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TWI867771B - 製造光學元件的方法及投影裝置 - Google Patents

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TWI867771B
TWI867771B TW112137491A TW112137491A TWI867771B TW I867771 B TWI867771 B TW I867771B TW 112137491 A TW112137491 A TW 112137491A TW 112137491 A TW112137491 A TW 112137491A TW I867771 B TWI867771 B TW I867771B
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鄧清龍
陳質穎
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宏達國際電子股份有限公司
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Abstract

一種製造用於投影裝置中的光學元件之方法被提供。投影裝置具有配置以發射符合非均勻光強度分布函數的光的光源。方法包含：將非均勻光強度分布函數乘以一光柵的繞射強度與角度函數以獲得乘積函數；判斷乘積函數在預定角度或波長範圍內是否實質上等於1；若乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1，則根據繞射強度與角度函數分別確定參考光束以及訊號光束的一對入射角；以及將參考光束與訊號光束分別以此對入射角錄製全像材料，以製作其內具有光柵的全像元件。

Description

製造光學元件的方法及投影裝置
本揭露是有關於一種製造光學元件的方法以及投影裝置。
各種類型的計算、娛樂及/或移動裝置可以用透明或半透明顯示器來實現，且裝置的使用者可以藉由該顯示器查看周圍的環境。此類裝置(可以稱為透視、混合現實顯示裝置系統或擴增實境(AR)系統)讓使用者能夠藉由裝置的透明或半透明顯示器來查看周圍的環境，還可以看到虛擬物件的影像(例如，文本、圖形、視頻等)，這些影像被生成以顯示為周圍環境的一部分及/或覆蓋在周圍環境中。這些可以實現為(但不限於)頭戴式顯示器(HMD)眼鏡或其他可穿戴顯示裝置的裝置，通常利用光波導將影像複製到裝置的使用者可以在擴增實境環境中將影像作為虛擬影像查看的位置。由於這仍是新興技術，因此使用波導向使用者顯示虛擬物件的影像存在一定的挑戰。
如今，已經有許多附有繞射光柵的習知波導被使用。 每一波導及其上的繞射光柵被使用來傳遞單一色彩。如此，用於向使用者的眼睛提供投影影像的習知光學引擎通常需要多個波導來傳遞三原色，這不利於減小光學引擎的重量和厚度。另外，在傳遞單色或全彩的出瞳(exit pupil)影像時，會因波長的不同與入射角度的不同而造成不同角度的繞射效率，因此容易出現影像亮度不均勻的問題。為此，需再增加光學補償元件來解決這問題，這使得整體光學系統更加複雜，且體積亦隨之增加。
因此，如何提出一種可解決上述問題的製造光學元件的方法以及投影裝置，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的製造光學元件的方法。
為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，提供一種製造光學元件的方法。光學元件用於投影裝置中。投影裝置具有配置以發射符合非均勻光強度分布函數的光的光源。方法包含：將非均勻光強度分布函數乘以至少一光柵的繞射強度與角度函數以獲得乘積函數；判斷乘積函數在預定角度或波長範圍內是否實質上等於1；若乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1，則根據繞射強度與角度函數分別確定參考光束以及訊號光束的至少一對入射角；以及將參考光束與訊號光束分別以此至少一對入 射角錄製至少一片全像材料，以製作其內具有此至少一光柵的至少一全像元件。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：根據Kogelnik之耦合波理論獲得前述至少一光柵的繞射強度與角度函數。
於本揭露的一或多個實施方式中，獲得繞射強度與角度函數的步驟使用的參數包含全內反射角、前述至少一片全像材料的折射率調製、前述至少一片全像材料的厚度、至少一光柵建立波長、至少一表面週期寬度以及至少一光柵傾斜角。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：若乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上不等於1，則藉由調整前述至少一表面週期寬度與前述至少一光柵傾斜角的至少一者來調整繞射強度與角度函數。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：迭代地調整繞射強度與角度函數，使得乘積函數在預定角度或波長範圍內逼近1。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：將非均勻光強度分布函數乘以另一光柵的另一繞射強度與角度函數，以獲得另一乘積函數；判斷此另一乘積函數在另一預定角度或波長範圍內是否實質上等於1；若此另一乘積函數在此另一預定角度或波長範圍內實質上等於1，則根據此另一繞射強度與角度函數分別確定參考光束與訊號光束的另一對入射角；以及將參考光束與訊號光束分別 以此另一對入射角錄製前述至少一片全像材料，以製作另一光柵於前述至少一全像元件中。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一光柵與前述另一光柵對應相同的角度範圍，並分別對應不同的波長範圍。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一光柵與前述另一光柵對應相同的波長範圍，並分別對應不同的角度範圍。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：藉由將複數個子繞射強度與角度函數進行卷積以獲得繞射強度與角度函數。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一光柵的數量為複數。光柵分別符合子繞射強度與角度函數。前述至少一對入射角的對數為複數。每一對入射角分別對應子繞射強度與角度函數。前述錄製的步驟包含將參考光束與訊號光束以每一對入射角分別錄製前述至少一片全像材料。
於本揭露的一或多個實施方式中，方法進一步包含：若乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上不等於1，則藉由將子繞射強度與角度函數與另一子繞射強度與角度函數進行卷積以調整繞射強度與角度函數；判斷經調整之乘積函數在預定角度或波長範圍內是否實質上等於1；若經調整之乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1，則分別根據子繞射強度與角度函數與此另一子繞射強度與 角度函數確定參考光束與訊號光束的複數對入射角；以及將參考光束與訊號光束分別以每一對入射角錄製前述至少一片全像材料，其中前述至少一光柵的數量為複數，且光柵分別對應子繞射強度與角度函數與此另一子繞射強度與角度函數。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一片全像材料的數量、前述至少一全像元件的數量及前述至少一光柵的數量為複數。前述錄製的步驟分別於該些全像元件中的兩者內形成該些光柵中的兩者。
為了達到上述目的，依據本揭露之一實施方式，一種投影裝置包含光源以及至少一全像元件。光源配置以發射符合非均勻光強度分布函數的光。此至少一全像元件內包含至少一光柵。非均勻光強度分布函數與此至少一光柵的繞射強度與角度函數的乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1，使得直接抵達並穿過此至少一全像元件後的光符合均勻光強度分布函數。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一光柵的數量為複數。光柵分別符合複數個子繞射強度與角度函數。繞射強度與角度函數為子繞射強度與角度函數的卷積。
於本揭露的一或多個實施方式中，光柵對應相同的角度範圍，並分別對應不同的波長範圍。
於本揭露的一或多個實施方式中，光柵對應相同的波長範圍，並分別對應不同的角度範圍。
於本揭露的一或多個實施方式中，前述至少一全像元件的數量與前述至少一光柵的數量為複數。光柵中的兩者分別包含於全像元件中的兩者內。
綜上所述，於製造光學元件的方法與投影裝置中，形成於至少一全像元件中的至少一光柵可補償光源發出的符合非均勻光強度分布函數的光，使得補償後的光符合均勻光強度分布函數，從而可以獲得均勻的影像。如此，投影裝置中無需增加用於均勻光線的部件，並且可以減少全像光柵的多工次數，使得投影裝置更加高效與輕量化。
以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
100,200:投影裝置
110:光源
120:波導裝置
121a,121b,221:全像元件
1211a:第一全像光柵
1211a1:第四全像光柵
1211a2:第五全像光柵
1211b:第二全像光柵
1211c:第三全像光柵
122:波導元件
122a:第一表面
122b:第二表面
222:光學組合器
900:光學曝光系統
910a,910b,910c:光源
920a,920b,920c,920d:鏡子
930a,930b:半波板
940:偏光分光器
950a,950b:空間濾波器
960a,960b:透鏡
970:稜鏡
B:藍光
Da:第一繞射角
Db:第二繞射角
Dc:第三繞射角
G:綠光
R:紅光
R’,R’’:光線
P:感光高分子聚合物
S101,S102,S103,S104,S105,S201,S202,S203,S204,S205,S206:步驟
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖為繪示根據本揭露一些實施方式之投影裝置的示意圖。
第2圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像元件的示意圖。
第3圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光學曝光系統的示意圖。
第4圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像元件的示意圖。
第5圖為繪示根據本揭露一些實施方式之製造光學元件的方法的流程圖。
第6圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光源的能量高斯分布圖。
第7圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像光柵的繞射強度與角度圖。
第8圖為繪示根據本揭露一些實施方式之三個全像光柵的繞射強度對波長與角度的示意圖。
第9圖為繪示根據本揭露一些實施方式之三個全像光柵的繞射強度對波長與角度的示意圖。
第10圖為繪示根據本揭露一些實施方式之製造光學元件的方法的流程圖。
第11圖為繪示根據本揭露一些實施方式之投影裝置的示意圖。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
請參照第1圖。第1圖為繪示根據本揭露一些實施方式之投影裝置100的示意圖。如第1圖所示，投影裝 置100可被使用於擴增實境裝置(圖未示)中，此擴增實境裝置可以實現為(但不限於)頭戴式顯示器(HMD)眼鏡或其他可穿戴顯示裝置的裝置。投影裝置100包含光源110以及波導裝置120。波導裝置120包含兩全像元件121a、121b以及波導元件122。全像元件121a、121b附著至波導元件122，且分別作為光輸入與光輸出的導光元件。換言之，由光源110所投影的光可被輸入至全像元件121a以及由全像元件121b輸出，且波導元件122配置以基於全內反射原理導引光由全像元件121a傳播至全像元件121b。
於一些實施方式中，光源110配置以投影紅光R、綠光G以及藍光B，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，紅光R的波段係從約622nm至約642nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，綠光G的波段係從約522nm至約542nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，藍光B的波段係從約455nm至約475nm，但本揭露並不以此為限。於一些實施方式中，光源110採用發光二極體以投影紅光R、綠光G以及藍光B。於實際應用中，光源110可採用雷射二極體以較小的波段投射紅光R、綠光G以及藍光B。
請參照第2圖。第2圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像元件121a的示意圖。舉例來說，第2圖示出了全像元件121a貼附至第1圖所示的波導元件122的表面，並且第2圖的視角垂直於全像元件121a的前述表 面。如第1圖與第2圖所示，全像元件121a具有第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c。第一全像光柵1211a配置使紅光R繞射而以第一範圍之繞射角傳播。舉例來說，第一全像光柵1211a配置使波長為632nm(於紅光R的波段中)之光繞射而以第一繞射角Da傳播。第二全像光柵1211b配置使綠光G繞射而以第二範圍之繞射角傳播。舉例來說，第二全像光柵1211b配置使波長為532nm(於綠光G的波段中)之光繞射而以第二繞射角Db傳播。第三全像光柵1211c配置使藍光B繞射而以第三範圍之繞射角傳播。舉例來說，第三全像光柵1211c配置使波長為465nm(於藍光B的波段中)之光繞射而以第三繞射角Dc傳播。波導元件122配置以導引紅光R、綠光G以及藍光B由全像元件121a傳播至全像元件121b。
於一些實施方式中，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c疊合在一起。換句話說，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c相互穿過。如此，全像元件121a可具有小尺寸。
於一些實施方式中，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c為體積全像光柵。值得注意的是，根據布拉格定律，由體積全像光柵繞射的光可以一特定繞射角傳播。
於一些實施方式中，全像元件121b也可形成有第 一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c。如此，紅光R、綠光G以及藍光B傳播於波導元件122中的部分可分別由全像元件121b的第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c繞射並接著輸出至波導裝置120外而抵達使用者的眼睛。
請參照第3圖。第3圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光學曝光系統900的示意圖。如第3圖所示，光學曝光系統900包含三個光源910a、910b、910c配置以分別發射紅光R、綠光G以及藍光B。於一些實施方式中，光源910a所發射的紅光R的波段約為633nm，但本揭露不以此為限。於一些實施方式中，光源910b所發射的綠光G的波段約為532nm，但本揭露不以此為限。於一些實施方式中，光源910c所發射的藍光B的波段約為457nm，但本揭露不以此為限。於一些實施方式中，光源910a、910b、910c可為雷射二極體，但本揭露不以此為限。
如第3圖所示，光學曝光系統900進一步包含四個鏡子920a、920b、920c、920d、兩個半波板930a、930b、偏光分光器940、兩個空間濾波器950a、950b、兩個透鏡960a、960b以及稜鏡970。感光高分子聚合物P附著於稜鏡970的一側。光學曝光系統900配置以從感光高分子聚合物P的相對兩側以兩光束(例如，參考光束與訊號光束)以不同入射方向曝光感光高分子聚合物P的 一部位。感光高分子聚合物P包含單體(monomer)、聚合體(polymer)、光啟始劑(photo-initiator)以及黏結劑(binder)。當感光高分子聚合物P經受曝光製程時，光啟始劑接受光子以產生自由基，使得單體開始聚合(photopolymerization)。藉由使用全像干涉條紋的曝光方法，未被光照射的單體(亦即，在暗區)擴散至光錄製區(亦即，亮區)移動並且聚合，進而造成聚合體不均勻的濃度梯度。最後，再經定影(fixing)後，各具有交錯排列之連續亮暗條紋的相位光柵(亦即，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c)即可完成，且感光高分子聚合物P被轉換成全像元件121a。
於一些實施方式中，根據不同的製造方法，一體積全像光柵可形成透射式全像光柵或反射式全像光柵。具體來說，如第3圖所示，藉由從感光高分子聚合物P的相對兩側以兩光束以不同入射方向曝光感光高分子聚合物P，全像元件121a可被製造成反射式全像元件(亦即，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c為反射式全像光柵)。於一些實施方式中，藉由從感光高分子聚合物P的同一側以兩光束以不同入射方向曝光感光高分子聚合物P(第3圖所示的光學曝光系統900的光路需要修改)，全像元件121a可被製造成透射式全像元件(亦即，第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c為透射式全像光柵)。
於一些實施方式中，全像元件121b也可被製造為透射式全像元件或反射式全像元件。舉例來說，如第1圖所示，全像元件121a、121b皆為反射式全像元件，且分別位於波導元件122的相對兩側。具體來說，全像元件121a、121b分別附著至波導元件122的第一表面122a以及第二表面122b。
請參照第4圖。第4圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像元件121a的示意圖。舉例來說，第4圖示出了全像元件121a貼附至第1圖所示的波導元件122的表面，並且第4圖的視角垂直於全像元件121a的前述表面。如第4圖所示，除了第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c，全像元件121a進一步包含第四全像光柵1211a1以及第五全像光柵1211a2。第四全像光柵1211a1配置使紅光R繞射而以第四範圍之繞射角傳播。舉例來說，第四全像光柵1211a1配置使波長為632nm之光繞射而以等於第一繞射角Da加5度之第四繞射角傳播(如第4圖中之光線R’所示)。第五全像光柵1211a2配置使紅光R繞射而以第五範圍之繞射角傳播。舉例來說，第五全像光柵1211a2配置使波長為632nm之光繞射而以等於第一繞射角Da加10度之第五繞射角傳播(如第4圖中之光線R’’所示)。
請參照第5圖。第5圖為繪示根據本揭露一些實施方式之製造光學元件的方法的流程圖。如第5圖所示，製造光學元件的方法主要包含步驟S101、S102、S103、 S104、S105。
步驟S101：將非均勻光強度分布函數乘以至少一光柵的繞射強度與角度函數以獲得乘積函數。
請參照第6圖。第6圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光源110的能量高斯分布圖。如第6圖所示，投影裝置100的光源110的高斯分布特性並未均勻地調整。因此，光源110發射的光符合第6圖所示的非均勻光強度分布函數。
於一些實施方式中，製造光學元件的方法可進一步包含：根據Kogelnik之耦合波理論獲得前述至少一光柵的繞射強度與角度函數。於一些實施方式中，獲得繞射強度與角度函數的步驟使用的參數包含全內反射角、前述至少一片全像材料的折射率調製、前述至少一片全像材料的厚度、至少一光柵建立波長、至少一表面週期寬度以及至少一光柵傾斜角。
於實際應用中，全內反射角、前述至少一片全像材料的折射率調製與前述至少一片全像材料的厚度為前述至少一片全像材料的邊界條件並且可以先被定義。接著，可再給出前述至少一光柵建立波長、前述至少一表面週期寬度與前述至少一光柵傾斜角。最後，繞射強度與角度函數可利用前述這些參數並根據Kogelnik之耦合波理論而獲得。請參照第7圖。第7圖為繪示根據本揭露一些實施方式之全像光柵的繞射強度與角度圖。所獲得的繞射強度與角度函數符合全像光柵的繞射強度與角度圖。
步驟S102：判斷乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1。若步驟S102的判斷結果為是，則執行步驟S103。若步驟S102的判斷結果為否，則執行步驟S105。
步驟S103：根據繞射強度與角度函數分別確定參考光束以及訊號光束的至少一對入射角。
步驟S104：將參考光束與訊號光束分別以此至少一對入射角錄製至少一片全像材料，以製作其內具有此至少一光柵的至少一全像元件。步驟S104可藉由使用第3圖的光學曝光系統900而執行。
步驟S105：藉由調整前述至少一表面週期寬度與前述至少一光柵傾斜角的至少一者來調整繞射強度與角度函數。
於一些實施方式中，製造光學元件的方法可進一步包含：迭代地調整繞射強度與角度函數，使得乘積函數在預定角度或波長範圍內逼近1。
請參照第8圖。第8圖為繪示根據本揭露一些實施方式之三個全像光柵的繞射強度對波長與角度的示意圖。如第8圖所示，三個全像光柵對應相同的角度範圍(亦即，從約-15度至約15度)，並分別對應不同的波長範圍(亦即，從約575nm至約700nm的範圍、從約475nm至約600nm的範圍以及從約410nm至約505nm的範圍)。亦即，三個全像光柵的每一者可藉由執行第5圖中的步驟而形成，且三個全像光柵分別對光源110所發射的光在不 同波長範圍內的強度進行補償。
於實際應用中，全像光柵的數量可以根據需求彈性地改變。亦即，全像光柵的數量可以大於或小於三。
於一些實施方式中，三個全像光柵可分別為全像元件121a或全像元件121b的第一全像光柵1211a、第二全像光柵1211b以及第三全像光柵1211c。亦即，只有全像元件121a與全像元件121b中之一者用於補償光源110。
請參照第9圖。第9圖為繪示根據本揭露一些實施方式之三個全像光柵的繞射強度對波長與角度的示意圖。如第9圖所示，三個全像光柵對應相同的波長範圍(亦即，從約400nm至約700nm)，並分別對應不同的角度範圍(亦即，從約-15度至約-5度的範圍、從約-5度至約5度的範圍以及從約5度至約15度的範圍)。亦即，三個全像光柵的每一者可藉由執行第5圖中的步驟而形成，且三個全像光柵分別對光源110所發射的光在不同角度範圍內的強度進行補償。
請參照第10圖。第10圖為繪示根據本揭露一些實施方式之製造光學元件的方法的流程圖。如第10圖所示，製造光學元件的方法主要包含步驟S201、S202、S203、S204、S205、S206。
步驟S201：藉由將複數個子繞射強度與角度函數進行卷積以獲得繞射強度與角度函數。換句話說，繞射強度與角度函數是子繞射強度與角度函數的捲積。
於一些實施方式中，複數個光柵分別符合子繞射強度與角度函數。於一些實施方式中，製造光學元件的方法進一步包含：根據Kogelnik之耦合波理論獲得這些子繞射強度與角度函數。於一些實施方式中，獲得前述子繞射強度與角度函數的步驟使用的參數包含全內反射角、前述至少一片全像材料的折射率調製、前述至少一片全像材料的厚度、前述光柵的複數個光柵建立波長、前述光柵的複數個表面週期寬度以及前述光柵的複數個光柵傾斜角。換句話說，繞射強度與角度函數的每一者可以藉由與第5圖中的繞射強度與角度函數相同的方法來獲得。
步驟S202：將非均勻光強度分布函數乘以繞射強度與角度函數以獲得乘積函數。如前所述，光源110發出的光符合可由第6圖獲得的非均勻光強度分布函數。
請參照第6圖。第6圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光源110的能量高斯分布圖。如第6圖所示，投影裝置100的光源110的高斯分布特性並未均勻地調整。因此，光源110發射的光符合第6圖所示的非均勻光強度分布函數。
步驟S203：判斷乘積函數在預定角度或波長範圍內實質上等於1。若步驟S203的判斷結果為是，則執行步驟S204。若步驟S203的判斷結果為否，則執行步驟S206。
步驟S204：分別根據子繞射強度與角度函數確定參考光束與訊號光束的複數對入射角。
步驟S205：將參考光束與訊號光束分別以這些對入射角錄製至少一片全像材料，以製作其內具有複數個光柵的至少一全像元件。步驟S205可藉由使用第3圖的光學曝光系統900而執行。如前所述，這些光柵分別符合子繞射強度與角度函數。
步驟S206：藉由將前述子繞射強度與角度函數與另一子繞射強度與角度函數進行卷積以調整繞射強度與角度函數。
於一些實施方式中，子繞射強度與角度函數的總數可以為二，但本揭露不以此為限。於實際應用中，子繞射強度與角度函數的總數可以根據需要而彈性地改變。
於一些實施方式中，子繞射強度與角度函數的總數為二，且對應的兩個光柵分別形成在兩個全像元件中。舉例來說，全像元件121a、121b的第一全像光柵1211a可以分別符合子繞射強度與角度函數。或者，全像元件121a、121b的第二全像光柵1211b可以分別符合子繞射強度與角度函數。或者，全像元件121a、121b的第三全像光柵1211c可以分別符合子繞射強度與角度函數。
請參照第11圖。第11圖為繪示根據本揭露一些實施方式之投影裝置200的示意圖。如第11圖所示，投影裝置200包含光源110、全像元件221和光學組合器222。投影裝置200可以是AR裝置，但本揭露並不以此為限。全像元件221貼附於光學組合器222的一側。光源110設置於光學組合器222的前述一側，並向全像元件 221發射光。全像元件221為反射式全像元件，用於將光源110發射的光反射到使用者的眼睛。於一些實施方式中，全像元件221可以包和藉由執行第5圖的方法或第10圖的方法形成的至少一反射式全像光柵。此至少一反射式全像光柵可以補償光源110所發射的光的強度。
由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於製造光學元件的方法與投影裝置中，形成於至少一全像元件中的至少一光柵可補償光源發出的符合非均勻光強度分布函數的光，使得補償後的光符合均勻光強度分布函數，從而可以獲得均勻的影像。如此，投影裝置中無需增加用於均勻光線的部件，並且可以減少全像光柵的多工次數，使得投影裝置更加高效與輕量化。
雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S101,S102,S103,S104,S105:步驟

Claims (17)

  1. 一種製造光學元件之方法，該光學元件用於一投影裝置中，該投影裝置具有配置以發射符合一非均勻光強度分布函數的光的一光源，該方法包含： 將該非均勻光強度分布函數乘以至少一光柵的一繞射強度與角度函數以獲得一乘積函數； 判斷該乘積函數在一預定角度或波長範圍內是否實質上等於1； 若該乘積函數在該預定角度或波長範圍內實質上等於1，則根據該繞射強度與角度函數分別確定一參考光束以及一訊號光束的至少一對入射角；以及 將該參考光束與該訊號光束分別以該至少一對入射角錄製至少一片全像材料，以製作其內具有該至少一光柵的至少一全像元件。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 根據Kogelnik之耦合波理論獲得該至少一光柵的該繞射強度與角度函數。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該獲得該繞射強度與角度函數的步驟使用的參數包含全內反射角、該至少一片全像材料的折射率調製、該至少一片全像材料的厚度、至少一光柵建立波長、至少一表面週期寬度以及至少一光柵傾斜角。
  4. 如請求項3所述之方法，進一步包含： 若該乘積函數在該預定角度或波長範圍內實質上不等於1，則藉由調整該至少一表面週期寬度與該至少一光柵傾斜角的至少一者來調整該繞射強度與角度函數。
  5. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 迭代地調整該繞射強度與角度函數，使得該乘積函數在該預定角度或波長範圍內逼近1。
  6. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 將該非均勻光強度分布函數乘以另一光柵的另一繞射強度與角度函數，以獲得另一乘積函數； 判斷該另一乘積函數在另一預定角度或波長範圍內是否實質上等於1； 若該另一乘積函數在該另一預定角度或波長範圍內實質上等於1，則根據該另一繞射強度與角度函數分別確定該參考光束與該訊號光束的另一對入射角；以及 將該參考光束與該訊號光束分別以該另一對入射角錄製該至少一片全像材料，以製作另一光柵於該至少一全像元件中。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該至少一光柵與該另一光柵對應相同的一角度範圍，並分別對應不同的波長範圍。
  8. 如請求項6所述之方法，其中該至少一光柵與該另一光柵對應相同的一波長範圍，並分別對應不同的角度範圍。
  9. 如請求項1所述之方法，進一步包含： 藉由將複數個子繞射強度與角度函數進行卷積以獲得該繞射強度與角度函數。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該至少一光柵的數量為複數，該些光柵分別符合該些子繞射強度與角度函數，該至少一對入射角的對數為複數，每一該些對入射角分別對應該些子繞射強度與角度函數，且該錄製的步驟包含將該參考光束與該訊號光束以每一該些對入射角分別錄製該至少一片全像材料。
  11. 如請求項9所述之方法，進一步包含： 若該乘積函數在該預定角度或波長範圍內實質上不等於1，則藉由將該些子繞射強度與角度函數與另一子繞射強度與角度函數進行卷積以調整該繞射強度與角度函數； 判斷經調整之該乘積函數在該預定角度或波長範圍內是否實質上等於1； 若經調整之該乘積函數在該預定角度或波長範圍內實質上等於1，則分別根據該些子繞射強度與角度函數與該另一子繞射強度與角度函數確定該參考光束與該訊號光束的複數對入射角；以及 將該參考光束與該訊號光束分別以每一該些對入射角錄製該至少一片全像材料，其中該至少一光柵的數量為複數，且該些光柵分別對應該些子繞射強度與角度函數與該另一子繞射強度與角度函數。
  12. 如請求項1所述之方法，其中該至少一片全像材料的數量、該至少一全像元件的數量及該至少一光柵的數量為複數，且該錄製的步驟分別於該些全像元件中的兩者內形成該些光柵中的兩者。
  13. 一種投影裝置，包含： 一光源，配置以發射符合一非均勻光強度分布函數的光；以及 至少一全像元件，其內包含至少一光柵，其中該非均勻光強度分布函數與該至少一光柵的一繞射強度與角度函數的一乘積函數在一預定角度或波長範圍內實質上等於1，使得直接抵達並穿過該至少一全像元件後的該光符合一均勻光強度分布函數。
  14. 如請求項13所述之投影裝置，其中該至少一光柵的數量為複數，該些光柵分別符合複數個子繞射強度與角度函數，且該繞射強度與角度函數為該些子繞射強度與角度函數的卷積。
  15. 如請求項14所述之投影裝置，其中該些光柵對應相同的一角度範圍，並分別對應不同的波長範圍。
  16. 如請求項14所述之投影裝置，其中該些光柵對應相同的一波長範圍，並分別對應不同的角度範圍。
  17. 如請求項13所述之投影裝置，其中該至少一全像元件的數量與該至少一光柵的數量為複數，且該些光柵中的兩者分別包含於該些全像元件中的兩者內。
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