WO1997048019A1 - Procede de fabrication d'un photomasque, procede de fabrication d'un masque a dephasage, et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur - Google Patents

Description

明 細 書 フォ 卜マスクの製造方法および位相シフ 卜マスクの製造方法ならびに半導体装置 の製造方法 技術分野

本発明はマスクの製造技術に関し、 特に、 回路素子を半導体ウェハ上に形成す るフォ 卜マスクのマスクパターンのコンピュータ支援による自動レイァゥ 卜に適 用して有効な技術に関する。 背景技術

今日、 半導体装置は高集積化、 高機能化の一途を迪つている。 そして、 集積度 が高くなればなるほど、 製品開発に要する人と時間は加速度的に增加する。 その 一方で、 市場のニーズにいち早く対応するため、 あるいは製品ライフサイ クルの 短命化のため、 製品開発期間の短縮化というテーマが常に課されている。 このよ うな環境下において、 半導体ウェハ上に電子回路を形成するフォ トマスクのマス クパターンの設計については設計自動化 （D A ： Des i gn Au toma t i on)を図ること によって前記した短縮化の要求に応えている。

しかし、 論理設計から始まって最終的にマスクが作成されるまでには、 たとえ ば 3週間以上といった長期にわたるのが一般的である。 したがって、 D Aにより 短縮化されたとはいえ、 製品開発の一連のプロセスの中でマスク設計が占める時 間的割合は比餃的大きなものである。 このようなことから、 設計デ一夕の一部に 変更があった場合にすべてのレイァゥ トパターンに対してマスクパターンを作り 直すこととすれば、 変更処理時間は前述した新規作成時と同程度の膨大なものに なる。

そこで、 設計変更に合わせてマスクパターンを効率よく修正するために様々な 技術が提案されている。 たとえば特開平 5— 3 2 3 5 6 5号公報には、 マスク層 毎に来歴管理を行つてレイァゥ トデータの誤修正を防止する技術が記載されてい る。 また、 特開平 4 - 3 7 2 1 5 5号公報には、 基準パターンと変更パターンと の相違点をりス ト出力して変更ミ スをチヱック し、 エディ 夕でパターン修正を行 う技術が記載されている。 特開平 4 - 2 3 8 5 7 9号公報には、 変更されたプロ ックゃネッ 卜を変更前データから削除し、 削除により未配置となった箇所を再配 置し、 さらに追加されたブロックやネッ トを配置する技術が記載されている。 特 開平 4 _ 3 2 9 7 3号公報には、 入力されたパターンデータから使用マスクおよ び構成要素を決定してマスクパターンを作成する技術が記載されている。 特開平 5 - 6 7 7 5 6号公報には、 了ドレス情報ファイルを対話的に変更し、 変更され たフアイルに従ってマスク R O M用マスクパターンを発生させる技術が記載され ている。 特開平 3 - 2 0 6 6 4 6号公報には、 複数のマスクデータをデザィ ンル ールの異なる集積回路を一つの集積回路に併合する技術が記載されている。 特開 昭 6 1 — 1 0 5 8 8 9号公報には、 マスタと変更部分のマスクデータを統合して、 配線のない領域に配線パターンを形成する技術が記載されている。 そして、 特開 平 3— 2 6 9 7 6 7号公報には、 設計変更に伴う改造部分を特定して電子回路の 設計を行う技術が記載されている。

しかし、 前記した技術では、 いずれも変更作業をどのように行えば効率的かと いう作業内容に着目した考察はなされていない。 したがって、 実際の作業におい てはかなりの範囲に亙って新規作成と同様の手順に沿ってパターンレイァゥ 卜を 行う必要が生じるものと想定され、 大幅な時間短縮化は困難と思われる。

また、 光の位相を選択的にシフ 卜させながら半導体ウェハ上にパターンを転写 する位相シフ トマスクにあっては、 シフ トパターン欠陥の発生を防止するために マスクパターン状態で露光予測演算を実行して設計パ夕一ンが再現されるかが検 証される。 そして、 シフ トパターン欠陥が発生するおそれがある埸合には、 その 箇所に必要な修正を加えられる。 この修正作業も前記した変更作業と同様に迅速 性が要求される。

そこで、 本発明の目的は、 設計変更に伴うフォ 卜マスクのマスクパターンを短 時間のうちに作成することのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、 位相シフ トマスクの製造における描画デ一夕修正作業を 短時間のうちに行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、 本明細書の記述および添 付図面から明らかになるであろう。 発明の開示

本願において開示される発明のうち、 代表的なものの概要を簡単に説明すれば、 次の通りである。

すなわち、 本発明によるフォ トマスクの製造方法は次の工程 （a ) 〜 （ e ) を 含むことを特徴とするものである。

( a ) 設計変更前後における設計データを相互に比絞する工程、

( b ) その比絞結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異な つている変更領域を求める工程、

( c ) 変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( d ) 変更領域の描画データと設計変更前において既に作成されている変更領域 以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造するェ 程。

このフォ トマスクの製造方法において、 前記 （ C ) 工程は次の工程 （ C 1 ) ~

( C 3 ) により構成することができる。

( C , ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小ブロック の設計データである親データを求める工程、

( c 2 ) この親データの下位の階層の設計デ一夕である子データのうちで変更領 域にかかる子データの図形座標を親データの座標系に変換する工程、

( c ₃ ) 親データおよび座標変換された子データについて変更内容に沿った新た な描画デ一夕を作成する工程。

また、 本発明によるフォ トマスクの製造方法は次の工程 （ a ) 〜 （ f ) を含む ことを特徴とするものである。

( a ) 設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

( b ) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異な つている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小プロックで ある親データおよびその下位の階暦の設計データである子データを抽出する工程、

― ( d ) 抽出された親データおよび子データについて変更内容に沿った新たな描画 データを作成する工程、

( e ) 描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられていない 描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造するェ 程。

本発明による位相シフ 卜マスクの製造方法は次の工程 （a ) 〜 （ f ) を含むこ とを特徴とするものである。

( a ) 位相シフ トマスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) この描画デ一夕に基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) 露光予測演算結果から描画データにおいて修正が必要な領域を求める工程、 ( d ) 修正が必要な領域が存在した場合にはその領域について修正内容に沿つた 新たな描画データを作成する一方、 存在しない場合には （ f ) 工程に移行するェ 程、

( e ) 描画データと修正が不要な描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて位相シフ トマスクを製造する工程。

この位相シフ 卜マスクの製造方法において、 （d ) 工程において新たな描画デ —夕を作成した後、 修正された領域について限定的に露光予測演算を行いながら 適切な前記描画データを作成することが望ましい。

本発明による半導体装置の製造方法は、 フォ トマスクに形成されたパターンを 半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、 次の工程 （ a ) 〜 ( h ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) フォ 卜マスクの設計変更前後における設計データを相互に比絞する工程、 ( b ) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異な つている変更領域を求める工程、

( c ) 変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

( d ) 変更領域の描画データと設計変更前において既に作成されている変更領域 以外の描画デ一夕とを合成する工程、 (e) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造するェ 程、

( f ) フォ ト レジス 卜の塗布された半導体ウェハを露光装置のゥヱハステージに 搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

(g) 製造された前記フォ トマスクを露光光源から前記半導体ゥ ハに至る光路 上に配置する工程、

(h) フォ 卜マスクに露光光を照射してフォ トマスクに形成されたパターンを半 導体ゥ -ハ上に露光する工程。

この半導体装置の製造方法において、 前記 （c) 工程は次の工程 （ _{C l} ) ~ ( c ₃ ) により構成することができる。

( c , ) 階屨化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小ブロック の設計データである親デ一夕を求める工程、

(c₂ ) この親データの下位の階層の設計データである子データのうちで変更領 域にかかる子データの図形座標を親データの座標系に変換する工程、

(ca ) 親データおよび座標変換された子データについて変更内容に沿った新た な描画データを作成する工程。

本発明による半導体装置の製造方法は、 フォ 卜マスクに形成されたパターンを 半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、 次の工程 （a ) 〜

( i ) を含むことを特徴とするものである。

(a) フォ トマスクの設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

(b) その比較結果から変更後の設計データにおいて変更前の設計データと異な つている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された設計データのうちで変更領域を包含する最小プロックで ある親デ一夕およびその下位の階層の設計データである子データを抽出する工程、 (d) 抽出された親データおよび子データについて変更内容に沿った新たな描画 データを作成する工程、

( e ) 作成された描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えら れていない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて設計変更後のフォ 卜マスクを製造するェ 程、

( g ) フォ トレジス 卜の塗布された半導体ウェハを露光装置のゥヱハステージに 搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造されたフォ トマスクを露光光源から半導体ウェハに至る光路上に配置 する工程、

( i ) フォ トマスクに露光光を照射してフォ トマスクに形成されたパターンを半 導体ウェハ上に露光する工程。

本発明による半導体装置の製造方法は、 位相シフ トマスクに形成されたパ夕一 ンを半導体ゥ ハ上に転写して所定の電子回路を形成するもので、 次の工程 （_a ) ~ ( i ) を含むことを特徴とするものである。

( a ) 位相シフ 卜マスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) その描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) 露光予測演算結果から描画データにおいて修正が必要な領域を求める工程、

( d ) 修正が必要な領域が存在した場合にはその領域について修正内容に沿った 新たな描画データを作成する一方、 存在しない場合には （ f ) 工程に移行するェ 程、

( e ) 描画データと修正が不要な描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された描画データに基づいて位相シフ トマスクを製造する工程、

( g ) フォ ト レジス 卜の塗布された半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステージに 搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造された位相シフ トマスクを露光光源から半導体ウェハに至る光路上に 配置する工程、

( i ) 位相シフ トマスクに露光光を照射して位相シフ トマスクに形成されたパタ —ンを半導体ウェハ上に露光する工程。

この半導体装置の製造方法において、 前記 （d ) 工程において新たな描画デー 夕を作成した後、 修正された領域について限定的に露光予測演算を行いながら描 画データを作成することが望ま しい。

これにより、 設計変更に伴うフォ トマスクのマスクパターンを短時間のうちに 作成することが可能になる。 また、 位相シフ トマスクの製造において、 描画デ一 夕修正作業を短時間のうちに行うことができる。 図面の簡単な説明

図 1 はフォ 卜マスクの設計 ·開発の流れを示す工程図、 図 2は本発明の一実施 の形態であるフォ トマスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一 ト、 図 3および 図 4 は図 2のフローチヤ一トに沿う説明図、 図 5は図 2のフローチヤ一 卜の一部 を詳細に示すフローチヤ一ト、 図 6は図 5のフローチヤ一トを実行する際におけ る変更領域の出力図形を示す説明図、 図 7は図 2のフローチヤ一トの他の一部を 詳細に示すフローチヤ一 ト、 図 8はフォ トマスクの設計変更内容を概念的に示す 説明図、 図 9は図 8のフォ 卜マスクを構成する設計データの階層構造を示す説明 図、 図 1 0はレイァゥ ト設計において格納されている設計データのデータ構造を 示す概念図、 図 1 1は図 2のフローチャートのさらに他の一部を詳細に示すフロ —チャー ト、 図 1 2は製造されたフォ トマスクが用いられる露光装置を示す概略 図、 図 1 3は本発明の他の実施の形態であるフォ 卜マスクの製造方法の概略を示 すフローチヤ一 ト、 図 1 4 はフォ トマスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、 図 1 5は図 1 4のフォ トマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図、 図 1 6は本発明のさらに他の実施の形態のフォ 卜マスクである位相シフ 卜マスク の製造方法の概略を示すフローチヤ一卜、 図 1 7は図 1 6のフローチヤ一 卜に従 つて半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを示す説明図、 図 1 8はマスクパ ターンを示す説明図、 図 1 9は図 1 8のマスクパターンによって半導体ゥヱハ上 に形成される転写パターンを示す説明図、 図 2 0は図 1 7の転写パターンを形成 するためのマスクパターンを示す説明図、 図 2 1は図 1 6のフローチャートに従 つて半導体ゥ ハ上に形成される他の転写パターンを示す説明図、 図 2 2はマス クパターンを示す説明図、 図 2 3は図 2 2のマスクパターンによって半導体ゥェ ハ上に形成される転写パターンを示す説明図、 図 2 4は図 2 1 の転写パターンを 形成するためのマスクパターンを示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明の実施の形態を、 図面に基づいて詳細に説明する。 なお、 実施の 形態を説明するための全図において同一の機能を有する部材には同一の符号が付 _ されており、 その繰り返しの説明は省略されている。

図 1 はフォ 卜マスクの設計 ·開発の流れを示す工程図、 図 2は本発明の一実施 の形態であるフォ 卜マスクの製造方法の概略を示すフローチヤ一ト、 図 3および 図 4は図 2のフローチャー トに沿う説明図、 図 5は図 2のフローチャー トの一部 を詳細に示すフローチヤ一ト、 図 6は図 5のフローチヤ一卜を実行する際におけ る変更領域の出力図形を示す説明図、 図 7は図 2のフローチヤ一 卜の他の一部を 詳細に示すフローチヤ一卜、 図 8はフォ 卜マスクの設計変更内容を概念的に示す 説明図、 図 9は図 8のフォ トマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明 図、 図 1 0はレイァゥ ト設計において格納されている設計データのデ一夕構造を 示す概念図、 図 1 1 は図 2のフローチヤ一 卜のさらに他の一部を詳細に示すフロ 一チャー ト、 図 1 2は製造されたフォ トマスクが用いられる露光装置を示す概略 図である。

半導体ウェハ W (図 1 2 ) の上に転写される回路パターンや配線パターンとい つた所定のパターンが形成されたフォ トマスク M (図 8、 図 1 2 ) の設計 · 開発 は、 コンピュータ支援による設計自動化のもと、 図 1に示すように、 上流から下 流に向かって、 システム ·機能設計工程 S , 、 論理 · テス ト設計工程 S ₂ 、 回路

• デバイス設計工程 S ₃ 、 レイァゥ ト設計工程 S ₄ 、 ァー トワーク処理工程 S ₅ により構成されている。 そして、 各工程 s , 〜s ₅ に対応して例示されているソ フ トウヱァゃデータベースなどに基づきヮ一クステーショ ン W Sを操作すること により処理が実行されて行き、 ァ一 卜ワーク処理工程 S ₅ で作成された描画デ一 夕をマスクパターン描画装置 （以下、 単に Γ描画装置」 という。 ） Aにかけてフ ォ トマスク Mが製造されるようになっている。

ここで、 各工程 ~ S ₅ にて実行される処理内容の概略を説明すると次のよ うなものである。

先ず、 システム ·機能設計工程 S , では、 システム仕様に基づいて半導体装置 の機能仕様が作成され、 動作の詳細が設計される。 ここでは、 機能記述言語や状 態遷移図を用いながら半導体装匱の動作が定められて行き、 たとえば論理ブロッ クの機能レジスタのビッ ト数や個数といったアーキテクチャが確定される。 論理 ' テス ト設計工程 S ₂ では、 システム ·機能設計工程 S , により記述され

― た機能設計データに基づいて論理ゲート （N A N D、 O R、 インバー夕など） 単 位のレベルにまで具体化される。 つまり、 構造記述言語や論理図を使用して、 論 理回路構造に主眼をおいた設計が行われる。 さらに、 シミ ュレーショ ン · チエツ クにより論理誤りが訂正される。

回路 · デバイス設計工程 S ₃ では、 前述の構造記述言語や回路図を用いて半導 体装置の製造条件に基づいた 卜ランジス夕などの形状や電気的性能などが設計さ れる。 さらに、 これらをべ一スにして基本回路や回路セルの設計、 さらには全体 回路の設計がされる。

レイアウ ト設計工程 S ₄ では、 論理 ' テス ト設計工程 S ₂ により得られた接続 情報と回路 · デバイス設計工程 S ₃ により準備された論理セルライブラリを用い て論理ゲー 卜の配置、 配線が行われてフォ トマスク Mのパターンの概略である設 計データが決定される。 なお、 後述するように、 この設計データは一般的には階 層化設計されており、 設計の複雑化を緩和して設計効率の向上が図られている。 アートワーク処理工程 S ₅ では、 レイアウ ト設計工程 S ₄ での設計データに対 し、 描画装置で処理可能な加工を施して描画データとするものである。 そして、 前述のように、 この描画データを描画装置 Aにかけると所定のパターンが形成さ れたフォ 卜マスク Mが得られる。

ここで、 以上のようなプロセスを経て描画データが作成された後に設計変更が 発生した場合、 あるいは、 さらに進んでフォ トマスク Mが製造された後に設計変 更が発生した場合、 本実施の形態では図 2に示すようなフローチヤ一卜に従って フォ 卜マスク Mが製造される。 すなわち、 レイァゥ トパターンの設計変更前後の 設計データを比較する （ 1 0 0 ) 。 次に、 その比較結果から変更後の設計データ における変更前の設計データの影響範囲、 つまり設計変更後の設計データにおけ る変更領域を求め （ 2 0 0 ) 、 この変更領域について変更後の設計データを基に して新たな描画データを作成する （ 3 0 0 ) 。 そして、 この変更領域の描画デー 夕と変更領域以外の描画データ （この描画データは設計変更前に既に作成した描 画データの一部である） とを合成、 すなわちマージし （ 4 0 0 ) 、 フォ トマスク Mを作成する （ 5 0 0 ) 。 このフローに対応した図を図 3および図 4に示す。 図 3 (a) は設計変更前の 設計データ D。 、 図 3 (b) は設計変更後の設計データ D_N である。 ここでは、 設計変更により図 3 (a) に示すパターン P。 が図 3 (b) に示すように図面下 方に移動してパターン P_N となったケースが示されている。 したがって、 この 2 つの設計データ Do , D_N を相互に比較することにより変更領域 Rが求められる ことになる （図 3 (c) ) 。 そして、 図 4 (b) に示すように、 変更領域 Rにつ いて新たな描画データ S_N を作成し、 この描画データ S_N と図 4 (a) に示す変 更領域 R以外の描画データ So (変更前の描画データから図形演算により変更領 域 Rを除いた描画データ） とを合成するとパターン全体の描画データ S_A が得ら れる （図 4 ( c ) ) 。 そして、 図 4 ( c ) に示す描画データ S_A でフォ 卜マスク Mを作成する。

なお、 以下に記載する実施の形態を含め、 フォ トマスク M作成後は、 これを用 いて露光が行われる。 詳細は後述するが、 露光はフォ トマスク Mに形成されたパ ターンを半導体ウェハ Wの上に転写して所定の霍子回路を形成するもので、 レジ ストの塗布された半導体ゥヱハ Wおよびフォ 卜マスク Mをそれぞれ所定位置にセ ッ トしてパターン感光するものである。

ここで、 図 2にて示された変更領域 R (図 3 (c) ) を求める工程、 変更領域 Rの描画データ S_N (図 4 (b) ) を作成する工程ならびにこの描画データ S_N と描画デ一夕 S。 （図 4 (a) ) とをマージする工程のそれぞれの詳細について 以下に順を追って説明する。

最初に変更領域 Rを求める工程について説明する。 ここでは、 当該工程のフロ —チャー トである図 5、 およびこの工程を実行するにおいて得られる変更領域 R の出力図形を示す図 6を用いて説明する。

図 5に示すように、 先ず、 変更前の設計データと変更後の設計データとの図形 演算で E OR (Exclusive OR—排他的論理和） 領域を求める （ 2 0 1 ) 。 これに より、 図 6に示すように、 変更前後の設計データにおいて異なるパターン Ρο , PN (図示する場合には変更前のパターン PO と変更後のパターン P_N ) のみが 抽出される。

次に、 抽出された E OR領域のすべての出力図形の座標値のうちの最小値 （X _mi„ ， Y_min ) と最大値 （X_m,, . Y_m.x ) とを求める （ 2 0 2 ) 。

そして、 求めた最小値を描画装置の描画最小単位 （たとえば 0.025 m) の倍 数の座標値に切り捨てる （ 2 0 3 ) 。 具体的には、 たとえば X座標の最小値が 1. 53 mならば 1.525 /mにする。 Y座標の最小値についても同様の処理を行う。 これにより、 描画装置にて精度よく取り扱うことが可能な修正最小値

i , Υπ,, η-.d i ) が求められる。

続いて、 最大値を描画装置の描画最小単位の倍数の座標値に切り上げる （2 0 4 ) 。 これは、 修正最小値を求める場合と同様にして行われ、 たとえば X座標の 最大値が 2.56 mならば 2.575 mにする。 ここでも、 Y座棟の最小値について も同様に行う。 これにより、 修正最大値 （Xmu- i , Υα,. ,-.d i ) が求められ る。 なお、 修正最大値 （X_m,，H , Ym.,-.d i ) の方を先に求めるようにして もよい。

このようにして求められた修正最小値 （X_{m i n}-,«H ，

n-.d i ) と修正最大 値 （Xm, - ,<n . Y_m.x-.. j ) とを対向する角の座標にして矩形を作れば （2 0 5) 、 図 6の破線にて示すような変更領域 Rが得られる。 なお、 本実施の形態で は、 高精度処理を実行するために座標値の切り上げ、 切り捨てにより修正値を求 めているが、 求められた座標値をそのまま用いることもできる。 この場合には、

E 0 R領域がそのまま変更領域 Rになる。

次に、 変更領域 Rの描画データを作成する工程について図 7〜図 1 0を用いて 説明する。

図 8にて概念的に示すように、 半導体チップの全体領域 （あるいは一部の機能 領域） に相当するフォ トマスク Mの全体をプロック Tで表した場合、 このブロッ ク T内に配置されたブロック A, B, Cの各領域は図示する破線で囲まれた範囲 を図形存在範囲と して有し、 それぞれパターン P_A , PB , Pc を図形データと して有している。 そして、 各ブロック A, B, C内にはそれぞれブロック D, E、 ブロック F, G、 ブロック H, I が破線で囲まれた範囲を図形存在範囲と して含 まれており、 それぞれパターン P _D , PE , P F , PG , PH , P , を図形デー タとして有している。 各図形データはそれが所属するブロックの座標系 （つまり、 たとえばパターン P_A はブロック Aの座標系、 パターン P_D はブロック Dの座標 系） で表現されている。 そして、 ここではブロック Cの図形データであるパター ン P _c が二点鎖線で示すパターン P _{C N}に、 ブロック Hの図形データであるパター ン P _H が二点鎖線で示すパターン P _HNにそれぞれ変更される。 網掛け部分が変更 領域 Rである。

図 8の配列関係を表したのが図 9である。 この図にて示されるように、 図 8は ブロック Tを頂点と して階層化設計された設計データであり、 たとえばプロック Tはブロック A , B , Cの親データ、 ブロック Aはブロック D , Eの親データと なっている。

このような構成を前提にして、 本工程では、 先ず図 7のフローチヤ一トにて示 すように、 前述のようにして求められた変更領域 Rを包含する最小ブロックの設 計データを求め、 これを親データとする （ 3 0 1 ) 。 ここでは、 変更領域 Rはブ ロック Cに包含されているのでこれが親データとなる。

次に、 親データの下位の階層の設計データ、 つまり子データが変更領域 Rにか かっているかを検証する （ 3 0 2 ) 。 図 8に示すように、 プロック Cの下位の階 層の設計データである 2つのブロック H , Iのうち、 ブロック Hは変更領域尺に かかっている力 <、 ブロック I はかかっていない。 したがって、 ここでは子データ のうち変更領域 Rにかかっているプロック Hの図形座標を親データであるプロッ ク Cの座標系に変換する （ 3 0 3 ) 。 これにより、 ブロック Hの図形データのブ ロック Cにおける相対的な位置関係が確定される。 一方、 変更領域 Rにかかって いないブロック I についてはこのような処理は行われない。

以上の処理を行うのは次のような理由による。 すなわち、 描画データの図形は すべて半導体チップの座標系で表現されており、 変更領域 Rもこの座標系で表現 される。 一方、 設計データは上述のように階層化設計されている。 したがって、 子データの図形存在範囲が変更領域 Rにかかるもののみを親データの座標系に変 換してこれらを変更してやればよいことになる。 また、 図形存在範囲が変更領域 Rにかからなければその子データは座標変換対象ではなくなる。 これにより、 必 要な設計データのみを抽出加工することができ、 変更処理を高速に行うことが可 能になる。

ここで、 変更処理を行うための設計データのデータ構造を図 1 0に示す。 図示 するように、 このデータ構造はプロック一 I 、 子プロック リス ト、 親プロック リ ス ト、 配置情報および図形データから構成されている。 この構造を図 9の階層構 造におけるプロック Aを例にとって説明する。

ブロック一覽には、 対象となるブロックのブロック名 （ブロック A ) 、 そのブ ロックの子プロック リス 卜の先頭ァ ドレス （プロック D ) 、 親プロック リス トの 先頭ァ ドレス （プロック T ) 、 図形存在範囲 （プロック Aの座標の最小値 （X _{m i}

„ , Y _{m i}„ ) と最大値 （X_m, , , Y m. x ) ) 、 当該ブロックが有する図形データ の先頭ァ ドレスが格納されている。

子プロック リス 卜先頭ァ ドレスを受けた子プロック リス 卜には、 プロック一覧 ア ドレス （プロック Aに対するプロック D ) 、 次の子ブロック リス 卜のア ドレス (ブロック E ) が格納されている。 そして、 ブロック一覧ア ドレスから所望の子 プロックのブ口ックー覽を検索すると、 今度はそのプロックを中心にした各種の データが展開されるようになっている。

親ブロック リス ト先頭ァ ドレスを受けた親プロック リス トには、 プロック一 K (プロック Aに対するブロック T ) 、 次の親プロック リス トのァ ドレス （ここで ブロック Aの親ブロックはブロック Tのみであるので、 なし） 、 親ブロックへの 配置情報ア ドレス （ブロック Tにおけるブロック Aの配置情報） が格納されてい る。 そして、 子ブロック リ ス トの場合と同様に、 ブロック一!！ア ドレスから所望 の親プロックのプロックー覧を検索すると、 そのブロックを中心にした各種のデ —夕が展開される。

配置情報には親プロックにおける子プロックの配置座標 （プロック Tにおける ブロック Aの配置座標） が格納されており、 図形座標を親ブロックの座標系に変 換する場合にはこのデータが用いられる。

そして、 図形データ先頭ア ドレスを受けた図形データには、 その図形データの 層名、 次の図形データア ドレス、 当該図形データが有する頂点数、 そして具体的 な図形頂点が格納されている。

このようなデータ構造を設計データについて与えておく ことによって、 ある設 計データより下位の階層の設計データを処理する必要があるか否かについて即座 に判定し、 座標変換することが可能になる。 必要な子データの座標変換が終了したならば、 設計変更後の親データ （ここで はブロック C) および座標変換された子データ （ここではブロック H) の図形を 基にして変更内容に沿った新たな描画データを作成する （ 3 0 4 ) 。 なお、 座標 変換された子データがない埸合には、 親データについてのみ新たな描画デ一夕が 作成される。 作成された描画データ S。 が図 4 (b) に相当する。

最後に、 マージする工程について図 1 1に基づいて説明する。 描画データ作成 後に設計変更があつたのであるから設計変更前の描画デ一タは既に存在している ことになる。 そこで、 その変更前の描画データと前述のようにして求められた変 更領域とを図形演算して変更領域以外の領域、 つまり S U B領域を求める （ 4 0 1 ) 。 この S U B領域は図 4 (a ) に相当するもので設計変更範囲外の領域であ る。 そして、 変更領域の描画データ S。 （図 4 (b ) ) と S U B領域の描画デ一 夕 S_N (図 4 ( a ) ) とを図形演算して OR領域を求める （ 4 0 2 ) 。 これによ り、 図 4 ( c ) に示すような全体の描画データ S_A が得られる。 その後は、 この 描画データ S_A を描画装置にかけて処理すればフォ 卜マスクが製造される。 以上のような方法により作成されたフォ トマスク Mは、 たとえば図 1 2に示す ような露光装置にセッ 卜されて露光が行われる。 なお、 以下に説明される実施の 形態におけるフォ トマスク （含、 位相シフ トマスク） Mも、 たとえば本実施の形 態と同様の露光装置により同様の手順で半導体ウェハ Wの上にパターン像が転写 される。

図示する露光装置 1 0は、 半導体ウェハ Wの上をたとえば 15~20龍ロの面積毎 にステップアン ドリ ピー卜によりマスクパターンを形成して行く縮小投影露光装 置である。 但し、 フォ 卜マスク Mはこのような光露光装置の他に、 反射屈折式の 縮小光学系を採用したステップアン ドスキヤ ン方式の光露光装置、 軟 X線を用い た X線露光装置、 遠紫外線の K r Fエキシマ波長 （波長； l =248nm ) などのェキ シマレ一ザを用いた露光装置あるいはイオンビーム露光装置など種々の形態の露 光装置に適用することができる。

露光光源 1 1から半導体ウェハ Wへと至る光路上には、 ミ ラ一 1 2、 シャ ツ夕 1 3、 アパーチャ 1 4、 ショー トカッ トフィルタ 1 5、 ミ ラ一 1 6、 マスクブラ イン ド 1 7、 コンデンサレンズ 1 8および縮小投影レンズ 1 9がそれぞれ順次配 置されている。 また、 コンデンサレンズ 1 8と縮小投影レンズ 1 9との間に設け られたマスク移動台 2 0に前記したフォ トマスク Mがセッ トされており、 マスク 移動台 2 0を操作することによって水平方向に移動できるようになっている。 露光光源 1 1 は、 たとえば単色光の紫外線である i線 （波長ス =365nm)の露光 光 Lを放射する高圧水銀ランプであり、 半導体ウェハ Wの表面にはこの露光光 L に感光するフォ ト レジス 卜がスピン塗布されている。 半導体ゥヱハ Wはゥヱハス テ一ジ 2 1の上に載置されており、 Z軸移動台 2 2、 X軸移動台 2 3および Y軸 移動台 2 4によって上下方向および水平方向に移動され、 また、 ステップ駆動さ れるようになっている。 本装置における光学系は、 たとえば、 NA (Numerical Aperture： 開口度） =0.5 、 P (プロセスパラメータ） =0.5 、 σ (コヒーレン スファクタ） =0.5 に設定され、 R (解像力） = Ρ ( λΖΝΑ) =365nm 、 DO F (Depth Of Focus： 焦点深度） = λ / (NA²) = 1.46wmである。

プレベークされた半導体ゥヱハ Wに所定のパターンを転写するフォ トマスク M は、 たとえば実寸の 5倍の寸法の集積回路パターンの原画が形成されたレチクル であり、 したがって、 パターン像は半導体ゥヱハ Wの上に 1 / 5に縮小投影され て露光される。

フォ トマスク Mのパターンを半導体ゥヱハ Wに転写するには、 当該半導体ゥヱ ハ Wをゥヱハステージ 2 1に搭載し、 X, Υ, Z軸移動台 2 2， 2 3, 2 4を駆 動してこれを露光位置に位置決めする。 また、 フォ トマスク Mをマスク移動台 2 0にセッ ト してこれを露光光源 1 1から半導体ウェハ Wに至る光路上に配置し、 水平方向に移動して同じく位置決めする。 このようにセッティ ングした後、 露光 光源 1 1から露光光 Lを照射すると、 該露光光 Lはフォ トマスク Mに入射し、 縮 小投影レンズ 1 9でスポッ 卜光ビームとなってゥヱハステージ 2 1の上の半導体 ウェハ Wのレジス ト面に入射する。 これにより、 半導体ゥヱハ Wにパターン像が 転写される。

なお、 露光後は、 現像液によってレジス トパターンを形成する現像、 レジス 卜 に残留した現像液ゃリ ンス液を蒸発除去してレジス トの硬化ゃゥ Xハとの密着性 強化を行うボス トベーク、 そして、 不要となったレジス 卜を灰化除去あるいは酸 化除去するレジス ト除去、 の各プロセスを経て最終的にマスクパターンの転写さ れた半導体ウェハ wが得られる。

このように、 本実施の形態によれば、 フォ 卜マスク Mに設計変更があった場合、 設計データの段階において変更領域 Rを求め、 この変更領域 Rについて新たな描 画デ一夕 S _N を作成した後にこれを変更領域以外の描画データ S O とマージして 変更後のフォ トマスク Mを製造することとしているので、 設計変更に伴うフォ 卜 マスク Mのマスクパターンを短時間のうちに作成することが可能になる。

図 1 3は本発明の他の実施の形態であるフォ 卜マスクの製造方法の概略を示す フローチヤ一 卜、 図 1 4はフォ トマスクの設計変更内容を概念的に示す説明図、 図 1 5は図 1 4のフォ トマスクを構成する設計データの階層構造を示す説明図で ある。

本実施の形態においては、 設計変更前後における設計データを比絞し （ 6 0 0 ) 、 変更後の設計データにおける変更領域を求める （ 7 0 0 ) までのプロセスは 既に述べた実施の形態と同様であるが、 その次のステップと して、 変更領域を包 含する最小プロックの設計データである親プロックおよびその下位の階層の設計 データである子ブロックを抽出するようになっている （ 8 0 0 ) 。

すなわち、 図 8 と同一内容で例示される図 1 4のフォ 卜マスク Mにおいて、 各 ブロックは図 1 5に示すように図 9 と同じ階層構造を有している。 そして、 網掛 け部分が変更領域 Rである。 この構成において、 変更領域 Rを包含する最小プロ ックであるブロック Cが親データとなり、 このブロック Cとその下位の階層の設 計データである 2つのブロック H . I が抽出されるものである。 したがって、 図 1 4における斜線部分および図 5における網掛け部分に示すように、 変更対象ブ ロックは C , H , I となる （本実施の形態は、 この点において、 子データのうち 変更領域 Rにかかっていないプロック I は変更対象から除外される前述の実施の 形態と異なっている） 。

抽出後、 親データ （図示する場合には、 ブロック C ) および子データ （同じく、 ブロック H , I ) について変更内容に沿った新たな描画データを作成する （ 9 0 0 ) 。 そして、 前記した要領にて、 作成された描画データと変更されていない描 画デ一夕とをマージし （ 1 0 0 0 ) 、 フォ トマスク Mを作成する （ 1 1 0 0 ) 。 このように、 変更領域 Rにかかる親データおよびこの親データの全ての子デー タを抽出し、 これらについて新たに描画データを作成するようにしても、 設計変

_ 更に伴うフォ 卜マスク Mのマスクパターンを短時間のうちに作成することができ る。

図 1 6は本発明のさらに他の実施の形態である位相シフ トマスク （フォ トマス ク） の製造方法の概略を示すフローチヤ一卜である。 また、 図 1 7〜図 2 0は補 助パターン付き位相シフ トマスクについての説明図であり、 図 1 7は図 1 6のフ ローチヤ一 卜に従って半導体ウェハ上に形成される転写パターンを示す説明図、 図 1 8はマスクパターンを示す説明図、 図 1 9は図 1 8のマスクパターンによつ て半導体ゥ ハ上に形成される転写パターンを示す説明図、 図 2 0は図 1 7の転 写パターンを形成するためのマスクパターンを示す説明図である。 そして、 図 2 1〜図 2 4はレベンソン （L e v e n s o n ) 型位相シフ 卜マスクについての説 明図であり、 図 2 1 は図 1 6のフローチヤ一卜に従って半導体ゥヱハ上に形成さ れる転写パターンを示す説明図、 図 2 2はマスクパターンを示す説明図、 図 2 3 は図 2 2のマスクパターンによって半導体ゥヱハ上に形成される転写パターンを 示す説明図、 図 2 4は図 2 1 の転写パターンを形成するためのマスクパターンを 示す説明図である。

以下においては、 本実施の形態を図 1 6のフローチャー トおよび図 1 7〜図 2 0の補助パターン付き位相シフ 卜マスクに基づいて説明し、 次に図 2 1〜図 2 4 のレベンソン型位相シフ 卜マスクについて説明する。 なお、 たとえばコンタク ト ホールの形成などに適用される補助パターン付き位相シフ トマスクとは、 ゥヱハ 上には転写されない大きさの補助開口部を設け、 また、 位相シフタを開口部また は補助開口部に設け、 位相シフタの設けられた箇所を透過する光の位相を反転さ せるものである。 これにより、 透過光の光強度分布の裾の広がりが抑制されて急 峻な光強度分布が得られて良好な解像度のもとでパターン形成が行われる。 また, たとえば配線層の形成などに適用されるレベンソン型位相シフ トマスクとは、 マ スク上の開口部の隣り合う一方に位相を反転させる位相シフタを設けたものであ る。 隣り合う透過光は位相が反転するために互いに打ち消し合うような作用が働 いて転写領域境界部の光強度が 0 となり、 やはり良好な解像度のもとでパターン 形成が行われる。 但し、 本発明は、 自己整合型位相シフ トマスクや透過型位相シ フ 卜マスクなど他の位相シフ トマスクにも適用される。

本実施の形態は選択的に光の位相をシフ 卜させながら半導体ゥヱハ上にパター ンを転写する位相シフ トマスクの製造方法であり、 図 1 6に示すように、 先ず、 位相シフ トマスクについての暫定的な描画データを作成する （ 1 2 0 0 ) 。

つまり、 図 1 7に示す 2つの四角形の転写パターン 3 0を半導体ウェハ上に形 成する場合、 補助パターン付き位相シフ トマスクでは、 図 1 8 ( a ) に示すよう な形成されるべきパターンである転写領域 3 1の周辺部の 4箇所において、 たと えば P M M A (ポリメチルメタク リ レー ト） や S i 0 ₂ 膜からなる解像限界以下 の位相シフタが形成される補助開口 3 2が自動生成される （図 1 8 ( b ) ) 。 こ のようなマスクパターンを合成することにより図 1 8 ( c ) に示す暫定的な描画 データ Sを作成する。

ここで、 位相シフ トマスクにはシフ 卜パターン欠陥と呼ばれる位相構造物特有 の欠陥が存在する。 したがって、 シフ トパターン欠陥の発生を未然に防止するた め、 図 1 8 ( c ) に示す描画データ Sについて、 たとえばダイ比絞方式により物 理的マスクパターン状態で露光予測演算を実行し （ 1 3 0 0 ) 、 その演算結果と 設計パターンとを照合する。 そして、 露光予測演算結果から描画データ Sにおい てシフ 卜パターン欠陥が発生する領域、 すなわち修正が必要な領域つまり修正領 域 Rを求める （ 1 4 0 0 ) 。

図 1 8 ( c ) の描画データ Sによる予測結果、 つまり半導体ウェハ上に形成さ れるパターンを図 1 9に示す。 図 1 8 ( c ) の描画データ Sでは、 図示するよう に、 2つの転写パターンの間に不要なパターンが形成されてしまう。 したがって、 当該描画データ Sでは転写領域 3 1の間の補助開口 3 2が修正領域 Rとなる。 修正領域 Rが求められたならば、 該領域 Rについてのみ修正内容に沿った新た な描画データ Sを作成する （ 1 5 0 0 ) 。 つまり、 補助開口 3 2の自動生成モ一 ドを制限してデータ修正を行い、 修正領域 Rを図 2 0 ( b ) に示すように一体的 な補助開口 3 2 とする。 そして、 修正が不要な部分とマージして全体を図 1 9 ( b ) に示す補助開口 3 2とし （ 1 6 0 0 ) 、 これを図 2 0 ( a ) に示す転写領域 (この部分は図 1 8 ( a ) と同じである） 3 1のマスクパターンと合成して図 2 0 ( c ) に示す描画データ Sとする。 そして、 新たな描画データ Sを作成した後. 再びこの描画データ Sに基づいて露光予測演算を行い （ 1 3 0 0 ) 、 修正が必要 な領域が存在しなくなるまで工程 （ 1 3 0 0〜 1 6 0 0 ) を繰り返す。 このとき、 修正領域 Rについてのみ限定的に露光予測演算を行いながら適切な描画データ S を作成するようにすることが望ましい。 必要な部分についてのみ演算を行うこと により演算量が削減され、 より迅速に演算結果が得られることになるからである。 修正領域 Rがなくなり、 図 1 7に示す転写パターン 3 0が形成されるとの演算 桔果が得られたならば、 位相シフ トマスクを作成する （ 1 7 0 0 ) 。 なお、 最初 の露光予測演算結果により修正領域 Rがなければ、 工程 （ 1 4 0 0 ) から直ちに 位相シフ トマスクを作成する工程 （ 1 7 0 0 ) に移行するのは言うまでもない。 位相シフ トマスクにおいて露光予測演算により修正領域 Rを求めて限定的に修 正を行う場合について、 図 1 6および図 2 1〜図 2 4に基づいて、 さらにレベン ソン型位相シフ トマスクを例に説明する。

図 2 1 に示すような連铳した長方形の転写パターン 3 0を半導体ウェハ上に形 成する場合、 レベンソン型位相シフ トマスクでは、 隣接する相互の転写領域の透 過光の位相が反転するように一つおきに位相シフタが設けられる。 したがって、 このような転写パターン 3 0を形成するために、 図 2 2 (a ) に示す位相シフタ のない転写領域 3 1 aの形成されたマスクパターンと、 同図 （b) に示す位相シ フタを有する転写領域 3 1 bの形成されたマスクパターンとにより図 2 2 ( c ) に示す暫定的な描画データ Sを作成する （ 1 2 0 0 ) 。

そして、 図 2 2 ( c ) に示す描画データ Sについて露光予測演算を行い （ 1 3 0 0 ) 、 修正領域 Rを求める （ 1 4 0 0 ) 。 ここで、 図 2 2 ( c ) の描画デ一夕 Sでは、 図 2 3に示すように、 左側の転写パターン 3 0力 <パターン細りになると の結果が得られたとする。

そこで、 修正領域 Rについてのみ修正内容に沿った新たな描画データ Sを作成 する （ 1 5 0 0 ) 。 つまり、 図 2 4 ( c ) に示すように、 幅 Wを有する捕助パタ ーン 3 1 cを形成する修正を行い、 これを図 2 4 ( a ) , (b) とマージして図 2 4 (d ) に示す描画データ Sとする （ 1 6 0 0 ) 。 これにより、 左側の転写領 域 3 1 aはパターン細りを見越して他よりも幅 Wだけ幅広になる。 そして、 新た な描画データ Sを作成した後、 修正が必要な領域が存在しなく なるまで工程 （ 1 3 0 0 - 1 6 0 0 ) を繰り返す。 なお、 このときも、 修正領域 Rについてのみ露 光予測演算を行うことが望ましい。 そして、 最終的に図 2 1 に示すように全て同 じ幅の転写パターン 3 0が形成されるとの演算結果が得られたならば、 位相シフ トマスクを作成する （ 1 7 0 0 ) 。

このように、 本実施の形態によれば、 位相シフ 卜マスクの製造において露光予 測演算結果により修正領域 Rを求め、 この変更領域 Rについてのみ新たな描画デ 一夕 Sを作成することにより、 描画デ一夕修正作業を短時間のうちに行うことが できる。

以上、 本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、 本発明は前記実施例に限定されるものではなく、 その要旨を逸脱しない範囲で種 々変更可能であることは言うまでもない。 産業上の利用可能性

以上のように、 本発明によるフォ トマスクの製造方法および位相シフ トマスク の製造方法ならびに半導体装置の製造方法は、 回路素子を形成するフォ 卜マスク のレイァゥ ト変更技術に用いて好適なものである。

Claims

請 求 の 範 囲

1. 半導体ゥヱハ上に転写されるパターンの形成されたフォ トマスクの製造方法 であって、 次の工程 （a) 〜 （e) を含むことを特徴とするフォ 卜マスクの製造 方法。

(a) 設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

(b) その比較結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デー 夕と異なっている変更領域を求める工程、

(c) 前記変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、 (d) 前記変更領域の前記描画データと設計変更前において既に作成されている 前記変更領域以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造す る工程。

2. 請求項 1記載のフォ トマスクの製造方法において、 前記 （c) 工程は次のェ 程 （c , ) 〜 （c ₃ ) からなることを特徵とするフォ 卜マスクの製造方法。

(c , ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小 ブロックの前記設計データである親データを求める工程、

( C 2 ) 前記親データの下位の階層の設計データである子データのうちで前記変 更領域にかかる前記子データの図形座標を前記親データの座標系に変換する工程、 (c₃ ) 前記親データおよび座標変換された前記子データについて変更内容に沿 つた新たな描画データを作成する工程。

3. 半導体ゥ Xハ上に転写されるパターンの形成されたフォ トマスクの製造方法 であって、 次の工程 （a) ~ ( f ) を含むことを特徴とするフォ トマスクの製造 方法。

(a) 設計変更前後における設計データを相互に比較する工程、

( b ) その比蛟結果から変更後の前記設計デー夕において変更前の前記設計デ一 夕と異なっている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小ブ 口ックである親デ一夕およびその下位の階層の設計データである子データを抽出 する工程、

一 ( d ) 抽出された前記親データおよび前記子データについて変更内容に沿った新 たな描画データを作成する工程、

( e ) 前記描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられてい ない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォ 卜マスクを製造す る工程。

4 . 選択的に光の位相をシフ トさせながら半導体ゥヱハ上にパターンを転写する 位相シフ トマスクの製造方法であって、 次の工程 （ a ) - ( f ) を含むことを特 徵とする位相シフ トマスクの製造方法。

( a ) 前記位相シフ トマスクについての暫定的な描画データを作成する工程、

( b ) 前記描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) その露光予測演算結果から前記描画データにおいて修正が必要な領域を求 める工程、

( d ) 修正が必要な前記領域が存在した場合には前記領域について修正内容に沿 つた新たな描画データを作成する一方、 存在しない場合には （ f ) 工程に移行す る工程、

( e ) 前記描画データと修正が不要な前記描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて位相シフ トマスクを製造する工程。

5 . 請求項 4記載の位相シフ トマスクの製造方法であって、 前記 （d ) 工程にお いて新たな描画データを作成した後、 修正された前記領域について限定的に露光 予測演算を行いながら適切な前記描画データを作成することを特徴とする位相シ フ トマスクの製造方法。

6 . フォ 卜マスクに形成されたパターンを半導体ゥヱハ上に転写して所定の電子 回路を形成する半導体装置の製造方法であって、 次の工程 （ a ) 〜 （h ) を含む ことを特徵とする半導体装置の製造方法。

( a ) 前記フォ 卜マスクの設計変更前後における設計データを相互に比絞するェ 程、

( b ) その比拳交結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デ— 夕と異なっている変更領域を求める工程、

„ ( C ) 前記変更領域について変更内容に沿った新たな描画データを作成する工程、

(d) 前記変更領域の前記描画データと設計変更前において既に作成されている 前記変更領域以外の描画データとを合成する工程、

( e ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造す る工程、

( f ) フォ トレジス トの塗布された半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステージに 搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

(g) 製造された前記フォ トマスクを露光光源から前記半導体ウェハに至る光路 上に配置する工程、

(h) 前記フォ 卜マスクに露光光を照射して前記フォ トマスクに形成された前記 パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

7. 請求項 6記載の半導体装置の製造方法であって、 前記 （c) 工程は次の工程

( C , ) 〜 （ C ₃ ) からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

(c , ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小 プロックの前記設計データである親データを求める工程、

( C 2 ) 前記親データの下位の階層の設計データである子データのうちで前記変 更領域にかかる前記子データの図形座標を前記親データの座標系に変換する工程、

( C 3 ) 前記親データおよび座標変換された前記子データについて変更内容に沿 つた新たな描画データを作成する工程。

8. フォ 卜マスクに形成されたパターンを半導体ウェハ上に転写して所定の電子 回路を形成する半導体装置の製造方法であって、 次の工程 （a) 〜 （ i ) を含む ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

(a) 前記フォ トマスクの設計変更前後における設計データを相互に比較するェ 程、

( b ) その比絞結果から変更後の前記設計データにおいて変更前の前記設計デー 夕と異なっている変更領域を求める工程、

( c ) 階層化設計された前記設計データのうちで前記変更領域を包含する最小ブ 口ックである親データおよびその下位の階層の設計データである子データを抽出 する工程、

_ ( d ) 抽出された前記親データおよび前記子データについて変更内容に沿った新 たな描画データを作成する工程、

( e ) 前記描画データと設計変更前において既に作成されて変更が加えられてい ない描画データとを合成する工程、

( f ) 合成された前記描画データに基づいて設計変更後のフォ トマスクを製造す る工程、

( g ) フォ ト レジス 卜の塗布された前記半導体ゥヱハを露光装置のゥヱハステ一 ジに搭載してこれを露光位置に位匿決めする工程、

( h ) 製造された前記フォ トマスクを露光光源から前記半導体ウェハに至る光路 上に配置する工程、

( i ) 前記フォ トマスクに露光光を照射して前記フォ 卜マスクに形成された前記 パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

9 . 選択的に光の位相をシフ 卜させる位相シフ 卜マスクに形成されたパターンを 半導体ウェハ上に転写して所定の電子回路を形成する半導体装置の製造方法であ つて、 次の工程 （ a ) ~ ( i ) を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

( a ) 前記位相シフ トマスクについての暫定的な描画デ一夕を作成する工程、

( b ) 前記描画データに基づいて露光予測演算を行う工程、

( c ) その露光予測演算結果から前記描画データにおいて修正が必要な領域を求 める工程、

( d ) 修正が必要な前記領域が存在した場合には前記領域について修正内容に沿 つた新たな描画データを作成する一方、 存在しない場合には （ f ) 工程に移行す る工程、

( e ) 前記描画データと修正が不要な前記描画データとを合成する工程、 ( f ) 合成された前記描画データに基づいて位相シフ 卜マスクを製造する工程、

( g ) フォ ト レジス卜の塗布された前記半導体ゥヱハを露光装置のゥ ハステー ジに搭載してこれを露光位置に位置決めする工程、

( h ) 製造された前記位相シフ 卜マスクを露光光源から前記半導体ゥヱハに至る 光路上に配置する工程、 ( i ) 前記位相シフ 卜マスクに露光光を照射して前記位相シフ 卜マスクに形成さ ― れた前記パターンを前記半導体ウェハ上に露光する工程。

1 0 . 請求項 9記載の半導体装置の製造方法において、 前記 （d ) 工程において 新たな描画データを作成した後、 修正された前記領域について限定的に露光予測 演算を行いながら適切な前記描画データを作成することを特徴とする半導体装置 の製造方法。