TWI814151B - 顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置包括驅動背板及多個發光元件。驅動背板包括多個畫素驅動電路及導電層。導電層具有多個導電圖案,分別電性連接至多個畫素驅動電路。多個發光元件分別電性連接至多個導電圖案。多個發光元件包括第一發光元件及第二發光元件。多個導電圖案包括分別電性連接至第一發光元件及第二發光元件的第一導電圖案及第二導電圖案。第一發光元件的頂面與第一導電圖案具有第一距離。第二發光元件的頂面與第二導電圖案具有第二距離。第二距離大於第一距離。
Description
本發明是有關於一種光電裝置,且特別是有關於一種顯示裝置。
隨著顯示技術的演進,具有高解析與薄型化的顯示裝置受到主流市場的喜愛。近幾年來,由於發光二極體(Light-Emitting Diode;LED)元件的製程技術的突破,已發展出可將發光二極體元件以陣列排列製作出的微型發光二極體顯示裝置(Micro-LED display)或毫米等級的發光二極體顯示裝置等,其不需要設置液晶層(Liquid crystal)及彩色濾光片(Color filter),而能進一步減少顯示裝置的厚度。此外,相較於有機發光二極體顯示裝置,微型發光二極體顯示裝置具有更省電、壽命更長的優勢。
在目前微型發光二極體顯示裝置的製作過程中,需透過巨量轉移(Mass transfer)將大量的發光二極體元件轉置於驅動背板上。被轉置於驅動背板的發光二極體元件可能有少部分異常,異常的發光二極體元件需被移除。然後,再將修補用的發光二極體元件轉置於驅動背板上,以完成修補動作。然而,在進行修補動作時,拾取修補用之發光二極體元件的轉置元件卻會壓傷原本已轉置於驅動背板上且正常的發光二極體元件,影響微型發光二極體顯示裝置的良率。
本發明提供一種顯示裝置,易修補。
本發明提供另一種顯示裝置,也易修補。
本發明一實施例的顯示裝置包括驅動背板及多個發光元件。驅動背板包括基底、設置於基底上的多個畫素驅動電路及導電層。導電層具有多個導電圖案,其中多個導電圖案分別電性連接至多個畫素驅動電路。多個發光元件分別電性連接至多個導電圖案,其中每一發光元件具有背向基底的頂面。多個發光元件包括第一發光元件及第二發光元件。多個導電圖案包括第一導電圖案及第二導電圖案。第一發光元件及第二發光元件分別電性連接至第一導電圖案及第二導電圖案。第一發光元件的頂面與第一導電圖案具有第一距離。第二發光元件的頂面與第二導電圖案具有第二距離,且第二距離大於第一距離。
本發明另一實施例的顯示裝置包括驅動背板及多個發光元件。驅動背板包括基底、設置於基底上的多個畫素驅動電路及接墊層。接墊層具有多個接墊組,其中多個接墊組分別電性連接至多個畫素驅動電路。多個發光元件分別電性連接至多個接墊組。多個發光元件包括第一發光元件及第二發光元件。多個接墊組包括第一接墊組及第二接墊組。第一發光元件及第二發光元件分別電性連接至第一接墊組及第二接墊組。第二接墊組的至少一接墊與基底的距離大於第一接墊組的至少一接墊與基底的距離。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
請參照圖1A,顯示裝置10包括驅動背板100。驅動背板100包括基底110。舉例而言,在本實施例中,基底110的材質可以是玻璃、石英、有機聚合物、或是其它可適用的材料。
顯示裝置10還包括多個畫素驅動電路SPC,設置於基底110上的。舉例而言,在本實施例中,每一畫素驅動電路SPC可包括資料線(未繪示)、掃描線(未繪示)、電源線(未繪示)、共通線(未繪示)、第一電晶體(未繪示)、第二電晶體T2及電容(未繪示),其中第一電晶體的第一端電性連接至資料線,第一電晶體的控制端電性連接至掃描線,第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體T2的控制端T2c,第二電晶體T2的第一端T2a電性連接至電源線,且電容電性連接至第一電晶體的第二端及第二電晶體T2的第一端T2a;但本發明不以此為限。
驅動背板100還包括導電層130,具有多個導電圖案131、132,其中多個導電圖案131、132分別電性連接至多個畫素驅動電路SPC。舉例而言,在本實施例中,多個導電圖案131、132的每一者可電性連接至對應一畫素驅動電路SPC的第二電晶體T2的第二端T2b,但本發明不以此為限。
在本實施例中,導電層130例如是透明導電層,其包括金屬氧化物,例如:銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層,但本發明不以此為限。
驅動背板100還包括接墊層140,具有多個接墊組141、142。多個接墊組141、142分別電性連接至多個畫素驅動電路SPC。每一接墊組141、142包括多個接墊140a,每一接墊組141、142的一個接墊140a電性連接至多個導電圖案131、132之中對應的一個,每一接墊組141、142的另一接墊140a電性連接至對應的一畫素驅動電路SPC的共通線(未繪示)。
在本實施例中,導電層130可設置於多個畫素驅動電路SPC上;驅動背板100還可包括介電層120,設置於導電層130與多個畫素驅動電路SPC之間。在本實施例中,接墊層140設置於導電層130上,驅動背板100還可包括另一介電層150,設置於接墊層140與導電層130之間。在本實施例中,介電層120、150的材料可為無機材料(例如:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述的組合。
顯示裝置10還包括多個發光元件LED,其中每一發光元件LED具有背向基底110的頂面LEDa。在本實施例中,每一發光元件LED包括晶粒D、多個電極240及多個導電凸塊250,晶粒D包括第一型半導體層210、第二型半導體層220及設置於第一型半導體層210與第二型半導體層220之間的主動層230,多個電極240分別電性連接至第一型半導體層210及第二型半導體層220,且多個導電凸塊250分別電性連接至多個電極240。每一發光元件LED的多個導電凸塊250分別電性連接至對應的一個接墊組141或142的多個接墊140a。
多個發光元件LED分別電性連接至多個導電圖案131、132。詳細而言,在本實施例中,多個發光元件LED分別電性連接至多個接墊組141、142,且多個接墊組141、142分別電性連接至多個導電圖案131、132。在本實施例中,發光元件LED可包括微型發光二極體(μLED),但本發明不以此為限。
請參照圖1A及圖1B,在本實施例中,可對顯示裝置10進行檢測,以檢測已轉置於驅動背板100上的發光元件LED是否正常。正常的發光元件LED(即第一發光元件LED1)會被保留在驅動背板100上,而異常的發光元件(未繪示)則會被移除。之後,再將修補用的發光元件LED(即第二發光元件LED2)轉置到驅動背板100且令修補用的發光元件LED與驅動背板100電性連接。
值得注意的是,在本實施例中,相較於被保留在驅動背板100之正常的發光元件LED(即第一發光元件LED1),修補用的發光元件LED(即第二發光元件LED2)還包括色轉換圖案260,其中第二發光元件LED2的色轉換圖案260設置於第二發光元件LED2的晶粒D上。
利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2本身具有色轉換圖案260,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖1B及圖1C,在完成上述修補動作後,可在驅動背板100上形成封裝層300,以覆蓋第一發光元件LED1及第二發光元件LED2,並完成修補後的顯示裝置10’。顯示裝置10’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第一發光元件LED1的晶粒D具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2包括晶粒D及色轉換圖案260,第二發光元件LED2的色轉換圖案260設置於第二發光元件LED2的晶粒D上,第二發光元件LED2的色轉換圖案260具有第二發光元件LED2的頂面LEDa,且第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的頂面LEDa及第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a直接接觸於封裝層300。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重述。
圖2A至圖2C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖2A至圖2C的顯示裝置10A、10A’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖2A至圖2C的發光元件LED與圖1A至圖1C的發光元件LED不同。
請參照圖2A,具體而言,在本實施例中,正常而被保留在驅動背板100上的第一發光元件LED包括晶粒D及色轉換圖案260,其中第一發光元件LED1的色轉換圖案260設置於第一發光元件LED1的晶粒D上;修補用的第二發光元件LED2包括晶粒D及透光圖案270,其中第二發光元件LED2的透光圖案270設置於第二發光元件LED2的晶粒D上。
值得注意的是,第二發光元件LED2的透光圖案270的厚度T270大於第一發光元件LED1的色轉換圖案260的厚度T260。請參照圖2A及圖2B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的透光圖案270較厚,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖2C,修補後的顯示裝置10A’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10A’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的透光圖案270具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的色轉換圖案260具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的色轉換圖案260的頂面260a與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的透光圖案270的頂面270a與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的透光圖案270的頂面270a與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的色轉換圖案260的頂面260a與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的色轉換圖案260的頂面260a及第二發光元件LED2的透光圖案270的頂面260a直接接觸於封裝層300。
舉例而言,在本實施例中,第一發光元件LED1的晶粒D及第二發光元件LED2的晶粒D均是用以發出相同之第一色光(例如:藍光),第一發光元件LED1的色轉換圖案260用以將第一色光(例如:藍光)轉換為第二色光(例如:紅光或綠光),第二發光元件LED2的透光圖案270使第一色光(例如:藍光)通過而不轉換第一色光的顏色,但本發明不以此為限。
圖3A至圖3C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖3A至圖3C的顯示裝置10B、10B’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖3A至圖3C的多個發光元件LED與圖1A至圖1C的多個發光元件LED不同。
請參照圖3A,具體而言,在本實施例中,正常而被保留在驅動背板100上的第一發光元件LED包括晶粒D及色轉換圖案260,其中第一發光元件LED1的色轉換圖案260設置於第一發光元件LED1的晶粒D上;修補用的第二發光元件LED2也包括晶粒D及色轉換圖案260,其中第二發光元件LED2的色轉換圖案260設置於第二發光元件LED2的晶粒D上。
值得注意的是,修補用的第二發光元件LED2的色轉換圖案260的厚度T260-2大於第一發光元件LED1的色轉換圖案260的厚度T260-1。請參照圖3A及圖3B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的色轉換圖案260較厚,因此,轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖3C,修補後的顯示裝置10B’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的色轉換圖案260具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的色轉換圖案260具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的色轉換圖案260的頂面260a與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的色轉換圖案260的頂面260a與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的色轉換圖案260的頂面260a及第二發光元件LED2的色轉換圖案260的頂面260a直接接觸於封裝層300。
舉例而言,在本實施例中,第一發光元件LED1的晶粒D及第二發光元件LED2的晶粒D均是用以發出相同之第一色光(例如:藍光),第一發光元件LED1的色轉換圖案260用以將第一色光(例如:藍光)轉換為第二色光(例如:紅光),第二發光元件LED2的色轉換圖案260用以將第一色光(例如:藍光)轉換為第三色光(例如:綠光),但本發明不以此為限。
圖4A至圖4C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖4A至圖4C的顯示裝置10C、10C’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖4A至圖4C的多個發光元件LED與圖1A至圖1C的多個發光元件LED不同。
請參照圖4A,具體而言,在本實施例中,第二發光元件LED2的多個導電凸塊250的至少一者的厚度T250-2大於第一發光元件LED1的多個導電凸塊250的至少一者的厚度T250-1。請參照圖4A及圖4B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的導電凸塊250較厚,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖4C,修補後的顯示裝置10C’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10C’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da及第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da直接接觸於封裝層300。
圖5A至圖5C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖5A至圖5C的顯示裝置10D、10D’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖5A至圖5C的多個發光元件LED與圖1A至圖1C的多個發光元件LED不同。
請參照圖5A,具體而言,在本實施例中,第二發光元件LED2的第一型半導體層210的厚度T210-2大於第一發光元件LED1的第一型半導體層210的厚度T210-1。請參照圖5A及圖5B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的第一型半導體層210較厚,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖5C,修補後的顯示裝置10D’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10D’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da及第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da直接接觸於封裝層300。
圖6A至圖6C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖6A至圖6C的顯示裝置10E、10E’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖6A至圖6C的多個發光元件LED與圖1A至圖1C的多個發光元件LED不同。
請參照圖6A,具體而言,在本實施例中,修補用的第二發光元件LED1的主動層230的厚度T230-2大於第一發光元件LED1的主動層230的厚度T230-1。請參照圖6A及圖6B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的主動層230較厚,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖6C,修補後的顯示裝置10E’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10E’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da及第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da直接接觸於封裝層300。
圖7A至圖7C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖7A至圖7C的顯示裝置10F、10F’與圖1A至圖1C的顯示裝置10、10’類似,兩者的差異在於:圖7A至圖7C的多個發光元件LED與圖1A至圖1C的多個發光元件LED不同。
請參照圖7A,具體而言,在本實施例中,修補用之第二發光元件LED的多個電極240的至少一者的厚度T240-2大於第一發光元件LED1的多個電極240的至少一者的厚度T240-1。請參照圖7A及圖7B,藉此,利用轉置元件1將修補用的第二發光元件LED2轉置到驅動背板100上時,由於第二發光元件LED2的電極240較厚,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖7C,修補後的顯示裝置10F’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10F’的驅動背板100的多個導電圖案131、132包括第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一導電圖案131及第二導電圖案132,第一發光元件LED1的頂面LEDa與第一導電圖案131具有第一距離D1,第二發光元件LED2的頂面LEDa與第二導電圖案132具有第二距離D2,且第二距離D2大於第一距離D1。
在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D具有第二發光元件LED的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D具有第一發光元件LED1的頂面LEDa,第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131具有第一距離D1,且第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132具有第二距離D2。也就是說,在本實施例中,第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da與第二導電圖案132的距離(即第二距離D2)大於第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da與第一導電圖案131的距離(即第一距離D1),其中第一發光元件LED1的晶粒D的頂面Da及第二發光元件LED2的晶粒D的頂面Da直接接觸於封裝層300。
前述之圖1A至圖1C、圖2A至圖2C、圖3A至圖3C、圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖6A至圖6C及圖7A至圖7C的第二發光元件LED2可用以原地修補或異地修補。
圖8A至圖8C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖8A至圖8C的顯示裝置10G與圖1A至圖1C的顯示裝置10類似,兩者的差異在於:圖8A至圖8C之實施例的驅動背板100G與圖1A至圖1C之實施例的驅動背板100不同。
請參照圖8A,具體而言,在本實施例中,驅動背板100G的介電層120,設置於接墊層140與基底110之間。特別是,介電層120包括平坦部121及凸出於平坦部121的凸部122。在本實施例中,驅動背板100F之平坦部121所在區域是用以設置首次被轉置於驅動背板100F上的第一發光元件LED1,驅動背板100F之凸部122所在區域是用以異地修補。
請參照圖8A,可對顯示裝置10G進行檢測,以檢測已轉置於驅動背板100G上的發光元件LED是否正常。正常的發光元件LED(即第一發光元件LED1)會被保留在驅動背板100G上,而現異常的發光元件(未繪示)則會被移除。之後,再將修補用的發光元件LED(即第二發光元件LED2)轉置到驅動背板100G且令修補用的發光元件LED與驅動背板100電性連接。
值得注意的是,在本實施例中,修補用的第二發光元件LED2是被轉置到介電層120的凸部122上,因此,當轉置元件1下壓,以使第二發光元件LED2與驅動背板100連接時,轉置元件1不易壓傷被保留在驅動背板100上之正常的第一發光元件LED1。
請參照圖8B及圖8C,在完成上述修補動作後,可驅動背板100G上形成封裝層300,以覆蓋第一發光元件LED1及第二發光元件LED2,並完成修補後的顯示裝置10G’。請參照圖8C,顯示裝置10G’之修補用的第二發光元件LED2重疊於介電層120的凸部122,而顯示裝置10G’的第一發光元件LED1重疊於介電層120的平坦部121。顯示裝置10G’的多個發光元件LED包括第一發光元件LED1及第二發光元件LED2。顯示裝置10G’的多個接墊組141、142包括第一接墊組141及第二接墊組142,第一發光元件LED1及第二發光元件LED2分別電性連接至第一接墊組141及第二接墊組142,第二接墊組142的至少一接墊140a與基底110的距離A2大於第一接墊組141的至少一接墊140a與基底110的距離A1。
在本實施例中,具有凸部122的介電層120可選擇性位於導電層130與多個畫素驅動電路SPC之間,第二導電圖案132可位於介電層120的凸部122上,第一導電圖案132可位於介電層120的平坦部121上,而第二導電圖案132與基底110的距離B2可大於第一導電圖案131與基底110的距離B1,但本發明不以此為限。在其它實施例中,也可使用其它膜層(例如:介電層150)形成用以設置異地修補之第二發光元件LED2的凸部。
10、10’、10A、10A’、10B、10B’、10C、10C’、10D、10D’、10E、10E’、10F、10F’、10G、10G’:顯示裝置
100、100G:驅動背板
110:基底
120、150:介電層
121:平坦部
122:凸部
130:導電層
131、132:導電圖案
140:接墊層
140a:接墊
141、142:接墊組
210:第一型半導體層
220:第二型半導體層
230:主動層
240:電極
250:導電凸塊
260:色轉換圖案
260a、270a、Da、LEDa:頂面
270:透光圖案
300:封裝層
A1、A2、B1、B2:距離
D:晶粒
D1:第一距離
D2:第二距離
LED、LED1、LED2:發光元件
SPC:畫素驅動電路
T2:第二電晶體
T2a:第一端
T2b:第二端
T2c:控制端
T210-1、T210-2、T230-1、T230-2、T240-1、T240-2、T250-1、T250-2、T260、T260-1、T260-2、T270:厚度
圖1A至圖1C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖2A至圖2C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖3A至圖3C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖4A至圖4C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖5A至圖5C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖6A至圖6C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖7A至圖7C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
圖8A至圖8C示出本發明一實施例之顯示裝置的修補過程。
10’:顯示裝置
100:驅動背板
110:基底
120、150:介電層
130:導電層
131、132:導電圖案
140:接墊層
140a:接墊
141、142:接墊組
210:第一型半導體層
220:第二型半導體層
230:主動層
240:電極
250:導電凸塊
260:色轉換圖案
260a、Da、LEDa:頂面
300:封裝層
D:晶粒
D1:第一距離
D2:第二距離
LED、LED1、LED2:發光元件
SPC:畫素驅動電路
T2:第二電晶體
T2a:第一端
T2b:第二端
T2c:控制端
Claims (4)
- 一種顯示裝置,包括:一驅動背板,包括:一基底;多個畫素驅動電路,設置於該基底上;以及一導電層,具有多個導電圖案,其中該些導電圖案分別電性連接至該些畫素驅動電路;以及多個發光元件,分別電性連接至該些導電圖案,其中每一發光元件具有背向該基底的一頂面;該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件,該些導電圖案包括一第一導電圖案及一第二導電圖案,該第一發光元件及該第二發光元件分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案,該第一發光元件的該頂面與該第一導電圖案具有一第一距離,該第二發光元件的該頂面與該第二導電圖案具有一第二距離,且該第二距離大於該第一距離;每一發光元件包括一第一型半導體層、一第二型半導體層、設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間的一主動層和分別電性連接至該第一型半導體層及該第二型半導體層的多個電極;該第二發光元件的該些電極的至少一者的厚度大於該第一發光元件的該些電極的至少一者的厚度。
- 一種顯示裝置,包括:一驅動背板,包括: 一基底;多個畫素驅動電路,設置於該基底上;以及一導電層,具有多個導電圖案,其中該些導電圖案分別電性連接至該些畫素驅動電路;以及多個發光元件,分別電性連接至該些導電圖案,其中每一發光元件具有背向該基底的一頂面;該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件,該些導電圖案包括一第一導電圖案及一第二導電圖案,該第一發光元件及該第二發光元件分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案,該第一發光元件的該頂面與該第一導電圖案具有一第一距離,該第二發光元件的該頂面與該第二導電圖案具有一第二距離,且該第二距離大於該第一距離;其中每一發光元件包括一第一型半導體層、一第二型半導體層、設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間的一主動層、分別電性連接至該第一型半導體層及該第二型半導體層的多個電極和分別電性連接至該些電極的多個導電凸塊;該第二發光元件的該些導電凸塊的至少一者的厚度大於該第一發光元件的該些導電凸塊的至少一者的厚度。
- 一種顯示裝置,包括:一驅動背板,包括:一基底;多個畫素驅動電路,設置於該基底上;以及 一導電層,具有多個導電圖案,其中該些導電圖案分別電性連接至該些畫素驅動電路;以及多個發光元件,分別電性連接至該些導電圖案,其中每一發光元件具有背向該基底的一頂面;該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件,該些導電圖案包括一第一導電圖案及一第二導電圖案,該第一發光元件及該第二發光元件分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案,該第一發光元件的該頂面與該第一導電圖案具有一第一距離,該第二發光元件的該頂面與該第二導電圖案具有一第二距離,且該第二距離大於該第一距離;每一發光元件包括一第一型半導體層、一第二型半導體層和設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間的一主動層;該第二發光元件的該第一型半導體層的厚度大於該第一發光元件的該第一型半導體層的厚度。
- 一種顯示裝置,包括:一驅動背板,包括:一基底;多個畫素驅動電路,設置於該基底上;以及一導電層,具有多個導電圖案,其中該些導電圖案分別電性連接至該些畫素驅動電路;以及多個發光元件,分別電性連接至該些導電圖案,其中每一發光元件具有背向該基底的一頂面; 該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件,該些導電圖案包括一第一導電圖案及一第二導電圖案,該第一發光元件及該第二發光元件分別電性連接至該第一導電圖案及該第二導電圖案,該第一發光元件的該頂面與該第一導電圖案具有一第一距離,該第二發光元件的該頂面與該第二導電圖案具有一第二距離,且該第二距離大於該第一距離;每一發光元件包括一第一型半導體層、一第二型半導體層和設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間的一主動層;該第二發光元件的該主動層的厚度大於該第一發光元件的該主動層的厚度。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110144075A TWI814151B (zh) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 顯示裝置 |
| CN202210345067.3A CN114678389B (zh) | 2021-11-25 | 2022-03-31 | 显示装置 |
| US17/991,842 US20230163110A1 (en) | 2021-11-25 | 2022-11-21 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW110144075A TWI814151B (zh) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 顯示裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202322084A TW202322084A (zh) | 2023-06-01 |
| TWI814151B true TWI814151B (zh) | 2023-09-01 |
Family
ID=82077002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110144075A TWI814151B (zh) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 顯示裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230163110A1 (zh) |
| CN (1) | CN114678389B (zh) |
| TW (1) | TWI814151B (zh) |
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