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TWI690585B - 電激發光之經交聯奈米晶體薄膜 - Google Patents

電激發光之經交聯奈米晶體薄膜 Download PDF

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TWI690585B
TWI690585B TW104125371A TW104125371A TWI690585B TW I690585 B TWI690585 B TW I690585B TW 104125371 A TW104125371 A TW 104125371A TW 104125371 A TW104125371 A TW 104125371A TW I690585 B TWI690585 B TW I690585B
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法德 薩爾海
喬瑟夫 雷德特 米納爾
馬丁尼斯 阿爾伯特 阿爾瑪莎
貝爾 米爾伊 莫爾勒
凱勒拉斯 佩斯
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德商漢高股份有限及兩合公司
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Abstract

本發明係有關於一種發光薄膜，其包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一核心，該核心包含一半導體化合物與至少一聚硫醇配位基，而且其中，該核心係由至少一聚硫醇配位基所包圍，而且其中，每一為至少一聚硫醇配位基所包圍之核心與至少一包圍另一核心之另一聚硫醇配位基交聯。一旦形成該薄膜，就能保留該些奈米晶體(NCs)之各種光激發光性質。一種發光裝置(LED)係使用一當作發光層之發光薄膜來製造。當電流流經該裝置時，該LED就會發光，表現出該奈米晶體薄膜之各種電激發光性質。

Description

電激發光之經交聯奈米晶體薄膜
本發明係有關於一種發光薄膜，其包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一含一半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基。此外，本發明包含一奈米晶體發光裝置，其包含一多層結構，該多層結構包含一本發明之發光薄膜層。
一種奈米晶體發光裝置(NC-LED)係一種發光裝置，其中該發光層含有一些奈米晶體。在製造各種NC-LED時，傳統上，該發光層係由(1)一些有機發光聚合物與奈米晶體(NC)所組成，或(2)由一些奈米晶體之單層所組成。在該第一種方法中，僅能達成非常低之效率，因為在該些奈米晶體中，形成激子(exciton)之效率很差，反倒是在第二種方法中，使用一些奈米晶體之單層，產生許多最高紀錄之效率，因為改善了電子之侷限(confinement)且讓電阻降至最小。
基本上，許多傳統奈米晶體係由一些單官能基非反應性配位基(monofunctional non-reactive ligands)來加以穩定，這使得該些奈米晶體變為疏水性且鈍化該些奈米晶體。因此，在一層次形成時，該些奈米晶體無法化學性地彼此聯結，僅能利用該些配位基間之纏繞，使彼此穩定地靠近。
在製造各種NC-LED時，該NC薄膜係夾置於一些層狀結構 中。利用一些傳統之奈米晶體單層作為一些NC-LED之發光層時，不建議對後續之層次進行進一步之溶劑處理，因為這會溶解或劣化該下面之NC層。
此外，許多奈米晶體因其大小與在某些實例中其成分，對環境有毒害，以及藉由吸入或皮膚吸收，對人類之健康有毒害。傳統上，許多形成單層之奈米晶體很容易被散佈而進入大氣中，因此，對生產人員而言，其為一有害物。
在許多實例中，在一兩步驟之程序中，該些奈米晶體係彼此交聯。在第一步驟中，沉積一奈米晶體單層，該些奈米晶體係以傳統之單官能配位基覆蓋。在第二步驟中，將該薄膜浸泡於一聯結劑(linker)溶液中，以與一些既存之單官能配位基進行配位基交換。不過，由於增加表面缺陷之數目，許多配位基交換程序會劣化該些奈米晶體之品質。這也意味著許多NC-LED之沉積程序需要更多步驟。此外，該些下面之層次暴露於一聯結劑溶液時，會進一步使其劣化。
因此，需要一發光薄膜，其負載很高，且許多奈米晶體經充分分散而表現出一些既高且穩定之發光性質，同時對人類之健康與環境很安全。
本發明係有關於一種發光薄膜，其包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一含一半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基，而且其中，該核心係由至少一聚硫醇配位基所包圍，而且其中，每一為至少一聚硫醇配位基所包圍之核心與至少一包圍另一核心之另 一聚硫醇配位基交聯。
此外，本發明係有關於一種製備本發明之發光薄膜之程序，其包含下列步驟：(1)混合一含半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基，以形成一反應性膠狀奈米晶體；(2)可選擇地加入至少一溶劑至步驟(1)之產物中；(3)由步驟(2)之混合物形成一薄膜；以及(4)可選擇地加以熱固化。
此外，本發明包含一奈米晶體發光裝置，其包含一多層結構，該多層結構包含一本發明之發光薄膜層、一陰極層與一陽極層。
1‧‧‧陰極
2‧‧‧奈米晶體薄膜(NCs film)(圖三)；電子傳輸層(ETL)(圖四)
3‧‧‧陽極(圖三)；奈米晶體薄膜(NCs film)(圖四)
4‧‧‧基板(圖三)；電洞傳輸層(HTL)(圖四)
5‧‧‧陽極
6‧‧‧基板
圖一說明本發明之奈米晶體之結構
圖二說明本發明之該經交聯奈米晶體結構之結構
圖三說明本發明之一實施例中，奈米晶體發光裝置之示意結構
圖四說明本發明之一實施例中，奈米晶體發光裝置之示意結構
下列段落將更詳細地描述本發明。
除非明確地指出不同，所述之每一觀點可與其他任一或一些觀點組合，尤其是，任一被指示為較佳或有利之性質可與其他任一或一些被指示為較佳或有利之性質組合。
在本發明之上下文中，所使用之術語應依據下述之定義來解釋，除非上下文指出不同。
例如此處所使用之單數形「一」(a及an)與「該」(the)，包含單數與複數之指示對象，除非上下文指出不同。
此處所使用之術語「包含」(comprising)、「包括」(comprises)、「由...組成」(comprised of)係與「包含」(including)、「包括」(includes)與「含有」(containing)、「含」(contains)同義，而且為包含之或無限制之，以及不排除一些額外之、未列舉之構件、元素或方法步驟。
各種數值端點之列舉包括該些個別範圍內所納入之所有數字與分數，以及該些列舉之端點。
此處所提及之所有百分比、部分、比率等係以重量為基礎，除非指示有所不同。
當一數量、一濃度或其他數值或參數被表示成一範圍、一較佳之範圍或一較佳上限值與一較佳下限值之形式時，應將其理解為藉由將任一上限值或較佳值與任一下限值或較佳值組合而獲得之任何範圍，已經具體地揭露，不論所得之種種範圍是否於上下文中明確提及。
在本說明書中所引用之全部文獻，藉此全面地引用而結合。
除非定義不同，在揭露本發明所使用之所有術語包括技術與科學術語，具有本發明所屬技術領域中通常知識者能正常理解之意義。藉著進一步指導之方法，術語之定義包含使本發明之教示有較佳之體會。
本發明係有關於該包含一經交聯奈米晶體網狀物之發光薄膜，其中該經交聯之奈米晶體網狀物係由若干反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一含一半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基，而且其中，該核心係為至少一聚硫醇配位基所包圍，而且其中，每一為至少一聚硫醇配位基所包圍之核心與至少一包圍另一核心之另一聚硫醇配位基交聯。
本發明係有關於一種獲得各種經自身交聯(self-crosslinked)NC薄膜之簡單方法。依據本發明所製備之該些薄膜能被用來當作一些NC-LED之發光層。依此方法，可克服有關運用與奈米晶體相關之傳統方法之溶液可處理性(processability)與毒性之爭議。
有關於術語「奈米晶體」，係指一奈米尺度之晶體粒子，其可包含一核/殼結構，而且其中一核心包含一第一材料及一殼包含一第二材料，而且其中，該殼係設置於該核心之一表面之至少一部分上。
有關於術語「配位基」，係指具有一或多種用來穩定奈米晶體之鏈之各種分子，各種配位基具有至少一鍵結至該奈米晶體之焦點(focal point)，與至少一活性位置，其可與外在環境交互作用、與其他活性位置交聯或兩者皆可。
有關於「反應性膠狀奈米晶體」一詞，係指各種反應性膠狀奈米晶體，其係各種以溶液成長、具奈米尺寸之無機粒子，該些無機粒子係由一配位基層所穩定，該些配位基在其骨幹中含有至少一種官能基，其能較佳地反應而成為一合成物結構。
本發明所述之各種奈米晶體，不進行配位基交換程序，該程序已經在先前技術中廣為使用。因此，只有在合成過程中所存在之原始配位基，才能附著至該些奈米晶體。相較之下，那些進行配位基交換程序之奈米晶體，具有至少二種配位基一在合成過程中附著之配位基與在該配位基交換程序中被加入之配位基。研究顯示，進行配位基交換程序後，該原始配位基之一部分依然附著於該奈米晶體表面，實例見耐托等人(Knittel et.al.)之論文(Knittel,F.et al.On the Characterization of the Surface Chemistry of Quantum Dots.Nano Lett.13,5075-5078(2013))。
有關於「NC薄膜」一詞，係指一經交聯奈米晶體之連續層，較佳地，經由一些共價鍵形成交聯。
該發光薄膜之每一基本成分將詳細討論如下。
依據本發明，一種發光薄膜包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一含一半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基。
反應性膠狀奈米晶體
依據本發明，各種反應性膠狀奈米晶體包含一含一半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基。
含一半導體化合物之核心
依據本發明，該反應性膠狀奈米晶體之核心包含半導體化合物。一半導體化合物係由週期表之一族或多種不同族之元素所組成。
較佳地，該半導體化合物係選自第IV族之一或多種元素；選自第II與VI族之一或多種元素；選自第III與V族之一或多種元素；選自第IV與VI族之一或多種元素；選自第I與III與VI族之一或多種元素，或其混合物之組合，較佳地，該半導體化合物係選自第I與III與VI族之一或多種元素之組合，更佳地，該半導體化合物係選自由鋅(Zn)、銦(In)、銅(Cu)、硫(S)與硒(Se)所組成之群組之一或多種元素之組合。
可選擇地，該含該半導體化合物之核心，可進一步包 含一摻雜物(dopant)。使用於本發明之摻雜物，其合適之一些實例為選自由錳(Mn)、銀(Ag)、鋅(Zn)、銪(Eu)、硫(S)、磷(P)、銅(Cu)、鈰(Ce)、鋱(Tb)、金(Au)、鉛(Pb)、銻(Sb)、錫(Sn)、鉈(Tl)與其混合物所組成之群組。
在一較佳實施例中，該含一半導體化合物之核心係包含銅之核心與一或多種選自第I族與/或第II族與/或第III族與/或第IV族與/或第V族與/或第VI族之化合物組合。
在另一較佳之實施例中，包含銅之核心係選自由硫化銦銅(CuInS)、硫硒化銦銅(CuInSeS)、硫硒化銦鋅銅(CuZnInSeS)、硫化銦鋅銅(CuZnInS)、銅：硫化銦鋅(Cu：ZnInS)、硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)、銅：硫化銦鋅/硫化鋅(Cu：ZnInS/ZnS)、硫硒化銦銅/硫化鋅(CuInSeS/ZnS)所組成之群組，較佳地，選自由硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)、硫硒化銦銅/硫化鋅(CuInSeS/ZnS)、銅：硫化銦鋅/硫化鋅(Cu：ZnInS/ZnS)所組成之群組。
依據本發明，該些奈米晶體之核心具有一僅包含該核心或包含該核心與包圍該核心之一或多層殼之結構，每一層殼可具有包含一或多層之結構，意指每一層殼可具有單層或多層之結構。每一層可具有一單一組成或一合金或濃度梯度。
在一實施例中，依據本發明，該奈米晶體之核心具有一包含一核心與至少一單層或多層殼之結構。然而，在另一實施例中，依據本發明，該奈米晶體之核心具有一包含一核心與至少二單層與/或多層殼之結構。
在一實施例中，依據本發明，該奈米晶體之核心具有包含銅之一核心與至少一單層或多層殼之結構。然而，在另一實施 例中，依據本發明，該奈米晶體之核心具有包含銅之一核心與至少二單層與/或多層殼之結構。
較佳地，依據本發明，該些反應性膠狀奈米晶體之核心之尺寸係小於100nm，較佳地，小於50nm，更佳地，小於10nm，不過，較佳地，該核心係大於1nm。
較佳地，依據本發明，該反應性膠狀奈米晶體之核心形狀係球狀、棒狀或三角形。
聚硫醇配位基
依據本發明，一種反應性膠狀奈米晶體包含至少一聚硫醇配位基。
有關聚硫醇一詞，此處係指分子結構中具有多種硫醇基之配位基。此外，本發明中所使用之該些聚硫醇，具有多種功能(用來當作前驅物(precursor)、溶劑與安定劑(stabilizer))，因此可被視為各種多功能聚硫醇。換言之，使用於本發明之該些聚硫醇配位基，被用來當作各種多功能試劑。
一種適合用來使用於本發明之聚硫醇配位基具有2或多種功能，較佳地，從3至4。意指該聚硫醇配位基在結構中，具有至少2硫醇基，較佳地，從3至4。
依據本發明，一種反應性膠狀奈米晶體具有一結構，其中該核心為至少一聚硫醇配位基所包圍。圖一說明一般程度之此結構。
使用於本發明中之合適聚硫醇配位基係選自由各種一級硫醇、各種二級硫醇與其混合物所組成之群組，較佳地，於本發明中所使用之聚硫醇配位基係選自由季戊四醇 四(3-丁酸氫硫 酯)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptobutylate))、季戊四醇 四-3-丙酸氫硫酯(pentaerythritol tetra-3-mercaptopropionate)、三羥甲基丙烷 三(3-丙酸氫硫酯)(trimethylolpropane tri(3-mercaptopropionate))、參[2-(3-氫硫基丙醯基氧基)乙基]異三聚氰酸酯(tris[2-(3-mercaptopropionyloxy)ethyl]isocyanurate)、雙季戊四醇六(3-丙酸氫硫酯)(dipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate))、經乙氧基化-三羥甲基丙烷 三-3-丙酸氫硫酯(ethoxilated-trimethylolpropan tri-3-mercaptopropionate)、氫硫基功能之甲基烷基矽氧聚合物(mercapto functional methylalkyl silicone polymer)及其混合物所組成之群組，較佳地，選自由經四功能化之季戊四醇 四(3-丁酸氫硫酯)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptobutylate))、季戊四醇 四-3-丙酸氫硫酯(pentaerythritol tetra-3-mercaptopropionate)、參[2-(3-氫硫基丙醯基氧基)乙基]異三聚氰酸酯(tris[2-(3-mercaptopropionyloxy)ethyl]isocyanurate)及其混合物所組成之群組。
使用於本發明中可商購之聚硫醇配位基，例如修瓦但可(Showa Denko)之KarenzMTTM PE1、艾斯西有機化學公司(SC ORGANIC CHEMICAL CO.)之PEMP與布魯諾洛克(BRUNO BOCK)之THIOCURE® TEMPIC。
較佳地，依據本發明，許多反應性膠狀奈米晶體具有粒徑(例如最大粒徑)範圍從1nm至100nm，較佳地，從1nm至50nm，而且更佳地從1nm至10nm。
依據本發明，許多反應性膠狀奈米晶體可包含有機材料與無機材料，其比率在2：1與75：1之間，較佳地，依據本發明， 反應性膠狀奈米晶體，可包含以該反應性膠狀奈米晶體之總重為基準，重量從1%至99%之無機材料，較佳地，依據本發明，反應性膠狀奈米晶體，可包含以該反應性膠狀奈米晶體之總重為基準，重量從1%至99%之有機材料。
依據本發明，該些反應性膠狀奈米晶體可以數種將全部成分混合在一起之方法來製備。
在一較佳實施例中，該些反應性膠狀奈米晶體之製備包含下列步驟：(1)混合一(些)半導體化合物與至少一聚硫醇配位基，以形成一反應性膠狀奈米晶體。各種反應性膠狀奈米晶體，能以沉澱與溶於一溶劑中，被進一步純化，合適之溶劑，如甲醇(methanol)與氯仿(chloroform)。
一種發光薄膜
依據本發明，一種發光薄膜包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含一核心與至少一聚硫醇配位基。在合成過程中，聚硫醇配位基係過量使用，當作溶劑。在合成後，形成一膠狀溶液，其係由一些奈米晶體所組成，該些奈米晶體為溶於過量相同聚硫醇溶液之聚硫醇配位基所包圍，在此程序中，該聚硫醇配位基能彼此反應，形成一網狀物，該網狀物包含該些為一些與另一些聚硫醇配位基交聯之聚硫醇配位基所包圍之奈米晶體與該些過量之聚硫醇。換言之，每一核心為至少一聚硫醇配位基所包圍，而且在該經交聯奈米晶體網狀物中，每一為至少一聚硫醇配位基所包圍之核心係與至少一包圍另一核心之另一聚硫醇配位基交聯。較佳地，該經交聯奈米晶體網狀物係透過一些共價鍵形成。圖 二說明此網狀物之結構。
依據本發明，一種發光薄膜具有從2nm至2000nm之厚度，較佳地，從3nm至1000nm，更佳地，從4nm至500nm，尤其更佳地，從4nm至150nm，而且最佳地，從5nm至45nm。
依據本發明，該發光薄膜能以數種將全部成分混合在一起且形成一薄膜之方式製備。
在一較佳實施例中，依據本發明，製備一發光薄膜包含下列步驟：(1)混合一包含半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基，以形成一反應性膠狀奈米晶體；(2)可選擇地加入至少一溶劑至步驟(1)之產物中；(3)由步驟(2)之混合物形成一薄膜；以及(4)可選擇地加以熱固化。
較佳地，步驟(2)之混合物濃度係從1mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中至200mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中，較佳地，從3mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中至50mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中，而且更佳地，5mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中至30mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中。
在該薄膜形成程序中，該溶劑係用來作為一載體(carrier)，以使該薄膜沉積，卻在該薄膜形成時，不扮演任何活性角色。適合用於本發明之溶劑可為任何有機溶劑，只要該有機溶劑能夠分散該些奈米晶體。較佳地，合適之溶劑係選自由氯仿(chloroform)、四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)、苯甲醚(anisole)、 甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、氯苯(chlorobenzene)、二氯苯(dichlorobenzene)、1,3,5-三甲苯(mesitylene)、四氫萘(tetralin)、環己苯(cyclohexylbenzene)、二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide，DMSO)、n-甲基-2-吡咯啶酮(n-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、二甲基乙醯胺(dimethylacetamide，DMAc)與其混合物所組成之群組。
在步驟(3)中，薄膜之成形可以旋轉塗佈(spin coating)、液滴塗佈(drop casting)、狹縫式塗佈(slot die)、浸沾式塗佈(dip coating)、噴塗(spray coating)、噴墨印刷(inkjet printing)、網版印刷(screen printing)、凹版印刷(gravure printing)、氣溶膠印刷(aerosol printing)、刮刀(doctor blade)來完成。較佳地，該薄膜之成形可以旋轉塗佈、液滴塗佈或噴墨印刷來完成。
當該薄膜之成形係以旋轉塗佈完成時，該旋轉塗佈速率係從100rpm至10000rpm，較佳地，從500rpm至4000rpm。
在一較佳實施例中，熱固化係用來作為步驟(4)，該固化溫度係從25℃至250℃，較佳地，從100℃至180℃。而且熱固化時間係從0至180分鐘，較佳從10分鐘至30分鐘。
依據本發明，該發光薄膜之成形，確保薄膜成形時，各種奈米晶體性質沒有任何減少。
本發明亦包含一奈米發光裝置，其包含一多層結構，該多層結構包含一本發明之發光薄膜層、一陰極層與一陽極層。依據本發明，該奈米晶體發光裝置之一般結構於圖三與圖四中說明。圖三中，說明該奈米晶體發光裝置有四層：(1)陰極、(2)奈米晶體薄膜、(3)陽極與(4)基板。圖四中，說明該奈米晶體發光裝置有六層：(1)陰極、(2)電子傳輸層(ETL)、(3)奈米晶體薄膜、(4)電洞傳輸層 (HTL)、(5)陽極與(6)基板。
為了在該發光薄膜之兩側施加電壓，需要電極層(陰極層與陽極層)。優選其一電極為透明電極，而另一電極為高反射電極。一些透明電極之實例為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。一些不透明電極之實例為鋁或銀。
在一實施例中，一奈米晶體發光裝置進一步包含一基板。任何能承受製備程序溫度之基板，便能夠使用於本發明中。能夠使用於本發明之基板，其合適之非限制實例為玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(Poly(ethylene terephthalate)，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate)，PMMA)、聚(乙烯萘二甲酸酯)(Poly(ethylene naphthalate)，PEN)、聚亞醯胺(poly(imide))、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、金屬箔、矽晶片(silicon)、瓷磚(tiles)或紡織品(textiles)。
較佳地，一奈米晶體發光裝置進一步包含至少一電子傳輸層與/或至少一電洞傳輸層。
該至少一電洞傳輸層係由能傳輸電洞之材料所形成，而且該電子傳輸層係由能傳輸電子之材料所形成。用於本發明中，一些電洞傳輸層材料之合適實例係選自由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，PEDOT)/聚苯乙烯對磺酸鹽(polystyrene parasulfonate，PSS)、各種聚N-乙烯咔唑(poly(N-vinylcarbazole))之衍生物、各種聚對位苯基乙烯(polyphenylenevinylene)之衍生物、各種聚對次酚(polyparaphenylene)之衍生物、各種聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylate)之衍生物、聚(9,9-辛基 芴)(poly(9,9-octylfluorene))之衍生物、各種聚(螺芴)(poly(spiro-fluorene))之衍生物、各種聚(3-己基噻吩-2,5-二基)之衍生物、各種聚苯胺(polyaniline)之衍生物等所組成之群組。用於本發明中，一些合適之電子傳輸層之實例係選自由氧化鋅(zinc oxide)、二氧化鈦(titanium dioxide)、各種噁唑(oxazoles)、各種異噁唑(isooxazoles)、各種三唑(triazoles)、各種異噻唑(isothiazoles)、各種氧基二唑(oxydiazoles)、各種噻二唑(thiadiazoles)、各種苝(perylenes)、與各種含參(8-羥基喹啉)鋁(tris(8-hydroxyquinoline)-aluminum，Alq3)之鋁錯合物(aluminum complexes)所組成之群組。
較佳地，當電洞與電子傳輸層在該奈米晶體發光裝置中，該發光層係設置於該電洞與電子傳輸層間。
可選擇地，該NC-LED可進一步包含一電洞注入層、一電子注入層、一電洞阻隔層或一電子阻隔層。一些注入層之特定實例包括鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈣/鋁(Ca/Al)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)與銀：鎂合金(Ag：Mg alloys)，但不以此為限。一些阻隔層之特定實例包括3-苯基-4-(1-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(3-phenyl-4-(1-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole，TAZ)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，BCP)、各種啡啉(phenanthrolines)、各種咪唑(imidazoles)、各種三唑(triazoles)、各種噁二唑(oxadiazoles)與各種鋁錯合物(aluminum complexes)，但不以此為限。
依據本發明，該奈米晶體發光裝置能使用所屬技術領 域中各種通常技術來製備。形成一NC-LED之各不同層，能使用各種標準薄膜沉積技術來製備。其他所使用之各種製造技術之實例為旋轉塗佈、噴墨印刷、網版印刷、熱蒸鍍(thermal evaporation)、離子束蒸鍍(ion beam evaporation)或濺鍍(sputtering)。
依據本發明，該發光薄膜允許全溶液處理NC-LED之製造。依據本發明，在該發光薄膜中，該些奈米晶體係彼此以共價交聯，因此，其不受後續製造步驟中，為了組裝該奈米晶體發光裝置，所使用溶劑之影響。
各種實例 實例1 功能化硫化銦銅/硫化鋅-TEMPIC(CuInS/ZnS-TEMPIC)奈米晶體之合成：
在一三頸燒瓶(配有一攪拌機)中，將0.08g碘化銅(Cul)、0.4g三醋酸銦(In(OAc)3)與0.16ml硒化二苯基膦(diphenylphosphine selenide，DPPSe)加到10ml參[2-(3-氫硫基丙醯基氧基)乙基]異三聚氰酸酯(Tris[2-(3-mercaptopropionyloxy)ethyl]iso-cyanurate，TEMPIC)。將溫度升高至190℃，10分鐘。然後將0.6g二醋酸鋅(Zn(OAc)2)與5mlTEMPIC之混合物加到該核心溶液中，然後將該混合物在230℃下，進一步加熱60分鐘。之後，將0.6g硬脂酸鋅(ZnSt2)與5mlTEMPIC加到該核/殼溶液中，並且將該混合物在230℃下，再加熱30分鐘。將該溶液冷卻至室溫，並且以4500rpm離心10分鐘。然後使用甲醇與氯仿，將該硫硒化銦銅/硫化鋅/硫化鋅(CuInSeS/ZnS/ZnS)奈米晶體，以三次沉澱/分散循環(cycle)純化。最後，將該經純化之材料溶 於氯仿(200mg/mL)中，並且儲存於冰箱中。該溶液之光激發光量子產率(PL-QY)，在400nm時，為32.1%。
薄膜成形：
將該奈米晶體溶液以1.2與0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在一玻璃基板上，並且立即以2000RPM旋轉塗佈30秒。接著，在150℃，將該薄膜退火40分鐘。可形成一約1μm之固體薄膜。該薄膜之光激發光量子產率(PL-QY)，在400nm時，為31.1%。
實例2 NC-LED裝置製造：
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，並且在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘，將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板上，直到要旋轉塗佈下一層為止。該奈米晶體溶液依序地以1.2與0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以1000RPM，旋轉塗佈30秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中20分鐘，使其交聯。然後將60μl氧化鋅(ZnO)奈米粒子(BYK 3821)(在異丙醇中)(30 mg/mL)，以6000RPM旋轉塗佈於該發光薄膜之頂部上。在該旋轉塗佈後，在100℃下，加熱該堆疊物(stack)10分鐘。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在20V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例3： 經功能化硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)-TEMPIC奈米晶體之合成
將0.09g碘化銅(CuI)與0.6g三醋酸銦(In(OAc)3)溶於40mlTEMPIC中，在210℃下，將該混合物加熱5分鐘。將0.6g硬脂酸鋅(ZnSt2)與10mlTEMPIC之混合物加至該溶液，並且接著將該混合物加熱直到225℃、15分鐘，可得一紅色半導體膠狀NC溶液(硫化銦銅/硫化鋅-TEMPIC)(CuInS/ZnS-TEMPIC)。純化時，將該溶液分散於過量氯仿(chloroform)中，以甲醇沉澱，以4000rpm離心10分鐘，而且接著傾析(decanted)。將此循環(cycle)重複三次。最終，將所得之奈米晶體再分散於氯仿中。
NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W 氧氣電漿進行處理10分鐘，將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將該奈米晶體溶液以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以4000RPM，旋轉塗佈30秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中20分鐘，使其交聯。該薄膜之厚度為20nm。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在12V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例4： 經功能化之硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)-KarenzMTTM PE1奈米晶體之合成
將0.05g碘化銅(CuI)與0.3g三醋酸銦(In(OAc)3)溶於10ml KarenzMTTM PE1中，將該混合物在195℃下加熱10分鐘。將5g硬脂酸鋅(ZnSt2)與10ml KarenzMTTM PE1之混合物加到該溶液，而且接著將該混合物在195℃下加熱60分鐘。可得一橘色半導體膠狀NC溶液(CuInS/ZnS-KarenzMTTM PE1)。純化時，將該溶液分散於過量氯仿(chloroform)中，以甲醇沉澱，以4000rpm離心10分鐘，而且 接著傾析(decanted)。將此循環(cycle)重複三次。最終，將所得之奈米晶體再分散於氯仿中。
NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘，將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將該奈米晶體溶液以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以1000RPM，旋轉塗佈30秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中30分鐘，使其交聯。該薄膜之厚度為20nm。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在15V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例5： 經功能化之銅：硫化銦鋅(Cu：ZnInS)-KarenzMTTM PE1 奈米晶體之合成
將0.01g碘化銅(CuI)與0.25g二醋酸鋅(Zn(OAc)2)與0.2g三醋酸銦(In(OAc)3)溶於10ml KarenzMTTM PE1中，將該混合物在210℃下加熱20分鐘。可得一黃色半導體膠狀NC溶液(Cu：ZnInS-KarenzMTTM PE1)。最後，將所得之奈米晶體再分散於氯仿(chloroform)中。
NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘。將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將該奈米晶體溶液以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以1000RPM，旋轉塗佈30秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中30分鐘，使其交聯。該薄膜之厚度為15nm。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在7V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例6 NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘。將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將聚(9-乙烯咔唑)(Poly(9-vinylcarbazole))(西格瑪艾德利其(Sigma Aldrich)25.000-50.000g/mol)溶於氯苯(chlorobenzene)(10mg/ml)中，並且將其沉積於該PEDOT：PSS層之頂部上，將一60μl液滴，以3000RPM旋轉塗佈60秒。接著將該薄膜在150℃熱板上退火20分鐘。將在實例1中所合成之奈米晶體溶液，以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該聚(9-乙烯咔唑)層上，並且立即以1000RPM，旋轉塗佈60秒。接著，將該薄膜置於一150℃熱板上10分鐘。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分 鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(紐系爾Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在20V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例7 經功能化之銅：硫化銦鋅(Cu：ZnInS)-KarenzMTTM PE1奈米晶體之合成
將0.015g碘化銅(CuI)與0.20g三醋酸銦(In(OAc)3)與0.30g二醋酸鋅(Zn(OAc)2)溶於10ml KarenzMTTM PE1中，將該混合物在215℃下加熱20分鐘。讓該混合物冷卻至室溫，可得一微黃色反應性膠狀半導體奈米晶體。然後，將該些奈米晶體分散於氯仿(chloroform)(10mg/ml)中。
NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，接著，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘。將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將該奈米晶體溶液以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之 50μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以500RPM，旋轉塗佈60秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中50分鐘，使其交聯。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(紐系爾Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在14V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例8 經功能化之磷化銦/硫化鋅(InP/ZnS)-KarenzMTTM PE1奈米晶體之合成
將0.4g氯化銦(InCl3)、0.24g氯化鋅(ZnCl2)溶於8g油醯胺(Oleylamine)中，將該混合物在220℃下加熱10分鐘，並且快速注入0.5ml參(二甲胺基)膦(tris(dimethylamino)phosphine)，四分鐘後，緩慢地注入2.5g KarenzMTTM PE1。在200℃下，再攪拌該反應15分鐘。可得許多淡紅色反應性膠狀半導體奈米晶體(InP/ZnS-KarenzMTTM PE1)，使用甲醇與氯仿，重複操作數次沉澱/分散循環來加以純化。將所得之奈米晶體溶於氯仿中。
NC-LED裝置製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，接著，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘。將聚(3,4-乙烯二氧噻 吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，直到要旋轉塗佈下一層為止。將該奈米晶體溶液以0.45μm之聚四氟乙烯(PTFE)濾紙(filters)過濾，然後將該經過濾溶液之60μl液滴倒在該PEDOT：PSS層上，並且立即以1000RPM，旋轉塗佈60秒。接著，將該薄膜置於一150℃烘箱中50分鐘，使其交聯。在該熱處理之後，以UV光照射時，該薄膜仍然顯示出發出淡紅色光。在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(紐系爾Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在12V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
實例9 噴墨列印NC-LED裝置之製造
一些NC-LED係在無塵室(ISO 5至7)中製造與封裝，除非另有明確說明不同。首先，將已先圖形化之ITO基板(歐系拉(Ossila))，在10wt%氫氧化鈉(NaOH)溶液中超音波震盪(sonicated)，然後在去離子水中沖洗兩次，之後，在電漿科技(Plasma Technics)之Tepla 300-E中，以500W氧氣電漿進行處理10分鐘。將聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-thylendioxythiophene)-聚苯乙烯磺酸鹽(poly(styrenesulfonate))(PEDOT：PSS)水溶液(西拉尤斯之CleviosTM P AI 4083)(Heraeus CleviosTM P AI 4083)，以5000RPM、30秒，旋轉塗佈於該已先圖形化之ITO基板上，並且將該薄膜置於150℃熱板(hot plate)上，15分鐘。
為了利用噴墨列印來沉積該發光薄膜，將在實例4中所合成之多功能奈米晶體溶液再溶於氯苯(chlorobenzene)與1,2-二氯苯(1,2-dichlorobenzene)(1：2)中，濃度為100mg/ml。接著，利用噴嘴直徑為21μm(笛馬第克斯之DMP-2831、DMC-11610)之印頭(printhead)噴出奈米晶體油墨調配物(formulation)，由508dpi之列印解析度可得厚度約25nm，接著，將該薄膜置於150℃熱板上、30分鐘，使其交聯。
在室溫下，使用一蔭遮罩(shadow mask)，以1.35Å/s之速率，將100nm超純鋁(99.999%)蒸鍍於該發光層之頂部上。然後在150℃下，將該些NC-LED熱退火15分鐘。將該些NC-LED以一光學矽氧樹脂(紐系爾Ls-6140)與一玻璃蓋封裝。
使用一半導體參數分析儀描繪該些裝置之電流-電壓(I-V)曲線特性。在15V以上電壓下，以肉眼觀察發出來之光線。
1‧‧‧陰極
2‧‧‧奈米晶體薄膜
3‧‧‧陽極
4‧‧‧基板

Claims (13)

  1. 一種發光薄膜，其包含一經交聯奈米晶體網狀物，其中該經交聯奈米晶體網狀物係由一些反應性膠狀奈米晶體所形成，該些反應性膠狀奈米晶體包含：(a)一含一半導體化合物之核心，其中該半導體化合物係選自由鋅(Zn)、銦(In)、銅(Cu)、硫(S)與硒(Se)所組成之群組之元素之組合；以及(b)至少一聚硫醇配位基，其係選自由各種一級硫醇、各種二級硫醇與其混合物所組成之群組，而且其中，該核心係為至少一聚硫醇配位基所包圍，並且其中，每一為至少一聚硫醇配位基所包圍之核心係與至少一包圍另一核心之另一聚硫醇配位基交聯，以及其中該奈米晶體不進行配位基交換程序，並且只有在合成過程中所存在之原始配位基才能附著。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之發光薄膜，其中該經交聯奈米晶體網狀物係透過一些共價鍵而形成。
  3. 根據申請專利範圍第1項或第2項所述之發光薄膜，其中該包含一半導體化合物之核心包含一核心與至少一單層或多層殼，或其中該包含一半導體化合物之核心包含一核心與至少二單層與/或多層殼。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述之發光薄膜，其中該核心包含一含銅之半導體化合物，其係選自由硫化銦銅(CuInS)、硫硒化銦銅(CuInSeS)、硫硒化銦鋅銅(CuZnInSeS)、硫化銦鋅銅(CuZnInS)、銅：硫化銦鋅(Cu：ZnInS)、硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)、銅：硫化銦鋅/硫化鋅(Cu：ZnInS/ZnS)及硫硒化銦銅/硫化鋅(CuInSeS/ZnS)所組成之群組。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述之發光薄膜，其中該核心包含一含銅之半導體化合物，其係選自由硫化銦銅/硫化鋅(CuInS/ZnS)、硫硒化銦銅/硫化鋅(CuInSeS/ZnS)、銅：硫化銦鋅/硫化鋅(Cu：ZnInS/ZnS)所組成之群組。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之發光薄膜，其中該聚硫醇配位基具有至少2官能性。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之發光薄膜，其中該至少一聚硫醇配位基係選自由季戊四醇 四(3-丁酸氫硫酯)(pentaerythritol tetrakis(3-mercaptobutylate))、季戊四醇 四-3-丙酸氫硫酯(pentaerythritol tetra-3-mercaptopropionate)、三羥甲基丙烷三(3-丙酸氫硫酯)(trimethylolpropane tri(3-mercaptopropionate))、參[2-(3-氫硫基丙醯基氧基)乙基]異三聚氰酸酯(tris[2-(3-mercaptopropionyloxy)ethyl]isocyanurate)、雙季戊四醇六(3-丙酸氫硫酯)(dipentaerythritol hexakis(3-mercaptopropionate))、經乙氧基化-三羥甲基丙烷 三-3-丙酸氫硫酯(ethoxilated-trimethylolpropan tri-3-mercaptopropionate)、氫硫基功能之甲基烷基矽氧聚合物(mercapto functional methylalkyl silicone polymer)及其混合物所組成之群組。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述之發光薄膜，其中該至少一聚硫醇配位基係參[2-(3-氫硫基丙醯基氧基)乙基]異三聚氰酸酯(tris[2-(3-mercaptopropionyloxy)ethyl]isocyanurate)。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之發光薄膜，其中該發光薄膜之厚度係從2nm至2000nm。
  10. 一種製備根據申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之發 光薄膜之程序，其包含下列步驟：(1)混合一包含半導體化合物之核心與至少一聚硫醇配位基，以形成一反應性膠狀奈米晶體；(2)可選擇地加入至少一溶劑至步驟(1)之產物中；(3)由步驟(2)之混合物形成一薄膜；以及(4)可選擇地加以熱固化。
  11. 一種製備根據申請專利範圍第10項所述之發光薄膜之程序，其中步驟(2)之混合物濃度係從1mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中至200mg反應性膠狀奈米晶體在1ml溶劑中。
  12. 一種奈米晶體發光裝置，其包含一多層結構，該多層結構包含(a)一根據申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之發光薄膜；(b)一陰極層；與(c)一陽極層。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述之奈米晶體發光裝置，更包含至少一電子傳輸層與/或至少一電洞傳輸層。
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