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TWI685993B - 包含小分子半導體化合物及非導體聚合物之薄膜半導體與有機半導體溶液及該溶液之用途 - Google Patents

包含小分子半導體化合物及非導體聚合物之薄膜半導體與有機半導體溶液及該溶液之用途 Download PDF

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湯瑪斯 傑斯諾
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Abstract

本發明係關於一種薄膜半導體，其包含式I或式II之化合物
Figure 104128495-A0305-02-0001-1
其中：R1及R2在每次出現時係獨立地選自C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基及C1-30鹵烷基，R3、R4、R5及R6獨立地為H或拉電子基團，其中R3、R4、R5及R6中之至少一者為拉電子基團；以及非導體聚合物。

Description

包含小分子半導體化合物及非導體聚合物之薄膜半導體與有機半導體溶液及該溶液之用途
本發明係關於一種包含小分子半導體化合物及非導體聚合物之薄膜半導體，關於含有該化合物、該聚合物及溶劑之溶液，及關於該溶液用以生長大面積結晶半導體薄膜之用途。
有機場效電晶體(OFET)為基於低成本及環境友好半導體材料之用於下一代電子開關的有力候選者，該等半導體材料亦為輕質且可撓的。用於新工業應用之大面積電子器件尤其需要經溶液處理之高效能場效器件，其經由使用習知矽技術尚未考慮到。與習知真空方法相比，諸如印刷之方法能實現簡單的高產量製造，歸因於必需之巨大真空腔室，習知真空方法對於大面積器件為不具有成本效益的。可容易地將諸如旋轉塗佈及滴落塗佈之習知技術應用於大面積器件製造。然而，基於聚合物或可溶小分子半導體之OFET的效能仍然無法令人滿意；針對經溶液處理之OFET所報導的典型載體遷移率保持為約0.1cm2 V-1 s-1。晶粒界及隨機分子定向之存在可妨礙電荷傳輸。
為了改進分子對準中的週期性，最近已提出若干溶液方法用於生長單晶有機半導體膜(H.Minemawari,T.Yamada,H.Matsui,J.Tsutsumi,S.Haas,R.Chiba,R.Kumai，及T.Hasegawa：Nature 475(2011)364；J.Soeda,T.Uemura,Y.Mizuno,A.Nakao,Y.Nakazawa,A. Facchetti，及J.Takeya：Adv.Mater.23(2011)3681；G.Giri,E.Verploegen,S.C.B.Mannsfeld,S.Atahan-Evrenk,D.H.Kim,S.Y.Lee,H.A.Becerril,A.Aspuru-Guzik,M.F.Toney，及Z.Bao：Nature 480(2011)504；K.Sakamoto,J.Ueno,K.Bulgarevich，及K.Miki：Appl.Phys.Lett.100(2012)123301)。T.Uemura,Y.Hirose,M.Uno,K.Takimiya，及J.Takeya：Appl.Phys.Express 2(2009)111501及K.Nakayama,Y.Hirose,J.Soeda,M.Yoshizumi,T.Uemura,M.Uno,W.Li,M.J.Kang,M.Yamagishi,Y.Okada,E.Miyazaki,Y.Nakazawa,A.Nakao,K.Takimiya，及J.Takeya：Adv.Mater.23(2011)1626描述一種用於產生高度結晶有機半導體膜之方法，該方法使經溶液處理之薄膜電晶體(TFT)的載體遷移率增加一個以上數量級，達到5-10cm2 V-1 s-1。該方法使用邊緣控制附著液滴之形狀，使得液體之厚度隨著距固體邊緣之距離增大而逐漸減小。此方法經由溶劑之非對稱蒸發控制晶體生長的方向，且允許形成連續的均勻結晶膜。邊緣鑄造膜為高度結晶的，其引起極高之遷移率。然而，藉由此技術製備之晶體並不會生長到次毫米尺寸以上，因為當全部溶劑都蒸發時製程結束。因此，該方法並不適用於溶液方法通常最適合的大面積電子器件。
J.Soeda,T.Uemura,T.Okamoto,C.Mitsui,M.Yamagishi，及J.Takeya：Inch-Size Solution-Processed Single-Crystalline Films of High-Mobility Organic Semiconductors,Applied Physics,Express 6(2013)076503報導一種藉由控制晶體生長方向製造顯著較大區域的單晶有機半導體的改良型邊緣鑄造溶液結晶技術。使用可移動的固體刀片邊緣使有機半導體液滴保持矩形，使得自基板之水平表面量測之液-氣邊界的液位輪廓線平行於刀片邊緣。藉由以與溶劑蒸發相同之速率補充有機半導體溶液來使得矩形液滴保持相同尺寸。因此，大區域晶體膜持續生長至若干吋之尺寸。獲得大於3×2cm2之尺寸的方形晶體且 製備TFT陣列以檢驗OFET效能。使用X射線繞射(XRD)量測值確定單晶薄膜之結晶度。
本發明之一個目標為提供基於可溶小分子半導體之大區域結晶半導體薄膜。
藉由包含式I或式II之化合物的薄膜半導體實現該目標
Figure 104128495-A0305-02-0006-4
其中：R1及R2在每次出現時係獨立地選自C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基及C1-30鹵烷基，R3、R4、R5及R6獨立地為H或拉電子基團，其中R3、R4、R5及R6中之至少一者為拉電子基團；以及非導體聚合物。
本發明人已發現可藉由將非導體聚合物與有機半導體溶液混合來控制溶劑之乾燥速度，由此穩定薄膜之生長過程且改良薄膜之結晶度。在較佳實施例中，將聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)用作非導體聚合物。其他適合之非導體聚合物為例如聚苯乙烯及聚對苯二甲酸伸乙酯。
在較佳實施例中，式I及式II中之R1及R2在每次出現時係選自C1-12烷基及C1-12鹵烷基。
一般而言，式I及式II中之R3、R4、R5及R6中的每一者係選自H、F、Cl、Br、I及-CN。
在第一較佳實施例中，式I及式II中之R3與R4中的每一者為Br或-CN且R5與R6為H。
在第二較佳實施例中，式I與式II中之R3與R6中的每一者為Br或-CN且R4與R5為H。
具有式Ia或式Ib之化合物為極佳的
Figure 104128495-A0305-02-0007-5
其中R'、R"在每次出現時係選自C1-12烷基及C1-12鹵烷基，且R3、R4及R6係如上文所定義。
式I之極佳化合物的實例為
Figure 104128495-A0305-02-0008-6
式II之極佳化合物的實例為
Figure 104128495-A0305-02-0008-7
本發明亦關於一種含有式I或式II之化合物、非導體有機聚合物及溶劑之溶液，以及溶液用以在基板上生長結晶半導體薄膜之用途。
可在其中充分溶解式I及式II之化合物的任何高沸點有機溶劑為適合的。較佳為具有高於150℃、更佳高於170℃之沸點的高沸點芳香烴及鹵化芳香烴，例如鄰二氯苯及四氫萘。非導體聚合物較佳為聚 (甲基丙烯酸甲酯)。
式I及式II之半導體化合物以及非導體聚合物一般以各自0.1重量%至1.0重量%的濃度使用。溶液及半導體膜中半導體化合物對非導體聚合物的重量比一般為5：1至1：5，較佳為2：1至1：2，例如1：1。
較佳地使用以上所述之改良型邊緣鑄造方法生長半導體膜。經由使用可移動的溶液保持刀片來持續生長大面積單晶有機半導體薄膜。在刀片邊緣生長p型及n型低分子量有機半導體的高度均勻薄膜，尺寸高達10cm×10cm。XRD確認膜之結晶度極佳。基於大區域晶體膜之陣列式OFET顯現5-10cm2 V-1 s-1之極佳遷移率。晶體生長方法為容易的，且可用於在高速有機半導體TFT之低成本印刷製造中的高產量大面積印刷。
實例
實例1
將選自以上展示之三種實例化合物(1)-(3)的半導體材料以0.1重量%的濃度溶解於典型芳族溶劑(諸如鄰二氯苯(bp=180℃)或四氫萘(bp=206℃))中。向此溶液中添加且溶解0.1重量%之聚(甲基丙烯酸甲酯)。
使用經苯基取代的基於矽烷之自組裝單層[三甲氧基(2-苯乙基)矽烷，ß-PTS]處理玻璃基板以增加溶液於基板上的潤濕性。使用注射泵，以恆速向基板上之刀片邊緣供應含有半導體及聚合物之溶液。將基板溫度保持於80℃，且基板與刀片之間的間隙為200μm。在圖1中所指示之方向上以30μm/s之速度緩慢移動刀片以在刀片邊緣生長薄膜晶體。
圖2展示含有半導體化合物及PMMA的n型溶液結晶TFT的典型傳遞特徵。
圖3展示含有半導體化合物及PMMA的n型溶液結晶TFT的輸出特 徵。
實例2
將實例化合物(3)以0.15重量%之濃度溶解於苯甲醚中。向此溶液中添加且溶解0.042重量%之聚(甲基丙烯酸甲酯)。
自此溶液生產BGTC器件。藉由如實例1中之連續邊緣鑄造，在將溶液及基板溫度保持在100℃的同時，在經過摻雜Si上之ß-PTS處理過的SiO2上製造薄膜晶體層。器件表徵指示電子遷移率為0.28cm2/Vs且臨限電壓為4.2V。
圖1展示在所指示之方向上以30μm/s之速度緩慢移動刀片以在刀片邊緣生長薄膜晶體。
圖2展示含有半導體化合物及PMMA的n型溶液結晶TFT的典型傳遞特徵。
圖3展示含有半導體化合物及PMMA的n型溶液結晶TFT的輸出特徵。
Figure 104128495-A0305-02-0003-3

Claims (9)

  1. 一種薄膜半導體，其包含式I或式II之化合物
    Figure 104128495-A0305-02-0011-8
     其中：R1及R2在每次出現時係獨立地選自C1-30烷基、C2-30烯基、C2-30炔基及C1-30鹵烷基，R3、R4、R5及R6獨立地為H或選自F、Cl、Br、I及-CN之拉電子基團，其中R3、R4、R5及R6中之至少一者為拉電子基團；以及非導體聚合物，其中該非導體聚合物為聚(甲基丙烯酸甲酯)，且其中在該薄膜半導體中，該式I或式II之化合物對該非導體聚合物的重量比為5：1至1：5。
  2. 如請求項1之薄膜半導體，其中R1及R2在每次出現時係選自C1-12烷基及C1-12鹵烷基。
  3. 如請求項1之薄膜半導體，其中R3與R4中之每一者為Br或-CN且R5與R6為H。
  4. 如請求項1之薄膜半導體，其中R3與R6中之每一者為Br或-CN且R4與R5為H。
  5. 如請求項1之薄膜半導體，該化合物具有式Ia或式Ib
    Figure 104128495-A0305-02-0012-9
     其中R'、R"在每次出現時係選自C1-12烷基及C1-12鹵烷基，且R3、R4及R6係如請求項1所定義。
  6. 如請求項1之薄膜半導體，其中該式I之化合物為
    Figure 104128495-A0305-02-0013-10
  7. 如請求項1之薄膜半導體，其中該式II之化合物為
    Figure 104128495-A0305-02-0013-11
  8. 一種有機半導體溶液，其含有如請求項1中所定義之式I或式II之化合物及非導體聚合物，及溶劑。
  9. 一種使用如請求項8之溶液在基板上生長結晶半導體薄膜之方法。
TW104128495A 2014-08-28 2015-08-28 包含小分子半導體化合物及非導體聚合物之薄膜半導體與有機半導體溶液及該溶液之用途 TWI685993B (zh)

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