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TWI769735B - 抑制邊緣場效應的空間光調製器 - Google Patents

抑制邊緣場效應的空間光調製器 Download PDF

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TWI769735B TW110108864A TW110108864A TWI769735B TW I769735 B TWI769735 B TW I769735B TW 110108864 A TW110108864 A TW 110108864A TW 110108864 A TW110108864 A TW 110108864A TW I769735 B TWI769735 B TW I769735B
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Abstract

本發明揭露一種抑制邊緣場效應的空間光調製器，包含：一透明電極層；一反射電極層，其包含一像素電極，該像素電極中一像素區域是由該像素電極邊界所圍繞；一液晶層，其位於該透明電極層和該反射電極層之間以建立一像素，該像素是由覆蓋該像素電極的該像素區域中的該液晶層形成；以及一配向膜，具有一第一圖案與一第二圖案並覆蓋於該像素區域，該像素區域中因該第一圖案與該第二圖案，使該像素的該液晶層內的液晶分別產生產生一第一配向角與一第二配向角的排列，且該第一配向角相異於該第二配向角。

Description

抑制邊緣場效應的空間光調製器
本發明涉及一種空間光調製器(Spatial light modulator，以下簡稱SLM)，尤指一種利用配向膜的圖案來抑制邊緣場效應(Fringe field effect，以下簡稱FFE)空間光調製器。
FFE是像素電極邊界產生的電場洩漏到一個相鄰像素，影響相鄰像素的液晶(以下簡稱LC)對齊，從而對入射到相鄰像素上的光產生非預期的相移。相鄰像素不同位置上的相移都不同，並且在相鄰像素的邊界周圍最為明顯。由於FFE會極大地削弱SLM性能，例如顯著降低繞射效率和相位分佈精度。
本發明目的之一，在於空間光調製器利用配向膜上的圖案，使LC層以在像素電極上呈現不均勻分佈以抑制FFE。
本發明目的之一，在於空間光調製器利用配向膜上的圖案，使LC層中每一個像素的LC具有至少兩種不同的配 向角。
本發明揭露一種抑制邊緣場效應的空間光調製器，包含：一透明電極層；一反射電極層，其包含一像素電極，該像素電極中一像素區域是由該像素電極邊界所圍繞；一液晶層，其位於該透明電極層和該反射電極層之間以建立一像素，該像素是由覆蓋該像素電極的該像素區域中的該液晶層形成；以及一配向膜，具有一第一圖案與一第二圖案並覆蓋於該像素區域，該像素區域中因該第一圖案與該第二圖案，使該像素的該液晶層內的液晶分別產生產生一第一配向角與一第二配向角的排列，且該第一配向角相異於該第二配向角。
本發明一種抑制邊緣場效應的空間光調製器於一實施例中，該第一配向角大於該第二配向角。
本發明一種抑制邊緣場效應的空間光調製器於一實施例中，該液晶層視為平行XY平面，則該第一區域中該液晶層中的每一個該液晶在XY平面與X軸之夾角為該第一配向角，且該第一配向角為大於0度且小於或等於5度。
1~9:像素電極
100:SLM
120:透明電極層
130:反射電極層
110:LC層
140:基板
142:剛性板
145:玻璃板
182:像素區域
181:邊界
111、112:像素
101:入射光
102:反射或繞射光線
15:配向膜
15a、15b:區域
205、305:像素長度
210:一維典型分佈
211:像素邊界
212:受影響部分
240:理想相位延遲分佈
310、315、330、335、550:曲線
611~622:最佳化像素
631:外部區域
632:內部區域
635:像素邊界
636:假想線
637:間隙
〔圖1〕係顯示本發明一實施例示意圖。
〔圖2〕是一個受FFE影響的相位延遲典型分佈，以及一個沒 有受FFE影響的理想相位延遲分佈。
〔圖3〕通過配向角修正的邊緣場效應之橫截面示意圖。
〔圖4〕顯示一個液晶位於三維座標系統之示意圖。
〔圖5〕是一個不均勻分佈的FFE-抵消特徵之示意圖。
〔圖6〕顯示FFE被配向角不均勻分佈有效抵消
請參閱圖1，圖1顯示本發明空間光調製器100(Spatial light modulator，以下簡稱SLM)的示意圖，SLM 100包含透明電極層120、反射電極層130、以及位於透明電極層120和反射電極層130之間的液晶(以下簡稱LC)層110與配向膜15。
請注意，反射電極層130包含多個像素電極(包含像素電極1~9)，排列成一個陣列，形成多個像素(Pixels)，每個像素都包含一個像素電極及其上的一部分LC層110。像素電極1~9中的像素區域182是由像素電極邊界181所圍繞。
LC層110其位於透明電極層120和反射電極層130之間以建立一像素，像素是由覆蓋像素電極的像素區域182中的LC層110形成。
配向膜15上具有一第一圖案與一第二圖案並覆蓋於像素區域，像素區域182因第一圖案與該第二圖案，使像素區域182像素的LC層110的液晶分別產生產生一第一配向角(azimuth angle)與一第二配向角的排列，且第一配向角相異於 第二配向角。
在一實施例中，反射電極層130形成在基板140上，使得SLM 100是一個液晶覆矽(又稱矽基液晶或單晶矽反射式液晶，英文：Liquid Crystal On Silicon，LCoS)SLM。剛性板142如陶瓷基板或金屬板可以用於機械支撐基板140及其上的元件。玻璃板145安裝在透明電極層120上以提供機械保護，並允許光穿過到達LC層110(如果SLM 100是用於調製可見光的話)。
氧化銦錫(ITO)可以用於形成透明電極層120，在大多數實際實施裡，LC層110是均勻平面型的(其中LC分子沿著平行于透明電極層120的方向排列)、垂直的(其中LC分子沿著垂直于透明電極層120的方向排列)、或扭轉的(LC分子以螺旋狀結構排列)。
本發明的一個方面是提供一種用於調製入射光的SLM，其中SLM通過配置SLM的LC層以將像素電極上配向角顯示為不均勻分佈，即配向膜15上具有兩個不同圖案區域，而產生對應於區域之間的配向角具有差異以抑制FFE，故不需要改變像素電極的形狀。例如，如果在初始設計裡使用了矩形像素電極，在將本發明應用在初始設計上之後，仍然可以使用同樣的矩形像素電極。
圖1描述本發明一個示例性SLM 100結構。SLM 100包含一個透明電極層120、一個反射電極層130、以及一個 位於透明電極層120和反射電極層130之間的LC層110。反射電極層130包含多個像素電極(包含像素電極1~9)，排列成一個陣列，形成多個像素，每個像素都包含一個像素電極及其上的一部分LC層110。在一個實施例中，反射電極層130形成在基板140上，使得SLM 100是一個LCOS SLM。一個剛性板142如陶瓷基板或金屬板可以用於機械支撐基板140及其上的元件。優選地，一個玻璃板145安裝在透明電極層120上以提供機械保護，並允許光穿過到達LC層110(如果SLM 100是用於調製可見光的話)。本領域普通技術人員知道，氧化銦錫(ITO)可以用於形成透明電極層120。在大多數實際實施裡，LC層110是均勻平面型的(其中LC分子沿著平行于透明電極層120的方向排列)、垂直的(其中LC分子沿著垂直于透明電極層120的方向排列)、或扭轉的(LC分子以螺旋狀結構排列)。
為求簡潔，下面僅以像素電極1~9作為代表像素電極來進行描述。像素電極1有一個像素區域182，其是一個由像素電極1的邊界181圍住的區域。像素111形成在像素電極1上，為覆蓋像素區域182的LC層110。由於像素111位於像素區域182上，故，像素111的像素邊界也是邊界181。一個包含像素111和一個相鄰像素的大像素112也被設定，當入射光線101進入像素111和112時，入射光線101經歷一次光相位延遲，延遲量取決於像素電極1、5(或3、7和9)和透明電極層120之間的電壓差。當入射光線101到達像素電極1、5(或3、 7和9)時，入射光線101被反射或繞射，形成反射或繞射光線102。當再次穿過LC層110期間，反射或繞射光線102還經歷另一次相位延遲，其延遲量基本上接近剛才所述的延遲量。因此總共有剛才所述延遲量兩倍的相位延遲。
像素111有緊靠像素111的相鄰像素，這些相鄰像素都由像素電極2~9上的一部分LC層110構成。當任何一個像素電極2~9上施加的電壓不同於像素電極1上施加的電壓時，會產生FFE，負面影響像素111。結果，像素111產生的相位延遲會在像素區域182上變得不均勻，使得像素111的相位延遲分佈在二維上不均勻。
請參考圖2，圖2描述了一個在FFE影響下沿著像素長度205的相位延遲的一維典型分佈210，和一個沒有受FFE影響的理想相位延遲分佈240。當典型分佈210與理想相位延遲分佈240進行比較時，可以看出，FFE在像素邊界211附近的像素長度205的某個受影響部分212上引起相位延遲的很大波動。
發明人已經發現，通過在受影響部分212上微調製“FFE-抵消特徵(FFE-opposing feature)”，能夠顯著降低相位延遲波動以抵消FFE。FFE-抵消特徵是LC層的一個可調諧屬性。如發明人所發現的，一個“FFE-抵消特徵”的可用集合包含一個配向角。配向角分別與LC的排列密度和排列強度有關。LC的排列密度和排列強度相應確定LC抵消FFE的 能力。
根據本發明，LC層110裡至少一個像素被實現為最佳化像素，該像素是根據微調製一個選中的FFE-抵消特徵而被特定設置以抵消FFE的像素。LC層110裡的每個像素最好都被實現為最佳化像素。在以下的描述裡，在像素電極1上的像素111被視為一個實現為最佳化像素的示例性像素。選擇或確定像素區域182上不均勻分佈的FFE-抵消特徵(即非均勻分佈)，以抵抗由像素電極2~9上的相鄰像素所引起的FFE。
由於FFE主要影響像素111的像素邊界181，可以進一步簡化，像素111的受影響部分212是像素111的一個外部區域，其中外部區域是指像素邊界181和從該邊界181向內某個距離之間的區域。所述某個距離可以通過計算或電腦類比進行估計。
請參考圖3，圖3顯示配向膜15上具有一第一圖案與一第二圖案的區域圖；其中每一個方型實框代表一個像素區域，每一個像素的像素區域中具有第一區域15a與第二區域15b(方形虛線框內)；第一區域15a為第一圖案的位置，第一區域在本實施例中的俯視圖為方型環，且第一區域15a圍繞第二區域15b，第二區域15b為一方型區域填滿方型環之內部，且方型環的寬度為大於或等於該像素之邊緣場效應的範圍。
請同時參考圖1、3以及4，圖4顯示一個液晶位於三維座標系統之示意圖，其中該液晶層視為平行XY平面，則第一區域15a中該液晶層中的每一個液晶在XY平面與X軸之夾角為第一配向角α，且第一配向角α為大於0度且小於或等於5度。
在一實施例中，同上所述，第二區域15b中之該第二配向角β(圖未示)為0度，第一配向角α與第二配向角β與Z軸夾角均為90度，即第一區域15a與第二區域15b位於在XY平面上。
因每一個像素的像素區域均有兩個不同的圖案形成兩個不同的配向角α、β，換言之，每一個像素區域的液晶形成方型環狀的不均勻分布以抵消FFE，圖5作為一實施例描述了12個最佳化像素611~622的不均勻分佈的FFE-抵消特徵。下面以最佳化像素611作為一個代表性最佳化像素進行描述。像素611有一個像素邊界635。像素611的外部區域631是在像素邊界635和假想線636之間的一個區域。假想線636位於最佳化像素611上，並距離像素邊界635一個距離633。距離633的確定，要使得外部區域631是一個受影響部分(即上述的受影響部分212)。內部區域632是由假想線636所圍住的一個區域。像素611被配置，使得外部區域631有第一數值的FFE-抵消特徵，內部區域632有第二數值的FFE-抵消特徵。注意 到，像素611~622是在一個連續LC層上(如LC層110)形成。在兩個相鄰像素之間，有一個像素間間隙，例如在兩個像素611、612之間的間隙637；實際上，在間隙637上的LC層可以配置成具有第一數值的FFE-抵消特徵。因此，可以避免沿著像素邊界的635 FFE-抵消特徵的不連續性。
接著請參考圖6，圖6顯示FFE被配向角不均勻分佈有效抵消。在圖6，在像素長度305上相位延遲曲線310、315、320及等電位曲線330、335、340繪製了一個使用不均勻配向角分佈的案例和一個使用均勻分佈的參考案例。使用電腦類比獲得在以下條件下的曲線310、315、320、330、335、340：像素長度為6.2μm；像素間間隙0.2μm；在兩個相鄰像素之間最差情景的電壓差5V；外部區域在像素邊界和距其1μm之間。顯然，在像素長度305上，不均勻配向角分佈的相位延遲曲線320的平坦區域比均勻分佈情景的相位延遲曲線310、315裡對應平坦區域更長。當檢查等電位曲線330、335、340與相位延遲曲線時也能獲得類似結論。顯示了使用不均勻配向角分佈的有效性。
一實施例中，奈米結構對齊層(圖未示)添加到配向膜15上，用於改變配向角，使液晶具有配向角不均勻分佈。其中，奈米結構對齊層被圖案化以在其配向膜15上形成奈米結構，奈米結構的尺寸和形狀用於實現該第一圖案與該第二圖案，使該像素區域所在的液晶具有不均勻配向角分佈；即， 奈米結構對齊層受到母板直接以奈米級壓印(nanoimprinting)進行圖案轉印，造成表面具有高低起伏之微溝槽結構，進而控制液晶分子的排列。
圖3是顯示通過配向角修正的邊緣場效應之橫截面示意圖，其中放大顯示液晶分子的配向角的差異；基於光配向過程，預傾角和錨定能量方法難以精確控制；相對應地，基於光配向過程，配向角方法在生產過程中易於控制且更精確。另外，通過配向角方法可以減小並完全抑制邊緣場效應的雜訊(串擾)。
於一實施例中，配向膜包含一液晶材料，以及通過單體聚合形成的一聚合材料，用於穩定該LC材料；其中，聚合材料是由在像素區域上具有不均勻分佈聚合度的單體形成；配向膜使用一個不具有梯度變化的強度的光束照射該單體而形成第一圖案與第二圖案，而使第一區域15a與第二區域15b的液晶層具有兩種不同的配向角。即光配向是以偏極化紫外光(UV)以特定的方向照射具有感光基的聚合物，使其產生分子鏈的破壞與重排，造成配向膜表面微溝槽或高分子主鏈有非等向性的分佈進而控制液晶分子的排列。
請注意，本發明的配向膜15若使用光配向法，則配向膜15係使用一個不具有梯度變化的強度的光束照射單體而分次形成第一圖案與第二圖案，使該液晶層具有第一配向角與第二配向角以達到不均勻配向角分佈。
綜上所述，本發明配向膜具有不同區域且對應不同圖案，使原FFE所在的區域的液晶具有一特定配向角，達到抑制邊緣場效應的目的。

Claims (9)

  1. 一種抑制邊緣場效應的空間光調製器，包含：一透明電極層；一反射電極層，其包含一像素電極，該像素電極中一像素區域是由該像素電極邊界所圍繞；一液晶層，其位於該透明電極層和該反射電極層之間以建立一像素，該像素是由覆蓋該像素電極的該像素區域中的該液晶層形成；以及一配向膜，具有一第一圖案與一第二圖案並覆蓋於該像素區域；該像素區域因該第一圖案與該第二圖案，使該像素的該液晶層內的一液晶分別產生產生一第一配向角與一第二配向角的排列，且該第一配向角相異於該第二配向角；其中，該液晶層所在之平面為XY平面，該第一配向角與該第二配向角為該液晶層所在XY平面與X軸之夾角。
  2. 根據請求項1所述的空間光調製器，其中，該像素之該像素區域具有一第一區域與一第二區域，該第一圖案設置於該第一區域，該第二圖案設置於該第二區域，且該第一圖案環繞該第二圖案。
  3. 根據請求項2所述的空間光調製器，其中，該第一配向角大於該第二配向角。
  4. 根據請求項3所述的空間光調製器，其中，該第一配向角為大於0度且小於或等於5度。
  5. 根據請求項4所述的空間光調製器，其中，該液晶層是均勻平面型、或垂直型、或扭轉型。
  6. 根據請求項5所述的空間光調製器，其中，該配向膜受一個不具有梯度變化的強度的光束照射而分次形成該第一圖案與該第二圖案，以達到該液晶層具有該第一配向角與該第二配向角的不均勻分布。
  7. 根據請求項4所述的空間光調製器，其中，該第一區域為一方型環，且該第一區域圍繞該第二區域，且該第二區域為一方型區域填滿該方型環之內部。
  8. 根據請求項7所述的空間光調製器，其中，該方型環的寬度為大於或等於該像素之邊緣場效應的範圍。
  9. 根據請求項5所述的的空間光調製器，其中，更包含：一個奈米結構對齊層，該奈米結構對齊層被圖案化以在其該配向膜上形成奈米結構，該奈米結構的尺寸和形狀用於實現該第一圖案與該第二圖案，使該像素區域所在的該液晶具有不均勻配向角分佈。
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