TWI614285B - 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 - Google Patents
聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI614285B TWI614285B TW105136829A TW105136829A TWI614285B TW I614285 B TWI614285 B TW I614285B TW 105136829 A TW105136829 A TW 105136829A TW 105136829 A TW105136829 A TW 105136829A TW I614285 B TWI614285 B TW I614285B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- polymer
- repeating unit
- repeating
- resin composition
- formula
- Prior art date
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 131
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 40
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 20
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- ICLCCFKUSALICQ-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-4-(4-isocyanato-3-methylphenyl)-2-methylbenzene Chemical compound C1=C(N=C=O)C(C)=CC(C=2C=C(C)C(N=C=O)=CC=2)=C1 ICLCCFKUSALICQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 17
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 17
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 2-[[5-(oxiran-2-ylmethoxy)naphthalen-2-yl]oxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C=C1C=CC=2)=CC=C1C=2OCC1CO1 MEVBAGCIOOTPLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 0 CCC(c1ccc(C(CC(CC[Si](C)(C)C(C)(C)O[Si](C2)(C3)C23OS(*)C=C=NC)C2=O)=O)c2c1)=O Chemical compound CCC(c1ccc(C(CC(CC[Si](C)(C)C(C)(C)O[Si](C2)(C3)C23OS(*)C=C=NC)C2=O)=O)c2c1)=O 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- ZXHZWRZAWJVPIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diisocyanatonaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=C(N=C=O)C(N=C=O)=CC=C21 ZXHZWRZAWJVPIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 propylene glycol methyl ester Chemical class 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIABEENURMZTTI-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[(2-isocyanatophenyl)methyl]benzene Chemical compound O=C=NC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=C=O JIABEENURMZTTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYVDGHOUPDJWAZ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O.COCC(C)O UYVDGHOUPDJWAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOLYVQIQDZWAIV-UHFFFAOYSA-N CC1=C(CC2CCCCC2)C1 Chemical compound CC1=C(CC2CCCCC2)C1 SOLYVQIQDZWAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
- B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1003—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
- C08G77/455—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences containing polyamide, polyesteramide or polyimide sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
- C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
- C08K5/5455—Silicon-containing compounds containing nitrogen containing at least one group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/303—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
- H01B3/306—Polyimides or polyesterimides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/40—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
- B32B2307/306—Resistant to heat
- B32B2307/3065—Flame resistant or retardant, fire resistant or retardant
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2383/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Derivatives of such polymers
- C08J2383/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2201/00—Properties
- C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2203/00—Applications
- C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0162—Silicon containing polymer, e.g. silicone
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
本發明提供一種聚合物。該聚合物包括一具有式(I)所示結構之第一重複單元及一具有式(II)所示結構之第二重複單元:
於該式(I)及式(II)中,Y1和Y2係各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,n=1-25之整數,其中該第一重複單元與該第二重複單元之莫爾比係介於5/95-15/45之間。本發明另提供一種包含上述聚合物之樹脂組成物。
Description
本發明是有關於一種聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物。
新世代的電子產品趨向輕薄短小,並且需具備高頻傳輸的能力,因此電路板的配線走向高密度化,且電路板的材料選用走向更嚴謹的需求。一般而言,高頻電子元件會與電路板接合。為了維持傳輸速率及保持傳輸訊號完整性,電路板之基板材料必須兼具較低的介電常數(dielectric constant)及介電損耗(又稱損失因子,dissipation factor),這是因為基板的訊號傳送速度與基板材料的介電常數的平方根成反比,故基板材料的介電常數通常越小越好;另一方面,由於介電損耗越小代表訊號傳遞的損失越少,故介電損耗較小之材料所能提供之傳輸品質也較為良好。
此外,半導體工業對於材料耐高溫及耐燃之要求層次也日漸提高,像電子材料就規範必須達到UL-94V-0等級。目前耐燃的電路板材料的樹脂系統大多以環氧樹脂為主,而環氧樹脂必須添加大量無機粉體藉以增加其耐燃特性。然而樹脂
中無機粉體添加量太高易造成環氧樹脂層與銅箔間的黏著力較差,進而影響其電子產品的功能和可靠度。
因此,開發出具有高耐熱性及低介電常數之樹脂,並將其應用於高頻電路板之製造,乃是現階段相關技術領域重要課題。
本發明之一實施例提供一種聚合物,該聚合物包括一具有式(I)所示結構之第一重複單元以及一具有式(II)所示結構之第二重複單元,於該式(I)及式(II)中,Y1和Y2係各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,n=1-25之整數,其中該第一重複單元與該第二重複單元之莫爾比係介於5/95-15/45之間。
本發明之另一實施例提供一種樹脂組成物。該樹脂組成物包括100重量份之聚合物以及10-70重量份之環氧樹脂。該聚合物包括一具有式(I)所示結構之第一重複單元以及一具有式(II)所示結構之第二重複單元,於該式(I)及式(II)中,Y1和Y2係各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,n=1-25之整數,其中該第一重複單元與該第二重複單元之莫爾比係介於
5/95-15/45之間。該環氧樹脂係選自具有式(V-I)所示結構和具有式(V-II)所示結構所構成之群組,其中Y5和Y6係各自獨立地為-H、-CH3、-CH2CH3,Z係為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-。Y7係為-H、-CH3、-CH2CH3。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂,下文特舉數個實施例,作詳細說明如下。
以下係詳細敘述本發明內容之實施例。實施例所提出的實施細節為舉例說明之用,並非對本發明內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些實施細節加以修飾或變化。本發明所述之「一」表示為「至少一」。
根據本發明之數個實施例,本發明之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元以及式(II)所示結構之第二重複單元,以無規方式排列。
於上述式(I)及式(II)中,Y1和Y2可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元與該第二重複單元之莫爾比可介於5/95-15/45之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40及該第二重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元、式(II)所示結構之第二重複單元及式(III)所示結構之第三重複單元,以無規方式排列。
於該式(I)、式(II)及式(III)中,Y1、Y2、Y3和Y4可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,X可為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元、該第二重複單元及該第三重複單元之莫爾比可介於5/90/5-15/45/30之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40及該第三重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元、式(II)所示結構之第二重複單元、式(III)所示結構之第三重複單元及式(IV)所示結構之第四重複單元,以無規方式排列。
於該式(I)、式(II)及式(III)中,Y1、Y2、Y3和Y4可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,X可為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元、該第二重複單元、該第三重複單元及該第四重複單元之莫爾比可介於5/85/5/5-15/45/30/10之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40、該第三重複單元之重複數量可為1-40及該第四重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之該聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物可包含100重量份之上述聚合物以及10-70重量份之環氧樹脂。該環氧樹脂可選自具有式(V-I)所示結構和具有式(V-II)所示結構所構成之群組。
於上述式(V-I)和式(V-II)中,Y5、Y6和Y7可各自
獨立地為-H、-CH3、-CH2CH3,Z可為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元以及式(II)所示結構之第二重複單元,以無規方式排列。
於上述式(I)及式(II)中,Y1和Y2可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元與該第二重複單元之莫爾比可介於5/95-15/45之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40及該第二重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元、式(II)所示結構之第二重複單元及式(III)所示結構之第三重複單元,以無規方式排列。
於該式(I)、式(II)及式(III)中,Y1、Y2、Y3和Y4可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,X可為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元、該第二重複單元及該第三重複單元之莫爾比可介於5/90/5-15/45/40之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40及該第三重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物可具有式(I)所示結構之第一重複單元、式(II)所示結構之第二重複單元、式(III)所示結構之第三重複單元及式(IV)所示結構之第四重複單元,以無規方式排列。
於該式(I)、式(II)及式(III)中,Y1、Y2、Y3和Y4可各自獨立地為-H、-CH3或-CH2CH3,X可為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-,n可為1-25之整數,其中該第一重複單元、該第二重複單元、該第三重複單元及該第四重複單元之莫爾比可介於5/85/5/5-15/45/30/10之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40、該第三重複單元之重複數量可為1-40及該第四重複單元之重複數量可為1-40。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物所包含之聚合物之數量平均分子量可介於8000-15000之間。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物
可更包括溶劑。前述之溶劑可依聚合物及環氧樹脂作適當選擇,可以為但不限定於,丙酮(acetone)、丁酮(methyl ethyl ketone)、丙二醇甲醚(1-methoxy-2-propanol)、丙二醇甲醚醋酸酯(1,2-Propanediol monomethyl ether acetate)、甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、二甲基甲醯胺(dimethyl formamide,DMF)、二甲基乙醯胺(dimethyl acetamide,DMAc)、甲基咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide,DMSO)或其組合。
根據本發明之數個實施例,本發明之樹脂組成物可更包括小於或等於50重量份之無機粉體。前述添加於該樹脂組成物的無機粉體可包括氧化矽、氧化鋁、氧化鎂或其組合物,其平均粒徑大小介於5~12μm。
實施例
本發明以下實施例所提及之產物特性量測儀器及方法:
Tg:玻璃轉換溫度(glass transition temperature)。
Td5%:分解溫度(decomposition temperature)。
xy-CTE:在板面X-Y軸方向的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion),其量測xy-CTE之儀器購自TA儀器股份有限公司、型號Q400、量測方法按IPC-IPC-650.2.4.24規範量測。
Dk:介電常數(Dielectric Constant,在PCB領
域簡稱Dk)。
Df:損耗正切(Loss Tangent,在PCB領域簡稱Df)。
數量平均分子量(number average molecular weight),其量測分子量儀器為GPC(Gel permeation chromatography)購自台安科技公司。
本發明以下實施例及比較例所使用之化學品詳細資料先說明如下:
TMA:trimellitic anhydride(偏苯三甲酸酐),購自Fu-Pao Chemical Co.。
PMDA:PyroMellitic dianhydride(均苯四甲酸二酐)。
TODI:bitolylene diisocyanate(二甲基聯苯二異氰酸酯),購自朝登代理商。
MDI:methylene diphenyl isocyanate(二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯),購自Fu-Pao Chemical Co.。
NDI:2,6-naphthalene diisocyanate(2,6-萘二異氰酸酯),購自朝登代理商)。
具有下面結構之含有胺基的矽氧化合物X-22-161A(重量分子量850)、X-22-161B(重量分子量1000)及KF-8012(重量分子量5000),購自信越化學工業。
環氧樹脂HP-4032D:Naphthalene type epoxy,購自DIC Corporation。
環氧樹脂6000:Naphthalene type epoxy,購自DIC Corporation。
環氧樹脂828:Bisphenol A type epoxy,購自長春樹脂。
環氧樹脂202:Novolac resin,購自長益代理商。
二氧化矽:平均粒徑大小約12μm,購自TATSUMORI LTD.
聚合物之製備
實施例1
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、129g TODI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A,及溶劑676g DMAc(Dimethylacetamide),於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A1)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9000。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A1),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1
(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例2
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、129g TODI、39g含有胺基的矽氧化合物X-22-161B及725 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A2)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為11000。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A2),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例3
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、98g TODI、30g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及673 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A3)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9200。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A3),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1
(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例4
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、98g TODI、30g MDI、39g含有胺基的矽氧化合物X-22-161B,及725 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A4)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為10500。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A4),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例5
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、81g TODI、52g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及687 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A5)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9100。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A5),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1
(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例6
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、81g TODI、52g MDI、39g含有胺基的矽氧化合物X-22-161B及735 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A6)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為12000。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A6),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例7
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、91g TODI、30g MDI、41g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A、及708 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後,將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A7)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9350。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A7),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1
(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例8
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入95g TMA、6g PMDA、98g TODI、30g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及673 DMAc,於90~150℃攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物(A8)溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9210。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表1。
利用IR光譜分析聚合物(A8),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例9
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入90g TMA、11g PMDA、98g TODI、30g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及673 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A9溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9480。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
利用IR光譜分析聚合物(A9),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1
(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
實施例10
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、70g TODI、30g MDI、22g NDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A、及657 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A10溶液。量測該聚合物之數量平均分子量為9520。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
利用IR光譜分析聚合物(A10),所得之光譜資訊如下:3330cm-1(-NH官能基特徵峰),1775cm-1和1713cm-1(-(CO)2NH特徵峰),1258cm-1(Si-CH3特徵峰),和1080cm-1(Si-O-Si特徵峰)。
比較例1
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、104g TODI、30g MDI,及632 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A11溶液。聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
比較例2
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、47g TODI、78g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及665 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反
應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A12溶液。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
比較例3
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、77g TODI、30g MDI、83g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及784 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A13溶液。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
比較例4
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、77g TODI、30g MDI、155g含有胺基的矽氧化合物X-22-161B及978 DMAc,於90~150℃下攪拌進行反應,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A14溶液。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
比較例5
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入80g TMA、23g PMDA、98g TODI、30g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A及740 DMAc,於90~150℃下攪拌,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A15溶液。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
比較例6
使用1000毫升,3口之玻璃反應器,2片葉輪的攪拌棒,加入100g TMA、98g TODI、30g MDI、21g含有胺基的矽氧化合物X-22-161A、57g含有胺基的矽氧化合物
KF-8012及740 DMAc,於90~150℃下攪拌,待完全反應後將溫度降至室溫,即可獲得聚合物A16溶液。該聚合物的反應材料組成及各項物理特性載於下表2。
由表1及表2可看出,藉由調配酸酐、異氰酸酯與矽氧化合物間的比例可以合成具有低介電及低膨脹係數的聚合物。
比較例1與2相較於實施例之聚合物,其CTE和Dk較高,比較例3-5的聚合物黏度過高,無法量測其性質,比較例6的聚合物會有顆粒析出(或固化掉),無法量測其性質。
樹脂組合物之製備
實施例11
將含80重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、20重量份之環氧樹脂HP-4032D放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(I)。該樹脂組成物的材料組成及各項物理特性載於下表3。
實施例12
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(II)。該樹脂組成物的材料組成及各項物理特性載於下表3。
實施例13
將含60重量份之聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂6000放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(III)。該樹脂組成物的材料組成及各項物理特性載於下表3。
實施例14
將含80重量份聚合物(A9)之聚合物溶液、20重量份之環氧樹脂HP-4032D放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(IV)。該樹脂組成物的材料組成及各項物理特性載於下表3。
實施例15
將含60重量份之聚合物(A9)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(V)。該樹脂組成物的材料組成及各項物理特性載於下表3。
比較例7
將含40重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、60重量
份之環氧樹脂HP-4032D放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(VI)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表3。
比較例8
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂828放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(VII)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表3。
比較例9
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂202放入反應瓶中,攪拌使其均勻混合,即得到樹脂組合物(VIII)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表3。
實施例16
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入10重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物(IX)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例17
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入30重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組
合物(X)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例18
將含60重量份聚合物(A9)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入10重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物(XI)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例19
將含60重量份聚合物(A9)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入30重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物(XII)。該樹脂組成物的組成及各項物理特性載於下表4。
複合材料之製備
實施例20
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入10重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物,然後將該樹脂組合物含浸於玻璃纖維布,經疊層於200℃下加熱、加壓3小時後,即可獲得複合材料(I),該複合材料的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例21
將含60重量份聚合物(A3)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入30重量
份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物,然後將該樹脂組合物含浸於玻璃纖維布,經疊層於200℃下加熱、加壓3小時後,即可獲得複合材料(II),該複合材料的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例22
將含60重量份聚合物(A9)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入10重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物,然後將該樹脂組合物含浸於玻璃纖維布,經疊層於200℃下加熱、加壓3小時後,即可獲得複合材料(III),該複合材料的組成及各項物理特性載於下表4。
實施例23
將含60重量份聚合物(A9)之聚合物溶液、40重量份之環氧樹脂HP-4032D,攪拌使其均勻混合,再加入30重量份之二氧化矽放入反應瓶中,經研磨和攪拌後,即得到樹脂組合物,然後將該樹脂組合物含浸於玻璃纖維布,經疊層於200℃下加熱、加壓3小時後,即可獲得複合材料(1V),該複合材料的組成及各項物理特性載於下表4。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作任意之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
Claims (14)
- 如申請專利範圍第1項所述之聚合物,其中該聚合物之數量平均分子量介於8000-15000之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之聚合物,其中該第一重複單元之重複數量可為1-40及該第二重複單元之重複數量可為1-40。
- 如申請專利範圍第4項所述之聚合物,其中該聚合物之數量平均分子量介於8000-15000之間。
- 如申請專利範圍第4項所述之聚合物,其中該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40及該第三重複單元之重複數量可為1-40。
- 如申請專利範圍第7項所述之聚合物,其中該聚合物之數量平均分子量介於8000-15000之間。
- 如申請專利範圍第7項所述之聚合物,其中該第一重複單元之重複數量可為1-40、該第二重複單元之重複數量可為1-40、該第三重複單元之重複數量可為1-40及該第四重複單元之重複數量可為1-40。
- 如申請專利範圍第10項所述之樹脂組成物,更包括溶劑。
- 如申請專利範圍第10項所述之樹脂組成物,更包括小於或等於50重量份之無機粉體。
- 如申請專利範圍第12項所述之樹脂組成物,其中該無機粉體之平均粒徑大小介於5~12μm。
- 如申請專利範圍第12項所述之樹脂組成物,其中該無機粉體包括氧化矽、氧化鋁、氧化鎂或其組合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105136829A TWI614285B (zh) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 |
| CN201611107643.1A CN108070085B (zh) | 2016-11-11 | 2016-12-06 | 聚合物及包含该聚合物的树脂组合物 |
| US15/654,058 US10626219B2 (en) | 2016-11-11 | 2017-07-19 | Polymers and resin composition employing the same |
| JP2017215387A JP6637016B2 (ja) | 2016-11-11 | 2017-11-08 | ポリマーおよびこれを用いた樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105136829A TWI614285B (zh) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI614285B true TWI614285B (zh) | 2018-02-11 |
| TW201817779A TW201817779A (zh) | 2018-05-16 |
Family
ID=62016107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105136829A TWI614285B (zh) | 2016-11-11 | 2016-11-11 | 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10626219B2 (zh) |
| JP (1) | JP6637016B2 (zh) |
| CN (1) | CN108070085B (zh) |
| TW (1) | TWI614285B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI827139B (zh) * | 2022-07-13 | 2023-12-21 | 國立清華大學 | 可修復且可回收之聚醯亞胺高分子樹脂及其修復與回收方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200520639A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Uniplus Electronics Co Ltd | High thermal conductive halogen-free phosphorus-free retardant resin composition for printed circuit board materials |
| TW201127907A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-16 | Nanya Plastics Corp | Epoxy-silicone resin composition for optical encapsulation and coating |
| TW201317301A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-05-01 | Ind Tech Res Inst | 低介電樹脂配方、預聚合物、組成物及其複合材料與低介電樹脂預聚合物溶液的製備方法 |
| TW201619225A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | 樹脂配方、樹脂聚合物及包含該聚合物之複合材料 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3651210B2 (ja) | 1997-10-29 | 2005-05-25 | 日立化成工業株式会社 | シロキサン含有ポリアミドイミド及びそれを含むワニス |
| DE69832944T2 (de) * | 1997-10-29 | 2006-10-26 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Siloxanmodifizierte Polyamidharzzusammensetzung, Klebefilme, Klebefolie und Halbleiterbauelement |
| TWI243189B (en) | 1998-11-06 | 2005-11-11 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Laminated board and circuit laminate material made of thermosetting low-dielectric resin composition |
| KR100406341B1 (ko) | 1999-02-03 | 2004-01-31 | 가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼 | 열경화성 저유전수지조성물, 그것을 이용한 프리프레그,적층판 및 회로용 적층재 |
| JP5251921B2 (ja) | 1999-08-04 | 2013-07-31 | 東洋紡株式会社 | フレキシブル金属積層体 |
| JP4455806B2 (ja) | 2001-05-24 | 2010-04-21 | 日立化成工業株式会社 | プリプレグ及び積層板 |
| WO2003022929A1 (en) | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Flame-retardant heat-resistant resin composition and adhesive film comprising the same |
| JP4341309B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2009-10-07 | 日立化成工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| TW593527B (en) | 2002-12-06 | 2004-06-21 | Ind Tech Res Inst | Halogen-free, phosphorus-free flame-retardant advanced epoxy resin and an epoxy composition containing the same |
| JP2004315653A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物とその利用 |
| JP2005248164A (ja) | 2004-02-02 | 2005-09-15 | Tamura Kaken Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびフィルム付き製品 |
| CN101348576A (zh) * | 2004-03-04 | 2009-01-21 | 日立化成工业株式会社 | 预浸体、贴金属箔层叠板及使用它们的印刷电路板 |
| KR100627508B1 (ko) * | 2005-02-21 | 2006-09-22 | 엘에스전선 주식회사 | 에나멜 전선 피복도료 조성물 및 이를 이용한 에나멜 전선 |
| JP5151114B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2013-02-27 | 日立化成工業株式会社 | 接着層付き金属箔、金属張積層板、並びに、この金属張積層板を用いて得られる印刷配線板及び多層配線板 |
| CN101679832A (zh) * | 2007-05-21 | 2010-03-24 | 日立化成工业株式会社 | 粘接剂组合物及使用了该粘接剂组合物的粘接膜 |
| JP2009144072A (ja) | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
| US9132611B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-09-15 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, prepreg using same, metal foil with resin, adhesive film, and metal-clad laminate |
| TWI398465B (zh) | 2009-12-18 | 2013-06-11 | Ind Tech Res Inst | 改質型雙馬來亞醯胺樹脂、製備方法及包含該樹脂之組合物 |
| WO2012172972A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 新日鉄住金化学株式会社 | 架橋ポリイミド樹脂、その製造方法、接着剤樹脂組成物、その硬化物、カバーレイフィルム、回路基板、熱伝導性基板及び熱伝導性ポリイミドフィルム |
| TWI480329B (zh) | 2013-05-30 | 2015-04-11 | Ind Tech Res Inst | 樹脂配方、樹脂聚合物及包含該聚合物之複合材料 |
-
2016
- 2016-11-11 TW TW105136829A patent/TWI614285B/zh active
- 2016-12-06 CN CN201611107643.1A patent/CN108070085B/zh active Active
-
2017
- 2017-07-19 US US15/654,058 patent/US10626219B2/en active Active
- 2017-11-08 JP JP2017215387A patent/JP6637016B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200520639A (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Uniplus Electronics Co Ltd | High thermal conductive halogen-free phosphorus-free retardant resin composition for printed circuit board materials |
| TW201127907A (en) * | 2010-02-09 | 2011-08-16 | Nanya Plastics Corp | Epoxy-silicone resin composition for optical encapsulation and coating |
| TW201317301A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-05-01 | Ind Tech Res Inst | 低介電樹脂配方、預聚合物、組成物及其複合材料與低介電樹脂預聚合物溶液的製備方法 |
| TW201619225A (zh) * | 2014-11-21 | 2016-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | 樹脂配方、樹脂聚合物及包含該聚合物之複合材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108070085B (zh) | 2021-01-15 |
| US10626219B2 (en) | 2020-04-21 |
| TW201817779A (zh) | 2018-05-16 |
| US20180134847A1 (en) | 2018-05-17 |
| JP6637016B2 (ja) | 2020-01-29 |
| JP2018076504A (ja) | 2018-05-17 |
| CN108070085A (zh) | 2018-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019504159A (ja) | フレキシブル基板用ポリシルセスキノキサン樹脂組成物{poly silsesquinoxane resin composition for flexible substrate} | |
| JP3216849B2 (ja) | ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド組成物およびその製造法 | |
| JP2022527878A (ja) | ポリアミド-イミドブロック共重合体、その製造方法およびこれを含むポリアミド-イミドフィルム | |
| JPH0455457B2 (zh) | ||
| JPH04351667A (ja) | 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 | |
| TWI614285B (zh) | 聚合物及包含該聚合物之樹脂組成物 | |
| JP7124871B2 (ja) | 架橋剤化合物、これを含む感光性組成物、およびこれを利用した感光材料 | |
| CN110551481B (zh) | 接着剂组成物及其接着剂与硬化物 | |
| EP3348599B1 (en) | Polyimide-based block copolymer and polyimide-based film comprising same | |
| JPH06116517A (ja) | 導電性ペースト組成物およびその製造法 | |
| KR20140144530A (ko) | 폴리이미드 수지 전구체 조성물, 드라이 필름 및 회로 기판 | |
| TWI746831B (zh) | 聚醯亞胺系膜及顯示裝置 | |
| TWI828404B (zh) | 經改質的二環戊二烯系樹脂及其製備方法 | |
| TWI828405B (zh) | 經改質的二環戊二烯系樹脂 | |
| TW201335238A (zh) | 聚醯亞胺前驅物及使用其的樹脂組成物、聚醯亞胺成形體、保護層、半導體裝置及其製造方法、電力零件以及電子零件 | |
| CN114854196B (zh) | 聚酰亚胺膜 | |
| JP3569938B2 (ja) | ペースト組成物およびこれを用いた半導体装置 | |
| JPH11274377A (ja) | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| WO1991010699A1 (fr) | Resine pour proteger des semi-conducteurs | |
| TW202519504A (zh) | 熱固性樹脂及包含其的耐熱樹脂組成物 | |
| JP2024519785A (ja) | 高分子樹脂組成物、高分子樹脂フィルムの製造方法、高分子樹脂フィルムおよびこれを用いたディスプレイ装置用基板、および光学装置 | |
| JPH0711133A (ja) | 硬化性樹脂組成物 | |
| JPH01278561A (ja) | ポリイミド組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| KR20210037332A (ko) | 폴리아믹산 조성물, 폴리아믹산 조성물의 제조방법 및 이를 포함하는 폴리이미드 | |
| JPH0782483A (ja) | ポリイミド樹脂組成物 |