[go: up one dir, main page]

TWI860794B - 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法 - Google Patents

電容元件、包含其的線路載板及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI860794B
TWI860794B TW112127897A TW112127897A TWI860794B TW I860794 B TWI860794 B TW I860794B TW 112127897 A TW112127897 A TW 112127897A TW 112127897 A TW112127897 A TW 112127897A TW I860794 B TWI860794 B TW I860794B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protrusion
electrode
dielectric
circuit
circuit carrier
Prior art date
Application number
TW112127897A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202505940A (zh
Inventor
郭俊宏
陳國慶
黃昱程
陳裕華
Original Assignee
欣興電子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 欣興電子股份有限公司 filed Critical 欣興電子股份有限公司
Priority to TW112127897A priority Critical patent/TWI860794B/zh
Priority to US18/236,280 priority patent/US20250040051A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI860794B publication Critical patent/TWI860794B/zh
Publication of TW202505940A publication Critical patent/TW202505940A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors (thin- or thick-film circuits; capacitors without a potential-jump or surface barrier specially adapted for integrated circuits, details thereof, multistep manufacturing processes therefor)
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4682—Manufacture of core-less build-up multilayer circuits on a temporary carrier or on a metal foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/096—Vertically aligned vias, holes or stacked vias

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

本發明提供一種線路載板，包含至少一線路層以及電容元件。電容元件設置於線路層的至少一介電層內。電容元件包含下電極、中間電極以及上電極。中間電極介於下電極和上電極之間。中間電極包含平板部、第一突出部以及第二突出部。第一突出部與第二突出部分別自平板部的相對兩側延伸。

Description

電容元件、包含其的線路載板及其製作方法
本發明係關於線路載板結構，特別是一種具有電容的線路載板結構。
隨著電子產品的需求朝向高功能化、訊號傳輸高速化及電路元件高密度化，積體電路晶片所呈現的功能越強，而針對消費性電子產品，搭配的被動元件數量亦隨之遽增。內埋式電容元件是線路板設計中不可缺的重要元件之一。因應電路元件高密度化的發展，如何在有限的空間中製造電容量更高的內埋式電容元件，是本技術領域目前待解決的問題。
鑒於上述問題，本發明提供一種包含電容元件的線路載板，有助於解決現有內埋式電容元件的電容量不夠高的問題。本發明還提供線路載板的電容元件的製造方法。
本發明所揭露之線路載板包含至少一線路層以及一電容元件。電容元件設置於線路層的至少一介電層內。電容元件包含一下電極、一中間電極以及一上電極。中間電極介於下電極和上電極之間。中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部。第一突出部與第二突出部分別自平板部的相對兩側延伸。
於前述線路載板中，下電極可包含一平板部以及至少一突出部。下電極的突出部自其平板部朝向中間電極的平板部延伸，且下電極的突出部與中間電極的第一突出部平行設置。
於前述線路載板中，在線路載板的一長度方向上，下電極的突出部可與中間電極的第一突出部重疊。
於前述線路載板中，上電極可包含一平板部以及至少一突出部。上電極的突出部自其平板部朝向中間電極的平板部延伸，且上電極的突出部與中間電極的第二突出部平行設置。
於前述線路載板中，在線路載板的一長度方向上，上電極的突出部可與中間電極的第二突出部重疊。
於前述線路載板中，中間電極的第一突出部與第二突出部相對於其平板部可彼此對稱。
於前述線路載板中，在線路載板的一厚度方向上，中間電極的第一突出部與第二突出部可完全重疊。
於前述線路載板中，電容元件可進一步包含一第一介電夾層以及一第二介電夾層。第一介電夾層介於下電極和中間電極之間，第二介電夾層介於中間電極和上電極之間。第一介電夾層與第二介電夾層的材料不同於介電層的材料。
於前述線路載板中，下電極、中間電極及上電極可皆為梳狀電極。
本發明另揭露之線路載板的電容元件包含一下電極、一中間電極以及一上電極。中間電極介於下電極和上電極之間。中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部，且第一突出部與第二突出部分別自平板部的相對兩側延伸。第一突出部與第二突出部相對於中間電極的平板部彼此對稱。
本發明又另揭露之線路載板的製造方法包含以下步驟：於一芯板上形成一下電極以及一第一介電夾層，下電極位於第一介電夾層下方；於芯板上形成一第一介電層，第一介電層顯露第一介電夾層；於第一介電夾層上形成一中間電極，中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部，且第一突出部與第二突出部分別自平板部的相對兩側延伸；於中間電極上形成一第二介電夾層；於第一介電層上形成一第二介電層，第二介電層顯露第二介電夾層；以及於第二介電夾層上形成一上電極。
於前述製造方法中，於芯板上形成下電極以及第一介電夾層可包含以下步驟：於芯板上形成一金屬層；於金屬層上形成第一介電夾層；以及移除部分金屬層，以形成下電極。
於前述製造方法中，於芯板上形成金屬層可包含以微影製程和鍍覆製程處理金屬層。
於前述製造方法中，金屬層形成於線路載板的一線路區以及一電容區，且於金屬層上形成第一介電夾層可包含以下步驟：於金屬層上形成一介電材料層，介電材料層遍布線路區以及電容區；將線路區中的介電材料層完全移除；以及將電容區中的介電材料層圖案化，以形成第一介電夾層。
於前述製造方法中，於第一介電夾層上形成中間電極可包含以下步驟：於第一介電夾層上形成一金屬層；減少金屬層的厚度，以形該中間電極的平板部及第一突出部；以及於平板部上形成中間電極的第二突出部。
於前述製造方法中，線路載板具有一線路區以及一電容區，且於中間電極上形成第二介電夾層可包含以下步驟：於第一介電層上形成一介電材料層覆蓋中間電極，介電材料層遍布線路區以及電容區；將線路區中的介電材料層完全移除；以及將電容區中的介電材料層圖案化，以形成第二介電夾層。
於前述製造方法中，於第二介電夾層上形成上電極包含可包含以下步驟：於第二介電夾層上形成一金屬層；以及減少金屬層的厚度，以形成上電極。
根據本發明揭露之電容元件、線路載板及其製造方法，根據本發明揭露之線路載板及其製造方法，電容元件包含下電極、中間電極以及上電極，並且中間電極包含平板部朝向下電極延伸的第一突出部以及朝向上電極延伸的第二突出部。藉此，呈疏狀結構的中間電極有助於同時增加其與下電極和上電極之間的電容值。此外，具有突出部的中間電極能夠允許在提供所需電容值的前提下讓中間電極與下/上電極之間的距離減少，從而有利於線路載板的薄化。
在部分實施例中，中間電極的第一突出部與第二突出部相對於平板部彼此對稱，而有利於提供較佳的電容值提升效果，並且減少製程成本。
以上關於本發明內容之說明及以下實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之原理，並提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
於以下實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者瞭解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露的內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易理解本發明。以下實施例進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1，係為根據本發明一實施例之線路載板的示意圖。在本實施例中，線路載板1A包含芯板10、線路層20、線路層20”以及電容元件30。芯板10例如可以是玻纖布(glass fiber)和環氧樹脂(epoxy resin)製成的電性絕緣基板。圖1示例性繪出依序堆疊的兩個線路層20、20”，但線路層的數量並非用以限制本發明。
線路層20可包含第一介電層210、第一線路220以及第一導電盲孔230。線路層20”可包含第二介電層210”、第二線路220”以及第二導電盲孔230”。第一介電層210與第二介電層210”各自可為由電木板、玻璃纖維、環氧樹脂、聚醯亞胺或其他機高分子材料及填充材料(Filler)之複合材料製成的介電層。
本實施例提供的線路層20、20”僅為示例，因此本發明並不以線路層20、20”的具體結構為限。在部分其他實施例中，線路層可以包含導電貫通孔以及與其相連的額外線路層。
電容元件30設置於第一介電層210以及第二介電層210”內。電容元件30例如可以是內埋式電容元件，其包含下電極310、中間電極320以及上電極330，且中間電極320介於下電極310和上電極330之間。下電極310可包含相連的平板部311以及多個突出部312，且突出部312的數量並非用以限制本發明。
中間電極320包含平板部321、多個第一突出部322以及多個第二突出部323，且第一突出部322和第二突出部323的數量並非用以限制本發明。第一突出部322與第二突出部323分別自平板部321的相對兩側延伸，且下電極310的突出部312朝向中間電極320的平板部321延伸。
上電極330可包含相連的平板部331以及多個突出部332，且突出部332的數量並非用以限制本發明。上電極330的突出部332朝向中間電極320的平板部321延伸。此外，中間電極320的第一突出部322自平板部321朝向下電極310的平板部311延伸，且第二突出部323自平板部321朝向上電極330的平板部延伸。
在本實施例中，下電極310的突出部312與中間電極320的第一突出部322平行設置。更詳細來說，在線路載板1A的長度方向D1上，下電極310的突出部312與中間電極320的第一突出部322有重疊。此外，上電極330的突出部332與中間電極320的第二突出部323平行設置。更詳細來說，在線路載板1A的長度方向D1上，上電極330的突出部332與中間電極320的第二突出部323有重疊。線路載板1A的長度方向D1相對正交於下電極310、中間電極320和上電極330依序配置的增層方向D0。
在本實施例中，下電極310、中間電極320及上電極330可皆為梳狀電極。下電極310的突出部312與中間電極320的第一突出部322以固定間距相互間隔且穿插排列，因此下電極310與中間電極320可被等效為一個平板電容器。上電極330的突出部332與中間電極320的第二突出部323以固定間距相互間隔且穿插排列，因此上電極330與中間電極320可被等效為另一個平板電容器。前述兩個平板電容器可以相互並聯而獲得較高的等效電容。
在本實施例中，中間電極320的第一突出部322與第二突出部323相對於其平板部321可彼此對稱。更詳細來說，在線路載板1A的厚度方向(即增層方向D0)上，中間電極320的第一突出部322與第二突出部323完全重疊。
在本實施例中，電容元件30可進一步包含第一介電夾層340以及第二介電夾層350。第一介電夾層340介於下電極310和中間電極320之間，第二介電夾層350介於中間電極320和上電極330之間。第一介電夾層340與第二介電夾層350的材料可不同於第一介電層210與第二介電層210”的材料。舉例來說，第一介電夾層340與第二介電夾層350可由具有高介電常數的環氧樹脂－陶瓷複合材料製成，以提高電容量。
以下說明線路載板1A的示例性製造方法。圖2至圖5為形成圖1之線路載板的第一線路、下電極以及第一介電夾層的示意圖。如圖2所示，提供芯板10，並且於芯板10上形成金屬層40。具體來說，可以利用微影製程和鍍覆製程形成金屬層40，使得金屬層40的形狀符合後續要形成的如圖5所示之第一線路220以及下電極310的形狀。所述鍍覆製程可以是化學鍍製程或電鍍製程。
接著，如圖3和圖4所示，於金屬層40上形成第一介電夾層340。詳細來說，線路載板1A可被定義出彼此不重疊的線路區R1以及電容區R2，並且金屬層40形成於線路區R1與電容區R2中。根據製程需求，圖1中的線路層20將於後續形成於線路區R1中，且電容元件30將於後續形成於電容區R2中。於金屬層40上形成遍布線路區R1與電容區R2的介電材料層50。在線路區R1中，介電材料層50被完全移除，以使在線路區R1中的金屬層40完全顯露出來。在電容區R2中，介電材料層50被圖案化從而形成第一介電夾層340。介電材料層50的形成例如可以透過物理氣相沉積(PVD)或噴墨列印(Ink-jet Printing)或真空壓合(Vacuum Lamination)來實施。介電材料層50的移除或是圖案化例如可以透過微影製程及/或乾式蝕刻製程來實施。
接著，如圖5所示，移除部分金屬層40，以形成第一線路220以及下電極310，並且在電容區R2中的下電極310位於第一介電夾層340下方。金屬層40的移除例如可以透過乾式蝕刻及/或濕式蝕刻來實施。
圖6和圖7為形成圖1之線路載板的第一介電層的示意圖。於芯板10上形成線路層20的第一介電層210，並且第一介電層210顯露第一介電夾層340以及至少部分第一線路220。詳細來說，首先於芯板10上形成第一介電層210，其包覆第一線路220、下電極310以及第一介電夾層340。在線路區R1中，部分第一介電層210被移除以顯露出第一線路220的一部分上表面。在電容區R2中，部分第一介電層210被移除以顯露出第一介電夾層340的整個上表面。第一介電層210的形成例如可以透過物理氣相沉積來實施。第一介電層210的移除例如可以透過微影製程及/或乾式蝕刻製程來實施。
圖8至圖10為形成圖1之線路載板的第一導電盲孔、第二線路以及中間電極的示意圖。如圖8所示，於第一線路220、第一介電層210及第一介電夾層340上形成金屬層60。金屬層60的形成例如可以透過化學鍍製程或電鍍製程來實施。
接著，如圖9所示，減少金屬層60的厚度，以形成線路層20的第一導電盲孔230和中間電極320的平板部321及第一突出部322。第一導電盲孔230與第一線路220連接。金屬層60的減少厚度例如可以透過化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)來實施。
接著，如圖10所示，在線路區R1中，於第一導電盲孔230和第一介電層210上形成第二線路220”。在電容區R2中，於平板部321上形成中間電極320的第二突出部323。可以利用微影製程和鍍覆製程形成第二線路220”和第二突出部323。所述鍍覆製程可以是化學鍍製程或電鍍製程。
圖11和圖12為形成圖1之線路載板的第二介電夾層的示意圖。於第一介電層210上形成遍布線路區R1與電容區R2的介電材料層70以覆蓋第二線路220”以及中間電極320。在線路區R1中，介電材料層70被完全移除，以使第二線路220”完全顯露出來。在電容區R2中，介電材料層70被圖案化從而形成第二介電夾層350。介電材料層70的形成例如可以透過物理氣相沉積(PVD)或噴墨列印(Ink-jet Printing)或真空壓合(Vacuum Lamination)來實施。介電材料層70的移除或是圖案化例如可以透過微影製程及/或乾式蝕刻製程來實施。
圖13為形成圖1之線路載板的第二介電層的示意圖。於第一介電層210上形成線路層20”的第二介電層210”，並且第二介電層210”顯露第二介電夾層350以及至少部分第二線路220”。詳細來說，首先於第一介電層210上形成第二介電層210”以包覆第二線路220”以及第二介電夾層350。在線路區R1中，部分第二介電層210”被移除以顯露出第二線路220”的一部分上表面。在電容區R2中，部分第二介電層210”被移除以顯露出第二介電夾層350的整個上表面。第二介電層210”的形成例如可以透過物理氣相沉積來實施。第二介電層210”的移除例如可以透過微影製程及/或乾式蝕刻製程來實施。
圖14和圖15為形成圖1之線路載板的上電極的示意圖。如圖14所示，於第二線路220”、第二介電層210”及第二介電夾層350上形成金屬層80。金屬層80的形成例如可以透過化學鍍製程或電鍍製程來實施。接著，如圖15所示，減少金屬層80的厚度，以形成線路層20”的第二導電盲孔230”和上電極330。第二導電盲孔230”與第二線路220”連接。金屬層80的減少厚度例如可以透過化學機械研磨來實施。於第二導電盲孔230”上可以再額外形成訊號傳輸線路(未另繪示)。
本發明的電容元件並不以三層電極的結構為限。圖16為根據本發明另一實施例之線路載板的示意圖。本實施例的線路載板1B與圖1的線路載板1A相似，主要差異在於線路載板1B的電容元件30包含多個中間電極320。
綜上所述，根據本發明揭露之電容元件、線路載板及其製造方法，電容元件包含下電極、中間電極以及上電極，並且中間電極包含平板部朝向下電極延伸的第一突出部以及朝向上電極延伸的第二突出部。藉此，呈疏狀結構的中間電極有助於同時增加其與下電極和上電極之間的電容值。此外，具有突出部的中間電極能夠允許在提供所需電容值的前提下讓中間電極與下/上電極之間的距離減少，從而有利於線路載板的薄化。
在部分實施例中，中間電極的第一突出部與第二突出部相對於平板部彼此對稱，而有利於提供較佳的電容值提升效果，並且減少製程成本。
本發明之實施例揭露雖如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述之形狀、構造、特徵及精神當可做些許之變更，因此本發明之專利保護範圍需視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
1A、1B:線路載板 10:芯板 20、20”:線路層 210:第一介電層 220:第一線路 230:第一導電盲孔 210”:第二介電層 220”:第二線路 230”:第二導電盲孔 30:電容元件 310:下電極 311:平板部 312:突出部 320:中間電極 321:平板部 322:第一突出部 323:第二突出部 330:上電極 331:平板部 332:突出部 340:第一介電夾層 350:第二介電夾層 40:金屬層 50、70:介電材料層 60、80:金屬層 D0:增層方向 D1:長度方向 R1:線路區 R2:電容區
圖1為根據本發明一實施例之線路載板的示意圖。 圖2至圖5為形成圖1之線路載板的第一線路、下電極以及第一介電夾層的示意圖。 圖6和圖7為形成圖1之線路載板的第一介電層的示意圖。 圖8至圖10為形成圖1之線路載板的第一導電盲孔、第二線路以及中間電極的示意圖。 圖11和圖12為形成圖1之線路載板的第二介電夾層的示意圖。 圖13為形成圖1之線路載板的第二介電層的示意圖。 圖14和圖15為形成圖1之線路載板的上電極的示意圖。 圖16為根據本發明另一實施例之線路載板的示意圖。
1A:線路載板
10:芯板
20、20”:線路層
210:第一介電層
220:第一線路
230:第一導電盲孔
210”:第二介電層
220”:第二線路
230”:第二導電盲孔
30:電容元件
310:下電極
311:平板部
312:突出部
320:中間電極
321:平板部
322:第一突出部
323:第二突出部
330:上電極
331:平板部
332:突出部
340:第一介電夾層
350:第二介電夾層
D0:增層方向
D1:長度方向

Claims (17)

  1. 一種線路載板，包含： 至少一線路層；以及一電容元件，設置於該至少一線路層的至少一介電層內；其中，該電容元件包含一下電極、一中間電極以及一上電極，該中間電極介於該下電極和該上電極之間，該中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部，該至少一第一突出部與該至少一第二突出部分別自該平板部的相對兩側延伸。
  2. 如請求項1所述之線路載板，其中該下電極包含一平板部以及至少一突出部，該下電極的該至少一突出部自該下電極的該平板部朝向該中間電極的該平板部延伸，且該下電極的該至少一突出部與該中間電極的該至少一第一突出部平行設置。
  3. 如請求項2所述之線路載板，其中在該線路載板的一長度方向上，該下電極的該至少一突出部與該中間電極的該至少一第一突出部有重疊。
  4. 如請求項1所述之線路載板，其中該上電極包含一平板部以及至少一突出部，該上電極的該至少一突出部自該上電極的該平板部朝向該中間電極的該平板部延伸，且該上電極的該至少一突出部與該中間電極的該至少一第二突出部平行設置。
  5. 如請求項4所述之線路載板，其中在該線路載板的一長度方向上，該上電極的該至少一突出部與該中間電極的該至少一第二突出部重疊。
  6. 如請求項1所述之線路載板，其中該中間電極的該至少一第一突出部與該至少一第二突出部相對於該中間電極的該平板部彼此對稱。
  7. 如請求項1所述之線路載板，其中在該線路載板的一厚度方向上，該中間電極的該至少一第一突出部與該至少一第二突出部完全重疊。
  8. 如請求項1所述之線路載板，其中該電容元件更包含一第一介電夾層以及一第二介電夾層，該第一介電夾層介於該下電極和該中間電極之間，該第二介電夾層介於該中間電極和該上電極之間，且該第一介電夾層與該第二介電夾層的材料不同於該至少一介電層的材料。
  9. 如請求項1所述之線路載板，其中該下電極、該中間電極及該上電極皆為梳狀電極。
  10. 一種線路載板的電容元件，包含：一下電極、一中間電極以及一上電極，該中間電極介於該下電極和該上電極之間，該中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部，且該至少一第一突出部與該至少一第二突出部分別自該平板部的相對兩側延伸；其中，該至少一第一突出部與該至少一第二突出部相對於該中間電極的該平板部彼此對稱。
  11. 一種線路載板的電容元件的製造方法，包含：於一芯板上形成一下電極以及一第一介電夾層，其中該下電極位於該第一介電夾層下方；於該芯板上形成一第一介電層，其中該第一介電層顯露該第一介電夾層；於該第一介電夾層上形成一中間電極，其中該中間電極包含一平板部、至少一第一突出部以及至少一第二突出部，該至少一第一突出部與該至少一第二突出部分別自該平板部的相對兩側延伸；於該中間電極上形成一第二介電夾層；於該第一介電層上形成一第二介電層，其中該第二介電層顯露該第二介電夾層；以及於該第二介電夾層上形成一上電極。
  12. 如請求項11所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該於該芯板上形成該下電極以及該第一介電夾層包含：於該芯板上形成一金屬層；於該金屬層上形成該第一介電夾層；以及移除部分該金屬層，以形成該下電極。
  13. 如請求項12所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該於該芯板上形成該金屬層包含以微影製程和鍍覆製程處理該金屬層。
  14. 如請求項12所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該金屬層形成於該線路載板的一線路區以及一電容區，且該於該金屬層上形成該第一介電夾層包含：於該金屬層上形成一介電材料層，該介電材料層遍布該線路區以及該電容區；將該線路區中的該介電材料層完全移除；以及將該電容區中的該介電材料層圖案化，以形成該第一介電夾層。
  15. 如請求項11所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該於該第一介電夾層上形成該中間電極包含：於該第一介電夾層上形成一金屬層；減少該金屬層的厚度，以形成該中間電極的該平板部及該至少一第一突出部；以及於該平板部上形成該中間電極的該至少一第二突出部。
  16. 如請求項11所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該線路載板具有一線路區以及一電容區，且該於該中間電極上形成該第二介電夾層包含：於該第一介電層上形成一介電材料層覆蓋該中間電極，該介電材料層遍布該線路區以及該電容區；將該線路區中的該介電材料層完全移除；以及將該電容區中的該介電材料層圖案化，以形成該第二介電夾層。
  17. 如請求項11所述之線路載板的電容元件的製造方法，其中該於該第二介電夾層上形成該上電極包含：於該第二介電夾層上形成一金屬層；以及減少該金屬層的厚度，以形成該上電極。
TW112127897A 2023-07-26 2023-07-26 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法 TWI860794B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112127897A TWI860794B (zh) 2023-07-26 2023-07-26 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法
US18/236,280 US20250040051A1 (en) 2023-07-26 2023-08-21 Capacitive element, circuit carrier having the same and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW112127897A TWI860794B (zh) 2023-07-26 2023-07-26 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI860794B true TWI860794B (zh) 2024-11-01
TW202505940A TW202505940A (zh) 2025-02-01

Family

ID=94371744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112127897A TWI860794B (zh) 2023-07-26 2023-07-26 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20250040051A1 (zh)
TW (1) TWI860794B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201205610A (en) * 2010-07-26 2012-02-01 Delijiou Industry & Amp Systems Co Ltd Supercapacitor and its fabrication method
CN206340446U (zh) * 2016-12-28 2017-07-18 成都宏明电子科大新材料有限公司 一种无外壳超小型穿心瓷介电容器
CN109585161A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 日月光半导体制造股份有限公司 电容器结构

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69227660T2 (de) * 1991-09-18 1999-04-22 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Speicher mit hin- und herbewegendem Kopf
WO1994014240A1 (en) * 1992-12-11 1994-06-23 The Regents Of The University Of California Microelectromechanical signal processors
US5831492A (en) * 1995-09-15 1998-11-03 Sawtek Inc. Weighted tapered spudt saw device
US5892153A (en) * 1996-11-21 1999-04-06 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Guard bands which control out-of-plane sensitivities in tuning fork gyroscopes and other sensors
US5945599A (en) * 1996-12-13 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Resonance type angular velocity sensor
US5911156A (en) * 1997-02-24 1999-06-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Split electrode to minimize charge transients, motor amplitude mismatch errors, and sensitivity to vertical translation in tuning fork gyros and other devices
DE19827056A1 (de) * 1998-06-18 1999-12-23 Bosch Gmbh Robert Mikromechanischer Magnetfeldsensor
FI981457A0 (fi) * 1998-06-24 1998-06-24 Valtion Teknillinen Mikromekaaninen vaihto- ja tasajännitereferenssilaitteisto
JP3687484B2 (ja) * 1999-06-16 2005-08-24 株式会社村田製作所 セラミック基板の製造方法および未焼成セラミック基板
US6470545B1 (en) * 1999-09-15 2002-10-29 National Semiconductor Corporation Method of making an embedded green multi-layer ceramic chip capacitor in a low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
US6252761B1 (en) * 1999-09-15 2001-06-26 National Semiconductor Corporation Embedded multi-layer ceramic capacitor in a low-temperature con-fired ceramic (LTCC) substrate
JP3398631B2 (ja) * 1999-11-04 2003-04-21 沖電気工業株式会社 弾性表面波フィルタ用圧電体ウエハおよび弾性表面波フィルタの製造方法
US6565730B2 (en) * 1999-12-29 2003-05-20 Intel Corporation Self-aligned coaxial via capacitors
JP4501320B2 (ja) * 2001-07-16 2010-07-14 株式会社デンソー 容量式湿度センサ
US6959583B2 (en) * 2002-04-30 2005-11-01 Honeywell International Inc. Passive temperature compensation technique for MEMS devices
US6816356B2 (en) * 2002-05-17 2004-11-09 Daniel Devoe Integrated broadband ceramic capacitor array
AU2003242008A1 (en) * 2002-07-18 2004-02-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Multilayer wiring board, method for producing the same, semiconductor device and radio electronic device
KR100755088B1 (ko) * 2003-03-28 2007-09-03 티디케이가부시기가이샤 다층 기판 및 그 제조방법
WO2006016586A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 多層プリント配線板の製造方法及びその製造方法で得られた多層プリント配線板
JPWO2006016589A1 (ja) * 2004-08-11 2008-05-01 三井金属鉱業株式会社 誘電層構成材料の製造方法及びその製造方法で得られた誘電層構成材料、誘電層構成材料を用いてキャパシタ回路形成部材を製造する方法及びその製造方法で得られたキャパシタ回路形成部材及び、該誘電層構成材料又は／及びキャパシタ回路形成部材を用いて得られる多層プリント配線板。
JP5121118B2 (ja) * 2004-12-08 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
US7258010B2 (en) * 2005-03-09 2007-08-21 Honeywell International Inc. MEMS device with thinned comb fingers
JP2006261455A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Fujitsu Ltd 半導体装置およびｍｉｍキャパシタ
KR100668336B1 (ko) * 2005-04-07 2007-01-12 삼성전자주식회사 액츄에이터 장치 및 그의 액츄에이팅 방법
US7202548B2 (en) * 2005-09-13 2007-04-10 Via Technologies, Inc. Embedded capacitor with interdigitated structure
TWI304308B (en) * 2006-01-25 2008-12-11 Unimicron Technology Corp Circuit board with embeded passive component and fabricating process thereof
JP4920335B2 (ja) * 2006-08-07 2012-04-18 新光電気工業株式会社 キャパシタ内蔵インターポーザ及びその製造方法と電子部品装置
US7670921B2 (en) * 2006-12-28 2010-03-02 International Business Machines Corporation Structure and method for self aligned vertical plate capacitor
US7456463B2 (en) * 2007-02-06 2008-11-25 International Business Machines Corporation Capacitor having electrodes at different depths to reduce parasitic capacitance
US7838919B2 (en) * 2007-03-29 2010-11-23 Panasonic Corporation Capacitor structure
US7573721B2 (en) * 2007-05-17 2009-08-11 Kinsus Interconnect Technology Corp. Embedded passive device structure and manufacturing method thereof
US7958626B1 (en) * 2007-10-25 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Embedded passive component network substrate fabrication method
US7723206B2 (en) * 2007-12-05 2010-05-25 Fujifilm Corporation Photodiode
JP5223381B2 (ja) * 2008-03-04 2013-06-26 富士通株式会社 マイクロ可動素子、光スイッチング装置、およびマイクロ可動素子製造方法
KR101046729B1 (ko) * 2008-04-30 2011-07-05 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터 및 그의 제조 방법
JP2010165722A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Elpida Memory Inc キャパシタ用絶縁膜、キャパシタ及び半導体装置
US20100309608A1 (en) * 2009-06-07 2010-12-09 Chien-Wei Chang Buried Capacitor Structure
US9312078B2 (en) * 2011-03-18 2016-04-12 William Marsh Rice University Patterned graphite oxide films and methods to make and use same
DE102011076006B3 (de) * 2011-05-17 2012-09-13 Siemens Aktiengesellschaft Kraftaufnehmer, insbesondere Wägezelle
TWI460771B (zh) * 2011-12-08 2014-11-11 Innolux Corp 觸控面板及其形成方法與顯示系統
EP2828870A4 (en) * 2012-03-22 2016-03-30 California Inst Of Techn MICRO AND NANOSCALIC CAPACITORS FOR THE FORMATION OF AN ARRAY OF CONDUCTIVE ELEMENTS WITH EXTENDED BODIES
JP5401617B1 (ja) * 2013-01-24 2014-01-29 有限会社 ナプラ 受動素子内蔵基板
US10126165B2 (en) * 2015-07-28 2018-11-13 Carrier Corporation Radiation sensors
US20170155373A1 (en) * 2015-11-30 2017-06-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers
WO2017168521A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 オリンパス株式会社 Ａ／ｄ変換器およびａ／ｄ変換装置
US10013126B2 (en) * 2016-08-11 2018-07-03 Focaltech Systems Co., Ltd. Electronic apparatus and single-layer multi-point mutual capacitive touch screen thereof
JP6748381B2 (ja) * 2017-05-16 2020-09-02 株式会社村田製作所 キャパシタ
TWI642334B (zh) * 2017-10-25 2018-11-21 欣興電子股份有限公司 電路板及其製造方法
US10546915B2 (en) * 2017-12-26 2020-01-28 International Business Machines Corporation Buried MIM capacitor structure with landing pads
US10837796B2 (en) * 2018-03-06 2020-11-17 Apple Inc. Gyroscope sensitivity calibration
EP3742482B1 (en) * 2019-05-24 2023-02-22 Socionext Inc. Integrated-circuit devices and circuitry comprising the same
WO2021078917A1 (en) * 2019-10-22 2021-04-29 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd. Two-stage lateral bulk acoustic wave filter with capacitive coupling of counter electrode
CN114981904B (zh) * 2020-01-20 2024-07-05 株式会社村田制作所 半导体装置以及电容装置
US11152458B2 (en) * 2020-02-07 2021-10-19 Macronix International Co., Ltd. Metal capacitor
JP2022054538A (ja) * 2020-09-28 2022-04-07 凸版印刷株式会社 配線基板
US12300679B2 (en) * 2021-05-17 2025-05-13 Mediatek Inc. Semiconductor package structure
KR102699101B1 (ko) * 2021-07-09 2024-08-23 에스케이키파운드리 주식회사 웨이퍼 휨 현상이 개선된 트렌치 커패시터 제조방법
US20230011666A1 (en) * 2021-07-09 2023-01-12 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Semiconductor package structure
JP2023049959A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 ローム株式会社 チップ部品
JP2023049963A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 ローム株式会社 チップ部品
US20240172358A1 (en) * 2022-11-17 2024-05-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Circuit board and manufacturing method thereof
JP2025015219A (ja) * 2023-07-20 2025-01-30 株式会社村田製作所 弾性波装置および弾性波装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201205610A (en) * 2010-07-26 2012-02-01 Delijiou Industry & Amp Systems Co Ltd Supercapacitor and its fabrication method
CN206340446U (zh) * 2016-12-28 2017-07-18 成都宏明电子科大新材料有限公司 一种无外壳超小型穿心瓷介电容器
CN109585161A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 日月光半导体制造股份有限公司 电容器结构

Also Published As

Publication number Publication date
US20250040051A1 (en) 2025-01-30
TW202505940A (zh) 2025-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5637607B2 (ja) コイル部品
CN115997264B (zh) 薄膜电容器及具备其的电子电路基板
TWI891225B (zh) 貫通電極基板、半導體裝置及貫通電極基板之製造方法
JP2006253649A (ja) 基板内蔵用積層型チップキャパシタ及びこれを具備する印刷回路基板。
JP7444210B2 (ja) キャパシタ内蔵ガラス回路基板
US9905508B2 (en) Package structure
US7839650B2 (en) Circuit board structure having embedded capacitor and fabrication method thereof
TWI678952B (zh) 線路板結構及其製作方法
US7338892B2 (en) Circuit carrier and manufacturing process thereof
CN113453426B (zh) 电子部件及其制造方法
TWI860794B (zh) 電容元件、包含其的線路載板及其製作方法
KR101872525B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
CN110087392B (zh) 线路板结构及其制作方法
CN119381164A (zh) 电容元件、包含其的线路载板及其制作方法
CN100584155C (zh) 内埋元件的基板制程
US7506435B2 (en) Manufacturing method of a multi-layer circuit board with an embedded passive component
JP2019165072A (ja) 配線基板、半導体モジュール及び配線基板の製造方法
CN108550531B (zh) 封装基板的制造方法
CN118696386A (zh) 薄膜电容器及其制造方法、以及具备薄膜电容器的电子电路基板
JP2011066331A (ja) 実装基板及びその製造方法並びに電子機器
CN115623687A (zh) 电路板及其制造方法
KR101703049B1 (ko) 내장형 캐패시터를 구비하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법
TWI866450B (zh) 線路板結構及其製作方法
JP7150571B2 (ja) チップコンデンサおよびチップコンデンサの製造方法
TW200931456A (en) Packaging substrate having capacitor embedded therein and method for manufacturing the same