[go: up one dir, main page]

UA83887C2 - Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача - Google Patents

Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача

Info

Publication number
UA83887C2
UA83887C2 UAA200608171A UAA200608171A UA83887C2 UA 83887 C2 UA83887 C2 UA 83887C2 UA A200608171 A UAA200608171 A UA A200608171A UA A200608171 A UAA200608171 A UA A200608171A UA 83887 C2 UA83887 C2 UA 83887C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
layer
type conductivity
silicon
production
dorsal
Prior art date
Application number
UAA200608171A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Олександра Миколаївна Шмирєва
Олександр Дмитрович Скуртул
Микола Миколайович Мельниченко
Вячеслав Олександрович Кочелап
Вадим Володимирович Наумов
Валентин Миколайович Голотюк
Дмитро Васильович Лукомський
Original Assignee
Вадим Володимирович Наумов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вадим Володимирович Наумов filed Critical Вадим Володимирович Наумов
Priority to UAA200608171A priority Critical patent/UA83887C2/uk
Priority to PCT/UA2007/000020 priority patent/WO2008010782A1/en
Publication of UA83887C2 publication Critical patent/UA83887C2/uk

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/703—Surface textures, e.g. pyramid structures of the semiconductor bodies, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/164—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells
    • H10F10/165—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising heterojunctions with Group IV materials, e.g. ITO/Si or GaAs/SiGe photovoltaic cells the heterojunctions being Group IV-IV heterojunctions, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/12—Active materials
    • H10F77/122—Active materials comprising only Group IV materials
    • H10F77/1228—Active materials comprising only Group IV materials porous silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

+(57)Винахід належить до засобів напівпровідникової оптоелектронної техніки, зокрема до технології виготовлення фотоелектричних перетворювачів - сонячних елементів на основі кремнію. Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача на основі підкладки кремнію р-типу провідності включає операції створення на тильній поверхні підкладки шару р+-типу провідності, формування на лицьовій поверхні шару n-типу провідності з наступним формуванням контактів. Додатково вирощують шар поруватого кремнію, при цьому шар p+-типу провідності на тильній поверхні формують у процесі одночасної дифузії бору і фосфору із попередньо нанесених на тильну і лицьову поверхні підкладки боросилікатної і фосфоросилікатної емульсій, відповідно, з одночасним формуванням на лицьовій поверхні підкладки шару n+-типу провідності, потім вибірково видаляють шар n+-типу провідності, а шар n-типу провідності на лицьовій поверхні формують через шар поруватого кремнію. Винахід забезпечує підвищення ефективності та зменшення енергетичних витрат на виготовлення фотоелектричних перетворювачів.
UAA200608171A 2006-07-21 2006-07-21 Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача UA83887C2 (uk)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA200608171A UA83887C2 (uk) 2006-07-21 2006-07-21 Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача
PCT/UA2007/000020 WO2008010782A1 (en) 2006-07-21 2007-03-30 The method of production of the photoelectric converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA200608171A UA83887C2 (uk) 2006-07-21 2006-07-21 Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA83887C2 true UA83887C2 (uk) 2008-08-26

Family

ID=38957037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA200608171A UA83887C2 (uk) 2006-07-21 2006-07-21 Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача

Country Status (2)

Country Link
UA (1) UA83887C2 (uk)
WO (1) WO2008010782A1 (uk)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007036921A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Centrotherm Photovoltaics Technology Gmbh Verfahren zur Herstellung von Siliziumsolarzellen
DE102010035582B4 (de) * 2010-08-27 2017-01-26 Universität Konstanz Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einer texturierten Frontseite sowie entsprechende Solarzelle
RU2469439C1 (ru) * 2011-06-23 2012-12-10 Общество с ограниченной ответственностью "Солнечный ветер" Способ изготовления солнечного элемента с двухсторонней чувствительностью
CN102925982B (zh) * 2012-11-15 2015-05-20 英利能源（中国）有限公司 一种太阳能电池及其扩散方法
FR3077930B1 (fr) * 2018-02-15 2021-08-06 Total Solar Int Dispositif photovoltaique ou photodetecteur de type emetteur passive contact arriere et procede de fabrication d'un tel dispositif
CN109378357B (zh) * 2018-09-06 2020-06-05 横店集团东磁股份有限公司 一种perc双面太阳电池湿法刻蚀工艺

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2151449C1 (ru) * 1999-01-15 2000-06-20 Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Способ изготовления фотопреобразователей с пленкой пористого кремния
RU2210142C1 (ru) * 2002-04-17 2003-08-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр завода "Красное знамя" Способ изготовления солнечного элемента с n+-p-p+ структурой
JP4232597B2 (ja) * 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008010782A1 (en) 2008-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO20076104L (no) Fremgangsmate for produksjon av solcelle og solcelle, og fremgangsmate for produksjon av halvlederinnretning
MX2022007785A (es) Una celula solar y su estructura de region dopada, modulo de celulas y sistema fotovoltaico.
SG178861A1 (en) Solar cell and method for manufacturing such a solar cell
WO2009078672A3 (en) Hetero-junction silicon solar cell and fabrication method thereof
EP0993050A3 (en) Substrate for producing semiconductor device, method for producing the substrate, photoelectric conversion device and method for producing the photoelectric conversion device
TW200501432A (en) Back-contacted solar cells with integral conductive vias and method of making
WO2009052511A3 (en) Mono-silicon solar cells
TW200703672A (en) Thermal process for creation of an in-situ junction layer in CIGS
MY156090A (en) Back junction solar cell with selective front surface field
US20120279562A1 (en) Back-surface-field type of heterojunction solar cell and a production method therefor
MY166305A (en) High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods using thin planar semiconductor absorbers
WO2010055346A3 (en) Deep grooved rear contact photovoltaic solar cells
WO2010126314A3 (ko) 탄소나노튜브층을 포함하는 실리콘 태양전지
ATE537562T1 (de) Verfahren zum herstellen von multikristallinen silizium-solarzellen des n-typs
TW200635058A (en) Back junction solar cell and process for producing the same
UA83887C2 (uk) Спосіб виготовлення фотоелектричного перетворювача
CN102800757A (zh) N型太阳能电池及其制造工艺
TW200623431A (en) Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
TW200802910A (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
WO2008043827A3 (de) Verfahren zur passivierung von solarzellen
JP2015133341A (ja) 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
CN205985016U (zh) 藏栅光伏电池组件及光伏系统
CN104091843B (zh) 一种背钝化太阳能电池及其制备方法
CN102881737A (zh) 体结背接触太阳能电池
JP2013513965A (ja) 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法