TWI776943B

TWI776943B - 電磁波屏蔽膜

Info

Publication number: TWI776943B
Application number: TW107129906A
Authority: TW
Inventors: 高見晃司
Original assignee: 日商拓自達電線股份有限公司
Priority date: 2018-01-10
Filing date: 2018-08-28
Publication date: 2022-09-11
Also published as: JP2019121731A; JP6970025B2; TW201931985A; CN110022640B; KR102504069B1; CN110022640A; KR20190085465A

Abstract

本發明係提供一種具有良好傳輸特性的電磁波屏蔽膜。一種電磁波屏蔽膜，具有絕緣性保護層、屏蔽層及接著劑層，且前述屏蔽層中前述接著劑層側表面的粗度曲線要素的平均長度RSm為40μm以上且100μm以下。

Description

電磁波屏蔽膜

本發明係關於電磁波屏蔽膜、其製造方法及屏蔽印刷配線板。

背景技術關於屏蔽印刷配線板以避免電磁波的方法，已知有將具有屏蔽層及導電性接著劑層的電磁波屏蔽膜貼合於印刷配線板的方法。於此種方法中，印刷配線板係使電磁波屏蔽膜的導電性接著劑層與印刷配線板的前述接地電路經由設置於被覆接地電路之絕緣膜的開口部形成連接，而獲得屏蔽。

於專利文獻1中記載有一種電磁波屏蔽片，其由具備含有導電性填料的接著層、導電層及絕緣層的積層體構成。於專利文獻2中記載有一種電磁波屏蔽膜，其包含至少一面經粗化的電磁屏蔽層。於專利文獻3中記載有一種電磁波屏蔽膜，其具備導電性屏蔽層及接著劑層，且導電性屏蔽層的凹凸的最大高度大於接著劑層的厚度。

先行技術文獻專利文獻 [專利文獻1]日本特開2016-157838號說明書 [專利文獻2]日本特開2015-133474號說明書 [專利文獻3]國際公開2016/088381號

發明概要發明欲解決之課題於專利文獻1中記載有藉由上述電磁波屏蔽片可維持良好的傳輸特性。然而，由於專利文獻1中記載的電磁波屏蔽片係於接著層使用導電性填料，故於產生導電性填料的材料費等方面並不令人滿意。又，於電磁波屏蔽片的薄膜化上，難以使電磁波屏蔽片比導電性填料的粒徑更薄。

於專利文獻2中，藉由使電磁屏蔽層的粗化面貫通膜層，即使接著層未含有導電性填料時，亦可使粗化面的至少一部分與電路基板的基層連接而接地。然而，於專利文獻2中並未記載粗化面粗度之相關參數與傳輸損失的關係。

於專利文獻3中記載有導電性屏蔽層的凸部能穿過接著劑層而與接地電路連接，但也沒有提到粗化面粗度之相關參數與傳輸損失的關係。

本發明之課題係提供一種具有良好傳輸特性的電磁波屏蔽膜。本發明之另一課題係提供一種於接著劑層不含導電性填料的電磁波屏蔽膜中具有良好傳輸特性的電磁波屏蔽膜。

用以解決課題之方法本發明人針對上述課題專心致力於研究，結果發現：於屏蔽層的凸部穿過不含導電性填料的接著劑層而與接地電路連接的電磁波屏蔽片，在屏蔽層與信號電路之間的距離較大且接著劑於其之間所佔的比例較多時，可獲得良好的傳輸特性。然後，本發明人發現：若著眼於屏蔽層表面的粗度，將屏蔽層中前述接著劑層側表面的粗度曲線要素的平均長度RSm設為40μm以上且100μm以下，則將電磁波屏蔽膜與印刷配線板貼合時，屏蔽層的凸部便可穿過接著劑層而能與接地電路連接，且即使在屏蔽層的凸部穿過接著劑層後，屏蔽層與印刷配線板之間亦充分地蓄留接著劑，屏蔽層與信號電路之間的距離變大，結果可獲得良好的傳輸特性，終完成本發明。

本發明包含以下合適態樣。 [1]一種電磁波屏蔽膜，具有絕緣性保護層、屏蔽層及接著劑層，且前述屏蔽層中前述接著劑層側表面之根據JIS B 0601：2013的粗度曲線要素的平均長度RSm為40μm以上且100μm以下。 [2]如[1]記載之電磁波屏蔽膜，其中前述屏蔽層中前述接著劑層側表面的負荷面積率Smr2為92%以上。 [3]如[1]或[2]記載之電磁波屏蔽膜，其中前述絕緣性保護層包含粒子狀物質。 [4]如[3]記載之電磁波屏蔽膜，其中前述粒子狀物質之平均粒徑為15μm以上。 [5]一種屏蔽印刷配線板，其貼合有如[1]至[4]中任一項記載之電磁波屏蔽膜。 [6]一種電磁波屏蔽膜之製造方法，係製造如[1]至[4]中任一項記載之電磁波屏蔽膜之方法，其包含以下步驟：於支持基材上塗佈絕緣性樹脂組成物並使之硬化而得到絕緣性保護層；於絕緣性保護層上形成屏蔽層；及於屏蔽層上形成接著劑層。

發明效果根據本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜，即使接著劑層不含導電性填料，於貼合電磁波屏蔽膜與印刷配線板時，屏蔽膜的凸部亦可與印刷配線板的接地電路連接，且能夠發揮良好的傳輸特性。

用以實施發明之形態＜電磁波屏蔽膜＞本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜，具有絕緣性保護層、屏蔽層及接著劑層，且前述屏蔽層中前述接著劑層側表面之根據JIS B 0601：2013的粗度曲線要素的平均長度RSm(以下亦稱為RSm)為40μm以上且100μm以下。

本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜可為保持長條狀態地捲起來的捲筒狀，亦可為經裁切的單片狀。

於圖1顯示本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜100。如圖1所示，電磁波屏蔽膜100依序具有絕緣性保護層110、屏蔽層120及接著劑層130。屏蔽層120中接著劑層130側表面的RSm為40μm以上且100μm以下。

(絕緣性保護層) 絕緣性保護層係為了保護屏蔽層而設置。絕緣性保護層例如可為由絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層及/或膜等。

關於絕緣性樹脂，只要具有絕緣性者即可，例如可列舉：熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂或活性能量線硬化性樹脂等。絕緣性樹脂可單獨或組合2種以上使用。

關於熱硬化性樹脂，例如可列舉：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。

關於熱塑性樹脂，例如可列舉：苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂、醯胺系樹脂及丙烯酸系樹脂等。

關於活性能量線硬化性樹脂，例如可列舉：藉由紫外線或電子束等的照射而硬化的自由基聚合性化合物等。作為自由基聚合性化合物之例，可舉例如分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基的聚合性化合物等。絕緣性樹脂組成物包含活性能量線硬化性樹脂時，絕緣性樹脂組成物宜包含聚合引發劑、例如自由基聚合引發劑。

關於絕緣性樹脂，宜為熱硬化性樹脂、較佳為環氧系樹脂。使用環氧系樹脂作為絕緣性樹脂時，在將電子零件安裝於印刷配線板之回焊步驟中，有容易防止屏蔽層受到熱損傷的傾向。

絕緣性樹脂組成物亦可包含粒子狀物質。在絕緣性樹脂組成物包含粒子狀物質時，有容易製造如下電磁波屏蔽膜的傾向，即：絕緣性保護層之至少屏蔽層側表面被凹凸化、且屏蔽層之接著劑層側表面的RSm為40μm以上且100μm以下。關於粒子狀物質的種類、平均粒徑(D50)、在絕緣性樹脂組成物中的含量及形狀等，可為後述電磁波屏蔽膜的製造中所舉例者。

絕緣性樹脂組成物亦可視需要包含如下至少1種添加劑：例如溶劑、交聯劑、聚合用觸媒、硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、著色劑、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑及抗結塊劑。

絕緣性保護層為由絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層時，作為形成由絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層之方法，可舉下述方法等為例：於支持基材上塗佈絕緣性樹脂組成物，並使之乾燥及硬化，藉此獲得塗佈層。關於塗佈絕緣性樹脂組成物之方法，可列舉周知的塗佈方法，例如：模嘴塗佈法、缺角輪塗佈法、凹版塗佈法、狹縫式模具塗佈法等。

關於支持基材，例如可列舉由下述等構成的基材：聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)或聚苯硫醚(PPS)。支持基材亦可於表面實施剝離處理。

絕緣性保護層的厚度例如可為1μm以上、較佳為1.5μm以上、更佳為2μm以上、再更佳為3μm以上、特別佳為4μm以上。另一方面，絕緣性保護層的厚度例如可為30μm以下、較佳為20μm以下、更佳為10μm以下、再更佳為7μm以下、特別佳為5μm以下。絕緣性保護層的厚度為1μm以上且30μm以下時，可獲得良好的絕緣性、充分地保護屏蔽層及接著劑層且容易獲得彎曲性，有容易使電磁波屏蔽膜薄膜化的傾向。絕緣性保護層的厚度可按照例如後述實施例中的厚度測定方法進行測定。

絕緣性保護層為由絕緣性樹脂組成物構成之膜時，由絕緣性樹脂組成物構成之膜可使用周知的成形法、例如擠製成形、吹製成形、壓延成形等而製造。

絕緣性保護層亦可為2層以上積層體、例如由2種以上絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層及/或膜的組合。例如絕緣性保護層為2層積層體時，積層體可為例如：將由2種絕緣性樹脂組成物構成的膜貼合而成的積層體、於由絕緣性樹脂組成物構成的膜上形成由其他絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層的積層體、於由絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層上形成由其他絕緣性樹脂組成物構成的塗佈層的積層體等。

絕緣性保護層為2層以上的積層體、且絕緣性保護層包含粒子狀物質時，構成屏蔽層側的最外層的絕緣性樹脂組成物宜包含粒子狀物質。

絕緣性保護層的表面宜至少屏蔽層側的表面被凹凸化。若至少屏蔽層側的表面被凹凸化，藉由於該表面形成屏蔽層，有容易獲得如下屏蔽層之傾向，即：於接著劑層側具有與絕緣性保護層表面的粗糙形狀大致相同的表面形狀。

關於使絕緣性保護層表面凹凸化之方法，例如可為如下方法等：由上述包含粒子狀物質之絕緣性樹脂組成物形成絕緣性保護層的方法、於絕緣性樹脂組成物的塗膜撒上粒子狀物質的方法。又，亦可藉由噴砂加工、電漿照射、電子束照射、藥劑處理或壓紋加工等對已形成的絕緣性保護層表面進行處理。進而亦可舉例如下方法等：於後述絕緣性保護層的形成步驟中使用的支持基材上，預先撒上粒子狀物質，接著塗佈絕緣性樹脂組成物的方法；及於表面具有凹凸形狀的支持基材表面塗佈絕緣性樹脂組成物的方法。其中，由包含粒子狀物質的絕緣性樹脂組成物形成絕緣性保護層的方法，由於容易調節表面粗度，故為佳。

於絕緣性保護層的屏蔽層側的表面被凹凸化時，絕緣性保護層的屏蔽層側的表面形狀可根據屏蔽層的形成方法或厚度而適當設定。於形成與絕緣性保護層的表面形狀大致相同的屏蔽層時，絕緣性保護層表面之例如粗度曲線要素的平均長度RSm可為130μm以下、較佳為120μm以下、更佳為110μm以下。絕緣性保護層的屏蔽層側表面的RSm為130μm以下時，有容易將屏蔽層的接著劑層側表面的RSm設為40μm以上且100μm以下的傾向，故為佳。

(屏蔽層) 屏蔽層只要具有導電性即可，並無特別限制，可為金屬膜、或由導電性粒子構成的導電膜等。

關於構成金屬膜的金屬，例如可列舉選自於由鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦及鋅所構成群組中之一種、或包含此等中之任一種以上的合金等。其中，由屏蔽性與經濟性之觀點而言，較佳為銅、及包含銅的合金。

關於形成金屬膜的方法，例如可列舉：電解鍍覆法、無電鍍覆法(例如置換鍍覆法、化學鍍覆法等)、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、CVD法金屬有機法等加成法、及此等之組合等。又，金屬膜亦可為藉由壓延加工形成之金屬箔、或藉由電解而形成之金屬箔(例如特殊電解銅箔等)等。其中，由容易控制金屬膜厚度、容易獲得具有期望粗度之金屬膜的觀點而言，較佳為加成法。

屏蔽層為由導電性粒子構成的導電膜時，導電性粒子例如可為碳、銀、銅、鎳、焊料等粒子。又，導電性粒子亦可為於銅粉實施鍍銀的銀包銅粒子、或於樹脂球或玻璃珠等絕緣性粒子實施金屬鍍覆的粒子等。此等導電性粒子可單獨使用或混合2種以上使用。

導電性粒子的形狀可為球狀、針狀、纖維狀、小片狀或樹枝狀中任一種，由作成層狀之觀點而言，較佳為片狀。

導電性粒子的平均粒徑並無特別限定，可根據屏蔽層的表面粗度及厚度等而適當選擇。導電性粒子的平均粒徑例如可為0.1μm以上、較佳為0.5μm以上、更佳為1.5μm以上、再更佳為2μm以上、特別佳為4μm以上。另一方面，導電性粒子的平均粒徑例如可為10μm以下、較佳為9μm以下、更佳為8μm以下、再更佳為7μm以下、特別佳為6μm以下。導電性粒子的平均粒徑為0.1μm以上且10μm以下時，有容易將屏蔽層的接著劑層側表面的RSm設為40μm以上且100μm以下、並且容易使電磁波屏蔽膜的厚度變得適當的傾向。

關於形成由導電性粒子構成的導電膜的方法，例如可列舉：形成包含導電性粒子的糊料的塗膜的方法、及將導電性粒子撒在絕緣性保護層上的方法等。包含導電性粒子的糊料可舉例如導電性粒子與熱硬化性樹脂及/或熱塑性樹脂的混合物等。關於熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂之例子，可以是作為上述構成絕緣性保護層的絕緣性樹脂組成物中包含的熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂所舉例者。包含導電性粒子的糊料可視需要包含溶劑等添加劑。

屏蔽層的厚度只要粗度曲線要素的平均長度RSm於預定範圍內即可，並無特別限定，例如可為0.1μm以上且15μm以下。屏蔽層的厚度為0.1μm以上時，電磁波屏蔽膜的屏蔽特性變得良好。又，為15μm以下時，電磁波屏蔽膜的耐彎曲性變得良好。屏蔽層的厚度可按照例如後述實施例中的厚度測定方法進行測定。

屏蔽層厚度的下限宜為0.5μm以上、較佳為1μm以上、更佳為2μm以上、特別佳為4μm以上。另一方面，屏蔽層厚度的上限宜為12μm以下、較佳為10μm以下、更佳為8μm以下、特別佳為6μm以下。

屏蔽層的接著劑層側表面的RSm為40μm以上且100μm以下。RSm為根據JIS B 0601：2013的粗度曲線要素的平均長度RSm。如圖2所示，RSm係表示於粗度曲線的基準長度L中，與由山峰與山谷構成的1個粗度曲線要素對應的長度Xs的平均值。因此，通常有RSm越小，一定長度中的表面粗度的凹凸數越容易變多的傾向。表面RSm可以下式算出： [數學式1]

[式中，m表示週期數、Xs表示1個週期的長度]。RSm係經由後述實施例中說明的「RSm測定方法」測定出的值。

於RSm小於40μm時，屏蔽層表面的凸部分(即接著劑層未含導電性填料之情形下，從用以積層接著劑層側的面俯視屏蔽層表面時，屏蔽層隆起的部分)彼此的間隔變窄，且屏蔽層表面的凹部分(即接著劑層未含導電性填料之情形下，從用以積層接著劑層側的面俯視屏蔽層表面時，屏蔽層凹陷的部分)的區域變少。藉此，將電磁波屏蔽膜貼合於印刷配線板時，接著劑於屏蔽層與印刷配線板之間所佔的比例變小，信號傳輸通道與屏蔽層之距離(的平均值)變小。此處，於信號傳輸通道傳輸的信號的衰減量取決於存在於信號傳輸通道與屏蔽層之間的物質的介電損耗，若存在於信號傳輸通道與屏蔽層之間的物質的介電損耗變大，則信號的衰減量亦變大。因此推定RSm小於40μm時，信號傳輸通道與屏蔽層之間的介電損耗變大，信號衰減量亦變大。又，推定RSm超過100μm時，屏蔽層表面的凸部分彼此的間隔變大，以致與接地電路的接觸區域變小，故不能獲得良好的屏蔽特性。又，推定RSm超過100μm時，屏蔽層的表面形狀有平緩且高度較低的凸部較多的傾向，若將如此的屏蔽膜貼於配線板，由於屏蔽層(的平均線)接近信號電路，故存在於屏蔽層與信號電路間的接著劑層的比例變少、傳輸特性變差。然而，上述推定並非用來限定本發明。

RSm宜為95μm以下、較佳為90μm以下、更佳為85μm以下、特別佳為80μm以下。另一方面，RSm宜為45μm以上、較佳為50μm以上、更佳為55μm以上。

RSm例如可藉由選擇構成絕緣性保護層或屏蔽層的材料、調節絕緣性保護層或屏蔽層的製造條件等手段而成為所期望的值，但本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜並不限定於利用上述手段而獲得者。關於使RSm成為預定值的方法，有下述方法等：例如使絕緣性保護層含有填料而於絕緣性保護層的表面形成凹凸，並藉由加成法於該凹凸表面形成屏蔽層的方法；例如藉由蝕刻法等將形成於絕緣性保護層表面的屏蔽層的一部分表面去除的方法；例如藉由網版印刷法或被覆遮罩進行真空蒸鍍的方法等而於絕緣性保護層表面沉積具有預定表面形狀的屏蔽層的方法。

屏蔽層之負荷面積率Smr2(以下亦稱為Smr2)宜為92%以上、較佳為94%以上、更佳為95%以上、特別佳為95.5%以上。Smr2的上限通常小於100%，但由生產性之觀點而言亦可為99%以下。Smr2為92%以上時，有容易抑制於印刷配線板傳輸的高頻信號的傳輸損失、且容易優化與印刷配線板的接地電路的連接性之傾向。

負荷面積率Smr2為ISO 25178-2：2012所定義的參數。如圖3概念性所示，Smr2係指針對在關於粗度曲線的負荷曲線的中央部分將負荷面積率Smr的差ΔSmr設為40%所畫出的負荷曲線的割線，將成為最緩斜率的直線設為等價直線，並將等價直線於負荷面積率為0%與100%的位置與縱軸相交的二個高度位置之間設為核心部時，負荷曲線與突出谷部和核心部的交界線相交的點上的負荷面積率。Smr2係按照於後述實施例中說明的Smr2測定方法而求出的值。再者，負荷曲線係關於面的負荷曲線，以切斷程度相對於負荷面積率的函數表示。

Smr2例如可藉由選擇構成絕緣性保護層或屏蔽層的材料、調節絕緣性保護層或屏蔽層的製造條件等手段而成為所期望的值，但本發明之電磁波屏蔽膜並不限定於利用上述手段而獲得者。

屏蔽層之負荷面積率Smr1(以下亦稱為Smr1)宜為17%以上、較佳為18%以上、更佳為20%以上、特別佳為22%以上。另一方面，Smr1通常為50%以下。Smr1為17%以上時，有容易抑制於印刷配線板傳輸的高頻信號的傳輸損失、且容易優化與印刷配線板的接地電路的連接性之傾向。

負荷面積率Smr1為ISO 25178-2：2012所定義的參數。如圖3概念性所示，Smr1係指針對在關於粗度曲線的負荷曲線的中央部分將負荷面積率Smr的差ΔSmr設為40%所畫出的負荷曲線的割線，將成為最緩斜率的直線設為等價直線，並將等價直線於負荷面積率為0%與100%的位置與縱軸相交的二個高度位置之間設為核心部時，負荷曲線與突出山部和核心部的交界線相交的點上的負荷面積率。Smr1係按照於後述實施例中說明的Smr1測定方法而求出的值。再者，負荷曲線係關於面的負荷曲線，以切斷程度相對於負荷面積率的函數表示。

Smr1例如可藉由選擇構成絕緣性保護層或屏蔽層的材料、調節絕緣性保護層或屏蔽層的製造條件等手段而成為所期望的值，但本發明之電磁波屏蔽膜並不限定於利用上述手段而獲得者。

(接著劑層) 接著劑層可由已知的接著劑或黏著劑構成。由抑制於印刷配線板傳輸的高頻信號的傳輸損失之觀點而言，接著劑宜具有較低的介電常數。接著劑層的相對介電常數於測定頻率1GHz、測定溫度23℃下例如可為1~5、較佳為2~2.8。又，接著劑層的介電損耗正切於測定頻率1GHz、測定溫度23℃下例如可為0~0.03、較佳為0.0001~0.02。

接著劑層可為絕緣性抑或導電性。接著劑層為導電性時，可為各向異性導電性抑或各向同性導電性。然而，由抑制傳輸損失之觀點、薄膜化及製造成本等觀點而言，接著劑層宜不含導電性填料(即為絕緣性)。

接著劑層含有導電性填料時，關於導電性填料例如可列舉：金屬填料、碳填料及其等之混合物等。關於金屬填料，例如可列舉：銀、銅、鎳等金屬粉等，該等亦可為經以金或銀被覆者。

接著劑層可由接著性樹脂組成物構成。關於接著性樹脂組成物所包含的樹脂，只要具有接著性即可，並無特別限定，但例如可包含上述作為絕緣性保護層中使用的樹脂所舉例的樹脂。接著性樹脂組成物例如可包含熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。

關於熱塑性樹脂，例如可列舉：苯乙烯系樹脂、乙酸乙烯酯系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、醯亞胺系樹脂、醯胺系樹脂及丙烯酸系樹脂等。接著性樹脂組成物包含熱塑性樹脂時，接著性樹脂組成物所包含的熱塑性樹脂宜玻璃轉移點及/或熔點低於絕緣性保護層所包含的熱塑性樹脂。

關於熱硬化性樹脂，例如可列舉：酚系樹脂、環氧系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。此等樹脂亦可經改質。

接著性樹脂組成物亦可視需要包含上述導電性填料或如下至少1種添加劑：例如硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑及黏度調節劑等。

關於黏著劑只要為具有黏著性的樹脂即可，並無特別限定，例如可列舉：由丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽系樹脂構成者等。黏著劑通常可使用形成於剝離膜上者。

接著劑層的厚度並無特別限定，例如可為1μm以上且20μm以下。接著劑層的厚度較佳為4μm以上、更佳為5μm以上。另一方面，接著劑層的厚度較佳為9μm以下、更佳為8μm以下。接著劑層的厚度可按照例如後述實施例中的厚度測定方法進行測定。

接著劑層的厚度為1μm以上時，有電磁波屏蔽膜的傳輸特性容易變得良好的傾向。接著劑層的厚度為20μm以下時，於貼合電磁波屏蔽膜與印刷配線板時，有屏蔽層的凸部容易穿過接著劑層而與印刷配線板的接地電路連接的傾向。

電磁波屏蔽膜的厚度並無特別限定，例如可為3μm以上且50μm以下。接著劑層的厚度較佳為5μm以上、更佳為30μm以上。另一方面，接著劑層的厚度較佳為10μm以下、更佳為20μm以下。接著劑層的厚度係按照後述實施例中的厚度測定方法測定出的值。

＜電磁波屏蔽膜之製造方法＞電磁波屏蔽膜之製造方法可為例如包含如下步驟的製造方法：於支持基材上塗佈絕緣性樹脂組成物並使之硬化而形成絕緣性保護層之步驟(以下亦稱為絕緣性保護層形成步驟)；於絕緣性保護層上形成屏蔽層之步驟(以下亦稱為屏蔽層形成步驟)；及於屏蔽層上形成接著劑層之步驟(以下亦稱為接著劑層步驟)。如此形成的電磁波屏蔽膜可為本發明之一態樣之電磁波屏蔽膜。

(絕緣性保護層形成步驟) 關於支持基材，可列舉由熱塑性樹脂、例如聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)或聚苯硫醚(PPS)等構成者。其中較佳為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，因為具有彎曲性及高耐熱性。

支持基材的厚度例如可為10μm以上且10mm以下、較佳為20μm以上且8mm以下。支持基材例如可將捲成捲筒狀的支持基材一面捲出一面連續性使用，亦可使用預先裁切過的單片物。

亦可於支持基材與絕緣性保護層之間設置剝離劑層。關於剝離劑，例如可列舉：氟系樹脂、聚酯系樹脂、矽系樹脂、三聚氰胺系樹脂等。

關於絕緣性樹脂組成物，可使用於上述關於電磁波屏蔽膜中之絕緣性保護層的說明中所舉例者。絕緣性樹脂組成物亦可視需要包含至少1種溶劑，例如甲苯、丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。絕緣性樹脂組成物可藉由周知製造方法、例如將各成分及溶劑一起混合調製而獲得。為了在屏蔽層的接著劑層側的表面設置凹凸，宜使用包含粒子狀物質的絕緣性樹脂組成物。

關於在支持基材單面塗佈絕緣性樹脂組成物之方法，例如可使用模嘴塗佈法、缺角輪塗佈法、凹版塗佈法、狹縫式模具塗佈法等方法。

於塗佈絕緣性樹脂組成物後，可視需要藉由加熱及/或減壓使之乾燥而除去溶劑。

絕緣性樹脂組成物中的絕緣性樹脂為熱硬化性樹脂時，絕緣性樹脂組成物可於乾燥後藉由加熱而硬化。加熱可使用例如紅外線照射爐、熱風烘箱等進行。

絕緣性樹脂為活性能量線硬化性樹脂時，絕緣性樹脂組成物可於乾燥後藉由照射活性能量線而硬化。活性能量線例如可為紫外線、電子束、紅外線等。其中較佳為紫外線。紫外線的照射可使用例如高壓水銀燈、金屬鹵素燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈等光源進行。

支持基材可於使絕緣性樹脂組成物乾燥及/或硬化後進行剝離，或於將電磁波屏蔽膜黏貼於印刷配線板後進行剝離。

亦可無論絕緣性保護組成物中有無粒子狀物質，均至少使絕緣性保護層的屏蔽層側的表面凹凸化。將絕緣性保護層的屏蔽層側的表面進行凹凸化後，有容易獲得具有預定RSm的屏蔽層的傾向。

關於使絕緣性保護層表面凹凸化之方法，例如可列舉如下方法等：使用包含粒子狀物質之絕緣性保護組成物的方法；藉由噴砂加工、利用電漿照射或電子束照射之乾式蝕刻、利用藥劑處理之溼式蝕刻或壓紋加工等對已形成的絕緣性保護層表面進行處理的方法；於形成的絕緣性樹脂組成物的塗膜撒上粒子狀物質的方法；於支持基材上撒上粒子狀物質後塗佈絕緣性樹脂組成物的方法；於表面具有凹凸形狀的支持基材的表面塗佈絕緣性樹脂組成物的方法。

使用包含粒子狀物質的絕緣性保護組成物於絕緣性保護層的屏蔽層側的表面設置凹凸時，關於粒子狀物質可使用具有絕緣性的粒子狀物質。關於具有絕緣性的粒子狀物質之例，可舉如無機粒子、例如二氧化矽或氧化鋁等、以及樹脂粒子等。粒子狀物質可單獨或組合2種以上使用。

使用的粒子狀物質的平均粒徑(D50)可根據絕緣性保護層中屏蔽層側的表面粗度而適當決定。粒子狀物質的平均粒徑例如可為1μm以上、較佳為5μm以上、更佳為10μm以上、再更佳為13μm以上、特別佳為15μm以上。另一方面，粒子狀物質的平均粒徑例如可為50μm以下、較佳為40μm以下、更佳為35μm以下、再更佳為30μm以下、特別佳為25μm以下。粒子狀物質的平均粒徑為1μm以上且50μm以下時，有下述傾向：容易將絕緣性保護層的屏蔽層側的表面適度地凹凸化，使屏蔽層的接著劑層側表面的RSm成為40μm以上且100μm以下，且容易使電磁波屏蔽膜的厚度變得適當。粒子狀物質的平均粒徑係按照後述實施例中的平均粒徑測定方法測定出的值。

使絕緣性樹脂組成物含有粒子狀物質時，絕緣性樹脂組成物中的粒子狀物質的含量可相對於樹脂成分100質量份為例如1質量份以上且100質量份以下。使絕緣性樹脂組成物含有粒子狀物質時，絕緣性樹脂組成物中的粒子狀物質的含量相對於樹脂成分100質量份較佳為5質量份以上、更佳為10質量份以上、再更佳為20質量份以上。另一方面，使絕緣性樹脂組成物含有粒子狀物質時，絕緣性樹脂組成物中的粒子狀物質的含量相對於樹脂成分100質量份宜為90質量份以下、較佳為80質量份以下、更佳為60質量份以下。使絕緣性樹脂組成物以1質量份以上且100質量份以下含有粒子狀物質時，有容易將絕緣性保護層的表面適度地凹凸化、且容易使屏蔽層的接著劑層側表面的RSm成為40μm以上且100μm以下的傾向。

粒子狀物質的形狀並無特別限定，可為球狀、針狀、纖維狀、小片狀及樹枝狀等形狀，但由使屏蔽層的接著劑層側表面的RSm成為40μm以上且100μm以下之觀點而言，較佳為球狀。

絕緣性樹脂組成物含有粒子狀物質時，絕緣性保護層的厚度例如可為1μm以上、較佳為5μm以上、更佳為10μm以上、再更佳為15μm以上。另一方面，絕緣性保護層的厚度例如可為30μm以下、較佳為28μm以下、更佳為25μm以下、再更佳為23μm以下。

例如於利用噴砂加工的處理中，可對支持基材表面噴上研磨劑、例如珠子、沙子、乾冰等而使之凹凸化。例如於利用壓紋加工的處理中，可對絕緣性保護層表面按壓具有凹凸形狀的模具而賦予凹凸形狀。

將絕緣性保護層的屏蔽層側的表面凹凸化時，絕緣性保護層的屏蔽層側表面之例如粗度曲線要素的平均長度RSm可為100μm以下、較佳為80μm以下、更佳為60μm以下。絕緣性保護層的屏蔽層側表面的RSm為100μm以下時，由於有容易將屏蔽層的接著劑層側表面的RSm設為40μm以上且100μm以下的傾向，故為佳。

(屏蔽層形成步驟) 屏蔽層可藉由於絕緣性保護層的表面形成金屬膜而形成。金屬膜的形成可藉由電解鍍覆法、無電鍍覆法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、或金屬有機法等加成法、貼合金屬箔的方法等而進行。其中，較佳為電解鍍覆法或無電鍍覆法。藉由電解鍍覆法或無電鍍覆法形成金屬膜時，有容易於金屬膜表面形成樹枝狀的微小凹凸、且容易連接屏蔽層與印刷配線板的接地電路的傾向。金屬膜可由上述關於屏蔽層所提到的金屬構成。

使絕緣性保護層含有填料而於絕緣性保護層的表面形成凹凸，並以加成法於該凹凸表面形成屏蔽層時，較佳的加成法宜為電解鍍覆法及無電鍍覆法。電解鍍覆法可採用周知的方法。例如電解液宜為硫酸銅，並宜於25℃~40℃的溫度下施加60秒~6分鐘的電流。無電鍍覆法可採用周知的方法。關於電解鍍覆法中的觸媒，較佳為金屬奈米粒子，宜於45℃~60℃的溫度下進行60秒~5分鐘。使絕緣性保護層含有填料而於絕緣性保護層的表面形成凹凸，並以加成法於該凹凸表面形成屏蔽層時，屏蔽層的厚度並無特別限定，較佳為0.1~15μm、更佳為0.1~1μm、再更佳為0.1~0.5μm。若屏蔽層的厚度在上述範圍，則有容易獲得與絕緣性保護層表面的凹凸形狀大致相同形狀的屏蔽層的傾向。

藉由在形成金屬膜後使金屬膜的表面凹凸化，亦可使屏蔽層的接著劑層側表面的RSm成為40μm以上且100μm以下。關於使金屬膜表面凹凸化之方法，例如可列舉如下方法等：藉由噴砂加工、利用電漿照射或電子束照射之乾式蝕刻、利用藥劑處理之溼式蝕刻或壓紋加工等進行處理的方法。又，進行貼合金屬箔的方法時，可舉如將藉由壓紋加工而於表面設置有凹凸形狀的銅箔貼合於絕緣性保護層表面之方法等。

屏蔽層亦可由導電性粒子形成。關於由導電性粒子形成屏蔽層的方法，可列舉：藉由將包含導電性粒子的導電性糊料塗佈於絕緣性保護層表面而形成的方法、將導電性粒子撒在絕緣性保護層表面的方法等。關於塗佈包含導電性粒子的導電性糊料的方法，例如可列舉：模嘴塗佈法、缺角輪塗佈法、凹版塗佈法、狹縫式模具塗佈法等。塗佈包含導電性粒子的導電性糊料後，可視需要進行乾燥處理、硬化處理等。

(接著劑層形成步驟) 接著劑層可由接著劑或黏著劑構成。

由接著劑構成接著劑層時，可藉由將接著劑塗佈於屏蔽層而形成。關於將接著劑塗佈於屏蔽層的方法，例如可列舉：模嘴塗佈法、缺角輪塗佈法、凹版塗佈法、狹縫式模具塗佈法等。關於接著劑，可舉例上述的熱塑性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物等。塗佈接著劑後，可視需要進行乾燥處理、硬化處理等。為了在與印刷配線板貼合之前保護接著劑層表面，亦可於接著劑層表面貼合剝離膜。

又，由接著劑構成接著劑層時，亦可藉由將於剝離膜上塗佈有接著劑者之塗佈有接著劑側的面與屏蔽層的表面貼合而形成接著劑層。剝離膜可在與印刷配線板貼合時進行剝離。

由黏著劑構成接著劑層時，通常可藉由將形成於剝離膜上的黏著劑貼合於屏蔽層側的表面而形成接著劑層。剝離膜可在與印刷配線板貼合時進行剝離。

由此獲得的電磁波屏蔽膜，即使接著劑層不含導電性填料，於貼合電磁波屏蔽膜與印刷配線板時，屏蔽膜的凸部亦可與印刷配線板的接地電路連接，能夠發揮良好的傳輸特性。又，因為不含導電性填料，故可使屏蔽膜較薄。

＜屏蔽印刷配線板＞可藉由將電磁波屏蔽膜貼合於印刷配線板而作成屏蔽印刷配線板。

於圖4顯示本發明之一態樣之屏蔽印刷配線板300。如圖4所示，屏蔽印刷配線板300具有電磁波屏蔽膜100與印刷配線板200。印刷配線板200具有：基底層210、形成於基底層210上的接地電路220A與信號電路220B、及以使接地電路220A之至少一部分露出之方式覆蓋基底層210的絕緣層230。屏蔽層120的一部分凸部穿過接著劑層130，與接地電路220A接觸。因此，即使接著劑層130不含導電性填料，亦可使屏蔽層120與接地電路220A導通，發揮優異的屏蔽特性。又，由於屏蔽層120的接著劑側表面的RSm為100μm以下，故接著劑被蓄留於屏蔽層120之凹部，可於屏蔽層120與印刷配線板200之間充分地確保接著劑層130，因此可發揮良好的傳輸特性。對信號電路220B傳輸高頻信號。所謂高頻係指例如從100MHz(極長短波)至3000GHz(亞毫米波)的區域，只要是於印刷配線板傳輸信號時所使用的100MHz至100GHz的區域，都適合使用本發明之電磁波屏蔽膜。

(印刷配線板) 印刷配線板可為具有基底層、絕緣層、印刷電路者。基底層及絕緣層可為例如樹脂膜等。樹脂膜可由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚苯硫醚等樹脂構成。

(印刷電路) 印刷電路例如可為形成於基底層上的銅配線圖案等。印刷電路可具有信號電路及接地電路。

電磁波屏蔽膜可將接著劑層置於印刷配線板側而與印刷配線板接著。例如屏蔽印刷配線板可藉由於印刷配線板上載置電磁波屏蔽膜，以加壓機一邊加熱一邊加壓而進行接著。於加壓時，屏蔽層的至少一部分凸部穿過接著劑層，與接地電路連接從而可導通。又，即使進行了加壓之情形下於屏蔽層的凹部亦充分地存在接著劑，故可獲得良好的傳輸特性。

本發明之一態樣之屏蔽印刷配線板由於可發揮良好的傳輸特性，故適合使用於需要高速地傳輸大量資料的智慧型手機或平板終端、個人電腦等。

以下，舉實施例進一步具體地說明本發明，但本發明並不限定於此等例子。

[實施例] 於實施例及比較例獲得的電磁波屏蔽膜中的各特性值係利用以下方法測定出。

＜測定RSm＞就各實施例及比較例獲得的屏蔽層測定RSm。具體而言，使用共聚焦顯微鏡(Lasertec公司製、OPTELICS HYBRID、物鏡20倍)測定屏蔽層表面的任意5處後，使用資料分析軟體(LMeye7)，根據JIS B 0601：2013測定表面性狀，得到其算術平均值。又，截止波長λc設為0.8mm。

＜測定Smr2＞就各實施例及比較例獲得的屏蔽層測定Smr2。具體而言，使用共聚焦顯微鏡(Lasertec公司製、OPTELICS HYBRID、物鏡20倍)測定屏蔽層表面的任意5處後，使用資料分析軟體(LMeye7)，根據ISO 25178-6：2010測定表面性狀，得到其算術平均值。又，S濾波器的截止波長為0.0025mm、L濾波器的截止波長設為0.8mm。

＜測定Smr1＞就各實施例及比較例獲得的屏蔽層測定Smr1。具體而言，使用共聚焦顯微鏡(Lasertec公司製、OPTELICS HYBRID、物鏡20倍)測定屏蔽層表面的任意5處後，使用資料分析軟體(LMeye7)，根據ISO 25178-6：2010測定表面性狀，得到其算術平均值。又，S濾波器的截止波長為0.0025mm、L濾波器的截止波長設為0.8mm。

＜測定平均粒徑＞島津製作所社股份有限公司製SALD-2200以吸光度30%進行測定，求出平均粒徑。

＜測定厚度＞接著劑層的厚度係由利用電子顯微鏡(日本電子股份有限公司製JSM-6510LA)以1000倍觀察電磁波屏蔽膜的截面而獲得的圖像，以5點平均算出接著劑層的厚度。

＜評價連接性＞於印刷配線板的表面暫時黏貼電磁波屏蔽膜(120℃、0.5MPa、5秒)後，進行加熱加壓(170℃、3MPa、30分鐘)，形成屏蔽印刷配線板。印刷配線板係使用如下者，其具有：彼此保持間隔地平行延伸的2條銅箔圖案、及覆蓋銅箔圖案且厚度25μm的由聚醯亞胺構成的絕緣層。於絕緣層上設置有使各個銅箔圖案露出的開口部。開口部的直徑設為1mm。藉由電阻計測定2條銅箔圖案之間的電阻值，藉此評價銅箔圖案與電磁波屏蔽膜的連接性。電阻小於0.4Ω時，視為連接性為良好。

＜頻率特性＞就電磁波屏蔽膜的頻率特性，使用圖5所示的網路分析儀31進行評價。網路分析儀31係使用Rohde & Schwarz公司製的ZVL6。網路分析儀31具有輸入端子與輸出端子，其等分別與連接用基板32連接。將測定對象的屏蔽印刷配線板60以被支持成浮在空中的直線狀態之方式連接於該1對連接用基板32之間後，進行測定。屏蔽印刷配線板60使用長度200mm者。又，於100kHz~6GHz的頻率範圍內進行測定。又，於溫度25℃、相對溼度30~50%的氣體環境下進行測定。網路分析儀31於頻率10GHz下測定輸入的信號相對於輸出的信號衰減了多少。將測出的衰減量作為傳輸損失顯示於表2。衰減量越接近零，表示傳輸損失越少。

＜製作屏蔽印刷配線板＞於印刷配線板中使用厚度12.5μm的聚醯亞胺膜加上厚度25μm的接著劑層而成之37.5μm的絕緣膜。又，於電路圖案使用對12μm的銅箔實施6μm的鍍銅者。於電路圖案中不含接地電路。又，於基底膜使用25μm的聚醯亞胺膜。

將於各實施例及比較例中得到的電磁波屏蔽膜與印刷配線板貼合，加熱至170℃，以3MPa的壓力得到屏蔽印刷配線板。

＜接著性樹脂組成物1＞於附有攪拌裝置的1000ml燒瓶中，以下述比例添加下述原料，於室溫下攪拌6小時使之溶解，藉此進行調製。 [環氧樹脂] 甲酚酚醛型環氧樹脂(DIC公司製、EPICLON N-655-EXP)：100質量份 [咪唑系硬化促進劑] 四國化成公司製、CUREZOL C11-Z：0.2質量份 [溶劑] 甲乙酮：400質量份

＜實施例1＞將以表1所示各成分及各量調配而成的絕緣性樹脂組成物塗佈於表面形成有聚酯系離型劑的PET膜(厚度50μm)上，接著進行乾燥，藉此形成凹凸表面的絕緣性保護層。無機粒子的平均粒徑為16.7μm。測定絕緣性保護層的厚度。將結果顯示於表2。將得到的絕緣性保護層的RSm顯示於表2。

於經形成的絕緣性保護層的凹凸表面利用鍍覆形成厚度2μm的鍍銅層，作成凹凸表面的屏蔽層。鍍銅層係按照以下條件利用電解鍍覆法而形成。於電解鍍覆法中，使用的電解液為硫酸銅，並於25℃溫度下施加電流6分鐘。測定獲得的屏蔽層之用以設置接著劑層的表面的RSm、Smr2、Smr1。於表2顯示結果。

於獲得的凹凸表面的屏蔽層的表面塗佈如上所述調製的接著性樹脂組成物1，接著進行乾燥來製作接著劑層，而得到電磁波屏蔽膜。將接著劑層的厚度顯示於表2。

＜實施例2＞除了將實施例1使用的無機粒子調配量取代成相對於樹脂固體成分為42.9質量份外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜實施例3＞除了將絕緣性保護層的厚度取代成23μm外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜實施例4＞除了將絕緣性保護層的厚度取代成30μm、及將無機粒子取代成平均粒徑27.3μm的無機粒子外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜比較例1＞將以表1所示各成分及各量調配而成的絕緣性樹脂組成物塗佈於表面形成有聚酯系離型劑的PET膜(厚度50μm)上，接著進行乾燥，藉此形成厚度為5μm的絕緣性保護層。然後，將藉由壓延加工而製成的厚度2μm的銅箔貼合於絕緣性保護層。然後，調製固體成分濃度20%的液狀導電性接著劑組成物，該組成物係對100質量份的接著性樹脂組成物1添加17.6質量份的中心粒徑D50為13μm的銀包銅粉而得。使用刮刀片(板狀抹刀)將前述液狀導電性接著劑組成物塗佈於銅箔上，於100℃×3分鐘的條件下使之乾燥，形成導電性接著劑層。藉此，製成具有絕緣性保護層/金屬層/接著劑層的構造的屏蔽膜。

＜比較例2＞除了將實施例1使用的無機粒子調配量取代成相對於樹脂固體成分為100質量份外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜比較例3＞除了將實施例1使用的無機粒子取代成平均粒徑20.7μm的無機粒子外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜比較例4＞除了將比較例1使用的無機粒子調配量設成相對於樹脂固體成分為42.9質量份外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

＜比較例5＞除了將比較例1使用的無機粒子調配量設成相對於樹脂固體成分為100質量份外，以與實施例1相同方式獲得電磁波屏蔽膜。

[表1]

單位：質量份

[環氧樹脂] 雙酚A型環氧系樹脂(三菱化學製、jER1256)：100質量份環氧樹脂硬化劑(三菱化學製、ST14)：0.1質量份 [無機粒子A] 多孔二氧化矽粒子：平均粒徑16.7μm [無機粒子B] 多孔二氧化矽粒子：平均粒徑20.7μm [無機粒子C] 多孔二氧化矽粒子：平均粒徑27.3μm

[表2]

*OL：過負荷(超過測定範圍)

由表2可知，實施例1~4與比較例1~5相比較，傳輸信號的衰減量較低、傳輸損失較少。

31‧‧‧網路分析儀32‧‧‧連接用基板60‧‧‧屏蔽印刷配線板100‧‧‧電磁波屏蔽膜110‧‧‧絕緣層120‧‧‧屏蔽層130‧‧‧接著劑層200‧‧‧印刷配線板210‧‧‧基底層220A‧‧‧接地電路220B‧‧‧信號電路230‧‧‧絕緣層300‧‧‧屏蔽印刷配線板

圖1係顯示本發明之一態樣之典型的電磁波屏蔽膜之示意性截面圖。圖2係顯示粗度曲線要素之平均長度RSm之概略圖。圖3係概念性顯示負荷面積率Smr1及Smr2之圖。圖4係本發明之一態樣之屏蔽印刷配線板之示意性截面圖。圖5係測定頻率特性之系統構造圖。

Claims

一種屏蔽印刷配線板，具有電磁波屏蔽膜與印刷配線板；前述電磁波屏蔽膜具有絕緣性保護層、屏蔽層及接著劑層；前述印刷配線板具有基底層、形成於基底層上之接電電路與信號電路以及絕緣層，且該絕緣層係以使接地電路之至少一部分露出的方式覆蓋基底層；前述電磁波屏蔽膜透過前述接著劑層而貼合於前述印刷配線板，且前述屏蔽層中前述接著劑層側表面之根據JIS B 0601：2013的粗度曲線要素的平均長度RSm為40μm以上且100μm以下；前述接著劑層之厚度為1μm以上且20μm以下；前述接著劑層不含導電性填料；前述絕緣性保護層之至少屏蔽層側表面被凹凸化；並且，前述屏蔽層之一部分凸部穿過接著劑而與前述接地電路導通。
如請求項1之屏蔽印刷配線板，其中前述屏蔽層中前述接著劑層側表面的負荷面積率Smr2為92%以上。
如請求項1或2之屏蔽印刷配線板，其中前述絕緣性保護層包含粒子狀物質。
如請求項3之屏蔽印刷配線板，其中前述粒子狀物質之平均粒徑為15μm以上。
一種屏蔽印刷配線板之製造方法，係製造如請求項1至4中任一項之屏蔽印刷配線板之方法，包含以下步驟：於支持基材上塗佈絕緣性樹脂組成物並使之硬化而得到絕緣性保護層；於絕緣性保護層上形成屏蔽層；於屏蔽層上形成接著劑層而得到電磁波屏蔽膜；及將得到之電磁波屏蔽膜與印刷配線板貼合。