ Γ7— ( - (2— （トランス一 4ーブチルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 5 1 )
ジフルオロー （4一 ( 2― (トランス一 4一ペンチリレシクロへキシル） ェチゾレ〉 フユニルォキシ） （3, 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 5 2)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一へキシルシク "へキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(ィ匕合物 N 0. 53)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一へプチルシクロへキシル） ェチル） フヱニル才キシ） （3， 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 5 4)
ジフルォロ一 （4一 (2— (トランス一 4ーォクチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 5 5)
ジフルオロー ( 4一 (2— （トランス一 4ーノニルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルオロフェニル） メタン
(化合物 No. 6)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一デシルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
上記ならびに実施例 1に示した製造方法に準じて 3， 4, 5—ト リフルォロブ ロモベンゼンに代えて種々の既知のブロモベンゼン誘導体を用いて以下の化合物 が製造できる。
(化合物 No. 5 7)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 !ーェチルシク πへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （3， 4ージフルオロフヱニル） メタン
(ィ匕合!!勿 No. 58)
ジフルオロー （4一 （ 2— (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 5 9)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 60)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4ーェチルシク uへキシル） ェチル） フユニルォキシ） （ 3—フルオロー 4一クロ口フユニル） メタン
(化合物 No. 6 1 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4ープ uビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3—フルォ u— 4—クロロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 62)
ジフルオロ ( 4 - (2— （トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4—ク αロフヱニル） メタン
(化合物 No. 63)
ジフルオロー （4— ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3 - フルオロー 4—ト リフル才ロメチルフヱニル） メタン (化合物 N o. 64)
ジフルォ "一 （4— (2— （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4—ト リフルォロメチルフヱニル） メタン (化合物 No. 65)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4一ペンチルシクロへヰシル） ェチル） フヱニルォキシ） （ 3—フルオロー ^!—ト リフルォロメチルフヱニル） メタン (ィ匕合物 N 0. 6 G)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フェニルォキシ） （ 3—フルオロー 4—ト リフルォロメ トキシフエニル） メタン (化合物 N o. 6 7) ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一プロビルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3—フルォロ一 4—ト リフルォ口メ トキシフヱニル） メタン (化合物 Ν ο. 68)
ジフルオロー ( 4 - (2— （トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フユニルォキシ） （ 3—フルオ ー 4—ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン (化合物 No. 69)
ジフルォ (4— （2— （トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4—ジフルォロメ トキシフエ二ル） メタン (化合物 No. 7 0)
ジフルォ π— ( 4 - (2— （トランス一 4ーブ口ピルシク□へキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4—ジフルォ□メ トキシフエ二ル） メタン (化合物 Ν 0. 7 1)
ジフルォ π— ( - (2— (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4ージフルォロメ トキシフエニル） メタン (化合物 N o. 7 2)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4ーェチルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4ーシ了ノフヱニル） メタン
(化合物 No. 7 3)
ジフルォロ一 （4— ( 2 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4—シ了ノフエニル） メタン
(化合物 No. 74)
ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチリレ） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4一シァノフエニル） メタン
(化合物 No. 7 5)
ジフルオロー （4— ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへキシル〉 ェチル） フエニルォキシ） （3， 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフエニル） メ タン
(化合物 No. 7 6)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一-プロビルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3, 5 ジフル才ロ一 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メ タン
(化合物 N o. 7 7)
ジフルオロー (4 - (2 (トランス一 4一ペンチ Jレシクロへキシ レ） ェチ レ） フエニルォキシ） （ 3, 5 ジフルォ口一 4—ト リフルォ口メチルフェニル） メ タン
(化合物 N o. 7 8)
ジフルォ13— (4 - ( 2 (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5 ジフルォロー 4—ト リフルォ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 7 9)
ジフルォロ — （4一 （ 2 (トランス一 4—プロビルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5 ジフルオロー 4—ト リフルォロメ トキシフエ二ル） メタン
(化合物 N o. 8 0)
ジフルォ π— (4一 ( 2 (トランス一 4—ペンチ Jレシク口へキシリレ） ェチリレ） フエニルォキシ） （3, 5 ジフルォ口一 /!一ト リフルォ uメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 8 1 )
ジフルオロー (4 - ( 2 (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5 ジフルォロー 4—ジフルォロメ トキシフエニル） メ 夕ン
(化合物 N 0. 8 2 )
ジフル才 I】一 （ 4 — ( 2 (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3， 5 ジフル才 π— 4—ジフルォロメ トキシフエ二ル） メ タン
(化合物 N o. 8 3)
ジフルオロー (4 - ( 2 (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3, 5 ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシフヱニル） メ タン
(ィ匕合物 N o. 84)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4 シァノフエニル） メタン
(ィ匕合物 No. 85)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4 フ。口ビルシク riへキシ レ） ェチ レ） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4 シァノフエニル） メタン
(化合物 No.86)
ジフルォ π— （4一 （2— (トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） ェチル) フヱニルォキシ） （3， 5—ジフルオロー 4—シァノフエニル） メタン
実施例 3
ジフルオロー （4— (トランス一 4—ェテニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3, 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタン （化合物 No.87) (—般 式 （ 1 ) において還 Aが 1， 4ーシク□へキシレン基、 環 Cが 1, 4一フユニレ ン基、 】 =m= 0、 R'がェテニル基、 Z'は共有結合、 X=Y = Fであるもの） の製造
製造工程は大きく 1 ) 4一 （4ーヒ ドロキシフヱニル） シクロへキサノ ン （1 2 - 3) の合成、 2) シクロへキサノン中間体 （30— U の合成および 3) ジ フル才 (4— (トランス一 4—ェテニルシクロへキシル） フエニルォキシ） (3， 4, 5—ト リフルオロフヱニル） メタンの製造の 3つの段階に大きく分け られる。 各製造段階に分けて以下に詳述する。
「 4— ( 4ーヒ ドロキシフヱニル） シクロへキサノ ン （1 2— 3) の合成」 第 1工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 1 L三つ口フラスコ中、 窒素雰囲気 下削り状マグネシウム 5.9g(242.2画 ol)を TH F 100mlに攪拌しながら懸濁させ、 一ブ モ了二ソ―ル 43. lg(230.7麵 ol)の THF溶液 200mlを内温が 5 0 tを越 えないように 80分を要して滴下した。 反応溶液は温浴にて 5 に加熱しなが ら、 2時間攪拌し、 熟成した。 次いで室温下、 1. 4ーシクロへキサンジオンモ ノエチレンケタール 30.0g(192.2隱 o】）を内温が 6 0 tを越えないように/! 0分を 要して滴下した。 反応溶液は温浴上 5 O :を保ちながら 2時間攪拌した。 反応溶 液を氷水にて冷却後、 飽和塩化ァンモニゥム水溶液 100mlを添加し反応を終了し た。 反応溶液はトルエン 400mlで抽出後、 水 lOOOmUこて洗浄、 無水硫酸マグネシ ゥムで乾燥した。 トルエンを減圧下、 留去、 濃縮して 48. 2gの茶褐色の固体を得 た。 次に反応物はディ一ンスタークの脱水管を付した 1 Lのナス型フラスコ中、 トルエン 240mlに溶解し、 酸触媒として非水、 酸性イオン交換樹脂 （アンバーリ ス ト） 2. 4gを添加し、 攪拌しながら 3時間加熱還流を行った。 触媒をろ取分別後 減圧下トルエンを留去、 濃縮し、 さらに反応物はシリカゲルを充填剤とし、 展開 溶媒としてトルェン一酢酸ェチル混合溶媒を使用した力ラムク αマトグラフィー にて精製後、 さらにトルエンから再結晶して結晶物 35. 5gを得た。
上記の操作で得た反応物 35. は 1 Lナス型フラスコ中トルエン/エタノール の 1 1混合溶液 200mlに溶解し、 5 %パラジウム一炭素触媒 1. 8gを添加し、 室 温下水素圧 1〜 2 Kgん m2で水素添加反応を 7時間行った。 反応溶液は触媒をろ取 分別後、 濃縮し、 反応物 32. 6gを得た。 反応物はそのまま攪拌機および温度計を 備えた 300ml三つ口フラスコ中、 トルエン 100mlに溶解し、 さらに 9 9 %—ぎ酸 24. 4gを添加し攪拌しながら 2時間加熱還流を行った。 反応物に永 300mlを添加後ト ルェン層を分離、 さらに氷層をトルエン 200mlで抽出した。 抽出層は水 800mlで洗 浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥、 トルエンを減圧下留去、 濃縮して反応物 21. 2gを得た。 これが 4 一 （メ トキシフヱニル） シクロへキサノンである。
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた i Lナスフラスコにジクロロメタン
500mlを添加し、 ドライアイス一アセ ト ンバスにて一 5 0で以下まで冷却後、 三 臭化ホウ素 52. 0g (207. 6rraiol)を一 5 0で以下を保ちながら 2 0分を要して滴下後、 上記操作で得た 4 一 （メ トキシフ 二ル） シクロへキサノ ン 21. 2g (103. 8mmol) のジクロロメタン溶液 100mlを同温度を保ちながら 3 ϋ分を要して滴下した。 さ らに同温度で 1畤間攪拌後、 室温まで昇温しさらに 3時間攪拌した。 反応溶液を 水 1 L中に徐々に滴下し、 反応を終了後、 ジク αロメタン層を分離、 さらに水層 をジクロ υメタン 50()πι1で抽出した。 抽出層は水 500(i)i、 2規定水酸化ナト リ ウム 水溶液 2ϋ0πι1および水 500m lで順次洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 反 応溶液はジク口 uメタンを留去、 濃縮して反応物 19. 5gを得た。 反応物はトルェ ソ一^ ^ブタン混合溶媒から再結晶して無色結晶物 14. 8gを得た。 これが 4一 ( A ーヒ ドロキシフヱニル） シク αへキサノ ン （ 1 2— 3 ) である。
0=O-Q-°H (12_3)
「シク σへキサノン中間体 （ 3 0— 1 ) の合成」
第 3工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 300mi三つ口フラスコ中、 窒素雰囲 気下 4一 （ 4ーヒ ドロキシフエニル） シクロへキサノ ン U 2— 3 ) H. 8 g (78. Ommol) をトルエン 30mlに溶解し、 ピリジン 8. Og (101. 4mmol)を添加し、 実施例 1 の第 1および 2工程に示した方法と同様の操作で合成した 3 , 4 , 5—ト リフル ォ Dフヱニルチオンカルポン酸ク口 リ ド 21. 3g (101. 4mmo l)のトルェン溶液 50mlを 1 5分を要して滴下した。 滴下後反応溶液は温浴上内温を [ 0度まで加熱し、 3 時間攪拌熟成を行った。 室温まで冷却後、 反応溶液に水 l()0ml、 6規定塩酸 50ml を添加しトルエン層を分離後、 さらに水層をトルエン 200m lで抽出した。 抽出層 は水 200ml、 2規定水酸化ナト リゥム水溶液 50mlおよび水 300mlで順次洗浄後無水 硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下トルエンを留去、 濃縮して濃赤紫色ペース ト状物 28. 4gを得た。 反応物はシリカゲルを充埴剤とし、 展開溶媒としてへプタ ン /トルェンの混合溶媒を使用したカラ厶ク uマトグラフィ一にて精製後、 さら にへプタンから再結晶して淡黄色の針状結晶物 20. を得た。 これがチォンカル ボン酸一〇一エステル誘導体 （3 7 ) である。
Figure imgf000104_0001
第 4工程
窒素導入管を備えた 300mlナス型フラスコ中、 窒素雰囲気下、 上記操作で得た チオンカルボン酸一 0—エステル誘導体 （3 7) 10.0g(27.5mmol)をジク σロメ タン 5ϋπι1に溶解し、 室温下で DA ST17.7g(109.8mmol)を添加し、 室温下 25時間 攪拌した。 反応溶液を氷水 200mlに添加し反応を終了後、 ジクロロメタン層を分 離、 さらに水層をジクロ口メタン lOOirilで抽出した。 抽出層は水 200(nl、 2規定水 酸化ナト リゥム水溶液 50mlおよび水 200mlで順次洗'净後無水硫酸マグネシウムで 乾燥した。 ジク口 πメタンを留去、 濃縮して淡黄色結晶状の混合物 9.9gを得た。 反応物はシリ力ゲルを充填剤とし、 展開溶媒としてへプタンおよびトルェンの混 合溶媒を使用したカラムクロマトグラフィ一にて精製後、 さらにへプタンから再 結晶して無色針状結晶物 6.4gを得た。 これがシクロへキサノン中間体 （ 3 0— 1 ) である。
Figure imgf000104_0002
ロー （4一 （トランス一 4—ェ亍ニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 3, 4, 5 —ト リフルオロフヱニル） メタンの合成」
第 5工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 300ml三つ口フラスコ中、 窒素雰囲 気下メ トキシメチルト リフエニルホスホニゥムクロリ ド 7.8g(22.6mmol)を THF 40mlに溶解し、 ドライアイスー了セトン浴中一 5 0 t以下まで冷却後、 カ リウム 一 1—ブトキシド 2.7g(23.7( )ol)を添加し、 同一 5 ϋ t以下保ちつつ 2時間攪袢 しィ リ ドを調製した。 次いで同温度にて上述の操作で得たシクロへヰサノン中間 体 （3 0— 1 ) 6.4g(17.4(Miol)の THF溶液 20mlを 1 ϋ分を要して滴下し、 同温 度で 1時間攪拌後室温まで昇温し、 さらに 8時間室温で攪拌した。 反応溶液に水 200mlを添加し反応を終了後、 THF層を分離し、 さらに水層をトルエン 100mlで 抽出した。 抽出層は水 500mlで洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 減圧下 溶媒を留去、 濃縮し反応物 13. Og を得た。 反応物はシリカゲルを充填剤とし、 展 開溶媒としてトルエンを使用したカラムクロマトグラフィ一にて精製し、 黄褐色 の反応物 6.2gを得た。 次に反応物は 200mlのナス型スラスコ中トルェン 50mlに溶 解し、 9 9%—ぎ酸 2.9g(62.8咖 o】）を添加し、 2時間加熱還流を行った。 反応溶 液に永 50mlを添加後、 トルエン 50mlで抽出し、 杣出層は水 100mし 2規定水酸化 ナ ト リ ゥム水溶液 3ϋπ^および水 100mlで順次洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾 燥、 減圧下溶媒を留去、 濃縮して反応物を得た。 反応物はシリカゲルを充填剤と し、 展開溶媒としてトルエンを使用したカラムクロマトグラフィ一にて精製し、 無色結晶物 5.4gを得た。 これがシクロへキサンカルバルデヒ ド誘導体 （3 8) で ある。
Figure imgf000105_0001
第 6工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 100ml三つ口フラスコ中、 窒素雰 ffl 気下メチルト リフヱニルホスホニゥムョ一ジド 7.3g(18.2咖01)を THF30mlに懸 濁させ、 攪拌しながらドライアイスーァセトン浴中一 5 01：以下まで冷却後、 力 リウムー t一ブトキシド 2. lg(18.7麵 ol)を添加し、 同一 5 0 t以下保ちつつ 2時 攪袢しィ リ ドを調製した。 次いで同温度にて上述の操作で得たシクロへヰサン カルバルデヒ ド誘導体 （3 8) 5. （13.9moiol)の TIIF溶液 15miを 5分を要して 滴下し、 同温度で 1時間攪拌後室温まで昇温し、 さらに 8時間室温で攪桦した。 反応溶液に水 50mlを添加し反応を終了後、 THF層を分離し、 さらに水層をトル ェン 50mlで抽出した。 抽出層は水 80mlで洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 減圧下溶媒を留去、 濃縮し反応物 4.8gを得た。 反応物はシリカゲルを充填剤とし、 展開溶媒としてへプタンを使用したカラムクロマトグラフィ一にて精製し、 さら にへプタンから再結晶して無色針状化合物 2.3gを得た。 これが目的とするジフル オロー （4— (トランス一 4ーェテニルシクロへヰシル） フヱニルォキシ） （3， 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタンである。
上記製造方法に準じて、 その第 3工程において 3, 4, 5—ト リフルオロフヱ 二ルチオンカルボン酸クロ リ ドにかえて種々の既知のブロモベンゼン誘導体から 実施例 1の第 1および第 2工程に示した操作で調整できるチォンカルボン酸ク σ リ ド誘導体を用いて £1下の化合物が製造できる。
(ィ匕合物 Ν 0. 88)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェテニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3， 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 89)
ジフルオロ ( 4 - (トランス一 4ーェテニルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ） （ 3—フルオロー 4ークロロフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 9 0)
ジフルオロー （4— (トランス一 4ーェテニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 No. 9 1 )
ジフルオロー ( 4 - (ト ランス一 4ーェテニルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ） （ 3—フルォ口 一 4 -—ト リフルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 N o. 9 2)
ジフルォ n— ( 4 - (トランス _ 4—ェテニルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （3—フルオロー 4ージフルォ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 9 3)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—ェテニルシク πへキシル） フヱニルォキ シ） （ 3—フルオロー 4—シァノフエニル） メタン
(化合物 N o. 94)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェテニルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ) (3， 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 9 5) ジフルォ 一 （4一 （トランス一 4ーェテニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメ トキシフエニル） メタン (化合物 No. 9 6)
ジフルォ π— (4— （トランス一 4ーェテニルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （3， 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No. 9 7)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーェテニルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ） （3, 5—ジフルオロー 4ーシァノフヱニル） メタン
上記製造方法に準じて、 その第 6工程においてメチルト リフヱニルホスホニゥ ムョ一ジドにかえてェチルト リフエニルホスホニゥムョージドを使用し、 さらに 生成物を特公平 4一 30382号記載の方法に準じ、 ベンゼンスルフィ ン酸ある いは p—トルエンスルフィン酸を作用させ異性化を行うか、 あるいは特公平 6— 6 24 6 2号記載の方法に準じて、 ォレフィンの立体反転を行うことで以下の化 合物が製造できる。
(化合物 No. 98)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 ( (E) 一 1—プロぺニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ） （3， 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 99)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 ( (E) 一 1一ブロぺニル） シクロへヰ シル） フヱニルォキシ） （3, 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 0 0)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 ( (E) — 1一プロぺニル） シクロへキ シル） フエニル； !·キシ） （ 3—フル才ロ一 4一クロ πフエニル） メタン
(化合物 N 0. 1 0 1 )
ジフルオロー — （トランスー4一 ( (E) 一 1—プ uベニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ） （ 3—フルォロ一 4一ト リフルォロメチルフヱニル〉 メ タン
(化合物 N 0. 1 02)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 ( (E) 一 1ープ uベニル） シクロへキ シル） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4—ト リフルォ πメ トキシフヱニル） メタン
(ィ匕合物 N◦. 1 0 3 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 ( (E) 一 1 —プロべニル） シク口へキ シル） フエニルォキシ） （ 3 _フルオロー 4—ジフルォロメ トキシフエ二ル） メ タン
(化合物 N 0. 1 0 4 )
ジフルオロー ( 4 -- (トランス一 4— ( (E) — 1 一プロぺニル） シク αへキ シル） フエニルォキシ） （ 3—フルォ π— 4一シ了ノフエニル） メタン
(化合物 N o. 1 0 5 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— ( (E) 一 1一プロぺニル） シクロへキ シル） フエニルォキシ） （ 3， 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフエ二 ル) メタン
(ィ匕合物 N 0. 1 0 6 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （ （E) — 1 一プロぺニル） シクロへキ シル） フエニルォキシ） （ 3, 5—ジフルオロー 4 —ト リ フルォロメ トヰシフエ ニル） メタン
(ィ匕合物 N o. 1 0 7 )
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 4— ( (E) 一 1 一プロべニル） シク□へキ シル） フユニルォキシ） （ 3， 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシフエ二 ル） メタン
(化合物 N o. 1 0 8)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 ( (E) 一 1 —プロべニル） シクロへキ シル） フエニルォヰシ） （3, 5—ジフルォ π— 4—シァノフヱニル） メタン 実施例 4
ジフルオロー （4 一 （トランス一 4— ( 3—ブテニル） シクロへヰシル） フエ ニルォキシ） （ 3， 4, 5— ト リフルオロフヱニル） メタン （化合物 N o. 1 0 9 ) (一般式 （ 1 ) において が 1， 4ーシクロへキシレン基、 環 Cが 1， 4 一フヱニレン基、 l
Figure imgf000108_0001
Fであるもの） の製造
製造工程は大きく 2つの段階に分けられる。 各製造段階に分けて以下に詳述す 第 1工程
攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 300tnl三つ口フラスコ中、 窒素雰 1 気下 2— （ 1、 3—ジォキサン一 2—ィル） ェチルト リフエニルホスホニゥムブ ロ ミ ド 16.8g(37.8mmo を THF50mlに溶解し、 ドライアイス一アセ トン浴中一 5 以下まで冷却後、 カ リウム一 t一ブトキシド 4.5g(39.8mmol)を添加し、 同 一 5 O :以下保ちつつ 2時間攪拌しィ リ ドを調製した。 次いで同温度にて実施例 3第 4工程に記載した方法で得たシクロへキサノ ン中間体 （3 0— 1 ) 10g(27.0 mmol)の THF溶液 30mlを 1 0分を要して滴下し、 同温度で 1時間攪拌後室温ま で昇温し、 さらに 8時間室温で攪拌した。 反応溶液に水 200mlを添加し反応を終 了後、 THF層を分離し、 さらに水層をトルエン 100mlで抽出した。 抽出層は水 5 00mlで洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 減圧下溶媒を留去、 濃縮し反応 物 23. lgを得た。 反応物はシリ力ゲルを充填剤とし、 展開溶媒としてトルェンを 使用したカラムクロマト搔作にて精製し、 黄褐色の反応物 il. lgを得た。 以上の 操作で得た反応物 11. lgは 300mlナス型フラスコ中トルェン Zエタノ一ルの 1 Z 1 混合溶液 100mlに溶解し、 5%パラジウム一炭素触媒 0.6gを添加し、 室温下水素 圧 1〜 2 Kgん m2で水素添加反応を 6時間行った。 反応溶液は触媒をろ取分別後、 濃縮し、 反応物 11. lgを得た。 反応物はそのまま攪拌機および温度計を備えた 300 ml三つ口フラスコ中、 トルエン 50tnlに溶解し、 さらに 9 9 %—ぎ酸 4.4g(95.2麵 o 1)を添加し攪袢しながら 2間加熱還流を行った。 反応物に水 100mlを添加後トル ェン層を分離、 さらに水層をトルヱン 100mlで抽出した。 抽出層は水 400mlで洗浄 後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥、 トルエンを減圧下留去、 濃縮して反応物 8.5g を得た。 これがアルデヒ ド誘導体 （3 9) である。
Figure imgf000109_0001
第 2工程 攪拌機、 温度計および窒素導入管を備えた 100ml三つ口フラスコ中、 窒素雰囲 気下メチルト リフエニルホスホニゥムョ一ジド 10.9g(26.9tnmol)を THF50mlに 懸濁させ、 攪拌しながらドライアイスーァセ トン浴中一 5 O t:以下まで冷却後、 カ リ ウム一 t一ブトキシド 3.2g(28.2隱 ol)を添加し、 同一 5 0 :以下保ちつつ 2 時間攪拌しィ リ ドを調製した。 次いで同温度にて上述の操作で得たアルデヒ ド誘 導体 （3 9) 8.5g(20.7mi )l)の THF溶液 25mlを 1 0分を要して滴下し、 同温度 で 1時間攪拌後室温まで昇温し、 さらに 8時間室温で攪拌した。 反応溶液に水 50 mlを添加し反応を終了後、 THF層を分離し、 さらに水層をトルエン 50mlで抽出 した。 抽出層は水 80mlで洗浄後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 減圧下溶媒を 留去、 濃縮し反応物 15.4gを得た。 反応物はシリ力ゲルを充填剤とし、 展開溶媒 としてへプタンを使用した力ラムクロマ トグラフィ一にて精製し、 さらにへプタ ンから再結晶して無色針状化合物 3.6gを得た。 これが目的とするジフルオロー ( - (トランス一 4— (3—ブテニル〉 シクロへキシル） フエニル才キシ） (3, 4, 5—ト リフルォ フエニル） メタンである。
上記製造方法に準じて、 シクロへヰサノ ン誘導体 （3 0— 1 ) の代わりに既知 の種々のブロモベンゼン誘導体から製造したシクロへキサノ ン誘導体 （3 0) を 使用して以下の化合物が製造できる。
(化合物 N o. 1 1 0)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （3—ブテニル） シクロへキシル） フヱ ニルォキシ） （3, 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. I l l )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— (3—ブテニル） シクロへキシル） フユ ニルォキシ） （ 3—フルォ□一 4—クロロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 1 2)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （3—ブテニル） シクロへキシル） フエ ニルォキシ） （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 1 3)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （3—ブテニル） シクロへキシル） フエ ニル才キシ） （3—フルオロー 4—ト リフルォロメ トキシフエ二ル〉 メタン (化合物 N o. 1 1 4)
ジフルオロー （4— (トランス一 4— ( 3—ブテニル） シクロへキシル） フ L ニルォキシ） （ 3—フルオロー 4ージフルォロメ トキシフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 1 5 )
ジフルォ σ— ( 4 - (トランス一 4— (3—ブテュル〉 シクロへキシル） フヱ ニルォヰシ） （ 3—フルオロー 4一シ了ノフエニル） メタン
(化合物 Ν 0. 1 1 6)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— ( 3—ブテニル） シクロへヰシル） フエ ニルォキシ） （ 3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 1 7)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （3—ブテニル） シクロへキシル） フヱ ニルォヰシ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタ ン
(化合物 N o. 1 1 8)
ジフルオロー （ 4— (トランス一 4— (3—ブテニル） シクロへキ ル） フエ ニルォヰシ） （3, 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 1 9)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— (3—ブテニル） シクロへキシル） フエ ニルォキシ） （ 3， 5—ジフルォ σ— 4一シァノフエニル） メタン
上記製造方法に準じて、 第 2工程で使用したメチルト リフエニルホスホニゥム ョ一ジドの代わりにェチルト リフヱニルホスホニゥムョ一ジドを使用し、 さらに 生成物を特公平 4一 3 0 3 8 2号記載の方法に準じ、 ベンゼンスルフィン酸ある いは ρ—トルエンスルフィン酸を作用させ異性化を行うか、 または特公平 6— 6 2 4 6 2号記載の方法に準じて、 ォレフィンの立体反 を行うことで以下の化合 物が製造できる。
(化合物 N o. 1 2 0 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 ( (E) 一 3 eンテニル） シク αへキ シル） フユニル才キシ） （ 3， 4， 5—ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 2 1 ) ジフルォ口一 （ 4— (トランス一 4— ( (E) — 3—^；ンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ ( 3. 4—ジフルオロフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 2 2
ジフルオロー ( - (トランス一 4一 ( (E) _ 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フエ二 Jレオキシ ( 3—フルオロー 4—クロ口フエニル） メタン
(化合物 N o. 1 2 3
ジフルォ σ— ( 4— (トランス一 4一 ( (E) 一 3—ペンテニル） シク πへキ シル） フユニルォキシ ( 3—フルオロー 4—ト リフルォロメチルフヱニル） メ タン
(化合物 N o. 1 2 4
ジフルオロー ( 一 (トランス一 4一 ( (E) _ 3—ペンテニル） シク πへキ シル） フヱニルォキシ ( 3一フルォロ ー 4ート リフル才ロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 2 5
ジフルォロー （ 4一 (トランス一 4— ( (E) — 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ ( 3—フルオロー 4ージフル才ロメ トキシフエニル） メ タン
(化合物 N o. 1 2 6
ジフルォロ - ( 4— (トランス一 4 一 ( (E) — 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ ( 3—フルオロー 4ーシァノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 2 7
ジフルオロー （4一 (トランス一 4— ( (E) - 3一^；ンテニル） シクロへキ シル） フユニルォキシ ( 3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフエ二 ル〉 メタン
(化合物 N o. 1 2 8
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 ( (E) 一 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ ( 3, 5—ジフルオロー 4—ト リフルォロメ トキシフエ ニル） メタン
(化合物 N 1 2 9 ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 ( (E) 一 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォキシ） （3. 5—ジフルオロー 4ージフルォロ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 3 0)
ジフルォ 一 （ 4一 （トランス 4 - ( (Ε) 一 3—ペンテニル） シクロへキ シル） フヱニルォヰシ） （3, 5 ジフルォ η— 4一シ了ノフエニル） メタン 実施例 5
ジフルォロー （ 4— (トランス 4—プロピルシク πへヰシル） フヱニルォヰ シ） （ 4， 一 （3, 4, 5—ト リフルォロ） ビフユニル） メタン （化合物 N o. 1 3 1 ) (—般式 （ 1 ) において環 Aが 1 , 4ーシクロへキシレン基、 環 Cおよ び環 Dが 1 , 4一フエ二レン基、 R n-C3H7、 Z 'および Z 3が共有結合、 1 - 0, m= 1. X=Y = Fであるもの） の製造
実施例 1の第 1工程において 3， 4, 5—ト リフルォ口プロモベンゼンの代わ りに 3， 4, 5—ト リフルオロー 一プロモビフヱニルを使用し、 以下実施例 1に記載した同様の操作を実施することにより、 ジフルォ u— (4 - (トランス 一 4一プロビルシクロへキシル） フヱニルォキシ） （ 4， 一 （ 3. 4, 5—ト リ フルォロ） ビフヱニル） メタンを合成した。
上記製造方法ならびに実施例 1に示した製造方法に準じて 4一 （トランス一 4 一プロビルシクロへキシル） フヱノールに代えて了ルキル鎖の異なる 4一 （ト ラ ンス一 4一アルヰルシクロへヰシル） フヱノールを使用するかあるいは 3, 4 , 5—ト リフルォ π— 4' 一プロモビフヱニルの代わりに既知の種々の 3—フルォ ロー 4' —プロモビフヱニル誘導体を使用して以下の化合物が製造できる。
(化合物 N 0 , 1 3 2)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一メチルシクロへキシル） フヱニルォキシ） (4， 一 （3， 4, 5—ト リフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 3 3)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェチルシクロへヰシル） フヱニルォキシ） (4' 一 （3, 4, 5—ト リフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 3 ) ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーブチルシクロへキシル） フヱニルォヰシ） (4' 一 (3, 4, 5—ト リフルォロ） ビフエニル） メタン
(化合物 No. 1 35)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） M' — （ 3, 4， 5—ト リフルォ口） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 36)
ジフルォ σ— ( 4 - (トランス一 4一へキシルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （4， 一 （3, 4, 5—ト リフルォロ） ビフエニル） メタン
(化合物 No. 137)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一へプチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （4， 一 （3, 4, 5—ト リフル才ロ） ビフエ二ル） メタン
(化合物 N 0. 1 38)
ジフルオロー （4一 （ト ランス一 4ーォクチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） M， 一 (3, 4, 5—ト リフルォロ） ビフ 丄ニル） メタン
(化合物 N o. 1 39)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—ノニルシク へキシル） フエニルォキシ） ( 一 (3, 4. 5—ト リフルォ口） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 0)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一デシルシク πへキシル） フエニルォキシ） (4' 一 （3, 4. 5—ト リフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 1)
ジフルオロー （4— (トランス一 4ーェチルシク へキシル） フエニルォキシ） (4' 一 (3, 4ージフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 142)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） ' — (3. 4ージフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 3)
ジフルオロー （4— (トランス一 4—ペンチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （4， - (3, 4ージフルォロ） ビフエニル） メタン (化合物 N o. 1 4 4)
ジフゾレオロー （4一 （トランス一 4ーェチ レシクロへキシル） フヱニルォキシ） ( ' 一 （ 3—フルオロー 4—クロ口） ビフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 5)
ジフルォ u— ( 4 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （4' 一 （3—フルオロー 4一クロ口） ビフエニル） メタン
(化合物 N 0. 1 6 )
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 4一ペンチルシク uへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 4' ― ( 3—フルオロー 4一クロ口） ビフエニル） メタン
(化合物 N o. 1 7 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェチルシク uへキシル） フヱニルォキシ） ( ' ― ( 3—フルオロー 4—ト リフルォロメチル） ビフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 1 8)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フエ二ルォヰ シ） （4' — (3—フルオロー 4一ト リフルォロメチル） ビフエニル） メタン (化合物 N o. 1 9 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （4' 一 （ 3—フルオロー 4—ト リフルォロメチル） ビフ ニル） メタン (化合物 N o. 1 5 0 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェチルシク σへキシル） フエニルォキシ）
( ' 一 （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメ トキシ） ビフエ二ル） メタン (化合物 N o. 1 5 1 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） ( 一 （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 5 2)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 4 ' 一 - （ 3—フルオロー 4一ト リフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 5 3)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） フエ二. (4' 一 （3—フルオロー 4—ジフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 5 4)
ジフルオロー ( ] - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フヱ二ルォキ シ） （4， 一 （ 3—フルオロー 4ージフルォ πメ トキシ） ビフヱニル） メタン (化合物 N 0. 1 5 5)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4—ペンチルンクロへキシル） フヱニル才ヰ シ） （4， 一 （3 - フルオロー 4ージフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 5 6)
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 4ーェチルシク πへキシル） フヱニルォキシ） ( 4 ' — ( 3—フルオロー 4ーシァノ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 5 7)
ジフルオロー （4— (ト ランス一 4一プロビルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （4' - ( 3—フルォ π— 4ーシ了ノ） ビフエニル） メタン
(化合物 No. 1 5 8)
ジフルォ α_ ( 4 - (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （4， 一 （ 3—フルォ η— 4—シァノ） ビフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 5 9)
ジフルオロー （4一 （トランス一 4ーェチルシク へキシル） フエニルォキシ） (4' 一 （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルオ メチル） ビフユニル） メタン (化合物 N 0. 1 6 0)
ジフルオロー ( - (ト ランス一 4ープ口ビルシクロへヰシル） フエ二ルォキ シ） （4， 一 （3, 5—ジフルオロー 4—ト リ フル才□メチル） ビフエ二ル） メ タン
(化合物 N o. 1 6 1 )
ジフルオロー ( 4 - (ト ランス一 4一^：ンチルシクロへキシル） フヱニルォキ シ） （4， 一 （3, 5—ジフルォ 一 4—ト リ フルォ メチル） ビフエ二ル） メ タン
(化合物 No. 1 6 2)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） フエニルォキシ） (4' 一 ( 3, 5—ジフルォ口一 4一ト リフルォ メ トキシ〉 ビフヱニル） メタ ン
(化合物 N 0. 1 G 3)
ジフルオロー （4— (トランス一 /!一プロビルシクロへキシル） フエ二ルォキ シ） （4， 一 （3， 5—ジフルオロー 4—ト リ フルォロメ トキシ） ビフエニル） メタン
(化合物 N o. 1 6 )
ジフルオロー ( - (トランス一 4一^ ^ンチルシクロへキシル） フエ二ルォヰ シ） （4， 一 （3, 5—ジフルオロー 4一ト リ フルォロメ トキシ） ビフユニル） メタン
(化合物 N o. 1 6 5)
ジフルォロ一 ( 4 - (トランス一 /]ーェチルシクロへヰシル） フエニルォキシ） ( ' - ( 3, 5—ジフルオロー 4—ジフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メタン (化合物 N o. 1 6 6)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一プロビルシクロへヰシル） フヱ二ルォキ シ） （4， 一 ( 3, 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシ） ビフヱニル） メ タン
(化合物 N o. 1 6 7 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一ペンチルシク uへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 一 （ 3， 5—ジフルオロー 4—ジフルォロメ トキシ） ビフエニル） メ タン
(化合物 N o. 1 6 8)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4—ェチルシクロへキシル） フヱニルォキシ） (4' 一 ( 3, 5—ジフルォロ一 4ーシ了ノ） ビフエニル） メタン
(化合物 N 0. 1 6 9)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一プロピルシク nへキシル） フエ二ルォキ シ） （ 4' — (3, 5—ジフルオロー 4ーシァノ） ビフヱニル） メタン
(化合物 N o. 1 7 0)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一ペンチルシクロへヰシル） フヱニルォキ シ） （4' — (3. 5—ジフルオロー 4ーシ了ノ） ビフヱニル） メタン
上記製造方法および実施例 1に示した製造方法に準じて 4一 （ト ランス一 4一 プロビルシクロへヰシル） フヱノールに代えて 4一 ( 2 - (トランス一 4一アル キルシクロへキシル） ェチル） フヱノールを使用し、 さらに 3, 4, 5—ト リフ ルオロー 4， 一ブロモビフエニルあるいは既知の種々の 3—フルオロー 4' ーブ ロモビフユニル誘導体を使用して以下の化合物が製造できる。
(化合物 No. 1 7 1 )
ジフルオロー （4一 （ 2 -- (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 一 （3, , 5—ト リフルォロ） ビフユニル） メタン (化合物 No. 1 7 2)
ジフルオロー ( 4 - (2— （トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' 一 (3. 4, 5—ト リフルォロ） ビフヱニル） メタン (化合物 No. 1 7 3)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4—ペンチルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， 一 (3, 5—ト リフルォロ） ビフエニル） メタン (化合物 N 0. 1 7 4)
ジフルオロー ( - ( 2 - (トランス一 4—ェチルシク πへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' 一 (3, 4—ジフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 7 5)
ジフルオロー （/3— ( 2 - (トランス一 ] 一プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， - (3, 4—ジフルォ口） ビフエニル） メタン
(化合物 No. 1 7 6)
ジフルオロー ( 4 - (2— （トランス一 4一^；ンチルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （ Γ 一 (3, 4ージフルォロ） ビフヱニル） メタン
(化合物 No. 1 77)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス - 4—ェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， - ( 3 フルオロー 4一クロ口） ビフヱニル） メタン (化合物 No. 1 78)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） ' — （ 3—フルオロー 4一クロ口） ビフヱニル） メタ ン
(化合物 N o. 1 7 9)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4—；ンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' 一 （ 3—フルオロー 4一クロ口） ビフユニル） メタン (化合物 N 0. 1 8 0)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' 一 （ 3—フルォ u— 4一ト リフルォロメチル） ビフエ二 ル） メタン
(化合物 N o. 1 8 1 )
ジフルオロー （4— (2— （ト ランス一 4ープ πピルシク πへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， 一 （ 3—フルオロー 4—ト リフルォロメチル） ビフエ二 ル） メタン
(化合物 N o. 1 8 2)
ジフルオロー （4— (2— （ト ランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フェニルォキシ） （ 4' 一 （ 3—フルォロー 4—ト リフルォロメチル） ビフェ二 ル） メタン
(化合物 N o. 1 8 3)
ジフルオロー （4一 (2 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニル才ヰシ） （4' ― ( 3—フルォロー 4—ト リフルォ πメ トヰシ） ビフユ ニル） メタン
(化合物 N 0. 1 8 4 )
ジフ レオ π— ( ― ( 2― (トランス一 4一プロピリレシクロへキシ レ） ェチル） フエニルォキシ） （4' — ( 3—フルオロー 4一ト リ フル才ロメ トキシ） ビフエ ニル） メタン
(化合物 N o. 1 8 5 )
ジフルオロー ( 4 - (2 - (ト ランス一 4一^；ンチルシク πへキシル） ェチル） フエニルォヰシ） （4' 一 （3—フル才 u— 4一ト リフルォロメ トヰシ） ビフエ ニル） メタン (化合物 No. 1 86)
ジフルオロー （4一 ( 2 - (ト ランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' ― ( 3—フルオロー 4ージフルォロメ トキシ） ビフエ二 ル） メタン
(化合物 N o. 1 87)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4一プロビルシク へヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 一 （ 3—フルオロー 4—ジフルォロメ トキシ） ビフエ二 ル） メタン
(化合物 No. 1 88)
ジフルオロー （4一 （2— （ト ランス一 4一ペンチルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 一 （ 3—フルオロー 4ージフルォロメ トキシ） ビフエ二 ル） メタン
(化合物 N 0. 1 89)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （4' 一 （3—フルォ σ— 4—シ了ノ） ビフヱニル） メタン (化合物 No. 1 9 0)
ジフルオロー （4— ( 2 - (トランス一 4—プロピルシク πへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' - (3—フルオロー 4—シァノ） ビフエニル） メタン (化合物 N o. 1 9 1 )
ジフルオロー ( 4 - (2— （ト ランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニル才キシ） （4' ― (3—フルオロー 4—シァノ） ビフエニル） メタン (化合物 No. 1 92)
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4ーェチルシク αへキシル） ェチル） フエニルォヰシ） （4， 一 （3, 5—ジフルォ口 -— 4—ト リフルォロメチル） ビ フヱニル） メタン
(化合物 Ν ϋ . 1 9 3)
ジフルオロー (4一 (2— （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ - (3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチル） ビ フェニル） メタン (化合物 No. 1 9 )
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4一ペンチルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， - (3. 5—ジフルオ ー 4— ト リ フルォ メチル） ビ フュニル） メタン
(化合物 No. 1 95)
ジフルオロー ( 4 - (2— （トランス一 4ーェチルシク uへキシル） ェチル） フエニルォキシ） ' - (3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメ トキシ） ビフヱニル〉 メタン
(化合物 Νϋ. 196)
ジフル才 — ( 4 - (2— （トランス一 4—プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' - (3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォ Dメ トキシ） ビフヱニル） メタン
(化合物 Ν ο. 1 97)
ジフルオロー ( - (2— （トランス一 /! —ペンチルシクロへヰシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， - ( 3, 5 - ジフルオロー 4— ト リ フルォ□メ トキシ） ビフェニル） メタン
(化合物 No. 1 98)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （4' 一 (3. 5 - ジフルオロー /！ージフル才ロメ トキシ） ビ フヱニル） メタン
(化合物 N 0. 1 99)
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4ープ nビルシクロへキシル） ェチル） フエ二ルォヰシ） （4， ― (3, 5—ジフルォロ一 4— ジフルォロメ トヰシ） ビ フエニル） メタン
(化合物 No. 200 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一ペンチルシク πへヰシル） ェチル） フヱニルォキシ） （4' ― (3, 5—ジフルォ π— 4 --ジフルォロメ トキシ） ビ フェニル） メタン
〈化合物 N 0. 20 1) ジフルォロ一 （4一 ( 2 - (トランス一 4—ェチルシク nへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4， ― (3. Ϊ —ジフルォ 一 4—シァノ） ビフヱニル） メ タン
(化合物 No. 2 02 )
ジフルォロー （4— ( 2 - (ト ランス一 4一プロビルシクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （4' 一 (3, 5—ジフルォロ一 4—シァノ） ビフエニル） メ タン
(化合物 No. 2 03 )
ジフルォロ （4一 ( 2 - (トランス一 4一-ペンチルシクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （4' 一 （3, 5—ジフルオロー 4—シァノ） ビフエニル） メ タン
実施例 6
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 （ト ランス一 4—プロビルシク□へキシ ル） シク uへヰシル） フヱニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルォ uフヱニル） メタン （化合物 N o. 2 04 ) (—般式 （ 1 ) において環 Λおよび環 Bが 4 ーシクロへキシレン基、 ^ Cが 1， 4一フヱニレン基、 R1が n- C3ト 、 Z1およ び Z2が共有結合、 1 = 1、 0. X=Y二 Fであるもの） の製造
実施例 1の第 2工程において 4一 （トランス一 4ープ πビルシクロへヰシル） フエノールの代わりに 1一 （トランス一 4— (トランス 4—プ πピルシク πへ キシル〉 シクロへキシル） フユノールを使用し、 下実施例 1に記載した同様の 操作を実施することにより、 ジフルォ π— (4— (トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シクロへヰシル） フェニルォキシ） （3， 4 , 5 一ト リフルオロフヱニル） メタンを合成した。
上記製造方法ならびに実施例 1に示した製造方法に準じて 4 - (ト ランス一 4 一 （トランス- 4—プロビルシクロへキシル） シク πへキシル） フエノールにィ えてアルキル鎖の異なる 4一 （ト ランス- 4一 （トランス一 4—アルキルシクロ へヰシル） シクロへキシル） フヱノールを使用し、 さらに 3, 4, 5—ト リフル ォ口ブロモベンゼンあるいは既知の種々の 3 フルォ口ブ αモベンゼン誘導体を 使用して以下の化合物が製造できる。 (化合物 N o. 2 0 5 )
ジフルォロ一 ( - (ト ランス一 4— (トランス一 4—メチルシクロへキシル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （3， 4 , 5 --ト リフルオロフュニル） メタ ン
(化合物 N o. 2 0 6 )
ジフルォ u— ( - (トランス一 4— (トランス一 4一ェチルシク "へキシル） シクロへキシル） フエニルォヰシ） （ 3， 4 , 5—ト リフル才" αフヱニル） メタ ン
(化合物 Ν ϋ . 2 0 7 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 /!— (トランス一 4—ブチルシクロへキシル） シク υへキシル） フヱニルォキシ） （ 3, 4, 5—ト リフルオロフェニル） メタ ン
(化合物 Ν ο. 2 0 8 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— (トランス一 4一ペンチルシク□へキシ ル） シク πへキシル） フエニルォキシ） （3， 4, 5—ト リフルオロフェニル） メタン
(化合物 Ν 0. 2 0 9 )
ジフゾレオロー （4一 （トランス-- 4— (トランス一 4—へキシリレシクロへキシ ル） シク uへヰシル） フヱニルォキシ） （ 3, 4 , 5— ト リフルオロフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 2 1 0)
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 !— (トランス一 4 - へプチルシク□へキシ ル） シクロへキシル） フユニルォヰシ） （3， 4, 5— ト リフルオロフュニル） メタン
(化合物 Ν◦. 2 1 1 )
ジフルォロー ( 4 - (トランス一 4— (トランス一 !ーォクチルシクロへキシ ル） シクロへキシル） フユニルォキシ） （ 3, 4 , 5—ト リフルォ πフユニル） メタン
(化合物 N o. 2 1 2 ) ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （トランス一 4ーノニルシク πへキシル） シクロへヰシル） フエニルォキシ） （3, 4 , 5—ト リフルオロフヱニル） メタ ン
(化合物 N o. 2 1 3)
ジフルオ ー （4一 （トランス一 4— (ト ランス一 4 - デシルシク "へキシル） シクロへキシル） フヱニルォヰシ） （3, 4 , 5—ト リフルオ フヱニル） メタ ン
(化合物 N o. 2 1 4)
ジフルオロー ( 4 - (ト ランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへヰシル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3, 4—ジフルオロフヱニル） メタン (化合物 N ϋ , 2 1 5)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへキシ ル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （3, 4—ジフルォ ηフエニル） メタン (化合物 Ν 0. 2 1 6)
ジフルオロー （4— (トランス一 4— (トランス一 4一^ ^ンチルシクロへキシ ル） シクロへヰシル） フユニルォキシ） （3. 4—ジフルオロフヱニル） メタン (化合物 No. 2 1 7)
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シク□へキシル） フヱニルォキシ） （ 3 フルオロー- 4—ク u uフヱニル） メタ ン
(化合物 No. 2 1 8)
ジフルォ n— ( 4 - (トランス一 4— (ト ランス一 4—ブ uピルシクロへヰシ ル） シク Liへキシル） フエニルォキシ） （ 3—フルォ 一 4ーク α フヱニル） メタン
(化合物 N 0. 2 1 9)
ジフルオロー ( - (トランス一 4一 （トランス一 !—ペンチルシク nへキシ ル） シク□へキシル） フエニル才キシ） （ 3—フルオリー 4一クロ口フエニル） メタン
(化合物 N 0. 2 2 0 )
m ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シク r)へキシル） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4—ト リフルォ□メチルフ ヱニル） メタン
(化合物 N o . 2 2 1 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （トランス一 / —プロビルシクロへヰシ ル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （ 3—フルォ n— 4—ト リフルォロメチ Jレフ ェ二 レ） メタン
(化合物 N 0 . 2 2 2 )
ジフルォ π— （ ]— (トランス一 4一 （トランス一 4一ペンチルシクロへヰシ ル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （ 3—フルォロ一 4一 ト リ フルォ πメチ ルフェニル） メタン
(化合物 N o . 2 2 3 )
ジフル才。一 （4一 （トランス一 4一 （トランス一 4 ーェチルシクロへキシル） シク Dへヰシル） フエニルォキシ） （ 3— フルォロ一 4 一ト リフルォロメ トヰシ フヱニル） メタン
(化合物 N o . 2 2 4 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （ト ランス一 4 —プロピルシク へキシ ル） シクロへヰシル） フエニルォキシ） （ 3—フルォロ— - 4 - ト リ フルォロメ ト キシフユニル） メタン
(化合物 Ν 0 . 2 2 5 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 （ト ランス一 4—ペンチルシクロへキシ ル） シク σへキシル） フエニルォキシ） （ 3—フルォ u— 4一ト リフルォ uメ ト キシフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0 . 2 2 6 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4— (トランス一 4 ーェチルシクロへキシル） シク οへヰシル） フエニルォヰシ） （ 3—フルォ π— 4 ジフルォロメ トキシフ ュニル） メタン
(化合物 N o . 2 2 7 )
ジフルォ π— （4— (トランス一 4— (トランス一 4一プロビルシク口へキシ ル） シクロへキシル） フヱニル才ヰシ） （ 3—フルォ π— 4—ジフルォロメ トキ シフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 2 8 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4 — (トランス一 4一ペンチルシク πへキシ ル） シク uへキシル） フユニルォキシ） （3—フルオロー 4—ジフルォロメ トキ シフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 2 2 9 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4 一 （トランス一 4 ーェチルシク οへキシル） シク uへキシル） フヱニルォキシ） （ 3—フルオロー 4ーシァノフヱニル） メタ ン
(化合物 Ν◦. 2 3 0 )
ジフルォ口一 （4 一 （ト ランス - - (トランス一 4—プロピルシク口へヰシ ル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （ 3—フルォ π— 4—シァノフヱニル） メタン
(化合物 Ν ο. 2 3 1 )
ジフルォ π— ( 4 — （トランス一 4 一 （トランス一 4—ペンチルシク πへキシ ル） シクロへヰシル〉 フヱニルォキシ） （ 3—フルォ D — 4—シァノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 3 2 )
ジフルォ σ— （ 4 一 （トランス一 4 一 （トランス一 4ーェチルシクロへヰシル） シク πへキシル） フヱニルォキシ） （3， 5—ジフルォ u— 4—ト リ フルォ1 πメ チルフヱ二 Jレ） メタン
(化合物 N o. 2 3 3 )
ジフルオロー （ 4 一 （トランス一 4— (トランス一 4 一プロビルシクロへキシ ル） シクロへヰシル） フヱニルォキシ） （ 3 , 5 -ジフルォ u— 一ト リ フルォ αメチルフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 3 4 )
ジフルォ口一 ( f[ - (トランス一 4 一 （トランス一 4一^ ^ンチルシクロへキシ ル） シク uへキシル） フヱニルォヰシ） （ 3, 5 —ジフルオロー 4 一ト リフルォ nメチルフヱニル) メタン
(化合物 Ν 0. 2 3 5 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （トランス一 4—ェチルシク□へキシル） シク σへキシル） フヱニルォキシ） （ 3， 5—ジフルォ η— 4— ト リフルォ口メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 Ν ο. 2 36)
ジフルォ D — ( 4 - (トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロへキシ ル） シク Τ]へヰシル） フヱニルォキシ） （3， 5—ジフルォ 一 4一ト リフルォ ロメ トヰシフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 37 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4— (トランス一 4 - ペンチルシク へキシ ル） シク πへキシル） フヱニルォキシ） （3， Γ)—ジフルオロー 4—ト リ フルォ ロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 N o. 238 )
ジフルォ π— ( 4 - (トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへキシル） シクロへキシル） フエニルォヰシ） （3, 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ 卜 キシフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 2 39 )
ジフルォロー ( 4 - (トランス-- 4— (トランス一 4 - プロビルシクロへキシ ル） シクロへヰシル） フヱニルォヰシ） （3, 5 ジフルォ - 1—ジフルォ π メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No. 24 0)
ジフルォロー （ 4— (ト ランス一 4— (トランス一 4一ペンチルシク πへキシ ル） シクロへヰシル） フエニルォヰシ） （3, 5—ジフルォロ一 4—ジフルォロ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N ϋ. 24 1 )
ジフルオロー （ 4— (ト ランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシク πへキシル） シクロへヰシル） フエニルォキシ） （3， 5—ジフルオ ー 4一シ了ノフヱニル） メタン (化合物 N o. 2 4 2 )
ジフルォ t】一 ( 4 - (トランス一 4— (トランス一 4一プロビルシクロへキシ ル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一シァノ フエ ニル〉 メタン
(化合物 N 0. 24 3 )
ジフルォ ー （/]一 （トランス一 4— (トランス一 4一ペンチルシクロへ丰シ ル） シク πへキシル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一シ了ノ フエ ニル） メタン
上記製造方法ならびに実施例 1に示した製造方法に準じて 4一 （ト ランス一 4 — （トランス一 4一プロビルシクロへキシル） シク□へキシル） フヱノールにィ弋 えて 4 - （ト ランス一 4— ( 2 - (トランス一 4ー了ルキルシク へヰシル） ェ チル） シク πへキシル） フヱノールあるいは 4— (2— (トランス一 4一 （ト ラ ンスー 4一アルキルシクロへキシル） シクロへキシル） ェチル） フエノールを ί吏 用し、 さらに 3, 4 , 5—ト リフルォロブ モベンゼンあるいは既知の種々の 3 一フルォロブ□モベンゼン誘導体を使用して以下の化合物が製造できる。
(化合物 Ν ο. 244 )
ジフルオロー ( - (トランス一 4— ( 2 - (トランス 4ーェチルシク口へ キシル） ェチル） シク πへキシル） フヱニルォキシ） （3, 4, 5—ト リフルォ σフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 24 5 )
ジフルォロー ( Α - (トランス一 4— ( 2 -- (トランス一 /！一プロビルシク口 へキシル） ェチル） シク へキシル） フヱニルォキシ） （3, 4, 5—ト リ フル オロフュニル） メタン
(化合物 N◦. 24 6)
ジフルォ。ー ( - (ト ランス一 4— ( 2 - (トランス一 4—ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シク uへヰシル） フヱニルォキシ） （3， 4， 5—ト リ フル ォ Dフユニル） メタン
(化合物 N o. 4 7)
口一 ( 4 - (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3、 4ージフルオロフェ ニル） メタン
(化合物 N 0. 2 4 8 )
ジフルォ π— ( - (トランス一 4— (2— (トランス一 4—プロビルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フエニルォヰシ） （3、 4ージフルオロフ ェニル） メタン
(化合物 No. 2 4 9 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 （2— （トランス一 4—ペンチルシク π へキシル） ェチル） シクロへキシル） フユニルォキシ） （3、 4ージフルオロフ ェニル） メタン
(化合物 No. 2 5 0 )
ジフルオロー （4— (トランス一 4一 ( 2 - (ト ランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シク口へキシル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4—クロ 口フエニル） メタン
(化合物 N ο· 2 5 1 )
ジフルォ u— ( - (トランス一 4— (2— （トランス一 4一プロビルシクロ へヰシル） ェチル） シク πへヰシル） フユニルォキシ） （3—フルオロー 4ーク Γ3口フユニル） メタン
(化合物 N o · 2 5 2 )
ジフルオロー （4 （トランス一 4一 （2— (ト ランス一 4一ペンチルシク□ へヰシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3—フルォ — 4ーク 口 πフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 5 3 )
ジフルォ u— (4— (トランス一 4一 （2— （トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （ 3—フル才 U — 4— ト リ フルォ αメチルフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 5 4 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4—プ ビルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ート リフルォロメチルフエニル） メタン
(化合物 N o. 2 5 5 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4— ( 2 - (トランス一 4一ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4—ト リフルォ πメチルフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 5 6 )
ジフルォ π— ( - (トランス一 4— (2— (トランス一 4—ェチルシクロへ キシル） ェチル） シク πへキシル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4一ト リ フル才ロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 5 7 )
ジフルオロ - (4— (トランス一 4一 ( 2 - (ト ランス一 4—プロビルシクロ へキシル） ェチル） シク πへヰシル） フエニルォヰシ） （3—フルォ u— 4— ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 5 8 )
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 4一 （2— （トランス一 4 - ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フユニルォキシ） （3—フルオロー 4—ト リフルォ πメ トキシフエ二ル） メタン
(化合物 N o. 2 5 9 )
ジフルオロー ( - (トランス一 4一 （2— (トランス -- /! —ェチルシク tiへ キシル） ェチル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4ージフ ルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 N 0. 2 6 0 )
ジフルォロー （4一 （ト ランス一 4— ( 2 -' (トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） ェチル） シクロへヰシル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4ージ フルォロメ トヰシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 6 1 )
ジフルォ u— ( 4 - (トランス- 4一 （2— （トランス一 4一ペンチルシク。 へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ージ フルォロメ トヰシフヱニル） メタン (化合物 N o. 2 6 2 )
ジフルオロー ( - (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4—ェチルシク nへ キシル） ェチル） シクロへヰシル） フエニルォキシ） （3—フルォロ一 4ーシ了 ノフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 6 3 )
ジフルォ π— (4— （トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー /!ーシ ァノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 6 4 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4—ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニル才キシ） （3—フルオロー 4—シ 了ノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 6 5)
ジフルォロ一 （4— (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シク πへヰシル） フエニルォキシ） （3， 5—ジフルオロー 4 一 ト リフルォ σメチルフユニル） メタン
(化合物 N o. 2 6 6 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 （2— (トランス一 4ープ ['ビルシクロ へキシル） ェチル） シク Γ1へキシル） フエニルォヰシ） （3， 5—ジフルオロー 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 6 7 )
ジフルォ ϋ一 （4一 （トランス一 4 — (2— （ト ランス一 4 - -ペンチルシクロ へヰシル） ェチル） シク uへヰシル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルォ η— 4—ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 2 6 8 )
ジフルォロ一 （4一 （トランス一 /！一 （2— （トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シク TJへキシル） フヱニルォキシ〉 （3， 5—ジフルオロー 4 —ト リフル才ロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N 0. 2 6 9 ) ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （2— （トランス一 4一プロピルシク口 へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォヰシ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォ口メ トキシフエニル） メタン
(化合物 Ν ο. 2 7 0 )
ジフルオロー （4一 （トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4—ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フエニルォキシ） （3， 5—ジフルオロー 4一 ト リフルォ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 2 7 1 )
ジフルォ π— (4— (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4 --ェチルシクロへ キシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4
―ジフルォロメ トキシフ ニル） メタン
(化合物 Ν 0. 2 7 2 )
ジフルォ (4— (ト ランス一 4一 （2— （トランス一 4一プロピルシク□ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニル才キシ） （3， 5—ジフルオロー 4—ジフルォロメ トヰシフヱニル） メタン
(化合物 No. 27 3 )
ジフルォロ一 ( 4 - (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4—ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3， 5—ジフルオロー 4ージフルォ πメ トヰシフエニル） メタン
(化合物 N o. 2 74 )
ジフルォ π— ( - (トランス一 4— ( 2 - (トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキン） （3, 5—ジフルオロー 4 ーシァノフュニル） メタン
(化合物 No. 2 7 5 )
ジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一 （2— (トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） ェチル） シク "へヰシル） フユニルォヰシ） （3， 5—ジフルオロー 4—シ了ノフエニル） メタン
(化合物 N 0. 2 76 )
口一 M— (トランス一 4一 ( 2 - (トランス一 4一ペンチルシクロ へキシル） ェチル） シクロへキシル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4—シァノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 7 7 )
ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4— (トランス一 4—ェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォヰシ） （3, 4 , 5—ト リフルォ ロフヱ二 Jレ) メタン
(化合物 No. 278 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (ト ランス一 4— (ト ランス一 /!一プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ〉 （3, /\ , 5—ト リフル オロフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 7 9 )
ジフルォ ϋ— (4一 （2— （トランス一 4一 （ト ランス一 /!一ペンチルシクロ へキシル） シクロへヰシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, ^ , 5—ト リフル オロフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 280 )
ジフルォ。一 （4— (2— （トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3、 4ージフルォロフエ ニル） メタン
(化合物 No. 28 1 )
ジフルォロ一 （4一 ( 2 - (トランス一 4一 （トランス- 4 ープ口ビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3、 4—ジフルオロフ ヱニル） メタン
(化合物 No. 282 )
ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4— (ト ランス一 !一^；ンチルシクロ へキシル） シクロへヰシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3、 4ージフルオロフ ェニル） メタン
(化合物 N◦. 283 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォヰシ） （3—フルオロー 4ーク u 口フユニル） メタン
(化合物 N 0. 284 )
ジフル才 π— ( - (2— （トランス一 4— (ト ランス一 4一プロピルシク。 へキシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルォ []_4ーク ロロフヱ二リレ) メタン
(化合物 No. 285 )
ジフルオロー ( 4 - (2— (トランス一 4— (ト ランス一 /!一ペンチルシク u へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ーク 口口フエニル） メタン
(化合物 No. 286 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） シク uへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルォロ一4—ト リ フルォロメチルフエニル） メタン
(化合物 N 0. 287 )
ジフルォロ一 ( 4 - (2— （トランス一 4— (ト ランス一 4一プロビルシク π へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォヰシ） （3—フルォ π— 4—ト リフルォ σメチルフヱニル） メタン
(化合物 Ν 0. 288 )
ジフルオロー (4 - (2 - (トランス一 4— (トランス一 4一^；ンチルシク π へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ート リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 Ν ϋ . 289 )
ジフルオロー （4一 (2 - (トランスー4一 （トランス一 4—ェチルシク へ キシル) シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4一ト リ フルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 No. 290 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4一プロピルシク π へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ート リフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 9 1 )
ジフルオロー （4一 （2— （トランス一 4一 （ト ランス一 4一^；ンチルシクロ へキシル） シク αへキシル） ェチル） フ ニルォキシ〉 （3—フルオロー 4ート リフルォロメ トヰシフエニル） メタン
(化合物 No. 2 9 2 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4—ェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （ 3—フルオロー 4ージフ ルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 9 3 )
ジフルォ u— ( - (2— （トランス一 4一 （トランス一 4—プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルオロー 4ージ フルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 No. 2 9 4 )
ジフルォ π— ( 4 - ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4一ペンチリレシクロ へヰシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォヰシ） （3—フルオロー 4—ジ フルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 9 5 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4— (ト ランス一 4ーェチルシク へ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3—フルォ π— 4—シ了 ノフヱニル） メタン
(化合物 No. 2 9 6 )
ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3—フルオロー 4ーシ ァノフヱニル） メタン
(化合物 N o. 2 9 7 )
ジフルオロー ( 4 - (2— (トランス一 4一 （トランス一 4一ペンチルンクロ へヰシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォヰシ） （3—フルオロー 4ーシ ァノフヱニル） メタン (化合物 N ο. 298 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランス一 4— (トランス一 4ーェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5 --ジフルオロー 4 一クロ口フエ二リレ） メタン
(化合物 No. 2 99 )
ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一クロ口フヱニル） メタン
(化合物 No. 30 0 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2 - (トランスー4一 （トランス一 4—ペンチルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一クロ口フヱニル） メタン
(化合物 No. 30 1 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランス一 4— (トランス一 4—ェチルシク口へ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4 一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 No. 30 2 )
ジフルオロー （4— ( 2 - (トランス一 4— (トランス一 4 プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルォ π— 4一ト リフルォロメチルフヱニル） メタン
(化合物 No. 303 )
ジフルオロー （4一 ( 2 - (トランスー4一 （トランス一 4一ペンチルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルォロ一 4一ト リフルォロメチルフエニル） メタン
(化合物 No. 304 )
ジフルォロ一 （4一 ( 2 - (トランス一 4— (ト ランス一 4ーェチルシクロへ キシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4 —ト リフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 No. 30 5 ) ジフルオロー （4— (2— （トランス一 4— (ト ランス一 4—プロビルシクロ へキシル） シク uへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 3 0 6 )
ジフルオロー ( 4 - ( 2― (トランス一 4一 （トランス一 4—？ンチルシクロ へヰシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4一ト リフルォ メ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 3 0 7 )
ジフルオロー- (4一 ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4ーェチルシクロへ ヰシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルォ u— 4 ージフルォロメ トキシフエ二ル） メタン
(化合物 N 0. 3 0 8 )
ジフルオロー （4— (2— (トランス一 4一 （トランス一 4一プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4ージフルォロメ トキシフヱニル） メタン
(化合物 N o. 3 0 9 )
ジフルオロー （ 4一 ( 2 - (ト ランス一 4 — (トランス一 4一ペンチルシク口 へキシル） シクロへキシル） ェチル） フヱニルォキシ） （ 3. 5—ジフルオロー 4—ジフルォロメ トキシフエニル） メタン
(化合物 N o. 3 1 0)
ジフルオロー （4一 （2— （ト ランス一 4一 （トランス一 4 - ェチルシク口へ キシル） シクロへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3, 5—ジフルオロー 4 一シァノフエニル） メタン
(化合物 N o. 3 1 1 )
ジフルォロ一 （4— (2— （トランス一 4— (トランス一 4 —プロビルシクロ へキシル） シクロへキシル） ェチル） フユニルォキシ） （ 3, 5—ジフルオロー 4一シァノフエニル） メタン
(化合物 N o. 3 1 2)
ジフルオロー （ 1— ( 2 - (トランス一 4一 （トランス一 4一ペンチルシクロ へキシル） シク αへキシル） ェチル） フエニルォキシ） （3. 5—ジフルオロー
4—シァノフエニル） メタン
実施例 7 (使用例 1〉
4 - (トランス一 4—プロピルシク口へキシル） ベンゾニト リル 2 4 % (重 量、 以下同じ）
4一 （トランス一 ！一ペンチルシク口へキシル） ベンゾニト リル 3 6%
4 - (トランス一 4—へプチルシク口へキシル） ベンゾニト リル 2 5 % 4 - (4—プロビルフヱニル） ベンゾニト リル 1 5% なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点 （C p) は 7 2. 4 :であった。 この液晶組成物をセル厚 9〃mの TNセル (ねじれネマチックセル） に封入した ものの動作しきい値電圧 （V t h) は 1. 7 8 V、 誘電率異方性値 （Δε) は + 1 1. 0、 屈折率異方性値 （An) は 0. 1 3 7、 また 2 0 t:における粘度 （5? 20) は 2 7. OmP a · sであった。 この液晶組成物を母液晶 （以下、 母液晶 A と略称する） としてその 8 5部に実施例 1に示したジフルオロー (4 - (トラン ス一 4一プロビルシクロへキシル） フヱニルォキシ） （3, A, 5—ト リフルォ σフエニル） メタン （化合物 N o. 1 ) 1 5部を混合し、 その物性値を測定した。 その結果 Cp : 6 6. 4 ：、 V t h : l. 5 6 V, Δ E ： 1 0. 3. Δη ： 0. 1 2 9. ??20： 24. 9mP a · sであった。 また、 この組成物を一 2 0 tのフ リ一ザ一に 4 0日間放置したが結晶の析出およびスメクチック相の発現等は認め りれなかった。
実施例 8 (使用例 2)
フッ素系の液晶組成物として表 2に示す液晶組成物を調製した。
表 2
母液晶 B ^ oOr 16.7重量部 （以下同じ）
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6.2
F
Figure imgf000139_0002
この液晶組成物のネマチック液晶の透明点 （C p) は 1 0 0. I :であった。 こ の液晶組成物をセル厚 9〃mの TNセル （ねじれネマチックセル） に封入したも のの動作しきい値電圧 （V t h) は 2. 2 0 V、 誘電率異方性値 （Δε) は + 5. 1、 また 2 O における粘度 （?？20) は 2 5. 6mP a · sであった。 この液晶 組成物を母液晶 （21下、 母液晶 Bと略称する） としてその 8 0部に実施例 1に示 したジフルオロー ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル） フユニルォ キシ） （3， 4, 5—ト リ フルオロフヱニル） メタン （化合物 N o. i ) 2 ϋ部 を混合し、 その物性値を測定した。 その結果 C p : 8 6. 4 ：、 V t h ： 2. 0 2 V. Δ e ： 5. 2、 5720 : 2 2. 1 m P a · sであった。 また、 この組成物を 一 2 ϋ tのフ リ一ザ一に 2 5日間放置したが結晶の析出およびスメクチック相の 発現等は認められなかつた。 以下に組成物実施例を示す。 なお、 実施例中の化合物は前記表 1に示す取り決 めに従い略号で示し、 また、 実施例中 TNIは透明点、 は粘度、 Pはピッチを表 す。
実施例 9 (使用例 3)
3— HBOCF 2 B (F, F) 一 F 0%
1 V 2 -BEB (F, F) 一 C 0%
3 -HB-C . 0%
1 -BTB-3 0%
2— B T B— 1 0%
3-HII-4 0%
3 - H H B - 1 0%
3 - H H B - 3 9 0%
3 - H 2 B T B - 2 4 0%
3 -II 2 BTB- 3 4 0%
- - ^ I I
3 - H 2 B T B - 4 4 o ϋ 555 - 5 - 1 0%
3 -HB (F) TB-2 G 0%
3 -HB (F) T -3 G 0%
5. 4 (で）
V = 1 4. 4 (mP a · s)
Δ π = ϋ . 1 5 9
厶 ε = 7. 1
Figure imgf000140_0001
上記組成物 1 0 0部に対し CM3 3を 0. 8部混合した場合のピッチを以下 に示す。
P = 1 1卿
実施例 1 0 (使用例 4 )
3 - H B 0 C F 2 B ( F ) - 0 C F 3 5. 0 %
V 2 -HB-C 1 2. ϋ%
1 V 2 -HB-C 1 2. 0% 3一 HB— C 2 4. 0%
3 - HB (F) -C 5. 0%
2 - BTB- 1 2. 0% 3 - H II - 4 8. 0% 3 - H 11 - V F F 6. 0%
2 - HHB— C 3. 0%
3 -HIIB-C G. 0%
3 - HB (F) TB- 2 8. 0% 3 -II 2 BTB-3 5. 0% 3 -H 2 BTB-4 4. 0%
Figure imgf000141_0001
7 = 1 7. 4 (mP a - s)
△ n = 0. 1 4 5
Δ ε = 8. 9
Vlh= 1. 9 5 (V)
実施例 1 1 (使用例 5 )
3 - HB (F) OCF 2 B (F. F) F 5. 0% 201 -BEB (F) 一 C 5. 0%
Figure imgf000141_0002
3 - HHB- 1 3. 0%
3 - HHB -〇 1 4. 0% TN,= 85. 3 (t) 7? - 8 7. 3 (mP a · s)
Δη = 0. 1 7
Δ e = 3 1. 0
Vth= 0. 8 7 (V)
実施例 1 2 (使用例 6 )
Figure imgf000142_0001
5 - BB-C 0%
Figure imgf000142_0002
7? = 3 3. 7 (mP a · s) Δ n = 0. 1 9 8
Δ e - 6. 6
Vlh= 2. 2 0 (V) 実施例 1 3 (使用例 7)
Figure imgf000143_0001
TNI= 6 7. 0 (V)
5? = 3 9. 3 (mP a · s)
Δ n = ϋ. 1 2 1
Δ e = 1 1. 6
Figure imgf000143_0002
実施例 1 4 (使用例 8)
I4l 3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 3. 0% 3 - HB (F) OCF 2 B (F, F) -F 3. 0% 3一 HB - C 1 8. 0% 7 -HB-C 3. 0% 1 O 1 -HB-C 1 0. 0%
3 -HB (F) 一 C 1 0. 0% 2 - P y B - 2 2. 0%
3 -P y B- 2 2. 0%
4 - P y B - 2 2. 0% 101 - H H - 3 7. 0%
2一 BTB— 01 7. 0%
3 - H H B - 1 7. 0% 3一 H H B— F 4. 0%
3一 HHB—〇 1 4. 0% 3 - -HHB - 3 2. 0%
3 -H 2 BTB-2 3. 0% 3一 H 2 BTB— 3 3. 0%
2— Py BII— 3 4. 0%
3 - P y B H— 3 3. 0% 3— P y B B - 2 3. 0% τΝΙ= 7 4. o ra
V = 2 5. 7 (mP a · s)
Δτι = 0. 1 3 7
Δ e = 8. 1
Figure imgf000144_0001
実施例 1 5 (使用例 9 )
2 -HBOCF 2 B (F, F) -F
3 -HBOCF 2 B (F, F) -F
5 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F
Figure imgf000144_0002
201 -BEB (F) — C 5. 0%
301 -BEB (F) 一 C 8. 0% 501 -BEB (F) 一 C 4. 0%
1 V 2 -BE B (F, F) 一 C 1 0. 0 % 3 -HH-EMe 1 0. 0%
Figure imgf000145_0001
TN1= 7 3. 0 (t)
7? = 33. 7 (mF a · s)
Δη = 0. I l l
Δ ε - 22. 3
Vlh= 1. 0 0 (V)
実施例 1 6 (使用例 1 0 )
2 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 4. 0%
3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 4. 0% 5 - H B O C F 2 B (F) -OCF 3 4. 0% 2 O 1 -BEB (F) 一 C 5. 0% 301一 BEB (F) 一 C 9. 0% 5〇 1 —BE B (F) 一 C 0 % 1 V 2—BE B (F, F) -C 0 % 3 -H B-0 2 0 % 3— H H— 4 0 % 3— HH B— F 0 %
3 -HHB- 1 0 % 3一 HHB -〇 1 0 % 3 -HB E B-F 0 % 3 -HHE B-F 0 % 5 -HHE B-F 0 %
3一 H 2 BTB- 0 %
3 - H 2 BTB- 3 0 %
3 - H B (F) TB- 2 0 %
Figure imgf000146_0001
5? = 3 9. 3 (mP a · s) 45472833 460
Δ η = 0. 1 3 6 ο
Δ ε = 2 7. 3
V th= 1. 0 2 (V)
実施例 1 7 (使用例 1 1 )
Figure imgf000146_0002
5 -HE B-02 5. 3 - H H B— 1 7. 0 % 3一 HHB— 0 1 4. 0 % τΝΙ = 62. o )
?? = 2 5. 6 (mP a · s)
Δη = 0. 1 1 3
Δ e = 1 ϋ. 2
V th二 1. 3 1 (V)
実施例 1 8 (使用例 1 2 )
3 - HBOCF 2 B (F, F) — F 4 0 % 2 -BEB-C 1 ϋ 0 %
5 -BB-C 1 2 0 % 7 - B B - C 7 0 %
1 - BTB- 3 7 0 %
2 - BTB- 1 1 0 0 % 1 O-BEB- 2 1 0. 0 %
1 O-BEB- 5 12, 0 %
2一 HHB - 1 4. 0 %
3 - H H B - F 4. 0 % 3 - H H B - 1 7. 0 % 3 - H H B - 0 1 4. 0 % - HHB- 3 9. 0 % TNI= 6 3. 2 (V)
?? = 1 9. 8 (mP a · s)
Δη = 0. 1 5 9
Δ ε = 6. 6
Vth= 1. 7 7 (V)
実施例 1 9 (使用例 1 3 )
3 - HBOCF 2 B (F, F) 一 F
3 -HBOCF 2 B (F) 一〇C F 3
Figure imgf000147_0001
α
) ΏΗ丄
Figure imgf000148_0001
O OO UT^ OG
E
zn
C3
Figure imgf000148_0002
o L
(J M J— eg
m ^ Jパ
3 -HBB (F) 一 F 6. 0%
5 - H B B (F) 一 F 1 8. 0%
Figure imgf000149_0001
??-2 . 0 (mP a · s)
Δ n = 0. 092
厶 ε = 4. 8
V lh-2. 26 (V)
上記組成物 1 0 0部に対し CNを 0 3部混合した場合のピッチを £i下に示 す。
P = 78
実施例 2 1 (使用例 1 5 )
2— HBOCF 2 B (F, F) —F 4
3一 HBOCF 2 B (F, F) 一 F 4
5 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 4
7 -HB (F) 一 F 5
5 -H 2 B (F) 一 F 5 ϋοοοοοοοοοοοοοοοο ϋ
3一 HB - 02 1 0 %%%%%%%%%%%%%%%% %%
3 - H H - 4 5
3 -HHB (F) 一 F 1 ϋ
5 -I1HB (F) -F 1 0
3 -H 2 HB (F) 一 F
Figure imgf000149_0002
Τ ι= 8 3. 9 (V)
J? = 1 7. 1 (mP a · s)
△ n = ϋ. 0 9 1
Δ ε = 3. 2
V,h= 2. 6 7 (V)
実施例 2 2 (使用例 1 6 )
2 -HBOC F 2 B (F) -OC F 3 0 % 3 -HBOC F 2 B (F) -OC F 3 0 % 5一 HBOC F 2 B (F) 一 OC F 3 0 % 7 -HB (F, F) -F 0 %
3一 HB—〇 2 0 %
2 - H H B (F) 一 F {) %
3 - HHB (F) 一 F 0 % 5 - H H B (F) 一 F 0 % 3 -HBB (F) 一 F 4304500900753 55 0%
5 -HBB (F) — F 0 %
2 - HBB-F 0 %
3 - HBB-F 0 % 5 -HBB-F 0% 3 -HBB (F, F) -F 0 %
5 - HBB (F. F) 一 F 0%
Figure imgf000150_0001
V = 2 1 . 6 (mP a · s)
Δ η = 0. 1 0 9
Δ e = 5. 8
V th= 1. 9 9 (V)
実施例 2 3 (使用例 1 Ί )
3 - HBOC F 2 B (F. F) 一 F 5. 0 % 3— HBOC F 2 B (F) -OC F 3 5. 0 % 7 -HB (F， F) -F 0% 3一 H 2 HB (F, F) — F 0% 5一 H 2 HB (F, F) 一 F 0% 3— HHB (F, F) 一 F ϋ% 4 -HHB (F, F) -F 0%
3一 HH 2 B (F, F) 一 F 0% 5一 HH 2 B (F, F) 一 F 0% 3— HBB (F, F) 一 F 0% 5 - HBB (F, F) -F 0%
Figure imgf000151_0001
7? = 2 6. 6 (mP a · s)
Δ n = ϋ. 087
厶 ε = 8. 1
Figure imgf000151_0002
実施例 24 (使用例 1 8) 1 1
00884540520250520 4
3 -HBOCF 2 B (F, F) -F 0% 3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 0% 3 - H B - C L 0% 5 - H B - C L 0% 7 - H B - C L 0%
101 -HH- 5 0%
2 -HBB (F) -F 0%
3 -HBB (F) -F 0% 5 - H B B (F) -F ΰ% 4 -HHB-CL 0%
5 -HHB-CL 8. 0% 3 -H 2 HB (F) -CL 4. ΰ% 3 - HBB (F. F) 一 F 1 0. 0% 5 - H 2 B B (F, F) 一 F 9. 0% 3 -HB (F) VB- 2 4. 0 % 3 - HB (F) VB- 3 4. 0% TN I= 8 7. 3 CC)
?? = 1 7. 7 (mP a · s)
An = 0. 1 2 2
Δ e = 5. 1
Figure imgf000152_0001
実施例 2 5 (使用例 1 9 )
3 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 0 %
o
Figure imgf000152_0002
T? = 3 1. 9 (mP a · s)
厶 n = ϋ . 1 1 4
Δ e = 8. 3
V lh= 1. 8 5 (V)
実施例 2 6 (使用例 2 0 )
2 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 3-HBOCF 2 B (F) -OCF 3 4. 0 % 5 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 4. 0 % 5一 HB— F 1 2. 0 % 6 -HB-F ϋ. ϋ% 7 -HB-F 7. 0 %
3 - HHB-OC F 3 7. 0 %
4 - HIIB-OCF 3 7. 0%
5 - HHB-OC F 3 5. 0 %
3一 HH 2 B-OCF 3 4. 0 % 5 - H Pi 2 B - 0 C F 3 4. 0%
3 - HHB (F, F) 一 OCF 3 5. 0 %
3 -HBB (F) 一 F 5. 0 %
5一 HBB (F) — F 1 0. 0 %
3 -HH 2 B (F) 一 F 3. 0 % 3 -HB (F) BH- 3 3. 0 %
5 -HBB H- 3 3. 0 %
3-HHB (F. F) -OCF 2 H 4. 0%
Figure imgf000153_0001
J = 1 3. 5 (mP a · s)
Δ n = 0. 0 9 0
Δ e = 4. 3
Figure imgf000153_0002
実施例 2 7 (使用例 2 1 )
2 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 5. 0 % 3 -HBOCF 2 B (F) 一 OCF 3 5. 0 %
5 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 5. 0 %
2 - HHB (F) - F 2. 0 %
3-HHB (F) 一 F 2. 0 %
5 - HHB (F) 一 F 2. 0 % 2 -HBB (F) -F 0%
3— HBB (F) 一 F 0% 5一 HBB (F) -F 0%
2 -H 2 BB (F) — F 0% 3 -H 2 BB (F) 一 F 0%
3 - HBB (F. F) 一 F 0% 5 -HBB (F, F) 一 F 0% 101 -HBBH- 0%
101 -HBBH- 5 096
Figure imgf000154_0001
?? = 32. 0 (mP a ♦ s)
Δ η = 0. 1 30
Δ ε = 6. 9
Vth= 1. 9 6 (V)
- 2 I
実施例 28 (使用例 22) 665 5055955996 6
2 -HBOCF 2 B (F， F) 一 F 0%
3 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 0%
Figure imgf000154_0002
3-H 2 HB (F) 一 F 0% 2 - HBB (F) 一 F 0%
3 - HBB (F) 一 F 0%
Figure imgf000154_0003
V = 24. 0 (mP a · s)
Δ η-0. 0 90 Δ ε = 5. 0
Vth=2. 2 0 (V)
実施例 29 (使用例 23)
οοοοοοοοοϋοοο ο
Figure imgf000155_0001
%%%%%%%%%%%%% %
Τκ,= 9 3. 3 ）
7? = 1 5. 5 (mP a · s)
Δ n = 0. 1 3 1
Δ ε = 8. 5
Vlh-2. 1 9 (V)
実施例 30 (使用例 24 )
3 -HBOCF 2 B (F, F) 一 F 1 0 0% 3 -HBOCF 2 B (F) -OCF 3 1 0 0%
3 -HB (F) OCF 2 B (F， F) F 5. 0%
3 -H 2 HB (F, F) 一 F 7, 0% 5 -H 2HB (F, F) 一 F 8. 0%
4 -HHB (F, F) -F 0% 3 HH 2 B (F, F) 一 F 9. 0%
5 -HH 2 B (F, F) 一 F 9. 0%
3 -HBB (F, F) -F 1 0 0%
5 - HBB (F, F) -F 1 0%
3— II BE B (F, F) -F 2 0%
4一 HBEB (F, F) -F 2 0%
5 -HBEB (F, F) — F 2 0%
4一 HHEB (F, F) — F 3 0 %
5 -HHEB (F, F) 一 F 3 0%
TNI-7 0. 7 (t:)
7? - 2 7. 6 (mP a · s)
△ n = 0. 0 9 1
厶 ε = 9. 9
Vlh- 1. 8 8 (V)
〔比較例 1〕
本発明の比較化合物として従来の技術の項に示した U S P 5
Figure imgf000156_0001
3号記載の化合物 （b 1 ) (R = C3H.) を特許公報記載の製造方 o にて実際 に合成した。
Figure imgf000156_0002
Cr 40.7fN 33.2) lso 上記化合物を比較化合物として上述の母液晶 B 8 0部に比較化合物 2 0部を混合、 新たに液晶組成物を調製し、 物性値を測定した。 また、 相溶性を判断する目的に て調製した液晶組成物はそのまま一 2 O t:のフリーザー中に放置し、 放置開始か ら液晶組成物中に結晶物の析出あるいはスメクチック相が発現するまでの日数を 測定した。 実施例 7の結果と併せて物性値を表 3に示す （ 0 内の数値は母液晶 からの外揷値である）
Figure imgf000157_0001
比較例 1から化合物 （b— 1 ) は比較的大きな誘電率異方性を有し、 粘度を変 化させないでしきい値電圧のみを 0 . 2 5 Vも低下させていることが判る。 しか し調整した液晶組成物の誘電率異方性値は母液晶と比較し約 2 4 %も上昇してお り、 従来の技術の項に示し たイオン性不純物等の混入の問題を解決するには不 適当と言える。 これに対し本発明の化合物 （化合物 N o . 1 ) から調製した液晶 組成物は比較化合物から調整した液晶組成物とほぼ同等の透明点を有しながら粘 性は約 1 4 %も低く、 さらに驚くべきことに液晶組成物の誘電率異方性値は母液 晶のものとほとんど変化していないにも関わらず、 しきい値電圧のみが約 0 . 2 Vも低下している。 また、 相溶性についても比較化合物 （b— 1 ) がー 2 0 :の フリ一ザ'—中で 1 5日で結晶の析出が確認されたのに対し、 本発明の化合物は 2 日以上にわたり結晶等の析出は認められず、 非常に優れた低温相溶性を有する ことが確認された。 この様に本発明の化合物は 1〉 小さな弾性定数に起因すると 考察される低いしきい値電圧を示し、 2 ) 低粘性であり、 3 ) 液晶組成物に添加 した場合、 誘電率異方性を維持あるいは低下させ、 さらに 4 ) 他の既知の液晶性 化合物との相溶性、 特に低温相溶性に優れた新規な液晶性化合物であり、 類似構 造の 3環系ならびに 4環系化合物には見られない非常に有用な特長を有する。 産業上の利用可能性
本発明の （1 ) 式の化合物は外部環境の変化に対して非常に安定であり、 かつ 非常に低粘性であり、 また弾性定数に起因すると考察される低いしきレ M直電圧を 示す。 さらに他の液晶化合物との相溶性、 特に低温相溶性に優れた化合物である。 さらに本発明の化合物の利用として置換基 R 'にアルキル基、 Xに C N基以外を 選択したものは高い電圧保持率を示し、 T F T方式の表示素子用の液晶材料、 特 に低電圧駆動、 高速応答用に好ましい特性を示し、 一方置換基 R 'にアルケニル 基、 あるいは Xに C N基を選択したものは極めて低粘性あるいは高い透明点を有 し、 S T N表示素子用の減粘剤として非常に有用である。 また、 誘電率異方性値 は小さく、 化合物分子の極性が小さいことから T F T方式において特に問題とな るィォン性不純物等の取り込みが極めて少なく、 温度依存性が小さく安定した高 い電圧保持率を示す。 本発明の化合物の使用により外部環境の変化に対して安定 であり、 低電圧駆動、 かつ高速応答の可能な新規な液晶組成物および液晶表示素 子の提供が可能である。

Claims

請求の範囲
1. 一般式 （1)
Figure imgf000159_0001
(式中 R1 は炭素数 1〜15の直鎖もしくは分岐の了ルキル基、 または炭素数 2〜 15の了ルケ二ル基を表し、 この基中の 1つまたは隣接しない 1個以上の CH2基を 酸素原子で置換されていてもよく、 環 Aおよび環 Bは、 相互に独立して環上の 1 個以上の Clj2基が酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよい 1， 4ーシク 口へキシレン基、 または環上の 1個以上の CH基が窒素原子で置換されていてもよ く、 また II上の 1個以上の水素原子がハロゲン原子が置換されていてもよい 1 , 4一フユ二レン基を表し、 環 Cおよび SDは、 相互に独立して環上の 1個以上の 水素原子がハロゲン原子が置換されていても良い 1 , 4ーフ 二レン基を表し、 ？ノ、 Z2および Z3は相互に独立して- I2CH2-、 - CH=C1K - OC-または単結合を 表し、 Xはハロゲン原子、 CF3、 〇CF3、 0CHF2、 または CN基を表し、 Yは水素またはハロゲン原子を表し、 】および mは 0または 1であり、 1 +m≤ 1であり、 また化合物を構成する元素はその同位体元素で置換されていてもよい） で表される ， ひージフルォ口べンジルエーテル誘導体。
2. 一般式 （ 1 ) において〗二 m= [)で表される請求の範囲第 1項に記載の化合 物
3 —般式 （1) において環 Aが 1. 4—シクロへキシレン基であり、 が 1， 4 フ ニレン基で表される請求の範囲第 2項に記載の化合物。
4, 一般式 （ 1 ) において Xがフッ素原子、 CF3、 または 0CF3基であり、 Y が水素原子で表される請求の範囲第 3項に記載の化合物。
5. —般式 （ 1 ) において Xがフッ素原子、 CF3、 または〇CF3基であり、 Y がハ口ゲン原子で表される請求の範囲第 3項に記載の化合物。
6. 一般式 （1 ) において 1 =0、 m= 1で表される請求の範囲第 1項に記載の 化合物。
7. 一般式 （1 ) において環 Aが 1， 4ーシクロへキシレン基であり、 J1Cおよ び璟 Dが 1 , 4一フエニレン基で表される請求の範囲第 6項に記載の化合物。
8. 一般式 （1 ) において 1 = 1、 m= 0で表される請求の範囲第 1項に記載の 化合物。
9. 一般式 （1 ) において環 Aおよび環 Bが 1 , 4ーシクロへキシレン基であり、 環 Cが 1, 4一フエ二レン基で表される請求の範囲第 8項に記載の化合物。
1 0. 一般式 （ 1 ) において R 'が了ルケニル基で表される請求の範囲第 1項に 記載の化合物。
1 1. 一般式 （1 ) で示される化合物を少なくとも 1成分含む、 2成分以上から なる液晶組成物。
1 2. 第一成分として請求の範囲第 1〜 1 0項のいずれか 1項に記載の液晶性化 合物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （ 2 ) 、 (3) および
(4)
Figure imgf000160_0001
(式中、 R3は炭素数 1〜1 0のアルキル基を示し、 X' は F、 C l、 0CF3、
〇CF2H、 CF3、 CF2Hまたは CFH2を示し、 し'、 L2、 L および L4は 相互に独立して Hまたは Fを示し、 Z4および Z5は相互に独立して一 （CH2) 2 一、 一 CH二 CH—または单結合を示し、 aは 1または 2を示す） からなる群か ら選択される化合物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
1 3. 第一成分として、 請求の範囲第 1〜10項のいずれか 1項に記載の液晶性 化合物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （ 5 ) 、 （ 6 ) 、 (7) 、 (8) および （9)
Figure imgf000161_0001
(式中、 R4は F、 炭素数 1〜1 0のアルキル基または炭素数 2〜10の了ルケ 二ル基を示し、 該了ルキル基または了ルケニル基中の任意のメチレン基 （一 CH 2—） が酸素原子 （一〇一） によって置換されていてもよいが、 2つ以上のメチ レン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 環 Eはトランス一 1 , 4一 シクロへキシレン基、 1, 4一フユ二レン基、 ピリ ミ ジン一 2, 5—ジィル基ま たは 1, 3—ジォキサン一 2, 5—ジィル基を示し、 JIFはトランス一 1. 4一 シクロへキシレン基、 1. 4一フヱニレン基またはビリ ミジン一 2, 5—ジィル 基を示し、 環 Gはトランス一 1. 4ーシクロへキンレン基または 1. 4一フヱニ レン基を示し、 Z6は一 （CH2) 2—、 一 COO—または単結合を示し、 L5およ び L6は相互に独立して Hまたは Fを示し、 bおよび cは相互に独立して 0また は 1を示す） 、
Figure imgf000161_0002
(式中、 R5は炭素数 i〜l 0のアルキル基を示し、 L?は Hまたは Fを示し、 d は 0または 1を示す） 、
Figure imgf000161_0003
(式中、 R6は炭素数 1〜10のアルキル基を示し、 環 Hおよび堤 Iは相互に独 立してト ランス一 1, 4ーシクロへヰシレン基または 1. 4—フヱ二レン基を示 し、 Z7および Ζβは相互に独立して一 COO—または単結合を示し、 Ζ3は— C 〇◦—または一Cョ C一を示し、 L Βおよび L 3は相互に独立して Ηまたは Fを示 し、 X2はド、 〇CF3、 OCF2H、 CF3、 CF2HまたはCFH2を示すが、 X 2が〇CF3、 OCF2H. CF3、 CF2Hまたは CFH2を示す場合は Leおよび L 9は共に Hを示し、 e、 f および gは相互に独立して 0または 1を示す） 、
Figure imgf000162_0001
(式中、 R7および Reは相互に独立して炭素数 1〜1 0のアルキル基または炭素 数 2~ 1 0の了ルケ二ル基を示し、 いずれにおいてもそのうちの任意のメチレン 基 （一 CH2- - ) は酸素原子 （一◦— ) によって置換されていてもよいが、 2つ 以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 ϋ Jはトランス - 1 , 4ーシクロへキシレン基、 1, 4ーフヱ二レン基またはピリ ミジン一 2, 5—ジィル基を示し、 環 Kはトランス一 1 , 4ーシクロへヰシレン基または 1 , 4一フヱニレン基を示し、 Z10は一 C三 C一、 一 COO—、 一 (CH2) 2—、 - じト1 = 14— (：≡(：ーまたは単結合を示し、 Z 11は一 CO〇一または単結合を示 す） 、
Figure imgf000162_0002
(式中、 R3および R'Qは相互に独立して炭素数 1〜 1 0の了ルキル基または炭 素数 2〜1 0の了ルケ二ル基を示し、 いずれにおいてもそのうちの任意のメチレ ン基 （一 CH2—） は酸素原子 （―〇一） によって置換されていてもよいが、 '2 つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはなく、 環 Lはトラン ス一 1, 4ーシクロへキシレン基、 1， 4—フエ二レン基またはピリ ミ ジン一 2, 5—ジィル基を示し、 谡 Mはトランス一 1, 4ーシクロへヰシレン基、 J1上の 1 つ以上の水素原子が Fで置換されていてもよい 1， 4一フヱニレン基またはピリ ミ ジン一 2， 5—ジィル基を示し、 環 Nはトランス一 1 , 4—シクロへキシレン 基または 1, 4—フエ二レン基を示し、 Z12および Z '4は相互に独立して一 CO 0—、 一 (CH2) 2—または単結合を示し、 Z 13は一 CH = CH—、 一 Cョ C一、 一 CO〇一または共有結合を示し、 hは 0または 1を示す） からなる群から選ン 択される化合物を少なくとも 1種類含有する液晶組成物。
1 4. 第一成分として、 請求の範囲第 1〜1 ϋ項のいずれか 1項に記載の液晶性 化合物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の一部分として、 一般式 （2) 、
(3) および （4) からなる群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の他の部分として、 一般式 （5〉 、 （6) 、 （7) 、 (8) および （9) からなる群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有する液晶組成物。
1 5. 請求の範囲第 1 1項から第 1 4項のいずれか 1項に記載の液晶組成物を用 いて構成した液晶表示素子。
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