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TWI781241B - 用於組裝顯示區域的裝置及方法 - Google Patents

用於組裝顯示區域的裝置及方法 Download PDF

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TWI781241B
TWI781241B TW107138272A TW107138272A TWI781241B TW I781241 B TWI781241 B TW I781241B TW 107138272 A TW107138272 A TW 107138272A TW 107138272 A TW107138272 A TW 107138272A TW I781241 B TWI781241 B TW I781241B
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尚恩馬修 卡諾
大衛羅伯特 海涅
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美商康寧公司
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Abstract

一種組裝顯示區域的方法包括以下步驟：從複數個磚片選擇第一磚片，該複數個磚片中的每個磚片包括預定參數及界定複數個像素的複數個微LED。選擇該第一磚片的該步驟基於該第一磚片的預定參數的值。該方法包括以下步驟：從該複數個磚片選擇第二磚片，選擇該第二磚片的該步驟基於該第二磚片的該預定參數的值。該方法更包括以下步驟：將該第一磚片及該第二磚片定位到界定該顯示區域的至少一部分的陣列中。該第一磚片的第一邊緣面向該第二磚片的第二邊緣。亦提供了一種包括藉由該方法來組裝的顯示區域的顯示設備。

Description

用於組裝顯示區域的裝置及方法
此申請案主張於2017年11月8日所提出的第62/583,020號美國臨時專利申請案的優先權權益，該申請案的整體內容在本文中如同在下文中被完全闡述般地以引用方式依附及併入本文中。
本揭示內容大致與用於組裝顯示設備的顯示區域的方法及裝置相關，且更詳細而言是與用於將複數個磚片（tile）定位到界定顯示區域的至少一部分的陣列中的方法及裝置相關。
已知要將複數個磚片定位到界定顯示設備的顯示區域的至少一部分的陣列中。
下文呈現了本揭示內容的簡化概要，以提供詳細說明中所述的一些示例性實施例的基本瞭解。
在一些實施例中，一種組裝顯示區域的方法可包括以下步驟：從複數個磚片選擇第一磚片。該複數個磚片中的每個磚片可包括預定參數及界定複數個像素的複數個微LED。選擇該第一磚片的該步驟可基於該第一磚片的預定參數的值。該方法可包括以下步驟：從該複數個磚片選擇第二磚片，選擇該第二磚片的該步驟基於該第二磚片的該預定參數的值。該方法可包括以下步驟：將該第一磚片及該第二磚片定位到界定該顯示區域的至少一部分的陣列中。該第一磚片的第一邊緣可面向該第二磚片的第二邊緣。
在一些實施例中，該第一磚片的該預定參數的該值可大於該預定參數的標稱值，且該第二磚片的該預定參數的該值可小於該預定參數的該標稱值。
在一些實施例中，該第一磚片的該預定參數的該值可相對於該預定參數的標稱值界定該複數個磚片的該等預定參數的最大值，且該第二磚片的該預定參數的該值可相對於該預定參數的該標稱值界定該複數個磚片的該等預定參數的最小值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於該複數個磚片的該預定參數的各別值來分類該複數個磚片。
在一些實施例中，該分類步驟可包括以下步驟：識別第一組磚片及第二組磚片。該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值可大於該預定參數的標稱值，且該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值可小於該預定參數的該標稱值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第一組磚片，及基於該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第二組磚片。
在一些實施例中，可從該第一組磚片選擇該第一磚片，且可從該第二組磚片選擇該第二磚片。
在一些實施例中，該第一磚片的該預定參數的該值可相對於該預定參數的該標稱值界定該第一組磚片的該等預定參數的最大值，且該第二磚片的該預定參數的該值可相對於該預定參數的該標稱值界定該第二組磚片的該等預定參數的最小值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於至少一個額外磚片的該預定參數的值來從該複數個磚片選擇該至少一個額外磚片，及將該至少一個額外磚片定位到該陣列中。
在一些實施例中，該複數個磚片中的每個磚片的該預定參數可包括以下項目中的至少一者：該複數個磚片中的每個磚片的各別側向尺度、該複數個磚片中的每個磚片的各別邊緣直度及該複數個磚片中的每個磚片的各別方正度。
在一些實施例中，一種顯示設備可包括如藉由該方法來組裝的顯示區域，且該複數個像素中的緊鄰像素之間的側向距離可界定像素間距。該第一磚片的與該第一磚片的該第一邊緣隔開的至少一個第一外像素與該第二磚片的與該第二磚片的該第二邊緣隔開的至少一個外像素之間的側向距離可界定配準間距，且該配準間距可小於或等於該像素間距的約1.5倍。
在一些實施例中，配準間距可小於或等於該像素間距的約1.1倍。
在一些實施例中，配準間距可小於或等於該像素間距的約1.01倍。
在一些實施例中，該像素間距可從約100微米到約500微米。
在一些實施例中，一種組裝顯示區域的方法可包括以下步驟：從複數個磚片選擇複數對磚片。該複數個磚片中的每個磚片可包括預定參數及界定複數個像素的複數個微LED。選擇該複數對磚片的該步驟可基於該複數個磚片中的每個磚片的該預定參數的各別值。每對磚片可包括第一磚片及第二磚片，每對磚片中的該第一磚片的該預定參數的該各別值可大於每對磚片中的該第二磚片的該預定參數的該各別值。該方法可更包括以下步驟：將該複數對磚片定位到界定該顯示區域的至少一部分的陣列中。每對磚片中的該第一磚片的各別的第一邊緣可面向每對磚片中的該第二磚片的各別的第二邊緣。
在一些實施例中，每對磚片中的該第一磚片的該預定參數的該各別值可大於該預定參數的標稱值，且每對磚片中的該第二磚片的該預定參數的該各別值可小於該預定參數的該標稱值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：從該複數個磚片識別第一組磚片，及從該複數個磚片識別第二組磚片。該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值可大於該預定參數的標稱值，且該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值可小於該預定參數的該標稱值。可從該第一組磚片選擇每對磚片中的該第一磚片，且可從該第二組磚片選擇每對磚片中的該第二磚片。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第一組磚片，及基於該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第二組磚片。可依序從該第一組排序過的磚片選擇每對磚片中的該第一磚片，且可依序從該第二組排序過的磚片選擇每對磚片中的該第二磚片。
在一些實施例中，該複數個磚片中的每個磚片的該預定參數可包括以下項目中的至少一者：該複數個磚片中的每個磚片的各別側向尺度、該複數個磚片中的每個磚片的各別邊緣直度及該複數個磚片中的每個磚片的各別方正度。
在一些實施例中，一種顯示設備可包括如藉由該方法來組裝的顯示區域，且該複數個像素中的緊鄰像素之間的側向距離可界定從約100微米到約500微米的像素間距。
現將在下文中參照附圖來更完整地描述實施例，該等附圖中示出了示例實施例。儘可能地在附圖的任何部分使用了相同的參考標號來指稱相同的或類似的部件。然而，可用許多不同的形式來實現此揭示內容，且此揭示內容不應被視為限於本文中所闡述的實施例。
要瞭解到，本文中所揭露的具體實施例意欲為示例性的且因此是非限制性的。為了本揭示內容的目的，圖 1 繪示了包括複數個磚片105 的示例性顯示設備100 的示意圖。在一些實施例中，可將該複數個磚片105 定位到界定顯示設備100 的顯示區域101 的陣列（例如n xm 陣列）中。在一些實施例中，可在一或更多種應用中採用顯示設備100 ，該一或更多種應用包括但不限於行動設備、可穿載式設備（例如手錶）、電視、汽車顯示器、透明顯示器、標誌、電腦、平板電腦及其他顯示監視器，在該等顯示監視器處，使用者可檢視顯示設備100 的顯示區域101 及/或與該顯示區域互動（例如觸控、接觸）。此外，在一些實施例中，可在直視型顯示器（例如微LED顯示器）中採用顯示設備100 。並且，在一些實施例中，可將顯示設備100 整合到顯示器（例如LCD顯示器）中及採用為背光單元。
此外，儘管繪示為包括5 x 5的(n xm )陣列的平坦、矩形的顯示區域101 ，但在不脫離本揭示內容的範圍的情況下，在一些實施例中，顯示區域101 可在界定平坦或非平坦的顯示區域101 的任何數量的n xm 陣列中包括各種形狀、尺寸及平坦度，包括但不限於圓形、橢圓形及其他幾何及多邊形形狀。在一些實施例中，顯示區域101 可包括藉由依據本揭示內容的實施例的一或更多種鋪磚方法來達成的對稱或不對稱的以及規則或不規則的形狀。同樣地，儘管繪示為平坦、矩形的磚片，但在不脫離本揭示內容的範圍的情況下，在一些實施例中，該複數個磚片105 中的一或更多個磚片可包括各種形狀、尺寸及平坦度，包括但不限於任何尺寸（例如尺度）的三角形、及其他幾何及多邊形形狀，包括對稱或不對稱的磚片以及界定平坦或非平坦磚片的規則或不規則的形狀。
在一些實施例中，藉由用該複數個磚片105 組裝顯示區域101 ，如果決定該複數個磚片105 中的一或更多個磚片是有缺陷的（例如錯誤的電氣佈線、斷裂、故障），則可從n xm 陣列移除該一或更多個有缺陷的磚片，及修理及/或替換該一或更多個有缺陷的磚片。或者，若是相較於複數個相對較小的磚片而言將顯示區域101 提供為單個、相對較大的磚片，則如果決定該單個、相對較大的磚片是有缺陷的，則整個顯示器會是有缺陷的。因此，在一些實施例中，藉由將顯示區域101 提供為組裝到n xm 陣列中的複數個磚片105 ，則可減少與提供顯示設備100 的顯示區域101 相關聯的成本、時間及廢料，且可更高效地執行顯示區域101 的組裝。
圖 2 繪示如由圖 1 的視野2 所示的該複數個磚片105 中的磚片105ij 的放大圖，其中磚片105ij 可表示被定位到界定顯示設備100 的顯示區域101 的(n xm )陣列中的該複數個磚片105 中的一或更多個個別的磚片。標稱磚片200 （用虛線的輪廓線示出）可表示磚片105ij 的標稱的（例如所需、所要的）輪廓。此外，如圖 2 中所繪示且如下文所更完整論述的，在一些實施例中，磚片105ij 的特徵可至少基於用來切割磚片105ij 的技術（包括切割技術的準確度、精確度及容差）而偏離標稱磚片200 的特徵。若切割技術可以可靠地將標稱磚片200 的特徵提供給該複數個磚片105 中的每個磚片，則可在不考慮相對於標稱特徵的偏離的情況下完成將該複數個磚片105 定位到n xm 陣列中的操作。然而，因為至少用來切割磚片105ij 的技術（包括切割技術的準確度、精確度及容差）在一些實施例中可能提供偏離標稱磚片200 的特徵的磚片105ij 特徵，可在一些實施例中在將該複數個磚片105 組裝到n xm 陣列中時考慮此類偏離。
例如，在一些實施例中，磚片105ij 可包括預定的參數，包括磚片105ij 的各別側向尺度、磚片105ij 的各別邊緣直度及磚片105ij 的各別方正度中的至少一者。在一些實施例中，預定參數可以基於磚片105ij 的特徵的直接測量結果、磚片105ij 的預定參數的數值分佈及統計上類似的磚片的預定參數的數值分佈中的一或更多者。此外，在一些實施例中，預定參數可以基於相對於標稱值的預定範圍，其中例如可選擇包括在標稱值的六標準差（6-sigma）或三標準差（3-sigma）內的預定參數的一或更多個磚片。
在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第一邊緣201 與磚片105ij 的相反的第二邊緣202 之間的第一側向尺度D1 （例如平均側向尺度）。同樣地，在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第三邊緣203 與磚片105ij 的相反的第四邊緣204 之間的第二側向尺度D2 （例如平均側向尺度）。在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第一邊緣201 的第一直度D5 ，該第一直度界定在第一邊緣201 相對於第一側向尺度D1 的最大限度位置201a 與第一邊緣201 相對於第一側向尺度D1 的最小限度位置201b 之間。在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第二邊緣202 的第二直度D6 ，該第二直度界定在第二邊緣202 相對於第一側向尺度D1 的最大限度位置202a 與第二邊緣202 相對於第一側向尺度D1 的最小限度位置202b 之間。在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第三邊緣203 的第三直度D7 ，該第三直度界定在第三邊緣203 相對於第二側向尺度D2 的最大限度位置203a 與第三邊緣203 相對於第二側向尺度D2 的最小限度位置203b 之間。同樣地，在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的第四邊緣204 的第四直度D8 ，該第四直度界定在第四邊緣204 相對於第二側向尺度D2 的最大限度位置204a 與第四邊緣204 相對於第二側向尺度D2 的最小限度位置204b 之間。
此外，在一些實施例中，磚片105ij 的預定參數的值可包括磚片105ij 的方正度，該方正度被界定為磚片105ij 的第一對角尺度D3 與磚片105ij 的第二對角尺度D4 之間的差異。在一些實施例中，可將第一對角尺度D3 界定為磚片105ij 定位在第一邊緣201 與第三邊緣203 的交接點處的第一轉角205 與磚片105ij 定位在第二邊緣202 與第四邊緣204 的交接點處的第二轉角206 之間的距離。同樣地，在一些實施例中，可將第二對角尺度D4 界定為磚片105ij 定位在第二邊緣202 與第三邊緣203 的交接點處的第三轉角207 與磚片105ij 定位在第一邊緣201 與第四邊緣204 的交接點處的第四轉角208 之間的距離。在一些實施例中，可將方正度參數界定為如何將磚片105ij 的一或更多個轉角與標稱磚片200 的一或更多個各別轉角進行比較的計量單位。例如，在一些實施例中，標稱磚片200 的一或更多個轉角可包括90度的角度（例如矩形），而方正度參數可比較磚片105ij 的一或更多個轉角的各別角度跟90度的角度比較起來如何。此外，在一些實施例中，標稱磚片200 的一或更多個轉角可包括非90度的角度，而方正度參數可比較磚片105ij 的一或更多個轉角的各別角度跟非90度角度比較起來如何。
圖 3 繪示如由圖 2 的視野3 所示的磚片105ij 的一部分的放大圖，該部分包括界定複數個像素305 的複數個微米尺寸的發光二極體（微LED）300 。為了明確起見，圖 3 中並未繪示玻璃或膜401 （參照圖 4 ）及基板402 （參照圖 4 ）。在一些實施例中，該複數個像素305 中的緊鄰的像素之間的側向距離「px 」及/或「py 」可界定像素間距。在一些實施例中，px 可等於py ，而在一些實施例中，px 可與py 不同。在一些實施例中，像素間距（px 、py ）中的至少一者可以從約50微米到約1000微米，包括其間的所有範圍及子範圍。例如，在一些實施例中，像素間距（px 、py ）中的至少一者可以從約100微米到約200微米、從約100 微米到約300微米、從約100 微米到約400微米、從約100 微米到約500微米、從約500 微米到約600微米、從約600 微米到約700微米、從約700 微米到約800微米、從約800 微米到約900微米、從約900 微米到約1000微米。在一些實施例中，像素間距（px 、py ）中的至少一者可小於50微米（例如從約0微米到約50微米，包括其間的所有範圍及子範圍）或大於1000微米（例如從約1毫米到約3毫米，包括其間的所有範圍及子範圍）。
在一些實施例中，標稱磚片200 可包括在從約10 mm到約100 cm的範圍（包括其間的所有範圍及子範圍）內的第一側向尺度D1 及在從約10 mm到約100 cm的範圍（包括其間的所有範圍及子範圍）內的第二側向尺度D2 。在一些實施例中，可基於可採用包括顯示區域的顯示設備的特定應用來選擇第一側向尺度D1 及第二側向尺度D2 。例如，回到圖 2 ，在一個示例性的實施例中，如表格 1 中所提供的，標稱磚片200 可包括約100.44 mm的第一側向尺度D1 及約178.56 mm的第二側向尺度D2 。此外，針對標稱磚片，D3 可等於D4 ，而方正度（D3 -D4 ）可因此等於零。同樣地，針對標稱磚片200 ，邊緣直度（D5 、D6 、D7 、D8 ）可等於零。
Figure 02_image001
表格 1
此外，表格 2 針對標稱磚片200 針對所指示的從50微米到500微米的像素間距（其中px 等於py ）提供了每一個磚片的各別的像素數量，該標稱磚片包括約100.44 mm的第一側向尺度D1 及約178.56 mm的第二側向尺度D2 。
Figure 02_image003
表格 2
並且，回到圖 1 ，對於包括約100.44 mm的第一側向尺度D1 及約178.56 mm的第二側向尺度D2 的標稱磚片200 而言，表格 3 針對n xm 陣列提供了顯示區域101 的標稱(n )尺度、標稱(m )尺度及對應的對角尺度。
Figure 02_image005
表格 3
圖 4 示出該複數個像素350 中沿著圖 3 的線4-4 所截取的像素305xy 的橫截面圖，其中像素305xy 可表示包括該複數個微LED300 的該複數個像素350 中的一或更多個個別像素。在一些實施例中，像素305xy 可包括界定像素305xy 的三個微LED（例如第一微LED405a 、第二微LED405b 、第三微LED405c ）。例如，在一些實施例中，微LED中的一者（例如第一微LED405a ）可包括紅色微LED，微LED中的另一者（例如第二微LED405b ）可包括綠色微LED，而微LED中的另一者（例如第三微LED405c ）可包括藍色微LED。此外，在一些實施例中，第一微LED405a 可包括第一電極403a 以控制第一微LED405a 的操作，第二微LED405b 可包括第二電極403b 以控制第二微LED405b 的操作，而第三微LED405c 可包括第三電極403c 以控制第三微LED405c 的操作。在一些實施例中，像素305xy 可包括額外的構件及元件（例如薄膜電晶體）以供電氣地控制及操作微LED405a 、405b 、405c 。在一些實施例中，每個微LED405a 、405b 、405c 可包括界定發光區域的從約10微米到約200微米（包括其間的所有範圍及子範圍）的尺度。例如，在一些實施例中，每個微LED405a 、405b 、405c 可包括界定發光區域的從約10微米到約20微米、從約10微米到約50 微米、從約50微米到約100 微米、從約100微米到約200微米的尺度。
並且，在一些實施例中，可將第一微LED405a 、第二微LED405b 、第三微LED405c 、及各別的第一電極403a 、第二電極403b 、及第三電極403c 連接到基板402 。在一些實施例中，可與基板402 相反地將玻璃或膜401 提供為具有微LED405a 、405b 、405c 、及定位在玻璃或膜401 與基板402 之間的電極403a 、403b 、403c 。在一些實施例中，藉由用各別的電極403a 、403b 、403c 控制例如供應到各別的紅色、綠色及藍色微LED405a 、405b 、405c 中的每一者的電流，像素305xy 可基於添加式混色來提供大範圍的可見光色譜。在一些實施例中，像素305xy 可包括用於單色發射的單個微LED，其中可通過色彩轉換來達成色彩顯示。同樣地，在一些實施例中，在不脫離本揭示案的範圍的情況下，像素305xy可包括被提供為多色LED的單個微LED、被提供為具有濾色器的一或更多個藍色或白色LED、或被提供為微尺寸二極體以依據本揭示內容的實施例來發光的其他半導體光源。此外，在一些實施例中，微LED相對於例如標準發光二極體（LED）及液晶顯示器（LCD）而言可提供較低的電力消耗及較高的對比度以及相對於例如有機發光二極體（OLED）而言提供較長的壽命可操作性。
回到圖 2 及參照表格 4-23 ，複數個磚片是使用四種不同的切割技術基於表格 1 的標稱尺度來切割的。此外，測量及記錄了每個磚片的對應預定參數（例如D1-D8）。在一些實施例中，可將預定參數的測量值相對於預定參數的標稱值的偏離歸因於每個各別的切割技術的準確度、精確度及容差。此外，在一些實施例中，可採用二或更多種不同的切割技術來切割該複數個磚片中的每個磚片的一或更多個邊緣。
例如，採用了使用標準半導體切粒鋸來切割56個磚片的第一切割技術（切割技術1）。表格 4-8 提供了藉由切割技術1來切割的每個磚片的預定參數的測量值及對應次數。在磚片總數與使用切割技術1來切割的56個磚片不同的一些實施例中，要瞭解到，至少基於誤差或差值（discrepancy），可忽略特定的測量結果，其中此類忽略被認為並未變更測量值的統計顯著性。詳細而言，表格 4 提供了用切割技術1來切割的該複數個磚片的第一側向尺度D1 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image007
表格 4
表格 5 提供了用切割技術1來切割的該複數個磚片的第二側向尺度D2 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image009
表格 5
表格 6 提供了用切割技術1來切割的該複數個磚片的方正度（D3 -D4 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 6
表格 7 提供了用切割技術1來切割的該複數個磚片相對於第一側向尺度D1 的直度（D5 、D6 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 7
表格 8 提供了用切割技術1來切割的該複數個磚片相對於第二側向尺度D2 的直度（D7 、D8 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 8
採用了使用由MDI Advanced Processing公司所製造的MP500精確度機械劃線來切割52個磚片的第二切割技術（切割技術2）。表格 9-13 提供了藉由切割技術2來切割的每個磚片的預定參數的測量值。在磚片總數與使用切割技術2來切割的52個磚片不同的一些實施例中，要瞭解到，至少基於誤差或差值（discrepancy），可忽略特定的測量結果，其中此類忽略被認為並未變更測量值的統計顯著性。詳細而言，表格 9 提供了用切割技術2來切割的該複數個磚片的第一側向尺度D1 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image017
表格 9
表格 10 提供了用切割技術2來切割的該複數個磚片的第二側向尺度D2 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image019
表格 10
表格 11 提供了用切割技術2來切割的該複數個磚片的方正度（D3 -D4 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 11
表格 12 提供了用切割技術2來切割的該複數個磚片相對於第一側向尺度D1 的直度（D5 、D6 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 12
表格 13 提供了用切割技術2來切割的該複數個磚片相對於第二側向尺度D2 的直度（D7 、D8 ）的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image025
表格 13
採用了使用非繞射射束CLT雷射切割過程來切割41個磚片的第三切割技術（切割技術3）。表格 14-18 提供了藉由切割技術3來切割的每個磚片的預定參數的測量值。在磚片總數與使用切割技術3來切割的41個磚片不同的一些實施例中，要瞭解到，至少基於誤差或差值（discrepancy），可忽略特定的測量結果，其中此類忽略被認為並未變更測量值的統計顯著性。詳細而言，表格 14 提供了用切割技術3來切割的該複數個磚片的第一側向尺度D1 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image027
表格 14
表格 15 提供了用切割技術3來切割的該複數個磚片的第二側向尺度D2 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image029
表格 15
表格 16 提供了用切割技術3來切割的該複數個磚片的方正度（D3 -D4 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 16
表格 17 提供了用切割技術3來切割的該複數個磚片相對於第一側向尺度D1 的直度（D5 、D6 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 17
表格 18 提供了用切割技術3來切割的該複數個磚片相對於第二側向尺度D2 的直度（D7 、D8 ）的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image035
表格 18
採用了使用TLC International公司的Phoenix牌（例如Gen-3、Gen-5）機械玻璃切割機工具的第四切割技術（切割技術4），該工具採用精確劃線及斷裂過程來切割48個磚片。表格 19-23 提供了藉由切割技術4來切割的每個磚片的預定參數的測量值。在磚片總數與使用切割技術4來切割的48個磚片不同的一些實施例中，要瞭解到，至少基於誤差或差值（discrepancy），可忽略特定的測量結果，其中此類忽略被認為並未變更測量值的統計顯著性。詳細而言，表格 19 提供了用切割技術4來切割的該複數個磚片的第一側向尺度D1 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image037
表格 19
表格 20 提供了用切割技術4來切割的該複數個磚片的第二側向尺度D2 的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image039
表格 20
表格 21 提供了用切割技術4來切割的該複數個磚片的方正度（D3 -D4 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 21
表格 22 提供了用切割技術4來切割的該複數個磚片相對於第一側向尺度D1 的直度（D5 、D6 ）的測量值及該等測量值的對應次數。表格 22
表格 23 提供了用切割技術4來切割的該複數個磚片相對於第二側向尺度D2 的直度（D7 、D8 ）的測量值及該等測量值的對應次數。
Figure 02_image045
表格 23
在採用表格 4-23 的測量值的情況下，實施了電腦模擬以隨機產生複數個磚片，其中每個隨機產生的磚片包括統計上表示測量值的預定參數（D1 -D8 ）。例如，藉由採用測量值，在不實體切割及生產統計上大量的磚片的情況下，電腦模擬可隨機產生統計上大量的磚片（例如100,000個磚片、250,000個磚片、500,000個磚片、1,000,000個磚片、10,000,000個磚片、100,000,000個磚片等等），該等隨機產生的磚片準確地表示了會由實體切割磚片所生產的統計上大量的磚片的預定參數。在一些實施例中，可將每種切割技術（例如切割技術1-4）的每個預定參數（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））的測量值與一種統計分佈數值地契合，可從該統計分佈隨機產生統計上大量的磚片的預定參數的值。詳細而言，等式 1 提供了常態（高斯）分佈及相關聯的變數，藉由該常態分佈及相關聯的變數，可基於測量值來決定統計上大量的磚片的預定參數中的一些：
Figure 02_image047
Figure 02_image049
Figure 02_image051
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
等式 1
類似地，等式 2 提供了組合的常態（高斯）分佈及相關聯的變數，藉由該組合的常態分佈及相關聯的變數，可基於測量值來決定統計上大量的磚片的預定參數中的一些：
Figure 02_image059
Figure 02_image061
Figure 02_image063
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
Figure 02_image075
Figure 02_image077
Figure 02_image079
等式 2
同樣地，等式 3 提供了對數常態分佈及相關聯的變數，藉由該對數常態分佈及相關聯的變數，可基於測量值來決定統計上大量的磚片的預定參數中的一些：
Figure 02_image081
Figure 02_image083
Figure 02_image085
Figure 02_image087
Figure 02_image089
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
等式 3
因此，在一些實施例中，取決於資料的分佈，與藉由切割技術1-4中的每一者來切割的磚片的預定參數（D1 -D8 ）中的每一者的測量值結合而採用等式 1-3 中的一者，以針對統計上大量的磚片中的每個磚片隨機產生預定參數。例如，表格 24-43 提供了計算過的變數，該等變數是基於表格 4-23 的測量值來決定的且與等式 1-3 中的一者一起結合使用來針對切割技術1-4的統計上大量隨機產生的磚片中的每個磚片計算預定參數。為了計算的目的，假設磚片的所有邊緣具有相同的分佈；然而，在一些實施例中，磚片的一或更多個邊緣可具有不同的分佈且可以是由一或更多種不同的切割技術或邊緣處理技術（例如研磨、拋光）所提供的。詳細而言，對於基於等式 1 來隨機產生的預定參數而言，在示出基於測量值及對應的常態分佈來計算的各別變數及相關聯的變數的表格中列出了用語「（常態）」。同樣地，對於基於等式 2 來隨機產生的預定參數而言，在示出基於測量值及對應的組合常態分佈來計算的各別變數及相關聯的變數的表格中列出了用語「（組合）」。類似地，對於基於等式 3 來隨機產生的預定參數而言，在示出基於測量值及對應的對數常態分佈來計算的各別變數及相關聯的變數的表格中列出了用語「（ln）」。
詳細而言，表格 24-28 提供了計算過的變數，該等變數分別是基於表格 4-8 的測量值（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））來決定的且與等式 1-3 （如所標識的）中的一者一起結合使用來針對切割技術1的統計上大量的磚片中的每個磚片隨機產生預定參數。
Figure 02_image091
表格 24 表格 25 表格 26 表格 27 表格 28
此外，表格 29-33 提供了計算過的變數，該等變數分別是基於表格 9-13 的測量值（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））來決定的且與等式 1-3 （如所標識的）中的一者一起結合使用來針對切割技術2的統計上大量的磚片中的每個磚片隨機產生預定參數。
Figure 02_image101
表格 29 表格 30 表格 31 表格 32 表格 33
此外，表格 34-38 提供了計算過的變數，該等變數分別是基於表格 14-18 的測量值（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））來決定的且與等式 1-3 （如所標識的）中的一者一起結合使用來針對切割技術3的統計上大量的磚片中的每個磚片隨機產生預定參數。
Figure 02_image111
表格 34 表格 35 表格 36 表格 37 表格 38
此外，表格 39-43 提供了計算過的變數，該等變數分別是基於表格 19-23 的測量值（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））來決定的且與等式 1-3 （如所標識的）中的一者一起結合使用來針對切割技術4的統計上大量的磚片中的每個磚片隨機產生預定參數。
Figure 02_image121
表格 39 表格 40 表格 41 表格 42 表格 43
並且，在一些實施例中，可實施另外的電腦模擬以將包括隨機產生的預定參數D1 -D8 的模擬統計上大量的磚片組裝到各種尺寸的(n xm )陣列中的操作。在一些實施例中，可基於藉由電腦模擬來獲得的資訊用一或更多種策略來採用組裝顯示區域的實際方法。如下文更完整地論述的，在一些實施例中，相對於在不採用該一或更多種策略的情況下可能原本不能達到的將該複數個磚片組裝及定位到陣列中的操作而言，採用該一或更多種策略可提供一或更多個優勢。
例如，在一些實施例中，電腦模擬可模擬將隨機產生的磚片中的每一者組裝到各種陣列中的一者中的操作。在一些實施例中，可基於全域位置法來將每個磚片定位到陣列中，在使用該全域位置法的情況下，磚片的定位基於預定的全域空間坐標而不考慮其他磚片的相對位置。或者，在一些實施例中，可基於相對位置法來將每個磚片定位到陣列中，在使用該相對位置法的情況下，磚片的定位基於緊鄰磚片（亦即彼此緊鄰定位且沒有其他磚片在其間的一或更多個磚片）的相對位置而不考慮磚片的全域空間坐標。並且，在一些實施例中，無論是否與全域位置法或相對位置法一起採用，在模擬期間，若磚片是相對於一或更多個緊鄰的磚片用重疊的關係來定位的，則模擬可選擇性地調整磚片相對於該一或更多個緊鄰磚片的位置，使得磚片相對於該一或更多個緊鄰磚片而言是用非重疊關係定位到陣列中的。
回到圖 5 ，在瞭解到可獨立提供或與顯示區域510 及顯示設備500 的一或更多個特徵一起結合來提供顯示區域101 及顯示設備100 的一或更多個特徵的情況下，現將描述組裝顯示設備500 的顯示區域510 的方法。要瞭解到，可將組裝顯示區域510 的方法採用作電腦模擬及/或採用作組裝要採用在依據本揭示內容的實施例的一或更多個顯示設備500 中的顯示區域510 的實際方法。
在一些實施例中，該方法可包括以下步驟：在瞭解到複數個磚片505 中的每個磚片501 、502 、503 、504 可包括該複數個磚片105 中的磚片105ij 的一或更多個特徵（包括一或更多個預定參數（參照圖 2 的預定參數D1 -D8 ））及界定複數個像素的複數個微LED（參照圖3的複數個像素305 、複數個微LED300 、及圖 5 的微LED405a 、405b 、405c ）的情況下，提供該複數個磚片505 （例如第一磚片501 、第二磚片502 、第三磚片503 及第四磚片504 ）。此外，儘管繪示了四個磚片501 、502 、503 、504 ，但要瞭解到，在一些實施例中，該複數個磚片505 可包括多於四個的磚片。例如，在一些實施例中，在不脫離本揭示內容的範圍的情況下，該複數個磚片505 可包括要組裝到界定顯示區域510 的5 x 5陣列中的25個磚片、要組裝到界定顯示區域510 的6 x 6陣列中的36個磚片、要組裝到界定顯示區域510 的7 x 7陣列中的49個磚片、要組裝到界定顯示區域510 的8 x 8陣列中的64個磚片、要組裝到界定顯示區域510 的9 x 9陣列中的81個磚片、要組裝到界定顯示區域510 的10 x 10陣列中的100個磚片、或要組裝到n xm 陣列（參照圖 1 ）中的任何其他數量的磚片。在一些實施例中，n 可等於m （例如5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列等等），且在一些實施例中，n 及m 可以是不同的（例如5 x 6陣列、6 x 8陣列、7 x 10陣列等等）。
回到圖 5 ，在一些實施例中，第一磚片501 的與第一磚片501 的第一邊緣501a 隔開的至少一個第一外像素521a 與第二磚片502 的與第二磚片502 的第二邊緣502a 隔開的至少一個第二外像素522a 之間的側向距離512 可界定配準間距512 。同樣地，在一些實施例中，第一磚片501 的與第一磚片501 的第二邊緣501b 隔開的至少一個第一外像素521b 與第三磚片503 的與第三磚片503 的第二邊緣503b 隔開的至少一個第二外像素523b 之間的側向距離513 可界定配準間距513 。在一些實施例中，可基於該至少一個第一外像素521a 相對於第一磚片501 的第一邊緣501a 的第一側向偏位531a 、該至少一個第二外像素522a 相對於第二磚片502 的第二邊緣502a 的第二側向偏位532a 、及第一磚片501 的第一邊緣501a 與第二磚片502 的第二邊緣502a 之間的間隔（例如間隙534 ），來界定配準間距512 。同樣地，在一些實施例中，可基於該至少一個第一外像素521b 相對於第一磚片501 的第二邊緣501b 的第一側向偏位531b 、該至少一個第二外像素523b 相對於第三磚片503 的第二邊緣503b 的第二側向偏位533b 、及第一磚片501 的第二邊緣501b 與第三磚片503 的第二邊緣503b 之間的間隔（例如間隙535 ），來界定配準間距513 。在一些實施例中，可將側向偏位531a 、532a 、531b 及533b 界定為從各別外像素的中心到磚片的切割邊緣的最近位置的各別距離，該等側向偏位被選擇為使得切割邊緣不干擾各別的外像素的電子操作。並且，在將額外的磚片組裝到陣列中時，可在額外磚片的緊鄰磚片的緊鄰外像素之間界定各別的配準間距。
在一些實施例中，可將間隙534 、535 選擇為防止磚片501 、502 、503 的緊鄰邊緣（邊緣501a 與邊緣502a 、邊緣501b 與邊緣503b ）之間的接觸。在一些實施例中，防止磚片501 、502 、503 的緊鄰邊緣之間的接觸可防止緊鄰邊緣的切屑、破裂、斷裂及其他損傷，若該等緊鄰邊緣是要接觸的，則該等損傷原本可能是會發生的。例如，在一些實施例中，間隙534 、535 可以從約5微米到約200微米，包括其間的所有範圍及子範圍。例如，在一些實施例中，間隙534 、535 可以從約5微米到約50微米、從約50微米到約100微米、從約100微米到約200微米。並且，在一些實施例中，間隙534 、535 可基於預定參數（例如第一側向尺度D1 、第二側向尺度D2 、方正度（D3 –D4 ）、D1 直度（D5 、D6 ）及D2 直度（D7 、D8 ））的至少一個值相對於標稱磚片200 （參照圖 2 ）的對應值的偏離，沿著磚片501 、502 、503 的各別的緊鄰邊緣（邊緣501a 及邊緣502a 、邊緣501b 及邊緣503b ）而變化。
在一些實施例中，可在每個磚片501 、502 、503 上提供側向偏位531a 、532a 、531b 、533b ， 使得包括相關聯的電子設備（例如薄膜電晶體、佈線）及微LED的該至少一個外像素521a 、522a 、521b 、523b 與磚片501 、502 、503 的各別邊緣501a 、502a 、501b 、503b 分隔一定距離，以例如保護微LED免於電氣或機械損傷，若包括相關聯的電子設備及微LED的該至少一個外像素521a 、522a 、521b 、523b 與磚片501 、502 、503 的各別邊緣501a 、502a 、501b 、503b 齊平，則該電氣或機械損傷可能原本會發生。在一些實施例中，側向偏位531a 、532a 、531b 、533b 可以是在從約0.02 mm到約0.6 mm的範圍中，包括其間的所有範圍及子範圍。例如，在一些實施例中，側向偏位531a 、532a 、531b 、533b 可以從約0.02 mm到約0.05 mm、從約0.05 mm到約0.1 mm、從約0.1 mm到約0.2 mm、從約0.2 mm到約0.3 mm、從約0.3 mm到約0.4 mm、從約0.4 mm到約0.5 mm、從約0.5 mm到約0.6 mm。
在一些實施例中，針對組裝到界定顯示設備的顯示區域的陣列中的所有緊鄰磚片界定預定的配準間距可提供一個準則，在該準則下，例如可將等於或小於預定配準間距的配準間距視為可接受的，而可將大於預定配準間距的配準間距視為不可接受的。在一些實施例中，可接受的配準間距可與一個視覺上均勻、無縫的顯示區域對應，在該顯示區域處，組裝到陣列中的所有緊鄰的個別磚片的邊界及之間的邊界對於檢視界定顯示區域的該複數個像素的人眼來說在視覺上不是可辨別的。或者，在一些實施例中，不可接受的配準間距可與一個顯示區域對應，在該顯示區域處，組裝到陣列中的一或更多個緊鄰的個別磚片的邊界及之間的邊界對於檢視界定顯示區域的該複數個像素的人眼來說在視覺上是可辨別的。
例如，在一些實施例中，可將不可接受的顯示區域陣列界定為包括緊鄰磚片的一或更多個緊鄰外像素的陣列，該一或更多個緊鄰外像素隔開大於預定配準間距的側向距離。同樣地，在一些實施例中，可將可接受的顯示區域陣列界定為一個陣列，在該陣列處，緊鄰磚片的所有緊鄰外像素隔開小於或等於預定配準間距的側向距離。在一些實施例中，可將失敗（例如在模擬將磚片組裝到陣列中的操作的電腦模擬期間）界定為不可接受的顯示區域的模擬事件。同樣地，在一些實施例中，可將失敗率（例如在模擬將磚片組裝到陣列中的操作的電腦模擬期間）界定為不可接受的顯示區域的模擬事件相對於可接受的顯示區域的模擬事件的比率。例如，在一些實施例中，針對模擬將磚片組裝到陣列中的操作的電腦模擬，100%的失敗率可與所有模擬的陣列都包括不可接受的顯示區域的模擬對應，而0%的失敗率可與所有模擬的陣列都包括可接受的顯示區域的模擬對應。
在一些實施例中，配準間距512 、513 可小於或等於像素間距（參照圖 3 的像素間距px 、py ）的約1.5倍。此外，在一些實施例中，配準間距512 、513 可小於或等於像素間距px 、py 的約1.4倍、小於或等於像素間距px 、py 的約1.3倍、小於或等於像素間距px 、py 的約1.25倍、小於或等於像素間距px 、py 的約1.2倍、或小於或等於像素間距px 、py 的約1.1倍。並且，在一些實施例中，配準間距512 、513 可小於或等於像素間距px 、py 的約1.01倍、或小於或等於像素間距px 、py 。在一些實施例中，配準間距512 可與配準間距513 不同。同樣地，在一些實施例中，配準間距512 可基於像素間距px 及像素間距py 中的至少一者，而配準間距513 可基於像素間距px 及像素間距py 中的至少一者。在一些實施例中，配準間距512 可相對於配準間距513 呈相同或不同比例地基於像素間距px 、py 中的至少一者。在一些實施例中，可基於一或更多個額外因素來選擇配準間距512 、513 ，包括但不限於採用顯示區域的應用。在一些實施例中，基於像素間距px 、py 來界定配準間距512 、513 可提供人眼看起來像是均勻、無縫的像素陣列的對應顯示區域，該像素陣列提供了要採用在依據本揭示內容的實施例的一或更多個顯示設備中的高品質、視覺上優美的顯像。
針對圖 6 、圖 7 、表格 44 及表格 45 ，採用了示例性電腦模擬以比較切割技術1-4之間的差異。詳細而言，電腦模擬模擬了將包括隨機產生的預定參數D1 -D8 值的統計上大量的磚片組裝到界定多個各別的顯示陣列的多個陣列中的操作。在電腦模擬中，採用了相對位置法，其中針對大於對應的像素間距px 、py 1.1倍的配準間距界定了失敗準則。
圖 6 繪示依據本揭示內容的實施例的針對每種切割技術1-4的基於包括具有50微米的側向偏位的複數個磚片的顯示區域的模擬組裝的示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用微米（µm）表示像素間距。此外，表格 44 針範圍從50微米到500微米的對像素間距相對於所界定的失敗準則針對每種切割技術1-4提供了圖 6 中所示的圖表所依據的資料，其中線601a 表示切割技術1的相關聯的失敗率，線602a 表示切割技術2的相關聯的失敗率，線603a 表示切割技術3的相關聯的失敗率，而線604a 表示切割技術4的相關聯的失敗率。
Figure 02_image131
表格 44
如從圖 6 及表格 44 可見的，基於電腦模擬，在一些實施例中，藉由採用切割技術1，可針對包括具有約150微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率。同樣地，藉由採用切割技術2，可針對包括具有約200微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率，藉由採用切割技術3，可針對包括具有約250微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率，及藉由採用切割技術4，可針對包括具有約300微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率。
圖 7 繪示依據本揭示內容的實施例的針對每種切割技術1-4的基於包括具有100微米的側向偏位的複數個磚片的顯示區域的模擬組裝的示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用微米（µm）表示像素間距。此外，表格 45 針範圍從50微米到500微米的對像素間距相對於所界定的失敗準則針對每種切割技術1-4提供了圖 7 中所示的圖表所依據的資料，其中線601b 表示切割技術1的相關聯的失敗率，線602b 表示切割技術2的相關聯的失敗率，線603b 表示切割技術3的相關聯的失敗率，而線604b 表示切割技術4的相關聯的失敗率。
Figure 02_image133
表格 45
如從圖 7 及表格 45 可見的，基於電腦模擬，在一些實施例中，藉由採用切割技術1，可針對包括具有約250微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率。同樣地，藉由採用切割技術2，可針對包括具有約300微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率，藉由採用切割技術3，可針對包括具有約350微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率，及藉由採用切割技術4，可針對包括具有約400微米或更大的像素間距的複數個陣列化磚片的顯示區域達成約10%或更少的失敗率。
因此，基於圖 6 及圖 7 中所示的電腦模擬的結果，吾人可基於可接受的失敗率及預定的像素間距來選擇特定的切割技術（例如切割技術1-4）以切割該複數個磚片。在一些實施例中，可在選擇要採用的切割技術時考慮切割技術的各別成本及將該成本充當因素。例如，在一些實施例中，可選擇切割技術1來切割要在高品質的顯示區域（例如行動顯示器、電視顯示器）中採用的磚片；而可選擇切割技術4來切割要在相對較低品質的顯示區域（例如戶外標誌）中採用的磚片。在一些實施例中，相對於例如切割技術4而言，採用切割技術1可以是相對更昂貴的及/或耗時的 因此，可藉由基於從圖 6 及圖 7 中所提供的電腦模擬所獲得的資訊來選擇切割技術1-4中的一者來獲得相當大的優勢。
並且，如針對圖 8-11 及表格 46-57 所描述的，針對與切割技術3對應的統計上大量的磚片基於隨機產生的預定參數D1 -D8 值採用了另外的電腦模擬，其中對於50微米及100微米的側向偏位（參照圖 5 的側向偏位531a 、532a 、531b 、533b ）而言，預定的像素間距（px 、py ）為372微米，其中px 等於py 。模擬磚片中的每一者（包括隨機產生的預定參數D1 -D8 值）是採用全域定位法及相對定位法來組裝到複數個(n xm )陣列中的。此外，模擬了像素間距的1.5倍、像素間距的1.1倍及像素間距的1.01倍的配準間距。針對每個模擬情境重複1,000,000次模擬，以提供可從以形成代表性趨勢及結論的統計樣本。並且，要瞭解到，考慮到圖 6 、圖 7 、表格 44 及表格 45 中所提供的比較資料，基於切割技術3的電腦模擬（圖 8-11 及表格 46-57 ）所觀察到的趨勢相對於切割技術1、切割技術2及切割技術4而言可提供同等相關的結論。
此外，模擬了三種不同的鋪磚策略，且記錄了顯示區域的各別失敗率。第一鋪磚策略可包括以下步驟：隨機選擇要組裝到陣列中的每個磚片。例如，在一些實施例中，針對第一鋪磚策略，電腦模擬在不考慮隨機產生的預定參數D1 -D8 值的情況下隨機選擇包括隨機產生的預定參數D1 -D8 值的每個磚片，及依據本揭示內容的實施例將磚片組裝到各種陣列中。
表格 46 提供了針對採用全域定位法的50微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image135
表格 46
此外，圖 8 基於表格 46 的第一鋪磚策略的模擬組裝來繪示示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸。詳細而言，線701a 針對用採用第一鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線701b 針對用採用第一鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 47 提供了針對採用相對定位法的50微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image137
表格 47
此外，圖 9 基於表格 47 的第一鋪磚策略的模擬組裝來繪示示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸。詳細而言，線701c 針對用採用第一鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線701d 針對用採用第一鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 48 提供了針對採用全域定位法的100微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。表格 48
此外，圖 10 基於表格 48 的第一鋪磚策略的模擬組裝來繪示示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸。詳細而言，線704a 針對用採用第一鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線704b 針對用採用第一鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 49 提供了針對採用相對定位法的100微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image141
表格 49
此外，圖 11 基於表格 49 的第一鋪磚策略的模擬組裝來繪示示例性圖表，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸。詳細而言，線704c 針對用採用第一鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線704d 針對用採用第一鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
第二鋪磚策略可包括以下步驟：選擇要組裝到陣列的外周邊中的特定磚片及選擇要組裝到陣列的內部中的其他磚片。例如，在一些實施例中，針對第二鋪磚策略，電腦模擬依據本揭示內容的實施例選擇具有界定相對於各別標稱值的第一偏離的隨機產生的預定參數D1 -D8 值的複數個磚片及圍繞各種陣列的外周邊而定位彼等磚片。此外，在一些實施例中，針對第二鋪磚策略，電腦模擬依據本揭示內容的實施例選擇具有界定相對於各別標稱值的第二偏離的隨機產生的預定參數D1 -D8 值的複數個磚片及將彼等磚片定位在各種陣列的內部中。在一些實施例中，外磚片的第一偏離大於內磚片的第二偏離。
表格 50 提供了針對採用全域定位法的50微米側向偏位磚片採用第二鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image143
表格 50
此外，圖 8 基於表格 50 的第二鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線702a 針對用採用第二鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線702b 針對用採用第二鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 51 提供了針對採用相對定位法的50微米側向偏位磚片採用第二鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image145
表格 51
此外，圖 9 基於表格 51 的第二鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線702c 針對用採用第二鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線702d 針對用採用第二鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 52 提供了針對採用全域定位法的100微米側向偏位磚片採用第二鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image147
表格 52
此外，圖 10 基於表格 52 的第二鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線705a 針對用採用第二鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線705b 針對用採用第二鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 53 提供了針對採用相對定位法的100微米側向偏位磚片採用第二鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image149
表格 53
此外，圖 11 基於表格 53 的第二鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線705c 針對用採用第二鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線705d 針對用採用第二鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
針對第二鋪磚策略，是假設相對於第一鋪磚策略，可藉由採用第二鋪磚策略來減少顯示區域的失敗率。然而，如圖 8-11 中所提供的，可看見的是，相對於第一鋪磚策略（例如線701a 、701b 、701c 、701d ，及線704a 、704b 、704c 、704d ），第二鋪磚策略的各別失敗率（例如線702a 、702b 、702c 、702d ，及線705a 、705b 、705c 、705d ）增加了。因此，在一些實施例中，第二鋪磚策略相較於第一鋪磚策略可能產生較高的失敗率。
回到圖 5 ，第三鋪磚策略可包括以下步驟：基於該複數個磚片505 中的第一磚片501 的預定參數D1 -D8 的值來選擇第一磚片501 ，及基於該複數個磚片505 中的第二磚片502 的預定參數D1 -D8 的值來選擇第二磚片502 。在一些實施例中，該方法可包括以下步驟：將第一磚片501 及第二磚片502 定位到界定顯示區域510 的至少一部分的陣列506 中。在一些實施例中，第一磚片501 的第一邊緣501a 可面向第二磚片502 的第二邊緣502a 。
在一些實施例中，第一磚片501 的預定參數D1 -D8 的值可大於預定參數D1 -D8 的標稱值，而第二磚片502 的預定參數D1 -D8 的值可小於預定參數D1 -D8 的標稱值。在一些實施例中，第一磚片501 的預定參數D1 -D8 的值可相對於預定參數D1 -D8 的標稱值界定該複數個磚片505 的預定參數D1 -D8 的最大值，而第二磚片502 的預定參數D1 -D8 的值可相對於預定參數D1 -D8 的標稱值界定該複數個磚片505 的預定參數D1 -D8 的最小值。
例如，在一些實施例中，藉由選擇具有大於預定參數D1 -D8 的標稱值的預定參數D1 -D8 值的第一磚片501 及具有小於預定參數D1 -D8 的標稱值的預定參數D1 -D8 值的第二磚片502 ，第一磚片501 及第二磚片502 相對於標稱磚片的各別偏離可彼此補償（例如抵消）。因此，在一些實施例中，所假設的是，藉由基於預定參數D1 -D8 的值來選擇磚片及用磚片相對於標稱磚片的偏離可彼此抵消的方式來組裝磚片，會獲得對應顯示器的失敗率的減少。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於該複數個磚片505 的各別的預定參數D1 -D8 值來分類該複數個磚片505 。在一些實施例中，該分類步驟可包括以下步驟：識別第一組磚片及第二組磚片。同樣地，在一些實施例中，該分類步驟可包括以下步驟：基於該複數個磚片505 的各別的預定參數D1 -D8 值來識別複數組磚片（例如多於兩組磚片）。在一些實施例中，第一組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值可大於預定參數D1 -D8 的標稱值，而第二組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值可小於預定參數D1 -D8 的標稱值。在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於第一組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值，來用遞升次序或遞降次序來排序第一組磚片，及基於第二組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值，來用遞升次序或遞降次序排序第二組磚片。在一些實施例中，可從第一組磚片選擇第一磚片501 ，且可從第二組磚片選擇第二磚片502 。
在一些實施例中，第一磚片501 的預定參數D1 -D8 的值可相對於預定參數D1 -D8 的標稱值界定第一組磚片的預定參數D1 -D8 的最大值，而第二磚片502 的預定參數D1 -D8 的值可相對於預定參數D1 -D8 的標稱值界定第二組磚片的預定參數D1 -D8 的最小值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於該複數個磚片505 中的至少一個額外磚片（例如第三磚片503 、第四磚片504 ）的預定參數D1 -D8 值，來選擇該至少一個額外磚片503 、504 ，及將該至少一個額外磚片503 、504 定位到陣列506 中。例如，在一些實施例中，可將第三磚片503 定位到陣列506 中，其中第三磚片503 的第二邊緣503b 面向第一磚片501 的第二邊緣501b 。同樣地，如由箭頭525 所表示的，在一些實施例中，可將第四磚片504 定位到陣列506 中，其中第四磚片504 的第一邊緣504a 面向第三磚片503 的第一邊緣503a ，而第四磚片504 的第二邊緣504b 面向第二磚片502 的第二邊緣502b 。在一些實施例中，可藉由基於該複數個磚片505 中的至少一個額外磚片的預定參數D1 -D8 的值來選擇該至少一個額外磚片及將該至少一個額外磚片定位到陣列506 中，來重複該方法複數次，直到顯示區域510 包括預定數量的磚片為止。
附加性或替代性地，在一些實施例中，組裝顯示區域510 的該方法可包括以下步驟：基於每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值來選擇複數對磚片。在一些實施例中，每對磚片可包括第一磚片及第二磚片。例如，第一對磚片515a 可包括第一磚片501 及第二磚片502 ，而第二對磚片515b 可包括第三磚片503 及第四磚片504 。在一些實施例中，每對515a 、515b 中的第一磚片（例如磚片501 、磚片503 ）的各別的預定參數D1 -D8 值可大於每對515a 、515b 中的第二磚片（例如磚片502 、磚片504 ）的各別的預定參數D1 -D8 值。該方法可更包括以下步驟：將該複數對磚片515a 、515b 定位到界定顯示區域510 的至少一部分的陣列506 中。在一些實施例中，每對515a 、515b 中的第一磚片（例如磚片501 、磚片503 ）的各別的第一邊緣501a 、503a 可面向每對515a 、515b中的第二磚片（例如磚片502 、磚片504 ）的各別的第二邊緣502a 、504a 。
在一些實施例中，每對515a 、515b 中的第一磚片（例如磚片501 、磚片503 ）的各別的預定參數D1 -D8 值可大於預定參數D1 -D8 的標稱值，而每對515a 、515b 中的第二磚片（例如磚片502 、磚片504 ）的各別的預定參數D1 -D8 值可小於預定參數D1 -D8 的標稱值。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：識別第一組磚片及第二組磚片。第一組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值可大於預定參數D1 -D8 的標稱值，而第二組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值可小於預定參數D1 -D8 的標稱值。在一些實施例中，可從第一組磚片選擇每對磚片515a 、515b 中的第一磚片（例如磚片501 、磚片503 ），且可從第二組磚片選擇每對磚片515a 、515b 中的第二磚片（例如磚片502 、磚片504 ）。
在一些實施例中，該方法可更包括以下步驟：基於第一組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值，來用遞升次序或遞降次序來排序第一組磚片，及基於第二組磚片中的每個磚片的各別的預定參數D1 -D8 值，來用遞升次序或遞降次序排序第二組磚片。可依序從第一組排序過的磚片選擇每對磚片515a 、515b 中的第一磚片（例如磚片501 、磚片503 ），且可依序從第二組排序過的磚片選擇每對磚片515a 、515b 中的第二磚片（例如磚片502 、磚片504 ）。
電腦模擬是藉由依據本揭示內容的方法基於預定參數D2 的值依據第三鋪磚策略選擇磚片來執行的。例如，磚片是基於各別的預定參數D2 值來選擇的，其中磚片相對於標稱磚片的偏離可彼此抵消。同樣地，在一些實施例中，可基於各別的二或更多個預定參數D1 -D8 值來選擇一或更多個磚片，其中該一或更多個磚片的該二或更多個預定參數D1 -D8 相對於標稱磚片的偏離可彼此抵消。
表格 54 提供了針對採用全域定位法的50微米側向偏位磚片採用第三鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image151
表格 54
此外，圖 8 基於表格 54 的第三鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線703a 針對用採用第三鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線703b 針對用採用第三鋪磚策略的全域定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 55 提供了針對採用相對定位法的50微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image153
表格 55
此外，圖 9 基於表格 55 的第三鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線703c 針對用採用第三鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線703d 針對用採用第三鋪磚策略的相對定位法組裝的50微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 56 提供了針對採用全域定位法的100微米側向偏位磚片採用第三鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該全域定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。
Figure 02_image155
表格 56
此外，圖 10 基於表格 56 的第三鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線706a 針對用採用第三鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線706b 針對用採用第三鋪磚策略的全域定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
表格 57 提供了針對採用相對定位法的100微米側向偏位磚片採用第一鋪磚策略的電腦模擬的失敗率，該相對定位法將磚片定位到5 x 5陣列、6 x 6陣列、7 x 7陣列、8 x 8陣列、9 x 9陣列及10 x 10陣列中，其中配準間距為像素間距的1.5倍、為像素間距的1.1倍及為像素間距的1.01倍。表格 57
此外，圖 11 基於表格 57 的第三鋪磚策略的模擬組裝繪示了示例性圖表。詳細而言，線706c 針對用採用第三鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.1倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率，而線706d 針對用採用第三鋪磚策略的相對定位法組裝的100微米偏位磚片針對為像素間距的1.01倍的配準間距表示各種陣列的各別失敗率。
針對第三鋪磚策略，如所述，是假設相對於第一鋪磚策略，可藉由採用第三鋪磚策略來減少顯示區域的失敗率。此外，可採用第三鋪磚策略以將複數個磚片定位在整個顯示區域上以及將複數個磚片定位在顯示區域的一或更多個預定區域（例如周邊、轉角、中心區域）中。如圖 8-11 中所提供的，可看見的是，相對於第一鋪磚策略（例如線701a 、701b 、701c 、701d ，及線704a 、704b 、704c 、704d ），第三鋪磚策略的各別失敗率（例如線703a 、703b 、703c 、703d ，及線706a 、706b 、706c 、706d ）減少了。因此，在一些實施例中，第三鋪磚策略相較於第一鋪磚策略可產生較低的失敗率。因此，在一些實施例中，依據本揭示內容的實施例來組裝包括複數個磚片的顯示區域在減少顯示設備的顯示區域的失敗率的方面可提供數個優勢，該複數個磚片包括界定複數個像素的複數個微LED。
並且，在一些實施例中，第一、第二或第三鋪磚策略中的一或更多者的示例性變體可包括以下步驟：藉由例如從該複數個磚片移除不在預定參數D1 -D8 的值的數值分佈的預定標準差（例如六標準差、三標準差）內的一或更多個磚片，來更改（例如截去）該複數個磚片。因此，在一些實施例中，在移除該一或更多個磚片之後，在不脫離本揭示內容的範圍的情況下，可依據第一、第二或第三鋪磚策略中的一或更多者從更改過的該複數個磚片選擇磚片。同樣地，在一些實施例中，基於預定參數D1 -D8 的值來選擇磚片的操作可以基於單個預定參數、或一或更多個預定參數D1 -D8 的組合。
應瞭解到，儘管已針對各種實施例的某些說明性及具體的實施例詳細描述了該等實施例，但不應將本揭示內容視為受限於此，因為在不脫離以下請求項的範圍的情況下，所揭露的特徵的許多更改及組合是可能的。
100‧‧‧顯示設備 101‧‧‧顯示區域 105‧‧‧磚片 105ij‧‧‧磚片 200‧‧‧標稱磚片 201‧‧‧第一邊緣 201a‧‧‧最大限度位置 201b‧‧‧最小限度位置 202‧‧‧第二邊緣 202a‧‧‧最大限度位置 202b‧‧‧最小限度位置 203‧‧‧第三邊緣 203a‧‧‧最大限度位置 203b‧‧‧最小限度位置 204‧‧‧第四邊緣 204a‧‧‧最大限度位置 204b‧‧‧最小限度位置 205‧‧‧第一轉角 206‧‧‧第二轉角 207‧‧‧第三轉角 208‧‧‧第四轉角 300‧‧‧微LED 305‧‧‧像素 305xy‧‧‧像素 401‧‧‧玻璃或膜 402‧‧‧基板 403a‧‧‧像素間距 403b‧‧‧第二電極 403c‧‧‧第三電極 405a‧‧‧第一微LED 405b‧‧‧第二微LED 405c‧‧‧第三微LED 500‧‧‧顯示設備 501‧‧‧第一磚片 501a‧‧‧第一邊緣 501b‧‧‧第二邊緣 502‧‧‧第二磚片 502a‧‧‧第二邊緣 502b‧‧‧第二邊緣 503‧‧‧第三磚片 503a‧‧‧第一邊緣 503b‧‧‧第二邊緣 504‧‧‧第四磚片 504a‧‧‧第一邊緣 504b‧‧‧第二邊緣 505‧‧‧磚片 506‧‧‧陣列 510‧‧‧顯示區域 512‧‧‧配準間距 513‧‧‧配準間距 515a‧‧‧第一對磚片 515b‧‧‧第二對磚片 521a‧‧‧外像素 521b‧‧‧外像素 522a‧‧‧外像素 523b‧‧‧外像素 525‧‧‧箭頭 531a‧‧‧側向偏位 531b‧‧‧側向偏位 532a‧‧‧側向偏位 533b‧‧‧側向偏位 534‧‧‧間隙 535‧‧‧間隙 601a‧‧‧線 601b‧‧‧線 602a‧‧‧線 602b‧‧‧線 603a‧‧‧線 603b‧‧‧線 604a‧‧‧線 604b‧‧‧線 701a‧‧‧線 701b‧‧‧線 701c‧‧‧線 701d‧‧‧線 702a‧‧‧線 702b‧‧‧線 702c‧‧‧線 702d‧‧‧線 703a‧‧‧線 703b‧‧‧線 703c‧‧‧線 703d‧‧‧線 704a‧‧‧線 704b‧‧‧線 704c‧‧‧線 704d‧‧‧線 705a‧‧‧線 705b‧‧‧線 705c‧‧‧線 705d‧‧‧線 706a‧‧‧線 706b‧‧‧線 706c‧‧‧線 706d‧‧‧線 D1‧‧‧第一側向尺度 D2‧‧‧第二側向尺度 D3‧‧‧第一對角尺度 D4‧‧‧第二對角尺度 D5‧‧‧第一直度 D6‧‧‧第二直度 D7‧‧‧第三直度 D8‧‧‧第四直度 px‧‧‧像素間距 py‧‧‧像素間距
在參照附圖閱讀以下的詳細說明時，會更佳地瞭解該等及其他的特徵、實施例及優點，在該等附圖中：
圖 1 繪示依據本揭示內容的實施例的包括顯示區域的顯示設備的示例性實施例的示意圖，該顯示區域包括複數個磚片；
圖 2 繪示依據本揭示內容的實施例的如由圖 1 的視野2 所示的顯示區域的該複數個磚片中的一個磚片的放大圖；
圖 3 繪示依據本揭示內容的實施例的如由圖 2 的視野3 所示的磚片的一部分的放大圖，該部分包括界定複數個像素的複數個微LED；
圖 4 示出依據本揭示內容的實施例的該複數個像素中的一個像素的沿著圖 3 的線4-4 截取的橫截面圖，該像素包括該複數個微LED中的至少一個微LED；
圖 5 繪示依據本揭示內容的實施例的組裝顯示區域的示例性方法；
圖 6 繪示依據本揭示內容的實施例的針對不同的磚片切割技術的基於顯示區域的模擬組裝的示例性圖表，該顯示區域包括複數個50微米偏位的磚片，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用微米（µm）表示像素間距；
圖 7 繪示依據本揭示內容的實施例的針對不同的磚片切割技術的基於顯示區域的模擬組裝的示例性圖表，該顯示區域包括複數個100微米偏位的磚片，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用微米（µm）表示像素間距；
圖 8 繪示示例性圖表，該圖表基於依據本揭示內容的實施例的針對不同配準間距及定位策略使用全域定位容差的包括複數個50微米偏位的磚片的顯示區域的模擬組裝，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸；
圖 9 繪示示例性圖表，該圖表基於依據本揭示內容的實施例的針對不同配準間距及定位策略使用相對定位容差的包括複數個50微米偏位的磚片的顯示區域的模擬組裝，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸；
圖 10 繪示示例性圖表，該圖表基於依據本揭示內容的實施例的針對不同配準間距及定位策略使用相對定位容差的包括複數個100微米偏位的磚片的顯示區域的模擬組裝，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸；及
圖 11 繪示示例性圖表，該圖表基於依據本揭示內容的實施例的針對不同配準間距及定位策略使用相對定位容差的包括複數個100微米偏位的磚片的顯示區域的模擬組裝，其中垂直或「Y」軸用百分比（%）表示失敗率，而水平或「X」軸用陣列(n x m)中的磚片數量表示顯示區域尺寸。
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100‧‧‧顯示設備
101‧‧‧顯示區域
105‧‧‧磚片
105ij‧‧‧磚片

Claims (10)

  1. 一種組裝一顯示區域的方法，包括以下步驟：從複數個磚片選擇一第一磚片，該複數個磚片中的每個磚片包括一預定參數及界定複數個像素的複數個微LED，選擇該第一磚片的該步驟基於該第一磚片的該預定參數的一值；從該複數個磚片選擇一第二磚片，選擇該第二磚片的該步驟基於該第二磚片的該預定參數的一值；及將該第一磚片及該第二磚片定位到界定該顯示區域的至少一部分的一陣列中，該第一磚片的一第一邊緣面向該第二磚片的一第二邊緣。
  2. 如請求項1所述的方法，其中該第一磚片的該預定參數的該值大於該預定參數的一標稱值，且該第二磚片的該預定參數的該值小於該預定參數的該標稱值。
  3. 如請求項1所述的方法，其中該第一磚片的該預定參數的該值相對於該預定參數的一標稱值界定了該複數個磚片的該等預定參數的一最大值，且該第二磚片的該預定參數的該值相對於該預定參數的該標稱值界定了該複數個磚片的該等預定參數的一最小值。
  4. 如請求項1所述的方法，更包括以下步驟：基於該複數個磚片的該預定參數的一各別值來分類該複數個磚片。
  5. 如請求項4所述的方法，其中該分類步驟包括以下步驟：識別一第一組磚片及一第二組磚片，該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值大於該預定參數的一標稱值，且該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值小於該預定參數的該標稱值。
  6. 如請求項5所述的方法，更包括以下步驟：基於該第一組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第一組磚片，及基於該第二組磚片中的每個磚片的該預定參數的該各別值來用遞升次序或遞降次序排序該第二組磚片。
  7. 如請求項5所述的方法，其中該第一磚片是從該第一組磚片選擇且該第二磚片是從該第二組磚片選擇。
  8. 如請求項1所述的方法，其中該複數個磚片中的每個磚片的該預定參數包括該複數個磚片中的每個磚片的一各別側向尺度、該複數個磚片中的每個磚片的一各別邊緣直度、或該複數個磚片中的每個磚片的一各別方正度。
  9. 如請求項1所述的方法，其中將該第一磚片及該第二磚片定位包括：以一預定的全域空間坐標而不考慮該陣列中的一或多個其他磚片的一相對位置來將該第一磚片及該第二磚片定位。
  10. 如請求項1所述的方法，其中將該第一磚片及該第二磚片定位包括：基於緊鄰該第一磚片或該第二磚片定位的一或多個磚片的一相對位置而不考慮一預定的全域空間坐標來將該第一磚片及該第二磚片定位。
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