[go: up one dir, main page]

WO1997031290A1 - Substrat support de film avec facteur de reflexion bas - Google Patents

Substrat support de film avec facteur de reflexion bas Download PDF

Info

Publication number
WO1997031290A1
WO1997031290A1 PCT/JP1997/000553 JP9700553W WO9731290A1 WO 1997031290 A1 WO1997031290 A1 WO 1997031290A1 JP 9700553 W JP9700553 W JP 9700553W WO 9731290 A1 WO9731290 A1 WO 9731290A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
low
film
film substrate
reflection
thin
Prior art date
Application number
PCT/JP1997/000553
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tadakatsu Suzuki
Original Assignee
Kuramoto Seisakusho Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8038425A external-priority patent/JPH09230326A/ja
Priority claimed from JP8046481A external-priority patent/JPH09243801A/ja
Priority claimed from JP9570896A external-priority patent/JPH09281305A/ja
Application filed by Kuramoto Seisakusho Co., Ltd. filed Critical Kuramoto Seisakusho Co., Ltd.
Priority to EP97903608A priority Critical patent/EP0901032A4/en
Priority to JP53000497A priority patent/JP3969743B2/ja
Publication of WO1997031290A1 publication Critical patent/WO1997031290A1/ja
Priority to US10/807,189 priority patent/US7056587B2/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors

Definitions

  • the present invention relates to a low reflection thin film substrate. More specifically, the present invention relates to a field relating to an optical thin film having a light-shielding property and an anti-reflection property, for example, a color filter substrate for a liquid crystal panel. Low reflection metals and alloys used for black matrices that are particularly useful for manufacturing, or for projector frames that are useful for manufacturing projectors This is related to thin film substrates. Background art
  • Color LCD panels are used in a wide range of display devices for information equipment, etc., and with the development of the information-oriented society in recent years, larger and larger screens have been used. Development for finer details is underway.
  • Such a character liquid crystal In order to increase the contrast of the screen and enhance the coloring effect to clarify the displayed image, red (R), green (G), blue (B ), Black matrices having low reflectivity and good light shielding properties are arranged between the color filter pixels.
  • this black matrix is a low-reflection thin-film substrate in which metal targets such as chromium are sputtered and metal layers are laminated. Manufactured by etching using known photolithography technology. ing. As such a laminated low-reflection thin-film substrate, a laminate of a chromium oxide layer and a chromium metal layer is also known.
  • the multilayer structure is laminated to suppress the reflectivity by light interference, and on the other hand, the chromium metal layer with high reflectivity and low transmissivity is included in the laminate, and has a light shielding function. It is a thing.
  • the reflection is reduced to minimize the reflection of the face and background on the display panel and make the image easier to see. It is necessary to maintain the optical density above a certain level, because the color tone does not become clear when light from the backlight inside the camera passes through.
  • a material containing chromium metal is used as a target for spa treatment.
  • the formation of a thin film is conventionally known and used as a typical technique.
  • chromium with a valence other than hexavalent is generally less toxic
  • chromium with a hexavalent valence is more toxic to the human body and pollutes the environment.
  • the reflectance (for example, the value obtained by adding the reflectance for each wavelength interval of 1 nm and dividing by the number of measurement points) is 1.5% or more, and the maximum reflectance is currently over 5%. Ah .
  • the reflectivity was also confirmed by using a microspectroscopy OSP-SP200 manufactured by Olympus Optical Co., Ltd. and measuring the anoremi thin film as a reference. However, it does not include the reflectance from the glass surface.
  • the reflection color of a low-reflection thin film substrate is affected by the wavelength indicating the maximum reflectance.
  • the wavelength showing the maximum reflectance is at 400 nm (nearby) on the short wavelength side
  • the reflected color is blue-violet. Red is emphasized in the reflected color when it is emphasized and is at 700 nm (nearby) on the long wavelength side.
  • the frame projected on the screen also has a blue-violet or red color.
  • the present invention has a minimum reflectance of 0.5% or less in the visible light range, an optical density of 4 or more,
  • a thin film consisting of one or more of Ni, Fe, CoMo, W, Ta or Nb is formed on a glass substrate by sputtering. , Fe, Co, Mo, W, Ta, Cu, or Nb that does not contain Cr due to the snow ring
  • a low-reflection thin-film substrate characterized in that a thin film composed of at least one of the following is formed in a multilayer.
  • the minimum reflectance is 0.5% or less
  • the average reflectance is 2% or less
  • the aluminum is transparently mounted on a transparent glass substrate by sputtering.
  • System thin film has been formed, and this substrate has an optical density of 4 or more.Also, due to sputtering, it does not contain Cr.
  • a thin film mainly composed of minium or a multi-layer film is formed, and in the -visible light range, the minimum reflectance is 0.1% or less.
  • the maximum reflectance is 2.0% or less
  • the average reflectance is 0.3% or less
  • a thin film is formed on a transparent glass substrate by sputtering ring.
  • a spatter ring may be formed under an atmosphere of at least one kind of inert gas, oxygen, or carbon oxide gas. It is provided as one of the embodiments.
  • the low-reflection thin-film substrate has to be obtained without using a chromium-based metal in the manufacturing process, and has properties such as optical density and reflectance. Is also formed using chromium-based metal. Compared with the characteristics at the time, the results show that the reflectance is low over a wide wavelength range of visible light, and the shape of the spectral reflectance curve is flattened over a wide range. Has also been obtained.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a two-layer structure illustrating the low-reflection thin-film substrate of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the relationship between the wavelength of light and the reflectance in a low-reflection thin-film substrate.
  • Curve A indicates the low-reflection nickel-iron alloy thin-film substrate of Example 1.
  • Curve B is for a low-reflection chrome thin film for comparison.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a three-layer structure illustrating the low reflection thin film substrate of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating the relationship between the wavelength of light and the reflectance in a low-reflection thin-film substrate, and a curve C indicates the low-reflection nickel-molybdenum alloy thin-film substrate of Example 2.
  • the curve D is for the low-reflection nickel-tungsten alloy thin-film substrate of Example 3.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the wavelength of light and the reflectance in a low-reflection thin-film substrate, and a curve E indicates a curve obtained by using the low-reflection nickel-copper thin film substrate of Example 4. It is.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the wavelength of light and the reflectance of a low-reflection thin-film substrate, and a curve F indicates a low-reflection aluminum thin-film substrate according to the present invention. And curve G is for a low reflection chromium film for comparison.
  • Fig. 7 shows the wavelength of each layer of the low-reflection aluminum thin film substrate of the present invention, which was formed on a transparent glass substrate in a single layer and measured by a spectroscopic ellipsometer. — This is a diagram that simply illustrates the refractive index characteristics. (A) shows the first layer, (b) shows the second layer, and (c) shows the wavelength-refractive index characteristics of the third layer.
  • FIG. 8 is a diagram exemplifying the relationship between the wavelength of light and the reflectance in a low-reflection thin-film substrate, and a curve H indicates a low-reflection tantalum thin-film substrate according to the present invention.
  • Curve I is for a low reflection chromium thin film substrate for comparison.
  • FIG. 9 shows the wavelength-refraction measured for each layer of the low-reflection tantalum thin-film substrate of the present invention on a transparent glass substrate by single-layer deposition and measured by a spectroscopic ellipsometer.
  • FIG. 4 is a diagram simply illustrating a rate characteristic.
  • A shows the first layer
  • B shows the second layer
  • c shows the wavelength-refractive index characteristics of the third layer.
  • the low-reflection thin-film substrate of the present invention is essentially a low-reflection thin-film substrate having optical characteristics that are not well known as conventional thin films. It is a characteristic. It does not contain any chromium components.
  • the low-reflection thin-film substrate of the present invention is, like the low-reflection chromium thin-film substrate, laminated in multiple layers, for example, about 2 to 7 layers. In this case, the thickness of each layer is appropriately selected.
  • the sputtering can be performed as a so-called reactive sputtering, and includes inert gas such as nitrogen, rare gas such as argon, oxygen gas, C0, C 0 2 carbon dioxide gas such as pixel It is shown as a representative example of the atmosphere for this purpose.
  • the target material is one or more of iron group metals, that is, Ni, FeCo, Mo, W, Ta, or Nb.
  • iron group metals typically, Ni—Fe (male), Ni—Co, Fe-Co, Ni-Fe-Co, Ni-Mo. Alloys such as Ni—W, Ni—Ta, Fe—Mo, Fe—W, Fe—Nb, Ni—Cu, Ni—Mo—Ta, and Ta, Metals such as Nb are exemplified, and even if these target materials contain at least one of Cu, Ti, Zr, and Sn as an accelerating additive component, In the case of a good sputtering ring, in the case of a two-layer sputtering film formation, the third layer (on a transparent glass substrate): 30 to 60 nm, the second layer: 70 to 70 nm 160 nm, and three layers of snow film formation, the first layer: l to 60 nm, the second layer: 20 to 80 nm, the third layer: 80
  • Evening materials used are aluminum-based materials, typically aluminum or its main component, and titanium and zinc.
  • sputtering which uses con- tainers, tantalums, nifene films, and other materials that contain other elements as appropriate, three layers of sputter deposition are used. In the case of, the first layer (on the transparent glass substrate): 40 to 60 nm, the second layer: 280 to 320 nm, and the third layer: 40 to 100 O nm This is taken into account.
  • the laminate since the laminate includes an intermediate metal layer having a high reflectance and a low transmittance in the laminate, the laminate has a light shielding function.
  • the second layer 20 to 50 nm
  • the third layer 150 It is considered to be set to ⁇ 20 O nm.
  • a transparent glass substrate As a transparent substrate, a transparent glass substrate (a thin glass material manufactured by Koingen Co., Ltd., 177 377) was used, and after cleaning to obtain a clean surface, the transparent glass substrate was used.
  • the second layer (2) is formed on the first layer (1) by the reactive gas sputtering with the nickel-ferrous alloy as a target.
  • the film was formed at 1 O nm.
  • the film thickness of the obtained low-reflection thin-film substrate (4) having a two-layer structure was about 154 nm.
  • the optical density was 4.3, which was excellent in light-shielding properties.
  • the relationship between the wavelength and the reflectance of the low-reflection thin film substrate is as shown by the curve A in FIG. 2 and shows the minimum value in the visible light range (wavelength 400 to 700 nm).
  • the reflectance was extremely low at 0.055% or less and the maximum reflectance was 6.3% or less when the wavelength was about 600 nm.
  • the reflectivity was measured using a spectroscopic light OSP-SP200 manufactured by Olympus Optical Co., Ltd., using an aluminum thin film as a reference. It does not include the reflectance from the glass surface. The same applies to the following embodiments.
  • Fig. 2 also shows the reflectance curve B of the low-reflection chromium thin film substrate obtained when the chromium metal was used as the sputtering target.
  • the low-reflection thin-film substrate according to the present invention has a smaller minimum reflectance and the like as compared with the low-reflection chromium thin-film substrate, as is clear from the comparison between the curves A and B in FIG. There is no inferiority in optical characteristics.
  • the low reflection thin film substrate can be obtained even if the first layer has a multilayer structure by appropriately changing the type of the introduced gas and the introduced gas flow ratio.
  • As an evening gate material in addition to the nickel-iron alloy shown in the above-mentioned embodiment, nickel-molybdenum (28 wt%) nickel It was also confirmed that nickel alloy containing 1 tang stainless steel (19.1 wt%), copper and other elements was useful.
  • Nickel (72 wt%) Transparent glass similar to that of Example 1 using a sputtering target made of molybdenum (28 wt%) alloy. Film formation was performed using a substrate and a sputtering device.
  • One layer (11) was formed on a transparent glass substrate (3) with a thickness of 41 nm.
  • argon gas 240 sccm, nitrogen gas 160 sccm, and oxygen gas 40 sccm were introduced, and the film formation pressure was reduced to about 40 sccm.
  • the snow was subjected to sputtering for 280 seconds at a power of 8.3 kW.
  • the second layer (1 2) is converted into the first layer (1 1 1) by the reactive gas sputtering, using the nickel-molybdenum alloy as a target.
  • a film having a thickness of 41 nm was formed thereon.
  • the obtained three-layered low-reflection thin film substrate (14) had a film thickness of 197 nm and an optical density of 4.1, and was excellent in light-shielding properties.
  • the relationship between the wavelength and the reflectance of the low-reflection thin film substrate is as shown by the curve C in FIG. 4, and is in the visible light range (wavelength 400 to 700 nm).
  • the minimum reflectance at wavelength 600 nm was less than 0.05%, and the maximum reflectance was extremely low at 4.7%.
  • Nickel (80.9 wt%) — Tungsten (19.1 wt%) alloy, made of snow, made using a 'tattering target' Film formation was performed using the same transparent glass substrate and a sputtering device as in Example 1.
  • an argon gas of 120 sccm, a nitrogen gas of 240 sccm, and an oxygen gas of 40 sccm were introduced, and the film was formed in an atmosphere having a film forming pressure of about 2.5 mTorr.
  • Snow and butterfly were performed for 238 seconds with a butterfly power of 8.3 kW.
  • the second layer (1 2) is converted to the first layer (1 1) by the reactive gas sputtering, which is a target of the above-mentioned nickel-evening alloy.
  • a film having a thickness of 32 nm was formed thereon.
  • argon gas of 200 sccm was introduced, and the laser was sprayed for 4.0 seconds at a sputtering power of 8.3 kW in an atmosphere having a film formation pressure of about 2.0 Om Torr.
  • the evening ring was performed.
  • the third layer (13) is put on the second layer (12) by the reactive gas sputtering which uses the nickel-evening alloy as the evening-get.
  • the film was formed with a thickness of 10 O nm.
  • the thickness of the obtained low-reflection thin-film substrate (14) having a three-layer structure is 149 nm, and the optical density is 4.2.
  • the minimum reflectance at 0 to 70 O nm) was 0.12% or less and the maximum reflectance was extremely low at 6.88% when the wavelength power was 61 O nm.
  • the sputtering ring was performed for 33 seconds at a sputtering power of 6.0 kw in an atmosphere at a film forming pressure of about 25 mT 0 rr.
  • the substrate temperature was about 200.
  • the first layer (1) is formed by the reactive gas sputtering using nickel-copper alloy as a target as shown in the attached FIG. A film with a thickness of 45 nm was formed on a transparent glass substrate (3).
  • an argon gas of 140 sccm and a nitrogen gas of 60 sccm were introduced, and the film was formed in an atmosphere having a film forming pressure of about 2.0 mT0rr.
  • the second layer (2) is formed on the first layer (1) by a reactive gas sputtering method using the nickel-copper alloy as a getter.
  • the film was formed in nm.
  • the obtained low-reflection thin film substrate (4) having a two-layer structure had a thickness of 18.5 nm and an optical density of 4.1, and was excellent in light-shielding properties.
  • the relationship between the wavelength and the reflectance of the low-reflection thin-film substrate is as shown by the curve E in FIG. 5 and is in the visible light range (wavelength 400 to 700 nm).
  • the minimum reflectance is 0.11% or less and the maximum reflectance is 6.06% when the wavelength power is 61 O nm. And low.
  • a transparent glass substrate As a transparent substrate, a transparent glass substrate (a thin glass material manufactured by Koingen Co., Ltd., 177 377) was used, and after cleaning to obtain a clean surface, the transparent glass substrate was used.
  • a metal-based metal (containing 4 wt% of titanium) consisting mainly of aluminum in a batch-type reactive sputtering device. It was attached so that it would face the evening ring.
  • the first layer (11) is made transparent by the reactive gas sputtering ring, which is a metal whose main component is aluminum. A film having a thickness of 48 nm was formed on the substrate (3).
  • argon gas 160 sccm
  • nitrogen gas 40 sccm
  • the substrate was not heated in an atmosphere at a film forming pressure of 1.7 ⁇ 0.3 mTorr, and the sputtering power was not changed.
  • a spaghetti ring at 10 kw for about 15 minutes.
  • the second layer (12) in Fig. 1 is made into the first layer by the reactive gas sputter ring, which uses a metal mainly composed of aluminum as a sunset.
  • a film was formed on the layer (11) with a film thickness of 29.3 nm.
  • argon gas of 200 sccm was introduced and formed.
  • the sputtering was performed for about 3 minutes at a sputtering power of 10 kw without heating the substrate in an atmosphere with a film pressure of 2.1 ⁇ 0.3 mTorr.
  • the third layer (13) is converted into the second layer (13) by the reactive gas sputtering, which uses a metal mainly composed of aluminum as a target. 12) A film with a thickness of 51 nm was formed thereon.
  • the low-reflection thin-film substrate (14) obtained in this way had an average thickness of about 39.2 nm.
  • the optical density was 5.1, which was excellent in light-shielding properties.
  • the relationship between the wavelength and the reflectance of the low-reflection thin film substrate is as shown by the curve F in FIG. 6, and is in the visible light range (wavelength 400 to 700 nm).
  • the minimum reflectance was 0.1% or less, and the average reflectance in the visible light range was 2% or less.
  • Fig. 6 shows chromium metal and snow.
  • the reflectance curve G of the low-reflection chromium thin-film substrate obtained when the target was a tungsten target is also shown.
  • the low-reflection aluminum thin-film substrate according to the present invention is, as evident from the comparison of curves F and G in FIG. 6, compared with the low-reflection chromium thin-film substrate. There is no inferiority for the minimum reflectance, the average reflectance is 0.93%, which is even lower than 1.9% for the low-reflection chromium thin film substrate.
  • the single-layer films of the first to third layers of the low-reflection aluminum thin-film substrate of Example 5 were formed on transparent glass substrates, respectively, and the SOPRA spectral ellipse was used. Refractive index was evaluated using some evening. An example is shown in Fig. 7.
  • a transparent glass substrate As a transparent substrate, a transparent glass substrate (a thin glass substrate made by Kogyo Co., Ltd., 705-9) is used, and after cleaning to obtain a cleaning surface, the substrate is removed. It was installed so as to face the sputtering target, which consists of the tantalum (Ta) force of the touch-sensitive reactive sputtering device. The heating of the transparent glass substrate was not performed.
  • the first layer (11) is transparent as shown in the attached Fig. 3 by the reactive gas snorkeling ring with the tantalum as the evening getter. A film with a thickness of about 51 nm was formed on a glass substrate (3).
  • the second layer (1 2) is formed on the first layer (1 1) by the reactive gas sputtering ring with the tantalum as the evening getter. The film was formed in nm.
  • the third layer (13) is deposited on the second layer (12) by the reactive gas sputtering with the tantalum as the target, with a film thickness of about 17 At 0 nm Filmed.
  • the total thickness of the obtained three-layer low-reflection thin-film substrate (14) was about 256 nm.
  • the optical density was 4.2, indicating that it had excellent light-shielding properties.
  • the relationship between the wavelength and the reflectance of the low-reflection thin film substrate is as shown by the curve H in FIG. 8, and the measurement wavelength is in the visible light range of 400 to 700 nm.
  • the minimum reflectance is 0.01% or less, the maximum reflectance is 1.53% and the average reflectance is 0.24% or less, and a low-reflection thin film substrate with extremely low reflectance is obtained.
  • Fig. 8 also shows the reflectance curve I of the low-reflection chromium thin film substrate obtained when the chromium metal was used as the sputtering target.
  • the low-reflection tantalum thin-film substrate according to the present invention has a lower measurement than the low-reflection chromium thin-film substrate, as is clear from the comparison between the curves H and I in FIG.
  • the reflectance is low over a wide range of wavelengths. In particular, the reflectance near the wavelength of about 400 nm or about 700 nm is much lower than that of the low-reflection tantalum thin film substrate of the present invention. .
  • Table 1 shows the reflectance characteristic values of the low-reflection thin film substrate described above.
  • the measurement wavelength range is from 400 nm to 700 nm.o
  • the low-reflection sunset thin-film substrate according to the present invention has a wavelength of 4 nm.
  • the reflectance which has a maximum value at 100 nm, can be reduced to 1.0% or less by changing the total thickness and the thickness ratio of the first layer and the second layer delicately. It was confirmed that it could be reduced.
  • the reflectance at a wavelength of 400 nm when the reflectance at a wavelength of 400 nm is reduced, the reflectance at a wavelength of 700 nm is increased, thereby increasing the reflectance. As a result, the average reflectance did not decrease much.
  • a chromium component that is in tune with the self-restraint of the use of chromium metal in the manufacturing process of color liquid crystal panel projectors and projectors.
  • the present invention provides a low-reflection thin-film substrate that is not inferior in characteristics such as optical density and reflectivity as compared with characteristics when a film is formed using a chromium-based metal.
  • this bottom reflective thin film substrate has a low reflectance over a wide wavelength range of visible light, and has a flattened spectral reflectance curve over a wide range of wavelengths. It is expected to be used not only for functions but also for more sophisticated thin film substrates.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Description

明 細 書 低反射薄膜基板 技術分野
こ の発明 は、 低反射薄膜基板に関す る も のであ る 。 さ ら に詳 し く は、 こ の発明 は、 遮光性 と光反射防止性を有す る 光学薄膜に係わ る 分野、 た と え ば液晶パ ネ ル用 カ ラ ー フ ィ ル タ 基板の製造に特に有用 な ブ ラ ッ ク マ ト リ ッ ク ス、 あ る い はプ ロ ジ ェ ク タ の製造に有用 な プ ロ ジ ヱ ク タ 枠等に用 い ら れ る 低反射金属 · 合金系薄膜基板に 関す る も ので あ る 。 背景技術
カ ラ ー 液晶パ ネ ル は、 情報機器の表示装置等に お いて広 範囲 にわた っ て利用 さ れて お り 、 近年の情報化社会の進展 に伴い、 ま す ま す大画面で、 高い精細を 目 指 し た開発が繰 り 広げ ら れて い る 。
こ の よ う な カ ラ 一液晶 、。 ネ ノレ に ぉ レ、て は、 画面の コ ン 卜 ラ ス ト を上 げた り 、 発色効果を高めて表示画像を鲜明化す る た めに、 赤 ( R ) 、 綠 ( G ) 、 青 ( B ) の各 カ ラ 一 フ ィ ル タ ー画素間 に は、 反射性が少な く 、 遮光性が良好な ブ ラ ッ ク マ ト リ ッ ク ス が配設 さ れて い る 。
従来、 こ の ブ ラ ッ ク マ ト リ ッ ク ス は、 例え ば ク ロ ム 等の 金属 タ ー ゲ ッ ト を スパ ッ タ リ ン グ して 、 金属層等を積層 し た低反射薄膜基板を、 公知の フ ォ ト リ ソ グ ラ フ ィ 技術を用 い たエ ッ チ ン グに よ る パ 夕 一 ニ ン グを行 う こ と で製造 さ れ ている。 こ の よ う な積層低反射薄膜基板 と して、 酸化 ク ロ ム層 と ク ロ ム金属層を積層 した も のが知 られて も いる。
こ の場合、 多層 に積層 し光干渉に よ り 反射率を抑え、 一 方積層の中 に反射率が高 く 透過性が少な い ク ロ ム金属層を 含むこ と か ら光遮蔽機能を有する も のであ る。
ま た、 ブ ラ ッ ク マ ト リ ッ ク ス につレ、て は、 表示パネ ルへ の顔や背景の映 り 込みを極力押さ えて画像を見やす く する ために低反射化 し、 同時にパネ ル内部のバ ッ ク ラ イ 卜 か ら の光が透過する と色調がは っ き り しな く な る ために光学濃 度を一定水準以上に保つ こ とが求め ら れている。
こ の観点か ら も、 反射率が低 く 、 一定の光学濃度を保つ 低反射薄膜基板を製造す る ために、 ク ロ ム金属の含 ま れた 材料を夕 ー ゲ ッ ト と してスパ ッ タ リ ン グ成膜する こ と が代 表的な技術 と して従来か ら知 られ、 利用 さ れてい る。
しか しなが ら、 一般的に六価以外の原子価を も つ ク ロ ム は毒性は少ない ものの、 六価の原子価を もつ ク ロ ム は人体 への毒性が強 く 、 環境を汚染す る と い う 問題があ り 、 世論 を鑑みて最近は、 液晶パ ネ ルの製造工程において ク ロ ム金 属の使用 を 自粛す る機運にあ り 、 ク ロ ム成分を含 ま な い低 反射薄膜基板が求め られている。
しか も ま た、 公知の低反射 ク ロ ム薄膜は、 極小反射率が
0 . 5 %以下 (波長は 6 0 O n m近辺) 、 光学濃度は 4 . 0 以上あ る も のの、 波長が 4 0 0 〜 7 0 0 n m (可視光の ほぼ全域) にお ける平均反射率 (例えば波長が 1 n m 間隔 ご との反射率を合算 し、 測定点数で割 つ て得た値) は 1 . 5 %以上で、 最大反射率は 5 % を超えて い る のが現状であ る 。 なお、 こ の反射率はォ リ ンパス光学工業 (株) 製の顕 微分光 O S P — S P 2 0 0 を用 い、 ァ ノレ ミ 薄膜を リ フ ァ レ ン ス と して測定 して確認 した も のであ り 、 ガラ ス面か らの 反射率は含んでいな い。
一般に、 極小反射率が 0 . 5 %以下で、 最大反射率が 5 % を超え る と き の低反射薄膜基板は、 反射色に、 最大反射 率を示す波長の影響が出て し ま う 。 実際、 た と えば、 波長 力 4 0 0 〜 7 0 0 n mの範囲において、 最大反射率を示す 波長が、 短波長側の 4 0 0 n m (付近) にあ る 時は反射色 に青紫色が強調 さ れ、 長波長側の 7 0 0 n m (付近) にあ る と き は反射色に赤色が強調さ れて し ま う 。
こ の よ う な低反射薄膜基板をプロ ジ ェ ク タ 一枠 と して使 用す る場合は、 ス ク リ ー ン に映 し出 さ れる枠 も青紫色か赤 色を帯びて し ま う と い う 欠点があ る。
ま た、 低反射薄膜基板 と して樹脂を用 い る こ と も 提案 さ れているが、 こ の樹脂の場合に は無機材料 と比較する と耐 光性や耐熱性の点で劣る ので、 強力光源に よ っ て光学特性 が著 し く 劣化する と い う 問題があ る。
こ のため、 最近では、 上記 ク ロ ム基板の場合の よ う な環 境上の問題がな く 、 しか も 、 可視光のほぼ全域において反 射率が低 く 、 耐光性に も優れた低反射薄膜基板の実現が求 め られていた。 発明の開示
上記課題を解決する ために、 こ の発明は、 可視光域にお いて極小反射率が 0 . 5 %以下、 光学濃度が 4 以上で、 透 明 ガ ラ ス基板上に ス パ ッ タ リ ン グに よ り N i 、 F e 、 C o M o、 W、 T a ま た は N b の 1 種以上か ら な る 薄膜が成膜 さ れて い る こ と と 、 ス ノく ッ 夕 リ ン グに よ り C r を含 ま な い N i 、 F e 、 C o、 M o 、 W、 T a 、 C u ま た は N b の 1 種以上か ら な る 薄膜が多層成膜 さ れて い る こ と を特徴 とす る 低反射薄膜基板を提供す る。
さ ら に、 可視光域に おいて、 極小反射率が 0 . 5 %以下 平均反射率が 2 %以下で、 透明 ガラ ス基板上に スパ ッ タ リ ン グに よ り ア ル ミ ニ ウ ム 系薄膜が成膜 さ れて い る こ と と、 こ の基板に ついて、 光学濃度が 4 以上であ る こ と や、 スパ ッ タ リ ン グに よ り C r を含 ま な いア ル ミ ニ ウ ム を主成分 と す る 薄膜が成膜あ る い は多層成膜 さ れて い る こ と 、 さ ら に - 可視光域に おいて、 極小反射率が 0 . 1 %以下、 最大反射 率が 2 . 0 %以下、 平均反射率が 0 . 3 %以下で、 透明 ガ ラ ス基板上 に スパ ッ 夕 リ ン グに よ り 薄膜が成膜 さ れて い る こ と と 、 こ の基板に ついて、 光学濃度が 4 . 0 以上であ る こ と や、 T a がスパ ッ 夕 リ ン グに よ り 多層成膜 さ れて い る こ と や、 T a に は、 N i 、 F e 、 C o 、 W、 N b、 C u、 T i 、 Z r 、 ま た は S n の 1 種以上が含 ま れて レ、 る こ と 、 さ ら に、 上記すベて の基板に ついて、 真空成膜装置内 にお いて不活性ガス、 酸素 ま た は酸化炭素ガス の少な く と も 1 種以上の ガス雰囲気下で ス パ ッ 夕 リ ン グ さ れて レ、 る こ と 等 も そ の態様の一つ と して 提供す る 。
つ ま り 、 こ の発明 に よ っ て低反射薄膜基板は、 製造工程 に おいて ク ロ ム系金属 を用 いずに得 ら れ る ばか り でな く 、 光学濃度や反射率等の特性 も ク ロ ム系金属 を用 いて成膜 し た と き の特性 と比較 して何 ら遜色がな く 、 さ ら に、 可視光 の広い波長にわた っ て反射率が低 く 、 分光反射率曲線の形 状は広範囲に平坦化 した結果を も 得 ら れてい る。
図面の簡単な説明
第 1 図は、 こ の発明の低反射薄膜基板を例示 した 2 層構 造の断面概要図であ る。
第 2 図は、 低反射薄膜基板にお け る 光の波長 と反射率の 関係を例示 した図であ り 、 曲線 A は、 実施例 1 の低反射二 ッ ケル ー鉄合金薄膜基板であ り 、 曲線 B は比較のための低 反射ク ロ ム薄膜に よ る も のであ る。
第 3 図は、 こ の発明の低反射薄膜基板を例示 した 3 層構 造の断面概要図であ る。
第 4 図は、 低反射薄膜基板にお け る光の波長 と反射率の 関係を例示 した図であ り 、 曲線 C は、 実施例 2 の低反射二 ッ ケル - モ リ ブデ ン合金薄膜基板であ り 、 曲線 D は実施例 3 の低反射ニ ッ ケル — タ ン グス テ ン合金薄膜基板に よ る も のであ る。
第 5 図は、 低反射薄膜基板にお け る 光の波長 と反射率の 関係を例示 した図であ り 、 曲線 E は、 実施例 4 の低反射二 ッ ケルー 銅合金薄膜基板に よ る も のであ る。
第 6 図は、 低反射薄膜基板にお け る光の波長 と反射率の 関係を例示 した図であ り 、 曲線 F は、 こ の発明に よ る低反 射ア ル ミ ニ ウ ム薄膜基板であ り 、 曲線 G は比較のための低 反射 ク ロ ム薄膜に よ る も のであ る 。 第 7 図は、 こ の発明の低反射ア ル ミ ニ ウ ム薄膜基板の各 層 ご と に、 透明ガラ ス基板上へ単層成膜 し、 分光エ リ プソ メ ー タ ーで測定 した波長— 屈折率特性を簡単に例示 した図 であ る。 ( a ) は第 1 層 目 を、 ( b ) は第 2 層 目 を、 ( c ) は第 3 層 目 の波長— 屈折率特性を示 してい る。
第 8 図は、 低反射薄膜基板にお け る光の波長 と反射率の 関係を例示 した図であ り 、 曲線 H は、 こ の発明に よ る低反 射タ ン タ ル薄膜基板であ り 、 曲線 I は比較のための低反射 ク ロ ム薄膜基板に よ る も のであ る。
第 9 図は、 こ の発明の低反射タ ン タ ル薄膜基板の各層 ご と に、 透明 ガラ ス基板上へ単層成膜 し、 分光エ リ プ ソ メ 一 タ ーで測定 した波長 - 屈折率特性を簡単に例示 した図であ る。 ( a ) は第 1 層 目 を、 ( b ) は第 2 層 目 を、 ( c ) は 第 3 層 目 の波長 - 屈折率特性を示 してい る。 発明を実施す る ための最良の形態
こ の発明の低反射薄膜基板は、 上記の と お り 、 こ れ ま で の薄膜 と して は全 く 知 られていな い光学特性を も つ低反射 薄膜基板であ る こ と を本質的な特徴 と してい る。 しか も、 ク ロ ム成分を一切含 ま ない。
こ の発明の低反射薄膜基板は、 低反射 ク ロ ム薄膜基板 と 同様に、 多層 に積層 し、 た とえば 2 〜 7 層程度 とする。 こ の場合、 各層の膜厚が適宜に選択 さ れる。
スパ ッ タ リ ン グは、 いわゆる反応性スパ ッ 夕 と して実施 す る こ とがで き 、 ア ル ゴ ン等の希ガス を含めた窒素等の不 活性ガス、 酸素ガス 、 C 0、 C 0 2 等の酸化炭素ガス がそ の た めの 雰囲気の代表例 と して示 さ れ る。
タ ー ゲ ッ ト 材 と して、 鉄族金属、 すな わ ち、 N i 、 F e C o、 M o、 W、 T a 、 ま た は N b の 1 種以上か ら な る も の、 た と え ば代表的に は、 N i — F e (パ一 マ ロ イ ) 、 N i — C o 、 F e - C o、 N i - F e - C o、 N i - M o . N i — W、 N i - T a 、 F e - M o 、 F e - W、 F e — N b 、 N i _ C u、 N i — M o — T a 等の合金や、 T a 、 N b 等の金属が例示 さ れ、 こ れ ら の タ ー ゲ ッ ト 材が促進的添 加成分 と して、 C u、 T i 、 Z r 、 S n の 1 種以上を含ん で いて も よ い場合の スパ ッ 夕 リ ン グでは、 2 層 の スパ ッ 夕 成膜の場合で、 第 〖 層 (透明 ガ ラ ス 基板上) : 3 0 〜 6 0 n m、 第 2 層 : 7 0 〜 1 6 0 n m、 ま た、 3層のス ノ ッ 夕 成膜で、 第 1 層 : l 〜 6 0 n m、 第 2 層 : 2 0 〜 8 0 n m 第 3 層 : 8 0 〜 1 5 O n m とす る こ と がそ れぞれ考慮 さ れ o
夕 ー ゲ ッ ト 材 と してア ル ミ ニ ウ ム系 の も の、 代表的に は ア ル ミ ニ ウ ム ま たは こ れを主成分 と し、 さ ら にチ タ ン 、 ジ ル コ ニ ゥ ム、 タ ン タ ル、 ノヽ フ ニ ゥ ム、 そ の他の元素を適宜 含む も の等が用 い ら れ る スバ ッ タ リ ン グでは、 3 層 の ス パ ッ 夕 成膜の場合で、 第 1 層 (透明 ガ ラ ス基板上) : 4 0 〜 6 0 n m、 第 2層 : 2 8 0 〜 3 2 0 n m、 第 3 層 : 4 0 〜 1 0 O n m と す る こ と が考慮 さ れ る 。
タ ー ゲ ッ ト 材 と して T a のほ か に、 N i 、 F e 、 C o、 Wを 1 種以上含む T a 合金や、 促進的添加成分 と し て、 C u 、 T i 、 Z r 、 S n の 1 種以上を含む も の等が用 い ら れ る スパ ッ タ リ ン グでは、 多層 に積層 し光干渉に よ り 反射率 を抑え、 ま た、 積層の中 に反射率が高 く 透過性が少な い 夕 ン タ ル金属層を含むこ とか ら光遮蔽機能を有す る も の とな る。 こ の場合の 3 層のスパ ッ タ成膜では、 第 1 層 (透明ガ ラ ス基板上) : 4 0 〜 6 O n m、 第 2 層 : 2 0 〜 5 0 n m 第 3 層 : 1 5 0 〜 2 0 O n m とする こ とが考慮さ れ る。
以下、 実施例を示 し、 さ ら に詳 し く こ の発明について説 明する。 も ち ろん、 こ の発明は以下の実施の形態に よ っ て 限定さ れる も のではない。 実施例
実施例 1
透明基板 と して、 透明ガラ ス基板 ( コ 一 二 ン グ社製の薄 板ガラ ス 1 7 3 7 材) を用い、 洗浄 して清浄表面を得た後 こ の透明ガ ラ ス基板を、 バ ッ チ式反応性スパ ッ タ リ ン グ装 置のニ ッ ケ ル ( 8 0 w t % ) —鉄 ( 2 0 w t % ) 合金か ら 成る スパ ッ タ リ ン グ夕 一 ゲ ッ 卜 に対向する よ う に装着 した ,
2 . 0 X 1 0 "6 T 0 r r 以下にな る ま で排気を行い、 次 いで、 窒素ガス 3 6 0 s c c m と酸素ガス 4 0 s c c mを 導入 し、 その雰囲気中においてス ノ、' ッ 夕 電力 5 k wで 7 . 5 分間のスパ ッ タ リ ン グを行い、 添付の第 1 図に示 した よ う に透明ガラ ス基板 ( 3 ) 上に成膜 した。 ま た基板の加熱 は行わなか っ た。 前記のニ ッ ケ ル 一鉄合金を 夕 ー ゲ ッ 卜 と する こ の反応性ガス スパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 1 層 ( 1 ) を透明ガラ ス基板 ( 3 ) 上に膜厚 4 4 n mで成膜 した。
続いて、 ア ルゴ ン ガス 2 0 0 s c c m を導入 し、 成膜圧 力 1 . 7 ± 0 . 3 m T o r r の雰囲気中で、 基板を加熱を しないで、 スパ ッ タ 電力 5 k wで約 1 2 分間のスパ ッ タ リ ン グを行 っ た。 前記のニ ッ ケ ル 一鉄合金を タ ー ゲ ッ ト とす る こ の反応性ガススパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 2 層 ( 2 ) を 第 1 層 ( 1 ) 上に膜厚 1 1 O n mで成膜 した。
得 られた 2 層構造の低反射薄膜基板 ( 4 ) の膜厚は約 1 5 4 n mであ っ た。 光学濃度は 4 . 3 であ り 遮光性に優れ た ものであ っ た。
ま た、 こ の低反射薄膜基板の波長 と反射率の関係は第 2 図の曲線 A に示さ れる通 り であ り 、 可視光域 (波長 4 0 0 〜 7 0 0 n m ) におけ る極小反射率は、 波長が約 6 0 0 n mの と き に 0 . 0 5 %以下、 最大反射率は 6 . 3 %以下 と 極めて低か っ た。 なお、 反射率の測定にはォ リ ンパス光学 工業 (株) 製の顕微分光 O S P — S P 2 0 0 を用 い、 ア ル ミ 薄膜を リ フ ァ レ ン ス と して測定 した も のであ り 、 硝子面 か らの反射率は含んでいな い。 以下の実施例について も 同 様 'め る。
比較のために、 ク ロ ム金属をスパ ッ タ リ ン グタ ー ゲ ッ 卜 と した と き に得 られた低反射 ク ロ ム薄膜基板の反射率曲線 B を第 2 図に併記する。
こ の発明に よ る低反射薄膜基板は、 第 2 図の曲線 Aお よ び B の対比か ら も明 らかな よ う に、 低反射 ク ロ ム薄膜基板 と比べる と、 極小反射率等の光学特性に関 して何 ら遜色が ない。
尚、 上記の第 1 層は導入 ガス の種類や導入 ガス流量比を 適宜変化さ せる こ と で多層構造に して も低反射薄膜基板が 得 られ る。 夕 一 ゲ ッ ト 材料 と しては、 上記実施例 に示 し たニ ッ ケ ル 一 鉄合金のほ かに、 ニ ッ ケ ル 一 モ リ ブ デ ン ( 2 8 w t % ) ニ ッ ケ ノレ一 タ ン グ ス テ ン ( 1 9 . 1 w t % ) 、 銅や そ の他 の元素を含むニ ッ ケ ル合金等 も 有用 であ る こ と が同様に し て確認 さ れた。 実施例 2
ニ ッ ケ ル ( 7 2 w t % ) — モ リ ブデ ン ( 2 8 w t % ) 合 金か ら成 る スパ ッ タ リ ン グタ ー ゲ ッ ト を用 い、 実施例 1 と 同様の透明 ガ ラ ス基板 と スパ ッ タ リ ン グ装置を用 いて成膜 を行 っ た。
2 . 0 X 1 0 - 6 T o r r 以下にな る ま で排気を行い、 つい で、 窒素ガス 3 0 0 r c c m と酸素ガス 1 0 0 s c c mを 導入 し、 成膜圧力 が約 2 . 3 m T o r r の雰囲気中 に お い て スパ ッ 夕 電力 7 . 0 k wで 6 1 5 秒間の スパ ッ タ リ ン グ を行 っ た。 ま た基板温度は約 2 0 0 °C と した。 前記のニ ッ ケ ル ー モ リ ブデ ン 合金を タ ー ゲ ッ ト と す る こ の反応性ガス ス ノ、。 ッ タ リ ン グに よ っ て、 添付の第 3 図 に示 し た よ う に第
1 層 ( 1 1 ) を透明 ガ ラ ス基板 ( 3 ) 上 に膜厚 4 1 n mで 成膜 し た。
続いて、 ア ル ゴ ン ガス 2 4 0 s c c m、 窒素ガス 1 6 0 s c c m、 酸素 ガス 4 0 s c c m を導入 し、 成膜圧力 が約
3 . 3 m T o r r の雰囲気中 に お いて ス ノ、° ッ 夕 電力 8 . 3 k wで 2 8 0 秒間 の ス パ ッ タ リ ン グを行 っ た。 前記のニ ッ ケ ル ー モ リ ブデ ン 合金を 夕 ー ゲ ッ ト と す る こ の反応性 ガス スパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 2 層 ( 1 2 ) を第 1 層 ( 1 1 ) 上に膜厚 4 1 n mで成膜 した。
引 き続いて、 窒素ガス 2 0 0 s c c mを導入 し、 成膜圧 力が約 1 . 2 m T o r r の雰囲気中において スパ ッ 夕 電力 8 . 3 k wで 1 3 3 0 秒間のス ノ、° ッ 夕 リ ン グを行 っ た。 前 記のニ ッ ケル — モ リ ブデ ン合金を タ ー ゲ ッ ト とす る こ の反 応性ガス ス ノ ッ タ リ ン グに よ っ て第 3 層 ( 1 3 ) を第 2 層 ( 1 2 ) 上に膜厚 1 1 5 n mで成膜 した。
尚、 第 3 層 ( 1 3 ) を作製す る と き に用いた窒素ガス 2 0 0 s c c mの代わ り にア ルゴ ン ガスや、 ア ルゴ ン と窒素 あ る いは酸素 との混合 ガスを導入 して も 良い。 得 られた 3 層構造の低反射薄膜基板 ( 1 4 ) の膜厚は 1 9 7 n m、 光 学濃度は 4 . 1 であ り 遮光性に優れた も のであ っ た。
ま た、 こ の低反射薄膜基板の波長 と反射率の関係は、 第 4 図の曲線 C に示さ れる通 り であ り 、 可視光域 ( 波長 4 0 0 〜 7 0 0 n m ) にお け る極小反射率は波長が 6 0 0 n m の と き に 0 . 0 5 %以下、 最大反射率は 4 . 7 % と極めて 低か っ た。
実施例 3
ニ ッ ケ ノレ ( 8 0 . 9 w t % ) — タ ン グ ス テ ン ( 1 9 . 1 w t % ) 合金力、 ら成る ス ノ、 ' ッ タ リ ン グタ ー ゲ ッ ト を用 い実 施例 1 と 同様の透明ガラ ス基板 と スパ ッ タ リ ン グ装置を用 いて成膜を実施 した。
2 . 0 X 1 0 "6 T 0 r r 以下にな る まで排気を行い、 つ いで、 窒素ガス 3 4 0 s c c m と酸素ガス 6 0 s c c m を 導入 し、 成膜圧力が約 2 . 3 m T o r r の雰囲気中におい て スパ ッ 夕 電力 8 . 3 k wで 1 9 5 秒間のスパ ッ タ リ ン グ を行 っ た。 ま た基板温度は約 2 0 0 °C と した。 前記のニ ッ ケ ル ー タ ン グス テ ン合金を タ ー ゲ ッ ト とす る こ の反応性ガ ス スパ ッ タ リ ン グに よ っ て、 添付の第 4 図に示 した よ う に 第 1 層 ( 1 1 ) を透明ガ ラ ス基板 ( 3 ) 上に膜厚 1 7 n m で成膜 した。
続いて、 ア ル ゴ ン ガス 1 2 0 s c c m、 窒素ガス 2 4 0 s c c m、 酸素ガス 4 0 s c c mを導入 し、 成膜圧力が約 2 . 5 m T o r r の雰囲気中 においてス ノ、。 ッ タ 電力 8 . 3 k wで 2 3 8 秒間のス ノ、 ' ッ タ リ ン グを行っ た。 前記のニ ッ ゲ ル — 夕 ン グステ ン合金をタ ー ゲ ッ ト とする こ の反応性ガ ススパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 2 層 ( 1 2 ) を第 1 層 ( 1 1 ) 上に膜厚 3 2 n mで成膜 した。
引 き続いて、 ア ル ゴ ン ガス 2 0 0 s c c m を導入 し、 成 膜圧力が約 2 . O m T o r r の雰囲気中においてスパ ッ 夕 電力 8 . 3 k wで 4 0 0 秒間のス ノく ッ 夕 リ ン グを行 っ た。 前記のニ ッ ケル — 夕 ン グステ ン合金を 夕 — ゲ ッ ト とする こ の反応性ガススパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 3 層 ( 1 3 ) を第 2 層 ( 1 2 ) 上に膜厚 1 0 O n mで成膜 した。
得 られた 3 層構造の低反射薄膜基板 ( 1 4 ) の膜厚は 1 4 9 n m、 光学濃度は 4 . 2 であ り 遮光性に優れた も ので め つ 7こ o
ま た、 こ の低反射薄膜基板の 長 と反射率の関係は、 第
4 図の曲線 D に示さ れる通 り であ り 、 可視光域 (波長 4 0
0 〜 7 0 O n m ) にお け る極小反射率は波長力 6 1 O n m の と き に 0 . 1 2 %以下、 最大反射率は 6 . 8 8 % と極め て低か っ た。 実施例 4
ニ ッ ケル ( 5 5 t % ) 一 銅 ( 4 5 w t % ) 合金か ら成 る スパ ッ タ リ ン グ夕 — ゲ ッ ト を用 い実施例 1 と 同様の透明 ガ ラ ス基板 と スパ ッ 夕 リ ン グ装置を用 いて成膜を実施 した
2 . 0 X 1 0 ~6 T 0 r r 以下にな る ま で排気を行い、 つ いで、 窒素ガス 2 4 0 s c c m と酸素ガス 8 0 s c c m、 及びア ル ゴ ン ガス 8 0 s c c mを導入 し、 成膜圧力が約 2 5 m T 0 r r の雰囲気中において スパ ッ タ 電力 6 . 0 k w で 3 3 0 秒間のスパ ッ 夕 リ ン グを行 っ た。 ま た基板温度は 約 2 0 0 で と した。 前記のニ ッ ケル —銅合金をタ ー ゲ ッ 卜 と する こ の反応性ガス スパ ッ タ リ ン グに よ っ て、 添付の第 1 図に示 した よ う に第 1 層 ( 1 ) を透明ガラ ス基板 ( 3 ) 上に膜厚 4 5 n mで成膜 した。
続いて、 アルゴ ン ガス 1 4 0 s c c m、 窒素ガス 6 0 s c c mを導入 し、 成膜圧力が約 2 . 0 m T 0 r r の雰囲気 中 においてス ノ、。 ッ 夕 電力 8 . 3 k wで 5 5 0 秒間のスパ ッ 夕 リ ン グを行っ た。 前記のニ ッ ケル 一銅合金を夕 — ゲ ッ ト とする こ の反応性ガススパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 2 層 ( 2 ) を第 1 層 ( 1 ) 上に膜厚 1 4 O n mで成膜 した。
得 られた 2 層構造の低反射薄膜基板 ( 4 ) の膜厚は 1 8 5 n m、 光学濃度は 4 . 1 であ り 遮光性に優れた も のであ つ た。
ま た、 こ の低反射薄膜基板の波長 と反射率の関係は、 第 5 図の曲線 E に示さ れる通 り であ り 、 可視光域 (波長 4 0 0 〜 7 0 0 n m ) にお け る極小反射率は波長力 6 1 O n m の と き に 0 . 1 1 %以下、 最大反射率は 6 . 0 6 % と極め て低か つ た。
実施例 5
透明基板 と して、 透明ガラ ス基板 ( コ 一 二 ン グ社製の薄 板ガ ラ ス 1 7 3 7 材) を用い、 洗浄 して清浄表面を得た後 こ の透明ガ ラ ス基板を、 バ ッ チ式反応性スパ ッ タ リ ン グ装 置の ア ル ミ 二ゥ ムを主成分 とす る 金属 (チ タ ン を 4 w t % 含む) の ス ハ。 ッ 夕 リ ン グ夕 ー ゲ ッ 卜 に対向する よ う に装着 した。
0 . 1 m T 0 r r 以下にな る ま で排気を行い、 次いで、 ァ ル ゴ ン ガス 1 4 0 s c c m と窒素ガス 6 0 s c c m を導 人 し、 その雰囲気中でスパ ッ 夕 電力 1 0 k wで 1 0 分間の スノヽ0 ッ 夕 リ ン グを行い、 添付の第 3 図に示 した よ う に、 透 明ガ ラ ス基板 ( 3 ) 上に成膜 した。 成膜圧力 は 1 . 8 ± 0 3 m T 0 r r に維持 した。 なお、 基板の加熱は行わなか つ た。
ア ル ミ ニ ゥ ムを主成分 とす る金属を タ ー ゲ ッ ト とす る こ の反応性ガス スパ ッ 夕 リ ン グに よ っ て第 1 層 ( 1 1 ) を透 明ガ ラ ス基板 ( 3 ) 上に膜厚 4 8 n mで成膜 した。
続いて、 ァ ルゴ ン ガス 1 6 0 s c c m と窒素ガス 4 0 s c c m を導入 し、 成膜圧力 1 . 7 ± 0 . 3 m T o r r の雰 囲気中で、 基板を加熱 しないで、 スパ ッ 夕 電力 1 0 k wで 約 1 5 分間 の スパ ッ 夕 リ ン グを行 っ た。 ア ル ミ ニ ウ ム を主 成分 とす る 金属を 夕 ー ゲ ッ ト とする こ の反応性ガス スパ ッ 夕 リ ン グに よ つ て第 1 図の第 2 層 ( 1 2 ) を第 1 層 ( 1 1 ) 上に膜厚 2 9 3 n mで成膜 した。
引 き 続いて、 ア ル ゴ ン ガス 2 0 0 s c c m を導入 し、 成 膜圧力 2 . 1 ± 0 . 3 m T o r r の雰囲気中で、 基板を加 熱を しないで、 スパ ッ ク 電力 1 0 k wで約 3 分間のスパ ッ タ リ ン グを行 っ た。 ア ル ミ ニ ウ ム を主成分 とす る 金属を 夕 ー ゲ ッ ト とす る こ の反応性ガス ス パ ッ タ リ ン グに よ っ て第 3 層 ( 1 3 ) を第 2 層 ( 1 2 ) 上に膜厚 5 1 n mで成膜 し た。
こ の よ う に して得 られた低反射薄膜基板 ( 1 4 ) の全平 均膜厚は約 3 9 2 n mであ っ た。 光学濃度は 5 . 1 であ り 遮光性に優れた ものであ っ た。
ま た、 こ の低反射薄膜基板の波長 と反射率の関係 は第 6 図の曲線 F に示 した と お り であ り 、 可視光域 (波長 4 0 0 〜 7 0 0 n m ) にお ける極小反射率は 0 . 1 %以下で、 可 視光域にお ける平均反射率は 2 %以下 と な っ た。
比較のために、 第 6 図に は、 ク ロ ム金属をス ノ、。 ッ タ リ ン グタ ー ゲ ッ ト と した と き に得 られた低反射 ク ロ ム薄膜基板 の反射率曲線 G を併記 している。
こ の発明に よ る低反射ア ル ミ ニウ ム薄膜基板は、 第 6 図 の曲線 F お よ び G の対比か ら も 明 らかな よ う に、 低反射 ク ロ ム薄膜基板 と比べる と、 極小反射率に関 して は何 ら遜色 がな く 、 平均反射率は 0 . 9 3 % と な り 、 低反射 ク ロ 厶薄 膜基板の 1 . 9 % よ り も さ ら に低い。
実施例 6
実施例 5 の低反射ア ル ミ ニゥ ム薄膜基板の第 1 層か ら第 3 層 ま での各層の単層膜を各 々 透明ガラ ス基板の上に成膜 し、 S O P R A製分光エ リ プ ソ メ 一 夕 を用いて屈折率を評 価 した。 その一例を第 7 図に示 した。 実施例 7
透明基板 と して、 透明 ガ ラ ス基板 ( コ 一 二 ン グ社製の薄 板ガ ラ ス 7 0 5 9 材) を用 い、 洗浄 して清掃表面を得た後 こ の基板を、 バ ッ チ式反応性スパ ッ タ リ ン グ装置の タ ン タ ル ( T a ) 力、 ら成る スパ ッ タ リ ン グ 夕 ー ゲ ッ 卜 に対向す る よ う に装着 した。 な お、 透明 ガラ ス基板の加熱は行わ なか つ た。
2 . 0 1 0 -e T 0 r r 以下に な る ま で排気を行い、 次 いで、 ア ル ゴ ン ガス 2 0 0 s c c m と酸素ガス 2 0 0 s c c mを導入 し、 圧力 が 2 . 2 X 1 0 -3 T 0 r r の雰囲気中 でス ノ、。 ッ 夕 電力 8 . 3 k wで約 2 7 分間 の ス パ ッ タ リ ン グ を行 っ た。 タ ン タ ルを 夕 一 ゲ ッ ト と す る こ の反応性 ガス ス ノ ッ 夕 リ ン グに よ っ て添付の第 3 図 に示 し た よ う に第 1 層 ( 1 1 ) を透明 ガ ラ ス 基板 ( 3 ) 上 に膜厚約 5 1 n mで成 膜 した。
続いて、 ア ル ゴ ン ガス 2 4 0 s c c m と 窒素ガス 1 6 0 s c c mを導入 し、 2 . 3 X 1 0 — 3 T o r r の雰囲気中で . ス ノ、。 ッ タ 電力 8 . 3 k wで約 5 分間 の ス パ ッ タ リ ン グを行 つ た。 タ ン タ ルを 夕 一 ゲ ッ ト と す る こ の反応性ガス スパ ッ 夕 リ ン グに よ っ て第 2 層 ( 1 2 ) を第 1 層 ( 1 1 ) 上に膜 厚約 3 5 n mで成膜 し た。
引 き 続いて、 ァ ノレ ゴ ン ガス 2 0 0 s c c m を導入 し、 1 . 5 x l O —3 T o r r の雰囲気中で、 スパ ッ 夕 電力 8 . 3 k wで約 3 5 分間の スパ ッ 夕 リ ン グを行 っ た。 タ ン タ ル を 夕 ー ゲ ッ ト と す る こ の反応性ガス スパ ッ タ リ ン グに よ っ て第 3 層 ( 1 3 ) を第 2 層 ( 1 2 ) 上 に膜厚約 1 7 0 n mで成 膜 した。
得 られた 3 層構造の低反射薄膜基板 ( 1 4 ) の全膜厚は 約 2 5 6 n mであ っ た。 光学濃度は 4 . 2 であ り 遮光性に 優れた も のであ っ た。
ま た、 こ の低反射薄膜基板の波長 と 反射率の関係は第 8 図 の曲線 H に示さ れ る通 り であ り 、 測定波長が 4 0 0 〜 7 O O n mの可視光域にお け る極小反射率は 0 . 0 1 %以下 最大反射率は 1 . 5 3 %、 平均反射率は 0 . 2 4 %以下と な り 、 反射率が極めて低い低反射薄膜基板が得 られた。
比較のために、 第 8 図に は、 ク ロ ム金属をスパ ッ タ リ ン グタ ーゲ ッ 卜 と した と き に得 られた低反射 ク ロ ム薄膜基板 の反射率曲線 I を併記する。
こ の発明に よ る低反射タ ン タ ル薄膜基板は、 図 8 の曲線 Hお よ び I の対比か ら も 明 らかな よ う に、 低反射 ク ロ ム薄 膜基板 と比べる と、 測定波長の幅広い範囲において反射率 が低 く な つ ている。 特に波長が 4 0 0 n m近辺や 7 0 O n m近辺にお ける反射率は、 本発明の低反射タ ン タ ル薄膜基 板のほ う 力べは っ き り 低い こ とがわ力、る。
上記の通 り 述べた低反射薄膜基板の反射率特性値を表 1 に示 した。 測定波長の範囲は 4 0 0 n m 〜 7 0 0 n mであ o
表 1
Figure imgf000020_0001
な お 、 本発明 に よ る 低反射 夕 ン 夕 ル薄膜基板は波長が 4
0 0 n m の と き に最大値を と る 反射率を、 第 1 層 と 第 2 層 の ト ー タ ル膜厚や膜厚比を微妙に変え る こ と で、 1 . 0 % 以下 ま で低下で き る こ と が確認で き た。 半面、 低反射 ク ロ ム薄膜基板の と き は、 波長が 4 0 0 n m の反射率を低下 さ せ る と 、 それに汉動 して波長が 7 0 0 n m の反射率が高 く な り 、 結问平均反射率は あ ま り 低下 しな か っ た。
夕 一 7 ッ 卜 材料 と して は、 上記実施例 と して示 した タ ン タ ルのほ かに、 ニ ッ ケ ル、 鉄、 コ ノくル ト 、 タ ン グス テ ン 、 銅やそ の他の元素を含むタ ン タ ル合金等 も 有用 であ る こ と が同様に確認 さ れた。
実施例 8
^施例 7 の低反射 夕 ン タ ル薄膜基板の第 1 層か ら第 3 層 ま での各層 の単層膜を各 々 透明 ガ ラ ス基板の上に成膜 し、 S O P R A 製分光エ リ プ ソ メ 一 タ を用 いて屈折率を評価 し た。 そ の一例を図 9 に示 した。 産業上 の利用可能性
こ の発明に よ り 、 カ ラ ー 液晶ハ' ネ ノレやプロ ジ ェ ク タ ー の 製造工程にお け る ク ロ ム金属の使用 を 自 粛す る機運に合致 した、 ク ロ ム成分を含 ま ず、 ま た、 光学濃度や反射率等の 特性 も ク ロ ム系金属を用 いて成膜 した と き の特性 と比較 し て遜色がな い低反射薄膜基板が提供 さ れる。 さ らに、 こ の 底反射薄膜基板は、 可視光の広い波長にわた っ て反射率が 低 く 、 分光反射率曲線の形状 も広範囲に平坦化 した結果を 有 していて、 従来 と同等の機能だけでな く 、 よ り 高機能な 薄膜基板 と してそ の利用が期待 さ れる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 可視光域に お いて、 極小反射率が 0 . 5 %以下、 光学 濃度が 4 以上で、 透明 ガ ラ ス基板上 に スパ ッ タ リ ン グに よ り N i 、 F e 、 C o、 M o 、 W、 T a 、 ま た は N b の 1 種 以上か ら な る 薄膜が成膜 さ れて い る こ と を特徴 と す る 低反 射薄膜基板。
2 . 透明 ガラ ス基板上 に C r 成分を含 ま な い N i 、 F e 、 C o、 M o、 W、 T a 、 ま た は N b の 1 種以上力、 ら な る 夕 ー ゲ ッ ト 材料の ス ノ、' ッ 夕 リ ン グに よ り 多層成膜 さ れて い る 請求項 1 の低反射薄膜基板。
3 . 真空成膜装置内 に お いて、 不活性ガス、 酸素 ま た は酸 化炭素ガスの少な く と も 1 種以上の ガス雰囲気下で スパ ッ タ リ ン グ成膜 さ れて い る 請求項 1 ま た は 2 の低反射薄膜基 板。
4 . N i 、 F e お よ び C o の う ち の 1 種以上 と M o 、 W、 T a お よ び N bの う ち の 1 種以上 と の合金を タ ー ゲ ッ ト 材 料 と す る 請求項 1 な い し 3 の いずれかの低反射薄膜基板。
5 . N i 、 F e お よ び C o の う ち の 2 種以上の合金を 夕 一 ゲ ッ ト 材料 とす る 請求項 1 な い し 3 のいずれかの低反射薄 膜基板。
6 . 夕 一 ゲ ッ 卜 材料に は C u、 T i 、 Z r お よ び S n の 1 種以上が含 ま れて い る 請求項 2 な い し 5 の いずれかの低反 射薄膜基板。
7 . 可視光域に お いて、 極小反射率が 0 . 5 % 以下、 平均 反射率が 2 % 以下で、 透明 ガ ラ ス 基板上に スパ ッ タ リ ン グ に よ る ア ル ミ ニ ウ ム系薄膜が形成 さ れて い る こ と を特徴 と す る 低反射薄膜基板。
8 . 光学濃度が 4 以上の請求項 7 の低反射薄膜基板。
9 . 透明 ガ ラ ス基板上に ク ロ ム成分を含 ま な い ア ル ミ ニ ゥ ム を主成分 とす る 夕 一 ゲ ッ ト 材料の スパ ッ 夕 リ ン グに よ り 成膜 さ れて い る請求項 7 ま た は 8 の低反射薄膜基板。
1 0 . 多層成膜 さ れて い る 請求項 7 な い し 9 のいずれかの 低反射薄膜基板。
1 1 . 真空成膜装置内 において、 不活性ガス、 酸素 ま た は 酸化炭素ガス の少な く と も 1 種以上の ガス雰囲気下でスパ ッ 夕 リ ン グ成膜 さ れて い る 請求項 7 な レ、 し 1 0 の いずれか の低反射薄膜基板。
1 2 . 可視光域に お いて、 極小反射率が 0 . 1 %以下、 最 大反射率が 2 . 0 %以下、 平均反射率が 0 . 3 %以下で、 透明 ガ ラ ス基板上に スパ ッ 夕 リ ン グに よ り 薄膜が成膜 さ れ て い る こ と を特徴 と す る 低反射薄膜基板。
1 3 . 光学濃度が 4 . 0 以上であ る 請求項 1 2 の低反射薄 膜基板。
1 4 . 透明 ガラ ス基板上に T a が 夕 一 ゲ ッ ト 材料の スパ ッ 夕 リ ン グに よ り 多層成膜 さ れて い る 請求項 1 2 ま た は 1 3 の低反射薄膜基板。
1 5 . 真空成膜装置内 に お いて、 不活性ガス、 酸素 ま た は 酸化炭素 ガスの少な く と も 1 種以上の ガス雰囲気下でスパ ッ 夕 リ ン グ成膜 さ れて レ、 る請求項 1 2 な い し 1 4 の いずれ かの低反射薄膜基板。
1 6 . タ ー ゲ ッ ト 材料に は N i 、 F e 、 C o 、 W N b 、 C u 、 T i 、 Z r お よ び S n の 1 種以上を含む T a 合金が タ 一 ゲ ッ ト 材料と さ れてい る請求項 1 2 な い し 1 5 のいず れかの低反射薄膜基板。
PCT/JP1997/000553 1996-02-26 1997-02-26 Substrat support de film avec facteur de reflexion bas WO1997031290A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP97903608A EP0901032A4 (en) 1996-02-26 1997-02-26 SLOW REFLECTIVE FILM-SUPPORTING SUBSTRATE
JP53000497A JP3969743B2 (ja) 1996-02-26 1997-02-26 低反射薄膜基板
US10/807,189 US7056587B2 (en) 1996-02-26 2004-03-24 Low-reflective thin-film substrate

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8/38425 1996-02-26
JP8038425A JPH09230326A (ja) 1996-02-26 1996-02-26 低反射アルミニウム薄膜基板
JP8/46481 1996-03-04
JP8046481A JPH09243801A (ja) 1996-03-04 1996-03-04 低反射薄膜基板
JP9570896A JPH09281305A (ja) 1996-04-17 1996-04-17 低反射薄膜基板
JP8/95708 1996-04-17

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09125777 A-371-Of-International 1999-02-16
US69124600A Continuation 1996-02-26 2000-10-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1997031290A1 true WO1997031290A1 (fr) 1997-08-28

Family

ID=27289824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1997/000553 WO1997031290A1 (fr) 1996-02-26 1997-02-26 Substrat support de film avec facteur de reflexion bas

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0901032A4 (ja)
JP (1) JP3969743B2 (ja)
KR (1) KR100497628B1 (ja)
TW (1) TW445303B (ja)
WO (1) WO1997031290A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107537A (ja) * 2000-07-27 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示装置用ブラックマトリクスおよびカラーフィルタ

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128057A (en) * 1996-03-08 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha LCD with masking member having multiple portions having different characteristics
JP3510845B2 (ja) * 2000-08-29 2004-03-29 Hoya株式会社 反射防止膜を有する光学部材
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
WO2008084639A1 (ja) * 2007-01-09 2008-07-17 Ulvac, Inc. 多層膜形成方法及び多層膜形成装置
WO2015064664A1 (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
CN111584515B (zh) * 2020-05-14 2023-06-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN114846395B (zh) * 2020-12-02 2024-06-07 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制造方法、显示面板、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61107303A (ja) * 1984-10-31 1986-05-26 Dainippon Printing Co Ltd 色分解用光学フイルタの形成方法
JPH01142712A (ja) * 1987-11-18 1989-06-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> カラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0463349A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JPH04240818A (ja) * 1991-01-25 1992-08-28 Seiko Instr Inc カラーフィルター基板の製造方法
JPH06299354A (ja) * 1993-04-09 1994-10-25 Kobe Steel Ltd Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
JPH07248415A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Olympus Optical Co Ltd 光学薄膜の製造方法
JPH07267681A (ja) * 1994-03-29 1995-10-17 Olympus Optical Co Ltd 光学薄膜の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05127014A (ja) * 1991-11-06 1993-05-25 Fujitsu Ltd カラーフイルタ用ブラツクマスク
JP3177318B2 (ja) * 1992-11-05 2001-06-18 シャープ株式会社 液晶表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61107303A (ja) * 1984-10-31 1986-05-26 Dainippon Printing Co Ltd 色分解用光学フイルタの形成方法
JPH01142712A (ja) * 1987-11-18 1989-06-05 Internatl Business Mach Corp <Ibm> カラー液晶表示装置およびその製造方法
JPH0463349A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JPH04240818A (ja) * 1991-01-25 1992-08-28 Seiko Instr Inc カラーフィルター基板の製造方法
JPH06299354A (ja) * 1993-04-09 1994-10-25 Kobe Steel Ltd Al合金薄膜及びその製造方法並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
JPH07248415A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Olympus Optical Co Ltd 光学薄膜の製造方法
JPH07267681A (ja) * 1994-03-29 1995-10-17 Olympus Optical Co Ltd 光学薄膜の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0901032A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002107537A (ja) * 2000-07-27 2002-04-10 Asahi Glass Co Ltd 液晶表示装置用ブラックマトリクスおよびカラーフィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0901032A4 (en) 2000-01-12
KR100497628B1 (ko) 2005-09-20
TW445303B (en) 2001-07-11
KR19990087252A (ko) 1999-12-15
EP0901032A1 (en) 1999-03-10
JP3969743B2 (ja) 2007-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100768176B1 (ko) 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
KR101584383B1 (ko) 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법
TWI387843B (zh) A mask substrate, a mask, and a method for manufacturing the same
KR20080031174A (ko) 반사막용 적층체
US20090051860A1 (en) Blank, black matrix, and color filter
KR100768175B1 (ko) 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
KR100708640B1 (ko) 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
TW505829B (en) A transmissive embedded phase shifter-photomask blank
WO1997031290A1 (fr) Substrat support de film avec facteur de reflexion bas
JP2007310335A (ja) 表面鏡
TW538421B (en) CRT panel glass and production method thereof and CRT
CN101180574B (zh) 前表面镜
US7056587B2 (en) Low-reflective thin-film substrate
TW201923119A (zh) 光罩基底、相位偏移光罩、光罩基底之製造方法、及相位偏移光罩之製造方法
JP4017747B2 (ja) Bm膜製造方法
JPH09243801A (ja) 低反射薄膜基板
JPH11119007A (ja) ブランクス及びブラックマトリクス
JP2005258050A (ja) 反射鏡およびそれを用いた画像投影装置
JPH09281305A (ja) 低反射薄膜基板
KR20170073535A (ko) 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP4419036B2 (ja) ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2000303163A (ja) 低反射黒色膜、低反射黒色積層膜、低反射黒色膜の製造方法およびカラーフィルター
JP3390561B2 (ja) 液晶表示装置用遮光膜
JP2000029006A (ja) 低反射薄膜基板、カラーフィルタ基板および液晶ディスプレイ
JPH09230326A (ja) 低反射アルミニウム薄膜基板

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)

Free format text: EUROPEAN PATENT(AT,BE,CH,DE,DK,FI,FR,GB,GR,IE,IT,LU,MC,NL,PT,SE)

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019980706653

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1997903608

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1997903608

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019980706653

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019980706653

Country of ref document: KR

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1997903608

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1997903608

Country of ref document: EP