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TWI665665B - 具複數個記錄層之可抑制偏離軌道之光記錄媒體 - Google Patents

具複數個記錄層之可抑制偏離軌道之光記錄媒體 Download PDF

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TWI665665B
TWI665665B TW104100984A TW104100984A TWI665665B TW I665665 B TWI665665 B TW I665665B TW 104100984 A TW104100984 A TW 104100984A TW 104100984 A TW104100984 A TW 104100984A TW I665665 B TWI665665 B TW I665665B
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TW
Taiwan
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layer
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reflectance
recording medium
optical recording
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TW104100984A
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TW201539437A (zh
Inventor
太田陽
高橋謙作
宮脇真奈美
Original Assignee
日商新力股份有限公司
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Publication date
Application filed by 日商新力股份有限公司 filed Critical 日商新力股份有限公司
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Abstract

本發明之光記錄媒體具備可接收入射光之光照射面及資訊信號可被光記錄於其上之至少3個資訊信號層。上述至少3個資訊信號層中，距上述光照射面最近之上述資訊信號層具有範圍為4%~11%之反射率。

Description

具複數個記錄層之可抑制偏離軌道之光記錄媒體
本技術係關於一種光記錄媒體。詳細而言係關於一種具備複數個資訊信號層之光記錄媒體。
於BD(Blu-ray Disc(註冊商標))等高密度之光記錄媒體中，為了使記錄容量增大而廣泛採用使資訊信號層多層化之技術。於多層型光記錄媒體中，通常自光照射面觀察之各資訊信號層之反射率相同。例如，專利文獻1中記載有於具有3層以上記錄層之多層光碟中，使各層之反射率大致固定。
近年來，期望進一步增大多層型光記錄媒體之記錄容量。為了滿足該要求，而研究對多層型光記錄媒體採用於凹軌及凸軌兩者記錄資料之方式(以下視情況稱為「平台/溝槽記錄方式」)代替於凹軌記錄資料之方式(以下視情況稱為「溝槽記錄方式」)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
日本專利第4873094號公報
多層型光記錄媒體容易於距光照射面最近之資訊信號層產生偏離軌道(off-track)。此種偏離軌道於平台/溝槽記錄方式時會導致較溝 槽記錄方式更嚴重之問題。
因此，本技術之目的在於提供一種可抑制偏離軌道之產生之光記錄媒體。
為了解決上述問題，本技術係一種光記錄媒體，其具備複數個資訊信號層，且複數個資訊信號層中距光照射面最近之資訊信號層之反射率超過4%。
本技術由於距光照射面最近之資訊信號層之反射率超過4%，故而可減小距光照射面最近之資訊信號層之厚度。因此，可抑制成膜時之資訊信號層之形狀之變形。
如以上所說明般，根據本技術可抑制偏離軌道之產生。
10‧‧‧光記錄媒體
11‧‧‧基板
12‧‧‧光透過層
21‧‧‧記錄層
22、23‧‧‧介電層
C‧‧‧光照射面
Gv‧‧‧溝槽
Gd‧‧‧平台
L、L0~L2‧‧‧資訊信號層
Ld‧‧‧平台
pmax‧‧‧最大位置
pmin‧‧‧最小位置
P0‧‧‧中心位置
S1、S2‧‧‧中間層
t1‧‧‧偏移量
t0‧‧‧週期
TCS‧‧‧跨軌信號
Tp‧‧‧間距
圖1A係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之外觀之一例的立體圖。圖1B係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之構成之一例的概略剖視圖。
圖2係表示各資訊信號層之構成之一例的模式圖。
圖3係用以說明跨軌信號之偏移率的概略圖。
圖4A係表示實施例1-1、1-2之光碟之反射率的圖。圖4B係表示實施例1-1、1-2之光碟之跨軌信號之偏移率的圖。
圖5係表示實施例2-1~2-7、比較例2-1~2-7之光碟之第3資訊信號層之反射率與跨軌信號之關係的圖。
圖6A係表示實施例3-1~3-3之光碟之溝槽之反射率的圖。圖6B係表示實施例3-1~3-3之光碟之跨軌信號之偏移率的圖。
圖7A係表示實施例4-1~4-3、5-1~5-3之光碟之｜△(i-MLSE)L- G｜與介電層之厚度比率t2/t1之關係的圖。圖7B係表示實施例6-1~6-3、7-1~7-3之光碟之跨軌信號之偏移率與介電層之厚度比率t2/t1之關係的圖。
圖8A係表示實施例5-2之光碟之i-MLSE的圖。圖8B係表示實施例5-2之光碟之跨軌信號之偏移率的圖。圖8C係表示實施例5-2之光碟之反射率的圖。
圖9A係表示實施例5-1~5-3之光碟之平台記錄時之NPPR與介電層之厚度比率t2/t1之關係的圖。圖9B係表示實施例5-1~5-3之光碟之溝槽記錄時之NPPR與介電層之厚度比率t2/t1之關係的圖。
於本技術中，資訊信號層之反射率係指光照射面側之資訊信號層之反射率。
本技術較佳為於基板上設置複數個資訊信號層，於該資訊信號層上設置覆蓋層。該覆蓋層之厚度並無特別限定，覆蓋層包含基板、片材、塗佈層等。高密度之光記錄媒體由於使用高NA(Numerical Aperture，數值孔徑)之物鏡，故而較佳為採用片材、塗佈層等較薄之光透過層作為覆蓋層，並自該光透過層側照射光，藉此進行資訊信號之記錄及再生。於此情形時，作為基板，亦可採用具有不透明性者。用於記錄或再生資訊信號之光之入射面係根據光記錄媒體之格式而適當設置於覆蓋層側及基板側之表面之至少一者。
於本技術中，就提昇保存可靠性之觀點而言，較佳為於資訊信號層之至少一表面進而具備介電層，更佳為於資訊信號層之兩者之表面具備介電層。就層構成或製造設備之簡化之觀點而言，較佳為於任一資訊信號層之表面均不設置介電層，而單獨使用資訊信號層。
於本技術中，就生產性之觀點而言，較佳為複數個資訊信號層全部具有相同之層構成。於複數個資訊信號層具有具備第1介電層、 記錄層、及第2介電層之相同之層構成之情形時，就生產性之觀點而言，較佳為第1介電層、記錄層及第2介電層之各者於各資訊信號層含有同一種材料。
按以下順序對本技術之實施形態進行說明。
1 概要 2 光記錄媒體之構成 3 光記錄媒體之製造方法 4 效果 [1 概要]
本發明者等人為了抑制平台/溝槽記錄方式之多層光記錄媒體之偏離軌道之產生而進行努力研究。溝槽記錄方式之多層光記錄媒體通常採用藉由加厚距光照射面最近之資訊信號層之膜厚，降低反射率，而將全部資訊信號層之反射率設定為2%~4%之構成。
然而，如上所述，若加厚距光照射面最近之資訊信號層之膜厚，則跨軌信號之偏移率變大。根據本發明者等人之見解，該情況係由以下原因所致。資訊信號層係藉由濺鍍等薄膜形成技術而成膜，故而於成膜時資訊信號層不均勻地附於平台及溝槽上，從而成膜有資訊信號層之平台及溝槽有其等之邊緣不對稱之傾向。如上所述，若加厚資訊信號層之膜厚，則會助長平台及溝槽之邊緣之非對稱性，故而跨軌信號之偏移率變大。
溝槽記錄方式之多層光記錄媒體由於不於凸軌記錄資訊信號，故而即便跨軌信號之偏移率變大，其偏移率亦成為被容許之範圍。然而，平台/溝槽記錄方式之多層光記錄媒體由於在凹軌及凸軌之兩者記錄資訊信號，故而若跨軌信號之偏移率變大，則有變得難以形成所需之記錄標記、或產生串擾之問題。
因此，本發明者等人為了解決上述問題而進行努力研究。結果 發現，藉由使距光照射面最近之資訊信號層之反射率為超過4%之值，而可抑制平台及溝槽之邊緣之非對稱性，降低跨軌信號之偏移率。
[2 光記錄媒體之構成]
圖1A係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之外觀之一例的立體圖。光記錄媒體10具有於中央設置有開口(以下稱為中心孔)之圓盤形狀。再者，光記錄媒體10之形狀並不限定於該例，亦可設為卡狀等。
圖1B係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之構成之一例的概略剖視圖。該光記錄媒體10係平台/溝槽記錄方式之多層之可錄式光記錄媒體，如圖1B所示具有於基板11之一主面依序積層有資訊信號層L0、中間層S1、資訊信號層L1、中間層S1、資訊信號層L2、作為覆蓋層之光透過層12之構成。再者，於以下說明中，於未特別區別資訊信號層L0~L2之情形時，稱為資訊信號層L。
資訊信號層L具有凹狀之軌道(以下稱為「凸軌」)及凸狀之軌道(以下稱為「凹軌」)。本實施形態之光記錄媒體10構成為可於凸軌及凹軌之兩者記錄資訊信號。就高記錄密度之觀點而言，凸軌與凹軌之間距Tp較佳為0.225μm以下。
於該一實施形態之光記錄媒體10中，藉由自光透過層12側之表面C將雷射光照射至各資訊信號層L0~L2而進行資訊信號之記錄或再生。例如，將具有400nm以上且410nm以下之範圍之波長之雷射光藉由具有0.84以上且0.86以下之範圍之數值孔徑之物鏡而聚光，自光透過層12之側照射至各資訊信號層L0~L2，藉此進行資訊信號之記錄或再生。作為此種光記錄媒體10，例如可列舉多層之BD-R。以下，將供用以於資訊信號層L0~L2記錄或再生資訊信號之雷射光照射之表面C稱為光照射面C。
以下，依序對構成光記錄媒體10之基板11、資訊信號層L0~L2、中間層S1、S2、及光透過層12進行說明。
(基板)
基板11例如具有於中央設置有中心孔之圓盤形狀。該基板11之一主面例如成為凹凸面，並於該凹凸面上成膜資訊信號層L0。本說明書中，將凹凸面中之凹部稱為平台Ld，將凸部稱為溝槽Gv。
作為該平台Ld及溝槽Gv之形狀，例如可列舉螺旋狀、同心圓狀等各種形狀。又，例如為了線速度之穩定化或附加位址資訊等而使平台Ld及/或溝槽Gv抖動(蛇行)。
基板11之徑(直徑)例如選擇為120mm。基板11之厚度係考慮硬度而選擇，較佳為0.3mm以上且1.3mm以下，更佳為0.6mm以上且1.3mm以下，例如選擇為1.1mm。又，中心孔之徑(直徑)例如選擇為15mm。
作為基板11之材料，例如可使用塑膠材料或玻璃，就成本之觀點而言，較佳為使用塑膠材料。作為塑膠材料，例如可使用聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂等。
(資訊信號層)
資訊信號層L0~L2至少具備藉由雷射光之照射而可記錄資訊信號之記錄層。資訊信號層L0~L2例如對於波長405nm、聚光透鏡之數值孔徑NA0.85具有35GB以上之記錄容量。距光照射面C最近之資訊信號層L2之厚度較佳為40nm以上且90nm以下，更佳為59nm以上且72nm以下。
圖2係表示各資訊信號層之構成之一例的模式圖。如圖2所示，資訊信號層L0~L2具備具有上側面(第2主面)及下側面(第1主面)之記錄層21、鄰接於記錄層21之下側面而設置之介電層23、及鄰接於記錄層21之上側面而設置之介電層22。藉由設為此種構成，而可提昇記錄 層21之耐久性。
(記錄層)
記錄層21例如含有包含第1金屬及第2金屬之複合氧化物。第1金屬係於為氧化物之情形時為大致透明，且其氧化物之消光係數k為0或接近0的材料。藉由記錄層21含有第1金屬氧化物，而可使第2金屬之氧化物之記錄時之熱膨脹不會過大。藉此，可確保較廣之記錄功率餘裕，又，可抑制記錄前後之透過率變動。第1金屬例如係選自由W、Zn、Mg、Zr、Si、In、Sn、Sb及Te所組成之群中之1種以上。第2金屬係於為氧化物之情形時具有一定程度之吸收係數α(即，一定程度之消光係數k)，且氧化物之標準生成自由能之絕對值小於第1金屬的材料。藉由記錄層21含有第2金屬之氧化物，而可使記錄層21吸收雷射光並轉換成熱，從而釋出氧而膨脹。第2金屬例如係選自由Mn、Pd、Fe、Ni、Cu、Ag及Ru所組成之群中之1種以上。
(介電層)
介電層22、23具有作為阻氣層之功能，藉由該功能而可提昇記錄層21之耐久性。又，介電層22、23藉由抑制自記錄層21之氧之逃逸、或向記錄層21之H2O之滲入，而可抑制記錄層21之膜質之變化(主要作為反射率之降低而被檢測出)，可確保作為記錄層21所必需之膜質。
就抑制平台記錄時及溝槽記錄時之歸一化推挽比(Normalized Push-Pull Ratio，NPPR)之變化之觀點而言，光透過層12側之介電層22之厚度t2相對於基板11側之介電層23之厚度t1之比率(t2/t1)較佳為0.75以上且1.5以下。
就降低跨軌信號之偏移率、或平台Ld及溝槽Gv之i-MLSE之差之絕對值之觀點而言，比率(t2/t1)較佳為約1。即，較佳為介電層22、23之厚度大致相同。
作為介電層22及介電層23之材料，例如含有選自由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物及氟化物所組成之群中之至少1種以上。作為介電層22及介電層23之材料，可使用相互相同或不同之材料。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg所組成之群中之1種以上之元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群中之1種以上之元素之氮化物，較佳為選自由Si、Ge及Ti所組成之群中之1種以上之元素之氮化物。作為硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物，較佳為選自由Si、Ti、及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群中之1種以上之元素之氟化物。作為該等之混合物，例如可列舉ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等。
(中間層)
中間層S1、S2發揮使資訊信號層L0~L2於物理及光學上具有充分之距離而隔開之效果，於其等表面設置有凹凸面。於其等凹凸面形成有例如同心圓狀或螺旋狀之平台Ld及溝槽Gv。中間層S1、S2之厚度較佳為設定為9μm~50μm。中間層S1、S2之材料並無特別限定，較佳為使用紫外線硬化性丙烯酸系樹脂。又，中間層S1、S2由於成為用以於裏側之層記錄或再生資訊信號之雷射光之光路徑，故而較佳為具有足夠高之透光性。
(光透過層)
光透過層12例如係使紫外線硬化樹脂等感光性樹脂硬化而成之樹脂層。作為該樹脂層之材料，例如可列舉紫外線硬化型丙烯酸系樹脂。又，亦可為由具有圓環形狀之透光性片材、及用於將該透光性片材貼合於基板11之接著層構成光透過層12。透光性片材較佳為包含對用於記錄及再生之雷射光而言吸收能較低之材料，具體而言，較佳為包含透過率90%以上之材料。作為透光性片材之材料，例如可使用聚碳酸酯樹脂材料、聚烯烴系樹脂(例如ZEONEX(註冊商標))等。作為接著層之材料，例如可使用紫外線硬化樹脂、感壓性黏著劑(PSA：Pressure Sensitive Adhesive)等。
光透過層12之厚度較佳為選自10μm以上且177μm以下之範圍內。藉由將此種較薄之光透過層12與例如0.85左右之經高NA(numerical aperture)化之物鏡組合，而可實現高密度記錄。
(硬塗層)
再者，雖未圖示，但亦可於光透過層12之表面(雷射照射面)進而設置硬塗層，該硬塗層用於例如針對機械衝擊或損傷之保護，且保護資訊信號之記錄再生品質免受利用者操作時之塵埃或指紋之附著等之影響。硬塗層可使用為了提昇機械強度而混入有矽膠之微粉末者、或溶劑型、無溶劑型等之紫外線硬化樹脂。為了具有機械強度，並具有撥水性或撥油性，較佳為將厚度設為自1μm至數μm左右。
(跨軌信號之偏移率)
圖3係用以說明跨軌信號之偏移率之概略圖。將跨軌信號(Track Cross Signal，TCS)之最大位置pmax或最小位置pmin自推挽信號之振幅之中心位置P0之偏移量定義為跨軌信號之偏移量t1。理想的是，較佳為跨軌信號之偏移量t1=0，但使偏移量t1=0通常較為困難，而成為偏移量t1>0。該偏移量t1之產生係起因於在成膜步驟中資訊信號層L未均勻地附於平台Ld及溝槽Gv，資訊信號層L相對於基板11之平台Ld 及溝槽Gv不對稱。偏移量t1有資訊信號層L之膜厚越厚則變得越大之傾向。
跨軌信號之偏移量t1相對於推挽信號之週期t0之比率(t1/t0)較佳為未達0.16，更佳為0.15以下，進而較佳為0.1以下。若比率(t1/t0)超過0.25，則成為偏離軌道，但若考慮驅動餘裕，則為未達0.16。
(反射率)
於本說明書中，將溝槽Gv中之未記錄狀態之資訊信號層L之反射率R稱為溝槽反射率Rg-v。又，將平台Ld中之未記錄狀態之資訊信號層L之反射率R稱為平台反射率R1-v。
複數個資訊信號層L0~L2中，距光照射面C最近之資訊信號層L2之溝槽反射率Rg-v較佳為4%<Rg-v，更佳為4%<Rg-v≦11%，進而較佳為4%<Rg-v≦8%，最佳為4.4%≦Rg-v≦8%。若4%<Rg-v，則可抑制偏離軌道之產生。於使用上述金屬之複合氧化物作為記錄材料之情形時，難以獲得11%<Rg-v之反射特性。若Rg-v≦8%，則能夠以厚度最薄之資訊信號層L0之厚度製作資訊信號層L2，可降低製造上之成本。再者，由於平台反射率R1-v與溝槽反射率Rg-v相比較高，故而可以說只要溝槽反射率Rg-v於上述反射率之範圍內，則平台反射率R1-v便於上述反射率之範圍內。
資訊信號層L0~L2中反射率最高之資訊信號層與反射率最低之資訊信號層之反射率之差較佳為1%以上。藉此，可提高資訊信號層L2之溝槽反射率Rg-v，降低跨軌信號之偏移率。資訊信號層L0~L2中，較佳為距光照射面C最近之資訊信號層L2之反射率最高。較佳為鄰接之2個資訊信號層L之反射率大致相等，或者鄰接之2個資訊信號層L中接近光照射面C之資訊信號層之反射率較高。
[3 光記錄媒體之製造方法]
繼而，對本技術之一實施形態之光記錄媒體之製造方法之一例 進行說明。
(基板之成形步驟)
首先，成形於一主面形成有凹凸面之基板11。作為基板11之成形之方法，例如可使用射出成形(Injection)法、光聚合法(2P法，Photo Polymerization)等。
(資訊信號層之形成步驟)
繼而，將基板11搬送至具備介電層形成用之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空至特定之壓力。其後，一面將氬氣或氧氣等處理氣體導入真空腔室內，一面對靶進行濺鍍，從而於基板11上成膜介電層23。作為濺鍍法，例如可使用高頻(RF)濺鍍法、直流(DC)濺鍍法，尤佳為直流濺鍍法。其原因在於：直流濺鍍法與高頻濺鍍法相比裝置便宜且成膜速率較高，故而可降低製造成本且提昇生產性。
繼而，將基板11搬送至上述具備記錄層成膜用之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空至特定之壓力。其後，一面將氬氣或氧氣等處理氣體導入真空腔室內，一面對靶進行濺鍍，從而於介電層23上成膜記錄層21。
繼而，將基板11搬送至具備介電層形成用之靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空至特定之壓力。其後，一面將氬氣或氧氣等處理氣體導入真空腔室內，一面對靶進行濺鍍，從而於記錄層21上成膜介電層22。作為濺鍍法，例如可使用高頻(RF)濺鍍法、直流(DC)濺鍍法，尤佳為直流濺鍍法。其原因在於：直流濺鍍法與高頻濺鍍法相比成膜速率較高，故而可提昇生產性。
藉由以上步驟，於基板11上形成資訊信號層L0。
(中間層之形成步驟)
繼而，例如藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均勻地塗佈於資訊信號層L0上。其後，使壓模之凹凸圖案抵壓於均勻地塗佈於資訊信 號層L0上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線而使其硬化後，將壓模剝離。藉此，將壓模之凹凸圖案轉印於紫外線硬化樹脂，例如於資訊信號層L0上形成設置有平台Ld及溝槽Gv之中間層S1。
(資訊信號層及中間層之形成步驟)
繼而，與上述資訊信號層L0及中間層S1之形成步驟同樣地，於中間層S1上依序積層資訊信號層L1、中間層S2、資訊信號層L2。
(光透過層之形成步驟)
繼而，例如藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂(UV樹脂)等感光性樹脂塗佈於資訊信號層L2上後，對感光性樹脂照射紫外線等光而使其硬化。藉此，可於資訊信號層L2上形成光透過層12。
藉由以上步驟而獲得作為目標之光記錄媒體10。
[4 效果]
於一實施形態之光記錄媒體中，資訊信號層L0~L2中距光照射面C最近之資訊信號層L2之反射率超過4%。藉此，可減小距光照射面C最近之資訊信號層L2之厚度，抑制因資訊信號層L2之成膜而導致之平台Ld及溝槽Gv之形狀之破壞。因此，可抑制跨軌信號之偏移量t1。即，可抑制偏離軌道之產生。
[實施例]
以下，藉由實施例對本技術進行具體說明，但本技術並不僅限定於該等實施例。
(實施例1-1)
首先，藉由射出成形而成形厚度1.1mm之聚碳酸酯基板。再者，於該聚碳酸酯基板上形成具有溝槽及平台之凹凸面。繼而，藉由濺鍍法於聚碳酸酯基板之凹凸面上依序積層介電層(基板側)、記錄層、介電層(光透過層側)。藉此，於聚碳酸酯基板之凹凸面上形成厚 度50nm之第1資訊信號層(以下稱為「L0層」)。將L0層之具體構成示於表1。
繼而，藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均勻地塗佈於L0層上。其後，使壓模之凹凸圖案抵壓於均勻地塗佈於L0層上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使其硬化後，將壓模剝離。藉此，形成具有溝槽及平台之中間層。
繼而，藉由於中間層之凹凸面上依序積層介電層(基板側)、記錄層、介電層(光透過層側)，而形成厚度57nm之第2資訊信號層(以下稱為「L1層」)。將L1層之具體構成示於表1。
繼而，藉由旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂均勻地塗佈於L1層上。其後，使壓模之凹凸圖案抵壓於均勻地塗佈於L1層上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使其硬化後，將壓模剝離。藉此，形成具有溝槽及平台之中間層。
繼而，藉由於中間層之凹凸面上依序積層介電層(基板側)、記錄層、介電層(光透過層側)，而形成厚度65nm之第3資訊信號層(以下稱為「L2層」)。將L2層之具體構成示於表1。
繼而，藉由旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均勻地塗佈於L2層上，對其照射紫外線使其硬化，藉此形成光透過層。藉由以上步驟而獲得作為目標之光碟(光記錄媒體)。
(實施例1-2)
如表1所示，變更L0層、L1層、L2層各層之厚度，除此以外，與實施例1-1同樣地獲得光碟。
(反射率)
以如下方式對如上述般獲得之光碟之L0層、L1層、L2層之反射率進行評價。
以如下方式測定反射率基準碟片之溝槽之反射率R0。首先，於 形成有平台及溝槽之基板表面成膜非晶矽層後，於非晶矽層上形成覆蓋層，藉此獲得單層(Single Layer，SL)構成之反射率基準碟片。繼而，利用多入射角分光式橢圓儀(J.A.Woollam Japan公司製造)測定405nm之反射率基準碟片之溝槽之反射率R0。
以如下方式求出反射率基準碟片之溝槽之反射光量V0、及欲被測定反射率之光碟(以下稱為「被測定碟片」)之溝槽之反射光量V1。首先，利用碟片評價機(Pulstec公司製造，ODU-1000)固定再生功率Pw(Pr0)而測定來自反射率基準碟片之溝槽之反射光量V0。繼而，利用該評價機，以再生功率Pr0測定來自被測定碟片之溝槽之反射光量V1。此處，反射光量V0、V1均為針對波長405nm之雷射光者。
將如上述般測定之反射率R0及反射光量V0、V1代入下述式，藉此求出反射率R1(Rg-v)。將其結果示於圖4A。
R1=(R0/V0)×V1
(跨軌信號之偏移率)
以如下方式測定如上述般獲得之光碟之L0層、L1層、L2層之跨軌信號之偏移率。首先，利用示波器獲取推挽信號及跨軌信號。繼而，對所獲取之推挽信號中之任意之區間測定推挽信號之週期t0。繼而，對與測定出推挽信號之週期之區間相同之區間測定跨軌信號之偏移量t1。繼而，求出跨軌信號之偏移量t1相對於推挽信號之週期t0之比率(t1/t0)作為跨軌信號之偏移率。將其結果示於圖4B。
表1係表示實施例1-1、1-2之光碟之構成。
根據圖4A、圖4B可確認以下內容。
於實施例1-1中，由於成為光透過層側之介電層之膜厚與實施例1-2相比較薄，故而各層之反射率(尤其是L2層之反射率)與實施例1-2相比變高。藉此，L0層、L1層、L2層中反射率最高之L2層與反射率最低之L0層之反射率差△Rmax成為2%以上(具體而言為3%~4%之範圍內)。具有此種反射特性之實施例1-1之光碟與實施例1-2之光碟相比有偏移率變小之傾向。
另一方面，於實施例1-2中，由於成為光透過層側之介電層之膜厚與實施例1-1相比較厚，故而各層之反射率(尤其是L2層之反射率)與實施例1-2相比變低。藉此，L0層、L1層、L2層中反射率最高之L2層與反射率最低之L0層之反射率差△Rmax成為未達2%。具有此種反射特性之實施例1-2之光碟與實施例1-1之光碟相比有偏移率變大之傾向。
因此，就抑制偏離軌道之觀點而言，較佳為各層之反射率之平衡被破壞，反射率差△Rmax為2%以上。
(實施例2-1~2-7、比較例2-1~2-7)
於59nm~72nm之範圍內調整L2層之厚度，變更反射率，除此以外，與實施例1-1同樣地獲得光碟。
(反射率、跨軌信號之偏移率)
與實施例1-1、1-2同樣地對如上述般獲得之光碟之L2層之反射率及跨軌信號之偏移率進行評價。將其結果示於圖5。再者，圖5所示之近似直線rTCS(=-0.0265 R+0.2666)係根據利用最小平方法的線性近似而求出。
根據圖5可確認以下內容。
藉由將溝槽之反射率設為大於4.0%，而可使跨軌信號之偏移率成為未達0.16。
藉由將溝槽之反射率設為4.4%以上，而可使跨軌信號之偏移率成為0.15以下。
藉由將溝槽之反射率設為6.3%以上，而可使跨軌信號之偏移率成為0.1以下。
(實施例3-1~3-3)
如表2所示般調整L0層、L1層、L2層各層之厚度，變更反射率，除此以外，與實施例1-1同樣地獲得光碟。
(反射率、跨軌信號之偏移率)
與實施例1-1、1-2同樣地對如上述般獲得之光碟之L0層、L1層、L3層之反射率及跨軌信號之偏移率進行評價。將其結果示於圖6A、圖6B。
表2表示實施例3-1~3-3之光碟之構成。
根據圖6A、圖6B可確認以下內容。
於實施例3-1中，距光照射面最近之L2層之反射率為6%以上，且L0層、L1層、L2層中反射率最高之L2層與反射率最低之L0層之反射率差△Rmax成為3%以上。具有此種反射特性之實施例3-1之光碟可將L0層、L1層、L2層中偏移率最大之L2層之偏移率設為0.14以下。
於實施例3-2中，L2層之反射率為7%以上，且反射率差△Rmax成為4%以上。具有此種反射特性之實施例3-2之光碟可將L2層之偏移率設為0.08左右。
於實施例3-3中，L2層之反射率超過4%，且反射率差△Rmax成為1%以上。具有此種反射特性之實施例3-3之光碟可將L2層之偏移率設為0.14以下。
綜合以上評價結果，確認越是距光照射面最近之L2層之反射率較高，且反射率差△Rmax較大之光碟，越有偏移率變小之傾向。
確認距光照射面最近之L2之反射率較佳為超過4%，更佳為6%以上，進而較佳為7%以上。
確認反射率差△Rmax較佳為1%以上，更佳為3%以上，進而較佳為4%以上。
(實施例4-1~4-3)
如表3所示般變更L0層、L1層、L2層各層之厚度。又，藉由W-Zn-Mn-O構成L2層，並且將相對於W、Zn及Mn之總量之Mn之含量設為27原子%。再者，Mn係消光係數大於W及Zn之金屬材料。除上述以外，與實施例1-1同樣地獲得光碟。
(實施例5-1~5-3)
如表4所示般藉由W-Zn-Mn-Cu-O構成L2層，除此以外，與實施例4-1~4-3同樣地獲得光碟。再者，於L2層中，將相對於W、Zn、Mn及Cu之總量之Mn之含量設為25原子%，將相對於W、Zn、Mn及Cu之總量之Cu之含量設為25原子%。再者，Mn及Cu係消光係數大於W及Zn之金屬材料。
(實施例6-1~6-3)
如表5所示般將L2層之厚度保持為69nm，並且變更光透過層側之介電層之厚度t2相對於基板側之介電層之厚度t1之比率(t2/t1)，除此以外，與實施例4-1同樣地獲得光碟。
(實施例7-1~7-3)
如表5所示般將L2層之厚度保持為72nm，並且變更光透過層側之介電層之厚度t2相對於基板側之介電層之厚度t1之比率(t2/t1)，除此以外，與實施例4-1同樣地獲得光碟。
(信號特性)
使用BD用評價裝置以如下方式對如上述般獲得之實施例4-1~4-3、5-1~5-3之光碟之記錄品質進行評價。首先，以每1資訊記錄層相當於35GB之記錄密度，以2倍速記錄(7.69 m/s)於L2層之5個凸軌及5個凹軌連續記錄資訊信號，對其中央之凸軌及凹軌之信號品質進行評價。信號品質之評價係使用BD-XL所使用之名為i-MLSE之指標。再者，評價裝置之記錄用雷射光之波長為405nm，聚光透鏡之數值孔徑 NA為0.85。繼而，求出L2層之凸軌及凹軌之i-MLSE之差之絕對值｜△(i-MLSE)L-G｜(=｜(L2層之凸軌之i-MLSE)-(L2層之凹軌之i-MLSE)｜。將其結果示於圖7A。又，將實施例5-2之光碟之i-MLSE示於圖8A。
(反射率、跨軌信號之偏移率)
與實施例1-1、1-2同樣地對如上述般獲得之實施例6-1~6-3、7-1~7-3之跨軌信號之偏移率進行評價。將其結果示於圖7B。
與實施例1-1、1-2同樣地對如上述般獲得之實施例5-2之光碟之L0層、L1層、L2層之反射率及跨軌信號之反射率、跨軌信號之偏移率進行評價。將其結果示於圖8B、圖8C。
(平台之NPPR)
對如上述般獲得之實施例5-1~5-3之光碟之平台使記錄功率Pw於自最佳記錄功率Pwo至Pwo×0.1(10%)之範圍內變化而記錄資訊信號。再者，將i-MLSE成為最良好之記錄功率設為最佳記錄功率Pwo。又，以每1資訊記錄層相當於35GB之記錄密度，以2倍速記錄(7.69 m/s)記錄資訊信號。繼而，使記錄功率Pw變化而記錄資訊信號，並求出記錄有資訊信號之光碟之平台之NPPR。將其結果示於圖9A。
(溝槽之NPPR)
關於如上述般獲得之實施例5-1~5-3之光碟之溝槽之NPPR，係對光碟之溝槽記錄資訊信號，除此以外，與上述平台之NPPR同樣地求出。將其結果示於圖9B。
表3表示實施例4-1~4-3之光碟之構成。
表4表示實施例5-1~5-3之光碟之構成。
表5表示實施例6-1~6-3、7-1~7-3之光碟之構成。
根據圖7A可確認以下內容。
於光透過層側之介電層之厚度t2相對於基板側之介電層之厚度t1之比率(t2/t1)為1.0之情形時，｜△(i-MLSE)L-G｜成為最小。
因此，就降低｜△(i-MLSE)L-G｜之觀點而言，較佳為基板側之介電層之厚度t1與光透過層側之介電層之厚度t2大致相等。
根據圖7B可確認以下內容。
於光透過層側之介電層之厚度t2相對於基板側之介電層之厚度t1之比率(t2/t1)為1.0之情形時，跨軌信號之偏移率成為最小。
因此，就降低跨軌信號之偏移率之觀點而言，較佳為基板側之介電層之厚度t1與光透過層側之介電層之厚度t2大致相等。
根據圖8A~圖8C可確認以下內容。
於光透過層側之介電層之厚度t2相對於基板側之介電層之厚度t1之比率(t2/t1)為1.0之情形時，對於L0層、L1層、L2層之全部層，可將｜△(i-MLSE)L-G｜抑制為3%以內。又，對於L0層、L1層、L2層之全部層，可將跨軌信號之偏移率抑制為0.15以下。具有如上所述之優點之光碟之反射率差△Rmax成為1%以上且4%以下之範圍內。
根據圖9A、圖9B可確認以下內容。
為了將於使記錄功率於自最佳記錄功率Pwo至Pwo×0.1(10%)之範圍內變化時之NPPR設為±25%之範圍內，較佳為將介電層之厚度比率t2/t1設為0.75以上且1.5以下之範圍內，更佳為設為1左右。
以上，對本技術之實施形態進行了具體說明，但本技術並不限定於上述實施形態，可基於本技術之技術思想而進行各種變化。
例如，於上述實施形態中所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等僅為例子，亦可視需要而使用與此等不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，上述實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本技術之要旨，則可互相組合。
於上述實施形態中，雖對多層資訊信號層全部具有相同層構成之情形進行了說明，但亦可根據對每層資訊信號層所要求之特性(例如光學特性或耐久性等)而改變層構成。然而，就生產性之觀點而言，較佳為將全部資訊信號層設為相同層構成。
又，於上述實施形態中，對資訊信號層具備記錄層、鄰接於記錄層之上表面而設置之介電層、及鄰接於記錄層之下表面而設置之介電層之構成進行了說明，但資訊信號層之構成並不限定於此。例如，亦可僅於記錄層之上表面及下表面之任一者設置介電層。又，亦可僅由記錄層單層構成資訊信號層。藉由設為此種簡單之構成，而可使光記錄媒體低廉化，且可提昇其生產性。該效果於資訊信號層之層數越多之媒體越為顯著。
又，於上述實施形態中係以對如下光記錄媒體應用本技術之情形為例進行了說明：具有於基板上依序積層有複數層資訊信號層、光透過層之構成，並自該光透過層側對複數層資訊信號層照射雷射光，藉此進行資訊信號之記錄或再生，但本技術並不限定於該例。例如，亦可對如下光記錄媒體應用本技術：具有於基板上依序積層有複數層資訊信號層、保護層之構成，並自基板側對複數層資訊信號層照射雷射光，藉此進行資訊信號之記錄或再生之光記錄媒體、或具有於2片基板間設置有複數層資訊信號層之構成，並自至少一基板側對複數層資訊信號層照射雷射光，藉此進行資訊信號之記錄或再生之光記錄媒體。
又，於上述實施形態中係以具備3層資訊信號層之光記錄媒體為例進行了說明，但亦可對具備2層或4層以上資訊信號層之光記錄媒體應用本技術。
又，本技術亦可採用以下構成。
(1)
一種光記錄媒體，其具備複數個資訊信號層，且上述複數個資訊信號層中距光照射面最近之資訊信號層之反射率超過4%。
(2)
如(1)記載之光記錄媒體，其中上述複數個資訊信號層中反射率最高之資訊信號層與反射率最低之資訊信號層之反射率之差為1%以上。
(3)
如(1)或(2)記載之光記錄媒體，其中上述反射率為4.4%以上且8%以下之範圍內。
(4)
如(1)至(3)中任一項記載之光記錄媒體，其中跨軌信號之偏移率未達0.16。
(5)
如(1)至(3)中任一項記載之光記錄媒體，其中跨軌信號之偏移率為0.15以下。
(6)
如(1)至(5)中任一項記載之光記錄媒體，其中上述複數個資訊信號層具備第1介電層、記錄層、及第2介電層。
(7)
如(6)記載之光記錄媒體，其中上述第1介電層及上述第2介電層之厚度大致相同。
(8)
如(6)或(7)記載之光記錄媒體，其中上述記錄層含有包含第1金屬及第2金屬之複合氧化物，且上述第1金屬係選自由W、Zn、Mg、Zr、Si、In、Sn、Sb及Te所 組成之群中之至少1種以上，上述第2金屬係選自由Mn、Pd、Fe、Ni、Cu、Ag及Ru所組成之群中之至少1種以上。
(9)
如(1)至(8)中任一項記載之光記錄媒體，其中上述資訊信號層具有凹狀及凸狀之軌道，且構成為可於上述凹狀及凸狀之軌道兩者記錄資訊信號。
(10)
如(9)記載之光記錄媒體，其中上述凹狀之軌道與上述凸狀之軌道之間距為0.225μm以下。
(11)
如(1)至(10)中任一項記載之光記錄媒體，其中鄰接之2個資訊信號層之反射率大致相等，或者鄰接之2個資訊信號層中接近光照射面之資訊信號層之反射率較高。

Claims (14)

  1. 一種光記錄媒體，其具備光照射面及至少3個資訊信號層，上述光照射面構成為可接收入射光，上述至少3個資訊信號層中，第1資訊信號層係距上述光照射面最近，且具有範圍為4%~11%之第1反射率，上述至少3個資訊信號層中，上述第1資訊信號層與第3資訊信號層之反射率之差為1%以上。
  2. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述反射率之差為2%以上。
  3. 如請求項1之光記錄媒體，其中跨軌信號之偏移率為未達0.16。
  4. 如請求項1之光記錄媒體，其中跨軌信號之偏移率為0.15以下。
  5. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述至少3個資訊信號層中，每個資訊信號層具備第1介電層、記錄層、及第2介電層。
  6. 如請求項5之光記錄媒體，其中上述第1介電層之第1厚度與上述第2介電層之第2厚度大致相同。
  7. 如請求項5之光記錄媒體，其中上述記錄層含有包含第1金屬及第2金屬之複合氧化物，且上述第1金屬係選自由W、Zn、Mg、Zr、Si、In、Sn、Sb及Te所組成之群中之至少1種以上，上述第2金屬係選自由Mn、Pd、Fe、Ni、Cu、Ag及Ru所組成之群中之至少1種以上。
  8. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述至少3個資訊信號層中，每個資訊信號層具有凹狀軌道及凸狀軌道，且上述凹狀軌道及上述凸狀軌道兩者係構成為記錄資訊信號。
  9. 如請求項8之光記錄媒體，其中上述凹狀軌道與上述凸狀軌道之間距為0.225μm以下。
  10. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述至少3個資訊信號層中，第2資訊信號層具有第2反射率，且上述第3資訊信號層具有第3反射率，上述第2反射率與上述第3反射率大致相同；或者上述第2資訊信號層較上述第3資訊信號層接近上述光照射面，且具有高於上述第3反射率之上述第2反射率。
  11. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述第1反射率係於8%~11%之範圍。
  12. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述第1反射率係於6.3%~8%之範圍。
  13. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述第1資訊信號層之厚度係59~72nm。
  14. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述第1反射率係於6.3%~11%之範圍。
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