TWI635630B - 微型發光二極體及顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種微型發光二極體，包括磊晶層、絕緣層、第一電極以及第二電極。絕緣層位於磊晶層的表面且具有第一貫孔以及第二貫孔。第一電極經由第一貫孔電性連接於磊晶層的第一型半導體層，且具有多個第一電極平台部。這些第一電極平台部相對於磊晶層分別具有不同的水平高度。第二電極經由第二貫孔電性連接於磊晶層的第二型半導體層，且具有多個第二電極平台部。這些第二電極平台部相對於磊晶層分別具有不同的水平高度。另，一種顯示面板亦被提出。

Description

微型發光二極體及顯示面板

本發明是有關於一種發光二極體以及顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體（Micro Light Emitting Diode, μLED）以及具有此微型發光二極體的顯示面板。

微型發光二極體具有自發光顯示特性。相較於同為自發光顯示的有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode, OLED）技術，微型發光二極體不僅效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定。因此微型發光二極體有望超越有機發光二極體顯示技術而成為未來顯示技術的主流。

然而，微型發光二極體由於尺寸小，接合時也會遇到較多的技術瓶頸。例如：由於微型發光二極體相對於一般的發光二極體小，微型發光二極體的兩個電極之間的間距也較小。在接合的過程中，需要對基板上的接墊以及微型發光二極體上的電極稍微加熱，並且將微型發光二極體往接墊的方向下壓以完成接合的步驟。然而，經受壓以及加熱後的電極會往其兩側的方向擴張，而容易使得相鄰的電極之間彼此接觸，造成短路（Short Circuit）的現象，使得微型發光二極體顯示面板的製造良率下降。同時，也會使得微型發光二極體顯示面板產生壞點（Defect Pixel），使得顯示面板的影像品質不佳。

本發明提供一種微型發光二極體，其可使應用此微型發光二極體的顯示面板接合良率提高，且可使應用此微型發光二極體的顯示面板具有良好的製造良率以及良好的影像品質。

本發明提供一種顯示面板，其具有良好的製造良率以及良好的影像品質。

本發明的一實施例提供一種微型發光二極體，包括磊晶層、絕緣層、第一電極以及第二電極。磊晶層具有第一型半導體層、發光層及第二型半導體層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。絕緣層位於磊晶層的表面且具有第一貫孔以及第二貫孔。第一電極經由第一貫孔電性連接於磊晶層的第一型半導體層。第一電極具有多個第一電極平台部。這些第一電極平台部相對於磊晶層分別具有不同的水平高度。第二電極經由第二貫孔電性連接於磊晶層的第二型半導體層。第二電極具有多個第二電極平台部。這些第二電極平台部相對於磊晶層分別具有不同的水平高度。

本發明的一實施例提供一種顯示面板，包括背板以及多個上述的微型發光二極體 背板具有多個子像素。一微型發光二極體位於一子像素中。這些微型發光二極體與背板電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的這些第一電極平台部的數量大於這些第二電極平台部的數量。

在本發明的一實施例中，上述的第一電極還具有多個第一電極傾斜部。各第一電極傾斜部的兩端分別連接這些第一電極平台部中的兩個第一電極平台部。第二電極還具有多個第二電極傾斜部。各第二電極傾斜部的兩端分別連接這些第二電極平台部中的兩個第二電極平台部。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶層還具有接觸孔。接觸孔貫穿第二型半導體層與發光層以露出第一型半導體層。絕緣層延伸至接觸孔內以覆蓋第二型半導體層與發光層的表面。

在本發明的一實施例中，上述的第一貫孔位於接觸孔內，且第一貫孔設置於接觸孔中間。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣層的第一貫孔位於所述接觸孔內，且第一貫孔的兩相反側至接觸孔的距離不相等。

在本發明的一實施例中，於一垂直磊晶層的剖面中，接觸孔的寬度與位於接觸孔中的第一貫孔寬度的和大於或等於第一電極的寬度的一半。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶層的邊長尺寸的範圍落在3微米至100微米的範圍內。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括多個第一電極接墊以及多個第二電極接墊。這些第一電極接墊以及這些第二電極接墊設置於背板上。一第一電極接墊以及一第二電極接墊位於一子像素區域中。第一電極透過第一電極接墊與背板電性連接，且第二電極透過第二電極接墊與背板電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的第一電極與第二電極之間的間隙小於第一電極接墊與第二電極接墊之間的間隙。

基於上述，在本發明實施例的微型發光二極體中，由於電極具有具有相對於磊晶層不同水平高度的平台部，透過上述的設計能夠在電極中形成轉折態樣。當這些微型發光二極體與顯示面板中的背板接合時，經受壓以及加熱後的電極流動的路徑較長，而較不易往其兩側的方向擴張。並且，本發明實施例的微型發光二極體透過電極具有轉折態樣的設計可以進一步分散接合壓力，避免接合壓力對磊晶層造成裂痕。由於本實施例的顯示面板具有上述的微型發光二極體，當這些微型發光二極體與顯示面板中的背板進行接合時，可以大幅降低短路以及產生裂痕的機率，因此本發明實施例的顯示面板具有良好的製造良率以及良好的影像品質

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

請參照圖1A、圖1B以及圖2A，是本發明顯示面板的一實施例。在本實施例中，顯示面板200具體化為微型發光二極體顯示面板（Micro Light Emitting Diode Display）。顯示面板200包括背板210以及多個微型發光二極體100。背板210具有多個子像素SP，且一個微型發光二極體100位於一個子像素SP中。請參照圖1A，在本實施例中，三個子像素SP1、SP2、SP3組成一個顯示像素P。一紅光微型發光二極體100R設置於子像素SP1中，一藍光微型發光二極體100B設置於子像素SP2中，且一綠光微型發光二極體100G設置於子像素SP3中，但本發明並不以此為限。這些微型發光二極體100與背板210電性連接。詳細來說，在本實施例中，顯示面板200例如是透過背板210中的驅動單元（未示出）來控制各子像素SP中的微型發光二極體100發光亮度，進而控制顯示像素P所顯示的影像顏色。顯示面板200的操作與實施方式可以由所屬技術領域的通常知識獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。

在本實施例中，背板210具體化為薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板。在其他的實施例中，背板210可以是半導體（Semiconductor）基板、次黏著基台（Submount）、互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）電路基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板或者是其他類型的基板，但本發明並不以此為限制。

請參照圖2A至圖2C，在本實施例中，微型發光二極體100包括磊晶層110、位於磊晶層110上的絕緣層140、第一電極120以及第二電極130。磊晶層110包括第一型半導體層112、靠近背板210的第二型半導體層114、位於第一型半導體層112以及第二型半導體層114之間的發光層116。磊晶層110的邊長尺寸W的範圍落在3微米至100微米的範圍內。絕緣層140位於磊晶層110的表面S，且表面S例如是第二型半導體層114朝向背板210。絕緣層140具有第一貫孔H1以及第二貫孔H2。詳言之，絕緣層140位於第二型半導體層114上。第一電極120設置於絕緣層140上且經由第一貫孔H1電性連接於磊晶層110的第一型半導體層112。第二電極130設置於絕緣層140上且經由第二貫孔H2電性連接於磊晶層110的第二型半導體層114。請參照圖2C，在本實施例中，第一電極120具有多個第一電極平台部122，且這些第一電極平台部122的頂面相對於磊晶層110表面S（在本實施例中為第二型半導體層114面對第一電極120的表面）分別具有不同的水平高度a, b, c。第二電極130具有多個第二電極平台部132，且這些第二電極平台部132的頂面相對於磊晶層110表面S（在本實施例中為第二型半導體層114面對第一電極120的表面）分別具有不同的水平高度d, e。

請再參照圖2B，在本實施例中，第一電極120還具有多個第一電極傾斜部124。各第一電極傾斜部124的兩端分別連接這些第一電極平台部122中的兩個第一電極平台部122。更詳細來說，第一電極120具有兩個第一電極傾斜部124以及三個第一電極平台部122三個第一電極平台部122相對於磊晶層110分別具有不同的水平高度。第二電極130還具有多個第二電極傾斜部134。各第二電極傾斜部134的兩端分別連接這些第二電極平台部132中的兩個第二電極平台部132。兩個第二電極平台部132相對於磊晶層110分別具有不同的水平高度。在本實施例中，電極（120、130）例如是透過平台部（122、132）以及傾斜部（124、134）的配置方式以達到轉折態樣的設計，但本發明並不以此為限。接著，在本實施例中，這些第一電極平台部122的數量大於這些第二電極平台部132的數量，且這些第一電極傾斜部124的數量大於第二電極傾斜部134的數量。也就是說，本實施例的顯示面板200透過上述的設計，第一電極120所具有轉折態樣的數量大於第二電極130所具有的轉折態樣的數量。任一傾斜部與連接的平台部形成的傾斜角q落在大於30度且小於等於90度的範圍內。

承上述，在本實施例的微型發光二極體中100，由於電極120、130分別具有相對於磊晶層110不同水平高度的平台部（即第一電極平台部122以及第二電極平台部132），透過上述的設計能夠在電極120、130中形成轉折態樣，而不同於習知技術中的微型發光二極體的電極以平面方式設置於磊晶層上。因此，當這些微型發光二極體100與顯示面板200中的背板210接合時，經受壓以及加熱後的電極120、130較不易往其兩側的方向擴張。並且，由於第一電極120以及第二電極130具有轉折態樣的設計可以進一步分散接合壓力，因而可以避免接合壓力對磊晶層110造成裂痕（Crack）。如此一來，當這些微型發光二極體100與顯示面板200中的背板210進行接合時可以大幅降低短路以及產生裂痕的機率，而使本實施例的顯示面板200具有良好的製造良率以及良好的影像品質。

請參照圖1A、圖1B、圖2A以及圖2B，在本實施例中，顯示面板200更包括多個第一電極接墊220以及多個第二電極接墊230，且這些微型發光二極體100是以覆晶（Flip-Chip）的方式接合於背板210。具體而言，微型發光二極體100以第一電極120與背板210上的第一電極接墊220接合，且微型發光二極體100以第二電極130與背板210上的第二電極接墊230接合。更詳細地說，在本實施例中，第一電極接墊220作為共同電極電路，而第二電極接墊230作為驅動電極電路並與背板210中的驅動電路（圖未示）連接以接收驅動信號。請參照圖1B以及圖2B，微型發光二極體100的第一電極120與第二電極130之間的間隙G1小於背板210上第一電極接墊220與第二電極接墊230之間的間隙G2。此外，在本實施例中，第一電極120與第一電極接墊220的重疊面積大於第一電極120面積的50%，且第二電極130與第二電極接墊230的重疊面積亦大於第二電極130面積的50%。換句話說，以圖2A的剖面圖來看，第一電極120長度為We1，且第二電極130長度為We2。第一電極接墊220與第一電極120於背板210上的投影重疊寬度L1會大於1/2*We1，且第二電極接墊230與第二電極130於背板210上的投影重疊寬度L2會大於1/2*We2，本實施例的顯示面板200透過上述的設計可有效地提高接合良率與接合穩定度。

請參照圖2A以及圖2B，補充說明的是，第一電極接墊220包括接觸層221以及傳導層222。接觸層221與微型發光二極體100的第一電極120接觸且位於第一電極120與傳導層222之間。接觸層221用以接合第一電極120並形成歐姆接觸。傳導層222則用以傳輸電流。第二電極接墊230亦包括接觸層231以及傳導層232。接觸層231與微型發光二極體100的第二電極130接觸且位於第二電極130與傳導層232之間。接觸層231用以接合第二電極130並形成歐姆接觸。傳導層232則用以傳輸電流。在本實施例中，顯示面板200透過第一電極接墊220以及第二電極接墊230構成的複合層結構可以穩固地接合微型發光二極體100並良好地傳輸電訊號於微型發光二極體100中以控制發光。在本實施例中，接觸層221、231的材料一般選用合金材料，因此接觸層221、231具有較好的機械性質與抗氧化能力。傳導層222、232的材料通常選用低阻抗金屬。

請參照圖1B、圖2B至圖2C，更詳細地說，微型發光二極體100的磊晶層110具有接觸孔CH1。第一貫孔H1位於接觸孔CH1內。絕緣層140的第一貫孔H1不位在接觸孔CH1的中間，而偏向接觸孔CH1的一側（例如是接觸孔CH1的左側）。換言之，第一貫孔H1位於接觸孔CH1內，且第一貫孔H1的兩相反側至接觸孔CH1的距離不相等。在其他未繪示的實施例中，第一貫孔H1設置於接觸孔CH1中間。接觸孔CH1貫穿第二型半導體層114、發光層116以露出第一型半導體層112。絕緣層140則延伸至接觸孔CH1中覆蓋第二型半導體層114、發光層116與部分的第一型半導體層112。第一貫孔H1以及第二貫孔H2分別貫穿絕緣層140以分別露出第一型半導體層112與第二型半導體層114。第一電極120透過接觸孔CH1、第一貫孔H1與第一型半導體層112接觸，第二電極130透過第二貫孔H2與第二型半導體層114接觸。絕緣層140的材料例如是無機絕緣材料或有機絕緣材料，在本實施例中，絕緣層140的材料例如是氮化矽與氧化矽，第一型半導體層112為N型半導體層，且其材料例如是N型氮化鎵（n-GaN）。第一電極120為N型電極。第二型半導體層114為P型半導體層，且其材料例如是P型氮化鎵（p-GaN）。第二電極130為P型電極。發光層116的結構例如是多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。進一步來說，發光層116的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵（InGaN/GaN），藉由設計發光層116中銦或鎵的比例，可使發光層116發出不同的發光波長範圍。應注意的是，關於上述所舉的發光層116的材料僅為舉例，本發明實施例的發光層116的材料並不以氮化銦鎵與氮化鎵的組合為限。

再者，由於本實施例中的第一電極120穿過第二型半導體層114、發光層116來與第一型半導體層112連接，故第一電極120的轉折態樣的數量相較第二電極130的轉折態樣的數量較多一次轉折態樣。也就是說，第一電極120中形成兩個第一電極傾斜部124。除了避免第一電極120接合時擴張外，還可以防止接觸孔CH1太深導致第一電極120無法良好地形成於接觸孔CH1中而造成斷線的狀況。

請參照圖2A至圖2C，在本實施例中，第一電極120的寬度We1與第二電極130的寬度We2大致上相同。因此當本實施例的微型發光二極體100與顯示面板200中的背板210接合時，磊晶層110的受力較為平均，可以大幅降低磊晶層110產生裂痕的機率。

在本實施例中，絕緣層140的第一貫孔H1與第二貫孔H2大小相近。如圖2C所示，第一貫孔H1的剖面寬度D1與第二貫孔H2的剖面寬度D2比值（D1/D2）在1±0.2之間。相似大小的貫孔H1、H2可使第一電極120與第一型半導體層112接觸的面積相近於第二電極130與第二型半導體層114接觸的面積，本實施例的顯示面板200透過上述的設計可以穩定通過第一電極120以及第二電極130的電流密度並達到良好的發光品質。

再者，在本實施例中，絕緣層140的第一貫孔H1的寬度（或直徑）D1以及接觸孔CH1的寬度（或直徑）D3的總和至少大於第一電極120寬度We1的一半。透過上述的設計，本實施例的微型發光二極體100的製造良率較佳。詳細來說，絕緣層140的第一貫孔H1的寬度D1例如是落在6微米至10微米的範圍內，而接觸孔CH1的寬度D3例如是落在10微米至20微米的範圍內。第一電極120的寬度We1例如是落在22微米至30微米的範圍內。

請參照圖3，為本發明顯示面板另一實施例，圖3的微型發光二極體100’與顯示面板200’與圖1A、圖1B以及圖2A至圖2C所示的微型發光二極體100與顯示面板200不同處在於：背板210上的第一電極接墊220’的接觸層221’包覆傳導層222’的側面，第二電極接墊230’的接觸層231’包覆傳導層232’的側面。本實施例的顯示面板200’利用接觸層221’、231’包覆傳導層222’、232’可以降低氧化、改善電流傳輸的可靠度。

另外，在本實施例的顯示面板200’中，絕緣層140’除了覆蓋磊晶層110面對背板210的表面外，更延伸形成於磊晶層110的側表面。透過上述的配置，絕緣層140’能夠提供磊晶層110較佳的保護力。其餘元件與前一實施例大致相同故不再多加贅述。

綜上所述，在本發明顯示面板的實施例中的微型發光二極體，由於電極具有相對於磊晶層不同水平高度的平台部，透過上述的設計能夠在電極中形成轉折態樣。當這些微型發光二極體與顯示面板中的背板接合時，經受壓以及加熱後的電極較不易往其兩側的方向擴張。並且，本發明實施例的微型發光二極體透過電極具有轉折態樣的設計可以進一步分散接合壓力，避免接合壓力對磊晶層造成裂痕。由於本發明實施例的顯示面板具有上述的微型發光二極體，當這些微型發光二極體與顯示面板中的背板進行接合時，可以大幅降低短路以及產生裂痕的機率，因此本發明實施例的顯示面板具有良好的製造良率以及良好的影像品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100’‧‧‧微型發光二極體

110‧‧‧磊晶層

112‧‧‧第一型半導體層

114‧‧‧第二型半導體層

116‧‧‧發光層

120‧‧‧第一電極

122‧‧‧第一電極平台部

124‧‧‧第一電極傾斜部

130‧‧‧第二電極

132‧‧‧第二電極平台部

134‧‧‧第二電極傾斜部

140、140’‧‧‧絕緣層

200、200’‧‧‧顯示面板

210‧‧‧背板

220、220’‧‧‧第一電極接墊

221、231、221’、231’‧‧‧接觸層

222、232、222’、232’‧‧‧傳導層

230、230’‧‧‧第二電極接墊

A‧‧‧區域

CH1‧‧‧接觸孔

D1、D2、D3‧‧‧寬度

G1、G2‧‧‧間隙

H1‧‧‧第一貫孔

H2‧‧‧第二貫孔

I-I’‧‧‧剖線

L1、L2‧‧‧投影重疊寬度

P‧‧‧像素

SP、SP1、SP2、SP3‧‧‧子像素

S‧‧‧表面

W‧‧‧邊長尺寸

We1‧‧‧第一電極的寬度

We2‧‧‧第二電極的寬度

a、b、c、d、e‧‧‧水平高度

圖1A是本發明的一實施例的顯示面板的局部俯視示意圖。 圖1B是圖1A中區域A的放大示意圖。 圖2A是圖1A中剖線I-I’的剖面示意圖。 圖2B是圖2A中的單一個微型發光二極體與背板接合的放大示意圖。 圖2C是圖2B中的第一電極、第二電極、絕緣層以及磊晶層的放大示意圖。 圖3是本發明另一實施例的微型發光二極體接合於背板的放大示意圖。

Claims (18)

1. 一種微型發光二極體，包括：磊晶層，具有第一型半導體層、發光層及第二型半導體層，所述發光層位於所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間；絕緣層，位於所述磊晶層的表面且具有第一貫孔以及第二貫孔，其中所述第一貫孔露出所述磊晶層的所述第一型半導體層，所述第二貫孔露出所述磊晶層的所述第二型半導體層；第一電極，經由所述第一貫孔電性連接於所述磊晶層的所述第一型半導體層，其中所述第一電極具有多個第一電極平台部，且所述多個第一電極平台部相對於所述磊晶層分別具有不同的水平高度；以及第二電極，經由所述第二貫孔電性連接於所述磊晶層的所述第二型半導體層，所述第二電極具有多個第二電極平台部，且所述多個第二電極平台部相對於所述磊晶層分別具有不同的水平高度，並且，所述多個第一電極平台部的數量大於所述多個第二電極平台部的數量。
2. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體，其中所述第一電極與所述磊晶層的所述第一型半導體層接觸，所述第二電極與所述磊晶層的所述第二型半導體層接觸。
3. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體，其中所述第一電極還具有多個第一電極傾斜部，各所述第一電極傾斜部 的兩端分別連接所述多個第一電極平台部中的兩個第一電極平台部，且所述第二電極還具有多個第二電極傾斜部，各所述第二電極傾斜部的兩端分別連接所述多個第二電極平台部中的的兩個第二電極平台部。
4. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體，其中所述磊晶層還具有接觸孔，所述接觸孔貫穿所述第二型半導體層與所述發光層以露出所述第一型半導體層，且所述絕緣層延伸至所述接觸孔內以覆蓋所述第二型半導體層與所述發光層的表面。
5. 如申請專利範圍第4項所述的微型發光二極體，其中所述該絕緣層的所述第一貫孔位於所述接觸孔內，且所述第一貫孔設置於所述接觸孔中間。
6. 如申請專利範圍第4項所述的微型發光二極體，其中所述絕緣層的所述第一貫孔位於所述接觸孔內，且所述第一貫孔的兩相反側至所述接觸孔的距離不相等。
7. 如申請專利範圍第5項所述的微型發光二極體，其中於一垂直所述磊晶層的剖面中，所述接觸孔的寬度與位於所述接觸孔中的所述第一貫孔寬度的和大於或等於所述第一電極的寬度的一半。
8. 如申請專利範圍第1項所述的微型發光二極體，其中所述磊晶層的邊長尺寸的範圍落在3微米至100微米的範圍內。
9. 一種顯示面板，包括：背板，具有多個子像素；以及 多個微型發光二極體，一所述微型發光二極體位於一所述子像素中，每一所述微型發光二極體包括：磊晶層，具有第一型半導體層、發光層及第二型半導體層，所述發光層位於所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間；絕緣層，位於所述磊晶層的表面且具有第一貫孔以及第二貫孔，其中所述第一貫孔露出所述磊晶層的所述第一型半導體層，所述第二貫孔露出所述磊晶層的所述第二型半導體層；第一電極，經由所述第一貫孔電性連接於所述磊晶層的所述第一型半導體層，其中所述第一電極具有多個第一電極平台部，且所述多個第一電極平台部相對於所述磊晶層分別具有不同的水平高度；以及第二電極，經由所述第二貫孔電性連接於所述磊晶層的所述第二型半導體層，所述第二電極具有多個第二電極平台部，且所述多個第二電極平台部相對於所述磊晶層具有不同的水平高度，並且，所述多個第一電極平台部的數量大於所述多個第二電極平台部的數量；其中，所述多個微型發光二極體與所述背板電性連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中所述第一電極與所述磊晶層的所述第一型半導體層接觸，所述第二電極與所述磊晶層的所述第二型半導體層接觸。
11. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中所述第一電極還具有多個第一電極傾斜部，各所述第一電極傾斜部的兩端分別連接所述多個第一電極平台部中的兩個第一電極平台部，且所述第二電極還具有多個第二電極傾斜部，各所述第二電極傾斜部的兩端分別連接所述多個第二電極平台部中的兩個第二電極平台部。
12. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中所述磊晶層還具有接觸孔，所述接觸孔貫穿所述第二型半導體層與所述發光層以露出所述第一型半導體層，且所述絕緣層延伸至所述接觸孔內以覆蓋所述第二型半導體層與所述發光層的表面。
13. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，其中所述第一貫孔位於所述接觸孔內，且所述第一貫孔設置於所述接觸孔中間。
14. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，其中所述絕緣層的所述第一貫孔位於所述接觸孔內，且所述第一貫孔的兩相反側至所述接觸孔的距離不相等。
15. 如申請專利範圍第12項所述的顯示面板，其中於一垂直所述磊晶層的剖面中，所述接觸孔的寬度與位於所述接觸孔中的所述第一貫孔寬度的和大於或等於所述第一電極的寬度的一半。
16. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中所述磊晶層的邊長尺寸的範圍落在3微米至100微米的範圍內。
17. 如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，更包括：多個第一電極接墊，設置於所述背板上；多個第二電極接墊，設置於所述背板上；以及其中，一所述第一電極接墊以及一所述第二電極接墊位於一所述子像素中，其中，所述第一電極透過所述第一電極接墊與所述背板電性連接，且所述第二電極透過所述第二電極接墊與所述背板電性連接。
18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示面板，其中所述第一電極與所述第二電極之間的間隙小於所述第一電極接墊與所述第二電極接墊之間的間隙。