TWI818151B - 物理氣相沉積腔室及其操作方法 - Google Patents
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Abstract
本案揭示了一種物理氣相沉積(PVD)腔室及其操作方法。描述了提供包括上屏蔽件的腔室的腔室和方法，此上屏蔽件具有兩個孔，兩個孔被定位成允許從兩個靶交替濺射。
Description
本揭示內容總體上關於基板處理系統，並且更具體而言，實施例涉及具有多個陰極組件(多陰極)的物理氣相沉積系統以及用於物理氣相沉積的處理。
濺射，或者稱為物理氣相沉積(PVD)，用於在半導體積體電路的製造中沉積金屬和相關材料。濺射的使用已擴展到在高深寬比的孔(例如通孔或其他垂直互連結構)的側壁上沉積金屬層，以及在製造極紫外(EUV)遮罩基材(mask blanks)中。在製造EUV遮罩基材時，由於顆粒會對最終產品的性能產生負面影響，因此希望將顆粒的產生降到最低。此外，在EUV遮罩基材的製造中，包括不同材料(例如，矽和鉬)的交替層的多層反射器沉積在PVD腔室中。由矽和鉬的靶的交叉污染所引起的各個矽和鉬層的污染可能是導致EUV遮罩基材缺陷的問題。
電漿濺射可使用DC濺射或RF濺射來完成。電漿濺射通常包括位於濺射靶背面的磁控管，磁控管包括至少兩個相對極的磁鐵，它們透過磁軛而在其背面磁耦合，以將磁場投射到處理空間中，從而增加電漿的密度並增強從
靶的正面的濺射率。磁控管中使用的磁鐵通常是用於DC濺射的封閉迴路和用於RF濺射的開放迴路。
在諸如物理氣相沉積(PVD)腔室的電漿增強基板處理系統中，具有高磁場和高DC功率的高功率密度PVD濺射可在濺射靶處產生高能量，並導致濺射靶的表面溫度大幅上升。濺射靶透過使靶背板與冷卻流體接觸來冷卻。在如典型的商業實施的電漿濺射中，將要濺射沉積的材料的靶被密封到包含有要被塗覆的晶圓的真空腔室中。氬進入了腔室。在濺射處理中，濺射靶被諸如電漿的高能離子轟擊，使得材料從靶上移位並以膜的形式沉積在放置於腔室內的基板上。
仍然需要減少缺陷源，例如多陰極PVD腔室中不同材料的靶的顆粒和交叉污染。
在本揭示的第一實施例中，一種物理氣相沉積(PVD)腔室，包括：複數個陰極組件，包括第一陰極組件和第二陰極組件，第一陰極組件包括在濺射處理中支撐第一靶的第一背板，第二陰極組件包括經配置以在濺射處理期間支撐第二靶的第二背板；在複數個陰極組件下方的上屏蔽件，上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直徑並位於上屏蔽件上以暴露第一陰極組件，第二屏蔽孔具有直徑並位於上屏蔽件上以暴露第二陰極組件，除了第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之間的區域之外，上屏蔽件具有平坦的內表面；及在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之
間的區域中的凸起區域，凸起區域具有高度，高度距平坦的內表面大於一公分，並且具有長度，長度大於第一屏蔽孔的直徑和第二屏蔽孔的直徑，其中PVD腔室經配置以交替地濺射來自第一靶和第二靶的材料，而沒有旋轉上屏蔽件。
根據本揭示的第二實施例，一種物理氣相沉積(PVD)腔室，包括：複數個陰極組件，複數個陰極組件包括：第一陰極組件、第二陰極組件、第三陰極組件、及第四陰極組件，第一陰極組件包括支撐包含鉬的第一靶的第一背板，第二陰極組件包括支撐包含矽的第二靶的第二背板，第三陰極組件包括支撐包含虛擬材料的第三靶的第三背板，第四陰極組件包括支撐包含虛擬材料的第四靶的第四背板；在複數個陰極組件下方的上屏蔽件，上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直徑並置於上屏蔽件上以暴露第一靶，第二屏蔽孔具有直徑並置於上屏蔽件上以暴露第二靶，上屏蔽件在除了第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之間的區域外具有平坦表面，上屏蔽件經配置以允許鉬和矽材料從第一靶和第二靶分別交替濺射，而沒有旋轉上屏蔽件；及在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之間的區域中的凸起區域，凸起區域具有大於一公分的高度，且具有大於第一屏蔽孔和第二屏蔽孔的直徑的長度，其中上屏蔽件可旋轉以允許第一屏蔽孔和第二屏蔽孔中之一者暴露第一靶及暴露第三靶和第四靶中之一者。
本揭示的第三實施例涉及一種在物理氣相沉積(PVD)腔室中沉積交替材料層的方法，方法包括以下步驟：將基板放置在包括複數個陰極組件的PVD腔室中，複數個陰極組件包括第一陰極組件及第二陰極組件，第一陰極組件包括包含第一材料的第一靶，第二陰極組件包括包含與第一材料不同的第二材料的第二靶。方法進一步包括將上屏蔽件佈置在複數個陰極組件下方的步驟，上屏蔽件具有第一屏蔽孔及第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直徑並置於上屏蔽件上以暴露第一靶，第二屏蔽孔具有直徑並置於上屏蔽件上以暴露第二靶。上屏蔽件進一步包括在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之間的平坦表面，以及在兩個屏蔽孔之間的凸起區域，凸起區域具有長度，長度至少等於第一屏蔽孔和第二屏蔽孔的直徑。方法進一步包括交替地從第一靶和第二靶濺射材料而沒有旋轉上屏蔽件的步驟，其中凸起區域防止第一材料污染第二靶並防止第二材料污染第一靶。
100:PVD腔室
101:腔室主體
102:陰極組件
103:材料層
104:屏蔽孔
106:上屏蔽件
108:載體
110:旋轉底座
112:電源
114:靶
118:下屏蔽件
119:膝部
120:伸縮蓋環
121:內部容積
122:凸起環部分
124:預定間隙
126:護罩
130:小角度
132:大角度
200:PVD腔室
202a:陰極組件
202b:陰極組件
203:內表面
204a:屏蔽孔
204b:屏蔽孔
205a:靶
205b:靶
205c:靶
205d:靶
206:上屏蔽件
207:區域
209:凸起區域
210:旋轉底座
210a:第一背板
210b:第二背板
211a:箭頭
211b:箭頭
213a:致動器
213b:致動器
215a:第一磁鐵組件
215b:第二磁鐵組件
216:中屏蔽件
217a:旋轉馬達
217b:旋轉馬達
218:下屏蔽件
219a:軸
219b:軸
220a:第一磁鐵
220b:第二磁鐵
221:內部空間
225:中間腔室主體
227:下腔室主體
248a:RF電源
248b:RF電源
250a:DC電源
250b:DC電源
261:箭頭
270:基板
273:頂適配器蓋
290:控制器
292:處理器
294:記憶體
296:支持電路
298:支持電路
305a:靶
305b:靶
H:高度
L:長度
d1:半徑
d2:半徑
為了可以詳細了解本揭示的上述特徵的方法，本揭示的更具體的描述，簡要概述於上，可參照實施例，其中一些實施例描繪在隨附圖式中。然而，應當注意，隨附圖式僅示出本揭示的典型實施例，且因此不應將其視為限制其範圍，因為本揭示可承認其他等效的實施例。
第1圖是先前技術的沉積系統的側視圖；第2圖根據一或多個實施例是PVD腔室的側視圖；
第3圖是第2圖的PVD腔室的上屏蔽件的底部等距視圖；第4A圖是處於第一旋轉位置的上屏蔽件和靶的底視圖；第4B圖是處於第二旋轉位置的上屏蔽件和靶的底視圖；及第4C圖是處於第三旋轉位置的上屏蔽件和靶的底視圖。
在描述本揭示的一些示例性實施例之前，應理解，本揭示不限於以下描述中闡述的構造或處理步驟的細節。本揭示能夠具有其他實施例並且能夠以各種方式被實施或實行。
如在本說明書和所附申請專利範圍中所使用的，用語「基板」是指處理作用於其上的表面或表面的一部分。本領域技術人員還將理解，除非上下文另有明確說明，否則對基板的參照也可僅參照至基板的一部分。此外，參照至在基板上的沉積可以意謂裸基板和具有在其上沉積或形成的一或多個膜或特徵的基板。
本文所使用的「基板」是指在製造處理中實行膜處理於其上的基板上所形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上實行處理的基板表面包括材料，例如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽(SOI)、碳摻雜氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石、以及任何其它
材料，例如金屬、金屬氮化物、金屬合金、和其他導電材料，這取決於應用。基板包括，但不限於，半導體晶圓。基板可以暴露於預處理製程，以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化(hydroxylate)、退火、UV固化、電子束固化、和/或烘烤基板表面。除了直接在基板自身表面上進行膜處理之外，在本文中，所揭示的膜處理步驟中的任何一個步驟也可以在如下更詳細揭示的基板上所形成的下層上進行，且用語「基板表面」意欲包括如上下文所指示的此類下層。因此，例如，在當將膜/層或部分膜/層沉積在基板表面上時，新沉積的膜/層的暴露表面成為基板表面。
本文所使用的用語「水平的」是定義為與遮罩基材的平面或表面平行的平面，而不管其取向如何。用語「垂直的」是指垂直於如剛所定義的水平的方向。用語，例如，「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」(如在「側壁」中)、「較高」、「較低」、「上」、「之上」和「之下」如圖所示，是相對於水平面定義的。
用語「在……上」表示元件之間存在直接接觸。用語「直接在……上」表示元件之間存在直接接觸，而沒有中間元件。
所屬技術領域具有通常知識者將理解，使用諸如「第一」和「第二」之類的序數來描述處理區域並不意味著處理腔室內的特定位置或處理腔室內的暴露順序。
本揭示的實施例涉及用於沉積系統的磁鐵設計，例如包括至少一個陰極組件的物理氣相沉積(「PVD」)腔
室，且在特定實施例中，涉及包括多個陰極組件(在本文中稱為「多陰極腔室」)的PVD腔室。
第1圖示出了先前技術的PVD系統，其中示出了以PVD腔室100形式的沉積系統的一部分的側視圖。PVD腔室形式的沉積系統被示出為包括複數個陰極組件102的多陰極PVD腔室100。多陰極PVD腔室100被示出為包括經配置以製造MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)的多靶PVD源或經配置以製造極紫外(EUV)遮罩基材的多靶PVD源，例如，包含矽的靶和包含鉬的靶以形成反射EUV光的多層堆疊。
多陰極PVD腔室包括腔室主體101，腔室主體101包括適配器(未示出)，此適配器經配置以將複數個陰極組件102保持在適當位置成間隔開的關係。多陰極PVD腔室100可包括用於PVD和濺射的複數個陰極組件102。每個陰極組件102連接到電源112，電源112包括直流(DC)和/或射頻(RF)。
截面圖描繪了PVD腔室100的實例，PVD腔室100包括界定了內部容積121的腔室主體101，在內部容積121中基板或載體被處理。第1圖所示的實施例中的陰極組件102可被用於濺射不同材料作為材料層103。陰極組件102透過上屏蔽件106的屏蔽孔104暴露，上屏蔽件106位於旋轉底座110上的基板或載體108上方。上屏蔽件106通常是圓錐形的。通常在旋轉底座110上方或其上僅存在一個載體108。
基板或載體108被示為具有用於製造積體電路的半導體材料的結構。例如，基板或載體108包括包含晶圓的半導體結構。替代地，基板或載體108可以是另一種材料，例如用於形成EUV遮罩基材的超低膨脹玻璃基板。基板或載體108可以是任何合適的形狀，例如圓形、正方形、矩形、或任何其他多邊形。
上屏蔽件106形成有屏蔽孔104，使得陰極組件102可用以透過屏蔽孔104沉積材料層103。將電源112施用到陰極組件102。電源112可以包括直流(DC)或射頻(RF)電源。
上屏蔽件106經配置以一次暴露陰極組件102中的一個，並保護其他陰極組件102免於交叉污染。交叉污染是沉積材料從陰極組件102中的一個到陰極組件102的另一個的物理移動或轉移。陰極組件102位於靶114上方。腔室的設計可以是緊湊的(compact)。靶114可以是任何合適的大小。例如，每個靶114的直徑可在約4英寸至約20英寸、或約4英寸至約15英寸、或約4英寸至約10英寸、或約4英寸至約8英寸、或約4英寸至約6英寸。
在第1圖中，基板或載體108被示為在旋轉底座110上，其可垂直地上下移動。在基板或載體108移出腔室之前，基板或載體108可在下屏蔽件118下方移動。伸縮蓋環120鄰接下屏蔽件118。接著，旋轉底座110可以向下移動，隨後在載體108移出腔室之前載體108可以被以機械臂升高。
當濺射材料層103時，從靶114濺射的材料可以保留在下屏蔽件118的內部而不是外部。在此先前技術的實施例中，伸縮蓋環120包括向上彎曲並具有預定厚度的凸起環部分122。伸縮蓋環120亦可包括相對於下屏蔽件118的預定間隙124和預定長度。因此，形成材料層103的材料將不在旋轉底座110下方，從而消除了污染物擴散到基板或載體108上。
第1圖描繪了單個護罩126。護罩126可經設計以使得來自靶114的未沉積在載體108上的大部分材料被包含在護罩126中，因此使得容易回收和保存這些材料。這也使得針對每個靶114的護罩126中的一個能夠針對此靶被最佳化以實現更好的黏附並減少缺陷。
護罩126可被設計成使陰極組件102之間的交互干擾(cross-talk)或交叉靶(cross-target)污染最小化，並最大化針對每個陰極組件102所捕獲的材料。因此，來自每個陰極組件102的材料將僅由陰極組件102定位於其上的護罩126中的一個所單獨捕獲。捕獲的材料可能不會沉積在基板或載體108上。例如，第一陰極組件和第二陰極組件可以在極紫外遮罩基材的形成中施加不同材料的交替層，例如，從第一靶和陰極組件102沉積的矽和從第二靶和陰極組件102沉積的鉬的交替層。
基板或載體108可以使用包括來自護罩126上的靶114的金屬的沉積材料來塗覆有均勻的材料層103，均勻的材料層103沉積在基板或載體108的表面上。接著，可以
經由回收處理取下護罩126。回收處理不僅清潔護罩126，並且回收殘留在護罩126上或護罩126中的殘留量的沉積材料。例如，在一個護罩126上可以有鉬，隨後在另一個護罩126上可以有矽。由於鉬比矽昂貴，所以可以將含鉬的護罩126送出進行回收處理。
如第1圖所示，下屏蔽件118具有由小角度130造成的第一彎曲和由大角度132造成的第二彎曲，這導致下屏蔽件118中的膝部119。膝部119提供了在沉積期間顆粒可在其中積聚的區域，且因此是處理缺陷的可能來源。
PVD腔室和處理用於製造極紫外(EUV)遮罩基材。EUV遮罩基材是用於形成具有遮罩圖案的反射遮罩的光學平坦結構。EUV遮罩基材的反射表面形成平坦焦平面，用於反射入射光，例如極紫外光。EUV遮罩基材包括對極紫外反射元件(例如EUV分劃板)提供結構支撐的基板。基板由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成，以在溫度變化期間提供穩定性，例如，諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或其中之組合的材料。
極紫外(EUV)微影，也稱為軟X射線投影微影(soft x-ray projection lithography)，可用於製造0.0135微米和更小的最小特徵尺寸的半導體裝置。然而，極紫外光，其通常在5到100奈米波長範圍內，實際上在所有材料中都被強烈吸收。因此，極紫外系統透過反射而不是透過光透射來運作。透過使用塗覆有非反射吸收器遮罩圖案的一系列的鏡子、或透鏡元件、以及反射元件、或遮
罩基材，將圖案化的光化(actinic)光反射到塗覆有抗蝕劑的半導體基板上。
極紫外微影系統的透鏡元件和遮罩基材都塗有材料，例如鉬和矽，的交替反射層的塗層的反射多層堆疊。透過使用塗覆有多層塗層的基板，可以獲得每個透鏡元件或遮罩基材約65%的反射值，此多層塗層在極窄的紫外線帶通中(例如，對於13.5奈米紫外光為12.5至14.5奈米帶通)強烈反射極紫外光。在EUV遮罩基材和透鏡元件的製造期間，通常想要最小化缺陷，例如來自顆粒源和反射多層堆疊的高反射率的缺陷。
第2圖描繪了根據本揭示的第一實施例的PVD腔室200。PVD腔室200包括複數個陰極組件202a和202b。儘管在第2圖的側視圖中僅示出了兩個陰極組件202a和202b，但是多陰極腔室可包括多於兩個陰極組件，例如，五個、六個、或多於六個的陰極組件。在複數個陰極組件202a和202b下方提供上屏蔽件206，上屏蔽件206具有兩個屏蔽孔204a和204b，以將設置在陰極組件202a的底部的靶205a、205b暴露於PVD腔室200的內部空間221。中屏蔽件216設置在上屏蔽件206的下方並與之相鄰，且下屏蔽件218設置在上屏蔽件206的下方並與之相鄰。
第2圖中揭示了模組化腔室主體，其中中間腔室主體225位於下腔室主體227的上方並與之相鄰。中間腔室主體225固定至下腔室主體227以形成模組化腔室主體，其圍
繞下屏蔽件218和中屏蔽件。頂適配器蓋273(示於第8圖)設置在中間腔室主體225上方以圍繞上屏蔽件206。
PVD腔室200亦設有類似於第1圖中的旋轉底座110的旋轉底座210。所屬技術領域具有通常知識者將容易理解到，根據一或多個實施例，PVD腔室的其他元件，例如在上文於第1圖中所引用的那些元件，但為了清楚起見，在第2圖中省略，是被提供在PVD腔室200中。將理解到，與第1圖的圓錐形上屏蔽件106相比，第2圖的PVD腔室200的上屏蔽件206基本上是平坦的。
因此，本揭示的第一態樣涉及PVD腔室200，其包括複數個陰極組件，此些陰極組件包括第一陰極組件202a和第二陰極組件202b，第一陰極組件202a包括經配置以在濺射處理中支撐第一靶205a的第一背板210a，第二陰極組件202b包括經配置以在濺射處理期間支撐第二靶205b的第二背板210b。PVD腔室進一步包括在複數個陰極組件202a、202b下方的上屏蔽件206，上屏蔽件206具有第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b，第一屏蔽孔204a具有直徑D1並位於上屏蔽件上以暴露第一陰極組件202a，第二屏蔽孔204b具有直徑D2並位於上屏蔽件206上以暴露第二陰極組件202b，除了第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之間的區域207之外，上屏蔽件206具有基本平坦的內表面203。
上屏蔽件206在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之間的區域207中包括凸起區域209，凸起區域209相對於基本平
坦的內表面203具有高度「H」，高度「H」距平坦的內部內表面203(在第1圖中最清楚可見)大於一公分，並且具有長度「L」，長度「L」大於第一屏蔽孔204a的直徑D1和第二屏蔽孔204b的直徑D2，其中PVD腔室經配置以交替地濺射來自第一靶205a和第二靶205b的材料，而不旋轉上屏蔽件206。
在一或多個實施例中，凸起區域209具有高度H，使得在濺射處理期間，凸起區域高度H足以防止從第一靶205a濺射出的材料被沉積在第二靶205b上，並防止從第二靶205b濺射出的材料被沉積在第一靶205a上。
根據本揭示的一或多個實施例，第一陰極組件202a包括以第一距離d1與第一背板210a間隔開的第一磁鐵，且第二陰極組件202b包括以第二距離d2與第二背板210b間隔開的第二磁鐵220b，其中第一磁鐵220a和第二磁鐵220b是可移動的，使得第一距離d1可以改變(如箭頭211a所示)，且第二距離d2可以改變(如箭頭211b所示)。可以由線性致動器213a改變距離d1，及線性致動器213b改變距離d2來變化距離d1和距離d2。線性致動器213a和線性致動器213b可包括可以分別實現第一磁鐵組件215a和第二磁鐵組件215b的線性運動的任何合適的裝置。第一磁鐵組件215a包括旋轉馬達217a，旋轉馬達217a可包括伺服馬達，以經由耦接至旋轉馬達217a的軸219a旋轉第一磁鐵220a。第二磁鐵組件215b包括旋轉馬達217b，旋轉馬達217b可包括伺服馬達，以經由耦接至旋轉馬達
217b的軸219b旋轉第二磁鐵220b。應理解，除了第一磁鐵220a外，第一磁鐵組件215a可包括複數個磁鐵。類似地，除了第二磁鐵220b外，第二磁鐵組件215b可包括複數個磁鐵。
在一或多個實施例中，其中第一磁鐵220a和第二磁鐵220b被配置成移動以減小第一距離d1和第二距離d2，來增加由第一磁鐵220a和第二磁鐵220b產生的磁場強度，並增大第一距離d1和第二距離d2，來減小由第一磁鐵220a和第二磁鐵220b產生的磁場強度。
在一些實施例中，第一靶205a包括鉬靶，第二靶205b包括矽靶，並且PVD腔室200進一步包括第三陰極組件(未示出)和第四陰極組件(未示出)，第三陰極組件包括用以支撐第三靶205c的第三背板(見第4A圖-第4C圖)，第四陰極組件包括經配置以支撐第四靶205d的第四背板(見第4A圖-第4C圖)。根據一或多個實施例的第三陰極組件和第四陰極組件以與本文所述的第一陰極組件202a和第二陰極組件202b相同的方式配置。在一些實施例中，第三靶205c包括虛擬靶，並且第四靶205d包括虛擬靶。如本文所用，「虛擬靶(dummy target)」是指不意圖於在PVD設備200中濺射的靶。
現參照至第4A圖至第4C圖，第一靶205a、第二靶205b、第三靶205c、和第四靶205d相對於彼此定位，並且第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b相對於彼此定位。在所示的實施例中，第一靶(位於第一陰極組件202a
下方)位於位置P1，第二靶205b(位於第二陰極組件202b下方)位於位置P2。在一些實施例中，凸起區域209位於第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之間。在所示的實施例中，第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b相對於第一靶205a、第二靶205b、第三靶205c、和第四靶205d定位，以便促進第一靶205a和第二靶205b的清潔。
在使用中，根據一或多個實施例的PVD腔室在沉積處理期間如下操作。第一屏蔽孔204a經定位以暴露第一靶，且第二屏蔽孔204b經定位以暴露第二靶205b。第一靶205a和第二靶205b由不同的材料構成。在本揭示的特定實施例中，第一靶205a包括鉬，且第二靶205b包括矽。在沉積處理期間，從第一靶205a和第二靶205b交替地濺射材料，以形成交替材料層的多層堆疊，其中相鄰層包括不同的材料。從第一靶205a和第二靶205b的材料的交替層的沉積是無需旋轉上屏蔽件206而發生，與具有單個屏蔽孔的設備相比，其減少了顆粒的產生，在具有單個屏蔽孔的設備中，必須旋轉上屏蔽件以完成不同材料的交替沉積以形成包含兩種不同材料的多層堆疊。在一或多個實施例中，交替層包括矽和鉬，以形成反射EUV光的多層堆疊。第4A圖描繪了第一靶205a在位置P1中的位置和靶205b在位置P2處的位置。在一些實施例中，上屏蔽件在第一屏蔽孔204a與第二屏蔽孔204b之間的區域207中包括凸起區域209。
在所示的實施例中，上屏蔽件206是圓形的，且第一屏蔽孔204a的中心在第一位置P1，而第二屏蔽孔204b的中心所在的第二位置P2是在從第一屏蔽孔204a的中心以箭頭261表示的逆時針方向上150度處。同樣地，靶205a的中心和中心205b在位置P1和P2處，它們彼此相距150度。在第4A圖中，第三靶205c和第四靶205d是虛擬靶，其被上屏蔽件206的平坦表面覆蓋並且以虛線示出其輪廓。
第4B圖示出了第一屏蔽孔204a的位置為位於第二靶205b上方，且第二屏蔽孔204b的位置為位於第四靶205d上方，第四靶205d是虛擬靶。屏蔽孔204a和204b已經從第4A圖的沉積位置逆時針旋轉了150度。第一屏蔽孔在位置P4處的位置在第四靶205d的上方，第四靶205d的中心位於與第一靶205a的中心成逆時針300度的位置。現在，第二屏蔽孔204b位於第二靶205b的上方，第二靶205b的中心位於與第一靶205a的中心成逆時針方向150度的位置。所屬技術領域具有通常知識者將理解，各個靶相對於它們各自的陰極組件的位置是固定的，而上屏蔽件206在靶上方旋轉。第4B圖是可在其中使用電漿清潔第二靶205b的清潔位置。以第4B圖中所示的方式，其中第二屏蔽孔204b被定位成暴露虛擬靶(第四靶205d)而第一屏蔽孔暴露第二靶205b，來清潔的優點是，可以在覆蓋第一靶205a(如由虛線所示)的同時進行第二靶的清潔，並且第一靶205a不會被從第二靶(與第一靶不同的材
料)去除污染物的清潔處理所污染。此外，作為虛擬靶的第四靶205d防止從第二靶205b清潔的材料行進穿過開放的屏蔽孔(第二屏蔽孔204b)並污染腔室，即頂適配器蓋273。
如由第4B圖的箭頭260所示，第4C圖示出了屏蔽孔204a和204b在逆時針旋轉60度之後的位置。在此位置，第二屏蔽孔，現已從第4A圖所示的沉積位置旋轉210度，現在是定位在第一靶205a上於位置P1，並且第一屏蔽孔204a現在定位在第三靶205c上，第三靶205c是虛擬靶。第二靶205b和第四靶205d，兩者都由虛線示出，現在被上屏蔽件覆蓋。在第4C圖所示的位置，第一靶205a透過第二屏蔽孔204b暴露，且第三靶205c透過第一屏蔽孔204a暴露。可以在清潔處理中以電漿清潔第一靶205a。
總結第4A圖-第4C圖，透過以所示的方式在多陰極腔室的周邊間隔開電極組件和相關的靶，並使用可旋轉的上屏蔽件，其包括在上屏蔽件的周邊彼此間隔開的兩個屏蔽孔如所示，第一靶205a和第二靶205b可以在PVD腔室中使用電漿處理來清潔。在一或多個實施例中，當第三靶205c和第四靶205d是不意圖作為沉積處理的一部分而被濺射的虛擬靶時，虛擬靶在清潔第一靶205a和第二靶205b期間防止了腔室的污染。在一些實施例中，虛擬靶包括側面和前表面(面對PVD腔室和PVD腔室中的基板的表面)，其經紋理化以確保在已經從第一靶205a和第二靶205b清潔的材料的大量沉積之後沒有顆粒產生。在一些實
施例中，透過電弧噴塗(arc spraying)來提供紋理化表面。
在所示的特定實施例中，上屏蔽件206是圓形的，且兩個屏蔽孔在上屏蔽件206的外周在屏蔽孔中心處間隔開，使得當上屏蔽件206相對於PVD腔室200旋轉時，屏蔽孔暴露兩個靶(任一沉積靶如第一靶205a和第二靶205b)。第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔在上屏蔽件206的外周上以其中心間隔開150度，並且在第4A圖中由箭頭261表示。
在所示的實施例中，至少四個陰極組件和陰極組件下方的靶圍繞PVD腔室頂適配器蓋273的外周間隔開，使得當上屏蔽件206旋轉時，每一次上屏蔽件旋轉就暴露兩個不同的靶。在第4A圖-第4C圖中，圓形的第二靶205b的中心，與也是圓形的第一靶205a的中心在逆時針方向上成150度。此外，圓形且是虛擬靶的第三靶205c的中心相對於第一靶205a的中心在逆時針方向上成210度，且圓形且是虛擬靶的第四靶205d的中心相對於第一靶在逆時針方向上成300度。透過以這樣的方式將靶佈置在頂適配器蓋273和上屏蔽件206上，其中上屏蔽件206具有屏蔽孔204a和204b的中心相隔250度，但是旋轉上屏蔽件206，第一靶205a和第二靶205b可以兩者均在沉積處理中被暴露，並接著在清潔處理中，第二靶205b和虛擬靶可以被暴露來清潔第二靶，而第一靶205a和另一虛擬靶可以被暴露來清潔第一靶205a，而其他沉積靶不受清潔靶的污染。
換言之，在一或多個實施例中，第三靶205c和第四靶205d相對於第一靶205a和第二靶205b定位，使得當上屏蔽件206處於第一位置時，第一靶205a透過第一屏蔽孔204a暴露且第二靶205b透過第二屏蔽孔204b暴露，並且第三靶205c和第四靶205d被上屏蔽件206覆蓋。當上屏蔽件206旋轉到第二位置時，第四靶205d透過第二屏蔽孔204b暴露，且第二靶205b透過第一屏蔽孔204a暴露。在一些實施例中，當上屏蔽件206旋轉到第三位置時，第一靶205透過第二屏蔽孔204b暴露，並且第四靶205d透過第一屏蔽孔204a暴露。
在另一個實施例中，物理氣相沉積(PVD)腔室200包括複數個陰極組件，此些陰極組件包括：第一陰極組件202a、及第二陰極組件202b、第三陰極組件、及第四陰極組件，第一陰極組件202a包括支撐包含鉬的第一靶205a的第一背板210a，第二陰極組件202b包括支撐包括矽的第二靶205b的第二背板210b，第三陰極組件包括支撐包含虛擬材料的第三靶205c的第三背板，第四陰極組件包括支撐包含虛擬材料的第四靶205d的第四背板。在此實施例中，上屏蔽件206在複數個陰極組件下方，其具有直徑D並置於上屏蔽件上以暴露第一靶205a的第一屏蔽孔204a，及直徑為D並置於上屏蔽件上以暴露第二靶205b的第二屏蔽孔204b，上屏蔽件206在第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之間具有平坦表面203，並且被配置為允許從第一靶205a和第二靶205b分別交替濺射鉬和矽材料
而沒有旋轉上屏蔽件206。在此實施例中，上屏蔽件206包括在兩個屏蔽孔之間的凸起區域207，此凸起區域的高度H大於一公分，且長度大於第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b的直徑D，其中上屏蔽件206可旋轉以允許第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b中之一者暴露第一靶205a以及暴露第三靶205c和第四靶205d中之一者。
在一些實施例中，第一陰極組件、第二陰極組件、第三陰極組件、和第四陰極組件中的每一個包括磁鐵，此磁鐵與第一背板以第一距離間隔開、與第二背板以第二距離間隔開、與第三背板以第三距離間隔開、及與第四背板以第四距離間隔開，每個磁鐵可移動以增大或減小第一距離、第二距離、第三距離、或第四距離中的每一者。減小第一距離、第二距離、第三距離、或第四距離可增加磁鐵產生的磁場強度。增加第一距離、第二距離、第三距離、或第四距離會減小磁鐵產生的磁場強度。
可以在PVD腔室200中使用DC濺射或RF濺射來完成電漿濺射。在一些實施例中，處理腔室包括用於將RF和DC能量耦合至與每個陰極組件相關的靶的饋送結構。對於陰極組件202a，饋送結構的第一端可以耦接到RF電源248a和DC電源250a，其可以分別用於向靶205a提供RF和DC能量。RF電源248a在249a中耦合到RF功率，而DC電源250a在251a中耦合到DC功率。例如，DC電源250a可以用於向靶305a施加負電壓或偏壓。在一些實施例中，由RF電源248a供應的RF能量的頻率範圍可以從約2
MHz到約60MHz，或者例如可以使用非限制性頻率，諸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、或60MHz。在一些實施例中，可以提供複數個RF電源(即，兩個或更多個)以提供複數個上述的頻率中的RF能量。
同樣地，對於陰極組件202b，饋送結構的第一端可以耦合到RF電源248b和DC電源250b，其可以分別用於向靶205b提供RF和DC能量。RF電源248b在249a中耦合到RF功率，而DC電源250b在251b中耦合到DC功率。例如，DC電源250b可用於向靶305b施加負電壓或偏壓。在一些實施例中，由RF電源248b供應的RF能量的頻率範圍可以從約2MHz到約60MHz，或者例如可以使用非限制性頻率，諸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz、或60MHz。在一些實施例中，可以提供複數個RF電源(即，兩個或更多個)以提供複數個上述的頻率中的RF能量。
儘管所示實施例包括用於陰極組件202a和202b的單獨的RF電源248a和248b，以及用於陰極組件202a和202b的單獨的DC電源250a和250b，但是PVD腔室可以包括具有饋送至每個陰極組件的單個RF電源和單個DC電源。
本揭示的另一態樣涉及一種在物理氣相沉積(PVD)腔室中沉積交替材料層的方法。在一個實施例中，方法包括將基板270放置在包括複數個陰極組件的PVD腔
室200中的步驟，此些陰極組件包括：第一陰極組件202a及第二陰極組件202b，第一陰極組件202a包括包含第一材料的第一靶205a，第二陰極組件202b包括包含與第一材料不同的第二材料的第二靶205b。方法進一步包括將上屏蔽件206佈置在複數個陰極組件下方的步驟，上屏蔽件具有直徑D1並置於在上屏蔽件206上以暴露第一靶205a的第一屏蔽孔204a和具有直徑D2並置於上屏蔽件206上以暴露第二靶205b的第二屏蔽孔204b，上屏蔽件206進一步包括在第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之間的平坦表面203以及在兩個屏蔽孔204a、204b之間的區域207中的凸起區域209，凸起區域209具有至少等於第一屏蔽孔的直徑D1和第二屏蔽孔的直徑D2的長度L。在一些實施例中，凸起區域207具有大於一公分的高度H。方法進一步包括交替地從第一靶204a和第二靶204b濺射材料而沒有旋轉上屏蔽件206的步驟，其中凸起區域防止第一材料污染第二靶並防止第二材料污染第一靶。
在方法的一些實施例中，PVD腔室進一步包括：第三靶205c及第四靶205d，第三靶205c包括虛擬材料，第四靶205d包括虛擬材料，且其中第三靶205c和第四靶205d相對於第一靶205a和第二靶205b定位，使得當上屏蔽件206處於第一位置時，第一靶205a透過第一屏蔽孔204a暴露，而第二靶205b透過第二屏蔽孔204b暴露，且在從第一靶205a和第二靶205b沉積交替的材料層的期間，第三靶205c和第四靶205d被上屏蔽件206覆蓋。
在方法的一些實施例中，方法進一步包括以下步驟：透過向第二靶施加磁場，此磁場大於在沉積交替的材料層期間施加的磁場，而來清潔沉積在第二靶205b上的第一材料。在一些實施例中，方法進一步包括以下步驟：透過向第一靶施加磁場，此磁場大於在沉積交替的材料層期間施加的磁場，而來清潔沉積在第一靶205a上的第二材料。
在一些實施例中，方法進一步包括以下步驟：在從第二靶205b清潔第一材料之前，將上屏蔽件206從第一位置旋轉到第二位置，第四靶205d透過第二屏蔽孔204b暴露且第二靶205b透過第一屏蔽孔204a暴露。在一或多個實施例中，方法包括以下步驟：將上屏蔽件206從第二位置旋轉到第三位置，以使得第一靶205a透過第二屏蔽孔204b暴露，而第四靶205d透過第一屏蔽孔204a暴露。在方法的特定實施例中，基板270包括極紫外(EUV)遮罩基材。在方法的特定實施例中，第一靶材料包括鉬且第二靶材料包括矽。在一些實施例中，方法進一步包括以下步驟：沉積多個交替的材料層，此多個交替的材料層包括包含鉬的第一層和包含矽的第二層。
根據本文所述的實施例，具有佈置在上屏蔽件中的第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔的上屏蔽件的好處包括能夠沉積不同材料的交替層而無需旋轉上屏蔽件的能力。在一些實施例中，在完成在基板上沉積多層堆疊的處理之
後，可以如上所述旋轉上屏蔽件以進行清潔操作，在此清潔操作中，屏蔽孔中之一個屏蔽孔位於虛擬靶上方。
在一些實施例中，所描述的方法透過使用控制器290在PVD腔室200中進行。可以有一個控制器或多個控制器。當存在多於一個控制器時，每個控制器與每個其他的控制器通訊以控制PVD腔室200的整體功能。例如，當利用多個控制器時，主控制處理器耦接到每個其他的控制器並與之通訊以控制系統。控制器是通用電腦處理器、微控制器、微處理器等任何形式中的一種，其可以在工業設置中用於控制各種腔室和子處理器。如本文所用，「與……通訊」是指控制器可以經由硬連線的通訊線路或無線地發送和接收訊號。
每個控制器可以包括處理器292、耦接到處理器的記憶體294、耦接到處理器292的輸入/輸出裝置、以及支持電路296和298以提供不同電子元件之間的通訊。記憶體包括暫時性記憶體(例如，隨機存取記憶體)和非暫時性記憶體(例如，儲存器)中的一或多個，且處理器的記憶體可以是容易獲得的記憶體中的一或多個，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的本地或遠端的數位儲存器。記憶體可以保留可由處理器操作以控制系統的參數和元件的指令集。支持電路耦接到處理器，用於以常規方式支持處理器。電路可以包括，例如，快取、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路、子系統等。
處理通常可以作為軟體常式儲存於記憶體中，軟體常式在由處理器執行時，使處理腔室實行本揭示的處理。軟體常式亦可由第二處理器儲存和/或執行，第二處理器位於由處理器控制的硬體的遠端。在一或多個實施例中，本揭示的方法的一些或全部是受控制的硬體。如此，在一些實施例中，處理是由軟體實施並且使用電腦系統執行、實施於硬體作為例如，特定應用積體電路或其他類型的硬體實施、或是作為軟體和硬體的組合。當由處理器執行時，軟體常式將通用電腦轉換成控制腔室操作以使處理被實行的專用電腦(控制器)。
在一些實施例中，控制器具有一或多種配置以執行單獨的處理或子處理以實行方法。在一些實施例中，控制器連接到並且經配置以操作中間元件以實行方法的功能。
本揭示所述的PVD腔室200和方法可在製造極紫外(EUV)遮罩基材中特別有用。EUV遮罩基材是用於形成具有遮罩圖案的反射遮罩的光學平坦結構。在一或多個實施例中，EUV遮罩基材的反射表面形成平坦焦平面，用於反射入射光，例如極紫外光。EUV遮罩基材包括對極紫外反射元件(例如EUV主光罩)提供結構支撐的基板。在一或多個實施例中，基板由具有低熱膨脹係數(CTE)的材料製成，以在溫度變化期間提供穩定性。根據一或多個實施例的基板是由諸如矽、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷、或其中之組合的材料所形成。
EUV遮罩基材包括多層堆疊，此堆疊是對極紫外光反射的結構。多層堆疊包括第一反射層和第二反射層的交替反射層。第一反射層和第二反射層形成反射對。在非限制實施例中，多層堆疊包括20至60個範圍的反射對，總共多達120個反射層。
第一反射層和第二反射層可以由多種材料形成。在實施例中，第一反射層和第二反射層分別由矽和鉬形成。多層堆疊透過具有不同光學特性的交替薄材料層來形成布拉格(Bragg)反射器或反射鏡，從而形成反射結構。例如，鉬和矽的交替層透過物理氣相沉積形成，例如，在本文所述的多陰極源腔室中。在一或多個實施例中，本文所述的腔室和方法可用於沉積20-60個反射對的鉬和矽的多層堆疊。具有兩個屏蔽孔的上屏蔽件的獨特結構使沉積的多層堆疊具有更少的缺陷。如本文所述的實施例中所佈置的具有包括虛擬靶的靶的多陰極佈置促進了鉬和矽的靶的清潔。
本文所述的PVD腔室200用於形成多層堆疊，以及覆蓋層和吸收層。例如，物理氣相沉積系統可以形成矽、鉬、氧化鈦、二氧化鈦、氧化釕、鈮氧化物、釕鎢、釕鉬、釕鈮、鉻、鉭、氮化物、化合物、或其組合的層。儘管一些化合物被描述為氧化物，但應理解，化合物可包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物、或其中之組合。
在整個說明書中參照至「一個實施例」、「某些實施例」、「一或多個實施例」、或「一實施例」意味著
與實施例相連描述的特定特徵、結構、材料、或特性是包括於本揭示的至少一個實施例中。因此，在貫穿本說明書中各處，例如「在一或多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在一個實施例中」、或「在一實施例中」的用語的出現不一定參照至本揭示的相同的實施例。此外，特定特徵、結構、材料或特性可以以任何合適的方式組合於一或多個實施例中。
儘管已參照特定實施例來描述本文的揭示內容，但應理解，這些實施例僅僅是本揭示的原理和應用的說明。對於所屬技術領域具有通常知識者將是顯而易見的是，在不脫離本揭示的精神和範疇的情況下，可以對本揭示的方法和設備進行各種修改和變化。因此，本揭示包括了在隨附申請專利範圍及其均等的範圍內的修改和變化，這是本文之意圖。
200:PVD腔室
202a:陰極組件
202b:陰極組件
203:內表面
204a:屏蔽孔
204b:屏蔽孔
205a:靶
205b:靶
206:上屏蔽件
207:區域
209:凸起區域
210:旋轉底座
210a:第一背板
210b:第二背板
211a:箭頭
211b:箭頭
213a:致動器
213b:致動器
215a:第一磁鐵組件
215b:第二磁鐵組件
216:中屏蔽件
217a:旋轉馬達
217b:旋轉馬達
218:下屏蔽件
219a:軸
219b:軸
220a:第一磁鐵
220b:第二磁鐵
221:內部空間
225:中間腔室主體
227:下腔室主體
248a:RF電源
248b:RF電源
250a:DC電源
250b:DC電源
270:基板
273:頂適配器蓋
290:控制器
292:處理器
294:記憶體
296:支持電路
298:支持電路
H:高度
d1:半徑
d2:半徑
Claims (11)
- 一種物理氣相沉積(PVD)腔室，包括：複數個陰極組件，該複數個陰極組件包括一第一陰極組件和一第二陰極組件，該第一陰極組件包括在一濺射處理期間支撐一第一靶的一第一背板，該第二陰極組件包括經配置以在一濺射處理期間支撐一第二靶的一第二背板；一上屏蔽件，該上屏蔽件在該複數個陰極組件下方，該上屏蔽件具有一第一屏蔽孔和一第二屏蔽孔，該第一屏蔽孔具有一直徑並位於該上屏蔽件上以暴露該第一陰極組件，該第二屏蔽孔具有一直徑並位於該上屏蔽件上以暴露該第二陰極組件，除了該第一屏蔽孔和該第二屏蔽孔之間的一區域之外，該上屏蔽件具有一平坦的內表面；以及一凸起區域，該凸起區域在該第一屏蔽孔和該第二屏蔽孔之間的該區域中，該凸起區域具有一高度與一長度，該高度距該平坦的內表面大於一公分，該長度大於該第一屏蔽孔的該直徑和該第二屏蔽孔的該直徑，其中該PVD腔室包含一控制器，該控制器經配置以控制該上屏蔽件的旋轉，並使得該腔室交替地濺射來自該第一靶和該第二靶的材料而沒有旋轉該上屏蔽件。
- 如請求項1所述之PVD腔室，其中，該凸起區域具有一高度，該高度足夠使得在一濺射處理期間，該凸起區域防止從該第一靶濺射出的材料被沉積在該第 二靶上，並防止從該第二靶濺射出的材料被沉積在該第一靶上。
- 如請求項1所述之PVD腔室，其中該第一陰極組件包括一第一磁鐵，該第一磁鐵以一第一距離與該第一背板間隔開，且該第二陰極組件包括一第二磁鐵，該第二磁鐵以一第二距離與該第二背板間隔開，其中該第一磁鐵和該第二磁鐵是可移動的，使得該第一距離可以改變且該第二距離可以改變。
- 如請求項3所述之PVD腔室，其中該第一磁鐵和該第二磁鐵經配置成移動以減小該第一距離和該第二距離來增加由該第一磁鐵和該第二磁鐵產生的磁場強度，並經配置成移動以增大該第一距離和該第二距離來減小由該第一磁鐵和該第二磁鐵產生的磁場強度。
- 如請求項3所述之PVD腔室，其中該第一靶包括一鉬靶且該第二靶包括一矽靶，該矽靶與該第一靶鄰接，該PVD腔室進一步包括一第三陰極組件和一第四陰極組件，該第三陰極組件包括用以在一濺射處理期間支撐一第三靶的一第三背板，該第三靶與該第二靶鄰接，該第四陰極組件包括經配置以支撐一第四靶的一第四背板，該第四靶與該第一靶及該第三靶鄰接。
- 如請求項5所述之PVD腔室，其中該第三靶包括一虛擬靶，且該第四靶包括一虛擬靶。
- 如請求項6所述之PVD腔室，其中該第三靶和該第四靶相對於該第一靶和該第二靶定位，使得當 該上屏蔽件處於一第一位置時，該第一靶透過該第一屏蔽孔暴露且該第二靶透過該第二屏蔽孔暴露，且該第三靶和該第四靶由該上屏蔽件覆蓋，而當該上屏蔽件旋轉到一第二位置時，該第四靶透過該第二屏蔽孔暴露，且該第二靶透過該第一屏蔽孔暴露。
- 如請求項7所述之PVD腔室，其中當該上屏蔽件旋轉到一第三位置時，該第一靶透過該第二屏蔽孔暴露，且該第四靶透過該第一屏蔽孔暴露。
- 一種物理氣相沉積(PVD)腔室，包括：複數個陰極組件，該複數個陰極組件包括：一第一陰極組件、一第二陰極組件、一第三陰極組件、及一第四陰極組件，該第一陰極組件包括支撐包含鉬的一第一靶的一第一背板，該第二陰極組件包括支撐包含矽的一第二靶的一第二背板，該第三陰極組件包括支撐包含一虛擬材料的一第三靶的一第三背板，該第四陰極組件包括支撐包含一虛擬材料的一第四靶的一第四背板；一上屏蔽件，該一上屏蔽件在該複數個陰極組件下方，該上屏蔽件具有一第一屏蔽孔和一第二屏蔽孔，該第一屏蔽孔具有一直徑並置於該上屏蔽件上以暴露該第一靶，該第二屏蔽孔具有一直徑並置於該上屏蔽件上以暴露該第二靶，該上屏蔽件在除了該第一屏蔽孔和該第二屏蔽孔之間的一區域外具有一平坦表面，該PVD腔室包含一控制器，該控制器經配置以旋轉該上屏蔽件並允許鉬和矽材料從該第一靶和該第二靶分別交替濺射，而沒有 旋轉該上屏蔽件；以及一凸起區域，該凸起區域在該第一屏蔽孔和該第二屏蔽孔之間的該區域中，該凸起區域具有大於一公分的一高度，且具有大於該第一屏蔽孔和該第二屏蔽孔的該直徑的一長度，其中該上屏蔽件可旋轉以允許該第一屏蔽孔在該屏蔽件旋轉至不同的旋轉位置時暴露該第一靶、該第二靶與該第三靶，並允許該第二屏蔽孔在該屏蔽件旋轉至該等不同的旋轉位置時暴露該第四靶和該第一靶。
- 如請求項9所述之PVD腔室，其中該第一陰極組件包含一第一磁鐵，該第二陰極組件包含一第二磁鐵，該第三陰極組件包含一第三磁鐵且該第四陰極組件包括一第四磁鐵，該第一磁鐵與該第一背板以一第一距離間隔開，該第二磁鐵與該第二背板以一第二距離間隔開，該第三磁鐵與該第三背板以一第三距離間隔開，及該第四磁鐵與該第四背板以一第四距離間隔開，該第一磁鐵、該第二磁鐵、該第三磁鐵與該第四磁鐵中的每個磁鐵可移動以增大或減小該第一距離、該第二距離、該第三距離、或該第四距離中的每一者。
- 如請求項10所述之PVD腔室，其中減小該第一距離、該第二距離、該第三距離、或該第四距離來各別增大由該第一磁鐵、該第二磁鐵、該第三磁鐵與該第四磁鐵產生的磁場強度，且增大該第一距離、該第二距離、該第三距離、或該第四距離來降低由該磁鐵產生 的磁場強度。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200532041A (en) * | 2003-12-12 | 2005-10-01 | Applied Materials Inc | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
| TW200537239A (en) * | 2004-02-19 | 2005-11-16 | Shinetsu Chemical Co | Preparation of halftone phase shift mask blank |
| CN1900351A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 亚升技术公司 | 单处理室淀积系统 |
Family Cites Families (116)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4832781A (zh) | 1971-09-02 | 1973-05-02 | ||
| US4410407A (en) | 1981-12-22 | 1983-10-18 | Raytheon Company | Sputtering apparatus and methods |
| JPS6029956A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Kyocera Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6376325A (ja) | 1987-06-30 | 1988-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜 |
| JPH02159374A (ja) | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Ube Ind Ltd | イオンビームスパッタリング方法 |
| JPH02243762A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-27 | Hitachi Ltd | スパッタ装置 |
| JP3018648B2 (ja) * | 1991-10-03 | 2000-03-13 | 株式会社ニコン | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 |
| DE19508405A1 (de) | 1995-03-09 | 1996-09-12 | Leybold Ag | Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar |
| US6042706A (en) * | 1997-01-14 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition |
| JPH11302841A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Victor Co Of Japan Ltd | スパッタ装置 |
| US6323131B1 (en) | 1998-06-13 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Passivated copper surfaces |
| US6132566A (en) | 1998-07-30 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma |
| US6562522B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-05-13 | Intel Corporation | Photomasking |
| US6583068B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
| US6396900B1 (en) | 2001-05-01 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application |
| US6740209B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-05-25 | Anelva Corporation | Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media |
| US6606199B2 (en) | 2001-10-10 | 2003-08-12 | Honeywell International Inc. | Graded thickness optical element and method of manufacture therefor |
| DE10155112B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-02 | Infineon Technologies Ag | Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür |
| US6733640B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc | Shutter assembly having optimized shutter opening shape for thin film uniformity |
| EP1333323A3 (en) | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
| US6589398B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-07-08 | Novellus Systems, Inc. | Pasting method for eliminating flaking during nitride sputtering |
| KR100815671B1 (ko) | 2002-04-11 | 2008-03-20 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 |
| US6835503B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks |
| US6641899B1 (en) | 2002-11-05 | 2003-11-04 | International Business Machines Corporation | Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same |
| US6913706B2 (en) | 2002-12-28 | 2005-07-05 | Intel Corporation | Double-metal EUV mask absorber |
| US6908713B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-06-21 | Intel Corporation | EUV mask blank defect mitigation |
| JP2005139549A (ja) | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Olympus Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子 |
| JP2005281832A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置および該マグネトロンスパッタリング装置に用いるカソード |
| US20060024589A1 (en) | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Siegfried Schwarzl | Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography |
| US7407729B2 (en) | 2004-08-05 | 2008-08-05 | Infineon Technologies Ag | EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof |
| EP1791168A1 (en) | 2004-09-17 | 2007-05-30 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for euv lithography and method for producing same |
| US8575021B2 (en) | 2004-11-22 | 2013-11-05 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing including a masking layer |
| US20060237303A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-26 | Hoya Corporation | Sputtering target, method of manufacturing a multilayer reflective film coated substrate, method of manufacturing a reflective mask blank, and method of manufacturing a reflective mask |
| US20060231388A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Ravi Mullapudi | Multi-station sputtering and cleaning system |
| FR2884965B1 (fr) | 2005-04-26 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase |
| US7432201B2 (en) | 2005-07-19 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Hybrid PVD-CVD system |
| US20070068794A1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-03-29 | Barret Lippey | Anode reactive dual magnetron sputtering |
| KR20070036519A (ko) | 2005-09-29 | 2007-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반사형 마스크 |
| JP2007107888A (ja) | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び縮小投影露光装置 |
| JP4652946B2 (ja) | 2005-10-19 | 2011-03-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| JP2008109060A (ja) | 2005-11-10 | 2008-05-08 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20080001023A (ko) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
| JP2008026093A (ja) | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Canon Inc | 多層膜反射鏡およびその製造方法 |
| TWI427334B (zh) | 2007-02-05 | 2014-02-21 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件 |
| JP5194888B2 (ja) | 2007-09-27 | 2013-05-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法 |
| JP5541159B2 (ja) | 2008-07-14 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| DE102008042212A1 (de) | 2008-09-19 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN102216489B (zh) * | 2008-10-30 | 2014-03-12 | 佳能安内华股份有限公司 | 多层膜溅射设备及多层膜形成方法 |
| US8587662B1 (en) | 2008-11-06 | 2013-11-19 | Target Brands, Inc. | Theft trend analysis and response |
| KR101095681B1 (ko) | 2008-12-26 | 2011-12-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
| EP2264460A1 (en) | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Nxp B.V. | Device having self-assembled-monolayer |
| JP5766393B2 (ja) | 2009-07-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2011097041A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-05-12 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
| KR101625382B1 (ko) | 2010-04-29 | 2016-05-30 | (주)에스앤에스텍 | 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
| CN102947759B (zh) | 2010-06-15 | 2016-03-02 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于euv光刻的掩模、euv光刻系统和用于优化掩模的成像的方法 |
| TWI554630B (zh) | 2010-07-02 | 2016-10-21 | 應用材料股份有限公司 | 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法 |
| CN103210515B (zh) | 2010-09-15 | 2015-06-03 | 株式会社理光 | 机电转换器件及其制造方法及液滴排出头和液滴排出设备 |
| US20140007935A1 (en) | 2010-11-19 | 2014-01-09 | University Of Delaware | Hybrid dielectric-metallic back reflector for photovoltaic applications |
| JP6013720B2 (ja) | 2010-11-22 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| US8426085B2 (en) | 2010-12-02 | 2013-04-23 | Intermolecular, Inc. | Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier |
| JP2012149339A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法 |
| US20130062610A1 (en) | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Andrew Clark | Lattice matched crystalline reflector |
| WO2013077430A1 (ja) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
| JP2013120868A (ja) | 2011-12-08 | 2013-06-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法 |
| US8691476B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-04-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and method for forming the same |
| KR20140104045A (ko) * | 2011-12-22 | 2014-08-27 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | SrRuO3 막 증착 방법 |
| KR20130085774A (ko) | 2012-01-20 | 2013-07-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Ｅｕｖ 마스크 |
| CN104169456B (zh) * | 2012-03-14 | 2016-06-08 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅镀装置 |
| WO2013152921A1 (en) | 2012-04-12 | 2013-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus |
| US8658333B2 (en) | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
| US8765331B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography |
| US8932785B2 (en) | 2012-10-16 | 2015-01-13 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits |
| DE112013005734B4 (de) * | 2012-11-30 | 2022-02-03 | Canon Anelva Corporation | Sputtergerät und Substratbearbeitungsgerät |
| US9146458B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EUV mask |
| US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
| US9812303B2 (en) | 2013-03-01 | 2017-11-07 | Applied Materials, Inc. | Configurable variable position closed track magnetron |
| US9135499B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-09-15 | Tyco Fire & Security Gmbh | Predictive theft notification for the prevention of theft |
| US20140254001A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Globalfoundries Inc. | Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making |
| US9298081B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-03-29 | Globalfoundries Inc. | Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making |
| US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
| US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
| US9564348B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-02-07 | Applied Materials, Inc. | Shutter blade and robot blade with CTE compensation |
| US9091947B2 (en) | 2013-07-19 | 2015-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof |
| US9134604B2 (en) | 2013-08-30 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask |
| JP2015086438A (ja) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US9261774B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity |
| US10279488B2 (en) | 2014-01-17 | 2019-05-07 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US9329597B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-05-03 | Knightscope, Inc. | Autonomous data machines and systems |
| US9195132B2 (en) | 2014-01-30 | 2015-11-24 | Globalfoundries Inc. | Mask structures and methods of manufacturing |
| US11183375B2 (en) | 2014-03-31 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof |
| KR20160002332A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| US9581889B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| US9739913B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof |
| US9581890B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
| US9612522B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
| US9709884B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV mask and manufacturing method by using the same |
| US9471866B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-10-18 | Tyco Fire and Securtiy GmbH | Anti-theft system used for customer service |
| TWI694304B (zh) | 2015-06-08 | 2020-05-21 | 日商Ａｇｃ股份有限公司 | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底 |
| KR101829604B1 (ko) | 2015-08-17 | 2018-03-29 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법 |
| US10468238B2 (en) * | 2015-08-21 | 2019-11-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for co-sputtering multiple targets |
| WO2017035008A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for co-sputtering multiple targets |
| US9673042B2 (en) | 2015-09-01 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers |
| US20170092533A1 (en) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor |
| US10163629B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low vapor pressure aerosol-assisted CVD |
| US10431440B2 (en) * | 2015-12-20 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
| US9791771B2 (en) | 2016-02-11 | 2017-10-17 | Globalfoundries Inc. | Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure |
| CN117334560A (zh) | 2016-03-03 | 2024-01-02 | 应用材料公司 | 利用间歇性空气-水暴露的改良自组装单层阻挡 |
| US10061191B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High durability extreme ultraviolet photomask |
| TWI730139B (zh) | 2016-07-27 | 2021-06-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法 |
| TWI821984B (zh) | 2016-07-27 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料及製造極紫外線遮罩坯料的方法 |
| JP2018085332A (ja) | 2016-11-11 | 2018-05-31 | 三菱ケミカル株式会社 | 多孔質電極基材及び、ガス拡散層、及びガス拡散電極とその製造方法 |
| US11011357B2 (en) | 2017-02-21 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing |
| US10704139B2 (en) | 2017-04-07 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering |
| JP6729508B2 (ja) | 2017-06-29 | 2020-07-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| US10504705B2 (en) | 2017-09-15 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering |
| TWI821300B (zh) | 2018-06-19 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有護罩座的沉積系統 |
-
2020
- 2020-02-14 TW TW109104625A patent/TWI818151B/zh active
- 2020-02-26 US US16/801,621 patent/US11542595B2/en active Active
- 2020-02-27 KR KR1020217030987A patent/KR102698914B1/ko active Active
- 2020-02-27 WO PCT/US2020/020029 patent/WO2020180582A1/en not_active Ceased
- 2020-02-27 JP JP2021549623A patent/JP7274594B2/ja active Active
- 2020-02-27 SG SG11202108042UA patent/SG11202108042UA/en unknown
- 2020-02-27 CN CN202080014494.2A patent/CN113439130B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200532041A (en) * | 2003-12-12 | 2005-10-01 | Applied Materials Inc | Compensation of spacing between magnetron and sputter target |
| TW200537239A (en) * | 2004-02-19 | 2005-11-16 | Shinetsu Chemical Co | Preparation of halftone phase shift mask blank |
| CN1900351A (zh) * | 2005-07-20 | 2007-01-24 | 亚升技术公司 | 单处理室淀积系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113439130B (zh) | 2024-03-08 |
| SG11202108042UA (en) | 2021-09-29 |
| CN113439130A (zh) | 2021-09-24 |
| TW202100779A (zh) | 2021-01-01 |
| JP2022522423A (ja) | 2022-04-19 |
| US20200277696A1 (en) | 2020-09-03 |
| WO2020180582A1 (en) | 2020-09-10 |
| US11542595B2 (en) | 2023-01-03 |
| KR20210121298A (ko) | 2021-10-07 |
| KR102698914B1 (ko) | 2024-08-23 |
| JP7274594B2 (ja) | 2023-05-16 |
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| Publication | Publication Date | Title |
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