UA129821C2 - Пристрій, що генерує аерозоль, система, що генерує аерозоль, яка містить вказаний пристрій, та набір частин для генерування аерозолю - Google Patents

Abstract

Резонансна схема для системи, що генерує аерозоль, містить індуктивний елемент для нагрівання за допомогою індукції струмоприймального вузла з метою нагрівання матеріалу, що генерує аерозоль, з генеруванням таким чином аерозолю. Схема також містить вузол перемикання, який під час використання переходить від першого стану до другого стану, щоб забезпечити можливість генерування змінного струму від джерела напруги постійного струму і протікання через індуктивний елемент, щоб спричинити індуктивне нагрівання струмоприймального вузла. Вузол перемикання виконаний із можливістю переходу від першого стану до другого стану у відповідь на коливання напруги в резонансній схемі, яка працює на резонансній частоті резонансної схеми, в результаті чого змінний струм підтримується на резонансній частоті резонансної схеми. WO 2020/047417 PCT/US2019/049076

Description

Галузь техніки

Даний винахід стосується резонансної схеми для системи, що генерує аерозоль, більш конкретно резонансної схеми для нагрівання за допомогою індукції струмоприймального вузла для генерування аерозолю.

Передумови винаходу

У курильних виробах, таких як сигарети, сигари тощо, під час використання спалюється тютюн з утворенням тютюнового диму. Були зроблені спроби надати альтернативи цим виробам шляхом створення продуктів, які вивільняють сполуки без горіння. Прикладами таких продуктів є так звані продукти, "що нагрівають, але не спалюють", або пристрої чи продукти для нагрівання тютюну, які вивільняють сполуки за допомогою нагрівання, а не спалювання, матеріалу. Матеріал може являти собою, наприклад, тютюн або інші нетютюнові продукти, які можуть містити або не містити нікотин.

Суть винаходу

Згідно з першим аспектом даного винаходу надана резонансна схема для системи, що генерує аерозоль, причому резонансна схема містить: індуктивний елемент для нагрівання за допомогою індукції струмоприймального вузла з метою нагрівання матеріалу, що генерує аерозоль, з генеруванням таким чином аерозолю; і вузол перемикання, який під час використання переходить від першого стану до другого стану, щоб забезпечити можливість генерування змінного струму від джерела напруги постійного струму і протікання через індуктивний елемент, щоб спричинити індуктивне нагрівання струмоприймального вузла; при цьому вузол перемикання виконаний із можливістю переходу від першого стану до другого стану у відповідь на коливання напруги в резонансній схемі, яка працює на резонансній частоті резонансної схеми, в результаті чого змінний струм підтримується на резонансній частоті резонансної схеми.

Резонансна схема може являти собою І С схему, яка містить індуктивний елемент і ємнісний елемент.

Індуктивний елемент і ємнісний елемент можуть бути розташовані паралельно і коливання напруги можуть являти собою коливання напруги по всьому індуктивному елементу і ємнісному елементу. о Вузол перемикання може містити перший транзистор і другий транзистор, які розташовані таким чином, що, коли вузол перемикання перебуває у першому стані, перший транзистор є "вимкненим", а другий транзистор є "ввімкненим", а коли вузол перемикання перебуває у другому стані, перший транзистор є "ввімкненим", а другий транзистор є "вимкненим".

Кожний з першого транзистора і другого транзистора може містити перший електрод для "ввімкнення" і "вимкнення" цього транзистора, другий електрод і третій електрод, а також вузол перемикання можуть бути виконані таким чином, що перший транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді другого транзистора дорівнює пороговій напрузі перемикання першого транзистора або нижче неї.

Кожний з першого транзистора і другого транзистора може містити перший електрод для "ввімкнення" і "вимкнення" цього транзистора, другий електрод і третій електрод, і вузол перемикання може бути виконаний таким чином, що другий транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді першого транзистора дорівнює пороговій напрузі перемикання другого транзистора або нижче неї.

Резонансна схема може додатково містити перший діод і другий діод, причому перший електрод першого транзистора може бути приєднаний до другого електрода другого транзистора через перший діод, причому перший електрод другого транзистора може бути приєднаний до другого електрода першого транзистора через другий діод, в результаті чого на першому електроді першого транзистора установлена низька напруга, коли другий транзистор є "ввімкненим", і на першому електроді другого транзистора установлена низька напруга, коли перший транзистор є "ввімкненим".

Перший діод та/або другий діод можуть являти собою діоди Шотткі.

Вузол перемикання може бути виконаний таким чином, що перший транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді другого транзистора дорівнює сумі порогової напруги перемикання першого транзистора та напруги зміщення першого діода або нижче неї.

Вузол перемикання може бути виконаний таким чином, що другий транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді першого транзистора дорівнює сумі порогової напруги перемикання другого транзистора та напруги зміщення другого діода або нижче неї.

Кожний з першого транзистора і другого транзистора може містити перший електрод для "ввімкнення" і "вимкнення" цього транзистора, другий електрод і третій електрод, причому схема може додатково містити третій транзистор і четвертий транзистор. Перший електрод першого транзистора може бути приєднаний до другого електрода другого транзистора через третій транзистор, і перший електрод другого транзистора може бути приєднаний до другого електрода першого транзистора через четвертий транзистор. Третій і четвертий транзистори можуть являти собою польові транзистори.

Кожний з третього транзистора і четвертого транзистора може мати перший електрод для "ввімкнення" і "вимкнення" цього транзистора, причому кожний з третього транзистора і четвертого транзистора може бути виконаний з можливістю вмикання, коли напруга, що дорівнює пороговій напрузі або більше неї, прикладається до його відповідного першого електрода.

Резонансна схема може бути виконана з можливістю активації шляхом прикладання напруги, що дорівнює пороговій напрузі або більше неї, до перших електродів як третього транзистора, так і четвертого транзистора, щоб таким чином "вмикати" третій і четвертий транзистори.

У деяких прикладах резонансна схема не містить контролер, виконаний із можливістю приведення у дію вузла перемикання.

Резонансна частота резонансної схеми може мінятися у відповідь на енергію, що передається від індуктивного елемента на струмоприймальний вузол.

Резонансна схема може містити керуючу напругу транзистора для подачі керуючої напруги на перші електроди першого транзистора і другого транзистора.

Резонансна схема може містити перший підтягувальний до високого рівня напруги резистор, приєднаний послідовно між першим електродом першого транзистора і керуючою напругою транзистора, та другий підтягувальний до високого рівня напруги резистор, приєднаний послідовно між першим електродом другого транзистора і керуючою напругою транзистора.

Третій транзистор може бути приєднаний між керуючою напругою і першим електродом першого транзистора, та четвертий транзистор може бути приєднаний між керуючою напругою і другим транзистором.

Перший транзистор та/або другий транзистор можуть являти собою польові транзистори.

Перший електрод джерела напруги постійного струму може бути приєднаний до першої і другої точок у резонансній схемі, при цьому перша точка і друга точка електрично розташовані з обох боків індуктивного елемента.

Перший електрод джерела напруги постійного струму може бути приєднаний до першої точки в резонансній схемі, при цьому перша точка електрично з'єднана з центральною точкою індуктивного елемента таким чином, що струм, який протікає з першої точки, може протікати у першому напрямку через першу частину індуктивного елемента і у другому напрямку через другу частину індуктивного елемента.

Резонансна схема може містити щонайменше один індуктивний дросель, розташований між джерелом напруги постійного струму і індуктивним елементом.

Резонансна схема може містити перший індуктивний дросель і другий індуктивний дросель, при цьому перший індуктивний дросель приєднаний послідовно між першою точкою та індуктивним елементом, і другий дросель приєднаний послідовно між другою точкою й індуктивним елементом.

Резонансна схема може містити перший індуктивний дросель, при цьому перший індуктивний дросель приєднаний послідовно між першою точкою в резонансній схемі та центральною точкою індуктивного елемента.

Згідно з другим аспектом даного винаходу наданий пристрій, що генерує аерозоль, який містить резонансну схему згідно з першим аспектом.

Пристрій, що генерує аерозоль, може бути виконаний із можливістю розміщення першого витратного компонента, що має перший струмоприймальний вузол, та пристрій, що генерує аерозоль, може бути виконаний із можливістю розміщення другого витратного компонента, що має другий струмоприймальний вузол, при цьому змінний струм підтримується на першій резонансній частоті резонансної схеми, коли перший витратний компонент приєднаний до пристрою, та на другій резонансній частоті резонансної схеми, коли другий витратний компонент приєднаний до пристрою.

Пристрій, що генерує аерозоль, може містити приймальну частину, причому приймальна частина виконана з можливістю розміщення одного з першого витратного компонента або другого витратного компонента таким чином, що перший або другий струмоприймальний вузол 60 забезпечений поряд з індуктивним елементом.

Індуктивний елемент може являти собою електропровідну котушку, при цьому пристрій виконаний із можливістю розміщення щонайменше частини першого або другого струмоприймального вузла всередині котушки.

Згідно з третім аспектом даного винаходу надана система, яка містить пристрій, що генерує аерозоль, згідно з другим аспектом і струмоприймальний вузол.

Струмоприймальний вузол може бути утворений з алюмінію.

Струмоприймальний вузол може бути розташований у витратному елементі, що містить струмоприймальний вузол і матеріал, що генерує аерозоль.

Згідно з четвертим аспектом даного винаходу наданий набір частин, що містить: перший витратний компонент, що містить перший матеріал, що генерує аерозоль, і перший струмоприймальний вузол, та другий витратний компонент, який містить другий матеріал, що генерує аерозоль, і другий струмоприймач, причому перший і другий витратні компоненти виконані з можливістю використання з пристроєм, що генерує аерозоль, згідно з другим аспектом.

Перший витратний компонент може мати іншу форму порівняно з другим витратним компонентом.

Перший струмоприймальний вузол може мати іншу форму або може бути утворений з іншого матеріалу порівняно з другим витратним компонентом.

Перший ії другий витратні компоненти можуть бути вибрані з групи, що містить: тютюнову паличку, капсулу, картомайзер та плаский лист.

Перший струмоприймальний вузол або другий струмоприймальний вузол може бути утворений з алюмінію.

Стислий опис графічних матеріалів

На Фіг. 1 схематично проілюстрований пристрій, що генерує аерозоль, згідно з прикладом; на Фіг. 2 схематично проілюстрована резонансна схема згідно з прикладом; на Фіг. З схематично проілюстрована резонансна схема згідно з другим прикладом; на Фіг. 4 схематично проілюстрована резонансна схема згідно з третім прикладом; і на Фіг. 5 схематично проілюстрована резонансна схема згідно з четвертим прикладом.

Докладний опис винаходу о Індукційне нагрівання являє собою процес нагрівання електропровідного об'єкта (або струмоприймача) за допомогою електромагнітної індукції. Індукційний нагрівач може містити індуктивний елемент, наприклад, індуктивну котушку і пристрій для пропускання змінного електричного струму, такого як перемінний електричний струм, через індуктивний елемент.

Змінний електричний струм в індуктивному елементі створює змінне магнітне поле. Змінне магнітне поле проникає через струмоприймач, належним чином розташований відносно індуктивного елемента, генеруючи вихрові струми всередині струмоприймача. Струмоприймач має електричний опір до вихрових струмів, і отже потік вихрових струмів проти цього опору зумовлює нагрівання струмоприймача за допомогою джоулевого нагрівання. У випадках, коли струмоприймач містить феромагнітний матеріал, такий як залізо, нікель або кобальт, тепло також може генеруватися за допомогою втрат на магнітний гістерезис у струмоприймачі, тобто за допомогою зміни орієнтації магнітних диполів в магнітному матеріалі в результаті їх вирівнювання по лініях змінного магнітного поля.

Під час індукційного нагрівання порівняно, наприклад, з нагріванням за допомогою теплопровідності, тепло генерується всередині струмоприймача, забезпечуючи можливість швидкого нагрівання. Крім того, необов'язково повинен бути будь-який фізичний контакт між індукційним нагрівачем та струмоприймачем, що забезпечує більшу свободу під час конструювання та застосування.

Індукційний нагрівач може містити С схему, яка має індуктивність Ї, що забезпечується індукційним елементом, наприклад, електромагнітом, який може бути призначеним для нагрівання за допомогою індукції струмоприймача, та ємність С, що забезпечується конденсатором. Схема у деяких випадках може бути представлена як КІ С схема, що включає опір К, який забезпечується резистором. У деяких випадках опір забезпечується за допомогою омічного опору частин схеми, що з'єднують індуктор і конденсатор, і, таким чином, схема не потребує обов'язкового включення резистора як такого. Така схема може називатися, наприклад, як І! С схема. Такі схеми можуть мати електричний резонанс, який зустрічається за певної резонансної частоти, коли уявні частини повного опору або повної провідності елементів схеми анулюють одна одну.

Одним прикладом схеми, що виявляє електричний резонанс, є /С схема, що містить індуктор, конденсатор і необов'язково резистор. Одним прикладом С схеми є послідовна бо схема, де індуктор і конденсатор з'єднані послідовно. Іншим прикладом ІС схеми є паралельна

І С схема, де індуктор і конденсатор з'єднані паралельно. Резонанс зустрічається у І С схемі, оскільки магнітне поле, що зникає, індуктора генерує електричний струм у його обмотці, що заряджає конденсатор, в той час як розряджання конденсатора забезпечує електричний струм, який створює магнітне поле в індукторі У даному винаході основна увага приділена паралельним С схемам. Коли паралельна /С схема керується на резонансній частоті, динамічний повний опір схеми є максимальним (оскільки реактивний опір індуктора дорівнює реактивному опору конденсатора), і струм схеми є мінімальним. Однак для паралельної І С схеми паралельний контур індуктора та конденсатора діє як помножувач струму (що ефективно помножує струм у контурі і, таким чином, струм проходить через індуктор). Керування КІ С або

ЇС схеми на резонансній частоті або близько від неї може, таким чином, забезпечити ефективне та/або доцільне індуктивне нагрівання шляхом забезпечення більшого значення магнітного поля, що проникає у струмоприймач.

Транзистор є напівпровідниковим пристроєм для перетворення електронних сигналів.

Транзистор зазвичай містить щонайменше три електроди для приєднання до електронної схеми. У деяких прикладах з рівня техніки на схему може подаватися перемінний струм за допомогою транзистора шляхом посилання керуючого сигналу, який викликає перемикання транзистора на заданій частоті, наприклад, на резонансній частоті схеми.

Польовий транзистор (РЕТ) є транзистором, в якому дія прикладеного електричного поля може використовуватися для зміни ефективної електропровідності транзистора. Польовий транзистор може містити основну частину В, електрод витоку 5, електрод стоку О і затворний електрод б. Польовий транзистор містить активний канал, що містить напівпровідник, через який носії заряду, електрони або дірки, можуть протікати між витоком 5 і стоком 0.

Електропровідність каналу, тобто електропровідність між електродами стоку О та витоку 5, залежить від різниці потенціалів між затворним електродом С та електродом витоку 5, наприклад, генерується потенціалом, прикладеним до затворного електрода С. У режимі збагачення ЕРЕТ, РЕТ може бути вимкнений (тобто по суті запобігати проходженню струму через нього), коли існує по суті нульова напруга затвор С -- витік 5, і може бути ввімкнений (тобто по суті дозволяти проходження струму через нього), коли існує по суті ненульова напруга затвор С - витік 5. о п-канальний (або п-типу) польовий транзистор (п-ТЕТ) є польовим транзистором, канал якого містить напівпровідник п-типу, де електрони становлять більшу частину носіїв і дірки становлять меншу частину носіїв. Наприклад, напівпровідники п-типу можуть містити власний напівпровідник (наприклад, такий як кремній), легований донорами (наприклад, такими як фосфор). У п-канальних РЕТ електрод стоку ЮО розміщений з більш високим потенціалом, ніж електрод витоку 5 (тобто існує позитивна напруга стік-витік, або іншими словами негативна напруга витік-стік). Щоб "ввімкнути" п-канальний ЕЕТ (тобто дозволити струму проходити через нього), до затворного електрода С прикладається потенціал перемикання, який вище, ніж потенціал на електроді витоку 5. р-канальний (або р-типу) польовий транзистор (р-ГЕТ) є польовим транзистором, канал якого містить напівпровідник р-типу, де дірки становлять більшу частину носіїв і електрони становлять меншу частину носіїв. Наприклад, напівпровідники р-типу можуть містити власний напівпровідник (наприклад, такий як кремній), легований акцепторами (наприклад, такими як бор). У р-канальних РЕТ електрод витоку 5 розміщений з більш високим потенціалом, ніж електрод стоку Ю (тобто існує негативна напруга стік-витік, або іншими словами позитивна напруга витік-стік). Щоб "ввімкнути" р-канальний ЕЕТ (тобто дозволити струму проходити через нього), до затворного електрода б прикладається потенціал перемикання, який нижче, ніж потенціал на електроді витоку 5 (і який може, наприклад, бути вище, ніж потенціал на електроді стоку 0).

Польовий транзистор структури метал-оксид-напівпровідник (МО5ЕЕТ) є польовим транзистором, затворний електрод б якого є електрично ізольованим від каналу напівпровідника за допомогою шару ізоляції. У деяких прикладах затворний електрод б може бути металевим, а шар ізоляції може бути оксидом (наприклад, таким як діоксид кремнію), звідси "метал-оксид-напівпровідник". Однак в інших прикладах затвор може бути виконаний з інших матеріалів, ніж метал, таких як полікристалічний кремній, та/або шар ізоляції може бути виконаний з інших матеріалів, ніж оксид, таких як інші діелектричні матеріали. Такі пристрої проте зазвичай називають польовими транзисторами структури метал-оксид-напівпровідник (МОБЕЕТ), і слід розуміти, що, як це вживається у даному документі, термін "польові транзистори структури метал-оксид-напівпровідник або МО5РЕЕТ" слід інтерпретувати як такий, що включає такі пристрої.

А

МО5РЕЕТ може бути п-канальним (або п-типу) МОЗЕЕТ, де напівпровідник належить до п- типу. п-канальний МО5РЕЕТ (п-МО5ЕЕТ) може діяти у той самий спосіб, що й п-канальний РЕТ, як описано вище. Як інший приклад МО5ЕЕТ може бути р-канальним (або р-типу) МО5ЕЕТ, де напівпровідник належить до р-типу. р-канальний МО5ЕЕТ (р-МО5ЕЕТ) може діяти у той самий спосіб, що й р-канальний ЕРЕТ, як описано вище. п-МО5ЕЕТ зазвичай має більш низький опір витік-стік, ніж опір р-МО5ЕЕТ. Отже у "ввімкненому" стані (тобто де струм проходить через нього) п-МО5ЕЕТ генерують менше тепла порівняно з р-МОЗЕЕТ, і отже можуть витрачати менше енергії під час роботи, ніж р-МО5ЕЕТ. Додатково п-МО5ЕЕТ зазвичай мають більш короткий час перемикання (тобто характеристичний час відгуку від зміни потенціалу перемикання, присутнього на затворному електроді б, до зміни стану МО5РЕЕТ, незалежно від того проходить струм через нього чи ні), порівняно з Р-МО5ЕЕТ. Це може забезпечити більш високі швидкості перемикання і покращений контроль перемикання.

На Фіг. 1 схематично проілюстрований пристрій 100, що генерує аерозоль, згідно з прикладом. Пристрій 100, що генерує аерозоль, містить джерело 104 живлення постійного струму, у цьому прикладі батарею 104, схему 150, що містить індуктивний елемент 158, струмоприймальний вузол 110, і матеріал 116, що генерує аерозоль.

У прикладі за Фіг. 1 струмоприймальний вузол 110 розташований всередині витратного елемента 120 разом з матеріалом 116, що генерує аерозоль. Джерело 104 живлення постійного струму електрично з'єднане зі схемою 150 і призначене для подачі електричної енергії постійного струму на схему 150. Пристрій 100 також містить схему 106 керування, у цьому прикладі схема 150 приєднана до батареї 104 через схему 106 керування.

Схема 106 керування може містити засоби для вмикання та вимикання пристрою 100, наприклад, у відповідь на ввід користувача. Схема 106 керування може, наприклад, містити детектор затяжок (не показаний), який сам по собі відомий, талабо може приймати ввід користувача через щонайменше одну кнопку або сенсор (не показаний). Схема 106 керування може містити засоби для відстежування температури компонентів пристрою 100 або компонентів витратного елемента 120, вставленого у пристрій. На додаток до індуктивного елемента 158, схема 150 містить інші компоненти, які описані нижче.

Індуктивний елемент 158 може бути, наприклад, котушкою, яка може, наприклад, бути о) пласкою. Індуктивний елемент 158 може, наприклад, бути утвореним з міді (яка має відносно низький питомий опір). Схема 150 призначена для перетворення вхідного постійного струму від джерела 104 живлення постійного струму у змінний, наприклад, перемінний, струм через індуктивний елемент 158. Схема 150 призначена для подачі змінного струму через індуктивний елемент 158.

Струмоприймальний вузол 110 розташований відносно індуктивного елемента 158 для перенесення індукційної енергії від індуктивного елемента 158 до струмоприймального вузла 110. Струмоприймальний вузол 110може бути утворений із будь-якого відповідного матеріалу, який може нагріватися за допомогою індукції наприклад, металу або металевого сплаву, наприклад, сталі. У деяких варіантах реалізації струмоприймальний вузол 110може містити або повністю бути утвореним з феромагнітного матеріалу, який може містити один або комбінацію ілюстративних металів, таких як залізо, нікель та кобальт. У деяких варіантах реалізації струмоприймальний вузол 110 може містити або бути утвореним з неферомагнітного матеріалу, наприклад, алюмінію. Індуктивний елемент 158, який має змінний струм, що подається через нього, викликає нагрівання струмоприймального вузла 110 за допомогою джоулевого тепла талабо за допомогою нагрівання внаслідок магнітного гістерезису, як описано вище.

Струмоприймальний вузол 110 призначений для нагрівання матеріалу 116, що генерує аерозоль, наприклад, шляхом контактного нагрівання, конвекційного нагрівання та/або нагрівання випромінюванням для генерування аерозолю за використання. У деяких прикладах струмоприймальний вузол 110 і матеріал 116, що генерує аерозоль, формують єдиний блок, який може вставлятися у пристрій 100, що генерує аерозоль, та/або видалятися з нього, і може бути одноразовим. У деяких прикладах індуктивний елемент 158 може бути виконаним з можливістю видалення з пристрою 100, наприклад, для заміни. Пристрій 100, що генерує аерозоль, може бути ручним. Пристрій 100, що генерує аерозоль, може бути пристосованим для нагрівання матеріалу 116, що генерує аерозоль, для генерування аерозолю для вдихання користувачем.

Слід зазначити, як використовується в даному документі, термін "матеріал, що генерує аерозоль" включає матеріали, що забезпечують леткі компоненти після нагрівання, зазвичай у формі пари або аерозолю. "Матеріал, що генерує аерозоль" може являти собою матеріал, який не містить тютюн, або матеріал, який містить тютюн. Наприклад, матеріал, що генерує бо аерозоль, може бути тютюном або містити тютюн. Матеріал, що генерує аерозоль, може,

наприклад, включати одне або більше з власне тютюну, похідних тютюну, розширеного тютюну, відновленого тютюну, тютюнового екстракту, гомогенізованого тютюну або замінників тютюну.

Матеріал, що генерує аерозоль, може бути у формі подрібненого тютюну, різаного тютюнового листя, пресованого тютюну, відновленого тютюну, відновленого матеріалу, рідини, гелю, гелеподібного листа, порошку або агломератів, або тому подібне. Матеріал, що генерує аерозоль, також може включати інші нетютюнові продукти, які, залежно від продукту, можуть містити або можуть не містити нікотин. "Матеріал, що генерує аерозоль" може містити один або більше зволожувачів, таких як гліцерин або пропіленгліколь.

Як показано на Фіг. 1, пристрій 100, що генерує аерозоль, містить зовнішню основну частину 112, в якій розміщено джерело 104 живлення постійного струму, схему 106 керування і схему 150, що містить індуктивний елемент 158. Витратний елемент 120, що містить струмоприймальний вузол 110 і матеріал 116, що генерує аерозоль, у даному прикладі також вставлений в основну частину 112 для налаштування пристрою 100 для використання.

Зовнішня основна частина 112 містить мундштук 114, щоб дозволити аерозолю, згенерованому за використання, виходити з пристрою 100.

За використання користувач може активувати, наприклад, за допомогою кнопки (не показана) або детектора затяжок (не показаний) схему 106, щоб спричинити подачу змінного, наприклад, перемінного, струму через індуктивний елемент 108, внаслідок чого за допомогою індукції нагрівається струмоприймальний вузол 110, який у свою чергу нагріває матеріал 116, що генерує аерозоль, і таким чином викликає генерування аерозолю матеріалом 116, що генерує аерозоль. Аерозоль генерується у повітря, що втягується у пристрій 100 з впускного отвору для повітря (не показаний), і таким чином подається на мундштук 104, де аерозоль виходить з пристрою 100 для вдихання користувачем.

Схема 150, що містить індуктивний елемент 158, і струмоприймальний вузол 110 та/або пристрій 100 в цілому можуть бути призначені для нагрівання матеріалу 116, що генерує аерозоль, у діапазоні температур для випаровування щонайменше одного компонента матеріалу 116, що генерує аерозоль, без спалювання матеріалу, що генерує аерозоль.

Наприклад, діапазон температур може становити від приблизно 50 "С до приблизно 350 "С, наприклад, від приблизно 50 С до приблизно 300 "С, від приблизно 100 "С до приблизно 300 "С, від приблизно 150 "С до приблизно 300 "С, від приблизно 100 "С до приблизно 200 "С, від приблизно 200 "С до приблизно 300 "С, або від приблизно 150 "С до приблизно 250 "С. У деяких прикладах діапазон температур становить від приблизно 170 "С до приблизно 250 "С. У деяких прикладах діапазон температур може бути іншим, ніж цей діапазон, і верхня межа діапазону температур може бути більшою ніж 300 "С.

Слід розуміти, що може бути різниця між температурою струмоприймального вузла 110 і температурою матеріалу 116, що генерує аерозоль, наприклад, під час нагрівання струмоприймального вузла 110, наприклад, якщо швидкість нагрівання є великою. Відповідно слід розуміти, що у деяких прикладах температура, за якої струмоприймальний вузол 110 нагрівається, може, наприклад, бути вищою, ніж температура, до якої необхідно нагріти матеріал 116, що генерує аерозоль.

На Фіг. 2 показана ілюстративна схема 150, яка є резонансною схемою, для індуктивного нагрівання струмоприймального вузла 110. Резонансна схема 150 містить індуктивний елемент 158 і конденсатор 156, приєднані паралельно.

Резонансна схема 150 містить вузол М1, М2 перемикання, який у цьому прикладі містить перший транзистор МІ і другий транзистор М2. Кожний з першого транзистора МІ і другого транзистора М2 містить відповідний перший електрод 1, 52, другий електрод О1, 02 і третій електрод 51, 52. Другі електроди 01, 02 першого транзистора МІ і другого транзистора М2 приєднані з обох боків до комбінації паралельно з'єднаних індуктивного елемента 158 і конденсатора 156, як буде докладніше пояснено нижче. Кожний з третіх електродів 51, 52 першого транзистора МІ і другого транзистора М2 приєднані до землі 151. У прикладі, показаному на Фіг. 2, обидва з першого транзистора МІ і другого транзистора М2 є МОБ5ЕЕТ, і перші електроди 51, 52 є затворними електродами, другі електроди 01, 02 є електродами стоку, і треті електроди 51, 52 є електродами витоку.

Слід розуміти, що в альтернативних прикладах можуть використовуватися інші типи транзисторів замість МО5ЕЕТ, описаних вище...

Резонансна схема 150 має індуктивність Г. і ємність С. Індуктивність Ї резонансної схеми 150 забезпечується індуктивним елементом 158, і також може піддаватися впливу індуктивності струмоприймального вузла 110, який призначений для індуктивного нагрівання за допомогою індуктивного елемента 158. Індуктивне нагрівання струмоприймального вузла 110 здійснюється 60 за допомогою змінного магнітного поля, що генерується індуктивним елементом 158, який у спосіб, описаний вище, індукує джоулеве тепло та/або втрати на магнітний гістерезис у струмоприймальному вузлі 110. Частина індуктивності Ї резонансної схеми 150 може бути спричинена магнітною проникністю струмоприймального вузла 110. Змінне магнітне поле, що генерується індуктивним елементом 158, генерується за допомогою змінного, наприклад, перемінного, струму, який тече через індуктивний елемент 158.

Індуктивний елемент 158 може, наприклад, бути у формі провідного елемента у вигляді котушки. Наприклад, індуктивний елемент 158 може являти собою мідну котушку. Індуктивний елемент 158 може містити, наприклад, багатожильний дріт, такий як літцендрат, наприклад, дріт, що містить декілька окремо заізольованих дротів, скручених разом. Опір перемінному струму багатожильного дроту залежить від частоти, і багатожильний дріт може бути виконаний таким чином, що поглинання енергії індуктивного елемента зменшується на частоті керування.

Як інший приклад, індуктивний елемент 158 може бути, наприклад, спіральною доріжкою на друкованій платі. Використання спіральної доріжки на друкованій платі може бути корисним, оскільки вона забезпечує жорстку і самопідтримувальну доріжку з поперечним перерізом, який уникає будь-яких вимог для багатожильних дротів (які можуть бути дорогими), яку можна виробляти масово з високою відтворюваністю за низьку вартість. Хоча показаний один індуктивний елемент 158, слід розуміти, що може бути більше одного індуктивного елемента 158, призначеного для індуктивного нагрівання одного або більше струмоприймальних вузлів 110.

Ємність С резонансної схеми 150 забезпечується конденсатором 156. Конденсатор 156 може бути, наприклад, керамічним конденсатором 1 класу, наприклад, конденсатором типу

Со. Загальна ємність С також може включати паразитну ємність резонансної схеми 150; однак вона є або може бути незначною порівняно з ємністю, що забезпечується конденсатором 156.

Опір резонансної схеми 150 не показаний на Фіг. 2, але слід розуміти, що опір схеми може бути забезпечений опором доріжки або дроту, що поєднує компоненти резонансної схеми 150, опором індуктора 158 та/або опором струму, що протікає через резонансну схему 150, забезпеченим струмоприймальним вузлом 110, призначеним для переносу енергії за допомогою індуктора 158. У деяких прикладах один або більше спеціальних резисторів (не показані) можуть бути включені у резонансну схему 150. о Резонансна схема 150 живиться напругою М1 живлення постійного струму, що подається від джерела 104 живлення постійного струму (див. Фіг. 1), наприклад, від батареї. Позитивний електрод джерела МУ1 напруги постійного струму приєднаний до резонансної схеми 150 у першій точці 159 і у другій точці 160. Негативний електрод (не показаний) джерела М1 напруги постійного струму приєднаний до землі 151 і отже, у цьому прикладі, до електродів витоку 5 обох МО5ЕЕТ МІ та М2. У прикладах напруга М1 живлення постійного струму може подаватися на резонансну схему безпосередньо від батареї або через проміжний елемент.

Резонансна схема 150, таким чином, може вважатися приєднаною як електричний міст з індуктивним елементом 158 і конденсатором 156, паралельно з'єднаних між плечима мосту.

Резонансна схема 150 діє для забезпечення ефекту перемикання, описаного нижче, що призводить до протікання змінного, наприклад, перемінного струму через індуктивний елемент 158, таким чином, утворюючи перемінне магнітне поле і нагріваючи струмоприймальний вузол 110.

Перша точка 159 приєднана до першого вузла А, розташованого на першій стороні паралельної комбінації індуктивного елемента 158 та конденсатора 156. Друга точка 160 приєднана до другого вузла В на другій стороні паралельної комбінації індуктивного елемента 158 і конденсатора 156. Перший індуктивний дросель 161 приєднаний послідовно між першою точкою 159 і першим вузлом А, і другий індуктивний дросель 162 приєднаний послідовно між другою точкою 160 і другим вузлом В. Перший і другий дроселі 161 ії 162 діють для відфільтровування частот перемінного струму, щоб вони не потрапляли у схему з першої точки 159 і другої точки 160 відповідно, але дозволяють протікання постійного струму в індуктор 158 та через нього. Дроселі 161 і 162 дозволяють напрузі в А та В коливатися з невеликим ефектом або без видимого ефекту в першій точці 159 або другій точці 160.

У цьому конкретному прикладі перший МО5РЕЕТ МІ і другий МОЗЕЕТ М2 являють собою п- канальні МО5ЕЕТ в режимі збагачення. Електрод стоку першого МОЗЕЕТ МІ1 приєднаний до першого вузла А за допомогою провідного дроту або подібного, тоді як електрод стоку другого

МО5ЕЕТ М2 приєднаний до другого вузла В за допомогою провідного дроту або подібного.

Електрод витоку кожного МО5ЕЕТ МІ, М2 приєднаний до землі 151.

Резонансна схема 150 містить друге джерело М2 напруги, джерело напруги затвора (або інколи називається в даному документі як керуюча напруга), де її позитивний електрод 60 приєднаний у третій точці 165, що використовується для подачі напруги на затворні електроди

С1, 62 першого і другого МО5ЕЕТ МІ та М2. Керуюча напруга М2, що подається в третій точці 165, у цьому прикладі не залежить від напруги М1, яка подається в першій і другій точках 159, 160, що дозволяє варіацію напруги М! без впливу на керуючу напругу М2. Перший підтягувальний до високого рівня напруги резистор 163 приєднаний між третьою точкою 165 і затворним електродом 51 першого МО5ЕЕТ М1. Другий підтягувальний до високого рівня напруги резистор 164 приєднаний між третьою точкою 165 і затворним електродом 52 другого

МО5ЕЕТ М2.

В інших прикладах можуть використовуватись різні типи транзисторів, наприклад, різні типи

ЕЕТ. Слід розуміти, що ефект перемикання, описаний нижче, може бути рівною мірою досягнутий для різних типів транзисторів, які можуть перемикатися зі стану "ввімкнено" у стан "вимкнено". Значення і полярності напруг М1 і М2 живлення можуть вибиратися у поєднанні з властивостями використовуваного транзистора та іншими компонентами у схемі. Наприклад, напруги живлення можуть вибиратися залежно від того, використовується п-канальний або р- канальний транзистор, або у залежності від конфігурації, в якій транзистор приєднується, або різниці потенціалів, прикладеної до електродів транзистора, що веде до того, що транзистор є ввімкненим або вимкненим.

Резонансна схема 150 додатково містить перший діод а1 та другий діод а2, які у цьому прикладі являють собою діоди Шотткі, однак у інших прикладах може використовуватися будь- який інший придатний тип діодів. Затворний електрод 51 першого МО5ЕЕТ М1 приєднаний до електрода стоку 02 другого МОБЕЕТ М2 через перший діод а1, при цьому прямий напрям першого діода 491 спрямований до стоку 02 другого МОБЕРЕТ М2.

Затворний електрод 52 другого МОБЕЕТ М2 приєднаний до стоку 01 першого МОБЕЕТ М1 через другий діод 42, при цьому прямий напрям другого діода 42 спрямований до стоку 01 першого МО5ЕЕТ МІ. Перший і другий діоди Шотткі а1 і 42 можуть мати порогову напругу діода, що становить приблизно 0,3 В. В інших прикладах можуть використовуватися такі кремнієві діоди, які мають порогову напругу діода, що становить 0,/ В. У прикладах тип використовуваного діода вибраний у поєднанні з пороговою напругою затвора, щоб дозволити необхідне перемикання МОЗЕЕТ МІ та М2. Слід розуміти, що тип діода і напруга М2 живлення затвора також можуть вибиратися у поєднанні зі значеннями підтягувальних до високого рівня о напруги резисторів 163 і 164, а також іншими компонентами резонансної схеми 150.

Резонансна схема 150 підтримує струм через індуктивний елемент 158, який є змінним струмом, отриманим внаслідок перемикання першого та другого МО5ЕЕТ МІ та М2. Оскільки у цьому прикладі МО5ЕРЕТ МІ та М2 являють собою МО5ЕЕТ у режимі збагачення, коли напруга, що прикладається на затворному електроді 1, 52 одного з першого та другого МО5ЕЕТ, є такою, що напруга затвор-витік є вищою, ніж заданий поріг для цього МО5ЕРЕТ, МОБЕРЕТ перемикається у стан "ввімкнено". Струм може потім текти від електрода стоку 01, 02 до електрода витоку 51, 52, який приєднаний до землі 151. Послідовний опір МО5ЕЕТ у цьому "ввімкненому" стані є незначним для цілей роботи схеми, і електрод стоку ЮО можна вважати як такий, що має потенціал землі, кюлли МО5ЕЕТ перебуває у "ввімкненому" стані. Поріг затвор- витік для МО5ЕЕТ може бути будь-яким придатним значенням для резонансної схеми 150 і слід розуміти, що величини напруги М2 і опорів резисторів 164 і 163 вибираються залежно від порогової напруги затвор-витік МО5ЕЕТ МІ та М2, по суті так, щоб напруга М2 була більшою, ніж порогова напруга (напруги) затвора.

Процедура перемикання резонансної схеми 150, яка призводить до протікання змінного струму через індуктивний елемент 158, далі буде описана, починаючи з умови, коли напруга на першому вузлі А є високою і напруга на другому вузлі В є низькою.

Коли напруга на вузлі А є високою, напруга на електроді стоку О1 першого МО5ЕЕТ МІ1 також є високою, оскільки електрод стоку 01 М1 приєднаний у цьому прикладі безпосередньо до вузла А через провідний дріт. У той же час напруга на вузлі В утримується низькою, і напруга на електроді стоку 02 другого МОБЕЕТ Ма, відповідно, є низькою (електрод стоку М2 у цьому прикладі безпосередньо приєднаний до вузла В через провідний дріт).

Відповідно у цей час значення напруги стоку М1 є високим і більшим, ніж напруга затвора

М2. Другий діод 42, відповідно, є зворотно-зміщеним у цей час. Напруга затвора М2 у цей час більше, ніж напруга електрода витоку М2, і напруга М2 є такою, що напруга затвор-витік на М2 більше, ніж поріг "ввімкнення" для МО5ЕЕТ М2. Таким чином, М2 "ввімкнений" у цей час.

У той же час напруга стоку М2 є низькою, і перший діод 41 зміщений в прямому напрямку завдяки джерелу М2 напруги затвора до затворного електрода М1. Відповідно, затворний електрод М1 приєднується через зміщений в прямому напрямку перший діод 41 до електрода стоку з низькою напругою другого МОБЕЕТ М2, і тому напруга затвора МІ! також є низькою. бо Іншими словами, оскільки М2 є ввімкненим, він діє як заземлювальний затискач, що зумовлює пряме зміщення першого діода а1, і напруга затвора М1 є низькою. У зв'язку із цим напруга затвор-витік М1 знаходиться нижче порога "ввімкнено" і перший МО5ЕЕТ МІ є "вимкненим".

Коротше кажучи, у цій точці схема 150 знаходиться у першому стані, в якому: напруга на вузлі А є високою; напруга на вузлі В є низькою; перший діод а1 є прямо-зміщеним; другий МО5ЕЕТ Ма є "ввімкненим"; другий діод 42 є зворотно-зміщеним; та перший МО5ЕЕТ МІ є "вимкненим".

З цієї точки, коли другий МО5ЕЕТ М2 знаходиться у "ввімкненому" стані, і перший МОБЕРЕТ

МІ знаходиться у "вимкненому" стані, струм протікає від джерела М1 через перший дросель 161 і через індуктивний елемент 158. Через присутність індуктивного дроселя 161 напруга на вузлі А може коливатися. Оскільки індуктивний елемент 158 проходить паралельно конденсатору 156, напруга, що спостерігається, на вузлі А повторює напругу з напівсинусоїдним профілем напруги.

Частота напруги, що спостерігається, на вузлі А дорівнює резонансній частоті ій схеми 150.

Напруга на вузлі А зменшується синусоїдально з часом від свого максимального значення до 0 внаслідок спаду енергії на вузлі А. Напруга на вузлі В утримується низькою (оскільки

МОБЗЕРЕТ МО2 є ввімкненим) і індуктор Ї заряджається від джерела М1 постійного струму.

МОБЕЕТ М2 вимикається у момент часу, коли напруга на вузлі А дорівнює сумі порогової напруги затвора М2 та напруги прямого зміщення 42 або нижче неї. Коли напруга на вузлі А нарешті досягає нуля, МОЗЕЕТ М2 повністю вимикається.

У той же час, або невдовзі після цього, напруга на вузлі В стає високою. Це трапляється внаслідок резонансного переносу енергії між індуктивним елементом 158 і конденсатором 156.

Коли напруга на вузлі В стає високою внаслідок цього резонансного переносу енергії, ситуація, описана вище відносно вузлів А і В, а також МО5ЕЕТ МІ та М2, стає зворотною. Тобто, оскільки напруга на А зменшується до нуля, зменшується напруга стоку МІ. Напруга стоку МІ1 зменшується до точки, коли другий діод 42 більше не є зворотно-зміщеним і стає прямо- зміщеним. Подібним чином, напруга на вузлі В підіймається до свого максимуму, і перший діод аї з прямо-зміщеного стає зворотно-зміщеним. Коли це відбувається, напруга затвора М1 о більше не сполучається з напругою стоку М2 і напруга затвора МІ, таким чином, стає високою, за застосування напруги М2 живлення затвора. Відповідно, перший МОЗЕЕТ МІ1 перемикається у "ввімкнений" стан, оскільки його напруга затвор-витік тепер вище порога для ввімкнення.

Оскільки затворний електрод М2 тепер приєднаний через прямо-зміщений другий діод 42 до електрода стоку з низькою напругою МІ, напруга затвора М2 є низькою. Відповідно, М2 перемикається у "вимкнений" стан.

Коротше кажучи, у цій точці схема 150 знаходиться у другому стані, в якому: напруга на вузлі А є низькою; напруга на вузлі В є високою; перший діод а1 є зворотно-зміщеним; 4о другий МОЗЕЕТ Ма є вимкненим; другий діод 492 є прямо-зміщеним; та перший МО5ЕЕТ МІ є ввімкненим.

У цій точці, струм протікає через індуктивний елемент 158 від напруги М1 живлення через другий дросель 162. Таким чином, напрям струму став зворотним внаслідок операції перемикання резонансної схеми 150. Резонансна схема 150 буде продовжувати перемикатися між вищеописаним першим станом, у якому перший МО5БЕЕТ М' є "вимкненим" і другий

МО5ЗЕЕТ Ма є "ввімкненим", і вищеописаним другим станом, в якому перший МО5ЕЕТ М1 є "ввімкненим" і другий МО5ЕЕТ Ма є "вимкненим".

У стабільному стані роботи відбувається перенос енергії між електростатичним доменом (тобто в конденсаторі 156) і магнітним доменом (тобто індуктор 158), і навпаки.

Ефект перемикання мережі знаходиться у відповідності до коливань напруги в резонансній схемі 150, де відбувається перенос енергії між електростатичним доменом (тобто в конденсаторі 156) і магнітним доменом (тобто індуктором 158), таким чином, утворюється змінний у часі струм у паралельній І С схемі, який змінюється на резонансній частоті схеми. Це є переважним для перенесення енергії між індуктивним елементом 158 і струмоприймальним вузлом 110, оскільки схема 150 діє на своєму оптимальному рівні ефективності і, відповідно, досягає більш ефективного нагрівання матеріалу 116, що генерує аерозоль, порівняно зі схемою, що працює не в резонансі. Описаний вузол перемикання є переважним, оскільки він дозволяє схемі 150 самокеруватися на резонансній частоті за умов змінного навантаження, 60 наприклад, коли до індуктивного елемента приєднаний інший струмоприймач. Це означає, що у разі, коли властивості схеми 150 змінюються (наприклад, якщо струмоприймач 110 присутній або відсутній, або якщо температура струмоприймача змінюється, або навіть у разі фізичного переміщення струмоприймального елемента 110), динамічні властивості схеми 150 постійно адаптують її резонансну точку для оптимального переносу енергії, що означає, що схема 150 завжди керується в резонансі. Більш того, конфігурація схеми 150 є такою, що не потребується зовнішній контролер або подібне для подачі сигналів керуючої напруги на затвори МО5РЕЕТ для здійснення перемикання.

У прикладах, описаних вище з посиланням на Фіг. 2, на затворні електроди С1, 62 подається напруга затвора через друге джерело живлення, яке відрізняється від джерела живлення для напруги М! витоку. Однак у деяких прикладах затворні електроди можуть живитися з того ж джерела напруги, що й напруга М1 витоку. У таких прикладах перша точка 159, друга точка 160 і третя точка 165 у схемі 150, наприклад, можуть бути приєднані до тієї самої шини електроживлення. У таких прикладах слід розуміти, що властивості компонентів схеми повинні вибиратися, щоб забезпечити здійснення описаного механізму перемикання.

Наприклад, напруга живлення затвора і порогова напруга діодів повинні вибиратися так, щоб коливання схеми активували перемикання МО5РЕЕТ на відповідному рівні. Надання окремих значень напруги для напруги М2 живлення затвора і напруги М1 витоку дозволяє варіювати напругу М1 витоку незалежно від напруги М2 живлення затвора без впливу на роботу механізму перемикання схеми.

Резонансна частота 0 схеми 150 може бути у діапазоні МГц, наприклад, у діапазоні від 0,5 МГц до 4 МГц, наприклад, у діапазоні від 2 МГц до З МГц. Слід розуміти, що резонансна частота ю резонансної схеми 150 залежить від індуктивності Ї й ємності С схеми 150, як зазначено вище, що, в свою чергу, залежить від індуктивного елемента 158, конденсатора 156 і додатково струмоприймального вузла 110. Тобто, може вважатися, що резонансна частота міняється у відповідь на енергію, що передається від індуктивного елемента на струмоприймальний вузол. Таким чином, резонансна частота о схеми 150 може варіювати від одного варіанта реалізації до іншого. Наприклад, частота може бути у діапазоні від 0,1 МГц до 4 МГц, або у діапазоні від 0,5 МГц до 2 МГц, або у діапазоні від 0,3 МГц до 1,2 МГц. В інших прикладах резонансна частота може бути в діапазоні, що відрізняється від тих, що описані вище. Взагалі, резонансна частота буде залежати від характеристик схеми, таких як електричні та/або фізичні властивості використовуваних компонентів, що включають струмоприймальний вузол 110.

Слід також розуміти, що властивості резонансної схеми 150 можуть бути вибрані на основі інших факторів для даного струмоприймального вузла 110. Наприклад, з метою покращення перенесення енергії від індуктивного елемента 158 до струмоприймального вузла 110, може бути корисним вибирати глибину проникання (тобто відстань в глибину від поверхні струмоприймального вузла 110, в межах якої густина струму падає на коефіцієнт 1/е, який щонайменше залежить від частоти) на основі властивостей матеріалу струмоприймального вузла 110. Глибина проникання відрізняється для різних матеріалів струмоприймальних вузлів 110 ї зменшується зі збільшенням частоти керування. З іншого боку, наприклад, з метою зменшення пропорції енергії що подається на резонансну схему 150 та/або елемент 102 керування, яка втрачається у вигляді тепла всередині електроніки, переважним може бути наявність схеми, яка самокерується на відносно більш низьких частотах. Оскільки частота керування дорівнює резонансній частоті у цьому прикладі, в даному випадку міркування щодо частоти керування робляться щодо отримання відповідної резонансної частоти, наприклад, шляхом розробки струмоприймального вузла 110 та/або використання конденсатора 156 з певною ємністю й індуктивного елемента 158 з певною індуктивністю... У деяких прикладах компроміс між цими факторами, відповідно, може вибиратися як потрібно та/або за бажанням.

Резонансна схема 150 за Фіг. 2 має резонансну частоту їо, за якої сила струму | є мінімальною, а динамічний повний опір є максимальним. Резонансна схема 150 самокерується на цій резонансній частоті і, таким чином, коливальне магнітне поле, що генерується індуктором 158, є максимальним, і індуктивне нагрівання струмоприймального вузла 110 індуктивним елементом 158 є максимальним.

У деяких прикладах індуктивне нагрівання струмоприймального вузла 110 резонансною схемою 150 може контролюватися шляхом контролювання напруги живлення, забезпеченої резонансною схемою 150, яка, в свою чергу, може контролювати струм, що протікає у резонансній схемі 150, і, отже, може контролювати енергію, що передається у струмоприймальний вузол 110, резонансною схемою 150, а отже й ступінь, до якого нагрівається струмоприймальний вузол 110. В інших прикладах слід розуміти, що температура 60 струмоприймального вузла 110 може відстежуватися і контролюватися, наприклад, шляхом зміни напруги живлення (наприклад, шляхом зміни величини напруги, що подається, або шляхом зміни робочого циклу сигналу напруги широтно-імпульсної модуляції) на індуктивному елементі 158, в залежності від того, чи слід нагрівати струмоприймальний вузол 110 більшою або меншою мірою.

Як зазначено вище, індуктивність Ї резонансної схеми 150 забезпечується індуктивним елементом 158, призначеним для індуктивного нагрівання струмоприймального вузла 110.

Щонайменше частина індуктивності І резонансної схеми 150 спричиняється магнітною проникністю струмоприймального вузла 110. Індуктивність ГІ, і, отже, резонансна частота 0, резонансної схеми 150, відповідно, може залежати від конкретного використовуваного струмоприймача (струмоприймачів) та його розміщення відносно індуктивного елемента (елементів) 158, які іноді можуть змінюватися. Додатково магнітна проникність струмоприймального вузла 110 може варіювати за варіювання температур струмоприймача 110.

На Фіг. З показаний другий приклад резонансної схеми 250. Друга резонансна схема 250 містить багато однакових компонентів подібно резонансній схемі 150 та подібні компоненти в кожній з резонансних схем 150, 250 надані з однаковими номерами посилань і не будуть знову докладно описані.

Друга схема 250 відрізняється від першої схеми 150 тим, що друга схема 250 не містить діоди а1, 42, через які затворні електроди 1, 52 кожного з транзисторів МІ, М2 відповідно приєднані до електродів стоку 01, 02 інших транзисторів МІ, М2. Замість діодів а1, аг, які включені у першу схему 150, друга схема 250 містить третій МО5ЕЕТ М3З і четвертий МО5ЕЕТ

Ма.

У другій схемі 250 затвор С1 першого МО5ЕЕТ МІ приєднаний до стоку 02 другого МОБЕРЕТ

М2 через третій МО5ЕРЕТ М3. Затвор 52 другого МОЗЕРЕТ М2 подібним чином приєднаний до стоку 01 першого МО5ЕЕТ МІ через четвертий МОЗЕЕТ Ма4. Керуюча напруга У2 подається з точки 165 на затворні електроди 3, 54 як третього МО5ЕЕТ М3, так і четвертого МО5ЕЕТ МА.

У прикладі, такому як приклад, представлений на Фіг. 3, затворні електроди 3, 54 третього

МО5ЕЕТ М3 їі четвертого МО5ЕЕТ МА приєднані один до одного через електричний провідник, наприклад, електричну доріжку, і напруга М2 подається на точку на електричному провіднику. о Слід розуміти, що кожний з третього МОБЕЕТ М3З і четвертого МОЗЕРЕТ МА має порогову напругу затвора так, що, коли на його затворний електрод 53, 54 подається напруга, яка є більшою ніж порогова напруга, відповідний МО5ЕЕТ М3, МА "вмикається" так, що струм може протікати з його електрода стоку до його електрода витоку. У прикладах напруга М2 є більшою ніж порогові напруги третього і четвертого МОБЕЕТ МУ, МА так, що подача керуючої напруги М2 перемикає третій і четвертий МО5ЕЕТ М3, МА у стан "ввімкнено". У прикладі порогова напруга третього МОБЕЕТ М3З дорівнює пороговій напрузі четвертого МО5ЕЕТ МА. У деяких прикладах друга схема 250 може містити один або більше узгоджувальних вихідних резисторів (не показані на Фіг. 3), приєднаних між затворами С1, 52 першого і другого МОЗЕЕТ МІ, М2 і землею.

Друга схема 250 працює як автоколивальна схема, яка спричиняє протікання змінного струму через індуктивний елемент 158 у спосіб, описаний з посиланням на перший приклад схеми 150 з посиланням на Фіг. 2. Відмінності роботи другої схеми 250 від роботи першої ілюстративної схеми 150 в результаті використання МО5ЕЕТ М3, МА, а не діодів а1, а2, стануть очевидними з наступного опису.

Далі буде описана процедура перемикання другої схеми 250, що призводить до протікання змінного струму через індуктивний елемент 158.

Коли напруга МУ2 подається на затвори С3, 54 третього і четвертого МО5ЕЕТ М3, МА, третій і четвертий МО5РЕЕТ "ввімкнені". У випадку напруги М1 у цій точці кожний з першого, другого, третього і четвертого МОБЕЕТ М1-МА знаходиться у стані "ввімкнено". У цій точці напруги на вузлах А і В починають спадати. Певні порушення балансу можуть мати місце у схемі 250, наприклад, відмінності у опорі між МО5БЕЕТ М1-М4, або властивостях значень індукторів, наявних у схемі. Ці порушення балансу діють таким чином, що напруга на одному з вузлів А або

В починає спадати швидше, ніж напруга на інших з цих вузлів А, В. МОБЕЕТ МІ, М2, який відповідає вузлу А, В, на якому напруга спадає найбільш швидко, залишатиметься у стані "ввімкнено". Інший з МОЗЕЕТ МІ, М2, який відповідає іншому з вузлів А, В, перемикається у "вимкнений" стан. У наступному описі викладена ситуація, в якій напруга на вузлі А починає коливатися, а напруга на вузлі В залишається нульовою. Однак аналогічно допускається, що напруга на вузлі В починає коливатися, у той час як напруга на вузлі А залишається при нульових вольтах.

Коли напруга на вузлі А зростає, напруга на електроді стоку О1 першого МОБЕЕТ МІ1 також 60 зростає, оскільки електрод стоку 01 першого МОЗЕЕТ МІ! приєднаний до вузла А через провідний дріт. У той же час напруга на вузлі В утримується низькою, і напруга на електроді стоку 02 другого МОЗЕЕТ Ма, відповідно, є низькою (електрод стоку 02 другого МОБЕЕТ М2 у цьому прикладі безпосередньо приєднаний до вузла В через провідний дріт).

В міру того, як зростає напруга на вузлі А і стоці 01 першого МО5ЕЕТ МІ, зростає напруга на затворі 52 другого МОБЕЕТ М2. Це пояснюється тим, що стік 01, приєднаний через четвертий МОЗЕЕТ М4 до затвору 052 другого МО5БЕЕТ М2 і четвертий МО5ЕЕТ М4 "ввімкнений" в результаті подачі напруги МУ2 на його затворний електрод 04.

В міру того, як зростає напруга на стоці О1 першого МО5ЕЕТ МІ, напруга на затворі 52 другого МОБЕЕТ М2 продовжує зростати, доки вона не досягне максимального значення напруги Мтах. Максимальне значення напруги Мітах, що досягається на затворі 52 другого

МО5ЗЕЕТ Ма, залежить від керуючої напруги М2 і напруги затвор-витік четвертого МОБЕЕТ М4 (М95М4). Максимальне значення Мтах може бути виражене як Мтах-у2-МдзМа4.

Після половини циклу коливання на резонансній частоті схеми 250 напруга на стоці 01 першого МО5ЕЕТ МІ починає спадати. Напруга на стоці 01 першого МО5ЕЕТ МІ спадає, доки вона не досягне ОМ. У цій точці перший МО5ЕЕТ МІ перемикається з "вимкненого" на "ввімкнений" і другий МО5ЕЕТ М2 перемикається з "ввімкненого" на "вимкнений".

Схема потім продовжує коливатися подібно до того, як описано вище, за виключенням того, що вузол А залишається за нульових вольт, у той час як вузол В може коливатися. Тобто напруга на стоці Б2 другого МО5ЕЕТ Ма ії на вузлі В потім починає зростати, у той час як напруга на стоці 01 першого МО5ЕЕТ МІ і вузла А залишається нульовою.

В міру того, як зростає напруга на вузлі В і стоці 02 другого МО5ЕЕТ М2, напруга на затворі

С1 першого МО5ЕЕТ МІ зростає, оскільки стік 02 приєднаний через третій МО5ЕЕТ М3З до затвора 01 першого МО5РЕЕТ МІ, і третій МОБ5ЕРЕТ М3З "ввімкнений" у результаті подачі напруги

М2 на його затворний електрод 03.

В міру того, як зростає напруга на стоці 02 другого МО5ЕЕТ М2, напруга на затворі С1 першого МОБЕЕТ МІ продовжує зростати, доки вона не досягне максимального значення напруги Мтах. Максимальне значення напруги Мтах, що досягається на затворі С1, залежить від керуючої напруги М2 і напруги затвор-витік третього МОБЕЕТ М3З (М95М3). Максимальне значення Мтах може бути виражене як Мтах-М2-М95М3. У цьому прикладі напруги затвор-витік о) третього і четвертого МО5ЕЕТ М3, МА подібні одна одній, тобто МО5М3-УдеМа4.

Після половини циклу коливання на резонансній частоті другої схеми 250 напруга на стоці 02 другого МОБЕЕТ М2 починає спадати. Напруга на стоці 02 другого МО5ЕЕТ М2 спадає, доки вона не досягне ОМ. У цій точці другий МОЗЕЕТ М2 перемикається з "вимкненого" на "ввімкнений" і перший МО5РЕЕТ МІ перемикається з "ввімкненого" на "вимкнений".

У спосіб, описаний з посиланням на першу ілюстративну схему 150, коли другий МО5ЕЕТ

М2 перебуває у "ввімкненому" стані і перший МО5ЕЕТ М1 перебуває у "вимкненому" стані, струм протікає з джерела М1 через перший дросель 161 і через індуктивний елемент 158. Коли перший МО5ЕЕТ МІ знаходиться у ввімкненому стані, і другий МО5ЕЕТ М2 знаходиться у вимкненому стані, струм протікає від джерела М1 через другий дросель 162 і через індуктивний елемент 158. Відповідно, друга ілюстративна схема 250 коливається так само, як описано для першої ілюстративної схеми 150 за Фіг. 2, причому напрямок струму змінюється з кожною операцією перемикання схеми 250.

Використання третього і четвертого МО5БЕРЕТ М3, М4, у деяких прикладах, може бути переважним, оскільки це може забезпечити низькі втрати енергії. Тобто, перша ілюстративна схема 150 може призвести до втрат на опір у результаті деякого споживання струму через підтягувальні до високого рівня напруги резистори 163, 164 до землі 151. Наприклад, коли перший МО5ЕЕТ МІ перебуває у стані "ввімкнено", другий діод 42 є зміщеним у прямому напрямку і таким чином невелика кількість струму може протікати через другий підтягувальний до високого рівня напруги резистор 164, що призводить до втрат на опір. Подібним чином, коли другий МО5ЕЕТ МО перебуває у стані "ввімкнено", можуть бути втрати на опір у результаті протікання струму через перший підтягувальний до високого рівня напруги резистор 163. Друга ілюстративна схема в прикладах може не передбачати резистори 163, 164. Друга ілюстративна схема 250 може зменшувати такі втрати шляхом заміни підтягувальних до високого рівня напруги резисторів 163, 164 і діодів 41, 42 для третього і четвертого МОЗЕЕТ М3З, МА.

Наприклад, у другій ілюстративній схемі 250, коли перший МОБ5ЕЕТ Мі перебуває у "вимкненому" стані, струм, що протікає через третій МОЗЕЕТ М3З, може дорівнювати по суті нулю. Подібним чином у другій ілюстративній схемі 250, коли другий МО5ЕЕТ М2 перебуває у "вимкненому" стані, струм, що протікає через четвертий МО5ЕЕТ МА, може дорівнювати по суті нулю. Таким чином, втрати на опір можуть бути зменшені шляхом використання компонування, 60 показаного на другій схемі 250. Додатково може бути потрібна енергія для зарядження і розрядження затворів 51, 52 першого МОБЕЕТ МІ і другого МОБЕЕТ М2. Друга схема 250 може забезпечувати можливість ефективного забезпечення цієї енергії від вузла А і В.

Ілюстративні схеми, що були описані вище, містять два індуктивних дроселі 161, 162. У другому прикладі ілюстративна схема індуктивного нагрівання може містити лише один індуктивний дросель. У такій ілюстративній схемі індукційна котушка 158 може бути "з відгалуженнями посередині".

На Фіг. 4 показана третя ілюстративна схема 350, яка є варіацією першої ілюстративної схеми 150 і в якій котушка 158 являє собою котушку з відгалуженням посередині, та один індуктивний дросель 461 заміняє перший і другий індуктивні дроселі 161, 162. Струмоприймач 110 не передбачений на фіг. 4 з метою ясності. | в цьому випадку компонентам, що є такими самими, як ті, що на схемі 150, показаній на Фіг. 2, надані такі самі номери посилань на фіг. 4, що й на Фіг. 1.

У третій схемі 350 напруга М1 подається через індуктивний дросель 461 у центр індукційної котушки 158, в одну точку 459 на відміну від першої і другої точок 159, 160 у першій ілюстративній схемі 150. Замість цього, як в першій і другій ілюстративних схемах 150, 250, струм протікає поперемінно через перший дросель 161 і другий дросель 162 в міру того, як струм у схемі змінює напрямок у результаті резонансних коливань схеми, струм протікає через один індуктивний дросель 461 і поперемінно протікає через першу частину 158а індуктора 158 і через другу частину 15856 індуктора 158 в міру того, як коливання струму у схемі 350 міняють напрямок у результаті операції перемикання МОБЕЕТ МІ, М2. Третя схема 350 працює аналогічно першій схемі 150 в інших аспектах.

Четверта ілюстративна схема показана на Фіг. 5. | в цьому випадку компонентам, що є такими самими, як ті, що на схемі 150, показаній на Фіг. 2, надані такі самі номери посилань на

Фіг. 4, що й на Фіг. 1. Четверта схема 450 відрізняється від третьої схеми 350 тим, що замість вміщення одного конденсатора 156 третьої схеми 350, четверта схема 450 забезпечена першим конденсатором 15ба і другим конденсатором 156Б0. Четверта схема 450 подібно до третьої схеми 350 містить компонування з відгалуженнями посередині з індуктором, що містить першу частину 158а і другу частину 1586. Напруга М1 подається через індуктивний дросель 461 у центр індукційної котушки 158 (як у компонуванні за Фіг. 4) і додатково центр індукційної котушки о 158 електрично з'єднаний з точкою між першим конденсатором 15ба і другим конденсатором 1566. Отже, надані два суміжні контури схеми, причому один містить першу частину 1584 індуктора і перший конденсатор 15ба, а другий містить другу частину 158656 індуктора і другий конденсатор 15660. Четверта схема 450 працює аналогічно третій схемі 350 в інших аспектах.

Компонування з відгалуженнями посередині, описане з посиланням на Фіг. 4 і Фіг. 5 може аналогічно бути застосоване у компонуванні, яке використовує третій і четвертий МО5ЕРЕТ замість діодів, у спосіб, описаний з посиланням на Фіг. 3. Використання компонування з відгалуженнями посередині може бути переважним, оскільки кількість частин, яка потрібна для збирання схеми, може бути зменшена. Наприклад, кількість індуктивних дроселів може бути зменшена від двох до одного.

У прикладах, описаних в даному документі, струмоприймальний вузол 110 розміщений всередині витратного елемента і, відповідно, є змінним. Наприклад, струмоприймальний вузол 110 може бути одноразовим і, наприклад, складати одне ціле з матеріалом 116, що генерує аерозоль, для нагрівання якого він призначений. Резонансна схема 150 забезпечує можливість керування схеми на резонансній частоті, автоматично враховуючи різниці у конструкції та/або типі матеріалу між різними струмоприймальними вузлами 110, та/або різниці у розташуванні струмоприймальних вузлів 110 відносно індуктивного елемента 158, в результаті та коли струмоприймальний вузол 110 замінюється. Крім того, резонансна схема виконана з можливістю самокерування при резонансі, незважаючи на конкретний індуктивний елемент 158, або фактично будь-який інший використовуваний компонент резонансної схеми 150. Це зокрема корисно для усування варіацій під час виробництва як стосовно струмоприймального вузла 110, так і стосовно інших компонентів схеми 150. Наприклад, резонансна схема 150 дозволяє схемі продовжувати самокерування на резонансній частоті, незважаючи на використання різних індуктивних елементів 158 з різними значеннями індуктивності, , та/або різниці у розміщенні індуктивного елемента 158 відносно струмоприймального вузла 110. Схема 150 також може самокеруватися при резонансі, навіть якщо компоненти замінюються протягом строку експлуатації пристрою.

У деяких прикладах пристрій 100, що генерує аерозоль, виконаний із можливістю використання із витратними елементами декількох різних типів, причому кожний з цих витратних елементів містить різний тип струмоприймального вузла порівняно із іншими 60 витратними елементами.

Різні струмоприймальні вузли можуть, наприклад, бути утворені з різних матеріалів або можуть мати різні форми, або різні розміри, або різні комбінації різних матеріалів, або форм, або розмірів.

За використання резонансна частота схеми 150 залежить від конкретного струмоприймального вузла, незалежно від того, який тип витратного елемента приєднаний до пристрою 100 або, наприклад, вставлений у нього. Однак змінна частота, яка проходить через індуктивний елемент 158 резонансної схеми, через автоколивальний вузол схеми 150, виконана із можливістю самоналагоджування, щоб відповідати змінам у резонансній частоті, викликаними приєднанням іншого струмоприймача/витратного елемента до індуктивного елемента.

Відповідно, схема виконана з можливістю нагрівання наданого струмоприймального вузла за резонансної частоти схеми 150, коли цей витратний елемент приєднаний до пристрою 100, незалежно від властивостей струмоприймального вузла або витратного елемента.

У деяких прикладах пристрій 100, що генерує аерозоль, виконаний із можливістю розміщення першого витратного елемента, який має перший струмоприймальний вузол, і пристрій також виконаний із можливістю розміщення другого витратного елемента, який має другий струмоприймальний вузол, відмінний від першого струмоприймального вузла.

Наприклад, пристрій 100 може бути виконаний із можливістю розміщення першого витратного елемента, який містить алюмінієвий струмоприймач з конкретним розміром, а також може бути виконаний із можливістю розміщення другого витратного елемента, який містить сталевий струмоприймач, який може мати іншу форму та/або розмір порівняно з алюмінієвим струмоприймачем.

Змінний струм у схемі 150 підтримується на першій резонансній частоті резонансної схеми 150, коли перший витратний елемент приєднаний до пристрою, і підтримується на другій резонансній частоті резонансної схеми, коли другий витратний елемент приєднаний до пристрою 100.

Пристрій 100, що генерує аерозоль, у прикладах містить приймальну частину для розміщення витратного елемента. Приймальна частина може бути виконана із можливістю розміщення витратних елементів декількох типів, таких як перший витратний елемент або другий витратний елемент. На Фіг. 1 показаний пристрій 100, що генерує аерозоль, з зо отриманням витратного елемента 120, який схематично показаний розташованим у приймальній частині 130 пристрою 100, що генерує аерозоль. Приймальна частина 130 може являти собою порожнину або камеру в основній частині 112 пристрою. Коли витратний елемент 120 перебуває у приймальній частині 130, струмоприймальний вузол 110 витратного елемента 120 розташований поблизу для індуктивного зв'язку і нагрівання індуктивним елементом 158.

Пристрій 100 може бути виконаний із можливістю розміщення декількох різних витратних елементів з різними формами.

У прикладах, як зазначено вище, індуктивний елемент 158 являє собою електропровідну котушку. У таких прикладах щонайменше частина струмоприймального вузла витратного елемента може бути виконана із можливістю розміщення всередині котушки. Це може забезпечувати ефективний індуктивний зв'язок між струмоприймальним вузлом і індуктивним елементом і, таким чином, забезпечувати ефективне нагрівання струмоприймального вузла.

Робота пристрою 100, що генерує аерозоль, який містить резонансну схему 150, далі буде описана згідно з прикладом. Перед ввімкненням пристрою 100, пристрій 100 може бути у "вимкненому" стані, тобто струм не протікає у резонансній схемі 150. Пристрій 150 перемикається у "ввімкнений" стан, наприклад, користувачем, що вмикає пристрій 100. Після вмикання пристрою 100 резонансна схема 150 починає забезпечувати протікання струму від джерела 104 напруги, причому струм протікає через індуктивний елемент 158 зі зміною на резонансній частоті ю. Пристрій 100 може залишатися у ввімкненому стані, доки контролером 106 не буде отриманий додатковий ввід, наприклад, доки користувач не припинить натискати на кнопку (не показана), або доки детектор затяжок (не показаний) більше не буде активованим, або доки не пройде відрізок часу максимального нагрівання. Резонансна схема 150, що керується на резонансній частоті Ю, викликає протікання перемінного струму І у резонансну схему 150 й індуктивний елемент 158, і, отже, струмоприймальний вузол 110 нагрівається за допомогою індукції. Коли струмоприймальний вузол 110 нагрівається за допомогою індукції, його температура (ї, отже, температура матеріалу 116, що генерує аерозоль) збільшується. У цьому прикладі струмоприймальний вузол 110 (і матеріал 116, що генерує аерозоль) нагрівається так, що він досягає постійної температури Тмдх. Температура Тмдх може бути температурою, яка по суті дорівнює або вище температури, за якої генерується значна кількість аерозолю матеріалом 116, що генерує аерозоль. Температура Тмаіх може знаходитись, бо наприклад, в діапазоні від приблизно 200 до приблизно 300 "С (хоча зазвичай може бути іншою температурою залежно від матеріалу 116, струмоприймального вузла 110, компонування всього пристрою 100 та/або інших вимог та/або умов). Таким чином, пристрій 100 знаходиться у стані або режимі "нагрівання", при цьому матеріал 116, що генерує аерозоль, досягає температури, за якої по суті виробляється аерозоль або виробляється значна кількість аерозолю. Слід розуміти, що у більшості, якщо не у всіх, випадках, коли змінюється температура струмоприймального вузла 110, також змінюється резонансна частота о резонансної схеми 150.

Це тому, що магнітна проникність струмоприймального вузла 110 залежить від температури і, як описано вище, магнітна проникність струмоприймального вузла 110 впливає на зв'язок між індуктивним елементом 158 і струмоприймальним вузлом 110, й, отже, резонансну частоту о резонансної схеми 150.

Даний винахід переважно описує компонування паралельної І С схеми. Як зазначено вище для паралельної С схеми при резонансі, повний опір є максимальним і сила струму є мінімальною. Слід відзначити, що сила струму, яка є мінімальною, головним чином стосується сили струму, яка спостерігається ззовні паралельного І С контуру, наприклад, зліва від дроселя 161 або справа від дроселя 162. | навпаки, у послідовній ЇС схемі, сила струму є максимальною, і, загалом кажучи, необхідно вставити резистор для обмеження сили струму до безпечного значення, що в іншому випадку може пошкодити певні електричні компоненти у схемі. Це як правило зменшує ефективність схеми, оскільки енергія втрачається через резистор. Паралельна схема, що працює при резонансі, не потребує таких обмежень.

У деяких прикладах струмоприймальний вузол 110 містить алюміній або складається з нього. Алюміній є прикладом матеріалу, вибраного з кольорових металів, і по суті має відносну магнітну проникність близьку до одиниці. Це означає, що алюміній, як правило, має низький рівень намагнічування у відповідь на прикладене магнітне поле. Отже, взагалі вважається складним нагрівання алюмінію за допомогою індукції, зокрема за низької напруги, яка використовується у системах надання аерозолю. Також було виявлено, що керування схемою на резонансній частоті є переважним, оскільки це забезпечує оптимальний зв'язок між індуктивним елементом 158 і струмоприймальним вузлом 110. Щодо алюмінію було досліджено, що незначне відхилення від резонансної частоти викликає помітне зниження індуктивного зв'язку між струмоприймальним вузлом 110 й індуктивним елементом 158, і, таким чином, помітне зниження теплопродуктивності (у деяких випадках до такого ступеня, що нагрівання більше не спостерігається). Як зазначено вище, коли змінюється температура струмоприймального вузла 110, також змінюється резонансна частота схеми 150. Відповідно, у разі, коли струмоприймальний вузол 110 містить або складається з струмоприймача з кольорового металу, такого як алюміній, резонансна схема 150 даного винаходу має переваги у тому, що схема завжди керується на резонансній частоті (незалежно від зовнішніх механізмів керування). Це означає, що максимальний індуктивний зв'язок, і, відповідно, максимальна теплопродуктивність досягається у будь-який час, що забезпечує ефективне нагрівання алюмінію. Було виявлено, що витратний елемент, який містить алюмінієвий струмоприймач, може нагріватися ефективно, коли витратний єлемент містить алюмінієву обгортку, що утворює замкнуту електричну схему, та/або має товщину меншу за 50 мікрон.

У прикладах, де струмоприймальний вузол 110 утворює частину витратного елемента, витратний елемент може приймати форму матеріалу, описаного в документі

РСТ/ЕР2016/070178, який у повному обсязі включений у даний документ за допомогою посилання.

Наведені вище приклади необхідно розуміти як ілюстративні приклади даного винаходу.

Необхідно розуміти, що будь-яка ознака, описана у зв'язку з будь-яким прикладом, може бути застосована окремо або в комбінації з іншими описаними ознаками, а також може бути застосована в комбінації з однією або більше ознаками будь-якого іншого прикладу або будь- якої комбінації будь-яких інших прикладів. Крім того, еквіваленти і модифікації, не описані вище, також можуть застосовуватися без відступу від обсягу даного винаходу, який визначено доданою формулою винаходу.

Claims (27)

1. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ

   55 1. Пристрій, що генерує аерозоль, який містить резонансну схему для нагрівання матеріалу, що генерує аерозоль, причому резонансна схема містить: індуктивний елемент для нагрівання за допомогою індукції струмоприймального вузла для нагрівання матеріалу, що генерує аерозоль, з генеруванням таким чином аерозолю, при цьому струмоприймальний вузол розташований у витратному елементі, який містить струмоприймальний вузол і матеріал, що генерує аерозоль, і при цьому пристрій, що генерує аерозоль, виконаний із можливістю розміщення витратного елемента; і вузол перемикання, виконаний з можливістю під час використання переходити від першого стану до другого стану із забезпеченням можливості генерування змінного струму від джерела напруги постійного струму і протікання через індуктивний елемент, щоб спричинити індуктивне нагрівання струмоприймального вузла; при цьому вузол перемикання виконаний із можливістю переходу від першого стану до другого стану у відповідь на коливання напруги в резонансній схемі, яка виконана з можливістю роботи на резонансній частоті резонансної схеми з підтриманням змінного струму на резонансній частоті резонансної схеми; вузол перемикання містить перший транзистор і другий транзистор, і при цьому, коли вузол перемикання перебуває у першому стані, перший транзистор є вимкненим, а другий транзистор є ввімкненим, а коли вузол перемикання перебуває у другому стані, перший транзистор є ввімкненим, а другий транзистор є вимкненим; і кожний з першого транзистора і другого транзистора містить перший електрод для ввімкнення і вимкнення цього транзистора, другий електрод і третій електрод, і при цьому схема додатково містить третій транзистор і четвертий транзистор, і при цьому перший електрод першого транзистора приєднаний до другого електрода другого транзистора через третій транзистор, а перший електрод другого транзистора приєднаний до другого електрода першого транзистора через четвертий транзистор.
2. 2. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 1, який відрізняється тим, що резонансна схема являє собою І С-схему, яка містить індуктивний елемент і ємнісний елемент.
3. 3. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 2, який відрізняється тим, що індуктивний елемент і ємнісний елемент розташовані паралельно і коливання напруги являють собою коливання напруги по всьому індуктивному елементу й ємнісному елементу.
4. 4. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким з пп. 1-3, який відрізняється тим, що вузол перемикання виконаний таким чином, що перший транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді другого транзистора дорівнює пороговій напрузі перемикання першого транзистора або нижче неї.
5. о 5. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким з пп. 1-4, який відрізняється тим, що кожний з першого транзистора і другого транзистора містить перший електрод для ввімкнення і вимкнення цього транзистора, другий електрод і третій електрод, і при цьому вузол перемикання виконаний таким чином, що другий транзистор пристосований для перемикання з "ввімкнено" на "вимкнено", коли напруга на другому електроді першого транзистора дорівнює пороговій напрузі перемикання другого транзистора або нижче неї.
6. 6. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким з пп. 1-5, який відрізняється тим, що кожний з третього транзистора і четвертого транзистора має перший електрод для ввімкнення і вимкнення цього транзистора, і при цьому кожний з третього транзистора і четвертого транзистора виконаний із можливістю вмикання, коли напруга, яка дорівнює пороговій напрузі або більше неї, прикладається до його відповідного першого електрода, причому третій і четвертий транзистори являють собою польові транзистори.
7. 7. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. б, який відрізняється тим, що резонансна схема виконана з можливістю активації шляхом прикладання напруги, яка дорівнює пороговій напрузі або більше неї, до перших електродів як третього транзистора, так і четвертого транзистора, щоб таким чином вмикати третій і четвертий транзистори.
8. 8. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-7, який відрізняється тим, що пристрій виконаний з можливістю зміни резонансної частоти резонансної схеми у відповідь на енергію, що передається від індуктивного елемента на струмоприймальний вузол.
9. 9. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-8, який відрізняється тим, що містить 5О керуючу напругу транзистора для подачі керуючої напруги на перші електроди першого транзистора і другого транзистора.
10. 10. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 9, який відрізняється тим, що містить перший підтягувальний до високого рівня напруги резистор, приєднаний послідовно між першим електродом першого транзистора і керуючою напругою транзистора, та другий підтягувальний до високого рівня напруги резистор, приєднаний послідовно між першим електродом другого транзистора і керуючою напругою транзистора.
11. 11. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 10, який відрізняється тим, що третій транзистор приєднаний між керуючою напругою і першим електродом першого транзистора, та четвертий транзистор приєднаний між керуючою напругою і другим транзистором.
12. 12. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-11, який відрізняється тим, що щонайменше один з першого транзистора та другого транзистора являє собою польовий транзистор.
13. 13. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що джерело напруги постійного струму містить перший електрод, і вказаний перший електрод приєднаний до першої і другої точок у резонансній схемі, і при цьому перша точка і друга точка електрично розташовані з обох боків індуктивного елемента.
14. 14. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-12, який відрізняється тим, що джерело напруги постійного струму містить перший електрод, і вказаний перший електрод приєднаний до першої точки в резонансній схемі, і при цьому перша точка електрично з'єднана з центральною точкою індуктивного елемента таким чином, що струм, який протікає з першої точки, протікає у першому напрямку через першу частину індуктивного елемента і у другому напрямку через другу частину індуктивного елемента.
15. 15. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-14, який відрізняється тим, що додатково містить щонайменше один індуктивний дросель, розташований між джерелом напруги постійного струму та індуктивним елементом.
16. 16. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 15, який відрізняється тим, що перший електрод джерела напруги постійного струму приєднаний до першої і другої точок у резонансній схемі, і при цьому перша точка і друга точка електрично розташовані з обох боків індуктивного елемента, при цьому пристрій, що генерує аерозоль, містить перший індуктивний дросель і другий індуктивний дросель, при цьому перший індуктивний дросель приєднаний послідовно між першою точкою та індуктивним елементом, і другий дросель приєднаний послідовно між другою точкою та індуктивним елементом.
17. 17. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 15, який відрізняється тим, що перший індуктивний дросель приєднаний послідовно між першою точкою в резонансній схемі та центральною точкою індуктивного елемента.
18. 18. Пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-17, який відрізняється тим, що пристрій, що генерує аерозоль, виконаний із можливістю розміщення першого витратного компонента, що має перший струмоприймальний вузол, і при цьому пристрій, що генерує аерозоль, виконаний із можливістю розміщення другого витратного компонента, що має другий струмоприймальний вузол, і при цьому пристрій виконаний з можливістю підтримання змінного струму на першій резонансній частоті резонансної схеми, коли перший витратний компонент приєднаний до пристрою, та на другій резонансній частоті резонансної схеми, коли другий витратний компонент приєднаний до пристрою.
19. 19. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 18, який відрізняється тим, що пристрій, що генерує аерозоль, містить приймальну частину, причому приймальна частина виконана з можливістю розміщення одного з першого витратного компонента або другого витратного компонента таким чином, що перший або другий струмоприймальний вузол забезпечений поряд з індуктивним елементом.
20. 20. Пристрій, що генерує аерозоль, за п. 19, який відрізняється тим, що індуктивний елемент являє собою електропровідну котушку, і при цьому пристрій виконаний із можливістю розміщення щонайменше частини першого або другого струмоприймального вузла всередині котушки.
21. 21. Система, що генерує аерозоль, яка містить пристрій, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-20, при цьому система додатково містить струмоприймальний вузол, виконаний з можливістю нагрівання індуктивним елементом пристрою, що генерує аерозоль.
22. 22. Система за п. 21, яка відрізняється тим, що струмоприймальний вузол утворений з алюмінію.
23. 23. Набір частин для генерування аерозолю, що містить: перший витратний компонент, який містить перший матеріал, що генерує аерозоль, і перший струмоприймальний вузол, та другий витратний компонент, який містить другий матеріал, що генерує аерозоль, і другий струмоприймальний вузол, причому перший і другий струмоприймальні вузли виконані з можливістю нагрівання першого і другого матеріалів, що генерують аерозоль, і причому перший і другий витратні компоненти виконані з можливістю розміщення в пристрої, що генерує аерозоль, за будь-яким із пп. 1-20.
24. 24. Набір частин за п. 23, який відрізняється тим, що перший витратний компонент має іншу форму порівняно з другим витратним компонентом.
25. 25. Набір частин за п. 23 або 24, який відрізняється тим, що перший струмоприймальний вузол має щонайменше одне з іншої форми та іншого матеріалу порівняно з другим витратним бо компонентом.
26. 26. Набір частин за будь-яким із пп. 23-25, який відрізняється тим, що перший і другий витратні компоненти вибрані з групи, що містить: тютюнову паличку, капсулу, картомайзер та плаский лист.
27. 27. Набір частин за будь-яким із пп. 23-26, який відрізняється тим, що перший струмоприймальний вузол або другий струмоприймальний вузол утворений з алюмінію. ж 100 рення є КЕ ї Ї ї і м Ї ОО Т : со і Сом ї х і х

    Ї.дптннттнттяннт тні ПС на щу СМ тай ! і і рт це | зав Біне 1 Зая 19 тт ! ся Б : Зк пень | ово . рннюнннстевнеетнюнсу - ще Й тк МУТТТТШІИ Є ї з ї із ЕЕ : «і В й В К 8 х о БЕ «ії її іх --- їх у і х КІ Н Й і: її бе Що ТЕ я ше з отв із її Що її Ж Кеююєю хююєхх ох зо ох жах й Ж і. птн сві.