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TWI885268B - 處理半導體晶圓影像的系統及方法 - Google Patents

處理半導體晶圓影像的系統及方法 Download PDF

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TWI885268B
TWI885268B TW111120660A TW111120660A TWI885268B TW I885268 B TWI885268 B TW I885268B TW 111120660 A TW111120660 A TW 111120660A TW 111120660 A TW111120660 A TW 111120660A TW I885268 B TWI885268 B TW I885268B
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珍 勞勃
傑森 琪爾克烏德
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美商科磊股份有限公司
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Abstract

判定一經雷射退火半導體晶圓之一影像中之網格線之一位置。由該等網格線覆蓋之一區域可使用一新灰階值來填充。該新灰階值可基於該區域周圍之一鄰域之一第二灰階值。該鄰域位於由該等網格線覆蓋之該區域外部。

Description

處理半導體晶圓影像的系統及方法
本發明係關於處理半導體晶圓影像。
半導體製造業之發展對產量管理提出更高要求，且特定言之對計量及檢查系統提出更高要求。關鍵尺寸繼續縮小，但業界需要縮短達成高產量、高價值生產之時間。最小化自偵測一產量問題至解決問題之總時間使一半導體製造商之投資回報最大化。
製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量製造程序來處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多層級。例如，光微影係一種半導體製造程序，其涉及將一圖案自一光罩轉移至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。製造在一單一半導體晶圓上之多個半導體裝置之一配置可分離成個別半導體裝置。
在半導體製造期間之各個步驟中使用檢查程序來偵測晶圓上之缺陷以促進製造程序中之更高產量且因此提高利潤。檢查一直係製造半導體裝置(諸如積體電路(IC))之一重要部分。然而，隨著半導體裝置尺寸之減小，檢查對於成功製造可接受半導體裝置變得更重要，因為較小缺 陷會導致裝置失效。例如，隨著半導體裝置之尺寸減小，尺寸減小之缺陷之偵測變得有必要，因為即使相對較小缺陷亦可在半導體裝置中引起非所要像差。
然而，隨著設計規則之縮小，半導體製造程序之操作可更接近程序之效能能力之限制。另外，隨著設計規則之縮小，較小缺陷會對裝置之電氣參數具有一影響，其推動更敏感檢查。隨著設計規則之縮小，藉由檢查偵測之與產量相關之潛在缺陷數量急劇增加，且藉由檢查偵測之有害缺陷數量亦急劇增加。因此，可在晶圓上偵測到更多缺陷，且校正程序以消除所有缺陷可為困難的且昂貴的。判定哪些缺陷實際上對裝置之電參數及產量具有一影響可使程序控制方法專注於彼等缺陷，而在很大程度上忽略其他缺陷。此外，在較小設計規則下，程序引起之故障在一些情況下趨向於系統性。即，程序引起之故障趨向於在設計內重複多次之預定設計模式下失效。消除空間系統、電氣相關之缺陷會對產量具有一影響。
雷射退火程序在晶圓之背面產生一強烈網格圖案，其表現為由雷射照明及加熱之區之變色。網格圖案可表現為比晶圓之剩餘者更亮或可表現為比晶圓之剩餘者更暗。由於一背面照明工具檢查裸露區，所以此等網格圖案可經標記或分類為錯誤缺陷。為避免此錯誤，檢查演算法經調低或網格圖案經塗黑。此等技術可避免由假缺陷淹沒。
缺陷偵測演算法之失諧導致一靈敏度損失，其可導致損壞晶片通過品質控制步驟。使網格線塗黑導致落在雷射退火網格線上或附近之缺陷丟失。圖1展示在應用雷射退火程序之後之一背面晶圓影像。規則網格線係可見的。此等網格線上或附近可出現缺陷。此等缺陷之一些可與網格圖案重合。此等缺陷之一些之強度與網格線本身之量值相似，其使偵 測缺陷變得困難。若網格線經塗黑，則靠近或位於網格線頂部上之缺陷將丟失給隨後缺陷偵測演算法。
因此，需要經改良系統及技術。
在一第一實施例中提供一種系統。該系統包含：一光源，其產生光；一載物台，其經組態以將一經雷射退火半導體晶圓保持在該光之一路徑中；一偵測器，其經組態以接收自該經雷射退火半導體晶圓反射之該光；及一處理器，其與該偵測器電子通信。該處理器經組態以：使用來自該偵測器之資料來產生該經雷射退火半導體晶圓之一影像；判定該影像中網格線之一位置；且使用基於該區域周圍一鄰域之一第二灰階值之一新灰階值來填充由該等網格線覆蓋之一區域。該鄰域位於由該等網格線覆蓋之該區域外部。
該處理器可進一步經組態以：將由該等網格線覆蓋之該區域之一第一灰階值與該區域周圍之該鄰域之該第二灰階值進行比較；且將該區域中之該第一灰階值除以一校正比來判定該新灰階值。該校正比為該區域中之一平均灰階除以該鄰域中之一平均灰階。該第二灰階值可取自距該第一灰階值比該網格線之一寬度更遠之一位置。可對該影像之該等網格線中之所有像素重複該比較、該除法及該填充。
該光源及該偵測器可經組態使得該影像係一亮場影像或一暗場影像。
該處理器可進一步經組態以在該區域用該新灰階值填充之後對該影像執行缺陷檢查。
該判定可使用Sobel邊緣偵測。
該填充可包含直方圖重新映射。
在一第二實施例中提供一種方法。使用一處理器來判定一經雷射退火半導體晶圓之一影像中網格線之一位置。使用該處理器，使用基於該區域周圍之一鄰域之一第二灰階值之一新灰階值來填充由該等網格線覆蓋之一區域。該鄰域位於由該等網格線覆蓋之該區域外部。
該方法可進一步包含：使用該處理器將由該等網格線覆蓋之該區域之一第一灰階值與該區域周圍之該鄰域之該第二灰階值進行比較；使用該處理器將該區域中之該第一灰階值除以一校正比來判定該新灰階值。該校正比為該區域中之一平均灰階除以該鄰域中之一平均灰階。該第二灰階值可取自距該第一灰階值比該網格線之一寬度更遠之一位置。可對該影像之該等網格線中之所有像素重複該比較、該除法及該填充。
該影像可為一亮場影像或一暗場影像。
該方法可進一步包含在該填充之後對該影像執行缺陷檢查。
該判定可使用Sobel邊緣偵測。
該填充可包含直方圖重新映射。
一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存經組態以指示一處理器執行第二實施例之方法之一程式。
100:方法
101:步驟
102:步驟
103:步驟
104:步驟
105:網格線
106:區域
107:鄰域
200:系統
201:基於光學之子系統
202:樣本
203:光源
204:光學元件
205:透鏡
206:載物台
207:收集器
208:元件
209:偵測器
210:收集器
211:元件
212:偵測器
213:分束器
214:處理器
215:電子資料儲存單元
為了更全面地理解本發明之性質及目的，應參考以下結合附圖之詳細描述，其中：圖1係具有可見雷射退火網格圖案之一背面晶圓影像；圖2係圖1之影像，其中使用本文中所揭示之實施例抑制網格圖案； 圖3係根據本發明之一實施例之一流程圖；圖4係描繪在使用圖3之方法之前之一缺陷圖之一例示性影像；圖5係描繪在使用圖3之方法之後之缺陷物質之一例示性影像；及圖6係根據本發明之一系統之一實施例。
儘管將鑑於特定實施例來描述所主張之標的物，但包含不提供本文闡述之所有益處及特徵之實施例之其他實施例亦在本發明之範疇內。在不脫離本發明之範疇之情況下，可進行各種結構、邏輯、程序步驟及電子改變。因此，本發明之範疇僅藉由參考隨附申請專利範圍來界定。
本文中所揭示之實施例校正及抑制一經雷射退火半導體晶圓上之變色區域之亮度變化。隨後缺陷偵測演算法可不再自此網格圖案發現假缺陷，其意謂缺陷偵測演算法可保持完全靈敏度。例如，圖2係在使用本文中所揭示之實施例抑制網格圖案之後的圖1之影像。網格圖案在圖2中不再可見。
方法100之一實施例展示於圖3中，各步驟之右側具一對應示意圖。圖3之一些或全部步驟可使用一處理器來執行。儘管揭示一單一影像，但可對一半導體晶圓之多個影像或跨多個半導體晶圓執行方法100。
在101處，判定一經雷射退火半導體晶圓之一影像中之網格線105之位置。網格線105係比例示性影像中之非網格線更暗之一陰影(例如灰階)，但亦可為比非網格線更亮之一陰影。
影像可係一亮場影像或一暗場影像。取決於影像係一亮場影像或一暗場影像，網格線可為亮或暗。
網格線之位置可因晶圓而異。此外，網格線可不與晶圓定向對齊。因此，網格線可以一定角度展示。量測及校正此相對角度可允許更準確地判定網格位置。在一例項中，可藉由使用網格線之間的規則間距來判定網格線之確切位置。
若干其他技術可用於判定網格線之一位置。例如，網格線位置可使用Sobel邊緣偵測或Canny濾波器來判定。
在另一例項中，網格線位置可使用傅立葉(Fourier)變換在頻率空間中判定。傅立葉分析鑑於頻率檢查影像。任何規則間隔開之圖案可在頻譜中顯示為一強峰。
在另一例項中，網格線位置可使用規則重複之網格圖案來判定。可使用網格線相對於一設計起點之預期位置。除本文中列出之彼等技術之外之其他技術可用於判定網格線之一位置。
在101處判定網格線位置之後，由網格線105覆蓋之一區域使用基於區域106周圍之一鄰域107之一第二灰階值之一新灰階值填充。鄰域107位於由網格線105覆蓋之區域106外部。
在102處，將由網格線105覆蓋之一區域106之一第一灰階值與區域106周圍之一鄰域107之一第二灰階值進行比較。鄰域可位於網格線105之任一側上或可取網格線105兩側上之值之一平均值。第二灰階值可取自距網格線之一距離大於網格線之一寬度之一位置，其可防止第二灰階值與第一灰階值太類似。在一例項中，第二灰階值在第一灰階值之64個像素內。
將鄰域107選擇為盡可能靠近網格線105可提供比鄰域107經選擇為更遠之一更準確校正值量測。對於不同實例，確切距離可不同且 可由使用者選擇以最佳化結果。
在103處判定一校正量。例如，將區域106中之第一灰階值除以一校正比。將第一灰階值相除可判定一新灰階值。校正比係區域106中之一平均灰階級除以鄰域107中之一平均灰階級。
可將平均灰階級判定為一方格或水平/垂直線中之灰階級之一平均值。區域可取決於是否正在校正水平/垂直網格線或是否正在校正一不同區域。方格或線之大小可由使用者選擇以最佳化校正結果。
在另一實施例中，校正量用一加法項來判定。灰階級之校正量可經添加至原始值或自原始值減去，而非使用校正比。
區域106在104處用新灰階值填充。因此，網格線上之像素可經校正以看起來更接近於其等非網格鄰居。在此一灰階校正之後，圖2展示與圖1相同之晶圓影像。網格線現肉眼幾乎不可見。隨著訊雜比之增加，網格線上或附近之缺陷可見。
可逐個像素或逐個區域地填充區域106。區域106可填充在步驟101期間判定之邊界內。因此，可應用於包含多個像素、一單一像素或一線之一區域106。
由於晶圓上之灰階可顯著變化，其取決於已應用於晶圓背面之程序，所以可局部量測及校正灰階變化。網格線上及網格線外之灰階量測可通過若干不同技術以量測一維(線性投影)或二維之平均灰階級來達成。
例如，可執行直方圖重新映射以填充區域106。可比較區域106及鄰域107中之灰階級分佈且可將直方圖之端點彼此匹配以找到校正分佈。亦可應用其他色彩校正方案。
可針對影像之網格線中之所有像素重複比較102、校正量判定103及填充104。此可逐個像素地執行或可使用網格線內之多個局部區來執行。
在對影像之網格線中之一些或所有像素執行方法100之後，可對影像執行缺陷檢查。
視乎像素與垂直或水平網格線之接近程度，方法100採用沿像素行或列之平均灰階之一一維量測。網格線相交或交叉之區域可藉由量測二維之平均亮度來校正。在一例項中，一方格用作區域106。該方格可經定大小為垂直線與水平線之間的交叉區域。在此交叉點處使用之方格可經定大小以不落於交叉點外之網格線105之其他部分上。
圖4及圖5展示例示性缺陷圖。圖4中之缺陷圖包含缺陷及網格線兩者。此可影響檢查或缺陷審查。網格線可隱藏缺陷或可為一誤報。圖5展示在應用方法100之後相同區域之一缺陷圖。網格線經抑制，而允許真正缺陷經識別及分類。圖5之缺陷分析將導致比圖4之缺陷分析較少之錯誤。
一系統200之一個實施例展示於圖6中。系統200包含基於光學之子系統201。一般而言，基於光學之子系統201經組態用於藉由將光引導至(或利用光來掃描)並偵測來自一樣本202之光來為樣本202產生基於光學之輸出。在一個實施例中，樣本202包含一晶圓。晶圓可包含本技術已知之任何晶圓(諸如一經雷射退火晶圓)。其他樣本係可行的。
在圖6中展示之系統200之實施例中，基於光學之子系統201包含經組態以將光引導至樣本202之一照明子系統。該照明子系統包含至少一個光源。例如，如圖6中展示，照明子系統包含光源203。在一 個實施例中，照明子系統經組態以以一或多個入射角將光引導至樣本202，該入射角可包含一或多個斜角及/或一或多個正交角。例如，如圖6中展示，來自光源203之光經引導通過光學元件204且接著通過透鏡205以一傾斜入射角到達樣本202。傾斜入射角可包含任何適合傾斜入射角，其可取決於(例如)樣本202之特性而變化。
基於光學之子系統201可經組態以在不同時間以不同入射角將光引導至樣本202。例如，基於光學之子系統201可經組態以改變照明子系統之一或多個元件之一或多個特性，使得光可以不同於圖6中展示之一入射角之一入射角引導至樣本202。在一個此實例中，基於光學之子系統201可經組態以移動光源203、光學元件204及透鏡205，使得光以一不同傾斜入射角或一正交(或接近正交)入射角引導至樣本202。
在一些例項中，基於光學之子系統201可經組態以同時以一個以上入射角將光引導至樣本202。例如，照明子系統可包含一個以上照明通道，照明通道之一者可包含光源203、光學元件204及透鏡205(如圖6中展示)且照明通道之另一者(未展示)可包含類似元件，該等元件可不同地或相同地組態，或可包含至少一光源及可包含一或多個其他組件(諸如本文進一步描述之彼等)。若此光與其他光同時引導至樣本，則以不同入射角引導至樣本202之光之一或多個特性(例如，波長、偏振等等)可不同，使得由以不同入射角照明樣本202所產生之光可在偵測器處彼此區分。
在另一情況下，照明子系統可僅包含一個光源(例如，圖6中展示之光源203)且來自光源之光可由照明子系統之一或多個光學元件(未展示)分離至不同光學路徑中(例如，基於波長、偏振等等)。接著可將 不同光學路徑之各者中之光引導至樣本202。多個照明通道可經組態以在相同時間或不同時間將光引導至樣本202(例如，當使用不同照明通道循序照明標本時)。在另一例項中，相同照明通道可經組態以在不同時間將光引導至具有不同特性之樣本202。例如，在一些例項中，光學元件204可經組態為一光譜濾光片且光譜濾光片之性質可以各種不同方式(例如，藉由更換光譜濾光片)改變，使得不同波長之光可在不同時間引導至樣本202。照明子系統可具有本技術已知之任何其他適合組態用於以不同或相同入射角循序或同時將具有不同或相同特性之光引導至樣本202。
在一個實施例中，光源203可包含一寬頻電漿(BBP)源。依此方式，由光源203產生且引導至樣本202之光可包含寬頻光。然而，光源可包含任何其他適合光源，諸如一雷射。雷射可包含本技術已知之任何適合雷射且可經組態以產生本技術已知之任何適合波長或多個波長之光。另外，雷射可經組態以產生單色或接近單色之光。依此方式，雷射可為一窄帶雷射。光源203亦可包含產生多個離散波長或波段之光之多色光源。
來自光學元件204之光可由透鏡205聚焦至樣本202上。儘管透鏡205在圖6中展示為一單一折射光學元件，但應理解，實際上，透鏡205可包含數個折射及/或反射光學元件，其等組合地將來自光學元件之光聚焦至樣本。圖6中展示及本文中描述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於)偏振組件、光譜濾光片、空間濾光片、反射光學元件、切趾器、分束器(諸如分束器213)、孔徑及其類似者，其可包含本技術已知之任何此等適合光學元件。另外，基於光學之子系統201可經組態以基於將用於產生基於光學之輸出之照明類型來改變照明子系統之元件之一或多者。
基於光學之子系統201亦可包含經組態以使光在樣本202上方掃描之一掃描子系統。例如，基於光學之子系統201可包含在基於光學之輸出產生期間將樣本202安置於其上之載物台206。掃描子系統可包含任何適合機械及/或機器人總成(其包含載物台206)，其可經組態以移動樣本202，使得可在樣本202上方掃描光。另外，或替代地，基於光學之子系統201可經組態使得基於光學之子系統201之一或多個光學元件在樣本202上方執行光之一些掃描。可依任何適合方式(諸如以一蛇形路徑或以一螺旋路徑)在樣本202上方掃描光。
基於光學之子系統201進一步包含一或多個偵測通道。一或多個偵測通道之至少一者包含一偵測器，該偵測器經組態以偵測歸因於由子系統對樣本202之照明而來自樣本202之光且產生回應於所偵測光之輸出。例如，圖6中展示之基於光學之子系統201包含兩個偵測通道，一者由收集器207、元件208及偵測器209形成且另一者由收集器210、元件211及偵測器212形成。如圖6中展示，兩個偵測通道經組態以收集及偵測不同收集角度之光。在一些例項中，兩個偵測通道經組態以偵測散射光，且偵測通道經組態以偵測自樣本202以不同角度散射之光。然而，偵測通道之一或多者可經組態以偵測來自樣本202之另一類型之光(例如反射光)。
如圖6中進一步展示，兩個偵測通道展示成定位於紙平面中且照明子系統亦展示成定位於紙平面中。因此，在此實施例中，兩個偵測通道定位於入射平面中(例如居中)。然而，偵測通道之一或多者可定位於入射平面之外。例如，由收集器210、元件211及偵測器212形成之偵測通道可經組態以收集及偵測自入射平面散射出之光。因此，此一偵測通道 通常可稱為一「側」通道，且此一側通道可在實質上垂直於入射平面之一平面中居中。
儘管圖6展示包含兩個偵測通道之基於光學之子系統201之一實施例，但基於光學之子系統201可包含一不同數目個偵測通道(例如，僅一個偵測通道或兩個或更多個偵測通道)。在一個此例項中，由收集器210、元件211及偵測器212形成之偵測通道可形成如上文所描述之一個側通道，且基於光學之子系統201可包含形成為另一側通道之一額外偵測通道(未展示)，其定位於入射平面之相對側中。因此，基於光學之子系統201可包含偵測通道，該偵測通道包含收集器207、元件208及偵測器209且在入射平面中居中且經組態以收集及偵測法向於或接近法向正交於樣本202表面之散射角之光。因此，此偵測通道可通常稱為一「頂部」通道，且基於光學之子系統201亦可包含如上文所描述組態之兩個或更多個側通道。因而，基於光學之子系統201可包含至少三個通道(即，一個頂部通道及兩個側通道)，且至少三個通道之各者具有其自身收集器，收集器之各者經組態以收集不同於其他收集器之各者之散射角之光。
如上文進一步描述，包含於基於光學之子系統201中之偵測通道之各者可經組態以偵測散射光。因此，圖6中展示之基於光學之子系統201可經組態用於樣本202之暗場(DF)輸出產生。然而，基於光學之子系統201亦可或替代地包含經組態用於樣本202之亮場(BF)輸出產生之偵測通道。換言之，基於光學之子系統201可包含經組態以偵測自樣本202鏡面反射之光之至少一個偵測通道。因此，本文中所描述之基於光學之子系統201可經組態用於僅DF、僅BF、或DF及BF兩者成像。儘管收集器之各者在圖6中展示為單折射光學元件，但應理解，收集器之各者可包 含一或多個折射光學晶粒及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含本技術已知之任何適合偵測器。例如，偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)、時間延遲積分(TDI)相機及本技術已知之任何其他適合偵測器。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。依此方式，若偵測器係非成像偵測器，則偵測器之各者可經組態以偵測散射光之特定特性(諸如強度)，但可不經組態以偵測作為成像平面內位置之一函數之此等特性。因而，由包含於基於光學之子系統之偵測通道之各者中之偵測器之各者產生之輸出可為信號或資料，但並非影像信號或影像資料。在此等例項中，一處理器(諸如處理器214)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣本202之影像。然而，在其他例項中，偵測器可經組態為經組態以產生成像信號或影像資料之成像偵測器。因此，基於光學之子系統可經組態以以多種方式產生光學影像或本文中所描述之其他基於光學之輸出。
應注意，本文提供圖6以大體上繪示一基於光學之子系統201之一組態，該子系統201可包含於本文中所描述之系統實施例中或可產生由本文中所描述之系統實施例使用之基於光學之輸出。可改變本文中所描述之基於光學之子系統201組態以最佳化基於光學之子系統201之效能，正如在設計一商業輸出獲取系統時通常執行般。另外，本文中所描述之系統可使用一現有系統來實施(例如，藉由將本文中所描述之功能添加至一現有系統)。對於一些此等系統，本文中所描述之方法可作為系統之可選功能提供(例如除系統之其他功能之外)。替代地，本文中所描述之系統可設計為一全新系統。
處理器214可依任何適合方式(例如，經由一或多種傳輸媒 體，其可包含有線及/或無線傳輸媒體)耦合至系統200之組件，使得處理器214可接收輸出。處理器214可經組態以使用輸出來執行數個功能。系統200可自處理器214接收指令或其他資訊。處理器214及/或電子資料儲存單元215可選地可與一晶圓檢查工具、一晶圓計量工具或一晶圓審查工具(未繪示)電子通信以接收額外資訊或發送指令。例如，處理器214及/或電子資料儲存單元215可與一掃描電子顯微鏡電子通信。
本文中所描述之處理器214、其他系統或其他子系統可為各種系統之部分，包含一個人電腦系統、影像電腦、大型電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。子系統或系統亦可包含本技術已知之任何適合處理器(諸如一並行處理器)。另外，子系統或系統可包含具有高速處理及軟體之一平臺，作為一獨立或一聯網工具。
處理器214及電子資料儲存單元215可配置於系統200或另一裝置中或依其他方式成為系統200或另一裝置之部分。在一實例中，處理器214及電子資料儲存單元215可為一獨立控制單元之部分或在一集中式品質控制單元中。可使用多個處理器214或電子資料儲存單元215。
處理器214實務上可由硬體、軟體及韌體之任何組合來實施。此外，其於本文中描述之功能可由一個單元來執行，或分割至不同組件，組件之各者又可由硬體、軟體及韌體之任何組合來實施。用於處理器214實施各種方法及功能之程式碼或指令可儲存於可讀儲存媒體中，諸如電子資料儲存單元215中之記憶體或其他記憶體。
若系統200包含一個以上處理器214，則不同子系統可彼此耦合，使得可在子系統之間發送影像、資料、資訊、指令等等。例如，一個子系統可由任何適合傳輸媒體耦合至額外子系統，該傳輸媒體可包含本 技術已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體。兩個或更多個此等子系統亦可由一共用電腦可讀儲存媒體(未展示)有效耦合。
處理器214可經組態以使用系統200之輸出或其他輸出來執行若干功能。例如，處理器214可經組態以將輸出發送至一電子資料儲存單元215或另一儲存媒體。處理器214可根據本文中所描述之實施例之任何者來組態。處理器214亦可經組態以使用系統200之輸出或使用來自其他源之影像或資料來執行其他功能或額外步驟。
系統200及本文中所揭示之方法之各種步驟、功能及/或操作由以下之一或多者執行：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制/開關、微控制器或運算系統。實施諸如本文中所描述之彼等之方法之程式指令可通過載體媒體傳輸或儲存在載體媒體上。載體媒體可包含一儲存媒體，諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、一非揮發性記憶體、一固態記憶體、一磁帶及其類似者。一載體媒體可包含諸如一有線、纜線或無線傳輸鏈路之一傳輸媒體。例如，貫穿本發明所描述之各種步驟可由一單一處理器214或替代地由多個處理器214執行。此外，系統200之不同子系統可包含一或多個運算或邏輯系統。因此，以上描述不應被解釋為對本發明之限制，而僅係一圖解說明。
在一例項中，處理器214與系統200通信。處理器214經組態以使用來自偵測器209及/或212之資料產生樣本202(例如一經雷射退火半導體晶圓)之一影像；判定影像中網格線之一位置；且藉由使用基於由網格線覆蓋之區域周圍之一鄰域之一第二灰階值之一新灰階值來填充該區域。鄰域位於由網格線覆蓋之區域外部。此可使用本文中所揭示之實施例 之任何者來完成。
一額外實施例係關於儲存在一控制器上可執行之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體用於執行用於調整一經雷射退火半導體晶圓之網格線上之灰階值之一電腦實施方法，如本文所揭示。特定言之，如圖6中展示，電子資料儲存單元215或其他儲存媒體可含有非暫時性電腦可讀媒體，其包含在處理器214上可執行之程式指令。電腦實施方法可包含本文中所描述之任何方法之任何步驟，包含方法100。
程式指令可依各種方式之任何者來實施，包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或面向對象之技術等等。例如，程式指令可根據需要使用ActiveX控件、C++物件、JavaBean、Microsoft基礎類(MFC)、流式SIMD擴展(SSE)或其他技術或方法來實施。
使用系統200之照明可位於樣本202之一正面或一背面。
儘管已相對於一或多個特定實施例描述本發明，但應理解，在不脫離本發明之範疇之情況下，可做出本發明之其他實施例。因此，認為本發明僅受隨附申請專利範圍及其合理解釋之限制。
100:方法 101:步驟 102:步驟 103:步驟 104:步驟 105:網格線 106:區域 107:鄰域

Claims (16)

  1. 一種處理半導體晶圓影像的系統，其包括： 一光源，其產生光； 一載物台，其經組態以將一經雷射退火半導體晶圓保持在該光之一路徑中； 一偵測器，其經組態以接收自該經雷射退火半導體晶圓反射之該光；及 一處理器，其與該偵測器電子通信，其中該處理器經組態以： 使用來自該偵測器之資料來產生該經雷射退火半導體晶圓之一影像； 判定該影像中網格線之一位置； 將由該等網格線覆蓋之該影像中之一區域之一第一灰階值與該區域周圍之鄰域之一第二灰階值進行比較，其中該鄰域位於由該等網格線覆蓋之該區域外部； 將該區域中之該第一灰階值除以一校正比來判定一新灰階值，其中該校正比為該區域中之一平均灰階除以該鄰域中之一平均灰階；且 使用該新灰階值來填充由該等網格線覆蓋之該影像中之該區域。
  2. 如請求項1之系統，其中該第二灰階值取自距該第一灰階值比該網格線之一寬度更遠之一位置。
  3. 如請求項1之系統，其中對該影像之該等網格線中之所有像素重複該比較、該除法及該填充。
  4. 如請求項1之系統，其中該光源及該偵測器經組態使得該影像係一亮場影像。
  5. 如請求項1之系統，其中該光源及該偵測器經組態使得該影像係一暗場影像。
  6. 如請求項1之系統，其中該處理器進一步經組態以在該區域用該新灰階值填充之後對該影像執行缺陷檢查。
  7. 如請求項1之系統，其中該判定使用Sobel邊緣偵測。
  8. 如請求項1之系統，其中該填充包含直方圖重新映射。
  9. 一種處理半導體晶圓影像的方法，其包括： 使用一光源來產生光； 將一經雷射退火半導體晶圓保持在該光之一路徑中； 使用一偵測器來接收自該經雷射退火半導體晶圓反射之該光； 使用一處理器來判定該經雷射退火半導體晶圓之一影像中網格線之一位置，其中該影像使用來自該偵測器之資料； 使用該處理器將由該等網格線覆蓋之一區域之一第一灰階值與該區域周圍之鄰域之一第二灰階值進行比較； 使用該處理器將該區域中之該第一灰階值除以一校正比來判定一新灰階值，其中該校正比為該區域中之一平均灰階除以該鄰域中之一平均灰階；及 使用該處理器，使用該新灰階值來填充由該等網格線覆蓋之該影像中之該區域。
  10. 如請求項9之方法，其中該第二灰階值取自距該第一灰階值比該網格線之一寬度更遠之一位置。
  11. 如請求項9之方法，其中對該影像之該等網格線中之所有像素重複該比較、該除法及該填充。
  12. 如請求項9之方法，其中該影像係一亮場影像。
  13. 如請求項9之方法，其中該影像係一暗場影像。
  14. 如請求項9之方法，其進一步包括在該填充之後對該影像執行缺陷檢查。
  15. 如請求項9之方法，其中該判定使用Sobel邊緣偵測。
  16. 如請求項9之方法，其中該填充包含直方圖重新映射。
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