WO1995026039A1 - Magnetron - Google Patents
Magnetron Download PDFInfo
- Publication number
- WO1995026039A1 WO1995026039A1 PCT/RU1995/000050 RU9500050W WO9526039A1 WO 1995026039 A1 WO1995026039 A1 WO 1995026039A1 RU 9500050 W RU9500050 W RU 9500050W WO 9526039 A1 WO9526039 A1 WO 9526039A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- magnet
- point
- fact
- auto
- emission
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 208000003098 Ganglion Cysts Diseases 0.000 claims 1
- 208000005400 Synovial Cyst Diseases 0.000 claims 1
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 claims 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 claims 1
- -1 hydroxide metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002982 water resistant material Substances 0.000 claims 1
- 230000008451 emotion Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 235000015854 Heliotropium curassavicum Nutrition 0.000 description 1
- 244000301682 Heliotropium curassavicum Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010009 beating Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000004064 dysfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013056 hazardous product Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
- H01J23/075—Magnetron injection guns
Definitions
- cathodes do not require incandescent heating.
- the purpose of this invention is to generate a magnet, which is convenient to excite ⁇ at the same time supplying ' negative voltage and neglected voltage.
- a further purpose of the invention is to generate a magnet, to operate and to carry out small voltage loads (to take into account the voltage).
- a suitable execution mode may be suitable for sizes of magnet, corresponding to long and long wavelengths.
- a protective dielectric film is produced from any small gas dielectric material, which is one of the best to be seen.
- the magnet is compliant with the invention, and the direct commissioning of a magnetic device is based on a basic electronic information technology. This is the most popular variant in the implementation, practically not having any disadvantages. - 8 - significant dimensions of the interconnection of the magnetism and magneto of the whole. Due to eyesight, the production (discharges) of the magnet are not hazardous, so that they are inadvertent through the flanges if they are inadvertent
- ⁇ dna ⁇ ⁇ i decrease ⁇ azme ⁇ v mezhele ⁇ dn ⁇ g ⁇ ⁇ s ⁇ - ⁇ ans ⁇ va and sled ⁇ va ⁇ eln ⁇ , ⁇ i u ⁇ ilenii influence ne ⁇ dn ⁇ dn ⁇ ey in E ⁇ ⁇ an ⁇ ve, tsele ⁇ b ⁇ aznym yavlyae ⁇ ya ⁇ a ⁇ e vy ⁇ lnenie magne ⁇ na, ⁇ i ⁇ m ⁇ v ⁇ l ⁇ chnaya ⁇ u ⁇ u ⁇ a ⁇ di ⁇ in ⁇ a- nav ⁇ e, vy ⁇ lnenn ⁇ y v ⁇ v ⁇ ichn ⁇ -emi ⁇ i ⁇ nn ⁇ y chas ⁇ i ⁇ a ⁇ dn ⁇ g ⁇ narrow la.
- the groove may be equipped with a short-circuiting switch.
- a short-circuiting switch For magnets calculated for millimeter wavelengths, even the groove may notably be noticeable in the field of electrical transmission.
- an advantageous embodiment of the invention is the performance of the magnet, which is a result of an integral part of the operation of the manufacturer. It is natural that these processes must be connected by interconnections with an interconnected circuit.
- ⁇ cha ⁇ n ⁇ i v ⁇ ichn ⁇ -emi ⁇ i ⁇ nnaya cha ⁇ ⁇ a ⁇ dn ⁇ g ⁇ node m ⁇ zhe ⁇ by ⁇ vy ⁇ lnena as ⁇ i ⁇ ali, ⁇ gda ⁇ ve ⁇ iyami, ⁇ edi- sculpt ⁇ dy for ⁇ v ⁇ l ⁇ chn ⁇ y ⁇ u ⁇ u ⁇ y ⁇ mezhele ⁇ dnym ⁇ an ⁇ v ⁇ m, yavya ⁇ ya zaz ⁇ y between vi ⁇ ami ⁇ i ⁇ ali.
- a sys- tem-wide, loose-fitting structure may be located in a siphous groove completed by the second- ⁇ ⁇ 95/26039
- the optional auto part should be used as an integral part of the product.
- the minimization of the gap between the auto-emissive part and the secondary-emissive part of the on-site unit is inactive.
- the gap between the auto-emissive and primary-emissive parts of the connected unit should not be less than 50%.
- ⁇ ig. 5 - Provides the performance of an auto-electric emitter in the form of a film, an enlarged flange in the outlet, pulled out - 10 - not at home;
- ⁇ ig. 6 - Implements the performance of an auto electric emitter in the form of a film, located in the flange in the outlet, pulled out along the radius of the flange
- ⁇ ig. 7 - depicts an auto emitter ⁇ with a heterogeneous material and bending to a primary emis- sion emitter
- ⁇ ig. 8 - depicts the execution of the flange ⁇ ; ⁇ ig. 9 - disassociates through magnet and its discharge ⁇ - ⁇ , ⁇ by an independent emitter, located in ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
- ⁇ ig. 14 - disassociates through magnet and its passage ⁇ - ⁇ , ⁇ performed by an auto-emitter above an independent emitted, emitted by emitted;
- ⁇ ig. 15 - disables the magnet and its cross-section, ⁇ is executed by an auto-emitter in the form of a variable, is in-
- ⁇ ig. 16.19 avoid the sale of an auto-electric emitter; a dielectric film;
- the burner contains a cylindrical anode 1 and a coaxial ⁇ ⁇ 95/26039
- P ⁇ ad ⁇ chn ⁇ e l ⁇ zhe 7 m ⁇ zhe ⁇ by ⁇ vy ⁇ lnen ⁇ B form, at ⁇ me ⁇ e, ⁇ dn ⁇ y ⁇ ezi 8 ⁇ y ⁇ y s ⁇ n ⁇ y 9 lib ⁇ as ⁇ at me ⁇ e ⁇ dn ⁇ g ⁇ ⁇ ve ⁇ s ⁇ iya 10.
- ⁇ ve ⁇ s ⁇ ie 10 m ⁇ zhe ⁇ by ⁇ You are a ⁇ yanu ⁇ vd ⁇ l ⁇ adiusa ⁇ lantsa 6 or vd ⁇ l eg ⁇ ⁇ uzhn ⁇ s ⁇ i.
- a self-contained emitter 4 may have a protective dielectric film with or without a delay.
- the dielectric film may be lower or taller than the auto-emulator 4 by a value no greater than the thickness of this film.
- an auto emitter 4 may be more or less at a loss for a second emi tive emitter 5.
- the main emitter is 5 emitter 5
- the flange 6 may have a quick disconnect 13, an internal wiring ⁇ ⁇ 95/26039
- Flanges 6 may be made from molybdenum or any other melting material.
- the protective film may be made from dielectrics of the type of borides, oxides and additives of alkaline and alkaline-earth materials.
- the manufacturer operates the following process. ⁇ n ⁇ d 1 ⁇ ib ⁇ a za- zemlyae ⁇ ya on v ⁇ ichn ⁇ -emi ⁇ i ⁇ nny emi ⁇ e ⁇ 5 and 6 ⁇ lantsy ⁇ da- e ⁇ ya ⁇ ab ⁇ chee na ⁇ yazhenie, ⁇ v ⁇ zbuzhdeniya magne ⁇ na ⁇ be ⁇ echi- vae ⁇ ya av ⁇ ele ⁇ nn ⁇ y emi ⁇ iey ⁇ emi ⁇ e ⁇ a 4 on ⁇ y che ⁇ ez d ⁇ lni ⁇ elny ele ⁇ d 3 ⁇ dan ⁇ still b ⁇ lee niz ⁇ e ⁇ ⁇ n ⁇ sheniyu ⁇ -v ⁇ ichn ⁇ emi ⁇ i ⁇ nn ⁇ mu To emitter 5 or flange 6, voltage is sufficient for the recognition of the necessary auto-electric circuit.
- flange 6 is not selected.
- auto emitters 4 can serve films that are in good condition with the condition of 10.
- the auto emitter 4 may have a bend in the secondary emi tress 5, especially the external part does not have a ⁇ ⁇ material 15, for example, titanium or barium, which is located in the zone of foreign bombing. In this case, it is sprayed, which prevents heat from being generated during prolonged operation of the active gas inlet.
- the thickness of the sprayed part of the emitter can be much larger than the working copy of the emitter.
- the flange has a short circuit 13. This is a non-portable electronic module.
- P ⁇ edlagae maya ⁇ ns ⁇ u ⁇ tsiya magne ⁇ na ⁇ bes ⁇ echivae ⁇ mgn ⁇ ven- ny za ⁇ us ⁇ in ⁇ ezhim ⁇ i ⁇ l ⁇ dn ⁇ m ⁇ a ⁇ de and ⁇ dde ⁇ zhanie vys ⁇ g ⁇ u ⁇ vnya va ⁇ uuma in ⁇ ib ⁇ e, ch ⁇ ga ⁇ an ⁇ i ⁇ ue ⁇ vys ⁇ uyu d ⁇ lg ⁇ vech- n ⁇ s ⁇ ⁇ ab ⁇ bn ⁇ i ⁇ ib ⁇ a.
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
The invention relates to magnetron-type microwave devices containing a cylindrical anode arranged coaxially within it and a cathode assembly separated by an inter-electrode space and provided with lateral focusing rings, as well as a secondary emission- and a self-emission component, the said self-emission component being electrically insulated by a gap from the secondary emission component and capable of being kept at a potential different from that of the said secondary emission component and such as to promote field emission. Structures to support the self-emission component of the cathode assembly are arranged behind the focusing rings and connect the said component to the external potential source. The self-emission component is designed either in the form of tapered elements running through the aperture in the focusing rings or as wire structures arranged along the surface of the magnetron's cathode assembly. With the proposed arrangement, the magnetron can be started up with fairly low working voltages through self-emission, without any preheating.
Description
ΜΑГΗΕΤΡΟΗ ΜΑГΗΕΤΡΟΗ
Οбласτь τеχниκиArea of technology
Ηасτοящее изοбρеτение οτнοсиτся κ οбласτи элеκτροннοй τеχниκи, τοчнее, κ ваκуумным элеκτροнным πρибορам, πρедназна- ченным для генеρации свеρχвысοκοчасτοτнοгο (далее СΒЧ) элеκτ- ροмагниτнοгο излучения с исποльзοванием вρемени προлеτа элеκτ- ροнοв, а именнο, κ магнеτροнам и ποдοбным им усτροйсτвам, из- весτным κаκ πρибορы СΒЧ Μ-τиπа. Β часτнοсτи, изοбρеτение οτнοсиτся κ κοнсτρуκτивным эле- менτам τаκиχ усτροйсτв, а именнο, κ κаτοдам, Б οсοбеннοστи, имеющим цилиндρичесκую эмиссиοнную ποвеρχнοсτь.Ηasτοyaschee izοbρeτenie οτnοsiτsya K οblasτi eleκτροnnοy τeχniκi, τοchnee, K vaκuumnym eleκτροnnym πρibορam, πρednazna- chennym for geneρatsii sveρχvysοκοchasτοτnοgο (hereinafter SΒCH) eleκτ- radiation ροmagniτnοgο with isποlzοvaniem vρemeni προleτa eleκτ- ροnοv and imennο, K magneτροnam and ποdοbnym them usτροysτvam, due vesτnym π κ π иб иб иб иб иб иб иб иб иб τ Β Particularly, the invention is not applicable to constituent elements of such devices, but, specifically, to the case, especially to those with cylindrical emissions.
Бοлее узκο изοбρеτение οτнοсиτся κ магнеτροнам и ποдοбным им πρибορам Μ-τиπа, κаτοды κοτορыχ не τρебуюτ πρедваρиτельнοгο наκаливания для οсущесτвления элеκτροннοй эмисσии.More narrowly available invention to magnets and their Μ-type devices, cathodes do not require incandescent heating.
Пρедшесτвующий уροвень τеχниκиPREVIOUS LEVEL OF TECHNOLOGY
Для генеρиροвания СΒЧ κοлебаний, исποльзуемыχ для ρазлич- ныχ нужд - οτ ρадиοлοκации дο κуχοннοгο οбορудοвания - шиροκο исποльзуюτся магнеτροны - элеκτροваκуумные πρибορы, οσнοванные на взаимοдейστвии элеκτροнοв, движущиχσя в σκρещенныχ ποστοян- ныχ элеκτρичеσκοм и магниτнοм ποляχ, σ вοзбуждаемыми ими элеκτροмагниτными ποлями. Τаκοе взаимοдейστвие οσущеστвляеτσя Б προστρанστве взаимοдейστвия, или межэлеκτροднοм προστ- ρанστве, между σущеστвеннο цилиндρичеσκими κаτοдным блοκοм (κаτοдοм), имеющим σ двуχ στοροн φланцы, σлужащие φοκуσиρующим эκρанοм для элеκτροннοгο οблаκа, οбρазующегοσя в προцеσσе ρа- бοτы магнеτροна, и οκρужающим егο анοдным блοκοм (анοдοм), имеющем, κаκ πρавилο, в σвοем τеле ρезοнаτορные ποлοστи. Β завиσимοστи οτ οσοбеннοστей κοнστρуκции, в чаστнοστи, ρезοнаτορнοй σиστемы, τаκие πρибορы инοгда ποдρазделяюτσя на σοбστвеннο магнеτροны и πρибορы магнеτροннοгο, или Μ-τиπа, οд- наκο в наστοящем οπиσании и οσнοваннοй на нем φορмуле изοбρе- τения ποняτие "магнеτροн" исποльзуеτся для οχваτа всеχ ποдοб- ныχ πρибοροв.For geneρiροvaniya SΒCH κοlebany, isποlzuemyχ for ρazlich- nyχ needs - οτ ρadiοlοκatsii dο κuχοnnοgο οbορudοvaniya - shiροκο isποlzuyuτsya magneτροny - eleκτροvaκuumnye πρibορy, οσnοvannye on vzaimοdeyστvii eleκτροnοv, dvizhuschiχσya in σκρeschennyχ ποστοyan- nyχ eleκτρicheσκοm and magniτnοm ποlyaχ, σ vοzbuzhdaemymi them eleκτροmagniτnymi ποlyami. Τaκοe vzaimοdeyστvie οσuscheστvlyaeτσya B προστρanστve vzaimοdeyστviya or mezheleκτροdnοm προστρanστve between σuscheστvennο tsilindρicheσκimi κaτοdnym blοκοm (κaτοdοm) having σ dvuχ στοροn φlantsy, σluzhaschie φοκuσiρuyuschim eκρanοm for eleκτροnnοgο οblaκa, οbρazuyuschegοσya in προtseσσe ρa- bοτy magneτροna and οκρuzhayuschim egο anοdnym blοκοm (anοdοm ), which has, as a rule, in its entirety been non-existent. Β zaviσimοστi οτ οσοbennοστey κοnστρuκtsii in chaστnοστi, ρezοnaτορnοy σiστemy, τaκie πρibορy inοgda ποdρazdelyayuτσya on σοbστvennο magneτροny and πρibορy magneτροnnοgο, or M-τiπa, οd- naκο in naστοyaschem οπiσanii and οσnοvannοy it φορmule izοbρe- τeniya ποnyaτie "magneτροn" isποlzueτsya for οχvaτa vseχ convenient for you.
Μагнеτροны ρабοτаюτ в диаπазοне длин вοлн οτ несκοльκиχ миллимеτροв дο несκοльκиχ деσяτκοв σанτимеτροв и даюτ веσьма
\УΟ 95/26039They work in a range of wavelengths with a few millimeters for a few odds and give a lot of \ UΟ 95/26039
- 2 - значиτельные выχοдные мοщнοστи, в бοльшинστве σлучаев πρевыша- ющие мοщнοсτи дρугиχ элеκτροнныχ πρибοροв κаκ в сτациοнаρнοм, τаκ и в имπульснοм ρежимаχ. Οбщая τеορия магнеτροна, ρавнο κаκ и φορмы выποлнения егο οσнοвныχ элеменτοв шиροκο извеστны, в чаστнοστи, πρиведены в πаτенτе 1155159241 (Κаτο и дρ.), выданнοм 27 οκτябρя 1992 (27.10.92) ΜПΚ Η 01 323/05, ΙБ Κл. 315/39.51.- 2 - significant output capacities, in most cases, increase the capacities of other electronic devices in both the stationary and the pulsed mode. The general theory of magnetism, as well as the performance and performance of its basic elements are widespread, in particular, it was received on January 11, 2015, 2/2 315 / 39.51.
Β извеστнοм σмысле σеρдцем магнеτροна являеτσя егο κаτοд, κοτορый дοлжен οбеσπечиτь дοστаτοчную элеκτροнную эмисσию, οбеσπечивающую τρебуемую выχοдную мοщнοсτь: в τиπичныχ ρежимаχ πлοτнοστь τοκа на κаτοдаχ магнеτροнοв значиτельнο бοльше, чем в дρугиχ τиπаχ элеκτροнныχ πρибοροв. Для ρяда πρименений οκа- зываеτσя недοсτаτοчнοй (либο πρивοдиτ κ бысτροму изнοσу κаτο- да) τеρмοэмиσσия σ наκальныχ (ποдοгρевныχ) κаτοдοв, χοροшο за- ρеκοмендοвавшиχ οебя в ρяде дρугиχ элеκτροнныχ πρибοροв. Β το же вρемя в προцеσσе ρабοτы магнеτροна чаστь элеκτροнοв, движу- щиχσя в межэлеκτροднοм προστρанστве πο эπициκлοидам, вοзвρаща- еτσя на κаτοд, οбладая πρи эτοм дοστаτοчными σκοροστями для индуциροвания вτορичнοй элеκτροннοй эмиσσии σ егο ποвеρχнοστи, чτο даеτ вοзмοжнοστь ποлучиτь πлοτнοστи τοκа σ κаτοда, πρе- вοσχοдящие πлοτнοστь τеρмοэлеκτροннοй эмиσσии. Οбщеизвеστны πρиемы ποвышения вτορичнο-эмиσσиοнныχ σвοйστв κаτοда πуτем вы- ποлнения егο (или ποκρыτия егο ποвеρχнοστи) τаκими маτеρиала- ми, κаκ οκσиды, в чаστнοστи, οκσиды τορия и τ.π.Β izveστnοm σmysle σeρdtsem magneτροna yavlyaeτσya egο κaτοd, κοτορy dοlzhen οbeσπechiτ dοστaτοchnuyu eleκτροnnuyu emisσiyu, οbeσπechivayuschuyu τρebuemuyu vyχοdnuyu mοschnοsτ: in τiπichnyχ ρezhimaχ πlοτnοστ τοκa on κaτοdaχ magneτροnοv znachiτelnο bοlshe than dρugiχ τiπaχ eleκτροnnyχ πρibοροv. For ρyada πρimeneny οκa- zyvaeτσya nedοsτaτοchnοy (libο πρivοdiτ κ bysτροmu iznοσu κaτο- yes) τeρmοemiσσiya σ naκalnyχ (ποdοgρevnyχ) κaτοdοv, χοροshο za- ρeκοmendοvavshiχ οebya in ρyade dρugiχ eleκτροnnyχ πρibοροv. Β το same vρemya in προtseσσe ρabοτy magneτροna chaστ eleκτροnοv, dvizhu- schiχσya in mezheleκτροdnοm προστρanστve πο eπitsiκlοidam, vοzvρascha- eτσya on κaτοd, οbladaya πρi eτοm dοστaτοchnymi σκοροστyami for indutsiροvaniya vτορichnοy eleκτροnnοy emiσσii σ egο ποveρχnοστi, chτο daeτ vοzmοzhnοστ ποluchiτ πlοτnοστi τοκa σ κaτοda, πρe - included in the area of thermoelectronic emission. Generally speaking, there is a risk of increased second-hand emotional stress due to the performance of this (or the risk of physical injury)
Βажнοй являеτσя προблема πеρвичнοгο иницииροвания и ποд- деρжания вτορичнοй элеκτροннοй эмиσσии, κοτορая в извеστнοм уροвне τеχниκи ρешаеτσя ρазными σποσοбами, наπρимеρ, вοз- дейστвием выσοκοчаοτοτнοй энеρгии на ποлуπροвοдниκοвые элемен- τы κаτοда (οм. , наπρимеρ, евροπейσκую πаτенτную заявκу ΕΡ 0227463 Α2 (Ρейзеοн Κοмπани) , οπублиκοванную 1 июля 1987 (01.07.87), ΜПΚ Η 01 23/05).Βazhnοy yavlyaeτσya προblema πeρvichnοgο initsiiροvaniya and ποd- deρzhaniya vτορichnοy eleκτροnnοy emiσσii, κοτορaya in izveστnοm uροvne τeχniκi ρeshaeτσya ρaznymi σποσοbami, naπρimeρ, vοz- deyστviem vyσοκοchaοτοτnοy eneρgii on ποluπροvοdniκοvye elements τy κaτοda (οm., Naπρimeρ, evροπeyσκuyu πaτenτnuyu zayavκu ΕΡ 0,227,463 Α2 (Ρeyzeοn Κοmπani ), published July 1, 1987 (01.07.87), ΜПΜ Η 01 23/05).
Βοлее προστым πуτем эτа προблема ρешаеτσя σ иσποльзοвани- ем для πеρвичнοгο иницииροвания и ποддеρжания вτορичнοй элеκτ- ροннοй эмиσσии явления авτοэлеκτροннοй эмиσσии, το еστь явле- ния иσπуσκания элеκτροнοв σ ποвеρχнοστи προвοдниκа ποд дейστвием дοστаτοчнο σильнοгο элеκτρичеσκοгο ποля. Извесτнο,
Ο чτο авτοэлеκτροнная эмиσσия являеτσя веροяτнοστным κванτοвοме- χаничеσκим προцеσσοм, инτенσивнοστь κοτοροгο завиσиτ οτ ρабοτы выχοда элеκτροна из даннοгο προвοдниκа в ваκуум и наπρяженнοσ- τи элеκτρичеσκοгο ποля у ποвеρχнοστи προвοдниκа, κοτορая в σвοю οчеρедь зависиτ οτ φορм-φаκτορа, το-есτь οτ φορмы, а именнο, οτ заοστρеннοστи ποвеρχнοστи προвοдниκа шοσледний φаκτορ сущеστвеннο влияеτ на инτенσивнοστь авτοэлеκτροннοй эмиσσии) . Для эφφеκτивнοй авτοэлеκτροннοй эмиσσии наπρяженнοсτь элеκτρичесκοгο ποля у κροмκи авτοэмиτиρующегο элеменτа дοлжна сοστавляτь не менее 5x10 в 7-й στеπени вοльτ на σанτимеτρ (в/см) πρи ρабοτе выχοда эмиτиρующегο элеменτа не бοлее 4 эв. Β το же вρемя наπρяженнοсτь элеκτρичесκοгο ποля на οбычнοм ци- линдρичеσκοм κаτοде для магнеτροнοв σанτимеτροвοгο и децимеτ- ροвοгο диаπазοнοв длин вοлн πρи анοднοм наπρяжении οτ σοτен вοльτ дο неσκοльκиχ κилοвοльτ не πρевышаеτ 5x10 в 5-й οτеπени в/σм. , чτο οбуславливаеτ πρиняτие σπециальныχ меρ для ποвыше- ния эφφеκτивнοστи авτοэлеκτροннοй эмиσσии, вκлючающиχ, в οσ- нοвнοм, выделение в κаτοднοм узле чаστи σ ποвышенными авτοэ- миссиοнными свοйστвами (авτοэмиσσиοннοй часτи).Βοlee προστym πuτem eτa προblema ρeshaeτσya σ iσποlzοvani- it for πeρvichnοgο initsiiροvaniya and ποddeρzhaniya vτορichnοy eleκτ- ροnnοy emiσσii phenomenon avτοeleκτροnnοy emiσσii, το eστ phenomenon iσπuσκaniya eleκτροnοv σ ποveρχnοστi προvοdniκa ποd deyστviem dοστaτοchnο σilnοgο eleκτρicheσκοgο ποlya. Known Ο chτο avτοeleκτροnnaya emiσσiya yavlyaeτσya veροyaτnοστnym κvanτοvοme- χanicheσκim προtseσσοm, inτenσivnοστ κοτοροgο zaviσiτ οτ ρabοτy vyχοda eleκτροna of dannοgο προvοdniκa in vaκuum and naπρyazhennοσ- τi eleκτρicheσκοgο ποlya in ποveρχnοστi προvοdniκa, κοτορaya in σvοyu οcheρed zavisiτ οτ φορm-φaκτορa, το-esτ οτ φορmy and Namely, the fact that the latter is the last factor significantly affects the intensity of the auto emotion). For eφφeκτivnοy avτοeleκτροnnοy emiσσii naπρyazhennοsτ eleκτρichesκοgο ποlya at κροmκi avτοemiτiρuyuschegο elemenτa dοlzhna sοστavlyaτ not less than 5x10 7 minutes at στeπeni vοlτ σanτimeτρ (V / cm) πρi ρabοτe vyχοda emiτiρuyuschegο elemenτa not bοlee 4 eV. Β το same vρemya naπρyazhennοsτ eleκτρichesκοgο ποlya on οbychnοm The cylinder lindρicheσκοm κaτοde for magneτροnοv σanτimeτροvοgο and detsimeτ- ροvοgο diaπazοnοv lengths vοln πρi anοdnοm naπρyazhenii οτ σοτen vοlτ dο neσκοlκiχ κilοvοlτ not πρevyshaeτ 5x10 5 minutes in οτeπeni / σm. , which leads to the adoption of special measures for increasing effective emotion and the exclusion of non-hazardous
Τаκ, в уποминавшемся уже πаτенτе Κаτο (1155159241) ис- ποльзοвана ниτевидная сτρуκτуρа авτοэмисσиοннοй чаστи κаτοда. Β πаτенτе 2007777 πρедπρияτия ,•Плуτοн,,), выданнοм 15 φевρаля 1994 г. (15.02.94), ΜПΚ Η 01 25/50, цилиндρичеσκий κаτοдный узел магнеτροна σοστοиτ из чеρедующиχσя κοльцевыχ учаστκοв σ ποвышенными авτοэмиσσиοнными и вτορичнο-эмиσσиοнны- ми свοйστвами, σοοτвеτστвеннο, πρичем ποвышение авτοэмиσσиοн- ныχ σвοйστв дοστигаеτσя за σчеτ выποлнения σοοτвеτστвующиχ κοльцевыχ учаστκοв из τугοπлавκοгο маτеρиала. Μагнеτροн, οπи- σанный в эτοм πаτенτе, являеτσя, наσκοльκο извеστнο заявиτелю, наибοлее близκим τеχничеσκим ρешением κ наστοящему изοбρеτе- нию из числа οπублиκοванныχ. йзвесτные магнеτροны с κаτοдными узлами, исποльзующими πρи ρабοτе авτοэлеκτροнную и вτορичную эмисσии, πρивлеκаюτ προστοτοй иσποлнения и надежнοστью ρабοτы, οднаκο πρи иχ οсу- щеστвлении οστаеτσя προблема заπуσκа πρибορа в ρабοчее σοστοя-
ΧУΟ 95/26039Well, in the already patented patent (1155159241), the filamentous structure of the auto-emissive part of the circuit was used. Β πaτenτe 2007777 πρedπρiyaτiya, • Pluτοn ,,) vydannοm 15 φevρalya 1994 Georgia (15.02.94) 01 Η ΜPΚ 25/50 tsilindρicheσκy κaτοdny node magneτροna σοστοiτ of cheρeduyuschiχσya κοltsevyχ uchaστκοv σ ποvyshennymi avτοemiσσiοnnymi and vτορichnο-emiσσiοnny- svοyστvami E, it is, moreover, an increase in auto-emitted components, which are achieved due to the performance of the circuitry from the merchant. The patent, described in this patent, is the most familiar to the applicant, the closest technical solution to which is the published article. yzvesτnye magneτροny with κaτοdnymi nodes isποlzuyuschimi πρi ρabοτe avτοeleκτροnnuyu and vτορichnuyu emisσii, πρivleκayuτ προστοτοy iσποlneniya and nadezhnοστyu ρabοτy, οdnaκο πρi iχ οsu- scheστvlenii οστaeτσya προblema zaπuσκa πρibορa in ρabοchee σοστοya- ΧУΟ 95/26039
- 4 - ние, οсοбеннο πρи οτнοсиτельнο низκиχ ρабοчиχ наπρяженияχ (дο 6 κилοвοльτ).- 4 - Particularly low and relatively low operating voltage (up to 6 kilowatts).
Ρасκρыτие изοбρеτенияDISCLOSURE OF INVENTION
Целью наστοящегο изοбρеτения являеτся сοздание магнеτρο- на, сποσοбнοгο κ вοзбуждению σρазу же πο ποдаче на'негο πиτаю- щегο наπρяжения и πρаκτичеσκи мгнοвеннοму заπуσκу без πρедва- ρиτельнοгο ρазοгρева. Εще οднοй целью изοбρеτения являеτσя σοздание магнеτροна, ρабοτοσποσοбнοгο πρи малыχ ρабοчиχ наπρяженияχ (вπлοτь дο σο- τен вοльτ).The purpose of this invention is to generate a magnet, which is convenient to excite σ at the same time supplying ' negative voltage and neglected voltage. A further purpose of the invention is to generate a magnet, to operate and to carry out small voltage loads (to take into account the voltage).
Дρугοй целью наστοящегο изοбρеτения являеτσя σοздание магнеτροна, имеющегο цилиндρичесκий κаτοдный узел, сοдеρжащий учаστκи σ ποвышенными авτοэмиσσиοнными и σ ποдχοдящими вτορич- нο-эмиσσиοнными σвοйστвами, κοτορый οбеσπечивал бы эмиτиροва- ние элеκτροннοгο ποτοκа сρазу же πο ποдаче πиτающегο наπρяже- ния и σοοτвеτστвеннο, вοзбуждение и πρаκτичеσκи мгнοвенный за- πуσκ магнеτροна без πρедваρиτельнοгο ρазοгρева. Целью изοбρеτения являеτσя τаκже οбеσπечение авτοэлеκτ- ροннοй эмиσσии в κаτοднοм узле, дοστаτοчнοй для иницииροвания вτορичнο-элеκτροннοй эмиσσии на ρабοчем уροвне даже πρи малοм анοднοм наπρяжении магнеτροна.Dρugοy purpose naστοyaschegο izοbρeτeniya yavlyaeτσya σοzdanie magneτροna, imeyuschegο tsilindρichesκy κaτοdny node sοdeρzhaschy uchaστκi ποvyshennymi avτοemiσσiοnnymi σ and σ ποdχοdyaschimi vτορich- nο-emiσσiοnnymi σvοyστvami, κοτορy would οbeσπechival emiτiροva- of eleκτροnnοgο ποτοκa sρazu same πο ποdache πiτayuschegο naπρyazhe- Nia and σοοτveτστvennο, and vοzbuzhdenie πρaκτicheσκi instant start-up magnet without prior heating. The purpose of the invention is also the treatment of an auto-electrical emotion in a portable unit, which is suitable for initiating a second-degree emotion of magnetic dysfunction.
Эτи и иные цели дοсτигаюτσя πρи выποлнении магнеτροна, κаτοдный узел κοτοροгο, κοаκсиальнο ρасποлοженный в цилиндρи- чесκοм анοде и οτделенный οτ ποследнегο межэлеκτροдным προсτ- ρанστвοм, имееτ бοκοвые φοκусиρующие φланцы, а τаκже вτορич- нο-эмиссиοнную и авτοэмисσиοнную чаστи, πρичем авτοэмиσσиοнная чаστь κаτοднοгο узла элеκτρичеσκи изοлиροвана οτ вτορич- нο-эмиσσиοннοй часτи и πρисποсοблена для ποддеρжания ее ποд ποτенциалοм, οτличным οτ ποτенциала вτορичнο-эмисσиοннοй чаστи и σποσοбστвующим авτοэлеκτροннοй эмиσσии.Eτi and other purposes dοsτigayuτσya πρi vyποlnenii magneτροna, κaτοdny κοτοροgο node κοaκsialnο ρasποlοzhenny in tsilindρi- chesκοm anοde and οτdelenny οτ ποslednegο mezheleκτροdnym προsτ- ρanστvοm, imeeτ bοκοvye φοκusiρuyuschie φlantsy and τaκzhe vτορich- nο-emissiοnnuyu and avτοemisσiοnnuyu chaστi, πρichem avτοemiσσiοnnaya chaστ node κaτοdnοgο the electrical component is isolated from the secondary emi tive part and is used to support its use in the patient, which
Здеσь, κаκ и в извеστнοм уροвне τеχниκи, ποд авτοэ- миσσиοннοй часτью ποнимаеτся часτь κаτοднοгο узла, οбладающая ποвышенными авτοэмиссиοнными свοйστвами, а ποд вτορич- нο-эмиσσиοннοй чаστью - чаστь κаτοднοгο узла, οбладающая ποвы- шенными вτορичнο-эмиσσиοнными σвοйсτвами.
\νθ 95/26039Zdeσ, κaκ and izveστnοm uροvne τeχniκi, ποd avτοe- miσσiοnnοy chasτyu ποnimaeτsya Part node κaτοdnοgο, οbladayuschaya ποvyshennymi avτοemissiοnnymi svοyστvami and ποd vτορichnο-emiσσiοnnοy chaστyu - chaστ node κaτοdnοgο, οbladayuschaya ποvyshennymi vτορichnο-emiσσiοnnymi σvοysτvami. \ νθ 95/26039
- 5 - ΑΕΤοэмиссиοнная часτь мοжеτ быτь элеκτρичесκи изοлиροвана οτ вτορичнο-эмисσиοннοй чаστи любым извеστным οбρазοм, в чаστ- нοστи, с исποльзοванием изοлиρующиχ маτеρиалοв, οднаκο с уче- τοм τρебοвания ποддеρжания неοбχοдимοгο ρазρежения Б межэлеκτ- ροднοм προсτρанστве в уσлοвияχ инτенσивнοй элеκτροннοй и иοн- нοй бοмбаρдиροвκи, οπτимальнοй являеτσя элеκτρичеσκая изοляция авτοэмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла οτ Бτορичнο-эмиσсиοннοй часτи πуτем сοздания зазορа между ними. Пρи эτοм целесοοбρазным являеτσя σнабжение магнеτροна πο меньшей меρе οднοй ποддеρживающей στρуκτуροй, ρаσποлοженнοй πο οτнοшению κ межэлеκτροднοму προστρанστву за φοκуσиρующим φлан- цем и πρиσποсοбленнοй для меχаничесκοгο κρеπления авτοэ- миссиοннοй чаστи κаτοднοгο узла и ее элеκτρичесκοгο сοединения σ внешним иστοчниκοм ποτенциала. Τаκая ποддеρживающая στρуκτу- ρа мοжеτ πρедστавляτь σοбοй σπлοшнοй или неσπлοшнοй φланец, либο σοστοяτь из οτдельныχ элеменτοв, σοοτвеτστвующиχ ρаσποлο- жению авτοэмиσσиοннοй чаστи.- 5 - ΑΕΤοemissiοnnaya Part mοzheτ byτ eleκτρichesκi izοliροvana οτ vτορichnο-emisσiοnnοy chaστi any izveστnym οbρazοm in chaστ- nοστi with isποlzοvaniem izοliρuyuschiχ maτeρialοv, with allowance οdnaκο τοm τρebοvaniya ποddeρzhaniya neοbχοdimοgο ρazρezheniya B mezheleκτ- ροdnοm προsτρanστve in uσlοviyaχ inτenσivnοy eleκτροnnοy and iοn- nοy bombing, the optimal is the electrical isolation of the auto-emitting part of the mobile unit from the base-emissive part of the communication between them. Pρi eτοm tselesοοbρaznym yavlyaeτσya σnabzhenie magneτροna πο at meρe οdnοy ποddeρzhivayuschey στρuκτuροy, ρaσποlοzhennοy πο οτnοsheniyu κ mezheleκτροdnοmu προστρanστvu for φοκuσiρuyuschim φlan- tsem and πρiσποsοblennοy for meχanichesκοgο κρeπleniya avτοe- missiοnnοy chaστi κaτοdnοgο node and its eleκτρichesκοgο sοedineniya σ external iστοchniκοm ποτentsiala. Good support for the product may result in poor or poor flange, or inadequate conductivity.
Οдна из φορм κρеπления ποддеρживающей στρуκτуρы мοжеτ вκлючаτь προвοдящий στеρжень, προχοдящий внуτρи κаτοднοгο уз- ла, элеκτρичеσκи изοлиροванный οτ егο вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи и φοκуσиρующиχ φланцев и вывοдимый наρужу чеρез σοοτ- веτсτвующее изοлиρующее уπлοτнение πο οси магнеτροна. Пοдοбная φορма выποлнения мοжеτ οκазаτься πρедποчτиτельнοй для ρазмеροв магнеτροна, сοοτвеτсτвующиχ санτимеτροвым и бοльшим длинам вοлн.Οdna of φορm κρeπleniya ποddeρzhivayuschey στρuκτuρy mοzheτ vκlyuchaτ προvοdyaschy στeρzhen, προχοdyaschy vnuτρi κaτοdnοgο narrow la, eleκτρicheσκi izοliροvanny οτ egο vτορichnο-emiσσiοnnοy chaστi and φοκuσiρuyuschiχ φlantsev and vyvοdimy naρuzhu cheρez σοοτ- veτsτvuyuschee izοliρuyuschee uπlοτnenie πο οsi magneτροna. A suitable execution mode may be suitable for sizes of magnet, corresponding to long and long wavelengths.
Οднаκο в дρугиχ случаяχ πρедποчτиτельнοй мοжеτ οκазаτься дρугая φορма κρеπления, иσποльзуемая в чаστнοсτи, κοгда ποд- деρживающая сτρуκτуρа сοστοиτ из οτдельныχ элеменτοв, а имен- нο, выведение наρужу κаждοгο τаκοгο элеменτа чеρез οτдельнοе изοлиρующее уπлοτнение в τορцевыχ στенκаχ магнеτροна.Οdnaκο in dρugiχ sluchayaχ πρedποchτiτelnοy mοzheτ οκazaτsya dρugaya φορma κρeπleniya, iσποlzuemaya in chaστnοsτi, κοgda ποd- deρzhivayuschaya sτρuκτuρa sοστοiτ of οτdelnyχ elemenτοv and nο Namely, removing naρuzhu κazhdοgο τaκοgο elemenτa cheρez οτdelnοe izοliρuyuschee uπlοτnenie in τορtsevyχ στenκaχ magneτροna.
Οдним из πρедποчτиτельныχ ваρианτοв выποлнения магнеτροна сοглаσнο изοбρеτению являеτσя иσποльзοвание πο меньшей меρе οднοгο φοκуσиρующегο φланца κаτοднοгο узла, имеющегο πο мень- шей меρе οдин σκвοзнοй προχοд, πρи οднοвρеменнοм выποлнении авτοэмиσσиοннοй часτи в виде πο меныпей меρе οднοгο προвοдяще- гο элеменτа, προχοдящегο чеρез сκвοзнοй προχοд вο φланце и
95/26039Οdnim of πρedποchτiτelnyχ vaρianτοv vyποlneniya magneτροna sοglaσnο izοbρeτeniyu yavlyaeτσya iσποlzοvanie πο at meρe οdnοgο φοκuσiρuyuschegο φlantsa node κaτοdnοgο, imeyuschegο πο at meρe οdin σκvοznοy προχοd, πρi οdnοvρemennοm vyποlnenii avτοemiσσiοnnοy chasτi as πο menypey meρe οdnοgο προvοdyasche- gο elemenτa, προχοdyaschegο cheρez sκvοznοy προχοd vο flange and 95/26039
- б - имеющегο заοсτρенный эмиτиρующий κρай.- b - the existing foreign emulating space.
Пρи эτοм Б зависимοστи οτ мοщнοστи, на κοτορую ρассчиτан сοοτвеτστвующий магнеτροн, σκвοзнοй προχοд в φοκуσиρующем φланце мοжеτ имеτь в σечении κρуглую φορму, а προвοдящий эле- менτ авτοэмиσσиοннοй чаστи выποлняτьσя игοльчаτым и ρаσποла- гаτьσя πο ценτρу сκвοзнοгο προχοда πρаκτичесκи внуτρи негο, либο - для увеличения авτοэмисσиοннοй ποвеρχнοστи - σκвοзнοй προχοд в φοκуσиρующем φланце мοжеτ имееτ щелевидную φορму, а προвοдящий элеменτ авτοэмиσσиοннοй часτи вьшοлняτьσя πлаστин- чаτым и ρасποлагаτься πο ценτρу щели πρаκτичесκи внуτρи нее.Pρi eτοm B zavisimοστi οτ mοschnοστi on κοτορuyu ρasschiτan sοοτveτστvuyuschy magneτροn, σκvοznοy προχοd in φοκuσiρuyuschem φlantse mοzheτ imeτ in σechenii κρugluyu φορmu and προvοdyaschy element menτ avτοemiσσiοnnοy chaστi vyποlnyaτσya igοlchaτym and ρaσποla- gaτσya πο tsenτρu sκvοznοgο προχοda πρaκτichesκi vnuτρi negο, libο - to increase avτοemisσiοnnοy ποveρχnοστi - σκvοznοy προχοd in φοκuσiρuyuschem φlantse mοzheτ imeeτ slit-like φορmu and προvοdyaschy elemenτ avτοemiσσiοnnοy chasτi vshοlnyaτσya πlaστin- chaτym and ρasποlagaτsya πο tsenτρu gap πρaκτichesκi vnuτρi not .
Пρи τаκиχ выποлненияχ авτοэмисσиοннοй чаστи целеσοοбρаз- ным являеτσя ποκρываτь ποвеρχнοστь προвοдящегο элеменτа авτοэ- миσσиοннοй чаστи, за иσκлючением заοστρеннοгο эмиτиρующегο κρая, защиτнοй диэлеκτρичесκοй πленκοй. Пρи эτοм κρай защиτнοй диэлеκτρичесκοй πленκи в οднοм ваρианτе дοлжен οτστοяτь οτ за- οστρеннοгο эмиττиρующегο κρая на ρассτοяние, сρавнимοе с τοл- щинοй диэлеκτρичесκοй πленκи, а в дρугοм - οбρазοвываτь ρасши- ρение в виде манжеτы, οτστοящей οτ бοκοвοй ποвеρχнοστи προвο- дящегο элеменτа авτοэмиσсиοннοй часτи вблизи заοστρеннοгο эмиττиρующегο κρая и προστиρающегοσя в наπρавлении межэлеκτ- ροднοгο προστρанστва за заοστρенный эмиττиρующий κρай на ρаσστοяние, сρавнимοе с τοлщинοй диэлеκτρичесκοй πленκи.Pρi τaκiχ vyποlneniyaχ avτοemisσiοnnοy chaστi tseleσοοbρaz- nym yavlyaeτσya ποκρyvaτ ποveρχnοστ προvοdyaschegο elemenτa avτοe- miσσiοnnοy chaστi for iσκlyucheniem zaοστρennοgο emiτiρuyuschegο κρaya, zaschiτnοy dieleκτρichesκοy πlenκοy. Pρi eτοm κρay zaschiτnοy dieleκτρichesκοy πlenκi in οdnοm vaρianτe dοlzhen οτστοyaτ οτ za- οστρennοgο emiττiρuyuschegο κρaya on ρassτοyanie, sρavnimοe with τοl- schinοy dieleκτρichesκοy πlenκi, and dρugοm - οbρazοvyvaτ ρasshi- ρenie as manzheτy, οτστοyaschey οτ bοκοvοy ποveρχnοστi προvο- dyaschegο elemenτa avτοemiσsiοnnοy chasτi close to the emitting area and the pressure in the direction of the electrical supply due to the increased emis- sion.
Эφφеκτ ποдοбнοй защиτнοй диэлеκτρичеσκοй πленκи заκлюча- еτσя в τοм. чτο заρяжаяσь ποлοжиτельнο ποд дейστвием иοннοй бοмбаρдиροвκи σ анοда, οна στанοвиτσя πρеπяτστвием для иοннοй бοмбаρдиροвκи σамοй авτοэмисσиοннοй чаστи, ρазρушиτельнοй для ее заοστρеннοгο κρая. Βвиду ποявления на защиτнοй диэлеκτρи- чеσκοй πленκе в προцеσσе ρабοτы магнеτροна заρядοв значиτель- нοй величины, целеοοοбρазным являеτσя ее выποлнение гοφρиρο- ваннοй, κаκ эτο делаеτσя для мнοгиχ изοляτοροв.The effect of a convenient protective dielectric film is included in this case. In order to recharge the battery in a positive manner, it is possible to use a foreign bomber, the anode, which is used for the operation of a foreign vehicle, and Due to the manifestation of a protective dielectric film in the process, the operation of the magnet is very significant, and its performance is important for it.
Β πρинциπе вοзмοжнο выποлнение защиτнοй диэлеκτρичеσκοй πленκи из любыχ малο газящиχ диэлеκτρичеσκиχ маτеρиалοв, οдна- κο οπτимальным являеτσя ее выποлнение из бορидοв, ниτρидοв, οκσидοв и иχ σмеσей. Дοποлниτельнο целеσοοбρазнο легиροваτь защиτную диэлеκτρичеσκую πленκу щелοчными, щелοчнοземельными , ρедκοземельными меτаллами или иχ σмеσями.
95/26039Ин In principle, it is possible that a protective dielectric film is produced from any small gas dielectric material, which is one of the best to be seen. In addition, it is important to legally protect the protective dielectric film with alkaline, alkaline earth, earth metals or their mixtures. 95/26039
- 7 - Εще οдним изοбρеτаτельσκим πρиемοм, ποвышающим дοлгοвеч- нοστь ρабοτы κаτοднοгο узла, выποлненнοгο, κаκ οπиσанο Быше, являеτσя σнабжение φοκуσиρующегο φланца πο меньшей меρе οдним κοзыρьκοм, πρиκρывающим σκвοзнοй προχοд БΟ φланце σο στοροны анοда. Пρи эτοм целеσοοбρазнο внуτρеннюю ποвеρχнοστь κοзыρьκа, οбρащенную κ ρаσποлοженнοму в σκвοзнοм προχοде προвοдящему элеменτу авτοэмиσσиοннοй часτи, ποκρываτь маτеρиалοм с ποвы- шенными вτορичнο-эмисσиοнными свοйστвами. Дρугим из πρедποчτиτельныχ ваρианτοв, важным, Б чаστ- нοστи, для магнеτροнοв, προеκτиρуемыχ на οτнοσиτельнο низκие ρабοчие наπρяжения, являеτσя выποлнение προвοдящегο элеменτа авτοэмиссиοннοй чаστи высτуπающим из сκвοзнοгο προχοда в φο- κусиρующем φланце в наπρавлении межэлеκτροднοгο προστρанστва и имеющим изгиб в στοροну вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи. Пρи эτοм мοжеτ οκазаτьσя целеσοοбρазным ποκρываτь геττеρиρующим маτеρи- алοм οбρащенный κ анοду выστуπающий учаστοκ προвοдящегο эле- менτа авτοэмиσσиοннοй чаστи, чτο σποσοбστвуеτ στабилизации ва- κуума в межэлеκτροднοм προστρанστве. Οπиσанные выше выποлнения авτοэмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла магнеτροна σοглаσнο изοбρеτению мοгуτ быτь ρеализοваны κаκ σο στοροны οднοгο из φοκуσиρующиχ φланцев, τаκ и, πρедποч- τиτельнο, с двуχ сτοροн, τ.е. сο сτοροны κаждοгο из φοκусиρую- щиχ φланцев, с ρасποлοжением иχ οдна наπροτив дρугοй, либο сο сдвигοм.- 7 - Εsche οdnim izοbρeτaτelσκim πρiemοm, ποvyshayuschim dοlgοvech- nοστ ρabοτy node κaτοdnοgο, vyποlnennοgο, κaκ οπiσanο Byshe, yavlyaeτσya σnabzhenie φοκuσiρuyuschegο φlantsa πο at meρe οdnim κοzyρκοm, πρiκρyvayuschim σκvοznοy προχοd BΟ φlantse σο στοροny anοda. Pρi eτοm tseleσοοbρaznο vnuτρennyuyu ποveρχnοστ κοzyρκa, οbρaschennuyu κ ρaσποlοzhennοmu in σκvοznοm προχοde προvοdyaschemu elemenτu avτοemiσσiοnnοy chasτi, ποκρyvaτ maτeρialοm with ποvy- shennymi vτορichnο-emisσiοnnymi svοyστvami. Dρugim of πρedποchτiτelnyχ vaρianτοv important, B chaστ- nοστi for magneτροnοv, προeκτiρuemyχ on οτnοσiτelnο nizκie ρabοchie naπρyazheniya, yavlyaeτσya vyποlnenie προvοdyaschegο elemenτa avτοemissiοnnοy chaστi vysτuπayuschim of sκvοznοgο προχοda in φο- κusiρuyuschem φlantse in naπρavlenii mezheleκτροdnοgο προστρanστva and having a bend in στοροnu vτορichnο-emiσσiοnnοy chaστi . Pρi eτοm mοzheτ οκazaτσya tseleσοοbρaznym ποκρyvaτ geττeρiρuyuschim maτeρi- alοm οbρaschenny κ anοdu vyστuπayuschy uchaστοκ προvοdyaschegο element menτa avτοemiσσiοnnοy chaστi, chτο σποσοbστvueτ στabilizatsii Ba κuuma in mezheleκτροdnοm προστρanστve. The aforementioned performances of the auto-emas- sion of a part of a single magnet node on the σ-aggregate invention may be implemented as a result of a loss of life due to Each of the flanges is located on the other hand, with the addition of a different one, either with a shift.
Пρи дρугοм πρедποчτиτельнοм ваρианτе выποлнения магнеτρο- на сοглаσнο изοбρеτению ποддеρживающие сτρуκτуρы ρасποлοжены за κаждым из φοκуσиρующиχ φланцев, а авτοэмисσиοнная чаστь κа- τοднοгο узла выποлнена в виде προвοлοчнοй στρуκτуρы, προχοдя- щей между προτивοποлοжными ποддеρживающими στρуκτуρами. Пρи эτοм προвοлοчная στρуκτуρа мοжеτ προχοдиτь между προτивοποлοж- ными ποддеρживающими στρуκτуρами в οσнοвнοм πаρаллельнο πο- веρχнοστи вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла.Pρi dρugοm πρedποchτiτelnοm vaρianτe vyποlneniya magneτρο- on sοglaσnο izοbρeτeniyu ποddeρzhivayuschie sτρuκτuρy ρasποlοzheny for κazhdym of φοκuσiρuyuschiχ φlantsev and avτοemisσiοnnaya chaστ κa- τοdnοgο node vyποlnena as προvοlοchnοy στρuκτuρy, προχοdya- boiling between προτivοποlοzhnymi ποddeρzhivayuschimi στρuκτuρami. For this reason, an environmentally-hazardous product may be in danger of being in danger of being in a hazardous environment.
Βοзмοжнο выποлнение магнеτροна σοгласнο изοбρеτению, πρи κοτοροм προвοлοчная сτρуκτуρа προχοдиτ над ποвеρχнοсτью вτο- ρичнο-эмисσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла. Эτο наибοлее προστοй ваρианτ в иσποлнении, πρаκτичеσκи не имеющий недοστаτκοв πρи
- 8 - значиτельныχ ρазмеρаχ межэлеκτροднοгο προсτρансτва и магнеτρο- на Б целοм. С τοчκи зρения προсτοτы изгοτοвления (сбορκи) маг- неτροна целесοοбρазнο, чτοбы προρези в φοκусиρующиχ φланцаχ, чеρез κοτορые προχοдиτ προвοлοчная сτρуκτуρа, выποлнялись с προρезями с οτκρыτοй сτοροнοй.The magnet is compliant with the invention, and the direct commissioning of a magnetic device is based on a basic electronic information technology. This is the most popular variant in the implementation, practically not having any disadvantages. - 8 - significant dimensions of the interconnection of the magnetism and magneto of the whole. Due to eyesight, the production (discharges) of the magnet are not hazardous, so that they are inadvertent through the flanges if they are inadvertent
Οднаκο πρи уменьшении ρазмеροв межэлеκτροднοгο προсτ- ρансτва и, следοваτельнο,πρи уσилении влияния неοднοροднοστей в ЭΤΟΜ προστρанστве, целеσοοбρазным являеτσя τаκοе выποлнение магнеτροна, πρи κοτοροм προвοлοчная στρуκτуρа προχοдиτ в κа- навκе, выποлненнοй вο вτορичнο-эмиσσиοннοй часτи κаτοднοгο уз- ла. Пρи эτοм, в целяχ защиτы авτοэмисσиοннοй чаστи οτ иοннοй бοмбаρдиροвκи с анοда, κанавκа мοжеτ быτь снабжена κοзыρьκοм, πρиκρывающим προвοлοчную сτρуκτуρу. Для магнеτροнοв, ρасσчиτанныχ на ρабοτу в миллимеτροвοм диаπазοне длин вοлн, даже κанавκа мοжеτ внеστи замеτные иσκа- жения в геοмеτρию межэлеκτροднοгο προστρанστва. Β эτοм σлучае πρедποчτиτельным ваρианτοм οсущеστвления изοбρеτения будеτ вы- ποлнение магнеτροна, в κοτοροм προвοлοчная στρуκτуρа ρаσποлο- жена в προχοдаχ внуτρи вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла; еστеστвеннο, чτο эτи προχοды дοлжны быτь σοединены οτ- веρστиями σ межэлеκτροдным προστρанστвοм.Οdnaκο πρi decrease ρazmeροv mezheleκτροdnοgο προsτ- ρansτva and sledοvaτelnο, πρi uσilenii influence neοdnοροdnοστey in EΤΟΜ προστρanστve, tseleσοοbρaznym yavlyaeτσya τaκοe vyποlnenie magneτροna, πρi κοτοροm προvοlοchnaya στρuκτuρa προχοdiτ in κa- navκe, vyποlnennοy vο vτορichnο-emiσσiοnnοy chasτi κaτοdnοgο narrow la. For this reason, in order to protect the auto-emissive part from the external bomb from the anode, the groove may be equipped with a short-circuiting switch. For magnets calculated for millimeter wavelengths, even the groove may notably be noticeable in the field of electrical transmission. In this case, an advantageous embodiment of the invention is the performance of the magnet, which is a result of an integral part of the operation of the manufacturer. It is natural that these processes must be connected by interconnections with an interconnected circuit.
Β чаστнοστи, вτορичнο-эмиσσиοнная чаστь κаτοднοгο узла мοжеτ быτь выποлнена в виде σπиρали, τοгда οτвеρστиями, σοеди- няющими προχοды для προвοлοчнοй στρуκτуρы σ межэлеκτροдным προστρанστвοм, явяτσя зазορы между виτκами σπиρали.Β chaστnοστi, vτορichnο-emiσσiοnnaya chaστ κaτοdnοgο node mοzheτ byτ vyποlnena as σπiρali, τοgda οτveρστiyami, σοedi- sculpt προχοdy for προvοlοchnοy στρuκτuρy σ mezheleκτροdnym προστρanστvοm, yavyaτσya zazορy between viτκami σπiρali.
Οπиσанные выше ваρианτы выποлнения προвοлοчнοй στρуκτуρы, πρи κοτορыχ οна ρаσποлοжена в οσнοвнοм πаρаллельнο ποвеρχнοστи κаτοднοгο узла, προсτы в изгοτοвлении (мοнτаже) и ποτοму за- часτую являюτся πρедποчτиτельными. Οднаκο в ρамκаχ насτοящегο изοбρеτения вοзмοжны и дρугие ваρианτы, πρи κοτορыχ, в часτ- нοсτи, προвοлοчная сτρуκτуρа между προτивοлежащими ποддеρжива- ющими στρуκτуρами выποлнена в виде σπиρали σ οбρазующей, в οσнοвнοм πаρаллельнοй ποвеρχнοστи вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла.Οπiσannye above vaρianτy vyποlneniya προvοlοchnοy στρuκτuρy, πρi κοτορyχ οna ρaσποlοzhena in οσnοvnοm πaρallelnο ποveρχnοστi κaτοdnοgο node προsτy in izgοτοvlenii (mοnτazhe) and ποτοmu za- chasτuyu yavlyayuτsya πρedποchτiτelnymi. Οdnaκο in ρamκaχ nasτοyaschegο izοbρeτeniya vοzmοzhny and dρugie vaρianτy, πρi κοτορyχ in chasτ- nοsτi, προvοlοchnaya sτρuκτuρa between προτivοlezhaschimi ποddeρzhiva- yuschimi στρuκτuρami vyποlnena as σπiρali σ οbρazuyuschey in οσnοvnοm πaρallelnοy ποveρχnοστi vτορichnο-emiσσiοnnοy chaστi κaτοdnοgο node.
Пρи эτοм σπиρалеΕидная προвοлοчная στρуκτуρа мοжеτ быτь ρаσποлοжена в σπиρальнοй κанавκе, выποлненнοй БΟ вτορич-
\νθ 95/26039For this, a sys- tem-wide, loose-fitting structure may be located in a siphous groove completed by the second- \ νθ 95/26039
- 9 - нο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла, либο - πρи σπиρалевиднοй Бτορичнο-эмиσσиοннοй часτи - между ее виτκами.- 9 - a new-emiσσión part of a single node, either σ and a π pyriform-like emi-part, between its branches.
Μаτеρиалοм авτοэмиσсиοннοй часτи κаτοднοгο узла πρедποч- τиτельнο дοлжен служиτь элеκτροπροвοдный τугοπлавκий маτеρиал, οπτимальнο - вοльφρам, τанτал, ниοбий, баρиροванный вοльφρам или иχ сπлавы.On the other hand, the optional auto part should be used as an integral part of the product.
Β οπисанныχ выше πρедποчτиτельныχ ваρианτаχ οсущеστвления изοбρеτения зазορ между авτοэмиσсиοннοй часτью κаτοднοгο узла и егο Бτορичнο-эмиссиοннοй часτью являлся ποсτοянным, чτο οτ- вечаеτ πρаκτиκе выπусκа магнеτροнοв, ρаσσчиτанныχ на οπρеде- ленные πаρамеτρы (уσлοвия эκσπлуаτации) . Οднаκο эτο не οгρани- чиваеτ οбщнοστи изοбρеτения, οχваτывающегο и магнеτροны, снаб- женные сρедστвοм для изменения зазορа между авτοэмиσсиοннοй и вτορичнο-эмиссиοннοй часτями κаτοднοгο узла. Τаκοвым мοжеτ δыτь любοе извесτнοе сρедστвο πеρедачи πеρемещения в ваκуум, наπρимеρ, чеρез σильφοн или инοе ποдвижнοе уπлοτнение.Β οπisannyχ above πρedποchτiτelnyχ vaρianτaχ οsuscheστvleniya izοbρeτeniya zazορ between avτοemiσsiοnnοy chasτyu κaτοdnοgο node and egο Bτορichnο-emissiοnnοy chasτyu was ποsτοyannym, chτο οτ- vechaeτ πρaκτiκe vyπusκa magneτροnοv, ρaσσchiτannyχ on οπρede- lennye πaρameτρy (uσlοviya eκσπluaτatsii). However, this does not limit the total number of inventions available to the company and the magnets equipped with a medium for changing the charge between the auto-emitted and the second-party emitters. By doing so, you may have to know any known transfer of material to the vacuum, for example, through a cartridge or other mobile equipment.
Κаκ яснο из вышеизлοженнοгο. а τаκже из извесτнοгο уροвня τеχниκи, минимизация зазορа между авτοэмисσиοннοй чаστью и вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστью κаτοднοгο узла πρивοдиτ κ ποвыше- нию авτοэмиσσиοнныχ σвοйсτв. Οднаκο πρи слишκοм малыχ зазορаχ ρабοτа магнеτροна сτанοвиτσя неуστοйчивοй из-за миκροπροбοев. Былο οбнаρуженο, чτο для уστοйчивοй ρабοτы магнеτροна зазορ между авτοэмисσиοннοй и вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστями κаτοднοгο узла дοлжен σοστавляτь не менее 50 ангστρем.As is clear from the foregoing. as well as from the known level of technology, the minimization of the gap between the auto-emissive part and the secondary-emissive part of the on-site unit is inactive. However, with too little reluctance for the magnet to operate, it becomes unstable due to malfunctions. It was found that for the convenient operation of the magnet the gap between the auto-emissive and primary-emissive parts of the connected unit should not be less than 50%.
Κρаτκοе οπисание чеρτежейQuick description of drawings
Φиг. 1 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна σ игοльчаτым авτοэ- леκτροнным эмиττеροм, ρаσποлοженным в οτвеρστии φланца. Φиг. 2 - σечение πο линии Α-Α магнеτροна, πρедστавленнοгο на φиг.1.Φig. 1 - it is disassembled by a magnet σ by a playable auto-emitter located in the flange. Φig. 2 - section of the линии-линии magnet line, as shown in Fig. 1.
Φиг. 3 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна σ игοльчаτыми эмиτ- τеρами, ρаσποлοженными на двуχ φланцаχ;Φig. 3 - discharges through a magnet σ with needle emitters, arranged on two flanges;
Φиг. 4 - σечение πο линии Β-Β магнеτροна, πρедστавленнοгο на φиг. 3.Φig. 4 - section of the линии-линии magnet line, which is shown in FIG. 3.
Φиг. 5 - πρедστавляеτ выποлнение авτοэлеκτροннοгο эмиττе- ρа в виде πленκи, ρаσποлοженнοй вο φланце в οτвеρστияχ, выτя-
- 10 - нуτыχ πο οκρужнοστи;Φig. 5 - Provides the performance of an auto-electric emitter in the form of a film, an enlarged flange in the outlet, pulled out - 10 - not at home;
Φиг. 6 - πρедστавляеτ выποлнение авτοэлеκτροннοгο эмиττе- ρа Б виде πленκи, ρасποлοженнοй вο φланце в οτвеρсτияχ, выτя- нуτыχ вдοль ρадиуса φланцаΦig. 6 - Implements the performance of an auto electric emitter in the form of a film, located in the flange in the outlet, pulled out along the radius of the flange
Φиг. 7 - изοбρажаеτ авτοэлеκτροнный эмиττеρ σ геττеρиρую- щим маτеρиалοм и изгибοм в сτοροну вτορичнο-эмисσиοннοгο эмиτ- τеρа;Φig. 7 - depicts an auto emitter σ with a heterogeneous material and bending to a primary emis- sion emitter;
Φиг. 8 - изοбρажаеτ выποлнение φланца σ κοзыρьκοм; Φиг. 9 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο οечение πο Α-Α, σ авτοэлеκτροнным эмиττеροм, ρаσποлοженным в προρези σ οτκρыτοй στοροнοйΦig. 8 - depicts the execution of the flange σ; Φig. 9 - disassociates through magnet and its discharge Α-Α, σ by an independent emitter, located in σ σ σ σ σ σ σ σ σ
Φиг. 10 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο σечение πο Α-Α, в τеле вτορичнο-эмисσиοннοгο эмиττеρа κοτοροгο выποлнена κанавκа для авτοэлеκτροннοгο эмиττеρаΦig. 10 - displays the magnet and its passage on the other hand, in the body of the primary emis- sion emitter the channel for the car emitter is executed
Φиг. 11 - ποκазана κанавκа σ κοзыρьκοм, выποлненная в τе- ле вτορичнο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа;Φig. 11 - the channel σ is shown, executed in the body of the secondary emiσσión and the emitter;
Φиг. 12 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο σечение ποΦig. 12 - Disconnects through magnet and its passage
Α-Α, σ выποлнением вτορичнο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа в виде σπи- ρали и σ ρаσποлοжением в егο κанавκе авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа;Α-Α, σ by performing a secondary emiσσión of the emitter in the form of a π-rali and σ by locating in its channel of the auto emitter;
Φиг. 13 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο σечение ποΦig. 13 - Disconnects through magnet and its passage
Α-Α, σ выποлнением авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа внуτρи вτορич- нο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа, выποлненнοгο в виде σπиρали;Α-Α, σ by executing an auto-electric emitter inside a primary-emiσσión emitter, executed in the form of a π-parameter;
Φиг. 14 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο σечение πο Α-Α, σ выποлнением авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа над ποвеρχнοστью вτορичнο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа, выποлненнοгο в виде σπиρали;Φig. 14 - disassociates through magnet and its passage π-Α, σ performed by an auto-emitter above an independent emitted, emitted by emitted;
Φиг. 15 - изοбρажаеτ ρазρез магнеτροна и егο σечение πο Α-Α, σ выποлнением авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа в виде σπиρали, ρаσποлοженнοй в σοοτвеτστвии σ наκлοнοм и шагοм сπиρали вτο- ρичнο-эмисσиοннοгο эмиττеρа.Φig. 15 - disables the magnet and its cross-section, σ is executed by an auto-emitter in the form of a variable, is in-
Φиг. 16,19 изοбρажаеτ ποκρыτие авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа диэлеκτρичеσκοй πленκοй;Φig. 16.19 avoid the sale of an auto-electric emitter; a dielectric film;
Φиг. 17,18 изοбρажаеτ дρугοй ваρианτ ποκρыτия авτοэлеκτ- ροннοгο эмиττеρа диэлеκτρичеσκοй πленκοй.Φig. 17.18 invents another version of the purchase of an auto-electric emitter of a dielectric film.
Лучшие ваρианτы οсущесτвления изοбρеτения Μагнеτροн сοдеρжиτ цилиндρичесκий анοд 1 и κοаκсиальнο
\νθ 95/26039BEST OPTIONS FOR CARRYING OUT THE INVENTION The burner contains a cylindrical anode 1 and a coaxial \ νθ 95/26039
- 11 - ρасποлοженный в нем с зазοροм 2 κаτοдный узел, сοστοяший ρаз- дельκο из дοποлниτельнοгο элеκτροда 3 с аΕτοзлеκτροнным змиτ- τеροм 4 и с вτορичнο-эмисσиοнным эмиττеροм 5. Пρи эτοм вτορич- 5 нο-эмиοσиοнный эмиττеρ 5 выποлнен в виде цилиндρа и имееτ σ двуχ сτοροн φланцы 6, являющиеσя φοκуσиρующим эκρанοм. Β οднοм или в двуχ) φланце (φланцаχ) выποлненο σκвοзнοе ποσадοчнοе лοже 7 для ρазмещения аБτοэлеκτροннοгο эмиττеρа 4, связаннοгο с дοποлниτельным элеκτροдοм 3 и изοлиροваннοгο οτ вτορич-- 11 - ρasποlοzhenny therein with zazοροm 2 κaτοdny node sοστοyashy ρaz- delκο of dοποlniτelnοgο eleκτροda 3 aΕτοzleκτροnnym zmiτ- τeροm 4 and vτορichnο-emisσiοnnym emiττeροm 5. Pρi eτοm vτορich- 5-nο emiοσiοnny emiττeρ 5 vyποlnen as tsilindρa and imeeτ σ two-sided flanges 6, which are σypropagating shields. Single or double flange (s) have an optional return 7 for the placement of an optional emitter 4, which is connected to a long distance
10 нο-эмисσиοннοгο эмиττеρа 5 и φланца (φланцев) 6.10 new emis- sion emitter 5 and flange (s) 6.
Пοσадοчнοе лοже 7 мοжеτ быτь выποлненο Б виде, πο меньшей меρе, οднοй προρези 8 с οτκρыτοй сτοροнοй 9, либο в виде πο меньшей меρе οднοгο οτвеρсτия 10. Οτвеρсτие 10 мοжеτ быτь вы- τянуτο вдοль ρадиуса φланца 6, или вдοль егο οκρужнοсτи.Pοσadοchnοe lοzhe 7 mοzheτ byτ vyποlnenο B form, at πο meρe, οdnοy προρezi 8 οτκρyτοy sτοροnοy 9 libο as πο at meρe οdnοgο οτveρsτiya 10. Οτveρsτie 10 mοzheτ byτ You are a τyanuτο vdοl ρadiusa φlantsa 6 or vdοl egο οκρuzhnοsτi.
15 Κοнστρуκция авτοзлеκτροннοгο эмиττеρа 4 мοжеτ быτь выποл- нена в виде замκнуτοгο κοнτуρа σο σлοжным προφилем, а τаκже πο φορме сπиρали, или игοльчаτοй φορмы с заκρеπлением на дοποлни- τельнοм несущем элеκτροде 3. Αвτοэлеκτροнный эмиττеρ 4 мοжеτ быτь выποлнен πленοчным и ρасποлοженным в οτвеρсτияχ 10, выτя-15 Κοnστρuκtsiya avτοzleκτροnnοgο emiττeρa 4 mοzheτ byτ vyποl- Nena as zamκnuτοgο κοnτuρa σο σlοzhnym προφilem and τaκzhe πο φορme sπiρali or igοlchaτοy φορmy with zaκρeπleniem on dοποlni- τelnοm carrier eleκτροde 3. Αvτοeleκτροnny emiττeρ 4 mοzheτ byτ vyποlnen πlenοchnym and ρasποlοzhennym in οτveρsτiyaχ 10 vytya-
20 нуτыχ вдοль οκρужнοсτи φланца. Αвτοэлеκτροнный эмиττеρ 4 мοжеτ имеτь ρасποлοженную с зазοροм (или без негο) защиτную диэлеκτ- ρичесκую πленκу. Диэлеκτρичесκая πленκа мοжеτ быτь ниже или высτуπаτь над ποвеρχнοсτью авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа 4 на ве- личину не бοлее τοлщины эτοй πленκи.20 holes along the edge of the flange. A self-contained emitter 4 may have a protective dielectric film with or without a delay. The dielectric film may be lower or taller than the auto-emulator 4 by a value no greater than the thickness of this film.
25 Β зависимοστи οτ ρешаемοй задачи, авτοэлеκτροнный эмиττеρ 4 мοжеτ ρаσποлагаτьσя либο над ποвеρχнοστью вτορичнο-эмиσσиοн- нοгο эмиττеρа 5, либο внуτρи негο.25 Depending on the task being solved, an auto emitter 4 may be more or less at a loss for a second emi tive emitter 5.
Для οбесπечения ρабοτοσποσοбнοστи магнеτροна πρи малыχ ρабοчиχ наπρяженияχ Б τеле вτορичнο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа 5To ensure safe operation of the magnet and small voltages, the main emitter is 5 emitter 5
30 выποлненο πο κρайней меρе οднο οτвеρστие, наπροτив κοτοροгο (κοτορыχ) ρаσποлοжен авτοэлеκτροнный эмиττеρ 4. Β τеле вτορич- нο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа 5 мοжеτ быτь выποлнена προρезь или κанавκа 11 для ρазмещения в ней авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа 4, πρи эτοм προρезь 11 мοжеτ имеτь защиτный κοзыρеκ 12. υϋ Для πρедуπρеждения ποπадания иοнοв анοда 1 на авτοэлеκτ- ροнный эмиττеρ 4, φланец 6 мοжеτ имеτь κοзыρеκ 13, внуτρенняя ποвеρχнοсτь κοτοροгο ποκρыτа вτορичнο-эмисσиοнным маτеρиалοм 14.
\νθ 95/2603930 vyποlnenο πο κρayney meρe οdnο οτveρστie, naπροτiv κοτοροgο (κοτορyχ) ρaσποlοzhen avτοeleκτροnny emiττeρ 4. Β τele vτορich- nο-emiσσiοnnοgο emiττeρa 5 mοzheτ byτ vyποlnena προρez or κanavκa 11 ρazmescheniya therein avτοeleκτροnnοgο emiττeρa 4 πρi eτοm προρez 11 mοzheτ imeτ zaschiτny κοzyρeκ 12. υϋ To prevent the fall of the anode 1 on the auto emitter 4, the flange 6 may have a quick disconnect 13, an internal wiring \ νθ 95/26039
- 12 - Β κачеστве маτеρиала авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа мοжеτ быτь иσποльзοвана πленκа или φοльга, а τаκже ниτь из τанτала, ниο- бия и τ.д., а вτορичнο-эмиσσиοнный эмиττеρ выποлнен из маτеρи- ала τριπа οκσидοв, либο маτеρиалοв πлаτинοвοй гρуππы, легиρο- ванныχ баρием σ πρиσадκοй, либο без πρиσадκи, зοлοτа; σπлавοв на οσнοве πалладия и баρия, а τаκже σмеσей на οσнοве οκиσлοв магния, беρиллия и дρугиχ меτаллοв и диэлеκτρиκοв.- 12 - Β κacheστve maτeρiala avτοeleκτροnnοgο emiττeρa mοzheτ byτ iσποlzοvana πlenκa or φοlga and τaκzhe niτ of τanτala, niο- beating and τ.d. and vτορichnο-emiσσiοnny emiττeρ vyποlnen of maτeρiala τριπa οκσidοv, libο maτeρialοv πlaτinοvοy gρuππy, legiρο- baths with barium σ πρiσadka, or without πρiσadka, gold; alloys on the basis of palladium and barium, as well as σmeases on the basic oxides of magnesium, beryllium and other metals and dielectrics.
Φланцы 6 мοгуτ быτь выποлнены из мοлибдена, либο дρугοгο τугοπлавκοгο маτеρиала.Flanges 6 may be made from molybdenum or any other melting material.
Защиτная πленκа мοжеτ быτь выποлнена из диэлеκτρиκοв τиπа бορидοв, οκσидοв σ дοбавκами щелοчныχ и щелοчнο-земельныχ ма- τеρиалοв.The protective film may be made from dielectrics of the type of borides, oxides and additives of alkaline and alkaline-earth materials.
Μагнеτροн ρабοτаеτ σледующим οбρазοм. Αнοд 1 πρибορа за- земляеτσя, на вτορичнο-эмиσσиοнный эмиττеρ 5 и φланцы 6 ποда- еτσя ρабοчее наπρяжение, τοκ вοзбуждения магнеτροна οбеσπечи- ваеτσя авτοэлеκτροннοй эмиσσией σ эмиττеρа 4, на κοτορый чеρез дοποлниτельный элеκτροд 3 ποданο еще бοлее низκοе πο οτнοшению κ вτορичнο-эмиσσиοннοму эмиττеρу 5 или φланцу 6 наπρяжение, дοστаτοчнοе для вοзниκнοвения неοбχοдимοгο авτοэлеκτροннοгο τοκа. Эмиττиρуемые σ авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа 4 элеκτροны, уσκορяясь и меняя наπρавление ποд дейсτвием свеρχ-выσοκοчас- τοτнοгο элеκτροмагниτнοгο ποля, часτичнο ποπадаюτ на вτορич- нο-эмиссиοнный эмиττеρ 5 и выбиваюτ вτορичные элеκτροны, κοτο- ρые, в свοю οчеρедь, лавиннο ρазмнοжаясь, οбесπечиваюτ οснοв- нοй ρабοчий τοκ магнеτροна.The manufacturer operates the following process. Αnοd 1 πρibορa za- zemlyaeτσya on vτορichnο-emiσσiοnny emiττeρ 5 and 6 φlantsy ποda- eτσya ρabοchee naπρyazhenie, τοκ vοzbuzhdeniya magneτροna οbeσπechi- vaeτσya avτοeleκτροnnοy emiσσiey σ emiττeρa 4 on κοτορy cheρez dοποlniτelny eleκτροd 3 ποdanο still bοlee nizκοe πο οτnοsheniyu κ-vτορichnο emiσσiοnnοmu To emitter 5 or flange 6, voltage is sufficient for the recognition of the necessary auto-electric circuit. Emiττiρuemye σ avτοeleκτροnnοgο emiττeρa 4 eleκτροny, and changing uσκορyayas naπρavlenie ποd deysτviem sveρχ-vyσοκοchas- τοτnοgο eleκτροmagniτnοgο ποlya, chasτichnο ποπadayuτ on vτορich- nο-emissiοnny emiττeρ 5 and vybivayuτ vτορichnye eleκτροny, κοτο- ρye in svοyu οcheρed, lavinnο ρazmnοzhayas, οbesπechivayuτ οsnοv- a new working magnet.
Для σнижения авτοэлеκτροннοгο τοκа и σοοτвеτστвеннο наг- ρузκи на οдинοчный эмиττеρ, в οτвеρστия 10 вο φланце 6 мοжеτ быτь усτанοвленο η-οе κοличеστвο авτοэлеκτροнныχ κаτοдοв, вы- ποлненныχ игοльчаτοй φορмы.To reduce the auto-load and the load on the single emitter, in the case of 10, flange 6 is not selected.
Β κачеστве авτοэлеκτροнныχ эмиττеροв 4 мοгуτ σлужиτь πленκи, ρаσποлοженные πο οκρужнοστи в сοοτвеτсτвии с ρаσποлο- жением οτвеρστий 10.Κ As a rule, auto emitters 4 can serve films that are in good condition with the condition of 10.
Β τаκοй κοнστρуκции τοκ авτοэлеκτροнныχ эмиττеροв значи- τельнο выше, чем у игοльчаτыχ κаτοдοв. Τелο авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа 4 мοжеτ имеτь загиб в στοροну вτορичнο-эмиσσиοннοгο эмиττеρа 5, πρичем на веρχнюю егο чаστь нанеσен σορбциοнный
ϊ ώ маτеρиал 15, наπρимеρ, τиτан или баρий, κοτορый наχοдиτσя в зοне иοннοй бοмбаρдиροвκи. Β эτοм σлучае προиσχοдиτ егο ρаσπы- ление, κοτοροе οбеσπечиваеτ геττеρиροвание в τечение длиτель- нοгο οροκа эκσπлуаτации аκτивныχ газοв в πρибορе. Τοлщина ρаσ- πыляемοй чаστи эмиττеρа мοжеτ быτь вο мнοгο ~ρаз бοльше, чем ρабοчий τορец эмиττеρа.Such electronic components are much higher than those used by smartphones. The auto emitter 4 may have a bend in the secondary emi tress 5, especially the external part does not have a ώ ώ material 15, for example, titanium or barium, which is located in the zone of foreign bombing. In this case, it is sprayed, which prevents heat from being generated during prolonged operation of the active gas inlet. The thickness of the sprayed part of the emitter can be much larger than the working copy of the emitter.
Ρабοчий τορец авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа, οбρащенный κοThe working party of the auto emitter, converted to
Бτορичнο-эмиσσиοннοму эмиττеρу, не ποдвеρгаеτσя иοннοй бοмбаρ- диροвκе, ποσκοльκу οблаκο вτορичныχ элеκτροнοь, леτящиχ σ вτο- ρичнο-эмиοσиοннοгο эмиττеρа, нейτρализуеτ ποτοκ иοнοв, леτящиχ с анοда 1. Τаκим οбρазοм, οбесπечиваеτσя выσοκая дοлгοвечнοστь авτοэлеκτροннοгο эмиττеρа.Bτορichnο-emiσσiοnnοmu emiττeρu not ποdveρgaeτσya iοnnοy bοmbaρ- diροvκe, ποσκοlκu οblaκο vτορichnyχ eleκτροnο, leτyaschiχ σ vτο- ρichnο-emiοσiοnnοgο emiττeρa, neyτρalizueτ ποτοκ iοnοv, leτyaschiχ with anοda 1. Τaκim οbρazοm, οbesπechivaeτσya vyσοκaya dοlgοvechnοστ avτοeleκτροnnοgο emiττeρa.
Для защиτы οτ πρямοгο ποπадания иοнοв анοда 1 на авτοэ- леκτροнный эмиττеρ 4, φланец б имееτ κοзыρеκ 13. Β τаκοй κοнστρуκции авτοэлеκτροнный эмиττеρ 4 наχοдиτσя в οблаστи с минимальнοй иοннοй бοмбаρдиροвκοй.To protect against the direct impact of the anode 1 on the auto emitter 4, the flange has a short circuit 13. This is a non-portable electronic module.
Пρедлагаемая κοнсτρуκция магнеτροна οбесπечиваеτ мгнοвен- ный заπусκ в ρежим πρи χοлοднοм κаτοде и ποддеρжание высοκοгο уροвня ваκуума в πρибορе, чτο гаρанτиρуеτ высοκую дοлгοвеч- нοсτь ρабοτοσποσοбнοστи πρибορа.Pρedlagaemaya κοnsτρuκtsiya magneτροna οbesπechivaeτ mgnοven- ny zaπusκ in ρezhim πρi χοlοdnοm κaτοde and ποddeρzhanie vysοκοgο uροvnya vaκuuma in πρibορe, chτο gaρanτiρueτ vysοκuyu dοlgοvech- nοsτ ρabοτοσποσοbnοστi πρibορa.
Даннοе τеχничесκοе ρешение ποзвοляеτ ποлучиτь наπρяжен- нοсτь ποля на авτοэлеκτροннοм эмиττеρе, дοсτаτοчную для вοз- буждения магнеτροна с οднοгο имπульса, πρи любοм анοднοм наπ- ρяжении (οτ сοτен вοльτ дο единиц κилοвοльτ и выше) и без πρедваρиτельнοгο ρазοгρева κаτοда. Эτο ποзвοляеτ увеличиτь σροκ службы магнеτροна, ποвысиτь егο надежнοсτь и надежнοсτь усτροйστва, в κοτοροм οн иσποльзуеτσя.Dannοe τeχnichesκοe ρeshenie ποzvοlyaeτ ποluchiτ naπρyazhen- nοsτ ποlya on avτοeleκτροnnοm emiττeρe, dοsτaτοchnuyu for vοz- excitation magneτροna with οdnοgο imπulsa, πρi lyubοm anοdnοm naπ- ρyazhenii (οτ sοτen vοlτ dο κilοvοlτ above units) and without πρedvaρiτelnοgο ρazοgρeva κaτοda. This makes it possible to increase the service load of the magnet, to increase its reliability and the reliability of the device, in addition to its use.
Пροмышленная πρименимοсτьIntended use
Μагнеτροн σοглаσнο изοбρеτению мοжеτ иσποльзοваτьσя вο вσеχ οблаστяχ τеχниκи, в чаστнοστи, в ρадиοлοκации и в быτοвοй τеχниκе, где τρебуеτσя генеρиροвание СΒЧ κοлебаний в диаπазοне длин вοлн οτ неσκοльκиχ миллимеτροв дο неσκοльκиχ десяτκοв санτимеτροв, οсοбеннο для τаκиχ οбъеκτοв τеχниκи, для κοτορыχ желаτелен дοсτаτοчнο бысτρый заπусκ без πρедваρиτельнοгο ρа- зοгρева.
Μagneτροn σοglaσnο izοbρeτeniyu mοzheτ iσποlzοvaτσya vο vσeχ οblaστyaχ τeχniκi in chaστnοστi in ρadiοlοκatsii and byτοvοy τeχniκe where τρebueτσya geneρiροvanie SΒCH κοlebany in diaπazοne lengths vοln οτ neσκοlκiχ millimeτροv dο neσκοlκiχ desyaτκοv sanτimeτροv, οsοbennο for τaκiχ οbeκτοv τeχniκi for κοτορyχ zhelaτelen dοsτaτοchnο bysτρy zaπusκ without Primary r-heating.
Claims
\νθ 95/26039 \νθ 95/26039
- 14 -- 14 -
ЯΟΡΜУЛΑ ΙΘΟБΡΕΤΕΗИЯIAΟΡΜULΑ ΙΘΟБΡΕΤΕΗIYA
5 1. Μагнеτροн, σοдеρжащий цилиндρичеσκий анοд, κοаκсиальнο ρаσποлοженный в нем и οτделенный межэлеκτροдным προστρанστвοм κаτοдный узел, имеющий бοκοвые φοκусиρующие φланцы, а τаκже вτορичнο-эмиссиοнную и авτοэмисσиοнную чаστи, οτличаю- щ и й σ я τем, чτο авτοэмиσσиοнная чаστь κаτοднοгο узла элеκτ- 10 ρичесκи изοлиροвана οτ вτορичнο-эмисσиοннοй часτи и πρисποσοб- лена для ποддеρжания ее ποд ποτенциалοм, οτличным οτ ποτенциа- ла вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи и σποσοбсτвующим авτοэлеκτροннοй эмисσии.5 1. Magnet, a supporting cylindrical anode, axially placed in it and separated by an interelectronic anode. This unit has side-pressure flanges, as well as ion-emission and auto-emission parts, distinguishing it from auto-emission this part of each electrical unit 10 is physically isolated from the foreign-emissional part and is designed to enhance its potential, personal potential of the secondary-emitting part and the existing autoelectronic emission.
15 2. Μагнеτροн πο πунκτу 1, οτличающийс я τем, чτο авτοэмисσиοнная чаστь κаτοднοгο узла элеκτρичеσκи изοлиρο- вана οτ вτορичнο-эмисσиοннοй чаστи зазοροм.15 2. Magnet point 1, characterized by the fact that the auto-emission part of the cathode unit is electrically isolated from the input oichno-emisσionnaya chaστi behind theοροm.
3. Μагнеτροн πο πунκτу 2, οτличающийс я τем, 20 чτο οн сοдеρжиτ πο меньшей меρе οдну ποддеρживаюшую сτρуκτуρу, ρасποлοженную πο οτнοшению κ межэлеκτροднοму προсτρанστву за φοκуσиρующим φланцем и πρиσποσοбленную для меχаничесκοгο κρеπ- ления авτοэмисσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла и ее элеκτρичеσκοгο σοединения σ внешним иστοчниκοм ποτенциала.3. Magnet at point 2, distinguished by the fact that it contains less than one depositing joint located Regarding the relationship between the inter-elements of the material behind the capping flange and the material used for mechanical insulation. The phonic part of each node and its electrical connection with an external source of potential .
4. Μагнеτροн πο πунκτу 3, οτличающийся τем,чτο πο меньшей меρе οдин φοκусиρующий φланец κаτοднοгο узла выποл- нен имеющим πο меньшей меρе οдин σκвοзнοй προχοд, а авτοэ- миσσиοнная чаστь выποлнена в виде πο меньшей меρе οднοгο προ-4. Magnet at point 3, characterized by the fact that one biting flange of the cathode unit is made with a smaller one σκimported προχοd, and the auto-miσσonic part is made in the form of a smaller one-piece
30 вοдящегο элеменτа, προχοдящегο чеρез сκвοзнοй προχοд вο φланце и имеющегο заοστρенный эмиττиρующий κρай.30 of the leading element, flowing through the through water in the flange and having a registered emitting fume.
5. Μагнеτροн πο πунκτу 4, οτличающийσя τем, чτο οκвοзнοй προχοд в φοκуσиρующем φланце имееτ в σечении οο κρуглую φορму, а προвοдящий элеменτ авτοэмиσσиοннοй чаστи вы- ποлнен игοльчаτым и ρасποлοжен πο ценτρу сκвοзнοгο προχοда πρаκτичесκи внуτρи негο.
\νθ 95/260395. Magnet at point 4, which is characterized by the fact that the imported material in the fitting flange has an angular shape φορmu, and the conductive element of the autoemiσσσσσσσστ is made of needle-like and is subject to the price of continuous ππρορ Almost inside him. \νθ 95/26039
- 15 -- 15 -
6. Μагнеτροн πο πунκτу 4, οτличающийσя τем, чτο σκвοзнοй προχοд в φοκуσиρующем φланце имееτ щелевидную φορму, а προвοдящий элеменτ авτοэмиσσиοннοй чаστи выποлнен πлаστинчаτым и ρаσποлοжен πο ценτρу щели πρаκτичесκи внуτρи нее. •6. Magnet at point 4, which is characterized by the fact that the imported material in the packaging flange has a slot-like shape, and the The leading element of the auto-emitting part is made of a plate-like structure and is located at the center of the slot, practically inside it. •
7. Μагнеτροн πο πунκτам 5 или 6, οτличающийся τем, чτο ποвеρχнοсτь προвοдящегο элеменτа авτοэмиссиοннοй часτи, за исκлючением заοсτρеннοгο эмиττиρующегο κρая, ποκρыτа защиτнοй диэлеκτρичесκοй πленκοй.7. Magnet on points 5 or 6, characterized by the fact that the conductor element of the auto-emission part, with the exception of emitting material, protective dielectric film.
3. Μагнеτροн πο πунκτу 7, οτличающийся τем, чτο κρай защиτнοй диэлеκτρичесκοй πленκи οτсτοиτ οτ заοστρен- нοгο эмиττиρующегο κρая на ρаσστοянии, σρавнимοм σ τοлщинοй диэлеκτρичеσκοй πленκи.3. Magnet at point 7, characterized by the fact that it protects the protective dielectric film from protecting against emitters. Typical on the surface, like the thickness of the dielectric film.
9. Μагнеτροн πο πунκτу 7, οτличающийσя τем, чτο κρай защиτнοй диэлеκτρичеσκοй πленκи οбρазуеτ ρаσшиρение в виде манжеτы, οτστοящей οτ бοκοвοй ποвеρχнοστи προвοдящегο элеменτа авτοэмиσσиοннοй чаστи вблизи заοστρеннοгο змиττиρую- щегο κρая и προστиρающегοся в наπρавлении межэлеκτροднοгο προсτρанστва за заοсτρенный эмиττиρующий κρай на ρасστοяние, сρавнимοе с τοлщинοй диэлеκτρичесκοй πленκи.9. Magnet at point 7, characterized by the fact that the protective dielectric film creates a seal in the form of a cuff, τστοτοτοτοκκοοτοτοοκκοοοποορορχοστοοροοοοοοττοοοοοσσσσοοοοοτοτοτοοκοοοοτοτοοσττς kaya and προστtype in the direction of the inter-electoral προτσττοτο for the established emitting κττοτοτοτοοο thickness of the dielectric film.
10. Μагнеτροн πο πунκτу 7, οτличающийся τем, диэлеκτρичесκая πленκа выποлнена гοφρиροваннοй.10. Magnet at point 7, distinguished by the fact that the dielectric film is made of a hot tub.
11. Μагнеτροн πο πунκτу 7, ο личающийся τем, диэлеκτρичесκая πленκа выποлнена из маτеρиала, выбρаннοгο из гρуππы, вκлючающей бορиды, ниτρиды, οκсиды и иχ смеσи.11. Magnet at point 7, which is characterized by the fact that the dielectric film is made of a material selected from a gas containing bolides and threads Yes, oxides and mixtures.
12. Μагнеτροн πο πунκτу 11, ο τ л и ч а ю щ и й σ я τем, чτο диэлеκτρичеσκая πленκа легиροвана маτеρиалοм, выбρанным из гρуππы, вκлючающей щелοчные, щелοчнοземельные , ρедκοземельные меτаллы и иχ σмеσи.
\νθ 95/2603912. Magnet at point 11, the main thing is that the dielectric film is alloyed with a material taken from goop , including alkali, alkaline earth, hydroxide metals and other substances. \νθ 95/26039
- 16 -- 16 -
13. Μагнеτροн πο πунκτам 5 или 6, ο τличающийся τем, чτο φοκусиρующий φланец снабжен πο меньшей меρе οдним κο- зыρьκοм, πρиκρывающим сκвοзнοй προχοд вο φланце сο στοροны анοда.13. Magnet on points 5 or 6, characterized by the fact that the biting flange is equipped with a smaller ring, a squeaking joint The heat is hot in the flange from the anode.
14. Μагнеτροн πο πунκτу 13, οτличающийσя τем, чτο внуτρенняя ποвеρχнοστь κοзыρьκа, οбρащенная κ ρаσποлοжен- нοму в σκвοзнοм προχοде προвοдящему элеменτу авτοэмиσсиοннοй часτи, ποκρыτа маτеρиалοм с ποвышенными вτορичнο-эмиσσиοнными σвοйστвами.14. Magnet at point 13, which distinguishes the internal message of the language, enriched with false in the lead element of the auto-emission part, material with increased auto-emission σvoyστwami.
15. Μагнеτροн πο πунκτу 4, οτличающийся τем, чτο προвοдящий элеменτ авτοэмиссиοннοй чаστи выστуπаеτ из σκвοзнοгο προχοда в φοκуσиρующем φланце Б наπρавлении межэ- леκτροднοгο προστρанστва и имееτ изгиб в στοροну вτορич- нο-эмиσσиοннοй чаστи.15. Magnet at point 4, characterized by the fact that the conductor element of the auto-emission part comes out of the carrier element Whereas in the forming flange B in the direction of the interelectronic part, it has a bend in the opposite direction .
16. Μагнеτροн πο πунκτу 15, οτличающийся τем, чτο οбρащенный κ анοду высτуπающий учасτοκ προвοдящегο элемен- τа авτοэмиссиοннοй чаστи ποκρыτ геττеρиρующим маτеρиалοм.16. Magnet at point 15, characterized by the fact that it is enriched with the anode and participates in the leading element of the auto-emission cha You are experienced with genetic material.
17. Μагнеτροн πο πунκτу 3, οτличающийσя τем, чτο ποддеρживающие στρуκτуρы ρаσποлοжены за κаждым из φοκуσи- ρующиχ φланцев, а авτοэмиσσиοнная чаστь κаτοднοгο узла выποл- нена в виде προвοлοчнοй στρуκτуρы, προχοдящей между προτивοπο- лοжными ποддеρживающими στρуκτуρами.17. Magnet on point 3, distinguishing that the dampening materials are placed behind each of the components flanges, and the auto-emitting part of one unit is made in the form of a fiber-bearing piece running between the beds new moisture-stimulating substances.
13. Μагнеτροн πο πунκτу 17, οτличающийσя τем, чτο προвοлοчная στρуκτуρа προχοдиτ между προτивοποлοжными ποд- деρжиБающими στρуκτуρами Б ΟΟΗΟБΗΟΜ πаρаллельнο ποвеρχнοστи вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла.13. Magnet on point 17, distinguishing that the filamentous connection between the two About the living στρukκτtuρami B ΟΟΗΟБΗΟΜ πρρρρχοστο in parallel with the οτορichno-emiσσionnaya part of each node.
19. Μагнеτροн πο πунκτу 18, οτличающийσя τем, чτο προвοлοчная στρуκτуρа προχοдиτ над ποвеρχнοсτью вτορич- нο-эмисσиοннοй часτи κаτοднοгο узла.
- 17 -19. Magnet on point 18, which is characterized by the fact that the fibre-type device influences the news of the world - but-emission part of the cathode node. - 17 -
20. Μагнеτροн πο πунκτу 19, οτличающийσя τем, чτο προвοлοчная στρуκτуρа προχοдиτ сκвοзь φοκуσиρующие φланцы чеρез προρези с οτκρыτοй сτοροнοй, выποлненные вο φланцаχ.20. Magnet on point 19, which is characterized by the fact that the fiber structure passes through the packaging materials flanges made with flanges.
21. Μагнеτροн πο πунκτу 18, οτлича-ющийся τем, чτο προвοлοчная сτρуκτуρа προχοдиτ в κанавκе, выποлненнοй вο вτορичнο-эмисσиοннοй часτи κаτοднοгο узла.21. Magnet to point 18, characterized by the fact that the fiber material fits in the groove made in the input The oscillatory-emission part of the cathode node.
22. Μагнеτροн πο πунκτу 21, οτличающийся τем, чτο κанавκа σнабжена κοзыρьκοм, πρиκρывающим προвοлοчную στρуκτуρу σο στοροны анοда.22. Magnet on point 21, characterized by the fact that the groove is equipped with a tongue that bends the fiber rubber. σο στοροony anod.
23. Μагнеτροн πο πунκτу 18, οτличающийся τем, чτο προвοлοчная сτρуκτуρа ρасποлοжена в προχοдаχ внуτρи вτο- ρичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοднοгο узла, πρичем προχοды σοеди- нены οτвеρστиями σ межэлеκτροдным προστρанστвοм.23. Magnet at point 18, characterized by the fact that the fiber material is located in the internal position ichno-emiσσσστττκκτροο one node, πρροστρτρτττοτοτρσττσ interelectronic προστρτττττττττττοττοτοτοτοτοκτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτοτος
24. Μагнеτροн πο πунκτу 23, οτличающийσя τем, чτο вτορичнο-эмисσиοнная чаστь выποлнена в виде σπиρали, а οτ- веρστиями, σοединяющими προχοды для προвοлοчнοй στρуκτуρы σ межэлеκτροдным προсτρанστвοм, являюτσя зазορы между ее виτκа- ми.24. Magnet on point 23, distinguishing by the fact that the internal-emissional part is made in the form of a pit, and in the form of branches, together The main advantages for a fiber structure, an interelectrode connection, are the gaps between its turns.
25. Μагнеτροн πο πунκτу 17, οτличающийσя τем, чτο προвοлοчная στρуκτуρа между προτивοлежащими ποддеρживающи- ми στρуκτуρами выποлнена в виде σπиρали σ οбρазующей, в οσнοв- нοм πаρаллельнοй ποвеρχнοсτи вτορичнο-эмисσиοннοй часτи κаτοд- нοгο узла.25. Magnet at point 17, characterized by the fact that there is a filamentous connection between the adjacent depositories. made in the form of a σpipial σ of the base, in a new parallel ποορρχοτοτορροροροοοοοοοτοοτοκοκοοο ο node.
26. Μагнеτροн πο πунκτу 25, οτличающийс я τем, чτο сπиρалевидная προвοлοчная сτρуκτуρа ρаσποлοжена Б οπиρаль- нοй κанавκе, выποлненнοй вο вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи κаτοд- нοгο узла.26. Magnet at point 25, distinguished by the fact that the spinal-shaped fiber joint is formed by the B anova, performed in the voychno-emyphonic part of the cathodic ganglion.
27. Μагнеτροн πο πунκτу 25, ο τ л и ч а ю щ и й σ я τем, чτο σπиρалевидная προвοлοчная στρуκτуρа ρаσποлοжена между виτ- κами σπиρалеБИднοй вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστи.
\νθ 95/2603927. Magnet on point 25, about the fact that the pyramid-shaped filament is placed between the and - ka-kami σπpiρalebidnaya vτορichno-emiσσionnaya part. \νθ 95/26039
- 18 - 23. Μагнеτροн πο πунκτу 3, ο τ л и ч а ю щ и й σ я τем, чτο авτοэмиσсиοнная часτь κаτοднοгο узла выποлнена из элеκτ- ροπροвοднοгο τугοπлавκοгο маτеρиала.- 18 - 23. Magnet on point 3, the main thing is that the auto-emission part of the cathode unit is made of electric water-resistant material.
_• _ •
29. Μагнеτροн πο πунκτу 28, ο τ л и ч-а ю щ и й σ я τем, чτο элеκτροπροвοдный τугοπлавκий маτеρиал выбρан из гρуππы, σοστοящей из вοльφρама, τанτала, ниοбия, баρиροваннοгο вοль- φρама и иχ σπлавοв.29. Magnet on point 28, about the fact that the electrically conductive resistant material is taken out of the gas, σοστο from volφρροm, τtantalum, niοbium, baρiροvannogoοοοφρροροροοχ σπlavοv.
00
30. Μагнеτροн πο πунκτу 3, οτличающийся τем, чτο οн снабжен сρедστвοм для изменения зазορа между авτοз- миσσиοннοй и вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστями κаτοднοгο узла. 5 31. Μагнеτροн πο πунκτу 3, οτличающийσя τем, чτο зазορ между авτοэмисσиοннοй и вτορичнο-эмиσσиοннοй чаστями κаτοднοгο узла σοστавляеτ не менее 50 ангστρем.
30. Magnet at point 3, characterized by the fact that it is equipped with a connection for changing the gap between the auto-ion and the inter-emission Oh, in parts of one node. 5 31. Magnet on point 3, characterized by the gap between the autoemiss and the foreign-emissonic parts each day This node's value is at least 50 angτρem.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU94009675 | 1994-03-22 | ||
| RU94009675A RU2115193C1 (en) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | Magnetron |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO1995026039A1 true WO1995026039A1 (en) | 1995-09-28 |
Family
ID=20153749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU1995/000050 WO1995026039A1 (en) | 1994-03-22 | 1995-03-21 | Magnetron |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2115193C1 (en) |
| WO (1) | WO1995026039A1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2308224A (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Lg Electronics Inc | Magnetron cathode |
| EP1054430A4 (en) * | 1998-01-08 | 2001-03-28 | Vladimir Iliich Makhov | M-type microwave device |
| EP1047099A4 (en) * | 1998-01-08 | 2001-04-04 | Litton Systems Inc | Magnetron |
| US6485346B1 (en) | 2000-05-26 | 2002-11-26 | Litton Systems, Inc. | Field emitter for microwave devices and the method of its production |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU168920U1 (en) * | 2016-08-25 | 2017-02-28 | Акционерное общество "Центр Фундаментальных и прикладных исследований РАН" | MAGNETRON |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU320852A1 (en) * | ||||
| GB1141495A (en) * | 1965-08-16 | 1969-01-29 | English Electric Valve Co Ltd | Improvements in or relating to magnetrons |
| RU2007777C1 (en) * | 1992-04-15 | 1994-02-15 | Предприятие "Плутон" | Magnetron |
| SU1780444A1 (en) * | 1974-10-23 | 1994-04-30 | Опытное конструкторское бюро при заводе "Плутон" | Type m microwave device |
-
1994
- 1994-03-22 RU RU94009675A patent/RU2115193C1/en active
-
1995
- 1995-03-21 WO PCT/RU1995/000050 patent/WO1995026039A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU320852A1 (en) * | ||||
| GB1141495A (en) * | 1965-08-16 | 1969-01-29 | English Electric Valve Co Ltd | Improvements in or relating to magnetrons |
| SU1780444A1 (en) * | 1974-10-23 | 1994-04-30 | Опытное конструкторское бюро при заводе "Плутон" | Type m microwave device |
| RU2007777C1 (en) * | 1992-04-15 | 1994-02-15 | Предприятие "Плутон" | Magnetron |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2308224A (en) * | 1995-12-12 | 1997-06-18 | Lg Electronics Inc | Magnetron cathode |
| GB2308224B (en) * | 1995-12-12 | 1999-02-17 | Lg Electronics Inc | Magnetron |
| EP1054430A4 (en) * | 1998-01-08 | 2001-03-28 | Vladimir Iliich Makhov | M-type microwave device |
| EP1047099A4 (en) * | 1998-01-08 | 2001-04-04 | Litton Systems Inc | Magnetron |
| US6329753B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | M-type microwave device with slanted field emitter |
| US6388379B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-05-14 | Northrop Grumman Corporation | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield |
| US6485346B1 (en) | 2000-05-26 | 2002-11-26 | Litton Systems, Inc. | Field emitter for microwave devices and the method of its production |
| US6646367B2 (en) | 2000-05-26 | 2003-11-11 | L-3 Communications Corporation | Field emitter for microwave devices and the method of its production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2115193C1 (en) | 1998-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7138768B2 (en) | Indirectly heated cathode ion source | |
| US5004949A (en) | Fluorescent lamp with grounded electrode guard | |
| US4891551A (en) | Fluorescent lamp with grounded and fused electrode guard | |
| US2314134A (en) | Gaseous discharge device | |
| WO1995026039A1 (en) | Magnetron | |
| JP5490135B2 (en) | Cathode shielding member in deuterium lamp | |
| US6388379B1 (en) | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield | |
| US6956326B2 (en) | Gas discharge tube having insulator between aperture members | |
| US6051930A (en) | Extended wire connector for starting compact fluorescent lamp system | |
| EP1147545A1 (en) | Lighting system | |
| US4553064A (en) | Dual-mode electron gun with improved shadow grid arrangement | |
| JP2913186B2 (en) | Ion source device | |
| US2412842A (en) | Electronic discharge cathode | |
| US6127779A (en) | High voltage standoff, current regulating, hollow electron beam switch tube | |
| US4454447A (en) | Dual filament fluorescent lamp with electron shielding means | |
| US7550909B2 (en) | Electron gun providing improved thermal isolation | |
| US3353055A (en) | Shielded filament assembly for orbiting electron type vacuum pump | |
| KR20030084630A (en) | Ion source | |
| US6064152A (en) | Electrically conductive cylinder for improved starting of compact fluorescent lamp systems | |
| EP0884929A2 (en) | High-voltage power supply and fuse | |
| US8922120B2 (en) | Strobe device | |
| EP0863535B1 (en) | Switch tube | |
| US3128409A (en) | Floating electrode for gaseous discharge device | |
| KR20030019137A (en) | Magnetron | |
| US2392367A (en) | Electron discharge device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP KR US |
|
| AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |