TWI793859B

TWI793859B - 透明電子裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI793859B
Application number: TW110142491A
Authority: TW
Inventors: 林瑜玲; 柯聰盈
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-11-16
Filing date: 2021-11-16
Publication date: 2023-02-21
Also published as: US20240154048A1; US11908961B2; US20230155041A1; TW202321400A; US12336320B2; CN114695395B; CN114695395A

Abstract

一種透明電子裝置，包括：有機膜、非晶質透明碳氧化物層以及矩陣層。有機膜包括含有羧基官能基（-COOH）之聚合物。非晶質透明碳氧化物層設置於有機膜上，其中，非晶質透明碳氧化物層由金屬元素、碳元素、氧元素及其它元素所組成，金屬元素是選自鉬（Mo）、銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）、鎘（Cd）及其組合，且其它元素的原子數目百分比等於或大於零、且少於金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比中之最少者。矩陣層位於非晶質透明碳氧化物層上。此外，還提出一種透明電子裝置的製造方法。

Description

透明電子裝置及其製造方法

本發明是有關於一種透明電子裝置。

在顯示器的製造過程中，為了使最終的顯示器具有所需性質的載板，例如可撓性載板，需將製造過程中使用的基板（例如玻璃基板）分離，然後再貼上所需的載板。為了能夠輕易地將基板分離，目前的做法是先在基板上形成不透光的離形用金屬層、再於離形用金屬層上形成畫素矩陣，藉由基板與離形用金屬層之間的弱鍵結即可輕易地將基板與畫素矩陣下的離形用金屬層分離。然而，由於離形用金屬層不透光，若不將畫素矩陣下的離形用金屬層移除，則僅能生產單面發光型顯示器產品，無法製造出透明的顯示器產品。

本發明提供一種透明電子裝置，具有高透光度。

本發明提供一種透明電子裝置的製造方法，能夠在不移除不透光金屬層之下形成具有高透光度的透明電子裝置。

本發明的一個實施例提出一種透明電子裝置，包括：有機膜，其中有機膜包括含有羧基官能基（-COOH）之聚合物；非晶質透明碳氧化物層，設置於有機膜上，其中，非晶質透明碳氧化物層由金屬元素、碳元素、氧元素及其它元素所組成，金屬元素是選自鉬（Mo）、銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）、鎘（Cd）及其組合，且其它元素的原子數目百分比等於或大於零、且少於金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比中之最少者；以及矩陣層，位於非晶質透明碳氧化物層上。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層中碳元素的原子數目百分比從有機膜往矩陣層的方向遞減，且非晶質透明碳氧化物層中氧元素的原子數目百分比從有機膜往矩陣層的方向遞增。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層接近矩陣層的第一側中金屬元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，非晶質透明碳氧化物層接近有機膜的第二側中金屬元素的平均原子數目百分比大於或等於碳元素的平均原子數目百分比。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層接近矩陣層的第一側中氧元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，非晶質透明碳氧化物層接近有機膜的第二側中氧元素的平均原子數目百分比小於或等於碳元素的平均原子數目百分比。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的矩陣層包括多個開關元件，且矩陣層與非晶質透明碳氧化物層之間夾設有緩衝層。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的透明電子裝置還包括透明輔助膜，設置於有機膜上相對於非晶質透明碳氧化物層的表面上。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的矩陣層為畫素層，且透明電子裝置為透明顯示裝置。

在本發明的透明電子裝置的一實施例中，上述的含有羧基官能基之聚合物是選自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯及其組合，且其它元素包含鈣、鎂、鋁、矽、鋇中之至少一者。

本發明的一個實施例提出一種透明電子裝置的製造方法，包括：形成矩陣層於不透光金屬層的第一表面上；形成有機膜於不透光金屬層的第二表面上，以形成堆疊層，其中有機膜包括含有羧基官能基之聚合物；以及將堆疊層置於處理環境中，以將不透光金屬層轉化為非晶質透明碳氧化物層，其中，非晶質透明碳氧化物層由金屬元素、碳元素、氧元素及其它元素所組成，金屬元素是選自鉬、銦、錫、鋅、鎘及其組合，且其它元素的原子數目百分比等於或大於零、且少於金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比中之最少者。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的處理環境的溫度介於室溫至有機膜的熔點之間，處理環境的相對溼度介於70%至100%之間，且堆疊層於處理環境中的處理時間介於1小時至100小時之間。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的製造方法還包括在形成矩陣層之前形成緩衝層於不透光金屬層的第一表面上。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的製造方法還包括形成透明輔助膜於有機膜上相對於非晶質透明碳氧化物層的表面上。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層中碳元素的原子數目百分比從有機膜往矩陣層的方向遞減，且非晶質透明碳氧化物層中氧元素的原子數目百分比從有機膜往矩陣層的方向遞增。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層接近矩陣層的第一側中金屬元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，非晶質透明碳氧化物層接近有機膜的第二側中金屬元素的平均原子數目百分比大於或等於碳元素的平均原子數目百分比。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的非晶質透明碳氧化物層接近矩陣層的第一側中氧元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，非晶質透明碳氧化物層接近有機膜的第二側中氧元素的平均原子數目百分比小於或等於碳元素的平均原子數目百分比。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的矩陣層包括多個開關元件。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的矩陣層為畫素層，且透明電子裝置為透明顯示裝置。

在本發明的透明電子裝置的製造方法的一實施例中，上述的含有羧基官能基之聚合物是選自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯及其組合，且其它元素包含鈣、鎂、鋁、矽、鋇中之至少一者。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制），本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

圖1A至圖1D為依照本發明一實施例的透明電子裝置10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。以下，配合圖式，說明透明電子裝置10的製造方法的各個步驟的實施方式，但本發明不以此為限。

首先，請參照圖1A，於基板SB上形成不透光金屬層ME。不透光金屬層ME可以具有表面M1、M2，其中，表面M2面對基板SB。在本實施例中，基板SB可以是透明基板，其材質可以是玻璃，但本發明不限於此。在一些實施例中，基板SB的材料也可以是不透光/反射材料（例如：晶圓、陶瓷等）、或是其它可適用的材料。

不透光金屬層ME的厚度可以介於10 nm至200 nm之間。舉例而言，在本實施例中，不透光金屬層ME的厚度可以約為50 nm，但不以此為限。在一些實施例中，不透光金屬層ME的厚度可以是20 nm、100 nm或150 nm。另外，不透光金屬層ME的形成方法可以使用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法。在本實施例中，不透光金屬層ME可以藉由物理氣相沉積法形成，例如不透光金屬層ME可以藉由濺鍍法（Sputtering）形成。在一些實施例中，不透光金屬層ME的形成方法還可以包括微影製程及蝕刻製程，以使不透光金屬層ME具有所需的圖案或輪廓。不透光金屬層ME的材料可以選自鉬（Mo）、銦（In）、錫（Sn）、鋅（Zn）、鎘（Cd）及其組合，但不以此為限。

在一些實施例中，在形成不透光金屬層ME之前，還可以先於基板SB上形成改質層（圖未示），此改質層可使基板SB與隨後形成的不透光金屬層ME之間形成弱鍵結，而有助於後續不透光金屬層ME與基板SB的分離。

接著，請參照圖1B，在一些實施例中，可以先形成緩衝層BF於不透光金屬層ME的表面M1上，再形成矩陣層AM於緩衝層BF上，其中，緩衝層BF可以覆蓋不透光金屬層ME，且矩陣層AM與緩衝層BF重疊。緩衝層BF可以防止雜質進入後續形成的矩陣層AM中，同時避免不透光金屬層ME與矩陣層AM之間產生不必要的電性連接。緩衝層BF可以是單層或多層結構，且其材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽）、有機材料（例如：聚亞醯胺（polyimide；PI）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、或聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate；PEN））、或其它適合的材料。在一些實施例中，還可以於矩陣層AM上形成保護層，且其材料可選用無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽）、有機材料（例如：聚亞醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、或聚萘二甲酸乙二酯）、或其它適合的材料。

請同時參照圖2，圖2為依照本發明一實施例的矩陣層AM的局部上視示意圖。在本實施例中，矩陣層AM可以是畫素層，且包括多個子畫素SP，使得透明電子裝置10可作為透明顯示裝置。多個子畫素SP可以呈陣列排列，且各個子畫素SP可以包括至少一開關元件SW、至少一顯示元件LE及至少二條訊號線SL、DL，其中，開關元件SW可以包括第一端Ta、第二端Tb及控制端Tc，開關元件SW的第一端Ta可以電性連接顯示元件LE，開關元件SW的第二端Tb可以電性連接訊號線DL，且開關元件SW的控制端Tc可以電性連接訊號線SL。在一些實施例中，開關元件SW可以是薄膜電晶體，例如頂閘極型薄膜電晶體、底閘極型薄膜電晶體或雙閘極型薄膜電晶體，但不限於此。

訊號線SL與訊號線DL可傳遞電訊號至開關元件SW，訊號線SL例如是掃描線，而訊號線DL例如是資料線。在本實施例中，訊號線SL與訊號線DL可彼此正交，但本發明不以此為限。在一些實施例中，訊號線SL與訊號線DL也可以其他角度相交。在一些實施例中，各子畫素SP可包括兩個或更多個開關元件SW。在一些實施例中，各子畫素SP可進一步包括至少一個電容結構。在本實施例中，矩陣層AM中還可進一步設置有電源線、共用訊號線等其他訊號線，以提供電源訊號與共用訊號至各子畫素SP。

在本實施例中，顯示元件LE可呈陣列排列，並對應地與開關元件SW的第一端Ta電性連接。透過開關元件SW，顯示元件LE可對應地與多條訊號線DL的其中一者電性連接。與同一條訊號線DL電性連接的多個子畫素SP中的顯示元件LE（例如顯示元件E11、E12、E13）可發出相同顏色的光，且與同一條訊號線SL電性連接的多個子畫素SP中的顯示元件LE（例如顯示元件E11、E21、E31）可發出不同顏色的光。

在本實施例中，顯示元件LE可以是自發光元件，例如有機電激發光二極體（OLED）或微型發光二極體（Micro LED）等，但本發明不以此為限。在一些實施例中，顯示元件LE可以是非自發光元件。舉例而言，顯示元件LE可以包括畫素電極以及非自發光顯示介質，例如液晶層，其中開關元件SW可個別控制對應的畫素電極，以驅動液晶層中的液晶分子進行方向變換。

接著，請參照圖1C，移除不透光金屬層ME的表面M2上的基板SB，然後形成有機膜OF於不透光金屬層ME的表面M2上，例如使有機膜OF的表面O1貼附於不透光金屬層ME的表面M2上，而形成堆疊層SK。

由於不透光金屬層ME與基板SB之間為弱鍵結，因此，可以藉由機械力剝離的方式來移除基板SB，但不以此為限。在一些實施例中，還可以藉由雷射氧化不透光金屬層ME的方式來移除基板SB。在一些實施例中，還可以同時使用雷射光束切割出基板SB上方矩陣層AM、緩衝層BF以及不透光金屬層ME重疊的部分，再將有機膜OF貼附於不透光金屬層ME的表面M2上。

在本實施例中，有機膜OF的寬度稍大於矩陣層AM的寬度，但不限於此。在某些實施例中，有機膜OF的寬度可大致上等於或小於矩陣層AM的寬度。另外，有機膜OF的材質可以包括含有羧基官能基（-COOH）之聚合物，例如聚胺基甲酸酯（Polyurethane，PU）、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethylmethacrylate，PMMA）、聚酯（Polyester）、聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate）或上述聚合物之組合。

接著，將堆疊層SK置於處理環境中進行處理，以將不透光金屬層ME轉化為非晶質透明碳氧化物層TL，即可形成如圖1D所示的透明電子裝置10。請參照圖1D，在透明電子裝置10中，非晶質透明碳氧化物層TL設置於有機膜OF上，且矩陣層AM位於非晶質透明碳氧化物層TL上。在一些實施例中，有機膜OF還可以充當透明電子裝置10的載板。在一些實施例中，還可以進一步形成透明輔助膜RF於有機膜OF的表面O2上，以增強透明電子裝置10的支撐性。透明輔助膜RF的材質例如玻璃、聚醯亞胺（Polyimide）、壓克力（Acrylic）或其他適當的材質。

一般而言，上述的處理環境可以是高溫高濕的環境，以促使有機膜OF及環境中的碳原子及氧原子進入不透光金屬層ME層中與金屬反應而形成非晶質的金屬碳氧化物。具體言之，處理環境的溫度可以介於室溫至有機膜OF的熔點之間，處理環境的相對溼度可以介於70%至100%之間，且堆疊層SK於處理環境中的處理時間可以介於1小時至100小時，但不以此為限，且處理時間可以隨著溫度或相對溼度的提高、及/或不透光金屬層ME的厚度減薄而縮短。

舉例而言，在本實施例中，堆疊層SK中的不透光金屬層ME是厚度約為50 nm的鉬層，有機膜OF使用聚胺基甲酸酯（PU）材料作為實驗組，且使堆疊層SK在溫度約為60°C且相對溼度約為90%之下進行約4小時的處理。同時，設計另一對照堆疊層作為對照組進行比較，且對照組的對照堆疊層與實驗組的堆疊層SK的不同之處僅在於將有機膜OF替換為環氧樹脂膜。在處理之後分別量測實驗組的堆疊層SK以及對照組的對照堆疊層的透光度。

圖3為依照本發明一實施例的實驗組的堆疊層SK以及對照組的對照堆疊層的透光度曲線圖。從圖3可以看出，對照組的對照堆疊層對於波長在400 nm至800 nm之間的可見光的透光度皆低於20%。然而，實驗組的堆疊層SK對於波長在400 nm至800 nm之間的可見光的透光度皆高於80%，證實使用包括含有羧基官能基（-COOH）之聚合物的有機膜OF且經過上述處理之後的確能夠將不透光金屬層ME轉化為具高透光度的非晶質透明碳氧化物層TL。在一些實施例中，當堆疊層SK中的不透光金屬層ME的厚度為20 nm時，於90°C及90%的高溫高溼之下處理約1小時即可使不透光金屬層ME轉化為具高透光度的非晶質透明碳氧化物層TL。

此外，進一步對非晶質透明碳氧化物層TL進行組成分析。圖4為依照本發明一實施例的非晶質透明碳氧化物層TL的二次離子質譜（SIMS）分析圖。請同時參照圖1D，圖4的X軸表示非晶質透明碳氧化物層TL中的組成分析位點與表面T1之間的距離。換言之，圖4顯示的是從非晶質透明碳氧化物層TL靠近有機膜OF的表面T1至靠近矩陣層AM的表面T2的組成變化。從圖4可以看出，非晶質透明碳氧化物層TL接近矩陣層AM的一側（即接近表面T2處）中碳元素的原子數目百分比小於非晶質透明碳氧化物層TL接近有機膜OF的另一側（即接近表面T1處）中碳元素的原子數目百分比，且非晶質透明碳氧化物層TL接近矩陣層AM的一側（即接近表面T2處）中氧元素的原子數目百分比大於非晶質透明碳氧化物層TL接近有機膜OF的另一側（即接近表面T1處）中氧元素的原子數目百分比，換言之，非晶質透明碳氧化物層TL中碳元素的原子數目百分比大體上從有機膜OF往矩陣層AM的方向遞減，且非晶質透明碳氧化物層TL中氧元素的原子數目百分比大體上從有機膜OF往矩陣層AM的方向遞增。

此外，從圖4還可以看出，非晶質透明碳氧化物層TL接近矩陣層AM的一側中鉬元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，且非晶質透明碳氧化物層TL接近有機膜的另一側中鉬元素的平均原子數目百分比大於或等於碳元素的平均原子數目百分比。換言之，在非晶質透明碳氧化物層TL中各處，鉬元素的原子數目百分比大致上大於碳元素的原子數目百分比。再者，非晶質透明碳氧化物層TL接近矩陣層AM的一側中氧元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，且非晶質透明碳氧化物層TL接近有機膜OF的另一側中氧元素的平均原子數目百分比可以小於或等於碳元素的平均原子數目百分比，可見氧元素主要是從靠近有機膜OF的表面T1往靠近矩陣層AM的表面T2的方向擴散。另外，不透光金屬層ME進行碳氧化轉化為非晶質透明碳氧化物層TL之後，厚度也有些許的增加。

如圖4所示，在非晶質透明碳氧化物層TL中，除了金屬元素、碳元素以及氧元素之外，還可能存在來自雜質或添加物的其它元素，例如，鈣（Ca）、鎂（Mg）、鋁（Al）、矽（Si）或鋇（Ba）等元素，且此等其它元素的原子數目百分比通常少於金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比。也就是說，此等其它元素僅以極小或幾乎可忽略的量存在於非晶質透明碳氧化物層TL中，因此，此等其它元素的原子數目百分比可以等於零或大於零，且此等其它元素的原子數目百分比少於金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比、以及碳元素的原子數目百分比中之最少者。從圖4所示的SIMS分析結果可知，在非晶質透明碳氧化物層TL中，金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比、碳元素的原子數目百分比、以及其它元素的原子數目百分比之總和為100%。

綜上所述，本發明的透明電子裝置及其製造方法利用含有羧基官能基（-COOH）的有機膜來使不透光金屬層轉化為非晶質透明碳氧化物層，因此，不需移除不透光金屬層便能夠製造出具有高透光度的透明電子裝置。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:透明電子裝置 AM:矩陣層 BF:緩衝層 DL:訊號線 E11、E12、E13、E21、E31、LE:顯示元件 M1、M2:表面 ME:不透光金屬層 O1、O2:表面 OF:有機膜 RF:透明輔助膜 SB:基板 SK:堆疊層 SL:訊號線 SP:子畫素 SW:開關元件 T1、T2:表面 Ta:第一端 Tb:第二端 Tc:控制端 TL:非晶質透明碳氧化物層

圖1A至圖1D為依照本發明一實施例的透明電子裝置10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。圖2為依照本發明一實施例的透明電子裝置10的矩陣層AM的局部上視示意圖。圖3為依照本發明一實施例的實驗組及對照組的堆疊層SK的透光度曲線圖。圖4為依照本發明一實施例的非晶質透明碳氧化物層TL的二次離子質譜（SIMS）分析圖。

10:透明電子裝置

AM:矩陣層

BF:緩衝層

O2:表面

OF:有機膜

RF:透明輔助膜

T1、T2:表面

TL:非晶質透明碳氧化物層

Claims

一種透明電子裝置，包括：有機膜，其中所述有機膜包括含有羧基官能基之聚合物；非晶質透明碳氧化物層，設置於所述有機膜上，其中，所述非晶質透明碳氧化物層由金屬元素、碳元素、氧元素及其它元素所組成，所述金屬元素是選自鉬、銦、錫、鋅、鎘及其組合，且所述其它元素的原子數目百分比等於或大於零、且少於所述金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比中之最少者；以及矩陣層，位於所述非晶質透明碳氧化物層上。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述非晶質透明碳氧化物層中碳元素的原子數目百分比從所述有機膜往所述矩陣層的方向遞減，且所述非晶質透明碳氧化物層中氧元素的原子數目百分比從所述有機膜往所述矩陣層的方向遞增。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述矩陣層的第一側中所述金屬元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述有機膜的第二側中所述金屬元素的平均原子數目百分比大於或等於碳元素的平均原子數目百分比。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述矩陣層的第一側中氧元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述有機膜的第二側中氧元素的平均原子數目百分比小於或等於碳元素的平均原子數目百分比。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述矩陣層包括多個開關元件，且所述矩陣層與所述非晶質透明碳氧化物層之間夾設有緩衝層。
如請求項1所述的透明電子裝置，還包括透明輔助膜，設置於所述有機膜上相對於所述非晶質透明碳氧化物層的表面上。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述矩陣層為畫素層，且所述透明電子裝置為透明顯示裝置。
如請求項1所述的透明電子裝置，其中，所述含有羧基官能基之聚合物是選自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯及其組合，且所述其它元素包含鈣、鎂、鋁、矽、鋇中之至少一者。
一種透明電子裝置的製造方法，包括：形成矩陣層於不透光金屬層的第一表面上；形成有機膜於所述不透光金屬層的第二表面上，以形成堆疊層，其中所述有機膜包括含有羧基官能基之聚合物；以及將所述堆疊層置於處理環境中，以將所述不透光金屬層轉化為非晶質透明碳氧化物層，其中，所述非晶質透明碳氧化物層由金屬元素、碳元素、氧元素及其它元素所組成，所述金屬元素是選自鉬、銦、錫、鋅、鎘及其組合，且所述其它元素的原子數目百分比等於或大於零、且少於所述金屬元素的原子數目百分比、氧元素的原子數目百分比以及碳元素的原子數目百分比中之最少者。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述處理環境的溫度介於室溫至所述有機膜的熔點之間，所述處理環境的相對溼度介於70%至100%之間，且所述堆疊層於所述處理環境中的處理時間介於1小時至100小時之間。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，還包括在形成所述矩陣層之前形成緩衝層於所述不透光金屬層的所述第一表面上。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，還包括形成透明輔助膜於所述有機膜上相對於所述非晶質透明碳氧化物層的表面上。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述非晶質透明碳氧化物層中碳元素的原子數目百分比從所述有機膜往所述矩陣層的方向遞減，且所述非晶質透明碳氧化物層中氧元素的原子數目百分比從所述有機膜往所述矩陣層的方向遞增。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述矩陣層的第一側中所述金屬元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述有機膜的第二側中所述金屬元素的平均原子數目百分比大於或等於碳元素的平均原子數目百分比。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述矩陣層的第一側中氧元素的平均原子數目百分比大於碳元素的平均原子數目百分比，所述非晶質透明碳氧化物層接近所述有機膜的第二側中氧元素的平均原子數目百分比小於或等於碳元素的平均原子數目百分比。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述矩陣層包括多個開關元件。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述矩陣層為畫素層，且所述透明電子裝置為透明顯示裝置。
如請求項9所述的透明電子裝置的製造方法，其中，所述含有羧基官能基之聚合物是選自聚胺基甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯及其組合，且所述其它元素包含鈣、鎂、鋁、矽、鋇中之至少一者。