[go: up one dir, main page]

TWI528481B - 球形成裝置、打線裝置以及球形成方法 - Google Patents

球形成裝置、打線裝置以及球形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI528481B
TWI528481B TW103143974A TW103143974A TWI528481B TW I528481 B TWI528481 B TW I528481B TW 103143974 A TW103143974 A TW 103143974A TW 103143974 A TW103143974 A TW 103143974A TW I528481 B TWI528481 B TW I528481B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
current
ball
wire
period
end portion
Prior art date
Application number
TW103143974A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201532158A (zh
Inventor
萩原美仁
笹倉一正
砂田辰之
Original Assignee
新川股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新川股份有限公司 filed Critical 新川股份有限公司
Publication of TW201532158A publication Critical patent/TW201532158A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI528481B publication Critical patent/TWI528481B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/0026—Arc welding or cutting specially adapted for particular articles or work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H01L2224/78271—Circuitry of the discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78343—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure by ultrasonic vibrations
    • H01L2224/78347—Piezoelectric transducers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78343—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure by ultrasonic vibrations
    • H01L2224/78353—Ultrasonic horns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

球形成裝置、打線裝置以及球形成方法
本發明的若干實施方式是有關於一種球形成裝置、打線(wire bonding)裝置以及球形成方法。
於半導體裝置的製造方法中，例如廣泛使用藉由金屬線(wire)將半導體元件(device)的電極與基板的配線進行電性連接的打線。作為打線的典型例，可列舉所謂的球形接合(ball bonding)方式。即，於電極與插通接合工具(bonding tool)(例如毛細管(capillary))的金屬線的前端部之間產生放電，而於金屬線的前端部形成球。然後，使接合工具朝向半導體元件的電極下降，並對該球賦予負荷及超音波振動，而於半導體元件的電極上對金屬線的球部分進行接合。
作為球形接合方式的打線裝置，已知有如下技術：為了於金屬線的前端形成均勻的球，將藉由產生於電極與金屬線的前端部之間的放電電壓及放電電流來形成球時的焦耳(joule)熱相當值與預先設定的熱量設定值進行比較而控制放電條件(例如， 參照專利文獻1)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平2-181943號公報
另外，現有的打線裝置是以於電極與金屬線的前端部之間流動的電流成為固定的電流值的方式進行定電流控制，從而於金屬線的前端部形成規定徑(直徑)的球。
然而，若如現有的打線裝置的球形成方法般對電極與金屬線的前端部之間供給固定電流值的電流，存在如下情況：根據金屬線的材料的不同，會形成氣泡、縮孔、偏心等形狀變形的異形球。
本發明的若干實施方式是鑒於上述問題而完成，目的之一在於提供一種可抑制異形球的形成的球形成裝置、打線裝置以及球形成方法。
本發明的一實施方式的球形成裝置是於電極與金屬線的前端部之間產生放電而於金屬線的前端部形成球，其特徵在於包括：電流供給部，對電極與金屬線的前端部之間供給球形成電流；以及電流控制部，以規定期間內的球形成電流的信號具有規定電流值的第1期間與包含三角波的第2期間的方式，對電流供給部進行控制。
於上述球形成裝置中，第2期間亦可包含三角波，該三角波具有規定振幅。
於上述球形成裝置中，第2期間亦可包含三角波，該三角波電流值隨時間而降低。
於上述球形成裝置中，金屬線亦可包含多種金屬材料。
本發明的一實施方式的打線裝置包括上述球形成裝置。
本發明的一實施方式的球形成方法是於電極與金屬線的前端部之間產生放電而於金屬線的前端部形成球，其特徵在於包括電流供給步驟，該電流供給步驟是對電極與金屬線的前端部之間供給球形成電流，且規定期間內的球形成電流的信號具有規定電流值的第1期間與包含三角波的第2期間。
根據本發明，規定期間內的球形成電流的信號具有為規定電流值的第1期間。藉此，於第1期間內對電極與金屬線的前端部之間供給規定的電流值，因此，可抑制球徑(直徑)的不均，從而可於金屬線的前端部形成規定徑(直徑)的球。而且，規定期間內的球形成電流的信號更具有包含三角波的第2期間。藉此，第1期間內形成的球的表面藉由該三角波的球形成電流而重複熔融(熔解)與凝固，由此產生多次表面張力，故而可使表面的凹凸或變形平坦化。因此，可穩定地形成具有規定徑(直徑)的球，並且可抑制氣泡、縮孔、偏心等的異形球的形成。
1‧‧‧打線裝置
10‧‧‧XY驅動機構
12‧‧‧Z驅動機構
14‧‧‧支軸
16‧‧‧接合台
20‧‧‧接合臂
30‧‧‧超音波焊頭
32‧‧‧焊頭固定螺釘
40‧‧‧接合工具
42‧‧‧金屬線
43‧‧‧球
43a‧‧‧氣泡
43b‧‧‧縮孔
44‧‧‧線夾
46‧‧‧線張力器
48‧‧‧炬電極
50‧‧‧球形成裝置
51‧‧‧電源電路部
52‧‧‧電壓產生部
53‧‧‧電流檢測部
54‧‧‧電流供給部
55‧‧‧控制電路部
56‧‧‧電壓控制部
57‧‧‧電流控制部
60‧‧‧超音波振動元件
80‧‧‧控制部
82‧‧‧操作部
84‧‧‧顯示部
100‧‧‧半導體元件
D‧‧‧徑(直徑)
i0‧‧‧電流值
i1‧‧‧電流值
i2‧‧‧最大電流值
i3‧‧‧最小電流值
S10‧‧‧球形成處理
S11~S14‧‧‧步驟
t0、t1、t2、t3、t4、t5‧‧‧時刻
Tb、Tj‧‧‧期間
Tb1‧‧‧第1期間
Tb2‧‧‧第2期間
X、Y、Z‧‧‧軸
圖1是用以說明本實施方式的打線裝置的一例的概略構成圖。
圖2是用以說明本實施方式的球形成裝置的一例的概略構成圖。
圖3是用以說明本實施方式的球形成方法的一例的流程圖(flow chart)。
圖4是關於現有的球形成方法的電流信號的曲線圖(graph)。
圖5(A)至圖5(D)是用以說明形成於金屬線的前端部的球的圖。
圖6是關於本實施方式的球形成方法的一例的時序圖(timing chart)。
圖7是關於本實施方式的球形成方法的另一例的時序圖。
以下，對本發明的實施方式進行說明。於以下的圖式的記載中，相同或類似的部分以相同或類似的符號表示。然而，圖式為示意性。因此，具體尺寸等應對照以下的說明而進行判斷。而且，於圖式彼此之間，當然亦包含彼此的尺寸關係或比率不同的部分。進而，本案發明的技術範圍不應限定於該實施方式而解釋。另外，於以下的說明中，將圖式的上側稱為「上」，將下側稱為「下」，將左側稱為「左」，將右側稱為「右」。
圖1至圖7用於表示本發明的球形成裝置、打線裝置以及球形成方法的一實施方式。圖1是用以說明本實施方式的打線裝置的一例的概略構成圖。本實施方式的打線裝置1是為了實施 打線而使用的裝置。作為一例，該打線裝置1包括本實施方式的球形成裝置50。
如圖1所示，打線裝置1包括XY驅動機構10、接合臂(bonding arm)20、超音波焊頭(ultrasonic horn)30、接合工具(bonding tool)40、球形成裝置50、超音波振動元件60、及控制部80。
XY驅動機構10構成為可沿XY軸方向(平面方向)移動，於XY驅動機構(線性馬達(linear motor))10，設置有使接合臂20可沿Z軸方向(上下方向)移動的Z驅動機構(線性馬達)12。
接合臂20由支軸14支撐，相對於XY驅動機構10而擺動自如地構成。接合臂20是以自XY驅動機構10延伸出的方式形成為大致長方體，且於打線時，接近至距載置有作為接合對象的半導體元件100的接合台(bonding stage)16為規定距離。
超音波焊頭30藉由焊頭固定螺釘32而安裝於接合臂20的前端部。超音波焊頭30於其前端部保持有接合工具40。藉由超音波振動元件60產生超音波振動，該超音波振動藉由超音波焊頭30而傳遞至接合工具40，從而可經由接合工具40對接合對象賦予超音波振動。超音波振動元件60例如為壓電式(piezo)振動元件。
接合工具40用於供金屬線42插通，例如為設置有插通孔的毛細管。此時，在接合工具40的插通孔中插通有用於接合的金屬線42，且構成為可將金屬線42的一部分自該接合工具40的前端抽出。接合工具40利用彈簧力等而可更換地安裝於超音波焊 頭30。而且，於接合工具40的上方設置有線夾(wire clamper)44，線夾44構成為於規定的時序將金屬線42束緊或釋放。於線夾44的更上方設置有線張力器(wire tensioner)46，線張力器46構成為供金屬線42插通，且對接合中的金屬線42賦予適度的張力。
金屬線42的材料自易於加工與電阻低等方面適當選擇，例如使用金(Au)、銅(Cu)、或銀(Ag)等。另外，金屬線42的材料並不限定於單一金屬的情況，亦可使用包含多種金屬的材料，例如為銅鈀(Cu-Pd)等。
炬(torch)電極48用於產生放電(火花(spark))。炬電極48構成為藉由放電的熱而可於自接合工具40的前端抽出的金屬線42的前端部(一端部)形成球43。而且，炬電極48的位置固定，於放電時，接合工具40接近至距炬電極48為規定距離，從而於炬電極48與金屬線42的前端部(一端部)之間進行適當的放電。
球形成裝置50為用於本實施方式的球形成方法的裝置。而且，球形成裝置50與控制部80之間構成為可收發信號，以使其中一者可使另一者的功能運作或停止。
控制部80連接於XY驅動機構10、Z驅動機構12、超音波焊頭30(超音波振動元件60)、及球形成裝置50，藉由控制部80而對該些構成的動作進行控制，藉此，可進行打線所需的處理。控制部80包括介面(interface)(未圖示)，該介面在與例如XY驅動機構10、Z驅動機構12、超音波焊頭30(超音波振動元件60)、球形成裝置50等上述各構成之間進行信號的收發。
另外，於控制部80，連接有用以輸入控制資訊的操作部82、及用以輸出控制資訊的顯示部84，藉此，作業者可一面利用顯示部84瞭解畫面，一面利用操作部82輸入必要的控制資訊。控制部80例如可由包括中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)及記憶體(memory)等的電腦(computer)裝置構成，且於記憶體中預先記憶有用於進行打線所需的處理的程式(program)或資料(data)等。
圖2是用以說明本實施方式的球形成裝置的一例的概略構成圖。球形成裝置50用以於金屬線42的前端部形成球43。如圖2所示，球形成裝置50包括電源電路部51及控制電路部55。
電源電路部51用以進行放電、及檢測關於放電的電氣信號。電源電路部51例如為產生變動少且穩定的電壓及電流的線性方式的電源電路。電源電路部51包括電壓產生部52、電流檢測部53、及電流供給部54。
電壓產生部52用以產生電壓。電壓產生部52連接於控制電路部55，基於來自控制電路部55的控制信號而產生規定的高電壓，例如最大5000[V]左右的高電壓。而且，電壓產生部52連接於炬電極48、及與自接合工具40抽出的金屬線42的前端部(一端部)為相反側的金屬線42的另一端部。電壓產生部52構成為對炬電極48與金屬線42的前端部之間施加所產生的規定的高電壓。藉此，於炬電極48與金屬線42的前端部之間產生放電。
電壓產生部52可包含例如定電壓電路及升壓用變壓器(transformer)而構成。於此例的情況下，電壓產生部52藉由反饋(feedback)控制而產生固定的高電壓值，該反饋控制是將自定電 壓電路輸出並經升壓用變壓器升壓的電壓的一部分再次反饋至定電壓電路。作為升壓用變壓器，例如使用具有定電壓功能及定電流功能兩者的線性輸出型變壓器。
電流檢測部53用以檢測電流，且連接於炬電極48。而且，電流檢測部53連接於控制電路部55，且構成為於藉由放電而於炬電極48與金屬線42之間流動放電電流時，向控制電路部55輸出放電電流的檢測信號。
電流檢測部53可包含例如放電電流檢測用電阻器、成為閾值的電源、及比較器(comparator)等而構成。於此例的情況下，電流檢測部53於放電電流的電壓值大於電源的電壓值時，輸出放電電流的檢測信號。
電流供給部54用以供給電流，且連接於炬電極48及金屬線42的另一端。而且，電流供給部54連接於控制電路部55，且構成為基於來自控制電路部55的控制信號，而對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給用以形成球43的電流即球形成電流。
電流供給部54可包含例如定電流電路及升壓用變壓器(transformer)而構成。於此例的情況下，電流供給部54供給自定電流電路輸出並經升壓用變壓器升壓的固定電流值的電流。升壓用變壓器例如使用具有定電流功能及定電流功能兩者的線性輸出型變壓器，且可與上述電壓產生部52共有。
控制電路部55用以控制放電。控制電路部55包括介面(未圖示)，該介面(未圖示)在與例如電壓產生部52、電流檢測部53、電流供給部54等電源電路部51的上述各構成之間進行信號的收發。而且，控制電路部55包括電壓控制部56及電流控制 部57。電壓控制部56與電流控制部57之間以彼此可收發信號的方式構成。
電壓控制部56用以對產生電壓的電壓產生部52進行控制。電壓控制部56構成為針對電壓產生部52產生的電壓，可控制例如開始(接通)、結束(斷開)、電壓值、及施加該電壓值的時間(期間)等。
電壓控制部56例如基於來自控制部80的控制信號，而向電壓產生部52輸出使規定的高電壓的施加開始的電壓施加開始的控制信號(接通信號)。而且，電壓控制部56例如基於來自電流檢測部53的放電電流的檢測信號，而向電壓產生部52輸出使規定的高電壓的施加結束的電壓施加結束的控制信號(斷開信號)。
電流控制部57用以對供給電流的電流供給部54進行控制。構成為針對電流供給部54供給的球形成電流，可控制例如開始(接通)、結束(斷開)、電流值、及供給該電流值的時間(期間)等。
電流控制部57例如基於來自電流檢測部53的放電電流的檢測信號，而向電流供給部54輸出控制信號，以於規定期間內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給球形成電流。
又，電流控制部57可包含例如脈衝(pulse)產生器等而構成。於此例的情況下，電流控制部57將脈衝信號作為控制信號而輸出至電流供給部54。電流控制部57可將該脈衝信號的輸出值(振幅)、時間(寬度)、週期設定為規定的值。脈衝信號的輸出值(振幅)、時間(寬度)、週期例如基於金屬線42的徑、金屬 線42的材料(材質)、形成的球43的徑(直徑)等而設定。
於本實施方式中，表示將來自電流檢測部53的放電電流的檢測信號輸入至電壓控制部56及電流控制部57的例，但並不限定於此。例如，亦可將來自電流檢測部53的放電電流的檢測信號僅輸入至電壓控制部56，電壓控制部56將所輸入的放電電流的檢測信號發送至電流控制部57。另外，球形成裝置50亦可包括未圖示的切換電路(開關電路(switch circuit))，該切換電路(開關電路)基於來自電流檢測部53的放電電流的檢測信號，而切換電壓控制部56及電流控制部57與電源電路部51的上述各構成之間的連接。於此例的情況下，切換電路(開關電路)在被輸入放電電流的檢測信號之前將電壓產生部52與電壓控制部56之間電性連接，另一方面，將電流供給部54與電流控制部57之間電性切斷。然後，當被輸入放電電流的檢測信號時，切換電路(開關電路)將電壓產生部52與電壓控制部56電性切斷，另一方面，將電流供給部54與電流控制部57之間電性連接。
接下來，參照圖3至圖7，對在金屬線的前端部形成球的方法進行說明。
圖3是表示本實施方式的球形成方法的一例的流程圖。如圖3所示，開始球形成處理S10時，首先，電壓控制部56向電壓產生部52輸出電壓施加開始的控制信號(接通信號)，電壓產生部52開始對炬電極48與金屬線42的前端部之間施加規定的高電壓(S11)。
其次，電壓控制部56基於自電流檢測部53輸入的放電電流的檢測信號，而判定是否已檢測到放電電流(S12)，重複S12 的步驟直至檢測到放電電流為止。
當S12的判定結果為檢測到放電電流時，電壓控制部56向電壓產生部52輸出電壓施加結束的控制信號(斷開信號)，電壓產生部52結束對炬電極48與金屬線42的前端部之間施加規定的高電壓(S13)。與此同時，電流控制部57向電流供給部54輸出控制信號，電流供給部54於規定期間內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給球形成電流(S14)。
於S14的步驟後，電流控制部57結束球形成處理S10。
此處，為了進行比較，對現有的球形成方法進行說明。
圖4是關於現有的球形成方法的電流信號的曲線圖。如圖4所示，現有的球形成方法於時刻t1，在炬電極48與金屬線42的前端部之間產生放電後，於規定的期間Tj內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給固定的電流值i0的電流。
圖5是用以說明形成於金屬線的前端部的球的圖，圖5(A)是表示正常的球的一例的圖，圖5(B)是表示異形的球的一例的圖，圖5(C)是表示異形的球的另一例的圖，圖5(D)是表示異形的球的又一例的圖。藉由在產生放電後對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給電流，而例如圖5(A)所示，於金屬線42的前端部形成具有規定的徑(直徑)D的球43。該球43具有球形或大致球形的形狀，認為是正常的球(正常球)。
另一方面，例如於金屬線42的材料為銅(Cu)等的情況下，圖4所示的現有的球形成方法存在如下情況：如圖5(B)所示，藉由放電而於球43的表面產生氣泡43a。另外，例如於金屬線42的材料為銅鈀(Cu-Pd)等的情況下，圖4所示的現有的 球形成方法存在如下情況：若於球43的表面存在鈀(Pd)的濃度高的部位，如圖5(C)所示，於該部位會形成縮孔43b。同樣地，於金屬線42的材料為銅鈀(Cu-Pd)等的情況下，圖4所示的現有的球形成方法存在如下情況：如圖5(D)所示，球43的重心自其剛心偏移而偏心。於圖5(B)至圖5(D)的情況下，雖可形成規定的徑(直徑)的球43，但形狀自球形或大致球形變形，認為該些球43是異形的球(異形球)。
圖6是關於本實施方式的球形成方法的一例的時序圖。另外，實際上相對於電流控制部57所輸出的信號，電流供給部54所供給的球形成電流可能產生時間的偏差(時滯(time lag))，但為了簡化說明，圖6除明顯的情況以外，表示為未產生時間的偏差(時滯)的情況，於以下的說明中亦相同。本實施方式的球形成方法中，如圖6所示，於時刻t0，電壓控制部56向電壓產生部52輸出電壓施加開始的控制信號(接通信號)，電壓產生部52開始對炬電極48與金屬線42的前端部之間施加規定的高電壓。然後，於經過規定時間後，在時刻t1，於炬電極48與金屬線42的前端部之間產生放電而流動放電電流。此時，電流檢測部53檢測到該放電電流並輸出放電電流的檢測信號後，電流控制部57輸出控制信號而對電流供給部54進行控制，電流供給部54於規定的期間Tb內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給球形成電流。
更詳細而言，電流控制部57於時刻t2至時刻t3的時間(期間)內，向電流供給部54輸出規定輸出值(規定振幅)的脈衝信號。電流供給部54基於該脈衝信號，而於時刻t2至時刻t3的時間(期間)內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給規 定的電流值i1的球形成電流。另外，作為一例，規定的電流值i1為40[mA]左右。
其次，於時刻t3，電流控制部57向電流供給部54輸出規定輸出值(規定振幅)且規定時間(規定寬度)的脈衝信號。該脈衝信號於時刻t3至時刻t4的時間(期間)內被輸出多次(多個)。電流供給部54基於上述多次(多個)脈衝信號，而對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給重複電流值的上升(增加)與下降(減少)的三角波形(波形為三角波)的球形成電流。該三角波例如具有最大電流值i2及最小電流值i3的規定的振幅。另外，最大電流值i2的一例為50[mA]左右，最小電流值i3的一例為30[mA]左右。
另外，本申請案的「三角波」的用語是指波形為三角或三角狀，亦包含大致三角波、近似三角波、及實質上為三角波，而且，亦包含鋸形波(鋸齒狀波)。因此，顯然本申請案的「三角波」的用語並不限定於嚴謹意義(狹義)上的三角波。
然後，於時刻t4，電流控制部57停止(結束)上述脈衝信號的輸出時，電流供給部54於時刻t4至時刻t5的時間內，一面使電流值降低一面對炬電極48與金屬線42的前端部(一端部)之間供給球形成電流。繼而，於時刻t5，電流供給部54停止(結束)對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給球形成電流，從而於金屬線42的前端部形成球43。另外，作為一例，時刻t0至時刻t5的時間(期間)為100μs左右。
此處，如圖6所示，時刻t2至時刻t5的時間(期間)、即規定的期間Tb內的球形成電流的信號具有為規定的電流值i1 的時刻t2至時刻t3的時間(期間)、即第1期間Tb1。藉此，於第1期間Tb1內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給規定的電流值i1，因此，可抑制球徑(直徑)的不均，從而可於金屬線42的前端部(一端部)形成規定徑(直徑)的球。
而且，如圖6所示，規定的期間Tb內的球形成電流的信號更具有包含三角波的時刻t3至時刻t5的時間(期間)、即第2期間Tb2。藉此，第1期間Tb1內形成的球的表面藉由該三角波的球形成電流而重複熔融(熔解)與凝固，由此產生多次表面張力，因此可使表面的凹凸或變形平坦化。
另外，金屬線42較佳為包含多種金屬材料，例如銅鈀(Cu-Pd)。此時，即便於第1期間Tb1內形成的球的表面存在鈀(Pd)的濃度高的部位，亦當藉由第2期間Tb2的三角波的球形成電流而使球的表面熔融(熔解)時，該鈀(Pd)會擴散至銅(Cu)中，因此可使球的表面的鈀(Pd)的濃度均勻化，從而可有效地抑制圖5(C)所示的縮孔43b的形成。
圖7是關於本實施方式的球形成方法的另一例的時序圖。另外，與圖6的情況同樣地，圖7除明顯的情況以外，表示為相對於電流控制部57所輸出的信號，電流供給部54所供給的球形成電流未產生時間的偏差(時滯)的情況，於以下的說明中亦相同。而且，包含第1期間Tb1的時刻t0至時刻t3的時間(期間)與圖6相同，故省略其說明。如圖7所示，於時刻t3，電流控制部57向電流供給部54輸出規定時間(規定寬度)的脈衝信號。該脈衝信號於時刻t3至時刻t4的時間(期間)內被輸出多次(多個)，且各脈衝信號具有互不相同的輸出值(振幅)，各個輸出 值(振幅)隨時間經過而降低。電流供給部54基於上述多次(多個)脈衝信號，而對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給重複電流值的上升(增加)與下降(減少)的三角波形(波形為三角波)的球形成電流。該三角波的電流值隨時間經過而逐漸降低。
於時刻t4，電流控制部57停止(結束)上述脈衝信號的輸出時，電流供給部54於時刻t4至時刻t5的時間內，一面使電流值降低一面對炬電極48與金屬線42的前端部(一端部)之間供給球形成電流。繼而，於時刻t5，電流供給部54停止(結束)對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給球形成電流，從而於金屬線42的前端部形成球43。
此處，如圖7所示，規定的期間Tb內的球形成電流的信號具有包含三角波的時刻t3至時刻t5的時間(期間)、即第2期間Tb2，且該三角波的電流值隨時間而降低。藉此，第1期間Tb1內形成的球的表面藉由該三角波的球形成電流而重複熔融(熔解)與凝固，由此產生多次表面張力，因此可使表面的凹凸或變形平坦化，並且由於三角波的電流值隨時間而降低，故而利用第1期間Tb1而液體化的球逐漸被冷卻，因此可形成具有圓球或大致圓球的形狀的球43。
於本實施方式中，表示圖6所示的第2期間Tb2包含具有規定的最大電流值i2及規定的最小電流值i3的三角波的例，且表示圖7所示的第2期間Tb2包含電流值隨時間經過而降低的三角波的例，但並不限定於該些例。第2期間Tb2例如亦可包含具有規定的最大電流值及規定的最小電流值的三角波、及電流值隨時間經過而降低的三角波兩者。
如上所述，根據本實施方式，如圖6及圖7所示，規定的期間Tb內的球形成電流的信號具有為規定的電流值i1的第1期間Tb1。藉此，於第1期間Tb1內對炬電極48與金屬線42的前端部之間供給規定的電流值i1，因此可抑制球徑(直徑)的不均，從而可於金屬線42的前端部(一端部)形成規定徑(直徑)的球。而且，如圖6及圖7所示，規定的期間Tb內的球形成電流的信號更具有包含三角波的第2期間Tb2。藉此，第1期間Tb1內形成的球的表面藉由該三角波的球形成電流而重複熔融(熔解)與凝固，由此產生多次表面張力，故而可使表面的凹凸或變形平坦化。因此，如圖5(A)所示，可穩定地形成具有規定的徑(直徑)D的球43，並且可抑制如圖5(B)至圖5(D)所示的氣泡43a、縮孔43b、偏心等的異形球的形成。
另外，本發明並不限定於上述實施方式，可進行各種變形而應用。
此外，藉由上述發明的實施方式而說明的實施例或應用例可根據用途而適當組合、或施加變更或者改良而使用，本發明並不限定於上述實施方式的記載。根據申請專利範圍的記載可知，上述組合而成或施加變更或者改良而成的實施方式亦可包含於本發明的技術範圍內。
40‧‧‧接合工具
42‧‧‧金屬線
43‧‧‧球
48‧‧‧炬電極
50‧‧‧球形成裝置
51‧‧‧電源電路部
52‧‧‧電壓產生部
53‧‧‧電流檢測部
54‧‧‧電流供給部
55‧‧‧控制電路部
56‧‧‧電壓控制部
57‧‧‧電流控制部
80‧‧‧控制部

Claims (6)

  1. 一種球形成裝置，於電極與金屬線的前端部之間產生放電，而於上述金屬線的前端部形成球，其特徵在於包括：電流供給部，對上述電極與上述金屬線的前端部之間供給球形成電流；以及電流控制部，以規定期間內的上述球形成電流的信號具有規定電流值的第1期間與包含三角波的第2期間的方式，對上述電流供給部進行控制。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的球形成裝置，其中上述第2期間包含三角波，該三角波具有規定振幅。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的球形成裝置，其中上述第2期間包含三角波，該三角波的電流值隨時間而降低。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的球形成裝置，其中上述金屬線包含多種金屬材料。
  5. 一種打線裝置，包括如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的球形成裝置。
  6. 一種球形成方法，於電極與金屬線的前端部之間產生放電而於上述金屬線的前端部形成球，其特徵在於：包括電流供給步驟，對上述電極與上述金屬線的前端部之間供給球形成電流，且規定期間內的上述球形成電流的信號具有規定電流值的第1期間與包含三角波的第2期間。
TW103143974A 2014-02-13 2014-12-17 球形成裝置、打線裝置以及球形成方法 TWI528481B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014025487 2014-02-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201532158A TW201532158A (zh) 2015-08-16
TWI528481B true TWI528481B (zh) 2016-04-01

Family

ID=53800152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103143974A TWI528481B (zh) 2014-02-13 2014-12-17 球形成裝置、打線裝置以及球形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10410992B2 (zh)
JP (1) JP6255584B2 (zh)
KR (1) KR101897074B1 (zh)
CN (1) CN106463422B (zh)
SG (1) SG11201606724PA (zh)
TW (1) TWI528481B (zh)
WO (1) WO2015122409A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI517277B (zh) * 2014-02-14 2016-01-11 新川股份有限公司 打線裝置以及半導體裝置的製造方法
US11791309B2 (en) * 2018-12-12 2023-10-17 Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. Process for electrically connecting contact surfaces of electronic components
USD914418S1 (en) 2019-02-15 2021-03-30 Switch Blade Design Llc Cabinet frame system
CN111702360A (zh) * 2019-03-18 2020-09-25 深圳市德沃先进自动化有限公司 一种led焊线机efo系统
TWI848292B (zh) * 2022-05-20 2024-07-11 日商新川股份有限公司 打線接合系統、打線接合檢查裝置、打線接合方法以及電腦程式產品

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2301320A (en) * 1940-02-12 1942-11-10 C E Phillips And Company Welding electrode
JPH06101491B2 (ja) 1989-01-07 1994-12-12 三菱電機株式会社 ワイヤボンデイング方法及びその装置
JPH0770556B2 (ja) * 1992-02-21 1995-07-31 株式会社テクニカ 高電圧発生装置
JPH06101491A (ja) 1992-09-21 1994-04-12 Suzuki Motor Corp エンジンの吸気装置
KR950009996B1 (ko) * 1992-12-24 1995-09-04 주식회사금강 규산칼슘계 인조목재 및 그의 제조방법
JP3091701B2 (ja) * 1996-11-28 2000-09-25 株式会社パワー ワイヤボンディング装置
JP4711549B2 (ja) * 2001-06-27 2011-06-29 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3813134B2 (ja) * 2003-04-16 2006-08-23 株式会社新川 ワイヤボンディング装置におけるボール形成装置
JP2006041412A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Fooemu Gijutsu Kenkyusho:Kk ワイヤボンダにおけるボール形成装置
JP4530984B2 (ja) * 2005-12-28 2010-08-25 株式会社新川 ワイヤボンディング装置、ボンディング制御プログラム及びボンディング方法
SG156688A1 (en) * 2006-05-09 2009-11-26 Asm Tech Singapore Pte Ltd Wire bonding process for insulated wires
JP4150752B1 (ja) * 2007-11-06 2008-09-17 田中電子工業株式会社 ボンディングワイヤ
JP2012110915A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Daihen Corp パルスアーク溶接の終了制御方法
JP5801058B2 (ja) * 2011-02-07 2015-10-28 株式会社ダイヘン 溶接装置および炭酸ガスアーク溶接方法
JP5734236B2 (ja) * 2011-05-17 2015-06-17 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びボンディング方法
US9969032B2 (en) * 2012-09-25 2018-05-15 The Esab Group, Inc. Bimetallic welding electrode

Also Published As

Publication number Publication date
CN106463422A (zh) 2017-02-22
WO2015122409A1 (ja) 2015-08-20
JP6255584B2 (ja) 2018-01-10
TW201532158A (zh) 2015-08-16
SG11201606724PA (en) 2016-09-29
US20160351538A1 (en) 2016-12-01
US10410992B2 (en) 2019-09-10
JPWO2015122409A1 (ja) 2017-03-30
KR101897074B1 (ko) 2018-09-10
KR20160118362A (ko) 2016-10-11
CN106463422B (zh) 2019-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI528481B (zh) 球形成裝置、打線裝置以及球形成方法
JP6118960B2 (ja) ワイヤボンディング装置及び半導体装置の製造方法
EP0540189A2 (en) Control system
JPWO2018038113A1 (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
CN106233443B (zh) 凸块形成方法、凸块形成装置以及半导体装置的制造方法
JP6209800B2 (ja) 半導体装置の製造方法及びワイヤボンディング装置
KR101897081B1 (ko) 방전 검사 장치, 와이어 본딩 장치 및 방전 검사 방법
JP2009106984A (ja) ２ワイヤ溶接の溶接開始方法
US12107067B2 (en) Wire bonding device, wire cutting method and non-transitory computer-readable recording medium recording program
JPH0712051B2 (ja) ボンデイング方法及び装置
JP2015202505A (ja) Ｔｉｇ溶接方法及びｔｉｇ溶接装置
JP2722886B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP3313568B2 (ja) ワイヤボンディング装置およびその制御方法
GB2270868A (en) Wire bonding control system.
JPH10163242A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JP2006041412A (ja) ワイヤボンダにおけるボール形成装置
JPH11163029A (ja) ワイヤボンディング方法とワイヤボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees