TWI888405B - 用於極紫外線光源之裝置及用於目標材料供應系統之支撐結構 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種裝置，其包括：一套管；一主體，其包括一第一主體壁及一第二主體壁；以及一支撐結構，其包括一第一支撐部分及一第二支撐部分。該第一主體壁在一第一方向上延伸，該第二主體壁在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，該套管之一第一部分穿過該第二主體壁中之一開口，該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁，且該套管之一第二部分經組態以在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時穿過該第二支撐部分。該套管之一內部及該主體之一內部經組態以接收熔融的目標材料，且該目標材料在處於一電漿狀態中時發射極紫外線(EUV)光。

Description

用於極紫外線光源之裝置及用於目標材料供應系統之支撐結構

本發明係關於一種噴嘴裝置。噴嘴裝置可用以產生極紫外線(EUV)光源中的目標。

噴嘴裝置可用以產生流體材料流或射流。舉例而言，噴嘴裝置可用以產生轉換成發射極紫外線(EUV)光之電漿的目標物。

EUV光，例如波長為100奈米(nm)或更小(有時亦稱為軟x射線)且包括波長為例如20nm或更小、介於5與20nm之間或介於13與14nm之間的光之電磁輻射可用於光微影程序中，以藉由在抗蝕劑層中發起聚合而在基板(例如矽晶圓)中產生極小特徵。用以產生EUV光之方法包括但未必限於在電漿狀態中利用在EUV範圍內之發射譜線來轉換包括例如氙、鋰或錫之元素之材料。在常常被稱為雷射產生電漿(LPP)之一種此類方法中，可藉由利用可被稱為驅動雷射之經放大光束來輻照例如呈材料的小滴、板、帶、流或叢集之形式的目標材料而產生所需電漿。對於此程序，通常在例如真空腔室之密封容器中產生電漿，且使用各種類型之度量衡設備來監測電漿。

在一個態樣中，一種裝置包括：一套管，其具有一內部寬度及在一端部處之一開口，該內部寬度介於0.1毫米(mm)與0.8mm之間，且該開口具有介於1.0微米(μm)與5μm之間的一寬度；一機電致動器，其與該套管接觸且經組態以將機械運動施加於該套管中，該機械運動至少包括介於40千赫茲(kHz)與100kHz之間的一第一頻率分量以及比該第一頻率分量具有一更高頻率的一第二頻率分量；一主體，其包括一第一主體壁及一第二主體壁；以及一支撐結構，其包括一第一支撐部分及一第二支撐部分。該第一主體壁在一第一方向上延伸，該第二主體壁在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，該套管之一第一部分穿過該第二主體壁中之一開口，該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁，且該套管之一第二部分經組態以在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時穿過該第二支撐部分。該套管之一內部及該主體之一內部經組態以接收熔融的目標材料，且該目標材料在處於一電漿狀態中時發射極紫外線(EUV)光。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該第二支撐部分可包括界定一支撐開口之一端壁，且該套管之該第二部分可經組態以在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時穿過該支撐開口。該支撐開口可包括一倒角開口，且在此等實施方案中，在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該套管之該第二部分的一外部表面由該倒角開口捕捉。第二支撐部分亦可包括經組態以控制該套管與該第二支撐部分之間的一機械耦接的一調整機構。該第一支撐部分可自經組態以附接至該第一主體壁之一第一端部延伸，且該第一支撐部分可包括自該第一端部延伸之複數個分段。該複數個分段可包括一剛性叉指及至少一個可撓性叉指。該調整機構可穿過該 剛性叉指，且該調整機構可經組態以定位該第二支撐部分以藉此控制該套管與該第二支撐部分之間的機械耦接。一開口可處於該複數個分段中之每一者之間。該調整機構可與該第一支撐部分及該端壁實體接觸，且該調整機構可經組態以移動該端壁以控制該套管與該第二支撐部分之間的該機械耦接。該端壁可包括一第一材料，且該裝置亦可包括包圍該支撐開口之一第二材料之一套圈，且該第二材料可比該第一材料更柔軟。該第一材料可包括一金屬，且該第二材料可包括一聚合物。該聚合物可為聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮、聚苯并咪唑樹脂或鐵氟龍(Teflon)。該第一材料可包括一金屬，且該第二材料可包括一黏著劑材料。該黏著劑材料可為雙順丁烯二醯亞胺樹脂或氰酸酯類樹脂。

該裝置亦可包括一灌封化合物，且在此等實施方案中，在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該第一支撐部分及該端壁界定容納該灌封化合物之一內部支撐區。在一些實施方案中，該灌封化合物並未完全地填充該內部支撐區。該灌封化合物可佔據更接近於該主體而非該端壁的該內部支撐區之一第一部分，而更接近於該端壁而非該主體的該內部支撐區之一第二部分不具有任何灌封化合物。該灌封化合物可為一黏著劑。該黏著劑可為以下中之至少一者：一雙順丁烯二醯亞胺類黏著劑、一苯并

類黏著劑、一氰酸酯類黏著劑、一室溫硫化(RTV)黏著劑或一高溫環氧樹脂黏著劑。在一些實施方案中，該套管穿過該第二支撐部分中之該支撐開口，且該套管不與該第二支撐部分機械接觸。在此等實施方案中，該第二支撐部分經組態以保護灌封材料免受在該目標材料處於一電漿狀態中時發射的電漿損害。

該第一支撐部分可為一剛性材料。該第一支撐部分可包括 一金屬。該第一支撐部分可包括一可撓性材料。

該支撐結構可處於該主體與該機電致動器之間。

在一些實施方案中，在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該機電致動器可由該第一支撐部分包圍。

該第一支撐部分可經組態以附接至該第一主體壁之一外部。

該第二頻率分量可為該第一頻率分量之一諧波或由該機電致動器應用於該套管之另一頻率的一諧波。

該第一支撐部分可包括一或多個開口，該一或多個開口沿著該第一支撐部分之一第一端部與該第一支撐部分之一第二端部之間的該第一支撐部分之一側延伸。

在另一態樣中，一種裝置包括：一套管；一主體，其包括一第一主體壁及一第二主體壁；以及一支撐結構，其包括一第一支撐部分及一第二支撐部分。該第一主體壁在一第一方向上延伸，該第二主體壁在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，該套管之一第一部分穿過該第二主體壁中之一開口，該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該套管之一第二部分穿過該第二支撐部分。

在另一態樣中，一種用於一極紫外線光源之裝置包括：一套管，其包括具有自一第一端部延伸至一第二端部之一長度的一側壁；一致動器，其機械地耦接至該側壁之一外部；一主體，其包括一第一主體壁及一第二主體壁；以及一配件，其安置於該主體之一端部處，該配件包括一通道。該側壁之一第一部分固持於該第二主體壁中之一開口處，該側壁 之一第二部分安置於該通道中，該致動器處於該配件與該套管之該第二端部之間，且大約該側壁之該長度的一半由該主體包圍。

超過該側壁之該長度的一半可由該主體包圍。

在另一態樣中，一種用於一極紫外線光源之裝置包括：一套管，其包括自一第一端部延伸至一第二端部的一側壁；一致動器，其機械地耦接至該側壁之一外部；一主體，其包括一第一主體壁及一第二主體壁；以及一配件，其安置於該主體之一端部處，該配件包括一通道及一套圈，其中該側壁之一部分處於該通道中，且該套圈處於該側壁之該部分與該配件之間。

實施方案可包括以下特徵中之一或多者。該裝置亦可包括連接至該配件且環繞該側壁之一外部的具有一聚合物材料薄層的一金屬導線，且該導線可經組態以減少該套管之振動。該聚合物材料層可形成該金屬導線上的一塗層。該裝置亦可包括一支撐結構，該支撐結構包括一第一支撐部分及一第二支撐部分，該第一支撐部分可經組態以附接至該第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該套管穿過該第二支撐部分。該第二支撐部分可經組態以保護該聚合物層免受該EUV光源中之電漿損害。在一些實施方案中，該第二支撐部分不與該套管機械接觸。

該套圈可延伸超出該配件。

在另一態樣中，一種用於一目標材料供應系統之支撐結構包括一第一支撐部分及一第二支撐部分。該第一支撐部分經組態以附接至該目標材料供應系統之一第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該目標材料供應系統之一套管穿過該第二支撐部分。

該目標材料供應系統可經組態以耦接至一極紫外線光源之 一真空腔室。

上文所描述之技術中之任一者的實施方案可包括EUV光源、系統、方法、程序、器件或裝置。一或多個實施方案之細節闡述於以下隨附圖式及描述中。其他特徵將自描述及圖式以及自申請專利範圍而顯而易見。

100:EUV光源

105:光學源

106:光束

107:光學路徑

109:真空腔室

110:供應系統

112:儲集器

114:毛細管

119:孔口

121:目標流

121p:目標

124:射流

123:電漿形成位置

140:噴嘴裝置

190:控制系統

192:控制鏈路

193:致動器

196:電漿

214:毛細管

216:目標形成裝置

219:孔口

230:側壁

231:第一端部

232:第二端部

233:內部表面

234:黏著劑

235:噴嘴

236:內部致動器表面

237:部分

238:內部區

239:外部表面

293:致動器

295:外部致動器表面

314:毛細管

319:孔口

330:側壁

331:端部

332:端部

340:噴嘴裝置

350:主體

351:內部

352:第一主體壁

354:第二主體壁

355:開口

356:外部表面

357:端部

360:支撐結構

362:第一支撐部分

363:內部表面

364:第二支撐部分

365:開口

367:端部

368:端部

381:距離

387:內徑

388:外徑

389:通道

440:噴嘴裝置

460:支撐結構

462:第一支撐部分

464:第二支撐部分

493:致動器

494:配件

540:噴嘴裝置

560:支撐結構

561:內側

562:第一支撐部分

563:內側

564:第二支撐部分

565:開口

565':倒角邊緣

566:尖端

567:端部

640:噴嘴裝置

660:支撐結構

662:第一支撐部分

664:第二支撐部分

665:開口

667:端部

668:端部

669:調整機構

671:接觸部分

672a:開口

672b:開口

672c:開口

672d:開口

676a:可撓性叉指

676b:可撓性叉指

676c:可撓性叉指

679:剛性叉指

691:基座部分

740:噴嘴裝置

760:支撐結構

762:第一支撐部分

764:第二支撐部分

765:開口

767:端部

768:端部

770:套圈

773:外部部分

840:噴嘴裝置

860:支撐結構

874:灌封化合物

877:封閉空間

940:噴嘴裝置

981:距離

1040:噴嘴裝置

1078:支撐套圈

1081:距離

1183:金屬導線

1240:噴嘴裝置

1260:支撐結構

1262:第一支撐部分

1264:第二支撐部分

1265:開口

1267:端部

1314:毛細管

1330:側壁

1331:端部

1332:端部

1340:噴嘴裝置

1350:主體

1352:第一主體壁

1354:第二主體壁

1355:開口

1387:內徑

1388:外徑

1389:通道

1393:致動器

1394:配件

1400:光源

1405:電漿形成位置

1407:內部

1410:經放大光束

1414:目標混合物

1415:雷射系統

1420:光束輸送系統

1422:聚焦總成

1424:度量衡系統

1425:供應系統

1426:目標材料遞送控制系統

1427:目標材料供應裝置

1430:真空腔室

1435:收集器鏡面

1440:孔隙

1445:中間位置

1450:開放式中空圓錐形護罩

1455:主控制器

1456:小滴位置偵測回饋系統

1457:雷射控制系統

1458:光束控制系統

1460:目標或小滴成像器

1465:光源偵測器

1470:光源偵測器

1475:導引雷射

1560:支撐結構

1562:第一支撐部分

1563:內部表面

1564:第二支撐部分

1565:開口

1567:端部

1568:端部

1572a:開口

1572b:開口

1572c:開口

1572d:開口

1576a:叉指

1576b:叉指

1576c:叉指

1576d:叉指

2B'-2B':線

6B-6B':線

7B-7B':線

圖1為極紫外線(EUV)光源之實施方案之方塊圖。

圖2A為目標形成裝置之側視截面圖。

圖2B為圖2A之目標形成裝置之俯視橫截面圖。

圖3A至圖3D、圖4、圖5、圖6A、圖6B、圖6C、圖7A、圖7B、圖8至圖12、圖13A、圖13B及圖15展示噴嘴裝置之各個實施方案及/或組件的各個態樣。

圖14為另一EUV光源之方塊圖。

參考圖1，展示包括供應系統110之EUV光源100的方塊圖。供應系統110發射目標流121以使得目標121p遞送至真空腔室109中之電漿形成位置123。目標121p包括目標材料，其為在處於電漿狀態中時發射EUV光的任何材料。舉例而言，目標材料可包括水、錫、鋰及/或氙。電漿形成位置123接收光束106。光束106由光學源105產生且經由光學路徑107遞送至真空腔室109。光束106與目標121p中之目標材料之間的相互作用產生發射EUV光的電漿196。

供應系統110包括以流體方式耦接至儲集器112之毛細管114。毛細管114由噴嘴裝置140固持。毛細管114界定孔口119，材料流動 穿過該孔口119以形成目標流121。噴嘴裝置140經組態以減少、減輕或防止毛細管114之非故意之振動。非故意之振動可能導致目標流121中的指向不穩定性，使得目標並不在預期方向上行進。此不穩定性導致目標並不導向至預期位置以供進一步處理。在EUV光源(諸如圖1之光源100)的實例中，指向不穩定性可使目標121p行進至除最佳電漿形成位置123之位置以外的位置，從而導致電漿產生減少或無電漿產生且導致EUV光產生減少或無EUV光產生。因此，需要減少或消除毛細管114之非故意之振動。

圖3A至圖3D、圖4、圖5、圖6A、圖6B、圖6C、圖7A、圖7B、圖8至圖12、圖13A、圖13B及圖15展示噴嘴裝置140之各個實施方案及/或噴嘴裝置140之組件。在論述噴嘴裝置140之各個實施方案之前提供EUV光源100及供應系統110之概述。EUV光源100為可使用噴嘴裝置140之系統之實例。然而，噴嘴裝置140及其各個實施方案中之任一者可用於除EUV光源以外的系統中。

在圖1的實例中，毛細管114機械地耦接至致動器193，其經由控制鏈路192連接至控制系統190。控制系統190可包括函數產生器、電子處理器(圖中未示)及電子儲存器(圖中未示)以進行控制系統190之功能。控制鏈路192為能夠將電子信號自控制系統190傳送至致動器193的任何類型連接。舉例而言，控制鏈路192可為經組態以將電子信號及命令自控制系統190傳輸至致動器193的有線及/或無線連接。

控制系統190生成信號，該等信號在應用於致動器193或應用於與致動器193相關聯的元件時使致動器193移動。舉例而言，致動器193可為基於所施加電壓來改變形狀之壓電陶瓷材料。施加至致動器193之電壓之量值及/或極性係基於來自控制系統190之信號。歸因於毛細管 114與致動器193之間的機械耦接，在致動器193移動或振動時，毛細管114經歷對應的運動或振動。由致動器193施加之振動通常為有意振動。更特定言之，致動器之徑向收縮導致毛細管局部收縮，且致動器之擴展導致毛細管局部擴展。此擴展及收縮導致在位於毛細管之內部的目標材料中形成處於所施加電信號之頻率下的聲波。

儲集器112容納處於壓力P下之目標材料。目標材料處於熔融狀態中且能夠流動，且真空腔室109中之壓力低於壓力P。熔融狀態可包括熔融的金屬目標材料。因此，目標材料流動穿過毛細管114且穿過孔口119發射至腔室109中。目標材料作為目標材料之射流或連續流124流出孔口119。目標材料之射流分離為單獨小滴。可藉由使毛細管114振動以及在毛細管114之內部形成聲波來控制射流124之分離，使得單獨小滴聚結為以所要速率到達電漿形成位置123的更大的小滴。

舉例而言，控制系統190可經由控制鏈路192提供至少具有第一頻率及第二頻率的信號，以藉此驅動致動器193在第一及第二頻率下振動。第一頻率可處於兆赫茲(MHz)範圍內。使毛細管114在第一頻率下振動使得射流124分離為具有所要大小及速度的相對較小小滴。第二頻率低於第一頻率。舉例而言，第二頻率可處於千赫茲(kHz)範圍內。第二頻率用於調變流中之小滴的流速且促進目標聚結。在第二頻率下驅動毛細管114使得形成小滴群組。在小滴之任何給定群組中，各種小滴在不同流速下行進。具有較高流速的小滴可與具有較低流速的小滴聚結以形成構成用於EUV源之目標流121的更大的聚結小滴。此等更大的小滴比未聚結小滴彼此分隔開更大的距離。較大的分隔度有助於減輕由一個目標形成之電漿對液滴流中之後續目標之軌跡的影響。目標流121中之目標可為具有約30 μm之直徑的近似球形。

藉由使毛細管114以此方式振動，可產生處於介於例如40至300kHz之間的頻率之最終目標且該等最終目標可以介於例如40與120米/秒(m/s)之間或至多500m/s的流速朝著電漿形成位置123行進。目標流121中之兩個相鄰目標之間的空間分隔度可介於例如1至3毫米(mm)之間。50與300個初始小滴(亦稱為瑞立小滴(Rayleigh droplet))可聚結以形成單個更大目標。

因此，毛細管114有意地移動或振動，且此有意運動或振動經控制以促進目標材料之聚結且控制目標產生之速率。有意振動及/或環境效應可能導致毛細管114之其他非故意之懸臂型振動。噴嘴裝置140在允許有意振動的同時減少或消除非故意之振動。在更詳細地論述噴嘴裝置140之實例之前論述毛細管114及致動器193之實例。

圖2A為X-Z平面中之目標形成裝置216之側視橫截面圖。圖2B為沿著圖2A之線2B'-2B'截取的Y-Z平面中之目標形成裝置216之俯視橫截面圖。

目標形成裝置216可用於EUV光源100(圖1)中。目標形成裝置216包括毛細管214，其藉由黏著劑234(展示於交叉影線陰影中)機械地耦接至致動器293。舉例而言，黏著劑234可為環氧樹脂、苯并

樹脂、含有苯并

之樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂或含有氰酸酯之樹脂。儘管圖2A及圖2B之實例包括黏著劑234，但致動器293及毛細管214可藉由直接接觸(例如干涉配合或藉由使用緊固件)耦接且不使用黏著劑。

毛細管214包括側壁230，其沿著X方向自第一端部231延 伸至第二端部232。側壁230為通常呈圓柱形之三維物體。側壁230包括內部表面233及外部表面239。內部表面233界定在第一端部231處與噴嘴235流體連通的內部區238(圖2B)。噴嘴235沿著-X方向變窄以界定孔口219。在操作性使用中，內部區238以流體方式耦接至目標材料之儲集器(諸如圖1之儲集器112)，且熔融的目標材料在毛細管214之內部區238中流動且在-X方向上穿過孔口219。

在圖2A及圖2B的實例中，致動器293為具有外部致動器表面295及內部致動器表面236的圓柱體。內部致動器表面236界定沿著X方向延伸的開放中心區。內部致動器表面236完全包圍外部表面239之部分237(圖2A)。部分237包括外部表面239之由致動器293包圍的任何部分。部分237可自第一端部231延伸至第二端部232，或部分237可沿著X方向延伸小於側壁230之整個長度。在圖2A的實例中，部分237在X方向上延伸小於側壁230之整個長度。致動器293藉由黏著劑234機械地耦接至部分237。

致動器293由能夠使側壁230移動的任何材料製成。致動器293可為機電致動器。舉例而言，致動器293可為回應於電壓之施加而改變形狀的壓電陶瓷材料，諸如鋯鈦酸鉛(PZT)。藉由改變形狀，PZT亦使得毛細管214移動。致動器293藉由週期性徑向收縮及擴展使得毛細管214之壁對稱位移。

圖3A至圖3D展示噴嘴裝置340。噴嘴裝置340為噴嘴裝置140(圖1)之一實施方案。圖3A為X-Z平面中之噴嘴裝置340之側視橫截面圖。噴嘴裝置340包括主體350及支撐結構360。

主體350包括第一主體壁352及連接至第一主體壁352之第 二主體壁354。第一主體壁352在X方向上延伸。第二主體壁354在Y方向上延伸。支撐結構360包括第一支撐部分362及連接至第一支撐部分362之第二支撐部分364。第一支撐部分362在X方向上自端部367延伸至端部368。第二主體壁354界定開口355。第二支撐部分364界定開口365。噴嘴裝置340、主體350及支撐結構360為三維結構。在圖3A至圖3D的實例中，第一主體壁352及第一支撐部分362通常為圓柱形結構。第二主體壁354及第二支撐部分364為界定各別開口355及365之盤片形狀的物體。

主體350界定內部351，其可以流體方式連接至儲集器(諸如圖1之儲集器112)以使得內部351經由與端部357相對之端部自儲集器接收流體(諸如目標材料)。第二主體壁354支撐及提供圍繞毛細管314之外部的密封部分。該密封部分為高壓密封部分，其將毛細管314接合至第二主體壁354且允許在主體350之內部351中維持高壓環境。該密封部分可為例如壓縮密封部分，其包括可擴展及可壓縮材料(諸如聚合物)，且/或密封部分可藉由黏著劑形成。噴嘴裝置340亦包括配件494，其附接至第一主體壁352之端部357。配件494可為壓縮配件。配件494可藉由例如黏著劑或藉由干涉配合附接至端部357。在一些實施方案中，配件494包括螺紋且附接至端部357之對應帶螺紋接口。配件494包括一直穿過配件494的通道389。在噴嘴裝置340呈組裝形式(諸如圖3A中所展示)時，毛細管314穿過通道389及開口355、365。第二支撐部分364在端部331附近固持毛細管314。圖3A展示呈組裝狀態之噴嘴裝置340。圖3C為呈未組裝狀態之主體350之側視圖。圖3D為呈未組裝狀態之支撐結構360之側視圖。在未組裝狀態中，主體350及支撐結構360並未彼此附接。

在噴嘴裝置340經組裝時，支撐結構360附接至主體350之 端部357。特定言之，內部表面363之處於第一支撐部分362之端部368的一部分附接至第一主體壁352之外部表面356。第一主體壁352及第一支撐部分362可如下彼此附接：藉由例如內部表面363與外部表面356之間的干涉配合，結合外部表面356與內部表面363之黏著劑，藉由諸如緊固件之機械器件，藉由帶螺紋接口，或藉由能夠將支撐結構360固定至主體350的任何其他方式。

另外，在噴嘴裝置340經組裝時，毛細管314穿過開口355及365。毛細管314包括通常沿著X方向自端部331延伸至端部332的側壁。側壁330通常為圓柱形且具有內徑387及外徑388。內徑387可為例如約0.1毫米(mm)、約0.3mm、約0.5mm或約0.8mm。外徑388可為例如約0.25mm，大於內徑387。內徑387及外徑388可沿著毛細管314之長度(在圖3A中沿著X方向)基本上為均一的。毛細管314之內徑387及外徑388可朝著孔口319逐漸變細(例如圖2A之實施方案中所展示)。孔口319在Y-Z平面中之直徑可為1至5微米(μm)，例如約1μm、約3μm或約5μm。毛細管314包括在端部331處之孔口319。孔口319允許目標材料自毛細管314流出。毛細管314穿過開口365。在圖3A中所展示的實例中，端部332相對接近於開口355，使得毛細管之沿著X軸之長度的僅一小部分(例如小於約10%)延伸至內部351中。在一些實施方案中，端部332與開口355齊平。

圖3B展示具有毛細管314之Y-Z平面中之第二支撐部分364。開口365可相對於Y-Z平面中之端部368之中心偏心或位移。使開口365偏心可有助於在毛細管314與第二支撐部分364之間提供更多可靠機械接觸。

主體350可由剛性材料製成。舉例而言，主體350可由金屬 製成。支撐結構360可由剛性材料製成。舉例而言，第一支撐部分362及第二支撐部分364可由固體金屬或剛性聚合物材料製成。在一些實施方案中，第一支撐部分362及/或第二支撐部分364由非剛性或可撓性材料製成。非剛性材料或可撓性材料為回應於施加力彎曲或撓曲而不斷裂且在移除力之後返回至其初始形狀及位置的材料。

第二支撐部分364在端部331附近將毛細管314固持及支撐於開口365中。毛細管在-X方向上自開口355至開口365延伸距離381。在不具有支撐結構360的情況下，毛細管314將在不具有除藉由主體350提供之支撐以外的支撐的情況下延伸距離381。在不具有支撐結構360的情況下，在-X方向上自開口355延伸之毛細管314之部分充當具有距離381的懸臂。在此類組態(不具有支撐結構360)中，毛細管314回應於施加力或環境振動而經歷Y-Z平面中之偏轉。偏轉之幅值隨著距離381增大而增大。此等偏轉導致Y-Z平面中之毛細管314之非所需振動，且此等非所需振動可稱為非所需橫向振動。

另一方面，藉由在端部331附近固持及支撐毛細管314，毛細管314之未經支撐長度減小。因此，支撐結構360減少、減輕或防止毛細管314之非故意之振動。非故意之振動可為由處於毛細管314附近之移動物件引起的Y-Z平面中之橫向振動。舉例而言，非故意之振動可源自機械地耦接至毛細且因此正傳送振動之處於毛細管314附近的移動物件。移動物件可包括例如真空泵、流體線路及/或風扇。另外，由移動物件引起之振動可與有意振動(諸如由耦接至毛細管314之致動器(諸如圖2A及圖2B之致動器293)引起的振動)組合且以非預期方式強調有意振動。換言之，非故意之振動可由環境因素及/或由有意振動之修改而導致。最終，非所 需振動可由經由系統對非所需橫向振動之非線性機械回應藉由致動器施加至毛細管314的有意振動之能量之傳送引起。

圖4為X-Z平面中之噴嘴裝置440之側視橫截面圖。噴嘴裝置440為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置440與噴嘴裝置340(圖3A至圖3D)類似，不同之處在於噴嘴裝置440包括致動器493。致動器493與致動器293(圖2A及圖2B)類似。致動器493處於配件494與第二支撐部分364之間。

在操作性使用中，致動器493經控制以使毛細管314以有意方式振動。舉例而言，致動器493可經控制以對毛細管314施加正弦波、方波、鋸齒形波及/或任何其他時變波以使得毛細管314振動。致動器493可經控制以基於作為一或多個時變信號的組合的時變信號而使毛細管314振動。舉例而言，致動器493可經控制以基於具有50kHz之頻率的脈衝波或具有50kHz之頻率的正弦波及具有500kHz之頻率的脈衝波(或方波)來使毛細管314振動。在致動器493對毛細管314施加正弦波的實施方案中，正弦波具有例如40kHz至100kHz之基本頻率。

在致動器493施加並非正弦波之時變信號的實施方案中，所施加信號施加具有複數個頻率分量之振動，該複數個頻率分量包括基本頻率及彼基本頻率之諧波。基本頻率之諧波以基本頻率之整數倍數出現。舉例而言，具有100kHz之基本頻率的所施加脈衝波具有在200kHz、300kHz、400kHz等下之諧波。對於毛細管314基於在50kHz下之正弦波及在500kHz下之脈衝波的組合而振動之以上提供的實例，有意振動包括在50kHz下之基本頻率分量且亦包括在500kHz、1MHz、1.5MHz等下之頻率分量。

除了此等有意振動以外，非故意之振動亦可由環境因素及/或致動器493之非故意之振動而導致。藉由在端部331附近固持毛細管314，非故意之振動減少。

圖5為X-Y平面中之噴嘴裝置540之側視橫截面圖。噴嘴裝置540包括主體350及支撐結構560。支撐結構560可由剛性材料製成，該剛性材料諸如金屬材料、剛性聚合物材料或陶瓷材料。噴嘴裝置540與噴嘴裝置440(圖4)類似，不同之處在於支撐結構560包括具有開口565之第二支撐部分564，該開口565具有以一角度自第二支撐部分564之內側561延伸至尖端566的倒角或傾斜邊緣565'。

第二支撐部分564在Y-Z平面中延伸且連接至第一支撐部分562之端部567。尖端566在端部331附近固持毛細管314之一部分。倒角邊緣565'及第二支撐部分564經定向以使得倒角邊緣565'朝著端部331延伸，且尖端566處於端部331與內側561之間。因此，尖端566固持接近於端部331之毛細管314且減少非所需振動。

圖6A為X-Y平面中之噴嘴裝置640之側視橫截面圖。噴嘴裝置640包括主體350及支撐結構660。在噴嘴裝置640經組裝(如圖6A中所展示)時，毛細管314延伸穿過支撐結構660中之開口355及開口665。

噴嘴裝置640與噴嘴裝置540(圖5)及噴嘴裝置440(圖4)類似，不同之處在於噴嘴裝置640之支撐結構660包括相較於支撐結構460之第一支撐部分462及第二支撐部分464以及支撐結構560之第一支撐部分562及第二支撐部分564具有不同特徵的第一支撐部分662及第二支撐部分664。圖6B自藉由線6B-6B'指示之角度展示Y-Z平面中之支撐結構660。圖6C展示支撐結構660之透視圖。

第一支撐部分662在X方向上自端部667延伸至端部668。第一支撐部分662包括三個可撓性叉指676a、676b、676c及一個剛性叉指6790676a、676b、676c及剛性叉指679統稱為分段。可撓性叉指676a、676b、676c及剛性叉指679中之每一者在X方向上自端部667延伸至端部668。可撓性叉指676a、676b、676c及剛性叉指679中之每一者圍繞端部667彼此間隔開以界定四個各別開口672a、672b、672c、672d。開口672a、672b、672c、672d穿過第一支撐部分662之外部表面。圖6A至圖6C中所展示的支撐結構660包括三個可撓性叉指676a、676b、676c。然而，在其他實施方案中，第一支撐部分662可包括比三個可撓性叉指更多或更少個可撓性叉指。

剛性叉指679由剛性材料製成。舉例而言，剛性叉指679及基座部分691可由固體金屬或剛性聚合物材料製成。可撓性叉指676a、676b、676c由回應於施加力彎曲或撓曲而不斷裂且在移除力之後返回至其初始形狀及位置的可撓性材料製成。

第二支撐部分664包括調整機構669(用灰色陰影展示)及界定開口665之接觸部分671。第二支撐部分664在端部667處連接至第一支撐部分662且在Y-Z平面中延伸。調整機構669在Z方向上穿過第一支撐部分662之剛性叉指679且與接觸部分671接觸。調整機構669可為例如固定螺釘或調整螺釘。

接觸部分671及第二支撐部分664可由耐久材料製成，該耐久材料諸如金屬材料。在一些實施方案中，第二支撐部分664及接觸部分671由諸如聚合物之非剛性材料製成。調整機構669可在噴嘴裝置640之製造期間設定為例如製造程序之最終步驟。在其他實施方案中，調整機構 669經組態以在現場及在製造程序完成之後調整。

調整機構669可在-Z及Z方向上移動。在Z方向上移動調整機構669使接觸部分671與毛細管314實體接觸。隨著調整機構669在Z方向上移動，調整機構669在Z方向上移動第二支撐部分664。可撓性叉指676a、676b、676c在端部667處彎曲且隨著調整機構669在Z方向上移動而在Z方向上移動，從而允許接觸部分671移動至與毛細管314實體接觸。在建立實體接觸之後，繼續在Z方向上移動調整機構669可改良毛細管314與接觸部分671之間的機械耦接。改良機械接觸增強第二支撐部分664固定毛細管314之能力且因此減少毛細管314之振動。

圖7A為噴嘴裝置740之側視橫截面圖。噴嘴裝置740為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置740與噴嘴裝置540(圖5)類似，不同之處在於噴嘴裝置740包括套圈770(用對角條紋陰影)展示，如下文所論述。

噴嘴裝置740包括主體350及支撐結構760。支撐結構760包括在X方向上自端部768延伸至端部767的第一支撐部分762。第一支撐部分762通常為圓柱形。支撐結構760亦包括在端部767處連接至第一支撐部分762的第二支撐部分764。第二支撐部分764在Y-Z平面中延伸。圖7B自藉由線7B-7B'指示之角度展示Y-Z平面中之支撐結構760。第二支撐部分764界定開口765。在噴嘴裝置740經組裝(諸如圖7A及圖7B中所展示)時，毛細管穿過開口355及開口765。

第二支撐部分764在Y-Z平面中具有圓形橫截面。第二支撐部分764包括套圈770及外部部分773。套圈770為包圍開口765之環形或盤片形狀的物體且與毛細管314實體接觸。套圈770在端部331附近固持毛細 管314。外部部分773連接至套圈770，使得外部部分773及套圈770形成一單件結構(且一起作為第二支撐部分764)。套圈770可例如壓配於外部部分773中或藉由黏著劑或機械緊固件附接至外部部分773。外部部分773連接至第一支撐部分762之端部767。

外部部分773及第一支撐部分762由相同材料製成。舉例而言，外部部分773及第一支撐部分762可由固體及剛性金屬材料製成。套圈770由比外部部分773之材料更柔軟之材料製成。舉例而言，在外部部分773由固體金屬材料製成的實施方案中，套圈770可由諸如鐵氟龍或聚醯亞胺之聚合物材料製成，或套圈770可由諸如雙順丁烯二醯亞胺樹脂或氰酸酯類樹脂的黏著劑製成或包括該黏著劑。在一些實施方案中，套圈770由固體聚合物製成且藉由黏著劑附接至外部部分773。

由於套圈770為比外部部分773更柔軟之材料，故套圈770較不可能損壞(例如刮擦或裂化)毛細管314。此外，由於套圈770由相對柔軟材料製成，故套圈770可更牢固地耦接至毛細管314，因此增強第二支撐部分764防止毛細管314中之非預期橫向(Y-Z)振動的能力。

圖8為噴嘴裝置840之側視橫截面圖。噴嘴裝置840為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置840與噴嘴裝置540(圖5)類似。噴嘴裝置840包括主體350及支撐結構560，該主體350及該支撐結構560兩者在上文論述。然而，噴嘴裝置840亦包括支撐結構560中之灌封化合物874。灌封化合物874處於封閉空間877中，該封閉空間877由第一支撐部分562之內側563、第二支撐部分564、端部357、第二主體壁354及配件494界定。灌封化合物874為毛細管314提供額外機械支撐且進一步減小毛細管314之非故意之振動。

灌封化合物874可為能夠在噴嘴裝置840之操作期間支撐毛細管314的任何材料。舉例而言，灌封化合物874可為黏著劑，諸如雙順丁烯二醯亞胺類黏著劑、苯并

類黏著劑、氰酸酯類黏著劑、室溫硫化(RTV)黏著劑或高溫環氧樹脂黏著劑。

灌封化合物874可按允許灌封化合物為毛細管314提供機械支撐的任何方式配置在空間877中。灌封化合物874可佔據空間877之任何部分。舉例而言，灌封化合物874可與內側561及毛細管314實體接觸，且至少佔據空間877之總體積的大約三分之一。灌封化合物可佔據空間877之總體積的三分之一以上。舉例而言，在一些實施方案中，灌封化合物874佔據整個空間877。在灌封化合物874佔據小於整個空間877的實施方案中，灌封化合物874可配置在空間877之任何部分中。舉例而言，在一些實施方案中，灌封化合物874填充空間877之鄰近於主體350的一部分，且在彼空間877之鄰近於第二支撐部分564的部分中不存在灌封化合物874。灌封化合物874之此配置有助於確保灌封化合物874並不干涉材料流動穿過端部331處之孔口。

在包括灌封化合物874之實施方案中，第二支撐部分564不一定與毛細管314機械接觸。舉例而言，毛細管314及第二支撐部分564可配置為使得毛細管314並不接觸第二支撐部分564。灌封化合物874支撐毛細管314，且第二支撐部分564可經組態以並不提供用於毛細管314之支撐或經組態以並不為用於毛細管314之支撐的唯一來源。在此等實施方案中，第二支撐部分564保護灌封化合物874免受可能由直接暴露於自電漿196(圖1)發射的光(例如EUV光及/或其他短波長光)引起的損壞。

圖9為噴嘴裝置940之側視橫截面圖。噴嘴裝置940為噴嘴 裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置940包括主體350及配件494，該配件494附接至主體350之端部357。噴嘴裝置940亦包括毛細管314。毛細管314延伸穿過主體350及配件494。致動器493在配件494與端部331之間機械地耦接至毛細管314。

毛細管314在未經支撐之情況下自配件494至端部331延伸距離981。相較於關於圖3A、圖4、圖5、圖6A、圖7A及圖8論述的實施方案，毛細管314之更大部分由主體350包圍。換言之，毛細管314之更大部分處於內部351中。舉例而言，在噴嘴裝置940中，毛細管314之至少一半可由主體350包圍。在此實施方案中，距離981小於自端部331至端部332之距離的一半。毛細管314自端部331至端部332之總長度不變。因此，毛細管314具有相同聲學共振且如所預期地對有意振動作出回應以控制材料自孔口319之發射。

然而，由於更多毛細管314由主體350包圍，故毛細管314之未經支撐部分顯著地減少，且因此毛細管較不易受非故意之振動影響，且可在不具有支撐結構(諸如支撐結構360、460、560、660、760及860)之情況下使用噴嘴裝置940。

圖10為噴嘴裝置1040之側視橫截面圖。噴嘴裝置1040為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置1040包括主體350、配件494及支撐套圈1078。在噴嘴裝置1040經組裝(諸如圖10中所展示)時，毛細管314穿過開口355及配件494。毛細管314自套圈1078及配件494至端部331延伸距離1081。

支撐套圈1078附接至配件494且包圍毛細管314。支撐套圈1078藉由例如黏著劑穩固地附接至配件494及毛細管314。另外，機械緊 固件(諸如螺母、壓縮配件或托架)可用以將套圈1078夾持至毛細管314。

距離1081小於配件494之間的距離。換言之，套圈1078比端部331更接近於配件494，套圈1078比配件494更接近於致動器493，且套圈1078在-X方向上延伸超出配件494。支撐套圈1078向毛細管314提供額外支撐以使得在不使用支撐結構(諸如支撐結構360、460、560、660、760及860)之情況下減少或消除非預期橫向振動。此外，藉由套圈1078提供之額外支撐允許距離1081大於距離981。舉例而言，距離1081可大於端部331與端部332之間的總距離的一半，且在此等實施方案中，小於由主體350包圍之毛細管314的一半。在噴嘴裝置1040之一些實施方案中，毛細管314經配置為毛細管314之更大部分由主體350包圍(例如關於圖9所論述)。不考慮毛細管314之特定配置，支撐套圈1078向毛細管314提供額外支撐以使得減少或消除非故意之振動。

亦參考圖11，在一些實施方案中，噴嘴裝置1040包括具有聚合物材料薄層之金屬導線1183，其連接至配件494且環繞毛細管314。導線1183提供機械減振且進一步減少毛細管314之非故意之橫向振動。導線1183可為例如塗佈有聚合物材料之銅導線，該聚合物材料諸如鐵氟龍。認為此導線1183提供用以使施加至致動器493之高頻率振動(例如施加至致動器493之50kHz方波調變信號的諧波)耗散的路徑，且藉由使高頻率振動耗散，毛細管314中之非所需橫向振動減少。

在一些實施方案中，噴嘴裝置1040亦包括與圖4中所展示之第一支撐部分362類似的支撐結構。在此等實施方案中，噴嘴裝置1040中之此類支撐結構之目的為保護沈積於導線1183上的聚合物材料免受自目標材料電漿196(圖1)發射之光(例如EUV及/或其他短波長光)的損害。

圖12為噴嘴裝置1240之側視橫截面圖。噴嘴裝置1240為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置1240包括主體350及支撐結構1260。支撐結構1260向毛細管314提供支撐且減少或消除非故意之橫向振動。支撐結構1260包括第一支撐部分1262及連接至第一支撐部分1262之端部1267的第二支撐部分1264。第二支撐部分1264界定開口1265。

在噴嘴裝置1240經組裝(如圖12中所展示)時，支撐結構1260附接至主體350，且毛細管314穿過開口355及開口1265。毛細管314亦機械地耦接至致動器493。致動器493處於第二支撐部分1264與端部331之間。因此，第二支撐部分1264相對遠離端部331及孔口319，且第二支撐部分1264在並不處於端部331處的位置處且在相較於圖3A、圖4、圖5、圖6A、圖7A及圖8中所展示的實施方案更加遠離端部331的位置處固持毛細管314。第二支撐部分1264相對於孔口319之配置導致孔口319附近之連接及物件更少，且可有助於確保孔口319在操作性使用期間保持無碎片及干擾。此外，更多空間可用於以諸如圖12中所展示之組態將第二支撐部分1264耦接至毛細管314。

支撐結構1260可由諸如固體聚合物材料之可撓性材料製成。毛細管314可例如藉由諸如膠黏劑之黏著劑來在開口1265處耦接至第二支撐部分1264。另外或替代地，支撐結構1260可藉由帶螺紋連接或藉由黏著劑連接至配件494。此外，在一些實施方案中，套圈結構(諸如圖7之套圈770)或夾持機構處於開口1265與毛細管314之間，且套圈結構或夾持機構固持毛細管314。

圖13A為噴嘴裝置1340之側視橫截面圖。噴嘴裝置1340為噴嘴裝置140(圖1)之另一實施方案。噴嘴裝置1340包括主體1350、配件 1394及致動器1393。主體1350包括第一主體壁1352及界定開口1355之第二主體壁1354。配件1394界定穿過配件1394之通道1389。

在經組裝(如圖13A中所展示)時，噴嘴裝置1340包括穿過開口1355及通道1389且機械地耦接至致動器1393的毛細管1314。在安裝於噴嘴裝置1340中時，毛細管1314在X方向上自端部1331延伸至端部1332。圖13B展示Y-Z平面中之毛細管1314之端部1331。毛細管1314包括具有外徑1388及內徑1387之側壁1330(圖13B)。外徑1388大於毛細管314之側壁330之外徑388(參看圖3)。特定言之，其可比側壁330之外徑388大50%至500%。舉例而言，外徑1388可介於約1.5mm與約5.0mm之間。相較於毛細管314，側壁1330可相對於沿著大部分毛細管314之壁厚度大約50%、100%、200%或500%。側壁1330之徑向厚度為側壁1130之外部部分與側壁之內部部分之間的距離，該內部部分在圖13B中用虛線展示。毛細管1314之側壁1330之徑向厚度可介於例如約0.35mm與約2.0mm之間。在圖13A中所展示的實例中，毛細管1314具有孔口319，其為作為毛細管314之部分的同一孔口。然而，毛細管1314可在Z方向上具有更小或更大的孔口。

增大側壁1330之直徑使得毛細管1314比毛細管1314更堅硬且更穩固。因此，毛細管1314比毛細管1314經歷更少的非故意之橫向振動。

上文所論述的噴嘴總成中之任一者可用於EUV光源中。參考圖14，展示LPP EUV光源1400之實施方案。上文所論述的噴嘴總成中之任一者可作為供應系統1425之一部分用於光源1400中。

藉由利用經放大光束1410輻照電漿形成位置1405處之目標 混合物1414來形成LPP EUV光源1400，該經放大光束1410朝著目標混合物1414沿著光束路徑行進。關於圖1所論述之目標材料及關於圖1所論述之流121中之目標可為或包括目標混合物1414。電漿形成位置1405處於真空腔室1430之內部1407內。在經放大光束1410照射目標混合物1414時，目標混合物1414內之目標材料轉換成具有在EUV範圍內之發射譜線之元素的電漿狀態。所產生電漿具有取決於目標混合物1414內之目標材料之組成物的某些特性。此等特性可包括藉由電漿產生之EUV光之波長及自電漿釋放之碎片的類型及量。

光源1400亦包括供應系統1425，該供應系統1425遞送、控制及導向呈液體小滴、液體流、固體粒子或叢集、液體小滴內所含有之固體粒子或液體流內所含有之固體粒子之形式的目標混合物1414。目標混合物1414包括目標材料，諸如水、錫、鋰、氙或在經轉換成電漿狀態時具有在EUV範圍內之發射譜線的任何材料。舉例而言，元素錫可用作純錫(Sn)；用作錫化合物，例如SnBr₄、SnBr₂、SnH₄；用作錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或此等合金之任何組合。目標混合物1414亦可包括諸如非目標粒子之雜質。因此，在不存在雜質之情形下，目標混合物1414僅由目標材料構成。目標混合物1414藉由供應系統1425遞送至腔室1430之內部1407中且遞送至電漿形成位置1405中。

光源1400包括驅動雷射系統1415，其歸因於雷射系統1415之一或多個增益介質內之粒子數反轉而產生經放大光束1410。光源1400包括雷射系統1415與電漿形成位置1405之間的光束遞送系統，該光束遞送系統包括光束輸送系統1420及聚焦總成1422。光束輸送系統1420自雷射系統1415接收經放大光束1410，且視需要引導及修改經放大光束1410 且將經放大光束1410輸出至聚焦總成1422。聚焦總成1422接收經放大光束1410且將光束1410聚焦至電漿形成位置1405。

在一些實施方案中，雷射系統1415可包括用於提供一或多個主脈衝且在一些情況下提供一或多個預脈衝之一或多個光學放大器、雷射及/或燈。每一光學放大器包括能夠以高增益光學地放大所要波長之增益介質、激發源及內部光學器件。光學放大器可具有或可不具有形成雷射空腔之雷射鏡面或其他回饋器件。因此，雷射系統1415即使在不存在雷射空腔之情況下歸因於雷射放大器之增益介質中之粒子數反轉亦產生經放大光束1410。此外，雷射系統1415可在存在用以向雷射系統1415提供足夠回饋之雷射空腔的情況下產生作為相干雷射光束之經放大光束1410。術語「經放大光束」涵蓋如下中之一或多者：來自雷射系統1415之僅經放大但未必為相干雷射振盪的光，以及來自雷射系統1415之經放大且亦為相干雷射振盪的光。

雷射系統1415中之光學放大器可包括填充氣體(包括CO₂)作為增益介質，且可以大於或等於800倍之增益放大在約9100與約11000nm之間且尤其在約10600nm之波長下的光。供用於雷射系統1415中之適合放大器及雷射可包括脈衝式雷射器件，例如脈衝式氣體放電CO₂雷射器件，其例如利用以相對較高功率(例如10kW或更高)及高脈衝重複率(例如40kHz或更大)操作的DC或RF激發產生處於約9300nm或約10600nm之輻射。脈衝重複率可為例如50kHz。雷射系統1415中之光學放大器亦可包括可在較高功率下操作雷射系統1415時使用的冷卻系統，諸如水。

光源1400包括收集器鏡面1435，其具有孔隙1440以允許經放大光束1410穿過且到達電漿形成位置1405。收集器鏡面1435可為例如 在電漿形成位置1405處具有主焦點且在中間位置1445處具有次級焦點(亦稱為中間焦點)的橢球形鏡面，其中可自光源1400輸出EUV光且可將該EUV光輸入至例如積體電路微影工具(圖中未示)。光源1400亦可包括開放式中空圓錐形護罩1450(例如氣錐)，其自收集器鏡面1435朝著電漿形成位置1405逐漸變窄以減小進入聚焦總成1422及/或光束輸送系統1420之電漿產生之碎片的量，同時允許經放大光束1410到達電漿形成位置1405。出於此目的，可在護罩中提供氣體流，朝著電漿形成位置1405導向該氣體流。

光源1400亦可包括連接至小滴位置偵測回饋系統1456、雷射控制系統1457及光束控制系統1458之主控制器1455。光源1400可包括一或多個目標或小滴成像器1460，其提供指示小滴之例如相對於電漿形成位置1405之位置的輸出且將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統1456，該小滴位置偵測回饋系統1456可例如計算小滴位置及軌跡，可根據該小滴位置及軌跡逐小滴地或平均地計算出小滴位置誤差。因此，小滴位置偵測回饋系統1456將小滴位置誤差作為輸入提供至主控制器1455。因此，主控制器1455可將雷射位置、方向及時序校正信號提供至例如可用以例如控制雷射時序電路之雷射控制系統1457且/或提供至光束控制系統1458，該光束控制系統1458用以控制經放大光束位置及光束輸送系統1420之塑形以改變光束焦斑在腔室1430內之位置及/或焦度。

供應系統1425包括目標材料遞送控制系統1426，其可操作以回應於來自主控制器1455的信號以例如修改如由目標材料供應裝置1427釋放之小滴的釋放點，以校正到達所要電漿形成位置1405處之小滴中之誤差。目標材料供應裝置1427包括採用諸如黏著劑234之黏著劑的目 標形成裝置。

另外，光源1400可包括量測一或多個EUV光參數之光源偵測器1465及1470，該一或多個EUV光參數包括但不限於脈衝能量、隨波長而變化之能量分佈、波長之特定頻帶內之能量、波長之特定頻帶外之能量及EUV強度及/或平均功率之角度分佈。光源偵測器1465產生供由主控制器1455使用之回饋信號。回饋信號可例如指示為有效及高效EUV光產生而在適當的地點及時間恰當地攔截小滴之雷射脈衝的諸如時序及焦點之參數中的誤差。

光源1400亦可包括導引雷射1475，其可用以使光源1400之各個區段對準或輔助將經放大光束1410引導至電漿形成位置1405。結合導引雷射1475，光源1400包括度量衡系統1424，其置放於聚焦總成1422內以對來自導引雷射1475之光之一部分及經放大光束1410進行取樣。在其他實施方案中，度量衡系統1424置放於光束輸送系統1420內。度量衡系統1424可包括對光之子集進行取樣或重新導向之光學元件，此光學元件由可耐受導引雷射光束及經放大光束1410之功率的任何材料製成。光束分析系統由度量衡系統1424及主控制器1455形成，此係由於主控制器1455分析來自導引雷射1475之經取樣光且使用此資訊來經由光束控制系統1458調整聚焦總成1422內之組件。

因此，綜上所述，光源1400產生經放大光束1410，其沿著光束路徑經導向以輻照電漿形成位置1405處之目標混合物1414，以將混合物1414內之目標材料轉換成發射EUV範圍內之光的電漿。經放大光束1410在基於雷射系統1415之設計及屬性而判定之特定波長(其亦稱為驅動雷射波長)下操作。另外，在目標材料將足夠回饋提供回至雷射系統1415 中以產生相干雷射光時或在驅動雷射系統1415包括適合光學回饋以形成雷射空腔的情況下，經放大光束1410可為雷射光束。

圖15為支撐結構1560之透視圖。支撐結構1560為支撐結構360(圖3A、3B及3D)及支撐結構560(圖5)之一實施方案。支撐結構1560包括第一支撐部分1562及連接至第一支撐部分1562的第二支撐部分1564。第一支撐部分1562包括四個叉指1576a、1576b、1576c、1576d。叉指1576a、1576b、1576c、1576d中之每一者在X方向上自端部1567延伸至端部1568。叉指1576a、1576b、1576c、1576d圍繞端部1567彼此間隔開以界定第一支撐部分1562中之四個各別開口1572a、1572b、1572c、1572d。開口1572a、1572b、1572c、1572d處於第一支撐部分1562之一側中，且沿著X方向在端部1567與1568之間延伸。開口1572a、1572b、1572c、1572d可為相同或不同大小。叉指1576a、1576b、1576c、1576d可由剛性或可撓性材料製成。叉指1576a、1576b、1576c、1576d可包括在圓周方向上之相同或不同長度。此外，第一支撐部分1562可包括比四個叉指1576a、1576b、1576c、1576d更多或更少個叉指。此外，第一支撐部分1562可為並不包括任何叉指或開口的連續側壁。

為組裝包括支撐結構1560之噴嘴裝置，支撐結構1560附接至主體350(圖3A及圖3C)之端部357以形成噴嘴裝置。特定言之，可藉由例如內部表面1563與外部表面356之間的干涉配合、結合外部表面356與內部表面1563之黏著劑、諸如緊固件之機械器件、帶螺紋接口或能夠將支撐結構1560固持至主體350的任何其他方式來將端部1568之內部表面1563之一部分附接至第一主體壁352之外部表面356。在噴嘴裝置經組裝時，毛細管314穿過開口355及1565以使得第二支撐部分1564在毛細管314 之端部331附近的開口1565中固持及支撐毛細管314。

第一支撐部分1562之開口1572a、1572b、1572c、1572d允許局部地觀察支撐結構1560內之內部區。舉例而言，開口1572a、1572b、1572c、1572d以相對簡單且簡易的方式允許支撐結構1560附接至端部357及毛細管314且與端部357及毛細管314對準。此外，開口1572a、1572b、1572c、1572d允許目視檢查支撐結構1560及其組件。舉例而言，可經由開口1572a、1572b、1572c、1572d觀察金屬導線1183之置放，且操作者可容易地檢查以判定是否應重新定位或另外調整導線1183。

在以下經編號條項中闡述本發明之其他態樣。

1.一種裝置，其包含：套管，其包含內部寬度及在端部處之開口，其中內部寬度介於0.1毫米(mm)與0.8mm之間，且開口具有介於1.0微米(μm)與5.0μm之間的寬度；機電致動器，其與套管接觸且經組態以將機械運動施加於套管中，其中機械運動至少包括介於40千赫茲(kHz)與100kHz之間的第一頻率分量以及比第一頻率分量具有更高頻率的第二頻率分量；主體，其包含第一主體壁及第二主體壁，其中第一主體壁在第一方向上延伸，第二主體壁在不同於第一方向之第二方向上延伸，且套管之第一部分穿過第二主體壁中之開口，其中套管之內部及主體之內部經組態以接收熔融的目標材料，且目標材料在處於電漿狀態中時發射極紫外線(EUV)光；以及支撐結構，其包含第一支撐部分及第二支撐部分，其中第一支撐部分經組態以附接至第一主體壁且套管之第二部分經組態以在第一支撐部分 附接至第一主體壁時穿過第二支撐部分。

2.如條項1之裝置，其中第二支撐部分為界定支撐開口之端壁，且套管之第二部分經組態以在第一支撐部分附接至第一主體壁時穿過支撐開口。

3.如條項2之裝置，其中支撐開口包含倒角開口，且在第一支撐部分附接至第一主體壁時，套管之第二部分的外部表面由倒角開口捕捉。

4.如條項2之裝置，其中第二支撐部分進一步包含經組態以控制套管與第二支撐部分之間的機械耦接的調整機構。

5.如條項4之裝置，其中第一支撐部分自經組態以附接至第一主體壁之第一端部延伸，且第一支撐部分包含自第一端部延伸之複數個分段，該複數個分段包含剛性叉指及至少一個可撓性叉指。

6.如條項5之裝置，其中調整機構穿過剛性叉指，且調整機構經組態以定位第二支撐部分以藉此控制套管與第二支撐部分之間的機械耦接。

7.如條項5之裝置，其中開口處於複數個分段中之每一者之間。

8.如條項4之裝置，其中調整機構與第一支撐部分及端壁實體接觸，且調整機構移動端壁以控制套管與第二支撐部分之間的機械耦接。

9.如條項2之裝置，其中端壁包含第一材料，且裝置進一步包含包圍支撐開口之第二材料之套圈，且第二材料比第一材料更柔軟。

10.如條項9之裝置，其中第一材料包含金屬，且第二材料包含聚合物。

11.如條項10之裝置，其中聚合物包含聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮、聚苯并咪唑樹脂或鐵氟龍。

12.如條項11之裝置，其中第一材料包含金屬，且第二材料包含黏 著劑材料。

13.如條項12之裝置，其中黏著劑材料包含雙順丁烯二醯亞胺樹脂或氰酸酯類樹脂。

14.如條項2之裝置，其進一步包含灌封化合物，且其中在第一支撐部分附接至第一主體壁時，第一支撐部分及端壁界定容納灌封化合物之內部支撐區。

15.如條項14之裝置，其中套管穿過第二支撐部分中之支撐開口，且第二支撐部分不與套管機械接觸。

16.如條項15之裝置，其中第二支撐部分經組態以保護灌封化合物免受自由目標材料形成之電漿發射的EUV光損害。

17.如條項14之裝置，其中灌封化合物並未完全地填充內部支撐區。

18.如條項17之裝置，其中灌封化合物佔據內部支撐區之更接近於主體而非端壁的第一部分，且內部支撐區之更接近於端壁而非主體的第二部分並不包括任何灌封化合物。

19.如條項18之裝置，其中灌封化合物包含黏著劑。

20.如條項19之裝置，其中黏著劑包含以下中之至少一者：雙順丁烯二醯亞胺類黏著劑、苯并

類黏著劑、氰酸酯類黏著劑、室溫硫化(RTV)黏著劑或高溫環氧樹脂黏著劑。

21.如條項1之裝置，其中第一支撐部分包含剛性材料。

22.如條項1之裝置，其中第一支撐部分包含金屬。

23.如條項1之裝置，其中第一支撐部分包含可撓性材料。

24.如條項1之裝置，其中支撐結構處於主體與機電致動器之間。

25.如條項1之裝置，其中在第一支撐部分附接至第一主體壁時，機電致動器由第一支撐部分包圍。

26.如條項1之裝置，其中第一支撐部分經組態以附接至第一主體壁之外部。

27.如條項1之裝置，其中第二頻率分量為第一頻率分量之諧波或由機電致動器施加至套管之另一頻率的諧波。

28.如條項1之裝置，其中第一支撐部分包含一或多個開口，該一或多個開口沿著第一支撐部分之第一端部與第一支撐部分之第二端部之間的第一支撐部分之一側延伸。

29.一種裝置，其包含：套管；主體，其包含第一主體壁及第二主體壁，其中第一主體壁在第一方向上延伸，第二主體壁在不同於第一方向之第二方向上延伸，且套管之第一部分穿過第二主體壁中之開口；以及支撐結構，其包含第一支撐部分及第二支撐部分，其中第一支撐部分經組態以附接至第一主體壁，且在第一支撐部分附接至第一主體壁時，套管之第二部分穿過第二支撐部分。

30.一種用於極紫外線光源之裝置，該裝置包含：套管，其包含具有自第一端部延伸至第二端部之長度的側壁；致動器，其機械地耦接至側壁之外部；主體，其包含第一主體壁及第二主體壁；以及配件，其安置於主體之端部處，配件包含通道，其中側壁之第一部分固持於第二主體壁中之開口處，側壁之第二部分安置於通道中，致動器 處於配件與套管之第二端部之間，且大約側壁之長度的一半由主體包圍。

31.如條項30之裝置，其中超過側壁之長度的一半由主體包圍。

32.一種用於極紫外線(EUV)光源之裝置，該裝置包含：套管，其包含自第一端部延伸至第二端部的側壁；致動器，其機械地耦接至側壁之外部；主體，其包含第一主體壁及第二主體壁；以及配件，其安置於主體之端部處，配件包含通道及套圈，其中側壁之一部分處於通道中，且套圈處於側壁之部分與配件之間。

33.如條項32之裝置，其進一步包含連接至配件且環繞側壁之外部的具有聚合物材料層的金屬導線，該導線經組態以減少套管之振動。

34.如條項33之裝置，其中聚合物材料層形成金屬導線上的塗層。

35.如條項33之裝置，其進一步包含支撐結構，支撐結構包含第一支撐部分及第二支撐部分，其中第一支撐部分經組態以附接至第一主體壁，且在第一支撐部分附接至第一主體壁時，套管穿過第二支撐部分。

36.如條項35之裝置，其中第二支撐部分經組態以保護聚合物層免受EUV光源中之電漿損害。

37.如條項36之裝置，其中第二支撐部分不與套管機械接觸。

38.如條項32之裝置，其中套圈延伸超出配件。

39.一種用於目標材料供應系統之支撐結構，該支撐結構包含：第一支撐部分，及第二支撐部分，其中第一支撐部分經組態以附接至目標材料供應系統之第一主體壁，且在第一支撐部分附接至第一主體壁時，目標材料供應系統之套管穿過第二支撐部分。

40.如條項39之支撐結構，其中目標材料供應系統經組態以耦接至極紫外線光源之真空腔室。

上文所描述的實施方案及其他實施方案在申請專利範圍之範疇內。

314:毛細管

319:孔口

331:端部

332:端部

350:主體

354:第二主體壁

357:端部

493:致動器

494:配件

640:噴嘴裝置

660:支撐結構

662:第一支撐部分

664:第二支撐部分

665:開口

667:端部

668:端部

669:調整機構

671:接觸部分

676b:可撓性叉指

679:剛性叉指

691:基座部分

6B-6B':線

Claims (40)

1. 一種用於一極紫外線(EUV)光源之裝置，其包含：一套管，其包含一內部寬度及在一端部處之一開口，其中該內部寬度介於0.1毫米(mm)與0.8mm之間，且該開口具有介於1.0微米(μm)與5.0μm之間的一寬度；一機電致動器，其與該套管接觸且經組態以將機械運動施加於該套管中，其中該機械運動至少包括介於40千赫茲(kHz)與100kHz之間的一第一頻率分量以及比該第一頻率分量具有一更高頻率的一第二頻率分量；一主體，其包含一第一主體壁及一第二主體壁，其中該第一主體壁在一第一方向上延伸，該第二主體壁在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，且該套管之一第一部分穿過該第二主體壁中之一開口，其中該套管之一內部及該主體之一內部經組態以接收熔融的目標材料，且該目標材料在處於一電漿狀態中時發射極紫外線(EUV)光；以及一支撐結構，其包含一第一支撐部分及一第二支撐部分，其中該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁且該套管之一第二部分經組態以在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時穿過該第二支撐部分。
2. 如請求項1之裝置，其中該第二支撐部分為界定一支撐開口之一端壁，且該套管之該第二部分經組態以在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時穿過該支撐開口。
3. 如請求項2之裝置，其中該支撐開口包含一倒角開口，且在該第一支 撐部分附接至該第一主體壁時，該套管之該第二部分的一外部表面由該倒角開口捕捉。
4. 如請求項2之裝置，其中該第二支撐部分進一步包含經組態以控制該套管與該第二支撐部分之間的機械耦接的一調整機構。
5. 如請求項4之裝置，其中該第一支撐部分自經組態以附接至該第一主體壁之一第一端部延伸，且該第一支撐部分包含自該第一端部延伸之複數個分段，該複數個分段包含一剛性叉指及至少一個可撓性叉指。
6. 如請求項5之裝置，其中該調整機構穿過該剛性叉指，且該調整機構經組態以定位該第二支撐部分以藉此控制該套管與該第二支撐部分之間的機械耦接。
7. 如請求項5之裝置，其中一開口處於該複數個分段中之每一者之間。
8. 如請求項4之裝置，其中該調整機構與該第一支撐部分及該端壁實體接觸，且該調整機構移動該端壁以控制該套管與該第二支撐部分之間的該機械耦接。
9. 如請求項2之裝置，其中該端壁包含一第一材料，且該裝置進一步包含包圍該支撐開口之一第二材料之一套圈，且該第二材料比該第一材料更柔軟。
10. 如請求項9之裝置，其中該第一材料包含一金屬，且該第二材料包含一聚合物。
11. 如請求項10之裝置，其中該聚合物包含聚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮、聚苯并咪唑樹脂或鐵氟龍。
12. 如請求項11之裝置，其中該第一材料包含一金屬，且該第二材料包含一黏著劑材料。
13. 如請求項12之裝置，其中該黏著劑材料包含雙順丁烯二醯亞胺樹脂或一氰酸酯類樹脂。
14. 如請求項2之裝置，其進一步包含一灌封化合物，且其中在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該第一支撐部分及該端壁界定容納該灌注化合物之一內部支撐區。
15. 如請求項14之裝置，其中該套管穿過該第二支撐部分中之該支撐開口，且該第二支撐部分不與該套管機械接觸。
16. 如請求項15之裝置，其中該第二支撐部分經組態以保護該灌封化合物免受自由該目標材料形成之該電漿發射的FUV光損害。
17. 如請求項14之裝置，其中該灌封化合物並未完全地填充該內部支撐區。
18. 如請求項17之裝置，其中該灌封化合物佔據更接近於該主體而非該端壁的該內部支撐區之一第一部分，且更接近於該端壁而非該主體的該內部支撐區之一第二部分並不包括任何灌封化合物。
19. 如請求項18之裝置，其中該灌封化合物包含一黏著劑。
20. 如請求項19之裝置，其中該黏著劑包含以下中之至少一者：一雙順丁烯二醯亞胺類黏著劑、一苯并

    

    類黏著劑、一氰酸酯類黏著劑、一室溫硫化(RTV)黏著劑或一高溫環氧樹脂黏著劑。
21. 如請求項1之裝置，其中該第一支撐部分包含一剛性材料。
22. 如請求項1之裝置，其中該第一支撐部分包含一金屬。
23. 如請求項1之裝置，其中該第一支撐部分包含一可撓性材料。
24. 如請求項1之裝置，其中該支撐結構處於該主體與該機電致動器之間。
25. 如請求項1之裝置，其中在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時， 該機電致動器由該第一支撐部分包圍。
26. 如請求項1之裝置，其中該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁之一外部。
27. 如請求項1之裝置，其中該第二頻率分量為該第一頻率分量之一諧波或由該機電致動器應用於該套管之另一頻率的一諧波。
28. 如請求項1之裝置，其中該第一支撐部分包含一或多個開口，該一或多個開口沿著該第一支撐部分之一第一端部與該第一支撐部分之一第二端部之間的該第一支撐部分之一側延伸。
29. 一種用於一極紫外線光源之裝置，其包含：一套管；一主體，其包含一第一主體壁及一第二主體壁，其中該第一主體壁在一第一方向上延伸，該第二主體壁在不同於該第一方向之一第二方向上延伸，且該套管之一第一部分穿過該第二主體壁中之一開口；以及一支撐結構，其包含一第一支撐部分及連接至該第一支撐部分之一第二支撐部分，其中該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該套管之一第二部分穿過該第二支撐部分。
30. 一種用於一極紫外線光源之裝置，該裝置包含： 一套管，其包含具有自一第一端部延伸至一第二端部之一長度的一側壁；一致動器，其機械地耦接至該側壁之一外部；一主體，其包含一第一主體壁及一第二主體壁；以及一配件，其安置於該主體之一端部處，該配件包含一通道，其中該側壁之一第一部分固持於該第二主體壁中之一開口處，該側壁之一第二部分安置於該通道中，該致動器處於該配件與該套管之該第二端部之間，且大約該側壁之該長度的一半由該主體包圍。
31. 如請求項30之裝置，其中超過該側壁之該長度的一半由該主體包圍。
32. 一種用於一極紫外線(EUV)光源之裝置，該裝置包含：一套管，其包含自一第一端部延伸至一第二端部的一側壁；一致動器，其機械地耦接至該側壁之一外部；一主體，其包含一第一主體壁及一第二主體壁；以及一配件，其安置於該主體之一端部處，該配件包含一通道及一套圈，其中該側壁之一部分處於該通道中，且該套圈處於該側壁之該部分與該配件之間。
33. 如請求項32之裝置，其進一步包含連接至該配件且環繞該側壁之一外部的具有一聚合物材料層的一金屬導線，該導線經組態以減少該套管之振動。
34. 如請求項33之裝置，其中該聚合物材料層形成該金屬導線上的一塗層。
35. 如請求項33之裝置，其進一步包含一支撐結構，該支撐結構包含一第一支撐部分及一第二支撐部分，其中該第一支撐部分經組態以附接至該第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該套管穿過該第二支撐部分。
36. 如請求項35之裝置，其中該第二支撐部分經組態以保護該聚合物層免受該EUV光源中之電漿損害。
37. 如請求項36之裝置，其中該第二支撐部分不與該套管機械接觸。
38. 如請求項32之裝置，其中該套圈延伸超出該配件。
39. 一種用於一目標材料供應系統之支撐結構，該支撐結構包含：一第一支撐部分，及連接至該第一支撐部分之一第二支撐部分，其中該第一支撐部分經組態以附接至該目標材料供應系統之一第一主體壁，且在該第一支撐部分附接至該第一主體壁時，該目標材料供應系統之一套管穿過該第二支撐部分。
40. 如請求項39之支撐結構，其中該目標材料供應系統經組態以耦接至一極紫外線光源之一真空腔室。