WO1990003266A1 - Film d'aluminium par evaporation sous vide et procede de production - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an aluminum vapor-deposited film used for a capacitor or the like by being wound or laminated, and a method for producing the same.
- Aluminum evaporated films are widely used as composites of electrodes and dielectrics in capacitors.
- aluminum has poor chemical stability, so that a normal aluminum deposition film has poor moisture resistance. That is, the aluminum vapor-deposited film has low durability against corrosion in a high-temperature and high-humidity environment, and thus easily loses its function as a capacitor electrode. For this reason, capacitors using such aluminum-deposited films have tried to overcome the drawbacks only by strengthening the exterior, depending on the use environment, but are often not sufficient.
- An object of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks of the aluminum vapor-deposited film and, when used as a capacitor, to ensure sufficient moisture resistance even with a simple exterior, or to provide a conventional capacitor.
- An object of the present invention is to provide an aluminum vapor-deposited film and a method for manufacturing the same, which are provided with the same exterior as those described above, and which dramatically improve the moisture resistance reliability.
- the present invention relates to an aluminum vapor-deposited film in which an aluminum thin film is formed on at least one side of a plastic film by a vacuum vapor deposition method, wherein the surface area of the vapor-deposited film surface is determined by the formula (I). about aluminum evaporation off Lee Lum to Toku ⁇ the coefficient C is 1. 0 0 X 1 0- 4 below.
- La and Lb are obtained from a roughness curve obtained by a two-beam scanning electron microscope, where La is the projection length of the roughness curve with respect to a reference line, and Lb is the roughness curve. ).
- the present invention relates to an aluminum-evaporated film in which an aluminum thin film is formed on a plastic film by a vacuum evaporation method, wherein the base film is contained in the aluminum thin film. [1, 1, 0] oriented aluminum
- the present invention relates to a method for producing an aluminum vapor-deposited film by vacuum-depositing aluminum on a plastic film, wherein gold, silver, copper, nickel and tin are first deposited on the plastic film. deposited at least 0. lmg Zm 2 or SO m gZm 2 following the deposition amount of one of the metals selected from among, then aluminized off characterized that you deposited aluminum on the vapor deposition film It relates to the film manufacturing method.
- the present invention relates to a method of manufacturing an aluminum-deposited film by vacuum-depositing aluminum on a plastic film, comprising a plasma processing chamber and an aluminum-deposited chamber in one vacuum chamber.
- the device structure each capable of controlling the degree of vacuum independently, first vacuum 1 on the surface of the side to be deposited in the plasticine Tsu Kufi Lum 0 X 1 0 one 1 ⁇ 1 0 X 1 0 - .. 3 torr of inert gas environment in the processing intensity 5 W min / "m 2 or more 3 0 0 W minute / m subjected to a flop plasma treated with 2 less intensity, subsequently vacuum to the processing surface 1.
- O x 1 0- The present invention relates to a method for manufacturing an aluminum-evaporated film, which is characterized in that aluminum is evaporated under an atmosphere of 3 t 0 rr or less.
- the aluminum-deposited film according to the present invention has sufficient moisture resistance when used as a capacitor, even with a simple exterior. In addition, if the same exterior is used as in the past, a capacitor with dramatically improved humidity resistance will be obtained.
- FIG. 1 is a conceptual diagram showing one method for producing an aluminum vapor-deposited film of the present invention.
- one vacuum chamber has a plasma processing chamber and an aluminum vapor deposition chamber.
- the plastic film is a thin leaf made of a polymer resin composition, that is, what is generally called a film, a sheet, or the like.
- a polymer resin composition that is, what is generally called a film, a sheet, or the like.
- Polyethersulfone ketone, polyether ether ketone, polyether imide, polyimide, polyamide, fluorine-based resin, and the like and a mixture or copolymer thereof.
- a sheet-like material made of resin that is, what is generally called a film, a sheet, or the like.
- the effect is high in the case of a film containing a thermoplastic resin containing an aromatic ring in the main chain, and is particularly effective in the case of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, and the like.
- a film containing at least one resin selected from polyphenylene sulfide ketone and polyether ether ketone the film-forming properties of the film and the heat resistance of the resulting capacitor Preferred in terms No. More preferably, it is a biaxially stretched film containing polyethylene phthalate, polyethylene naphthalate and polyphenylene sulfide as components.
- other resins may be copolymerized or mixed within a range that does not impair the object of the present invention.
- the copolymerization ratio of the other resin is preferably 20 mol% or less, more preferably 10 mol% or less.
- the mixing ratio of the other resin is preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less.
- inorganic or organic additives and the like may be blended within a range that does not impair the object of the present invention.
- the metallized film of the present invention is obtained by forming an aluminum thin film on at least one surface of the plastic film by a vacuum evaporation method.
- a vacuum evaporation method for forming an aluminum thin film on at least one surface of the plastic film by a vacuum evaporation method.
- the deposits need to be aluminum, and other metals and non-metals are deposited simultaneously or sequentially to improve the adhesion, moisture resistance, and capacitor characteristics of the deposited film. Is not a problem.
- a different kind of substance may be previously formed on the plastic film by means of coating or the like, and then vapor deposition may be performed.
- another film, resin, box, or the like may be further laminated or applied on the aluminum thin film or on the non-metallized surface.
- the thickness of the aluminum thin film is not particularly limited.
- the effect of the present invention is great when it is in the range of 0 A to 100 OA.
- This film thickness is approximately 0 as the surface resistance of the metallized film. It is in the range of 5 ⁇ to 5 ⁇ .
- Aruminiumu deposition Fi Lum of the present invention is a vapor deposition film surface, it is necessary that (I) surface area coefficient C is determined by the equation 1. It 0 0 X 1 0- 4 below.
- the aluminum-deposited film of the present invention requires that the aluminum thin film contains aluminum crystal oriented in [1,1,0] orientation with respect to the base film plane. is there.
- the orientation of the aluminum crystal is measured by the X-ray diffraction method, and the details of the measurement method are described in the section of the characteristic evaluation method.
- the [1,1,0] oriented aluminum crystal with respect to the base film plane was grown with the [1,1,0] plane of the aluminum crystal parallel to the base film surface. It refers to a crystal.
- the height of the [2,2,0] peak (1.43 1 A between lattice planes) is higher than the height of the [1,1,1] peak (2.33 A between lattice planes). If it is less than% (preferably more than 10%), it is determined that it contains a [1,1,0] oriented component.
- the object is achieved if any of the above-mentioned surface area coefficient (: or the orientation characteristics of the aluminum crystal as described above is satisfied.
- the object is achieved if any of the above-mentioned surface area coefficient (: or the orientation characteristics of the aluminum crystal as described above is satisfied.
- Good even if both characteristics are satisfied at the same time, Good.
- the value of the surface area coefficient C and the orientation characteristics of the aluminum crystal do not change even after the capacitor has been formed, and the capacitor is disassembled to remove the aluminum-deposited film. To prepare and evaluate samples.
- one manufacturing method is to deposit at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel, and tin on a plastic film with a deposition amount of 0.1 lm gZm 2 or more and SO m gZm 2 or less. Then, aluminum is deposited on the deposited film.
- This method is highly effective for a film mainly composed of a thermoplastic resin containing an aromatic ring in its main chain on the surface on which at least the plastic film is to be deposited, and is particularly effective for polyethylene terephthalate.
- the effect is remarkable in films mainly composed of a resin selected from poly (ethylene naphthalate), poly (phenylene sulfide), and poly (ether ether ketone). Among them, a film containing polyethylene terephthalate and polyolefin sulfide as a main component is extremely effective.
- the plastic film Prior to vacuum-depositing aluminum onto the plastic film, first, the plastic film must be formed of at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel and tin (hereinafter, referred to as “metal”). vacuum deposition of say primer) at a deposition quantity 0. lmg / m 2 or more 5 0 mg / m 2 or less. This deposition amount can be measured by secondary ion mass spectrometry (so-called SIMS), but after performing the following aluminum deposition, the amount in the depth direction from the surface of the aluminum deposited film is measured.
- SIMS secondary ion mass spectrometry
- the peak intensity of the primer element corresponds to 1 0 1 count down bets least 1 0 5 count down bets or less range.
- copper is preferred as a primer because of ease of deposition.
- Atmosphere 5. 0 x 1 0- 4 torr or less is this and is favored arbitrary to perform primer deposition of the of et al.
- the method of vapor deposition is not particularly limited. That is, in the case of industrial production, widely used methods such as a crucible heating method and a feed heating method can be adopted, but the method is not limited to these.
- the surface of the plastic film at least on the side on which the film is to be deposited is a film made of polyphenylene sulfide
- the surface on which the primer is to be deposited is subjected to corona treatment, plasma, or the like in advance. It is also preferable to perform a discharge treatment such as a treatment in order to improve the adhesion between the film and the deposited film.
- the thickness of the deposited aluminum film is in the range of 200 to 100 A.
- the atmosphere in which aluminum is deposited is preferably 5.010 " 4 torr or less.
- a crucible heating method Widely used methods such as a feed heating method can be employed, but are not limited thereto.
- Primer deposition and aluminum deposition are in the same vacuum It may be carried out continuously by arranging two types of evaporation sources in the tank, or by preparing a film on which a primer has been deposited in advance, and then sequentially depositing aluminum by a normal method. It may be performed in stages, but it is preferable to perform it continuously from the viewpoint of productivity.
- Another manufacturing method of the present invention is to first form the plastic film by using an apparatus having a plasma processing chamber and an aluminum deposition chamber in one vacuum chamber, each of which can independently control the degree of vacuum.
- vacuum to the surface of the deposited are side 1.
- O xl O ⁇ l. 0 X 1 0- 3 torr in an inert gas environment processing force 5 W min Zm 2 or 3 0 0 W min Zm 2 below strength in plasma-treated is subsequently intended to deposit the secondary aluminum ⁇ beam under the following ambient vacuum of 1.
- 0 X 1 0- 3 t 0 rr to the treated surface are side 1.
- At least the surface of the plastic film on which the film is to be deposited is made of a polyester having an aromatic ring in the main chain, such as polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate. Great effect when plastic film is used.
- the method plasma treatment In is performed in an inert gas environment vacuum 1. 0 x 1 0- 1 ⁇ 1. 0 X 1 0- 3 t 0 rr of the present invention. If the degree of vacuum is more than 1.0 X 10—itorr, the processing effect will be insufficient. On the other hand, 1. 0 x discharge becomes uneven at 1 0 one 3 torr or less, also is not performed sufficiently treated. In order to perform the treatment without unevenness in such an environment, the discharge electrode is substantially controlled by the action of a magnetic field. It is preferable to use one with a long discharge electron path length (so-called magnetron).
- the inert gas is a gas containing preferably at least 99% by volume of an element selected from the group of the periodic table, including oxygen, carbon monoxide, carbon dioxide and the like. It is preferable that the oxygen gas content be 0.1% or less by volume.
- argon is preferable from the viewpoint of handleability.
- the intensity of the plasma treatment is in the range of 5 m 2 Zm 2 to 300 W min 2. 5 W min / / m effect is 2 or less is insufficient, damage full I Lum is large at 3 0 0 W min Z m 2 or more.
- the winding chamber of a continuous winding vacuum evaporation machine which is divided into a normal winding chamber and a vapor deposition chamber, has a structure capable of independently controlling the degree of vacuum.
- a plasma processing chamber is provided at an appropriate location to provide a plasma processing chamber, or a third chamber capable of independently controlling the degree of vacuum is provided between the unwinding section and the vapor deposition chamber, and this is used as the plasma processing chamber.
- the present invention is not limited to these. In any case, the plasma processing must be performed in an inert gas environment, and therefore, any gas may be provided in the chamber serving as the plasma processing chamber.
- the structure must be able to fill the space.
- Aruminiumu deposition is performed in an atmosphere of vacuum degree 1. 0 X 1 0- 3 torr hereinafter. If the degree of vacuum is larger than this value, the deposited film becomes extremely brittle, and sufficient corrosion resistance cannot be obtained. A more preferable range of the degree of vacuum for performing the vapor deposition is 2.0 X 10 " 4 torr or less. Further, when the thickness of the aluminum vapor deposition film is in the range of 200 to 100 OA, the present invention is not limited thereto. Fruit is remarkable
- Three metallized films are stacked with their metallized surfaces oriented in the same direction to form a measurement sample.
- the 0-20 scanning method is repeated three times, and three multiple wide-angle X-ray diffraction measurements are performed.
- the measurement conditions are shown below.
- Slit type 1 ° — 0.15mm—1 °
- Detector Scintillation counter Counting and recording device Rigaku Denki RAD-B type
- the peak intensity of the primer element appearing at the interface between the aluminum film and the film (secondary ion cow Measurement).
- the interface between the aluminum film and the film is defined as a range from a point at which the strength of the element peculiar to the film, for example, carbon, rises to a point at which the strength reaches a steady state.
- Raster area A 0 0 ⁇ ⁇
- E-GUN 0.5 kV-3.0 A (Focus 6.5)
- C is the capacitance before aging
- AC is the change in capacitance before and after aging. The greater the absolute value of this value, the lower the moisture resistance.
- the capacity of the capacitor is measured using an automatic capacitance bridge.
- the deposition chamber of the continuous winding evaporator (manufactured by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.) is divided into two chambers so that copper can be deposited in the front chamber (unwinding side) and aluminum can be deposited in the rear chamber (winding side). I made it.
- copper was vapor-deposited on the polyethylene terephthalate film (“Lumilar” manufactured by Toray Industries, Inc., film thickness 4 zm) at a rate of 0.5 mg / m 2 in the anterior chamber.
- an aluminum was vapor-deposited so that the surface resistance became 2 ⁇ , and an aluminum vapor-deposited film was obtained.
- This film is designated as MF-A1.
- Table 1 shows the results of measurement of the surface area coefficient C of MF-A1 and the orientation measurement of the aluminum crystal in the aluminum thin film by X-ray diffraction.
- a margin (non-deposited portion) of 1. mm in width was formed with a 9 mm pitch in the longitudinal direction of the MF-A1 strip. O mm) and the center of each margin (width 1. O mm), insert a blade and slit, then insert a 0.5 mm margin on the left or right. It was rolled into a tape having a total width of 4.5 mm.
- the obtained tapes are wound one on top of the other in the left and right magazines, and a wound body having a capacitance of about 0.1 F is obtained.
- its or until heated press (1 2 0 ⁇ €, 3 0 Ji! 11 2, 5 minutes) by far was to be et al.
- the external electrodes by thermal spraying of meta Li Gong on both end faces, meta Li A lead wire was welded to the capacitor to make a capacitor.
- This capacitor is designated as C—A1.
- Table 1 shows the results of the moisture resistance evaluation of C—A1.
- partition walls 5, 5 are respectively provided between the unwinding section including the unwinding roll 2 and the evaporation section 11, and between the evaporation section 11 and the winding section including the winding roll 3.
- Another partition 7 of the same structure is provided between the unwinding part of the continuous winding type vapor deposition machine (made by Nippon Vacuum Engineering Co., Ltd.) and the vapor deposition chamber 11 with 6, and an optional external device is provided between the two partitions.
- An introduction tube 12 is provided so that gas can be introduced, and a high-pressure application electrode (magnet) is placed at a distance of 10 mm from the surface of the cooling parallel to the axis of the cooling can 4 that is grounded and used as the counter electrode. (Lon) 8 and a new plasma processing chamber 9 was installed.
- reference numeral 10 denotes an induction heating furnace.
- a biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Toray Co., Ltd. “Lumilar”, film thickness 4 m) was applied to the surface of the film in an argon atmosphere with a vacuum of 2.0 to 3 torr. flop at the strength of the processing intensity 6 0W minute Zm 2 under Subjected to plasma treatment, and deposited on such a thickness surface resistance becomes 2 Omega aluminum two ⁇ beam in an atmosphere of vacuum degree 8. 0 X 1 0- 5 torr successively, to give the aluminum deposition Fi Lum Was. At this time, the thickness of the aluminum film was about 35 OA. This film is designated as MF-A2. Table 1 shows the surface area coefficient C of MF-A2 and the results of measurement of the orientation of the aluminum crystal in the aluminum thin film by the X-ray diffraction method.
- Example A2 Using MF-A2, a capacitor was obtained in exactly the same manner as in Example A1. This capacitor is designated as C—A2. Table 1 shows the results of evaluating the moisture resistance of C-A2.
- Example A1 Exactly the same as Example A1 except that the film was a biaxially stretched polyphenylene phenol resin (“TORELINA” manufactured by Toray Industries, Inc., film thickness 4 ⁇ m).
- TORELINA biaxially stretched polyphenylene phenol resin
- An aluminum vapor-deposited film was produced by the method. This aluminum-deposited film is referred to as MF-A3.
- Table 1 shows the measurement results of the surface area coefficient C of MF-A3 and the orientation of aluminum crystals in the aluminum thin film by X-ray diffraction.
- Example A 4 Using MF-A3, a capacitor was obtained in exactly the same manner as in Example A1. However, the heating press conditions were 180 ° (15 k / cm 2.5 minutes. This capacitor was designated as C-A3. The results of evaluating the moisture resistance of C-A3 are shown in Table 1.
- Example A 4 Using MF-A3, a capacitor was obtained in exactly the same manner as in Example A1. However, the heating press conditions were 180 ° (15 k / cm 2.5 minutes. This capacitor was designated as C-A3. The results of evaluating the moisture resistance of C-A3 are shown in Table 1. Example A 4
- the film shall be a biaxially stretched polyphenylene-reflective film (Toray's “Trerina”, film thickness 4 ⁇ m). Except for this, an aluminum vapor-deposited film was produced in the same manner as in Example A2. This aluminum-deposited film is designated as MF-A4. Table 1 shows the results of the surface area coefficient C of MF-A4 and the measurement results of the orientation of the aluminum crystal in the aluminum thin film by X-ray diffraction.
- Example A4 Using MF-A4, a capacitor was obtained in exactly the same manner as in Example A32. Again, the heating press conditions were 180 ° C. and 15 kg / cm 2 ⁇ 5 minutes. This capacitor is called C-1 A4. Table 1 shows the results of evaluating the moisture resistance of C-1A4. Comparative Example A 1
- Example A5 An aluminum vapor-deposited film was obtained in the same manner as in Example A1, except that the normal method, that is, no copper vapor deposition or plasma treatment was performed. This film is referred to as MF—A5.
- Table 1 shows the results of measuring the surface area coefficient of MF-A5 and the orientation of aluminum crystals in aluminum thin films by X-ray diffraction.
- Example A5 Using MF-A5, a capacitor was obtained in the same manner as in Example A1. Let this capacitor be C-A5. Table 1 shows the results of evaluating the moisture resistance of C-A5.
- Example A3 An aluminum vapor-deposited film was obtained in the same manner as in Example A3, except that the normal method, that is, no copper vapor deposition or plasma treatment was performed. This film is designated as MF-A6.
- MF-A6 Surface area coefficient of MF-A6 C and X-ray diffraction measurements of the orientation of aluminum crystals in aluminum thin films are shown in Table 1.
- Example A6 Using MF-A6, a capacitor was obtained in exactly the same manner as in Example A3. This capacitor is designated as C-A6. Table 1 shows the results of evaluating the moisture resistance of C-A6.
- Example A1 various aluminum-deposited films were obtained by changing the amount of the base film, the primer, and the primer to be deposited. These films were designated as MF-B1 to MF-B18, and the corrosion resistance test results are shown in Table 2 together with the production conditions.
- the polyethylene naphthalate film used as the base film for MF-B5 and MF-B12 was obtained by the following method.
- Polyethylene-1,2,6-naphthalate having an intrinsic viscosity of 0.60 is polymerized from ethylene glycol and naphthalene-1,2,6-dicarboxylic acid by a well-known method, and has an average particle diameter of 1.2 ⁇ m. 0.2% by weight of calcium carbonate was added to obtain a polyethylene naphthalate resin composition. This was extruded in a sheet form by an extruder equipped with a T-die, quenched by a casting drum to obtain a film in a substantially amorphous state, and then successively increased to 3.5 times X 3.5 times. The film was biaxially stretched and heat-fixed to obtain a biaxially stretched poly (1,2,6-naphthalate) film having a thickness of 4.im.
- the polyether ether ketone film used as the base film for MF-B6 and MF-B13 was Obtained by the following method.
- EK380G was extruded in the form of a sheet using an extruder equipped with a T die, and rapidly cooled by a casting drum to obtain a substantially amorphous film. This film was successively biaxially stretched to 2.5 ⁇ 2.5 times and heat-set to obtain a 4 m-thick biaxially stretched polyetheretherketone film.
- the polypropylene film used as the base film of MF-B7 and MF-B14 was "Torayfan” (film thickness 4 m) manufactured by Toray Industries, Inc.
- OX 10 one 3 60 8.0 X10-5 A
- Example C 2 MF - C 2 Polyethylene terephthalate one Bok 8.1x10- 2 10 8.0 xlO "5 B
- Ox 10 one '3 290 8.0 xlO- 5 A example C 4 MF - C 4 polyethyleneterephthalate evening rate 8.
- example C 6 MF - C 6 Porifue two Rensurufi de 2.
- the aluminum vapor-deposited film of the present invention having the above-described structure significantly improves the corrosion resistance of the aluminum vapor-deposited film in a high-temperature and high-humidity environment, which is a disadvantage of the conventional aluminum vapor-deposited film.
- a capacitor using this can provide sufficient moisture resistance even with a simple exterior, and if the same exterior is used, the moisture resistance will be greatly improved. The use effect is great.
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Description
明 糸田 » アルミ ニウム蒸着フ ィ ルム及びその製造方法
技術分野
本発明は、 巻回あるいは積層されるこ とによってコ ン デンサなどに使用されるアルミ ニゥム蒸着フ ィ ルム及び の製造方法に関する。
背景技術
アルミ ニウム蒸着フィ ルムはコ ンデンサにおける電極 と誘電体の複合体などと して広く 使用されている。 しか し、 アルミ ニウムは化学的に安定性が悪いため、 通常の アルミニウム蒸着膜は耐湿性に乏しい。 即ち、 アルミ 二 ゥム蒸着膜は、 高温高湿環境下での腐蝕に対する耐久性 が低いために、 コ ンデンサの電極と しての機能を失いや すい。 そのためかかるアルミ ニウム蒸着フィルムを用い たコ ンデンサは、 使用環境に応じて、 専ら外装の強化で 該欠点を克服せんと しているが、 十分でない場合が多い。
なお、 ポ リ プロ ピレンフィ ルム、 紙などに亜鉛を蒸着 する場合など、 そのままでは蒸着膜が形成されない場合 や、 あるいは蒸着膜形成が遅く 工業的な生産性がない場 合に、 例えば特開昭 5 8— 1 6 4 1 5 に示されるように、 先に銅、 銀などの亜鉛蒸着膜形成の核になる金属を予備 蒸着する (いわゆる核付け) ことによって蒸着膜の形成 を補助する技術は公知であるが、 その目的、 作用、 効果
ともに本願発明とは全く 異なる ものである。 実際、 亜鉛 を蒸着する際に核付けを行なつても本発明の目的とする 蒸着膜の高温高湿の環境下に於ける耐蝕性を向上する効 果はない。
発明の開示
本発明の目的は、 上記の様なアルミニゥム蒸着フィ ル ムの欠点を解消し、 コ ンデンサと した場合、 たとえ簡易 な外装であっても十分な耐湿性の確保を可能と し、 ある いは従来と同様の外装を施せば、 飛躍的に耐湿信頼性の 向上するアルミ ニゥム蒸着フィ ルム及びその製造方法を 提供するこ とにある。
すなわち本発明はプラスティ ッ クフ ィ ルムの少なく と も片面にアルミ ニウム薄膜を真空蒸着法によ って形成し たアルミニウム蒸着フィ ルムにおいて、 該蒸着膜表面の、 ( I ) 式によって求められる表面積係数 Cが 1 . 0 0 X 1 0— 4以下であることを特徵とするアルミ ニウム蒸着フ イ ルムに関する。
C = ( L b - L a ) / L a ( I )
(こ こで L aおよび L bは、 二光束型走査電子顕微鏡 によって求められる粗さ曲線から求められるもので、 L a は該粗さ曲線の規準線に対する投影長、 L bは該粗さ 曲線の延長を表わす。 )
また本発明はプラスティ ッ クフィ ルム上にアルミニゥ ム薄膜を真空蒸着法によつて形成したアルミ ニウム蒸着 フィ ルムにおいて、 アルミ ニウム薄膜中にベースフ ィ ル
ム面に対して [ 1 , 1 , 0 ] 配向したアルミ ニウム結曰
B曰 が含まれているこ とを特徵とするアルミ ニウム蒸着フィ ルムに関する。
また本発明はプラスティ ッ ク フィ ルム上にアルミ ニゥ ムを真空蒸着してアルミ ニゥム蒸着フィ ルムを製造する 方法に於いて、 まずプラスティ ッ クフィ ルムに金、 銀、 銅、 ニッケル及び錫の中から選ばれる少なく と も 1種の 金属を 0. l m g Zm2 以上 S O m gZm 2 以下の蒸着 量で蒸着し、 次いで該蒸着膜上にアルミ ニウムを蒸着す ることを特徴とするアルミニウム蒸着フ ィ ルムの製造方 法に関する。
さ らにまた本発明はプラスティ ッ クフイ ノレム上にアル ミ ニゥムを真空蒸着しアルミ ニウム蒸着フィ ルムを製造 する方法に於いて、 一つの真空槽内にプラズマ処理室と アルミ ニウム蒸着室を持ち、 それぞれが独立して真空度 を制御できる構造の装置によって、 まず該プラスティ ッ クフィ ルムの蒸着される側の表面に真空度 1 . 0 X 1 0 一1〜 1 . 0 X 1 0 — 3 t o r rの不活性ガス環境下で処理 強度 5 W分/ "m2 以上 3 0 0 W分/ m2 以下の強度でプ ラズマ処理を施し、 引き続き該処理面に真空度 1. O x 1 0— 3 t 0 r r以下の雰囲気下でアルミ ニウムを蒸着す ることを特徵とするアルミ ニウム蒸着フィ ルムの製造方 法に関する ものである。
本発明にかかるアルミ ニウム蒸着フ ィ ルムは、 コ ンデ ンサと したとき簡易な外装であっても十分な耐湿性を有
し、 また従来と同様の外装を施せば飛躍的に耐湿信頼性 の向上したコンデンサとなる。
図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明のアルミニウム蒸着フィ ルムを製造 するためのひとつの方法を示す概念図である。 こ こでは、 一つの真空槽内にプラズマ処理室とアルミ二ゥム蒸着室 を有している。
. 発明を実施するための最良の形態
本発明において、 ブラスティ ッ クフィ ルムとは高分子 樹脂組成物からなる薄葉体、 すなわち一般にフ ィ ルム、 シー ト等と呼ばれるものである。 例えば、 ポリエチレン、 ポ リ プロ ピレン、 ポ リ エチレ ンテレフ夕 レー ト、 ポ リ エ チレンナフタ レー ト、 ポ リ プチレンテレフ夕 レー ト、 ポ リ カーボネー ト、 ポ リ ア リ レー ト、 ポ リ フ エ二レンスル フイ ド、 ポ リ フエ二レンスルフイ ドケ ト ン、 ポ リ エーテ ルエーテルケ ト ン、 ポ リ エーテルイ ミ ド、 ポ リ イ ミ ド、 ポリアミ ド、 フ ッ素系樹脂等およびこれらの混合物や共 . 重合体からなる樹脂を成分とするシー ト伏物のことをい う。 これらのうち主鎖中に芳香族環を含む熱可塑性樹脂 を成分とするフィ ルムの場合に効果が高く 、 特にポリェ チレンテレフタ レー ト、 ポ リ エチ レ ンナフタ レー ト、 ポ リ フ エ二レンスゾレフィ ド、 ポ リ フエ二レンスルフィ ドケ ト ン、 ポ リエーテルエーテルケ ト ンから選ばれた少なく とも 1種の樹脂を成分とするフィ ルムの場合が、 ·フィル ムの製膜性や得られるコンデンサの耐熱性の点で好ま し
い。 更に好ま し く は、 ポ リ エチ レ ンテ レフタ レー ト、 ポ リ エチ レ ンナフタ レー ト及びポ リ フ ヱニレ ンスルフ ィ ド を成分とする二軸延伸フィルムである。
なお、 上記の如き樹脂以外に、 本発明の目的を害さな い範囲で、 更に他の樹脂が共重合されていても、 また混 合されていてもよい。 他の樹脂の共重合割合は好ま し く は 2 0 モル%以下、 より好ま し く は 1 0 モル%以下であ る。 また、 他の樹脂の混合割合は好ま し く は 3 0重量% 以下、 より好ま し く は 2 0重量%以下である。 更に、 本 発明の目的を害さない範囲で無機又は有機の添加物等が 配合されているこ とは差し支えない。
本発明の金属化フ ィ ルムは該プラスティ ッ クフ ィ ルム の少なく とも一方の面にアルミニウム薄膜を真空蒸着法 によって形成したものである。 但し、 蒸着物全てがアル ミニゥムである必要はなく、 蒸着膜の付着力、 耐湿性、 コ ンデンサ特性等を向上する目的で他の金属、 非金属が 同時に、 あるいは逐次に蒸着されている.ことは差し支え ない。 また、 同様の目的等で予め該プラスティ ッ クフィ ルム上に異種の物質を塗布等の手段により形成させてお き、 その後蒸着してもよい。 また、 該アルミ ニウム薄膜 上あるいは非金属化面にさ らに他のフ ィ ルム、 樹脂、 ヮ ッ クス等が積層、 塗布されること も差し支えない。
該アルミ ニウム薄膜の膜厚は特に限定しないが、 2 0
0 A〜 1 0 0 O Aの範囲である時に本発明の効果が大き い。 この膜厚は金属化フィ ルムの表面抵抗に して概ね 0 .
5 Ω〜 5 Ωの範囲である。
本発明のアルミニゥム蒸着フィ ルムは蒸着膜表面の、 ( I ) 式によって求められる表面積係数 Cが 1. 0 0 X 1 0— 4以下であることが必要である。
C = (L b - L a ) /L a ( I ) ここで L aおよび L bは、 二光束型走査電子顕微鏡に よって求められる粗さ曲線から求められるもので、 L a は該粗さ曲線の規準線に対する投影長、 L bは該粗さ曲 線の延長を表わす。
すなわち L aおよび L b (粗さ曲線の延長) は次式 ( H ) によって求められるものである。
L a = η · Δ x
. η
L b =∑ [ (Δχ 2 + ( y t - y i _ ! ) 2 ] 1 / 2 i =l (Π) ここで、 xおよび はそれぞれ二光束型走査電子顕微 鏡によって求められる粗さ曲線の測定走査方向軸および それに直交する高さ方向軸上の座標を表わす。 Δχおよ び y i は得られた粗さ曲線の X軸を測定走査方向にそつ て 間隔で区分していった時の各座標を順に
Χ ο ヽ X l ヽ Χ 2 ヽ ゝ · · · · · · ヽ X n- 1 ヽ X π と した時に、 それぞれ対応する高さ座標を y。 、 y i 、 y 2 ^ y 3 、 y n - 1 、 y n と したもので ある。 さ らに、 本発明では Ax = 0. 0 5 mと し、 n
≥ 1 0 とする。 二光束型走査電子顕微鏡による粗さ曲線 の測定条件の詳細は、 特性の評価法の項で述べる。
本発明のアルミ ニウム蒸着フィ ルムの別の形態は、 該 アルミ ニウム薄膜中にベ一スフイ ルム面に対して [ 1, 1 , 0 ] 配向したアルミ ニウム結晶が含まれているこ と が必要である。 こ こでアルミニウム結晶の配向は X線回 折法によって測定される ものであり、 その測定方法の詳 細は特性の評価法の項で述べる。 こ こでベースフ ィ ルム 面に対して [ 1, 1, 0 ] 配向したアルミ ニウム結晶と はアルミ ニウム結晶の [ 1, 1 , 0 ] 面をベースフ ィ ル ム表面に対して平行にして成長した結晶のこ とを言う。
X線回折法によって得られた回折パター ンは、 ベ一スフ イ ルム、 添加物等による回折成分が差し引かれアルミ 二 ゥム結晶回折ピークのみを抽出する。 この時 [ 2 , 2 , 0 ] ピーク (格子面間 1. 4 3 1 A) の高さが [ 1, 1, 1 ] ピーク (格子面間 2. 3 3 8 A) 高さに対して 3 % 以 (好ま しく は 1 0 %以上) である時 [ 1, 1, 0 ] 配向した成分を含むものと判定する。
本発明においては、 前述の表面積係数 (:、 又は上記の 如きアルミ ニウム結晶の配向特性のいずれかが満足され れば、 目的が達成される。 もちろん、 両特性が同時に満 足されている場合でもよい。
尚、 これらの表面積係数 Cの値や、 アルミ ニウム結晶 の配向特性はコ ンデンサとなった後でも変わらず、 コ ン デンサを解体してアル ミ ニウム蒸着フ ィ ルムを取り 出し
て試料を作成し評価することができる。
次に本発明のアルミニウム蒸着フ ィ ルムの製造方法を 説明するが、 これらの方法に限定される ものでないこと はもちろんである。
まず一つの製造方法はブラスティ ッ クフィ ルムに金、 銀、 銅、 ニッケル、 錫の中から選ばれる少なく と も 1種 の金属を 0. l m gZm2 以上 S O m gZm2 以下の蒸 着量で蒸着し、 次いで該蒸着膜上にアルミニウムを蒸着 するものである。 この方法はプラスティ ッ ク フ ィ ルムの 少なく とも蒸着される側の表面が主鎖中に芳香族環を含 む熱可塑性樹脂を主成分とするフィルムにおいて効果が 高く 、 特にポ リ エチ レンテレフタ レー ト、 ポ リ エチ レン ナフタ レー ト、 ポ リ フエ二レンスルフィ ド、 ポ リ エーテ ルエーテルケ ト ンから選ばれた樹脂を主成分とするフィ ルムにおいてその効果が顕著である。 その中でも、 ポリ エチレンテレフタ レー ト及びポ リ フ ヱニレ ンスルフ ィ ド を主成分とするフィ ルムにおいて極めて効果が大きい。
このプラスティ ッ ク フ ィ ルムにアルミ ニウムを真空蒸 着するに先立ち、 まず該プラスティ ッ クフィ ルムに金、 銀、 銅、 ニッケル及び錫の中から選ばれる少なく とも 1 種の金属 (以下、 プライマーと言う) を蒸着量 0. l m g/m2 以上 5 0 m g/m2 以下の範囲で真空蒸着する。 この蒸着量は 2次ィォン質量分析 (いわゆる S I M S ) で測定することができるが、 下記のアルミニウム蒸着を 行なった後、 アルミ ニウム蒸着膜表面より深さ方向の分
析を行なった時 (分析の条件については 「特性の評価法」 の項で述べる) 、 プライマー元素のピーク強度が 1 0 1 カウ ン ト以上 1 05 カウ ン ト以下である範囲に相当する。 プライマーと しては、 これらの金属のうち銅が蒸着の し 易さの点で好ま しい。 さ らにプライマーの蒸着を行なう 雰囲気は 5. 0 x 1 0— 4 t o r r以下であるこ とが好ま しい。 この際、 蒸着の方法は特に問わない。 すなわちェ 業的に生産する場合は、 るつぼ加熱方式、 フィ ー ド加熱 方式などひろ く行なわれている方法が採用できるが、 こ れらに限定される ものではない。
また、 プラスティ ッ クフィ ルムの、 少なく と も蒸着さ れる側の表面がポ リ フヱニレンスルフィ ドからなるフィ ルムである場合、 プライマ一を蒸着する面に、 あらかじ めコロナ処理、 プラズマ処理等の放電処理を施しておく こともフィ ルムと蒸着膜との密着性を向上させる点で好 ま しい。
次いでアルミ ニウムをプライ.マーの上に重ねて蒸着す る。 アルミニゥム蒸着膜の膜厚は 2 0 0 A〜 1 0 0 0 A の範囲である時に本発明の効果が大きい。 さ らにアルミ 二ゥムの蒸着を行なう雰囲気は 5. 0 1 0 "4 t o r r 以下であることが好ましい。 アルミ ニウムの蒸着方法も 特に問わず工業的に生産する場合は、 、 るつぼ加熱方式、 フィ ー ド加熱方式などひろ く行なわれている方法が採用 できるが、 これらに限定される ものではない。
プライマーの蒸着とアル ミ ニウムの蒸着は同一の真空
槽内に 2種の蒸発源を並べるなどして連続的に行なって も良いし、 あらかじめプライマーを蒸着したフィ ルムを 作製し、 次いで通常の方法でアルミ ニウムを蒸着するな どの方法で逐次に 2段階で行なつても良いが、 生産性の 点から、 連続的に行う ことが好ま しい。
本発明の、 いま一つの製造方法は一つの真空槽内にプ ラズマ処理室とアルミニウム蒸着室を持ち、 それぞれが 独立して真空度を制御できる構造の装置によって、 まず 該プラスティ ッ クフィ ルムの蒸着される側の表面に真空 度 1. O x l O ^ l. 0 X 1 0— 3 t o r r の不活性ガ ス環境下で処理強度 5 W分 Zm 2 以上 3 0 0 W分 Zm 2 以下の強度でプラズマ処理を施し、 引き続き該処理面に 真空度 1. 0 X 1 0— 3 t 0 r r以下の雰囲気下でアルミ 二ゥムを蒸着するものである。 この方法は特にプラステ イ ツ クフィ ルムの少なく とも蒸着される側の表面が、 ポ リ エチレンテレフタ レー ト、 ポ リ エチレンナフタ レー ト などの主鎖中に芳香族環を持つポ リ エステルからなるプ ラスティ ッ クフィ ルムである時に効果が大きい。
本発明のこの方法に於いてプラズマ処理は真空度 1. 0 x 1 0―1〜 1. 0 X 1 0—3 t 0 r rの不活性ガス環境 下で行なわれる。 真空度が 1. 0 X 1 0— i t o r r以上 である と処理効果が充分でなく なる。 一方、 1. 0 x 1 0一3 t o r r以下では放電が不均一になり、 また充分な 処理が行なわれない。 このような環境下で処理を斑なく 行なわせる為には、 放電電極を磁界作用によって実質的
な放電電子行路長を長く したもの (いわゆるマグネ ト ロ ン) を用いるのが好ま しい。 こ こで不活性ガスとは周期 律表第 族から選ばれる元素を体積比で好ま し く は 9 9 %以上含むガスのこ とであり、 酸素、 一酸化炭素、 二酸 化炭素等の含酸素ガスの含有率は体積比で 0 . 1 %以下 であるこ とが好ま しい。 不活性ガスの種類と しては取り 扱い性などの点からアルゴンが好ま しい。
該プラズマ処理の強度は 5 W分 Z m 2 以上 3 0 0 W分 2 以下の範囲で行なう。 5 W分/ / m 2 以下では効果 が不十分であり、 3 0 0 W分 Z m 2 以上ではフ ィ ルムの 損傷が大きい。
本発明を達成するには上記の減圧下でのプラズマ処理 に引き続き、 大気圧に戻すこ となく連続してアルミニゥ ム蒸着を施すことが必要である。 このためには一つの真 空槽内にプラズマ処理室とアル ミ ニウム蒸着室を持ち、 それぞれが独立して真空度を制御できる構造の装置が必 要である。 そのような装置と しては、 例えば、 通常の巻 取室と蒸着室の 2室に分かれている連続巻取式真空蒸着 機の巻取室を、 独立して真空度を制御できる構造にして 適当な部位にプラズマ処理器を設けてプラズマ処理室と するか、 巻出部と蒸着室の間に、 独立して真空度を制御 できる第 3室を設け、 これをプラズマ処理室と したもの 等が挙げられるがこれらに限定される ものではない。 ま たいずれにせよ、 プラズマ処理は不活性ガス環境下で行 う必要があるのでプラズマ処理室となる室には任意のガ
スを充填でき る構造である こ とが必要である。
アルミニゥム蒸着は真空度 1. 0 X 1 0— 3 t o r r以 下の雰囲気下で行なう。 真空度がこの値より大きいと蒸 着膜は極めて脆弱なものとなり充分な耐蝕性が得られな い。 蒸着を行なう真空度のより好ま しい範囲は 2. 0 X 1 0 "4 t o r r以下である。 また、 アルミ ニウム蒸着膜 の膜厚は 2 0 0〜 1 0 0 O Aの範囲にある時に本発明の 果が顕著である
次に本発明に於ける特性の測定方法および評価方法に ついて述べる。
( 1) 二光束型走査電子顕微鏡による粗さ曲線の測定 二光束二検出器型走査型電子顕微鏡および同電子顕微 鏡用断面測定装置を用い、 水平方向に 2 0 0点測定して 断面チャー トを得る。 測定条件を以下に示す。 二光束二検出器型走査型電子顕微鏡 エ リオニクス ( 株) 社製 E S M— 3 2 0 0 - 同電子顕微鏡用断面測定装置 エ リ オニクス ( 株) 社製 P S M— 1
測定条件
倍率 1 5 0, 0 0 0 倍 ゲイ ン値 1 5 k V
バイアス 6. 0
スポ ッ トサイズ 5. 5 0
( 2 ) X線回折法によるアルミ ニウム薄膜中のアルミ二
ゥム結晶の配向測定
金属化フィ ルム 3枚を金属化面の向きを揃えて積層し て測定試料と し、 0— 2 0走査法を 3回繰り返し、 3回 多重広角 X線回折測定を行なう。 測定条件を以下に示す。
X線発生装置
機社製 R U - 2 0 0 B (回転対陰極型) X線源 : C u Κ α線
湾曲結晶モノ ク ロメ ータ (グラフ アイ ト ) 使用
出力 : 0 k V 1 0 0 mA
ゴニオメ 一夕
理学電機社製 2 1 5 5 D型
ス リ ツ ト系 : 1 ° — 0. 1 5 mm— 1 ° 検出器 : シンチ レーシ ヨ ンカ ウ ンター 計数記録装置 理学電機社製 R A D - B型
( 3 ) 2次ィォン質量分析 ( S I M S ) によるプライマ 一蒸着量の測定 · .
以下に示す測定条件によってアルミ二ゥム蒸着フィ ル ムのアルミニゥム表面から深さ方向に 2次ィォン質量分 析したとき、 アルミニウム膜とフィ ルムの界面に現われ るプライマー元素のピーク強度 ( 2次イオンカウ ン ト数) を測定する。 こ こで、 アルミ ニウム膜とフィ ルムの界面 とはフィ ルムに特有の元素、 例えば炭素の強度が立ち上 がる点から定常に達する点までの範囲とする。
測定条件
A T 0 M I K A社 (西独) 製 m :
A— D I D A 3 0 0 0
1次イオ ン種 : 02 +
1次ィオ ン加速電圧 : 1 2 k V
1次イオン電流 : 8 0 n A
ラスター領域 : A 0 0 β ταΠ
分析領域 : ゲー ト 2 0 %
測定真空度 : 1 x 1 0一8 t o r r
E - G U N : 0. 5 k V - 3. 0 A ( F o c u s 6. 5 )
H - Q - H : # 1 3
(4) 耐蝕性
アルミ ニウム蒸着フィ ルムを 5 c m X 5 c mの大きさ に切りサンプルと し、 6 5 °Cに調温した蒸留水 2 リ ッ ト ルを張った恒温水槽に浸す。 サンプルの表面抵抗を追跡 し、 表面抵抗が初期値の 1 0倍に達する時間を測定し、 下の規準に従い A〜Eにランク分けをする。 この時間が 長いほど耐蝕性が良い。
A 6 0分以上
B 4 0分以上 6 0分未満
C 2 0分以上 4 0分未満
D 1 0分以上 2 0分未満
E 1 0分未満
( 5 ) コ ンデンザの耐湿性
コ ンデンサを 6 0 ° ( 、 9 5 %R Hの雰囲気下で 1 0 0
- -
0時間エージングして静電容量変化率を測定する。 これ を A CZCで示し、 耐湿性試験結果と した。 こ こで、 C はエージング前の静電容量、 A Cはエージング前後の静 電容量変化量である。 この値の絶対値が大きいほど耐湿 性が悪い。 尚、 コンデンサの容量は自動キャパシタ ンス ブリ ッ ジを用いて測定する。
次に本発明の実施例を挙げてさ らに詳細に説明するが、 本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
実施例 A 1
連続巻取式蒸着機 (日本真空技術㈱製) の蒸着室を 2 室に分け、 前室 (巻出側) で銅を、 後室 (巻取側) でァ ルミ 二ゥムを蒸着できるようにした。 この装置を用いて ポ リエチレンテレフタ レ一 トフイ ルム (東レ㈱製 "ルミ ラ一" 、 フィ ルム厚さ 4 z m) に前室で銅を 0. 5 m g /m 2 の割合で蒸着した。 次いで、 連続する後室でアル ミニゥムを表面抵抗が 2 Ωになるように蒸着し、 アルミ ニゥム蒸着フィ ルムを得た。 このフ ィ ルムを M F— A 1 とする。 M F— A 1の表面積係数 Cおよび X線回折法に よるアルミニウム薄膜中のアルミ ニウム結晶の配向測定 結果を表 1 に示す。
M F - A 1の長手方向にス トライプ伏に 9 m mのピッ チで幅 1. O mmのマ一ジン部 (非蒸着部分) を Y A G レーザ一を用いて形成し、 各蒸着部 (幅 8. O mm) の 中央と各マージン部 (幅 1. O mm) の中央に刃を入れ てス リ ッ ト し、 左も しく は右に 0. 5 mmのマ一ジンを
有する全幅 4. 5 mmのテープ状にして巻き取った。
得られたテープを左マ一ジンおよび右マ一ジンのもの 各 1枚づっを重ね合わせて巻回し、 静電容量約 0. 1 Fの巻回体を得て、 この巻回体から芯材を抜いてそのま ま加熱プレス ( 1 2 0 <€、 3 0 じ!112 、 5分) し、 さ らに、 両端面にメ タ リ コンを溶射して外部電極と し、 メ タ リ コ ンに 'リ ー ド線を溶接してコンデンサを作製した。 このコ ンデンサを C— A 1 とする。 C— A 1の耐湿性評 価結果を表 1に示す。
実施例 A 2
第 1図に示すように、 真空槽 1において、 巻出しロー ル 2を含む巻出部と蒸着室 1 1、 蒸着室 1 1 と巻き取り ロール 3を含む巻取部の間にそれぞれ隔壁 5, 6を持つ 連続巻取式蒸着機 (日本真空技術㈱製) の卷出部と蒸着 室 1 1の間にもう一つの同じ構造をした隔壁 7を設け、 その 2つの隔壁間に外部より任意のガスを導入すること ができるよう導入管 1 2を設け、 接地して対向電極と し たクーリ ングキヤ ン 4の軸と平行にキヤ ン表面より 1 0 mmの距離をおいて高圧印加電極 (マグネ ト ロ ン) 8を 設置して新たにプラズマ処理室 9を設けだ。 図において 1 0は誘導加熱炉である。
この装置を用いて二軸延伸ポリエチレンテレフタ レー ト フイ ルム (東レ㈱製 "ルミ ラー" 、 フ ィ ルム厚さ 4 m) のフィ ルム表面に真空度 2. 0 1 0 ~3 t o r rの アルゴン雰囲気下で処理強度 6 0W分 Zm2 の強度でプ
ラズマ処理を施し、 連続して真空度 8. 0 X 1 0— 5 t o r rの雰囲気下でアルミ 二ゥムを表面抵抗が 2 Ωになる ような厚さに蒸着し、 アルミ ニウム蒸着フィ ルムを得た。 このときアルミニウム膜の膜厚は約 3 5 O Aであった。 このフィ ルムを M F— A 2 とする。 M F— A 2の表面積 係数 Cおよび X線回折法によるアルミ ニウム薄膜中のァ ルミニゥム結晶の配向測定結果を表 1 に示す。
M F - A 2を用いて実施例 A 1 と全く 同様の方法でコ ンデンサを得た。 このコ ンデンサを C— A 2 とする。 C 一 A 2のの耐湿性評価結果を表 1 に示す。
実施例 A 3
フィ ルムを二軸延伸ポリ フ ヱニ レ ンスノレフィ ドフ ィ ノレ ム (東レ㈱製 " ト レ リ ナ" .、 フィ ルム厚さ 4 〃 m) と し たこ と以外は実施例 A 1 と全く 同様の方法でアルミ蒸着 フィ ルムを作製した。 このアルミ ニウム蒸着フィ ルムを M F— A 3 とする。 M F— A 3の表面積係数 Cおよび X 線回折法によるアルミニウム薄膜中のアルミ ニウム結晶 の配向測定結果を表 1に示す。
MF— A 3を用いて実施例 A 1 と全く 同様の方法でコ ンデンサを得た。 ただし加熱プレス条件は 1 8 0 ° ( 、 1 5 k / c m 2 . 5分と した。 このコ ンデンサを C— A 3 とする。 C— A 3のの耐湿性評価結果を表 1 に示す。 実施例 A 4
フイ ルムを二軸延伸ポ リ フ ヱニレ ンスノレフ ィ ドフィ ル ム (東レ㈱製 " ト レ リ ナ" 、 フ ィ ルム厚さ 4 ^ m) と し
たこと以外は実施例 A 2 と全く 同様の方法でアルミ蒸着 フ ィ ルムを作製した。 このアルミ ニウム蒸着フィ ルムを M F— A 4 とする。 M F— A 4の表面積係数 Cおよび X 線回折法によるアルミニウム薄膜中のアルミニウム結晶 の配向測定結果を表 1 に示す。
M F - A 4を用いて実施例 A 3 2 と全く 同様の方法で コ ンデンサを得た。 こ こでも加熱プレス条件は 1 8 0 °C、 1 5 k g / c m 2 ^ 5分と した。 このコ ンデンサを C一 A 4 とする。 C 一 A 4のの耐湿性評価結果を表 1 に示す。 比較例 A 1
通常の方法、 すなわち銅の蒸着やプラズマ処理をしな かったこ と以外は実施例 A 1 と同様の方法でアルミニゥ ム蒸着フィ ルムを得た。 このフィ ルムを M F— A 5 とす る。 M F— A 5の表面積係数 Cおよび X線回折法による アルミニゥム薄膜中のアルミ ニゥム結晶の配向測定結果 ¾r表 1 に示す。
M F— A 5を用いて実施例 A 1 と全ぐ同様の方法でコ ンデンサを得た。 このコンデンサを C一 A 5 とする。 C - A 5 のの耐湿性評価結果を表 1 に示す。
比較例 A 2
通常の方法、 すなわち銅の蒸着やプラズマ処理をしな かつたこと以外は実施例 A 3 と同様の方法でアルミニゥ ム蒸着フィルムを得た。 このフィ ルムを M F— A 6 とす る。 M F— A 6の表面積係数 Cおよび X線回折法による アルミニゥム薄膜中のアルミニゥム結晶の配向測定結果
を表 1に示す。
M F— A 6を用いて実施例 A 3 と全く 同様の方法でコ ンデンサを得た。 このコ ンデンサを C— A 6 とする。 C - A 6のの耐湿性評価結果を表 1に示す。
実施例 B 1〜 B 1 1および比較例 B 1〜 B 7
実施例 A 1 と同様の方法でベースフ ィ ルム、 プライマ 一、 プライマー蒸着量を変えて種々のアルミ ニウム蒸着 フィ ルムを得た。 これらのフィ ルムを M F— B 1〜M F 一 B 1 8 と して、 その製造条件と併せて耐蝕性試験結果 を表 2に示す。
こ こで M F— B 5および M F— B 1 2のベースフ ィ ル ムと して用いたポリエチレンナフタ レー トフィ ルムは次 の方法によって得た。
周知の方法によりエチレングリ コールとナフタ リ ン一 2 , 6 —ジカルボン酸から極限粘度 0. 6 0のポ リェチ レン一 2, 6 —ナフタ レー トを重合し、 平均粒径 1. 2 〃 mの炭酸カルシウムを 0. 2重量%添加してポリェチ レンナフタ レー ト樹脂組成物を得た。 これを Tダイを備 えた押出機により シー ト状に押出し、 キャスティ ング ド ラムで急冷し実質的に非晶状態のフィ ルムを得、 さ らに 3. 5倍 X 3. 5倍に逐次二軸延伸し熱固定して厚さ 4 . i mの二軸延伸ポ リエチレン一 2, 6—ナフタ レー トフ ィ ルムを得た。
また、 M F— B 6および M F— B 1 3のベースフ ィ ル ムと して用いたポ リエーテルエ一テルケ ト ンフィ 'ルムは
次の方法によって得た。
ポリエーテルエーテルケ ト ン ( I . C. I社製, P E
E K 3 8 0 G) を Tダイを備えた押出機により シー ト 状に押出し、 キャスティ ング ドラムで急冷し実質的に非 晶状態のフィ ルムを得た。 このフィ ルムを 2. 5倍 X 2. 5倍に逐次二軸延伸し熱固定して厚さ 4 mの二軸延伸 ポリエーテルエーテルケ ト ンフィ ルムを得た。
さ らにまた、 MF— B 7および MF— B 1 4のベース フィ ルムと して用いたポリ プロピレンフィ ルムは東レ㈱ 製" ト レフ ァ ン" (フィ ルム厚さ 4 m) を用いた。
実施例 C 1〜 C 1 0および比較例 C 1〜 C 1 0
二軸延伸ポリエチレンテレフタレー トフィ ルム (東レ
㈱製" ルミ ラー" 、 フィ ルム厚さ 2 in) およびニ軸延 伸ポ リ フエ二レ ンスルフィ ドフ ィ ルム (東レ㈱製" ト レ リ ナ" 、 フィ ゾレム厚さ 2 /i m) をべ一スフ イ ノレムと して 実施例 A 2で用いた装置を用いて、 プラズマ処理雰囲気、 プラズマ処理強度、 · アルミニゥム蒸着雰囲気を変えて種 々のアルミ ニウム蒸着フ ィ ルムを得た。 これらのフィ ル ムを MF— C 1〜M F— C 2 0 と して、 その製造条件と 併せて耐蝕性試験結果を表 2に示す。
表一
フィルム No. 表面積係数 c アルミニウム結晶の コンデンサ耐湿ライフ評価結果
[1, 1, 0 ] 配向性 コンデンサ No. 厶 CZC (%) 実施例 A 1 MF - A 1 0, 50 xio-4 有り C一 1 + 0. 5 実施例 A 2 MF - A 2 0.81 x 10—4 有り C一 2 + 0. 0 実施例 A 3 MF - A 3 0.42 x id— 4 有り C - 3 + 2. 5 実施例 A 4 MF - A 4 o. n lo一4 有り C - 4 + 0. 0 比较例 Al MF— A 5 2.53 X10- 4 無し C一 5 -96. 8 比較例 A 2 MF - A 6 1.85 X 10— 4 無し C一 6 -63. 4
表一 2 フィルム No. ベ一スフィルム プライマー 主たる蒸着金属 耐蝕性試験結果 金属種 蒸着量 (rag/ nf)
実施例 B 1 MF - B 1 ポリェチレンテレフタレ一卜 銅 0. 5 アルミニウム A 実施例 B 2 MF - B 2 ポリエチレンテレフタレー ト 鋦 40 アルミニウム B 実施例 B 3 MF— B 3 ポリフヱニレンスルフィ ド 銅 0. 5 アルミニウム A 実施例 B 4 MF - B 4 ポリフエ二レンスルフィ ド 銅 40 アルミニウム B 実施例 B 5 MF - B 5 ポリエチレンナフタレー卜 銅 0. 5 アルミニウム A 実施例 B 6 MF - B 6 ポリェ一テルエ一テルケ卜ン 錮 0. 5 アルミニウム B 実施例 B 7 MF - B 7 ポリプロピレン 銅 0. 5 アルミニウム B 比較例 B 1 MF - B 8 ポリェチレンテレフタレー ト な し アルミニウム E 比較例 B 2 MF - B 9 ポリエチレンテレフタレート 銅 70 アルミニウム D 比較例 B 3 MF - B 10 ポリフエ二レンスルフィ ド な し アルミニウム D 比較例 B 4 MF - B 11 ポリフエ二レンスルフィ ド 銅 70 アルミニウム D 比較例 B 5 MF - B 12 ポリエチレンナフタレ一 卜 な し アルミニウム C 比較例 B 6 MF - B 13 ポリエーテルエーテルケ卜ン な し アルミニウム E 比較例 B 7 MF - B 14 ポリプロピレン 銅 0. 5 亜 鉛 E 実施例 B 8 MF-B15 ポリエチレンテレフタレー卜 金 0. 5 アルミニウム B 実施例 B 9 MF - B 16 ボリェチレンテレフタレート 銀 0. 5 アルミニウム A 実施例 B 10 MF - B Π ポリエチレンテレフ夕レー 卜 錫 0. 5 アルミニウム B 実施例 B 11 MF - B 18 ポリエチレンテレフタレー 卜 ニッケル 0. 5 アルミニウム A
表 3 フィルム No. ベースフィルム プラズマ処理 アルミ蒸着棼囲気 耐 性
処理雰囲気 処理強度 (torr) 試験結果
(torr) (W分 Zm2)
実施例 C 1 MF— C 1 ポリエチレンテレフタレー ト 2. OX 10一3 60 8.0 X10-5 A 実施例 C 2 M F - C 2 ポリエチレンテレフタレ一卜 8.1x10— 2 10 8.0 xlO"5 B 実施例 C 3 MF - C 3 ポリェチレンテレフタレート 2. Ox 10一'3 290 8.0 xlO-5 A 実施例 C 4 MF - C 4 ポリエチレンテレフ夕レート 8. lx 10— 2 260 8.0 xlfl"5 B 実施例 C 5 MF - C 5 ポリエチレンテレフタレート 8.1X10"3 260 7.8 xlO一4 B 実施例 C 6 MF - C 6 ポリフエ二レンスルフィ ド 2. OxlO-3 20 8.0 xlO一5 C 実施例 C 7 MF - C 7 ポリフヱニレンスルフィ ド 8. lxlO"2 20 8.0 xlO一5 B 実施例 C 8 MF - C 8 ポリフエ二レンスルフィ ド 2. Oxlfl -3 290 8.0 xlO"5 A 実施例 C 9 MF-C 9 ポリフエ二レンスルフィ ド 8. lxlO"2 260 8.0 xlO一5 A 実施例 C 10 MF- CIO ポリフヱニレンスルフィ ド 8. lxlO— 2 260 7.8 xlO"4 B 比較例 C 1 MF-C11 ポリェチレンテレフタレート 7.3xlfl- 4 10 8.0 xlO一5 D 比較例 C 2 ポリエチレンテレフタレ一 卜 2.2Χ1Γ1 40 8.0 xlO~5 D 比較例 C 3 MF-C13 ポリェチレンテレフタレ一 卜 2. Ox 10一3 2 8.0 xlfl"5 D 比較例 C 4 MF-C14 ポリエチレンテレフタレー ト 8. lxlfl"2 400 フィルム破断 評価できず 比較例 C 5 ポリェチレンテレフタレート 8. lxlO"2 260 1.5 xlO一3 D 比較例 C 6 MF- C16 ポリフヱニレンスルフィ ド Ϊ.3X10— 4 20 8.0 xlfl"5 D 比較例 C 7 MF - CH ポリフエ二レンスルフィ ド 2.2X10- 1 20 8.0 xlfl"5 D 比較例 C 8 MF-C18 ポリフエ二レンスルフィ ド 2. flxlfl"3 2 8.0 xlO一5 D 比較例 C 9 ポリフヱニレンスルフィ ド 8. lxlfl一2 450 フィルム破断 評価できず 比較例 C 10 ポリフエ二レンスルフィ ド 8. lxlO'2 260 1.5 xlfl"3 D
産業上の利用可能性
本発明のアルミ ニウム蒸着フィ ルムは、 上記の構成と したことにより、 従来のアルミニウム蒸着フィ ルムの欠 点であつた高温高湿環境下でのアルミニゥム蒸着膜の腐 蝕に対する耐久性が大幅に向上したものとなり、 その結 果、 これを用いたコ ンデンサは簡易な外装でも十分な耐 湿性が得られる、 また従来同様の外装を施せば大幅に耐 湿性の向上したものとなるなど、 産業上の利用効果は大 きい。
Claims
1. プラスティ ッ クフィ ルムの少なく と も片面にアル ミニゥム薄膜を真空蒸着法によって形成したアルミニゥ ム蒸着フ ィ ルムにおいて、 該蒸着膜表面の、 ( I ) 式に よって求められる表面積係数 Cが 1 . 0 0 x 1 0— 4以下 である こ とを特徵とするアルミ ニゥム蒸着フ イ ルム。
C = ( L b - L a ) / h a ( I )
(こ こで L aおよび L bは、 二光束型走査電子顕微鏡 によって求められる粗さ曲線から求められる もので、 L aは該粗さ曲線の規準線に対する投影長、 L bは該粗さ 曲線の延長を表わす。 )
2. プラスティ ッ ク フ ィ ルムの少なく と も片面にアル ミニゥム薄膜を真空蒸着法によつて形成したアルミ ニゥ ム蒸着フ ィ ルムにおいて、 アルミニウム薄膜中にベース フ ィ ルム面に対して [ 1 , 1, 0 ] 配向したアルミニゥ ム結晶が含まれていることを特徴とするアルミニウム蒸 着フィ ノレム。
3. ブラスティ ッ クフィ ルムの少なぐと も片面にアル ミ ニゥム薄膜を真空蒸着法によって形成したアルミニゥ ム蒸着フィ ルムにおいて、 該蒸着膜表面の、 ( I ) 式に よって求められる表面積係数 Cが 1 . 0 0 x 1 0 _4以下 であ り、 かつアルミ ニウム薄膜中にベースフ イ ノレム面に 対して [ 1, 1 , 0 ] 配向したアルミ ニウム結晶が含ま れている こ とを特徵とするアルミ ニウム蒸着フィ ルム。
C = (L b - L a ) /L a ( I )
(こ こで L aおよび L bは、 二光束型走査電子顕微鏡 によって求められる粗さ曲線から求められるもので、 L aは該粗さ曲線の規準線に対する投影長、 L bは該粗さ 曲線の延長を表わす。 )
4. ブラスティ ッ ク フィ ルムが、 主鎖中に芳香族環を 持つた熱可塑性樹脂からなるものである請求項 1〜 3の いずれかに記載のアルミ ニゥム蒸着フイ ルム。
5. プラスティ ッ ク フィ ルムが、 ポ リ エチ レンテレフ 夕 レー ト、 ポ リ エチレ ンナフタ レー ト、 ポ リ フヱニレン スルフ ィ ド、 ポ リ フエ二レンスルフ ィ ドケ ト ン、 ポ リ エ 一テルエーテルケ ト ンから選ばれる少なく とも一つの樹 脂からなるものである請求項 1〜 3のいずれかに記載の アルミ ニゥム蒸着フィ ルム。
6. ブラスティ ッ ク フィ ルムが二軸延伸フィ ルムであ る請求項 1〜 3のいずれかに記載のアルミニゥム蒸着フ イ ルム。
7. プラスティ ッ ク フィ ルム上にアルミ ニウムを真空 蒸着してアルミニゥム蒸着フィ ルムを製造する方法に於 いて、 まずプラスティ ッ クフィ ルムに金、 銀、 銅、 ニッ ケ.ル及び錫から選ばれる少なく とも 1種の金属を 0. 1 m gZm2 以上 5 0 m g/m2 以下の蒸着量で蒸着し、 次いで該蒸着膜上にアルミ二ゥムを蒸着することを特徴 とするアルミ ニウム蒸着フ ィ ルムの製造方法。
8. プラスティ ッ ク フィ ルム上にアルミ ニウムを真空
蒸着しアルミ ニウム蒸着フ ィ ルムを製造する方法に於い て、 一つの真空槽内にプラズマ処理室とアルミニウム蒸 着室を持ち、 それぞれが独立して真空度を制御できる構 造の装置によって、 まず該プラスティ ッ クフィ ルムの蒸 着される側の表面に真空度 1 . 0 X 1 0 ―1〜 1 . 0 X 1 0一3 t o r rの不活性ガス環境下で処理強度 5 W分 m 2 以上 3 0 0 W分ノ m 2 以下の強度でプラズマ処理を 施し、 引き続き該処理面に真空度 1 . 0 X 1 0 — 3 t o r r以下の雰囲気下でアルミニウムを蒸着することを特徴 とするアルミ ニウム蒸着フィ ルムの製造方法。
9. ブラスティ ッ クフ ィ ルムが、 主鎖中に芳香族環を 持った熱可塑性樹脂からなる請求項 6又は 7に記載のァ ル ミ ニゥム蒸着フィ ルムの製造方法。
10. プラスティ ッ ク フ ィ ルムが、 ポ リ エチ レ ンテレフ タ レ一 ト、 ポ リ エチレ ンナフタ レー ト、 ポ リ フ エ二レ ン スルフ ィ ド、 ポ リ フ エ二レ ンスルフ ィ ドケ ト ン、 ポ リ エ 一テルエーテルケ ト ンから選ばれる少なく とも一つの樹 脂からなる請求項 6又は 7に記載のアルミ二ゥム蒸着フ ィ ルムの製造方法。
11. プラスティ ッ ク フィ ルムが二軸延伸フ ィ ルムであ る請求項 6又は 7記載のアルミ ニウム蒸着フィ ルムの製 造方法。
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