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TWI767234B - 串行周邊介面的傳輸速率提升方法、資料傳輸電路及資訊處理裝置 - Google Patents

串行周邊介面的傳輸速率提升方法、資料傳輸電路及資訊處理裝置 Download PDF

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TWI767234B
TWI767234B TW109116947A TW109116947A TWI767234B TW I767234 B TWI767234 B TW I767234B TW 109116947 A TW109116947 A TW 109116947A TW 109116947 A TW109116947 A TW 109116947A TW I767234 B TWI767234 B TW I767234B
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data
chip
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滿晨龍
王帥
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大陸商北京集創北方科技股份有限公司
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Abstract

本發明主要揭示一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其應用在一資料傳輸電路之中,該資料傳輸電路包括一主控端晶片、一受控端晶片以及耦接於該主控端晶片與該受控端晶片之間的一串行周邊介面。藉由執行本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法應用於所述資料傳輸電路之中,該主控端晶片可決定一延時參數從而向該受控端晶片配置所述延時參數,藉此方式保證經由該串行周邊介面之MISO通道所傳輸的串行資料不會因為時間延遲而出現傳輸錯誤現象,使所述串行周邊介面可以滿足該主控端晶片與該受控端晶片之間的高速傳輸需求。

Description

串行周邊介面的傳輸速率提升方法、資料傳輸電路及資訊處理裝置
本發明係關於晶片與晶片之間的資料傳輸的技術領域,尤指一種串行周邊介面(Serial peripheral interface, SPI)的傳輸速率提升方法。
已知,不同類型的電子產品之中配置有用以執行不同工作的各種電子晶片,故此,如何讓兩個電子晶片之間能夠高效率地進行資料傳輸是非常重要的。目前,IIC與SPI這二種串行(序列)介面分別由飛利浦(Philips)和摩托羅拉(Motorola)所提出,讓微控制器與其週邊晶片能夠在大幅減少使用接腳的情況下達成晶片與晶片之間的通信(資料傳輸),例如:感測器、類比數位轉換器、數位類比轉換器、移位寄存器、靜態隨機存取記憶體、快閃記憶體等。
圖1為習知的一種資料傳輸電路的第一方塊圖。如圖1所示,在使用一串行周邊介面(Serial peripheral interface, SPI)進行資料傳輸的習知的資料傳輸電路之中,一主控端(Master end)晶片1a具有一第一腳位11a、一第二腳位12a、一第三腳位13a、以及一第四腳位14a,且一受控端(Slave end)晶片2a同樣具有一第一腳位21a、一第二腳位22a、一第三腳位23a、以及一第四腳位24a。在串行周邊介面的傳輸協定中,主控端晶片1a以其第一腳位11a分別傳送一串行時鐘信號(Serial clock, SCK)和一片選信號(Chip select, CS)至受控端晶片2a的第一腳位21a和第二腳位22a。
透過第三腳位13a,主控端晶片1a可將其主控端寄存器10a之中的一第一串行資料傳送(驅動)至一MOSI通道,從而使受控端晶片2a以其第三腳位23a通過所述MOSI通道接收該第一串行資料。此處所稱MOSI指的是主控端輸出(Master out)而受控端(Slave in)輸入。另一方面,向受控端晶片2a讀取(採樣)一第二串行資料時,受控端晶片2a透過第四腳位24a將其受控端寄存器20a之中的一第二串行資料傳送(驅動)至一MISO通道,從而使主控端晶片1a以其第四腳位14a通過所述MISO通道接收(採樣)該第二串行資料。此處所稱MISO指的是主控端輸入(Master in)而受控端(Slave out)輸出。
圖2為經由習知的串行周邊介面所傳輸之信號的第一工作時序圖。如下表一所示,依據時鐘極性(Clock polarity, CPOL)和時鐘相位(Clock phase, CPHA),習知的串行周邊介面的資料傳輸模式可以有四種。 表(1)
模式 CPOL CPHA 串行資料 驅動及/或採樣
0 0 0 在SCK上升沿採樣 在SCK下降沿驅動
1 0 1 在SCK下降沿採樣 在SCK上升沿驅動
2 1 0 在SCK下降沿採樣 在SCK上升沿驅動
3 1 1 在SCK上升沿採樣 在SCK下降沿驅動
圖3為習知的資料傳輸電路的第二方塊圖。如圖3所示,在實際應用中,所述受控端晶片2a可能是設置在一受控端板件3a之上,其中該受控端板件3a的一第一電接點31a、一第二電接點32a、一第三電接點33a、以及一第四電接點34a用以分別耦接一主控端板件4a的一第一電接點41a、一第二電接點42a、一第三電接點43a、以及一第四電接點44a。
請同時參閱圖4所繪示之經由習知的行周邊介面所傳輸之信號的第二工作時序圖。如圖3與圖4所示,在實際應用中,板對板的傳輸時間延遲(Board to Board (B2B) delay)會在所述串行時鐘信號SCK經由主控端板件4a的第一電接點41a傳送至受控端板件3a的第一電接點31a的過程中發生。同時,板對裝置的傳輸時間延遲(Board to Device (B2D) delay)會在所述串行時鐘信號SCK經由受控端板件3a的第一電接點31a傳送到受控端晶片2a的第一腳位21a的過程中發生。進一步地,在向受控端晶片2a讀取資料的情況下,裝置對板的傳輸時間延遲(Device to Board (D2B) delay)會在串行資料經由受控端晶片2a的第四腳位24a傳送到受控端板件3a的第四電接點34a的過程中發生。同時,板對版的傳輸時間延遲(B2B delay)也同樣的會在所述串行資料經由受控端板件3a的第四電接點34a傳送到主控端板件4a的第四電接點44a的過程中發生。
進一步地,若受控端晶片2a還同時發生內部傳輸時間延遲(Trans_delay),則在透過串行周邊介面進行信號傳輸的過程中所發生的時間延遲(Time delay)的計算方式為:(B2B delay)+(B2D delay)+(Trans_delay)+(D2B delay)+(B2B delay)。假設串行時鐘信號SCK的工作頻率為f,則其對應的週期為T。如圖4所示,在時間延遲(Time delay)大於T/2的情況下,傳輸於MISO通道之中的串行資料便會出現資料錯誤的現象。實務經驗指出,當串行時鐘信號SCK的工作頻率越高,則資料傳輸的頻寬也越大,從而使得資料傳輸的速率也越快。可惜的是,隨著資料速率的提升,信號傳輸過程中所發生的時間延遲現象也越顯著,導致習知的串行周邊介面無法以理想速率進行資料傳輸。
由上述說明可知,本領域亟需一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法。
本發明之主要目的在於提供一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其應用在包括一主控端晶片、一受控端晶片以及一串行周邊介面的一資料傳輸電路之中,使該主控端晶片可向該受控端晶片配置一延時參數,保證經由該串行周邊介面所傳輸的串行資料不會因為時間延遲而出現傳輸錯誤現象,從而滿足該主控端晶片與該受控端晶片之間的高速傳輸需求。
為達成上述目的,本發明提出所述串行周邊介面的傳輸速率提升方法的一實施例,其包括:
(1)在一受控端晶片內部設置X個測試寄存器,X為正整數;
(2)令一主控端晶片通過一串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;其中,i的起始值為1,且i≦X;
(3)對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟(4),且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟(5);
(4)透過該主控端晶片配置一延時參數至該受控端晶片,接著重複執行該步驟(2);以及
(5)在i小於X的情況下,該主控端晶片通過所述串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟(3);且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數即確認有效。
在一實施例中,所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法更包括以下步驟:
(6)該主控端晶片與該受控端晶片開始透過所述串行周邊介面進行至少一串行資料之傳輸作業。
在一實施例中,該主控端晶片通過該串行周邊介面自所述測試寄存器讀出所述測試用串行資料時,不對讀出的所述測試用串行資料之一第一位元組(bytes)執行該資料正確性檢查。
在一實施例中,X個所述測試寄存器皆具有一寄存器地址,且X個所述寄存器地址由該主控端晶片設定。
在一實施例中,各所述寄存器地址彼此不同,而各所述測試用串行資料彼此相同或不同。
本發明同時提供一種資料傳輸電路,具有一主控端晶片、至少一受控端晶片以及耦接於該主控端晶片和所述至少一受控端晶片之間的至少一串行周邊介面;其特徵在於,所述受控端晶片內部設置X個測試寄存器,且該主控端晶片透過執行一傳輸速率提升方法以提升所述串行周邊介面之一串行資料傳輸的傳輸速率;該傳輸速率提升方法包括:
(1)令該主控端晶片通過所述至少一串行周邊介面之一選定的串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述至少一受控端晶片中之一選定的受控端晶片之所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;其中,X為正整數,i的起始值為1,且i≦X;
(2)對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟(3),且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟(4);
(3)透過該主控端晶片配置一延時參數至該選定的受控端晶片,接著重複執行該步驟(2);
(4)在i小於X的情況下,該主控端晶片通過該選定的串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該選定的串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟(3);且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數即確認有效;以及
(5)該主控端晶片與該選定的受控端晶片開始透過該選定的串行周邊介面進行至少一串行資料之傳輸作業。
在本發明所述之資料傳輸電路的一實施例中,該主控端晶片通過該選定的串行周邊介面自所述測試寄存器讀出該測試用串行資料時,不對讀出的所述測試用串行資料之一第一位元組執行所述資料正確性檢查。
在本發明所述之資料傳輸電路的一實施例中,X個所述測試寄存器皆具有一寄存器地址,各所述寄存器地址彼此不同,且各所述測試用串行資料彼此相同或不同。
本發明同時提供一種資訊處理裝置,其具有一中央處理單元及如前所述本發明之資料傳輸電路,其中,該中央處理單元係用以與所述資料傳輸電路通信。
在可行的實施例中,所述資訊處理裝置可為智能手機、平板電腦、筆記型電腦、一體式電腦、智能手錶或門禁裝置。
為使  貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構、特徵、目的、與其優點,茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。
圖5為應用本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法的一資料傳輸電路的方塊圖。如圖5所示,在透過一串行周邊介面(SPI)進行資料傳輸的一個資料傳輸電路之中,一主控端晶片1具有一第一腳位11、一第二腳位12、一第三腳位13、以及一第四腳位14,且內部設有至少一主控端移位寄存器10。並且,在實際應用中,可將該主控端晶片1設置在具有一第一電接點41、一第二電接點42、一第三電接點43、以及一第四電接點44的一主控端板件4之上。如圖5所示,在所述資料傳輸電路之中,一受控端晶片2同樣具有一第一腳位21、一第二腳位22、一第三腳位23、以及一第四腳位24。並且,在實際應用中,可將該受控端晶片2設置在具有一第一電接點31、一第二電接點32、一第三電接點33、以及一第四電接點34的一受控端板件3。
在串行周邊介面的傳輸協定中,主控端晶片1以其第一腳位11分別傳送一串行時鐘信號(Serial clock, SCK)和一片選信號(Chip select, CS)至受控端晶片2的第一腳位21和第二腳位22。並且,透過第三腳位13,主控端晶片1可將其主控端寄存器10之中的一第一串行資料傳送(驅動)至一MOSI通道,從而使受控端晶片2以其第三腳位23通過所述MOSI通道接收該第一串行資料。此處所稱MOSI指的是主控端輸出(Master out)而受控端(Slave in)輸入。
此外,當主控端晶片1透過串行周邊介面向受控端晶片2讀取(採樣)一第二串行資料時,受控端晶片2透過第四腳位24將其受控端寄存器20之中的一第二串行資料傳送(驅動)至一MISO通道,從而使該主控端晶片1以其第四腳位14通過所述MISO通道接收(採樣)該第二串行資料。此處所稱MISO指的是主控端輸入(Master in)而受控端(Slave out)輸出。
依據圖3與圖4,可以理解在利用所述串行周邊介面進行信號傳輸的過程中會發生時間延遲(Time delay),且該時間延遲的計算方式為:(B2B delay)+(B2D delay)+(Trans_delay)+(D2B delay)+(B2B delay)。其中,B2B delay為板對板的傳輸時間延遲(Board to Board (B2B) delay),B2D delay為板對裝置(晶片)的傳輸時間延遲(Board to Device (B2D) delay),D2B delay為裝置對板的傳輸時間延遲(Device to Board (D2B) delay),而Trans_delay則為受控端晶片2之內部傳輸時間延遲。故此,本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法應用於利用所述串行周邊介面(SPI)進行資料傳輸的一個資料傳輸電路中,令該資料傳輸電路之主控端晶片1透過執行本發明之方法而能夠有效地提升所述串行周邊介面之一串行資料傳輸的傳輸速率。
圖6為本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法的流程圖。如圖5與圖6所示,本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法首先執行步驟S1與S2:在一受控端晶片2內部設置X個測試寄存器25,接著令一主控端晶片1通過一串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器25的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器25讀出該測試用串行資料;其中,X為正整數,i的起始值為1,且i≦X。較佳地,在一實施例中,X為4。亦即,在該受控端晶片2配置四個測試寄存器25。
更詳細地說明,該主控端晶片1透過其第三腳位13將所述測試用串行資料驅動至一MOSI通道,使該受控端晶片2以其第三腳位23通過所述MOSI通道接收該測試用串行資料。進行所述測試用串行資料的讀取(採樣)時,該受控端晶片2透過第四腳位24將其具有之所述受控端寄存器20之中的測試用串行資料傳送(驅動)至一MISO通道,從而使該主控端晶片1以其第四腳位14通過所述MISO通道接收(採樣)該測試用串行資料。
繼續地,方法流程係執行步驟S3:對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行後續的步驟S4,且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行後續的步驟S5。換句話說,在對複數個測試寄存器25之中的第1個執行一測試用串行資料的寫/讀操作之後,主控端晶片1可對一原始設定之測試用串行資料與所讀出的該測試用串行資料進行比對,藉此方式檢查所讀出的該測試用串行資料的正確性。
故此,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下,方法流程接著執行步驟S4:透過該主控端晶片1配置一延時參數至該受控端晶片2,接著重複執行該步驟S2與該步驟S3。在配置所述延時參數至該受控端晶片2之後,若所述資料正確性檢查為通過,則可接著執行後續的步驟S5。反之,若還是不通過,則在調整該延時參數的值之後,接著重複執行該步驟S2與該步驟S3。
在第1個測試寄存器25之測試用串行資料的資料正確性檢查被確定為通過之後,還必須接著對其它所有測試寄存器25執行相同的資料正確性檢查程序,故此方法流程接著執行步驟S5:在i小於X的情況下,該主控端晶片1通過所述串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器25的第i+1個,接著通過該串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器25讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟(3);且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器25皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數即確認有效。
換句話說,只有在所有的測試寄存器25皆已完成所述測試用串行資料的資料正確性檢查之後,特別設定的所述延時參數才會被認定為有校。之後,該主控端晶片1與該受控端晶片2便可以開始透過所述串行周邊介面進行至少一串行資料之傳輸作業。圖7為本發明之串行周邊介面所傳輸信號的第一工作時序圖。如圖7所示,令主控端晶片1與受控端晶片2採用SPI mode0協定進行資料傳輸,且在應用本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法之後將延時參數的數值配置為1。由圖7可知,透過串行周邊介面(SPI)之MISO通道進行信號傳輸的過程中所發生的時間延遲(Time delay)的計算方式為:(B2B delay)+(B2D delay)+(Trans_delay)+(D2B delay)+(B2B delay)-(N*T/2) < T/2。前式中,N為所述延時參數。簡單地說,在應用本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法的情況下,時間延遲(Time delay)由原本的大於T/2被調整至小於T/2,從而保證傳輸於MISO通道之中的串行資料不會出現資料錯誤的現象,使串行周邊介面可以滿足高速傳輸需求。
當然,在主控端晶片1及/或受控端晶片2的種類不同的情況下,經利用測試用串行資料完成資料正確性檢查的流程後,還是有可能不需要向受控端晶片2配置延時參數。圖8為應用本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法之串行周邊介面所傳輸信號的第二工作時序圖。如圖8所示,令主控端晶片1與受控端晶片2採用SPI mode0協定進行資料傳輸且在應用本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法之後,結果顯示,並無向受控端晶片2配置延時參數(亦即,N=0)的需要。
補充說明的是,在應用本發明之串行周邊介面的傳輸速率提升方法的過程中,當該主控端晶片1通過串行周邊介面自所述測試寄存器25讀出所述測試用串行資料時,不對讀出的所述測試用串行資料之一第一位元組(bytes)執行所謂的資料正確性檢查。主要原因在於,向受控端晶片2讀取(採樣)串行資料時,受控端晶片2有可能提前將其測試寄存器25之中的串行資料傳送(驅動)至MISO通道。故此,為了避免執行資料正確性檢查時發生誤判情形,有必要將讀出的測試用串行資料之第一位元組(bytes)做為虛資料(dummy data),且不對其執行資料正確性檢查。
另一方面,配置在受控端晶片2內部X個所述測試寄存器25皆具有一寄存器地址,且X個所述寄存器地址是由通過主控端晶片1予以設定。在一實施例中,各所述寄存器地址彼此不同,例如,addr:0xaa、addr:0x55、addr:0x5a、addr:0xa5等。同時,所述測試用串行資料也是透過主控端晶片1予以設定,各所述測試用串行資料可以彼此相同或不同。例如,data:aaaaaa、data:555555、data:5a5a5a、data:a5a5a5等。
如此,上述已完整且清楚地說明本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法;並且,經由上述可得知本發明具有下列優點:
(1)本發明揭示一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其可應用在一資料傳輸電路之中,該資料傳輸電路包括一主控端晶片、一受控端晶片以及耦接於該主控端晶片與該受控端晶片之間的一串行周邊介面。本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法應用於所述資料傳輸電路之中,令該主控端晶片透過執行本發明之方法而向該受控端晶片配置一延時參數,從而保證經由該串行周邊介面之MISO通道所傳輸的串行資料不會因為時間延遲而出現錯誤,使所述串行周邊介面可以滿足該主控端晶片與該受控端晶片之間的高速傳輸需求。
(2)本發明同時揭示一種資料傳輸電路,其具有一主控端晶片、至少一受控端晶片以及耦接於該主控端晶片和所述至少一受控端晶片之間的至少一串行周邊介面;其中,該主控端晶片執行本發明所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法,從而提升所述串行周邊介面之一串行資料傳輸的傳輸速率。
(3)本發明同時提供一種資訊處理裝置,其具有一中央處理單元及如前所述本發明之資料傳輸電路,其中,該中央處理單元係用以與所述資料傳輸電路通信。並且,該資訊處理裝置可為智能手機、平板電腦、筆記型電腦、一體式電腦、智能手錶、或門禁裝置。
必須加以強調的是,前述本案所揭示者乃為較佳實施例,舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者,俱不脫本案之專利權範疇。
綜上所陳,本案無論目的、手段與功效,皆顯示其迥異於習知技術,且其首先發明合於實用,確實符合發明之專利要件,懇請  貴審查委員明察,並早日賜予專利俾嘉惠社會,是為至禱。
1a:主控端晶片 10a:主控端寄存器 11a:第一腳位 12a:第二腳位 13a:第三腳位 14a:第四腳位 2a:受控端晶片 20a:受控端寄存器 21a:第一腳位 22a:第二腳位 23a:第三腳位 24a:第四腳位 3a:受控端板件 31a:第一電接點 32a:第二電接點 33a:第三電接點 34a:第四電接點 4a:主控端板件 41a:第一電接點 42a:第二電接點 43a:第三電接點 44a:第四電接點 1:主控端晶片 10:主控端寄存器 11:第一腳位 12:第二腳位 13:第三腳位 14:第四腳位 2:受控端晶片 20:受控端寄存器 21:第一腳位 22:第二腳位 23:第三腳位 24:第四腳位 25:測試寄存器 3:受控端板件 31:第一電接點 32:第二電接點 33:第三電接點 34:第四電接點 4:主控端板件 41:第一電接點 42:第二電接點 43:第三電接點 44:第四電接點 S1:在一受控端晶片內部設置X個測試寄存器 S2:令一主控端晶片通過一串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;i的起始值為1,且i≦X S3:對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟S4且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟S5 S4:透過該主控端晶片配置一延時參數N至該受控端晶片接著重複執行該步驟S2 S5:在i小於X的情況下,該主控端晶片通過所述串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟S3;且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數N即確認有效
圖1為習知的一種資料傳輸電路的第一方塊圖; 圖2為經由習知的行周邊介面所傳輸之信號的第一工作時序圖; 圖3為習知的資料傳輸電路的第二方塊圖; 圖4為經由習知的行周邊介面所傳輸之信號的第二工作時序圖; 圖5為應用本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法的一資料傳輸電路的方塊圖; 圖6為本發明之一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法的流程圖; 圖7為應用本發明之串行周邊介面所傳輸信號的第一工作時序圖;以及 圖8為應用本發明之串行周邊介面所傳輸信號的第二工作時序圖。
S1:在一受控端晶片內部設置X個測試寄存器
S2:令一主控端晶片通過一串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;i的起始值為1,且i≦X
S3:對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟S4且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟S5
S4:透過該主控端晶片配置一延時參數N至該受控端晶片接著重複執行該步驟S2
S5:在i小於X的情況下,該主控端晶片通過所述串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟S3;且在i等於X的情況 下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數N即確認有效

Claims (10)

  1. 一種串行周邊介面的傳輸速率提升方法,包括:(1)在一受控端晶片內部設置X個測試寄存器,X為正整數;(2)令一主控端晶片通過一串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;其中,i的起始值為1,且i≦X;(3)對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟(4),且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟(5);(4)透過該主控端晶片調整一延時參數至該受控端晶片,接著重複執行該步驟(2);(5)在i小於X的情況下,該主控端晶片通過所述串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟(3);且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數即確認有效;其中,該延時參數係用以調整該受控端晶片與該主控端晶片間之信號傳輸延時。
  2. 如請求項1所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法,更包括以下步驟:(6)該主控端晶片與該受控端晶片開始透過所述串行周邊介面進行至少一串行資料之傳輸作業。
  3. 如請求項1所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其中,該主控端晶片通過該串行周邊介面自所述測試寄存器讀出所述測試用串行資料時,不對讀出的所述測試用串行資料之一第一位元組執行該資料正確性檢查。
  4. 如請求項1所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其中,X個所述測試寄存器皆具有一寄存器地址,且X個所述寄存器地址由該主控端晶片設定。
  5. 如請求項4所述之串行周邊介面的傳輸速率提升方法,其中,各所述寄存器地址彼此不同,且各所述測試用串行資料彼此相同或不同。
  6. 一種資料傳輸電路,具有一主控端晶片、至少一受控端晶片以及耦接於該主控端晶片和所述至少一受控端晶片之間的至少一串行周邊介面;其特徵在於,各所述受控端晶片內部設置X個測試寄存器,且該主控端晶片透過執行一傳輸速率提升方法以提升所述串行周邊介面之一串行資料傳輸的傳輸速率;該傳輸速率提升方法包括:(1)令該主控端晶片通過所述至少一串行周邊介面之一選定的串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述至少一受控端晶片中之一選定的受控端晶片之所述X個測試寄存器的第i個,接著通過該串行周邊介面自第i個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料;其中,X為正整數,i的起始值為1,且i≦X;(2)對讀出的所述測試用串行資料執行一資料正確性檢查,在所述資料正確性檢查為不通過之情況下執行以下步驟(3),且在所述資料正確性檢查為通過之情況下執行以下步驟(4);(3)透過該主控端晶片調整一延時參數至該選定的受控端晶片,接著重複執行該步驟(2);(4)在i小於X的情況下,該主控端晶片通過該選定的串行周邊介面寫入一測試用串行資料至所述X個測試寄存器的第i+1個,接著通過該選定的串行周邊介面自第i+1個所述測試寄存器讀出該測試用串行資料,而後重複該步驟(3);且在i等於X的情況下,X個所述測試寄存器皆已完成所述測試用串行資料的該資料正確性檢查,所述延時參數即確認有效;以及(5)該主控端晶片與該選定的受控端晶片開始透過該選定的串行周邊介面進行至少一串行資料之傳輸作業; 其中,該延時參數係用以調整該受控端晶片與該主控端晶片間之信號傳輸延時。
  7. 如請求項6所述之資料傳輸電路,其中,該主控端晶片通過該選定的串行周邊介面自所述測試寄存器讀出該測試用串行資料時,不對讀出的所述測試用串行資料之一第一位元組執行所述資料正確性檢查。
  8. 如請求項6所述之資料傳輸電路,其中,X個所述測試寄存器皆具有一寄存器地址,各所述寄存器地址彼此不同,且各所述測試用串行資料彼此相同或不同。
  9. 一種資訊處理裝置,其具有一中央處理單元及如申請專利範圍第6至8項中任一項所述之資料傳輸電路,其中,該中央處理單元係用以與所述資料傳輸電路通信。
  10. 如請求項9所述之資訊處理裝置,其係由智能手機、平板電腦、筆記型電腦、一體式電腦、智能手錶和門禁裝置所組成群組所選擇的一種電子裝置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130332633A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Honeywell International Inc. Process controller having multi-channel serial communications link
CN108141293A (zh) * 2015-10-23 2018-06-08 高通股份有限公司 用于使控制器和传感器同步的设备和方法
CN108255231A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种数据采样方法和芯片

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130332633A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Honeywell International Inc. Process controller having multi-channel serial communications link
CN108141293A (zh) * 2015-10-23 2018-06-08 高通股份有限公司 用于使控制器和传感器同步的设备和方法
CN108255231A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种数据采样方法和芯片

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