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TWI662103B - 保護膜形成用複合片 - Google Patents

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TWI662103B
TWI662103B TW104129294A TW104129294A TWI662103B TW I662103 B TWI662103 B TW I662103B TW 104129294 A TW104129294 A TW 104129294A TW 104129294 A TW104129294 A TW 104129294A TW I662103 B TWI662103 B TW I662103B
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protective film
forming
film
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adhesive layer
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TW104129294A
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TW201710425A (zh
Inventor
佐伯尙哉
米山裕之
山本大輔
小橋力也
稻男洋一
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日商琳得科股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種保護膜形成用複合片，係具備：黏著片，係於基材之一面側積層黏著劑層而成；及保護膜形成膜，係積層於黏著片之黏著劑層側；於對前述基材施加0.1g/mm之荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，前述基材之加熱後相對於加熱前之MD方向及CD方向之伸縮率均為95%~103%，且前述基材之23℃之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數均為100MPa~700MPa。

Description

保護膜形成用複合片
本發明係關於一種保護膜形成用複合片，其接著於半導體晶圓等工件並可於該狀態下進行工件之加工(例如切割)，且可於該工件或對該工件加工所得物(例如半導體晶片)形成保護膜。
近年來，進行利用被稱為面朝下(face-down)方式之安裝法而製造半導體裝置。該方法中，當安裝具有形成有凸塊等電極之電路面之半導體晶片時，將半導體晶片之電路面側接合於引線框架等晶片搭載部。因此會形成未形成有電路之半導體晶片之背面側露出之結構。
因此，為了保護半導體晶片，多於半導體晶片之背面側形成包含硬質之有機材料之保護膜。因此，專利文獻1揭示有具有可形成上述保護膜之熱硬化性保護膜形成層的保護膜形成兼切割用片。藉由該保護膜形成兼切割用 片，則可進行切割半導體晶圓及對半導體晶片形成保護膜之兩者，並可獲得附有保護膜之半導體晶片。
於使用上述保護膜形成兼切割用片時，將該片之周緣部貼附於環狀框架(ring frame)，並且將保護膜形成層貼附於半導體晶圓，於該狀態下進行給加熱步驟，然後進行給冷卻步驟。藉由經過該等步驟，保護膜形成層係進行熱硬化而形成保護膜。
然而，使用以往保護膜形成兼切割用片時有產生如下問題之情況：當一邊利用環狀框架支撐保護膜形成兼切割用片，一邊進行上述加熱步驟時，因半導體晶圓之重量而導致保護膜形成兼切割用片鬆弛，且即便經過冷卻步驟亦不會復原。若如上所述般保護膜形成兼切割用片鬆弛，則於搬送時收納至盒時會產生不良，或者於吸附台之較晶圓對應部更靠外側處無法順利進行對片之真空吸附，而於片產生褶皺等不良情況，或者於進行延伸時因片已經伸長而產生不良。
另外，專利文獻1中，作為保護膜形成兼切割用片，係揭示有保護膜形成層直接積層於支撐膜上之構成(圖1)。然而，若於支撐膜與保護膜形成層之間不存在黏著劑層，則會產生如下問題：支撐膜與保護膜形成層之間之 接著力過強而無法拾取晶片，或者反之支撐膜與保護膜形成層之間之接著力過弱而於切割中晶片脫落。
專利文獻2揭示有具有與專利文獻1之保護膜形成兼切割用片同樣構成的附有保護膜形成層之切割片。該專利文獻2提及了熱硬化時之鬆弛，但未考慮冷卻步驟中之復原。
再者，專利文獻3揭示有分別使用作為保護膜形成層之半導體背面用膜與切割帶之半導體裝置製造方法。該專利文獻3之方法中，於半導體背面用膜未硬化之狀態下進行切割，且進行晶片之拾取之後，進行半導體背面用膜之熱硬化，因此不會產生如上所述之鬆弛所引起之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2006-140348號公報
專利文獻2：WO2013/047674號公報
專利文獻3：日本專利特開2012-156377號公報
本發明係鑒於如上所述實情而完成，其目的在於提供一種可有效抑制經過加熱步驟及冷卻步驟之片之鬆弛，並且良好地進行拾取的保護膜形成用複合片。
為了達成上述目的，本發明包含以下之態樣。
(1)提供一種保護膜形成用複合片，係具備：黏著片，係於基材之一面側積層黏著劑層而成；及保護膜形成膜，係積層於前述黏著片之前述黏著劑層側；於對前述基材施加0.1g/mm之荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，前述基材之前述加熱後相對於前述加熱前之MD方向及CD方向之伸縮率均為95%~103%，且前述基材之23℃之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數均為100MPa~700MPa。
再者，本說明書中，「片(sheet)」係包括帶(tape)之概念。
本發明之一形態中，保護膜形成用複合片係包含基材、黏著劑層、及保護膜形成膜，且前述基材、黏著劑層及保護膜形成膜依序積層，於對前述基材施加0.1g/mm之荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，前述基材之前述加熱後相對於前述加熱前之MD方向及CD方向之伸縮率均為95%~103%，且前述基材之23℃之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數均為100MPa~700MPa。
本發明之另一形態中，黏著片係於前述基材之一面積層前述黏著劑層而成之積層體。
根據(1)之態樣，藉由使基材具有與上述伸縮率相關之物性，可有效抑制經過加熱步驟及冷卻步驟之保護膜形成用複合片之鬆弛。而且，藉由使基材具有與上述拉伸彈性模數相關之物性，黏著片會具有適度之柔軟性，而可良好地進行切割後之延伸(必要時)及拾取。
(2)於(1)之態樣中，前述基材較佳為聚丙烯膜。
(3)於(1)或(2)之態樣中，前述基材之厚度較佳為50μm~200μm。
(4)於(1)至(3)之任一態樣中，前述保護膜形成用複合片較佳為具備治具用黏著劑層，該治具用黏著劑層係積層於前述保護膜形成膜之與前述黏著片側為相反側之周緣部。
(5)於(1)至(4)之任一態樣中，較佳為具備積層於前述保護膜形成膜上之剝離片。
(6)於(1)至(5)之任一態樣中，前述保護膜形成膜較佳為於半導體晶圓或將半導體晶圓切割所得之半導體晶片上形成保護膜之層。
(7)於(1)至(6)之任一態樣中，前述基材較佳為於使前述基材以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃，且於該溫度下保持2小時之時間點，具有0.01%以上且2%以下、更佳為未達0.9%、又更佳為0.5%以下之重量減少率。
(8)於(1)至(4)、(6)及(7)之任一態樣中，前述保護膜形成用複合片較佳為於使前述保護膜形成用複合片以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃，且於該溫度下保持2小時之時間點，具有0.01%以上且6.0%以下、更佳為3.0%以下、又更佳為2.5%以下、尤佳為1.2%以下之重量減少率。
(9)於(1)至(8)之任一態樣中，前述基材之熔點較佳為130℃以上，更佳為130℃~170℃，又更佳為130℃~160℃，尤佳為131℃~156℃。
根據本發明之保護膜形成用複合片，經過加熱步驟及冷卻步驟之片之鬆弛得到有效抑制，並且可良好地進行拾取。
1、10‧‧‧保護膜形成用複合片
2‧‧‧黏著片
21‧‧‧基材
22‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧保護膜形成膜
4‧‧‧治具用黏著劑層
5‧‧‧半導體晶圓
6‧‧‧環狀框架
7‧‧‧剝離片
圖1係本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之剖面圖。
圖2係貼附於工件之狀態之保護膜形成用複合片之俯視圖。
圖3係表示本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之使用例的剖面圖。
圖4係本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之剖面圖。
以下說明本發明之一實施形態。
圖1係本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之剖面圖，圖2係貼附於工件之狀態之保護膜形成用複合片之俯視圖。如圖1所示，本實施形態之保護膜形成用複合片1構成為具備：黏著片2，係於基材21之一面積層黏著劑層22而成；保護膜形成膜3，係積層於黏著片2之黏著劑層22側；及治具用黏著劑層4，係積層於保護膜形成膜3之與黏著片2側為相反側之周緣部。再者，本實施形態之保護膜形成用複合片1係指保護膜形成膜3尚未貼附至工件者。
本實施形態中，如圖1及圖2所示，黏著片2之基材21及黏著劑層22、以及保護膜形成膜3形成為相同大小及形狀，且俯視下為圓形，但本發明並不限定於此。例如， 黏著片2與保護膜形成膜3亦可為不同之大小或形狀，或者亦可俯視下均為多邊形或包含圓弧與直線之組合的形狀等。
另外，本實施形態中，如圖1及圖2所示，治具用黏著劑層4形成為環狀，且其外周緣與黏著片2及保護膜形成膜3之外周緣於俯視下為相同位置，但本發明並不限定於此。例如，治具用黏著劑層4亦可不為環狀而於中途斷開，且外周緣亦可與黏著片2或保護膜形成膜3之外周緣於俯視下為不同位置。
實施形態之保護膜形成用複合片1用於在對工件進行加工時貼附於該工件而保持該工件，並且用於在該工件或自該工件所得之晶片上形成保護膜。本實施形態中，該保護膜係藉由使保護膜形成膜3熱硬化而形成。作為一例，實施形態之保護膜形成用複合片1用於在作為工件之半導體晶圓之切割加工時保持半導體晶圓，並且於藉由切割所得之半導體晶片上形成保護膜，但並不限定於此。
1.黏著片
本實施形態之保護膜形成用複合片1之黏著片2具備基材21及積層於基材21之一面之黏著劑層22而構成。
1-1.基材
本實施形態之保護膜形成用複合片1之基材21具有如下物性：於對基材21施加0.1g/mm之荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，加熱後相對於加熱前之MD(Machine Direction，縱向)方向及CD(Cross Direction，橫向)方向之伸縮率(以下稱為「荷重伸縮率」)均為95%~103%。本說明書中，所謂「物性」係指化學或物理化學性質。該荷重伸縮率之測定方法如後述試驗例所示。此處，所謂MD方向係指基材21之製造之生產線方向，所謂CD方向係指與MD方向正交之方向，即基材21之製造之寬度方向。
藉由使基材21具有上述物性，可有效抑制經過加熱步驟及冷卻步驟之保護膜形成用複合片1之鬆弛。因此，本實施形態之保護膜形成用複合片1對加熱、冷卻步驟後之步驟造成阻礙之可能性低。
若上述荷重伸縮率未達95%，則保護膜形成用複合片1之收縮量大，有工件產生較大內部應力而導致工件破損之虞，且亦有保護膜形成用複合片1自環狀框架等治具脫落之虞。另一方面，若上述荷重伸縮率超過103%，則保護膜形成用複合片1之鬆弛較大，各步驟中產生因鬆弛所引起之阻礙之擔憂較大。就上述觀點而言，上述荷重伸縮率較佳為96%~101%，尤佳為97%~100%。
此處，於對基材21不施加荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，加熱後相對於加熱前之MD方向及CD方向之伸縮率(以下稱為「無荷重伸縮率」)較佳為均為93%~100%，更佳為95%~100%，又更佳為97%~100%，尤佳為98%~100%。該無荷重伸縮率之測定方法如後述試驗例所示。
於實際製程中工件(半導體晶圓)極輕薄時，若無荷重伸縮率為93%以上，則保護膜形成用複合片1之收縮量小，可抑制工件產生較大內部應力而導致工件破損之情況。而且，亦可抑制保護膜形成用複合片1自環狀框架等治具脫落。另一方面，若無荷重伸縮率為100%以下，則保護膜形成用複合片1之鬆弛變小，可降低各步驟中產生因鬆弛所引起之阻礙之可能性。
另外，本實施形態之保護膜形成用複合片1之基材21的23℃之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數(楊氏模數)均為100MPa~700MPa。該拉伸彈性模數之測定方法如後述試驗例所示。
藉由使基材21具有上述物性，黏著片2會具有適度之柔軟性，而可良好地進行切割後之延伸(必要時)及拾取。再者，於一般之拾取步驟中，會對保持有切割所得晶片之黏著片2壓抵頂起銷，但藉由使黏著片2具有柔軟 性，被頂起銷壓抵之黏著片2會將晶片上推，藉此晶片容易自黏著片2剝離，因此拾取性良好。拾取力(測定方法如後述試驗例所示)較佳為5N以下，尤佳為4N以下，又更佳為3N以下。
若上述拉伸彈性模數超過700MPa，則黏著片2之柔軟性下降，無法獲得上述優異效果。另一方面，若上述拉伸彈性模數未達100MPa，則黏著片2變得過於柔軟，而無法良好地進行切割。就上述觀點而言，上述拉伸彈性模數較佳為120MPa~600MPa，尤佳為150MPa~500MPa。
基材21較佳為於使基材單體以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃，且於該溫度下保持2小時之時間點，具有0.01%以上且2%以下、更佳為未達0.9%、又更佳為0.5%以下之重量減少率(測定方法如後述試驗例所示)。即，構成基材21之基材單體之前述重量減少率較佳為0.01%以上且2%以下，更佳為0.01%以上且未達0.9%，又更佳為0.01%以上且0.5%以下。藉由使構成基材21之基材單體之前述重量減少率處於上述範圍內，加熱時基材21不易變形，該基材21具有適於本發明實施形態之保護膜形成用複合片之使用目的之優異耐熱性。而且，藉由使構成基材21之基材單體之前述重量減少率處於上述範圍內，於對本發明實施形態之保護膜形成用複合片加熱時，幾乎 不會自基材21產生氣體，可抑制前述保護膜形成用複合片之劣化。
基材21之熔點較佳為130℃以上，更佳為130℃~170℃，又更佳為130℃~160℃，更具體而言，特佳為131℃~156℃。藉由使基材21之熔點處於上述範圍內，易於滿足前述荷重伸縮率及拉伸彈性模數。
本說明書中，「厚度」係於沿對象物厚度方向任意切割所得之切割面，利用接觸式厚度計測定任意5處之厚度並以其平均表示之值。
基材21之厚度較佳為50μm~200μm，更佳為50μm~120μm，又更佳為60μm~100μm。若上述厚度未達50μm，則有基材21之荷重伸縮率變大之傾向。另一方面，若厚度超過200μm，則有拾取性下降之虞。
構成基材21之材料只要具有前述物性即可，例如可自以下所示之樹脂膜中適當選擇。
作為樹脂膜之具體例，可列舉：低密度聚乙烯(Low-Density Polyethylene，LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯(Linear Low-Density Polyethylene，LLDPE)膜、高密度聚乙烯(High-Density Polyethylene，HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯 膜、乙烯/降莰烯共聚物膜、降莰烯樹脂膜等聚烯烴系膜；乙烯/乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯(/(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯(/(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯系共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯系膜；聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜等聚酯系膜；聚胺基甲酸酯膜；聚醯亞胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟樹脂膜等。另外，亦可使用該等之交聯膜、離子聚合物膜之類的改質膜。上述基材21既可為由該等膜之1種所形成之膜，亦可進一步為將2種以上該等膜組合而成之積層膜。再者，本說明書中之「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸及甲基丙烯酸之兩者。其他類似用語亦同樣。
上述中，較佳為聚丙烯膜。聚丙烯膜根據其種類而具有適度之耐熱性及柔軟性，且易於滿足前述荷重伸縮率及拉伸彈性模數。
上述樹脂膜為了使與積層於其表面之黏著劑層22之密接性提高，可視需要對單面或兩面實施利用氧化法或凹凸化法等之表面處理、或者底塗處理。作為上述氧化法，例如可列舉：電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，另外，作為凹凸化法，例如可列舉：噴砂法、熔射處理法等。
基材21亦可於上述樹脂膜中含有著色劑、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。
1-2.黏著劑層
本實施形態之保護膜形成用複合片1之黏著片2係於基材21之一面具備黏著劑層22。因存在該黏著劑層22，故藉由對黏著劑層22之黏著力進行控制，可於切割時牢固地固定保護膜形成用膜3，且可發揮能容易拾取切割所得晶片之程度的適度剝離性。若無黏著劑層22則會產生如下問題：基材21與保護膜形成用膜3之接著力過強，而無法拾取晶片，或者反之基材21與保護膜形成用膜3之接著力過弱，而於切割中晶片脫落。
黏著劑層22既可由單層形成，亦可包含2層以上之多層，於多層時，既可包含同一材料(黏著劑)，亦可包含不同材料(黏著劑)。
構成黏著劑層22之黏著劑既可為非硬化性黏著劑，亦可為硬化性黏著劑。另外，硬化性黏著劑既可為硬化前之狀態，亦可為硬化後之狀態。於黏著劑層22包含多層時，亦可組合非硬化性黏著劑與硬化性黏著劑。作為非硬化性黏著劑，例如可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等，其中較佳為丙烯酸系黏著劑。 作為硬化性黏著劑，例如可列舉能量線硬化性黏著劑、熱硬化性黏著劑等，其中較佳為能量線硬化性黏著劑，尤佳為丙烯酸系之能量線硬化性黏著劑。
於黏著劑層22由能量線硬化性黏著劑所構成時，在將保護膜形成用複合片1貼附至被黏著體之階段，該能量線硬化性黏著劑既可未硬化，亦可已硬化。
作為能量線，通常使用紫外線、電子束等。能量線之照射量根據能量線之種類而不同，例如於紫外線時，以光量計較佳為50mJ/cm2~1000mJ/cm2，尤佳為100mJ/cm2~500mJ/cm2。另外，於電子束時，較佳為10krad~1000krad左右。
構成黏著劑層22之能量線硬化性黏著劑既能以具有能量線硬化性之聚合物作為主成分，亦能以不具有能量線硬化性之聚合物與能量線硬化性之多官能單體及/或低聚物之混合物作為主成分。
以下，對能量線硬化性黏著劑以具有能量線硬化性之聚合物作為主成分之情況進行說明。
再者，此處所謂之「主成分」係指相對於能量線硬化性黏著劑之總質量而含有60質量%以上。
具有能量線硬化性之聚合物較佳為於側鏈導入有具有能量線硬化性之官能基(即能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下稱為「能量線硬化型聚合物(A)」)。該能量線硬化型聚合物(A)較佳為使具有含官能基之單體單元之(甲基)丙烯酸系共聚物(a1)與具有會和該官能基鍵結之取代基的含不飽和基之化合物(a2)反應而獲得者。
丙烯酸系共聚物(a1)至少包含自含官能基之單體導出之結構單元、與自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之結構單元。
作為形成自上述含官能基之單體導出之結構單元的含官能基之單體，較佳為於分子內具有聚合性雙鍵與羥基、胺基、經取代之胺基、環氧基、羧基等官能基之單體。
作為上述含官能基之單體之更具體之例，可列舉(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸等，該等可單獨使用或組合2種以上而使用。
作為前述(甲基)丙烯酸酯單體，可使用烷基之碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷酯、烷基之碳數為3~11 之(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯。該等中，尤佳為烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。
丙烯酸系共聚物(a1)中，相對於丙烯酸系共聚物(a1)之總質量，以通常為3質量%~100質量%、較佳為5質量%~40質量%之比率含有自上述含官能基之單體導出之結構單元，且以通常為0質量%~97質量%、較佳為60質量%~95質量%之比率含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之結構單元。
即，丙烯酸系共聚物(a1)較佳為相對於丙烯酸系共聚物(a1)之總質量，以3質量%~100質量%之比率含有自上述含官能基之單體導出之結構單元，且以通常為0質量%~97質量%之比率含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之結構單元；更佳為以5質量%~40質量%之比率含有自上述含官能基之單體導出之結構單元，且以通常為60質量%~95質量%之比率含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之結構單元。
再者，自上述含官能基之單體導出之結構單元與自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之結構單元的合計質量不超過100質量%。
丙烯酸系共聚物(a1)係藉由利用常用方法使如上所述之含官能基之單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物進行共聚合而獲得，但除該等單體以外亦使二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等進行共聚合。
藉由使具有上述含官能基之單體單元(即自含官能基之單體導出之結構單元)之丙烯酸系共聚物(a1)與具有會與該官能基鍵結之取代基的含不飽和基之化合物(a2)反應，而獲得能量線硬化型聚合物(A)。
含不飽和基之化合物(a2)所具有之取代基可根據丙烯酸系共聚物(a1)所具有之含官能基之單體單元之官能基的種類而適當選擇。例如，於官能基為羥基、胺基或經取代之胺基時，作為取代基，較佳為異氰酸酯基或環氧基，於官能基為環氧基時，作為取代基，較佳為胺基、羧基或氮丙啶基，於官能基為羧基時，作為取代基，較佳為環氧基。
另外，含不飽和基之化合物(a2)中每一分子含有1個~5個、較佳為1個~2個能量線聚合性之碳-碳雙鍵。作為此種含不飽和基之化合物(a2)之具體例，例如可列舉：異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；藉由二異氰 酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由使二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多元醇化合物、及(甲基)丙烯酸羥基乙酯之反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯；或2-乙烯基-2-噁唑啉(2-Vinyl-2-oxazolin)、2-異丙烯基-2-噁唑啉等烯基噁唑啉化合物等。
上述中，較佳為異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯。
含不飽和基之化合物(a2)係以相對於上述丙烯酸系共聚物(a1)之含官能基之單體每100當量而通常為10當量~100當量、較佳為20當量~95當量之比率使用。
丙烯酸系共聚物(a1)與含不飽和基之化合物(a2)之反應中，可根據官能基與取代基之組合而適當選擇反應之溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無、觸媒之種類。藉此，丙烯酸系共聚物(a1)中存在之官能基與含不飽和基之化合物(a2)中之取代基反應，將不飽和基導入至丙烯酸系共聚物(a1)中之側鏈，而獲得能量線硬化型聚合物(A)。
如此獲得之能量線硬化型聚合物(A)之重量平均分子量較佳為1萬以上，尤佳為15萬~150萬，又更佳為 20萬~100萬。再者，本說明書中之重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定出之聚苯乙烯換算之值。
即便於能量線硬化性黏著劑以具有能量線硬化性之聚合物為主成分時，能量線硬化性黏著劑亦可進一步含有能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)。
作為能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)，例如可使用多元醇與(甲基)丙烯酸之酯等。
作為該能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)，例如可列舉：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等單官能性丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能性丙烯酸酯類、聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚胺基甲酸酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。
上述中，較佳為多官能性丙烯酸酯類、及聚胺基甲酸酯低聚(甲基)丙烯酸酯。
於調配能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)時，能量線硬化性黏著劑中之能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)之含量相對於前述能量線硬化性黏著劑之總質量，較佳為5質量%~80質量%，尤佳為20質量%~60質量%。
此處，於使用紫外線作為用於使能量線硬化性樹脂組成物硬化之能量線時，較佳為進一步添加光聚合起始劑(C)，藉由使用該光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光線照射量。
作為光聚合起始劑(C)，具體而言，可列舉：二苯甲酮、苯乙酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、二苯乙二酮、雙二苯乙二酮、二乙醯、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑-N,N-二乙基二硫胺甲酸酯、低聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。該等既可單獨使用，亦可併用2種以上。
當將能量線硬化型共聚物(A)(於調配能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)時，將能量線硬化型共聚物(A)與能量線硬化性之單體及/或低聚物(B)之合計量設為 100質量份)設為100質量份時，光聚合起始劑(C)較佳為以0.1質量份~10質量份、尤其是0.5質量份~6質量份之範圍之量使用。
能量線硬化性黏著劑中，除上述成分以外亦可調配適當其他成分。作為其他成分，例如可列舉不具有能量線硬化性之聚合物成分或低聚物成分(D)等。
作為不具有能量線硬化性之聚合物成分或低聚物成分(D)，例如可列舉聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，較佳為重量平均分子量(Mw)為3000~250萬之聚合物或低聚物。
另外，能量線硬化性黏著劑亦可藉由交聯劑(E)而形成交聯結構。
即，能量線硬化性黏著劑之一形態包含能量線硬化型共聚物(A)與視需要之選自下述者所組成之群中之至少一種成分：選自能量線硬化性之單體及低聚物所形成之群中之至少一種成分(B)、光聚合起始劑(C)、不具有能量線硬化性之聚合物成分或低聚物成分(D)、及交聯劑(E)。
作為交聯劑(E)，可使用具有與能量線硬化型共聚物(A)等所具有之官能基之反應性的多官能性化合物。作為此種多官能性化合物之例，可列舉：異氰酸酯化合 物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物、金屬螯合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。
藉由使用該等其他成分(D)、(E)，可改善硬化前之黏著性及剝離性、硬化後之強度、與其他層之接著性、保存穩定性等。該等其他成分之使用量並無特別限定，可在相對於能量線硬化型共聚物(A)100質量份而為0質量份~40質量份之範圍內適當決定。
其次，以下說明能量線硬化性黏著劑以不具有能量線硬化性之聚合物成分與能量線硬化性之多官能單體及/或低聚物之混合物作為主成分的情況。
作為不具有能量線硬化性之聚合物成分，例如可使用與前述丙烯酸系共聚物(a1)同樣之成分、或不將含官能基之單體設為結構單元且將(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物設為結構單元之丙烯酸系共聚物等。能量線硬化性樹脂組成物中之不具有能量線硬化性之聚合物成分之含量相對於前述能量線硬化性樹脂組成物之總質量，較佳為20質量%~99.9質量%，尤佳為30質量%~80質量%。
作為能量線硬化性之多官能單體及/或低聚物，可選擇與前述成分(B)相同者。關於不具有能量線硬化性之聚 合物成分與能量線硬化性之多官能單體及/或低聚物之調配比，相對於不具有能量線硬化性之聚合物成分100質量份，多官能單體及/或低聚物較佳為10質量份~150質量份，尤佳為25質量份~100質量份。
於此情形時，亦可與上述同樣地適當使用光聚合起始劑(C)或交聯劑(E)。
即，能量線硬化性黏著劑之一形態包含不具有能量線硬化性之聚合物成分、選自能量線硬化性之多官能單體及低聚物所組成之群中之至少一種成分、及視需要之選自光聚合起始劑(C)及交聯劑(E)所組成之群中之至少一種成分。
另一方面，於使用丙烯酸系黏著劑作為構成黏著劑層22之黏著劑時，作為該丙烯酸系黏著劑，例如可使用與前述丙烯酸系共聚物(a1)同樣之成分、或不將含官能基之單體設為結構單元且將(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物設為結構單元之丙烯酸系共聚物等。而且，於該情形時，丙烯酸系黏著劑亦可藉由與前述交聯劑(E)同樣之交聯劑而形成交聯結構。
於使用丙烯酸系黏著劑作為構成黏著劑層22之黏著劑時，該黏著劑層22亦可進一步含有環氧樹脂。於由丙烯酸系黏著劑構成黏著劑層22時，有如下情況：構成與 該黏著劑層22鄰接之保護膜形成膜3之硬化性接著劑移行至黏著劑層22，引起黏著劑層22之物性變化。然而，藉由使黏著劑層22含有環氧樹脂，可防止該硬化性接著劑之移行所引起之物性變化。
於上述情形時，黏著劑層22中之環氧樹脂之含量相對於丙烯酸系共聚物100質量份，較佳為超過0質量份且為20質量份以下，尤佳為1質量份~17質量份。
本實施形態中黏著劑層22之厚度較佳為2μm~50μm，尤佳為2μm~40μm，又更佳為3μm~30μm。藉由使黏著劑層22之厚度為2μm以上，可充分發揮優異黏著力，藉由使黏著劑層22之厚度為50μm以下，加工性變得良好。
2.保護膜形成膜
保護膜形成膜3既可與半導體晶圓等工件為同一大小、形狀，亦可為較工件小一圈之大小、形狀，或亦可為較工件大一圈之大小、形狀。
保護膜形成膜3較佳為包含未硬化之硬化性接著劑。於此情形時，藉由在保護膜形成膜3上重疊半導體晶圓等工件之後，使保護膜形成膜3硬化，而可將保護膜牢固地接著於工件，且可將具有耐久性之保護膜形成於晶片等 上。對於該保護膜形成膜3，在硬化性接著劑為未硬化之階段或硬化後之階段均可藉由雷射光照射而良好地進行印字。
即，於本發明之一形態中，保護膜形成用複合片包含由未硬化之硬化性材料所形成之保護膜形成膜。
保護膜形成膜3較佳為於常溫具有黏著性，或藉由加熱而發揮黏著性。藉此，可於如上所述般在保護膜形成膜3上重疊半導體晶圓等工件時使兩者貼合。因此，可於使保護膜形成膜3硬化之前確實地進行定位，使保護膜形成用複合片1之處理性變得容易。
構成具有如上所述特性之保護膜形成膜3之硬化性接著劑，較佳為含有硬化性成分與黏合劑聚合物成分。作為硬化性成分，可使用熱硬化性成分、能量線硬化性成分、或該等之混合物，若考慮保護膜形成膜3之硬化方法或硬化後之耐熱性，則尤佳為使用熱硬化性成分。
作為熱硬化性成分，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂(低分子量者)、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯并噁嗪(benzooxazine)樹脂等及該等之混合物。該等中，可較佳地使用環氧樹脂、酚樹脂及該等之混合物。作為熱硬化性成分，通常使用分子量為300~1萬左右者。
環氧樹脂具有受到加熱後三維網狀化而形成牢固之覆膜的性質。作為此種環氧樹脂，可使用以往公知之各種環氧樹脂，通常較佳為分子量為300~2500左右者。又更佳為以將分子量為300~500之常溫為液狀之環氧樹脂、與分子量為400~2500、尤其是500~2000之常溫為固體之環氧樹脂摻和的形式使用。另外，環氧樹脂之環氧當量較佳為50g/eq~5000g/eq。
作為此種環氧樹脂，具體而言可列舉：雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚類之縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類之縮水甘油醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸之縮水甘油醚；苯胺異氰尿酸酯等與氮原子鍵結之活性氫被縮水甘油基取代之縮水甘油型或烷基縮水甘油型之環氧樹脂；乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧基)環己基-5,5-螺(3,4-環氧基)環己烷-間二噁烷等之類之藉由使分子內之碳-碳雙鍵進行例如氧化而導入有環氧基之所謂的脂環型環氧化物。此外，亦可使用具有聯苯骨架、二環己二烯骨架、萘骨架等之環氧樹脂。
該等中，可較佳地使用雙酚系縮水甘油型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及苯酚酚醛清漆型環氧樹 脂。該等環氧樹脂可單獨使用1種，或者亦可組合2種以上而使用。
於使用環氧樹脂時，較佳為併用熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑作為助劑。所謂「熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑」係在室溫不會與環氧樹脂反應，藉由某溫度以上之加熱而活化並與環氧樹脂反應之類型之硬化劑。熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑之活化方法有：藉由利用加熱之化學反應生成活性物質(陰離子、陽離子)之方法；於室溫附近穩定地分散於環氧樹脂中，於高溫下與環氧樹脂相溶、熔解，而開始硬化反應之方法；利用分子篩封入型之硬化劑於高溫下溶出而開始硬化反應之方法；利用微膠囊之方法等。
作為熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑之具體例，可列舉：各種鎓鹽、或二元酸二醯肼化合物、二氰二胺、胺加成物硬化劑、咪唑化合物等高熔點活性氫化合物等。該等熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑可單獨使用1種，或者組合2種以上而使用。此種熱活性型潛伏性環氧樹脂硬化劑以相對於環氧樹脂100重量份而較佳為0.1重量份~20重量份、更佳為0.2重量份~10重量份、又更佳為0.3重量份~5重量份之比率使用。
作為酚系樹脂，可無特別限制地使用烷基酚、多酚、萘酚等酚類與醛類之縮合物等具有酚系羥基之聚合物。具體而言，可使用苯酚酚醛清漆樹脂、鄰甲酚酚醛清漆樹脂、對甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯基苯酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂、或該等之改質物等。
該等酚系樹脂中所含之酚性羥基藉由加熱而容易與上述環氧樹脂之環氧基發生加成反應，可形成耐衝擊性高之硬化物。因此，亦可併用環氧樹脂與酚系樹脂。
作為能量線硬化性成分，可列舉作為前述黏著劑層22中之具有能量線硬化性之聚合物或選自能量線硬化性之單體及低聚物所組成之群中之至少一種成分(B)所列舉的成分。
黏合劑聚合物成分係以對保護膜形成膜3賦予適度黏性，或提高保護膜形成用複合片1之操作性等為目的而調配。黏合劑聚合物之重量平均分子量處於通常為3萬~200萬、較佳為5萬~150萬、尤佳為10萬~100萬之範圍。藉由使分子量為3萬以上，保護膜形成膜3之膜形成充分，藉由使分子量為200萬以下，可良好地維持與其他成分之相溶性，可均勻地進行保護膜形成膜3之膜形成。作為此種黏合劑聚合物，例如可使用丙烯酸系聚合物、聚 酯樹脂、苯氧基樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、橡膠系聚合物等，尤佳可使用丙烯酸系聚合物。
作為丙烯酸系聚合物，例如可列舉包含(甲基)丙烯酸酯單體與自(甲基)丙烯酸衍生物導出之結構單元的(甲基)丙烯酸酯共聚物。此處，作為(甲基)丙烯酸酯單體，較佳可列舉烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，更具體而言，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。另外，作為(甲基)丙烯酸衍生物，例如可列舉(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。
上述中，若使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為結構單元而於丙烯酸系聚合物導入縮水甘油基，則與作為前述熱硬化性成分之環氧樹脂之相溶性提高，保護膜形成膜3硬化後之玻璃轉移溫度(Tg)變高，而耐熱性提高。另外，上述中，若使用丙烯酸羥基乙酯等作為結構單元而於丙烯酸系聚合物導入羥基，則可控制對工件之密接性或黏著物性。再者，於使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為結構單元而在丙烯酸系聚合物導入縮水甘油基時，該丙烯酸系聚合物或具有環氧基之苯氧基樹脂具有熱硬化性。然而，此種具有熱硬化性之聚合物在本實施形態中相當於黏合劑聚合物成分，而非熱硬化性成分。
使用丙烯酸系聚合物作為黏合劑聚合物時，該聚合物之重量平均分子量較佳為10萬以上，尤佳為15萬~100萬。丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度通常為20℃以下，較佳為-70℃~0℃左右，於常溫(23℃)具有黏著性。
關於熱硬化性成分與黏合劑聚合物成分之調配比率，當將黏合劑聚合物成分設為100重量份時，熱硬化性成分之調配量較佳為50重量份~1500重量份，更佳為70重量份~1000重量份，又更佳為80重量份~800重量份。若以此種比率調配熱硬化性成分與黏合劑聚合物成分，則於硬化前顯示出適度黏性，可穩定地進行貼附作業，且於硬化後獲得覆膜強度優異之保護膜。
保護膜形成膜3較佳為含有填料及/或著色劑。若保護膜形成膜3含有填料，則可將硬化後之保護膜之硬度維持為高，並且可使耐濕性提高。另外，亦可將要形成保護膜之表面之光澤調整成所需值。再者，可使硬化後之保護膜之熱膨脹係數接近半導體晶圓之熱膨脹係數，藉此可降低加工中途之半導體晶圓之翹曲。另一方面，若保護膜形成膜3含有填料及/或著色劑，則亦可實現視覺辨認性優異之雷射印字。
作為填料，可列舉結晶二氧化矽、熔融二氧化矽、合成二氧化矽等二氧化矽、或氧化鋁、玻璃球等無機填料。其中較佳為合成二氧化矽，尤其是將成為半導體裝置之誤動作之主要原因的α線之線源盡可能去除之類型之合成二氧化矽最合適。填料之形狀可為球形、針狀、不定形之任一種。
另外，作為添加至保護膜形成膜3之填料，除上述無機填料以外，亦可調配功能性填料。作為功能性填料，例如可列舉：以賦予抗靜電性為目的之金、銀、銅、鎳、鋁、不銹鋼、碳、陶瓷、或利用銀覆蓋鎳、鋁等而成之導電性填料；以賦予導熱性為目的之金、銀、銅、鎳、鋁、不銹鋼、矽、鍺等金屬材料或該等之合金等導熱性填料等。
作為著色劑，可使用無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知者。
作為無機系顏料，例如可列舉：碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)系色素、ATO(Antimony Tin Oxide，氧化銻錫)系色素等。
作為有機系顏料及有機系染料，例如可列舉：銨系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮酸系色素、方酸菁系色素、薁鎓(azulenium)系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內醯胺系色素、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛藍系色素、紫環酮系色素、苝系色素、二噁嗪系色素、喹吖酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹啉黃系色素、吡咯系色素、硫靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、二噁嗪系色素、萘酚系色素、甲亞胺系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及還原系色素等。為了調整成目標之透光率，可將該等顏料或染料適當混合而使用。
就雷射光照射之印字性之觀點而言，上述中較佳為使用顏料，尤佳為使用無機系顏料。無機系顏料中，尤佳為碳黑。碳黑通常為黑色而藉由雷射光照射所去除之部分呈現白色，因此對比度差變大，因此經雷射印字部分之視覺辨認性非常優異。
保護膜形成膜3中之填料及著色劑之調配量以發揮所需作用之方式適當調整即可。具體而言，填料之調配量相對於保護膜形成膜之總質量，通常較佳為40質量%~80質量%，尤佳為50質量%~70質量%。另外，著色劑之 調配量相對於保護膜形成膜之總質量，通常較佳為0.001質量%~5質量%，尤佳為0.01質量%~3質量%，又更佳為0.1質量%~2.5質量%。
保護膜形成膜3亦可含有偶合劑。藉由含有偶合劑，於保護膜形成膜3之硬化後不會損害保護膜之耐熱性，且可使保護膜與工件之接著性、密接性提高，並且可使耐水性(耐濕熱性)提高。作為偶合劑，就其通用性及成本優勢等而言較佳為矽烷偶合劑。
作為矽烷偶合劑，例如可列舉：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。該等可單獨使用1種，或者混合2種以上而使用。
為了調節硬化前之凝聚力，保護膜形成膜3亦可含有有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、有機金屬螯合物等交聯劑。另外，為了抑制靜電並使晶片之可靠性提高，保護膜形成膜3亦可含有抗靜電劑。再者，為了提高保護膜之阻燃性能，使作為封裝之可靠性提高，保護膜形成膜3亦可含有磷酸化合物、溴化合物、磷系化合物等阻燃劑。
即，保護膜形成膜3之一形態包含硬化性成分、黏合劑聚合物成分、以及視需要之選自著色劑、填料、偶合劑、交聯劑、抗靜電劑及阻燃劑所組成之群中之至少一種成分。
為了使作為保護膜之功能有效地發揮，保護膜形成膜3之厚度較佳為3μm~300μm，更佳為5μm~250μm，又更佳為7μm~200μm。
此處，於與黏著片2中之黏著劑層22接觸之狀態下使保護膜形成膜3硬化而形成保護膜時，該保護膜中之黏著片2側之表面之光澤值較佳為25以上，尤佳為30以上。再者，本說明書中之光澤值為依照JIS Z8741以測定角60°使用光澤計測定出之值。藉由使形成於晶片之保護膜表面之光澤值處於上述範圍，而美觀性優異，並且藉由雷射印字所形成之印字視覺辨認性優異。
3.治具用黏著劑層
本實施形態之保護膜形成用複合片1係於保護膜形成膜3之與黏著片2側為相反側之周緣部具有治具用黏著劑層4。藉由如上所述般具有治具用黏著劑層4，無關於保護膜形成膜3之黏著力，而可將保護膜形成用複合片1貼附於環狀框架等治具而確實地固定。
本實施形態中之治具用黏著劑層4形成為環狀，既可由單層形成，亦可包含2層以上之多層，於多層時，較佳為有芯材位於中間之構成。
就對環狀框架等治具之黏著力之觀點而言，構成治具用黏著劑層4之黏著劑較佳為由非能量線硬化性黏著劑構成。作為非能量線硬化性黏著劑，較佳為具有所需之黏著力及再剝離性者，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等，其中，較佳為易於控制黏著力及再剝離性之丙烯酸系黏著劑。
作為芯材，通常使用樹脂膜，其中，較佳為聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯系膜，尤佳為聚氯乙烯膜。聚氯乙烯膜具有即便加熱軟化也會在冷卻時易於復原之性質。芯材之厚度較佳為2μm~200μm，尤佳為5μm~100μm。
就對環狀框架等治具之接著性之觀點而言，治具用黏著劑層4之厚度較佳為5μm~200μm，尤佳為10μm~100μm。
4.剝離片
保護膜形成用複合片1亦可於其保護膜形成膜3及治具用黏著劑層4側(圖1中為上側)具有剝離片。將具有剝離片之本發明之一實施態樣之保護膜形成用複合片10示於圖4。藉由該剝離片7，則可於到使用保護膜形成用複合片1之前為止的期間，對保護膜形成膜3及治具用黏著劑層4進行保護。
剝離片7之構成為任意，可例示利用剝離劑等對塑膠膜進行剝離處理而成者。作為塑膠膜之具體例，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯膜、及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烴膜。作為剝離劑，可使用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，該等中，較佳為廉價且可獲得穩定性能之聚矽氧系。剝離片之厚度並無特別限制，通常為20μm~250μm左右。
前述保護膜形成用複合片較佳為於使前述保護膜形成用複合片以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃，且於該溫度保持2小時之時間點，具有0.01%以上且6.0%以下、 更佳為3.0%以下、又更佳為2.5%以下、尤佳為1.2%以下之重量減少率(測定方法如後述試驗例所示)。即，前述保護膜形成用複合片之前述重量減少率較佳為0.01%以上且6.0%以下，更佳為0.01%以上且3.0%以下，又更佳為0.01%以上且2.5%以下，尤佳為0.01%以上且1.2%以下。此處，前述保護膜形成用複合片係包含基材、黏著劑層及保護膜形成膜，且依序積層前述基材、黏著劑層及保護膜形成膜而成之保護膜形成用複合片，並設為不含剝離片及治具用黏著劑層者。藉由使前述保護膜形成用複合片之前述重量減少率處於上述範圍內，於加熱時前述保護膜形成用複合片不易變形，前述保護膜形成用複合片具有適於其使用目的之優異耐熱性。而且，藉由使前述保護膜形成用複合片之前述重量減少率處於上述範圍內，於對前述保護膜形成用複合片加熱時幾乎不會自前述保護膜形成用複合片產生氣體，因此可抑制前述保護膜形成用複合片之劣化。再者，藉由使前述保護膜形成用複合片之前述重量減少率處於上述範圍內，前述保護膜形成用膜與工件之黏著力不易下降。
5.保護膜形成用複合片之製造方法
保護膜形成用複合片1可較佳地藉由如下方式而製造，即，分別製作包含保護膜形成膜3之第1積層體、包含黏著片2之第2積層體、包含治具用黏著劑層4之第3積層體之後，使用第1積層體及第2積層體將保護膜形成 膜3與黏著片2積層，進一步使用第3積層體而積層治具用黏著劑層4，但並不限定於此。
於製造第1積層體時，在第1剝離片之剝離面(具有剝離性之面；通常為經實施剝離處理之面，但並不限定於此)形成保護膜形成膜3。具體而言，調製含有構成保護膜形成膜3之硬化性接著劑、及視需要進一步含有溶劑之保護膜形成膜用塗佈劑，並利用輥式塗佈機、刀式塗佈機、輥刀式塗佈機、氣刀式塗佈機、模具塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、簾幕式塗佈機等塗佈機，於第1剝離片之剝離面塗佈前述塗佈劑並使其乾燥，而將保護膜形成膜3形成於第1剝離片之剝離面。其次，於保護膜形成膜3之露出面重疊第2剝離片之剝離面並壓接，而獲得由兩片剝離片夾著保護膜形成膜3而成之積層體(第1積層體)。
於製造第2積層體時，於第3剝離片之剝離面塗佈含有構成黏著劑層22之黏著劑、及視需要進一步含有溶劑之黏著劑層用塗佈劑並使其乾燥，而於第3剝離片之剝離面形成黏著劑層22。之後，於黏著劑層22之露出面壓接基材21，而獲得包括含有基材21及黏著劑層22之黏著片2與剝離片之積層體(第2積層體)。
此處，於黏著劑層22包含能量線硬化性黏著劑時，亦可對黏著劑層22照射能量線而使能量線硬化性黏著劑硬化。另外，於黏著劑層22包含多層，且會與保護膜形成膜3接觸之層包含能量線硬化性黏著劑時，亦可對該接觸層照射能量線而使能量線硬化性黏著劑硬化。
作為能量線，通常使用紫外線、電子束等。能量線之照射量根據能量線之種類而不同，例如於紫外線時，以光量計較佳為50mJ/cm2~1000mJ/cm2，尤佳為100mJ/cm2~500mJ/cm2。另外，於電子束時，較佳為10krad~1000krad左右。
於治具用黏著劑層4為單層時，當製造第3積層體時，於第1剝離片之剝離面形成治具用黏著劑層4。具體而言，調製含有構成治具用黏著劑層4之黏著劑、及視需要進一步含有溶劑之治具用黏著劑層之塗佈劑，並塗佈於第1剝離片之剝離面並使其乾燥，而形成治具用黏著劑層4。其次，於治具用黏著劑層4之露出面重疊第2剝離片之剝離面並壓接，而獲得由兩片剝離片夾著治具用黏著劑層4而成之積層體(第3積層體)。
於治具用黏著劑層4具有芯材時，當製造第3積層體時，例如於第1剝離片之剝離面形成第1治具用黏著劑層，且於該第1治具用黏著劑層上積層芯材。另外，於第 2剝離片之剝離面形成第2治具用黏著劑層。然後，將第2治具用黏著劑層與第1治具用黏著劑層上之芯材重疊，並將兩積層體壓接。藉此，獲得由兩片剝離片夾著具有芯材之治具用黏著劑層4而成之積層體(第3積層體)。
如此獲得第1積層體、第2積層體及第3積層體之後，將第1積層體中之第2剝離片剝離，並且將第2積層體中之剝離片剝離，使第1積層體中露出之保護膜形成膜3與第2積層體中露出之黏著片2之黏著劑層22重疊並壓接(第4積層體)。
另一方面，針對第3積層體，保留第1剝離片而對第2剝離片及治具用黏著劑層4之內周緣進行半切(half cut)。將第2剝離片及藉由半切所產生之多餘部分(圓形部分)之治具用黏著劑層4適當去除即可。然後，自第4積層體剝離第1剝離片，使露出之保護膜形成膜3與第3積層體中露出之治具用黏著劑層4重疊並壓接。之後，保留第3積層體中之第1剝離片，而對保護膜形成用複合片1之外周緣進行半切。
如此，獲得於保護膜形成用複合片1上積層有剝離片7之保護膜形成用複合片10，該保護膜形成用複合片1包含：黏著片2，係於基材21上積層黏著劑層22而成；保護膜形成膜3，係積層於黏著片2之黏著劑層22側； 及治具用黏著劑層4，係積層於保護膜形成膜3中之與黏著片2為相反側之周緣部。此時，剝離片7係積層於治具用黏著劑層4中與保護膜形成膜3相反之一側。
具有此種構成之保護膜形成用複合片1可使保護膜形成膜3與黏著片2之大小及形狀相同，因此，與該等之大小或形狀不同之情況相比可減少半切步驟，因此可簡單地進行製造。
另外，具有此種構成之保護膜形成用複合片1中，可使成為凸起之治具用黏著劑層4之外周緣與保護膜形成用複合片1整體之外周緣為相同位置，因此，當捲繞乘載有多片本實施形態之保護膜形成用複合片1之長條之剝離片(步驟膜)時，有不易形成所謂捲痕之優點。
6.保護膜形成用複合片之使用方法
以下，作為一例說明使用本實施形態之保護膜形成用複合片1並由作為工件之半導體晶圓製造附有保護膜之晶片的方法。首先，如圖3所示，將保護膜形成膜3貼附於半導體晶圓5，並且將治具用黏著劑層4貼附於環狀框架6。於將保護膜形成膜3貼附於半導體晶圓5時，亦可視需要對保護膜形成膜3進行加熱而使其發揮黏著性。
接著，使保護膜形成膜3硬化而形成保護膜。於保護膜形成膜3為熱硬化性接著劑時，將保護膜形成膜3於特定溫度加熱適當時間，然後進行冷卻。此時，本實施形態之保護膜形成用複合片1可有效抑制鬆弛，因此不會對之後的步驟造成阻礙。
亦可視需要對硬化前之保護膜形成膜3或硬化後之保護膜形成膜3(保護膜)進行雷射印字。之後，依照常法切割半導體晶圓5，而獲得具有保護膜之晶片(附有保護膜之晶片)。然後，視需要使黏著片2沿平面方向延伸，且自黏著片2拾取附有保護膜之晶片。本實施形態之保護膜形成用複合片1係具有黏著劑層22，故於上述切割時可抑制晶片發生跳起。而且，本實施形態之保護膜形成用複合片1之黏著片2具有適度之柔軟性，故可良好地進行延伸或拾取。
以上說明之實施形態係為了使本發明易於理解而記載，並非為了限定本發明而記載。因此，上述實施形態所揭示之各要素亦包括屬於本發明技術範圍之所有設計變更或均等物。
例如，治具用黏著劑層4亦可為包含基材與黏著劑層之2層構成。於此情形時，較佳為以於發揮黏著性之保護膜形成膜3接著上述基材之方式，且以於環狀框架等治具 貼附上述黏著劑層之方式構成。另外，亦可自保護膜形成用複合片1省略治具用黏著劑層4。此時，保護膜形成膜3較佳為以使黏著片2之黏著劑層22露出之方式形成為直徑較黏著片2小，且將該露出之黏著劑層22貼附於環狀框架等治具。
[實施例]
以下利用實施例等更具體地說明本發明，但本發明之範圍並不限定於該等實施例等。
〔實施例1〕
實施例1中，以如下方式製造如圖1所示之保護膜形成用複合片1。
(1)包含保護膜形成膜之第1積層體之製作
混合以下之(a)~(g)之成分，且以固體成分濃度成為50質量%之方式利用甲基乙基酮進行稀釋，而調製保護膜形成膜用塗佈劑。
(a)黏合劑聚合物：(甲基)丙烯酸酯共聚物(使丙烯酸正丁酯10質量份、丙烯酸甲酯70質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯5質量份、及丙烯酸2-羥基乙酯15質量份進行共聚合而獲得之共聚物，重量平均分子量：80萬，玻璃轉移溫度：-1℃)150質量份(固體成分換算，以下相同)
(b-1)熱硬化性成分：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，製品名「jER828」，環氧當量為184g/eq~194g/eq)60質量份
(b-2)熱硬化性成分：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，製品名「jER1055」，環氧當量為800g/eq~900g/eq)10質量份
(b-3)熱硬化性成分：二環戊二烯型環氧樹脂(大日本油墨化學工業股份有限公司製造，製品名「Epiclon HP-7200HH」，環氧當量為255g/eq~260g/eq)30質量份
(c)熱活性潛伏性環氧樹脂硬化劑：二氰二胺(ADEKA股份有限公司製造：Adeka Hardener EH3636AS，活性氫量21g/eq)2質量份
(d)硬化促進劑：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業股份有限公司製造，製品名「Curezol 2PHZ」)2質量份
(e)填料：二氧化矽填料(Admatechs股份有限公司製造，製品名「SC2050MA」，平均粒徑：0.5μm)320質量份
(f)著色劑：碳黑(三菱化學股份有限公司製造，製品名「#MA650」，平均粒徑：28nm)1.2質量份
(g)矽烷偶合劑：(信越化學工業股份有限公司製造，製品名「KBM-403」)2質量份
準備於厚度為38μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜之單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之第1剝離片(LINTEC股份有限公司製造，製品名「SP-PET381031」)、及於厚度為38μm之PET膜之單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之第2剝離片(LINTEC股份有限公司製造，製品名「SP-PET381130」)。
首先，於第1剝離片之剝離面上，利用刀式塗佈機，以最終獲得之保護膜形成膜之厚度成為25μm之方式塗佈前述保護膜形成膜用塗佈劑，並使其乾燥，而形成保護膜形成膜。之後，於保護膜形成膜重疊第2剝離片之剝離面且將兩者貼合，而獲得包含第1剝離片、保護膜形成膜(厚度：25μm)及第2剝離片之積層體。該積層體為長條，進行捲繞而製成捲收體。
(2)包含黏著片之第2積層體之製作
混合以下之(h)及(i)之成分，且以固體成分濃度成為25質量%之方式利用甲基乙基酮進行稀釋，而調製黏著劑層用塗佈劑。
(h)黏著主劑：(甲基)丙烯酸酯共聚物(使丙烯酸2-乙基己酯60質量份、甲基丙烯酸甲酯30質量份、及丙烯酸2-羥基乙基10質量份進行共聚合而獲得之共聚物，重量平均分子量：60萬)100質量份
(i)交聯劑：三羥甲基丙烷之二甲苯二異氰酸酯加成物(三井武田化學股份有限公司製造，製品名「Takenate D110N」)20質量份
作為剝離片，準備於厚度為38μm之PET膜之單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之剝離片(LINTEC股份有限公司製造，製品名「SP-PET381031」)。
另外，作為基材，準備荷重伸縮率為MD方向98.6%/CD方向99.1%、無荷重伸縮率為MD方向99.0%/CD方向98.8%、拉伸彈性模數為MD方向320MPa/CD方向290MPa、且熔點為156℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)。再者，荷重伸縮率、無荷重伸縮率、拉伸彈性模數及熔點之測定方法如後述試驗例所示(以下相同)。
首先，於剝離片之剝離面上，利用刀式塗佈機，以最終獲得之黏著劑層之厚度成為5μm之方式塗佈前述黏著劑層用塗佈劑，並使其乾燥，而形成黏著劑層。之後，於黏著劑層貼合上述基材，而獲得包括黏著片與剝離片之第2積層體，該黏著片係含有基材及黏著劑層。該積層體為長條。之後，捲繞積層體而製成捲收體。
(3)包含治具用黏著劑層4之第3積層體之製作
混合以下之(j)及(k)之成分，且以固體成分濃度成為15質量%之方式利用甲苯進行稀釋，而調製黏著劑層用塗佈劑。
(j)黏著主劑：(甲基)丙烯酸酯共聚物(使丙烯酸丁酯69.5質量份、丙烯酸甲酯30質量份、丙烯酸2-羥基乙酯0.5質量份進行共聚合而獲得之共聚物，重量平均分子量：50萬)100質量份
(k)交聯劑：甲苯二異氰酸酯系交聯劑(Toyochem股份有限公司製造，製品名「BHS8515」)5質量份
準備於厚度為38μm之PET膜之單面形成聚矽氧系之剝離劑層而成之第1剝離片及第2剝離片(LINTEC股份有限公司製造，製品名「SP-PET381031」)、以及作為芯材之聚氯乙烯膜(Okamoto股份有限公司製造，厚度：50μm)。
首先，於第1剝離片之剝離面上，利用刀式塗佈機，以最終獲得之黏著劑層之厚度成為5μm之方式塗佈前述黏著劑層用塗佈劑，並使其乾燥，而形成第1黏著劑層。之後，於第1黏著劑層上貼合上述芯材，而獲得包含芯材、第1黏著劑層及第1剝離片之積層體A。該積層體A為長條，進行捲繞而製成捲收體。
其次，於第2剝離片之剝離面上，利用刀式塗佈機，以最終獲得之黏著劑層之厚度成為5μm之方式塗佈前述黏著劑層用塗佈劑，並使其乾燥，而形成第2黏著劑層。之後，於第2黏著劑層貼合上述積層體A中之芯材之露出面，而獲得包含第1剝離片/第1黏著劑層/芯材/第2黏著劑層/第2剝離片之第3積層體。該積層體為長條，進行捲繞而製成捲收體。
(4)第4積層體之製作
自上述(1)所得之第1積層體剝離第2剝離片，使保護膜形成膜露出。另一方面，自上述(2)所得之第2積層體將剝離片剝離，使黏著劑層露出。以上述保護膜形成膜接觸於上述黏著劑層之方式將第1積層體與第2積層體貼合，而獲得積層包含基材及黏著劑層之黏著片、保護膜形成膜、及第1剝離片而成之第4積層體。
(5)保護膜形成用複合片之製作
自上述(3)所得之第3積層體剝離第2剝離片，且保留第1剝離片而對治具用黏著劑層之內周緣進行半切，去除內側之圓形部分。此時，治具用黏著劑層之內周緣之直徑設為170mm。
自上述(4)所得之第4積層體剝離第1剝離片，使露出之保護膜形成膜與第3積層體中露出之治具用黏著 劑層重疊並壓接。之後，保留第3積層體中之第1剝離片而對保護膜形成用複合片之外周緣進行半切，去除外側之部分。此時，保護膜形成用複合片之外周緣之直徑設為205mm。
如此而獲得保護膜形成用複合片，係包含：黏著片，係於基材上積層黏著劑層(厚度：5μm)而成；保護膜形成膜，係積層於黏著片之黏著劑層側；環狀之治具用黏著劑層，係積層於保護膜形成膜中與黏著片為相反側之周緣部；及剝離片，係積層於治具用黏著劑層中與保護膜形成膜相反之一側。
〔實施例2〕
作為基材，使用荷重伸縮率為MD方向96.3%/CD方向99.6%、無荷重伸縮率為MD方向98.8%/CD方向99.0%、拉伸彈性模數為MD方向190MPa/CD方向170MPa、熔點為154℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造保護膜形成用複合片。
〔實施例3〕
作為基材，使用荷重伸縮率為MD方向99.7%/CD方向102.8%、無荷重伸縮率為MD方向99.3%/CD方向99.4%、拉伸彈性模數為MD方向490MPa/CD方向450 MPa、熔點為131℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造保護膜形成用複合片。
〔實施例4〕
作為基材，使用荷重伸縮率為MD方向101.4%/CD方向100.4%、無荷重伸縮率為MD方向99.6%/CD方向99.6%、拉伸彈性模數為MD方向630MPa/CD方向620MPa、熔點為163℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造保護膜形成用複合片。
〔比較例1〕
作為基材，使用荷重伸縮率為MD方向155.0%/CD方向195.0%、無荷重伸縮率為MD方向97.0%/CD方向97.8%、拉伸彈性模數為MD方向220MPa/CD方向210MPa、熔點為118℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造保護膜形成用複合片。
〔比較例2〕
作為基材，使用荷重伸縮率為MD方向93.9%/CD方向129.8%、無荷重伸縮率為MD方向94.0%/CD方向97.3%、拉伸彈性模數為MD方向130MPa/CD方向120 MPa、熔點為124℃之聚丙烯膜(厚度：80μm)，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造保護膜形成用複合片。
〔試驗例1〕<荷重伸縮率之測定>
將實施例及比較例中使用之基材以短邊成為CD方向、長邊成為MD方向之方式裁切成短邊22mm、長邊110mm之尺寸，將其設為MD方向之試驗片。將長度110mm中之長度方向中央部之100mm設為測定間距而對試驗片進行標記，於該試驗片之長度方向之兩端部(端部之5mm部分)分別安裝質量為2.2g之夾持器。
使用一夾持器，將上述試驗片懸吊於烘箱內。此時之對試驗片之荷重為下側夾持器之質量部，即0.1g/mm。於上述烘箱內，在130℃、30%RH下加熱2小時之後，自烘箱取出試驗片，並冷卻至23℃。之後，再次測定試驗片所標記之測定間距，根據下述式算出基材之荷重伸縮率(%)。將結果示於表1。
荷重伸縮率(%)=(加熱後之測定間距/加熱前之測定間距)×100
另外，將實施例及比較例中使用之基材以短邊成為MD方向、長邊成為CD方向之方式裁切成短邊22mm、長邊110mm之尺寸，將其設為CD方向之試驗片。對於 該CD方向之試驗片，亦以與上述同樣之方式算出荷重伸縮率(%)。將結果示於表1。
〔試驗例2〕<無荷重伸縮率之測定>
於上述荷重伸縮率之測定(試驗例1)中，不對試驗片安裝下側之夾持器，除此以外，以與試驗例1同樣之方式算出伸縮率(%)，將其設為無荷重伸縮率。將結果示於表1。
〔試驗例3〕<拉伸彈性模數測定>
將實施例及比較例中使用之基材裁切成15mm×140mm之試驗片，依照JIS K7127：1999測定23℃之拉伸彈性模數(楊氏模數)。具體而言，對於上述試驗片，於拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製造，製品名「Autograph AG-IS 500N」)中將夾盤間距設定成100mm之後，以200mm/min之速度進行拉伸試驗，測定拉伸彈性模數(MPa)。再者，拉伸彈性模數之測定係對基材之MD方向及CD方向之雙方進行。將結果示於表1。
〔試驗例4〕<熔點之測定>
使用熱重量測定裝置(PerkinElmer公司製造，製品名「Pyris1」)，測定實施例及比較例中使用之基材之熔點。具體而言，將基材自50℃以每分鐘10℃加熱至250℃，並進行DSC(Differential Scanning Calorimetry， 示差掃描熱量分析)測定，將觀測到吸熱峰之溫度設為熔點。將結果示於表1。
〔試驗例5〕<鬆弛評價>
自實施例及比較例中製造之保護膜形成用複合片將剝離片剝離，將所得之保護膜形成用複合片如圖3所示般貼附於聚矽氧晶圓(#2000研磨，外周緣之直徑：6吋，厚度：350μm，質量：14g)及環狀框架(不銹鋼製，內徑195mm)。於該狀態下，在130℃之環境下加熱2小時而使保護膜形成膜硬化之後，冷卻至室溫。
然後，測定位於環狀框架之下側之保護膜形成用複合片之下端面之高度、與位於半導體晶圓之下側之保護膜形成用複合片之下端面之高度的差(陷入量；mm)，將其作為鬆弛進行評價。評價基準如下所述。將結果示於表1。
A：未達0.5mm
B：0.5mm以上且未達2.0mm
C：2.0mm以上
上述結果中，比較例1及2之保護膜形成用複合片係評價為B或C，由於鬆弛較大，故未進行拾取力之評價。
〔試驗例6〕<切割裝置適性評價>
使上述試驗例5製作之附有聚矽氧晶圓及環狀框架之保護膜形成用複合片(硬化步驟後)吸附於切割裝置(DISCO股份有限公司製造，製品名「DFD651」)之吸附台。此時，判斷是否發生因保護膜形成用複合片之鬆弛所引起之吸附不良，利用以下之基準評價切割裝置適性。 將結果示於表1。
A：無問題地吸附，充分固定而可切割
B：發生吸附不良，無法進行切割
〔試驗例7〕<拾取力評價>
將上述試驗例5中評價為A之附有聚矽氧晶圓及環狀框架之保護膜形成用複合片之聚矽氧晶圓切割成5mm×5mm之晶片尺寸，而獲得附有保護膜之晶片。然後，自保護膜形成用複合片之基材側，利用針進行上頂，並拾取附有保護膜之晶片。此時，利用推拉力計(Aikoh Engineering股份有限公司製造，製品名「RX-1」)測定拾取所需之力(N)。將20個晶片之測定值之平均值設為拾取力(N)，利用以下基準評價拾取力。將結果示於表1。
A：4.0N以下
B：超過4.0N且為5.0N以下
C：超過5.0N
〔試驗例8〕<基材之重量減少率評價>
使用熱重量分析裝置(島津製作所股份有限公司製造：DTG-60)，測定使實施例及比較例中使用之基材以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃且於該溫度保持2小時之時間點的重量減少率。該重量減少率可利用以下之計算式而求出。
重量減少率[%]=[(加熱前重量-加熱後重量)/加熱前重量]×100
將結果示於表1。
〔試驗例9〕<保護膜形成用複合片之重量減少率評價>
使用熱重量分析裝置(島津製作所股份有限公司製造：DTG-60)，依照實施例及比較例製作如下保護膜形成用複合片，係包含基材、黏著劑層及保護膜形成膜，依序積層前述基材、黏著劑層及保護膜形成膜而成，且不含剝離片及治具用黏著劑層。測定使前述保護膜形成用複合片以升溫速度10℃/分鐘升溫至130℃且於該溫度保持2小時之時間點的重量減少率。該重量減少率可利用以下之計算式而求出。
重量減少率[%]=[(加熱前重量-加熱後重量)/加熱前重量]×100
將結果示於表1。
根據表1可知，實施例製造之保護膜形成用複合片於經過加熱、冷卻步驟之後幾乎不會鬆弛，且可良好地進行切割及拾取。
[產業上之可利用性]
本發明之保護膜形成用複合片適宜用於由半導體晶圓製造具有保護膜之晶片。

Claims (6)

  1. 一種保護膜形成用複合片，係具備：黏著片，係於基材之一面側積層黏著劑層而成；及保護膜形成膜，係積層於前述黏著片之前述黏著劑層側；對前述基材施加0.1g/mm之荷重且於130℃加熱2小時並冷卻至23℃時，前述基材之前述加熱後相對於前述加熱前之縱向方向及橫向方向之伸縮率均為95%~103%；前述基材之23℃之縱向方向及橫向方向之拉伸彈性模數均為100MPa~700MPa。
  2. 如請求項1所記載之保護膜形成用複合片，其中前述基材為聚丙烯膜。
  3. 如請求項1或2所記載之保護膜形成用複合片，其中前述基材之厚度為50μm~200μm。
  4. 如請求項1或2所記載之保護膜形成用複合片，其具備治具用黏著劑層，係積層於前述保護膜形成膜之與前述黏著片側為相反側之周緣部。
  5. 如請求項1或2所記載之保護膜形成用複合片，係具備積層於前述保護膜形成膜之剝離片。
  6. 如請求項1或2所記載之保護膜形成用複合片，其中前述保護膜形成膜係於半導體晶圓、或將半導體晶圓切割所得之半導體晶片形成保護膜之層。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005203749A (ja) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープおよびその製造方法
JP2013120841A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Lintec Corp 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法

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